KR20150144279A - 태양전지 모듈의 후면 반사용으로 유용한 고반사성 및 고내구성 다층코팅 기판 및 그 제조방법 - Google Patents

태양전지 모듈의 후면 반사용으로 유용한 고반사성 및 고내구성 다층코팅 기판 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 태양전지 모듈의 후면 반사용으로 유용한 고반사성 및 고내구성 다층코팅 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 투명 기판 상에 순서대로 적층된 유전막층, 제1반사보조금속층, 반사금속층, 제2반사보조금속층, 저굴절 유전막층 및 고굴절 유전막층을 포함하는 다층 구조를 가지며, 태양전지 모듈(특히 Glass to Glass 타입의 태양전지 모듈)의 후면 반사용 기재로 사용시, 기계적 강도가 우수하여 긁힘이나 외부 충격에 의한 반사층의 손상을 방지할 수 있고, 내구성이 탁월하여 고온사막지역 등의 가혹한 환경에서도 태양광 반사율을 우수하게 유지할 수 있기 때문에 태양전지 모듈의 수명을 보장할 수 있고, 동시에 절연 기능을 발휘하기 때문에 태양전지 모듈의 누설전류 증가로 인하여 모듈의 출력이 저하되는 문제점을 해결할 수 있음은 물론, 380~1100nm 파장대역에서의 광 반사율이 85% 이상이고, 1100~2500nm 파장대역에서의 광 반사율이 85% 이상인 반사율을 가짐으로써 후면반사층으로부터 반사된 빛이 태양전지 셀의 발전출력을 향상시킬 수 있는 다층코팅 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.

Description

태양전지 모듈의 후면 반사용으로 유용한 고반사성 및 고내구성 다층코팅 기판 및 그 제조방법{Multilayer coated substrate with high reflectance and high durability, useful for rear surface reflection of photovoltaic module and method for manufacturing the same}
본 발명은 태양전지 모듈의 후면 반사용으로 유용한 고반사성 및 고내구성 다층코팅 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 투명 기판 상에 순서대로 적층된 유전막층, 제1반사보조금속층, 반사금속층, 제2반사보조금속층, 저굴절 유전막층 및 고굴절 유전막층을 포함하는 다층 구조를 가지며, 태양전지 모듈(특히 Glass to Glass 타입의 태양전지 모듈)의 후면 반사용 기재로 사용시, 기계적 강도가 우수하여 긁힘이나 외부 충격에 의한 반사층의 손상을 방지할 수 있고, 내구성이 탁월하여 고온사막지역 등의 가혹한 환경에서도 태양광 반사율을 우수하게 유지할 수 있기 때문에 태양전지 모듈의 수명을 보장할 수 있고, 동시에 절연 기능을 발휘하기 때문에 태양전지 모듈의 누설전류 증가로 인하여 모듈의 출력이 저하되는 문제점을 해결할 수 있음은 물론, 380~1100nm 파장대역에서의 광 반사율이 85% 이상이고, 1100~2500nm 파장대역에서의 광 반사율이 85% 이상인 반사율을 가짐으로써 후면반사층으로부터 반사된 빛이 태양전지 셀의 발전출력을 향상시킬 수 있는 다층코팅 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적인 태양전지 모듈은 태양광이 입사하는 순서대로 전면유리와 접합필름, 태양전지, 접합필름, 및 고분자 수지계열 백시트(Backsheet)를 합쳐서 방수 처리한 형태로 이루어진다.
그런데 후면기재로서 백시트를 사용하면 모듈의 강도가 약해지고, 특히 고온지역에서는 열에 취약하여 황변 현상이 발생하며, 사막지역 등에서는 모래폭풍에 의한 백시트의 마모와 모듈의 변형이 야기되는 등, 고온사막지역과 같은 가혹한 환경에 설치되는 태양전지 모듈에 있어서 특히 심각한 문제점이 있다. 따라서, 최근에는 백시트 대신 유리를 후면기재로 사용하는 Glass to Glass 타입의 모듈이 도입되고 있다.
그러나 이러한 Glass to Glass 타입의 태양전지 모듈에서는, 전면유리에서 태양전지로 직접 입사되는 태양광만 발전에 기여하고 태양전지 각 셀의 사이와 태양전지가 없는 모듈의 가장자리 부분에 입사되는 태양광은 사라지게 되므로, 광 손실율이 높아져 에너지의 낭비가 심하고 실제로 생산되는 전기량이 적어 발전효율이 저하되는 문제점이 있다. 또한 지면으로부터 반사되는 복사열에 의해 태양전지 모듈의 온도가 상승하여 모듈의 출력이 저하되고 수명이 단축되는 문제점도 존재한다.
