KR20150090750A - 태양전지모듈 및 그 제조 방법 - Google Patents

태양전지모듈 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150090750A
KR20150090750A KR1020140011736A KR20140011736A KR20150090750A KR 20150090750 A KR20150090750 A KR 20150090750A KR 1020140011736 A KR1020140011736 A KR 1020140011736A KR 20140011736 A KR20140011736 A KR 20140011736A KR 20150090750 A KR20150090750 A KR 20150090750A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
solar cell
substrate
absorbing layer
forming
Prior art date
Application number
KR1020140011736A
Other languages
English (en)
Inventor
김기훈
임미화
이지원
고승용
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020140011736A priority Critical patent/KR20150090750A/ko
Publication of KR20150090750A publication Critical patent/KR20150090750A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 기판 상에 형성되며, 기판에 대하여 제1 각도로 기울어진 제1 면 및 기판에 대하여 제2 각도로 기울어지며 제1 면과 연결된 제2 면을 구비하는 후면전극, 후면전극의 제1 면 상에 형성되는 광 흡수층, 및 광 흡수층 상에 형성되는 투광성 전극을 각각 구비하는 다수의 태양전지 셀들을 포함하고, 다수의 태양전지 셀들 중 제1 태양전지 셀의 투광성 전극은 제1 태양전지 셀과 인접한 제2 태양전지 셀의 후면전극의 제2 면에 접촉하는 태양전지모듈을 개시한다.

Description

태양전지모듈 및 그 제조 방법{Solar cell module and manufacturing method thereof}
본 발명의 실시예들은 태양전지모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예상되면서 이들을 대체할 만한 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양전지는 반도체 소자를 이용하여 태양광 에너지를 직접 전기 에너지로 변화시키는 차세대 전지로서 각광받고 있다.
Ⅰ-Ⅲ-Ⅴ족 칼코게나이드계 화합물 반도체는 직접 천이형(direct transition) 에너지 밴드 구조를 가지고 있고, 광흡수 계수가 반도체 중에서 높아 고효율의 태양전지의 제조가 가능하고, 전기적/광학적 안정성이 우수하여 태양전지의 광 흡수층으로 이상적이다. 칼코게나이드계 화합물을 이용한 태양전지는 고가의 결정질 실리콘 태양전지를 대체하여 태양광 발전의 경제성을 향상시킬 수 있는 태양전지로 부각되고 있다.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 실시예들은 태양전지모듈 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 기판 상에 형성되며, 기판에 대하여 제1 각도로 기울어진 제1 면 및 기판에 대하여 제2 각도로 기울어지며 상기 제1 면과 연결된 제2 면을 구비하는 후면전극; 상기 후면전극의 제1 면 상에 형성되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 형성되는 투광성 전극;을 각각 구비하는 다수의 태양전지 셀들을 포함하며, 상기 다수의 태양전지 셀들 중 제1 태양전지 셀의 투광성 전극은 상기 제1 태양전지 셀과 인접한 제2 태양전지 셀의 후면전극의 제2 면에 접촉하는, 태양전지모듈을 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 후면전극의 상기 제1 면은 상기 제2 면 보다 넓을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 후면전극의 단면은 삼각형일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제2 태양전지 셀의 후면전극의 제2 면의 너비는, 상기 제1 태양전지 셀의 광 흡수층 및 투광성 전극의 두께의 합보다 클 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 각각의 태양전지 셀의 후면전극은 서로 이격될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 각각의 태양전지 셀의 후면전극은, 상기 제1 면 및 상기 제2 면이 만나는 지점과 인접하도록 상기 제2 면 상에 형성되고, 상기 제1 면의 연장 방향을 따라 돌출된 돌출부를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 돌출부는, 상기 제1 면 및 상기 제2 면이 만나는 지점으로부터 연장된 제4 면, 상기 제4 면과 연결되며 상기 제2 면과 제3 각도를 이루는 제5 면을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 광 흡수층 및 상기 투광성 전극의 두께의 합은, 상기 제2 면의 너비와 상기 돌출부가 차지하는 너비의 차이보다 작을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 태양전지 셀의 투광성 전극의 측면과 상기 제2 태양전지 셀의 후면전극의 제2 면이 직접 접촉할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 기판, 및 상기 기판 상에 형성되고 제1 면 및 제2 면을 갖는 후면전극, 상기 후면전극의 제1 면 상의 광 흡수층, 및 상기 광 흡수층 상의 투광성 전극을 각각 구비하는 태양전지 셀을 다수개 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 다수의 태양전지 셀을 형성하는 단계는, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에 대하여 제1 각도로 기울어진 제1 면 및 상기 기판에 대하여 제2 각도로 기울어지진 제2 면을 구비하는 후면전극들을 형성하는 단계; 상기 후면전극 각각의 상기 제1 면 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및 상기 광 흡수층 상에 투광성 전극을 형성하는 단계;을 포함하며, 상기 투광성 전극을 형성하는 단계는, 상기 다수의 태양전지 셀들 중 어느 하나인 제1 태양전지 셀의 투광성 전극이 상기 제1 태양전지 셀과 인접한 제2 