KR20150122321A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 공정 챔버와 상기 공정 챔버 내에 제공되며 기판이 놓이고 지지면을 포함하는 척 및
상기 지지면에 제공된 기판의 상태를 검출하는 검출 유닛을 포함한다. 상기 검출 유닛은 상기 기판에 의해 가해지는 부하를 측정하는 복수의 측정 부재 및 상기 복수의 측정 부재에 의해 측정된 값을 전송받고, 상기 기판의 상태를 판단하는 제어기를 포함한다.
기판 처리 방법은 척상에 기판을 올려놓고 상기 기판에 대해 공정을 수행하는 단계를 포함하되, 상기 척상에 제공되고 상기 기판에 의해 가해지는 부하를 측정하는 복수의 측정 부재에 의해 측정된 값에 따라 상기 기판의 상태를 판단하는 것을 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법 {Apparatus and method for processing substrate}
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
집적 회로를 제조하기 위한 반도체 웨이퍼의 프로세싱을 위해 웨이퍼를 척에 위치시키고, 공정챔버 내를 감압하면서 공정을 수행한다. 웨이퍼는 척상에 고정되지 않고 위치할 수 있다.
웨이퍼의 식각, 애싱 및 에칭 등을 수행하는 경우 공정챔버 내에 주입된 가스를 배기한다. 가스를 배기할 때 웨이퍼의 위치가 변형될 수 있다. 공정챔버 내에서 웨이퍼의 정렬상태가 틀어지거나 웨이퍼가 휘어진 경우 웨이퍼 공정의 신뢰도가 떨어지게 된다.
본 발명의 일 기술적 과제는 웨이퍼가 척상에 정위치하는지 여부를 측정할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제시하고자 한다.
본 발명의 다른 기술적 과제는 웨이퍼의 휘어짐을 측정할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제시하고자 한다.
본 발명의 다른 기술적 과제는 웨이퍼의 생산성과 신뢰도를 높일 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제시하고자 한다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 상기 기판 처리장치는 공정 챔버와 상기 공정 챔버 내에 제공되며 기판이 놓이고 지지면을 포함하는 척 및 상기 지지면에 제공된 기판의 상태를 검출하는 검출 유닛을 포함할 수 있다. 상기 검출 유닛은, 상기 기판에 의해 가해지는 부하를 측정하는 복수의 측정 부재와 상기 복수의 측정 부재에 의해 측정된 값을 전송받고, 상기 기판의 상태를 판단하는 제어기를 포함할 수 있다.
일 예에 의하여, 상기 측정부재들은 상기 기판이 상기 척상에 정위치에 놓여지는 경우 상기 척의 중심을 향하는 방향으로 상기 기판의 끝단으로부터 이격되게 위치할 수 있다. 상기 측정부재들은 상기 척의 중심으로부터 서로 동일한 거리에 배치되게 제공된다. 그리고 상기 측정부재는 상기 척으로부터 상부로 돌출되도록 제공될 수 있다.
다른 예에 의하여, 상기 기판의 상태는 상기 기판이 상기 척의 정위치에 놓여져 있는지 여부에 대한 정렬상태 및 휨 상태를 포함할 수 있다. 상기 제어기에서는 상기 측정 부재들에 의해 측정된 압력값들 중 하나가 상기 제어기에 설정된 정렬 기준값을 벗어나면 상기 정렬상태가 불량인 것으로 판단한다. 상기 측정 부재들에 의해 측정된 압력값들 중 하나가 상기 제어기에 설정된 휨 기준값을 벗어나면 상기 기판이 휘어진 것으로 판단한다.
다른 예에 의하여, 상기 제어기는 상기 측정 부재들에 의해 측정된 압력값의 차가 상기 제어기에 설정된 정렬 차이값을 초과하면 상기 기판의 정렬상태가 불량인 것으로 판단한다. 상기 측정 부재들에 의해 측정된 압력값의 차가 상기 제어기에 설정된 휨 차이값을 초과하면 상기 기판은 휘어진 것으로 판단한다. 또한, 상기 제어기는 상기 측정 부재들에 의해 측정된 압력값들 중 하나가 상기 제어기에 설정된 기준값을 벗어난 경우, 상기 측정부재에 의해 측정된 압력값의 합이 기설정된 압력측정값과 동일 또는 설정범위내이면 상기 기판이 정렬불량인 것으로 판단하고, 상기 설정범위를 벗어나면 상기 기판이 휘어진 것으로 판단한다. 상기 제어기는 상기 기판의 정렬상태는 공정 전에 판단하고, 상기 기판의 휨 상태는 공정 중에 판단한다.