최근에는 유리 등의 후면기재에 미러(mirror)층 혹은 반사층을 증착 또는 형성하여 모듈 내부에 적용하는 구조가 제안된 바 있다(예컨대, 대한민국공개특허 제10-2012-0025733호 및 대한민국등록특허 제10-1077579호). 그러나, 이들 특허문헌들에 소개된 코팅 후면기재들은 기계적 강도 및 내구성이 여전히 부족하여, 고온사막지역 등의 가혹한 환경에 설치될 태양전지 모듈에 사용하기에는 적합하지 않고, 사용시에는 태양전지 모듈의 수명을 단축시킬 수 있는 문제점이 있다.
또한, 미러(mirror)층 혹은 반사층은 외부 충격에 약하고 내구성이 떨어지기 때문에 보호층이 추가로 요구되는데, 미러층 혹은 반사층 위에 형성된 보호층에 의해 태양전지가 발전할 수 있는 파장대역인 380~1100nm에서의 반사율이 감소되어 태양전지의 발전출력이 감소되는 문제점이 존재한다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자 한 것으로, 태양전지 모듈(특히 Glass to Glass 타입의 태양전지 모듈)의 후면 반사용 기재로 사용시, 기계적 강도가 우수하여 긁힘이나 외부 충격에 의한 반사층의 손상을 방지할 수 있고, 내구성이 탁월하여 고온사막지역 등의 가혹한 환경에서도 태양광 반사율을 우수하게 유지할 수 있기 때문에 태양전지 모듈의 수명을 보장할 수 있고, 동시에 절연 기능을 발휘하기 때문에 태양전지 모듈의 누설전류 증가로 인하여 모듈의 출력이 저하되는 문제점에 대한 해결은 물론, 태양전지가 발전할 수 있는 파장대역인 380~1100nm 파장대역에서의 광 반사율을 85% 이상, 1100~2500nm 파장대역에서의 광 반사율을 85% 이상 확보함으로써 태양전지의 출력을 향상시킬 수 있는 다층코팅 기판 및 그 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상기한 기술적 과제를 해결하고자 본 발명은, (1) 투명 기판; 및 상기 투명 기판 상에 순서대로 적층된 (2) 유전막층, (3) 제1반사보조금속층, (4) 반사금속층, (5) 제2반사보조금속층, (6) 굴절율 1.3~1.6의 저굴절 유전막층 및 (7) 굴절율 1.9~2.6의 고굴절 유전막층을 포함하는 다층코팅;을 포함하는 다층코팅 기판을 제공한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 투명 기판 상에 유전막층, 제1반사보조금속층, 반사금속층, 제2반사보조금속층, 굴절율 1.3~1.6의 저굴절 유전막층 및 굴절율 1.9~2.6의 고굴절 유전막층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는, 다층코팅 기판의 제조방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 후면 반사용 기재로서 상기 본 발명의 다층코팅 기판을 구비한 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈이 제공된다.
본 발명의 다층코팅 기판을 태양전지 모듈의 후면 반사용 기재로서 사용하면, 기계적 강도 및 내구성, 특히 내스크래치성이 확보되고 내열성이 높아 고온사막지역 등의 가혹한 환경에서도 태양전지 모듈의 수명을 보장할 수 있고, 동시에 태양전지 모듈의 출력을 저하시키는 누설전류를 막아 태양전지 모듈의 출력을 증가시킬 수 있으면서, 태양전지의 발전에 있어 중요한 380~1100nm 파장대역에서의 광 반사율을 85% 이상으로, 1100~2500nm 파장대역에서의 광 반사율을 85% 이상으로 확보할 수 있어, 전면유리로부터 입사된 빛을 태양전지 셀에 보다 많이 재입사시켜서 태양전지 모듈의 출력을 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 다층코팅 기판을 구비한 태양전지 모듈은 고온사막지역 등에 특히 적합하다.
도 1은 본 발명의 일 구체예에 따른 태양전지 모듈의 구성에 대한 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1과 비교예 1에서 각각 제조된 다층코팅 기판의 반사율 비교 그래프이다.