태양전지 셀의 후면전극의 제2 면과 접촉하도록 상기 태양전지 셀 각각의 투광성 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 태양전지모듈의 제조방법을 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 후면전극들을 형성하는 단계는, 제1 금속을 타겟으로 사용하는 스퍼터링 공정에 의하며, 상기 기판과 상기 타겟 사이에 위치하는 슬릿의 속도를 조절하여 상기 기판에 대하여 제1 각도로 기울어진 상기 제1 면 및 상기 기판에 대하여 제2 각도로 기울어지고 상기 제1 면과 연결된 상기 제2 면을 각각 구비하는 후면전극들을 형성할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 후면전극들 중 인접한 후면전극들이 상호 이격되도록 상기 인접한 후면전극들을 소정의 간격으로 분리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 광 흡수층을 형성하는 단계 및 상기 투광성 전극을 형성하는 단계는, 상기 기판을 제1 기울임 각도로 기울이는 단계를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판은 상기 후면전극의 제1 면이 지면과 평행하도록 상기 제1 기울임 각도만큼 기울여질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 면의 너비는 상기 제2 면의 너비 보다 길 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 광 흡수층을 형성하는 단계 및 상기 투광성 전극을 형성하는 단계는, 상기 광 흡수층의 두께 및 상기 투광성 전극의 두께의 합이 상기 후면전극의 상기 제2 면의 너비보다 작게 형성할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 태양전지 셀의 투광성 전극과 상기 제2 태양전지 셀의 투광성 전극을 분리하도록 에칭하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 후면전극들을 형성하는 단계는, 상기 각각의 후면전극이 상기 제1 면 및 상기 제2 면이 만나는 지점과 인접하도록 상기 제2 면 상에 형성되고, 상기 제1 면의 연장 방향을 따라 돌출된 돌출부를 더 포함하도록 상기 후면전극들을 형성할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 돌출부는 상기 제1 면 및 상기 제2 면이 만나는 지점으로부터 연장된 제4 면, 및 상기 제4 면과 연결되며 상기 제2 면과 제3 각도를 이루는 제5 면을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 광 흡수층을 형성하는 단계 및 상기 투광성 전극을 형성하는 단계는, 지면에 대하여 수직인 방향을 따라 상기 제5 면이 상기 제2 면의 일부인 제1 영역을 가리도록 상기 기판을 제2 기울임 각도로 기울이는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제5 면에 의하여 가려지지 않은 상기 제2 면의 나머지 일부인 제2 영역의 너비는, 상기 광 흡수층 및 상기 투광성 전극의 두께의 합과 같거나 그보다 클 수 있다.
본 발명의 실시예들에 관한 태양전지모듈 및 그 제조방법은 비발전부분인 데드 영역(dead area)를 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 태양전지모듈을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지모듈의 제조 방법에 따른 공정을 나타낸다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 태양전지모듈을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5은 도 5의 Ⅴ을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양전지모듈의 제조 방법에 따른 공정을 나타낸다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 태양전지모듈을 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지모듈은 기판(110), 및 기판(110) 상에 위치하는 다수의 태양전지 셀(S)을 포함한다. 각각의 태양전지 셀(S)은 기판(110) 상에 위치하며 경사진 제1 면(120a)과 경사진 제2 면(120b)을 포함하는 후면전극(120), 후면전극(120)의 제1 면(120a) 상에 위치하는 광 흡수층(130), 광 흡수층(130) 상에 위치하는 투광성 전극(140)을 포함할 수 있다.
다수의 태양전지 셀들(S)은 서로 나란하게 배치될 수 있다. 기판(110) 상에 형성된 후면전극들(120)은 G1만큼 서로 이격됨으로써 분리되어 있으며, 다수의 태양전지 셀(S) 중 어느 하나의 태양전지 셀(이하, 제1 태양전지 셀이라고 함)은 제1 태양전지 셀과 이웃하는 태양전지 셀(이하, 제2 태양전지 셀이라고 함)과 직렬 연결될 수 있다. 예컨대, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 태양전지 셀의 투광성 전극(140)은 제2 태양전지 셀의 후면전극(120)과 직접 접촉함으로써 전기적으로 연결될 수 있으며, 이와 같은 연결을 통해 다수의 태양전지 셀들(S)은 직렬로 연결될 수 있다.
기판(110)은 광 투광성이 우수한 유리(Glass) 기판, 또는 폴리머 기판 등을 사용할 수 있다. 예를 들어, 유리 기판으로는 소다라임 유리(sodalime glass) 또는 고변형점 소다유리(high strained point soda glass)를 사용할 수 있고, 폴리머 기판으로는 폴리이미드(polyimide)와 같은 유연성 있는 고분자 재질을 사용할 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 유리 기판은 외부의 충격 등으로부터 내부의 소자를 보호하고, 태양광의 투과율을 높이기 위해 철분이 적게 들어간 저철분 강화유리로 형성될 수 있다.
후면전극(120)은 광전효과에 의해 형성된 전하를 수집하고, 광 흡수층(130)을 투과한 광을 반사시켜 광 흡수층(130)에 의해 재흡수될 수 있도록, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 등과 같은 도전성과 광 반사율이 우수한 금속 재질로 이루어질 수 있다. 특히, 후면전극(120)은 높은 전도도, 광 흡수층(130)과의 오믹(ohmic) 접촉, Se 분위기 하에서의 고온 안정성 등을 고려하여, 몰리브덴(Mo)을 포함하여 형성될 수 있다. 후면전극(120)은 금속 재질의 단일막으로 형성되거나, 기판(110)과의 접합 및 후면전극(120) 자체의 저항 특성을 확보하기 위해 다중막으로 형성될 수 있다.