다른 예에 의하여, 공정 전에 상기 기판이 놓여질 때 상기 측정부재들이 측정한 기준값과 공정 진행 중 측정된 압력값의 차가 설정범위를 벗어나면 상기 기판이 휘어진 것으로 판단한다.
또한 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 상기 기판 처리 방법에 의하면, 척상에 기판을 올려놓고 상기 기판에 대해 공정을 수행하는 단계를 포함하되, 상기 척상에 제공되고 상기 기판에 의해 가해지는 부하를 측정하는 복수의 측정 부재에 의해 측정된 값에 따라 상기 기판의 상태를 판단한다. 상기 기판이 상기 척상에 정위치에 놓여지는 경우 상기 측정부재들을 상기 척의 중심을 향하는 방향으로 상기 기판의 끝단으로부터 이격되게 위치시킨다.
일 예에 의하여, 상기 기판의 상태는 상기 기판이 상기 척의 정위치에 놓여져 있는지 여부에 대한 정렬상태 및 휨 상태를 포함할 수 있다. 상기 측정 부재들에 의해 측정된 압력값의 차가 기설정된 정렬 차이값을 초과하면 상기 기판은 정렬상태가 불량인 것으로 판단한다. 상기 측정 부재들에 의해 측정된 압력값들 중 하나가 기설정된 기준값을 벗어난 경우, 상기 측정부재에 의해 측정된 압력값의 합이 기설정된 압력측정값과 동일 또는 설정범위내이면 상기 기판이 정렬불량인 것으로 판단하고, 상기 설정범위를 벗어나면 상기 기판이 휘어진 것으로 판단한다.
다른 예에 의하여, 상기 기판의 상태를 측정하기 위해, 상기 제어기는 공정 전에는 상기 기판의 정렬상태를 측정하고, 공정 중에는 상기 기판의 휘어짐을 측정한다.
다른 예에 의하여, 상기 기판의 상태는 상기 기판의 정렬상태와 휨상태를 포함할 수 있다. 공정 전에 상기 기판이 놓여질 때 상기 측정부재들이 측정한 기준값과 공정 진행 중 측정된 압력값의 차가 설정범위를 벗어나면 상기 기판이 휘어진 것으로 판단한다.
다른 예에 의하여, 상기 측정 부재들에 의해 측정된 압력값들 중 하나가 상기 제어기에 설정된 기준값을 벗어난 경우, 상기 측정부재에 의해 측정된 압력값의 합이 기설정된 압력측정값과 동일 또는 설정범위내이면 상기 기판이 정렬불량인 것으로 판단하고, 상기 설정범위를 벗어나면 상기 기판이 휘어진 것으로 판단한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 웨이퍼가 척상에 정위치하는지 여부를 측정할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 웨이퍼의 휘어짐 여부를 측정할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 공정 중에 웨이퍼의 휨상태를 측정할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 웨이퍼의 정렬불량과 휨불량을 구분하여 판단할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 웨이퍼 생산에 있어 생산성과 신뢰도를 높일 수 있다.
도 1은 공정챔버 내의 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 척 및 측정 유닛의 평면도이다.
도 3은 도 2의 정면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 평면도이다.
도 5와 도 6은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 실시 예에서 기판이 웨이퍼인 경우를 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리 기판은 유리 기판 등과 같이 다른 종류의 기판일 수 있다.
도 1과 도 2는 공정챔버 내의 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 1과 도2를 참조하면, 처리 유닛(10)은 공정 처리실(100), 서셉터(200), 플라즈마 생성부재(300), 배플 플레이트(400), 측정부재(230) 및 제어기(600)를 포함한다.
공정 처리실(100)은 공정 챔버(110)와 밀폐커버(120)를 포함한다.