이하에서 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명의 다층코팅 기판에 포함되는 상기 (1) 투명 기판으로는 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판과 같이 투명한 재질로서 그 표면 상에 본 발명에 따른 다층코팅이 형성될 수 있는 것이면 제한 없이 사용가능하며, 바람직하게는 유리 기판이 사용된다.
유리 기판의 경우 예컨대, 소다라임 유리와 같은 통상의 유리와 태양전지용 저철분 무늬유리(low-iron patterned glass), 저철분 판유리(low-iron float glass) 등을 제한 없이 사용할 수 있다. 또한, 필요에 따라 강화 또는 부분강화된 유리를 사용할 수도 있다.
투명 플라스틱 기판의 경우, 예를 들면, 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리메틸메타아크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(polybutylene terephthalate), 폴리이미드(polyimide), 베이클라이트(bakelite) 및 이들의 조합으로부터 선택되는 폴리머 재료로 이루어진 기판을 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서, 투명 기판의 두께에는 특별한 제한이 없으며, 사용목적에 따라 예컨대, 1mm~8mm, 보다 바람직하게는 2mm~4mm의 두께의 범위 내에서 자유롭게 선택될 수 있다.
본 발명의 다층코팅 기판에 포함되는 상기 유전막층(2)은, 바람직하게는 규소-함유 질화물을 함유한다. 상기 규소-함유 질화물은, 구체적으로는 질화규소(Si3N4), 규소-알루미늄 혼합 질화물(예컨대, SixAlyNz, 여기서 x=2~3, y=0.05~0.5(보다 구체적으로는, 0.05~0.1 또는 0.1~0.5), z=3~4) 및 이들의 조합으로부터 선택될 수 있다.
상기 유전막층(2)의 두께는, 바람직하게 10~60nm, 보다 바람직하게 15~50nm, 보다 더 바람직하게 20~40nm일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 유전막층(2)의 두께가 10nm보다 얇으면 기판유리로부터 확산된 알칼리 성분에 의해 반사금속층의 내구성이 저하될 수 있고, 반대로 60nm보다 두꺼우면 기판유리와의 표면응력(surface stress) 차이가 커져서 기판유리와 박막필름의 접착력이 약해질 뿐만 아니라 유전막층(2) 상에 적층되는 박막필름들과의 접착력 또한 약해질 우려가 있다.
본 발명의 다층코팅 기판에 포함되는 상기 제1 및 제2반사보조금속층(3, 5)은, 각각 독립적으로, 바람직하게는 니켈(Ni)층, 크롬(Cr)층, 또는 니켈-크롬 혼합금속(Ni-Cr)층일 수 있으며, 보다 바람직하게는 니켈-크롬 혼합금속(Ni-Cr)층일 수 있다.
상기 제1 및 제2반사보조금속층(3, 5)의 두께는, 각각 독립적으로, 바람직하게 0.5~5nm일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 반사보조금속층(3, 5) 각각의 두께가 0.5nm보다 얇으면 반사 금속층의 내열성과 산화방지 성능이 약해질 우려가 있을 수 있고, 반대로 5nm보다 두꺼우면 반사 금속층의 반사율을 저하시키는 문제가 있을 수 있다.
본 발명의 다층코팅 기판에 포함되는 상기 반사금속층(4)에 포함되는 금속으로는 태양전지 모듈의 반사층에 통상 사용 가능한 금속, 예컨대, 알루미늄(aluminum, Al), 은(silver, Ag), 백금(platinum, Pt), 티타늄(titanium, Ti) 또는 이들의 조합을 들 수 있다. 바람직하게는, 상기 반사금속층(4)은 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 조합을 포함하는 금속층일 수 있으며, 알루미늄(Al) 층이 가장 바람직하다.
상기 반사금속층(4)은 1100~2500nm 파장대역에서 바람직하게는 90% 이상(예컨대 90~99%), 보다 바람직하게는 93% 이상(예컨대 93~99%, 보다 구체적으로는 93~98%)의 광 반사율을 나타낸다. 반사금속층(4)의 1100~2500nm 파장대역에서의 광 반사율이 90%에 못 미치면, 반사금속층 위에 적층되는 반사보조금속층(5)와 저굴절 유전막층(6) 및 고굴절 유전막층(7)에 의해 전체 다층코팅 기판의 반사율이 85% 미만으로 감소되어, 태양전지 모듈의 수명 저하 방지 효과 및 효율 향상 효과가 불충분할 수 있다.
