KR20150096908A - 구동 신호 생성 회로 및 이를 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 장치 - Google Patents

구동 신호 생성 회로 및 이를 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 구동 신호 생성 회로 및 구동 신호 생성 장치에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 전력 반도체 소자를 구동하는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터에 제공되는 구동 신호를 생성하는 구동 신호 생성 회로는 하이 레벨 신호 및 로우 레벨 신호를 포함하는 제1 구동 신호를 생성하고, 상기 제1 구동 신호를 상기 제1 트랜지스터의 게이트에 제공하는 제1 구동 신호 생성부; 상기 전력 반도체 소자에 흐르는 전류에 따른 검출 전압을 검출하는 검출부; 상기 검출 전압에 반비례하는 제2 구동 신호를 생성하는 상기 제2 구동 신호 생성부; 및 상기 제1 구동 신호에 따라 스위칭 동작하여 상기 제2 구동 신호를 상기 제2 트랜지스터의 게이트로 전달하는 스위치부; 를 포함할 수 있다.

Description

구동 신호 생성 회로 및 이를 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 장치{CIRCUIT FOR GENERATING DRIVING SIGNAL AND APPARATUS FOR DRIVING POWER SEMICONDUCTOR INCLUDING THE SAME}
본 발명은 구동 신호 생성 회로 및 이를 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 장치에 관한 것이다.
IGBT와 같은 전력 반도체 소자는 주로 모터와 같이 인덕턴스 성분을 가진 부하를 구동하는데, 전력 반도체 소자가 턴 오프되는 경우 전력 반도체 소자에 흐르는 전류가 순간적으로 0 레벨로 떨어지게 된다. 전력 반도체 소자에 흐르는 전류가 짧은 시간 동안 0 레벨로 변하게 되면 인덕턴스 성분을 가진 부하에 의해 순간적으로 기전력이 생성되는데, 전력 반도체 소자에 흐르는 전류의 레벨이 낮은 경우에는 문제가 되지 않을 수 있으나, 전류의 레벨이 높은 경우에는 전력 반도체 소자가 파괴되는 문제점이 발생할 수 있다.
하기의 선행기술문헌 중 특허문헌 1은 인버터 제어장치에 관한 것으로서, IGBT의 강제 턴 오프 제어전류를 지연시켜 IGBT의 소프트 턴 오프 시간을 길게 유지하는 내용을 개시하고 있으나, 전력 반도체 소자에 흐르는 전류의 레벨에 반비례하게 구동 신호의 레벨을 조절하는 내용을 개시하고 있지 못하다.
한국 공개특허공보 10-2012-0029915
본 발명의 과제는 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 전력 반도체 소자에 흐르는 전류의 레벨에 반비례하게 구동 신호의 레벨을 조절할 수 있는 구동 신호 생성 회로 및 이를 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 전력 반도체 소자를 구동하는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터에 제공되는 구동 신호를 생성하는 구동 신호 생성 회로에 있어서, 하이 레벨 신호 및 로우 레벨 신호를 포함하는 제1 구동 신호를 생성하고, 상기 제1 구동 신호를 상기 제1 트랜지스터의 게이트에 제공하는 제1 구동 신호 생성부; 상기 전력 반도체 소자에 흐르는 전류에 따른 검출 전압을 검출하는 검출부; 상기 검출 전압에 반비례하는 제2 구동 신호를 생성하는 상기 제2 구동 신호 생성부; 및 상기 제1 구동 신호에 따라 스위칭 동작하여 상기 제2 구동 신호를 상기 제2 트랜지스터의 게이트로 전달하는 스위치부; 를 포함하는 구동 신호 생성 회로를 제안한다.
상기 검출부는, 상기 전력 반도체 소자와 접지 사이에 배치되는 검출 저항을 포함할 수 있다.
상기 제2 구동 신호 생성부는, 반전단, 상기 검출 전압이 인가되는 비반전단, 및 상기 반전단과 연결되는 비반전단을 포함하는 제1 연산 증폭기; 상기 제1 연산증폭기의 출력단과 연결되는 일단을 포함하는 제1 저항; 소정의 기준전압이 인가되는 비반전단, 상기 제1저항의 타단과 연결되는 반전단 및 상기 제2 구동 신호를 출력하는 출력단을 포함하는 제2 연산 증폭기; 및 상기 제2 연산 증폭기의 반전단과 출력단 사이에 배치되는 제2 저항; 을 포함할 수 있다.
상기 스위치부는, 상기 제1 구동 신호를 반전하는 반전기; 및 상기 반전기의 출력 신호에 의해 스위칭 동작하고, 상기 제2 구동 신호 생성부와 접지 사이에 배치되는 스위치; 를 포함할 수 있다.
상기 스위치부는, 상기 제2 구동 신호 생성부와 상기 제2 트랜지스터의 게이트 사이에 배치되는 스위치를 포함할 수 있다.
전력 반도체 소자를 턴 온 동작하도록 구동하는 제1 트랜지스터 및 상기 전력 반도체 소자를 턴 오프 동작하도록 구동하는 제2 트랜지스터를 포함하는 구동 회로; 및 상기 제1 트랜지스터를 구동하는 제1 구동 신호 및 상기 제2 트랜지스터를 구동하는 제2 구동 신호를 생성하는 구동 신호 생성 회로; 를 포함하고, 상기 제2 구동 신호의 레벨은 상기 전력 반도체 소자에 흐르는 전류의 레벨과 반비례하는 전력 반도체 소자의 구동 장치를 제안한다.
상기 제1 트랜지스터는 소정의 구동 전압단과 상기 전력 반도체의 게이트 사이에 배치되고, 상기 제2 트랜지스터는 접지와 상기 전력 반도체의 게이트 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 트랜지스터는 P형 트랜지스터이고, 상기 제2 트랜지스터는 N형 트랜지스터일 수 있다.
상기 구동 신호 생성 회로는, 하이 레벨 신호 및 로우 레벨 신호를 포함하는 상기 제1 구동 신호를 생성하는 제1 구동 신호 생성부; 상기 전력 반도체 소자에 흐르는 전류에 따른 검출 전압을 검출하는 검출부; 상기 검출 전압에 반비례하는 상기 제2 구동 신호를 생성하는 제2 구동 신호 생성부; 및 상기 제1 구동 신호에 따라 스위칭 동작하여 상기 제2 구동 신호를 상기 제2 트랜지스터의 게이트로의 전달하는 스위치부; 를 포함할 수 있다.
상기 검출부는, 상기 전력 반도체 소자와 접지 사이에 배치되는 검출 저항을 포함할 수 있다.
상기 제2 구동 신호 생성부는, 반전단, 상기 검출 전압이 인가되는 비반전단, 및 상기 반전단과 연결되는 비반전단을 포함하는 제1 연산 증폭기; 상기 제1 연산증폭기의 출력단과 연결되는 일단을 포함하는 제1 저항; 소정의 기준전압이 인가되는 비반전단, 상기 제1저항의 타단과 연결되는 반전단 및 상기 제2 구동 신호를 출력하는 출력단을 포함하는 제2 연산 증폭기; 및 상기 제2 연산 증폭기의 반전단과 출력단 사이에 배치되는 제2 저항; 을 포함할 수 있다.
상기 스위치부는, 상기 제1 구동 신호를 반전하는 반전기; 및 상기 반전기의 출력 신호에 의해 스위칭 동작하는 스위치; 를 포함할 수 있다.
상기 스위치부는, 상기 제2 구동 신호 생성부와 상기 제2 트랜지스터의 게이트 사이에 배치되는 스위치를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 전력 반도체 소자에 흐르는 전류의 레벨에 반비례하여 구동 신호의 레벨을 조절함으로써, 전력 반도체 소자의 소손을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전력 반도체 소자의 구동 장치를 나타낸 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 회로를 나타낸 도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 신호 생성 회로를 나타낸 블록도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 구동 신호 생성 회로를 나타낸 도이다.
