KR20150081621A - 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
표시 패널은 영상을 표시하는 표시 영역, 및 상기 표시 영역 외곽의 비표시 영역으로 구분되며, 상기 비표시 영역에 배치된 금속 패턴을 구비하는 제1 기판, 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판, 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되고, 상기 금속 패턴과 중첩되게 배치되어 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 합착하는 봉지재를 포함한다. 여기서, 상기 금속 패턴은 상기 표시 영역을 둘러싸는 형상의 바디부, 및 상기 바디부에서 상기 표시 영역의 반대 방향으로 돌출된 복수의 돌기부들을 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 안테나 수신 감도를 향상시킬 수 있는 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치에 관한 발명이다.
정보화 사회의 발전에 따라 유기 발광 표시 패널(Organic Light Emitting Dispaly panel, OLED panel), 액정 표시 패널(Liquid Crystal Display panel, LCD panel), 전기 영동 표시 패널(Electo-Phoretic Dispaly panel, EPD panel), 및 전기 습윤 표시 패널(Electo-Wetting Dispaly panel, EWD panel)과 같이 다양한 표시 패널이 표시 장치에 적용되고 있다.
상기 표시 장치는 상기 표시 패널, 상기 표시 패널을 수용하는 케이스, 상기 표시 패널의 노출면을 보호하는 윈도우, 및 모바일 신호를 수신하는 안테나를 구비한다.
한편, 상기 표시 패널은 내부 밀봉을 위하여 실링(sealing) 공정을 수행하여 제조된다. 상기 실링 공정은 복수의 기판 사이에 실런트를 도포하고 레이저 또는 UV를 조사하여, 상기 실런트를 경화시키는 방식으로 진행된다. 또한, 상기 레이저 또는 UV의 균일한 광 프로파일을 위하여, 상기 기판 중 하나에 금속막을 배치하여 상기 실링 공정을 진행한다. 그러나, 상기 금속막은 상기 안테나와 중첩하여 배치되어, 상기 안테나의 신호 수신 감도를 저하시킬 수 있다.
본 발명의 일 목적은 상기 안테나의 수신 감도 저하를 방지할 수 있는 표시 패널을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시 패널을 구비하는 표시 장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위한 표시 패널은 영상을 표시하는 표시 영역, 및 상기 표시 영역 외곽의 비표시 영역으로 구분되며, 상기 비표시 영역에 배치된 금속 패턴을 구비하는 제1 기판, 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판, 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되고, 상기 금속 패턴과 중첩되게 배치되어 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 합착하는 봉지재를 포함한다. 여기서, 상기 금속 패턴은 상기 표시 영역을 둘러싸는 형상의 바디부, 및 상기 바디부에서 상기 표시 영역의 반대 방향으로 돌출된 복수의 돌기부들을 포함할 수 있다.
상기 표시 영역에서, 상기 제1 기판은 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터에 접속하는 표시 소자를 구비하고, 상기 금속 패턴은 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 바디부의 폭은 200㎛ 이상일 수 있으며, 상기 돌기부들의 폭은 20㎜ 이하일 수 있다. 또한, 인접하는 돌출부들 사이의 거리는 1㎜ 내지 20㎜일 수 있다.
상기 인접하는 돌출부들 사이의 영역에 배치되고, 상기 베이스 기판을 노출시키는 적어도 하나의 패턴 홀을 더 포함할 수 있다. 인접하는 패턴 홀들 사이의 거리는 20㎛ 이상일 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 표시 장치는 영상을 표시하는 표시 영역, 및 상기 표시 영역 외곽의 비표시 영역으로 구분되는 표시 패널, 및 상기 비표시 영역에 중첩되고, 외부 전파를 수신하는 신호 수신부를 포함한다. 상기 표시 패널은 상기 표시 영역에 배치된 표시 소자, 및 상기 비표시 영역에 배치된 금속 패턴을 구비하는 제1 기판, 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판, 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에서, 상기 금속 패턴과 중첩되게 배치되는 봉지재를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 금속 패턴은 상기 표시 영역을 둘러싸는 형상의 바디부, 및 상기 바디부에서 상기 표시 영역의 반대 방향으로 돌출되며, 상기 신호 수신부와 중첩되는 복수의 돌기부들을 포함한다.
