KR20150073361A - 대면적기판 처리장치 - Google Patents

대면적기판 처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20150073361A
KR20150073361A KR1020130160970A KR20130160970A KR20150073361A KR 20150073361 A KR20150073361 A KR 20150073361A KR 1020130160970 A KR1020130160970 A KR 1020130160970A KR 20130160970 A KR20130160970 A KR 20130160970A KR 20150073361 A KR20150073361 A KR 20150073361A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
hole
head
diffuser cover
chamber
substrate
Prior art date
Application number
KR1020130160970A
Other languages
English (en)
Inventor
박재현
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130160970A priority Critical patent/KR20150073361A/ko
Publication of KR20150073361A publication Critical patent/KR20150073361A/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45565Shower nozzles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 대면적기판 처리장치에 관한 것으로서, 특히, 샤워헤드와 디퓨저 커버를 연결시키는 고정볼트에 형성되어 있는 볼트홀이, 일정한 각도로 기울어져 있는, 대면적기판 처리장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다. 이를 위해, 본 발명에 따른 대면적기판 처리장치는, 반응공간을 갖는 챔버; 대면적기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 챔버의 내부에서 상기 기판 지지부의 상단에 장착되며, 상기 대면적기판에 증착될 가스를 공급하는 디퓨저 커버; 상기 디퓨저 커버의 하단에 장착되어, 상기 가스를 상기 기판 지지부 방향으로 분사하기 위한 샤워헤드; 및 상기 샤워헤드와 상기 디퓨저 커버의 사이에 장착되어 상기 샤워헤드와 상기 디퓨저 커버를 연결시키는 고정볼트를 포함하며, 상기 고정볼트에는, 상기 디퓨저 커버와 상기 샤워헤드에 의해 형성되는 확산공간과 상기 샤워헤드에 형성되어 있는 헤드홀을 관통하고, 상기 헤드홀과 100도 내지 170도 중 어느 하나의 각도를 갖도록 형성되어 있는 볼트홀이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

대면적기판 처리장치{APPARATUS FOR TREATING A LARGE AREA SUBSTRATE}
본 발명은 기판에 가스를 분사하여 상기 기판에 박막을 형성하는 기판 처리장치에 관한 것으로서, 특히, 대면적기판에 가스를 분사하는, 대면적기판 처리장치에 관한 것이다.
휴대전화, 테블릿PC, 노트북 등을 포함한 다양한 종류의 전자제품에는 평판표시장치(FPD : Flat Panel Display)가 이용되고 있다. 평판표시장치에는, 액정표시장치(LCD : Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 표시장치(PDP : Plasma Display Device), 유기발광표시장치(OLED : Organic Light Emitting Display Device) 등이 있으며, 최근에는 전기영동표시장치(EPD : ELECTROPHORETIC DISPLAY)도 널리 이용되고 있다.
평판표시장치(이하, 간단히 '표시장치'라 함)들 중에서, 액정표시장치는 양산화 기술, 구동 수단의 용이성, 고화질의 구현이라는 장점으로 인하여 현재 가장 널리 상용화되고 있다.
표시장치들 중에서, 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display Device)는, 1ms 이하의 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮기 때문에, 차세대 표시장치로 주목받고 있다.
최근 들어, 상기한 바와 같은 표시장치의 면적이 커짐에 따라, 상기 표시장치를 구성하는 패널의 면적 역시 커지고 있다.
대면적을 갖는 상기 패널은, 대면적기판에 다양한 종류의 박막들이 형성되는 것에 의해 제조된다.
다양한 종류의 상기 박막들은, 물리 기상 증착(PVD : Physical Vapor Deposition)(이하, 간단히 'PVD'라 함) 방법, 또는, 화학 기상 증착(CVD : Chemical Vapor Deposition)(이하, 간단히 'CVD'라 함) 방법과 같은 다양한 증착 방법에 의해, 상기 대면적기판에 증착될 수 있다.
도 1은 종래의 기판 처리장치의 일실시예 구성도로서, 특히, 상기 화학 기상 증착 방법을 이용하고 있는 CVD 장치의 일실시예 구성도이다. 도 2는 도 1에 도시된 종래의 기판 처리장치에 적용되는 고정볼트의 일실시예 확대도로서, 도 1에 도시된 A영역을 확대한 확대도이다.
종래의 기판 처리장치 중, 상기 CVD 방법을 이용하는 종래의 CVD 장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판을 지지하는 기판 지지부(미도시), 상기 기판에 증착될 가스가 공급되는 가스공급관(70)이 장착되어 있는 디퓨저 커버(60), 연결부(30)에 의해 상기 디퓨저 커버(60)의 하단에 장착되어 있고, 상기 디퓨저 커버(60)와 일정 간격 이격되어 있으며, 상기 기판으로 상기 가스를 분사하기 위한 샤워헤드(20)를 포함하고 있다.
상기 디퓨저 커버(60)는 미도시된 챔버 내부에서, 상기 챔버에 장착되어 있다. 상기 디퓨저 커버(60)에는 상기 가스공급관(70)이 장착되어 있으며, 상기 가스공급관(70)과 연결되어 있는 가스공급부(미도시)로부터 공급된 가스는 상기 가스공급관(70)을 통해, 상기 디퓨저 커버(60)와 상기 샤워헤드(20) 사이에 형성되는 확산공간(40)으로 주입된다.
