KR20150138113A - 캡슐화 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
소자 위에 직접 증착되는 제1 배리어 층, 및 제1 배리어 층 위에 위치하는 제1 접착층 및 제1 적층체를 포함하는 캡슐화 장치; 및 비활성 분위기에서 소자 위에 제1 배리어 층을 증착하는 단계; 비활성 분위기에서 상기 제1 배리어 층 위에 제1 접착층을 적용하는 단계; 및 비활성 분위기에서 상기 제1 접착층 위에 제1 적층체를 적용하는 단계를 포함하는 캡슐화 장치의 제조 방법을 제공한다.
상기 적층체는 고분자 기재 및 상기 고분자 기재 위에 위치하는 제2 배리어 층을 포함할 수 있다. 제1 배리어 층은, 비활성 분위기에서 제1 배리어 층 위에 위치하는 적층체의 적층에 적합한 투습율을 가질 수 있다.
Description
본 발명은 비활성 분위기에서 소자 위에 직접 증착된 제1 배리어 층, 및 비활성이 아닌 분위기에서 상기 제1 배리어 층 위에 적용된 제1 적층체를 포함하는 캡슐화 장치에 관한 것이다.
유기 발광 장치(organic light emitting devices, OLED)와 같은 많은 소자들은 환경에 존재하는 수증기 및 산소와 같은 특정 액체 및 기체의 침투, 그리고 제품의 제조 과정, 처리 과정 또는 저장 중에 사용될 수 있는 다른 화학 물질들에 의해 열화되기 쉽다. 이러한 손상 액체, 손상 기체 및 화학 물질들의 침투 가능성을 줄이기 위해서, 소자의 한 쪽 면 또는 양 쪽 면은 인접한 다층의 배리어 스택에 의해 밀봉되는 것이 일반적이다.
대체로, 배리어 스택은 다층의 다이아드를 포함하고, 각 다이아드는 배리어 층 및 디커플링 층을 포함하는 2층의 구조이다. 상기 배리어 스택은 소자의 보호를 위하여 소자 상에 직접 증착되거나 별도의 필름 또는 지지체 위에 증착된 후, 소자 위에 적층될 수 있다. 배리어 스택에 의해 밀봉된 소자는 수증기 및 산소에 민감하기 때문에 배리어 스택의 증착 (직접 밀봉이든 또는 적층에 의한 밀봉이든)은 증착 과정 중 (및 보호용 스택이 증착되기 전)에 소자가 손상 기체에 노출되지 않도록 비활성 분위기에서 행해진다. 특히, 이러한 민감한 소자들은 일반적으로 비활성 (즉, 수증기 및 산소와 같은 반응성 기체 및 화학종이 없는) 조건이 유지되는 다양한 챔버를 구비한 증착 장치에 도입함으로써 밀봉된다. 그러나, 전술한 바와 같이, 배리어 스택은 일반적으로 다층의 다이아드를 포함하는데, 이는 스택을 증착하기 위해 필요한 장치의 사이즈가 증가되어야 함을 의미한다. 특히, 도 4에 나타낸 바와 같이, 3층의 다이아드를 갖는 배리어 스택을 증착하기 위한 증착 장치는 전형적으로 6개의 분리된 증착 챔버 (만약, 보호층이 증착되는 경우에는 7개의 분리된 증착 챔버)를 포함하고, 이들 챔버는 모두 비활성 조건을 유지해야 한다. 비활성 조건에서 각 층을 증착하기 위해 필요한 여러 개의 증착 챔버는 장치의 사이즈 및 비용을 증가시키는데, 여러 개의 챔버 내 비활성 조건을 유지하는 것과 관련된 비용 뿐만 아니라, 사이즈가 큰 장치를 설계하고 유지하는 것과 관련된 비용이 제조비용 증가로 이어질 수 있다.
비활성 분위기가 요구되는 시간을 줄이는 동안에 우수한 투습율을 달성하고, 이로 인해 소자를 밀봉하는 데 사용되는 증착 도구의 사이즈를 줄일 수 있는 캡슐화 장치를 제공한다.
본 발명의 일 구현예는, 소자 위에 직접 증착되는 제1 배리어 물질을 포함하는 제1 배리어 층을 포함하는 캡슐화 장치를 제공한다. 상기 캡슐화 장치는 제1 배리어 층 위에 위치하는 제1 접착층, 및 상기 제1 접착층 위에 위치하는 제1 적층체를 더 포함한다. 상기 제1 적층체는 고분자 기재 및 상기 고분자 기재 위에 위치하는 제2 배리어 층을 포함한다. 상기 제2 배리어 층은 제2 배리어 물질을 포함한다. 상기 제1 배리어 층은 비활성이 아닌 분위기에서 상기 제1 배리어 층 위에 상기 제1 적층체를 접착하고 적층하는 데 적절한 투습율을 갖는다.
상기 제1 적층체는 상기 고분자 기재 및 상기 제2 배리어 층 사이에 디커플링 층을 더 포함할 수 있다. 상기 디커플링 층과 상기 제2 배리어 층은 다이아드를 형성한다. 일 실시예에서, 상기 제1 적층체는 적어도 2개의 다이아드를 포함한다.
상기 캡슐화 장치는 상기 제1 적층체 위에 적어도 하나의 제2 적층체들을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 적층체들 각각은 제2 고분자 기재 및 상기 제2 고분자 기재 위에 위치하는 제3 배리어 층을 포함할 수 있다. 상기 제3 배리어 층은 제3 배리어 물질을 포함한다.
상기 캡슐화 장치는 상기 제1 적층체와 상기 적어도 하나의 제2 적층체들 사이, 그리고 상기 제2 적층체들 간에 제2 접착층을 더 포함할 수 있다.
제1 배리어 물질, 제2 배리어 물질 및 제3 배리어 물질은 각각 독립적으로 메탈, 메탈 옥사이드, 메탈 나이트라이드, 메탈 옥시나이트라이드, 메탈 카바이드, 메탈 옥시보라이드, Al, Zr, Zn, Sn, Ti, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 제1 접착층 및 제2 접착층은 각각 독립적으로 감압 접착제를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 복합 밀봉체는 비활성 분위기에서 작동하는 데 필요한 증착 장치의 사이즈를 줄이는 동시에 캡슐화 장치에 침투하는 유해 화학종 (즉, 수증기 및 산소)에 대한 효과적인 장벽층을 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 특징 및 이점은 하기 도면과 연관지어 고려할 때 상세한 설명을 참고하여 더욱 잘 이해될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 배리어 스택의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 구현예에 따른 배리어 스택의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 일 구현예에 따른 배리어 스택의 개략도이다.
