KR20110065777A - Flexible organic light emitting diodde desplay device and fabricating method of the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A flexible organic light emitting diode display device and a method for manufacturing the same are provided to secure the flexibility and efficiently prevent the penetration of moisture by forming a sealing layer based on a shape memory alloy. CONSTITUTION: An organic thin film transistor formed on a flexible substrate(FSUB) based on an elastic organic material. The flexible substrate includes either of a metal thin film or thin film type transparent plastic. An organic light emitting diode(OLED) is in connection with the organic thin film transistor. A resin protective layer covers the organic thin film transistor and the organic light emitting diode. A sealing layer(CAP) includes a shape memory alloy covering the lateral side and the upper side of the resin protective layer.

Description

플렉서블 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법{FLEXIBLE ORGANIC LIGHT EMITTING DIODDE DESPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD OF THE SAME}Flexible organic light emitting diode display and manufacturing method thereof {FLEXIBLE ORGANIC LIGHT EMITTING DIODDE DESPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD OF THE SAME}

본 발명은 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 플렉서블 유기발광다이오드 표시소자를 외부의 습기 침투로부터 보호하기 위한 봉지 방법 및 그 방법에 의한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 관련된 것이다.The present invention relates to a flexible organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same. In particular, the present invention relates to an encapsulation method for protecting a flexible organic light emitting diode display device from external moisture ingress, and a flexible organic light emitting diode display device by the method.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광장치(Electroluminescence Device, EL) 등이 있다. Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. Such flat panel displays include liquid crystal displays (LCDs), field emission displays (FEDs), plasma display panels (PDPs), and electroluminescence devices (ELs). have.

전계발광장치는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광장치와 유기발광다이오드장치로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자를 사용하여 응답속도가 빠르고 발 광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diod: OLED)를 가진다. Electroluminescent devices are classified into inorganic electroluminescent devices and organic light emitting diode devices according to the material of the light emitting layer. The self-emitting devices use self-light emitting devices, which have a fast response speed and high luminous efficiency, luminance, and viewing angle. The organic light emitting diode display has an organic light emitting diode (OLED) as shown in FIG. 1.

OLED는 도 1과 같이 전계발광하는 유기 전계발광 화합물층과, 유기 전계발광 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드 전극(Cathode) 및 애노드 전극(Anode)을 포함한다. 유기 전계발광 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL)을 포함한다. OLED는 캐소드전극과 음극에 주입된 정공과 전자가 발광층(EML)에서 재결합할 때의 여기 과정에서 여기자(excition)가 형성되고 여기자로부터의 에너지로 인하여 발광한다.The OLED includes an organic electroluminescent compound layer electroluminescent as shown in FIG. 1, and a cathode and an anode facing each other with the organic electroluminescent compound layer interposed therebetween. The organic electroluminescent compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (Electron injection). layer, EIL). The OLED forms an excitation in the excitation process when holes and electrons injected into the cathode electrode and the cathode recombine in the emission layer EML and emit light due to energy from the excitons.

유기발광다이오드 표시장치의 주요 구성요소인 OLED를 형성하는 유기 전계발광 화합물층(EL)은 수분이나 산소에 쉽게 열화된다. 따라서, 유기발광다이오드 표시장치는 도 2에 도시한 것과 같은 봉지구조를 갖는다. 도 2는 종래 기술에 의한 봉지구조를 갖는 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 단면도이다.The organic electroluminescent compound layer (EL) forming the OLED, which is a major component of the organic light emitting diode display, is easily degraded by moisture or oxygen. Therefore, the organic light emitting diode display device has an encapsulation structure as shown in FIG. 2 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display having an encapsulation structure according to the related art.

기판(SUB) 위에 EL층을 포함하는 유기발광다이오드 층 (OLEDL)이 형성되어 있다. 유기발광다이오드 층(OLEDL)는 주로 기판(SUB)의 중심부에 형성되고, 주변부에는 유기발광다이오드 표시장치를 구동하는 외부의 장치로부터 전기적 신호를 주고 받기 위한 패드부(PAD)가 형성된다. 패드부(PAD)와의 경계부분에 자외선 경화 레진 물질을 포함하는 실재(SEAL)를 이용하여 봉지용 유리기판(ENCAP)을 부착하여 유기발광다이오드 층(OLEDL)을 외부로부터의 수분 및 산소 침투를 보호한다. 그리고, UV 실링재(SEAL) 만으로는 외부로부터의 수분 침투를 효과적으로 방어할 수 없으므로, 침투하는 수분과 산소를 흡수하기 위한 흡습재(GET)를 봉지 유리기판(ENCAP)의 중앙부에 부착하여, 유기발광다이오드 층(OLEDL)의 상부에 배치한다.An organic light emitting diode layer (OLEDL) including an EL layer is formed on the substrate SUB. The organic light emitting diode layer OLEDL is mainly formed at a central portion of the substrate SUB, and a pad portion PAD is formed at a peripheral portion for transmitting and receiving electrical signals from an external device for driving the organic light emitting diode display. The encapsulating glass substrate (ENCAP) is attached to the boundary portion of the pad portion PAD using an ultraviolet curable resin material to protect the organic light emitting diode layer (OLEDL) from moisture and oxygen penetration from the outside. do. In addition, since the UV sealing material SEAL alone cannot effectively prevent the penetration of moisture from the outside, an organic light emitting diode is attached to the center of the encapsulating glass substrate ENCAP to absorb moisture and oxygen that penetrates. Disposed on top of the layer (OLEDL).

표시장치에 대한 응용 분야가 발전함에 따라, 종이와 같이 유연성을 갖는 표시장치에 대한 요구가 증가하고 있다. 그러나, 전술한 것과 같은 구조를 갖는 유기발광다이오드 표시장치는 기본적으로 유리 기판을 사용하기 때문에 상당한 강성을 갖는다. 특히, 수분에 약한 유기발광다이오드 표시소자를 보호하기 위한 유리 봉지 패널 때문에 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치는 구조적으로 개발하는데 어려움이 많다.As the field of application for display devices develops, there is an increasing demand for display devices having flexibility such as paper. However, the organic light emitting diode display having the structure as described above has a considerable rigidity since it basically uses a glass substrate. In particular, a flexible organic light emitting diode display device is difficult to develop structurally because of a glass encapsulation panel for protecting an organic light emitting diode display device that is weak to moisture.

본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출 된 발명으로써 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법을 제공하는 데 있다. 또한, 본 발명의 다른 목적은 금속 재질을 포함하는 밀봉층을 구비하여 수분 침투를 효과적으로 방지하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치장치와 그 제조방법을 제공하는 데 있다.Disclosure of Invention An object of the present invention is to provide a flexible organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same. In addition, another object of the present invention is to provide a flexible organic light emitting diode display device and a method for manufacturing the same, which effectively prevent moisture penetration by providing a sealing layer made of a metal material.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치는, 플렉서블 기판; 상기 플렉서블 기판 위에 탄성력을 갖는 유기물질로 형성된 유기박막트랜지스터 및 상기 유기박막트랜지스터에 연결된 유기발광다이오드; 상기 유기박막트랜지스터 및 상기 유기발광다이오드를 덮는 레진보호층; 그리고, 상기 레진보호층 측부면 및 상부면을 덮는 형상기억합금을 포함하는 밀봉층을 포함한다.In order to achieve the above object, the flexible organic light emitting diode display device according to the present invention, a flexible substrate; An organic thin film transistor formed of an organic material having elastic force on the flexible substrate and an organic light emitting diode connected to the organic thin film transistor; A resin protective layer covering the organic thin film transistor and the organic light emitting diode; And a sealing layer including a shape memory alloy covering the resin protective layer side surface and the top surface.

상기 플렉서블 기판은 금속 호일, 금속 박막 및 박막형 투명 플라스틱 중 선택된 어느 하나를 포함한다.The flexible substrate may include any one selected from a metal foil, a metal thin film, and a thin film transparent plastic.

상기 금속 호일 및 금속 박막은 Al계 호일, In계 호일, Polymer계 호일, ZnO, TiO2, Al2O3 및 나노와이어 중 선택된 어느 한 물질을 포함한다.The metal foil and the metal thin film include any one selected from Al-based foil, In-based foil, Polymer-based foil, ZnO, TiO 2 , Al 2 O 3, and nanowires.

상기 밀봉층을 덮는 추가 레진보호층; 그리고 상기 플렉서블 기판과 동일한 물질로 상기 추가 레진보호층 위에 형성된 상부 보호층을 더 포함한다.An additional resin protective layer covering the sealing layer; And an upper passivation layer formed on the additional resin passivation layer with the same material as the flexible substrate.

상기 형상기억합금은 Ni-Ti 및 Cu-Zn-Al 중 어느 하나를 포함한다.The shape memory alloy includes any one of Ni-Ti and Cu-Zn-Al.

또한, 본 발명에 의한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법은, 플렉서블 투명 기판 위에 유기박막트랜지스터 및 유기발광다이오드를 형성하는 단계; 상기 유기박막트랜지스터 및 유기발광다이오드 위에 고 점도성 레진 물질을 도포하고 경화시키는 단계; 그리고 상기 경화된 레진 물질 위에 형상기억합금을 증착하여 밀봉층을 형성하는 단계를 포함한다.In addition, a method of manufacturing a flexible organic light emitting diode display according to the present invention includes forming an organic thin film transistor and an organic light emitting diode on a flexible transparent substrate; Applying and curing a high viscosity resin material on the organic thin film transistor and the organic light emitting diode; And depositing a shape memory alloy on the cured resin material to form a sealing layer.

본 발명에 의한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치는 기판, 박막트랜지스터 및 유기발광다이오드 모두가 유연성 있는 물질을 포함한다. 또한, 유기물질을 보호하기 위한 밀봉층(CAP) 역시 형상기억합금으로 형성함으로써, 수분 침투를 효과적으로 방지하는 것과 함께 유연성을 확보한다.The flexible organic light emitting diode display according to the present invention includes a substrate, a thin film transistor, and an organic light emitting diode, all of which are flexible. In addition, the sealing layer (CAP) for protecting the organic material is also formed of a shape memory alloy, thereby effectively preventing moisture penetration and ensure flexibility.

이하, 도 3 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다. 도 3은 본 발명에 의한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 4. 3 is a cross-sectional view illustrating a structure of a flexible organic light emitting diode display according to the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명에 의한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치는 반투과성 금속박막으로 기판(FSUB)을 형성한다. 금속물질들 중에는 임계 두께 이하가 되면 반 투과성을 나타내는 금속들이 있다. 이러한 물질로는 ZnO, TiO2, Al2O3 등과 같은 금속산화물이나, 나노 와이어를 포함한다. 또한, Al 계, In 계, Polymer 계의 금속 호일(foil)이나 얇은 투명 플락스틱 재질로 플렉서블 기판(FSUB)을 형성할 수도 있다. 기판(FSUB) 위에는 게이트 전극(G), 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)을 포함하는 박막트랜지스터(TFT)와, 박막트랜지스터(TFT)에 연결된 캐소드 전극(CAT), 유기발광층(EL) 및 애노드 전극(ANO)를 포함한 유기발광다이오드(OLED)가 형성되어 있다. 박막트랜지스터(TFT) 및 유기발광다이오드(OLED) 위에는 무기물질 혹은 유기물질로 만든 레진보호막(RES)이 덮고 있다. 그리고, 레진 보호막(RES) 위에는 형상기억합금으로 만든 밀봉층(CAP)가 상부측 및 측면측을 둘러싸듯이 밀봉하고 있다.Referring to FIG. 3, the flexible organic light emitting diode display according to the present invention forms a substrate FSUB from a semi-transparent metal thin film. Among the metal materials, there are metals exhibiting semi-permeability when the thickness is less than the critical thickness. Such materials include metal oxides such as ZnO, TiO 2 , Al 2 O 3 , or nanowires. In addition, the flexible substrate FSUB may be formed of a metal foil of Al, In, or Polymer, or a thin transparent plastic material. On the substrate FSUB, a thin film transistor TFT including a gate electrode G, a source electrode S, and a drain electrode D, a cathode electrode CAT connected to the thin film transistor TFT, and an organic light emitting layer EL are disposed on the substrate FSUB. And an organic light emitting diode (OLED) including an anode electrode (ANO). The resin protective layer RES made of an inorganic material or an organic material is covered on the thin film transistor TFT and the organic light emitting diode OLED. On the resin protective film RES, a sealing layer CAP made of a shape memory alloy is sealed so as to surround the upper side and the side surface.

이와 같은 구조를 갖는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치는 유연성을 갖는 호일형 금속 박막으로 만든 기판(FSUB)을 구비하는 것을 특징으로 한다. 박막트랜지스터(TFT) 역시 유연성을 갖는 유기물질로 만든 유기박막트랜지스터(Organic Thin Film Transistor)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 유기발광다이오드(OLED) 역시 유연성 있는 유기물질을 포함하므로 유연성을 확보한다. 또한, 유기물질을 보호하기 위한 밀봉층(CAP) 역시 형상기억합금으로 형성함으로써, 수분 침투를 효과적으로 방지하는 것과 함께 유연성을 확보한다.The flexible organic light emitting diode display having the above structure is characterized by having a substrate FSUB made of a foil type metal thin film having flexibility. Thin film transistors (TFT) also includes an organic thin film transistor (Organic Thin Film Transistor) made of a flexible organic material. Organic light-emitting diodes (OLEDs) also contain flexible organic materials, ensuring flexibility. In addition, the sealing layer (CAP) for protecting the organic material is also formed of a shape memory alloy, thereby effectively preventing moisture penetration and ensure flexibility.

이하, 상기와 같은 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치를 제조하는 방법을 설명한다. 도 4a 내지 4d는 실시 예 1에 의한 플렉시블 유기발광다이오드 표시장치를 제조하는 과정을 나타내는 단면도들이다.Hereinafter, a method of manufacturing the flexible organic light emitting diode display as described above will be described. 4A through 4D are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing the flexible organic light emitting diode display according to the first embodiment.

Al계, In계, 금속 호일(foil)이나, 혹은 Polymer계 호일과 같은 얇은 투명 혹은 반투명 재료들을 이용하여, 투과성 및 유연성을 갖는 플렉서블 기판(FSUB)을 준비한다. 플렉서블 기판(FSUB) 위에, 게이트 전극(G)을 형성한다. 게이트 전극(G)을 덮는 게이트 절연막(GI)을 형성한다. 게이트 절연막(GI) 위의 게이트 전극(G)과 중첩되는 위치에 반도체 층(ACT)을 형성한다. 반도체 층(ACT) 양 측에는 서로 이격된 위에는 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)을 형성하여 박막트랜지스터(TFT)를 완성 한다. 박막트랜지스터(TFT) 위에는 보호막(PASSI)를 형성한다. 그리고, 플렉서블 기판(FSUB)의 가장자리에는 게이트 전극(G) 및 소스 전극(S) 전기 신호를 입력하기 위한 패드부(PAD)가 형성될 수 있다. 보호층(PASSI)를 패턴하여 패드부(PAD)와 드레인 전극(D)을 노출 시킨다. 패드부(PAD) 위에는 패드전극(PADE)을 형성하고, 콘택홀을 통해 드레인 전극(D)과 접촉하는 애노드 전극(ANO)을 형성한다. 박막트랜지스터(TFT) 및 비 발광영역 위에는 뱅크패턴(BANK)을 형성한다. 뱅크패턴(BANK)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광층(EL)과 캐소드 전극(CAT)를 연속으로 증착하여 유기발광다이오드(OLED)를 완성한다. (도 4a)Using a thin transparent or translucent material such as Al, In, metal foil, or Polymer foil, a flexible substrate FSUB having transparency and flexibility is prepared. The gate electrode G is formed on the flexible substrate FSUB. A gate insulating film GI covering the gate electrode G is formed. The semiconductor layer ACT is formed at a position overlapping with the gate electrode G on the gate insulating layer GI. The thin film transistor TFT may be completed by forming a source electrode S and a drain electrode D on both sides of the semiconductor layer ACT. A passivation layer PASSI is formed on the thin film transistor TFT. In addition, a pad portion PAD for inputting an electrical signal to the gate electrode G and the source electrode S may be formed at an edge of the flexible substrate FSUB. The protective layer PASSI is patterned to expose the pad part PAD and the drain electrode D. FIG. A pad electrode PADE is formed on the pad part PAD, and an anode ANO is formed in contact with the drain electrode D through the contact hole. The bank pattern BANK is formed on the thin film transistor TFT and the non-light emitting area. The organic light emitting diode OLED is completed by continuously depositing the organic light emitting layer EL and the cathode electrode CAT on the anode electrode ANO exposed by the bank pattern BANK. (FIG. 4A)

유기발광다이오드(OLED) 위에 고 점도성 폴리이미드(Polyimide) 계열의 레진 물질을 도포한 후, 소프트 베이킹(Soft Baking) 공정으로 레진 물질을 경화시켜 레진보호막(RES)을 형성한다. (도 4b)After applying a high viscosity polyimide resin material on the organic light emitting diode (OLED), the resin material is cured by a soft baking process to form a resin protective film (RES). (FIG. 4B)

레진보호막(RES) 위에 형상기억합금(Shape Metal Alloy) 물질을 증착하여 밀봉층(CAP)을 형성한다. 형상기억합금의 재료로는 유기발광다이오드 표시장치가 하부 발광(Bottom Emission) 방식일 경우에는 불투명한 재질을 사용할 수 있다. 예를 들어, 니케-티타늄(Ni-Ti)계 합금을 사용할 수 있다. 또한, 유기발광다이오드 표시장치가 상부 발광(Top Emission) 방식일 경우에는 투명 혹은 반투명한 재질을 사용할 수 있다. 예를 들면, Ni-Ti 계, Cu-Zn-Al 계와 같은 합금을 사용할 수 있다. 형상기억합금은, 어떤 형상의 재료를 임계온도보다 고온에서 성형시킨 후 급랭하여 형상을 기억시킨 합금으로 변형과 형상회복을 무한 회수 반복할 수 있다. 형상기억합금은 초탄성을 가지므로 일반적인 금속에 대해서 소성범위인 하중을 가한 상태에서도 하중을 제거하면 원래의 형상으로 되돌아갈 수 있다. (도 4c)A shape memory alloy material is deposited on the resin protective layer RES to form a sealing layer CAP. As the material of the shape memory alloy, an opaque material may be used when the organic light emitting diode display is a bottom emission method. For example, a nickel-titanium (Ni-Ti) -based alloy may be used. In addition, when the organic light emitting diode display is a top emission type, a transparent or translucent material may be used. For example, alloys, such as Ni-Ti system and Cu-Zn-Al system, can be used. The shape memory alloy is an alloy in which a certain shape material is molded at a higher temperature than a critical temperature, followed by quenching to memorize the shape, and the deformation and shape recovery can be repeated an infinite number of times. Shape memory alloys are super-elastic, so they can be returned to their original shape when the load is removed even in the state of applying a plastic range of load to a general metal. (FIG. 4C)

형상기억합금으로 밀봉층(CAP)를 형성한 후, 표시장치를 완성하기 위한 후속 공정으로 본 발명에 의한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치를 완성할 수 있다. 하지만, 추가적으로 수분 침투에 대한 보조적인 밀봉 공정이 필요하다고 판단될 경우에는 다음 공정을 추가로 수행할 수 있다.After the sealing layer CAP is formed of the shape memory alloy, the flexible organic light emitting diode display according to the present invention may be completed by a subsequent process for completing the display device. However, if it is determined that an additional sealing process for water penetration is necessary, the following process may be further performed.

형상기억합금을 포함하는 밀봉층(CAP) 위에, 고 점도성 폴리이미드(Polyimide) 계열의 레진 물질을 도포하여 추가 레진보호막(ARES)을 형성한다. 이어서, 플렉서블 기판(FSUB)와 동일한 물질로 만든 상부 보호판(UCAP)으로 추가 레진보호막(ARES) 위를 덮는다. 그리고, 소프트 베이킹(Soft Baking) 공정으로 레진 물질을 경화시킨다. (도 4d)On the sealing layer CAP including the shape memory alloy, a high viscosity polyimide-based resin material is applied to form an additional resin protective layer ARES. Subsequently, the upper protective plate UCAP made of the same material as the flexible substrate FSUB is covered on the additional resin protective layer ARES. Then, the resin material is cured by a soft baking process. (FIG. 4D)

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

도 1은 유기발광다이오드를 나타내는 도면. 1 shows an organic light emitting diode.

도 2는 종래 기술에 의한 봉지구조를 갖는 유기발광다이아도 표시장치를 나타내는 단면도.2 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display device having an encapsulation structure according to the related art.

도 3은 본 발명에 의한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.3 is a cross-sectional view illustrating a structure of a flexible organic light emitting diode display according to the present invention.

도 4a 내지 4d는 실시 예 1에 의한 플렉시블 유기발광다이오드 표시장치를 제조하는 과정을 나타내는 단면도들.4A through 4D are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing the flexible organic light emitting diode display according to the first embodiment.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

HIL : 정공주입층 HTL: 정공수송층HIL: Hole injection layer HTL: Hole transport layer

EML : 발광층 ETL : 전자수송층EML: Emission Layer ETL: Electron Transport Layer

EIL : 전자주입층 BANK : 뱅크패턴EIL: Electron injection layer BANK: Bank pattern

OLED: 유기발광다이오드 층 PAD: 패드부OLED: organic light emitting diode layer PAD: pad part

PADE: 패드단자 TFT: 박막트랜지스터PADE: Pad Terminal TFT: Thin Film Transistor

OLED: 유기발광다이오드 CAT : 캐소드전극OLED: organic light emitting diode CAT: cathode electrode

ANO : 애노드전극 EL: 유기층ANO: anode electrode EL: organic layer

G: 게이트 전극 S: 소스 전극G: gate electrode S: source electrode

D: 드레인 전극 A: 반도체 층D: drain electrode A: semiconductor layer

GI: 게이트 절연막 PASSI: 보호막GI: gate insulating film PASSI: protective film

BANK: 뱅크 패턴 FSUB: 플렉서블 기판BANK: Bank Pattern FSUB: Flexible Board

RES: 레진보호막 ARES: 추가 레진보호막RES: Resin Shield ARES: Additional Resin Shield

CAP: 밀봉층 UCAP: 상부 보호판CAP: Sealing layer UCAP: Upper protective plate

Claims (10)

플렉서블 기판;A flexible substrate; 상기 플렉서블 기판 위에 탄성력을 갖는 유기물질로 형성된 유기박막트랜지스터 및 상기 유기박막트랜지스터에 연결된 유기발광다이오드;An organic thin film transistor formed of an organic material having elastic force on the flexible substrate and an organic light emitting diode connected to the organic thin film transistor; 상기 유기박막트랜지스터 및 상기 유기발광다이오드를 덮는 레진보호층; 그리고,A resin protective layer covering the organic thin film transistor and the organic light emitting diode; And, 상기 레진보호층 측부면 및 상부면을 덮는 형상기억합금을 포함하는 밀봉층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치.And a sealing layer including a shape memory alloy covering the side surface and the top surface of the resin protective layer. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 플렉서블 기판은 금속 호일, 금속 박막 및 박막형 투명 플라스틱 중 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치.The flexible substrate includes any one selected from a metal foil, a metal thin film, and a thin transparent plastic. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 금속 호일 및 금속 박막은 Al계 호일, In계 호일, Polymer계 호일, ZnO, TiO2, Al2O3 및 나노와이어 중 선택된 어느 한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치.The metal foil and the metal thin film may include any one selected from Al-based foil, In-based foil, Polymer-based foil, ZnO, TiO 2 , Al 2 O 3 and nanowires. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 밀봉층을 덮는 추가 레진보호층; 그리고An additional resin protective layer covering the sealing layer; And 상기 플렉서블 기판과 동일한 물질로 상기 추가 레진보호층 위에 형성된 상부 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치.And an upper passivation layer formed on the additional resin passivation layer using the same material as that of the flexible substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 형상기억합금은 Ni-Ti 및 Cu-Zn-Al 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치.The shape memory alloy includes any one of Ni-Ti and Cu-Zn-Al. 플렉서블 투명 기판 위에 유기박막트랜지스터 및 유기발광다이오드를 형성하는 단계;Forming an organic thin film transistor and an organic light emitting diode on the flexible transparent substrate; 상기 유기박막트랜지스터 및 유기발광다이오드 위에 고 점도성 레진 물질을 도포하고 경화시키는 단계; 그리고Applying and curing a high viscosity resin material on the organic thin film transistor and the organic light emitting diode; And 상기 경화된 레진 물질 위에 형상기억합금을 증착하여 밀봉층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 제조 방법.And depositing a shape memory alloy on the cured resin material to form a sealing layer. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 플렉서블 기판은 금속 호일, 금속 박막 및 박막형 투명 플라스틱 중 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 제조 방법.The flexible substrate may include any one selected from a metal foil, a metal thin film, and a thin film transparent plastic. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 금속 호일 및 금속 박막은 Al계 호일, In계 호일, Polymer계 호일, ZnO, TiO2, Al2O3 및 나노와이어 중 선택된 어느 한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치.The metal foil and the metal thin film may include any one selected from Al-based foil, In-based foil, Polymer-based foil, ZnO, TiO 2 , Al 2 O 3 and nanowires. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 밀봉층 위에 추가 레진보호층을 도포하는 단계; 그리고Applying an additional resin protective layer over the sealing layer; And 상기 추가 레진보호층 위에 플렉서블 기판과 동일한 물질로 형성된 상부 보호층을 덮고, 상기 추가 레진보호층을 경화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 제조 방법.And covering an upper protective layer formed of the same material as the flexible substrate on the additional resin protective layer, and curing the additional resin protective layer. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 형상기억합금은 Ni-Ti 및 Cu-Zn-Al 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 제조 방법.The shape memory alloy includes any one of Ni-Ti and Cu-Zn-Al.
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CN110854300A (en) * 2019-11-27 2020-02-28 京东方科技集团股份有限公司 Display device, display panel and manufacturing method thereof

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