상기 반사금속층(4)의 두께에는 특별한 제한이 없으며, 원하는 반사효과를 얻을 수 있는 범위 내에서 코팅 공정의 효율성 등을 고려하여 적절히 선택될 수 있다. 반사 금속층의 두께는 바람직하게 20~200nm, 보다 바람직하게 30~150nm, 보다 더 바람직하게 30~100nm일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 반사 금속층의 두께가 상기보다 지나치게 얇으면 태양전지 모듈의 수명 저하 방지 효과 및 효율 향상 효과가 불충분할 수 있고, 반대로 지나치게 두꺼우면 코팅 공정의 효율이 낮아지고 경제성이 떨어질 수 있다.
본 발명의 다층코팅 기판에 포함되는 상기 저굴절 유전막층(6)은 550nm 파장에서 1.3~1.6의 굴절율을 가지며, 바람직하게는 규소-함유 산화물을 함유한다. 구체적으로, 상기 규소-함유 산화물은 산화규소(SiO2), 규소-알루미늄 혼합 산화물(예컨대, SiaAlbOc, 여기서 a=0.9~0.99, b=0.01~0.1, c=1~2) 및 이들의 조합으로부터 선택될 수 있다. 상기 규소-함유 산화물은 1.3~1.6을 벗어나는 굴절률을 가지면 코팅막의 내구성이 약해지거나 빛을 반사 혹은 투과하지 못하고 흡수할 수 있으며 이로 인해 모듈의 온도가 상승하는 요인이 될 수 있다.
상기 저굴절 유전막층(6)의 두께는, 바람직하게 30~150nm, 보다 바람직하게 40~140nm, 보다 더 바람직하게 50~120nm일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 저굴절 유전막층(6)의 두께가 30nm보다 얇으면 반사율이 낮아지는 문제가 있을 수 있고, 반대로 150nm보다 두꺼우면 생산성의 저하와 박막필름의 결함이 증가할 수 있다.
본 발명의 다층코팅 기판에 포함되는 상기 고굴절 유전막층(7)은 550nm 파장에서 1.9~2.6의 굴절율을 가지며, 바람직하게는 규소-함유 질화물을 함유한다. 구체적으로, 상기 규소-함유 질화물은 질화규소(Si3N4), 규소-알루미늄 혼합 질화물(예컨대, SixAlyNz, 여기서 x=2~3, y=0.05~0.5(보다 구체적으로는, 0.05~0.1 또는 0.1~0.5), z=3~4) 및 이들의 조합으로부터 선택될 수 있다. 규소-함유 질화물의 경우 1.9~2.6을 벗어나는 굴절률을 가지면 규소-함유 산화물과 같이 마찬가지로 코팅막의 내구성이 약해지거나 빛을 반사 혹은 투과하지 못하고 흡수할 수 있으며 이로 인해 모듈의 온도가 상승하는 요인이 될 수 있다.
상기 고굴절 유전막층(7)의 두께는, 바람직하게 30~150nm, 보다 바람직하게 40~120nm일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 고굴절 유전막층(7)의 두께가 30nm보다 얇으면 반사율과 내열성이 감소할 수 있고, 반대로 150nm보다 두꺼운 경우에도 반사율이 감소할 수 있다.
본 발명의 다층코팅 기판의, 코팅 면에서의 380~1100nm 파장대역 광 반사율은 바람직하게는 85% 이상, 더 바람직하게는 88% 이상, 보다 더 바람직하게는 89% 이상일 수 있다.
한편, 본 발명의 다층코팅 기판의, 투명 기판 면에서의 1100~2500nm 파장대역 광 반사율은 바람직하게는 85% 이상, 더 바람직하게는 88% 이상, 보다 더 바람직하게는 89% 이상일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 투명 기판 상에 유전막층, 제1반사보조금속층, 반사금속층, 제2반사보조금속층, 굴절율 1.3~1.6의 저굴절 유전막층 및 굴절율 1.9~2.6의 고굴절 유전막층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는, 다층코팅 기판의 제조방법이 제공된다.
본 발명의 다층코팅 기판의 제조방법에 있어서, 상기 투명 기판, 반사 금속층 및 절연성 보호층에 대해서는 앞서 설명한 바와 같다.