상술한 바와 같은 표시 패널은 신호 수신부와 중첩하는 영역의 금속 패턴이 외부 전파를 통과시킬 수 있는 영역을 구비하여, 상기 신호 수신부의 감도 저하를 방지할 수 있다. 따라서, 상기 표시 패널을 구비하는 표시 장치는 상기 외부 전파를 안정되게 수신할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 표시 패널 및 신호 수신부를 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도 3의 I-I' 라인에 따른 단면도이다.
도 5는 도 3의 A 영역의 확대도이다.
도 6은 도 5의 II-II' 라인에 따른 단면도이다.
도 7은 도 5의 III-III' 라인에 따른 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 표시 패널 및 신호 수신부를 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도 3의 I-I' 라인에 따른 단면도이다.
도 5는 도 3의 A 영역의 확대도이다.
도 6은 도 5의 II-II' 라인에 따른 단면도이다.
도 7은 도 5의 III-III' 라인에 따른 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 분해 사시도이며, 도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널(100), 상기 표시 패널(100)을 수용하기 위한 하우징(200), 상기 표시 패널(100)과 상기 하우징(200) 사이에 배치되는 충격 흡수 시트(300) 및 신호 수신부(600), 상기 표시 패널(100) 상부에 배치된 윈도우 부재(400), 상기 표시 패널(100)과 상기 윈도우 부재(400) 사이에 배치되는 편광 부재(500)를 포함한다.
상기 표시 패널(100)은 영상을 표시하는 표시 영역(DA), 및 상기 표시 영역(DA) 외곽의 비표시 영역(NDA)으로 구분될 수 있다. 상기 표시 패널(100)은 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 표시 패널(100)로 유기 발광 표시 패널(Organic Light Eemitting Display panel, OLED panel)과 같은 자발광이 가능한 표시 패널을 사용하는 것이 가능하다. 또한, 상기 표시 패널(100)로 액정 표시 패널(Liquid Crystal Display panel, LCD panel), 전기 영동 표시 패널(Electro-Phoretic Display panel, EPD panel), 및 전기 습윤 표시 패널(Electro-Wetting Display panel, EWD panel)과 같은 비발광성 표시 패널을 사용하는 것이 가능하다. 상기 표시 패널(100)로 비발광성 표시 패널을 사용하는 경우, 상기 표시 장치는 상기 표시 패널(100)로 광을 공급하는 백라이트 유닛(Back-light unit)을 구비할 수도 있다. 본 실시예에서는 상기 표시 패널(100)로 상기 유기 발광 표시 패널을 예로서 설명한다.
상기 표시 패널(100)은 제1 기판(110) 및 제2 기판(120)을 구비할 수 있다.
상기 제1 기판(110)은 절연 기판 상에 배치된 적어도 하나의 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터에 접속하는 표시 소자를 구비할 수 있다. 여기서, 상기 박막 트랜지스터 및 상기 표시 소자는 상기 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다.
상기 표시 소자는 상기 박막 트랜지스터에 접속하는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 유기막, 및 상기 유기막 상에 배치되는 제2 전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 어느 하나는 애노드(anode) 전극일 수 있으며, 다른 하나는 캐소드(cathode) 전극일 수 있다. 또한, 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 하나는 투명할 수 있다.
상기 제2 기판(120)은 상기 표시 소자를 외부 환경과 격리시키며, 실런트와 같은 봉지재를 통하여 상기 제1 기판(110)과 합착될 수 있다. 여기서, 상기 봉지재는 상기 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다.
상기 하우징(200)은 상기 표시 패널(100)을 수용한다. 도 1에서 상기 표시 패널(100)을 수용할 수 있는 공간이 마련된 1개의 부재로 구성된 하우징을 예시적으로 도시하고 있다. 그러나, 상기 하우징(200)는 2개 이상의 부재가 결합되어 구성될 수도 있다. 본 실시예에서는 상기 1개의 부재로 구성된 하우징(200)을 예로서 설명한다.
또한, 상기 하우징(200)은 상기 표시 패널(100) 이외에 구동 회로 칩이 실장된 회로기판(미도시)(Printed Circuit Board)을 더 수용할 수 있다. 또한, 표시 장치의 종류에 따라 배터리와 같은 전원부(미도시)를 더 수용할 수도 있다.
상기 충격 흡수 시트(300)는 상기 표시 패널(100) 및 상기 하우징(200) 사이에 배치되어, 상기 표시 패널(100)에 가해질 수 있는 외부 충격을 흡수한다. 따라서, 상기 충격 흡수 시트(300)는 외부 충격이 상기 표시 패널(100)에 직접 작용하는 것을 방지한다.
상기 충격 흡수 시트(300)는 외부 충격을 흡수할 수 있는 충격 흡수 필름(미도시) 및 상기 충격 흡수 필름의 양면 중 적어도 어느 일면 상에 도포된 접착제(미도시)를 포함한다. 예를 들면, 상기 접착제는 상기 충격 흡수 필름의 일면에 도포되어, 상기 충격 흡수 시트(300)가 상기 표시 패널(100) 또는 상기 하우징(200)에 고정될 수 있도록 한다. 또한, 상기 충격 흡수 필름은 고무 발포체 또는 상기 고무 발포체의 적층물을 포함할 수 있으며, 일반적으로 300㎛의 두께를 가질 수 있다.
상기 윈도우 부재(400)는 상기 표시 패널(100)에서 영상이 출사되는 방향 상에 배치되며, 상기 하우징(200)에 결합되어 상기 하우징(200)과 함께 표시 장치의 외면을 구성한다.
상기 윈도우 부재(400)는 상기 표시 패널(100)에서 생성된 영상이 투과되는 투광 영역(AR)과 상기 투광 영역(AR)의 적어도 일부에 인접한 차광 영역(NAR)을 포함한다. 상기 차광 영역(NAR)에서는 상기 영상이 표시되지 않는다. 즉, 상기 투광 영역(AR)은 상기 표시 영역(DA)에 대응하여 배치되고, 상기 차광 영역(NAR)은 상기 비표시 영역(NDA)에 대응하여 배치될 수 있다.
또한, 상기 차광 영역(NAR) 중 적어도 일부는 입력 아이콘 영역(NAR-I)으로 정의될 수 있다. 상기 입력 아이콘 영역(NAR-I)는 상기 표시 장치가 특정한 모드에서 작동하는 경우 활성화될 수 있다.
상기 편광 부재(500)는 외부에서 입사되는 광(이하 "외부 광"이라 칭함)의 반사로 상기 표시 패널(100)의 영상 표시 성능이 저하되는 것을 방지한다. 예를 들면, 상기 편광 부재(500)는 특정 방향으로 편광축을 가지는 편광 필름(미도시) 및 1/4 λ의 위상차를 가지는 위상차 필름(미도시)를 구비할 수 있다. 이러한 상기 편광 부재(500)는 상기 외부 광을 원편광 상태로 변환하여 상기 외부 광이 반사되어 상기 표시 패널(100)의 영상 표시 성능이 저하되는 것을 방지한다. 경우에 따라 상기 편광 부재(500)는 생략하는 것이 가능하다.
상기 신호 수신부(600)는 일반적인 안테나일 수 있으며, 상기 표시 패널(100)의 비표시 영역(NDA)에 중첩되도록 배치될 수 있다. 또한, 상기 신호 수신부(600)는 외부 전파를 수신하여 상기 표시 장치의 컨트롤러(미도시)로 전달할 수 있다. 상기 컨트롤러는 수신된 신호를 이용하여, 상기 표시 패널(100)에 영상을 표시할 수 있도록 한다.
도 3은 도 1의 표시 패널 및 신호 수신부를 설명하기 위한 평면도이며, 도 4는 도 3의 I-I' 라인에 따른 단면도이며, 도 5는 도 3의 A 영역의 확대도이며, 도 6은 도 5의 II-II' 라인에 따른 단면도이며, 도 7은 도 5의 III-III' 라인에 따른 단면도이다.
도 3 내지 도 7을 참조하면, 신호 수신부(600)는 표시 패널(100)의 일부와 중첩할 수 있다. 여기서, 상기 표시 패널(100)은 영상을 표시할 수 있는 표시 영역(DA), 및 상기 표시 영역(DA) 외곽의 비표시 영역(NDA)으로 구분될 수 있으며, 상기 신호 수신부(600)는 상기 비표시 영역(NDA)에서 상기 표시 패널(100)과 중첩할 수 있다. 또한, 상기 비표시 영역(NDA)은 상기 표시 영역(DA)을 둘러싸는 형상일 수 있다.
상기 표시 패널(100)은 상기 표시 영역(DA)에 배치된 표시 소자(OLED)를 구비하는 제1 기판(110), 상기 제1 기판(110)과 마주하는 제2 기판(120), 및 상기 비표시 영역(NDA)에 배치되어 상기 제1 기판(110)과 상기 제2 기판(120)을 합착하는 봉지재(130)를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 봉지재(130)는 상기 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다.
상기 표시 영역(DA)에서, 상기 제1 기판(110)은 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 구동 박막 트랜지스터(TRd), 캐패시터(Cst) 및 상기 표시 소자(OLED)를 포함할 수 있다.
이를 보다 상세히 설명하면, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs) 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)는 베이스 기판(111) 상에 배치될 수 있다. 상기 베이스 기판(111)은 리지드 타입(Rigid type)의 베이스 기판일 수 있으며, 플렉서블 타입(Flexible type)의 베이스 기판일 수도 있다. 상기 리지드 타입의 베이스 기판은 유리 베이스 기판, 석영 베이스 기판, 유리 세라믹 베이스 기판 및 결정질 유리 베이스 기판 중 하나일 수 있다. 상기 플렉서블 타입의 베이스 기판은 고분자 유기물을 포함하는 필름 베이스 기판 및 플라스틱 베이스 기판 중 하나일 수 있다. 상기 베이스 기판(111)에 적용되는 물질은 제조 공정시 높은 처리 온도에 대해 저항성(또는 내열성)을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs) 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)는 각각 상기 베이스 기판(111) 상에 배치된 반도체 활성층(SA), 상기 반도체 활성층(SA)에 절연된 게이트 전극(GE), 및 상기 반도체 활성층(SA)에 접속하는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 구비할 수 있다.
상기 반도체 활성층(SA)은 비정질 실리콘(a-Si), 다결정 실리콘(p-Si) 및 산화물 반도체 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 반도체 활성층(SA)은 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)과 접속하는 영역은 불순물이 도핑 또는 주입된 소스 영역 및 드레인 영역일 수 있으며, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이의 영역은 채널 영역일 수 있다. 여기서, 상기 산화물 반도체는 Zn, In, Ga, Sn 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 산화물 반도체는 IGZO(Indium-Gallium-Zinc Oxide)를 포함할 수 있다.
한편, 도면 상에는 도시하지 않았으나, 상기 반도체 활성층(SA)이 산화물 반도체를 포함하는 경우, 상기 산화물 반도체 활성층(SA)의 상부 및 하부에 상기 산화물 반도체 활성층(SA)으로 유입되는 광을 차단하기 위한 광 차단막을 배치할 수도 있다.
상기 반도체 활성층(SA) 및 상기 베이스 기판(111) 사이에는 버퍼층(112)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(112)은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막 중 어느 하나일 수 있으며, 상기 실리콘 산화막 및 상기 실리콘 질화막을 포함하는 다중막 구조일 수 있다. 상기 버퍼층(112)은 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd) 및 상기 표시 소자(OLED)로 불순물이 확산되는 것을 방지하고, 수분 및 산소의 침투를 방지한다. 또한, 상기 버퍼층(112)은 상기 베이스 기판(111)의 표면을 평탄화할 수 있다.
상기 반도체 활성층(SA) 및 상기 베이스 기판(111) 상에는 상기 반도체 활성층(SA)을 커버하여, 상기 반도체 활성층(SA) 및 상기 게이트 전극(GE)을 절연시키는 게이트 절연막(113)이 배치될 수 있다. 상기 게이트 절연막(113)은 실리콘 산화물(SiO2) 및 실리콘 질화물(SiNx) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연막(113)의 상에는 상기 게이트 전극(GE) 및 제1 캐패시터 전극(C1)이 배치될 수 있다. 여기서, 상기 게이트 전극(GE)은 상기 반도체 활성층(SA)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다. 또한, 상기 게이트 전극(GE)은 광을 반사시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연막(113) 및 상기 게이트 전극(GE) 상에는 층간 절연막(113)이 배치될 수 있다. 상기 층간 절연막(113)은 상기 게이트 절연막(113)과 같이 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 층간 절연막(113)은 상기 반도체 활성층(SA)의 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역의 일부를 노출시킬 수 있다.
상기 층간 절연막(113) 상에는 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE), 및 제2 캐패시터 전극(C2)이 배치될 수 있다. 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE), 및 상기 제2 캐패시터 전극(C2)은 광을 반사시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE), 및 상기 제2 캐패시터 전극(C2)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al-alloy)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 층간 절연막에 의해 상기 게이트 전극(GE)과 절연될 수 있다. 또한, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 접속한다.
한편, 본 실시예에서는 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd) 및 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs) 모두가 탑 게이트(Top Gate) 구조의 박막 트랜지스터인 경우를 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd) 및 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs) 중 적어도 하나는 바텀 게이트(Bottom Gate) 구조의 박막 트랜지스터일 수 있다.
상기 캐패시터(Cst)는 제1 캐패시터 전극(C1) 및 제2 캐패시터 전극(C2)을 구비한다. 상기 제 1 캐패시터 전극(C1)은 상기 게이트 전극(GE)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 동일층 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 캐패시터 전극(C2)은 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 동일층 상에 배치될 수 있다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd) 및 상기 캐패시터(Cst)가 배치된 상기 베이스 기판(111) 상에는 보호막(115)이 배치된다. 즉, 상기 보호막(115)은 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd) 및 상기 캐패시터(Cst)를 커버할 수 있다. 또한, 상기 보호막(115)은 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출시키는 콘택 홀(CH)을 구비할 수 있다.
상기 보호막(115)은 적어도 하나의 막을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 보호막(115)은 무기 보호막 및 상기 무기 보호막 상에 배치되는 유기 보호막을 포함할 수 있다. 상기 무기 보호막은 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기 보호막은 아크릴(Acryl), PI(Polyimide), PA(Polyamide) 및 BCB(Benzocyclobutene) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 즉, 상기 유기 보호막은 투명하고, 유동성이 있어 하부 구조의 굴곡을 완화시켜 평탄화시킬 수 있는 평탄화막일 수 있다.
상기 보호막(115) 상에는 상기 표시 소자(OLED)가 배치될 수 있다. 상기 표시 소자(OLED)는 상기 표시 패널(100)에 따라 액정 표시 소자(Liquid Crystal Display Device), 전기 영동 표시 소자(Electro-Phoretic Display Device), 전기 습윤 표시 소자(Electro-Wetting Display Device), 및 유기 발광 표시 소자(Organic Light Eemitting Display Device) 중 하나일 수 있다. 본 실시예에서는 상기 표시 소자(OLED)로 상기 유기 발광 표시 소자를 예로서 설명한다.
상기 표시 소자(OLED)는 상기 드레인 전극(DE)과 접속하는 제1 전극(E1), 상기 제1 전극(E1) 상에 배치되는 유기막(OL), 상기 유기막(OL) 상에 배치되는 제2 전극(E2)을 포함할 수 있다.
본 실시예에서는 상기 제1 전극(E1)이 애노드 전극이며, 상기 제2 전극(E2)이 캐소드 전극인 경우를 예로써 설명한다.
상기 제1 전극(E1)은 상기 보호막(115) 상에 배치되고, 상기 드레인 전극(DE)과 접속할 수 있다. 상기 제1 전극(E1)은 상기 제2 전극(E2)에 비하여 일함수가 높은 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 도전막(E12)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(aluminum Zinc Oxide), GZO(gallium doped zinc oxide), ZTO(zinc tin oxide), GTO(Gallium tin oxide) 및 FTO(fluorine doped tin oxide) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(E1)은 화소 정의막(PDL)에 의하여 일부가 노출될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)은 폴리스티렌(polystylene), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리아미드(polyamide), 폴리이마이드(polyimide), 폴리아릴에테르(polyarylether), 헤테로사이클릭 폴리머(heterocyclic polymer), 파릴렌(parylene), 불소계 고분자, 에폭시 수지(epoxy resin), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 실록산계 수지(siloxane series resin) 및 실란 수지(silane) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 유기막(OL)은 적어도 발광층(EML)을 포함하며, 일반적으로 다층 박막 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 유기막(OL)은 정공을 주입하는 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공의 수송성이 우수하고 상기 발광층(emitting layer, EML)에서 결합하지 못한 전자의 이동을 억제하여 정공과 전자의 재결합 기회를 증가시키기 위한 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 주입된 전자와 정공의 재결합에 의하여 광을 출사하는 상기 발광층, 상기 발광층에서 결합하지 못한 정공의 이동을 억제하기 위한 정공 억제층(hole blocking layer, HBL), 전자를 상기 발광층으로 원활히 수송하기 위한 전자 수송층(electron transport layer, ETL), 및 전자를 주입하는 전자 주입층(electron injection layer, EIL)을 구비할 수 있다. 상기 발광층에서 생성되는 광의 색상은 적색(red), 녹색(grean), 청색(blue) 및 백색(white) 중 어느 하나일 수 있으나, 본 실시예에서 이를 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 발광층에서 생성되는 광의 색상은 마젠타(magenta), 시안(cyan), 옐로(yellow) 중 어느 하나일 수 있다.
상기 제2 전극(E2)은 상기 유기막(OL) 상에 배치되고, 상기 제1 전극(E1)에 비하여 일함수가 작은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(E2)은 Mo, W, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(E2)은 광을 투과시킬 수 있을 정도의 두께를 가질 수 있다.
한편, 상기 제2 전극(E2) 상에는 상기 제2 전극(E2)의 전압 강하(IR-drop)를 방지하기 위한 투명 도전막이 배치될 수도 있다. 상기 투명 도전막은 상기 제1 전극(E1)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
한편, 상기 비표시 영역(NDA)에서, 상기 제1 기판(110)은 상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE) 중 하나와 동일층 상에 배치되는 금속 패턴(MP)을 구비할 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 패턴(MP)은 상기 게이트 전극(GE)과 같이, 상기 게이트 절연막(113) 상에 배치될 수 있으며, 상기 층간 절연막(114)으로 커버될 수 있다. 상기 금속 패턴(MP)은 상기 봉지재(130)와 중첩되도록 배치될 수 있다. 따라서, 상기 금속 패턴(MP)은 상기 제1 기판(110) 및 상기 제2 기판(120)의 합착 시에 상기 봉지재(130)로 조사되는 레이저 또는 UV의 반사판으로 작용할 수 있다.
또한, 상기 금속 패턴(MP)은 상기 표시 영역(DA)을 둘러싸는 형상의 바디부(MP1), 및 상기 바디부(MP1)에서 상기 표시 영역(DA)의 반대 방향으로 돌출된 복수의 돌기부(MP2)들을 포함할 수 있다.
상기 돌기부(MP2)들이 돌출된 방향에 평행한 상기 바디부(MP1)의 폭(W1)은 200㎛ 이상일 수 있다. 상기 바디부(MP1)의 폭(W1)이 200㎛ 미만인 경우에는 상기 금속 패턴(MP)에서 반사되는 광이 충분하지 않을 수 있다. 따라서, 상기 봉지재(130)를 경화시키는 과정에서, 상기 봉지재(130)가 충분한 강도를 갖지 못할 수 있다. 따라서, 상기 제1 기판(110) 및 상기 제2 기판(120)의 합착 불량이 발생할 수 있다.
상기 돌기부(MP2)들은 상기 신호 수신부(600)와 중첩될 수 있다. 따라서, 상기 신호 수신부(600)는 상기 돌기부(MP2)들 사이의 영역을 통하여 외부 전파를 수신할 수 있다. 따라서, 상기 신호 수신부(600)는 상기 금속 패턴(MP) 전체와 중첩하여 발생할 수 있는 수신 감도의 저하를 방지할 수 있다.
또한, 상기 돌기부(MP2)들이 돌출된 방향에 수직한 방향의 상기 돌기부 (MP2)들의 폭(W2)은 20㎜ 이하일 수 있다. 또한, 인접하는 돌기부(MP2)들 사이의 거리(d1)는 1㎜ 내지 20㎜일 수 있다. 따라서, 외부 전파는 상기 돌기부(MP2)들 사이의 영역에서 투과될 수 있다. 따라서, 상기 금속 패턴(MP) 및 상기 신호 수신부(600)가 중첩되게 배치되더라도, 상기 신호 수신부(600)의 신호 수신 감도는 저하되지 않을 수 있다.
상기 돌기부(MP2)들 사이의 영역에는 상기 베이스 기판(111)을 노출시키는 복수의 패턴 홀(PH)들이 배치될 수 있다. 여기서, 인접하는 상기 패턴 홀(PH)들 사이의 거리(d2)는 20㎛ 이상일 수 있다. 상기 패턴 홀(PH)들 내부에는 상기 봉지재(130)가 충진될 수 있다. 따라서, 상기 봉지재(130)에 의한 상기 제1 기판(110) 및 상기 제2 기판(120) 사이의 합착력은 증가할 수 있다.
상기 제2 기판(120)은 상기 제1 기판(110)과 마주하며, 일반적인 봉지 기판일 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 기판(120)은 상기 베이스 기판(111)과 동일한 형태의 기판일 수 있다.
상기 봉지재(130)는 상기 금속 패턴(MP)과 중첩하게 상기 제1 기판(110) 및 상기 제2 기판(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 봉지재(130)는 광 경화성 실린트일 수 있다. 예를 들면, 상기 봉지재(130)는 레이저 또는 UV에 의하여 경화될 수 있다.
상기 봉지재(130)의 두께는 상기 금속 패턴(MP) 및 상기 제2 기판(120) 사이의 거리에 의존할 수 있다. 즉, 상기 봉지재(130)의 두께는 상기 금속 패턴(MP) 및 상기 제2 기판(120) 사이의 거리와 상기 금속 패턴(MP) 상부의 절연막의 두께의 차이일 수 있다.
상기 금속 패턴(MP) 및 상기 제2 기판(120) 사이의 거리는 상기 금속 패턴(MP)으로 입사되는 광 및 상기 금속 패턴(MP)에서 반사되는 광 사이에 보강 간섭이 일어날 수 있는 거리일 수 있다. 상기 보강 간섭 거리는 상기 금속 패턴(MP)으로 입사하는 광이 상기 금속 패턴(MP)에 의해 반사되는 정상파 조건에서 하기의 수학식 1로 정의될 수 있다.
여기서, n은 자연수일 수 있다.
따라서, 상기 봉지재(130)가 상기 금속 패턴(MP) 및 상기 제2 기판(120) 사이의 거리가 상기 보강 간섭 조건에 부합되도록 하는 두께를 가지면, 보다 효과적으로 상기 봉지재(130)의 경화가 가능하다.
상기와 같은 표시 패널(100)을 구비하는 표시 장치는 상기 돌기부(MP2)들 사이의 영역으로 상기 외부 전파가 투과 가능하다. 따라서, 상기 신호 수신부(600) 및 상기 금속 패턴(MP)이 중첩되더라도, 상기 신호 수신부(600)는 상기 외부 전파를 안정되게 수신할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하고 설명하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 전술한 바와 같이 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있으며, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
100; 표시 패널
110; 제1 기판
111; 베이스 기판 112; 버퍼층
113; 게이트 절연막 114; 층간 절연막
115; 보호막 120; 제2 기판
130; 봉지재 200; 하우징
300; 충격 흡수 시트 400; 윈도우 부재
500; 신호 수신부 DA; 표시 영역
NDA; 비표시 영역 AR; 투광 영역
NAR; 비투광 영역 NAR-I; 입력 아이콘 영역
TRs; 스위칭 박막 트랜지스터 TRd; 구동 박막 트랜지스터
SA; 반도체 활성층 GE; 게이트 전극
SE; 소스 전극 DE; 드레인 전극
Cst; 캐패시터 C1; 제2 캐패시터 전극
C2; 제2 캐패시터 전극 OLED; 표시 소자
E1; 제1 전극 OL; 유기막
E2; 제2 전극 MP; 금속 패턴
MP1; 바디부 MP2; 돌기부
PH; 패턴 홀
111; 베이스 기판 112; 버퍼층
113; 게이트 절연막 114; 층간 절연막
115; 보호막 120; 제2 기판
130; 봉지재 200; 하우징
300; 충격 흡수 시트 400; 윈도우 부재
500; 신호 수신부 DA; 표시 영역
NDA; 비표시 영역 AR; 투광 영역
NAR; 비투광 영역 NAR-I; 입력 아이콘 영역
TRs; 스위칭 박막 트랜지스터 TRd; 구동 박막 트랜지스터
SA; 반도체 활성층 GE; 게이트 전극
SE; 소스 전극 DE; 드레인 전극
Cst; 캐패시터 C1; 제2 캐패시터 전극
C2; 제2 캐패시터 전극 OLED; 표시 소자
E1; 제1 전극 OL; 유기막
E2; 제2 전극 MP; 금속 패턴
MP1; 바디부 MP2; 돌기부
PH; 패턴 홀
Claims (16)
- 영상을 표시하는 표시 영역, 및 상기 표시 영역 외곽의 비표시 영역으로 구분되며, 상기 비표시 영역에 배치된 금속 패턴을 구비하는 제1 기판;
상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판; 및
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되고, 상기 금속 패턴과 중첩되게 배치되어 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 합착하는 봉지재를 포함하며,
상기 금속 패턴은
상기 표시 영역을 둘러싸는 형상의 바디부; 및
상기 바디부에서 상기 표시 영역의 반대 방향으로 돌출된 복수의 돌기부들을 포함하는 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 표시 영역에서, 상기 제1 기판은 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터에 접속하는 표시 소자를 구비하고,
상기 금속 패턴은 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 동일한 층에 배치되는 표시 패널. - 제2 항에 있어서,
상기 바디부의 폭은 200㎛ 이상인 표시 패널. - 제3 항에 있어서,
상기 돌기부들의 폭은 20㎜ 이하인 표시 패널 - 제4 항에 있어서,
인접하는 돌출부들 사이의 거리는 1㎜ 내지 20㎜인 표시 패널. - 제5 항에 있어서,
상기 인접하는 돌출부들 사이의 영역에 배치되고, 상기 베이스 기판을 노출시키는 적어도 하나의 패턴 홀을 더 포함하는 표시 패널. - 제6 항에 있어서,
인접하는 패턴 홀들 사이의 거리는 20㎛ 이상인 표시 패널. - 제2 항에 있어서,
상기 금속 패턴은 상기 게이트 전극과 동일한 층에 배치되는 표시 패널. - 영상을 표시하는 표시 영역, 및 상기 표시 영역 외곽의 비표시 영역으로 구분되는 표시 패널; 및
상기 비표시 영역에 중첩되고, 외부 전파를 수신하는 신호 수신부를 포함하며,
상기 표시 패널은
상기 표시 영역에 배치된 표시 소자, 및 상기 비표시 영역에 배치된 금속 패턴을 구비하는 제1 기판;
상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판; 및
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에서, 상기 금속 패턴과 중첩되게 배치되는 봉지재를 포함하며,
상기 금속 패턴은
상기 표시 영역을 둘러싸는 형상의 바디부; 및
상기 바디부에서 상기 표시 영역의 반대 방향으로 돌출되며, 상기 신호 수신부와 중첩되는 복수의 돌기부들을 포함하는 표시 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 표시 영역에서, 상기 제1 기판은 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터에 접속하는 표시 소자를 구비하고,
상기 금속 패턴은 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 동일한 층에 배치되는 표시 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 바디부의 폭은 200㎛ 이상인 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 돌기부들의 폭은 20㎜ 이하인 표시 장치. - 제12 항에 있어서,
인접하는 돌출부들 사이의 거리는 1㎜ 내지 20㎜인 표시 장치. - 제13 항에 있어서,
상기 인접하는 돌출부들 사이의 영역에 배치되고, 상기 베이스 기판을 노출시키는 적어도 하나의 더 패턴 홀을 포함하는 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
인접하는 패턴 홀들 사이의 거리는 20㎛ 이상인 표시 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 금속 패턴은 상기 게이트 전극과 동일한 층에 배치되는 표시 장치.
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