KR20150138180A

KR20150138180A - Lithographic device, lithographic exposure device, recording medium having program recorded thereon, and lithographic process

Info

Publication number: KR20150138180A
Application number: KR1020157023787A
Authority: KR
Inventors: 히로아키 키쿠치
Original assignee: 가부시키가이샤 아도테크 엔지니어링
Priority date: 2013-03-29
Filing date: 2013-11-25
Publication date: 2015-12-09
Also published as: WO2014155830A1; JP2014199298A; CN105143985B; TW201437770A; KR102138066B1; TWI606313B; CN105143985A; JP6470484B2

Abstract

묘화 장치. 상기 묘화 장치는 피노광 기판에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 위치인 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 상기 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 상기 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터, 및 상기 복수의 기준 마크의 각각의 실제 위치인 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 취득하는 취득부와, 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치에 의거하여 상기 피노광 기판의 변형의 크기를 나타내는 물리량을 도출하고, 또한 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남에 대한 보정량을 도출하는 도출부와, 상기 도출부에서 도출된 보정량의 각각으로부터 상기 물리량이 커질수록 많은 양을 저감하는 저감부와, 상기 제 2 위치를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 상기 저감부에서 저감된 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하는 보정부를 구비하고 있다.Drawing device. The drawing apparatus includes coordinate data indicating a first position that is a design position of a plurality of reference marks formed on a substrate to be exposed, coordinate data indicating a drawing pattern to be drawn on the substrate to be formed on the basis of the first position, An obtaining unit that obtains coordinate data indicating a second position that is an actual position of each of the plurality of reference marks; and a calculation unit that derives a physical quantity representing a magnitude of deformation of the substrate to be subjected to the first position and the second position A derivation unit for deriving a correction amount for a deviation between the first position and the second position for each of the plurality of reference marks and a correction unit for calculating a correction amount for each of the plurality of reference marks from a correction amount derived from the derivation unit When the imaging pattern is drawn on the substrate with reference to the second position, On the basis of the correction amount decreased in gambu and a correction unit for correcting the coordinate data representing the imaged pattern.

Description

FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a lithographic apparatus, an exposure apparatus, a recording medium on which a program is recorded,

본 발명은 묘화 장치, 노광 묘화 장치, 기록 매체 및 묘화 방법에 관한 것이고, 특히 기판에 대하여 묘화 패턴을 묘화하는 묘화 장치, 기판에 대하여 묘화 패턴을 노광에 의해 묘화하는 노광 묘화 장치, 상기 묘화 장치에 의해 실행되는 프로그램을 기록한 기록 매체, 및 기판에 대하여 묘화 패턴을 묘화하는 묘화 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a drawing apparatus, an exposure apparatus, a recording medium, and a drawing method, and more particularly to a drawing apparatus that draws a drawing pattern on a substrate, an exposure apparatus that draws a drawing pattern on a substrate by exposure, A recording medium on which a program to be executed by the imaging apparatus is recorded, and a drawing method of drawing a drawing pattern on a substrate.

종래, 유리 클로스에 대하여 함침 처리를 행해서 건조시킨 프리프레그나, 강성 기능이 뛰어난 금속판 등을 코어 기판이라고 하고, 이들 코어 기판 상에 수지층과 배선층을 다층으로 쌓아 겹친 다층 배선 구조를 갖는 다층 배선 기판이 알려져 있다. 또한, 최근 이 다층 배선 기판에 대하여 박형화 및 공간 절약화가 요구되고 있기 때문에, 코어층을 갖지 않는 박형의 다층 배선 기판이 제안되어 있다.A multilayer wiring board having a multi-layer wiring structure in which a resin layer and a wiring layer are stacked in layers on a core substrate is referred to as a " core substrate " It is known. In addition, since the multilayer wiring board is required to be thin and space-saving, a thin multilayer wiring board having no core layer has been proposed.

이들 다층 배선 기판에서는 화학 처리에 의해 기판이 휘어 버리거나, 강도 부족에 의해 기판이 변형되어 버리거나 함으로써, 각 층에 묘화되는 묘화 패턴(배선 패턴)의 층간의 위치 맞춤이 곤란해지는 경우가 있다. 그것에도 상관없이, 묘화 패턴의 고밀도화에 의해 묘화 패턴에 있어서의 랜드 지름 및 구멍 지름이 미세화되어 있기 때문에, 고정밀도인 층간의 위치 맞춤이 요구되고 있다.In these multilayer wiring boards, the substrate is bent by the chemical treatment, or the substrate is deformed due to insufficient strength, so that it becomes difficult to align the layers of the drawing patterns (wiring patterns) drawn on the respective layers. Regardless of this, since the land diameter and the hole diameter in the patterning pattern are made smaller by increasing the density of the patterning pattern, it is required to align the layers with high accuracy.

이 요구를 만족시키기 위해, 기판의 휨 및 변형에 의해 발생하는 기판의 변형에 따라서 묘화 패턴을 변형시킨 후에 기판에 묘화하는 기술이 제안되어 왔다. 이 기술에 의하면, 층간의 위치 맞춤의 정밀도는 향상되지만 층을 겹칠 때마다 변형이 축적되기 때문에, 상위층에 묘화되는 묘화 패턴의 형상이 설계상의 묘화 패턴의 형상으로부터 괴리되어 기판 상으로의 전자 부품의 실장이 곤란해지는 것이 염려된다.In order to satisfy this requirement, a technique has been proposed in which a drawing pattern is deformed in accordance with a deformation of a substrate caused by warping and deformation of the substrate, and then the drawing pattern is drawn on the substrate. According to this technique, the accuracy of alignment between layers is improved, but the deformation is accumulated each time the layers are overlapped. Therefore, the shape of the drawing pattern drawn on the upper layer is different from the shape of the drawing pattern on the design, It is feared that the mounting becomes difficult.

또한, 묘화 패턴을 나타내는 화상을 복수의 영역으로 분할하고, 기판의 변형에 따라서 분할 영역마다 상기 화상을 회전 이동시키는 기술도 제안되어 있다. 이 기술에 의하면, 각 분할 영역에 있어서 설계상의 묘화 패턴의 형상과 실제로 묘화되는 묘화 패턴의 형상의 어긋남량이 저감된다. 그러나, 이 기술에서는 화상 처리가 복잡해진다고 하는 과제, 및 묘화 패턴을 층간에서 접속하기 위한 위치 결정 구멍을 각 분할 영역에 대하여 형성하는 기구가 필요하다고 하는 과제가 있었다.Further, there is also proposed a technique of dividing an image representing a drawing pattern into a plurality of regions, and rotating the image in each of the divided regions in accordance with deformation of the substrate. According to this technique, the shape of the drawing pattern in the design and the displacement of the shape of the drawing pattern actually drawn in each divided area are reduced. However, this technique has a problem that the image processing becomes complicated and a mechanism for forming a positioning hole for connecting the imaging pattern between the layers in each divided area is required.

이들 과제를 해결하기 위한 기술로서, 일본 특허 공개 2005-157326호 공보 및 일본 특허 공개 2011-95742호 공보에는 화상 처리가 복잡해지는 일 없이, 묘화되는 묘화 패턴의 설계상의 묘화 패턴으로부터의 어긋남을 억제할 수 있는 묘화 장치가 개시되어 있다.As a technique for solving these problems, Japanese Unexamined Patent Application Publication Nos. 2005-157326 and 2011-95742 disclose a technique of suppressing a deviation from a drawing pattern in design of a drawing pattern to be drawn without complicating image processing A drawing device is disclosed.

즉, 상기 일본 특허 공개 2005-157326호 공보의 묘화 장치는 기판의 변형 정보를 미리 취득해 두고, 상기 변형 정보에 의거하여 변형 후의 기판에 기록된 묘화 패턴이 래스터 데이터에 의해 나타내어지는 묘화 패턴과 동일 형상이 되도록 상기 래스터 데이터를 변환한다. 그리고, 변환된 래스터 데이터에 의거하여 변형 전의 기판에 묘화 패턴을 기록한다.That is, in the drawing apparatus of Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2005-157326, the deformation information of the substrate is acquired in advance, and based on the deformation information, the drawing pattern recorded on the substrate after the deformation is the same as the drawing pattern indicated by the raster data The raster data is transformed so as to have a shape. Then, on the basis of the converted raster data, the imaging pattern is written on the substrate before the deformation.

또한, 상기 특허문헌 2의 묘화 장치는 묘화 대상으로 하는 영역을 규정하는 위치 좌표와, 상기 영역에 형성된 기준점의 위치를 갖는 묘화 데이터를 이용하여 기판의 위치 좌표의 변위 형태에 의거하여 기준점의 위치를 보정한다. 그리고, 보정한 기준점의 위치에 의거하여 상기 영역의 형상을 유지한 상태로 상기 영역 내의 각 좌표를 보정한다.Further, the drawing apparatus of Patent Document 2 uses the drawing data having the position coordinates defining the area to be drawn and the position of the reference point formed in the area, and based on the displacement form of the position coordinates of the substrate, . Then, based on the position of the corrected reference point, each coordinate within the area is corrected while maintaining the shape of the area.

상기 일본 특허 공개 2005-157326호 공보에 개시되어 있는 기술에서는 취득한 변형 정보에 의거하여 묘화 패턴을 크게 변형시키기 때문에, 최종적으로 얻어지는 기판으로의 전자 부품의 실장은 개선되지만, 하층과의 위치 맞춤의 정밀도가 악화될 가능성이 있다는 과제가 있었다.In the technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-157326, since the drawing pattern is largely deformed based on the obtained deformation information, the mounting of the electronic component to the finally obtained substrate is improved, but the accuracy of alignment with the lower layer There has been a problem that there is a possibility of deterioration.

또한, 상기 일본 특허 공개 2011-95742호 공보에 개시되어 있는 기술에서도 묘화 대상으로 하는 영역의 크기가 보정 전의 영역의 크기로부터 변화됨에 따라, 최종적으로 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 위치 어긋남이 발생하여 기판 상으로의 전자 부품의 실장이 곤란해져 버릴 가능성이 있다.Also, in the technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-95742, as the size of the region to be rendered changes from the size of the region before correction, the positional deviation of the electrodes of the mounting pad and the electronic component finally occurs There is a possibility that the mounting of the electronic parts on the substrate becomes difficult.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 피치 어긋남을 억제하면서, 고정밀도인 층간의 위치 맞춤을 실현할 수 있는 묘화 장치, 노광 묘화 장치, 프로그램 및 묘화 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems and provides a drawing apparatus, an exposure apparatus, a program, and a drawing method capable of realizing alignment between high-precision layers while suppressing pitch displacement between electrodes for mounting pads and electrodes of electronic parts .

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 묘화 장치는 피노광 기판에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 위치인 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 상기 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 상기 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터, 및 상기 복수의 기준 마크의 각각의 실제 위치인 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 취득하는 취득부와, 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치에 의거하여 상기 피노광 기판의 변형의 크기를 나타내는 물리량을 도출하고, 또한 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남에 대한 보정량을 도출하는 도출부와, 상기 도출부에서 도출된 보정량의 각각으로부터 상기 물리량이 커질수록 많은 양을 저감하는 저감부와, 상기 제 2 위치를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 상기 저감부에서 저감된 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하는 보정부를 구비하고 있다.In order to achieve the above object, an imaging apparatus according to the present invention includes coordinate data indicating a first position which is a design position of a plurality of reference marks formed on a substrate to be exposed, An acquisition unit that acquires coordinate data indicating a rendering pattern to be rendered and coordinate data indicating a second position that is an actual position of each of the plurality of reference marks; A derivation unit for deriving a physical quantity representing the magnitude of deformation of the substrate and deriving a correction amount for the shift of the first position and the second position for each of the plurality of reference marks; A reduction unit for reducing a larger amount of the physical quantity from each of the plurality of pixels, When drawing the drawing pattern, and on the basis of the correction amount decreased by the reduction section comprising a correction for correcting the coordinate data representing the imaged pattern.

본 발명에 의한 묘화 장치에 의하면, 취득부에 의해 피노광 기판에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 위치인 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 상기 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 상기 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터, 및 상기 복수의 기준 마크의 각각의 실제 위치인 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터가 취득된다. 또한, 도출부에 의해 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치에 의거하여 상기 피노광 기판의 변형의 크기를 나타내는 물리량이 도출되고, 또한 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남에 대한 보정량이 도출된다.According to the drawing apparatus of the present invention, coordinate data indicating a first position, which is a design position of a plurality of reference marks formed on a substrate to be exposed by the acquisition section, coordinate data indicating a first position on the substrate, And coordinate data indicating a second position that is an actual position of each of the plurality of reference marks are acquired. Further, a physical quantity representing the magnitude of deformation of the substrate to be exposed is derived by the lead-out portion based on the first position and the second position, and the physical quantity indicating the magnitude of deformation of the substrate is derived for each of the plurality of reference marks, A correction amount for positional deviation is derived.

여기에서, 본 발명에 의한 묘화 장치에서는 저감부에 의해 상기 도출부에서 도출된 보정량의 각각으로부터 상기 물리량이 커질수록 많은 양이 저감된다.Here, in the imaging apparatus according to the present invention, a larger amount is reduced as the physical quantity increases from each of the correction amounts derived from the derivation unit by the reduction unit.

또한, 본 발명에 의한 묘화 장치에서는 보정부에 의해 상기 제 2 위치를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 상기 저감부에서 저감된 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터가 보정된다.Further, in the drawing apparatus according to the present invention, when the drawing pattern is drawn on the substrate by the correcting unit on the basis of the second position, the coordinate of the drawing pattern is calculated based on the correction amount reduced by the reduction unit The data is corrected.

즉, 본 발명에 의한 묘화 장치는 기준 마크의 설계상의 위치와 실제 위치의 어긋남량으로부터 도출된 보정량의 각각으로부터 상기 물리량이 커질수록 많은 양을 저감시키고, 저감시킨 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정한다.In other words, the drawing apparatus according to the present invention reduces the amount of correction from the correction amount derived from the position of the reference mark in the design and the amount of deviation from the actual position, and reduces the amount of correction The coordinate data is corrected.