상기 샤워헤드(20)는 상기 확산공간(40)으로 주입된 상기 가스를, 샤워홀(21)을 통해 상기 챔버(미도시) 내부로 분사하는 기능을 수행한다.
이를 위해, 상기 샤워헤드(20)에는, 도 1에 도시된 바와 같이 복수의 샤워홀(21)이 형성되어 있다.
상기 연결부(30)는 상기 샤워헤드(20)를 상기 디퓨저 커버(60)의 하단 방향에 장착시키는 기능을 수행한다.
상기한 바와 같이 구성되어 있는 종래의 기판 처리장치에서는, 상기 디퓨저 커버(60)와 상기 기판 지지부(미도시) 사이에 전원이 공급되며, 상기 전원에 의해 상기 샤워헤드(20)와 상기 기판 지지부 사이에 전기장이 형성된다. 이 경우, 상기 전원으로는 일반적으로 교류전원이 이용된다.
상기 샤워헤드(20)의 상기 샤워홀(21)을 통과한 상기 가스는, 상기 전기장에 의해 상기 기판 지지부 방향으로 이동되어, 상기 기판 지지부에 놓여져 있는 상기 기판에 증착된다.
상기한 바와 같이, 표시장치의 면적이 커짐에 따라, 상기 표시장치를 구성하는 패널의 면적 역시 커지고 있으며, 상기 패널을 구성하는 기판의 크기 역시 대면적화되고 있다.
이 경우, 상기 기판 처리장치의 상기 기판 지지부에도 대면적화된 기판(이하, 간단히 '대면적기판'이라 함)이 놓여지고 있다.
따라서, 상기 기판 처리장치의 전체적인 크기도 커지고 있다. 이에 따라, 상기 기판 지지부(미도시), 상기 샤워헤드(20) 및 상기 디퓨저 커버(60)의 면적도 커지고 있다.
상기 샤워헤드(20) 및 상기 디퓨저 커버(60)의 면적이 커짐에 따라, 상기 샤워헤드(20) 및 상기 디퓨저 커버(60)의 중심부분이, 하부로 처지는 현상이 발생되고 있다.
상기 샤워헤드(20) 및 상기 디퓨저 커버(60)의 중심부분이, 하부로 처지는 현상이 발생됨에 따라, 상기 가스에 의해 상기 대면적기판에 증착되는 박막의 균일도가 저하되고 있다.
상기한 바와 같은 현상을 방지하기 위해, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 샤워헤드(20)의 중심부분에, 상기 샤워헤드(20)와 상기 디퓨저 커버(60)를 연결시키는 고정볼트(80)가 연결되고 있다.
그러나, 상기 고정볼트(80)에 의해, 상기 가스들이, 상기 확산공간(40)에서 균일하게 확산되지 못하는 경우가 발생될 수 있으며, 이러한 현상에 의해 균일한 박막이 상기 대면적기판에 증착될 수 없다.
이러한 현상을 방지하기 위해, 종래의 대면적기판 처리장치에 적용되는 상기 고정볼트(80)의 내부에는, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 확산공간(40)과 상기 샤워홀(21)을 관통하는 볼트홀(83)이 형성되어 있다.
그러나, 종래의 대면적기판 처리장치에 적용되는 상기 볼트홀(83)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 샤워홀(21)을 통과하는 상기 가스(Gas)의 진행방향과 수직한 방향으로, 상기 확산공간(40) 내부에 형성되어 있다.
따라서, 상기 볼트홀(83)을 통해 상기 샤워홀(21)로 배출되는 상기 가스의 흐름이 원활하지 않다. 이에 따라, 상기 대면적기판의 상단으로 유도되는 가스의 균일도가 저하되어, 상기 박막에 얼룩이 발생되고 있다.
또한, 상기한 바와 같은 종래의 대면적기판 처리장치에서는, 상기 디퓨저 커버(60)의 중심부분을 지지하는 별도의 구성이 없기 때문에, 상기 디퓨저 커버(60)의 중심부가 여전히 처지고 있으며, 이에 따라, 상기 박막의 균일도가 저하되고 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 샤워헤드와 디퓨저 커버를 연결시키는 고정볼트에 형성되어 있는 볼트홀이, 일정한 각도로 기울어져 있는, 대면적기판 처리장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 대면적기판 처리장치는, 반응공간을 갖는 챔버; 대면적기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 챔버의 내부에서 상기 기판 지지부의 상단에 장착되며, 상기 대면적기판에 증착될 가스를 공급하는 디퓨저 커버; 상기 디퓨저 커버의 하단에 장착되어, 상기 가스를 상기 기판 지지부 방향으로 분사하기 위한 샤워헤드; 및 상기 샤워헤드와 상기 디퓨저 커버의 사이에 장착되어 상기 샤워헤드와 상기 디퓨저 커버를 연결시키는 고정볼트를 포함하며, 상기 고정볼트에는, 상기 디퓨저 커버와 상기 샤워헤드에 의해 형성되는 확산공간과 상기 샤워헤드에 형성되어 있는 헤드홀을 관통하고, 상기 헤드홀과 100도 내지 170도 중 어느 하나의 각도를 갖도록 형성되어 있는 볼트홀이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 샤워헤드와 디퓨저 커버를 연결시키는 고정볼트에 형성되어 있는 볼트홀 및 상기 볼트홀과 연결되어 있는 샤워홀을 통해 가스가 원활하게 분사될 수 있다. 이에 따라, 상기 샤워헤드와 상기 디퓨저 커버가 장착되어 있는 챔버의 반응공간으로 상기 가스가 균일하게 분사될 수 있다.
