KR20150074793A - 피라졸계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자 - Google Patents

피라졸계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20150074793A
KR20150074793A KR1020130162896A KR20130162896A KR20150074793A KR 20150074793 A KR20150074793 A KR 20150074793A KR 1020130162896 A KR1020130162896 A KR 1020130162896A KR 20130162896 A KR20130162896 A KR 20130162896A KR 20150074793 A KR20150074793 A KR 20150074793A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
monocyclic
polycyclic
substituted
unsubstituted
formula
Prior art date
Application number
KR1020130162896A
Other languages
English (en)
Inventor
김용우
최진석
이도형
음성진
이주동
Original Assignee
희성소재 (주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 희성소재 (주) filed Critical 희성소재 (주)
Priority to KR1020130162896A priority Critical patent/KR20150074793A/ko
Publication of KR20150074793A publication Critical patent/KR20150074793A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D471/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00
    • C07D471/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D471/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D487/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)

Abstract

본 발명은 피라졸계 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것이다.

Description

피라졸계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자{PYRAZOLE-BASED COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 신규한 피라졸계 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것이다.
전계 발광 소자는 자체 발광형 표시 소자의 일종으로서, 시야각이 넓고, 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있다.
유기발광소자는 2개의 전극 사이에 유기박막을 배치시킨 구조를 가지고 있다. 이와 같은 구조의 유기발광소자에 전압이 인가되면, 2개의 전극으로부터 주입된 전자와 정공이 유기박막에서 결합하여 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 발하게 된다. 상기 유기박막은 필요에 따라 단층 또는 다층으로 구성될 수 있다.
유기박막의 재료는 필요에 따라 발광 기능을 가질 수 있다. 예컨대, 유기박막 재료로는 그 자체가 단독으로 발광층을 구성할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있고, 또는 호스트-도펀트계 발광층의 호스트 또는 도펀트 역할을 할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다. 그 외에도, 유기박막의 재료로서, 정공주입, 정공수송, 전자블록킹, 정공블록킹, 전자수송 또는 전자주입 등의 역할을 수행할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다.
유기발광소자의 성능, 수명 또는 효율을 향상시키기 위하여, 유기박막의 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
본 발명은 신규한 피라졸계 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
본 발명은 하기 화학식 1의 화합물을 제공한다:
Figure pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
X는 N 또는 CR6이고,
R1, R3 내지 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알콕시; C6 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 아릴옥시; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; C1 내지 C20의 치환 또는 비치환된 알킬아민; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴아민; 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민으로 이루어진 군으로부터 선택되고,
R2는 수소; 중수소; 할로겐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알콕시; C6 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 아릴옥시; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택된다.
또한, 본 발명은 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기발광소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
본 명세서에 기재된 화합물은 유기발광소자의 유기물층 재료로서 사용할 수 있다. 상기 화합물은 유기발광소자에서 정공주입재료, 정공수송재료, 발광재료, 전자수송재료, 전자주입재료 등의 역할을 할 수 있다. 또한, 상기 화합물은 유기발광소자의 인광 발광층의 호스트 재료로서도 사용될 수 있다.
도 1 내지 3은 본 발명의 실시상태들에 따른 유기발광소자의 전극과 유기물층의 적층순서를 예시한 것이다.
이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 명세서에 기재된 화합물은 상기 화학식 1로 표시될 수 있다. 구체적으로, 상기 화학식 1의 화합물은 상기와 같은 코어 구조 및 치환기의 구조적 특징에 의하여 유기발광소자의 유기물층 재료로 사용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, “치환 또는 비치환”이란 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알키닐; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴; C1 내지 C20의 알킬아민; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민; 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 상기 추가의 치환기들은 추가로 더 치환될 수도 있다.