이와 같이, 본 발명에 의한 묘화 장치에 의하면 피노광 기판의 변형의 크기가 커질수록 보정량을 작게 하는 결과, 보정 후의 묘화 패턴의 형상이 피노광 기판의 변형의 형상에 근접하고, 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 피치 어긋남을 억제하면서, 고밀도인 층간의 위치 맞춤을 실현할 수 있다.As described above, according to the drawing apparatus of the present invention, as the amount of deformation of the substrate to be exposed is increased, the amount of correction is decreased. As a result, the shape of the imaging pattern after correction approaches the shape of deformation of the substrate, It is possible to achieve high-density alignment between the layers while suppressing the pitch shift of the electrodes of the parts.

또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 도출부가 상기 물리량으로서 상기 복수의 기준 마크의 각각마다의 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남량의 최대값, 상기 어긋남량의 각각의 평균값, 및 상기 어긋남량의 각각의 적산값 중 적어도 하나를 도출하도록 해도 좋다. 또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 도출부가 상기 물리량으로서 상기 제 1 위치에 의거해서 얻어지는 상기 복수의 기준 마크의 상호간의 거리와, 대응하는 상기 제 2 위치에 의거해서 얻어지는 상기 복수의 기준 마크의 상호간의 거리의 차분의 최대값, 상기 차분의 각각의 평균값, 및 상기 차분의 각각의 적산값 중 적어도 하나를 도출하도록 해도 좋다. 상기 물리량으로서 기준 마크의 각각마다의 어긋남량의 최대값을 도출함으로써, 보다 확실하게 보정을 행할 수 있다. 또한, 기준 마크의 각각마다의 어긋남량의 평균값을 도출함으로써, 특이한 어긋남에 기인하는 오보정의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 기준 마크의 각각마다의 어긋남량의 적산값을 도출함으로써, 모든 어긋남량을 반영한 보정을 행할 수 있다.Further, the drawing apparatus according to the present invention is characterized in that the derivation unit calculates the maximum value of the shift amounts of the first position and the second position for each of the plurality of reference marks, the average value of each of the shift amounts, At least one of the integrated values of the shift amounts may be derived. Further, the drawing apparatus according to the present invention is characterized in that the drawing unit calculates the distance between the plurality of reference marks obtained on the basis of the first position as the physical quantity and the distance between the plurality of reference marks obtained based on the corresponding second position At least one of the maximum value of the differences of the distances between the two, the average value of each of the differences, and the respective integrated values of the differences may be derived. By deriving the maximum value of the displacement amount for each of the reference marks as the physical quantity, correction can be performed more reliably. Further, by deriving the average value of the shift amounts for each of the reference marks, it is possible to suppress the occurrence of misidentification due to the unusual shift. Further, by deriving the integrated value of the shift amount for each of the reference marks, it is possible to perform correction reflecting all the shift amounts.

또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 저감부가 상기 도출부에서 도출된 보정량의 각각에 상기 물리량이 커질수록 작은 1 미만의 정의 값을 승산하는 것, 상기 물리량이 커질수록 큰 1을 초과하는 값으로 제산하는 것, 및 상기 물리량이 커질수록 크고 또한 상기 보정량보다 작은 정의 값을 감산하는 것 중 적어도 하나를 행함으로써, 상기 도출부에서 도출된 보정량의 각각으로부터 상기 물리량이 커질수록 많은 양을 저감하도록 해도 좋다. 이에 따라, 간이한 연산에 의해 보정량을 저감시킬 수 있다.The drawing apparatus according to the present invention is characterized in that the reduction section multiplies each of the correction amounts derived from the derivation section by a smaller positive value less than 1 as the physical quantity increases, And a step of subtracting a positive value smaller than the correction amount as the physical quantity becomes larger and subtracting a positive value smaller than the correction amount so as to reduce a larger amount as the physical quantity increases from each of the correction amounts derived from the derivation unit good. Thus, the amount of correction can be reduced by a simple calculation.

또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 묘화 패턴이 전자 배선을 나타내는 회로 패턴이며, 상기 보정부가 상기 저감부에서 저감된 보정량이 상기 묘화 패턴에 있어서의 랜드의 내부에 도통 비아가 수용되는 것으로서 정해진 제 1 보정량보다 클 경우, 상기 제 1 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하도록 해도 좋다. 이에 따라, 피노광 기판의 불량의 원인이 되는 랜드 결함(도통 비아의 랜드 밖으로의 돌출)을 방지할 수 있다.In the drawing apparatus according to the present invention, the drawing pattern is a circuit pattern showing electronic wiring, and the correction amount reduced by the correction section in the reduction section is a predetermined number 1 coordinate amount is larger than the first correction amount, the coordinate data indicating the drawing pattern may be corrected based on the first correction amount. As a result, land defects (protruding out of the lands of the conductive vias), which cause defects of the substrate to be exposed, can be prevented.

또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 묘화 패턴이 솔더 레지스트층의 부품 실장용의 개구 구멍을 나타내는 솔더 레지스트 패턴이며, 상기 보정부가 상기 저감부에서 저감된 보정량이 상기 개구 구멍이 부품과 접합하기 위한 도체 패드의 내부에 수용되는 것으로서 정해진 제 2 보정량보다 클 경우, 상기 제 2 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하도록 해도 좋다. 이에 따라, 피노광 기판의 불량의 원인이 되는 도체 패드와 개구 구멍의 위치 어긋남을 방지할 수 있다.The drawing apparatus according to the present invention is characterized in that the drawing pattern is a solder resist pattern showing an opening hole for mounting a component of a solder resist layer and a correction amount reduced by the correction section in the reduction section is The coordinate data indicating the drawing pattern may be corrected on the basis of the second correction amount when the second correction amount is larger than the second correction amount determined as being accommodated in the inside of the conductor pad. As a result, it is possible to prevent the positional displacement between the conductor pads and the opening holes, which cause defects in the substrate to be exposed.

또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 도출부가 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남량으로부터 상기 피노광 기판의 평행 이동에 의한 어긋남, 회전에 의한 어긋남, 및 신축에 의한 어긋남 중 적어도 하나를 감산한 어긋남량에 의거하여 상기 보정량을 도출하도록 해도 좋다. 이에 따라, 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 피치 어긋남을 보다 확실하게 억제할 수 있다.Further, the drawing apparatus according to the present invention is characterized in that the drawing unit calculates at least one of the shift due to the parallel movement of the substrate, the shift due to rotation, and the shift due to the expansion and contraction from the shift amount of the first position and the second position The correction amount may be derived on the basis of the subtracted amount. This makes it possible to more reliably suppress the pitch shift between the mounting pad and the electrode of the electronic component.

또한, 본 발명에 의한 묘화 장치는 상기 물리량 및 상기 보정량의 저감률이 각각 대응된 저감 정보의 입력을 접수하는 접수부를 더 구비하고, 상기 저감부가 상기 접수부에서 접수된 저감 정보에 있어서 상기 도출부에서 도출된 상기 물리량에 대응된 저감률을 이용하여 상기 도출부에서 도출된 보정량을 저감하도록 해도 좋다. 이에 따라, 보정량의 저감의 정도를 용이하게 설정할 수 있는 결과, 유저에게 있어서의 편리성을 향상시킬 수 있다.Further, the drawing apparatus according to the present invention further comprises a reception section for receiving the input of the reduction information corresponding to the reduction amounts of the physical quantity and the correction amount, respectively, and the reduction section, in the reduction information received at the reception section, And the correction amount derived from the derivation unit may be reduced using the reduction ratio corresponding to the derived physical quantity. As a result, the degree of reduction of the amount of correction can be set easily, and convenience for the user can be improved.

한편, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 노광 묘화 장치는, 본 발명에 의한 묘화 장치와, 상기 묘화 장치의 상기 보정부에서 보정된 좌표 데이터에 의거하여 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 노광해서 묘화하는 노광부를 구비하고 있다.In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided an exposure apparatus, comprising: an imaging apparatus according to the present invention; and a control unit configured to expose the imaging pattern on the substrate based on the coordinate data corrected by the correction unit of the imaging apparatus And an exposure unit for imaging the image.

따라서, 본 발명에 의한 노광 묘화 장치에 의하면 본 발명에 의한 묘화 장치와 마찬가지로 작용하므로, 상기 묘화 장치와 마찬가지로 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 피치 어긋남을 억제하면서, 고정밀도인 층간의 위치 맞춤을 실현할 수 있다.Therefore, the exposure apparatus according to the present invention operates in the same manner as the drawing apparatus according to the present invention, so that the pitch between the mounting pads and the electrodes of the electronic component is suppressed, Can be realized.

또한, 본 발명에 의한 노광 묘화 장치는 상기 피노광 기판에 복수의 층의 묘화 패턴을 적층시켜서 묘화할 경우에, 상기 취득부, 상기 도출부, 상기 저감부, 상기 보정부, 및 상기 노광부를 제어하고, 상기 복수의 층의 각각마다 상기 취득부에 의한 취득, 상기 도출부에 의한 도출, 상기 저감부에 의한 저감, 상기 보정부에 의한 보정, 및 상기 노광부에 의한 노광의 각각을 행하는 제어부를 더 구비하도록 해도 좋다. 이에 따라, 복수의 묘화 패턴을 적층시켜서 묘화할 경우에도 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 피치 어긋남을 억제하면서, 고정밀도인 층간의 위치 맞춤을 실현할 수 있다.Further, in the exposure apparatus according to the present invention, in the case of drawing a plurality of imaging patterns of a plurality of layers on the substrate to be imaged, the acquisition unit, the derivation unit, the reduction unit, the correction unit, And a control unit for performing acquisition by the acquisition unit for each of the plurality of layers, derivation by the derivation unit, reduction by the reduction unit, correction by the correction unit, and exposure by the exposure unit, . Thus, even when a plurality of drawing patterns are stacked and drawn, it is possible to realize high-precision alignment between the layers while suppressing the pitch shift of the electrodes of the mounting pad and the electronic component.

또한, 본 발명에 의한 노광 묘화 장치는 상기 피노광 기판의 변형의 크기로서 허용되는 상한인 상기 물리량의 최대 허용량을 나타내는 허용량 정보를 기억하는 기억부를 더 구비하고, 상기 제어부가 상기 도출부에서 도출된 상기 물리량이 상기 허용량 정보에 의해 나타내어지는 최대 허용량보다 클 경우, 상기 피노광 기판에 대한 상기 노광부에 의한 노광을 금지하도록 해도 좋다. 이에 따라, 쓸데없는 노광의 실시를 회피할 수 있다.Further, the exposure apparatus according to the present invention further includes a storage unit that stores allowable dose information indicating a maximum allowable dose of the physical quantity, which is an allowable upper limit, as a magnitude of deformation of the substrate to be subjected to the exposure, And when the physical quantity is larger than the maximum allowable amount indicated by the allowable amount information, exposure by the exposure unit with respect to the substrate to be exposed may be prohibited. As a result, unnecessary exposure can be avoided.

또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기록 매체에 기록되어 있는 프로그램은 컴퓨터에, 피노광 기판에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 위치인 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 상기 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 상기 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터, 및 상기 복수의 기준 마크의 각각의 실제 위치인 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 취득하고, 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치에 의거하여 상기 피노광 기판의 변형의 크기를 나타내는 물리량을 도출하고, 또한 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남에 대한 보정량을 도출하고, 도출된 상기 보정량의 각각으로부터 상기 물리량이 커질수록 많은 양을 저감하고, 상기 제 2 위치를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 저감된 상기 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정하는 처리를 실행시킨다.In order to achieve the above object, a program recorded on a recording medium according to the present invention is a program for causing a computer to function as: coordinate data indicating a first position as a design position of a plurality of reference marks formed on a substrate; Acquiring coordinate data indicating a drawing pattern to be drawn on the substrate determined as a reference and coordinate data indicating a second position that is an actual position of each of the plurality of reference marks; And derives a correction amount for the shift of the first position and the second position for each of the plurality of reference marks, and calculates the amount of correction of the obtained correction amount And the amount of the physical quantity increases as the physical quantity increases, and based on the second position, And when the drawing pattern is drawn on the plate, processing for correcting the coordinate data indicating the drawing pattern on the basis of the reduced amount of correction is executed.

따라서, 본 발명에 의한 기록 매체에 기록되어 있는 프로그램에 의하면 컴퓨터를 본 발명에 의한 묘화 장치와 마찬가지로 작용시킬 수 있으므로, 상기 묘화 장치와 마찬가지로 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 피치 어긋남을 억제하면서, 고정밀도인 층간의 위치 맞춤을 실현할 수 있다.Therefore, according to the program recorded on the recording medium according to the present invention, the computer can be operated in the same manner as the drawing apparatus according to the present invention, so that the pitch difference between the mounting pad and the electrode of the electronic component can be suppressed, It is possible to realize alignment between layers of high precision.

또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 묘화 방법은 피노광 기판에 형성된 복수의 기준 마크의 설계상의 위치인 제 1 위치를 나타내는 좌표 데이터, 상기 제 1 위치를 기준으로 해서 정해진 상기 피노광 기판에 묘화하는 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터, 및 상기 복수의 기준 마크의 각각의 실제 위치인 제 2 위치를 나타내는 좌표 데이터를 취득하고, 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치에 의거하여 상기 피노광 기판의 변형의 크기를 나타내는 물리량을 도출하고, 또한 상기 복수의 기준 마크의 각각마다 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치의 어긋남에 대한 보정량을 도출하고, 도출된 상기 보정량의 각각으로부터 상기 물리량이 커질수록 많은 양을 저감하고, 상기 제 2 위치를 기준으로 해서 상기 피노광 기판에 상기 묘화 패턴을 묘화할 경우, 저감된 상기 보정량에 의거하여 상기 묘화 패턴을 나타내는 좌표 데이터를 보정한다.In order to achieve the above object, a drawing method according to the present invention includes coordinate data indicating a first position, which is a design position of a plurality of reference marks formed on a substrate to be exposed, Which is an actual position of each of the plurality of reference marks, on the basis of the first position and the second position, and acquires coordinate data indicating a second position, which is an actual position of each of the plurality of reference marks, Deriving a physical quantity representing the magnitude of deformation and deriving a correction amount for the deviation of the first position and the second position for each of the plurality of reference marks, When the imaging pattern is drawn on the substrate to be exposed based on the second position, And inlaid on the basis of the correction amount to correct the coordinate data representing the imaged pattern.