후면전극(120)은 Na와 같은 알칼리 이온으로 도핑될 수 있다. 예컨대, 후술할 광 흡수층(130)의 형성시, 후면전극(120)층에 도핑된 알칼리 이온은 광 흡수층(130)에 혼입되어 광 흡수층(130)에 구조적으로 유리한 영향을 미치고, 광 흡수층(130)의 전도성을 향상시켜 태양전지모듈의 개방전압을 증가시킬 수 있다.
후면전극(120)은 기판(110)에 대하여 제1 각도(θ1)로 기울어진 제1 면(120a), 제1 면(120a)과 연결되고 제2 각도(θ2)로 기울어진 제2 면(120b), 제1,2 면과 연결되고 기판(110)과 접촉하는 제3 면(120c)을 포함하며, 그 단면이 삼각형일 수 있다. 제1 각도(θ1)는 제2 각도(θ2)에 비하여 작게 형성되며, 제1 면(120a)은 제2 면(120b)에 비하여 더 넓은 면적을 가질 수 있다. 후면전극(120)의 제1 면(120a)의 너비 (l1)은 제2 면(120b)의 너비(l2) 보다 크게 형성될 수 있다. 후면전극(120)의 제1 면(120a) 상에는 광 흡수층(130)과 투광성 전극(140)이 형성된다. 후면전극(120)의 제2 면(120b)은 이웃하는 태양전지 셀(S)과의 전기적 연결을 위한 접촉면이다.
광 흡수층(130)은 후면전극(120)의 제1 면(120a) 상에 형성된다. 광 흡수층(130)은 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se)을 포함하는 구리-인듐-갈륨-셀레나이드(Cu(In, Ga)Se2, CIGS)계 화합물로 형성되어 P형 반도체 층을 이루며, 입사하는 태양광을 흡수한다. 또는, 광 흡수층(130)은 구리(Cu), 인듐(In), 및 셀레늄(Se)을 포함하는 구리-인듐-셀레나이드계(CuInSe2, CIS)계 화합물로 형성되어 P형 반도체층을 이룰 수 있다.
투광성 전극(140)은 후면전극(120)의 제1 면(120a) 및 광 흡수층(130) 상에 형성된다. 투광성 전극(140)은 광 흡수층(130)과 P-N접합을 이루며, 광전효과에 의해 형성된 전하를 포획한다. 투광성 전극(140)은 ZnO:B, ITO 또는 IZO 등과 같은 투명한 전도성 재질을 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 투광성 전극(140)의 상면은 입사하는 태양광의 반사를 줄이고 광 흡수층(130)으로의 광흡수를 증가시키기 위해 텍스쳐링(Texturing)될 수 있다.
도시되지는 않았으나, 광 흡수층(130)과 투광성 전극(140) 사이에는 버퍼층이 더 배치될 수 있다. 버퍼층은 광 흡수층(130)과 투광성 전극(140) 간의 밴드갭 차이를 줄이고, 광 흡수층(130)과 투광성 전극(140) 계면 사이에서 발생할 수 있는 전자와 정공의 재결합을 감소시킨다. 버퍼층은 CdS, ZnS, In2S3, ZnxMg(1-x)O 등으로 형성될 수 있다.
투광성 전극(140)의 측면은 이웃하는 태양전지 셀(S)의 후면전극(120)에 직접 접촉할 수 있다. 예를 들어, 제1 태양전지 셀의 투광성 전극(140)의 일 측면은 제2 태양전지 셀의 후면전극(120)의 제2 면(120b)과 직접 접촉되어, 제1,2 태양전지 셀들을 전기적으로 연결할 수 있다.
제1 태양전지 셀의 투광성 전극(140)과 제2 태양전지 셀의 투광성 전극(140)이 서로 분리되어 전기적으로 연결되지 않도록, 후면전극(120)의 제2 면(120b)의 너비(l2)는 후면전극(120)의 제1 면(120a) 상에 형성된 광 흡수층(130)과 투광성 전극(140)의 두께의 합(t1+t2) 보다 크게 형성될 수 있다.
상술한 바와 같은 구조를 갖는 태양전지모듈은, 각각의 태양전지 셀(S)의 광 흡수층(130)과 투광성 전극(140)을 전기적으로 분리하기 위한 스크라이빙 공정을 수행하지 않아도 되고, 태양전지 셀들(S) 간의 절연 공간을 최소화함으로써 데드영역(dead area)를 감소시킬 수 있다.
이하에서는 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지모듈의 제조방법을 살펴본다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지모듈의 제조 방법에 따른 공정을 나타낸다.
태양전지모듈의 제조방법은 다수의 태양전지 셀(S)을 형성하는 단계를 포함한다. 각각의 태양전지 셀(S)의 후면전극들은(120) 동일한 공정에 의해 형성되고, 각각의 태양전지 셀(S)의 광 흡수층들(130)은 동일한 공정에 의해 형성되며, 각각의 태양전지 셀(S)의 투광성 전극들(140)은 동일한 공정에 의해 형성된다. 태양전지 셀들(S)은 서로 전기적으로 연결된다.
도 3a를 참조하면, 기판(110)을 준비하고, 기판(110) 상에 서로 이격된 다수의 후면전극들(120)을 형성한다. 기판(110)은 지면과 평행한 방향을 따라 배치될 수 있다.
후면전극들(120)은 제1 금속(11)을 타겟(10)으로 사용하는 스퍼터링 (sputtering) 공정에 의해 형성될 수 있다. 제1 금속(11)으로는 몰리브덴을 사용할 수 있으며, 기판(110)과 타겟 사이에 위치하는 슬릿(13)은 도 3a에서 좌우 방향 중 어느 한 방향 또는 양 방향을 따라 이동할 수 있다.
