KR20150078641A - v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자 제조 방법은 기판 상에 수평성장을 이용하여 수평성장 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 수평성장 버퍼층 상에 제1도전형 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1도전형 질화물 반도체층 상에 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 질화물 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층 상에 제2도전형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 질화물 반도체층을 상기 제1도전형 질화물 반도체층보다 낮은 온도에서 형성하여, 상기 질화물 반도체층에서 v-피트가 형성되도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 제1도전형 질화물 반도체층; 상기 제1도전형 질화물 반도체층 상에 밀도가 1x1011/cm3 ~ 1x1014/cm3 인 v-피트가 형성된 질화물 반도체층; 상기 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성된 제2도전형 질화물 반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 활성층은 제2 v-피트를 포함할 수 있다.

Description

v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 {NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE WITH V-PIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 질화물 반도체 발광소자 제조 기술에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 질화물 반도체 성장 제어를 통하여 v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
질화물 반도체 발광소자는 실리콘과 같은 n형 불순물이 도핑된 n형 질화물 반도체층과 마그네슘과 같은 p형 불순물이 도핑된 p형 질화물 반도체층 사이에 활성층이 형성된 구조를 갖는다. 이러한 질화물 반도체 발광소자의 경우, n형 질화물 반도체층으로부터 공급되는 전자와 p형 질화물 반도체층으로부터 공급되는 정공이 활성층에서 재결합하면서 광을 발생시킨다.
한편, 이러한 질화물 반도체 발광소자가 v-피트(v-pit) 구조로 형성되어 있을 경우, 광 추출 효율이 향상될 수 있다고 알려져 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2010-0093872호에는 v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법이 개시되어 있다. 상기 문헌에 의하면, v-피트는 n 형 질화물 반도체층 상면에 형성되는데, 그 방법으로 n 형 질화물 반도체층의 성장 온도를 700~1000℃로 낮추거나, 1000℃ 이상의 온도로 n 형 질화물 반도체층을 형성한 후 화학적 에칭을 수행하는 것을 제시하고 있다.
그러나, n형 질화물 반도체층의 성장온도가 1000℃ 이하로 낮아질 경우, 도핑 불충분, 결정 품질 저하 등의 문제가 발생할 수 있고, 화학적 에칭을 수행하는 경우 MOCVD 공정 중단을 수반하므로 생산성이 저하되는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 결정 품질 저하, 생산성 저하 등의 문제를 해결하면서 v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명 다른 목적은 v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자 제조 방법은 (a) 기판 상에 수평성장을 이용하여 수평성장 버퍼층을 형성하는 단계; (b) 상기 수평성장 버퍼층 상에 제1도전형 질화물 반도체층을 형성하는 단계; (c) 상기 제1도전형 질화물 반도체층 상에 질화물 반도체층을 형성하는 단계; (d) 상기 질화물 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 활성층 상에 제2도전형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 (c) 단계에서 상기 질화물 반도체층을 상기 제1도전형 질화물 반도체층보다 낮은 온도에서 형성하여, 상기 질화물 반도체층에서 v-피트가 형성되도록 하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 (c) 단계의 질화물 반도체층은 상기 질화물 반도체층 내에 함유된 3족 원소 전체에 대하여 3원자% 이하의 인듐을 포함하고, 0.1~2㎛ 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, (c') 상기 (c) 단계 이후, 상기 질화물 반도체층 상에, ESD 보호용 InxAlyGa(1-x-y)N(0<x<1, 0 <y<1)층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, (c'') 상기 (c) 단계 이후, 상기 ESD 보호용 InxAlyGa(1-x-y)N(0<x<1, 0 <y<1)층 상에 제2 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 (c'') 단계의 제2 질화물 반도체층은 상기 제2 질화물 반도체층 내에 함유된 3족 원소 전체에 대하여 3원자% 이하의 인듐을 포함하고, 1nm~2㎛ 두께로 형성될 수 있다.
또한, 상기 (b) 단계의 제1도전형 질화물 반도체층은 1000℃ 이상의 온도에서 형성되고, 상기 (c) 단계의 질화물 반도체층은 800~900℃에서 형성될 수 있다.
또한, 상기 (c'') 단계의 제2 질화물 반도체층은 800~900℃에서 형성될 수 있다.
또한, 상기 (a) 단계의 수평성장 버퍼층은 100~700mbar의 압력에서 V/III ratio가 500~3000 조건으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 (a) 단계의 수평성장 버퍼층은 900~1300℃에서 형성될 수 있다.
또한, (a') 상기 (a) 단계 이후, 상기 수평성장 버퍼층 상에, 1000℃ 이상의 온도에서 누설전류차단용 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 제1도전형 질화물 반도체층; 상기 제1도전형 질화물 반도체층 상에 밀도가 1x1011/cm3 ~ 1x1014/cm3 인 v-피트가 형성된 질화물 반도체층; 상기 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성된 제2도전형 질화물 반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 활성층은 제2 v-피트를 포함할 수 있다.
또한, 상기 질화물 반도체 층은 상기 질화물 반도체층 내에 함유된 3족 원소 전체에 대하여 3원자% 이하인 인듐을 포함하고, 0.1~2㎛두께로 형성되며, 밀도가 1x1011/cm3 ~ 1x1014/cm3 인 제3 v-피트가 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1도전형 질화물 반도체층 하부에는 수평성장으로 형성된 버퍼층이 더 형성되어 있을 수 있다. 또한 상기 버퍼층과 상기 제1도전형 질화물 반도체층 사이에 누설전류차단용 질화물 반도체층이 더 포함되어 있을 수 있다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자 제조 방법에 의하면, 수평성장으로만 버퍼층을 형성한 결과, 관통전위가 제1도전형 질화물 반도체층을 거쳐 질화물 반도체층까지 성장하고, 질화물 반도체층의 성장 조건을 제어함으로써 질화물 반도체층의 관통전위 상에 v-피트가 형성될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자의 활성층 하부 구조를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 도 1의 활성층 하부 구조가 적용된 질화물 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 활성층 하부 구조를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 4는 도 3의 활성층 하부 구조가 적용된 질화물 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 것이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 v-피트를 구비하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자의 활성층 하부 구조를 개략적으로 나타낸 것이고, 도 2는 도 1의 활성층 하부 구조가 적용된 질화물 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 것이다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 통상의 질화물 반도체 발광소자와 마찬가지로 제1도전형 질화물 반도체층과 제2도전형 질화물 반도체층 사이에 활성층이 개재된 구조를 갖는다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 수평성장 버퍼층(110), 제1도전형 질화물 반도체층(120) 및 질화물 반도체층(130)을 포함한다. 또한, 질화물 반도체층(130) 상에 형성되는 활성층(170) 및 제2도전형 질화물 반도체층(180)을 포함한다. 제1도전형 질화물 반도체층(120)은 n형 질화물 반도체층 또는 p형 질화물 반도체층일 수 있으며, 제2도전형 질화물 반도체층(180)은 제1도전형 질화물 반도체층(120)과 반대되는 전기적 특성을 나타낸다. 바람직하게는 제1도전형 질화물 반도체층(120)은 n형 질화물 반도체층이고, 제2도전형 질화물 반도체층(180)은 p형 질화물 반도체층이다.
이때, 질화물 반도체층(130)은 제1도전형 질화물 반도체층(120) 상에 형성되며, v-피트(135)가 형성되어 있다. 이러한 v-피트(135)는 수평성장 버퍼층(110)을 수평성장시켜 관통전위(115)가 제1도전형 질화물 반도체층(120)을 관통하여 계속 성장되도록 하고, 질화물 반도체층(130)의 성장을 제어함으로써 관통전위(115) 상에 형성될 수 있다. 상기와 같은 원리로 형성된 v-피트의 밀도는 도 3에 도시된 예와 같이, 1x1011/cm3 이상 1x1014/cm3 이하가 될 수 있다. 질화물 반도체층(130)에서 형성되는 v-피트의 밀도가 상기 범위를 벗어날 경우, 파워별 전기적 특성이 저하될 수 있다.
이와 같이, 질화물 반도체층(130)에 v-피트가 형성되어 있을 경우, 질화물 반도체층(130) 상에 형성되는 활성층(170)까지 제2 v-피트가 형성될 수 있다. 활성층에 형성된 제2 v-피트의 사이즈는 질화물 반도체층(130)에 형성된 v-피트와 동일하거나 1/2 정도까지 감소할 수 있다.
질화물 반도체층(130)은 InGaN, 초격자(super lattice) 구조, GaN 등으로 형성될 수 있으며, InGaN으로 형성되는 것이 보다 바람직하다. 이때, 인듐의 농도는 질화물 반도체층(130) 내에 함유된 3족 원소 전체에 대하여 3원자% 이하일 수 있다. 이는 활성층(170)에서 인듐의 농도가 대략 10~15원자%인 것을 고려하면 매우 저농도에 해당한다.
또한, 질화물 반도체층(130)은 0.1~2㎛ 두께의 벌크층으로 형성되는 것이 바람직하다. 질화물 반도체층(130)의 경우, 두께가 0.1㎛ 미만일 경우에는 v-피트 형성이 거의 불가능하며, 2㎛ 이상일 경우에는 v-피트의 과도한 성장으로 상부층을 형성할 수 있는 성장면이 지나치게 줄어 들어 발광 효율이 감소될 수 있다.
한편, 수평성장 버퍼층(110)과 제1도전형 질화물 반도체층(120) 사이에는 누설전류차단용 질화물 반도체층(140)이 더 형성되어 있을 수 있다. 누설전류차단용 질화물 반도체층(140)은 AlGaN으로 형성될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 활성층 하부 구조를 개략적으로 나타낸 것이고, 도 4는 도 3의 활성층 하부 구조가 적용된 질화물 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 도시된 질화물 반도체 발광소자는 ESD 보호용 4성분계 질화물 반도체층(150)을 더 포함한다.
ESD 보호용 4성분계 질화물 반도체층(150)은 질화물 반도체층(130)과 활성층(미도시) 사이에 형성된다. 본 발명에서, ESD 보호용 4성분계 질화물 반도체층(150)은 InxAlyGa(1-x-y)N(0<x<1, 0 <y<1)로 형성된다.
또한, 도 3 및 도 4를 참조하면, 도시된 질화물 반도체 발광소자는 제2 질화물 반도체층(160)을 더 포함한다.
제2 질화물 반도체층(160)은 ESD 보호용 4성분계 질화물 반도체층(150)과 활성층(170) 사이에 형성된다.
이때, 제2 질화물 반도체층(160)은 전술한 질화물 반도체층(130)과 마찬가지로, 상기 질화물 반도체층 내에 함유된 3족 원소 전체에 대하여 3원자% 이하의 인듐을 포함하는 질화물 반도체층으로 형성될 수 있다. 다만, 전술한 질화물 반도체층(130)의 경우, 스트레인 완충을 위하여 두께가 최소 0.1㎛ 이상인 것이 바람직하나, 제2 질화물 반도체층(160)의 경우, 1nm~2㎛ 두께로 형성될 수 있다. 즉, 제2 질화물 반도체층(160)은 벌크층으로 형성될 수 있으며, 또한 박막층으로 형성될 수 있다. 제2 질화물 반도체층(160)은 스트레인 완충층의 역할 및 정공차단층의 역할을 할 수 있다.
이하, 상기와 같은 특징을 갖는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법에 대하여, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명하기로 한다.
우선, 기판 상에 수평성장을 이용하여 수평성장 버퍼층(110)을 형성한다. 기판은 사파이어 기판, SiC 기판 등 공지된 다양한 기판을 이용할 수 있고, 보다 바람직하게는 PSS(Patterned Sapphire Substrate)를 이용하는 것이다.
본 단계에서는 초기부터 수평성장만으로 형성될 수 있으며, 성장 조건을 조절함으로써 그 결과 빠른 성장과 함께 관통전위가 형성되는 밀도를 자유롭게 조절할 수 있다.
수평성장 버퍼층(110)은 고온 저압의 조건이 유리하다. 보다 구체적으로, 수평성장 버퍼층(110)은 100~700mbar의 압력에서 V/III ratio가 500~3000 조건으로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 수평성장 버퍼층(110)은 900~1300℃에서 형성되는 것이 바람직하다. 상기 온도는 pyrometer 방식으로 측정된 기판 표면 온도가 될 수 있다.
상기의 압력, V/III ratio 및 온도 조건을 벗어날 경우, 수평성장이 아닌 수직성장이 진행되거나, 결정 품질이 크게 저하될 수 있다.
다음으로, 수평성장 버퍼층(110) 상에 제1도전형 질화물 반도체층(120)을 형성한다.
다음으로, 제1도전형 질화물 반도체층(120) 상에 질화물 반도체층(130)을 형성한다. 질화물 반도체층(130)은 전술한 바와 같이, InGaN, 초격자 구조, GaN 등으로 형성될 수 있으며, 인듐 농도는 질화물 반도체층 내에 함유된 3족 원소 전체에 대하여 3원자% 이하이며 InGaN으로 형성되는 것이 보다 바람직하다.
이때, 질화물 반도체층(130)까지 성장하는 관통 전위 상에 v-피트를 형성하기 위하여, 질화물 반도체층(130)은 제1도전형 질화물 반도체층(120)보다 낮은 온도에서 형성한다. 질화물 반도체층(130)이 성장될 때 제1도전형 질화물 반도체층(120) 성장 온도에 비하여 상대적으로 낮은 온도에서는　
Figure pat00001
면으로 성장이 이루어지며,　특히 관통전위 정점에서의 결합에너지가 다르기 때문에 이 정점에서
Figure pat00002
면을 갖는 v-pit이 생성될 수 있다. 반대로, 질화물 반도체층(130)의 성장 온도가 1000℃ 이상으로 제1도전형 질화물 반도체층(120)과 동등한 온도라면 표면 평탄화로 인하여 v-피트 형성이 어렵다.
보다 구체적으로, 제1도전형 질화물 반도체층(120)은 1000℃ 이상의 온도, 보다 바람직하게는 1000~1200℃에서 형성되는 것이 바람직하다. 그리고, 질화물 반도체층(130)은 800~900℃에서 형성되는 것이 바람직하다. 제1도전형 질화물 반도체층(120)의 성장 온도가 1000℃ 미만일 경우, 결정 품질이 저하될 수 있다. 그리고, 질화물 반도체층(130)의 성장 온도가 800℃ 미만일 경우, 결정 품질이 크게 저하될 수 있고, 900℃를 초과하는 경우, 형성되는 v-피트 수가 불충분하여, 질화물 반도체층 상면에서의 v-피트 밀도가 1x1011/cm3 이상 1x1014/cm3 이하가 되기 어려워질 수 있다.
필요에 따라서는, 수평성장 버퍼층(110)과 제1도전형 질화물 반도체층(120) 사이에, 1000℃ 이상의 온도에서 누설전류차단용 질화물 반도체층(140)을 더 형성할 수 있다. 누설전류차단용 질화물 반도체층(140)은 AlGaN으로 형성될 수 있으며, 1000℃ 이상의 온도에서 형성될 때 평탄한 막을 형성하여 누설전류차단 효과를 충분히 발휘할 수 있다.
상기와 같은 공정을 수행한 후에는 v-피트가 형성된 질화물 반도체층(130) 상에 활성층(170)을 형성한다. 활성층(170)은 질화물 반도체층(130)에서 형성된 v-피트에 기인하는 제2 v-피트가 형성될 수 있다.
이후, 활성층(170) 상에 제2도전형 질화물 반도체층(180)을 형성한다. 제2도전형 질화물 반도체층(180) 성장과정에서 1000℃ 이상의 고온이 적용되어 v-피트가 평탄화될 수 있으나, 900℃ 정도의 저온이 적용되어 v-피트 형상이 남아 있을 수도 있다.
또한, 도 3 및 도 4에 도시된 예와 같이 질화물 반도체층(130) 상에 ESD 보호용 4성분계 질화물 반도체층(150)을 더 형성할 수 있다. ESD 보호용 4성분계 질화물 반도체층(150)은 InxAlyGa(1-x-y)N(0<x<0.1, 0.1<y<0.5)으로 형성될 수 있다.
또한, ESD 보호용 4성분계 질화물 반도체층(150) 상에 제2 질화물 반도체층(160)을 더 포함할 수 있다. 제2 질화물 반도체층(160)은 전술한 질화물 반도체층(130)과 마찬가지로, 인듐 농도가 상기 질화물 반도체층 내에 함유된 3족 원소 전체에 대하여 3원자% 이하인 질화물 반도체층으로 형성될 수 있다. 다만, 제2 질화물 반도체층(160)은 1nm~2㎛ 두께의 박막층 혹은 벌크층의 형태로 형성될 수 있다.
한편, 제2 질화물 반도체층(160)의 경우, 전술한 질화물 반도체층(130)과 마찬가지로 v-피트를 형성할 수 있는 성장 온도, 즉 800~900℃에서 형성되어, 도 3에 도시된 예와 같이, 추가의 v-피트(135a)가 형성될 수 있다. 따라서, 제2 질화물 반도체층(160)의 경우, 제1 질화물 반도체층(130)에서 형성된 v-피트에 기인하는 v-피트와 추가의 v-피트(135a)를 포함하여, 제3 v-피트가 형성될 수 있다. 제3 v-피트 역시 밀도는 1x1011/cm3 ~ 1x1014/cm3 일 수 있다.
실시예
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
1. 질화물 반도체 발광소자 제조
실시예
PSS(Patterned Sapphire Substrate) 상에 비도핑 GaN층, n-GaN층, 인듐 농도가 1원자%인 0.3㎛ 두께의 n-InGaN층, InGaN/GaN 다중양자우물 구조의 활성층, p-GaN층을 순차로 형성하여, 질화물 반도체 발광소자를 제조하였다.
이때, 비도핑 GaN층을 수평 성장만으로 형성하였으며, n-InGaN층을 850℃에서 성장하였다.
비교예
비도핑 GaN층을 수직 성장시킨 후 수평 성장시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로 질화물 반도체 발광소자를 제조하였다.
2. 특성 평가
표 1은 실시예 및 비교예의 특성 평가 결과를 나타내었다. 표 1에서는 비교예의 특성을 100%로 한 상대적인 값으로 실시예의 특성을 나타내었다.
[표 1]
Figure pat00003
표 1을 참조하면, 실시예의 경우, 120mA에서의 VF(순방향 전압 강하) 및 PO(적분구 발광출력) 특성이 향상된 것을 볼 수 있다.
또한, 실시예 및 비교예에 따른 발광소자의 질화물 반도체층의 v-피트 밀도 및 RMS 거칠기를 측정한 결과, 실시예의 경우 5x1012/cm3 및 1.483nm를 나타내었고, 비교예의 경우 2x1010/cm3 및 1.121nm를 나타내었다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 기술자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형은 본 발명이 제공하는 기술 사상의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
110 : 수평성장 버퍼층
115 : 관통전위
120 : 제1도전형 질화물 반도체층
130 : 질화물 반도체층
135 : v-피트
140 : 누설전류차단용 질화물 반도체층
150 : ESD 보호용 4성분계 질화물 반도체층
160 : 제2 질화물 반도체층
170 : 활성층
180 : 제2도전형 질화물 반도체층

Claims (18)

  1. (a) 기판 상에 수평성장을 이용하여 수평성장 버퍼층을 형성하는 단계;
    (b) 상기 수평성장 버퍼층 상에 제1도전형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;
    (c) 상기 제1도전형 질화물 반도체층 상에 질화물 반도체층을 형성하는 단계;
    (d) 상기 질화물 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 활성층 상에 제2도전형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 (c) 단계에서, 상기 질화물 반도체층을 상기 제1도전형 질화물 반도체층보다 낮은 온도에서 형성하여, 상기 질화물 반도체층에서 v-피트가 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (c) 단계의 질화물 반도체층은 상기 질화물 반도체층 내에 함유된 3족 원소 전체에 대하여 3원자% 이하의 인듐을 포함하고,
    0.1~2㎛ 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    (c') 상기 (c) 단계 이후, 상기 질화물 반도체층 상에, ESD 보호용 InxAlyGa(1-x-y)N(0<x<1, 0 <y<1)층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    (c'') 상기 (c') 단계 이후, ESD 보호용 InxAlyGa(1-x-y)N(0<x<1, 0 <y<1)층 상에, 제2 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 (c'') 단계의 제2 질화물 반도체층은
    상기 제2 질화물 반도체층 내에 함유된 3족 원소 전체에 대하여 3원자% 이하의 인듐을 포함하고,
    1nm~2㎛ 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 (b) 단계의 제1도전형 질화물 반도체층은 1000℃ 이상의 온도에서 형성되고,
    상기 (c) 단계의 질화물 반도체층은 800~900℃에서 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 (c'') 단계의 제2 질화물 반도체층은 800~900℃에서 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 (a) 단계는
    100~700mbar의 압력에서 V/III ratio가 500~3000 조건으로 수평성장 버퍼층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 (a) 단계는
    900~1300℃에서 상기 수평성장 버퍼층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    (a') 상기 (a) 단계 이후, 상기 수평성장 버퍼층 상에, 1000℃ 이상의 온도에서 누설전류차단용 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법.
  11. 제1도전형 질화물 반도체층;
    상기 제1도전형 질화물 반도체층 상에 밀도가 1x1011/cm3 ~ 1x1014/cm3 인 v-피트가 형성된 질화물 반도체층;
    상기 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층; 및
    상기 활성층 상에 형성된 제2도전형 질화물 반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 활성층은 제2 v-피트를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 질화물 반도체층은
    상기 질화물 반도체층 내에 함유된 3족 원소 전체에 대하여 3원자% 이하의 인듐을 포함하고,
    0.1~2㎛ 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제1도전형 질화물 반도체층 하부에 수평성장으로 형성된 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 버퍼층과 상기 제1도전형 질화물 반도체층 사이에 형성된 누설전류차단용 질화물 반도체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 질화물 반도체층과 상기 활성층 사이에 형성된 ESD 보호용 InxAlyGa(1-x-y)N(0<x<1, 0<y<1)층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 ESD 보호용 InxAlyGa(1-x-y)N(0<x<1, 0<y<1)층과 상기 활성층 사이에 제2 질화물 반도체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제2 질화물 반도체층은
    상기 제2 질화물 반도체층 내에 함유된 3족 원소 전체에 대하여 3원자% 이하의 인듐을 포함하고,
    1nm~2㎛ 두께로 형성되며, 밀도가 1x1011/cm3 ~ 1x1014/cm3 인 제3 v-피트가 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
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