따라서, 본 발명에 의한 묘화 방법에 의하면 본 발명에 의한 묘화 장치와 마찬가지로 작용하므로, 상기 묘화 장치와 마찬가지로 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 피치 어긋남을 억제하면서, 고정밀도인 층간의 위치 맞춤을 실현할 수 있다.Therefore, according to the drawing method of the present invention, similarly to the drawing apparatus according to the present invention, the alignment between the mounting pads and the electrodes of the electronic component can be suppressed while achieving high precision alignment between the layers .

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명에 의하면, 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 피치 어긋남을 억제하면서, 고정밀도인 층간의 위치 맞춤을 실현한다.According to the present invention, it is possible to achieve high-precision alignment between layers while suppressing the pitch shift between the mounting pads and the electrodes of the electronic component.

도 1은 실시형태에 의한 노광 묘화 장치의 외관을 나타내는 사시도이다.
도 2는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치의 주요부의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 3은 실시형태에 의한 노광 묘화 장치의 노광 헤드의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 4는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서 피노광 기판에 형성되는 노광이 완료된 영역을 나타내는 평면도이다.
도 5는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치의 전기계의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 6a는 변형이 발생하고 있지 않은 피노광 기판의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 6b는 변형이 발생하고 있는 피노광 기판의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 7은 실시형태에 의한 노광 제어 처리에 있어서의 변형량의 도출 방법의 설명에 제공하는 평면도이다.
도 8은 실시형태에 의한 노광 제어 처리에 있어서의 변형량의 도출 방법의 다른 예의 설명에 제공하는 평면도이다.
도 9는 실시형태에 의한 저감 정보의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 10은 실시형태에 의한 노광 제어 처리에 있어서의 피노광 기판의 변형의 크기를 나타내는 물리량과 저감률의 관계의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 11a는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환의 대상이 되는 영역의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 11b는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환의 대상이 되는 영역의 다른 예를 나타내는 평면도이다.
도 11c는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환의 대상이 되는 영역의 다른 예를 나타내는 평면도이다.
도 12는 제 1 실시형태에 의한 노광 제어 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우차트이다.
도 13은 실시형태에 의한 노광 제어 처리에 있어서의 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환의 방법의 설명에 제공하는 평면도이다.
도 14a는 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환을 행하고 있지 않을 경우의 대상 화상의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 14b는 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환을 보정량을 저감시키면서 행했을 경우의 좌표 변환 후의 대상 화상의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 15는 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서, 피노광 기판에 다층에 묘화 패턴을 묘화했을 경우의 피노광 기판의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 16은 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서, 피노광 기판에 다층에 묘화 패턴을 묘화했을 경우의 각 층에 묘화되는 대상 화상의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 17은 애뉼러 링의 설명에 제공하는 평면도이다.
도 18은 제 2 실시형태에 의한 노광 제어 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우차트이다.
도 19는 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환을 보정량을 저감시키면서 행했을 경우의 좌표 변환 후의 대상 화상의 일례를 나타내는 확대 평면도이다.
도 20은 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서, 피노광 기판의 변형에 따른 좌표 변환을 저감 보정량을 제한하지 않고 행했을 경우의 좌표 변환 후의 대상 화상의 일례(좌측 도면), 및 저감 보정량을 제한하면서 행했을 경우의 좌표 변환 후의 대상 화상의 일례(우측 도면)를 나타내는 평면도이다.1 is a perspective view showing an appearance of an exposure apparatus according to an embodiment.
2 is a perspective view showing a configuration of a main part of an exposure apparatus according to the embodiment.
3 is a perspective view showing a configuration of an exposure head of the exposure apparatus according to the embodiment.
Fig. 4 is a plan view showing an area where exposure is completed on the substrate to be exposed in the exposure apparatus according to the embodiment; Fig.
Fig. 5 is a block diagram showing the configuration of an electric machine of the exposure apparatus according to the embodiment. Fig.
Fig. 6A is a plan view showing an example of a substrate to be subjected to no deformation; Fig.
6B is a plan view showing an example of a substrate to be subjected to deformation.
Fig. 7 is a plan view provided for explaining a method of deriving the amount of deformation in the exposure control processing according to the embodiment. Fig.
8 is a plan view provided for explaining another example of the method of deriving the deformation amount in the exposure control processing according to the embodiment.
9 is a schematic diagram showing an example of reduction information according to the embodiment.
10 is a graph showing an example of a relationship between a physical quantity representing the magnitude of deformation of the substrate to be subjected to exposure control processing according to the embodiment and a reduction rate.
11A is a plan view showing an example of a region to be subjected to coordinate conversion according to deformation of the substrate to be exposed in the exposure apparatus according to the embodiment.
11B is a plan view showing another example of a region to be subjected to coordinate conversion according to the deformation of the substrate to be exposed in the exposure apparatus according to the embodiment.
11C is a plan view showing another example of a region to be subjected to coordinate conversion according to deformation of the substrate to be exposed in the exposure apparatus according to the embodiment.
12 is a flowchart showing the flow of processing of the exposure control processing program according to the first embodiment.
13 is a plan view provided for explaining a method of coordinate conversion according to deformation of the substrate to be exposed in the exposure control processing according to the embodiment.
14A is a plan view showing an example of a target image in the case where the coordinate conversion according to the deformation of the substrate to be exposed is not performed in the exposure apparatus according to the first embodiment.
14B is a plan view showing an example of a target image after coordinate conversion in a case where the coordinate conversion according to the deformation of the substrate to be exposed is performed while reducing the correction amount in the exposure apparatus according to the first embodiment.
15 is a cross-sectional view showing an example of a substrate to be exposed in the case where a drawing pattern is drawn on multiple layers on a substrate to be exposed in the exposure apparatus according to the first embodiment.
16 is a plan view showing an example of a target image to be imaged on each layer in a case where a drawing pattern is drawn on multiple layers on a substrate to be exposed in the exposure apparatus according to the first embodiment.
17 is a plan view providing an explanation of the annular ring.
18 is a flowchart showing the flow of processing of the exposure control processing program according to the second embodiment.
19 is an enlarged plan view showing an example of a target image after coordinate conversion in a case where the coordinate conversion according to the deformation of the substrate to be exposed is performed while reducing the correction amount in the exposure apparatus according to the second embodiment.
20 is a diagram showing an example of a target image after coordinate conversion (left figure) and a reduction correction amount (left side) when the exposure conversion apparatus according to the second embodiment performs coordinate conversion according to deformation of the substrate to be subjected to the correction without limiting the amount of reduction correction (Right side drawing) of the target image after coordinate conversion in the case of performing the processing while restricting the size of the target image.

〔제 1 실시형태〕[First Embodiment]

이하, 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 대해서 첨부된 도면을 이용하여 상세하게 설명한다. 본 실시형태에서는 본 발명을 피노광 기판[후술하는 피노광 기판(C)]에 광빔을 노광해서 회로 패턴, 솔더 레지스트층의 부품 실장용의 개구 구멍을 나타내는 솔더 레지스트 패턴 등의 묘화 패턴을 묘화하는 노광 묘화 장치에 적용했을 경우를 예를 들어서 설명한다. 또한, 피노광 기판으로서는 프린트 배선 기판, 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판 등의 평판 기판이 예시된다. 또한, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에서는 노광 묘화가 대상으로 하는 피노광 기판이 직사각형상의 형상을 나타낸 것으로 되어 있다.Hereinafter, an exposure apparatus according to an embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present embodiment, the present invention is applied to a substrate to be exposed (a substrate (C) to be described later) to expose a light beam to draw a drawing pattern such as a circuit pattern, a solder resist pattern showing an opening hole for component mounting of the solder resist layer The case where the present invention is applied to an exposure apparatus will be described by way of example. Examples of the substrate to be exposed include flat board substrates such as printed wiring boards and glass substrates for flat panel displays. Further, in the exposure apparatus according to the present embodiment, the substrate to be exposed is represented by a rectangular shape.

도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 피노광 기판(C)을 고정하기 위한 평판 형상의 스테이지(12)를 구비하고 있다. 스테이지(12)의 상면에는 공기를 흡입하는 복수의 흡입 구멍이 형성되어 있다. 이에 따라, 스테이지(12)의 상면에 피노광 기판(C)이 적재되었을 때에 피노광 기판(C) 및 스테이지(12)간의 공기가 흡입됨으로써 피노광 기판(C)이 스테이지(12)에 진공 흡착된다.As shown in Figs. 1 and 2, the exposure apparatus 10 according to the present embodiment is provided with a stage 12 in the form of a flat plate for fixing the substrate C to be exposed. On the upper surface of the stage 12, a plurality of suction holes for sucking air are formed. Thus, when the substrate C is mounted on the upper surface of the stage 12, the air between the substrate 12 and the substrate 12 is sucked so that the substrate 12 is vacuum- do.

본 실시형태에 의한 스테이지(12)는 탁상의 기체(14)의 상면으로 이동 가능하게 설치된 평판 형상의 기대(16)에 지지되어 있다. 즉, 기체(14)의 상면에는 1개 또는 복수개(본 실시형태에서는 2개)의 가이드 레일(18)이 설치되어 있다. 기대(16)는 가이드 레일(18)을 따라 이동 가능하게 가이드 레일(18)에 지지되어 있고, 모터, 유압 펌프 등에 의해 구성된 구동 기구[후술하는 스테이지 구동부(42)]에 의해 구동되어서 이동한다. 따라서, 스테이지(12)는 기대(16)의 이동에 연동해서 가이드 레일(18)을 따라 이동한다.The stage 12 according to the present embodiment is supported by a flat plate-like base 16 provided so as to be movable on the upper surface of a base substrate 14. That is, one or a plurality (two in this embodiment) of the guide rails 18 are provided on the upper surface of the base 14. The base 16 is supported by the guide rail 18 so as to be movable along the guide rail 18 and is driven and driven by a drive mechanism (a stage drive section 42 described later) constituted by a motor, a hydraulic pump or the like. Thus, the stage 12 moves along the guide rail 18 in association with the movement of the base 16.

또한, 도 2에 나타내는 바와 같이 이하에서는 스테이지(12)가 이동하는 방향을 Y방향이라고 정하고, 이 Y방향에 대하여 수평면 내에서 직교하는 방향을 X방향이라고 정하고, Y방향으로 연직면 내에서 직교하는 방향을 Z방향이라고 정한다.2, a direction in which the stage 12 moves is defined as a Y direction, a direction orthogonal to the Y direction in the horizontal plane is defined as an X direction, and a direction perpendicular to the Y direction in a Y direction Is defined as the Z direction.

기체(14)의 상면에는 2개의 가이드 레일(18)을 걸치도록 세워서 설치된 게이트(20)가 설치되어 있다. 스테이지(12)에 적재된 피노광 기판(C)은 게이트(20)의 개구부를 가이드 레일(18)을 따라 출입하도록 해서 이동한다. 게이트(20)의 개구부의 상부에는 상기 개구부를 향해서 광빔을 노광하는 노광부(22)가 부착되어 있다. 이 노광부(22)에 의해, 스테이지(12)가 가이드 레일(18)을 따라 이동해서 상기 개구부에 위치하고 있을 경우에, 스테이지(12)에 적재된 피노광 기판(C)의 상면에 광빔이 노광된다.On the upper surface of the base body 14, a gate 20 provided so as to extend over two guide rails 18 is provided. The substrate (C) mounted on the stage (12) moves with the opening of the gate (20) along the guide rail (18). An upper portion of the opening portion of the gate 20 is provided with an exposure portion 22 for exposing a light beam toward the opening portion. When the stage 12 moves along the guide rail 18 and is located at the opening by the exposure section 22, the light beam is exposed to the upper surface of the substrate C mounted on the stage 12 do.

본 실시형태에 의한 노광부(22)는 복수개(본 실시형태에서는 10개)의 노광 헤드(22a)를 포함해서 구성되어 있다. 또한, 노광부(22)에는 후술하는 광원 유닛(24)으로부터 인출된 광파이버(26)와, 후술하는 화상 처리 유닛(28)으로부터 인출된 신호 케이블(30)이 각각 접속되어 있다.The exposure section 22 according to the present embodiment includes a plurality (ten in this embodiment) of exposure heads 22a. The optical fiber 26 drawn out from the light source unit 24 to be described later and the signal cable 30 drawn out from the image processing unit 28 to be described later are connected to the exposure section 22, respectively.

노광 헤드(22a)의 각각은 반사형의 공간 광변조 소자로서의 디지털 마이크로미러 디바이스(DMD)를 갖고 있다. 한편, 노광 묘화 장치(10)는 노광 헤드(22a)에 대하여 광빔을 출사하는 광원 유닛(24), 및 노광 헤드(22a)에 대하여 화상 정보를 출력하는 화상 처리 유닛(28)을 구비하고 있다. 노광 헤드(22a)는 화상 처리 유닛(28)으로부터 입력한 화상 정보에 의거하여 DMD를 제어함으로써 광원 유닛(24)으로부터의 광빔을 변조한다. 노광 묘화 장치(10)는 이 변조한 광빔을 피노광 기판(C)에 조사함으로써 피노광 기판(C)에 대한 노광을 행한다. 또한, 공간 광변조 소자는 반사형에 한정되지 않고, 액정 등의 투과형의 공간 광변조 소자라도 좋다.Each of the exposure heads 22a has a digital micromirror device (DMD) as a reflection type spatial light modulation device. On the other hand, the exposure apparatus 10 includes a light source unit 24 for emitting a light beam to the exposure head 22a and an image processing unit 28 for outputting image information to the exposure head 22a. The exposure head 22a modulates the light beam from the light source unit 24 by controlling the DMD based on the image information input from the image processing unit 28. [ The exposure apparatus 10 exposes the substrate C to light by irradiating the substrate C with the modulated light beam. The spatial light modulation element is not limited to a reflection type, and may be a transmission type spatial light modulation element such as a liquid crystal.

기체(14)의 상면에는 또한 2개의 가이드 레일(18)을 걸치도록 세워서 설치된 게이트(32)가 설치되어 있다. 스테이지(12)에 적재된 피노광 기판(C)은 게이트(32)의 개구부를 가이드 레일(18)을 따라 출입하도록 해서 이동한다.On the upper surface of the base body 14, a gate 32 provided so as to extend over two guide rails 18 is provided. The substrate (C) to be mounted on the stage (12) moves with the opening of the gate (32) along the guide rail (18).

게이트(32)의 개구부의 상부에는 상기 개구부를 촬영하기 위한 1개 또는 복수개(본 실시형태에서는 2개)의 촬영부(34)가 부착되어 있다. 촬영부(34)는 1회의 발광 시간이 매우 짧은 스트로보를 내장한 CCD 카메라 등이다. 또한, 게이트(32)의 개구부의 상부에는 스테이지(12)의 이동 방향(Y방향)에 대하여 수평면 내에 있어서 수직인 방향(X방향)을 따라 레일(34a)이 설치되고, 촬영부(34)의 각각은 레일(34a)로 안내되어서 이동 가능하게 설치되어 있다. 이 촬영부(34)에 의해, 스테이지(12)가 가이드 레일(18)을 따라 이동해서 상기 개구부에 위치하고 있을 경우에, 스테이지(12)에 적재된 피노광 기판(C)의 상면이 촬영된다.One or a plurality of (two in this embodiment) photographing portions 34 for photographing the opening portion are attached to the upper portion of the opening portion of the gate 32. The photographing section 34 is a CCD camera or the like incorporating a strobe having a very short light emitting time. A rail 34a is provided in an upper portion of the opening of the gate 32 along a vertical direction (X direction) in a horizontal plane with respect to the movement direction (Y direction) of the stage 12, Each of which is guided by the rail 34a so as to be movable. When the stage 12 moves along the guide rail 18 and is located at the opening by the photographing unit 34, the top surface of the substrate C mounted on the stage 12 is photographed.

이어서, 본 실시형태에 의한 노광 헤드(22a)에 의한 노광 처리에 대하여 설명한다.Next, exposure processing by the exposure head 22a according to the present embodiment will be described.

도 3에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 의한 노광 헤드(22a)에 의해 노광되는 영역인 화상 영역(22b)은 한쪽의 변이 스테이지(12)의 이동 방향(Y방향)에 대하여 미리 정해진 경사각으로 경사진 직사각형상이다. 또한, 스테이지(12)가 게이트(20)의 개구부를 이동하고 있을 때에 노광 헤드(22a)에 의해 광빔이 노광되면, 스테이지(12)의 이동에 따라 피노광 기판(C)에 노광 헤드(22a)마다 띠 형상의 노광이 완료된 영역(22c)이 형성된다.3, the image area 22b, which is an area exposed by the exposure head 22a according to the present embodiment, has one side inclined with respect to the moving direction (Y direction) of the stage 12 at a predetermined inclination angle The photo is rectangular. When the stage 12 exposes the light beam by the exposure head 22a while the stage 12 is moving through the opening of the gate 20 and the exposure head 22a is attached to the substrate C in accordance with the movement of the stage 12, An area 22c in which the exposure process has been completed is formed.

또한, 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이 노광 헤드(22a)의 각각은 노광부(22)에 매트릭스 형상으로 배열되고, 도 4에 나타내는 바와 같이 X방향으로 화상 영역(22b)의 장변의 길이를 자연수 배(본 실시형태에서는 1배)한 거리씩 어긋나게 해서 배치되어 있다. 그리고, 노광이 완료된 영역(22c)의 각각은 인접하는 노광이 완료된 영역(22c)과 부분적으로 겹쳐져서 형성된다.As shown in Figs. 2 and 3, each of the exposure heads 22a is arranged in a matrix form in the exposure section 22, and the length of the long side of the image area 22b in the X- (One-fold in the present embodiment) by one distance. Each of the exposed regions 22c is partially overlapped with the adjacent exposed regions 22c.

이어서, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)의 전기계의 구성에 대하여 설명한다.Next, the configuration of the electric machine of the exposure apparatus 10 according to the present embodiment will be described.

도 5에 나타내는 바와 같이, 노광 묘화 장치(10)에는 장치 각 부에 각각 전기적으로 접속되는 시스템 제어부(40)가 설치되어 있고, 이 시스템 제어부(40)에 의해 노광 묘화 장치(10)의 각 부가 통괄적으로 제어된다. 또한, 노광 묘화 장치(10)는 스테이지 구동부(42), 조작 장치(44), 촬영 구동부(46), 및 외부 입출력부(48)를 갖고 있다.5, a system control unit 40 electrically connected to each unit of the apparatus is provided in the exposure apparatus 10, and the system control unit 40 controls each unit of the exposure apparatus 10 And is controlled in a general manner. The exposure apparatus 10 also includes a stage driving section 42, an operation device 44, a photographing driving section 46, and an external input /

시스템 제어부(40)는 CPU(Central Processing Unit), RAM(Random Access Memory), ROM(Read Only Memory), 및 HDD(Hard Disk Drive)(40A)를 갖고 있다. 또한, 시스템 제어부(40)는 상기 CPU에 의해 광원 유닛(24)으로부터 광빔을 출사시킴과 아울러, 스테이지(12)의 이동에 따른 타이밍으로 대응하는 화상 정보를 화상 처리 유닛(28)에 의해 출력시킴으로써 피노광 기판(C)에 대한 광빔의 노광을 제어한다.The system control unit 40 has a CPU (Central Processing Unit), a RAM (Random Access Memory), a ROM (Read Only Memory), and a HDD (Hard Disk Drive) 40A. The system control unit 40 outputs the light beam from the light source unit 24 by the CPU and outputs the corresponding image information at the timing corresponding to the movement of the stage 12 by the image processing unit 28 Thereby controlling the exposure of the light beam to the substrate C to be exposed.

스테이지 구동부(42)는 상술한 바와 같이 모터, 유압 펌프 등에 의해 구성된 구동 기구를 갖고 있고, 시스템 제어부(40)의 제어에 의해 스테이지(12)를 이동시킨다.The stage driving unit 42 has a driving mechanism configured by a motor, a hydraulic pump, and the like as described above, and moves the stage 12 under the control of the system control unit 40. [

조작 장치(44)는 시스템 제어부(40)의 제어에 의해 각종 정보를 표시하는 표시부와, 유저 조작에 의해 각종 정보를 입력하는 입력부를 갖고 있다.The operation device 44 has a display section for displaying various information under the control of the system control section 40 and an input section for inputting various information by user operation.

촬영 구동부(46)는 모터, 유압 펌프 등에 의해 구성된 구동 기구를 갖고 있고, 시스템 제어부(40)의 제어에 의해 촬영부(34)를 이동시킨다.The photographing drive section 46 has a drive mechanism configured by a motor, a hydraulic pump, and the like, and moves the photographing section 34 under the control of the system control section 40. [

외부 입출력부(48)는 노광 묘화 장치(10)에 접속된 퍼스널컴퓨터 등의 정보 처리 장치와의 사이에서 각종 정보의 입출력을 행한다.The external input / output section 48 performs input / output of various information with an information processing apparatus such as a personal computer connected to the exposure apparatus 10.

그런데, 도 2에 나타내는 바와 같이 본 실시형태에 의한 피노광 기판(C)에는 화상이 묘화될 때의 위치 결정의 기준이 되는 복수(본 실시형태에서는 4개)의 위치 맞춤 마크(이하, 「기준 마크」라고 함)(M)가 형성되어 있다. 일례로서 도 6a에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 피노광 기판(C)의 각 부의 각각에 기준 마크(M1∼M4)(이하, 4개를 합쳐서 「기준 마크(M)」라고도 함)가 형성되어 있다. 구체적으로는, 피노광 기판(C)의 도 6a의 정면으로 보았을 때 좌측 위의 위치에 기준 마크(M1), 우측 위의 위치에 기준 마크(M2), 좌측 아래의 위치에 기준 마크(M3), 및 우측 아래의 위치에 기준 마크(M4)가 각각 형성되어 있다.As shown in Fig. 2, a plurality of (four in this embodiment) alignment marks (hereinafter, referred to as " reference marks ") are formed on the substrate C to be subjected to the present embodiment, Mark ") M is formed. 6A, in the exposure apparatus 10 according to the present embodiment, reference marks M1 to M4 (hereinafter, referred to as " reference marks M) ") is formed. More specifically, the reference mark M1 is positioned at the upper left position, the reference mark M2 is positioned at the upper right position, and the reference mark M3 is positioned at the lower left position, as viewed from the front of FIG. 6A of the substrate C, And a reference mark M4 at the lower right position, respectively.

본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 피노광 기판(C)에 기준 마크(M)의 각각에 대하여 미리 정해진 상대 위치에 화상 정보에 의해 나타내어지는 묘화 패턴 등의 화상(이하, 「대상 화상」이라고 함)(62)을 묘화한다. 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 대상 화상(62)의 외곽 형상이 직사각형상이지만 이것에 한정되지 않고, 타원형상, 별형 형상 등, 임의의 형상이라도 좋다.The exposure apparatus 10 according to the present embodiment is provided with an exposure apparatus 10 for forming an image such as a drawing pattern represented by image information at a predetermined relative position with respect to each of the reference marks M Quot;) 62 is drawn. In the exposure apparatus 10 according to the present embodiment, the outline shape of the target image 62 is a rectangle, but the present invention is not limited to this, and an arbitrary shape such as an elliptical shape or a star shape may be used.

노광 묘화 장치(10)는 대상 화상(62)을 묘화할 때, 피노광 기판(C)에 대하여 광빔을 노광하기 전에 촬영부(34)에 의해 기준 마크(M)의 각각을 촬영하고, 촬영 화상으로부터 기준 마크(M)의 각각의 위치를 계측한다. 그리고, 노광 묘화 장치(10)는 계측한 기준 마크(M)의 각각의 위치에 의거하여 대상 화상(62)을 묘화시키는 영역을 결정하고, 결정한 영역에 대상 화상(62)을 묘화한다.The exposure apparatus 10 is configured to photograph each of the reference marks M by the photographing section 34 before exposing the light beam to the substrate C when the object image 62 is drawn, The position of each of the reference marks M is measured. Then, the exposure apparatus 10 determines an area in which the target image 62 is to be drawn based on the respective positions of the measured reference marks M, and draws the target image 62 in the determined area.

또한, 일례로서 도 6b에 나타내는 바와 같이 종래의 노광 묘화 장치(10)에는 피노광 기판(C)에 대상 화상(62)을 묘화하기 전에 기준 마크(M)의 각각의 위치로부터 피노광 기판(C)의 변형량을 도출하는 것이 있었다. 그리고, 이 종래의 노광 묘화 장치(10)에서는 도출한 변형의 크기에 따라서 대상 화상(62)의 형상을 보정한다.6B, a conventional exposure apparatus 10 is provided with a plurality of exposure units C, C, C, C, C, C, ) Of the deformation amount. In this conventional exposure apparatus 10, the shape of the target image 62 is corrected according to the derived deformation size.

이때, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 설계상의 대상 화상(62)의 형상과 묘화되는 대상 화상(62)의 형상이 괴리됨으로써 전자 부품의 실장의 정밀도가 저하되는 것을 방지하기 위해서, 대상 화상(62)의 피노광 기판(C)의 변형에 대한 보정량을 저감한다. 이때, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 기준 마크(M)의 각각의 어긋남량에 대응하는 보정량(이하, 「순보정량」이라고 함)으로부터 피노광 기판(C)의 변형의 크기를 나타내는 물리량이 커질수록 많은 양을 저감한다. 이에 따라, 대상 화상(62)의 설계상의 형상으로부터의 변형이 억제된다. 그리고, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 저감한 기준 마크(M)의 각각의 보정량(이하, 「저감 보정량」이라고 함)에 따라서 대상 화상(62)을 변형시킨다.At this time, in order to prevent the precision of the mounting of the electronic parts from deteriorating due to the separation of the shape of the target image 62 to be drawn and the shape of the target image 62 to be drawn, in the exposure apparatus 10 according to the present embodiment, The correction amount of the target image 62 to the deformation of the substrate C is reduced. The exposure apparatus 10 according to the present embodiment calculates the amount of deformation of the substrate C from the amount of correction corresponding to each shift amount of the reference mark M The larger the physical quantity shown, the smaller the amount. Thus, the deformation from the designed shape of the target image 62 is suppressed. Then, the exposure apparatus 10 according to the present embodiment deforms the target image 62 in accordance with each correction amount (hereinafter referred to as " reduction correction amount ") of the reduced reference mark M. [

또한, 일례로서 도 7에 나타내는 바와 같이 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 상기 물리량으로서 기준 마크(M)의 각각마다의 설계상의 위치와 계측에서 얻어진 위치(실제 위치)의 어긋남량(de)의 최대값을 사용한다. 도 7에서는 설계상의 기준 마크(M)의 각각의 위치를 실선으로 접속해서 나타내고, 계측에서 얻어진 기준 마크(M)의 각각의 위치를 점선으로 접속해서 나타내고 있다. 또한, 도 7의 정면으로 보았을 때 좌우 방향을 x방향, 정면으로 보았을 때 상하 방향을 y방향이라고 하고, x방향에 대한 어긋남량을 어긋남량 dx, y방향에 대한 어긋남량을 어긋남량 dy라고 하면, 어긋남량 de는 하기의 (1)식으로 나타내어진다.As an example, as shown in Fig. 7, the exposure apparatus 10 according to the present embodiment is provided with a design position for each reference mark M as a physical quantity and a shift amount (a position de) is used. In FIG. 7, the positions of the reference marks M in the design are indicated by connecting with solid lines, and the positions of the reference marks M obtained by measurement are connected by dotted lines. 7, the left and right directions are referred to as the x direction, the vertical direction as the front direction is referred to as the y direction, the shift amount with respect to the x direction as the shift amount dx, and the shift amount with respect to the y direction as the shift amount dy , And the amount of deviation de is expressed by the following equation (1).

이와 같이, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 상기 어긋남량의 최대값을 상기 물리량으로서 사용하지만 이것에 한정되지 않고, 상기 어긋남량의 각각의 평균값, 또는 상기 어긋남량의 각각의 적산값을 상기 물리량으로서 사용해도 좋다. 또한, 상기 최대값, 상기 평균값, 상기 적산값의 복수의 조합을 상기 물리량으로서 사용해도 좋다.As described above, in the exposure apparatus 10 according to the present embodiment, the maximum value of the shift amount is used as the physical amount, but the present invention is not limited to this. The average value of the shift amounts, or the respective integrated values May be used as the physical quantity. Further, a plurality of combinations of the maximum value, the average value, and the integrated value may be used as the physical quantity.