슬릿(13)의 이동 속도를 조절하여 제1 면(120a) 및 제2 면(120b)을 갖는 후면전극(120)을 형성할 수 있다. 슬릿(13)의 속도를 점차적으로 느리게 하여 후면전극(120)의 두께(지면에 대하여 수평인 방향을 따르는 두께)를 증가시킴으로써 제1 각도(θ1)를 갖는 후면전극(120)의 제1 면(120a)을 형성하고, 슬릿(13)의 속도를 점차 빠르게 조절하여 후면전극(120)의 두께를 감소시킴으로써 제2 각도(θ2)를 갖는 후면전극(120)의 제2 면(120b)을 형성할 수 있다.
제1 각도(θ1)가 제2 각도(θ2)보다 더 작은 값을 갖도록 슬릿의 이동 속도를 조절할 수 있으며, 따라서 제1 면(120a)이 제2 면(120b) 보다 더 넓은 면적을 가지며 제1 면(120a)의 너비를 제2 면(120b)의 너비 보다 더 길게 형성할 수 있다.
다수의 후면전극들(120)은 동일한 공정에서 함께 형성된다. 이 때, 각각의 후면전극(120)이 일정한 간격(G1)으로 상호 이격되어 배치되도록 슬릿(13)의 이동속도를 조절하거나, 슬릿(13)의 개구를 일시적으로 차단할 수 있다. 또는, 후면전극들(120)이 일정한 간격(G1)을 두고 상호 이격되도록 레이저 스크라이빙(Laser scribing) 공정을 사용할 수 있다. 레이저 스크라이빙 공정은 기판(110)의 하부로부터 기판(110)쪽으로 레이저를 조사하여 후면전극(120)의 일부 영역을 증발시키는 공정으로, 이 공정에 의하여 후면전극들(120)은 일정한 간격(G1)을 두고 서로 이격되도록 분리될 수 있다.
본 실시예에서는 후면전극(120)을 형성하는 방법으로 스퍼터링 공정을 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또 다른 실시예로서 후면전극(120)은 기판(110) 상에 도전성 페이스트를 도포한 후 열처리하여 형성하거나, 도금법 등의 공정을 통해 형성될 수도 있다.
도 3b를 참조하면, 후면전극(120)의 제1 면(120a) 상에 광 흡수층(130)을 형성한다.
먼저, 후면전극(120)이 형성된 기판(110)을 지면에 대하여 제1 기울임 각도(α)로 기울여 후면전극(120)의 제1 면(120a)이 지면과 평행하게 배치되도록 할 수 있다. 제1 기울임 각도(α)는 기판(110)의 기울임 방향에 따라 다른 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 3b에 도시된 바와 같은 방향으로 기울여지는 경우, 제1 기울임 각도는 후면전극(120)의 제1 각도(θ1)와 같은 값일 수 있다.
이 후, 광흡수 물질 중 일부 물질(21)를 구성하는 타겟(20)을 사용하여 후면전극(120) 상에 금속 프리커서막을 형성할 수 있다. 예컨대, 구리(Cu) 타겟, 인듐(In) 타겟, 갈륨(Ga) 타겟을 사용하여, 후면전극(120) 상에 CIG계 금속 프리커서막(precusor)막을 형성할 수 있다. 그리고 난 후, 셀렌화수소(H2Se) 가스 분위기에서 열처리함으로써 금속 프리커서막이 셀레늄(Se)과 반응하여 CIGS계 광 흡수층(130)을 형성하는 스퍼터링/셀레니제이션 법에 의해 형성할 수 있다.
또 다른 실시예로, 광 흡수층(130)은 진공 챔버 내에 설치된 작은 전기로의 내부에 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se) 등을 넣고, 이를 가열하여 진공 증착시키는 동시증착(co-evaporation)법을 사용할 수 있다. 또는, 전착(electro-deposition)법, 유기금속 기상성장법(molecular organic chemical vapor deposition, 이하 MOCVD) 등에 의해 광 흡수층(130)을 형성할 수 있다.
본 실시예에서는 CIGS계 광 흡수층(130)을 형성하는 경우를 설명하였으나, CIS계 광 흡수층(130)을 형성할 수 있음은 물론이다.
도 3c를 참조하면, 광 흡수층(130) 상에 투광성 전극(140)을 형성한다. 투광성 전극(140)은 ZnO:B, ITO 또는 IZO 등과 같은 투명한 전도성 재질로 형성될 수 있다.
도 3b를 참조하여 설명한 바와 같이 제1 기울임 각도(α)만큼 기판(110)이 기울여진 상태에서, 투광성 재질(31)을 포함하는 타겟(30)을 사용하는 스퍼터링(Sputtering)법에 의해 투광성 전극(140)이 형성될 수 있다.
또 다른 실시예로, 투광성 전극(140)은 유기금속 화학증착(Metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD), 저압 화학 기상증착법(Low pressure chemical vapor deposition, LPCVD)에 의해 형성될 수 있다.
투광성 전극(140)이 형성될 때에 각각의 태양전지 셀(S)과 대응되는 영역에 형성된 투광성 전극(140)은 전기적으로 분리되어야 한다. 그러나, 도 3c에 도시된 바와 같이, 투광성 전극(140)이 후면전극(120)의 제1 면(120a) 상에만 형성되는 것이 아니라, 제2 면(120b) 상에도 얇게 형성되어 각각의 투광성 전극(140)이 연결된 경우, 연결 부분(140ca)을 제거하는 것이 필요하다.
투광성 전극(140)의 연결 부분(140ca)은 에칭(etching) 공정에 의해 제거될 수 있다. 투광성 전극(140)의 연결 부분(140ca)은 후면전극(120)의 제1 면(120a) 상에 형성된 투광성 전극(140)의 두께 보다 매우 얇게 형성되므로, 에칭 공정을 통해 용이하게 제거될 수 있다. 예컨대, 약 0.1M의 HCl 용액으로 약 10초 동안 에칭하여, 도 3d에 도시된 바와 같이 연결 부분(140ca)을 제거할 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 태양전지모듈을 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 5은 도 4의 Ⅴ을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 태양전지모듈은 기판(110), 및 기판(110) 상에 위치하는 다수의 태양전지 셀(S)을 포함한다. 각각의 태양전지 셀(S)은 기판(110) 상에 위치하며 제1 면(220a)과 제2 면(220b)을 포함하는 후면전극(220), 후면전극(220)의 제1 면(220a) 상에 위치하는 광 흡수층(130), 광 흡수층(130) 상에 위치하는 투광성 전극(140)을 포함할 수 있다.
다수의 태양전지 셀들(S)은 서로 나란하게 배치될 수 있다. 기판(110) 상에 형성된 후면전극(220)들은 일정한 간격(G1)을 두고 서로 이격되어 분리되어 있다. 제1 태양전지 셀의 투광성 전극(140)은 제2 태양전지 셀의 후면전극(220), 에컨대 후면전극(220)의 제2 면(220b)과 직접 접촉함으로써 전기적으로 연결될 수 있으며, 이와 같은 연결을 통해 다수의 태양전지 셀들(S)은 직렬로 연결될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 후면전극(220)은 제1 면(220a)과 제2 면(220b)이 만나는 지점(P1)과 인접하도록 제2 면(220b) 상에 형성되는 돌출부(225)를 더 포함하는 점에서 앞서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 태양전지모듈과 차이가 있다.
본 실시예에 따른 태양전지모듈의 구성 중 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 태양전지모듈의 구성과 동일한 내용은 앞서 설명한 내용으로 갈음하고, 이하에서는 차이점을 위주로 살펴본다.
돌출부(225)는 제2 면(220b) 상에서 제1 면(220a)의 연장 방향을 따라 돌출될 수 있다. 돌출부(225)는 제1 면(220a)과 제2 면(220b)이 만나는 지점(P1)으로부터 연장된 제4 면(225a) 및 제4 면(225a)과 연결되며 제2 면(220b)에 대하여 제3 각도(θ3)를 이루는 제5 면(225b)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제4 면(225a)은 제1 면(220a)과 동일한 평면 상에서 연장될 수 있으며, 제5 면(225b)과 제2 면(220b)이 만나는 지점(P2)는 제1 면(220a)과 제2 면(220b)이 만나는 지점(P1)과 인접하게 배치되는 것이 바람직하다.
돌출부(225)는 후술할 태양전지의 제조 공정 중 제1 태양전지 셀의 투광성 전극(140)과 제2 태양전지 셀의 투광성 전극(140)끼리 연결되지 않으면서 - 예를 들어, 도 3c를 참조하여 설명한 바와 같은 연결 부분(140ca)이 형성되는 것을 방지하면서 제1 태양전지 셀의 투광성 전극(140)이 제2 태양전지 셀의 후면전극(220)과 접촉 및 전기적으로 연결되도록 후면전극(220)에 더 포함될 수 있다.
돌출부(225)는 광 흡수층(130)과 투광성 전극(140)의 형성시 이웃하는 태양전지 셀들(S)의 투광성 전극들(140)이 서로 연결되는 것을 방지하기 위한 것으로서, 돌출부(225)의 제5 면(225b) 상에는 광 흡수층(130)과 투광성 전극(140)이 배치되지 않는다.
제1 태양전지 셀의 후면전극(220)의 제1 면(220a)에 형성된 광 흡수층(130)과 투광성 전극(140)의 두께의 합(t1+t2)은, 제2 면(220b)의 너비(l2)에서 돌출부(225)가 차지하는 너비(l3)를 뺀 차이보다 작을 수 있다.
이하에서는, 도 6a 내지 도 6c를 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양전지모듈의 제조 방법을 살펴본다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양전지의 제조 방법에 따른 공정을 나타낸다.
태양전지모듈의 제조방법은 다수의 태양전지 셀(S)을 형성하는 단계를 포함한다. 각각의 태양전지 셀(S)의 후면전극들은(220) 동일한 공정에 의해 형성되고, 각각의 태양전지 셀(S)의 광 흡수층들(130)은 동일한 공정에 의해 형성되며, 각각의 태양전지 셀(S)의 투광성 전극들(140)은 동일한 공정에 의해 형성된다. 태양전지 셀들(S)은 서로 전기적으로 연결된다.
도 6a를 참조하면, 기판(110)을 준비하고, 기판(110) 상에 서로 이격된 다수의 후면전극(220)을 형성한다. 기판(110)은 지면과 평행한 방향을 따라 배치될 수 있다.
후면전극(220)은 제1 금속(11)을 타겟(10)으로 사용하는 스퍼터링 (sputtering) 공정에 의해 형성될 수 있다. 제1 금속(11)으로는 몰리브덴을 사용할 수 있으며, 기판(110)과 타겟 사이에 위치하는 슬릿(13)은 도 3a에서 좌우 방향 중 어느 한 방향 또는 양 방향을 따라 이동할 수 있다.
