JP2009070696A - Display device - Google Patents

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Shirou Sumida
祉朗 炭田
Michiya Kobayashi
道哉 小林
Kazuyoshi Komata
一由 小俣
Masashi Takahashi
冒志 高橋
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Japan Display Central Inc
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Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device having a good display quality and capable of extending a life-time. <P>SOLUTION: The display device includes an active area constructed by a plurality of pixels and has an organic insulating film 114 arranged on a support substrate 101, a first electrode 60 which is arranged for every pixel on the surface corresponding to the active area 102 of the organic insulating film 114, an organic active layer 62 arranged on the first electrode 60, a second electrode 64 which is arranged on the organic active layer 62 and is common to the plurality of pixels, and a barrier film 130 which is formed of an identical material to the first electrode 60 and covers the surface outside of the active area 104 of the organic insulating film 114. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は、表示装置に係り、特に、自発光性の表示素子を備えた構成の表示装置に関する。   The present invention relates to a display device, and more particularly to a display device having a structure including a self-luminous display element.

近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置が注目されている。この有機EL表示装置は、自発光素子である有機EL素子を備えていることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。   In recent years, organic electroluminescence (EL) display devices have attracted attention as flat display devices. Since this organic EL display device includes an organic EL element that is a self-luminous element, the viewing angle is wide, the backlight can be thinned, the power consumption can be reduced, and the response speed can be reduced. It has the feature of being fast.

これらの特徴から、有機EL表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。有機EL表示装置としては、有機EL素子で発生したEL光をアレイ基板側から外部に取り出す下面発光(ボトムエミッション)方式、及び、有機EL素子で発生したEL光を封止基板側から外部に取り出す上面発光(トップエミッション)方式がある。   Because of these features, organic EL display devices are attracting attention as potential candidates for next-generation flat display devices that replace liquid crystal display devices. As an organic EL display device, a bottom emission method in which EL light generated in the organic EL element is extracted from the array substrate side and an EL light generated in the organic EL element is extracted from the sealing substrate side to the outside. There is a top emission method.

有機EL素子は、画素回路などとともにアレイ基板に備えられ、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持して構成されている。陽極は、各画素を独立に駆動するために画素毎に配置されている。各画素は、隔壁によって分離されている。このような構成の有機EL素子は、水分の影響により劣化しやすい薄膜を含んで構成されている。このため、基板上に有機EL素子を形成しただけの構成の場合、短時間のうちにダークスポット、画素シュリンケージと呼ばれる点灯しない領域が発生し、また、このような領域が拡大して商品として使用できない状態になってしまう。   The organic EL element is provided on an array substrate together with a pixel circuit and the like, and is configured by holding an organic active layer containing an organic compound having a light emitting function between an anode and a cathode. The anode is arranged for each pixel in order to drive each pixel independently. Each pixel is separated by a partition wall. The organic EL element having such a configuration is configured to include a thin film that easily deteriorates due to the influence of moisture. For this reason, in the case of a configuration in which an organic EL element is simply formed on a substrate, a non-lighting area called a dark spot or pixel shrinkage occurs in a short time, and such an area expands as a product. It becomes unusable.

そこで、有機EL表示装置内の水分を除去するための吸湿材料を有機EL素子上に設置した基板を用意し、有機EL素子が配置された基板の周辺に設置したシール材を介して封止基板を貼り合わせることにより水分による劣化を防止する構成が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2002−299040号公報
Therefore, a substrate in which a moisture absorbing material for removing moisture in the organic EL display device is provided on the organic EL element is prepared, and a sealing substrate is provided via a sealing material provided around the substrate on which the organic EL element is arranged. The structure which prevents deterioration by a water | moisture content by bonding together is proposed (for example, refer patent document 1).
JP 2002-299040 A

有機EL素子は、その下層の凹凸の影響を受けないように平坦化された下地(平坦化層)の上に配置されることが多い。このような平坦化層は、樹脂材料をスピンコートするなどの手法によって形成されている。   In many cases, the organic EL element is disposed on a flattened base (planarized layer) so as not to be affected by the unevenness of the lower layer. Such a planarization layer is formed by a technique such as spin coating with a resin material.

このような樹脂材料は、水分を吸収しやすい性質を有している場合がある。このため、樹脂材料に吸収された水分が拡散して、有機EL素子を劣化させる現象が発生し得るモードがある。すなわち、有機EL素子は水分浸入によって劣化するため、輝度が低下し、時間の経過に伴って正常輝度で発光しなくなるという事態を生じることがある。   Such a resin material may have a property of easily absorbing moisture. For this reason, there is a mode in which moisture absorbed in the resin material diffuses and a phenomenon that the organic EL element is deteriorated may occur. That is, since the organic EL element deteriorates due to moisture intrusion, the luminance decreases, and there may be a situation in which the light does not emit light with normal luminance as time passes.

このような水分の影響を抑制する対策として、多量の乾燥剤を設置することが有効であるが、コストの増大を招くとともに、特にトップエミッション方式では乾燥剤を設置可能な領域が限られており、十分な対策となりえない。   It is effective to install a large amount of desiccant as a measure to suppress the influence of such moisture, but it causes an increase in cost and the area where desiccant can be installed is limited especially in the top emission method. It cannot be a sufficient measure.

この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、表示品位が良好であり、且つ、長寿命化が可能な表示装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a display device that has good display quality and can have a long lifetime.

この発明の態様による表示装置は、
複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
支持基板上に配置された有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜のアクティブエリアに対応した表面において、画素毎に配置された第1電極と、
前記第1電極上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層上に配置され、複数の画素に共通の第2電極と、
前記第1電極と同一材料によって形成され、前記有機絶縁膜におけるアクティブエリア外の表面を覆うバリア膜と、
を備えたことを特徴とする。
A display device according to an aspect of the present invention includes:
A display device having an active area composed of a plurality of pixels,
An organic insulating film disposed on a support substrate;
A first electrode disposed for each pixel on the surface corresponding to the active area of the organic insulating film;
An organic active layer disposed on the first electrode;
A second electrode disposed on the organic active layer and common to a plurality of pixels;
A barrier film formed of the same material as the first electrode and covering a surface outside the active area in the organic insulating film;
It is provided with.