또는 일례로서 도 8에 나타내는 바와 같이, 기준 마크(M1∼M4)의 상호간의 설계상의 거리(Pa1∼Pa6)와 계측에서 얻어진 거리(Pb1∼Pb6)의 대응하는 거리끼리의 차분의 최대값을 상기 물리량으로서 사용해도 좋다. 또한, 도 8에서는 도 7과 마찬가지로 설계상의 기준 마크(M)의 각각의 위치를 실선으로 접속해서 나타내고, 계측에서 얻어진 기준 마크(M)의 각각의 위치를 점선으로 접속해서 나타내고 있다. 또한, 상기 차분의 각각의 평균값, 또는 상기 차분의 각각의 적산값을 상기 물리량으로서 사용해도 좋다. 또한, 상기 최대값, 상기 평균값, 및 상기 적산값의 복수의 조합을 상기 물리량으로서 사용해도 좋다.As an example, as shown in Fig. 8, the maximum value of the difference between the distances Pb1 to Pb6 obtained by measurement and the distances Pa1 to Pa6 between the reference marks M1 to M4, It may be used as a physical quantity. In Fig. 8, similarly to Fig. 7, the positions of the reference marks M in the design are indicated by connecting by solid lines, and the positions of the reference marks M obtained by measurement are connected by dotted lines. The average value of each of the differences or the respective integrated values of the differences may be used as the physical quantity. Furthermore, a plurality of combinations of the maximum value, the average value, and the integrated value may be used as the physical quantity.

한편, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 저감 보정량을 도출하기 위해서, 설계상의 기준 마크(M)의 각각의 위치가 좌표 데이터로 나타내어진 위치 정보와 저감 정보(50)를 시스템 제어부(40)의 HDD(40A)의 소정 영역에 미리 기억하고 있다.On the other hand, in order to derive the reduction correction amount, the exposure apparatus 10 according to the present embodiment uses the position information and the reduction information 50 indicated by the coordinate data of each position of the reference mark M in the design, 40 in a predetermined area of the HDD 40A.

일례로서 도 9에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 의한 저감 정보(50)는 상기 물리량을 나타내는 물리량 정보와, 순보정량을 저감시킬 때의 저감률을 나타내는 저감률 정보와, 피노광 기판(C)에 대한 처리 내용을 나타내는 처리 내용 정보가 각각 대응된 정보이다. 또한, 도 9에 나타내는 바와 같이 상기 저감률 정보에 있어서 저감률이 범위로 나타내어지는 경우에는 저감률이 상기 범위 내에서 직선적 또는 곡선적으로 커지는 것을 나타내고 있다.9, the reduction information 50 according to the present embodiment includes physical quantity information indicating the physical quantity, reduction rate information indicating a reduction rate when the net correction amount is reduced, And the processing content information indicating the content of the processing for the content. In addition, as shown in FIG. 9, when the reduction rate is represented by the range in the above-mentioned reduction rate information, the reduction rate increases linearly or curvilinearly within the above range.

또한, 본 실시형태에 의한 저감 정보(50)에서는 상기 처리 내용 정보로서 피노광 기판(C)에 대상 화상(62)을 묘화하는 노광 묘화 처리, 및 피노광 기판(C)에 대상 화상(62)을 묘화하지 않고 피노광 기판(C)을 배출하는 에러 처리 중 어느 한쪽을 기억한다. 노광 묘화 장치(10)는 저감 정보(50)에 있어서 상기 물리량에 대응된 처리 내용 정보에 의해 나타내어지는 처리 내용이 노광 묘화 처리였을 경우, 상기 물리량에 대응된 저감률 정보에 의해 나타내어지는 저감률로 순보정량을 저감시킨 후에 노광 묘화 처리를 실행한다. 한편, 노광 묘화 장치(10)는 저감 정보(50)에 있어서 상기 물리량에 대응된 처리 내용 정보에 의해 나타내어지는 처리 내용이 에러 처리였을 경우, 노광 묘화 처리를 행하지 않고 피노광 기판(C)을 노광 묘화 장치(10)로부터 배출한다. 단, 에러 처리의 처리 내용은 이것에 한정되지 않고, 피노광 기판(C)에 대한 저감률을 고정값으로 해서 노광 묘화 처리를 행한 후에 에러가 발생한 것을 나타내는 정보를 피노광 기판(C)에 묘화해도 좋다. 또한, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 도 9에 나타내는 바와 같이 저감 정보(50)에 있어서 상기 물리량이 100㎛ 이상일 경우의 처리 내용이 에러 처리로 되어 있다.In the reduction information 50 according to the present embodiment, exposure processing for drawing the target image 62 on the substrate C is performed as the processing content information and exposure processing for drawing the target image 62 on the substrate C, And an error process for discharging the substrate C without imaging the substrate. When the processing contents indicated by the processing content information corresponding to the physical quantity in the reduction information 50 are the exposure rendering processing, the exposure operation drawing device 10 displays the reduction ratio information After the net correction amount is reduced, the exposure imaging operation is performed. On the other hand, when the processing contents indicated by the processing content information corresponding to the physical quantity are error processing in the reduction information 50, the exposure apparatus 10 exposes the substrate C without performing the exposure processing And is discharged from the drawing apparatus 10. However, the details of the processing of the error processing are not limited to this, and information indicating that an error has occurred may be drawn on the substrate C after the exposure processing operation is performed with the reduction rate for the substrate C being a fixed value Maybe. In the exposure apparatus 10 according to the present embodiment, as shown in Fig. 9, the processing content when the physical quantity is 100 mu m or more in the reduction information 50 is error processing.

여기에서, 일례로서 도 9 및 도 10에 나타내는 바와 같이 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 저감 정보(50)에 있어서 상기 물리량이 커질수록 상기 저감률을 크게 하고 있다. 이것은 상기 물리량이 커질수록 순보정량에 대한 저감량이 많아지는, 즉 저감 보정량이 적어지는 것을 의미한다. 이 경우, 대상 화상(62)이 저감 보정량을 사용하고 있지 않을 경우와 비교해서 대상 화상(62)의 설계상의 형상보다 피노광 기판(C)의 변형의 형상에 가까운 형상으로 변형된다. 이에 따라, 실장용 패드와 전자 부품의 전극의 위치 어긋남이 억제된다.Here, as shown in Fig. 9 and Fig. 10 as an example, in the exposure apparatus 10 according to the present embodiment, the reduction rate is increased as the physical quantity increases in the reduction information 50. [ This means that as the physical quantity increases, the reduction amount with respect to the net correction amount increases, that is, the reduction correction amount decreases. In this case, the shape of the target image 62 is deformed to a shape closer to the shape of deformation of the substrate C than the shape of the target image 62, as compared with the case where the reduction correction amount is not used. Thus, displacement of the mounting pads and the electrodes of the electronic component is suppressed.

또한, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 도 10에 나타내는 바와 같이 상기 물리량이 커질수록 저감률을 계단 형상으로 많게 해 가지만, 저감률을 많게 하는 방법은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 물리량이 커질수록 저감률을 직선 형상으로 많게 해 가도 좋다. 또한, 상기 물리량이 커질수록 저감률의 증가량이 많아지는 곡선 형상, 또는 상기 물리량이 커질수록 저감률의 증가량이 적어지는 곡선 형상으로 저감률을 변화시켜도 좋다.In the exposure apparatus 10 according to the present embodiment, as shown in Fig. 10, as the physical quantity increases, the reduction rate increases in a step-like fashion, but the method of increasing the reduction rate is not limited to this. For example, as the physical quantity increases, the reduction rate may be increased linearly. Further, the reduction rate may be changed to a curved shape in which the increase amount of the reduction rate increases as the physical quantity increases, or to a curved shape in which the increase amount of the reduction rate decreases as the physical quantity increases.

본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 상기 물리량과 저감 정보(50)를 이용하여 저감률을 결정하고, 순보정량과 저감률로부터 저감 보정량을 도출한다. 그리고, 노광 묘화 장치(10)는 도출한 저감 보정량에 따라서 기준 마크(M)의 각각의 위치를 보정하고, 보정한 기준 마크(M)의 각각의 위치에 의거하여 대상 화상(62)을 변형시키고, 변형시킨 대상 화상(62)을 피노광 기판(C)에 묘화한다.The exposure apparatus 10 according to the present embodiment determines the reduction rate using the physical quantity and the reduction information 50, and derives the reduction correction amount from the net correction amount and the reduction rate. The exposure apparatus 10 then corrects each position of the reference mark M in accordance with the derived reduction correction amount and deforms the target image 62 based on each position of the corrected reference mark M , And the deformed target image 62 is drawn on the substrate (C).

또한, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 유저에 의해 조작 장치(44)의 입력부를 통해서 저감 정보(50)의 입력을 접수하고, 접수한 저감 정보(50)를 시스템 제어부(40)의 HDD(40A)에 기억한다. 그러나, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 저감 정보(50)에 있어서의 각 정보를 고정값으로 해서 시스템 제어부(40)의 HDD(40A)에 미리 기억해 두어도 좋다.The exposure apparatus 10 according to the present embodiment accepts the input of the reduction information 50 by the user through the input unit of the operation device 44 and outputs the received reduction information 50 to the system control unit 40. [ In the HDD 40A. However, the present invention is not limited to this. For example, each information in the reduction information 50 may be stored as a fixed value in the HDD 40A of the system control unit 40 in advance.

또한, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 대상 화상(62)을 변형시킬 때에, 일례로서 도 11a에 나타내는 바와 같이 대상 화상(62)의 영역 전체를 좌표 변환의 대상인 대상 영역(도 11a 및 도 11b에 있어서 도트 모양으로 나타내는 영역)(64)으로 한다. 그러나, 대상 영역(64)은 이것에 한정되지 않고, 일례로서 도 11b에 나타내는 바와 같이 4개의 기준 마크(M1∼M4)의 무게중심의 위치를 각점으로 한 직사각형상의 영역을 대상 영역(64)으로 해도 좋다. 또는 일례로서 도 11c에 나타내는 바와 같이, 피노광 기판(C)의 노광 대상으로 하는 면의 전체를 대상 영역(64)으로 해도 좋고, 또는 대상 화상(62)의 일부의 영역을 대상 영역(64)으로 해도 좋다.In the exposure apparatus 10 according to the present embodiment, when the target image 62 is deformed, as shown in Fig. 11A as an example, the entire region of the target image 62 is divided into a target region And a dot-shaped region in Fig. 11B). However, the target area 64 is not limited to this. For example, as shown in Fig. 11B, a rectangular area having the center of gravity of the four reference marks M1 to M4 as the respective points is set as the target area 64 Maybe. Alternatively, as shown in Fig. 11C, the entire surface to be exposed of the substrate C may be the object area 64, or a part of the object image 62 may be the object area 64, .

또한, 피노광 기판(C)의 단부 등에 피노광 기판(C)의 식별 번호 등의 회로 패턴 이외의 화상을 묘화할 경우가 있지만, 이 경우에는 상기 화상의 묘화 영역에 대해서는 좌표 변환을 행하지 않고 회로 패턴의 묘화 영역만 좌표 변환을 행하도록 해도 좋다. 이것은 피노광 기판(C)의 식별 번호 등의 문자열을 나타내는 화상은 피노광 기판(C)의 변형의 상황에 상관없이, 변형시키지 않는 편이 묘화 내용을 확인하기 쉽기 때문이다.An image other than the circuit pattern such as the identification number of the substrate to be exposed C may be drawn at the end of the substrate C to be subjected to the exposure. In this case, however, Coordinate conversion may be performed only in the patterning area of the pattern. This is because the image representing the character string such as the identification number of the substrate C is not deformed regardless of the state of deformation of the substrate C,

이어서, 도 12를 참조하여 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)의 작용을 설명한다. 또한, 도 12는 조작 장치(44)의 입력부를 통해서 실행 지시가 입력되었을 때에 노광 묘화 장치(10)의 시스템 제어부(40)에 의해 실행되는 노광 제어 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우차트이다. 상기 프로그램은 시스템 제어부(40)에 상기 ROM의 소정 영역에 미리 기억되어 있다.Next, the operation of the exposure apparatus 10 according to the present embodiment will be described with reference to Fig. 12 is a flowchart showing the flow of processing of the exposure control processing program executed by the system control unit 40 of the exposure apparatus 10 when the execution instruction is input through the input unit of the operation device 44. [ The program is stored in advance in a predetermined area of the ROM in the system control unit 40. [

또한, 설명을 쉽게 하기 위해서 대상 화상(62)을 나타내는 좌표 데이터(본 실시형태에서는 벡터 데이터)인 화상 정보가 시스템 제어부(40)의 HDD(40A)에 기억되어 있을 경우를 예를 들어서 설명한다. 또한, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 상기 화상 정보가 묘화 패턴을 나타내는 벡터 데이터이지만 이것에 한정되지 않고, 래스터 데이터라도 좋다.For ease of explanation, a case where image information which is coordinate data (vector data in this embodiment) representing the target image 62 is stored in the HDD 40A of the system control unit 40 will be described as an example. Further, in the exposure apparatus 10 according to the present embodiment, the image information is vector data indicating a drawing pattern, but the present invention is not limited to this, and raster data may be used.

우선, 스텝 S101에서는 묘화하는 대상 화상(62)을 나타내는 좌표 데이터인 화상 정보를 HDD(40A)로부터 판독함으로써 취득한다. 그러나, 시스템 제어부(40)는 외부 입출력부(48)를 통해서 외부로부터 화상 정보를 입력함으로써 화상 정보를 취득해도 좋다.First, in step S101, image information, which is coordinate data indicating a target image 62 to be rendered, is acquired by reading from the HDD 40A. However, the system control unit 40 may acquire image information by inputting image information from the outside through the external input / output unit 48. [

다음의 스텝 S103에서는 상술한 설계상의 기준 마크(M)의 각각의 위치가 좌표 데이터로 나타내어진 위치 정보를 HDD(40A)로부터 판독함으로써 취득한다.In the next step S103, the position information indicated by the coordinate data is acquired from the HDD 40A by reading each position of the reference mark M on the design described above.

이와 같이, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 시스템 제어부(40)는 상기 위치 정보를 HDD(40A)로부터 판독함으로써 취득하지만 취득 방법은 이것에 한정되지 않고, 외부 입출력부(48)를 통해서 외부로부터 위치 정보를 입력하는 방법이라도 좋다.As described above, in the exposure apparatus 10 according to the present embodiment, the system control unit 40 acquires the positional information by reading the positional information from the HDD 40A, but the acquisition method is not limited to this and the external input / output unit 48 Or may be a method of inputting the position information from the outside through the network.

다음의 스텝 S105에서는 기준 마크(M)의 각각이 촬영부(34)의 촬영 영역에 포함되는 위치를 피노광 기판(C)이 통과하도록 스테이지(12)를 이동시킨다.In the next step S105, the stage 12 is moved so that the substrate C passes through the position where each of the reference marks M is included in the photographing area of the photographing section 34. [

다음의 스텝 S107에서는 실제 기준 마크(M)의 각각의 위치를 계측한다. 이때, 시스템 제어부(40)는 촬영부(34)에 의한 촬영 화상으로부터 기준 마크(M)의 각각에 대응하는 영역을 추출하고, 추출한 영역의 중심 좌표를 기준 마크(M)의 각각의 위치 좌표로서 도출한다. 이와 같이, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 상기 촬영 화상을 이용하여 기준 마크(M)의 각각의 위치를 계측하지만 이것에 한정되지 않고, 상기 계측을 외부 장치로 행하고, 계측 결과를 나타내는 정보를 외부 입출력부(48)를 통해서 외부로부터 입력해도 좋다.In the next step S107, the positions of the actual reference marks M are measured. At this time, the system control unit 40 extracts the area corresponding to each of the reference marks M from the photographed image by the photographing unit 34, and sets the center coordinates of the extracted area as the position coordinates of the reference mark M . As described above, the exposure apparatus 10 according to the present embodiment measures the position of each of the reference marks M using the photographed image, but the present invention is not limited to this, and the measurement may be performed by an external apparatus, May be input from the outside through the external input / output unit 48. [

다음의 스텝 S109에서는 스텝 S103의 처리에서 취득한 설계상의 기준 마크(M)의 각각의 위치와 스텝 S107의 처리에서 계측한 기준 마크(M)의 각각의 위치의 어긋남량으로부터 피노광 기판(C)의 회전량, 오프셋량, 신축 배율의 각각을 도출한다. 또한, 여기에서 말하는 상기 회전량은 미리 정해진 직교 좌표계(본 실시형태에서는 일례로서 도 9에 나타내는 x-y 좌표계)에 있어서의 설계상의 기준 마크(M)의 위치로부터 대응하는 실제 기준 마크(M)의 위치에 이르는 회전 각도이다. 또한, 여기에서 말하는 상기 오프셋량은 상기 직교 좌표계에 있어서의 설계상의 기준 마크(M)의 위치로부터 대응하는 실제 기준 마크(M)의 위치에 이르는 평행 이동량이다. 또한, 여기에서 말하는 상기 신축 배율은 상기 직교 좌표계에 있어서의 설계상의 기준 마크(M)의 위치로부터 대응하는 실제 기준 마크(M)의 위치에 이르는 확대 배율 또는 축소 배율이다.In the next step S109, on the basis of the positional displacement of each position of the reference mark M on the design obtained in the process of the step S103 and the position of each of the reference marks M measured by the process of the step S107, The amount of rotation, the amount of offset, and the expansion / contraction ratio are derived. The above-mentioned rotation amount is calculated from the position of the reference mark M on the design in a predetermined orthogonal coordinate system (in this embodiment, xy coordinate system shown in Fig. 9 as an example) from the position of the corresponding actual reference mark M . The amount of offset referred to herein is a parallel movement amount from the position of the reference mark M on the design to the position of the corresponding actual reference mark M in the orthogonal coordinate system. The expansion / contraction magnification mentioned here is an enlargement magnification or reduction magnification from the position of the reference mark M on the design in the orthogonal coordinate system to the position of the corresponding actual reference mark M.

시스템 제어부(40)는 기준 마크(M)의 각각의 위치 좌표를 사용한 최소 제곱법에 의해, x방향의 오프셋량(ofsx), y방향의 오프셋량(ofsy), x방향의 신축 배율(kx), y방향의 신축 배율(ky), 및 회전량(θ)의 각 파라미터를 피노광 기판(C)의 각각마다 도출한다.The system control unit 40 sets the offset amount ofsx in the x direction, the offset amount ofsy in the y direction, and the stretching ratio kx in the x direction by the least squares method using the respective position coordinates of the reference mark M, , the y-direction expansion / contraction ratio (ky), and the rotation amount (?) are derived for each of the substrate (C).

즉, 상기 각 파라미터를 도출할 때 피노광 기판(C)의 변형을 생각하지 않고, 설계상의 기준 마크(M)의 각각의 위치와 계측한 기준 마크(M)의 각각의 위치가 상기 각 파라미터를 포함해서 일의적인 관계에 있다고 가정한다. 그리고, 상기 각 파라미터의 평균적인 편차가 최소가 되도록 상기 각 파라미터를 결정한다(일례로서 일본 특허 공개 소 61-44429호 공보 등을 참조). 이 상기 각 파라미터를 결정하는 방법은 아핀 변환 등을 사용한 기지의 방법이기 때문에 설명을 생략한다.That is, when deriving each of the above parameters, the position of each of the reference marks M in the design and the respective positions of the reference marks M measured do not consider the deformation of the substrate C, It is assumed that there is a unified relationship, including Then, the parameters are determined such that the average deviation of each parameter is minimized (see, for example, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 61-44429). The method for determining each of the above parameters is a known method using affine transformation or the like, and a description thereof will be omitted.

다음의 스텝 S111에서는 스텝 S107의 처리에서 계측한 기준 마크(M)의 각각의 위치 좌표를 상기 스텝 S109의 처리에서 도출한 회전량, 오프셋량, 및 신축 배율에 의거하여 변환한다. 이에 따라, 피노광 기판(C)을 스테이지(12)에 배치할 때의 배치 위치의 어긋남에 의한 기준 마크(M)의 각각의 위치의 어긋남량이 해소된다.In the next step S111, the position coordinates of each of the reference marks M measured in the process of step S107 are converted on the basis of the rotation amount, the offset amount, and the expansion / contraction ratio derived from the process of step S109. This eliminates the shift amount of each position of the reference mark M due to the deviation of the arrangement position when the substrate C is arranged on the stage 12. [

이와 같이, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 스텝 S107의 처리에서 계측한 기준 마크(M)의 각각의 위치 좌표를 피노광 기판(C)의 회전량, 오프셋량, 및 신축 배율의 각각에 의거하여 변환하지만 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 피노광 기판(C)의 회전량, 오프셋량, 및 신축 배율 중 어느 하나에 의거하여 변환해도 좋고, 복수의 조합에 의거하여 변환해도 좋다.As described above, in the exposure apparatus 10 according to the present embodiment, the position coordinates of each of the reference marks M measured in the process of step S107 are compared with the rotation amount of the substrate C, the offset amount, But the present invention is not limited to this. For example, the conversion may be performed based on any one of the rotation amount, the offset amount, and the expansion / contraction ratio of the substrate C, or may be converted based on a plurality of combinations.

다음의 스텝 S113에서는 상기 스텝 S111의 처리에서 좌표 변환된 기준 마크(M)의 각각의 위치 좌표에 의거하여 순보정량을 도출한다. 이하, 기준 마크(M1, M2, M3, M4)의 각각의 순보정량을 각각 (dx0,dy0), (dx1,dy1), (dx2,dy2), (dx3,dy3)으로 나타낸다.In the next step S113, the net correction amount is derived on the basis of the position coordinates of each of the reference marks M which are coordinate-converted in the process of the step S111. The net correction amounts of the reference marks M1, M2, M3 and M4 are denoted by (dx0, dy0), (dx1, dy1), (dx2, dy2), and (dx3, dy3), respectively.

다음의 스텝 S114에서는 상기 스텝 S103에서 취득한 상기 위치 정보, 및 상기 스텝 S111의 처리에서 좌표 변환된 기준 마크(M)의 각각의 위치 좌표에 의거하여 상기 물리량[본 실시형태에서는 기준 마크(M)의 각각의 어긋남량의 최대값]을 도출한다.In the next step S114, on the basis of the positional information obtained in the step S103 and the position coordinates of the reference mark M converted by the process in the step S111, the physical quantity (in this embodiment, The maximum value of each shift amount] is derived.

다음의 스텝 S115에서는 저감 정보(50)를 시스템 제어부(40)의 HDD(40A)로부터 판독한다.In the next step S115, the reduction information 50 is read from the HDD 40A of the system control unit 40. [

다음의 스텝 S117에서는 판독한 저감 정보(50)에 있어서, 상기 스텝 S114의 처리에서 도출한 물리량을 나타내는 물리량 정보에 대응된 처리 내용 정보에 의해 나타내어지는 처리 내용이 노광 묘화 처리인지의 여부를 판정한다.In the next step S117, it is judged whether or not the processing contents represented by the processing content information corresponding to the physical quantity information indicating the physical quantity derived in the processing of the step S114 in the read reduction information 50 is the exposure rendering processing .

스텝 S117에서 긍정 판정이 된 경우에는 스텝 S119로 이행한다. 한편, 스텝 S117에서 부정 판정이 된 경우에는 스텝 S135로 이행하고, 에러 처리로서 피노광 기판(C)이 스테이지(12)로부터 분리되는 위치까지 스테이지(12)를 이동시키고, 본 노광 제어 처리 프로그램의 실행을 종료한다. 이 경우, 피노광 기판(C)은 노광 묘화 처리가 행해지지 않고 스테이지(12)로부터 분리되어 노광 묘화 장치(10)의 외부로 배출된다.When an affirmative determination is made in step S117, the process proceeds to step S119. On the other hand, if a negative determination is made in step S117, the process proceeds to step S135. In the error process, the stage 12 is moved to the position where the substrate C is separated from the stage 12, The execution is terminated. In this case, the substrate C is separated from the stage 12 without being subjected to the exposure imaging process, and is discharged to the outside of the exposure apparatus 10.

한편, 스텝 S119에서는 판독한 저감 정보(50)에 있어서, 상기 스텝 S114의 처리에서 도출한 물리량을 나타내는 물리량 정보에 대응된 저감률 정보에 의해 나타내어지는 저감률(N)을 이용하여 순보정량을 저감함으로써 저감 보정량을 도출한다. 이하, 기준 마크(M1, M2, M3, M4)의 각각의 저감 보정량을 각각 (dx0',dy0'),（dx1',dy1'),（dx2',dy2'),（dx3',dy3')로 나타낸다.On the other hand, in step S119, the net correction amount is reduced using the reduction rate N indicated by the reduction rate information corresponding to the physical quantity information indicating the physical quantity derived in the processing of step S114 in the read reduction information 50 Thereby deriving the reduction correction amount. Dx0 ', dy1', dx2 ', dy2', dx3 ', dy3', dx3 ', dy3' ).

본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 저감 보정량 (dx0',dy0')∼(dx3',dy3')는 순보정량 (dx0,dy0)∼(dx3,dy3)에 대하여 저감률(N)을 승산해서 얻어지고, 하기의 (2)식으로 나타내어진다.The reduction correction amounts dx0 ', dy0' to dx3 'and dy3' are calculated based on the reduction amounts N for the net correction amounts dx0 and dy0 to dx3 and dy3 in the exposure apparatus 10 according to the present embodiment, , And is expressed by the following equation (2).

다음의 스텝 S127에서는 스텝 S119의 처리에 의해 얻어진 저감 보정량 (dx',dy')를 이용하여, 대상 화상(62)의 대상 영역(64) 내의 각 좌표의 좌표 변환을 행한다.In the next step S127, coordinate conversion of each coordinate in the target area 64 of the target image 62 is performed using the reduction amount (dx ', dy') obtained by the processing of step S119.

여기에서, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에 있어서의 대상 화상(62)의 대상 영역(64) 내의 각 좌표의 좌표 변환의 방법에 대하여 설명한다. 우선, 시스템 제어부(40)는 일례로서 도 13에 나타내는 바와 같이 좌표 변환의 대상이 되는 좌표에 의거하여 대상 화상(62)을 복수(본 실시형태에서는 4개)의 영역으로 분할하고, 각 분할 영역의 면적(SA0∼SA3)을 도출한다. 이때, 도 13에 나타내는 바와 같이 대상 화상(62)의 내부에 각 변에 대하여 평행이 되고 또한 변환 대상이 되는 좌표를 통과하는 직선을 그음으로써 대상 화상(62)을 4개의 영역으로 분할한다.Here, a method of coordinate conversion of each coordinate within the target area 64 of the target image 62 in the exposure apparatus 10 according to the present embodiment will be described. First, the system control unit 40 divides the target image 62 into a plurality of (four in the present embodiment) regions on the basis of the coordinates to be subjected to coordinate transformation as shown in Fig. 13 as an example, (SA0? At this time, as shown in Fig. 13, the target image 62 is divided into four regions by forming a straight line that is parallel to each side in the target image 62 and passes through coordinates to be converted.

또한, 각 분할 영역의 각각에 대해서 기준 마크(M1)에 대항하는 영역[즉, 기준 마크(M4)를 포함하는 영역]인 도 10의 정면으로 보았을 때 우측 아래의 영역의 면적을 SA0이라고 나타낸다. 또한, 기준 마크(M2)에 대항하는 영역[즉, 기준 마크(M3)를 포함하는 영역]인 좌측 아래의 영역의 면적을 SA1이라고 나타낸다. 또한, 기준 마크(M3)에 대항하는 영역[즉, 기준 마크(M2)를 포함하는 영역]인 우측 위의 영역의 면적을 SA2라고 나타낸다. 또한, 기준 마크(M4)에 대항하는 영역[즉, 기준 마크(M1)를 포함하는 영역]인 좌측 위의 영역의 면적을 SA3이라고 나타낸다.In addition, the area of the lower right area as viewed from the front of Fig. 10, which is an area opposing the reference mark M1 (i.e., the area including the reference mark M4), is denoted by SA0 for each of the divided areas. In addition, the area of the lower left area which is an area opposing the reference mark M2 (i.e., the area including the reference mark M3) is denoted as SA1. In addition, the area of the upper right area which is the area against the reference mark M3 (i.e., the area including the reference mark M2) is denoted by SA2. Further, the area of the upper left area which is the area against the reference mark M4 (i.e., the area including the reference mark M1) is denoted by SA3.