도 4는 각각이 비활성 조건에서 유지되는 여러 개의 증착 챔버를 포함하는 통상적인 증착 장치를 보여주는 개략도이다.
도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 소자의 밀봉 방법을 설명하는 개략도이다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 배리어 스택의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 구현예에 따른 배리어 스택의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 일 구현예에 따른 배리어 스택의 개략도이다.
도 4는 각각이 비활성 조건에서 유지되는 여러 개의 증착 챔버를 포함하는 통상적인 증착 장치를 보여주는 개략도이다.
도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 소자의 밀봉 방법을 설명하는 개략도이다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 캡슐화 장치는 소자 위에 직접 증착되는 제1 배리어 층, 상기 제1 배리어 층 위에 위치하는 제1 접착층, 및 상기 제1 접착층 위에 위치하는 제1 적층체를 포함한다. 상기 제1 배리어 층은 제1 배리어 물질을 포함하고, 소자 위에 직접 증착되어 밀봉되며, 비활성이 아닌 분위기에서 상기 제1 배리어 층 위에 상기 제1 접착층을 적용하고 상기 제1 적층체를 적층하는 데 적절한 투습율을 나타낸다. 여기서, 비활성이 아닌 분위기에서 상기 제1 배리어 층 위에 상기 제1 접착층을 적용하고 상기 제1 적층체를 적층하는 데 적절한 투습율이란, 상기 제1 접착층 및 상기 제1 적층체를 적용하는 데 필요한 시간 동안 손상 수증기의 침투로부터 캡슐화 장치를 보호하는 데 적절한 투습율을 의미한다. 실제로, 상기 제1 배리어 층은 충분한 "장기 (long-term)" 동안 장벽층을 형성하고 있을 필요는 없으나, 상기 제1 접착층 및 상기 제1 적층체가 증착되는 동안에 대기 (또는 비활성이 아닌) 조건에서 배리어 층이 노출되는 시간 동안 소자에 대한 손상을 상당히 막을 수 있어야 한다. 일 실시예에서, 예컨대 제1 배리어 층의 투습율은 10-3 g/m2·day 내지 10-6 g/m2·day, 또는 10-4 g/m2·day 내지 10-6 g/m2·day, 또는 10-4 g/m2·day 내지 10-5 g/m2·day, 또는 10-5 g/m2·day 내지 10-6 g/m2·day일 수 있다.
또한, 여기서 "비활성이 아닌 분위기", "비활성이 아닌 조건" 및 이와 유사한 용어는 비활성이 아닌 분위기를 의미하고, 이러한 비활성이 아닌 분위기에서는, 밀봉되지 않은 소자 또는 수증기 및/또는 산소로부터 보호되는 소자 이외의 민감한 소자에 손상을 줄 수 있다. 예를 들면, "비활성이 아닌 분위기", "비활성이 아닌 조건" 및 이와 유사한 용어는 비활성이기 보다는 잠재적으로 반응성이 있는 다른 분위기 또는 조건 뿐만 아니라, 공기 또는 대기 조건을 의미한다.
상기 제1 배리어 층은 소자 위에 직접 증착되어 밀봉되고, 제1 배리어 물질을 포함한다. 상기 제1 배리어 층은 일시적인 장벽층으로 작동하고, 제1 접착층 및 제1 적층체의 완전한 적용에 충분한 시간 동안 캡슐화 장치에 대한 손상 기체, 액체 및 화학 물질의 침투를 막아준다.
전술한 바와 같이, 상기 제1 배리어 층은 "장기 (long-term)" 동안 작용하는 우수한 장벽층일 필요는 없고, 제1 접착층 및 제1 적층체의 적용에 필요한 시간 동안 캡슐화 장치에 대한 유해 기체 및 화학 물질 (즉, 수증기 및 산소)의 침투를 막기에 적절한 장벽층 이라면 충분하다. 제1 배리어 층은 층에 사용되는 물질에 따라 다양할 수 있다. 그러나, 대체로, 제1 (직접) 배리어 층을 증착하는 데 어떠한 증착 기술 및 어떠한 증착 조건도 이용될 수 있다. 예를 들면, 제1 배리어 층은 스퍼터링 (sputtering), 화학 기상 증착 (chemical vapor deposition), 유기 금속 화학 기상 증착 (metalorganic chemical vapor deposition), 플라즈마 강화 화학 기상 증착 (plasma enhanced chemical vapor deposition), 증발 (evaporation), 승화 (sublimation), 전자 사이클로트론 공명-플라즈마 강화 화학 기상 증착 (electron cyclotron resonance-plasma enhanced chemical vapor deposition), 및 이들의 조합과 같은 진공 공정을 이용하여 증착될 수 있다.
그러나, 일 실시예에서, 상기 제1 배리어 층은 AC 또는 DC 스퍼터링에 의해 증착된다. 예를 들면, 일 실시예에서, 상기 제1 배리어 층은 AC 스퍼터링에 의해 소자 위에 직접 증착된다. AC 스퍼터링 증착 기법은 신속한 증착, 우수한 막 특성, 공정 안정성, 제어, 입자와 굴곡이 거의 없는 층을 제공한다. AC 스퍼터링 증착의 조건은 당업계에서 통상의 지식을 가지는 기술자에게 잘 알려진 것이라면 특별히 제한되지는 않으나, 그 조건은 타겟의 면적 및 타겟과 기질과의 거리에 따라 다양할 수 있다. 그러나, 일 실시예에서, AC 스퍼터링 조건은 약 3 내지 약 6 kW, 예컨대 약 4 kW의 전력, 약 2 내지 약 6 mTorr, 예컨대 약 4.4 mTorr의 압력, 약 80 내지 약 120 sccm, 예컨대, 약 100 sccm의 Ar 흐름 속도, 약 350 내지 약 550 V, 예컨대, 약 480 V의 타겟 전압, 그리고 약 90 내지 약 200 cm.min, 예컨대, 약 141 cm/min의 타겟 속도를 포함할 수 있다. 또한, AC 스퍼터링 공정에 사용되는 비활성 기체는 적절한 것이라면 어떠한 비활성 기체 (예를 들면 헬륨, 제논, 크립톤 등)도 사용될 수 있지만, 일 실시예에서는, 비활성 기체로 아르곤 (Ar)이 사용될 수 있다.