투명 기판 상에 상기 각 층을 순차적으로 형성하는 방법에는 특별한 제한이 없으며, 진공증착, 특히 스퍼터링(sputtering)을 포함한 물리적 기상 증착(Physical vapor deposition, PVD), 저압(low pressure), 상압(atmospheric pressure), 플라즈마(plasma)를 포함하는 화학적 기상 증착(Chemical vapor deposition, CVD) 등의 방법을 적절히 사용할 수 있다. 본 발명의 바람직한 일 구체예에 따르면, 마그네트론 스퍼터링 방식에 의해 연속적으로 모든 층을 진공증착할 수 있다. 이 방식은 특히 대형 기판의 제품에 대해 적합하다. 해당 타겟 물질(들)의 스퍼터링을, 산소의 존재 하에 수행함으로써 그 산화물 층을 증착할 수 있고, 질소의 존재 하에 수행함으로써 그 질화물 층을 증착할 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 후면 반사용 기재로서 상기 본 발명의 다층코팅 기판을 구비한 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈이 제공된다.
이하, 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 이들 실시예는 본 발명의 예시적으로 설명하기 위한 목적일 뿐, 그에 의하여 본 발명의 보호범위가 제한되는 것은 결코 아니다.
[ 실시예 ]
실시예 비교예
2.8mm 두께의 소다라임 판유리 위에, 비교예 1로서 하기 표 1에 나타낸 구성의 2층코팅(60nm 두께의 Si3N4층을 반사금속의 보호층으로 이용)을 순차적으로 형성하였고, 각 실시예로서 하기 표 2-1 및 2-2에 나타낸 구성의 다층코팅을 순차적으로 형성하였다. 각 코팅층의 형성은 마그네트론 스퍼터링 설비를 사용하여 수행되었다.
Figure pat00001
Figure pat00002
Figure pat00003
시험예 1: 코팅 면에서의 반사율 평가
상기 제조된 실시예 1 및 비교예 1의 코팅 유리에 대하여, 380~2500nm 파장대역에서 코팅 면에서의 광 반사율을 분광투과율 측정기(모델명 Lambda 950, Perkin Elmer社)로 측정하여 도 2에 나타내었다. 또한, 실시예 1~5 및 비교예 1의 코팅 유리의 코팅 면에서의 반사율로서, 380~1100nm 및 1100~2500nm 각각의 파장대역에서 ISO9050 규격에 따라 AM1.5에 해당하는 중가계수(Weighting function)를 곱한 평균값을 구하여 하기 표 3에 나타내었다.
Figure pat00004
코팅 면에서 반사된 빛은 태양전지 셀에 재입사되어 발전효율 향상에 기여한다. 표 3 및 도 2에서 알 수 있듯이, 태양전지의 발전 파장대역인 380~1100nm에서 실시예들의 코팅기판이 비교예 1 보다 높은 반사율을 나타내었는바, 실시예들의 코팅기판이 비교예 1 보다 월등히 우수한 발전효율 향상 효과를 제공함을 알 수 있다. 한편, 코팅 면에서 반사된 1100~2500nm 파장대역의 빛은 태양전지 모듈의 온도상승에 주는 영향이 지열에 비해 현격히 작기 때문에, 실시예들이 코팅 면에서 1100~2500nm 파장에 대하여 비교예 1에 비하여 낮은 반사율을 나타내었다고 하더라도, 모듈온도 저감 성능에 있어서 실시예들과 비교예 1 간에 큰 차이는 없다.
시험예 2: 유리 면에서의 반사율 평가
시험예 1과 동일한 조건을 적용하여 유리 면에서의 반사율을 측정하였으며, 380~1100nm 및 1100~2500nm 각각의 파장대역에 대하여, ISO9050 규격에 따라 AM1.5에 해당하는 중가계수(Weighting function)를 곱한 평균값을 구하여 하기 표 4에 나타내었다.
Figure pat00005
지면을 향하게 되는 후면 기재, 특히 유리 면의 뒷면은 지면으로부터의 복사열을 반사시켜야 하므로 1100~2500nm 파장대역에서의 반사율이 매우 중요하다. 표 4에서 알 수 있듯이, 실시예들의 기판은 반사금속층 하부에 유전막층과 반사보조금속층이 코팅되었음에도 불구하고 1100~2500nm 파장에 대하여 높은 반사율을 나타내어, 후면 반사 성능 또한 우수하였다.
시험예 3: 사막용 태양광 모듈 적용 평가
반사율 성능이 우수한 실시예 1의 다층 코팅유리를 사용하여 결정질 실리콘 태양광 모듈을 제작하고 평가한 결과, GTG(Glass-to-Glass) 모듈들 중에서 실시예 1 GTG 모듈의 출력이 일반 GTG 모듈 대비 약 2% 높은 5Watt의 추가 출력을 얻었으며, 비교예 1 GTG 모듈 대비해서는 출력이 3Watt 높은 결과를 얻었다. 이것은 필름면에서의 광변환영역(380~1100nm) 반사율이 높으므로 태양광모듈의 출력 또한 높게 나타난 것임을 의미한다.
Figure pat00006
1-1: 유리면
1: 후면 투명 기판
2: 유전막층
3: 제1반사보조금속층
4: 반사금속층
5: 제2반사보조금속층
6: 저굴절 유전막층
7: 고굴절 유전막층
7-1: 코팅면
8: 접합필름
9: 태양전지 셀
10: 접합필름
11: 전면 유리
A: 후면 다층코팅

Claims (10)

  1. (1) 투명 기판; 및 상기 투명 기판 상에 순서대로 적층된 (2) 유전막층, (3) 제1반사보조금속층, (4) 반사금속층, (5) 제2반사보조금속층, (6) 굴절율 1.3~1.6의 저굴절 유전막층 및 (7) 굴절율 1.9~2.6의 고굴절 유전막층을 포함하는 다층코팅;을 포함하는 다층코팅 기판. 
  2. 제1항에 있어서, 상기 투명 기판(1)이 유리 기판, 또는 폴리카보네이트, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리이미드, 베이클라이트 및 이들의 조합으로부터 선택되는 폴리머 재료로 이루어진 투명 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 다층코팅 기판.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유전막층(2)이 규소-함유 질화물을 함유하는 것을 특징으로 하는 다층코팅 기판.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2반사보조금속층(3, 5)이, 각각 독립적으로, 니켈(Ni)층, 크롬(Cr)층, 또는 니켈-크롬 혼합금속(Ni-Cr)층인 것을 특징으로 하는 다층코팅 기판.
  5. 제1항에 있어서, 상기 반사 금속층(4)이 알루미늄(aluminum, Al), 은(silver, Ag), 백금(platinum, Pt), 티타늄(titanium, Ti) 또는 이들의 조합을 포함하는 금속층인 것을 특징으로 하는 다층코팅 기판. 
  6. 제1항에 있어서, 상기 저굴절 유전막층(6)이 규소-함유 산화물을 함유하는 것을 특징으로 하는 다층코팅 기판.
  7. 제1항에 있어서, 상기 고굴절 유전막층(7)이 규소-함유 질화물을 함유하는 것을 특징으로 하는 다층코팅 기판.
  8. 제1항에 있어서, 380~1100nm 파장대역에서의 광 반사율이 85% 이상이고, 1100~2500nm 파장대역에서의 광 반사율이 85% 이상인 것을 특징으로 하는 다층코팅 기판.
  9. 투명 기판 상에 유전막층, 제1반사보조금속층, 반사금속층, 제2반사보조금속층, 굴절율 1.3~1.6의 저굴절 유전막층 및 굴절율 1.9~2.6의 고굴절 유전막층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는, 다층코팅 기판의 제조방법.
  10. 후면 반사용 기재로서 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 다층코팅 기판을 구비한 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6480904A (en) * 1987-09-22 1989-03-27 Nippon Sheet Glass Co Ltd Transparent plate stuck with conductive antireflection film
KR20100034100A (ko) * 2008-09-23 2010-04-01 주식회사 코오롱 플라스틱 기판
KR20110090316A (ko) * 2010-02-03 2011-08-10 엘지전자 주식회사 태양전지

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6480904A (en) * 1987-09-22 1989-03-27 Nippon Sheet Glass Co Ltd Transparent plate stuck with conductive antireflection film
KR20100034100A (ko) * 2008-09-23 2010-04-01 주식회사 코오롱 플라스틱 기판
KR20110090316A (ko) * 2010-02-03 2011-08-10 엘지전자 주식회사 태양전지

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102077120B1 (ko) * 2019-10-10 2020-02-13 주식회사 지프로 칼라 태양전지 모듈 및 이의 건축물 일체화 구조

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