또한, 시스템 제어부(40)는 이렇게 해서 얻어진 분할 영역(SA0∼SA3)의 면적과, 스텝 S115의 처리에 의해 얻어진 저감 보정량 (dx0',dy0')∼(dx3',dy3')를 하기의 (3)식에 대입한다. 이에 따라, 얻어지는 값이 상기 좌표 변환의 대상이 되는 좌표의 피노광 기판(C)의 변형에 대한 보정량(ddx,ddy)이 된다.The system control unit 40 compares the areas of the divided areas SA0 to SA3 thus obtained and the reduction correction amounts dx0 ', dy0' through dx3 ', dy3' obtained by the processing of step S115 with the following 3) Substitute in the equation. Accordingly, the obtained value is the correction amount ddx, ddy for the deformation of the substrate C of the coordinates to be subjected to the coordinate conversion.

예를 들면, 도 13에 나타내는 바와 같이 dx0'=1, dx1'=2, dx2'=5, dx3'=10, SA0=3, SA1=9, SA2=3, SA3=1, SS=16이었을 경우에는 ddx=(3×1+9×2+3×5+1×10)/16≒2.9가 된다.For example, as shown in FIG. 13, dx0 '= 1, dx1' = 2, dx2 '= 5, dx3' = 10, SA0 = 3, SA1 = 9, SA2 = 3, SA3 = Ddx = (3 x 1 + 9 x 2 + 3 x 5 + 1 x 10) / 16≈2.9.

또한, 피노광 기판(C)의 변형에 대한 보정량(ddx,ddy)의 도출 방법은 이것에 한정되지 않는다. 즉, 좌표 변환 전의 대상 화상(62)의 소정 위치인 위치 A(x,y)로부터 대상 화상(62)의 각 변에 대하여 수선을 그음으로써 대상 화상(62)의 각 변을 내분한다. 이에 따라, 위치 A에 대한 대상 화상(62)의 각 변의 내분비가 구해진다. 좌표 변환 후의 대상 화상(62)에 있어서 그 내분비에 대응하는 위치 B를 정하고, 위치 A와 위치 B의 어긋남량을 보정량(ddx,ddy)으로서 정해도 좋다.The method of deriving the correction amounts ddx and ddy against deformation of the substrate C is not limited to this. That is, each side of the target image 62 is divided by dividing the target image 62 by a water line from the position A (x, y) which is a predetermined position of the target image 62 before coordinate conversion. Thus, the endocrine gauge of each side of the target image 62 with respect to the position A is obtained. The position B corresponding to the endocardia in the target image 62 after the coordinate transformation may be determined and the amount of displacement between the position A and the position B may be set as the correction amount ddx and ddy.

또한, 시스템 제어부(40)는 대상 화상(62)에 있어서의 각 좌표의 보정량(ddx,ddy)과, x방향의 오프셋량(ofsx), y방향의 오프셋량(ofsy), x방향의 신축 배율(kx), y방향의 신축 배율(ky), 회전량(θ)을 다음의 (4)식에 대입한다. 이 (4)식에 의해, 좌표 변환의 대상이 되는 각 좌표(xl,yl)에 대한 좌표 변환 후의 좌표(xm,ym)가 구해진다.The system control unit 40 controls the amount of correction ddx and ddy of each coordinate in the target image 62 and the offset amount ofsx in the x direction, the offset amount ofsy in the y direction, (kx), the expansion / contraction ratio (ky) in the y direction, and the rotation amount (?) are substituted into the following expression (4). The coordinate (xm, ym) after coordinate conversion for each of the coordinates (xl, yl) to be subjected to coordinate conversion is obtained by the expression (4).

다음의 스텝 S129에서는 노광부(22)로부터 출사되는 광빔에 의해 피노광 기판(C)의 상면이 노광되는 위치까지 스테이지(12)를 이동시키도록 스테이지 구동부(42)를 제어한다.In the next step S129, the stage driving unit 42 is controlled so as to move the stage 12 to a position where the top surface of the substrate C is exposed by the light beam emitted from the exposure unit 22. [

다음의 스텝 S131에서는 좌표 변환 후의 좌표(xm,ym)를 이용하여 피노광 기판(C)에 대상 화상(62)을 묘화시키도록 광원 유닛(24) 및 화상 처리 유닛(28)을 통해서 노광 헤드(22a)를 제어한다. 이때, 시스템 제어부(40)는 스테이지(12)를 미리 정해진 속도로 이동시키도록 스테이지 구동부(42)를 제어함으로써 피노광 기판(C)을 이동시키면서, 피노광 기판(C)에 대상 화상(62)을 묘화시키도록 노광 헤드(22a)를 제어한다.In the next step S131, the exposure head (not shown) is driven through the light source unit 24 and the image processing unit 28 so as to draw the target image 62 on the substrate C using the coordinate (xm, ym) 22a. At this time, the system control unit 40 controls the stage driving unit 42 to move the stage 12 at a predetermined speed to move the target substrate 62 to the substrate C while moving the substrate C, And controls the exposure head 22a to image the exposure head 22a.

다음의 스텝 S133에서는 피노광 기판(C)이 스테이지(12)로부터 분리되는 위치까지 스테이지(12)를 이동시키고, 본 노광 제어 처리 프로그램의 실행을 종료한다.In the next step S133, the stage 12 is moved to a position where the substrate C is separated from the stage 12, and the execution of the present exposure control processing program is terminated.

이와 같이, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 일례로서 도 14a에 나타내는 바와 같이 상기 저감률이 0%였을 경우(N=0), 시스템 제어부(40)는 피노광 기판(C)의 변형에 대한 보정량을 저감시키지 않고 대상 화상(62)을 묘화한다.14A, when the reduction rate is 0% (N = 0), the system control unit 40 controls the exposure apparatus 10 according to the present embodiment in such a manner that, The target image 62 is drawn without reducing the correction amount for the deformation.

한편, 일례로서 도 14b에 나타내는 바와 같이 상기 저감률이 0%보다 클 경우(N>0), 시스템 제어부(40)는 피노광 기판(C)의 변형에 대한 보정량을 저감률에 따라서 저감시킨 후에 대상 화상(62)을 변형시켜서 묘화한다. 또한, 도 14a 및 도 14b에서는 묘화 대상이 되는 묘화 패턴에 랜드(66) 및 도통 비아(68)의 위치 관계를 알기 쉽도록 묘화 대상이 되는 층의 기준 마크(M)의 위치에 랜드(66)가 형성되고, 다른 층의 기준 마크(M)의 위치에 도통 비아(68)가 형성되어 있다.14B, when the reduction rate is larger than 0% (N > 0), the system control unit 40 reduces the correction amount for the deformation of the substrate C in accordance with the reduction rate The target image 62 is transformed and rendered. 14A and 14B, the land 66 is provided at the position of the reference mark M of the layer to be rendered so that the positional relationship between the lands 66 and the conductive vias 68 can be easily recognized in the drawing pattern to be drawn. And the conduction via 68 is formed at the position of the reference mark M of the other layer.

일반적인 노광 묘화 장치에서는, 예를 들면 도 15에 나타내는 바와 같이 피노광 기판(C)에 복수의 층(예를 들면, 4층)의 묘화 패턴(62A∼62D)을 하위측부터 순차적으로 적층시켜서 묘화할 경우, 각 층에 있어서의 묘화가 종료될 때마다 현상, 에칭, 박리 등의 화학 처리를 행한다. 또한, 일반적인 노광 묘화 장치에서는 레이어를 더 겹치기 위해서 프리프레그층의 적층, 도통 비아의 가공, 필드 비아 도금, 조화 처리, DFR(Dry Film photoResist)의 라미네이션 등이 행해진다. 그 때문에, 도 16에 나타내는 바와 같이 1층째의 묘화 패턴(62A), 2층째의 묘화 패턴(62B), 3층째의 묘화 패턴(62C), 4층째의 묘화 패턴(62D)과, 층을 겹칠 때마다 피노광 기판(C)의 변형이 커져 가는 것이 상정된다.15, the drawing patterns 62A to 62D of a plurality of layers (for example, four layers) are successively laminated on the substrate C to be printed from the lower side, , Chemical treatment such as development, etching, peeling, etc. is performed every time the drawing in each layer is completed. Further, in a general exposure apparatus, lamination of prepreg layers, processing of conductive vias, field via plating, coarsening treatment, lamination of dry film photo resist (DFR), and the like are performed in order to further overlap the layers. Therefore, as shown in Fig. 16, when the first layer drawing pattern 62A, the second layer drawing pattern 62B, the third layer drawing pattern 62C, and the fourth layer drawing pattern 62D overlap with each other It is assumed that the deformation of the substrate to be imaged C becomes larger.

그러나, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 묘화 패턴을 묘화할 때에 층마다 상기 물리량이 커질수록 저감량을 많게 하면서, 피노광 기판(C)의 변형에 대한 보정량을 저감시킨다. 이에 따라, 전자 부품을 기판 상에 고정밀도로 실장할 수 있다.However, in the exposure apparatus 10 according to the present embodiment, the amount of correction for deformation of the substrate C is reduced while the amount of reduction is increased as the physical quantity increases for each layer in drawing the imaging pattern. Thus, the electronic component can be mounted on the substrate with high accuracy.

또한, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 기준 마크(M)의 각각의 보정량에 대하여 1보다 작은 정의 값(저감률)을 승산함으로써 순보정량을 저감시키지만 이것에 한정되지 않는다. 즉, 순보정량을 1을 초과하는 값으로 제산하는 것, 또는 순보정량으로부터 정의 값을 감산함으로써 순보정량을 저감시켜도 좋다. 또는 상기 승산, 제산, 감산을 복수 조합시켜서 순보정량을 저감시켜도 좋다.Further, in the exposure apparatus 10 according to the present embodiment, the net correction amount is reduced by multiplying each correction amount of the reference mark M by a positive value (reduction rate) smaller than 1, but the present invention is not limited to this. That is, the net correction amount may be reduced by dividing the net correction amount by a value exceeding 1 or by subtracting the positive value from the net correction amount. Alternatively, a plurality of combinations of multiplication, division, and subtraction may be combined to reduce the net correction amount.

또한, 피노광 기판(C)에 묘화 패턴을 복수 적층시켜서 묘화할 경우에, 또한 피노광 기판(C)의 최하위의 층에 묘화 패턴을 묘화할 경우, 피노광 기판(C)의 변형의 보정을 행하지 않아도 좋다.When drawing a plurality of imaging patterns on the substrate C to be imaged and imaging the imaging pattern on the lowest layer of the substrate C to correct the deformation of the substrate C You do not have to do it.

그리고, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 본 발명을 피노광 기판(C)에 광빔을 노광해서 묘화 패턴을 묘화하는 노광 묘화 장치(10)에 적용할 경우에 대하여 설명했지만 이것에 한정되지 않는다. 즉, 본 발명을 피묘화체에 형성된 기준 마크(M)의 위치에 의거하여 묘화 대상이 되는 화상을 묘화하는 임의의 묘화 장치에 적용할 수 있다. 또한, 본 발명을 묘화 패턴을 묘화하는 각 층의 층간을 전기적으로 접속하는 도통 비아 등을 형성하는 레이저 가공 장치 및 드릴 가공 장치에 적용해도 좋다. 또한, 기판의 묘화 패턴을 보호하기 위한 솔더 레지스트층에 있어서의 부품 실장용 구멍을 형성하기 위한 노광 묘화 장치 및 가공 장치에 적용해도 좋다. 이에 따라, 고정밀도로 전자 부품을 기판 상에 실장할 수 있다.In the exposure apparatus 10 according to the present embodiment, the present invention is applied to the exposure apparatus 10 for exposing a light beam onto the substrate C to draw the imaging pattern. However, It does not. That is, the present invention can be applied to any drawing apparatus that draws an image to be drawn on the basis of the position of the reference mark M formed on the drawing body. The present invention may also be applied to a laser machining apparatus and a drill machining apparatus which form a conduction via or the like for electrically connecting the layers of layers for drawing a patterning pattern. The present invention may also be applied to an exposure apparatus and a processing apparatus for forming a hole for mounting a component in a solder resist layer for protecting a drawing pattern of a substrate. As a result, the electronic component can be mounted on the substrate with high precision.

〔제 2 실시형태〕[Second embodiment]

이하, 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에 대하여 설명한다.Hereinafter, the exposure apparatus 10 according to the second embodiment of the present invention will be described.

제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)와 마찬가지의 구성을 갖기 때문에, 각 구성의 설명을 생략한다.Since the exposure apparatus 10 according to the second embodiment has the same configuration as the exposure apparatus 10 according to the first embodiment, the description of each configuration will be omitted.

제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)는 피노광 기판(C)의 변형에 따라서 보정을 행할 때에, 애뉼러 링의 값에 따라서 저감 보정량(dx',dy')에 제한을 형성하고 있다. 도 17에 나타내는 바와 같이, 애뉼러 링은 랜드(66)의 내부에 도통 비아(68)가 형성되어 있을 경우의 도통 비아(68)의 전체 둘레를 둘러싸는 환상 영역이며, 랜드 지름을 D, 구멍 지름을 d라고 했을 경우의 환상 영역의 폭인 애뉼러 링의 폭 L은 L=(D-d)/2로 나타내어진다.The exposure apparatus 10 according to the second embodiment forms a restriction on the reduction correction amounts dx 'and dy' according to the value of the annuling when the correction is performed in accordance with the deformation of the substrate C . 17, the annular ring is an annular area surrounding the entire circumference of the conductive via 68 when the conductive vias 68 are formed in the land 66, and the land diameter is D, The width L of the annular ring, which is the width of the annular region when the diameter is d, is expressed by L = (Dd) / 2.

본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 시스템 제어부(40)의 HDD(40A)에 랜드(66)의 랜드 지름(D) 및 도통 비아(68)의 구멍 지름(d)을 나타내는 정보가 미리 기억되어 있다.Information indicating the land diameter D of the land 66 and the hole diameter d of the conduit via 68 is stored in advance in the HDD 40A of the system control unit 40 in advance in the exposure apparatus 10 according to the present embodiment It is remembered.