도 6는 N채널 전계 효과 트랜지스터의 전류-전압 특성 그래프이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전력 반도체 소자의 구동 장치를 나타낸 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 전력 반도체 소자의 구동 장치는 구동 회로(100) 및 구동 신호 생성 회로(200)를 포함할 수 있다. 구동 회로(100)는 적어도 두 개의 트랜지스터를 포함할 수 있는데, 적어도 두 개의 트랜지스터 중 하나는 구동 신호 생성 회로(200)에서 생성되는 제1 구동 신호에 의해 스위칭 동작하고, 다른 하나는 제2 구동 신호에 의해 스위칭 동작하여, 전력 반도체 소자를 턴 온 또는 턴 오프 동작하도록 구동할 수 있다.
구동 신호 생성 회로(200)는 외부로부터 입력되는 제어 신호에 따라 하이 레벨 신호 및 로우 레벨 신호를 포함하는 제1 구동 신호 및 전력 반도체 소자에 흐르는 전류에 따른 전압에 반비례하는 제2 구동 신호를 생성할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 회로를 나타낸 도이다.
구동 회로(100)는 적어도 두 개의 트랜지스터(TR1, TR2)를 포함할 수 있는데, 제1 트랜지스터(TR1)는 P채널 전계 효과 트랜지스터 및 PNP 바이폴라 접합 트랜지스터를 포함하는 P형 트랜지스터일 수 있으면, 제2 트랜지스터(TR2)는 N채널 전계효과 트랜지스터 및 NPN 바이폴라 접합 트랜지스터를 포함하는 N형 트랜지스터일 수 있다.
일 예로, 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터가 전계 효과 트랜지스터로 구현되는 경우, 도 2에 도시된 바와 같이 제1 트랜지스터는 소스에 구동 전압(VDD)단과 연결되고, 게이트로 제1 구동 신호가 인가되며, 드레인은 전력 반도체 소자(Q)의 게이트에 연결될 수 있으며, 제2 트랜지스터(TR2)는 소스는 접지와 연결되고 게이트로 제2 구동 신호가 인가될 수 있으며, 드레인은 전력 반도체 소자(Q)의 게이트에 연결될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 신호 생성 회로를 나타낸 블록도이다.
도 3를 참조하면, 본 실시예에 따른 구동 신호 생성 회로(200)는 제1 구동 신호 생성부(210), 검출부(220), 제2 구동 신호 생성부(230) 및 스위치부(240)를 포함할 수 있다.
제1 구동 신호 생성부(210)는 외부로부터 입력되는 제어 신호에 따라 하이 레벨 신호 및 로우 레벨 신호를 포함하는 제1 구동 신호를 생성할 수 있다.
검출부(220)는 전력 반도체 소자와 전력 반도체 소자가 구동하는 부하 또는 전력 반도체 소자와 접지 사이에 위치하여 전력 반도체 소자에 흐르는 전류에 따른 검출 전압(Vcs)을 검출할 수 있다.
제2 구동 신호 생성부(230)는 검출 전압(Vcs)에 따라 제2 구동 신호를 생성할 수 있다. 일 예로 제2 구동 신호 생성부(230)는 검출 전압(Vcs)의 레벨에 반비례하게 제2 구동 신호의 레벨을 조절할 수 있는데, 검출부(220)로부터 전달되는 검출 전압(Vcs)의 레벨이 높은 경우, 낮은 레벨의 제2 구동 신호를 생성하고, 검출 전압(Vcs)의 레벨이 낮은 경우, 높은 레벨의 제2 구동 신호를 생성할 수 있다.
스위치부(240)는 적어도 하나의 스위치 소자를 포함하는데, 스위치 소자는 제1 구동 신호에 의해 스위칭 동작하여, 제2 구동 신호 생성부(230)로부터 제공되는 제2 구동 신호를 제2 트랜지스터(TR2)로 전달하거나 차단할 수 있다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전력 반도체 소자의 구동 장치를 나타낸 도이다. 도 4 및 도 5에 도시된 전력 반도체 소자의 구동 장치의 실시예는 도 1에서 도시된 전력 반도체 소자의 구동 장치를 보다 상세히 나타낸 것에 불과하므로, 상술한 내용과 동일하거나 그에 상응하는 내용에 대해서는 중복적으로 서술하지 아니한다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 구동 신호 생성 회로(200)는 제1 구동 신호 생성부(210), 검출부(220), 제2 구동 신호 생성부(230) 및 스위치부(240)를 포함할 수 있다.
제1 구동 신호 생성부(100)는 하이 레벨 신호 또는 로우 레벨 신호를 포함하는 제1 구동 신호를 생성하여 스위치부(240) 및 제1 트랜지스터(TR1)으로 제공할 수 있다.
검출부(220)는 전력 반도체 소자(Q)와 접지 사이에 연결되는 검출 저항(Rcs)를 포함할 수 있다. 검출 저항(Rcs)은 전력 반도체 소자(Q)에 흐르는 전류를 검출 전압(Vcs)로 검출할 수 있는데, 검출 전압(Vcs)은 제2 구동 신호 생성부(220)로 전달될 수 있다.
제2 구동 신호 생성부(230)는 제1, 2 연산증폭기(OPA1, OPA2) 및 제1, 2 저항(R1, R2)를 포함할 수 있다. 제1 연산증폭기(OPA1)의 비반전단에는 검출 전압(Vcs)이 인가되고, 제1 연산증폭기(OPA1)의 반전단과 출력단은 서로 연결되어 일 종의 버퍼(buffer)로 동작하는데, 출력단의 출력 전압은 비반전단에 인가되는 검출 전압(Vcs)과 동일할 수 있다. 제1 연산 증폭기(OPA1)의 출력단은 제1 저항(R1)의 일 단에 연결될 수 있다.
제2 연산 증폭기(OPA2)의 비반전단에는 기준 전압(Vref)이 인가되고, 반전단은 제1 저항(R1)의 타단과 연결될 수 있다. 또한, 제2 연산 증폭기(OPA2)의 반전단과 출력단은 제2 저항(R2)를 통하여 연결될 수 있다. 제2 연산 증폭기(OPA2)의 반전단과 비반전단은 가상 접지(virtual ground)로 인하여 동일한 전위를 유지하므로, 제1 저항(R1)에 흐르는 전류(IR1)는 하기의 수학식 1과 같이 표현할 수 있다.
Figure pat00001
제1 저항(R1)에 흐르는 전류(IR1)는 제2 저항(R2)에 흐르므로, 제2 연산 증폭기(OPA2)의 출력 전압(VOPA2)은 하기의 수학식 2와 같으며, 제2 연산 증폭기(OPA2)의 출력 전압(VOPA2)은 제2 구동 신호로 이용될 수 있다.
Figure pat00002
스위치부(240)는 반전기(INV) 및 스위치(MN)를 포함할 수 있다. 반전기(INV)는 제1 구동 신호 생성부(100)로부터 제공되는 제1 구동 신호를 반전하여 스위치(MN)으로 제공할 수 있고, 스위치(MN)는 반전기(INV)로부터 제공되는 신호에 따라 스위칭 동작할 수 있다. 일 예로 스위치(MN)은 N채널 전계 효과 트랜지스터로 구현될 수 있는데, N채널 전계 효과 트랜지스터의 게이트는 반전기(INV)의 출력단과 연결될 수 있고, 소스는 접지에 연결될 수 있고, 드레인은 제2 연산 증폭기(OPA2)의 출력단과 연결될 수 있다.
도 4를 참조하면, 제1 구동 신호 생성부(210)에서 로우 레벨 신호가 생성되는 경우, 제1 트랜지스터(TR1)가 턴 온되어 구동 전압(VDD)이 전력 반도체 소자(Q)의 게이트에 인가되므로, 전력 반도체 소자(Q)가 턴 온된다. 또한, 제1 구동 신호 생성부(210)에서 생성되는 로우 레벨 신호는 반전기(INV)에 의해 하이 레벨 신호로 반전되는데, 반전기(INV)로부터 출력되는 신호에 의해 스위치(MN)은 턴 온 될 수 있다. 스위치(MN)이 턴 온 되는 경우, 제2 트랜지스터(TR2)의 게이트는 접지와 연결되므로, 제2 트랜지스터(TR2)는 턴 오프 동작할 수 있다.
위와 반대로, 제1 구동 신호 생성부(210)에서 하이 레벨 신호가 생성되는 경우, 제1 트랜지스터(TR1)는 턴 오프 동작할 수 있다. 이 때, 스위치(MN)은 턴 오프 동작하므로, 제2 트랜지스터(TR2)는 제2 연산 증폭기(OPA2)의 출력 전압(VOPA2)에 의해 턴 온 동작하게 되는데, 이로써 전력 반도체 소자(Q)는 턴 오프 동작할 수 있다.
도 5를 참조하면, 스위치부(240)의 구성 및 연결 관계가 도 4와 일부 상이함을 확인할 수 있는데, 도 5의 스위치부(240)는 스위치(MN)을 포함할 수 있다. 스위치(MN)는 제2 연산 증폭기(OPA2)의 출력단과 제2 트랜지스터(TR2)의 게이트 사이에 배치될 수 있다.
도 5를 참조하면, 제1 구동 신호 생성부(210)에서 로우 레벨 신호가 생성되는 경우, 제1 트랜지스터(TR1)가 턴 온되어 구동 전압(VDD)이 전력 반도체 소자(Q)의 게이트에 인가되므로, 전력 반도체 소자(Q)가 턴 온된다. 또한, 제1 구동 신호 생성부(210)에서 생성되는 로우 레벨 신호에 의해 스위치(MN)은 턴 오프 될 수 있다. 스위치(MN)이 턴 오프 되는 경우, 제2 트랜지스터(TR2)의 게이트는 제2 연산 증폭기(OPA2)의 출력단과 차단되므로, 제2 트랜지스터(TR2)는 턴 오프 동작할 수 있다.
위와 반대로, 제1 구동 신호 생성부(210)에서 하이 레벨 신호가 생성되는 경우, 제1 트랜지스터(TR1)는 턴 오프 동작할 수 있다. 이 때, 스위치(MN)은 온 동작하므로, 제2 트랜지스터(TR2)는 제2 연산 증폭기(OPA2)의 출력 전압(VOPA2)에 의해 턴 온 동작할 수 있다.
도 6는 N채널 전계 효과 트랜지스터의 전류-전압 특성 그래프이다. 도 5를 참조하면, N채널 전계 효과 트랜지스터의 게이트와 소스간의 전압(Vgs)가 작아질수록 드레인과 소스간의 전류(Ids)가 작아지는 것을 알 수 있다.
전술한 수학식 2를 검토하면, 전력 반도체 소자(Q)에 흐르는 전류가 클수록 검출 저항(Rcs)에서 검출되는 전압(Vcs)가 커지게 되고, 이에 따라 제2 연산 증폭기(OPA2)의 출력 전압이 작아지게 되어, 제2 트랜지스터(TR2)를 통하여 전력 반도체 소자(Q)가 턴 오프 되는 시간이 길어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 전력 반도체 소자에 흐르는 전류의 레벨에 따라 전력 반도체 소자가 턴 오프되는 시간을 조절하여, 전력 반도체 소자의 파괴를 방지할 수 있다. 보다 구체적으로, 전력 반도체 소자에 흐르는 전류의 레벨이 높은 경우에 전력 반도체 소자가 턴 오프되는 시간을 증가함으로써, 전력 반도체 소자의 양단에 피크성 전압이 인가되는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명이 구체적인 구성요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명이 상기 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형을 꾀할 수 있다. 따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
100: 구동 회로
200: 구동 신호 생성회로
210: 제1 구동 신호 생성부
220: 검출부
230: 제2 구동 신호 생성부
240: 스위치부

Claims (13)

  1. 전력 반도체 소자를 구동하는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터에 제공되는 구동 신호를 생성하는 구동 신호 생성 회로에 있어서,
    하이 레벨 신호 및 로우 레벨 신호를 포함하는 제1 구동 신호를 생성하고, 상기 제1 구동 신호를 상기 제1 트랜지스터의 게이트에 제공하는 제1 구동 신호 생성부;
    상기 전력 반도체 소자에 흐르는 전류에 따른 검출 전압을 검출하는 검출부;
    상기 검출 전압에 반비례하는 제2 구동 신호를 생성하는 상기 제2 구동 신호 생성부; 및
    상기 제1 구동 신호에 따라 스위칭 동작하여 상기 제2 구동 신호를 상기 제2 트랜지스터의 게이트로 전달하는 스위치부; 를 포함하는 구동 신호 생성 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 검출부는,
    상기 전력 반도체 소자와 접지 사이에 배치되는 검출 저항을 포함하는 구동 신호 생성 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2 구동 신호 생성부는,
    반전단, 상기 검출 전압이 인가되는 비반전단, 및 상기 반전단과 연결되는 비반전단을 포함하는 제1 연산 증폭기;
    상기 제1 연산증폭기의 출력단과 연결되는 일단을 포함하는 제1 저항;
    소정의 기준전압이 인가되는 비반전단, 상기 제1 저항의 타단과 연결되는 반전단 및 상기 제2 구동 신호를 출력하는 출력단을 포함하는 제2 연산 증폭기; 및
    상기 제2 연산 증폭기의 반전단과 출력단 사이에 배치되는 제2 저항; 을 포함하는 구동 신호 생성 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 스위치부는,
    상기 제1 구동 신호를 반전하는 반전기; 및
    상기 반전기의 출력 신호에 의해 스위칭 동작하고, 상기 제2 구동 신호 생성부와 접지 사이에 배치되는 스위치; 를 포함하는 구동 신호 생성 회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 스위치부는,
    상기 제2 구동 신호 생성부와 상기 제2 트랜지스터의 게이트 사이에 배치되는 스위치를 포함하는 구동 신호 생성 회로.
  6. 전력 반도체 소자를 턴 온 동작하도록 구동하는 제1 트랜지스터 및 상기 전력 반도체 소자를 턴 오프 동작하도록 구동하는 제2 트랜지스터를 포함하는 구동 회로; 및
    상기 제1 트랜지스터를 구동하는 제1 구동 신호 및 상기 제2 트랜지스터를 구동하는 제2 구동 신호를 생성하는 구동 신호 생성 회로; 를 포함하고,
    상기 제2 구동 신호의 레벨은 상기 전력 반도체 소자에 흐르는 전류의 레벨과 반비례하는 전력 반도체 소자의 구동 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터는 소정의 구동 전압단과 상기 전력 반도체의 게이트 사이에 배치되고, 상기 제2 트랜지스터는 접지와 상기 전력 반도체의 게이트 사이에 배치되는 전력 반도체 소자의 구동 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터는 P형 트랜지스터이고, 상기 제2 트랜지스터는 N형 트랜지스터인 전력 반도체 소자의 구동 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 구동 신호 생성 회로는,
    하이 레벨 신호 및 로우 레벨 신호를 포함하는 상기 제1 구동 신호를 생성하는 제1 구동 신호 생성부;
    상기 전력 반도체 소자에 흐르는 전류에 따른 검출 전압을 검출하는 검출부;
    상기 검출 전압에 반비례하는 상기 제2 구동 신호를 생성하는 제2 구동 신호 생성부; 및
    상기 제1 구동 신호에 따라 스위칭 동작하여 상기 제2 구동 신호를 상기 제2 트랜지스터의 게이트로의 전달하는 스위치부; 를 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 검출부는,
    상기 전력 반도체 소자와 접지 사이에 배치되는 검출 저항을 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제2 구동 신호 생성부는,
    반전단, 상기 검출 전압이 인가되는 비반전단, 및 상기 반전단과 연결되는 비반전단을 포함하는 제1 연산 증폭기;
    상기 제1 연산증폭기의 출력단과 연결되는 일단을 포함하는 제1 저항;
    소정의 기준전압이 인가되는 비반전단, 상기 제1 저항의 타단과 연결되는 반전단 및 상기 제2 구동 신호를 출력하는 출력단을 포함하는 제2 연산 증폭기; 및
    상기 제2 연산 증폭기의 반전단과 출력단 사이에 배치되는 제2 저항; 을 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 장치.
  12. 제9항에 있어서, 상기 스위치부는,
    상기 제1 구동 신호를 반전하는 반전기; 및
    상기 반전기의 출력 신호에 의해 스위칭 동작하는 스위치; 를 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 장치.
  13. 제9항에 있어서, 상기 스위치부는,
    상기 제2 구동 신호 생성부와 상기 제2 트랜지스터의 게이트 사이에 배치되는 스위치를 포함하는 전력 반도체 소자의 구동 장치.


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