この発明によれば、有機絶縁膜と隔壁とがバリア膜によって分断されているため、たとえ隔壁から水分が浸入したとしても有機絶縁膜への拡散を抑制することが可能となるとともに、逆に、有機絶縁膜に含まれる水分の隔壁への拡散も抑制することが可能となる。このため、一部の画素の急速な劣化を抑制することができ、発光輝度のムラを抑制できるため、表示品位を改善することが可能となるとともに、長寿命化が可能となる。したがって、製造歩留まりを改善することが可能となり、また、多量の乾燥剤も必要としないため、コストの増大を抑制することが可能となる。特に、トップエミッション方式においては、少量の乾燥剤により、十分な水分対策を実現することができる。   According to the present invention, since the organic insulating film and the partition are separated by the barrier film, even if moisture enters from the partition, it is possible to suppress diffusion to the organic insulating film, and conversely, It is also possible to suppress diffusion of moisture contained in the organic insulating film into the partition walls. For this reason, rapid deterioration of some pixels can be suppressed, and unevenness in light emission luminance can be suppressed, so that display quality can be improved and life can be extended. Therefore, the production yield can be improved, and a large amount of desiccant is not required, so that an increase in cost can be suppressed. In particular, in the top emission method, a sufficient countermeasure against moisture can be realized with a small amount of desiccant.

以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置を例にして説明する。   A display device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In this embodiment, a self-luminous display device such as an organic EL (electroluminescence) display device will be described as an example of the display device.

有機EL表示装置1は、図1に示すように、画像を表示するアクティブエリア102を有するアレイ基板100を備えている。アクティブエリア102は、マトリクス状に配置された複数の画素PXによって構成されている。また、図1では、カラー表示タイプの有機EL表示装置1を例に示しており、アクティブエリア102は、複数種類の色画素、例えば3原色に対応した赤色画素PXR、緑色画素PXG、及び、青色画素PXBによって構成されている。   As shown in FIG. 1, the organic EL display device 1 includes an array substrate 100 having an active area 102 for displaying an image. The active area 102 is composed of a plurality of pixels PX arranged in a matrix. Further, FIG. 1 shows a color display type organic EL display device 1 as an example, and the active area 102 includes a plurality of types of color pixels, for example, a red pixel PXR, a green pixel PXG, and a blue color corresponding to three primary colors. A pixel PXB is used.

アレイ基板100の少なくともアクティブエリア102は、封止体200によって封止されている。すなわち、これらのアレイ基板100と封止体200とは、アクティブエリア102を囲むように枠状に配置されたシール材300により貼り合せられている。シール材300は、感光性樹脂(例えば紫外線硬化型樹脂)であっても良いし、フリットであっても良い。   At least the active area 102 of the array substrate 100 is sealed with a sealing body 200. That is, the array substrate 100 and the sealing body 200 are bonded together by the sealing material 300 arranged in a frame shape so as to surround the active area 102. The sealing material 300 may be a photosensitive resin (for example, an ultraviolet curable resin) or a frit.

各画素PX(R、G、B)は、画素回路10及びこの画素回路10によって駆動制御される表示素子40を備えている。図1に示した画素回路10は、一例であって、他の構成の画素回路を適用しても良いことは言うまでもない。図1に示した例では、画素回路10は、駆動トランジスタDRT、第1スイッチSW1、第2スイッチSW2、第3スイッチSW3、蓄積容量素子CSなどを備えて構成されている。駆動トランジスタDRTは、表示素子40に供給する電流量を制御する機能を有している。第1スイッチSW1及び第2スイッチSW2は、サンプル・ホールドスイッチとして機能する。第3スイッチ素子SW3は、駆動トランジスタDRTから表示素子40への駆動電流の供給、つまり表示素子40のオン/オフを制御する機能を有している。蓄積容量素子CSは、駆動トランジスタDRTのゲートーソース間の電位を保持する機能を有している。   Each pixel PX (R, G, B) includes a pixel circuit 10 and a display element 40 that is driven and controlled by the pixel circuit 10. The pixel circuit 10 shown in FIG. 1 is an example, and it goes without saying that a pixel circuit having another configuration may be applied. In the example shown in FIG. 1, the pixel circuit 10 includes a drive transistor DRT, a first switch SW1, a second switch SW2, a third switch SW3, a storage capacitor element CS, and the like. The drive transistor DRT has a function of controlling the amount of current supplied to the display element 40. The first switch SW1 and the second switch SW2 function as a sample / hold switch. The third switch element SW3 has a function of controlling driving current supply from the driving transistor DRT to the display element 40, that is, on / off of the display element 40. The storage capacitor element CS has a function of holding the potential between the gate and source of the drive transistor DRT.

駆動トランジスタDRTは、高電位電源線P1と第3スイッチSW3との間に接続されている。表示素子40は、第3スイッチSW3と低電位電源線P2との間に接続されている。第1スイッチSW1及び第2スイッチSW2のゲート電極は、第1ゲート線GL1に接続されている。第3スイッチSW3のゲート電極は、第2ゲート線GL2に接続されている。第1スイッチSW1のソース電極は、映像信号線SLに接続されている。これらの駆動トランジスタDRT、第1スイッチSW1、第2スイッチSW2、及び、第3スイッチ素子SW3は、例えば薄膜トランジスタによって構成され、その半導体層は、ここではポリシリコンによって形成されている。   The drive transistor DRT is connected between the high potential power supply line P1 and the third switch SW3. The display element 40 is connected between the third switch SW3 and the low potential power line P2. The gate electrodes of the first switch SW1 and the second switch SW2 are connected to the first gate line GL1. The gate electrode of the third switch SW3 is connected to the second gate line GL2. The source electrode of the first switch SW1 is connected to the video signal line SL. The drive transistor DRT, the first switch SW1, the second switch SW2, and the third switch element SW3 are configured by, for example, thin film transistors, and the semiconductor layer is formed of polysilicon here.

このような回路構成の場合、第1ゲート線GL1からオン信号が供給されたのに基づいて第1スイッチSW1及び第2スイッチSW2がオンとなり、映像信号線SLを流れる電流量に応じて高電位電源線P1から駆動トランジスタDRTに電流が流れ、また、駆動トランジスタDRTを流れる電流に応じて蓄積容量素子CSが充電される。これにより、駆動トランジスタDRTは、映像信号線SLから供給された電流量と同一の電流量を、高電位電源線P1から表示素子40に供給可能となる。   In the case of such a circuit configuration, the first switch SW1 and the second switch SW2 are turned on based on the ON signal supplied from the first gate line GL1, and the high potential is set according to the amount of current flowing through the video signal line SL. A current flows from the power supply line P1 to the drive transistor DRT, and the storage capacitor element CS is charged according to the current flowing through the drive transistor DRT. As a result, the drive transistor DRT can supply the same amount of current as that supplied from the video signal line SL to the display element 40 from the high potential power supply line P1.

そして、第2ゲート線GL2からオン信号が供給されたのに基づいて第3スイッチSW3がオンとなり、蓄積容量素子CSで保持した容量に応じて、駆動トランジスタDRTは、高電位電源線P1から第3スイッチSW3を介して表示素子40に所定輝度に対応した所定量の電流を供給する。これにより、表示素子40は、所定の輝度に発光する。   Then, the third switch SW3 is turned on based on the ON signal supplied from the second gate line GL2, and the driving transistor DRT is connected to the first potential from the high potential power supply line P1 according to the capacitance held in the storage capacitor element CS. A predetermined amount of current corresponding to a predetermined luminance is supplied to the display element 40 via the three switch SW3. Thereby, the display element 40 emits light with a predetermined luminance.

表示素子40は、自発光性の表示素子である有機EL素子40(R、G、B)によって構成されている。すなわち、赤色画素PXRは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機EL素子40Rを備えている。緑色画素PXGは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機EL素子40Gを備えている。青色画素PXBは、主に青色波長に対応した光を出射する有機EL素子40Bを備えている。   The display element 40 includes an organic EL element 40 (R, G, B) that is a self-luminous display element. That is, the red pixel PXR includes an organic EL element 40R that mainly emits light corresponding to the red wavelength. The green pixel PXG includes an organic EL element 40G that mainly emits light corresponding to the green wavelength. The blue pixel PXB includes an organic EL element 40B that mainly emits light corresponding to the blue wavelength.

各種有機EL素子40(R、G、B)は、基本的に同一構成であり、例えば、図2に示すように、配線基板120上に配置されている。なお、配線基板120は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板101上に、アンダーコート層111、ゲート絶縁膜112、層間絶縁膜113、有機絶縁膜(平坦化層)114などの絶縁層を備える他に、各種スイッチSW、駆動トランジスタDRT、蓄積容量素子Cs、各種配線(ゲート線、映像信号線、電源線等)などを備えて構成されたものとする。   The various organic EL elements 40 (R, G, B) have basically the same configuration, and are disposed on the wiring substrate 120 as shown in FIG. In addition, the wiring board 120 is insulated on an insulating support substrate 101 such as a glass substrate or a plastic sheet, such as an undercoat layer 111, a gate insulating film 112, an interlayer insulating film 113, and an organic insulating film (planarization layer) 114. In addition to the layers, it is configured to include various switches SW, drive transistors DRT, storage capacitor elements Cs, various wirings (gate lines, video signal lines, power supply lines, etc.) and the like.

すなわち、図2に示した例では、アンダーコート層111の上には、スイッチや駆動トランジスタなどのトランジスタ素子(図1に示した回路構成においては第3スイッチSW3)20の半導体層21が配置されている。半導体層21は、ゲート絶縁膜112によって覆われている。ゲート絶縁膜112の上には、トランジスタ素子20のゲート電極20Gなどが配置されている。ゲート電極20Gは、層間絶縁膜113によって覆われている。層間絶縁膜113の上には、トランジスタ素子20のソース電極20S及びドレイン電極20Dなどが配置されている。これらのソース電極20S及びドレイン電極20Dは、ゲート絶縁膜112及び層間絶縁膜113を半導体層21まで貫通するコンタクトホールを介して半導体層21にそれぞれコンタクトしている。これらのソース電極20S及びドレイン電極20Dは、有機絶縁膜114によって覆われている。このような有機絶縁膜114は、下層の凹凸の影響を緩和しその表面を平坦化する目的で、樹脂材料をコーティングするなどの手法により形成されている。   That is, in the example shown in FIG. 2, the semiconductor layer 21 of the transistor element (the third switch SW3 in the circuit configuration shown in FIG. 1) 20 is disposed on the undercoat layer 111. ing. The semiconductor layer 21 is covered with the gate insulating film 112. On the gate insulating film 112, the gate electrode 20G of the transistor element 20 and the like are disposed. The gate electrode 20G is covered with an interlayer insulating film 113. On the interlayer insulating film 113, the source electrode 20S and the drain electrode 20D of the transistor element 20 are disposed. The source electrode 20S and the drain electrode 20D are in contact with the semiconductor layer 21 through contact holes that penetrate the gate insulating film 112 and the interlayer insulating film 113 to the semiconductor layer 21, respectively. The source electrode 20S and the drain electrode 20D are covered with an organic insulating film 114. Such an organic insulating film 114 is formed by a technique such as coating with a resin material in order to alleviate the influence of the unevenness of the lower layer and flatten the surface.

有機EL素子40は、有機絶縁膜114の上に配置されている。この有機EL素子40は、第1電極60と第2電極64との間に有機活性層62を保持した構成であり、以下に詳細な構造について説明する。   The organic EL element 40 is disposed on the organic insulating film 114. The organic EL element 40 has a configuration in which an organic active layer 62 is held between a first electrode 60 and a second electrode 64, and a detailed structure will be described below.

すなわち、第1電極60は、有機絶縁膜114の上において色画素PX毎に独立島状に配置され、陽極として機能する。この第1電極60は、有機絶縁膜114をドレイン電極20Dまで貫通するコンタクトホールを介して、ドレイン電極20Dにコンタクトしている。このような第1電極60は、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。   That is, the first electrode 60 is disposed on the organic insulating film 114 in an independent island shape for each color pixel PX, and functions as an anode. The first electrode 60 is in contact with the drain electrode 20D through a contact hole that penetrates the organic insulating film 114 to the drain electrode 20D. Such a first electrode 60 is formed of a light-transmitting conductive material such as indium tin oxide (ITO).

有機活性層62は、第1電極60上に配置され、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層62は、発光層以外の機能層を含むことができ、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含むことができる。このような有機活性層62は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。有機活性層62においては、発光層が有機系材料であればよく、発光層以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。有機活性層62において、発光層以外の機能層は共通層であってもよい。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有した有機化合物によって形成される。   The organic active layer 62 is disposed on the first electrode 60 and includes at least a light emitting layer. The organic active layer 62 can include functional layers other than the light emitting layer, and includes, for example, functional layers such as a hole injection layer, a hole transport layer, a blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a buffer layer. it can. Such an organic active layer 62 may be composed of a single layer in which a plurality of functional layers are combined, or may have a multilayer structure in which the functional layers are laminated. In the organic active layer 62, the light emitting layer may be an organic material, and layers other than the light emitting layer may be an inorganic material or an organic material. In the organic active layer 62, the functional layer other than the light emitting layer may be a common layer. The light emitting layer is formed of an organic compound having a light emitting function that emits red, green, or blue light.

有機活性層62は、高分子系材料によって形成された薄膜を含んでいても良い。このような薄膜は、インクジェット法などの選択塗布法により成膜可能である。また、有機活性層62は、低分子系材料によって形成された薄膜を含んでいても良い。このような薄膜は、マスク蒸着法などの手法により成膜可能である。   The organic active layer 62 may include a thin film formed of a polymer material. Such a thin film can be formed by a selective coating method such as an inkjet method. The organic active layer 62 may include a thin film formed of a low molecular material. Such a thin film can be formed by a technique such as mask vapor deposition.

第2電極64は、複数の色画素PXに共通であって、各色画素PXの有機活性層62の上に配置され、陰極として機能する。この第2電極64は、半透過層を含んでいてもよい。すなわち、第2電極64は、ITOなどの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層と、透過層と有機活性層62との間に配置され銀(Ag)とマグネシウム(Mg)との混合物などによって形成された半透過層との2層構造としても良いし、半透過層単層の電極として構成してもよい。なお、第2電極64は、透過層単層で構成してもよいことは言うまでもない。   The second electrode 64 is common to the plurality of color pixels PX, is disposed on the organic active layer 62 of each color pixel PX, and functions as a cathode. The second electrode 64 may include a semi-transmissive layer. That is, the second electrode 64 is disposed between a transmissive layer formed using a light-transmitting conductive material such as ITO, and between the transmissive layer and the organic active layer 62. Silver (Ag) and magnesium (Mg) It may be a two-layer structure with a semi-transparent layer formed of a mixture thereof or a semi-transparent layer electrode. Needless to say, the second electrode 64 may be formed of a single transmissive layer.

また、アレイ基板100は、アクティブエリア102において、少なくとも隣接する色画素PX(R、G、B)間を分離する隔壁70を備えている。この隔壁70は、各第1電極60の周縁を覆うように配置され、アクティブエリア102において格子状またはストライプ状に形成されている。このような隔壁70は、例えば樹脂材料をパターニングすることによって形成される。   In addition, the array substrate 100 includes a partition wall 70 that separates at least adjacent color pixels PX (R, G, B) in the active area 102. The partition walls 70 are arranged so as to cover the periphery of each first electrode 60 and are formed in a lattice shape or a stripe shape in the active area 102. Such a partition 70 is formed by patterning a resin material, for example.

ところで、有機絶縁膜114は、樹脂材料によって形成されているため、水分を吸収しやすい性質を有している。このため、水分による有機EL素子40の劣化を抑制するために、有機絶縁膜114は、露出しないことが望ましく、そのアクティブエリア外すなわち周辺エリア104に延在した端部114Eは、第2電極64によって覆われていることが望ましい。   Incidentally, since the organic insulating film 114 is formed of a resin material, it has a property of easily absorbing moisture. For this reason, in order to suppress deterioration of the organic EL element 40 due to moisture, it is desirable that the organic insulating film 114 is not exposed, and the end portion 114E extending outside the active area, that is, the peripheral area 104, is the second electrode 64. It is desirable to be covered by.

このような有機絶縁膜114は、その表面を平坦化するために、比較的厚い膜厚、例えば2〜3μmの膜厚を有するように形成されている。このため、周辺エリア104においては、有機絶縁膜114の端部114Eによって大きな段差が形成される。つまり、支持基板101の表面101Aと有機絶縁膜114の上面114Tとでは、有機絶縁膜114の膜厚相当の高低差が形成される。また、有機絶縁膜114の端面114Sも急峻な斜面として形成される。   Such an organic insulating film 114 is formed to have a relatively thick film thickness, for example, a film thickness of 2 to 3 μm, in order to flatten the surface thereof. For this reason, in the peripheral area 104, a large step is formed by the end portion 114 </ b> E of the organic insulating film 114. That is, a difference in height corresponding to the film thickness of the organic insulating film 114 is formed between the surface 101A of the support substrate 101 and the upper surface 114T of the organic insulating film 114. Further, the end surface 114S of the organic insulating film 114 is also formed as a steep slope.

一方で、第1電極60は、有機絶縁膜114の上に導電材料を成膜した後、フォトリソグラフィプロセスを経てパターン化される。すなわち、有機絶縁膜114の表面に、アクティブエリア102のみならず周辺エリア104にも導電材料を成膜する。そして、導電材料を覆うようにレジストを塗布し、第1電極のパターンに対応するようにレジストをパターニングする。そして、レジストから露出した導電材料を除去した後、レジストを除去することにより、第1電極60が形成される。   On the other hand, the first electrode 60 is patterned through a photolithography process after a conductive material is formed on the organic insulating film 114. That is, a conductive material is formed on the surface of the organic insulating film 114 not only in the active area 102 but also in the peripheral area 104. Then, a resist is applied so as to cover the conductive material, and the resist is patterned so as to correspond to the pattern of the first electrode. Then, after removing the conductive material exposed from the resist, the first electrode 60 is formed by removing the resist.

このとき、有機絶縁膜114の端部114Eにおいて大きな段差が形成されているため、この部分に塗布されるレジストの膜厚が厚くなりやすく、レジストが除去しきれないため、結果として、有機絶縁膜114の端面114Sと支持基板101とが接する付近において、除去し切れなかった導電材料が残ってしまうことがある。   At this time, since a large step is formed at the end portion 114E of the organic insulating film 114, the thickness of the resist applied to this portion tends to increase, and the resist cannot be completely removed. As a result, the organic insulating film In the vicinity of the end surface 114S of 114 and the support substrate 101 being in contact with each other, the conductive material that cannot be completely removed may remain.

このため、後の工程で第2電極64をマスク蒸着などの手法によって形成するが、第1電極60を形成した際の導電材料の残渣の影響により、周辺エリア104においては、有機絶縁膜114の端部114Eのカバレッジ不良を招くおそれがある。つまり、第2電極64に形成されたピンホールから有機絶縁膜114が露出するため、水分の浸入経路が形成されてしまう。   For this reason, the second electrode 64 is formed by a technique such as mask vapor deposition in a later process. However, due to the influence of the residue of the conductive material when the first electrode 60 is formed, the organic insulating film 114 is formed in the peripheral area 104. There is a risk of poor coverage of the end 114E. That is, since the organic insulating film 114 is exposed from the pinhole formed in the second electrode 64, a moisture intrusion path is formed.

そこで、図2に示した第1実施形態によれば、有機絶縁膜114における周辺エリア104の表面は、第1電極60と同一材料によって形成されたバリア膜130によって覆われている。すなわち、バリア膜130は、最外周の隔壁70Xと有機絶縁膜114との間に配置され、隔壁70Xより外方(つまり、アレイ基板100の端部側)に向かって延在し、有機絶縁膜114の上面114T及び端面114Sを覆うとともに、支持基板101の表面101Aに接している。また、このバリア膜130は、最外周画素の第1電極60とは切り離されている。   Therefore, according to the first embodiment shown in FIG. 2, the surface of the peripheral area 104 in the organic insulating film 114 is covered with the barrier film 130 made of the same material as the first electrode 60. That is, the barrier film 130 is disposed between the outermost partition wall 70X and the organic insulating film 114, and extends outward from the partition wall 70X (that is, the end side of the array substrate 100). The upper surface 114T and the end surface 114S of 114 are covered and in contact with the surface 101A of the support substrate 101. The barrier film 130 is separated from the first electrode 60 of the outermost peripheral pixel.

このバリア膜130は、第1電極60と同様に、透水性の低い無機系材料によって形成されており、ここではITOによって形成されている。このため、周辺エリア104においては、有機絶縁膜114への水分の浸入を抑制することが可能となる。なお、アクティブエリア102においては、ITOによって形成された第1電極60が有機絶縁膜114から有機活性層62への水分の浸入を抑制している。   Similar to the first electrode 60, the barrier film 130 is formed of an inorganic material having low water permeability, and is formed of ITO here. For this reason, in the peripheral area 104, it is possible to suppress moisture from entering the organic insulating film 114. In the active area 102, the first electrode 60 formed of ITO suppresses the intrusion of moisture from the organic insulating film 114 to the organic active layer 62.

また、第1電極60を形成する工程において、第1電極60をパターン化するのと同時に、有機絶縁膜114の端部114Eを覆うバリア膜130を形成することにより、上述したような第1電極60を形成した際の導電材料の残渣の影響を解消することができる。つまり、バリア膜130のみによって、有機絶縁膜114の十分なカバレッジが可能となる。   In the step of forming the first electrode 60, the first electrode 60 as described above is formed by forming the barrier film 130 covering the end portion 114 </ b> E of the organic insulating film 114 simultaneously with the patterning of the first electrode 60. The influence of the residue of the conductive material when forming 60 can be eliminated. That is, sufficient coverage of the organic insulating film 114 is possible only by the barrier film 130.

さらに、第2電極64によって周辺エリア104まで覆う場合、第2電極64がバリア膜130に密着し、しかも、支持基板101に接するように配置される。このとき、第2電極64については、第1電極を形成した際の残渣の影響によるピンホールの形成を抑制できる。このため、有機絶縁膜114の端部114Eがバリア膜130及び第2電極64の積層体によって覆われ、より高いカバレッジ性能を実現できる。   Further, when the peripheral area 104 is covered with the second electrode 64, the second electrode 64 is disposed in close contact with the barrier film 130 and in contact with the support substrate 101. At this time, with respect to the second electrode 64, the formation of pinholes due to the influence of the residue when the first electrode is formed can be suppressed. For this reason, the edge part 114E of the organic insulating film 114 is covered with the laminated body of the barrier film 130 and the 2nd electrode 64, and higher coverage performance is realizable.

なお、隔壁70も有機絶縁膜114と同様に樹脂材料によって形成されるが、最外周の隔壁70Xも含めてすべてが第2電極64によって覆われている。すなわち、バリア膜130は隔壁70Xより外方に延在しているが、同様に、第2電極64も隔壁70Xよりも外方に延在しており、有機絶縁膜114の端部114Eにおいてバリア膜130と第2電極64とが密着している。つまり、隔壁70Xは、露出することがない。このため、隔壁70Xからの水分の浸入を抑制することが可能となる。   The partition wall 70 is also formed of a resin material in the same manner as the organic insulating film 114, but is entirely covered with the second electrode 64 including the outermost partition wall 70 </ b> X. That is, although the barrier film 130 extends outward from the partition 70X, the second electrode 64 also extends outward from the partition 70X, and the barrier film 130 extends at the end 114E of the organic insulating film 114. The film 130 and the second electrode 64 are in close contact. That is, the partition wall 70X is not exposed. For this reason, it becomes possible to suppress the permeation of moisture from the partition wall 70X.

これにより、アクティブエリアの外周に位置する色画素PXの有機EL素子40の急速な劣化を抑制することができ、発光輝度のムラを抑制できるため、表示品位を改善することが可能となるとともに、長寿命化が可能となる。また、多量の乾燥剤を設置することなく水分の影響による有機EL素子の劣化を抑制することができるため、たとえトップエミッション方式を適用したとしても、限られたスペースに少量の乾燥剤を配置するのみで十分な水分対策を達成できる。   As a result, rapid deterioration of the organic EL element 40 of the color pixel PX located on the outer periphery of the active area can be suppressed, and unevenness in light emission luminance can be suppressed, so that display quality can be improved. Long service life is possible. Moreover, since deterioration of the organic EL element due to the influence of moisture can be suppressed without installing a large amount of desiccant, even if the top emission method is applied, a small amount of desiccant is disposed in a limited space. It is possible to achieve sufficient moisture countermeasures only with this.

次に、他の実施形態について説明する。   Next, another embodiment will be described.

第1電極60は、反射層を含むような構成であっても良い。このような構成は、特にトップエミッション方式に適用可能である。   The first electrode 60 may be configured to include a reflective layer. Such a configuration is particularly applicable to the top emission method.

図3に示した第2実施形態においては、第1電極60は、有機絶縁膜114の上に配置された反射層60Rと、反射層60Rの上に積層された透過層60Tとを有して構成されている。反射層60Rは、アルミニウム(Al)などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。また、透過層60Tは、第1実施形態と同様に、ITOなどの光透過性を有する導電材料によって形成されている。   In the second embodiment shown in FIG. 3, the first electrode 60 includes a reflective layer 60R disposed on the organic insulating film 114, and a transmissive layer 60T stacked on the reflective layer 60R. It is configured. The reflective layer 60R is formed of a light reflective conductive material such as aluminum (Al). Moreover, the transmissive layer 60T is formed of a light-transmitting conductive material such as ITO, as in the first embodiment.

このような第2実施形態において、バリア膜130は、少なくとも透過層60Tと同一材料によって形成されており、図3に示した例では、反射層60R及び透過層60Tと同一材料によって形成された2層構造である。つまり、バリア膜130は、反射層60Rと同一材料によって形成された第1バリア層130A及び透過層60Tと同一材料によって形成された第2バリア層130Bとの積層体によって構成されている。   In such a second embodiment, the barrier film 130 is formed of at least the same material as the transmissive layer 60T. In the example shown in FIG. 3, the barrier film 130 is formed of the same material as the reflective layer 60R and the transmissive layer 60T. Layer structure. That is, the barrier film 130 is configured by a laminated body of the first barrier layer 130A formed of the same material as the reflective layer 60R and the second barrier layer 130B formed of the same material as the transmissive layer 60T.

このような構成のバリア膜130は、有機絶縁膜114における周辺エリア104の表面を覆っている。すなわち、第1バリア層130A及び第2バリア層130Bは、ともに最外周の隔壁70Xと有機絶縁膜114との間に配置され、隔壁70Xより外方に向かって延在し、有機絶縁膜114の上面114T及び端面114Sを覆うとともに、支持基板101の表面101Aに接している。また、このバリア膜130を構成する第1バリア層130A及び第2バリア層130Bは、それぞれ最外周画素の第1電極60を構成する反射層60R及び透過層60Tとは切り離されている。   The barrier film 130 having such a configuration covers the surface of the peripheral area 104 in the organic insulating film 114. That is, the first barrier layer 130A and the second barrier layer 130B are both disposed between the outermost partition wall 70X and the organic insulating film 114, and extend outward from the partition wall 70X. The upper surface 114T and the end surface 114S are covered and in contact with the surface 101A of the support substrate 101. Further, the first barrier layer 130A and the second barrier layer 130B constituting the barrier film 130 are separated from the reflective layer 60R and the transmissive layer 60T constituting the first electrode 60 of the outermost peripheral pixel, respectively.

このような構成によれば、周辺エリア104において、有機絶縁膜114への水分の浸入を抑制することが可能となる。   According to such a configuration, it is possible to prevent moisture from entering the organic insulating film 114 in the peripheral area 104.

また、第1電極60を形成する工程において、反射層60Rをパターン化するのと同時に、有機絶縁膜114の端部114Eを覆う第1バリア層130Aを形成することにより、反射層60Rを形成した際の導電材料の残渣の影響を解消することができる。同様に、透過層60Tをパターン化するのと同時に、第1バリア層130Aの上に有機絶縁膜114の端部114Eを覆う第2バリア層130Bを形成することにより、透過層60Tを形成した際の導電材料の残渣の影響を解消することができる。   Further, in the step of forming the first electrode 60, the reflective layer 60R was formed by forming the first barrier layer 130A covering the end portion 114E of the organic insulating film 114 simultaneously with patterning the reflective layer 60R. The influence of the residue of the conductive material at the time can be eliminated. Similarly, when the transmissive layer 60T is formed by forming the second barrier layer 130B covering the end portion 114E of the organic insulating film 114 on the first barrier layer 130A simultaneously with patterning the transmissive layer 60T. The influence of the residue of the conductive material can be eliminated.

このため、実質的に透過層単層からなるバリア膜130によって有機絶縁膜114の端部114Eを覆う第1実施形態と比較して、第2実施形態においては、有機絶縁膜114の端部114Eが無機系材料からなる2層構造のバリア膜によって覆われているため、より高いカバレッジ性能を実現できる。   For this reason, in the second embodiment, the end portion 114E of the organic insulating film 114 is compared with the first embodiment in which the end portion 114E of the organic insulating film 114 is covered with the barrier film 130 that is substantially formed of a single transmissive layer. Is covered by a barrier film having a two-layer structure made of an inorganic material, so that higher coverage performance can be realized.

さらに、第2電極64によって周辺エリア104まで覆う場合、第2電極64が第2バリア層130Bに密着し、しかも、支持基板101に接するように配置される。このとき、第2電極64については、第1電極を形成した際の残渣の影響によるピンホールの形成を抑制できる。このため、有機絶縁膜114の端部114Eがバリア膜130及び第2電極64の積層体によって覆われ、さらに高いカバレッジ性能を実現できる。   Furthermore, when the second electrode 64 covers the peripheral area 104, the second electrode 64 is disposed in close contact with the second barrier layer 130B and in contact with the support substrate 101. At this time, with respect to the second electrode 64, the formation of pinholes due to the influence of the residue when the first electrode is formed can be suppressed. For this reason, the edge part 114E of the organic insulating film 114 is covered with the laminated body of the barrier film 130 and the 2nd electrode 64, and still higher coverage performance is realizable.

これにより、第1実施形態と同様の効果が得られる。   Thereby, the effect similar to 1st Embodiment is acquired.

有機EL表示装置は、さらに、第2電極64を覆う保護膜150を備えた構成であっても良い。   The organic EL display device may further include a protective film 150 that covers the second electrode 64.

図4に示した第3実施形態においては、アクティブエリア102に配置された各有機EL素子40の第2電極64は、保護膜150によって覆われている。このような保護膜150は、例えば窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などの無機系材料によって形成された薄膜を含んでいる。また、この保護膜150は、有機系材料によって形成された薄膜を含んでもいても良い。   In the third embodiment shown in FIG. 4, the second electrode 64 of each organic EL element 40 arranged in the active area 102 is covered with a protective film 150. Such a protective film 150 includes a thin film formed of an inorganic material such as a silicon nitride film or a silicon oxide film. Further, the protective film 150 may include a thin film formed of an organic material.

このような第3実施形態において、保護膜150は、周辺エリア104に延在し、有機絶縁膜114の端部114Eを覆っている。すなわち、第1実施形態と同様に、第1電極60と同一材料によって形成されたバリア膜130は、有機絶縁膜114の上面114T及び端面114Sを覆うとともに、支持基板101の表面101Aに接している。保護膜150は、バリア膜130を覆うように配置され、支持基板101の表面101Aに接している。   In the third embodiment, the protective film 150 extends to the peripheral area 104 and covers the end 114E of the organic insulating film 114. That is, as in the first embodiment, the barrier film 130 formed of the same material as the first electrode 60 covers the upper surface 114T and the end surface 114S of the organic insulating film 114, and is in contact with the surface 101A of the support substrate 101. . The protective film 150 is disposed so as to cover the barrier film 130, and is in contact with the surface 101 </ b> A of the support substrate 101.