본 명세서에 있어서, 알킬은 탄소수 1 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 알킬의 탄소수는 1 내지 60, 구체적으로 1 내지 40, 더욱 구체적으로, 1 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알케닐은 탄소수 2 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 알케닐의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로, 2 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알키닐은 탄소수 2 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 알키닐의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로, 2 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬은 탄소수 3 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 시클로알킬이 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 시클로알킬일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 헤테로시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴 등일 수도 있다. 시클로알킬의 탄소수는 3 내지 60, 구체적으로 3 내지 40, 더욱 구체적으로 5 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로시클로알킬은 헤테로원자로서 O, S, Se, N 또는 Si을 포함하고, 탄소수 2 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 헤테로시클로알킬이 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 헤테로시클로알킬일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴 등일 수도 있다. 헤테로시클로알킬의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로 3 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴은 탄소수 6 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 아릴이 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 아릴일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬, 헤테로시클로알킬, 헤테로아릴 등일 수도 있다. 아릴은 스피로기를 포함한다. 아릴의 탄소수는 6 내지 60, 구체적으로 6 내지 40, 더욱 구체적으로 6 내지 25일 수 있다. 아릴의 구체적인 예로는 페닐, 바이페닐, 트리페닐, 나프틸, 안트릴, 크라이세닐, 페난트레닐, 페릴레닐, 플루오란테닐, 트리페닐레닐, 페날레닐, 파이레닐, 테트라세닐, 펜타세닐, 플루오레닐, 인데닐, 아세나프틸레닐, 플루오레닐 등이나 이들의 축합고리가 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 스피로기는 스피로 구조를 포함하는 기로서, 탄소수 15 내지 60일 수 있다. 예컨대, 스피로기는 플루오렌기에 2,3-디하이드로-1H-인덴기 또는 시클로헥산기가 스피로 결합된 구조를 포함할 수 있다. 구체적으로, 스피로기는 하기 구조식의 기를 포함한다.
Figure pat00002
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴은 헤테로원자로서 S, O, Se, N 또는 Si을 포함하고, 탄소수 2 내지 60인 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 헤테로아릴이 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 헤테로아릴일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴 등일 수도 있다. 헤테로아릴의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로 3 내지 25일 수 있다. 헤테로아릴의 구체적인 예로는 피리딜, 피롤릴, 피리미딜, 피리다지닐, 푸라닐, 티오펜기, 이미다졸릴, 피라졸릴, 옥사졸릴, 이속사졸릴, 티아졸릴, 이소티아졸릴, 트리아졸릴, 푸라자닐, 옥사디아졸릴, 티아디아졸릴, 디티아졸릴, 테트라졸릴, 파이라닐, 티오파이라닐, 디아지닐, 옥사지닐, 티아지닐, 디옥시닐, 트리아지닐, 테트라지닐, 퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 퀴나졸리닐, 이소퀴나졸리닐, 나프티리딜, 아크리디닐, 페난트리디닐, 이미다조피리디닐, 디아자나프탈레닐, 트리아자인덴, 인돌릴, 인돌리지닐, 벤조티아졸릴, 벤즈옥사졸릴, 벤조이미다졸릴, 벤조티오펜기, 벤조푸란기, 디벤조티오펜기, 디벤조푸란기, 카바졸릴, 벤조카바졸릴, 페나지닐, 스피로비(디벤조실롤) 등이나 이들의 축합고리가 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 1에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알콕시; C6 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 아릴옥시; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 1에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알콕시; C6 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 아릴옥시; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 1에 있어서, R1은 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알콕시; C6 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 아릴옥시; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택되고, R2는 수소이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 1에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 1에 있어서, R1은 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택되고, R2는 수소이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 또는 3으로 표시된다.
[화학식 2]
Figure pat00003
[화학식 3]
Figure pat00004
상기 화학식 2 및 3에 있어서, 치환기의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 2에 있어서, R1 내지 R6 중 적어도 하나는 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 2에 있어서, R1, R2 및 R6 중 적어도 하나가 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴이다. 