제1 배리어 층에 포함되는 물질은 접착층 및 적층체를 완전하게 적용하는 데 필요한 시간 동안 캡슐화 장치에 침투되는 손상 기체, 액체 및 화학 물질 (즉, 산소 및 수증기)을 상당히 막거나 줄이는 데 적합한 물질이라면 특별히 제한되지는 않는다. 제1 배리어 층에 사용되기에 적절한 물질의 비제한적인 예로서, 메탈, 메탈 옥사이드, 메탈 나이트라이드, 메탈 옥시나이트라이드, 메탈 카바이드, 메탈 옥시보라이드, Al, Zr, Zn, Sn, Ti, 및 이들의 조합을 들 수 있다. 통상의 기술자라면 배리어 층의 원하는 특성에 따라 옥사이드, 나이트라이드 및 옥시나이트라이드에 사용되는 적절한 메탈을 선택할 수 있다. 그러나, 일 실시예에서는, 예컨대, 메탈은 Al, Zr, Si, Zn, Sn 또는 Ti일 수 있다.
일 실시예에서, 예컨대, 상기 제1 배리어 층은 SiNx 물질을 포함할 수 있고, 이 물질은 임의의 적절한 방법에 의해서 증착될 수 있다. 예를 들면, 고정된 기재를 구비한 샤워 헤드 형상 (shower head configuration)에서 플라즈마 강화 화학 기상 증착 (PECVD)이 이용될 수 있다. 선형의 소스 (source)가 스캐닝 기재와 함께 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 SiNx를 포함하는 배리어 층은 10-5 g/m2·day 정도의 투습율을 가질 수 있다. 플라즈마 강화 화학 기상 증착된 SiNx 배리어는 높은 증착 속도를 제공하고, 우수한 성능을 갖는 고밀도의 배리어를 생산한다. 예를 들면, 일 실시예에서, SiNx를 포함하는 층은 약 2.3 내지 약 3.0 g/cm3, 예컨대 약 2.7 g/cm3의 밀도를 갖는다.
또한, 일 실시예에서, 상기 제1 배리어 층은 알루미늄 옥사이드 (즉, Al2O3), 티타늄 디옥사이드 (즉, TiO2), 또는 알루미늄-티타늄 옥사이드 (즉, AlxTiyOz)를 포함할 수 있다. 상기한 층들을 증착하기 위해서 임의의 적절한 증착 기법이 이용될 수 있다. 그러나, 일 실시예에서, 알루미늄 옥사이드 (즉, Al2O3), 티타늄 디옥사이드 (즉, TiO2), 또는 알루미늄-티타늄 옥사이드 (즉, AlxTiyOz) 층은 원자층 증착 (atomic layer deposition (ALD))을 통해서 증착될 수 있다.
상기 제1 배리어 층의 밀도와 굴절률은 특별히 제한되지 않고 층에 사용되는 물질에 따라 다양할 수 있다. 그러나, 일 구현예에서, 상기 제1 배리어 층은 약 1.6 이상, 즉 1.675의 굴절률을 가질 수 있다. 제1 배리어 층의 두께 또한 특별히 제한되지는 않는다. 그러나, 일 구현예에서, 상기 제1 배리어 층의 두께는 약 15 nm 내지 약 2 ㎛, 예컨대 약 20 nm 내지 약 100 nm, 또는 약 40 nm 내지 약 70 nm 일 수 있다. 일 실시예에서, 예를 들어, 상기 제1 배리어 층의 두께는 약 40 nm 일 수 있다. 일 실시예에 따른 상기 제1 배리어 층 (즉, 플라즈마 강화 화학 기상 증착 (PECVD)된 SiNx 층을 포함하여 SiNx를 포함하는 배리어 층)은 약 100 nm 내지 약 2 ㎛의 두께를 가질 수 있다. 또한, 다른 일 실시예에 따른 상기 제1 배리어 층 (즉, 원자층 증착 (ALD)된 알루미늄 옥사이드, 티아늄 디옥사이드 또는 알루미늄-티타늄 옥사이드)은 약 15 nm 내지 약 50 nm의 두께를 가질 수 있다. 통상의 기술자에게 이미 알려진 바와 같이, 두께는 밀도에 종속되고, 밀도는 굴절률과 관련이 있다. 이와 관련된 내용은 본 명세서에 참고 문헌으로서 포함된 Smith, et al., "Void formation during film growth: A molecular dynamics simulation study," J. Appl. Phys., 79 (3), pgs. 1448-1457 (1996); Fabes, et al., "Porosity and composition effects in sol-gel derived interference filters," Thin Solid Films, 254 (1995), pgs. 175-180; Jerman, et al., "Refractive index of this films of SiO2, ZrO2, and HfO2 as a function of the films' mass density," Applied Optics, vol. 44, no. 15, pgs. 3006-3012 (2005); Mergel, et al., "Density and refractive index of TiO2 films prepared by reactive evaporation," Thin Solid Films, 3171 (2000) 218-224; and Mergel, D., "Modeling TiO2 films of various densities as an effective optical medium," Thin Solid Films, 397 (2001) 216-222에 기재되어 있다. 또한, 막 밀도와 배리어 특성 간의 상관 관계는 Yamada, et al., "The Properties of a New Transparent and Colorless Barrier Film," Society of Vacuum Coaters, 505/856-7188, 38th Annual Technical Conference Proceedings (1995) ISSN 0737-5921에 설명되어 있고, 이것의 전체 내용은 본 명세서에 참고 문헌으로서 포함되어 있다. 따라서, 통상의 기술자라면 굴절률 및/또는 두께 정보에 근거하여 제1 배리어 층의 밀도를 계산할 수 있다.
상기 제1 접착층은 유기 발광 소자와 같은 민감한 소자에 사용될 수 있는 접착제라면 어떠한 것도 사용할 수 있고, 이 접착제는 제1 적층체 (또는 후술할 제2 적층체)를 상기 제1 배리어 층에 접착되도록 할 수 있다. 일 실시예에서, 예컨대, 상기 접착제는 경화성 액체 접착제, 또는 낮은 투습율을 갖는 감압 접착제를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 예를 들어, 상기 접착제는 감압 접착 테이프 (예컨대, Tesa 61500 및 61501를 포함하여 Tesa SE에서 시판됨)를 포함할 수 있다. 상기 감압 접착 테이프는 적층체의 접착을 위한 점착성의 표면을 제공하고, 적층 공정 동안 압력의 상당 부분을 흡수하는 완충 층의 역할을 한다. 예를 들면, 일 실시예에서, 상기 접착제는 UV 경화성 에폭시 접착제일 수 있고, 비제한적인 예로서 Delo Industrial Adhesives (Windach, Germany)에서 시판되는 DELO 라인의 접착제 (즉, DELO KatioBond LP686, LP655, LP612, and VE110214)를 포함한다. 적절한 접착제의 비제한적인 추가예로서 Adhesives Research, Inc., Glen Rock, PA에서 시판되는 EL-92734 (감압 접착제); Addison Clear Wave, St. Charles, IL에서 시판되는 AC A1429-F1 및 AC A1430-B (UV 경화성 에폭시 밀봉재); SAES Getters Group, Italy에서 시판되는 B-Dry (열가소성), ZeoGlue (에폭시 매트릭스 내에서 나노-제올라이트가 UV 경화성 분산됨), AqvaDry-U1 (UV 경화) 및 AqvaDry-T1 (열 경화), DryPaste (열 경화); Tesa SE, Germany에서 시판되는 Tesa 61500 (Tesa DrySeal liner를 구비한 25 micron의 투명 배리어 테이프) 및 Tesa 61501 (50 micron transparent transfer barrier tape with Tesa DrySeal liner를 구비한 50 micron의 투명 전송 배리어 테이프)를 포함한다.
액체 접착제 (즉, 액제 경화성 접착제, 또는 액체 감압 접착제)를 사용함으로써, 2가지 목적을 달성할 수 있다. 첫째로, 액체 접착제는 적층체 (제1 적층체 및/또는 후술할 제2 적층체)를 접착시키기 위한 점착성의 표면을 제공한다. 둘째로, 액체 접착제는 적층체와 제1 배리어 층 사이에서 상기 적층체를 상기 제1 배리어 층에 부착시키는 데 사용되는 압력의 상당 부분을 흡수하는 완충 층의 역할을 한다. 실제로, 비-액체 접착제를 사용할 수도 있지만, 이 경우 제1 배리어 층에 적층체를 부착시키기 위해 압력을 가함에 있어서, 이 압력의 일부가 소자에 의해 흡수되어 압축됨으로써, 소자에 손상을 야기하게 된다. 반면, 액체 접착제가 사용되는 경우, 적층체를 부착시키기 위해 압력을 가하는 동안에도 액체는 여전히 변형 가능하므로, 소자로부터 떨어져 나온 압력에서 기인된 힘을 흡수하고 소멸시킨다. 일 실시예에서, 액체 접착제는 소자의 가장 자리를 밀봉하는 데 사용될 수 있다. 이러한 상황에서, 제1 배리어 층에 적층체를 부착시키기 위해 사용된 압력으로부터 하부의 소자를 보호하기 위해서 마스크가 사용될 수 있다. 예를 들면, 소자에 발생할 수 있는 손상을 보상하기 위하여, 마스크는 소자의 바깥쪽 가장 자리에 위치할 수 있다. 이러한 구조에 따르면, 마스크는 주로 소자의 민감한 유기층의 외부 영역에 적용된 압력의 방향을 바꾸고, 소자의 유기층으로부터 소자의 외부 영역에 대한 압력을 재분배함으로써, 소자의 유기 영역에 대한 압력을 소멸시키고 압력을 가함으로써 발생되는 손상을 막거나 상당히 감소시킨다. 가장 자리 내부의 캐비티 (cavity)는 빈 상태로 남아있거나, 또는 빛 추출 (light extraction)을 향상시키기 위한 굴절률 경사 (refractive index gradient)를 제공할 수 있는 물질 또는 물질들로 채워지거나, 또는 결함을 통한 수분 침투를 포획하기 위해 더 나은 기능을 수행할 수 있는 물질 또는 물질들로 채워질 수 있다.
제1 적층체는 고분자 기재 및 상기 고분자 기재 위에 위치하는 제2 배리어 층을 포함한다. 제2 배리어 층은 제2 배리어 물질을 포함한다. 상기 제1 적층체는 상기 고분자 기재 및 상기 제2 배리어 층 사이에 디커플링 층을 더 포함할 수 있다. 제1 적층체는 디커플링 층을 포함하는 일 실시예에서, 상기 디커플링 층과 상기 제2 배리어 층은 다이아드를 형성한다. 일 실시예에서, 상기 제1 적층체는 적어도 하나의 다이아드 (즉, 적어도 하나의 디커플링 층/제2 배리어 층 쌍)를 포함하여 제1 적층체의 고분자 기재 위에 다층의 배리어 스택을 형성할 수 있다.
일 실시예에서, 캡슐화 장치는 제1 적층체와 더불어 적어도 하나의 제2 적층체를 더 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 제2 적층체는 제2 접착층을 통해서 제1 적층체 위에 적층될 수 있고, 상기 제2 접착층은 상기 제1 접착층과 같거나 다를 수 있다. 제2 적층체는 상기 제1 적층체와 유사하고, 제2 적층체 각각은 제2 고분자 기재 및 상기 제2 고분자 기재 위에 위치하는 제3 배리어 층을 포함할 수 있다.
상기 제3 배리어 층은 제3 배리어 물질을 포함한다. 상기 제2 접착층은 제2 적층체들 중 하나를 상기 제1 적층체에 부착시키기 위해 사용하거나 제2 적층체들끼리 부착시키기 위해 사용될 수 있다. 즉, 상기 제2 접착층은 상기 제1 적층체와 상기 제2 적층체의 제3 배리어 층 사이, 및/또는 어느 하나의 제2 적층체의 제2 고분자 기재와 또 다른 제2 적층체의 제3 배리어 층 사이에 위치할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 캡슐화 장치의 제1 적층체 및/또는 제2 적층체는 전술한 것과 같이, 제2 배리어 층 및/또는 각각의 제1 고분자 기재 또는 각각의 제2 고분자 기재 위에 위치하는 제3 배리어 층을 포함한다. 그러나, 일 실시예에서, 상기 제1 적층체 및/또는 제2 적층체는 각각의 제1 고분자 기재 및/또는 각각의 제2 고분자 기재 위에 위치하는 적어도 하나의 다이아드를 포함할 수 있다. 각각의 다이아드는 디커플링 층 (평활화 층 (smoothing layer) 또는 평탄화 층 (planarization layer)이라고도 함), 및 제1 적층체의 제2 배리어 층 또는 제2 적층체의 제3 배리어 층을 포함한다. 다이아드의 디커플링 층은 평탄화, 디커플링 및/또는 평활화 작용을 하는 고분자 물질 또는 다른 유기 물질을 포함한다. 특히, 상기 디커플링 층은 표면 거칠기를 감소시키고, 피트 (pits), 스크래치 (scratches), 디그 (digs) 및 파편 (particles)과 같은 표면 결함을 밀봉함으로써, 추가 층 형성을 위한 후속 증착에 이상적인 편평한 표면을 제공한다. 본 명세서에서, "평활화 층", "디커플링 층" 및 "평탄화 층"이란 용어는 상호 교환적으로 사용되고, 모두 지금까지 언급한 디커플링 층을 의미하는 용어이다. 상기 디커플링 층은 제1 고분자 기재 또는 제2 고분자 기재 위에 어떠한 증착 기법에 의해서도 증착될 수 있고, 이러한 증착 기법의 비제한적인 예로는 진공 공정 및 대기 공정이 포함될 수 있다. 상기 디커플링 층의 증착에 사용되는 진공 공정의 비제한적인 예로는 진공 조건 하 인 시츄 중합이 포함된 플래쉬 증발 (flash evaporation), 및 플라즈마 증착 및 중합이 포함될 수 있다. 상기 디커플링 층의 증착에 사용되는 대기 공정의 비제한적인 적절한 예로는 스핀 코팅 (spin coating), 잉크젯 프린팅 (ink jet printing), 스크린 프린팅 (screen printing) 및 분무 기법 (spraying)이 포함될 수 있다.
상기 디커플링 층은 평활화 층, 디커플링 층 및/또는 평탄화 층으로서 작용할 수 있는 물질이라면 어떠한 것도 포함할 수 있다. 이러한 물질의 비제한적인 적절한 예로서 유기 고분자, 무기 고분자, 유기금속 고분자, 하이브리드 유/무기 고분자계, 및 실리케이트가 포함될 수 있다. 예컨대, 상기 디커플링 층에 사용되는 물질은 아크릴레이트-함유 고분자, 알킬아크릴레이트-함유 고분자 (메타크릴레이트-함유 고분자를 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아님), 또는 실리콘계 고분자가 포함될 수 있다. 상기 디커플링 층은 상당히 편평하거나 평탄한 표면을 가질 수 있는 정도의 두께라면 어떠한 두께도 가능하다. 여기서, "상당히"란 어느 특정 정도를 의미하는 것이 아니라 대략적인 기준을 의미하는 것으로서, 디커플링 층의 편평한 정도 또는 평탄한 정도를 측정하거나 평가하는 데 있어서 용인 가능한 변화 및 오차를 설명하고자 사용된 용어이다. 예컨대, 일 실시예에서, 상기 제1 배리어 층은 약 100 내지 1000 nm의 두께를 가질 수 있다. 상기 제1 적층체의 제2 배리어 층 및/또는 상기 제2 적층체의 제3 배리어 층은 손상 기체, 액체 및 화학 물질이 캡슐화 장치에 침투하는 것을 막는 적층체의 장벽층으로서 작용할 수 있다. 전술한 바와 같이, 상기 제1 적층체 및 제2 적층체는 제1 고분자 기재 바로 위에 위치하는 제2 배리어 층 및 제2 고분자 기재 바로 위에 위치하는 제3 배리어 층을 포함하거나, 또는 제1 고분자 기재와 제2 배리어 층 및 제2 고분자 기재와 제3 배리어 층 사이 (또는 전술한 바와 같이, 제2 적층체의 제3 배리어 층과 제2 접착층 사이)에 위치하는 디커플링 층을 포함하는 적어도 하나의 다이아드를 포함할 수 있다. 제2 배리어 층은 제1 적층체의 제1 고분자 기재 위에 증착되고, 제3 배리어 층은 제2 적층체의 제2 고분자 기재 위에 증착되고, 제2 배리어 층 및 제3 배리어 층의 증착 기법 및 조건은 각 층에 사용되는 물질에 따라 다양하다. 그러나, 대체로, 제2 배리어 층 및 제3 배리어 층의 증착에는 임의의 증착 기법 및 증착 조건이 사용될 수 있다. 예를 들면, 제2 배리어 층 및 제3 배리어 층의 증착에는 스퍼터링, 화학 기상 증착, 유기 금속 화학 기상 증착, 플라즈마 강화 화학 기상 증착, 증발, 승화, 전자 사이클로트론 공명-플라즈마 강화 화학 기상 증착, 및 이들의 조합과 같은 진공 공정이 사용될 수 있다.
그러나, 일 실시예에서, 상기 제2 배리어 층 및 제3 배리어 층은 AC 스퍼터링 또는 DC 스퍼터링에 의해 증착될 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에서, 제2 배리어 층 및 제3 배리어 층은 AC 스퍼터링에 의해 고분자 기재 위에 증착된다. AC 스퍼터링 증착 기법은 신속한 증착, 우수한 막 특성, 공정 안정성, 제어, 입자와 굴곡이 거의 없는 층을 제공한다. AC 스퍼터링 증착의 조건은 당업계에서 통상의 지식을 가지는 기술자에게 잘 알려진 것이라면 특별히 제한되지는 않으나, 그 조건은 타겟의 면적 및 타겟과 기질과의 거리에 따라 다양할 수 있다. 그러나, 일 실시예에서, AC 스퍼터링 조건은 약 3 내지 약 6 kW, 예컨대 약 4 kW의 전력, 약 2 내지 약 6 mTorr, 예컨대 약 4.4 mTorr의 압력, 약 80 내지 약 120 sccm, 예컨대, 약 100 sccm의 Ar 흐름 속도, 약 350 내지 약 550 V, 예컨대, 약 480 V의 타겟 전압, 그리고 약 90 내지 약 200 cm.min, 예컨대, 약 141 cm/min의 타겟 속도를 포함할 수 있다. 또한, AC 스퍼터링 공정에 사용되는 비활성 기체는 적절한 것이라면 어떠한 비활성 기체 (예를 들면 헬륨, 제논, 크립톤 등)도 사용될 수 있지만, 일 실시예에서는, 비활성 기체로 아르곤 (Ar)이 사용될 수 있다.
상기 제2 배리어 층 및 제3 배리어 층에 사용되는 물질은 캡슐화 장치에 대한 손상 기체, 액체 및 화학 물질 (즉, 산소 및 수증기)의 침투를 상당히 막거나 줄일 수 있는 물질이라면 특별히 제한되지는 않는다. 제2 배리어 층 및 제3 배리어 층에 사용될 수 있는 비제한적인 적절한 예로는 메탈, 메탈 옥사이드, 메탈 나이트라이드, 메탈 옥시나이트라이드, 메탈 카바이드, 메탈 옥시보라이드, 및 이들의 조합이 포함될 수 있다. 통상의 기술자라면 배리어 층의 원하는 특성에 따라 옥사이드, 나이트라이드 및 옥시나이트라이드에 사용되는 적절한 메탈을 선택할 수 있다. 그러나, 일 실시예에서는, 예컨대, 메탈은 Al, Zr, Si, Zn, Sn 또는 Ti일 수 있다.
제2 배리어 층 및 제3 배리어 층의 밀도와 굴절률은 특별히 제한되지 않으며, 각 층에 따라 다양할 수 있다. 그러나, 일 실시예에 따르면, 상기 제2 배리어 층 및 제3 배리어 층은 약 1.6 이상, 즉 1.675의 굴절률을 가질 수 있다. 제2 배리어 층 및 제3 배리어 층의 두께 또한 특별히 제한되지는 않는다. 그러나, 일 구현예에서, 제2 배리어 층 및 제3 배리어 층의 두께는 약 20 nm 내지 약 100 nm, 예컨대 약 40 nm 내지 약 70 nm일 수 있다. 일 구현예에 따르면, 제2 배리어 층 및 제3 배리어 층 각각의 두께는 약 40 nm 일 수 있다. 통상의 기술자에게 이미 알려진 바와 같이, 두께는 밀도에 종속되고, 밀도는 굴절률과 관련이 있다. 이와 관련된 내용은 본 명세서에 참고 문헌으로서 포함된 Smith, et al., "Void formation during film growth: A molecular dynamics simulation study," J. Appl. Phys., 79 (3), pgs. 1448-1457 (1996); Fabes, et al., "Porosity and composition effects in sol-gel derived interference filters," Thin Solid Films, 254 (1995), pgs. 175-180; Jerman, et al., "Refractive index of this films of SiO2, ZrO2, and HfO2 as a function of the films' mass density," Applied Optics, vol. 44, no. 15, pgs. 3006-3012 (2005); Mergel, et al., "Density and refractive index of TiO2 films prepared by reactive evaporation," Thin Solid Films, 3171 (2000) 218-224; and Mergel, D., "Modeling TiO2 films of various densities as an effective optical medium," Thin Solid Films, 397 (2001) 216-222에 기재되어 있다. 또한, 막 밀도와 배리어 특성 간의 상관 관계는 Yamada, et al., "The Properties of a New Transparent and Colorless Barrier Film," Society of Vacuum Coaters, 505/856-7188, 38th Annual Technical Conference Proceedings (1995) ISSN 0737-5921에 설명되어 있고, 이것의 전체 내용은 본 명세서에 참고 문헌으로서 포함되어 있다. 따라서, 통상의 기술자라면 굴절률 및/또는 두께 정보에 근거하여 제2 배리어 층 및 제3 배리어 층의 밀도를 계산할 수 있다.
제1 적층체의 제1 고분자 기재 및 제2 적층체의 제2 고분자 기재는 적절한 기재일 수 있다. 일 실시예에서, 예컨대, 제1 고분자 기재 및 제2 고분자 기재는 각각 고분자 재료를 포함할 수 있고, 이러한 고분자 재료의 비제한적인 예로는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트 (PEN), 폴리카보네이트, 폴리이미드, 및 폴리에테르에테르 케톤 (PEEK)을 들 수 있다.
캡슐화 장치의 예시적인 구현예는 도 1 내지 3에 도시되어 있다. 도 1에 도시된 캡슐화 장치 (100)는 하부 소자 (160) 위에 직접 증착된 제1 배리어 층 (110), 상기 제1 배리어 층 (110) 위에 위치하는 제1 접착층 (120), 및 상기 제1 접착층 (120) 위에 위치하는 제1 적층체 (130)을 포함한다. 상기 제1 적층체 (130)는 상기 제1 접착층 (120) 위에 위치하는 제2 배리어 층 (130a), 및 상기 제2 배리어 층 (130a) 위에 위치하는 제1 고분자 기재 (130b)를 포함한다.
도 2에 나타낸 일 실시예에 따르면, 제1 적층체 (130')는 제1 고분자 기재 (130b) 위에 위치하는 적어도 하나의 다이아드 (131)를 포함하고, 각각의 다이아드 (131)는 제2 배리어 층 (130a)에 더하여 디커플링 층 (132)을 포함한다. 도 2의 캡슐화 장치 (100')는 제1 적층체 (130')가 하부 소자 (160) 위에 직접 증착된 제1 배리어 층 (110), 상기 제1 배리어 층 (110) 위에 위치하는 제1 접착층 (120), 상기 제1 접착층 위에 위치하는 제1 적층체 (130')의 제2 배리어 층 (130a), 상기 제2 배리어 층 (130a) 위에 위치하는 제1 적층체 (130')의 디커플링 층 (132) 및 상기 디커플링 층 (132) 위에 위치하는 제1 고분자 기재 (130b)를 포함한다.
캡슐화 장치 (100 및 100')에 관하여 전술한 도 1 및 도 2에서와 같이, 도 3에 나타낸 일 실시예에 따르면, 제1 적층체 (130 또는 130') 위에 증착된 적어도 하나의 제2 적층체 (135)를 포함할 수 있다. 캡슐화 장치 (100")는 하부 소자 (160) 위에 직접 증착된 제1 배리어 층 (110), 및 상기 제1 배리어 층 (110) 위에 증착된 제1 접착층 (120)을 포함한다. 도 3에 나타낸 캡슐화 장치 (100")는 제1 접착층 (120) 위에 위치하는 제1 적층체 (130)의 제2 배리어 층 (130a), 상기 제2 배리어 층 (130a) 위에 위치하는 제1 적층체 (130)의 제1 고분자 기재 (130b), 상기 제2 배리어 층 (130a) 위에 위치하는 제2 접착층 (120') 및 상기 제2 접착층 (120') 위에 위치하는 제2 적층체 (135)를 포함한다. 상기 제2 적층체 (135)는 상기 제2 접착층 (130') 위에 위치하는 제3 배리어 층 (135a) 및 상기 제3 배리어 층 (135a) 위에 위치하는 제2 고분자 기재 (135b)를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 도 5에서, 비활성 분위기에서 소자 (160) 위에 제1 배리어 층 (110)을 형성하는 단계를 포함하는 소자의 밀봉 방법을 설명한다. 제1 배리어 층 (110)은 전술한 방법 중 적절한 증착 기법에 의해 소자 (160) 위에 증착될 수 있다. 제1 배리어 층 (110)은 제1 배리어 물질을 포함할 수 있고, 제1 배리어 층 및 제1 배리어 물질은 전술한 바와 같다.
상기한 소자의 밀봉 방법은 제1 적층체 (130 또는 130')를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 제1 적층체 (130 또는 130')를 형성하는 단계는 제1 고분자 기재 (130b) 위에 제2 배리어 층 (130a)을 형성하는 단계를 포함한다. 제2 배리어 층 및 제1 고분자 기재는 전술한 바와 같다. 제2 배리어 층은 roll-to-roll 또는 이와 비슷한 공정 기법을 이용하여 비활성 분위기에서 제1 고분자 기재 위에 증착될 수 있다.
상기한 소자의 밀봉 방법은 비활성이 아닌 분위기에서 제1 배리어 층 (110) 위에 제1 접착층 (120)을 적용하는 단계, 및 상기 제1 접착층 (120) 위에 제1 적층체 (130 또는 130')를 적용하는 단계를 더 포함할 수 있다. 여기서, 비활성이 아닌 분위기란, 전술한 바와 같이, 공기 또는 대기 조건 또는 또 다른 비활성이 아닌 (즉, 반응성의) 분위기를 의미한다. 제1 접착층은 전술한 바와 같이, 액체 접착제, 경화성 접착제 또는 감압 접착제일 수 있다. 제1 적층체 (130 또는 130')는 접착층에 적용되어 제1 적층체 (130)의 제2 배리어 층 (130a)에 부착될 수 있다.
전술한 바와 같이, 일 실시예에서, 제1 적층체는 제2 배리어 층 (130a) 및 제1 고분자 기재 (130b) 사이에 디커플링 층 (132)를 더 포함할 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 일 실시예에서 상기 디커플링 층 (132)과 제2 배리어 층 (130a)은 다이아드 (131)를 형성할 수 있고, 제1 적층체 (130)는 적어도 하나의 다이아드를 포함할 수 있다. 예를 들면, 일 구현예에서, 상기 제1 적층체는 하나의 다이아드를 포함할 수 있고, 다른 일 구현예에서, 제1 적층체는 2개 이상의 다이아드를 포함할 수 있다. 이러한 구현예에서, 상기한 소자의 밀봉 방법은 제1 고분자 기재 (130b) 위에 디커플링 층 (132)을 증착하고, 이어서 디커플링 층 (130b) 위에 제2 배리어 층 (130a)을 증착하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 디커플링 층은 전술한 바와 같이 적절한 증착 기법에 의해 증착될 수 있다.
일 구현예에서, 상기 소자의 밀봉 방법은 적어도 하나의 제2 적층체 (135)를 형성하는 단계를 더 포함한다. 상기 각각의 제2 적층체를 형성하는 단계는 제2 고분자 기재 (135b) 위에 제3 배리어 층 (135a)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제3 배리어 층 및 제2 고분자 기재는 전술한 바와 같다. 이러한 구현예에 따르면, 상기 소자의 밀봉 방법은 비활성이 아닌 분위기에서 제1 적층체 (130) 위에 제2 접착층 (120')을 적용하고, 비활성이 아닌 분위기에서 제2 접착층 (120') 위에 제2 적층체 (135)를 적용하는 단계를 더 포함할 수 있다. 적어도 2개의 제2 적층체 (135)를 포함하는 캡슐화 장치 (100")를 나타낸 일 실시예에서, 소자의 밀봉 방법은 비활성이 아닌 분위기에서 각각의 제2 적층체 (135) 사이에 제2 접착층(120')을 적용하는 단계를 더 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 캡슐화 장치는 비활성 분위기에서 소자 위에 직접 증착되는 제1 배리어 층, 및 비활성이 아닌 분위기에서 상기 제1 배리어 층 위에 적용된 제1 적층체를 포함한다. 이러한 복합 밀봉체는 비활성 분위기에서 작동하는 데 필요한 증착 장치의 사이즈를 줄이는 동시에 캡슐화 장치에 침투하는 유해 화학종 (즉, 수증기 및 산소)에 대한 효과적인 배리어를 형성할 수 있다. 소자 위에 직접 증착되는 제1 배리어 층은 어플리케이션의 개개의 적층체들이 접착되고 적층되는 데 충분한 배리어 보호 장치를 제공하므로, 대부분의 밀봉은 비활성이 아닌 분위기 (즉, 공기 또는 대기 조건)에서 수행될 수 있다. 이는 밀봉 공정을 간소화하고, 밀봉 시에 완전한 증착에 필요한 비활성 챔버의 수를 줄임으로써 상당히 작은 사이즈의 증착 장치의 이용을 가능하게 한다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 잇는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
100, 100', 100": 캡슐화 장치
110: 제1 배리어 층
120: 제1 접착층 120': 제2 접착층
130, 130': 제1 적층체
130a: 제2 배리어 층 130b: 제1 고분자 기재
131: 다이아드
132: 디커플링 층
135: 제2 적층체
135a: 제3 배리어 층 135b: 제2 고분자 기재
160: 소자 (즉, OLED)
110: 제1 배리어 층
120: 제1 접착층 120': 제2 접착층
130, 130': 제1 적층체
130a: 제2 배리어 층 130b: 제1 고분자 기재
131: 다이아드
132: 디커플링 층
135: 제2 적층체
135a: 제3 배리어 층 135b: 제2 고분자 기재
160: 소자 (즉, OLED)
Claims (19)
- 소자 위에 직접 증착되고 제1 배리어 물질(barrier material)을 포함하는 제1 배리어 층;
상기 제1 배리어 층 위에 위치하는 제1 접착층; 및
상기 제1 접착층 위에 위치하는 제1 적층체를 포함하고,
상기 제1 적층체는 고분자 기재 및 상기 고분자 기재 위에 위치하는 제2 배리어 물질을 포함하는 제2 배리어 층을 포함하고,
상기 제1 배리어 층은 비활성이 아닌 분위기에서 상기 제1 배리어 층 위에 상기 제1 접착층을 적용하고 상기 제1 적층체를 적층하는 데 적절한 투습율을 갖는 캡슐화 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 배리어 물질 및 상기 제2 배리어 물질은 각각 독립적으로 메탈, 메탈 옥사이드, 메탈 나이트라이드, 메탈 옥시나이트라이드, 메탈 카바이드, 메탈 옥시보라이드, Al, Zr, Zn, Sn, Ti, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 캡슐화 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 적층체는 상기 고분자 기재 및 상기 제2 배리어 층 사이에 디커플링 층을 더 포함하고,
상기 디커플링 층 및 상기 제2 배리어 층은 다이아드를 형성하는 캡슐화 장치. - 제3항에 있어서,
상기 제1 적층체는 적어도 2개의 다이아드를 포함하는 캡슐화 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 접착층은 액체 접착제를 포함하는 캡슐화 장치. - 제1항에 있어서,
상기 캡슐화 장치는 적어도 하나의 제2 적층체들, 및 제2 접착층을 더 포함하고,
상기 적어도 하나의 제2 적층체들은 상기 제1 적층체 위에 위치하고, 상기 제2 적층체들 각각은 제2 고분자 기재 및 상기 제2 고분자 기재 위에 위치하는 제3 배리어 물질을 포함하는 제3 배리어 층을 포함하고,
상기 제2 접착층은 상기 제1 적층체와 상기 적어도 하나의 제2 적층체들 사이, 및 적어도 하나의 제2 적층체들 사이에 위치하는 캡슐화 장치. - 제6항에 있어서,
상기 제3 배리어 물질은 메탈, 메탈 옥사이드, 메탈 나이트라이드, 메탈 옥시나이트라이드, 메탈 카바이드, 메탈 옥시보라이드, Al, Zr, Zn, Sn, Ti, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 캡슐화 장치. - 제6항에 있어서,
상기 제2 접착층은 액체 접착제를 포함하는 캡슐화 장치. - 비활성 분위기에서 소자 위에 제1 배리어 물질을 포함하는 제1 배리어 층을 증착하는 단계;
고분자 기재 위에 제2 배리어 물질을 포함하는 제2 배리어 층을 형성하는 것을 포함하는 제1 적층체를 형성하는 단계;
비활성이 아닌 분위기에서 상기 제1 배리어 층 위에 제1 접착층을 적용하는 단계; 및
비활성이 아닌 분위기에서 상기 제1 접착층 위에 상기 제1 적층체를 적용하는 단계
를 포함하는 캡슐화 장치의 제조 방법. - 제9항에 있어서,
상기 제1 배리어 물질 및 상기 제2 배리어 물질은 각각 독립적으로 메탈, 메탈 옥사이드, 메탈 나이트라이드, 메탈 옥시나이트라이드, 메탈 카바이드, 메탈 옥시보라이드, Al, Zr, Zn, Sn, Ti, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 캡슐화 장치의 제조 방법. - 제9항에 있어서,
상기 제1 적층체는 상기 고분자 기재 및 상기 제2 배리어 층 사이에 디커플링 층을 더 포함하고,
상기 디커플링 층 및 상기 제2 배리어 층은 다이아드를 형성하는 캡슐화 장치의 제조 방법. - 제11항에 있어서,
상기 제1 적층체는 하나의 다이아드를 포함하는 캡슐화 장치의 제조 방법. - 제11항에 있어서,
상기 제1 적층체는 적어도 2개의 다이아드를 포함하는 캡슐화 장치의 제조 방법. - 제9항에 있어서,
상기 제1 접착층은 액체 접착제를 포함하는 캡슐화 장치의 제조 방법. - 제9항에 있어서,
적어도 하나의 제2 적층체를 형성하는 단계;
비활성이 아닌 분위기에서 상기 제1 적층체 위에 제2 접착층을 적용하는 단계; 및
비활성이 아닌 분위기에서 상기 제2 접착층 위에 적어도 하나의 제2 적층체를 적용하는 단계를 더 포함하고,
상기 제2 적층체 각각을 형성하는 단계는 고분자 기재 위에 제3 배리어 물질을 포함하는 제3 배리어 층을 형성하는 단계를 포함하는 캡슐화 장치의 제조 방법. - 제15항에 있어서,
비활성이 아닌 분위기에서 상기 적어도 하나의 제2 적층체의 각 층 사이에 상기 제2 접착층을 적용하는 단계를 더 포함하는 캡슐화 장치의 제조 방법. - 제15항에 있어서,
상기 적어도 하나의 제2 적층체는 적어도 2개의 적층체를 포함하는 캡슐화 장치의 제조 방법. - 제15항에 있어서,
상기 제3 배리어 물질은 메탈, 메탈 옥사이드, 메탈 나이트라이드, 메탈 옥시나이트라이드, 메탈 카바이드, 메탈 옥시보라이드, Al, Zr, Zn, Sn, Ti, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 캡슐화 장치의 제조 방법. - 제15항에 있어서,
상기 제2 접착층은 액체 접착제를 포함하는 캡슐화 장치의 제조 방법.
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |