KR20150064302A

KR20150064302A - Organic Light Emitting Display Device and Method of manufacturing the same

Info

Publication number: KR20150064302A
Application number: KR1020130148700A
Authority: KR
Inventors: 이태형; 이정현; 이정은
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2013-12-02
Filing date: 2013-12-02
Publication date: 2015-06-11
Also published as: KR102082651B1

Abstract

The present invention relates to an organic light emitting display device and a manufacturing method thereof. The organic light emitting display device includes a first substrate and a second substrate which face each other, a thin film transistor layer which is formed on the first substrate, a light emitting diode layer which is formed on the thin film transistor layer, a sealing layer which bonds the first substrate to the second substrate, a moisture penetration preventing unit which is formed to face the side of the sealing layer exposed to the outside. The moisture penetration preventing unit includes a first moisture penetration preventing unit which is made of thin film inorganic materials and a second moisture penetration preventing unit which is formed on the first moisture penetration preventing unit and includes a moisture absorbent. The present invention prevents the moisture from penetrating the inside through the side of the light emitting diode layer by including the moisture penetration preventing unit which includes the first moisture penetration preventing unit and the second moisture penetration preventing unit.

Description

[0001] The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same.

본 발명은 유기 발광 표시장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 표시장치 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하기 위한 방안에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light emitting display, and more particularly, to a method for preventing water from penetrating into a display device.

유기 발광 표시장치는 전자(electron)를 주입하는 음극(cathode)과 정공(hole)을 주입하는 양극(anode) 사이에 발광층이 형성된 구조를 구비하고 있어, 상기 음극에서 발생된 전자 및 상기 양극에서 발생된 정공이 상기 발광층 내부로 주입되면 주입된 전자 및 정공이 결합하여 액시톤(exciton)이 생성되고, 생성된 액시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광을 일으킴으로써 화상을 표시한다.The OLED display has a structure in which a light emitting layer is formed between a cathode for injecting electrons and an anode for injecting holes, and the electrons generated in the cathode and the electrons generated in the anode When the injected holes are injected into the light emitting layer, injected electrons and holes are coupled to generate an exciton, and the generated excitons drop from the excited state to the ground state, To display an image.

이와 같은 유기 발광 표시장치는 상기 발광층에 수분이 침투할 경우 상기 발광층을 구성하는 유기물이 열화되어 화상 품질이 저하되는 문제가 있다. 따라서, 종래의 유기 발광 표시장치는 그 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하기 위한 밀봉층을 구비하고 있다.In such an organic light emitting display, when moisture penetrates into the light emitting layer, the organic material constituting the light emitting layer is deteriorated and the image quality is deteriorated. Accordingly, the conventional organic light emitting diode display has a sealing layer for preventing moisture from penetrating into the organic light emitting display.

이하에서 도면을 참조로 하여 종래의 유기 발광 표시장치에 대해서 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a conventional OLED display will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 종래의 유기 발광 표시장치의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a conventional organic light emitting diode display.

도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 유기 발광 표시장치는 하부 기판(10), 박막 트랜지스터층(20), 발광 다이오드층(30), 패시베이션층(passivation layer)(40), 밀봉층(sealing layer)(50), 및 상부 기판(60)을 포함하여 이루어진다. 1, a conventional OLED display includes a lower substrate 10, a thin film transistor layer 20, a light emitting diode layer 30, a passivation layer 40, a sealing layer, (50), and an upper substrate (60).

상기 박막 트랜지스터층(20)은 상기 하부 기판(10) 상에 형성되어 있다. 상기 박막 트랜지스터층(20)에는 다수의 박막 트랜지스터가 형성되어 있어, 상기 박막 트랜지스터에 의해서 상기 발광 다이오드층(30)에서의 발광이 조절된다. The thin film transistor layer 20 is formed on the lower substrate 10. A plurality of thin film transistors are formed in the thin film transistor layer 20, and the light emission in the light emitting diode layer 30 is controlled by the thin film transistor.

상기 발광 다이오드층(30)은 상기 박막 트랜지스터층(20) 상에 형성되어 있다. 상기 발광 다이오드층(30)에는 양극, 음극, 및 상기 양극과 음극 사이에 형성된 다수의 유기층이 구비되어 있다. The light emitting diode layer 30 is formed on the thin film transistor layer 20. The light emitting diode layer 30 includes an anode, a cathode, and a plurality of organic layers formed between the anode and the cathode.

상기 패시베이션층(passivation layer)(40)은 상기 발광 다이오드층(30) 상에 형성되어 있다. 상기 패시베이션층(passivation layer)(40)은 상기 발광 다이오드층(30)을 보호함과 더불어 상기 발광 다이오드층(30) 내부로 수분이 침투하는 것을 방지한다. The passivation layer 40 is formed on the light emitting diode layer 30. The passivation layer 40 protects the light emitting diode layer 30 and prevents moisture from penetrating into the light emitting diode layer 30.

상기 밀봉층(sealing layer)(50)은 상기 패시베이션층(passivation layer)(40) 상에 형성되어 있다. 상기 밀봉층(sealing layer)(50)은 상기 하부 기판(10)과 상부 기판(60)을 접착시킴과 더불어 상기 발광 다이오드층(30) 내부로 수분이 침투하는 것을 방지한다. The sealing layer 50 is formed on the passivation layer 40. The sealing layer 50 adheres the lower substrate 10 and the upper substrate 60 and prevents moisture from penetrating into the LED layer 30.

이와 같이 종래의 유기 발광 표시장치는 상기 패시베이션층(passivation layer)(40)과 밀봉층(sealing layer)(50)에 의해서 상기 발광 다이오드층(30) 내부로 수분이 침투하는 것을 방지한다. Thus, the conventional organic light emitting display device prevents moisture from penetrating into the light emitting diode layer 30 by the passivation layer 40 and the sealing layer 50.

그러나, 종래의 경우 상기 발광 다이오드층(30)의 상부 쪽에서 그 내부로 수분이 침투하는 문제는 어느 정도 해소되었지만, 상기 발광 다이오드층(30)의 측부 쪽에서 그 내부로 수분이 침투하는 문제는 완전히 해소되지 못하였다. 특히, 최근에 유기 발광 표시장치의 베젤(bezel) 크기를 줄여 표시장치의 심미감을 증진시키는 노력이 있는데, 이와 같이 베젤 크기가 줄어들 경우 상기 발광 다이오드층(30)의 측부 쪽에서 그 내부로 수분이 침투하게 되는 경로가 줄어들 수 있어 수분 침투로 인한 표시장치의 열화 문제가 증가된다. However, in the related art, the problem of moisture infiltration from the upper side to the inside of the light emitting diode layer 30 has been solved to some extent, but the problem of moisture infiltration from the side of the light emitting diode layer 30 into the inside thereof is completely eliminated . Particularly, in recent years, there has been an effort to reduce the size of a bezel of an organic light emitting display device to improve the esthetics of a display device. When the size of the bezel is reduced, moisture permeates from the side of the light emitting diode layer 30 And the problem of deterioration of the display device due to moisture penetration is increased.

본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 발광 다이오드층의 측부 쪽에서 그 내부로 수분이 침투하는 문제를 방지할 수 있는 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same that can prevent moisture from permeating into a side of a light emitting diode .

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 서로 마주하고 있는 제1 기판과 제2 기판; 상기 제1 기판상에 형성된 박막 트랜지스터층; 상기 박막 트랜지스터층 상에 형성된 발광 다이오드층; 상기 제1 기판과 제2 기판 사이를 접착시키는 밀봉층; 및 외부로 노출되는 상기 밀봉층의 측면과 대향하도록 형성된 수분 침투 방지부를 포함하여 이루어지고, 상기 수분 침투 방지부는 박막의 무기물로 이루어진 제1 수분 침투 방지부 및 상기 제1 수분 침투 방지부 상에 형성되며 흡습제를 포함하여 이루어진 제2 수분 침투 방지부를 포함하여 이루어진 유기 발광 표시장치를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention provides a plasma display panel comprising a first substrate and a second substrate facing each other; A thin film transistor layer formed on the first substrate; A light emitting diode layer formed on the thin film transistor layer; A sealing layer for bonding between the first substrate and the second substrate; And a moisture permeation preventing portion formed to face the side surface of the sealing layer exposed to the outside, wherein the moisture permeation preventing portion includes a first moisture permeation preventing portion made of a thin film inorganic material and a second moisture permeating preventing portion formed on the first moisture permeation preventing portion And a second moisture permeation preventing portion formed of a moisture absorbent.

본 발명은 또한 제1 기판상에 박막 트랜지스터층을 형성하는 공정; 상기 박막 트랜지스터층 상에 발광 다이오드층을 형성하는 공정; 상기 제1 기판과 제2 기판 사이를 밀봉층으로 접착시키는 공정; 비표시영역에 노출되는 상기 박막 트랜지스터층의 상면, 상기 밀봉층의 측면, 상기 제2 기판의 측면, 및 상기 제2 기판의 상면 상에 박막의 무기물로 이루어진 제1 수분 침투 방지부를 형성하는 공정; 상기 제1 수분 침투 방지부의 일부를 제거하여 상기 박막 트랜지스터층 상에 형성된 패드를 노출시키는 공정; 상기 노출된 패드에 구동부를 접속시키는 공정; 및 상기 제1 수분 침투 방지부 상에 흡습제를 포함하여 이루어진 제2 수분 침투 방지부를 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 유기 발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.The present invention also provides a method of manufacturing a thin film transistor, comprising: forming a thin film transistor layer on a first substrate; Forming a light emitting diode layer on the thin film transistor layer; Bonding the first substrate and the second substrate to each other as a sealing layer; Forming a first moisture permeation preventing portion made of a thin film inorganic material on the upper surface of the thin film transistor layer exposed on the non-display region, the side surface of the sealing layer, the side surface of the second substrate, and the upper surface of the second substrate; Removing a portion of the first moisture permeation prevention portion to expose a pad formed on the thin film transistor layer; Connecting a driving part to the exposed pad; And a step of forming a second moisture permeation preventive part comprising a moisture absorbent on the first moisture permeation preventive part.

본 발명은 또한 제1 기판상에 박막 트랜지스터층을 형성하는 공정; 상기 박막 트랜지스터층 상에 발광 다이오드층을 형성하는 공정; 상기 제1 기판과 제2 기판 사이를 밀봉층으로 접착시키는 공정; 상기 제2 기판의 상면을 마스크로 가린 상태에서, 비표시영역에 노출되는 상기 박막 트랜지스터층의 상면, 상기 밀봉층의 측면, 및 상기 제2 기판의 측면 상에 박막의 무기물로 이루어진 제1 수분 침투 방지부를 형성하는 공정; 상기 제1 수분 침투 방지부의 일부를 제거하여 상기 박막 트랜지스터층 상에 형성된 패드를 노출시키는 공정; 상기 노출된 패드에 구동부를 접속시키는 공정; 및 상기 제1 수분 침투 방지부 상에 흡습제를 포함하여 이루어진 제2 수분 침투 방지부를 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 유기 발광 표시장치의 제조방법을 제공한다. The present invention also provides a method of manufacturing a thin film transistor, comprising: forming a thin film transistor layer on a first substrate; Forming a light emitting diode layer on the thin film transistor layer; Bonding the first substrate and the second substrate to each other as a sealing layer; A first moisture infiltration made of an inorganic thin film on the upper surface of the thin film transistor layer exposed on the non-display area, the side surface of the sealing layer, and the side surface of the second substrate in a state that the upper surface of the second substrate is masked with a mask Forming a blocking portion; Removing a portion of the first moisture permeation prevention portion to expose a pad formed on the thin film transistor layer; Connecting a driving part to the exposed pad; And a step of forming a second moisture permeation preventive part comprising a moisture absorbent on the first moisture permeation preventive part.

이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다. According to the present invention as described above, the following effects can be obtained.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 수분 침투 방지부 및 제2 수분 침투 방지부를 포함한 수분 침투 방지부를 구비하고 있기 때문에, 발광 다이오드층의 측면을 통해서 그 내부로 수분이 침투하는 것이 방지될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, since the moisture permeation preventing portion including the first moisture permeation preventing portion and the second moisture permeation preventing portion is provided, moisture can be prevented from penetrating into the inside of the side surface of the light emitting diode layer have.

도 1은 종래의 유기 발광 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 제조 공정을 도시한 개략적인 공정 단면도이다.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 제조 공정을 도시한 개략적인 공정 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional organic light emitting diode display.
2 is a schematic cross-sectional view of an OLED display according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view of an OLED display according to another embodiment of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view of an OLED display according to another embodiment of the present invention.
5A to 5F are schematic process sectional views illustrating a manufacturing process of an OLED display according to an embodiment of the present invention.
6A to 6F are schematic cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an OLED display according to another embodiment of the present invention.

본 명세서에서 기술되는 "상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면 또는 바로 하면에 형성되는 경우뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.The term "on " as used herein is meant to encompass not only when a configuration is formed directly on the top surface or directly below another configuration, but also when a third configuration is interposed between these configurations.

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 개략적인 단면도이다. 2 is a schematic cross-sectional view of an OLED display according to an embodiment of the present invention.

도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시장치는 제1 기판(100), 박막 트랜지스터층(200), 발광 다이오드층(300), 캡핑층(capping layer)(400), 패시베이션층(passivation layer)(500), 밀봉층(sealing layer)(600), 제2 기판(700), 수분 침투 방지부(800), 및 구동부(900)를 포함하여 이루어진다. 2, the OLED display includes a first substrate 100, a thin film transistor layer 200, a light emitting diode layer 300, a capping layer 400, A passivation layer 500, a sealing layer 600, a second substrate 700, a moisture permeation prevention portion 800, and a driving portion 900.

상기 제1 기판(100)은 유리 또는 구부리거나 휠 수 있는 투명한 플라스틱, 예로서, 폴리이미드가 이용될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The first substrate 100 may be made of glass, or a transparent plastic, such as polyimide, which is capable of bending or rolling, but is not limited thereto.

상기 박막 트랜지스터층(200)은 상기 제1 기판(100) 상에 형성되어 있다. 상기 박막 트랜지스터층(200)은 화소 별로 게이트 배선, 데이터 배선 및 전원 배선 등과 같은 다수의 배선들, 상기 다수의 배선들과 연결되는 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어진다. 또한, 상기 배선들 및 박막 트랜지스터의 전극들의 조합에 의해서 커패시터가 형성될 수 있다. 이와 같은 박막 트랜지스터층(200)을 구성하는 배선들 및 박막 트랜지스터는 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다. The thin film transistor layer 200 is formed on the first substrate 100. The thin film transistor layer 200 includes a plurality of wirings such as a gate wiring, a data wiring, a power wiring, and the like, and a switching thin film transistor and a driving thin film transistor connected to the plurality of wirings. In addition, a capacitor may be formed by a combination of the wirings and the electrodes of the thin film transistor. The wirings and the thin film transistors constituting the thin film transistor layer 200 may be changed into various forms known in the art.

상기 발광 다이오드층(300)은 상기 박막 트랜지스터층(200) 상에 형성되어 있다. 상기 발광 다이오드층(300)은 구체적으로 도시하지는 않았지만 양극, 음극, 및 상기 양극과 음극 사이에 형성된 다수의 유기층들을 포함하여 이루어진다. The light emitting diode layer 300 is formed on the thin film transistor layer 200. The light emitting diode layer 300 includes an anode, a cathode, and a plurality of organic layers formed between the anode and the cathode, though not specifically shown.

상기 양극과 음극 중 어느 하나는 상기 박막 트랜지스터층(200) 내의 구동 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있어, 상기 구동 박막 트랜지스터의 동작에 의해서 각각의 화소 별로 발광이 조절된다. One of the anode and the cathode is electrically connected to the driving thin film transistor in the thin film transistor layer 200, and the light emission of each pixel is controlled by the operation of the driving thin film transistor.

상기 다수의 유기층들은 정공주입층(Hole Injecting Layer), 정공수송층(Hole Transporting Layer), 유기발광층(Organic Emitting Layer), 전자수송층(Electron Transporting Layer), 및 전자주입층(Electron Injecting Layer)을 포함하여 이루어질 수 있다. 다만, 상기 유기발광층을 제외하고, 상기 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 하나 이상의 층은 생략이 가능하다. The organic layers include a hole injecting layer, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer. Lt; / RTI > However, one or more of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer may be omitted except for the organic emission layer.

상기 발광 다이오드층(300)은 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다. 예로서, 상기 유기발광층(Organic Emitting Layer)은 각각의 화소 별로 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)의 광을 발광하도록 구성될 수도 있고, 각각의 화소에서 백색(W)의 광을 발광하도록 구성될 수도 있다. 상기 유기발광층에서 백색(W)의 광이 발광할 경우에는 상기 박막 트랜지스터층(200) 또는 상기 제2 기판(700) 상에 각각의 화소 별로 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)의 컬러 필터가 추가로 구성될 수 있다. The light emitting diode layer 300 may be modified into various forms known in the art. For example, the organic emission layer may be configured to emit red (R), green (G), and blue (B) light for each pixel, and the white And may be configured to emit light. (R), green (G), and blue (B) phosphors are formed on the thin film transistor layer 200 or the second substrate 700, respectively, when white light is emitted from the organic light- ) May be additionally configured.

또한, 본 발명에 따른 유기 발광 표시장치는 상기 발광 다이오드층(300)에서 발광한 광이 상부 쪽으로 방출되는 소위 탑 에미션(Top Emission) 방식, 및 상기 발광 다이오드층(300)에서 발광한 광이 하부 쪽으로 방출되는 소위 바텀 에미션(Bottom Emission) 방식을 포함하며, 각각의 방식에 따라 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다. The organic light emitting display according to the present invention includes a top emission type in which light emitted from the light emitting diode layer 300 is emitted toward the upper side and light emitted from the light emitting diode layer 300 Called bottom emission, which is emitted toward the lower side, and can be changed into various forms known in the art depending on the respective methods.

상기 캡핑층(capping layer)(400)은 상기 발광 다이오드층(300) 상에 형성되어 있다. 상기 캡핑층(400)은 광 추출 효과를 증가시키는 역할을 하며, 이와 같은 캡핑층(400)은 전술한 발광 다이오드층(300) 내의 유기층을 구성하는 물질로 이루어질 수 있다. 예로서, 상기 캡핑층(400)은 정공수송층 또는 정공주입층을 구성하는 물질로 이루어질 수도 있고, 유기발광층을 구성하는 호스트 물질로 이루어질 수도 있다. The capping layer 400 is formed on the light emitting diode layer 300. The capping layer 400 serves to increase the light extracting effect. The capping layer 400 may be formed of a material that constitutes the organic layer in the light emitting diode layer 300 described above. For example, the capping layer 400 may include a hole transporting layer, a hole injecting layer, or a host material of the organic light emitting layer.

다만, 상기 캡핑층(400)은 생략하는 것도 가능하다. 특히, 바텀 에미션(Bottom Emission) 방식의 경우 상기 발광 다이오드층(300)에서 발광한 광이 하부 쪽으로 방출되므로 상기 발광 다이오드층(300)의 상부에 별도의 캡핑층(400)을 형성할 필요는 없다. However, the capping layer 400 may be omitted. In particular, in the case of the bottom emission method, since the light emitted from the light emitting diode layer 300 is emitted downward, it is unnecessary to form a separate capping layer 400 on the light emitting diode layer 300 none.

상기 패시베이션층(500)은 상기 캡핑층(400) 상에 형성되어 있다. 상기 캡핑층(400)이 형성되지 않을 경우 상기 패시베이션층(500)은 상기 발광 다이오드층(300) 상에 형성되어 있다. The passivation layer 500 is formed on the capping layer 400. When the capping layer 400 is not formed, the passivation layer 500 is formed on the light emitting diode layer 300.

상기 패시베이션층(500)은 상기 캡핑층(400)의 상면뿐만 아니라 상기 캡핑층(400)의 측면을 따라 연장되어 상기 발광 다이오드층(300)의 측면을 가리도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 패시베이션층(500)에 의해서 상기 발광 다이오드층(300)의 상부 및 측부가 덮여지게 된다. 이와 같은 패시베이션층(500)은 상기 캡핑층(400)과 발광 다이오드층(300)을 보호하는 역할을 함과 더불어 상기 발광 다이오드층(300) 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하는 역할도 한다. The passivation layer 500 may extend along the side surface of the capping layer 400 as well as the upper surface of the capping layer 400 to cover the side surface of the light emitting diode layer 300. That is, the passivation layer 500 covers the top and sides of the light emitting diode layer 300. The passivation layer 500 protects the capping layer 400 and the light emitting diode layer 300 and prevents moisture from penetrating into the light emitting diode layer 300.

상기 패시베이션층(500)은 무기물 또는 유기물의 단일층으로 이루어질 수 있다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 패시베이션층(500)은 서로 상이한 무기물이 복수의 층으로 이루어질 수도 있고, 무기물과 유기물이 교대로 적층한 복수의 층으로 이루어질 수도 있다. The passivation layer 500 may be formed of a single layer of an inorganic material or an organic material. However, the present invention is not limited thereto, and the passivation layer 500 may be formed of a plurality of layers of different inorganic materials, or a plurality of layers of an inorganic material and an organic material alternately stacked.

상기 밀봉층(sealing layer)(600)은 상기 패시베이션층(500) 상에 형성되어 있다. 상기 밀봉층(600)은 상기 제1 기판(100)과 제2 기판(700) 사이, 보다 구체적으로는 상기 제1 기판(100) 상에 형성된 패시베이션층(500)과 상기 제2 기판(700) 사이에 형성되어 양자를 접착시킨다. 상기 밀봉층(600)은 상기 발광 다이오드층(300) 내부로 수분이 침투하는 것을 차단하는 기능도 수행할 수 있다. 이와 같은 밀봉층(600)은 당업계에 공지된 다양한 재료를 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 밀봉층(600)은 양면 테이프와 같이 필름 구조물을 이용하여 형성할 수도 있고, 씰런트와 같은 액상 접착물질을 코팅한 후 경화하여 형성할 수도 있다. 한편, 도면에는 상기 밀봉층(600)이 상기 제1 기판(100)과 제2 기판(700) 사이의 전체 면 상에 형성된 모습을 도시하였지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 밀봉층(600)은 상기 제1 기판(100)과 제2 기판(700) 사이의 가장 자리 영역에만 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 제1 기판(100)과 제2 기판(700) 사이의 중앙 영역은 에어(air) 층으로 이루어질 수 있다. The sealing layer 600 is formed on the passivation layer 500. The sealing layer 600 is formed between the first substrate 100 and the second substrate 700 and more specifically between the passivation layer 500 formed on the first substrate 100 and the second substrate 700, To adhere the two. The sealing layer 600 may also function to prevent moisture from penetrating into the light emitting diode layer 300. The sealing layer 600 may be formed using various materials known in the art. For example, the sealing layer 600 may be formed using a film structure such as a double-sided tape, or may be formed by coating a liquid adhesive material such as a sealant and then curing. Although the sealing layer 600 is formed on the entire surface between the first substrate 100 and the second substrate 700 in the figure, the sealing layer 600 is not necessarily limited to the sealing layer 600, May be formed only in the edge region between the first substrate 100 and the second substrate 700. In this case, the central region between the first substrate 100 and the second substrate 700 may be an air layer.

상기 제2 기판(700)은 유기 발광 표시장치를 외부로부터의 물리적 충격이나 긁힘 등으로부터 보호할 수 있도록 강화 글라스로 형성될 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 구부리거나 휠 수 있는 투명한 플라스틱, 예로서, 폴리이미드가 이용될 수 있다. The second substrate 700 may be formed of a reinforced glass so as to protect the organic light emitting display device from physical impact or scratches from the outside, but is not necessarily limited to, a transparent plastic that can be bent or rolled, , Polyimide may be used.

상기 수분 침투 방지부(800)는 상기 발광 다이오드층(300)의 측면을 통해서 그 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다. 따라서, 상기 수분 침투 방지부(800)는 외부로 노출되는 상기 밀봉층(sealing layer)(600)의 측면과 대향하도록 형성되어 있다. The moisture permeation prevention part 800 prevents moisture from penetrating into the inside of the light emitting diode layer 300 through the side surface thereof. Therefore, the moisture permeation prevention part 800 is formed to face the side surface of the sealing layer 600 exposed to the outside.

이와 같은 수분 침투 방지부(800)는 제1 수분 침투 방지부(810) 및 제2 수분 침투 방지부(820)를 포함하여 이루어진다. The moisture permeation prevention portion 800 includes a first moisture permeation prevention portion 810 and a second moisture permeation prevention portion 820.

상기 제1 수분 침투 방지부(810)는 기판 전면에 박막의 형태로 이루어진다. 보다 구체적으로, 상기 제1 수분 침투 방지부(810)는 상기 구동부(900)가 형성되는 영역, 즉, 패드 영역을 제외하고 기판 전면에 형성될 수 있다. 다시 말하면, 상기 제1 수분 침투 방지부(810)는 유기 발광 표시장치의 비표시영역에 노출되는 상기 박막 트랜지스터층(200) 상에서부터 상기 밀봉층(sealing layer)(600)의 측면 및 상기 제2 기판(700)의 측면을 따라 상기 제2 기판(700)의 상면까지 연장되어 있다. 특히, 상기 제1 수분 침투 방지부(810)는 제2 기판(700)의 상면 전체를 덮도록 형성될 수 있다. The first moisture permeation prevention part 810 is formed in the form of a thin film on the entire surface of the substrate. More specifically, the first moisture permeation prevention portion 810 may be formed on the entire surface of the substrate except the region where the driver 900 is formed, that is, the pad region. In other words, the first moisture permeation preventive portion 810 may be formed on the side of the sealing layer 600 from the thin film transistor layer 200 exposed in the non-display region of the OLED display, And extends to the upper surface of the second substrate 700 along the side surface of the substrate 700. Particularly, the first moisture permeation prevention part 810 may be formed to cover the entire upper surface of the second substrate 700.

이와 같은 제1 수분 침투 방지부(810)는 무기물층으로 이루어질 수 있다. 상기 제1 수분 침투 방지부(810)는 상기 밀봉층(sealing layer)(600)의 측면에 박막의 형태로 형성되어야 하기 때문에 스텝 커버리지(Step Coverage) 특성이 우수한 박막 형성 공정, 예로서 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 공정을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 제1 수분 침투 방지부(810)는 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 공정을 이용하여 형성할 수 있는 무기물층, 예로서, Al₂O₃, TiO₂, ZrO₂, HfO₂, Ta₂O₅, Nb₂O₅, Y₂O₃, MbO, CeO₂,SiO₂, La₂O₃, Ln₂O₃, PrAlO₃, Er₂O₃, HfAlO, HfSiO, ZrSiO, ZrAlO, HfON, HfSiON, SrTiO₃, BaTiO₃, SiN, 및 SiBN로 이루어진 군에서 선택된 무기물층으로 이루어질 수 있다. The first moisture permeation prevention portion 810 may be formed of an inorganic material layer. Since the first moisture permeation prevention part 810 should be formed in the form of a thin film on the side of the sealing layer 600, a thin film forming process having excellent step coverage characteristics, for example, (ALD) process is preferably used. Accordingly, the first moisture permeation preventing portion 810 may include an inorganic layer that can be formed using an atomic layer deposition (ALD) process, for example, Al ₂ O ₃ , TiO ₂ , ZrO ₂ , HfO ₂ , Ta ₂ O ₅ , Nb ₂ O ₅ , Y ₂ O ₃ , MbO, CeO ₂ , SiO ₂ , La ₂ O ₃ , Ln ₂ O ₃ , PrAlO ₃ , Er ₂ O ₃ , HfAlO, HfSiO, ZrSiO, ZrAlO, from the group consisting of _{HfON, HfSiON, SrTiO 3, BaTiO} 3, SiN, and SiBN it may be formed of a selected inorganic layer.

상기 제1 수분 침투 방지부(810)는 10Å 내지 5,000Å의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 만약, 상기 제1 수분 침투 방지부(810)의 두께가 10Å 미만일 경우 수분 침투 방지 효과가 떨어질 수 있고, 상기 제1 수분 침투 방지부(810)의 두께가 5,000Å 초과일 경우 크랙이 발생할 수 있고 생산성도 떨어지기 때문이다. The first moisture permeation prevention part 810 is preferably formed to a thickness of 10 to 5,000 ANGSTROM. If the thickness of the first moisture permeation prevention part 810 is less than 10 angstroms, the effect of preventing moisture permeation may be lowered. If the thickness of the first moisture permeation prevention part 810 is more than 5,000 angstroms, cracks may occur Productivity also drops.

상기 제2 수분 침투 방지부(820)는 상기 제1 수분 침투 방지부(810) 상에 형성되어 있다. 보다 구체적으로, 상기 제2 수분 침투 방지부(820)는 상기 밀봉층(600)의 측면에 대응하도록 상기 제1 수분 침투 방지부(810) 상에 형성되어 있다. The second moisture permeation prevention portion 820 is formed on the first moisture permeation prevention portion 810. More specifically, the second moisture permeation prevention portion 820 is formed on the first moisture permeation prevention portion 810 so as to correspond to the side surface of the sealing layer 600.

상기 제2 수분 침투 방지부(820)는 에폭시 레진과 같은 고분자 레진 및 흡습제의 혼합물로 이루어질 수 있다. 상기 흡습제는 당업계에 공지된 다양한 흡습제가 이용될 수 있다. 이와 같은 제2 수분 침투 방지부(820)는 페이스트(Paste) 형태로 상기 제1 수분 침투 방지부(810) 상에 도포될 수 있다. The second moisture permeation prevention part 820 may be made of a mixture of a polymer resin such as an epoxy resin and a moisture absorber. As the moisture absorber, various moisture absorbers known in the art may be used. The second moisture permeation prevention part 820 may be applied on the first moisture permeation prevention part 810 in a paste form.

본 발명은 이상과 같이 제1 수분 침투 방지부(810) 및 제2 수분 침투 방지부(820)를 포함한 수분 침투 방지부(800)를 구비하고 있기 때문에, 상기 발광 다이오드층(300)의 측면을 통해서 그 내부로 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 특히, 본 발명에 따르면, 상기 제1 수분 침투 방지부(810)가 10Å 내지 5,000Å의 두께의 박막으로 형성되기 때문에 수분 침투 방지부(800)를 이중으로 구성하면서도 유기 발광 표시장치의 베젤(bezel) 영역이 확대되는 것을 최소화할 수 있다. Since the moisture permeation prevention part 800 including the first moisture permeation prevention part 810 and the second moisture permeation prevention part 820 is provided as described above, the side surface of the light emitting diode layer 300 It is possible to prevent moisture from penetrating into the inside thereof. Particularly, according to the present invention, since the first moisture permeation prevention part 810 is formed of a thin film having a thickness of 10 A to 5,000 A, the bezel ) Area can be minimized.

상기 구동부(900)는 상기 유기 발광 표시장치의 비표시영역에서 상기 박막 트랜지스터층(200) 상에 형성되어 있다. 상기 구동부(900)는 게이트 구동부 또는 데이터 구동부로 이루어질 수 있다. 상기 게이트 구동부는 게이트 패드와 전기적으로 연결되고, 상기 데이터 구동부는 데이터 패드와 전기적으로 연결된다. 즉, 상기 구동부(900)는 상기 유기 발광 표시장치의 비표시영역에 형성된 패드와 전기적으로 연결된다. 이와 같은 구동부(900)는 연성 회로 필름 및 상기 연성 회로 필름에 실장되어 있는 구동 집적 회로를 포함하여 이루어질 수 있다. The driving unit 900 is formed on the thin film transistor layer 200 in the non-display region of the OLED display. The driving unit 900 may include a gate driving unit or a data driving unit. The gate driver is electrically connected to the gate pad, and the data driver is electrically connected to the data pad. That is, the driver 900 is electrically connected to a pad formed in a non-display area of the OLED display. The driving unit 900 may include a flexible circuit film and a driving integrated circuit mounted on the flexible circuit film.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 개략적인 단면도로서, 이는 제2 수분 침투 방지부(820)의 구성이 변경된 것을 제외하고 전술한 도 2에 따른 유기 발광 표시장치와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 동일한 구성에 대한 반복 설명은 생략하기로 한다. 3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to another embodiment of the present invention, except that the configuration of the second moisture permeation prevention unit 820 is changed. Do. Therefore, the same reference numerals are assigned to the same components, and repetitive description of the same components will be omitted.

전술한 도 2에 따르면, 제2 수분 침투 방지부(820)가 상기 구동부(900)와 이격되어 있어 서로 오버랩되지 않도록 형성되어 있다. 2, the second moisture permeation prevention part 820 is spaced apart from the driving part 900, so that they are not overlapped with each other.

그에 반하여, 도 3에 따르면, 상기 제2 수분 침투 방지부(820)가 상기 구동부(900) 상면까지 연장되어 상기 구동부(900)와 적어도 일부 오버랩되도록 형성될 수도 있다. 3, the second moisture permeation prevention part 820 may extend to the upper surface of the driving part 900 and may overlap at least a part of the driving part 900. Referring to FIG.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 개략적인 단면도로서, 이는 제1 수분 침투 방지부(810)의 구성이 변경된 것을 제외하고 전술한 도 2에 따른 유기 발광 표시장치와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 동일한 구성에 대한 반복 설명은 생략하기로 한다. 4 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention, except that the structure of the first moisture permeation preventing portion 810 is changed, same. Therefore, the same reference numerals are assigned to the same components, and repetitive description of the same components will be omitted.

전술한 도 2에 따르면, 제1 수분 침투 방지부(810)가 유기 발광 표시장치의 비표시영역에 노출되는 박막 트랜지스터층(200) 상에서부터 밀봉층(sealing layer)(600)의 측면 및 제2 기판(700)의 측면을 따라 상기 제2 기판(700)의 상면까지 연장되어 있다. 2, the first moisture permeation prevention portion 810 is formed on the side surface of the sealing layer 600 from the thin film transistor layer 200 exposed in the non-display region of the organic light emitting display, And extends to the upper surface of the second substrate 700 along the side surface of the substrate 700.

그에 반하여, 도 3에 따르면, 제1 수분 침투 방지부(810)가 유기 발광 표시장치의 비표시영역에 노출되는 박막 트랜지스터층(200) 상에서부터 밀봉층(sealing layer)(600)의 측면 및 제2 기판(700)의 측면까지 연장되어 있고 상기 제2 기판(700)의 상면에는 형성되어 있지 않다. 탑 에미션 방식의 경우에서, 도 3에 따른 실시예는 도 2에 따른 유기 발광 표시장치보다 광투과율이 우수하다. 3, the first moisture permeation prevention portion 810 is formed on the side surface of the sealing layer 600 from the thin film transistor layer 200 exposed on the non-display region of the organic light emitting display, 2 substrate 700 and is not formed on the upper surface of the second substrate 700. In the case of the top emission type, the embodiment according to FIG. 3 is superior in light transmittance to the organic light emitting display according to FIG.

도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 제조 공정을 도시한 개략적인 공정 단면도로서, 이는 도 2에 따른 유기 발광 표시장치의 제조 공정에 관한 것이다. 5A to 5F are schematic cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG.

우선, 도 5a에서 알 수 있듯이, 제1 기판(100) 상에 박막 트랜지스터층(200)을 형성하고, 상기 박막 트랜지스터층(200) 상에 발광 다이오드층(300)을 형성하고, 상기 발광 다이오드층(300) 상에 캡핑층(capping layer)(400)을 형성하고, 상기 캡핑층(capping layer)(400) 상에 패시베이션층(passivation layer)(500)을 형성한다. 5A, a thin film transistor layer 200 is formed on a first substrate 100, a light emitting diode layer 300 is formed on the thin film transistor layer 200, A capping layer 400 is formed on the capping layer 400 and a passivation layer 500 is formed on the capping layer 400.

상기 제1 기판(100), 박막 트랜지스터층(200), 발광 다이오드층(300), 캡핑층(capping layer)(400), 및 패시베이션층(passivation layer)(500)의 구체적인 구성은 전술한 바와 동일하다. 각각의 구성의 형성 공정은 당업계에 공지된 다양한 방법을 이용할 수 있다. 전술한 바와 같이, 상기 캡핑층(capping layer)(400)은 생략이 가능하다. The detailed structure of the first substrate 100, the thin film transistor layer 200, the light emitting diode layer 300, the capping layer 400, and the passivation layer 500 is the same as that described above Do. The forming process of each constitution can use various methods known in the art. As described above, the capping layer 400 may be omitted.

다음, 도 5b에서 알 수 있듯이, 밀봉층(sealing layer)(600)을 이용하여 상기 제1 기판(100) 상의 패시베이션층(passivation layer)(500)과 제2 기판(700)을 접착한다. 5B, a passivation layer 500 on the first substrate 100 is bonded to the second substrate 700 using a sealing layer 600. As shown in FIG.

전술한 바와 같이, 상기 밀봉층(600)으로 양면 테이프와 같이 필름 구조물을 이용하거나 또는 씰런트와 같은 액상 접착물질을 이용할 수 있다. As described above, the sealing layer 600 may use a film structure such as a double-sided tape or may use a liquid adhesive material such as a sealant.

다음, 도 5c에서 알 수 있듯이, 기판 전면 상에 제1 수분 침투 방지부(810)를 형성한다. 구체적으로, 상기 제1 수분 침투 방지부(810)는 유기 발광 표시장치의 비표시영역에 노출되는 상기 박막 트랜지스터층(200) 상면, 상기 밀봉층(sealing layer)(600)의 측면, 상기 제2 기판(700)의 측면, 및 상기 제2 기판(700)의 상면 상에 형성된다. Next, as shown in FIG. 5C, a first moisture permeation preventing portion 810 is formed on the entire surface of the substrate. The first moisture permeation prevention portion 810 is formed on the top surface of the thin film transistor layer 200 exposed on the non-display region of the OLED display device, the side surface of the sealing layer 600, A side surface of the substrate 700, and an upper surface of the second substrate 700. [

전술한 바와 같이 상기 제1 수분 침투 방지부(810)는 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 공정을 이용하여 형성하는 것이 바람직하지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 화학적 기상 증착(chemical vapor deposition: CVD) 공정 또는 스퍼터링(Sputtering) 공정을 이용하여 형성하는 것도 가능하다. As described above, the first moisture permeation preventing portion 810 is preferably formed using an atomic layer deposition (ALD) process, but the present invention is not limited thereto. For example, chemical vapor deposition CVD) process or a sputtering process.

다음, 도 5d에서 알 수 있듯이, 유기 발광 표시장치의 비표시영역에 형성된 제1 수분 침투 방지부(810)의 일부를 제거하여 상기 박막 트랜지스터층(200) 상에 형성된 패드(P)를 노출시킨다. 5D, a portion of the first moisture permeation preventing portion 810 formed in the non-display region of the organic light emitting display device is removed to expose the pad P formed on the thin film transistor layer 200 .

상기 제1 수분 침투 방지부(810)의 일부를 제거하는 공정은 레이저 빔(Laser beam)을 이용할 수도 있고 건식 식각(Dry etching) 공정을 이용할 수도 있다. The process of removing a portion of the first moisture permeation preventive portion 810 may use a laser beam or a dry etching process.

다음, 도 5e에서 알 수 있듯이, 상기 노출된 패드(P)에 구동부(900)를 접속시킨다. Next, as shown in FIG. 5E, the driver 900 is connected to the exposed pad (P).

상기 구동부(900)는 TAB(Tape Automated Bonding) 공정에 의해 상기 패드(P)에 접속시킬 수 있다. The driving unit 900 may be connected to the pad P by a TAB (Tape Automated Bonding) process.

다음, 도 5f에서 알 수 있듯이, 상기 제1 수분 침투 방지부(810) 상에 제2 수분 침투 방지부(820)를 형성한다. 상기 제2 수분 침투 방지부(820)는 상기 밀봉층(600)의 측면에 대응하도록 형성한다. Next, as shown in FIG. 5F, a second moisture permeation preventing portion 820 is formed on the first moisture permeation preventing portion 810. The second moisture permeation prevention portion 820 is formed to correspond to the side surface of the sealing layer 600.

상기 제2 수분 침투 방지부(820)는 에폭시 레진과 같은 고분자 레진 및 흡습제의 혼합물로 이루어진 페이스트(Paste)를 이용하여 형성할 수 있다. The second moisture permeation prevention part 820 may be formed using paste composed of a mixture of a polymer resin such as an epoxy resin and a moisture absorber.

상기 제2 수분 침투 방지부(820)는 상기 구동부(900) 상면까지 연장되어 상기 구동부(900)와 적어도 일부 오버랩되도록 형성할 수도 있으며, 이 경우는 전술한 도 3에 따른 유기 발광 표시장치를 얻을 수 있다. The second moisture permeation prevention part 820 may extend to the upper surface of the driving part 900 and may overlap at least part of the driving part 900. In this case, the organic light emitting display according to the above- .

한편, 도 5f에 따른 상기 제2 수분 침투 방지부(820)를 형성하는 공정을 먼저 수행하고, 그 후에 도 5e에 따른 상기 노출된 패드(P)에 구동부(900)를 접속시키는 공정을 수행하는 것도 가능하다. Meanwhile, the process of forming the second moisture permeation preventing portion 820 according to FIG. 5F is performed first, and then the process of connecting the driving portion 900 to the exposed pad P shown in FIG. 5E is performed It is also possible.

도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 제조 공정을 도시한 개략적인 공정 단면도로서, 이는 도 4에 따른 유기 발광 표시장치의 제조 공정에 관한 것이다. FIGS. 6A through 6F are schematic cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention, which relates to a manufacturing process of the organic light emitting display according to FIG.

우선, 도 6a에서 알 수 있듯이, 제1 기판(100) 상에 박막 트랜지스터층(200)을 형성하고, 상기 박막 트랜지스터층(200) 상에 발광 다이오드층(300)을 형성하고, 상기 발광 다이오드층(300) 상에 캡핑층(capping layer)(400)을 형성하고, 상기 캡핑층(capping layer)(400) 상에 패시베이션층(passivation layer)(500)을 형성한다. 6A, a thin film transistor layer 200 is formed on a first substrate 100, a light emitting diode layer 300 is formed on the thin film transistor layer 200, A capping layer 400 is formed on the capping layer 400 and a passivation layer 500 is formed on the capping layer 400.

전술한 바와 같이, 상기 캡핑층(capping layer)(400)은 생략이 가능하다. As described above, the capping layer 400 may be omitted.

다음, 도 6b에서 알 수 있듯이, 밀봉층(sealing layer)(600)을 이용하여 상기 제1 기판(100) 상의 패시베이션층(passivation layer)(500)과 제2 기판(700)을 접착한다. 6B, a passivation layer 500 on the first substrate 100 and the second substrate 700 are bonded to each other using a sealing layer 600.

다음, 도 6c에서 알 수 있듯이, 상기 제2 기판(700)의 상면을 제외하고, 유기 발광 표시장치의 비표시영역에 노출되는 상기 박막 트랜지스터층(200) 상면, 상기 밀봉층(sealing layer)(600)의 측면, 및 상기 제2 기판(700)의 측면 상에 제1 수분 침투 방지부(810)를 형성한다. 6C, the upper surface of the thin film transistor layer 200 exposed to the non-display region of the organic light emitting display device, the sealing layer (not shown) of the second substrate 700, 600 and the first moisture permeation prevention portion 810 are formed on the side surface of the second substrate 700.

이와 같은 제1 수분 침투 방지부(810)는 상기 제2 기판(700)의 상면을 마스크로 가린 상태에서 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 공정, 화학적 기상 증착(chemical vapor deposition: CVD) 공정 또는 스퍼터링(Sputtering) 공정을 이용하여 형성할 수 있다. The first moisture permeation preventing portion 810 may be formed by atomic layer deposition (ALD), chemical vapor deposition (CVD), or the like, in a state where the upper surface of the second substrate 700 is masked with a mask Or a sputtering process.

다음, 도 6d에서 알 수 있듯이, 유기 발광 표시장치의 비표시영역에 형성된 제1 수분 침투 방지부(810)의 일부를 제거하여 상기 박막 트랜지스터층(200) 상에 형성된 패드(P)를 노출시킨다. 6D, a portion of the first moisture permeation preventing portion 810 formed in the non-display region of the organic light emitting display device is removed to expose the pad P formed on the thin film transistor layer 200 .

한편, 전술한 도 6c 공정에서 제1 수분 침투 방지부(810)를 형성할 때 상기 박막 트랜지스터층(200) 상에 형성된 패드(P)를 함께 노출시키는 것도 가능하다. 6C, it is possible to expose the pad P formed on the thin film transistor layer 200 together when forming the first moisture permeation preventing portion 810. In this case,

즉, 상기 제2 기판(700)의 상면 및 상기 박막 트랜지스터층(200) 상에 형성된 패드(P) 영역을 마스크로 가린 상태에서, 유기 발광 표시장치의 비표시영역에 노출되는 상기 박막 트랜지스터층(200) 상면, 상기 밀봉층(sealing layer)(600)의 측면, 및 상기 제2 기판(700)의 측면 상에 제1 수분 침투 방지부(810)를 형성함으로써, 레이저 빔(Laser beam) 또는 건식 식각(Dry etching) 공정을 생략하는 것도 가능하다. That is, in a state where the upper surface of the second substrate 700 and the pad region formed on the thin film transistor layer 200 are covered with a mask, the thin film transistor layer By forming a first moisture permeation preventing portion 810 on the upper surface of the first substrate 200, the side surface of the sealing layer 600, and the side surface of the second substrate 700, It is also possible to omit the dry etching process.

다음, 도 6e에서 알 수 있듯이, 상기 노출된 패드(P)에 구동부(900)를 접속시킨다. Next, as shown in FIG. 6E, the driver 900 is connected to the exposed pad (P).

다음, 도 6f에서 알 수 있듯이, 상기 제1 수분 침투 방지부(810) 상에 제2 수분 침투 방지부(820)를 형성한다. 상기 제2 수분 침투 방지부(820)는 상기 밀봉층(600)의 측면에 대응하도록 형성한다. 상기 제2 수분 침투 방지부(820)는 상기 구동부(900) 상면까지 연장되어 상기 구동부(900)와 적어도 일부 오버랩되도록 형성할 수도 있다. Next, as shown in FIG. 6F, a second moisture permeation preventing portion 820 is formed on the first moisture permeation preventing portion 810. The second moisture permeation prevention portion 820 is formed to correspond to the side surface of the sealing layer 600. The second moisture permeation prevention part 820 may extend to the upper surface of the driving part 900 and may overlap at least part of the driving part 900.

한편, 도 6f에 따른 상기 제2 수분 침투 방지부(820)를 형성하는 공정을 먼저 수행하고, 그 후에 도 6e에 따른 상기 노출된 패드(P)에 구동부(900)를 접속시키는 공정을 수행하는 것도 가능하다. Meanwhile, the process of forming the second moisture permeation preventing portion 820 according to FIG. 6F is performed first, and then the process of connecting the driving portion 900 to the exposed pad P shown in FIG. 6E is performed It is also possible.

100: 제1 기판 200: 박막 트랜지스터층
300: 발광 다이오드층 400: 캡핑층
500: 패시베이션층 600: 밀봉층
700: 제2 기판 800: 수분 침투 방지부
810, 820: 제1, 제2 수분 침투 방지부 900: 구동부100: first substrate 200: thin film transistor layer
300: light emitting diode layer 400: capping layer
500: passivation layer 600: sealing layer
700: second substrate 800: moisture permeation prevention part
810, 820: first and second moisture permeation prevention parts 900:

Claims

A first substrate and a second substrate facing each other;
A thin film transistor layer formed on the first substrate;
A light emitting diode layer formed on the thin film transistor layer;
A sealing layer for bonding between the first substrate and the second substrate; And
And a moisture permeation preventing portion formed to face the side surface of the sealing layer exposed to the outside,
Wherein the moisture permeation preventing portion includes a first moisture permeation preventing portion formed of a thin film inorganic material and a second moisture permeation preventing portion formed on the first moisture permeation preventing portion and including a moisture absorbent.

The method according to claim 1,
Wherein the first moisture permeation prevention portion is formed on an upper surface of the thin film transistor layer, a side surface of the sealing layer, and a side surface of the second substrate exposed in a non-display region except a pad region.

The method according to claim 1,
Wherein the first moisture permeation prevention portion is further formed on an upper surface of the second substrate.

The method according to claim 1,
Wherein the first moisture permeation prevention part is formed to a thickness of 10A to 5,000A.

The method according to claim 1,
Prevent penetration of the first water-portion _{_{_{Al 2 O 3, TiO 2,}}} ZrO 2, HfO 2, Ta 2 O 5, Nb 2 O 5, Y 2 O 3, MbO, CeO 2, SiO 2, La 2 O 3, Ln Characterized in that it comprises an inorganic layer selected from the group consisting of Al ₂ O ₃ , PrAlO ₃ , Er ₂ O ₃ , HfAlO, HfSiO, ZrSiO, ZrAlO, HfON, HfSiON, SrTiO ₃ , BaTiO ₃ , SiN, Device.

The method according to claim 1,
Wherein the thin film transistor layer is formed with a pad in a non-display region, a driving portion is further connected to the pad, and the second moisture permeation prevention portion is formed to overlap at least a part of the driving portion.

Forming a thin film transistor layer on the first substrate;
Forming a light emitting diode layer on the thin film transistor layer;
Bonding the first substrate and the second substrate to each other as a sealing layer;
Forming a first moisture permeation preventing portion made of a thin film inorganic material on the upper surface of the thin film transistor layer exposed on the non-display region, the side surface of the sealing layer, the side surface of the second substrate, and the upper surface of the second substrate;
Removing a portion of the first moisture permeation prevention portion to expose a pad formed on the thin film transistor layer;
Connecting a driving part to the exposed pad; And
And forming a second moisture permeation preventive portion including a moisture absorbent on the first moisture permeation preventive portion.

Forming a thin film transistor layer on the first substrate;
Forming a light emitting diode layer on the thin film transistor layer;
Bonding the first substrate and the second substrate to each other as a sealing layer;
A first moisture infiltration made of an inorganic thin film on the upper surface of the thin film transistor layer exposed on the non-display area, the side surface of the sealing layer, and the side surface of the second substrate in a state that the upper surface of the second substrate is masked with a mask Forming a blocking portion;
Removing a portion of the first moisture permeation prevention portion to expose a pad formed on the thin film transistor layer;
Connecting a driving part to the exposed pad; And
And forming a second moisture permeation preventive portion including a moisture absorbent on the first moisture permeation preventive portion.

9. The method according to claim 7 or 8,
Wherein the step of forming the first moisture permeation prevention part is performed using an atomic layer deposition (ALD) process.

9. The method according to claim 7 or 8,
Wherein the step of forming the second moisture permeation preventing part is formed to overlap at least part of the driving part.