이어서, 도 18을 참조하여 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)의 작용을 설명한다. 또한, 도 18은 조작 장치(44)를 통해서 실행 지시가 입력되었을 때에 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)의 시스템 제어부(40)에 의해 실행되는 노광 제어 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우차트이다. 상기 프로그램은 시스템 제어부(40)의 상기 ROM의 소정 영역에 미리 기억되어 있다. 또한, 도 18에 있어서의 도 12와 동일한 처리를 행하는 스텝에는 도 12와 동일한 스텝 번호를 붙여서 그 설명을 최대한 생략한다.Next, the operation of the exposure apparatus 10 according to the present embodiment will be described with reference to Fig. 18 shows the flow of processing of the exposure control processing program executed by the system control unit 40 of the exposure apparatus 10 according to the second embodiment when an execution instruction is input via the operation device 44 Flow chart. The program is stored in a predetermined area of the ROM of the system control unit 40 in advance. 12, the same step numbers as those in Fig. 12 are attached to the same steps as those in Fig. 12, and the description thereof is omitted to the maximum.

본 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 상기 스텝 S119의 처리를 행한 후, 스텝 S121로 이행한다.The exposure apparatus 10 according to the second embodiment performs the process of step S119, and then the process proceeds to step S121.

스텝 S121에서는 애뉼러 링의 폭(L)을 나타내는 정보를 취득한다. 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(10)에서는 랜드(66)의 랜드 지름(D) 및 도통 비아(68)의 구멍 지름(d)을 나타내는 정보를 시스템 제어부(40)의 HDD(40A)로부터 판독하고, 랜드 지름(D) 및 구멍 지름(d)의 값을 다음의 (5)식에 대입함으로써 애뉼러 링의 폭(L)을 도출한다.In step S121, information indicating the width L of the annular ring is acquired. The exposure apparatus 10 according to the present embodiment reads information indicating the land diameter D of the land 66 and the hole diameter d of the conductive via 68 from the HDD 40A of the system control unit 40 And the values of the land diameter D and the hole diameter d are substituted into the following equation (5) to derive the width L of the annular ring.

또한, 랜드 지름(D) 및 구멍 지름(d)은 피노광 기판(C)의 종류나 묘화 패턴의 설계값에 의거하여 유저가 조작 장치(44)를 통해서 입력해도 좋다.The land diameter D and the hole diameter d may be input by the user through the operation device 44 on the basis of the type of the substrate C and the design value of the patterning pattern.

또한, 애뉼러 링의 폭(L)의 취득 방법은 이것에 한정되지 않는다. 상기 취득 방법은, 예를 들면 외부에 접속된 정보 처리 장치로부터 외부 입출력부(48)를 통해서 입력하는 방법이라도 좋다. 또한, 상기 취득 방법은 애뉼러 링의 폭(L)(예를 들면, 30㎛)을 나타내는 정보를 시스템 제어부(40)의 RAM, HDD(40A) 등의 기억부에 미리 기억해 두고, 상기 기억부로부터 판독하는 방법이라도 좋다. 또한, 피노광 기판(C)의 적재 위치의 오차, 묘화하는 위치의 오차 등을 고려하여 애뉼러 링의 폭(L)의 값을 실물보다 좁게 함으로써, 랜드(66)로부터 도통 비아(68)가 돌출될 일이 없도록 여유를 갖게 해도 좋다.The method of obtaining the width L of the annular ring is not limited to this. The acquisition method may be a method of inputting from an information processing apparatus connected to the outside through the external input / output unit 48, for example. The acquisition method may be such that information indicating the width L of the annular ring (for example, 30 mu m) is stored in advance in the storage unit such as the RAM and the HDD 40A of the system control unit 40, . In addition, by making the width L of the anuter ring narrower than the actual length in consideration of the error of the stacking position of the substrate C and the error in the drawing position, the distance between the land 66 and the via 68 It is also permissible to have a margin so as not to be projected.

다음의 스텝 S123에서는 순보정량 (dx0,dy0)∼(dx3,dy3)으로부터 저감 보정량 (dx0',dy0')∼(dx3',dy3')를 감산한 값이 애뉼러 링의 폭(L)보다 큰지의 여부를 판정한다. 이때, 기준 마크(M)의 각각에 대해서 판정을 행하고, 하나라도 이 조건을 만족시키고 있을 경우에 긍정 판정으로 한다. 스텝 S123에서 부정 판정이 된 경우에는 상기 스텝 S127로 이행하는 한편, 긍정 판정이 된 경우에는 스텝 S126으로 이행한다.In the next step S123, the value obtained by subtracting the reduction correction amounts dx0 ', dy0' through dx3 ', dy3' from the net correction amounts dx0, dy0 through dx3, dy3 is smaller than the width L of the annuling It is determined whether or not it is large. At this time, determination is made with respect to each of the reference marks M, and an affirmative determination is made when any one of these criteria is satisfied. If a negative determination is made in step S123, the process proceeds to step S127. On the other hand, if an affirmative determination is made, the process proceeds to step S126.

스텝 S126에서는 피노광 기판(C)의 변형에 대한 보정에 의해 랜드(66)와 도통 비아(68)의 위치 어긋남이 발생하는 것을 회피하기 위해서, 저감 보정량 (dx0',dy0')∼(dx3',dy3')를 제한한다. 이때, 순보정량 (dx0,dy0)∼(dx3,dy3), 애뉼러 링의 폭(L)을 하기의 (6)식에 대입해서 얻어진 값을 저감 보정량 (dx0',dy0')∼(dx3',dy3')로 한다.In step S126, the reduction correction amounts dx0 ', dy0' to dx3 'are set in order to avoid positional shifts between the lands 66 and the conductive vias 68 due to the correction of the deformation of the substrate C, , dy3 '). At this time, the values obtained by substituting the net correction amounts dx0, dy0 to dx3, dy3 and the width L of the anuning into the following equation (6) are referred to as reduction correction amounts dx0 ', dy0' , dy3 ').

또한, 상기 (6)식에 있어서 상술한 바와 같이 저감 보정량 (dx0',dy0')∼(dx3',dy3')를 제한함으로써 얻어지는 어긋남량을 어긋남량 de'라고 하고 있다.The shift amount obtained by limiting the reduction correction amounts dx0 ', dy0' to (dx3 ', dy3') in the above equation (6) is referred to as a shift amount de '.

이에 따라, 도 19에 나타내는 바와 같이 피노광 기판(C)에 대한 최저한의 보정량을 확보하면서, 랜드(66)의 내부에 도통 비아(68)가 수용되도록 피노광 기판(C)의 변형에 대한 보정량이 저감된 후에 상기 화상이 변형된다. 이에 따라, 도통 비아(68)가 랜드(66)의 내부에 수용되고, 전자 부품을 피노광 기판(C) 상에 고정밀도로 실장할 수 있다.19, the amount of correction for deformation of the substrate C to be received so as to accommodate the conduction vias 68 in the land 66 is maintained at a constant value, while ensuring the minimum correction amount for the substrate C The image is deformed after being reduced. Thus, the conductive vias 68 are accommodated in the lands 66, and the electronic components can be mounted on the substrate C with high accuracy.

일례로서 도 20의 좌측 도면에 나타내는 바와 같이, 저감률(N)을 40%로 해서 저감 보정량을 도출하여(저감 보정량=de×0.4) 대상 화상(62)을 변형시켰을 경우에, 랜드(66)와 도통 비아(68)의 위치가 어긋나 버린다고 한다. 이 경우, 도 20의 우측 도면에 나타내는 바와 같이 애뉼러 링의 폭(L)에 의거하여 저감 보정량을 제한함으로써(저감 보정량=de-L), 도통 비아(68)를 랜드(66)의 내부에 수용할 수 있다. 또한, 도 20에서는 묘화 대상이 되는 묘화 패턴에 랜드(66) 및 도통 비아(68)의 위치 관계를 알기 쉽도록 묘화 대상이 되는 층의 기준 마크(M)의 위치에 랜드(66)가 형성되고, 다른 층의 기준 마크(M)의 위치에 도통 비아(68)가 형성되어 있다.20, when the target image 62 is deformed by deriving the reduction correction amount (reduction correction amount = de.times.0.4) by setting the reduction ratio N to 40%, the land 66 is corrected, And the positions of the conductive vias 68 are shifted. In this case, as shown in the right drawing of Fig. 20, the conduction via 68 is arranged inside the land 66 by limiting the reduction correction amount based on the width L of the annular ring (reduction correction amount = de-L) Can be accommodated. 20, a land 66 is formed at a position of a reference mark M of a layer to be rendered so that the positional relationship between the lands 66 and the conductive vias 68 can be easily seen in the rendering pattern to be rendered And the conduction via 68 is formed at the position of the reference mark M of the other layer.

이상과 같이 구성된 노광 묘화 장치(10)에 의한 노광 제어 처리를 실현하기 위한 각종 처리는 프로그램을 실행함으로써 컴퓨터를 이용해서 소프트웨어 구성에 의해 실현해도 좋다. 단, 소프트웨어 구성에 의한 실현에 한정되는 것은 아니고, 하드웨어 구성이나 하드웨어 구성과 소프트웨어 구성의 조합에 의해 실현해도 좋다.Various processes for realizing the exposure control process by the exposure apparatus 10 configured as described above may be realized by a software configuration using a computer by executing a program. However, the present invention is not limited to the realization by the software configuration, but may be realized by a combination of hardware configuration, hardware configuration, and software configuration.

일본 특허출원 2013-074227호의 개시는 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 도입된다.The disclosure of Japanese Patent Application No. 2013-074227 is incorporated herein by reference in its entirety.

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Claims

Coordinate data indicating a first position that is a design position of a plurality of reference marks formed on a substrate to be exposed, coordinate data indicating a drawing pattern to be drawn on the substrate determined based on the first position, An acquiring unit that acquires coordinate data indicating a second position that is an actual position of each of the marks;
A physical amount representing a magnitude of deformation of the substrate to be projected is derived based on the first position and the second position, and a correction amount for a shift of the first position and the second position for each of the plurality of reference marks A derivation unit for deriving the output value,
A reduction unit that reduces a larger amount of the correction amount derived from the derivation unit as the physical quantity increases,
And a correction section for correcting the coordinate data indicating the drawing pattern based on the correction amount reduced by the reduction section when the drawing pattern is drawn on the substrate with reference to the second position, Device.

The method according to claim 1,
Wherein the derivation unit obtains, as the physical quantity, at least a maximum value of the shift amounts of the first position and the second position for each of the plurality of reference marks, an average value of each of the shift amounts, And derives one of the two values.

The method according to claim 1,
Wherein the derivation unit obtains the maximum value of the difference between the distance between the plurality of reference marks obtained based on the first position and the distance between the reference marks obtained based on the corresponding second position as the physical quantity, An average value of each of the differences, and an integrated value of each of the differences.

4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the reduction unit multiplies each of the correction amounts derived from the derivation unit by a smaller positive value smaller than 1 as the physical quantity increases, dividing the larger positive value by a larger value as the physical quantity increases, And the subtraction unit subtracts a positive value smaller than the correction amount from the correction amount derived from the derivation unit, thereby reducing a larger amount as the physical quantity increases.

4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The drawing pattern is a circuit pattern representing an electronic wiring,
When the amount of correction reduced by the reduction section is larger than a first correction amount defined as a state in which the conductive vias are accommodated in the land in the drawing pattern, the correction section calculates coordinate data indicating the drawing pattern on the basis of the first correction amount And corrects the correction value.

4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The drawing pattern is a solder resist pattern showing an opening hole for component mounting of the solder resist layer,
Wherein the correcting unit corrects the correction amount reduced by the reduction unit when the opening hole is larger than the second correction amount defined as being accommodated in the inside of the conductive pad for bonding with the component, Is corrected.

4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Based on a shift amount obtained by subtracting at least one of a shift due to the parallel movement of the substrate, a shift due to rotation, and a shift due to elongation and contraction from the shift amount of the first position and the second position from the shift amount, Of the image data.

4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Further comprising a reception unit for receiving input of reduction information corresponding to the reduction rate of the physical quantity and the correction amount,
Wherein the reduction unit reduces the correction amount derived from the derivation unit by using a reduction ratio corresponding to the physical quantity derived from the derivation unit in the reduction information received at the reception unit.

An image forming apparatus comprising: the drawing apparatus according to any one of claims 1 to 3;
And an exposure unit that exposes and draws the imaging pattern on the substrate based on the coordinate data corrected by the correction unit of the imaging apparatus.

10. The method of claim 9,
Wherein the control unit controls the acquisition unit, the derivation unit, the reduction unit, the correction unit, and the exposure unit in a case where a plurality of layers of imaging patterns are layered and rendered on the substrate to be imaged, Further comprising a control section for performing acquisition by the acquisition section, derivation by the derivation section, reduction by the reduction section, correction by the correction section, and exposure by the exposure section, .

11. The method of claim 10,
Further comprising: a storage unit that stores allowable amount information indicating a maximum permissible amount of the physical quantity, which is an allowable upper limit as a magnitude of deformation of the substrate,
Wherein the control unit inhibits the exposure by the exposure unit with respect to the substrate when the physical quantity derived from the derivation unit is larger than the maximum allowable amount indicated by the allowable amount information.

On the computer,
Coordinate data indicating a first position that is a design position of a plurality of reference marks formed on a substrate to be exposed, coordinate data indicating a drawing pattern to be drawn on the substrate determined based on the first position, Acquiring coordinate data indicating a second position which is an actual position of each of the marks,
A physical amount representing a magnitude of deformation of the substrate to be projected is derived based on the first position and the second position, and a correction amount for a shift of the first position and the second position for each of the plurality of reference marks &Lt; / RTI >
A larger amount is obtained from each of the derived correction amounts as the physical amount becomes larger,
And correcting the coordinate data indicating the drawing pattern on the basis of the reduced amount of correction when the drawing pattern is drawn on the substrate with reference to the second position. Recording medium.

Coordinate data indicating a first position that is a design position of a plurality of reference marks formed on a substrate to be exposed, coordinate data indicating a drawing pattern to be drawn on the substrate determined based on the first position, Acquiring coordinate data indicating a second position which is an actual position of each of the marks,
A physical amount representing a magnitude of deformation of the substrate to be projected is derived based on the first position and the second position, and a correction amount for a shift of the first position and the second position for each of the plurality of reference marks &Lt; / RTI >
A larger amount is obtained from each of the derived correction amounts as the physical amount becomes larger,
And when the imaging pattern is drawn on the substrate with the second position as a reference, the coordinate data indicating the imaging pattern is corrected on the basis of the reduced correction amount.