슬릿의 이동 속도를 조절하여 후면전극(220)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 슬릿의 속도를 점차적으로 느리게 조절하여 후면전극(220)의 두께(지면에 대하여 수평인 방향을 따르는 두께)를 증가시킴으로써 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이 제1 각도(θ1)를 갖는 후면전극(220)의 제1 면(220a)을 형성하고, 슬릿(13)의 속도를 점차 빠르게 조절하여 후면전극(220)의 두께를 감소시킴으로써 제2 각도(θ2)를 갖는 후면전극(220)의 제2 면(220b)을 형성할 수 있다. 공정 중, 슬릿의 이동 방향을 역방향으로 조절하거나 또는 속도를 조절함으로써 및 돌출부(225)의 제4 면(225a) 및 제5 면(225b)을 형성할 수 있다.
다수의 후면전극들(220)은 동일한 공정에서 함께 형성된다. 이 때, 각각의 후면전극(220)이 일정한 간격(G1)으로 상호 이격되어 배치되도록 슬릿(13)의 이동속도를 조절하거나, 슬릿(13)의 개구를 일시적으로 차단할 수 있다. 또는, 후면전극(220)들이 일정한 간격(G1)을 두고 상호 이격되도록 레이저 스크라이빙(Laser scribing) 공정을 사용할 수 있다.
상술한 바에 따르면, 기판(110)이 지면과 평행한 방향을 따라 배치하고 슬릿(13)의 이동 속도 및 방향을 조절하여 돌출부(225)가 구비된 후면전극(220)을 형성하는 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또 다른 실시예로서, 기판(110)을 기울인 상태에서 슬릿(13)의 이동 속도 및 방향을 조절하여 돌출부(225)가 구비된 후면전극(220)을 형성할 수 있음은 물론이다.
본 실시예에서는 후면전극(220)을 형성하는 방법으로 스퍼터링 공정을 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또 다른 실시예로서 후면전극(220)은 기판(110) 상에 도전성 페이스트를 도포한 후 열처리하여 형성하거나, 도금법 등의 공정을 통해 형성될 수도 있다.
도 6b를 참조하면, 후면전극(220)의 제1 면(220a) 상에 광 흡수층(130)을 형성한다.
먼저, 기판(110)을 지면에 대하여 제2 기울임 각도(β)로 기울인 후, 앞서 도 3b를 참조하여 설명한 바와 같이 스퍼터링/셀레니제이션 법에 의해 후면전극(220)을 형성할 수 있다.
기판(110)이 제2 기울임 각도(β)만큼 기울어지면서, 상방에서 하방으로 낙하하는 물질은 제2 면(220b)의 일부 영역에만 형성될 수 있다. 제2 면(220b)의 상부에 위치하는 일부 영역(이하, 제1 영역(AE1)이라 함)은 지면에 대해 수직인 방향을 따라 돌출부(225)에 의해 가려질 수 있고, 제2 면(220b)의 하부에 위치하는 나머지 영역(이하, 제2 영역(AE2)이라 함)은 돌출부(225)에 의해 가려지지 않은 채 그대로 노출되기 때문이다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 후면전극(220)의 제2 면(220b)의 상부 영역인 제1 영역(AE1)이 가려지고, 하부 영역인 제2 영역(AE2)이 노출되는 것을 쉐이딩 효과(shading effect)라고 한다.
이와 같은 상태에서, 스퍼터링 공정을 수행하면, 지면과 수직인 방향을 따라 아래로 낙하하는 물질들은 돌출부(225)에 의해 가려진 제1 영역(AE1)에는 형성되지 않고 제2 영역(AE2)에만 형성된다.
이 때, 제2 기울임 각도(β)는 돌출부(225), 예컨대 돌출부(225)의 제5 면(225b)에 의하여 제2 면(220b)의 일부인 제1 영역(AE1)이 가려질 정도의 각도를 가질 수 있다.
예를 들어, 도 6b에 도시된 바와 같이, 기판(110)이 우측하방을 향해 기울어진다면, 돌출부(225)에 의해 가려져는 제1 영역(AE1)이 제2 면(220b)의 상부에 형성될 수 있도록 제2 기울임 각도(β)는 다음의 조건 1을 만족할 수 있다.
90°- (θ2+ θ3) < β < 90°- (θ2+ θ4) ---- 조건 1
여기서, θ2는 기판(110)에 대하여 후면전극(220)의 제2 면(220b)이 이루는 각을, θ3는 제2 면(220b)과 돌출부(225)의 제5 면(225b)이 이루는 각을, θ4는 제4 면(225a)과 제5 면(225b)이 만나는 지점(P3)과 제2 면(220b)과 기판(110)이 만나는 지점(P4)을 연결하였을 때의 가상면이 제2 면(220b)과 이루는 각을 나타낸다.
상기의 조건 1에서 제2 기울임 각도(β)가 하한치를 벗어난다면, 제2 면(220b) 상에는 돌출부(225)에 의해 가려지는 제1 영역(AE1)이 형성되지 않으며, 제2 기울임 각도 (β)가 상한치를 벗어난다면 제2 면(220b) 상에는 돌출부(225)에 의해 가려지지 않고 노출되는 제2 영역(AE2)이 형성되지 않는다.
본 실시예에서는, 기판(110)이 우측하방을 향해 기울어지는 경우를 도시하고 그 경우에서의 제2 기울임 각도(β)의 조건 1에 대하여 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
또 다른 실시예로서, 예를 들어 돌출부(225)의 제5 면(225b)과 제2 면(220b)이 이루는 각도(θ3)가 약 70°정도로 큰 값을 갖는다면 기판(110)이 좌측하방을 향해 기울어지도록 기울일 수 있으며 이 때 제2 기울임 각도(β)는 조건 1과 달라질 수 있다. 다만, 이 경우에도 제2 면(220b)에는 돌출부(225)에 의해 가려지는 제1 영역(AE1) 및 돌출부(225)에 의해 가려지지지 않고 노출되는 제2 영역(AE2)이 모두 형성되도록 기울어져야 한다.
도 6c를 참조하면, 광 흡수층(130) 상에 투광성 전극(140)을 형성한다. 투광성 전극(140)은 ZnO:B, ITO 또는 IZO 등과 같은 투명한 전도성 재질로 형성될 수 있다.
기판(110)이 제2 기울임 각도(β)로 기울여진 상태에서, 투광성 재질(31)을 포함하는 타겟(30)을 사용하는 스퍼터링(Sputtering)법에 의해 투광성 전극(140)이 형성될 수 있다.
전술한 바와 같이 제2 영역(AE2)은 돌출부(225)에 의해 가려지지 않고 노출되어 있으므로, 광 흡수층(130) 및 투광성 전극(140)은 제2 영역(AE2) 상에 형성될 수 있다. 따라서, 광 흡수층(130) 및 투광성 전극(140)의 두께의 합(t1+t2)은 제2 영역(AE2)의 너비(l4)와 같거나 그 보다 작을 수 있다.
도 3c 및 도 3d를 참조하여 설명한 태양전지모듈의 제조방법은, 이웃하는 태양전지 셀(S) 각각에 구비되는 투광성 전극(140)을 분리하기 위하여 에칭 공정을 더 포함할 수 있다.
그러나, 도 6a 내지 도 6c를 참조하여 설명한 본 실시예에 따른 태양전지모듈의 제조방법은, 후면전극(220)이 돌출부(225)를 더 포함함으로써 에칭 공정을 포함하지 않으면서도 이웃하는 태양전지 셀(S) 각각에 구비되는 투광성 전극(140)을 분리할 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따른 태양전지모듈 및 그 제조방법은, 제1 태양전지 셀의 투광성 전극(140)과 제2 태양전지 셀의 후면전극(120, 220)을 직접 접촉시키고 전기적으로 연결함으로써, 태양전지 셀(S) 간 절연 간격을 줄이고 데드영역을 감소시킬 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
110: 기판 120, 220: 후면전극
225: 돌출부 130: 광 흡수층
140: 투광성 전극

Claims (21)

  1. 기판 상에 형성되며, 기판에 대하여 제1 각도로 기울어진 제1 면 및 기판에 대하여 제2 각도로 기울어지며 상기 제1 면과 연결된 제2 면을 구비하는 후면전극;
    상기 후면전극의 제1 면 상에 형성되는 광 흡수층; 및
    상기 광 흡수층 상에 형성되는 투광성 전극;을 각각 구비하는 다수의 태양전지 셀들을 포함하며,
    상기 다수의 태양전지 셀들 중 제1 태양전지 셀의 투광성 전극은 상기 제1 태양전지 셀과 인접한 제2 태양전지 셀의 후면전극의 제2 면에 접촉하는, 태양전지모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 후면전극의 상기 제1 면은 상기 제2 면 보다 넓은, 태양전지모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 후면전극의 단면은 삼각형인, 태양전지모듈.
  4. 제1항에 있어서,
    제2 태양전지 셀의 후면전극의 제2 면의 너비는,
    상기 제1 태양전지 셀의 광 흡수층 및 투광성 전극의 두께의 합보다 큰, 태양전지모듈.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 각각의 태양전지 셀의 후면전극은 서로 이격되어 있는, 태양전지모듈.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 각각의 태양전지 셀의 후면전극은,
    상기 제1 면 및 상기 제2 면이 만나는 지점과 인접하도록 상기 제2 면 상에 형성되고, 상기 제1 면의 연장 방향을 따라 돌출된 돌출부를 더 포함하는, 태양전지모듈.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 돌출부는,
    상기 제1 면 및 상기 제2 면이 만나는 지점으로부터 연장된 제4 면, 상기 제4 면과 연결되며 상기 제2 면과 제3 각도를 이루는 제5 면을 포함하는, 태양전지모듈.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 광 흡수층 및 상기 투광성 전극의 두께의 합은, 상기 제2 면의 너비와 상기 돌출부가 차지하는 너비의 차이보다 작은, 태양전지모듈.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 태양전지 셀의 투광성 전극의 측면과 상기 제2 태양전지 셀의 후면전극의 제2 면이 직접 접촉하는, 태양전지모듈.