この第3実施形態においては、有機絶縁膜114の端部114Eが少なくともバリア膜130及び保護膜150の積層体によって覆われている。このため、周辺エリア104において、より高いカバレッジ性能を実現でき、有機絶縁膜114への水分の浸入を抑制することが可能となる。   In the third embodiment, the end portion 114E of the organic insulating film 114 is covered with at least a laminated body of the barrier film 130 and the protective film 150. For this reason, higher coverage performance can be realized in the peripheral area 104, and entry of moisture into the organic insulating film 114 can be suppressed.

さらに、第2電極64によって周辺エリア104まで覆う場合、周辺エリア104において、第2電極64がバリア膜130に密着し、しかも、支持基板101に接するように配置される。加えて、周辺エリア104においては、保護膜150が第2電極64に密着し、しかも、支持基板101に接するように配置される。このとき、第2電極64及び保護膜150について、第1電極を形成した際の残渣の影響によるピンホールの形成を抑制できる。このため、有機絶縁膜114の端部114Eがバリア膜130、第2電極64、及び、保護膜150の積層体によって覆われることになり、さらに高いカバレッジ性能を実現できる。   Further, when the second electrode 64 covers the peripheral area 104, the second electrode 64 is disposed in close contact with the barrier film 130 and in contact with the support substrate 101 in the peripheral area 104. In addition, in the peripheral area 104, the protective film 150 is disposed in close contact with the second electrode 64 and in contact with the support substrate 101. At this time, with respect to the second electrode 64 and the protective film 150, the formation of pinholes due to the influence of the residue when the first electrode is formed can be suppressed. For this reason, the end portion 114E of the organic insulating film 114 is covered with the stacked body of the barrier film 130, the second electrode 64, and the protective film 150, and higher coverage performance can be realized.

これにより、第1実施形態と同様の効果が得られる。   Thereby, the effect similar to 1st Embodiment is acquired.

次に、この実施の形態に係る有機EL表示装置について効果を検証した。   Next, the effect of the organic EL display device according to this embodiment was verified.

まず、アクティブエリア102の対角寸法が3.5型となるアレイ基板を24枚分形成可能な寸法(400mm×500mm)のガラス基板(支持基板)を用意し、3種類(A,B,C)のサンプルを準備した。   First, a glass substrate (support substrate) having a size (400 mm × 500 mm) capable of forming 24 array substrates having a diagonal size of 3.5 inches in the active area 102 is prepared, and three types (A, B, C) are prepared. ) Sample was prepared.

サンプルAは、有機絶縁膜114の上に色画素毎に配置した第1電極60が反射層60R及び透過層60Tを備えた構成であり、有機絶縁膜114の端部114Eは、バリア膜によって覆われておらず、第2電極64のみによって覆われた構成である。   In the sample A, the first electrode 60 arranged for each color pixel on the organic insulating film 114 includes the reflective layer 60R and the transmissive layer 60T, and the end 114E of the organic insulating film 114 is covered with a barrier film. This is a configuration that is covered only by the second electrode 64.

サンプルBは、図2に示した第1実施形態に相当する構成であり、有機絶縁膜114の端部114Eは、第1電極(透過層)60と同一材料によって形成されたバリア膜130によって覆われており、しかも、第2電極64によってさらにバリア膜130が覆われた構成である。   Sample B has a configuration corresponding to that of the first embodiment shown in FIG. 2, and an end 114 </ b> E of the organic insulating film 114 is covered with a barrier film 130 made of the same material as that of the first electrode (transmission layer) 60. In addition, the barrier film 130 is further covered with the second electrode 64.

サンプルCは、図3に示した第2実施形態に相当する構成であり、有機絶縁膜114の端部114Eは、第1電極60を構成する反射層60Rと同一材料によって形成された第1バリア層130A及び透過層60Tと同一材料によって形成された第2バリア層130Bによって覆われており、しかも、第2電極64によってさらに第2バリア層130Bが覆われた構成である。   The sample C has a configuration corresponding to the second embodiment shown in FIG. 3, and the end 114 </ b> E of the organic insulating film 114 is a first barrier formed of the same material as the reflective layer 60 </ b> R constituting the first electrode 60. The second barrier layer 130B is formed of the same material as the layer 130A and the transmissive layer 60T, and the second barrier layer 130B is further covered with the second electrode 64.

上述した3種類のサンプルについて、第1電極60及び隔壁70を形成したそれぞれの基板を抵抗加熱方式の有機EL成膜装置にセットし、有機活性層62として、正孔輸送層として機能するα−NPDを200nmの膜厚に成膜した後、発光層兼電子輸送層として機能するAlqを50nmの膜厚に成膜し、さらに、電子注入層兼ダメージバッファ層としてMg・Agを2nmの膜厚に順次成膜した。そして、成膜済みの基板を平行平板マグネトロンスパッタ装置にセットし、膜厚100nmのITOを成膜した。 With respect to the three types of samples described above, each substrate on which the first electrode 60 and the partition wall 70 are formed is set in a resistance heating type organic EL film forming apparatus, and the organic active layer 62 serves as a hole transport layer. After depositing NPD to a thickness of 200 nm, Alq 3 functioning as a light emitting layer / electron transport layer is deposited to a thickness of 50 nm, and further, Mg · Ag is a 2 nm film as an electron injection layer / damage buffer layer. Films were sequentially formed in thickness. Then, the film-formed substrate was set in a parallel plate magnetron sputtering apparatus, and an ITO film having a thickness of 100 nm was formed.

各サンプルのアクティブエリア102は、封止体200によって封止した。すなわち、封止体200の上に、紫外線硬化型の樹脂材料を額縁状に塗布した後に、各サンプルのアレイ基板に貼りあわせ、所定条件の紫外線照射によって樹脂材料を硬化させた。これにより、気密空間内に有機EL素子が配置される。各サンプルの基板対を割断した後、周辺回路を実装して、各サンプルについて24個の有機EL表示装置を作成した。なお、各サンプルについて、短時間で顕著な効果を確認するために、通常必要な乾燥剤を気密空間の内部に設置しなかった。   The active area 102 of each sample was sealed with a sealing body 200. That is, an ultraviolet curable resin material was applied in a frame shape on the sealing body 200, and then bonded to the array substrate of each sample, and the resin material was cured by ultraviolet irradiation under a predetermined condition. Thereby, an organic EL element is arrange | positioned in airtight space. After cleaving the substrate pair of each sample, peripheral circuits were mounted, and 24 organic EL display devices were created for each sample. In addition, in order to confirm a remarkable effect in a short time for each sample, a normally necessary desiccant was not installed in the airtight space.

これらの3×24台の有機EL表示装置を高温高湿環境(85℃×85%RH)の中に放置し、所定時間経過後に表示確認を行ってダークスポット等の水分による劣化の発生状況を目視にて観察した。この結果を図5に示す。   These 3x24 organic EL display devices are left in a high-temperature, high-humidity environment (85 ° C x 85% RH), and the display is checked after a lapse of a predetermined time to show the state of deterioration due to moisture such as dark spots. It was observed visually. The result is shown in FIG.

図5に示した結果から、有機絶縁膜114の端部114Eを第2電極64のみによって覆うサンプルAについては、他のサンプルよりも先(20時間経過後)にダークスポットの発生が確認され、水分の影響による劣化が進行しやすいことが確認された。一方、有機絶縁膜114の端部114Eをバリア膜130及び第2電極64によって覆うサンプルB及びCについては、サンプルAよりもダークスポット等の水分の影響による劣化の発生を遅らせる(30時間経過後)ことが可能であることが確認できた。   From the results shown in FIG. 5, with respect to the sample A in which the end portion 114E of the organic insulating film 114 is covered only by the second electrode 64, the occurrence of dark spots is confirmed earlier (after 20 hours), It was confirmed that deterioration due to the influence of moisture is likely to proceed. On the other hand, for samples B and C in which the end portion 114E of the organic insulating film 114 is covered by the barrier film 130 and the second electrode 64, the occurrence of deterioration due to the influence of moisture such as dark spots is delayed more than the sample A (after 30 hours have elapsed) ) Was confirmed to be possible.

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the spirit of the invention in the stage of implementation. Further, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, you may combine suitably the component covering different embodiment.

図1は、この発明の一実施の形態に係る有機EL表示装置の構成を概略的に示す図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention. 図2は、第1実施形態に係る有機EL表示装置を切断したときの構造を概略的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a structure when the organic EL display device according to the first embodiment is cut. 図3は、第2実施形態に係る有機EL表示装置を切断したときの構造を概略的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a structure when the organic EL display device according to the second embodiment is cut. 図4は、第3実施形態に係る有機EL表示装置を切断したときの構造を概略的に示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a structure when the organic EL display device according to the third embodiment is cut. 図5は、バリア膜を配置したことによる効果の検証結果を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a verification result of the effect obtained by arranging the barrier film.

符号の説明Explanation of symbols

1…有機EL表示装置 PX(R、G、B)…色画素
10…画素回路 DRT…駆動トランジスタ
SW1…第1スイッチ SW2…第2スイッチ
SW3…第3スイッチ Cs…蓄積容量素子
40…有機EL素子 60…第1電極
60R…反射層 60T…透過層
62…有機活性層 64…第2電極
70…隔壁
100…アレイ基板 102…アクティブエリア 104…周辺エリア
114…有機絶縁膜 114E…端面
120…配線基板
130…バリア膜 130A…第1バリア層 130B…第2バリア層
150…保護膜 200…封止体 300…シール材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL display device PX (R, G, B) ... Color pixel 10 ... Pixel circuit DRT ... Drive transistor SW1 ... 1st switch SW2 ... 2nd switch SW3 ... 3rd switch Cs ... Storage capacitor element 40 ... Organic EL element 60 ... 1st electrode
60R ... Reflective layer 60T ... Transparent layer 62 ... Organic active layer 64 ... Second electrode 70 ... Partition wall 100 ... Array substrate 102 ... Active area 104 ... Peripheral area 114 ... Organic insulating film 114E ... End face 120 ... Wiring substrate 130 ... Barrier film 130A ... 1st barrier layer 130B ... 2nd barrier layer 150 ... Protective film 200 ... Sealing body 300 ... Sealing material

Claims (5)

複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
支持基板上に配置された有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜のアクティブエリアに対応した表面において、画素毎に配置された第1電極と、
前記第1電極上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層上に配置され、複数の画素に共通の第2電極と、
前記第1電極と同一材料によって形成され、前記有機絶縁膜におけるアクティブエリア外の表面を覆うバリア膜と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
A display device having an active area composed of a plurality of pixels,
An organic insulating film disposed on a support substrate;
A first electrode disposed for each pixel on the surface corresponding to the active area of the organic insulating film;
An organic active layer disposed on the first electrode;
A second electrode disposed on the organic active layer and common to a plurality of pixels;
A barrier film formed of the same material as the first electrode and covering a surface outside the active area in the organic insulating film;
A display device comprising:
前記第1電極は、反射層と、この反射層上に積層された透過層とを有し、
前記バリア膜は、少なくとも前記透過層と同一材料によって形成されたことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
The first electrode has a reflective layer and a transmissive layer laminated on the reflective layer,
The display device according to claim 1, wherein the barrier film is formed of the same material as at least the transmissive layer.
前記バリア膜は、前記反射層及び前記透過層と同一材料によって形成された2層構造であることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。   The display device according to claim 2, wherein the barrier film has a two-layer structure formed of the same material as the reflective layer and the transmissive layer. アクティブエリア外において、前記バリア膜と前記第2電極とが密着していることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the barrier film and the second electrode are in close contact with each other outside an active area. さらに、少なくともアクティブエリアにおいて前記第2電極を覆うとともに、アクティブエリア外において前記バリア膜を覆う保護膜を備えたことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, further comprising a protective film that covers the second electrode at least in the active area and covers the barrier film outside the active area.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011138748A (en) * 2010-01-04 2011-07-14 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light-emitting display device
JP2015187928A (en) * 2014-03-26 2015-10-29 株式会社Joled Organic el display device and electronic apparatus
JP2021036336A (en) * 2013-02-21 2021-03-04 株式会社半導体エネルギー研究所 Liquid crystal display device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011138748A (en) * 2010-01-04 2011-07-14 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light-emitting display device
US8735936B2 (en) 2010-01-04 2014-05-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
JP2021036336A (en) * 2013-02-21 2021-03-04 株式会社半導体エネルギー研究所 Liquid crystal display device
JP2022121568A (en) * 2013-02-21 2022-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 Liquid crystal display device
JP2015187928A (en) * 2014-03-26 2015-10-29 株式会社Joled Organic el display device and electronic apparatus

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