공정 챔버(110)는 하벽(111) 및 측벽(112)을 포함한다. 공정 챔버(110)는 공급된 가스에 의해서 웨이퍼(w)에 대한 공정처리를 수행하는 내부공간(114)을 제공한다. 측벽(112)에는 웨이퍼(w)가 출입하는 게이트(116)가 형성되고, 게이트(116)는 도어(118)에 의해 개폐된다. 공정 챔버(110)의 하벽(111)에는 배기 홀(119)이 형성되고, 배기 홀(119)에는 배관(190)이 결합된다. 웨이퍼(w) 처리 과정에서 내부공간(114)에 생성되는 반응 부산물과 내부 공간(114)으로 유입된 가스는 배기 홀(119)과 배관(190)을 통해 외부로 배출된다. 배관(190)에는 펌프(30)가 연결될 수 있으며, 펌프(30)에 의해 공정 처리실(100) 내부의 압력이 조절될 수 있다.
서셉터(200)는 내부공간(114)에 위치하며, 공정처리에 제공되는 웨이퍼(w)를 지지한다. 서셉터(200)는 척(210) 및 지지축(220)을 포함한다.
척(210)은 원판형상으로 제공되며, 상면에 웨이퍼(w)가 놓인다. 척(210)과 웨이퍼(W)사이에 측정부재(230)가 배치된다. 복수개의 측정부재(230)는 제어기(600)에 연결된다. 척(210)은 지지축(220)에 의해 지지된다. 웨이퍼(w)는 고정없이 척(210)상에 놓일 수 있다.
척(210)의 내부에는 가열부재(미도시됨)가 제공될 수 있다. 가열부재는 예를 들어, 히팅 코일을 포함할 수 있다. 척(210)의 내부에는 냉각부재(미도시됨)가 제공될 수 있다. 냉각부재는 냉각수가 흐르는 냉각라인으로 제공될 수 있다. 가열부재는 웨이퍼(w)를 설정된 온도로 가열한다. 냉각부재는 웨이퍼(w)를 강제 냉각시킨다. 이와 달리 가열부재 또는 냉각부재는 생략될 수 있다.
척(210)에는 상하로 관통하는 홀(미도시)이 형성된다. 홀은 3개가 형성될 수 있다. 각각의 홀에는 리프트 핀(미도시)이 제공된다. 리프트핀은 홀을 따라 상하방향으로 이동하여 척(210)의 상면으로 웨이퍼(w)를 로딩하거나, 상면으로부터 웨이퍼(w)를 언로딩한다.
플라스마 생성부재(300)는 밀폐커버(120)의 상부에 위치하며, 플라스마를 생성하여 밀폐커버(120)내의 유도공간(122)으로 플라스마를 제공한다. 플라스마 생성부(300)는 플라스마 소스부(301), 가스 공급관(302), 마그네트론(303) 및 도파관(304)을 포함한다.
플라스마 소스부(301)는 밀폐커버(120)와 결합한다. 플라스마 소스부(301)의 내부에서는 가스 공급관(302)으로부터 공급된 반응가스와 마그네트론(303)으로부터 제공된 마이크로파에 의해 플라스마가 생성된다. 플라스마 소스부(301)에서 생성된 플라스마는 밀폐커버(120)의 유도 공간(122)에 제공되며, 배플(400)의 분사홀(402)들을 통해 서셉터(200)에 안착된 웨이퍼(w)로 분사된다.
가스 공급관(302)은 가스 저장부(미도시)와 플라스마 소스부(301)를 연결하며, 가스 저장부에 저장된 반응가스를 플라스마 소스부(301)로 공급한다. 마그네트론(303)은 도파관(304)를 통해 플라스마 소스부(301)와 연결되며, 플라스마 생성을 위한 마이크로파(microwave)를 발생시킨다. 도파관(304)은 마그네트론(303)과 플라스마 소스부(301)를 연결하며, 마그네트론(303)에서 생성된 마이크로파를 플라스마 소스부(301)로 유도한다.
상술한 실시 예에서, 플라즈마 생성부재(300)는 리모트방식의 플라즈마 생성을 예로 들어 설명하였다. 그러나, 또 다른 실시 예로, 플라즈마 생성부재(300)는 유도결합형 플라즈마 또는 용량결합형 플라즈마 방식 등 다양한 방법으로 제공될 수 있다.
공정 챔버(110) 상부에는 밀폐커버(120)와 배플 플레이트(400)가 설치된다.