합성면에서 상기 치환기 위치가 유리하다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 2에 있어서, R1은 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 2에 있어서, R2는 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 2에 있어서, R6은 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 2에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 2에 있어서, R1 및 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 2에 있어서, R1, R2 및 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 2에 있어서, R1 내지 R6 중 적어도 하나는 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴, C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴, C1 내지 C20의 알킬아민, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민, 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴아민 중 적어도 하나로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴, C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴, C1 내지 C20의 알킬아민, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민, 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴아민 중 적어도 하나로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 2에 있어서, R1 내지 R6 중 적어도 하나는 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴, C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴, 및 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민 중 적어도 하나로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴, C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴, 및 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민 중 적어도 하나로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 2에 있어서, R1 내지 R6 중 적어도 하나는 C6 내지 C20의 단환 또는 다환의 아릴, C2 내지 C20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴, 및 C6 내지 C20의 단환 또는 다환의 아릴아민 중 적어도 하나로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 C6 내지 C20의 단환 또는 다환의 아릴, C2 내지 C20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴, 및 C6 내지 C20의 단환 또는 다환의 아릴아민 중 적어도 하나로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 3에 있어서, R1 내지 R5 중 적어도 하나는 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 3에 있어서, R1 및 R2 중 적어도 하나가 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴이다. 합성면에서 상기 치환기 위치가 유리하다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 3에 있어서, R1은 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 3에 있어서, R2는 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 3에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 3에 있어서, R1 내지 R5 중 적어도 하나는 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴, C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴, C1 내지 C20의 알킬아민, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민, 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴아민 중 적어도 하나로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴, C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴, C1 내지 C20의 알킬아민, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민, 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴아민 중 적어도 하나로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 3에 있어서, R1 내지 R5 중 적어도 하나는 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴, C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴, 및 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민 중 적어도 하나로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴, C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴, 및 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민 중 적어도 하나로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 3에 있어서, R1 내지 R5 중 적어도 하나는 C6 내지 C20의 단환 또는 다환의 아릴, C2 내지 C20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴, 및 C6 내지 C20의 단환 또는 다환의 아릴아민 중 적어도 하나로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 C6 내지 C20의 단환 또는 다환의 아릴, C2 내지 C20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴, 및 C6 내지 C20의 단환 또는 다환의 아릴아민 중 적어도 하나로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식들 중에서 선택될 수 있다.
Figure pat00005
Figure pat00006
Figure pat00007
Figure pat00008
Figure pat00009
Figure pat00010
Figure pat00011
Figure pat00012
전술한 화합물들은 후술하는 제조예를 기초로 제조될 수 있다. 후술하는 제조예들에서는 대표적인 예시들을 기재하지만, 필요에 따라, 치환기를 추가하거나 제외할 수 있으며, 치환기의 위치를 변경할 수 있다. 또한, 당기술분야에 알려져 있는 기술을 기초로, 출발물질, 반응물질, 반응 조건 등을 변경할 수 있다. 필요에 따라 나머지 위치의 치환기의 종류 또는 위치를 변경하는 것은 당업자가 당 기술분야에 알려져 있는 기술을 이용하여 수행할 수 있다.
본 발명의 또 하나의 실시상태는 전술한 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기발광소자를 제공한다. 구체적으로, 본 발명에 따른 유기발광소자는 양극, 음극 및 양극과 음극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.
도 1 내지 3에 본 발명의 실시상태들에 따른 유기발광소자의 전극과 유기물층의 적층 순서를 예시하였다. 그러나, 이들 도면에 의하여 본 발명의 범위가 한정될 것을 의도한 것은 아니며, 당 기술분야에 알려져 있는 유기발광소자의 구조가 본 발명에도 적용될 수 있다.
도 1에 따르면, 기판(100) 상에 양극(200), 유기물층(300) 및 음극(400)이 순차적으로 적층된 유기발광소자가 도시된다. 그러나, 이와 같은 구조에만 한정되는 것은 아니고, 도 2와 같이, 기판 상에 음극, 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 유기발광소자가 구현될 수도 있다.
도 3은 유기물층이 다층인 경우를 예시한 것이다. 도 3에 따른 유기발광소자는 정공주입층(301), 정공수송층(302), 발광층(303), 전자수송층(304) 및 전자주입층(305)를 포함한다. 그러나, 이와 같은 적층구조에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 발광층을 제외한 나머지 층은 생략될 수도 있고, 필요한 다른 기능층이 더 추가될 수 있다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 유기물층 중 1층 이상에 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
상기 화학식 1의 화합물은 단독으로 유기발광소자의 유기물층 중 1층 이상을 구성할 수 있다. 그러나, 필요에 따라 다른 물질과 혼합하여 유기물층을 구성할 수도 있다.
상기 화학식 1의 화합물은 유기발광소자에서 정공주입재료, 정공수송재료, 발광재료, 전자수송재료, 전자주입재료 등으로 사용될 수 있다. 한 예로서, 상기 화학식 1의 화합물은 유기발광소자의 전자 주입 및/또는 수송층 재료로서 사용될 수 있다. 또 한 예로서, 상기 화학식 1의 화합물은 유기발광소자의 정공 주입 및/또는 수송층 재료로서 사용될 수 있다. 또 한 예로서, 상기 화학식 1의 화합물은 유기발광소자의 발광층 재료로서 사용될 수 있다. 또 한 예로서, 상기 화학식 1의 화합물은 유기발광소자의 인광 발광층의 호스트 재료로서 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 유기발광소자에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물 이외의 재료를 하기에 예시하지만, 이들은 예시를 위한 것일 뿐 본 발명의 범위를 한정하기 위한 것은 아니며, 당 기술분야에 공지된 재료들로 대체될 수 있다.
양극 재료로는 비교적 일함수가 큰 재료들을 이용할 수 있으며, 투명 전도성 산화물, 금속 또는 전도성 고분자 등을 사용할 수 있다.
음극 재료로는 비교적 일함수가 낮은 재료들을 이용할 수 있으며, 금속, 금속 산화물 또는 전도성 고분자 등을 사용할 수 있다.
정공주입재료로는 공지된 정공주입재료를 이용할 수도 있는데, 예를 들면, 미국특허 제4,356,429호에 개시된 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 문헌 [Advanced Material, 6, p.677 (1994)]에 기재되어 있는 스타버스트형 아민 유도체류, 예컨대 TCTA, m-MTDATA, m-MTDAPB, 용해성이 있는 전도성 고분자인 Pani/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid: 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산) 또는 PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxy티오펜e)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonic acid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS(Polyaniline/Poly(4-styrene-sulfonate):폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)) 등을 사용할 수 있다.
정공수송재료로는 피라졸린 유도체, 아릴아민계 유도체, 스틸벤 유도체, 트리페닐디아민 유도체 등이 사용될 수 있으며, 저분자 또는 고분자 재료가 사용될 수도 있다.
전자수송재료로는 옥사디아졸 유도체, 안트라퀴노디메탄 및 이의 유도체, 벤조퀴논 및 이의 유도체, 나프토퀴논 및 이의 유도체, 안트라퀴논 및 이의 유도체, 테트라시아노안트라퀴노디메탄 및 이의 유도체, 플루오레논 유도체, 디페닐디시아노에틸렌 및 이의 유도체, 디페노퀴논 유도체, 8-히드록시퀴놀린 및 이의 유도체의 금속 착체 등이 사용될 수 있으며, 저분자 물질 뿐만 아니라 고분자 물질이 사용될 수도 있다.
전자주입재료로는 예를 들어, LiF가 당업계 대표적으로 사용되나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
발광재료로는 적색, 녹색 또는 청색 발광재료가 사용될 수 있으며, 필요한 경우 2 이상의 발광재료를 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 발광재료로서 형광 재료를 사용할 수도 있으나, 인광 재료로서 사용할 수도 있다. 발광재료로는 단독으로서 양극과 음극으로부터 각각 주입된 정공과 전자를 결합하여 발광시키는 재료가 사용될 수 도 있으나, 호스트 재료와 도펀트 재료가 함께 발광에 관여하는 재료들이 사용될 수도 있다.
본 발명에 따른 화합물이 인광 호스트 재료로서 사용되는 경우, 함께 사용되는 인광 도펀트 재료로는 당기술분야에 알려져 있는 것들을 사용할 수 있다.
예컨대, LL'MX, LL'L"M, LMXX', L2MX 및 L3M로 표시되는 인광 도펀트 재료를 사용할 수 있으나, 이들 예에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
여기서, L, L', L", X 및 X'는 서로 상이한 2좌 배위자이고, M은 8 면상 착체를 형성하는 금속이다.
M은 이리듐, 백금, 오스뮴 등이 될 수 있다.
L은 sp2 탄소 및 헤테로 원자에 의하여 M에 배위되는 음이온성 2좌 배위자이고, X는 전자 또는 정공을 트랩하는 기능을 할 수 있다. L의 비한정적인 예로는 2-(1-나프틸)벤조옥사졸, (2-페닐벤조옥사졸), (2-페닐벤조티아졸), (2-페닐벤조티아졸), (7,8-벤조퀴놀린), (티오펜기피리진), 페닐피리딘, 벤조티오펜기피리진, 3-메톡시-2-페닐피리딘, 티오펜기피리진, 톨릴피리딘 등이 있다. X의 비한정적인 예로는 아세틸아세토네이트(acac), 헥사플루오로아세틸아세토네이트, 살리실리덴, 피콜리네이트, 8-히드록시퀴놀리네이트 등이 있다.
더욱 구체적인 예를 하기에 표시하나, 이들 예로만 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00013
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 이들은 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위를 한정하기 위한 것은 아니다. 이하의 합성 및 실험에서 온도와 관련하여 기재된 "도"는 섭씨의 온도를 의미한다.
합성 방법
하기 반응식 1과 같은 방법으로 코어 구조 합성의 주요 중간체를 합성하고, 필요에 따라 반응식 2 내지 6과 같은 방법으로 치환기를 도입하여 화학식 1 내지 3의 화합물을 제조할 수 있었다. 하기 반응식 2 내지 6에서는 특정 위치의 치환기만을 대표적으로 예시하였으나, 당기술분야에 알려져 있는 기술을 기초로, 출발물질, 반응물질, 반응 조건 등을 변경하여 치환기를 추가하거나 제외할 수 있으며, 치환기의 위치를 변경할 수 있었다.
[반응식 1]
Figure pat00014
화합물 1-3의 제조
N-히드록시프탈이미드 4g을 아세톤 80mL 에 녹인 혼합용액에 트리에틸아민 3.5mL 를 첨가한 후 10분간 교반하였다. 반응 혼합물에 1-클로로-2,4-디니트로벤젠 5g을 넣은 후 상온에서 2시간 교반하였다. 반응이 종결된 후 얼음물에 투입하여 교반한 후 여과하고 메탄올 및 헥산으로 세척하여 목적화합물 1-3을 7.5g (93%) 얻었다.
화합물 1- 2 의 제조
화합물 1-3 7.5g을 디클로로메탄 200mL에 녹인 후 0도로 유지한 상태에서 히드라진 모노하이드레이트 4mL를 첨가한 후 4시간동안 교반하였다. 반응이 완결되면 0도에서 1N HCl를 부어 다시 교반하고 그 때 생성된 고체는 필터하여 아세토니트릴로 세척한 후 그 여액을 메틸렌 클로라이드로 추출하고 유기층은 MgSO4로 건조하여 목적화합물 1-2 7g (98%) 를 얻었다.
화합물 1- 1 의 제조
피리딘 2mL 를 정제수와 테트라히드로푸란 각각 10mL를 포함하는 혼합용액에 녹인 후 화합물 1-2 (7g) 을 첨가하였다. 반응용액을 40도에서 12시간 교반한 후 0도를 유지하면서 2.5N NaOH 120mL와 테트라히드로푸란 40mL에 녹인 토실클로라이드 9g을 투입하고 4시간 더 교반하였다. 반응이 완결되면 메틸렌 클로라이드로 추출하고 MgSO4 로 건조하여 목적화합물 1-1을 4g 얻었다.
화합물 2- 1 의 제조
피라진 2mL 를 정제수와 테트라히드로푸란 각각 10mL를 포함하는 혼합용액에 녹인 후 화합물 1-2 (7g) 을 첨가하였다. 반응용액을 40도에서 12시간 교반한 후 0도를 유지하면서 2.5N NaOH 120mL와 테트라히드로푸란 40mL에 녹인 토실클로라이드 9g을 투입하고 4시간 더 교반하였다. 반응이 완결되면 메틸렌 클로라이드로 추출하고 MgSO4로 건조하여 목적화합물 2-1을 4.2g 얻었다.
화합물 3- 1 의 제조
4-클로로피리딘 2.8mL를 정제수와 테트라히드로푸란 각각 10mL를 포함하는 혼합용액에 녹인 후 화합물 1-2 (7g) 을 첨가하였다. 반응용액을 40도에서 12시간 교반한 후 0도를 유지하면서 2.5N NaOH 120mL 와 테트라히드로푸란 40mL 에 녹인 토실클로라이드 9g을 투입하고 4시간 더 교반하였다. 반응이 완결된 후 메틸렌 클로라이드로 추출하고 MgSO4 로 건조하여 목적화합물 3-1을 5.2g 얻었다.
화합물 4- 1 의 제조
2-메틸피리딘 2.3mL를 정제수와 테트라히드로푸란 각각 10mL를 포함하는 혼합용액에 녹인 후 화합물 1-2 (7g) 을 첨가하였다. 반응용액을 40도에서 12시간 교반한 후 0도를 유지하면서 2.5N NaOH 120mL와 테트라히드로푸란 40mL에 녹인 토실클로라이드 9g을 투입하고 4시간 더 교반하였다. 반응이 완결되면 메틸렌 클로라이드로 추출하고 MgSO4 로 건조하여 목적화합물 4-1을 4.7g 얻었다.
화합물 5- 1 의 제조
4-클로로-2-메틸피리딘 3.2mL 를 정제수와 테트라히드로푸란 각각 10mL를 포함하는 혼합용액에 녹인 후 화합물 1-2 (7g) 을 첨가하였다. 반응용액을 40도에서 12시간 교반한 후 0도를 유지하면서 2.5N NaOH 120mL 와 테트라히드로푸란 40mL 에 녹인 토실클로라이드 9g을 투입하고 4시간 더 교반하였다. 반응이 완결되면 메틸렌 클로라이드로 추출하고 MgSO4 로 건조하여 목적화합물 5-1을 5.5g 얻었다.
[반응식 2]
Figure pat00015
[반응식 3]
Figure pat00016
[반응식 4]
Figure pat00017
[반응식 5]
Figure pat00018
[반응식 6]
Figure pat00019
상기 반응식 2 내지 6에 있어서, Ar1 내지 Ar3는 화학식 1의 R1의 정의와 같고, R 및 R2는 화학식 1의 R2 내지 R6의 정의와 같다.
화합물 A, B, C-1, D-1, E- 1 의 제조
피리디늄 일라이드(pyridinium ylide)(1-1, 2-1, 3-1, 4-1, 5-1; 1당량)를 1,4-디옥산(0.5M)에 녹인 후 아세틸렌 화합물(2.0 당량)과 PdBr2 (0.05 당량)와 P(n-Bu)3 (0.15 당량) 그리고 AgOBz (3당량)을 투입한 후 5시간동안 환류하였다. 반응이 완결되면 상온으로 낮춘 후 16시간동안 교반하였다. 디클로로메탄을 투입하여 반응 잔유물들을 고체로 석출시켜 제거한 후에 유기층을 포화 Na2CO3 수용액으로 세척하였다. Na2SO4로 탈수시킨 후 컬럼정제하여 목적화합물 A, B, C-1, D-1, E-1 화합물을 60~80% 수율로 얻을 수 있었다.
화합물 C, D, E 의 제조
피라졸로피리딘(C-1, D-1, E-1; 1당량)를 톨루엔(0.5M)에 녹인 후 Pd(PPh3)4 (0.05당량)와 K2CO3(3당량)를 투입한 후 톨루엔의 10% 에 해당하는 정제수를 투입하여 교반하였다. 10분 후에 110도까지 가열하여 환류시켜 반응이 완료될 때까지 교반시켰다. (일반적으로 5~10시간 교반하면 완료된다) 반응이 완료된 후 상온으로 냉각시킨 후 메틸렌 클로라이드로 추출하여 재결정 및 컬럼 정제를 통하여 목적화합물 C, D, E를 70~90% 수율로 얻을 수 있었다.
화합물 E- Br 의 제조
화합물 E, 피라졸로피리딘 (2-Ar, 5-R) 에 THF 로 녹인 후 NBS 를 1.5 당량 투입하여 상온에서 15시간 교반하였다. 반응이 완결되면 에틸아세테이트로 추출한 후 MgSO4 로 탈수하였다. 반응용액을 농축한 후 컬럼 정제를 통하여 목적화합물 E-Br을 80~90% 수율로 얻을 수 있었다.
화합물 E- R2 의 제조
화합물 E- Br, 피라졸로피리딘(2-Ar, 5-R, 3-Br)을 톨루엔으로 녹인 후 0.05 당량의 Pd(PPh3)4와 R2-보로네이트 1.5당량, 그리고 K2CO3 3당량을 넣고 교반하였다. 10분 후 정제수를 톨루엔의 10%만큼 적가한 후 가열하여 환류시켰다. 5~10시간동안 환류한 후 반응이 완결되면 상온으로 냉각한 후 과량의 에틸아세테이트를 투입하여 고체를 석출시켰다 (고체석출이 일어나지 않으면 에틸아세테이트로 추출한다). 과량의 메틸렌 클로라이드를 사용하여 고체를 모두 녹인 후 정제수로 세척한 후 MgSO4로 탈수하여 농축하였다. 농축된 반응액을 메탄올을 사용하여 제결정을 통하여 목적화합물 E- R2를 60~70% 수율로 얻을 수 있었다.
[제조예 1]
Figure pat00020
화합물 1-2-3 (벤조일(4-페닐피리딘-1-이움-1-일)아미드) 10g을 1,4-디옥산 50mL에 녹인 후 4-에티닐-1,1'-비페닐(1.2당량)과 PdBr2(0.05당량)와 AgOBz (0.1당량) 그리고 P(n-Bu)3(0.1당량)를 투입한 후 4h 환류시켰다. 반응이 완료된 후 메틸렌 클로라이드로 추출하고 컬럼 정제하여 화합물 1-2-2 (2-([1,1'-비페닐]-4-일)-5-페닐피라졸로[1,5-a]피리딘)를 9g 얻었다.
화합물 1-2-2 (2-([1,1'-비페닐]-4-일)-5-페닐피라졸로[1,5-a]피리딘) 9g을 테트라히드로푸란 50mL를 넣고 NBS를 투입한 후 반응 종결될 때까지 상온 교반하였다. 반응이 끝난 후 소디움 티오설페이트 수용액을 투입하여 에틸아세테이트로 3회 추출한 후 컬럼 정제하여 1-2-1 (2-([1,1'-비페닐]-4-일)-3-브로모-5-페닐피라졸로[1,5-a]피리딘) 을 10g 얻었다.
화합물 1-2-1 (2-([1,1'-비페닐]-4-일)-3-브로모-5-페닐피라졸로[1,5-a]피리딘) 10g에 [1,1'-비페닐]-4-일보론산, Pd(PPh3)4, K2CO3를 혼합한 후 톨루엔과 에탄올 그리고 H2O를 50ml 투입하였다. 각 용매의 비율은 톨루엔:EtOH:H2O=4:1:1 비율로 혼합하여 사용하였다. 반응용액을 8시간동안 환류시켰다. 반응종결은 TLC 로 확인하였으며 종결된 후 상온으로 냉각하여 메틸렌 클로라이드와 H2O를 넣어 추출한 후 유기층을 MgSO4로 탈수건조시켜 농축한 다음에 컬럼 및 메탄올로 재결정하여 화합물 1 (2,3-디([1,1'-비페닐]-4-일)-5-페닐피라졸로[1,5-a]피리딘)을 7g 얻었다.
[제조예 2]
Figure pat00021
화합물 1-1-3 (벤조일(피리딘-1-이움-1-일)아미드) 15g을 1,4-디옥산 150mL 에 녹인 후 2-(4-에티닐페닐)-9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센(1.2당량)과 PdBr2 (0.05당량)와 AgOBz(0.1당량) 그리고 P(n-Bu)3(0.1당량)를 투입한 후 4h 환류시켰다. 반응이 완료된 후 메틸렌 클로라이드로 추출하고 컬럼 정제하여 화합물 1-1-2 (2-(4-(9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센-2-일)페닐)피라졸로[1,5-a]피리딘)를 13g 얻었다.
화합물 1-1-2 (2-(4-(9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센-2-일)페닐)피라졸로[1,5-a]피리딘)) 13g을 테트라히드로푸란 100mL에 넣고 NBS(1.5당량)를 투입한 후 반응 종결될 때까지 상온 교반하였다. 반응이 끝난 후 소디움 티오설페이트 수용액을 투입하여 에틸아세테이트로 3회 추출한 후 컬럼 정제하여 화합물 1-1-1 (3-브로모-2-(4-(9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센-2-일)페닐)피라졸로[1,5-a]피리딘)을 13g 얻었다.
화합물 1-1-1 (3-브로모-2-(4-(9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센-2-일)페닐)피라졸로[1,5-a]피리딘) 13g에 페닐보론산(1.2당량), Pd(PPh3)4 (0.05당량), K2CO3(3 당량)를 혼합한 후 톨루엔과 에탄올 그리고 H2O 를 100mL 투입하였다. 각 용매의 비율은 톨루엔:EtOH:H2O=4:1:1 비율로 혼합하여 사용하였다. 반응용액을 8시간동안 환류시켰다. 반응종결은 TLC 로 확인하였으며, 종결된 후 상온으로 냉각하여 메틸렌 클로라이드와 H2O를 넣어 추출한 후 유기층을 MgSO4 로 탈수건조 시켜 농축한 다음에 컬럼 및 메탄올로 재결정하여 화합물 53 (2,3-디([1,1'-비페닐]-4-일)-5-페닐피라졸로[1,5-a]피리딘) 을 10g 얻었다.
[제조예 3]
Figure pat00022
화합물 1-1-3 (벤조일(피리딘-1-이움-1-일)아미드) 15g을 1,4-디옥산 150mL 에 녹인 후 9-에티닐-10-페닐안트라센(1.2당량)과 PdBr2(0.05당량)와 AgOBz(0.1당량) 그리고 P(n-Bu)3(0.1당량)를 투입한 후 4h 환류시켰다. 반응이 완료된 후 메틸렌 클로라이드로 추출하고 컬럼 정제하여 화합물 1-1-2 (2-(10-페닐안트라센-9-일)피라졸로[1,5-a]피라진)를 10g 얻었다.
화합물 1-1-2 (2-(10-페닐안트라센-9-일)피라졸로[1,5-a]피라진) 10g을 테트라히드로푸란 100mL에 넣고 NBS(1.5당량)를 투입한 후 반응 종결될 때까지 상온 교반하였다. 반응이 끝난 후 소디움 티오설페이트 수용액을 투입하여 에틸아세테이트로 3회 추출한 후 컬럼 정제하여 화합물 1-1-1 (3-브로모-2-(10-페닐안트라센-9-일)피라졸로[1,5-a]피라진)을 11g 얻었다.
화합물 1-1-1 (3-브로모-2-(10-페닐안트라센-9-일)피라졸로[1,5-a]피라진) 11g에 [1,1':2',1''-터페닐]-4-일보론산(1.2당량)와 Pd(PPh3)4(0.05당량), K2CO3(3 당량)를 혼합한 후 톨루엔과 에탄올 그리고 H2O를 100mL 투입하였다. 각 용매의 비율은 톨루엔:EtOH:H2O=4:1:1 비율로 혼합하여 사용하였다. 반응용액을 8시간동안 환류시켰다. 반응종결은 TLC로 확인하였으며 종결된 후 상온으로 냉각하여 메틸렌 클로라이드와 H2O 를 넣어 추출한 후 유기층을 MgSO4 로 탈수건조시켜 농축한 다음에 컬럼 및 메탄올로 재결정하여 화합물 87 (3-([1,1':2',1''-터페닐]-4-일)-2-(10-페닐안트라센-9-일)피라졸로[1,5-a]피라진 을 8g 얻었다.
[제조예 4]
Figure pat00023
화합물 4-1-3 (벤조일(피리딘-1-이움-1-일)아미드) 15g을 1,4-디옥산 150mL 에 녹인 후 4-에티닐-2,6-비스(4-(나프탈렌-1-일)페닐)피리딘(1.2당량)과 PdBr2(0.05당량)와 AgOBz(0.1당량) 그리고 P(n-Bu)3(0.1당량)를 투입한 후 4h 환류시켰다. 반응이 완료된 후 메틸렌 클로라이드로 추출하고 농축한 후 메탄올 200mL를 투입하여 녹였다. 상온에서 KOH를 투입한 후 12시간동안 교반한 후 반응이 완료되면 농축기를 사용하여 농축하였다. 농축된 반응액을 메틸렌 클로라이드를 이용하여 녹인 후 정제수와 함께 투입하여 상분리한 후 유기층을 Na2SO4를 사용하여 건조시켰다. 반응 혼합물을 컬럼 정제하여 화합물 4-1-2 (2-(2,6-비스(4-(나프탈렌-1-일)페닐)피리딘-4-일)피라졸로[1,5-a]피리딘-3-올)를 10g 얻었다.
화합물 4-1-2 (2-(2,6-비스(4-(나프탈렌-1-일)페닐)피리딘-4-일)피라졸로[1,5-a]피리딘-3-올) 10g을 테트라히드로푸란 150mL에 넣고 트리에틸아민 (2당량) 를 투입한 후 Tf2O(1.3당량)를 적가하였다. 반응 종결될 때까지 상온 교반한 다음 반응이 끝난 후 H2O와 에틸아세테이트로 3회 추출 및 농축한 후 컬럼 정제하여 화합물 4-1-1 (2-(2,6-비스(4-(나프탈렌-1-일)페닐)피리딘-4-일)피라졸로[1,5-a]피리딘-3-일 트리플루오로메탄설포네이트) 을 8g 얻었다.
화합물 4-1-1 (2-(2,6-비스(4-(나프탈렌-1-일)페닐)피리딘-4-일)피라졸로[1,5-a]피리딘-3-일 트리플루오로메탄설포네이트) 8g에 페닐보론산 (1.2당량)와 Pd(PPh3)4(0.05당량), K2CO3(3 당량)를 혼합한 후 톨루엔과 에탄올 그리고 H2O를 100mL 투입하였다. 각 용매의 비율은 톨루엔:EtOH:H2O=4:1:1 비율로 혼합하여 사용하였다. 반응용액을 8시간동안 환류시켰다. 반응종결은 TLC 로 확인하였으며 종결된 후 상온으로 냉각하여 메틸렌 클로라이드와 H2O를 넣어 추출한 후 유기층을 MgSO4 로 탈수건조시켜 농축한 다음에 컬럼 및 메탄올로 재결정하여 화합물 70 (2-(2,6-비스(4-(나프탈렌-1-일)페닐)피리딘-4-일)-3-페닐피라졸로[1,5-a]피리딘) 을 5g 얻었다.
[제조예 5]
Figure pat00024
화합물 5-1-3 (벤조일(4-클로로-2-메틸피리딘-1-이움-1-일)아미드) 15g을 1,4-디옥산 150mL에 녹인 후 2-(4-에티닐페닐)퀴놀린(1.2당량)과 PdBr2(0.05당량) 와 AgOBz(0.1당량) 그리고 P(n-Bu)3(0.1당량)를 투입한 후 4h 환류시켰다. 반응이 완료된 후 메틸렌 클로라이드로 추출하고 농축한 후 메탄올 200mL를 투입하여 녹였다. 상온에서 KOH를 투입한 후 12시간동안 교반한 후 반응이 완료되면 농축기를 사용하여 농축하였다. 농축된 반응액을 메틸렌 클로라이드를 이용하여 녹인 후 정제수와 함께 투입하여 상분리한 후 유기층을 Na2SO4를 사용하여 건조시켰다. 반응 혼합물을 컬럼 정제하여 화합물 5-1-2 (5-클로로-2-(4-(퀴놀린-2-일)페닐)피라졸로[1,5-a]피리딘-3-올)를 11g 얻었다.
화합물 5-1-2 (2-(2,6-비스(4-(나프탈렌-1-일)페닐)피리딘-4-일)피라졸로[1,5-a]피리딘-3-올) 11g을 테트라히드로푸란 150mL에 넣고 트리에틸아민 (2당량) 를 투입한 후 Tf2O(1.3당량)를 적가하였다. 반응 종결될 때까지 상온 교반한 다음 반응이 끝난 후 H2O와 에틸아세테이트로 3회 추출 및 농축한 후 컬럼 정제하여 화합물 5-1-1 (5-클로로-2-(4-(퀴놀린-2-일)페닐)피라졸로[1,5-a]피리딘-3-일 트리플루오로메탄설포네이트를 8g 얻었다.
화합물 5-1-1 (5-클로로-2-(4-(퀴놀린-2-일)페닐)피라졸로[1,5-a]피리딘-3-일 트리플루오로메탄설포네이트) 8g에 (4-(퀴놀린-2-일)페닐)보론산 (2.2당량)와 Pd(PPh3)4(0.05당량), K2CO3(3 당량)를 혼합한 후 톨루엔과 에탄올 그리고 H2O를 100mL 투입하였다. 각 용매의 비율은 톨루엔:EtOH:H2O=4:1:1 비율로 혼합하여 사용하였다. 반응용액을 8시간동안 환류시켰다. 반응종결은 TLC 로 확인하였으며 종결된 후 상온으로 냉각하여 메틸렌 클로라이드와 H2O를 넣어 추출한 후 유기층을 MgSO4로 탈수건조 시켜 농축한 다음에 컬럼 및 메탄올로 재결정하여 화합물 60 (2,2',2''-(피라졸로[1,5-a]피리딘-2,3,5-트리일트리스(벤젠-4,1-디일))트리퀴놀린)을 5g 얻었다.
치환기의 종류 및 위치를 변경한 것을 제외하고는 상기 제조예에 따라 화학식 1의 화합물을 제조하고, 그 합성확인결과를 표 1에 나타내었다.
화합물 1H NMR(CDCl3, 200Mz) MS/FAB
found calculated
1 δ = 8.45 (1H, d), 8.30 (2H, d), 7.85 (2H, d), 7.66 (1H, s), 7.53~7.51 (9H, m), 7.50~7.41 (9H, m), 7.25 (5H, m), 6.84 (1H, d) 498.62 498.21
10 δ = 8.46 (1H, s), 7.91 (4H, d), 7.66 (1H, s), 7.52~7.50 (12H, m), 7.41 (3H, dd), 7.40~7.38 (4H, m), 6.84 (1H, d) 522.64 522.21
11 δ = 8.44 (1H, d), 8.0 (2H, d), 7.92~7.91 (5H, m), 7.72 (1H, d), 7.66 (1H, s), 7.60~7.58 (3H, m), 7.52~7.49 (8H, m), 7.41 (2H, dd), 7.39 (4H, d), 6.82 (1H, d) 522.7 522.23
18 δ = 8.45 (1H, d), 8.0 (2H, d), 7.90 (4H, d), 7.71 (1H, d), 7.67 (1H, d), 7.59 (2H, d), 7.59 (1H, s), 7.53~7.51 (4H, m), 7.41 (1H, dd), 6.85 (1H, d), 6.66 (1H, s) 496.6 496.19
19 δ = 8.65 (1H, d), 8.45 (1H, d), , 8.42 (1H, d), 8.08 (1H, d), 8.04 (1H, d), 7.91 (4H, d), 7.61 (1H, d), 7.55 (2H, d), 7.52 (2H, m), 7.51~7.41 (3H, m), 7.39 (4H, d), 6.84 (1H, d), 6.65 (1H, s) 496.5 496.18
29 δ = 8.55 (1H, d), 8.45 (1H, d), 8.12 (1H, d), 8.0 (2H, d), 7.94 (1H, d), 7.92 (1H, d), 7.79 (2H, d), 7.68 (2H, d), 7.66 (1H, d), 7.63 (1H, d), 7.59~7.57 (3H, m), 7.52~7.50 (5H, m), 7.41 (1H, d), 7.33~7.25 (3H, m), 6.82 (1H, d) 561.67 561.22
33 δ = 8.55 (1H, d), 8.45 (1H, d), 8.12 (3H, d), 7.94~7.93 (2H, m), 7.88 (2H, d), 7.82 (2H, d), 7.79~7.71 (4H, m), 7.68~7.66 (3H, m), 7.63 (1H, d), 7.52~7.50 (5H, m), 7.41 (1H, d), 7.33 (1H, dd), 7.29 (1H, dd), 7.25 (1H, dd), 6.86 (1H, d) 635.75 635.24
39 δ = 8.45 (1H, d), 7.90~7.88 (4H, m), 7.80 (1H, s), 7.66 (1H, s), 7.54~7.51 (10H, m), 7.41~7.38 (6H, m), 7.20 (2H, t), 6.84 (1H, d), 6.81 (1H, d), 6.69 (2H, d), 6.63 (2H, d) 613.75 613.25
43 δ = 8.45 (1H, d), 7.87 (1H, d), 7.66 (1H, d), 7.62 (1H, d), 7.55~7.54 (3H, m), 7.52~7.51 (8H, m), 7.41~7.38 (3H, m), 7.28 (1H, dd), 7.20 (2H, t), 6.84 (1H, d), 6.81 (1H, d), 6.75 (1H, d), 6.69 (2H, s), 6.63 (2H, d), 6.58 (1H, d), 1.72 (6H, s) 629.79 629.28
49 δ = 8.45 (1H, d), 7.87 (1H, d), 7.66 (1H, d), 7.62 (1H, d), 7.54 (4H, d), 7.52 (6H, d), 7.51 (6H, d), 7.41 (3H, d), 7.33 (4H, d), 7.28~7.26 (3H, m), 6.84 (1H, d), 6.75 (1H, s), 6.69 (3H, d), 6.59 (1H, d) 830.02 829.35
53 δ = 8.39 (1H, d), 8.30 (2H, d), 8.13 (1H, s), 8.0 (4H, d), 7.97 (1H, d), 7.92~7.91 (4H, m), 7.85 (2H, d), 7.73 (2H, d), 7.61 (1H, d), 7.59~7.58 (6H, m), 7.44 (1H, d), 7.41 (1H, d), 7.39 (2H, d), 6.97 (1H, dd), 6.62 (1H, dd) 698.85 698.27
57 δ = 8.75 (6H, d), 8.45 (1H, d), 8.30 (2H, d), 7.99 (6H, d), 7.85 (2H, d), 7.66 (1H, s), 7.25 (8H, s), 6.84 (1H, d) 577.68 577.23
60 δ = 8.81 (6H, d), 8.45 (1H, d), 8.33 (2H, d), 8.10 (3H, m), 8.06 (3H, d), 7.98 (3H, d), 7.88 (2H, d), 7.78 (3H, m), 7.66 (1H, s), 7.60 (3H, m), 7.35 (3H, d), 7.28 (2H, d), 6.82 (1H, d) 727.85 727.27
62 δ = 8.81 (4H, d), 8.75 (4H, d), 8.4 (1H, d), 8.05 (2H, d), 7.99 (4H, d), 7.88 (4H, d), 7.7 (1H, s), 7.53~7.50 (8H, m), 7.41 (2H, d), 6.83 (1H, d) 563.77 563.26
70 δ = 8.81 (4H, d), 8.55 (2H, d), 8.42~8.40 (3H, m), 8.08 (2H, d), 8.06~8.03 (4H, m), 7.61 (2H, d), 7.55 (4H, d), 7.53~7.50 (4H, m), 7.41~7.39 (2H, m), 7.28 (4H, d), 7.0 (1H, dd), 6.6 (1H, dd) 675.82 675.27
77 δ = 8.64~8.62 (3H, m), 8.18 (1H, d), 8.12 (1H, d), 8.04 (1H, d), 7.88 (1H, dd), 7.82 (1H, dd), 7.71 (4H, d), 7.53~7.51 (4H, m), 7.41 (1H, d) 395.45 395.14
81 δ = 8.66~8.53 (3H, m), 8.0 (2H, d), 7.93~7.91 (5H, m), 7.73 (1H, d), 7.59~7.58 (3H, m), 7.53~7.50 (4H, m), 7.41~7.39 (3H, m) 497.59 497.19
87 δ = 8.63~8.62 (3H, m), 7.91 (4H, m), 7.85 (2H, d), 7.79 (2H, d), 7.52~7.47 (8H, m), 7.41~7.39 (6H, m), 7.25 (4H, m) 599.72 599.24
94 δ = 8.66~8.63 (3H, m), 8.55 (1H, d), 7.94 (1Ha, d), 7.91 (4H, d), 7.87 (1H, d), 7.77 (1H, s), 7.69 (1H, d), 7.58 (2H, m), 7.52~7.50 (6H, m), 7.45~7.39 (5H, m), 7.33 (1H, dd), 7.25 (4H, s) 688.82 688.26
101 δ = 8.63 (3H, m), 8.53 (1H,d), 8.12 (1H, d), 7.95 (1H, d), 7.80 (2H, d), 7.68 (2H, d), 7.62 (1H, dd), 7.54~7.51 (5H, m), 7.40 (1H, d), 7.33 ( 1H, d), 7.29 (1H, dd), 7.25 (1H, dd) 436.51 436.17
103 δ = 8.62~8.55 (5H, m), 8.12 (2H, d), 7.94 (2H, d), 7.79 (4H, d), 7.68 (4H, d), 7.63 (2H, d), 7.51 (2H, t), 7.33~7.25 (5H, m) 601.7 601.23
111 δ = 8.64~8.62 (3H, m), 7.88~7.84 (4H, m), 7.77~7.74 (4H, m), 7.54 (3H, d), 7.51~7.48 (8H, m), 7.41~7.36 (3H, m), 6.69 (2H, d) 538.64 538.22
113 δ = 8.63~8.61 (3H, m), 7.87 (1H, d), 7.62 (1H, d), 7.56~7.54 (5H, m), 7.52~7.48 (8H, m), 7.41 (2H, d), 7.38 (1H, dd), 7.28 (1H, dd), 6.75 (1H, s), 6.69 (4H, d), 6.58 (1H, d) 630.78 630.28
123 δ = 8.65~8.61 (3H, m), 8.30 (2H, d), 8.13 (1H, s), 8.00~7.85 (11H, m), 7.73 (2H, d), 7.61~7.39 (14H, m) 699.84 699.27
100 기판
200 양극
300 유기물층
301 정공주입층
302 정공수송층
303 발광층
304 전자수송층
305 전자주입층
400 음극

Claims (17)

  1. 하기 화학식 1의 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00025

    상기 화학식 1에 있어서,
    X는 N 또는 CR6이고,
    R1 및 R3 내지 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알콕시; C6 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 아릴옥시; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; C1 내지 C20의 치환 또는 비치환된 알킬아민; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴아민; 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민으로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    R2는 수소; 중수소; 할로겐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알콕시; C6 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 아릴옥시; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택된다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 또는 3으로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 2]
    Figure pat00026

    [화학식 3]
    Figure pat00027

    상기 화학식 2 및 3에 있어서, 치환기의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
  3. 청구항 2에 있어서, 화학식 2의 R1 내지 R6 중 적어도 하나는 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴인 것인 화합물.
  4. 청구항 2에 있어서, 화학식 2의 R1, R2 및 R6 중 적어도 하나가 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴인 것인 화합물.
  5. 청구항 2에 있어서, 화학식 2의 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴인 것인 화합물.
  6. 청구항 2에 있어서, 화학식 2의 R1 및 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴인 것인 화합물.
  7. 청구항 2에 있어서, 화학식 2의 R1, R2 및 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴인 것인 화합물.
  8. 청구항 2에 있어서, 화학식 2의 R1 내지 R6 중 적어도 하나는 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴, C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴, C1 내지 C20의 알킬아민, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민, 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴아민 중 적어도 하나로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴, C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴, C1 내지 C20의 알킬아민, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민, 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴아민 중 적어도 하나로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴인 것인 화합물.
  9. 청구항 2에 있어서, 화학식 3의 R1 내지 R5 중 적어도 하나는 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴인 것인 화합물.
  10. 청구항 2에 있어서, 화학식 3의 R1 및 R2 중 적어도 하나가 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴인 것인 화합물.
  11. 청구항 2에 있어서, 화학식 3의 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴인 것인 화합물.
  12. 청구항 2에 있어서, 화학식 3의 R1 내지 R5 중 적어도 하나는 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴, C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴, C1 내지 C20의 알킬아민, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민, 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴아민 중 적어도 하나로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴, C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴, C1 내지 C20의 알킬아민, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민, 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴아민 중 적어도 하나로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴인 것인 화합물.
  13. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식들로부터 선택되는 것인 화합물:
    Figure pat00028

    Figure pat00029

    Figure pat00030

    Figure pat00031

    Figure pat00032

    Figure pat00033

    Figure pat00034

    Figure pat00035
  14. 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상이 청구항 1 내지 13 중 어느 하나의 항의 화합물을 포함하는 유기발광소자.
  15. 청구항 14에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 중에서 선택되는 적어도 하나의 층인 것인 유기발광소자.
  16. 청구항 14에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층인 것인 유기발광소자.
  17. 청구항 14에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층은 전자수송층 또는 정공수송층인 것인 유기발광소자.
KR1020130162896A 2013-12-24 2013-12-24 피라졸계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자 KR20150074793A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130162896A KR20150074793A (ko) 2013-12-24 2013-12-24 피라졸계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130162896A KR20150074793A (ko) 2013-12-24 2013-12-24 피라졸계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150074793A true KR20150074793A (ko) 2015-07-02

Family

ID=53787844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130162896A KR20150074793A (ko) 2013-12-24 2013-12-24 피라졸계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20150074793A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107540614A (zh) * 2016-06-28 2018-01-05 三星显示有限公司 杂环化合物和包括其的有机发光器件
US11211567B2 (en) 2017-12-22 2021-12-28 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107540614A (zh) * 2016-06-28 2018-01-05 三星显示有限公司 杂环化合物和包括其的有机发光器件
CN107540614B (zh) * 2016-06-28 2022-10-14 三星显示有限公司 杂环化合物和包括其的有机发光器件
US11538999B2 (en) 2016-06-28 2022-12-27 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US11211567B2 (en) 2017-12-22 2021-12-28 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102295197B1 (ko) 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR101838689B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR101922269B1 (ko) Ｏｌｅｄ용 호스트 물질
KR20150074603A (ko) 플루오렌계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
JP6228299B2 (ja) 多環化合物およびこれを用いた有機発光素子
JP6615198B2 (ja) 含窒素多環式化合物及びこれを用いた有機発光素子
KR102004231B1 (ko) 피라졸 함유 다환고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR101453424B1 (ko) 질소함유 다환고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR20150027660A (ko) 질소함유 축합고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR101464133B1 (ko) 피라졸계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR20160124623A (ko) 함질소 다환 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
EP3281936A1 (en) Compound and organic electronic device using the same
KR20150010548A (ko) 질소함유 다환고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR20160001508A (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR20150076503A (ko) 피리미딘계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR20190033885A (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20150074793A (ko) 피라졸계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR101616501B1 (ko) 질소 함유 다환 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR101671277B1 (ko) 유기 전계 발광 소자용 화합물의 제조방법
KR101570189B1 (ko) 탄화수소계 축합고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR102508485B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101597334B1 (ko) 축합헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR20150058625A (ko) 헤테로원자를 함유하는 다환 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR20140140455A (ko) 벤조디이미다졸계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR20160001537A (ko) 피라졸계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid