JP2010049986A

JP2010049986A - Organic electroluminescent display

Info

Publication number: JP2010049986A
Application number: JP2008214347A
Authority: JP
Inventors: Takashi Takenaka; 貴史竹中
Original assignee: Toshiba Mobile Display Co Ltd
Current assignee: Japan Display Central Inc
Priority date: 2008-08-22
Filing date: 2008-08-22
Publication date: 2010-03-04

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display capable of enhancing display quality and improving a production yield as well. <P>SOLUTION: The device is provided with an array substrate 100 having a protective film 400 formed by an inorganic material so arranged to cover a display element 40 of a self-light-emitting property on a wiring substrate 120, a sealing substrate 200 so arranged to face the face where the display element of the array substrate is arranged, a resin layer 500 filled between the array substrate and the sealing substrate, and a liquid repellant film 600 arranged between the protective film and the resin layer and having stronger adhesive force with the protective film than that with the resin layer. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

この発明は、自発光性の表示素子である有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を備えた構成の有機ＥＬ表示装置に関する。 The present invention relates to an organic EL display device having an organic electroluminescence (EL) element that is a self-luminous display element.

近年、平面表示装置として、有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光素子である有機ＥＬ素子を備えていることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化及び軽量化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。 In recent years, organic EL display devices have attracted attention as flat display devices. Since this organic EL display device is provided with an organic EL element that is a self-luminous element, the viewing angle is wide, it can be reduced in thickness and weight without the need for a backlight, power consumption is reduced, and The response speed is fast.

これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。有機ＥＬ表示装置としては、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光をアレイ基板側から外部に取り出す下面発光（ボトムエミッション）方式、及び、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光を封止基板側から外部に取り出す上面発光（トップエミッション）方式がある。 Because of these characteristics, organic EL display devices are attracting attention as potential candidates for next-generation flat display devices that can replace liquid crystal display devices. As an organic EL display device, a bottom emission method in which EL light generated in the organic EL element is extracted from the array substrate side and an EL light generated in the organic EL element is extracted from the sealing substrate side to the outside. There is a top emission method.

有機ＥＬ素子は、画素回路などとともにアレイ基板に備えられ、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持して構成されている。各画素は、隔壁によって分離されている。このような構成の有機ＥＬ素子は、水分の影響により劣化しやすい薄膜を含んで構成されている。 The organic EL element is provided on an array substrate together with a pixel circuit and the like, and is configured by holding an organic active layer containing an organic compound having a light emitting function between an anode and a cathode. Each pixel is separated by a partition wall. The organic EL element having such a configuration is configured to include a thin film that easily deteriorates due to the influence of moisture.

このため、アレイ基板と封止基板とを樹脂製のシール材（例えば、エポキシ系などの紫外線硬化型樹脂材料）によって貼り合わせた構成においては、水分により劣化（ダークスポットが発生）しやすい有機ＥＬ素子を保するために、アレイ基板と封止基板との間のシール空間に乾燥剤を配置して、シール材を透過した水分を吸収させている。 For this reason, in the configuration in which the array substrate and the sealing substrate are bonded to each other with a resin sealing material (for example, an epoxy-based ultraviolet curable resin material), the organic EL easily deteriorates (a dark spot is generated) due to moisture. In order to maintain the element, a desiccant is disposed in a seal space between the array substrate and the sealing substrate to absorb moisture that has passed through the seal material.

近年では、有機ＥＬ素子に向かう水分の拡散を遅らせたり、表示装置の機械的強度を高めたりするために、アレイ基板上の有機ＥＬ素子を保護膜で覆い、さらに接着剤となる樹脂材料を介して封止基板を貼り合わせることにより、樹脂材料中に有機ＥＬ素子を封止する固体封止構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 In recent years, in order to delay the diffusion of moisture toward the organic EL element or increase the mechanical strength of the display device, the organic EL element on the array substrate is covered with a protective film, and further, a resin material serving as an adhesive is interposed. A solid sealing structure has been proposed in which an organic EL element is sealed in a resin material by bonding a sealing substrate together (see, for example, Patent Document 1).

また、一方では、シール空間への水分の浸入を完全に防止するため、樹脂製のシール材に替わってフリットガラスを用いてアレイ基板と封止基板とを溶着する構成が提案されている（例えば、特許文献２参照）。このような構成の場合、シール空間に乾燥剤を配置する必要はない。
特開２００７−２４２３１３号公報特開平１０−７４５８３号公報 On the other hand, in order to completely prevent moisture from entering the seal space, a configuration in which the array substrate and the sealing substrate are welded using frit glass instead of the resin seal material has been proposed (for example, , See Patent Document 2). In such a configuration, it is not necessary to arrange a desiccant in the seal space.
JP 2007-242313 A Japanese Patent Laid-Open No. 10-74583

フリットガラスにより封止する構成の場合、乾燥剤が不要となるため、封止基板に乾燥剤を設置するためのザグリ加工などを施す必要が無くなる。ところが、封止基板として通常のガラス基板を用いた場合には、アレイ基板と封止基板との間隔（ギャップ）が数ミクロンとなり、且つ封止基板のたわみによってギャップが変化するため、光学干渉による干渉縞が発生し、表示性能の劣化を招くおそれがある。 In the case of a structure sealed with frit glass, a desiccant is not necessary, and therefore it is not necessary to perform a counterbore process for installing the desiccant on the sealing substrate. However, when a normal glass substrate is used as the sealing substrate, the gap (gap) between the array substrate and the sealing substrate is several microns, and the gap changes due to the deflection of the sealing substrate. There is a possibility that interference fringes occur and display performance is deteriorated.

このような課題を解決するためには、１）ガラス基板を研磨して大きなザグリを形成しギャップを拡大する、または干渉を解消するようなフロスト加工を施す、２）基板間にギャップを一定にするような層例えば樹脂層を挿入する、などの手法がある。１）の手法では、加工に手間がかかり材料がコスト高になることや、パネルの強度が低下するなどの問題点がある。２）の手法では、低コストの生産が可能で、パネルの強度も確保できる。しかしながら、樹脂層の形成プロセスにおいて、硬化時の収縮による内部応力がアレイ基板上で生じるため、膜剥がれが生じることがある。 In order to solve such problems, 1) polish the glass substrate to form a large counterbore and enlarge the gap, or apply frost processing to eliminate interference, and 2) make the gap constant between the substrates. There is a method of inserting a layer such as a resin layer. In the method 1), there are problems such that the processing is troublesome and the material is expensive, and the strength of the panel is lowered. In the method 2), low-cost production is possible and the strength of the panel can be secured. However, in the process of forming the resin layer, internal stress due to shrinkage at the time of curing occurs on the array substrate, so that film peeling may occur.

この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、表示品位を改善することが可能であるとともに製造歩留まりを改善することが可能な表示装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a display device capable of improving display quality and manufacturing yield.

この発明の態様による有機ＥＬ表示装置は、
配線基板上に、自発光性の表示素子と、前記表示素子を覆うように配置され無機系材料によって形成された保護膜と、を備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記表示素子が配置された面に対向するように配置された封止基板と、
前記アレイ基板と前記封止基板との間に充填された樹脂層と、
前記保護膜と前記樹脂層との間に配置され、前記保護膜との接着力が前記樹脂層との接着力よりも強い撥液膜と、
を備えたことを特徴とする。 An organic EL display device according to an aspect of the present invention includes:
An array substrate comprising a self-luminous display element on a wiring board, and a protective film that is disposed so as to cover the display element and is formed of an inorganic material;
A sealing substrate disposed to face a surface of the array substrate on which the display element is disposed;
A resin layer filled between the array substrate and the sealing substrate;
A liquid repellent film disposed between the protective film and the resin layer, the adhesive force with the protective film being stronger than the adhesive force with the resin layer;
It is provided with.

この発明によれば、表示品位を改善することが可能であるとともに製造歩留まりを改善することが可能な表示装置を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a display device capable of improving display quality and improving manufacturing yield.

すなわち、この発明の表示装置によれば、アレイ基板と封止基板との間に樹脂層が充填されている。このため、樹脂層によってアレイ基板と封止基板との間のギャップを均一化することができ、光学干渉による干渉縞の発生を抑制することが可能となる。これにより、表示品位を改善することが可能となる。 That is, according to the display device of the present invention, the resin layer is filled between the array substrate and the sealing substrate. For this reason, the gap between the array substrate and the sealing substrate can be made uniform by the resin layer, and generation of interference fringes due to optical interference can be suppressed. Thereby, the display quality can be improved.

加えて、封止基板にザグリ加工など手間のかかる加工を施す必要がないため、コストの低減が可能となるとともに、パネル強度を確保することも可能となる。 In addition, since it is not necessary to perform troublesome processing such as counterboring on the sealing substrate, the cost can be reduced and the panel strength can be secured.

さらに、樹脂層とアレイ基板の表面に配置された保護膜との間には、撥液膜が配置されている。この撥液膜は、保護膜との接着力が樹脂層との接着力よりも強いため、樹脂層が硬化時に収縮する際に、保護膜や表示素子に加わる応力を低減することが可能となる。このため、アレイ基板における薄膜の膜剥がれを抑制することが可能となる。これにより、製造歩留まりを改善することが可能となる。 Further, a liquid repellent film is disposed between the resin layer and the protective film disposed on the surface of the array substrate. Since this liquid repellent film has stronger adhesive force with the protective film than with the resin layer, it is possible to reduce the stress applied to the protective film and the display element when the resin layer contracts during curing. . For this reason, it becomes possible to suppress peeling of the thin film on the array substrate. As a result, the manufacturing yield can be improved.

以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。 A display device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In this embodiment, a self-luminous display device, for example, an organic EL (electroluminescence) display device will be described as an example of the display device.

有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、画像を表示するアクティブエリア１０２を有するアレイ基板１００を備えている。アクティブエリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。また、図１では、カラー表示タイプの有機ＥＬ表示装置１を例に示しており、アクティブエリア１０２は、複数種類の色画素、例えば３原色に対応した赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、及び、青色画素ＰＸＢによって構成されている。 As shown in FIG. 1, the organic EL display device 1 includes an array substrate 100 having an active area 102 for displaying an image. The active area 102 is composed of a plurality of pixels PX arranged in a matrix. Further, FIG. 1 shows a color display type organic EL display device 1 as an example, and the active area 102 includes a plurality of types of color pixels, for example, a red pixel PXR, a green pixel PXG, and a blue color corresponding to three primary colors. A pixel PXB is used.

アレイ基板１００の少なくともアクティブエリア１０２は、封止基板２００によって封止されている。すなわち、封止基板２００は、アレイ基板１００の表示素子が配置された面と対向するように配置され、後述する樹脂層を介してアレイ基板１００と貼り合せられている。封止基板２００は、光透過性を有するガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の基板である。この封止基板２００のアレイ基板１００と対向する内面は、例えば、概ね平坦に形成されている。 At least the active area 102 of the array substrate 100 is sealed with a sealing substrate 200. That is, the sealing substrate 200 is disposed so as to face the surface on which the display elements of the array substrate 100 are disposed, and is bonded to the array substrate 100 via a resin layer described later. The sealing substrate 200 is an insulating substrate such as a light transmissive glass substrate or a plastic sheet. For example, the inner surface of the sealing substrate 200 facing the array substrate 100 is substantially flat.

アレイ基板１００は、封止基板２００の端部２００Ａより外方に延在した実装部１１０を有している。この実装部１１０には、各種信号供給源が実装される。すなわち、実装部１１０は、信号供給源として駆動ＩＣチップやフレキシブル・プリンテッド・サーキット（ＦＰＣ）基板などが実装される端子を備えた接続部１３０を備えている。 The array substrate 100 has a mounting portion 110 that extends outward from the end portion 200 </ b> A of the sealing substrate 200. Various signal supply sources are mounted on the mounting unit 110. That is, the mounting unit 110 includes a connection unit 130 including a terminal on which a driving IC chip, a flexible printed circuit (FPC) substrate, or the like is mounted as a signal supply source.

各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路１０及びこの画素回路１０によって駆動制御される表示素子４０を備えている。図１に示した画素回路１０は、一例であって、他の構成の画素回路を適用しても良いことは言うまでもない。 Each pixel PX (R, G, B) includes a pixel circuit 10 and a display element 40 that is driven and controlled by the pixel circuit 10. The pixel circuit 10 shown in FIG. 1 is an example, and it goes without saying that a pixel circuit having another configuration may be applied.

図１に示した例では、画素回路１０は、駆動トランジスタＤＲＴ、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチＳＷ３、蓄積容量素子ＣＳなどを備えて構成されている。駆動トランジスタＤＲＴは、表示素子４０に供給する電流量を制御する機能を有している。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、サンプル・ホールドスイッチとして機能する。第３スイッチＳＷ３は、駆動トランジスタＤＲＴから表示素子４０への駆動電流の供給、つまり表示素子４０のオン／オフを制御する機能を有している。蓄積容量素子ＣＳは、駆動トランジスタＤＲＴのゲートーソース間の電位を保持する機能を有している。 In the example shown in FIG. 1, the pixel circuit 10 includes a drive transistor DRT, a first switch SW1, a second switch SW2, a third switch SW3, a storage capacitor element CS, and the like. The drive transistor DRT has a function of controlling the amount of current supplied to the display element 40. The first switch SW1 and the second switch SW2 function as a sample / hold switch. The third switch SW3 has a function of controlling the supply of drive current from the drive transistor DRT to the display element 40, that is, the on / off of the display element 40. The storage capacitor element CS has a function of holding the potential between the gate and source of the drive transistor DRT.

駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１と第３スイッチＳＷ３との間に接続されている。表示素子４０は、第３スイッチＳＷ３と低電位電源線Ｐ２との間に接続されている。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２のゲート電極は、第１ゲート線ＧＬ１に接続されている。第３スイッチＳＷ３のゲート電極は、第２ゲート線ＧＬ２に接続されている。第１スイッチＳＷ１のソース電極は、映像信号線ＳＬに接続されている。 The drive transistor DRT is connected between the high potential power supply line P1 and the third switch SW3. The display element 40 is connected between the third switch SW3 and the low potential power line P2. The gate electrodes of the first switch SW1 and the second switch SW2 are connected to the first gate line GL1. The gate electrode of the third switch SW3 is connected to the second gate line GL2. The source electrode of the first switch SW1 is connected to the video signal line SL.

これらの駆動トランジスタＤＲＴ、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、及び、第３スイッチＳＷ３は、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、その半導体層は、ここではポリシリコンによって形成されている。 The drive transistor DRT, the first switch SW1, the second switch SW2, and the third switch SW3 are configured by, for example, a thin film transistor (TFT), and the semiconductor layer is formed by polysilicon here.

このような回路構成の場合、第１ゲート線ＧＬ１からオン信号が供給されたのに基づいて第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２がオンとなり、映像信号線ＳＬを流れる電流量に応じて高電位電源線Ｐ１から駆動トランジスタＤＲＴに電流が流れ、また、駆動トランジスタＤＲＴを流れる電流に応じて蓄積容量素子ＣＳが充電される。これにより、駆動トランジスタＤＲＴは、映像信号線ＳＬから供給された電流量と同一の電流量を、高電位電源線Ｐ１から表示素子４０に供給可能となる。 In the case of such a circuit configuration, the first switch SW1 and the second switch SW2 are turned on based on the ON signal supplied from the first gate line GL1, and the high potential is set according to the amount of current flowing through the video signal line SL. A current flows from the power supply line P1 to the drive transistor DRT, and the storage capacitor element CS is charged according to the current flowing through the drive transistor DRT. As a result, the drive transistor DRT can supply the same amount of current as that supplied from the video signal line SL to the display element 40 from the high potential power supply line P1.

そして、第２ゲート線ＧＬ２からオン信号が供給されたのに基づいて第３スイッチＳＷ３がオンとなり、蓄積容量素子ＣＳで保持した容量に応じて、駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１から第３スイッチＳＷ３を介して表示素子４０に所定輝度に対応した所定量の電流を供給する。これにより、表示素子４０は、所定の輝度に発光する。 Then, the third switch SW3 is turned on based on the ON signal supplied from the second gate line GL2, and the driving transistor DRT is connected to the first potential from the high potential power supply line P1 according to the capacitance held in the storage capacitor element CS. A predetermined amount of current corresponding to a predetermined luminance is supplied to the display element 40 via the three switch SW3. Thereby, the display element 40 emits light with a predetermined luminance.

表示素子４０は、自発光性の表示素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。 The display element 40 includes an organic EL element 40 (R, G, B) that is a self-luminous display element. That is, the red pixel PXR includes an organic EL element 40R that mainly emits light corresponding to the red wavelength. The green pixel PXG includes an organic EL element 40G that mainly emits light corresponding to the green wavelength. The blue pixel PXB includes an organic EL element 40B that mainly emits light corresponding to the blue wavelength.

各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成であり、例えば、図２に示すように、配線基板１２０上に配置されている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板１０１上に、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、有機絶縁膜（平坦化層）１１４などの絶縁層を備える他に、各種スイッチＳＷ、駆動トランジスタＤＲＴ、蓄積容量素子Ｃｓ、各種配線（ゲート線、映像信号線、電源線等）などを備えて構成されている。 The various organic EL elements 40 (R, G, B) have basically the same configuration, and are disposed on the wiring substrate 120 as shown in FIG. In addition, the wiring board 120 is insulated on an insulating support substrate 101 such as a glass substrate or a plastic sheet, such as an undercoat layer 111, a gate insulating film 112, an interlayer insulating film 113, and an organic insulating film (planarization layer) 114. In addition to the layers, it includes various switches SW, drive transistors DRT, storage capacitor elements Cs, various wirings (gate lines, video signal lines, power supply lines, etc.), and the like.

すなわち、図２に示した例では、アンダーコート層１１１の上には、スイッチや駆動トランジスタなどのトランジスタ素子（図１に示した回路構成においては第３スイッチＳＷ３に相当する）２０の半導体層２１が配置されている。半導体層２１は、ゲート絶縁膜１１２によって覆われている。 That is, in the example shown in FIG. 2, on the undercoat layer 111, the semiconductor layer 21 of a transistor element (corresponding to the third switch SW3 in the circuit configuration shown in FIG. 1) 20 such as a switch or a drive transistor. Is arranged. The semiconductor layer 21 is covered with the gate insulating film 112.

ゲート絶縁膜１１２の上には、トランジスタ素子２０のゲート電極２０Ｇなどが配置されている。ゲート電極２０Ｇは、層間絶縁膜１１３によって覆われている。層間絶縁膜１１３の上には、トランジスタ素子２０のソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄなどが配置されている。 On the gate insulating film 112, the gate electrode 20G of the transistor element 20 and the like are disposed. The gate electrode 20G is covered with an interlayer insulating film 113. On the interlayer insulating film 113, the source electrode 20S and the drain electrode 20D of the transistor element 20 are disposed.

これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄは、ゲート絶縁膜１１２及び層間絶縁膜１１３を半導体層２１まで貫通するコンタクトホールを介して半導体層２１にそれぞれコンタクトしている。これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄは、有機絶縁膜１１４によって覆われている。このような有機絶縁膜１１４は、下層の凹凸の影響を緩和しその表面を平坦化する目的で、樹脂材料をコーティングするなどの手法により形成されている。 The source electrode 20S and the drain electrode 20D are in contact with the semiconductor layer 21 through contact holes that penetrate the gate insulating film 112 and the interlayer insulating film 113 to the semiconductor layer 21, respectively. The source electrode 20S and the drain electrode 20D are covered with an organic insulating film 114. Such an organic insulating film 114 is formed by a technique such as coating with a resin material in order to alleviate the influence of the unevenness of the lower layer and flatten the surface.

この実施の形態においては、有機ＥＬ素子４０は、有機絶縁膜１１４の上に配置されている。この有機ＥＬ素子４０は、第１電極６０と第２電極６４との間に有機活性層６２を保持した構成であり、以下に詳細な構造について説明する。 In this embodiment, the organic EL element 40 is disposed on the organic insulating film 114. The organic EL element 40 has a configuration in which an organic active layer 62 is held between a first electrode 60 and a second electrode 64, and a detailed structure will be described below.

すなわち、第１電極６０は、有機絶縁膜１１４の上において画素ＰＸ毎に独立島状に配置され、陽極として機能する。この第１電極６０は、有機絶縁膜１１４をドレイン電極２０Ｄまで貫通するコンタクトホールを介して、ドレイン電極２０Ｄにコンタクトしている。 That is, the first electrode 60 is disposed on the organic insulating film 114 in an independent island shape for each pixel PX and functions as an anode. The first electrode 60 is in contact with the drain electrode 20D through a contact hole that penetrates the organic insulating film 114 to the drain electrode 20D.

このような第１電極６０は、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層、及び、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料を用いて形成された反射層を積層した構造であってもよいし、反射層単層、または、透過層単層として構成しても良い。 The first electrode 60 includes a transmissive layer formed using a light-transmitting conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), and aluminum (Al). For example, a reflective layer formed using a light-reflective conductive material such as a laminated structure may be used, or a reflective layer single layer or a transmissive layer single layer may be used.

有機活性層６２は、第１電極６０上に配置され、少なくとも発光層６２Ａを含んでいる。この有機活性層６２は、発光層６２Ａ以外の機能層を含むことができ、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、バッファ層などの機能層を含むことができる。このような有機活性層６２は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。有機活性層６２においては、発光層６２Ａが有機系材料であればよく、発光層６２Ａ以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。 The organic active layer 62 is disposed on the first electrode 60 and includes at least the light emitting layer 62A. The organic active layer 62 may include functional layers other than the light emitting layer 62A, and may include functional layers such as a hole injection layer, a hole transport layer, a blocking layer, an electron transport layer, and a buffer layer. Such an organic active layer 62 may be composed of a single layer in which a plurality of functional layers are combined, or may have a multilayer structure in which the functional layers are laminated. In the organic active layer 62, the light emitting layer 62A may be an organic material, and layers other than the light emitting layer 62A may be an inorganic material or an organic material.

有機活性層６２は、発光層６２Ａ以外の機能層として複数の色画素に共通の共通層を含んでいてもよく、図２に示した例では、発光層６２Ａの第１電極６０側及び第２電極６４側にそれぞれ共通層が配置されている。一方の共通層６２Ｈは、ホール注入層、ホール輸送層などを含み、また、他方の共通層６２Ｅは、電子注入層、電子輸送層などを含んでいる。 The organic active layer 62 may include a common layer common to a plurality of color pixels as a functional layer other than the light emitting layer 62A. In the example shown in FIG. 2, the first electrode 60 side and the second layer of the light emitting layer 62A are included. A common layer is disposed on the electrode 64 side. One common layer 62H includes a hole injection layer, a hole transport layer, and the like, and the other common layer 62E includes an electron injection layer, an electron transport layer, and the like.

発光層６２Ａは、赤、緑、または青に発光する発光機能を有した有機化合物によって形成される。赤色画素ＰＸＲの有機ＥＬ素子４０Ｒの発光層６２Ａは少なくとも赤に発光する有機化合物を含み、緑色画素ＰＸＧの有機ＥＬ素子４０Ｇの発光層６２Ａは少なくとも緑に発光する有機化合物を含み、青色画素ＰＸＢの有機ＥＬ素子４０Ｂの発光層６２Ａは少なくとも青に発光する有機化合物を含んでいる。また、各色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に配置される発光層６２Ａは、赤、緑、青にそれぞれ発光する有機化合物を積層した積層体として構成してもよいし、これらを混合した混合層として構成しても良い。 The light emitting layer 62A is formed of an organic compound having a light emitting function that emits red, green, or blue light. The light emitting layer 62A of the organic EL element 40R of the red pixel PXR includes at least an organic compound that emits red light, and the light emitting layer 62A of the organic EL element 40G of the green pixel PXG includes at least an organic compound that emits green light. The light emitting layer 62A of the organic EL element 40B contains an organic compound that emits at least blue light. Further, the light emitting layer 62A disposed in each color pixel PX (R, G, B) may be configured as a stacked body in which organic compounds that emit light in red, green, and blue are stacked, or a mixture in which these are mixed. It may be configured as a layer.

また、有機活性層６２は、高分子系材料によって形成された薄膜を含んでいても良い。このような薄膜は、インクジェット法などの選択塗布法により成膜可能である。また、有機活性層６２は、低分子系材料によって形成された薄膜を含んでいても良い。このような薄膜は、マスクを介した真空蒸着法などの手法により成膜可能である。 The organic active layer 62 may include a thin film formed of a polymer material. Such a thin film can be formed by a selective coating method such as an inkjet method. The organic active layer 62 may include a thin film formed of a low molecular material. Such a thin film can be formed by a technique such as vacuum vapor deposition through a mask.

例えば、ホール輸送層は、例えばＮＰＤを用いて形成される。このホール輸送層は、３色の色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に共通の共通層６２Ｈであり、アクティブエリア１０２全域にわたってメタルマスク（ラフマスク）を介した真空蒸着法により形成される。 For example, the hole transport layer is formed using NPD, for example. This hole transport layer is a common layer 62H common to the three color pixels PX (R, G, B), and is formed by a vacuum deposition method through a metal mask (rough mask) over the entire active area 102.

発光層６２Ａは、例えば、発光色が赤色、緑色、又は青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜であり、典型的には、ホスト材料とドーパント材料とを含んだ混合物を用いて形成される。このような発光層６２Ａは、例えば、対応する色画素毎に個別に配置され、メタルマスク（ファインマスク）を介した真空蒸着法により形成される。 The light emitting layer 62A is, for example, a thin film containing a luminescent organic compound whose emission color is red, green, or blue, and is typically formed using a mixture containing a host material and a dopant material. . Such a light emitting layer 62A is individually arranged for each corresponding color pixel, and is formed by a vacuum deposition method through a metal mask (fine mask), for example.

ホスト材料としては、アントラセン類、アミン類、スチリル類、シロール類、アゾール類、ポリフェニル類、金属錯体類などの有機物又は有機金属化合物を使用することができる。例えば、ホスト材料として、ジフェニルアントラセン誘導体、ビスカルバゾール、スチリルアミン、ジスチリルアリーレン、オキサゾール、オキサジアゾール、ベンゾイミダゾール、トリス（８−ヒドロキシキノレート）アルミニウム（Ａｌｑ_３）などを使用してもよい。 As the host material, organic substances or organometallic compounds such as anthracenes, amines, styryls, siloles, azoles, polyphenyls, metal complexes, and the like can be used. For example, a diphenylanthracene derivative, biscarbazole, styrylamine, distyrylarylene, oxazole, oxadiazole, benzimidazole, tris (8-hydroxyquinolate) aluminum (Alq ₃ ), or the like may be used as the host material.

ドーパント材料としては、ジシアノメチレンピラン類、ジシアノ類、フェノキサゾン類、チオキサンテン類、ルブレン類、スチリル類、クマリン類、キナクリドン類、縮合多環芳香環類、重金属錯体類などの有機物又は有機金属化合物を使用することができる。例えば、ドーパント材料として、クマリン、ルブレン、ペリレン、アザチオキサンテン、Ｎ−メチルキナクリドン、ジフェニルナフタセン、ペリフランテン、フェニルピリジンをイリジウムに３配位させた錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）などを使用してもよい。 Examples of dopant materials include organic substances or organometallic compounds such as dicyanomethylenepyrans, dicyanos, phenoxazones, thioxanthenes, rubrenes, styryls, coumarins, quinacridones, condensed polycyclic aromatic rings, and heavy metal complexes. Can be used. For example, a complex (Ir (ppy) ₃ ) in which coumarin, rubrene, perylene, azathioxanthene, N-methylquinacridone, diphenylnaphthacene, perifrantene, and phenylpyridine are coordinated to iridium as a dopant material is used. Also good.

電子輸送層は、例えば、トリス（８−ヒドロキシキノレート）アルミニウム（Ａｌｑ_３）などを用いて形成される。このような電子輸送層は、３色の色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に共通の共通層６２Ｅであり、アクティブエリア１０２全域にわたってメタルマスク（ラフマスク）を介した真空蒸着法により形成される。 The electron transport layer is formed using, for example, tris (8-hydroxyquinolate) aluminum (Alq ₃ ). Such an electron transport layer is a common layer 62E common to the three color pixels PX (R, G, B), and is formed by a vacuum deposition method through a metal mask (rough mask) over the entire active area 102. .

第２電極６４は、複数の画素ＰＸに共通であって、各画素ＰＸの有機活性層６２の上に配置され、陰極として機能する。このような第２電極６４は、例えば、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、または、これらの混合物などからなる半透過層、及び、ＩＴＯなどの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層を積層した構造であってもよいし、半透過層単層、または、透過層単層として構成しても良い。 The second electrode 64 is common to the plurality of pixels PX, is disposed on the organic active layer 62 of each pixel PX, and functions as a cathode. Such a second electrode 64 is, for example, a translucent layer made of silver (Ag), magnesium (Mg), aluminum (Al), or a mixture thereof, and a light-transmitting conductive material such as ITO. The structure may be a structure in which transmission layers formed using layers are laminated, or may be configured as a semi-transmission layer single layer or a transmission layer single layer.

上述した有機ＥＬ素子４０は、ＥＬ光を主としてアレイ基板側から外部に取り出すボトムエミッションタイプとして構成されても良いし、ＥＬ光を主として封止基板側から外部に取り出すトップエミッションタイプとして構成されても良い。 The organic EL element 40 described above may be configured as a bottom emission type that extracts EL light mainly from the array substrate side to the outside, or may be configured as a top emission type that extracts EL light mainly from the sealing substrate side to the outside. good.

また、アレイ基板１００は、アクティブエリア１０２において、隣接する画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）間を分離する隔壁７０を備えている。この隔壁７０は、例えば、各第１電極６０の周縁を覆うように配置され、アクティブエリア１０２において格子状またはストライプ状に形成されている。このような隔壁７０は、例えば樹脂材料をパターニングすることによって形成される。この隔壁７０は、第２電極６４によって覆われている。 Further, the array substrate 100 includes a partition wall 70 that separates adjacent pixels PX (R, G, B) in the active area 102. For example, the partition walls 70 are arranged so as to cover the periphery of each first electrode 60 and are formed in a lattice shape or a stripe shape in the active area 102. Such a partition 70 is formed by patterning a resin material, for example. The partition wall 70 is covered with the second electrode 64.

また、この実施の形態においては、図２及び図３に示すように、アレイ基板１００は、さらに、各色画素の有機ＥＬ素子４０を覆うように配置された保護膜４００を備えている。すなわち、保護膜４００は、第２電極６４を覆うように配置されている。このような保護膜４００は、少なくともアクティブエリア１０２の全体にわたって配置されている。 In this embodiment, as shown in FIGS. 2 and 3, the array substrate 100 further includes a protective film 400 arranged so as to cover the organic EL elements 40 of the respective color pixels. That is, the protective film 400 is disposed so as to cover the second electrode 64. Such a protective film 400 is disposed at least over the entire active area 102.

なお、図３においては、アクティブエリア１０２に対応して各画素ＰＸの有機ＥＬ素子４０を含む表示素子部５０が配置されている。このような表示素子部５０は、全体的に保護膜４００によって覆われている。つまり、保護膜４００は、表示素子部５０の表面に配置されるとともにアクティブエリア１０２の最外周の側面まで全周にわたって覆うように配置され、配線基板１２０に枠状に接着している。 In FIG. 3, a display element unit 50 including the organic EL element 40 of each pixel PX is disposed corresponding to the active area 102. Such a display element unit 50 is entirely covered with a protective film 400. That is, the protective film 400 is disposed on the surface of the display element unit 50 and is disposed so as to cover the entire outer periphery of the active area 102 and is adhered to the wiring substrate 120 in a frame shape.

この保護膜４００は、無機系材料によって形成されている。この実施の形態においては、保護膜４００は、珪素（Ｓｉ）、窒素（Ｎ）、及び、酸素（Ｏ）を主成分として形成され、例えば、シリコン酸化物（例えば、ＳｉＯ_２）、シリコン窒化物（例えば、ＳｉＮ_Ｘ）、シリコン酸窒化物（例えば、ＳｉＯＮ）、あるいは、これらの積層膜などによって形成されている。このような保護膜４００は、乾式法であるＣＶＤやスパッタ等の蒸着法により成膜される。保護膜４００は、有機ＥＬ素子４０を構成する第２電極６４に接触するため、有機ＥＬ素子４０へのダメージを考慮すると、成膜手法として乾式法を選択することが望ましい。 The protective film 400 is made of an inorganic material. In this embodiment, the protective film 400 is formed with silicon (Si), nitrogen (N), and oxygen (O) as main components. For example, silicon oxide (for example, SiO ₂ ), silicon nitride (For example, SiN _x ), silicon oxynitride (for example, SiON), or a stacked film thereof. Such a protective film 400 is formed by a dry method such as CVD or sputtering. Since the protective film 400 is in contact with the second electrode 64 constituting the organic EL element 40, it is desirable to select a dry method as a film forming method in consideration of damage to the organic EL element 40.

上述したような構成のアレイ基板１００と封止基板２００との間には、樹脂層５００が充填されている。すなわち、この樹脂層５００は、アレイ基板１００の保護膜４００と封止基板２００との間に充填されている。このような樹脂層５００は、有機系材料であるエポキシ系の樹脂材料などの紫外線硬化型樹脂によって形成されている。 A resin layer 500 is filled between the array substrate 100 and the sealing substrate 200 configured as described above. That is, the resin layer 500 is filled between the protective film 400 of the array substrate 100 and the sealing substrate 200. The resin layer 500 is formed of an ultraviolet curable resin such as an epoxy resin material that is an organic material.

このような樹脂層５００は、樹脂材料を印刷法または滴下工法によりパターン形成することによって形成しても良いし、所望の大きさのシート形状に加工されたエポキシ系の樹脂フィルムを貼付した後に熱処理によって軟化させて形成しても良い。 Such a resin layer 500 may be formed by patterning a resin material by a printing method or a dripping method, or after applying an epoxy resin film processed into a sheet shape having a desired size, heat treatment is performed. It may be formed by softening.

このような樹脂層５００は、アレイ基板１００の表面（保護膜４００の面）における凹凸を吸収するとともに封止基板２００の内面に密着する。つまり、樹脂層５００は、アレイ基板１００と封止基板２００との間に保持されている。 Such a resin layer 500 absorbs irregularities on the surface of the array substrate 100 (the surface of the protective film 400) and adheres closely to the inner surface of the sealing substrate 200. That is, the resin layer 500 is held between the array substrate 100 and the sealing substrate 200.

このため、アレイ基板１００と封止基板２００との間のギャップ、特に、有機ＥＬ素子４０から封止基板２００までのギャップは、樹脂層５００を配置することによって均一化され、光学干渉による干渉縞の発生を抑制することが可能となる。これにより、表示品位を改善することが可能となる。 For this reason, the gap between the array substrate 100 and the sealing substrate 200, in particular, the gap from the organic EL element 40 to the sealing substrate 200 is made uniform by disposing the resin layer 500, and interference fringes due to optical interference. Can be suppressed. Thereby, the display quality can be improved.

また、封止基板２００の内面（つまり、有機ＥＬ素子４０と対向する面）に、乾燥剤を配置するのに必要とされるザグリ加工など手間のかかる加工を施す必要がないため、コストの低減が可能となるとともに、基板の厚みが維持されるためパネル強度を確保することも可能となる。 Further, since it is not necessary to perform troublesome processing such as counterboring necessary for disposing the desiccant on the inner surface of the sealing substrate 200 (that is, the surface facing the organic EL element 40), the cost can be reduced. In addition, since the thickness of the substrate is maintained, the panel strength can be secured.

上述したような構成の有機ＥＬ表示装置１は、図２及び図３に示すように、保護膜４００と樹脂層５００との間に配置された撥液膜６００を備えている。この撥液膜６００は、樹脂層５００を形成するための樹脂材料に対する親和力に欠け、はじく、あるいは、吸着しない性質（すなわち撥液性）を有する層であり、樹脂材料が硬化することによって形成された樹脂層５００との接着力よりも保護膜４００との接着力が強い。 The organic EL display device 1 configured as described above includes a liquid repellent film 600 disposed between the protective film 400 and the resin layer 500, as shown in FIGS. The liquid repellent film 600 is a layer having a property that lacks, repels, or does not adsorb (that is, liquid repellency) to the resin material for forming the resin layer 500, and is formed by curing the resin material. The adhesive strength with the protective film 400 is stronger than the adhesive strength with the resin layer 500.

これにより、樹脂層５００を形成する過程において、液状の樹脂材料が硬化時に収縮する際に、保護膜４００や有機ＥＬ素子４０を構成する各薄膜に加わる応力を低減することが可能となる。このため、アレイ基板１００における薄膜の膜剥がれや欠陥を抑制することが可能となる。これにより、硬化プロセスのプロセスマージンが大きくなり、製造歩留まりを改善することが可能となる。 Thereby, in the process of forming the resin layer 500, when the liquid resin material shrinks upon curing, it is possible to reduce the stress applied to each thin film constituting the protective film 400 and the organic EL element 40. For this reason, it becomes possible to suppress film peeling and defects of the thin film in the array substrate 100. Thereby, the process margin of the curing process is increased, and the manufacturing yield can be improved.

ここで説明した撥液膜６００は、炭素（Ｃ）、及び、フッ素（Ｆ）を主成分として形成されている。また、この撥液膜６００の炭素とフッ素との割合は、炭素１に対してフッ素２以下である。 The liquid repellent film 600 described here is formed mainly of carbon (C) and fluorine (F). Further, the ratio of carbon and fluorine in the liquid repellent film 600 is 2 or less of fluorine with respect to 1 of carbon.

このような撥液膜６００は、炭素及びフッ素を含むガスＣｘＦｙまたはこれと水素ガスを混合させて放電し、プラズマを発生させることにより形成可能である。すなわち、この実施の形態においては、撥液膜６００としては、フルオロカーボン系の原料ガス、例えばＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_８などの原料ガスの放電を用いたプラズマＣＶＤ法により形成される膜を適用する。 Such a liquid repellent film 600 can be formed by generating a plasma by mixing and discharging a gas CxFy containing carbon and fluorine or a hydrogen gas. That is, in this embodiment, as the liquid repellent film 600, plasma using a discharge of a fluorocarbon-based source gas, for example, a source gas such as CF ₄ , C ₂ F ₄ , C ₂ F ₆ , C ₄ F ₈ or the like. A film formed by a CVD method is applied.

フルオロカーボン系のプラズマでは、そこで生成されるラジカルやイオンがＳｉＯ_２やＳｉＮ_ｘと反応してエッチングを促進する特性を持っているため、成膜を支配的にするためには原料ガスの炭素とフッ素との割合（組成比）すなわちＦ／Ｃ比を減少させる（より望ましくは２以下にする）、または、水素ガス（Ｈ_２）を添加することが望ましい。 In the fluorocarbon plasma, the radicals and ions generated there react with SiO ₂ and SiN _x to promote etching, so in order to make film formation dominant, carbon and fluorine as source gases are used. It is desirable to reduce the ratio (composition ratio), that is, the F / C ratio (more preferably to 2 or less), or to add hydrogen gas (H ₂ ).

このようにして成膜された膜は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）と類似した構造を有しており、ＰＴＦＥと類似の膜特性を有している。また、組成においてもＸ線電子分光法（ＸＰＳ）で分析を行うと、Ｆ／Ｃ比は１．５〜２となっている。また、このようにして成膜された膜は、高い撥液性を有するとともに、高い機械的強度及び透明性（透過率）も有している。このため、保護膜４００と樹脂層５００との間に撥液膜６００が介在することによる光学損失は極めて少ない。 The film thus formed has a structure similar to polytetrafluoroethylene (PTFE) and has film characteristics similar to PTFE. Moreover, when the composition is analyzed by X-ray electron spectroscopy (XPS), the F / C ratio is 1.5-2. The film thus formed has high liquid repellency and also has high mechanical strength and transparency (transmittance). For this reason, optical loss due to the liquid repellent film 600 interposed between the protective film 400 and the resin layer 500 is extremely small.

なお、このような必要な特性を維持しつつ生産性を考慮すると、撥液膜６００としての膜厚は、０．１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲とすることが望ましい。また、撥液膜６００の屈折率は、ＳｉＯ_２の屈折率と同等以下、すなわち波長５５０ｎｍの光に対して１．２〜１．５の範囲とすることが望ましい。 In consideration of productivity while maintaining such necessary characteristics, the film thickness of the liquid repellent film 600 is preferably in the range of 0.1 nm to 100 nm. Further, the refractive index of the liquid repellent film 600 is desirably equal to or less than the refractive index of SiO ₂ , that is, in the range of 1.2 to 1.5 with respect to light having a wavelength of 550 nm.

上述したような撥液膜６００は、保護膜４００と同一の領域に配置されている。すなわち、撥液膜６００は、保護膜４００に重なるようにアクティブエリア１０２の全体にわたって配置されている。 The liquid repellent film 600 as described above is disposed in the same region as the protective film 400. That is, the liquid repellent film 600 is disposed over the entire active area 102 so as to overlap the protective film 400.

一方で、樹脂層５００は、保護膜４００及び撥液膜６００を覆うとともに、撥液膜６００を介することなく配線基板１２０に枠状に接着している。すなわち、樹脂層５００は、撥液膜６００の表面及び撥液膜６００から露出した保護膜４００の表面に配置されるとともに、アクティブエリア１０２の外側まで全周にわたって延在し、撥液膜６００の設置面積よりも広い面積にわたって配置されている。これにより、樹脂層５００は、アクティブエリア１０２の外側において配線基板１２０に枠状に接着している。したがって、樹脂層５００のアレイ基板１００への接着力を確保できる。 On the other hand, the resin layer 500 covers the protective film 400 and the liquid repellent film 600 and is bonded to the wiring substrate 120 in a frame shape without the liquid repellent film 600 interposed therebetween. That is, the resin layer 500 is disposed on the surface of the liquid-repellent film 600 and the surface of the protective film 400 exposed from the liquid-repellent film 600, and extends over the entire periphery to the outside of the active area 102. It is arranged over an area larger than the installation area. As a result, the resin layer 500 is bonded to the wiring board 120 in a frame shape outside the active area 102. Therefore, the adhesive force of the resin layer 500 to the array substrate 100 can be ensured.

アレイ基板１００と封止基板２００とは、図４に示すように、アクティブエリア１０２に対応して配置された樹脂層５００を囲むように枠状に配置されたシール材３００によって貼り合せることが望ましい。これにより、アクティブエリア１０２の気密性が向上し、有機ＥＬ素子４０の劣化を抑制することが可能となる。 As shown in FIG. 4, the array substrate 100 and the sealing substrate 200 are preferably bonded together by a sealing material 300 arranged in a frame shape so as to surround the resin layer 500 arranged corresponding to the active area 102. . Thereby, the airtightness of the active area 102 is improved, and the deterioration of the organic EL element 40 can be suppressed.

シール材３００は、感光性樹脂（例えば紫外線硬化型樹脂）であっても良いが、特に、フリットであることが望ましい。フリットは、水分を通さない（あるいは透水性が極めて低い）ため、外部から樹脂層５００に向かって水分が浸入することはなく、有機ＥＬ素子４０の水分による劣化を抑制することができ、信頼性を向上することができるとともに長寿命化が可能となる。 The sealing material 300 may be a photosensitive resin (for example, an ultraviolet curable resin), but is particularly preferably a frit. Since the frit does not pass moisture (or has extremely low water permeability), moisture does not enter the resin layer 500 from the outside, and deterioration of the organic EL element 40 due to moisture can be suppressed. As well as a longer life.

近年では、高精細化などの要求に伴い、封止基板２００の外面が表示面となるようなトップエミッション方式が主流となりつつある。このようなトップエミッション方式を適用する場合には、従来の樹脂製のシール材ではパネル内に乾燥剤を設置することが困難となるのに対して、本実施形態で説明したような保護膜４００によって表示素子部５０を覆うとともに封止基板２００との間に樹脂層５００を充填することによって乾燥剤を設置する必要がなくなる。しかも、フリット封止技術を組み合わせることにより、パネルの表示品質と機械強度、信頼性、耐候性が優れた有機ＥＬパネルが得られる。また、このパネルを用いることにより超薄型の高品位有機ＥＬ表示装置が実現できる。 In recent years, a top emission method in which the outer surface of the sealing substrate 200 is a display surface is becoming mainstream in response to a demand for higher definition and the like. When such a top emission method is applied, it is difficult to install a desiccant in the panel with a conventional resin sealing material, whereas the protective film 400 as described in this embodiment is used. Thus, it is not necessary to install a desiccant by covering the display element unit 50 and filling the resin layer 500 with the sealing substrate 200. In addition, by combining frit sealing technology, an organic EL panel excellent in display quality, mechanical strength, reliability, and weather resistance of the panel can be obtained. Further, by using this panel, an ultra-thin high-quality organic EL display device can be realized.

次に、製造方法の一例について説明する。 Next, an example of a manufacturing method will be described.

すなわち、画素回路１０などを備えた配線基板１２０を用意し、有機絶縁膜１１４の上に、反射層及び透過層（ＩＴＯ）を順次成膜し、パターニングすることにより、第１電極６０を形成する。その後、樹脂材料を成膜し、パターニングすることにより、アクティブエリア１０２の全体にわたって格子状の隔壁７０を形成する。 That is, a wiring substrate 120 including the pixel circuit 10 is prepared, and a reflective layer and a transmissive layer (ITO) are sequentially formed on the organic insulating film 114 and patterned to form the first electrode 60. . Thereafter, a resin material is formed and patterned to form a lattice-like partition wall 70 over the entire active area 102.

続いて、真空蒸着法により、第１電極６０上に有機活性層６２として、ホール輸送層、発光層、電子輸送層を順次成膜する。発光層については、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層を高精細メタルマスクを用いて個別に蒸着する。ホール輸送層及び電子輸送層については、３色共通層であり、アクティブエリア１０２全域にメタルマスク（ラフマスク）を用いて蒸着する。 Subsequently, a hole transport layer, a light-emitting layer, and an electron transport layer are sequentially formed on the first electrode 60 as the organic active layer 62 by vacuum deposition. As for the light emitting layer, a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer are individually deposited using a high-definition metal mask. The hole transport layer and the electron transport layer are common layers of three colors, and are deposited using a metal mask (rough mask) over the entire active area 102.

続いて、真空蒸着法またはスパッタ法により、ラフマスクを用いて導電層（銀、マグネシウム、アルミニウム、または、これらの混合物）を成膜し、第２電極６４を形成する。更に、保護膜４００として、プラズマＣＶＤ法により、第２電極６４全体を完全に覆うパターンのラフマスクを用いて、無機膜（シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）、シリコン窒化物（ＳｉＮ_Ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、あるいは、これらの積層膜）を成膜する。この後、保護膜４００と同様のラフマスクを用いて、フルオロカーボン系の原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により撥液膜６００を成膜する。これにより、アレイ基板が製造される。 Subsequently, a conductive layer (silver, magnesium, aluminum, or a mixture thereof) is formed using a rough mask by vacuum deposition or sputtering, and the second electrode 64 is formed. Further, an inorganic film (silicon oxide (SiO ₂ ), silicon nitride (SiN _x ), silicon oxynitride is used as the protective film 400 by using a rough mask having a pattern that completely covers the entire second electrode 64 by plasma CVD. (SiON) or a laminated film thereof) is formed. Thereafter, a liquid repellent film 600 is formed by a plasma CVD method using a fluorocarbon-based source gas using a rough mask similar to the protective film 400. Thereby, an array substrate is manufactured.

一方、封止基板２００としては、アレイ基板１００の母基板と同一の無アルカリガラスを用い、ペースト状にしたフリットガラス材料をアクティブエリア１０２の周辺を取り囲む形状にディスペンサーを用いて塗布し、その後、熱処理を行い、このフリットガラスの塗布パターンを硬化する。次に、このフリットガラスパターンの内側に、樹脂層５００となるエポキシ系の樹脂材料をスクリーン印刷法または滴下法により成膜する。 On the other hand, as the sealing substrate 200, the same non-alkali glass as the mother substrate of the array substrate 100 is used, and a paste-like frit glass material is applied in a shape surrounding the periphery of the active area 102 using a dispenser. Heat treatment is performed to cure the frit glass coating pattern. Next, an epoxy resin material to be the resin layer 500 is formed inside the frit glass pattern by a screen printing method or a dropping method.

その後、封止基板２００とアレイ基板１００とを真空チャンバー中で貼りあわせた後に、８０〜１００℃の熱処理によって樹脂材料を硬化させる。 Thereafter, the sealing substrate 200 and the array substrate 100 are bonded together in a vacuum chamber, and then the resin material is cured by heat treatment at 80 to 100 ° C.

続いて、封止基板２００をアレイ基板１００に向けて加圧しながらフリットガラスパターンに波長８００〜９００ｎｍ、パワー約１０Ｗのレーザー光を照射することにより、フリットガラスをアレイ基板１００に溶着させる。そして、各パネルサイズに割断を行い、有機ＥＬパネルが完成する。 Subsequently, the frit glass is welded to the array substrate 100 by irradiating the frit glass pattern with laser light having a wavelength of 800 to 900 nm and a power of about 10 W while pressing the sealing substrate 200 toward the array substrate 100. And it cuts into each panel size, and an organic electroluminescent panel is completed.

以上説明したように、この実施の形態によれば、表示品位を改善することが可能であるとともに製造歩留まりを改善することが可能な表示装置を提供することができる。 As described above, according to this embodiment, it is possible to provide a display device capable of improving the display quality and improving the manufacturing yield.

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the spirit of the invention in the stage of implementation. Further, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, you may combine suitably the component covering different embodiment.

図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention. 図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を切断したときの構造を概略的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a structure when the organic EL display device shown in FIG. 1 is cut. 図３は、保護膜と樹脂層との間に撥液膜を備えた構成の有機ＥＬ表示装置の構造を概略的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a structure of an organic EL display device having a liquid repellent film between a protective film and a resin layer. 図４は、アクティブエリアを囲むシール材を備えた構成の有機ＥＬ表示装置の構造を概略的に示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a structure of an organic EL display device having a configuration including a sealing material surrounding an active area.

Explanation of symbols

１…有機ＥＬ表示装置ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…画素
１０…画素回路４０…有機ＥＬ素子（表示素子）５０…表示素子部
６０…第１電極６２…有機活性層６４…第２電極７０…隔壁
１００…アレイ基板１２０…配線基板
２００…封止基板３００…シール材
４００…保護膜５００…樹脂層６００…撥液膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL display apparatus PX (R, G, B) ... Pixel 10 ... Pixel circuit 40 ... Organic EL element (display element) 50 ... Display element part 60 ... 1st electrode 62 ... Organic active layer 64 ... 2nd electrode 70 ... partition wall 100 ... array substrate 120 ... wiring substrate 200 ... sealing substrate 300 ... sealing material 400 ... protective film 500 ... resin layer 600 ... liquid repellent film

Claims

An array substrate comprising a self-luminous display element on a wiring board, and a protective film that is disposed so as to cover the display element and is formed of an inorganic material;
A sealing substrate disposed to face a surface of the array substrate on which the display element is disposed;
A resin layer filled between the array substrate and the sealing substrate;
A liquid repellent film disposed between the protective film and the resin layer, the adhesive force with the protective film being stronger than the adhesive force with the resin layer;
An organic EL display device comprising:

The organic EL display device according to claim 1, wherein the liquid repellent film is formed mainly of carbon (C) and fluorine (F).

2. The organic EL display device according to claim 1, wherein a ratio of carbon and fluorine of the liquid repellent film is 2 or less of fluorine with respect to carbon 1.

The organic EL display device according to claim 1, wherein the liquid repellent film is disposed in the same region as the protective film.

The organic EL display device according to claim 1, wherein the protective film is formed mainly of silicon (Si), nitrogen (N), and oxygen (O).

The organic EL display device according to claim 1, wherein the resin layer is formed of an epoxy resin material.

2. The organic EL display device according to claim 1, wherein the resin layer covers the protective film and the liquid repellent film, and is bonded to the wiring substrate in a frame shape without the liquid repellent film interposed therebetween.

The organic EL display device according to claim 1, wherein the array substrate and the sealing substrate are bonded together by a frit arranged so as to surround the resin layer.

The display element is
A first electrode disposed on the wiring board;
An organic active layer disposed on the first electrode;
The display device according to claim 1, further comprising: a second electrode disposed on the organic active layer.

2. The organic EL display device according to claim 1, wherein the organic EL display device is a top emission method in which EL light generated in the display element is extracted from the sealing substrate side.