상기 가스가 균일하게 분사됨에 따라, 상기 가스에 의해 상기 대면적기판에 형성되는 박막의 균일도가 향상될 수 있으며, 상기 대면적기판에서 얼룩이 발생되는 현상이 방지될 수 있다.
도 1은 종래의 기판 처리장치의 일실시예 구성도.
도 2는 도 1에 도시된 종래의 기판 처리장치에 적용되는 고정볼트의 일실시예 확대도.
도 3은 본 발명에 따른 대면적기판 처리장치의 일실시예 구성도.
도 4는 도 3에 도시된 본 발명에 따른 대면적기판 처리장치에 적용되는 고정볼트의 일실시예 확대도.
도 5는 본 발명에 따른 대면적기판 처리장치에 적용되는 고정볼트의 평면도.
도 6은 본 발명에 따른 대면적기판 처리장치에 적용되는 고정볼트의 수직 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 대면적기판 처리장치의 일실시예 구성도이다. 도 4는 도 3에 도시된 본 발명에 따른 대면적기판 처리장치에 적용되는 고정볼트의 일실시예 확대도로서, 도 3에 도시된 B영역을 확대한 확대도이다. 도 5는 본 발명에 따른 대면적기판 처리장치에 적용되는 고정볼트의 평면도이다. 도 6은 본 발명에 따른 대면적기판 처리장치에 적용되는 고정볼트의 수직 단면도이다.
액정표시장치(LCD) 또는 유기발광표시장치(OLED) 등과 같은 표시장치의 크기가 커짐에 따라, 상기 표시장치를 구성하는 패널의 면적 역시 커지고 있다.
따라서, 대면적의 상기 패널(이하, 간단히 '대면적패널'이라 함)을 구성하는 기판역시 대면적화되고 있다. 대면적화된 기판은 이하에서 간단히 대면적기판이라 한다. 이하에서는, 상기 대면적기판이 상기 대면적패널을 구성하는 기판인 경우를 일예로 하여 본 발명이 설명된다. 그러나, 상기 대면적기판은 반도체 제조공정에 이용되는 기판일 수도 있다.
상기 대면적기판에 다양한 종류의 박막들이 형성됨으로써, 상기 대면적패널이 제조되고 있다.
상기 대면적기판에 상기 박막들을 증착하는 방법에는, 물리 기상 증착(PVD : Physical Vapor Deposition)(이하, 간단히 'PVD'라 함) 방법, 또는, 화학 기상 증착(CVD : Chemical Vapor Deposition)(이하, 간단히 'CVD'라 함) 방법 등이 있다.
상기 대면적기판에 박막이 증착됨에 따라, 상기 대면적기판에 박막을 증착시키는 상기 증착장치(이하, 간단히 '대면적기판 처리장치'라 함)들의 규모 역시 커지고 있다.
본 발명에 따른 대면적기판 처리장치는, 가스를 공급하여 상기 대면적기판 상에 박막을 형성하는 장치로서, 예를 들어, 상기 CVD 방법을 이용하는 장치(이하, 간단히 'CVD 장치'라 함)가 될 수 있고, 또는, 유기 금속 화학 기상 증착(MOCVD : Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 방법을 이용하는 장치(이하, 간단히 'MOCVD 장치'라 함)가 될 수 있으며, 이외에도 다양한 장치들이 될 수 있다.
본 발명에 따른 대면적기판 처리장치는, 도 3에 도시된 바와 같이, 반응공간을 갖는 챔버(110), 대면적기판(200)을 지지하는 기판 지지부(190), 상기 챔버(110)의 내부에서 상기 기판 지지부(190)의 상단에 장착되며, 상기 대면적기판(200)에 증착될 가스를 공급하는 디퓨저 커버(160); 상기 디퓨저 커버(160)의 하단에 장착되어, 상기 가스를 상기 기판 지지부(190) 방향으로 분사하기 위한 샤워헤드(120); 및 상기 샤워헤드(120)와 상기 디퓨저 커버(160)의 사이에 장착되어 상기 샤워헤드(120)와 상기 디퓨저 커버(160)를 연결시키는 고정볼트(180)를 포함한다.
우선, 상기 챔버(110)는, 밀폐된 공간을 형성하고 있다. 상기 밀폐된 공간에는, 상기 디퓨저 커버(160), 상기 샤워헤드(120) 및 상기 기판 지지부(190)가 장착되어 있다. 상기 샤워헤드(120)로부터 분사된 상기 가스는 상기 밀폐된 공간을 통해 상기 기판 지지부(190) 방향으로 이동되어, 상기 기판 지지부(190)에 배치되어 있는 상기 대면적기판(200)에 증착된다.
상기 가스가 상기 대면적기판(200)에 증착됨으로써, 상기 박막이 형성된다.
상기 챔버(110)에는 상기 대면적기판(200)이 유입 또는 유출되는 도어(미도시)가 형성되어 있다.
다음, 상기 디퓨저 커버(160)는, 상기 디퓨저 커버(160)의 외곽 방향에서, 상기 챔버(110)의 측면들로부터 돌출되거나, 또는 상기 측면들에 장착되어 있는 지지부(150)에 의해, 상기 챔버(110)의 내부에 장착될 수 있다.
상기 디퓨저 커버(160)에는 가스가 공급되는 가스공급관(170)이 장착되어 있다. 상기 가스공급관(170)은 상기 디퓨저 커버(160)의 중심부분에 장착될 수 있다.
상기 가스공급관(170)은 상기 챔버(110)의 외부에 구비되어 있는 가스공급부(미도시)와 연결되어 있다. 상기 가스공급부(미도시)는 상기 박막의 증착에 이용되는 가스를 상기 가스공급관(170)으로 공급한다.
상기 가스에는, 상기 박막의 구성에 따라, 적어도 하나 이상의 서로 다른 가스들이 포함될 수 있다. 이 경우, 상기 가스공급부는 적어도 하나 이상의 서로 다른 가스들을 개별적으로 상기 가스공급관(170)으로 공급할 수 있다.
상기 디퓨저 커버(160)는 상기에서 설명된 바와 같이, 상기 챔버(110)의 측면에 장착되어 있는 상기 지지부(150)에 의해 상기 챔버(110)의 내부에 장착될 수 있으나, 추가적으로, 챔버볼트(300)에 의해 상기 챔버(110)에 장착될 수 있다.
상기 디퓨저 커버(160)가, 상기 디퓨저 커버(160)의 외곽부에 장착되어 있는 상기 지지부(150)에 의해서만 상기 챔버(100)에 장착되어 있는 경우, 상기 디퓨저 커버(160)의 무게에 의해, 상기 디퓨저 커버(160)의 중심부분이 상기 기판 지지부(190) 방향으로 처질 수 있다.
예를 들어, 상기 대면적기판(200)에 상기 박막을 형성하기 위해서는, 상기 디퓨저 커버(160) 및 상기 샤워헤드(120)의 면적 역시 커져야 한다.
상기 디퓨저 커버(160)의 면적이 증가하면, 상기 디퓨저 커버(160)의 무게 또한 증가된다.
상기 디퓨저 커버(160)의 면적이 커지고, 상기 디퓨저 커버(160)의 무게가 증가되면, 상기 디퓨저 커버(160)의 외곽에 장착되어 있는 상기 지지부(150) 만에 의해서는, 상기 디퓨저 커버(160)가 상기 기판 지지부(190)와 나란하게 상기 챔버(110) 내부에 배치될 수 없다. 즉, 상기 디퓨저 커버(160)의 중심부분이 상기 기판 지지부(190) 방향으로 처지는 현상이 발생될 수 있다.
상기한 바와 같은 처짐 현상을 방지하기 위해, 본 발명에서는, 상기 챔버볼트(300)가 이용된다.
상기 챔버볼트(300)는 상기 챔버(110)의 상면과 상기 디퓨저 커버(160)의 상단면을 연결시키고 있다.
예를 들어, 상기 챔버볼트(300)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 챔버(300)의 상단면 외곽으로부터, 상기 챔버(110)를 관통하여 상기 디퓨저 커버(160)의 상면에 장착되어 있다.
이 경우, 상기 챔버볼트(300)는 상기 디퓨저 커버(160)의 중심부분에 장착될 수 있다. 또한, 적어도 두 개 이상의 상기 챔버볼트(300)가 상기 디퓨저 커버(160)에 장착될 수 있다.
상기 챔버볼트(300)에 의해 상기 디퓨저 커버(160)의 중심부분이 처지는 현상이 방지될 수 있다.
상기 챔버볼트(300)는 볼트 형태로 형성되어, 상기 디퓨저 커버(160)와 상기 챔버(110)를 연결시킬 수 있으나, 볼트 이외에도 다양한 형태로 형성되어, 상기 디퓨저 커버(160)와 상기 챔버(110)를 연결시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 바(Bar) 및 고리로 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 고리는 상기 디퓨저 커버(160)의 상면과 상기 챔버(110)의 상면 내측에 장착될 수 있으며, 상기 바가 상기 두 개의 고리에 장착될 수 있다.
다음, 상기 기판 지지부(190)는 상기 챔버(110) 내부에 장착되어 있으며, 특히, 상기 디퓨저 커버(160) 및 상기 샤워헤드(120)의 하단부에 장착되어 있다.
상기 기판 지지부(190)는 상기 대면적기판(200)을 지지하는 기능을 수행한다. 상기 대면적기판(200)은 상기 표시장치를 구성하는 상기 패널의 제조에 이용되는 것일 수 있으나, 상기 표지장치 이외에도 다양한 장치에 이용되는 것일 수도 있다.
다음, 상기 샤워헤드(120)는, 상기 디퓨저 커버(160)의 하단에 장착되어, 상기 디퓨저 커버(160)에 의해 상기 챔버(110) 내부로 유입된 상기 가스를, 상기 기판 지지부(190) 방향으로 분사하는 기능을 수행한다. 상기 기판 지지부(190) 방향으로 분사된 상기 가스는 상기 대면적기판(200)에 증착되어 상기 박막을 형성한다.
상기 샤워헤드(120)는, 연결부(130)에 의해 상기 디퓨저 커버(160)의 하단부에 장착된다.
상기 샤워헤드(120)와, 상기 연결부(130)와, 상기 디퓨저 커버(160)에 의해 확산공간(140)이 형성된다.
상기 디퓨저 커버(160)에 장착되어 있는 상기 가스공급관(170)을 통해 상기 디퓨터 커버(160)로 유입된 상기 가스는 상기 확산공간(140)으로 확산된다.
상기 샤워헤드(120)에는 복수의 샤워홀(121)들이 형성되어 있다. 상기 확산공간(140)으로 확산된 상기 가스는, 상기 샤워홀(121)을 통해, 상기 챔버의 반응공간으로 분사된다.
마지막으로, 상기 샤워헤드(120)와 상기 디퓨저 커버(160)는, 상기 샤워헤드(120)와 상기 디퓨저 커버(160)를 연결시키는 고정볼트(180)에 의해 일정한 갭을 이룬 상태로 배치될 수 있다.
상기 고정볼트(180)는 상기 샤워헤드(120)가 상기 기판 지지부(190) 방향으로 처지는 현상을 방지할 수 있다.
또한, 상기 고정볼트(180)는 상기 샤워헤드(120)와 상기 디퓨저 커버(160) 사이에 형성되는 상기 확산공간(140)의 높이를 일정하게 유지시킬 수 있다.
상기 고정볼트(180)는 상기 샤워헤드(120)의 중심부분에 장착될 수 있으며, 적어도 두 개 이상의 상기 고정볼트(180)가 상기 샤워헤드(120)와 상기 디퓨저 커버(160) 사이에 장착될 수 있다.
첫째, 상기 고정볼트(180)에는, 상기 디퓨저 커버(160)와 상기 샤워헤드(120)에 의해 형성되는 확산공간(140)과 상기 샤워헤드(120)에 형성되어 있는 헤드홀(121)을 관통하고, 상기 헤드홀(121)과 100도 내지 170도 중 어느 하나의 각도를 갖도록 형성되어 있는 볼트홀(185)이 형성되어 있다.
상기 확산공간(140)으로 확산된 상기 가스는, 상기 볼트홀(185)을 통해, 상기 헤드홀(121) 방향으로 이동하며, 상기 헤드홀(121)을 통해 상기 반응공간으로 분사된다.
상기 볼트홀(185)은 상기 헤드홀(121)과 100도 내지 170도 중 어느 하나의 각도를 갖도록 상기 고정볼트(180)에 형성될 수 있다. 따라서, 상기 볼트홀(185)이 두 개 이상 형성되어 있는 경우, 두 개 이상의 상기 볼트홀(185)은 20도 내지 160도 중 어느 하나의 각도(α)를 이룰 수 있다.
즉, 상기 고정볼트(180)에는 적어도 두 개 이상의 상기 볼트홀(185)이 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 볼트홀(185)은, 상기 고정볼트(180)의 외주면으로부터 상기 고정볼트(180)의 내면을 관통하여 직접 상기 헤드홀(121)과 연결될 수 있다.
상기 볼트홀(185)이 상기 헤드홀(121)과 이루는 각도, 또는 두 개 이상의 상기 볼트홀(185)들이 이루는 각도(α)는, 상기 확산공간(140)의 높이, 상기 고정볼트(180)의 길이, 상기 고정볼트(180)의 두께 및 상기 헤드홀(121)의 내경에 따라 다양하게 설정될 수 있다.
이 경우, 상기 볼트홀(185)이 상기 헤드홀(121)과 100도 내지 170도 중 어느 하나의 각도를 유지하고 있기 때문에, 상기 볼트홀(185)은 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 디퓨저 커버(160)를 향하고 있다.
상기 가스는 상기 디퓨터 커버(160)로부터 상기 디퓨저 커버(160)의 하단 방향에 형성되는 상기 확산공간(140)으로 확산된다. 따라서, 상기 확산공간의 하단방향으로 확산되는 상기 가스는 자연스럽게 상기 볼트홀(185)로 유입되어, 상기 헤드홀(121)을 통해 상기 챔버(110) 내부의 반응공간으로 분사될 수 있다.
둘째, 상기 볼트홀(185)은, 상기 헤드홀(121)과 나란하게 형성되어 있는 제1홀(184) 및 상기 제1홀(184)과 관통되어 있고, 상기 제1홀(184)과 100도 내지 170도 중 어느 하나의 각도를 갖도록 형성되어 있는 제2홀(183)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 볼트홀(185)은, 상기에서 설명된 바와 같이, 상기 고정볼트(180)의 외주면으로부터 상기 고정볼트(180)의 내면을 관통하여 직접 상기 헤드홀(121)과 연결될 수 있다.
그러나, 상기 볼트홀(185)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 헤드홀(121)과 나란하게 형성되어 있는 상기 제1홀(184) 및 상기 제1홀(184)과 관통되어 있고, 상기 헤드홀(121)과 연결되어 있는 제홀(183)을 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 제1홀(184)과 상기 제2홀(183)은, 100도 내지 170도 중 어느 하나의 각도를 이룰 수 있다.
상기 제1홀(184)의 내경은, 상기 헤드홀(121)의 내경과 동일하게 형성될 수도 있고, 작게 형성될 수도 있으며, 크게 형성될 수도 있다. 상기 제1홀(184)의 내경은, 상기 가스의 종류, 상기 헤드홀(121)의 크기, 상기 헤드홀(121)의 갯수 등에 따라 다양하게 설정될 수 있다.
셋째, 상기 고정볼트(180)는, 상기 디퓨저 커버(160)에 고정되는 헤드부(182) 및 상기 샤워헤드(120)에 체결되는 체결부(181)를 포함한다.
상기 헤드부(182)는 상기 디퓨저 커버(160)의 상면 외부에서, 상기 디퓨저 커버(160)에 밀착되어 고정될 수 있다.
상기 체결부(181)는 상기 헤드부(182)와 연결되어 있으며, 바(Bar) 형태로 길게 형성되어 있다.
상기 체결부(181)는 다각형으로 형성될 수 있으나, 원통형으로 형성될 수도 있다.
상기 체결부(181)가 상기 샤워헤드(120)에 체결될 수 있도록, 상기 체결부(181)의 하단의 외주면에는, 나사부(186)가 형성될 수 있다. 상기 나사부(186)는, 상기 샤워헤드(120)에 형성되어 있는 체결홈(122)의 내주면에 형성되어 있는 나사부와 체결될 수 있다. 상기 체결부(181)의 상기 나사부(186)와 상기 체결홈(122)의 상기 나사부가 체결됨에 따라, 상기 체결부(181)는 상기 샤워헤드(120)에 고정될 수 있다.
상기 볼트홀(185)은, 상기 체결홈(122)에 삽입되어 고정되는 상기 체결부(181)에 형성되어 있다. 상기 볼트홀(185)은 상기 헤드홀(121)과 연결되어야 한다. 따라서, 상기 체결홈(122)에는 상기 헤드홀(121)이 노출되어 있어야 한다.
즉, 상기 체결홈(122)에 상기 헤드홀(121)이 형성되어 있어야, 상기 체결홈(122)에 삽입되는, 상기 체결부(181)에 형성되어 있는, 상기 볼트홀(185)이 상기 헤드홀(121)과 연결될 수 있다.
넷째, 상기 체결부(181)의 중앙에는 상기 제1홀(184)이 형성되어 있으며, 상기 제2홀(183)은, 상기 체결부(181)의 외주면으로부터 형성되어 상기 제1홀(184)과 관통된다.
즉, 상기 볼트홀(185)이 상기 제1홀(184) 및 상기 제2홀(183)을 포함하는 경우, 상기 제1홀(184)은 상기 체결부(181)의 중앙에 형성되어 있다. 예를 들어, 상기 볼트홀(185)이 원통형상으로 형성된 경우, 상기 제1홀(184)은 상기 볼트홀(185)의 중심축 상에 형성될 수 있다.
상기 제2홀(183)은 상기 체결부(181)의 외주면에 노출되어 있으며, 상기 제2홀(183)은 상기 제1홀(184)과 관통되어 있다.
다섯째, 상기 제2홀(183)은, 상기 고정볼트(180)에 적어도 두 개 이상 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제2홀(183)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 고정볼트(180)에 네 개 이상 형성될 수 있다. 이 외에도, 상기 제2홀(183)의 갯수는 다양하게 설정될 수 있다. 도 5에는, 상기 고정볼트(180)를 상기 헤드부(182) 방향에서 바라본 상기 고정볼트(180)가 도시되어 있기 때문에, 상기 체결부(181), 상기 제1홀(184) 및 상기 제2홀은(183)은 점선으로 도시되어 있다.
즉, 상기 제2홀(183)은, 상기 고정볼트(180) 중, 특히, 상기 체결부(181)에 형성되어 있다.
두 개 이상의 상기 제2홀(183)들이, 상기 체결부(181)에 형성되어 있는 경우, 두 개 이상의 상기 제2홀(183)들은, 도 4에 도시된 바와 같이, 일정한 각도(α)를 이루고 있다.
상기 각도(α)는, 20도 내지 160도 중 어느 하나가 될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2홀(183)들 각각은, 상기 제1홀(184)과 100도 내지 170도 중 어느 하나의 각도를 이루고 있기 때문에, 상기 제2홀(183)들 간에는, 20도 내지 160도 중 어느 하나의 각도(α)가 형성된다.
또한, 상기 제2홀(183)들은, 상기 체결부(181)의 단면 상에, 360을 상기 제2홀(183)들의 갯수로 나눈 수에 대응되는 각도로, 형성될 수 있다.
예를 들어, 네 개의 상기 제2홀(183)들이, 상기 체결부(181)에 형성되어 있는 경우, 네 개의 상기 제2홀(183)들은, 도 5에 도시된 바와 같이, 하나의 평면상에서, 90(= 360 / 4)도를 이룰 수 있다.
여섯째, 상기 제2홀(183) 중 상기 확산공간(140)에 노출되어 있는 주입부(183a)의 내경은, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제2홀(183) 중 상기 제1홀(184)과 인접되어 있는 인접부(183b)의 내경보다 크게 형성될 수 있다.
즉, 상기 확산공간(140)에 노출되어 있는 상기 주입부(183a)의 내경이 커짐으로써, 상기 확산공간(140)에 확산되어 있는 상기 가스가, 상기 주입부(183a)로, 보다 원활하게 유입될 수 있다. 상기 가스가 상기 주입부(183a)로 원활하게 주입됨에 따라, 보다 많은 가스가 상기 제1홀(184)과 상기 헤드홀(121)을 통해, 상기 챔버(110) 내부의 반응공간으로 분사될 수 있다.
많은 가스가 상기 제2홀(183), 상기 제1홀(184) 및 상기 제1홀(184)과 연결되어 있는 상기 헤드홀(121)을 통해 상기 챔버 (110) 내부의 반응공간으로 분사되어야, 상기 대면적기판(200)의 표면 중, 상기 고정볼트(180)가 체결되어 있는 위치의 하단에 대응되는 표면에도, 다른 표면들과 유사한 양의 상기 가스가 분사될 수 있다.
상기 가스가 상기 대면적기판(200)의 표면 전체에 고르게 분사되면, 상기 대면적기판(200)에 형성되는 상기 박막의 균일도가 증가될 수 있으며, 이에 따라, 상기 박막의 품질이 향상될 수 있다.
상기 주입부(183a)의 내주면 및 상기 인접부(183b)의 내주면은 라운드진 형태로 형성될 수 있다.
상기 주입부(183a)의 내주면 및 상기 인접부(183b)의 내주면이 라운드지게 형성됨으로써, 상기 확산공간(140)으로부터 상기 주입부(183a)로 유입된 상기 가스가, 보다 원활하게 상기 인접부(183b)를 통해 상기 제1홀(184)로 유도될 수 있다.
일곱째, 상기 헤드부(182)의 내측면에는, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 헤드부(182)의 원주를 따라, 헤드부홈(193)이 형성될 수 있으며, 상기 헤드부홈(193)에는 오링(191)이 장착될 수 있다.
상기 고정볼트(180)가 상기 디퓨저 커버(160)를 관통하여 상기 샤워헤드(120)에 장착되기 위해서는, 상기 디퓨저 커버(160)에 관통홀이 형성되어야 한다.
이 경우, 상기 관통홀에 상기 체결부(181)가 체결되고, 상기 관통홀의 상단은 상기 헤드부(182)에 의해 커버된다.
그러나, 상기 확산공간(140)에 주입된 상기 가스의 압력이 높아지면, 상기 관통홀과 상기 헤드부(182) 사이의 틈을 통해, 상기 가스가 상기 확산공간(140) 외부로 누출될 수 있다.
상기 가스의 누출을 방지하기 위해, 상기 헤드부(182)의 원주를 따라, 헤드부홈(193)이 형성될 수 있으며, 상기 헤드부홈(193)에는 오링(191)이 장착될 수 있다.
상기 오링(191)은 고무와 같은 재질로 형성될 수 있으며, 상기 헤드부홈(193)의 부피보다 크게 형성될 수 있다. 따라서, 상기 오링(191)은 상기 헤드부홈(193)의 내부면에 완전히 밀착될 수 있다.
이에 따라, 상기 관통홀을 통해 역류된 가스는, 상기 헤드부홈(193)을 통해 누출될 수 없다.
여덟째, 상기 디퓨저 커버(160)의 상기 관통홀 및 상기 헤드부홈(193)을 통한 상기 가스의 유출을 보다 더 확실학 차단하기 위해, 상기 디퓨저 커버(160)의 상단면 중 상기 헤드부홈(193)에 의해 커버되는 영역에는, 상기 체결부(181)의 외주면을 따라 형성되어 있고, 상기 체결부(181)에 밀착되도록 형성되어 있으며, 상기 헤드부홈(193)으로 돌출되어 있는 돌출부(192)가 형성될 수 있다.
이 경우, 상기 오링(191)은 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 돌출부(192)와 상기 헤드부홈(193) 사이에 장착될 수 있다.
즉, 상기 돌출부(192)는 상기 관통홀 및 상기 헤드부홈(193) 사이로 유출되는 가스의 이동 경로를 차단시키는 기능을 수행할 수 있다.
상기 돌출부(192) 및 상기 오링(191)에 의해, 상기 확산공간(140)으로부터 역류되는 가스의 누출이 완전히 차단될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.  그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110 : 챔버 120 : 샤워헤드
130 : 연결부 140 : 확산공간
150 : 지지부 160 : 디퓨저 커버
170 : 가스공급관 180 : 고정볼트
190 : 기판 지지부 200 : 대면적 기판
300 : 챔버볼트 185 : 볼트홀

Claims (10)

  1. 반응공간을 갖는 챔버;
    대면적기판을 지지하는 기판 지지부;
    상기 챔버의 내부에서 상기 기판 지지부의 상단에 장착되며, 상기 대면적기판에 증착될 가스를 공급하는 디퓨저 커버;
    상기 디퓨저 커버의 하단에 장착되어, 상기 가스를 상기 기판 지지부 방향으로 분사하기 위한 샤워헤드; 및
    상기 샤워헤드와 상기 디퓨저 커버의 사이에 장착되어 상기 샤워헤드와 상기 디퓨저 커버를 연결시키는 고정볼트를 포함하며,
    상기 고정볼트에는, 상기 디퓨저 커버와 상기 샤워헤드에 의해 형성되는 확산공간과 상기 샤워헤드에 형성되어 있는 헤드홀을 관통하고, 상기 헤드홀과 100도 내지 170도 중 어느 하나의 각도를 갖도록 형성되어 있는 볼트홀이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 대면적기판 처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 볼트홀은,
    상기 헤드홀과 나란하게 형성되어 있는 제1홀; 및
    상기 제1홀과 관통되어 있고, 상기 제1홀과 100도 내지 170도 중 어느 하나의 각도를 갖도록 형성되어 있는 제2홀을 포함하는 대면적기판 처리장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 고정볼트는,
    상기 디퓨저 커버에 고정되는 헤드부; 및
    상기 샤워헤드에 체결되는 체결부를 포함하며, 상기 볼트홀은, 상기 체결부에 형성되는 것을 특징으로 하는 대면적기판 처리장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 체결부의 외주면에는, 상기 샤워헤드에 형성되어 있는 체결홈과 체결되는 나사부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 대면적기판 처리장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 체결부의 중앙에는 상기 제1홀이 형성되어 있으며, 상기 제2홀은, 상기 체결부의 외주면으로부터 형성되어 상기 제1홀과 관통되는 것을 특징으로 하는 대면적기판 처리장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2홀은, 상기 고정볼트에 적어도 두 개 이상 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 대면적기판 처리장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2홀 중 상기 확산공간에 노출되어 있는 주입부의 내경은, 상기 제2홀 중 상기 제1홀과 인접되어 있는 인접부의 내경보다 크게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 대면적기판 처리장치.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 헤드부의 내측면에는 상기 헤드부의 원주를 따라, 헤드부홈이 형성되어 있으며, 상기 헤드부홈에는 오링이 장착되는 것을 특징으로 하는 대면적기판 처리장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 디퓨저 커버의 상단면 중 상기 헤드부홈에 의해 커버되는 영역에는, 상기 체결부의 외주면을 따라 형성되어 있고, 상기 체결부에 밀착되도록 형성되어 있으며, 상기 헤드부홈으로 돌출되어 있는 돌출부가 형성되어 있으며,
    상기 오링은 상기 돌출부와 상기 헤드부홈 사이에 장착되는 것을 특징으로 하는 대면적기판 처리장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 디퓨저 커버의 상단을 상기 챔버에 고정시키는 적어도 두 개 이상의 챔버볼트들을 더 포함하는 대면적기판 처리장치.
KR1020130160970A 2013-12-23 2013-12-23 대면적기판 처리장치 KR20150073361A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130160970A KR20150073361A (ko) 2013-12-23 2013-12-23 대면적기판 처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130160970A KR20150073361A (ko) 2013-12-23 2013-12-23 대면적기판 처리장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150073361A true KR20150073361A (ko) 2015-07-01

Family

ID=53786899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130160970A KR20150073361A (ko) 2013-12-23 2013-12-23 대면적기판 처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20150073361A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200090879A (ko) * 2018-06-20 2020-07-29 가부시키가이샤 아루박 진공 처리장치, 지지 샤프트
KR20200093754A (ko) * 2019-01-29 2020-08-06 주성엔지니어링(주) 샤워헤드 및 이를 포함하는 기판처리장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200090879A (ko) * 2018-06-20 2020-07-29 가부시키가이샤 아루박 진공 처리장치, 지지 샤프트
KR20200093754A (ko) * 2019-01-29 2020-08-06 주성엔지니어링(주) 샤워헤드 및 이를 포함하는 기판처리장치
WO2020159064A1 (ko) * 2019-01-29 2020-08-06 주성엔지니어링(주) 샤워헤드 및 이를 포함하는 기판처리장치
TWI809244B (zh) * 2019-01-29 2023-07-21 南韓商周星工程股份有限公司 噴頭和具有噴頭的基板處理設備

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20140123900A1 (en) Gas shower device having gas curtain and apparatus for depositing film using the same
US10697064B2 (en) Chemical vapor deposition apparatus
US11293097B2 (en) Apparatus for distributing gas and apparatus for processing substrate including the same
KR20150075955A (ko) 대면적기판 처리장치
US9892940B2 (en) Spray assembly and wet etching device having the same
KR20150073361A (ko) 대면적기판 처리장치
KR101214860B1 (ko) 가스분사장치
US20160115595A1 (en) Gas supply apparatus
KR100904038B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR20080048243A (ko) 플라즈마 화학기상 증착장치
KR102328847B1 (ko) 대면적기판 처리장치
KR100892249B1 (ko) 플라즈마 반응장치
KR102171175B1 (ko) 기판처리장치
KR20130042157A (ko) 기판 처리 장치
KR101466835B1 (ko) 샤워헤드 조립체
KR101157199B1 (ko) 화학기상증착장치용 가스분배판 및 그를 구비한 화학기상증착장치
KR101582711B1 (ko) 유리기판의 평탄면 형성장치
KR20040104197A (ko) 화학기상증착 장치의 샤워헤드
KR101170596B1 (ko) 가스분사장치
KR20220007179A (ko) 증착 장치
US8555460B2 (en) Apparatus for cleaning substrate
KR101264695B1 (ko) 플라즈마 화학 기상 증착 장치
KR102248048B1 (ko) 가스 분배장치
KR20150139052A (ko) 기판처리장치
KR102287656B1 (ko) 기판처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X601 Decision of rejection after re-examination