밀폐커버(120)는 공정 챔버(110)의 상부벽과 결합하여 공정 챔버(110)의 개방된 상부를 밀폐한다. 밀폐커버(120)는 플라스마 생성부재(300)와 결합하며, 플라스마 생성부재(300)에서 생성된 플라스마를 배플 플레이트(400)로 제공한다. 밀폐커버(120)에는 플라스마 생성부재(300)에서 생성된 플라스마가 유입되는 유입구(124)와 유입된 플라스마를 배플 플레이트(400)로 제공하는 유도공간(122)이 형성된다. 유도공간(122)은 유입구(124)의 하부에 형성되며, 유입구(124)와 연결된다. 실시 예에 의하면, 유도 공간(122)은 하부가 개방된 역 깔때기(inverted funnel) 형상을 가질 수 있다.
배플 플레이트(400)는 서셉터(200)의 상부에 서셉터(200)에 대항되게 위치한다. 구체적으로, 배플 플레이트(400)는 서셉터(200)와 플라스마 생성부재(300) 사이에 밀폐커버(120)의 유도공간(122)과 인접하여 설치된다. 배플 플레이트(400)는 원판형상으로 제공된다. 배플 플레이트(400)는 처리실의 내부 공간(114)과 밀폐 커버(120)의 유도 공간(122)을 구획한다. 즉, 배플 플레이트(400)의 상면은 유도공간(122)과 접하고, 배플 플레이트(400)의 하면은 서셉터(200)가 위치되는 내부공간(114)과 접한다. 배플 플레이트(400)는 복수 개의 홀(402)을 통해 유도 공간(122)으로부터 내부 공간(114)으로 제공되는 플라즈마의 성분을 선택적으로 투과시킬 수 있다. 예를 들어, 배플 플레이트(400)는 주로 플라즈마의 라디칼 성분을 내부 공간(114)으로 공급할 수 있다.
도 2는 도 1의 척 및 측정 유닛(20)의 평면도이고, 도 3은 도 2의 단면도이다.
도 2와 도 3을 참조하면, 측정유닛(20)은 측정 부재(230) 및 제어기(600)를 포함한다. 측정 부재(230)는 척(210)상에 놓여져 웨이퍼에 의해 가해지는 부하를 측정한다. 측정 부재(230)는 복수개가 제공된다. 예를 들어, 측정 부재(230)는 3개가 제공될 수 있다. 측정 부재(230)는 웨이퍼가 척(210)상에 정위치하는 경우 척(210)의 중심을 향하는 방향으로 웨이퍼의 끝단으로부터 이격되게 위치한다. 측정 부재들(230)은 척(210)의 중심으로부터 서로 동일한 거리에 배치되게 제공된다. 3개의 측정 부재(230)들은 척(210)의 중심을 기준으로
Figure pat00001
의 각도로 서로 이격되게 제공될 수 있다. 측정 부재(230)는 척(210)으로부터 상부로 돌출되도록 제공될 수 있다.
각각의 측정 부재(230)는 제어기(600)에 연결된다. 측정 부재(230)는 제어기 (600)에 측정된 압력값을 전달한다. 제어기(600)는 웨이퍼의 정렬상태와 휨상태를 판단한다. 이하 제어기(600)가 정렬상태를 판단하는 방법에 대해 설명한다. 웨이퍼의 정렬상태는 공정 전 또는 공정 중에 측정할 수 있다. 각각의 측정 부재(231,232,233)에 의해 측정된 압력값은 P1, P2, P3라 정의한다. 측정 부재(230)는 제 1 측정부 재(231), 제 2 측정 부재(232), 제 3 측정 부재(233)로 정의한다. 정렬 기준값은 Ps, 정렬 차이값은 Pd, 설정 범위값은 Pr, 기준값은 P0라고 정의한다. 정렬 기준값, 정렬 차이값, 설정 범위값, 기준값은 특정 값이거나 일정범위 일 수 있다. 도 4에서 점선은 웨이퍼가 척상에 정위치할 때의 위치이고, 실선은 실제 웨이퍼의 정렬상태이다.
일 실시 예에서, 제어기(600)에 정렬 기준값(Ps)을 기설정한다. 정렬 기준값(Ps)는 웨이퍼가 척(210)상에 정위치하는 경우 각 측정 부재(230)에 가해지는 부하이다. 정렬 기준값(Ps)는 특정 값이거나 일정 범위로 제공될 수 있다. 측정 부재들 (230)에 의해 측정된 압력값 중 하나가 제어기(600)에 설정된 정렬 기준값(Ps)을 벗어나면, 제어기(600)는 웨이퍼의 정렬상태가 불량인 것으로 판단한다. 도 4와 같이 웨이퍼가 척에 위치하는 경우, P1, P2는 Ps보다 작고, P3는 Ps보다 크다. P1, P2 및 P3 값이 정렬 기준값(Ps)을 벗어나므로 웨이퍼의 정렬상태는 불량이다.
다른 실시 예에서, 제어기(600)에 정렬 차이값(Pd)을 기설정한다. 정렬 차이값(Pd)은 웨이퍼의 정렬상태가 불량으로 판단될 때 각 측정 부재(600)에 의해 측정된 압력값들의 차이이다. 측정 부재들(230)에 의해 측정된 압력값의 차가 제어기(600)에 설정된 정렬 차이값(Pd)을 초과하면
Figure pat00002
, 제어기(600)는 웨이퍼의 정렬상태가 불량인 것으로 판단한다. 웨이퍼가 정위치하는 경우 압력값의 차이는 0 이지만, 웨이퍼가 척에 도 4와 같이 놓이면, P1, P2 및 P3값이 각각 다르다. 웨이퍼가 제 3 측정 부재(233)쪽으로 기울어져 있으므로 P3에 높은 압력이 가해진다. 따라서 압력값의 차이가 정렬 차이값(Pd)를 넘게 되므로, 정렬상태는 불량이다.
제어기(600)가 웨이퍼의 휨상태를 판단하는 방법을 설명한다. 웨이퍼의 휨상태는 공정 전 또는 공정 중에 측정할 수 있다. 각각의 측정 부재 (231,232,233)에 의해 측정된 압력값은 P1, P2, P3라 정의한다. 측정 부재(230)는 제 1 측정부 재(231), 제 2 측정 부재(232), 제 3 측정 부재(233)로 정의한다. 휨 기준값은 Ps1, 휨 차이값은 Pd1, 설정 범위값은 Pr1, 기준값은 P01라고 정의한다. 휨 기준값, 휨 차이값, 설정 범위값, 기준값은 특정 값이거나 일정범위일 수 있다.
일 실시예에서, 제어기(600)에 휨 기준값(Ps1)을 기설정한다. 휨 기준값(Ps1)은 웨이퍼가 휘어진 경우 측정 부재(2300에 걸리는 부하이다. 공정 진행 중에 측정 부재들(230)에 의해 측정된 압력값들 중 하나가 제어기(600)에 설정된 휨 기준값(Ps1)을 벗어나면, 제어기(600)는 웨이퍼가 휘어진 것으로 판단한다. 도 5와 도 6을 참조하면, 웨이퍼는 척(210)상에 정위치한다. 공정이 진행된 후, 웨이퍼가 휘어진 상태로 척(210)상에 위치한다. 3개의 측정 부재(230)중 제 2 측정 부재 (232)에만 압력이 가해진다. P1, P3값은 0 또는 휨 기준값(Ps1)보다 작은 압력이고, P2는 Ps1보다 큰 압력이다. P1, P2 및 P3값이 휨 기준값(Ps1)을 벗어나므로, 웨이퍼가 휘어진 것으로 판단한다.
다른 실시 예에서, 제어기(600)에 휨 차이값(Pd1)을 기설정한다. 휨 차이값 (Pd1)은 웨이퍼가 휘어진 경우 각 측정 부재(230)에 걸리는 부하의 차이값이다. 공정 진행 중에 측정 부재들(230)에 의해 측정된 압력값의 차가 제어기(600)에 설정된 휨 차이값(Pd1)을 초과하면
Figure pat00003
, 제어기(600)는 웨이퍼가 휘어진 것으로 판단한다. 도 5와 도 6을 참조하면, 측정 부재(230)에 걸리는 압력값은
Figure pat00004
이고, P1, P3값은 0 또는 휨 기준값(Ps1)보다 작은 압력이다. 웨이퍼는 제 2 측정 부재(232)에만 부하를 가한다. 이 때, P2값이 Pd1보다 크므로 웨이퍼는 휨 상태이다.
또 다른 실시 예에서, 공정 전에 웨이퍼가 놓여질 때의 기준값(P0)을 측정한다. 공정 진행 중에 측정 부재들(230)이 압력값(P1, P2, P3)을 측정한다. 공정 진행 중에 측정한 압력값과 공정 전에 측정한 기준값(P0)의 차이가 설정범위값(Pr1)을 벗어나면 제어기(600)는 웨이퍼가 휘어진 것으로 판단한다. 도 6에서는 제 1 측정 부재(231)와 제 3 측정 부재(233)에는 부하가 걸리지 않거나 기준값(P0)보다 작은 값이다. 따라서,
Figure pat00005
이므로, 설정범위값( Pr1)을 벗어나게 되어 웨이퍼는 휨 상태이다.
본 발명의 실시 예에서, 정렬 기준값(Ps)은 휨 기준값(Ps1)보다 작은 값일 수 있다. 정렬 차이값(Pd)는 휨 차이값(Pd1)보다 작은 값일 수 있다.
제어기(600)가 정렬상태와 휨상태를 구분하여 판단하는 방법을 설명한다. 측정 부재(230)에 의해 측정된 압력값 P1, P2 및 P3 를 합한 값을
Figure pat00006
이라 한다. 제어기(600)에
Figure pat00007
값과 웨이퍼가 정위치에 놓일 때의 기준값(P0)을 기설정한다. 측정 부재(230)에 의해 측정된 압력값들 중 하나가 제어기(600)에 설정된 기준값(P0)을 벗어난 경우, 웨이퍼는 정렬상태가 틀어지거나 휘어진 것을 의미한다. 측정 부재 (230)에 의해 측정된 압력값들 중 하나가 제어기(600)에 설정된 기준값(P0)을 벗어난 경우, 측정 부재(230)에 의해 측정된 압력값의 합이
Figure pat00008
값과 동일 또는 설정범위 내이면
Figure pat00009
, 웨이퍼는 정렬불량인 것으로 판단한다. 측정 부재 (230)에 의해 측정된 압력값들 중 하나가 제어기(600)에 설정된 기준값(P0)을 벗어난 경우, 측정 부재(230)에 의해 측정된 압력값의 합이
Figure pat00010
의 설정범위를 벗어나면
Figure pat00011
, 웨이퍼는 휘어진 것으로 판단한다.

Claims (20)

  1. 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내에 제공되며 기판이 놓이고 지지면을 포함하는 척; 및
    상기 지지면에 제공된 기판의 상태를 검출하는 검출 유닛을 포함하며;
    상기 검출 유닛은,
    상기 기판에 의해 가해지는 부하를 측정하는 복수의 측정 부재; 및
    상기 복수의 측정 부재에 의해 측정된 값을 전송받고, 상기 기판의 상태를 판단하는 제어기를 포함하는 기판 처리 장치
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 측정부재들은 상기 기판이 상기 척상에 정위치에 놓여지는 경우 상기 척의 중심을 향하는 방향으로 상기 기판의 끝단으로부터 이격되게 위치하는 기판 처리 장치
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 측정부재들은 상기 척의 중심으로부터 서로 동일한 거리에 배치되게 제공되는 기판 처리 장치
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 측정부재는 상기 척으로부터 상부로 돌출되도록 제공되는 기판 처리 장치
  5. 제 1항 또는 2항에 있어서,
    상기 기판의 상태는 상기 기판이 상기 척의 정위치에 놓여져 있는지 여부에 대한 정렬상태를 포함하고;
    상기 제어기는 상기 측정 부재들에 의해 측정된 압력값들 중 하나가 상기 제어기에 설정된 정렬 기준값을 벗어나면 상기 정렬상태가 불량인 것으로 판단하는 기판 처리 장치
  6. 제 1항 또는 2항에 있어서,
    상기 기판의 상태는 상기 기판이 휘어져 있는지 여부에 대한 휨 상태를 포함하고;
    상기 제어기는 상기 측정 부재들에 의해 측정된 압력값들 중 하나가 상기 제어기에 설정된 휨 기준값을 벗어나면 상기 기판이 휘어진 것으로 판단하는 기판 처리 장치
  7. 제 1항 또는 2항에 있어서,
    상기 기판의 상태는 상기 기판이 상기 척의 정위치에 놓여져 있는지 여부에 대한 정렬상태를 포함하고;
    상기 제어기는 상기 측정 부재들에 의해 측정된 압력값의 차가 상기 제어기에 설정된 정렬 차이값을 초과하면 상기 기판의 정렬상태가 불량인 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
  8. 제 1항 또는 2항에 있어서,
    상기 기판의 상태는 상기 기판이 휘어져 있는지 여부에 대한 휨 상태를 포함하고;
    상기 제어기는 상기 측정 부재들에 의해 측정된 압력값의 차가 상기 제어기에 설정된 휨 차이값을 초과하면 상기 기판은 휘어진 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
  9. 제 1항 또는 2항에 있어서,
    상기 기판의 상태는 상기 기판의 정렬상태와 휨 상태를 포함하고;
    상기 제어기는 상기 측정 부재들에 의해 측정된 압력값들 중 하나가 상기 제어기에 설정된 기준값을 벗어난 경우, 상기 측정부재에 의해 측정된 압력값의 합이 기설정된 압력측정값과 동일 또는 설정범위내이면 상기 기판이 정렬불량인 것으로 판단하고, 상기 설정범위를 벗어나면 상기 기판이 휘어진 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
  10. 제 1항 또는 2항에 있어서,
    상기 기판의 상태는 상기 기판의 정렬상태와 휨상태를 포함하고;
    상기 제어기는 상기 기판의 정렬상태는 공정 전에 판단하고, 상기 기판의 휨 상태는 공정 중에 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 기판의 상태는 상기 기판의 휨상태를 포함하고;
    상기 기판의 휨상태는 공정 중에 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
  12. 제 11항에 있어서,
    공정 전에 상기 기판이 놓여질 때 상기 측정부재들이 측정한 기준값과 공정 진행 중 측정된 압력값의 차가 설정범위를 벗어나면 상기 기판이 휘어진 것으로 판단하는 기판 처리 장치
  13. 척상에 기판을 올려놓는 단계;
    상기 기판에 대해 공정을 수행하는 단계를 포함하되;
    상기 척상에 제공되고 상기 기판에 의해 가해지는 부하를 측정하는 복수의 측정 부재에 의해 측정된 값에 따라 상기 기판의 상태를 판단하는 것을 포함하는 기판 처리 방법
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 기판이 상기 척상에 정위치에 놓여지는 경우 상기 측정부재들을 상기 척의 중심을 향하는 방향으로 상기 기판의 끝단으로부터 이격되게 위치시키는 기판 처리 방법
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 기판의 상태는 상기 기판이 상기 척의 정위치에 놓여져 있는지 여부에 대한 정렬상태를 포함하고;
    상기 측정 부재들에 의해 측정된 압력값의 차가 기설정된 정렬 차이값을 초과하면 상기 기판은 정렬상태가 불량인 것으로 판단하는 기판 처리 방법
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 기판의 상태는 상기 기판의 정렬상태와 휨 상태를 포함하고;
    상기 측정 부재들에 의해 측정된 압력값들 중 하나가 기설정된 기준값을 벗어난 경우, 상기 측정부재에 의해 측정된 압력값의 합이 기설정된 압력측정값과 동일 또는 설정범위내이면 상기 기판이 정렬불량인 것으로 판단하고, 상기 설정범위를 벗어나면 상기 기판이 휘어진 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
  17. 제 13항에 있어서,
    상기 기판의 상태를 측정하기 위해, 상기 제어기는 공정 전에는 상기 기판의 정렬상태를 측정하고, 공정 중에는 상기 기판의 휘어짐을 측정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
  18. 제 13항에 있어서,
    상기 기판의 상태는 상기 기판의 정렬상태와 휨상태를 포함하고;
    공정 전에 상기 기판이 놓여질 때 상기 측정부재들이 측정한 기준값과 공정 진행 중 측정된 압력값의 차가 설정범위를 벗어나면 상기 기판이 휘어진 것으로 판단하는 기판 처리 방법
  19. 제 13항에 있어서,
    상기 기판의 상태는 휨상태를 포함하고;
    상기 기판의 휨상태를 공정 중에 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
  20. 제 13항에 있어서,
    상기 기판의 상태는 상기 기판의 정렬상태와 휨 상태를 포함하고;
    상기 측정 부재들에 의해 측정된 압력값들 중 하나가 상기 제어기에 설정된 기준값을 벗어난 경우, 상기 측정부재에 의해 측정된 압력값의 합이 기설정된 압력측정값과 동일 또는 설정범위내이면 상기 기판이 정렬불량인 것으로 판단하고, 상기 설정범위를 벗어나면 상기 기판이 휘어진 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법

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