  10. 기판, 및 상기 기판 상에 형성되고 제1 면 및 제2 면을 갖는 후면전극, 상기 후면전극의 제1 면 상의 광 흡수층, 및 상기 광 흡수층 상의 투광성 전극을 각각 구비하는 태양전지 셀을 다수개 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 다수의 태양전지 셀을 형성하는 단계는,
    기판을 준비하는 단계;
    상기 기판에 대하여 제1 각도로 기울어진 제1 면 및 상기 기판에 대하여 제2 각도로 기울어지진 제2 면을 구비하는 후면전극들을 형성하는 단계;
    상기 후면전극 각각의 상기 제1 면 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및
    상기 광 흡수층 상에 투광성 전극을 형성하는 단계;을 포함하며,
    상기 투광성 전극을 형성하는 단계는, 상기 다수의 태양전지 셀들 중 어느 하나인 제1 태양전지 셀의 투광성 전극이 상기 제1 태양전지 셀과 인접한 제2 태양전지 셀의 후면전극의 제2 면과 접촉하도록 상기 태양전지 셀 각각의 투광성 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 태양전지모듈의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 후면전극들을 형성하는 단계는,
    제1 금속을 타겟으로 사용하는 스퍼터링 공정에 의하며, 상기 기판과 상기 타겟 사이에 위치하는 슬릿의 속도를 조절하여 상기 기판에 대하여 제1 각도로 기울어진 상기 제1 면 및 상기 기판에 대하여 제2 각도로 기울어지고 상기 제1 면과 연결된 상기 제2 면을 각각 구비하는 후면전극들을 형성하는, 태양전지모듈의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 후면전극들 중 인접한 후면전극들이 상호 이격되도록 상기 인접한 후면전극들을 소정의 간격으로 분리하는 단계를 더 포함하는, 태양전지모듈의 제조방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 광 흡수층을 형성하는 단계 및 상기 투광성 전극을 형성하는 단계는,
    상기 기판을 제1 기울임 각도로 기울이는 단계를 포함하는, 태양전지모듈의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 기판은 상기 후면전극의 제1 면이 지면과 평행하도록 상기 제1 기울임 각도만큼 기울여지는, 태양전지모듈의 제조방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 제1 면의 너비는 상기 제2 면의 너비 보다 긴, 태양전지모듈의 제조방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 광 흡수층을 형성하는 단계 및 상기 투광성 전극을 형성하는 단계는,
    상기 광 흡수층의 두께 및 상기 투광성 전극의 두께의 합이 상기 후면전극의 상기 제2 면의 너비보다 작게 형성하는, 태양전지모듈의 제조방법.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 제1 태양전지 셀의 투광성 전극과 상기 제2 태양전지 셀의 투광성 전극을 분리하도록 에칭하는 단계를 더 포함하는, 태양전지모듈의 제조방법.
  18. 제10항에 있어서,
    상기 후면전극들을 형성하는 단계는,
    상기 각각의 후면전극이 상기 제1 면 및 상기 제2 면이 만나는 지점과 인접하도록 상기 제2 면 상에 형성되고, 상기 제1 면의 연장 방향을 따라 돌출된 돌출부를 더 포함하도록 상기 후면전극들을 형성하는, 태양전지모듈의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 제1 면 및 상기 제2 면이 만나는 지점으로부터 연장된 제4 면, 및 상기 제4 면과 연결되며 상기 제2 면과 제3 각도를 이루는 제5 면을 포함하는, 태양전지모듈의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 광 흡수층을 형성하는 단계 및 상기 투광성 전극을 형성하는 단계는,
    지면에 대하여 수직인 방향을 따라 상기 제5 면이 상기 제2 면의 일부인 제1 영역을 가리도록 상기 기판을 제2 기울임 각도로 기울이는 단계를 더 포함하는, 태양전지모듈의 제조방법.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 제5 면에 의하여 가려지지 않은 상기 제2 면의 나머지 일부인 제2 영역의 너비는, 상기 광 흡수층 및 상기 투광성 전극의 두께의 합과 같거나 그보다 큰, 태양전지모듈의 제조방법.
KR1020140011736A 2014-01-29 2014-01-29 태양전지모듈 및 그 제조 방법 KR20150090750A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140011736A KR20150090750A (ko) 2014-01-29 2014-01-29 태양전지모듈 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140011736A KR20150090750A (ko) 2014-01-29 2014-01-29 태양전지모듈 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150090750A true KR20150090750A (ko) 2015-08-06

Family

ID=53885401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140011736A KR20150090750A (ko) 2014-01-29 2014-01-29 태양전지모듈 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20150090750A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180076892A (ko) * 2016-12-28 2018-07-06 코오롱인더스트리 주식회사 유기태양전지 모듈 및 이를 구비한 건물일체형 태양광발전 모듈

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180076892A (ko) * 2016-12-28 2018-07-06 코오롱인더스트리 주식회사 유기태양전지 모듈 및 이를 구비한 건물일체형 태양광발전 모듈

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8962984B2 (en) Solar cell apparatus and manufacturing method thereof
US20130247969A1 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
KR100999797B1 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
US20120180869A1 (en) Solar power generation apparatus and manufacturing method thereof
JP2012532444A (ja) 太陽電池及びその製造方法
US20130255760A1 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
US20120111405A1 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101428146B1 (ko) 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
KR20130109330A (ko) 태양전지 및 이의 제조 방법
KR101114079B1 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
KR20130086003A (ko) 태양전지 및 그 제조 방법
KR101382880B1 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
KR101338610B1 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
JP6185840B2 (ja) 太陽光発電装置及びその製造方法
JP2013510427A (ja) 太陽電池及びその製造方法
KR101055019B1 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
KR101154663B1 (ko) 태양광 발전장치
KR20150090750A (ko) 태양전지모듈 및 그 제조 방법
KR101251870B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101283302B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR20130059976A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR20130070458A (ko) 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
KR101765922B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101273186B1 (ko) 태양광 발전장치
KR101349525B1 (ko) 태양광 발전장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination