JP2009076437A

JP2009076437A - Display device

Info

Publication number: JP2009076437A
Application number: JP2008133433A
Authority: JP
Inventors: Norihisa Maeda; 典久前田
Original assignee: Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
Current assignee: Japan Display Central Inc
Priority date: 2007-08-31
Filing date: 2008-05-21
Publication date: 2009-04-09

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device capable of preventing lowering of a manufacturing yield without increasing a manufacturing cost and the number of manufacturing processes. SOLUTION: The display device includes: an array substrate 100 having a self-luminous element in a display area 102; a sealing substrate 200 which is disposed opposite to the self-luminous element side of the array substrate 100; a sealant 300 which is disposed in a frame shape to surround the display area 102, and bonds the array substrate 100 and the sealing substrate 200; a signal supply wiring 12 which is disposed in the display area 102, extends under the sealant 300, and is led out to an extension portion 100A of the array substrate 100, which extends outward from an end portion 200A of the sealing substrate 200; and a protective film 115 which is disposed to cover the self-luminous element, wherein the protective film 115 is disposed to further cover the signal supply wiring 12 which is opposed to the end portion 200A of the sealing substrate 200 on an outside of the sealant 300. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は、表示装置に係り、特に、自発光素子を含んで構成される表示装置に関する。 The present invention relates to a display device, and more particularly to a display device including self-luminous elements.

近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光素子である有機ＥＬ素子を備えていることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。 In recent years, organic electroluminescence (EL) display devices have attracted attention as flat display devices. Since this organic EL display device includes an organic EL element that is a self-luminous element, the viewing angle is wide, the backlight can be thinned, the power consumption can be reduced, and the response speed can be reduced. It has the feature of being fast. Because of these features, organic EL display devices are attracting attention as potential candidates for next-generation flat display devices that replace liquid crystal display devices.

有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持して構成されている。しかしながら、このような有機ＥＬ素子に用いられる材料、特に、有機活性層を構成する材料には、水分や酸素により劣化しやすいものが含まれる。このため、有機ＥＬ素子は、アレイ基板に対向配置された封止基板により気密に封止されている。 The organic EL element is configured by holding an organic active layer containing an organic compound having a light emitting function between an anode and a cathode. However, materials used for such an organic EL element, in particular, materials constituting the organic active layer include materials that are easily deteriorated by moisture and oxygen. For this reason, the organic EL element is hermetically sealed by a sealing substrate disposed opposite to the array substrate.

アレイ基板に信号供給源を接続するための端子部は、封止基板の端部から露出するように設けられている。このため、アレイ基板上の端子部にかかる封止基板は除去される。例えば、基板上に形成された発光部を封止する封止膜を形成してなる有機ＥＬ素子において、有機膜と無機膜とを積層してなる封止膜にレーザー光を照射し、封止膜を除去することによって端子部を露出する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、このような技術とは別に、ガラス基板からなる封止基板をアレイ基板に貼り合わせた後に、端子部にかかる封止基板を割断することによって除去する技術もある。
特開２００６−０６６３６４号公報 The terminal portion for connecting the signal supply source to the array substrate is provided so as to be exposed from the end portion of the sealing substrate. For this reason, the sealing substrate over the terminal portion on the array substrate is removed. For example, in an organic EL element formed with a sealing film for sealing a light emitting portion formed on a substrate, a sealing film formed by laminating an organic film and an inorganic film is irradiated with laser light to seal A technique for exposing a terminal portion by removing a film has been disclosed (see, for example, Patent Document 1). In addition to such a technique, there is a technique in which a sealing substrate made of a glass substrate is bonded to an array substrate and then removed by cleaving the sealing substrate over the terminal portion.
JP 2006-066364 A

アレイ基板は、端子部に接続された信号供給配線を備えている。この信号供給配線は、信号供給源から有機ＥＬ素子に対して各種信号や電源を供給するための配線である。このような構成のアレイ基板上の端子部にかかる封止基板を割断した際、切り落とされた不要部分がアレイ基板上の信号供給配線に接触して、信号供給配線の断線を引き起こしてしまうことがある。したがって、表示装置の製造歩留まりの低下を招くおそれがある。 The array substrate includes signal supply wiring connected to the terminal portion. This signal supply wiring is a wiring for supplying various signals and power from the signal supply source to the organic EL element. When the sealing substrate applied to the terminal portion on the array substrate having such a configuration is cut off, the unnecessary portion cut off may come into contact with the signal supply wiring on the array substrate and cause the signal supply wiring to be disconnected. is there. Therefore, there is a risk of reducing the manufacturing yield of the display device.

この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、製造コスト及び製造工程数を増大することなく、製造歩留まりの低下を防止することが可能な表示装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a display device capable of preventing a decrease in manufacturing yield without increasing the manufacturing cost and the number of manufacturing steps. It is in.

この発明の第１態様による表示装置は、
表示エリアに自発光素子を備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記自発光素子側に対向して配置された封止基板と、
前記表示エリアを囲むように枠状に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合せるシール材と、
前記表示エリアに配置され、前記シール材の下を通り、前記封止基板の端部より外方に延在した前記アレイ基板の延在部に引き出された信号供給配線と、
前記自発光素子を覆うように配置された保護膜と、を備え、
前記保護膜は、さらに、前記シール材の外側において前記封止基板の端部に対向する前記信号供給配線を覆うように配置されたことを特徴とする。 The display device according to the first aspect of the present invention includes:
An array substrate having self-luminous elements in the display area;
A sealing substrate disposed to face the light emitting element side of the array substrate;
A sealing material arranged in a frame shape so as to surround the display area, and for bonding the array substrate and the sealing substrate;
A signal supply wiring that is arranged in the display area, passes under the sealing material, and extends outward from an end of the sealing substrate, and is extended to the extended portion of the array substrate;
A protective film disposed so as to cover the self-luminous element,
The protective film is further arranged to cover the signal supply wiring facing the end of the sealing substrate outside the sealing material.

この発明の第２態様による表示装置は、
表示エリアに配置された自発光素子と、前記自発光素子を覆うように配置された無機系材料からなる保護膜と、を備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記自発光素子側に対向して配置された封止基板と、
前記表示エリアを囲むように枠状に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合わせるフリットガラスからなるシール材と、
前記表示エリアに配置され、前記シール材の下を通り、前記シール材より外方に延在した前記アレイ基板の延在部に引き出された信号供給配線と、を備え、
前記保護膜は、さらに、前記信号供給配線と前記シール材との間において前記シール材に接するように配置されていることを特徴とする。 A display device according to a second aspect of the present invention provides:
An array substrate comprising: a self-luminous element arranged in a display area; and a protective film made of an inorganic material arranged to cover the self-luminous element;
A sealing substrate disposed to face the light emitting element side of the array substrate;
A sealing material that is arranged in a frame shape so as to surround the display area, and is made of frit glass for bonding the array substrate and the sealing substrate;
A signal supply wiring that is arranged in the display area, passes under the sealing material, and extends outward from the sealing material, and is extended to the extended portion of the array substrate,
The protective film is further arranged so as to be in contact with the sealing material between the signal supply wiring and the sealing material.

この発明によれば、製造コスト及び製造工程数を増大することなく、製造歩留まりの低下を防止することが可能な表示装置を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a display device capable of preventing a decrease in manufacturing yield without increasing the manufacturing cost and the number of manufacturing steps.

以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。 A display device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In this embodiment, a self-luminous display device such as an organic EL (electroluminescence) display device will be described as an example of the display device.

有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、画像を表示する表示エリア１０２を有するアレイ基板１００を備えている。表示エリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。また、図１では、カラー表示タイプの有機ＥＬ表示装置１を例に示しており、表示エリア１０２は、複数種類の色画素、例えば３原色に対応した赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、及び青色画素ＰＸＢによって構成されている。 As shown in FIG. 1, the organic EL display device 1 includes an array substrate 100 having a display area 102 for displaying an image. The display area 102 includes a plurality of pixels PX arranged in a matrix. FIG. 1 shows a color display type organic EL display device 1 as an example. A display area 102 includes a plurality of types of color pixels, for example, a red pixel PXR, a green pixel PXG, and a blue pixel corresponding to three primary colors. It is composed of PXB.

各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路１０及びこの画素回路１０によって駆動制御される表示素子４０を備えている。図１に示した画素回路１０は、一例であって、他の構成の画素回路を適用しても良いことは言うまでもない。図１に示した例では、画素回路１０は、駆動トランジスタＤＲＴ、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチＳＷ３、蓄積容量素子Ｃｓなどを備えて構成されている。駆動トランジスタＤＲＴは、表示素子４０に供給する電流量を制御する機能を有している。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、サンプル・ホールドスイッチとして機能する。第３スイッチ素子ＳＷ３は、駆動トランジスタＤＲＴから表示素子４０への駆動電流の供給、つまり表示素子４０のオン／オフを制御する機能を有している。蓄積容量素子Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴのゲート−ソース間の電位を保持する機能を有している。 Each pixel PX (R, G, B) includes a pixel circuit 10 and a display element 40 that is driven and controlled by the pixel circuit 10. The pixel circuit 10 shown in FIG. 1 is an example, and it goes without saying that a pixel circuit having another configuration may be applied. In the example shown in FIG. 1, the pixel circuit 10 includes a drive transistor DRT, a first switch SW1, a second switch SW2, a third switch SW3, a storage capacitor element Cs, and the like. The drive transistor DRT has a function of controlling the amount of current supplied to the display element 40. The first switch SW1 and the second switch SW2 function as a sample / hold switch. The third switch element SW3 has a function of controlling driving current supply from the driving transistor DRT to the display element 40, that is, on / off of the display element 40. The storage capacitor element Cs has a function of holding the potential between the gate and source of the drive transistor DRT.

駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１と第３スイッチＳＷ３との間に接続されている。表示素子４０は、第３スイッチＳＷ３と低電位電源線Ｐ２との間に接続されている。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２のゲート電極は、第１ゲート線ＧＬ１に接続されている。第３スイッチＳＷ３のゲート電極は、第２ゲート線ＧＬ２に接続されている。第１スイッチＳＷ１のソース電極は、映像信号線ＳＬに接続されている。これらの駆動トランジスタＤＲＴ、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、及び第３スイッチ素子ＳＷ３は、例えば薄膜トランジスタによって構成され、その半導体層は、ここではポリシリコンによって形成されている。 The drive transistor DRT is connected between the high potential power supply line P1 and the third switch SW3. The display element 40 is connected between the third switch SW3 and the low potential power line P2. The gate electrodes of the first switch SW1 and the second switch SW2 are connected to the first gate line GL1. The gate electrode of the third switch SW3 is connected to the second gate line GL2. The source electrode of the first switch SW1 is connected to the video signal line SL. The drive transistor DRT, the first switch SW1, the second switch SW2, and the third switch element SW3 are configured by, for example, thin film transistors, and the semiconductor layer is formed of polysilicon here.

このような回路構成の場合、第１ゲート線ＧＬ１からオン信号が供給されたのに基づいて第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２がオンとなり、映像信号線ＳＬを流れる電流量に応じて高電位電源線Ｐ１から駆動トランジスタＤＲＴに電流が流れ、また、駆動トランジスタＤＲＴを流れる電流に応じて蓄積容量素子Ｃｓが充電される。これにより、駆動トランジスタＤＲＴは、映像信号線ＳＬから供給された電流量と同一の電流量を、高電位電源線Ｐ１から表示素子４０に供給可能となる。 In the case of such a circuit configuration, the first switch SW1 and the second switch SW2 are turned on based on the ON signal supplied from the first gate line GL1, and the high potential is set according to the amount of current flowing through the video signal line SL. A current flows from the power supply line P1 to the driving transistor DRT, and the storage capacitor element Cs is charged according to the current flowing through the driving transistor DRT. As a result, the drive transistor DRT can supply the same amount of current as that supplied from the video signal line SL to the display element 40 from the high potential power supply line P1.

そして、第２ゲート線ＧＬ２からオン信号が供給されたのに基づいて第３スイッチＳＷ３がオンとなり、蓄積容量素子Ｃｓで保持した容量に応じて、駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１から第３スイッチＳＷ３を介して表示素子４０に所定輝度に対応した所定量の電流を供給する。これにより、表示素子４０は、所定の輝度に発光する。 Then, the third switch SW3 is turned on based on the ON signal supplied from the second gate line GL2, and the driving transistor DRT is connected to the first potential from the high potential power supply line P1 according to the capacitance held by the storage capacitor element Cs. A predetermined amount of current corresponding to a predetermined luminance is supplied to the display element 40 via the three switch SW3. Thereby, the display element 40 emits light with a predetermined luminance.

表示素子４０は、自発光性の表示素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。 The display element 40 includes an organic EL element 40 (R, G, B) that is a self-luminous display element. That is, the red pixel PXR includes an organic EL element 40R that mainly emits light corresponding to the red wavelength. The green pixel PXG includes an organic EL element 40G that mainly emits light corresponding to the green wavelength. The blue pixel PXB includes an organic EL element 40B that mainly emits light corresponding to the blue wavelength.

各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成であり、例えば、図２に示すように、配線基板１２０上に配置されている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板１０１上に、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、有機絶縁膜１１４などの絶縁層を備える他に、各種スイッチＳＷ、駆動トランジスタＤＲＴ、蓄積容量素子Ｃｓ、各種信号供給配線（ゲート線ＧＬ、映像信号線ＳＬ、電源線Ｐ等）１２などを備えて構成されている。これらのアンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び層間絶縁膜１１３は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などの無機系材料によって形成されている。有機絶縁膜１１４は、絶縁性の樹脂材料を用いてパターニングすることにより形成されている。なお、必要に応じて、層間絶縁膜１１３と有機絶縁膜１１４との間に、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機系材料によって形成されたパッシベーション膜を配置しても良い。 The various organic EL elements 40 (R, G, B) have basically the same configuration, and are disposed on the wiring substrate 120 as shown in FIG. The wiring board 120 includes an insulating layer such as an undercoat layer 111, a gate insulating film 112, an interlayer insulating film 113, and an organic insulating film 114 on an insulating support substrate 101 such as a glass substrate or a plastic sheet. , Various switches SW, drive transistors DRT, storage capacitor elements Cs, various signal supply lines (gate lines GL, video signal lines SL, power supply lines P, etc.) 12 and the like. The undercoat layer 111, the gate insulating film 112, and the interlayer insulating film 113 are formed of an inorganic material such as silicon oxide (SiO ₂ ) or silicon nitride (SiNx). The organic insulating film 114 is formed by patterning using an insulating resin material. Note that a passivation film formed of an inorganic material such as silicon oxide or silicon nitride may be disposed between the interlayer insulating film 113 and the organic insulating film 114 as necessary.

すなわち、図２に示した例では、アンダーコート層１１１の上には、スイッチや駆動トランジスタなどのトランジスタ素子（図１に示した回路構成においては第３スイッチＳＷ３）２０の半導体層２１が配置されている。半導体層２１は、ゲート絶縁膜１１２によって覆われている。ゲート絶縁膜１１２の上には、トランジスタ素子２０のゲート電極２０Ｇなどが配置されている。ゲート電極２０Ｇは、層間絶縁膜１１３によって覆われている。層間絶縁膜１１３の上には、トランジスタ素子２０のソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄなどが配置されている。これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄは、ゲート絶縁膜１１２及び層間絶縁膜１１３を半導体層２１まで貫通するコンタクトホールを介して半導体層２１にそれぞれコンタクトしている。これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄは、有機絶縁膜１１４によって覆われている。 That is, in the example shown in FIG. 2, the semiconductor layer 21 of the transistor element (the third switch SW3 in the circuit configuration shown in FIG. 1) 20 is disposed on the undercoat layer 111. ing. The semiconductor layer 21 is covered with the gate insulating film 112. On the gate insulating film 112, the gate electrode 20G of the transistor element 20 and the like are disposed. The gate electrode 20G is covered with an interlayer insulating film 113. On the interlayer insulating film 113, the source electrode 20S and the drain electrode 20D of the transistor element 20 are disposed. The source electrode 20S and the drain electrode 20D are in contact with the semiconductor layer 21 through contact holes that penetrate the gate insulating film 112 and the interlayer insulating film 113 to the semiconductor layer 21, respectively. The source electrode 20S and the drain electrode 20D are covered with an organic insulating film 114.

有機ＥＬ素子４０は、各画素ＰＸに独立島状に配置された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され複数の画素ＰＸに共通の第２電極６４と、これらの第１電極６０と第２電極６４との間に保持された有機活性層６２と、によって構成されている。 The organic EL element 40 includes a first electrode 60 disposed in an independent island shape on each pixel PX, a second electrode 64 disposed opposite to the first electrode 60 and common to the plurality of pixels PX, and a first of these first electrodes 60. The organic active layer 62 is held between the electrode 60 and the second electrode 64.

第１電極６０は、配線基板１２０の表面の有機絶縁膜１１４上に配置され、陽極として機能する。この第１電極６０は、有機絶縁膜１１４に形成されたコンタクトホールを介してトランジスタ素子２０のドレイン電極２０Ｄに接続されている。トップエミッション方式の場合、第１電極６０は、反射層を含んでいることが望ましい。例えば、第１電極６０は、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成された透過層と、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）などの光反射性を有する導電材料によって形成された反射層とを積層した積層体によって構成しても良いし、他の構成、例えば反射層単層または透過層単層で構成してもよい。 The first electrode 60 is disposed on the organic insulating film 114 on the surface of the wiring substrate 120 and functions as an anode. The first electrode 60 is connected to the drain electrode 20D of the transistor element 20 through a contact hole formed in the organic insulating film 114. In the case of the top emission method, it is desirable that the first electrode 60 includes a reflective layer. For example, the first electrode 60 includes a transmissive layer formed of a light-transmissive conductive material such as indium tin oxide (ITO) and a light-reflective conductive material such as aluminum (Al) or silver (Ag). You may comprise by the laminated body which laminated | stacked the reflection layer formed with the material, and may comprise another structure, for example, a reflection layer single layer or a transmission layer single layer.

有機活性層６２は、第１電極６０上に配置され、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層６２は、発光層以外の機能層を含んでも良く、例えば、ホール輸送層、ホール注入層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含んでも良い。このような有機活性層６２は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。有機活性層６２においては、発光層が有機系材料であればよく、発光層以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。有機活性層６２において、発光層以外の機能層は共通層であってもよい。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成される。このような有機活性層６２は、高分子系材料によって形成された薄膜を含んでいても良い。このような薄膜は、インクジェット法などの選択塗布法により成膜可能である。また、有機活性層６２は、低分子系材料によって形成された薄膜を含んでいても良い。このような薄膜は、マスク蒸着法などの手法により成膜可能である。 The organic active layer 62 is disposed on the first electrode 60 and includes at least a light emitting layer. The organic active layer 62 may include a functional layer other than the light emitting layer. For example, the organic active layer 62 may include a functional layer such as a hole transport layer, a hole injection layer, a blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a buffer layer. Such an organic active layer 62 may be composed of a single layer in which a plurality of functional layers are combined, or may have a multilayer structure in which the functional layers are laminated. In the organic active layer 62, the light emitting layer may be an organic material, and layers other than the light emitting layer may be an inorganic material or an organic material. In the organic active layer 62, the functional layer other than the light emitting layer may be a common layer. The light-emitting layer is formed of an organic compound having a light-emitting function that emits red, green, or blue light. Such an organic active layer 62 may include a thin film formed of a polymer material. Such a thin film can be formed by a selective coating method such as an inkjet method. The organic active layer 62 may include a thin film formed of a low molecular material. Such a thin film can be formed by a technique such as mask vapor deposition.

第２電極６４は、有機活性層６２を覆うように配置され、陰極として機能する。この第２電極６４は、半透過層を含んでいてもよい。すなわち、第２電極６４は、ＩＴＯなどの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層と、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との混合物などによって形成された半透過層とを積層した積層体によって構成しても良いし、半透過層単層の電極として構成してもよい。なお、第２電極６４は、透過層単層で構成してもよいことは言うまでもない。この第２電極６４は、低電位電源線Ｐ２に接続されている。 The second electrode 64 is disposed so as to cover the organic active layer 62 and functions as a cathode. The second electrode 64 may include a semi-transmissive layer. That is, the second electrode 64 includes a transmissive layer formed using a light-transmitting conductive material such as ITO, and a semi-transmissive layer formed of a mixture of silver (Ag) and magnesium (Mg). You may comprise by the laminated body laminated | stacked and you may comprise as an electrode of a semi-transmissive layer single layer. Needless to say, the second electrode 64 may be formed of a single transmissive layer. The second electrode 64 is connected to the low potential power supply line P2.

有機ＥＬ素子４０は、保護膜１１５によって覆われている。すなわち、第２電極６４は、保護膜１１５によって覆われている。この保護膜１１５は、少なくとも窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機系材料によって形成された膜を含んでいる。このような無機系材料のうち、第２電極６４と同等の屈折率の無機系材料からなる保護膜１１５は、マイクロキャビティ構造を実現する上で、光路長を最適化する光路調整層としても機能し得る。 The organic EL element 40 is covered with a protective film 115. That is, the second electrode 64 is covered with the protective film 115. The protective film 115 includes at least a film formed of an inorganic material such as silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiO ₂ ), or silicon oxynitride (SiON). Among such inorganic materials, the protective film 115 made of an inorganic material having a refractive index equivalent to that of the second electrode 64 also functions as an optical path adjusting layer for optimizing the optical path length in realizing the microcavity structure. Can do.

また、アレイ基板１００は、表示エリア１０２において、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を分離する隔壁７０を備えている。隔壁７０は、第１電極６０の周縁を覆うように格子状またはストライプ状に配置されている。このような隔壁７０は、絶縁性の樹脂材料を用いてパターニングすることによって形成されている。また、隔壁７０は、有機活性層６２とともに、第２電極６４によって覆われている。 Further, the array substrate 100 includes a partition wall 70 that separates the pixels PX (R, G, B) in the display area 102. The partition walls 70 are arranged in a lattice shape or a stripe shape so as to cover the periphery of the first electrode 60. Such a partition wall 70 is formed by patterning using an insulating resin material. The partition wall 70 is covered with the second electrode 64 together with the organic active layer 62.

アレイ基板１００の少なくとも表示エリア１０２は、封止基板２００によって封止されている。すなわち、封止基板２００は、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子４０側に対向するように配置されている。そして、これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、表示エリア１０２を囲むように枠状に配置されたシール材３００により貼り合わせられている。シール材３００は、感光性樹脂（例えば紫外線硬化型樹脂）であっても良いし、フリットガラスであっても良い。これにより、有機ＥＬ素子４０は、気密なスペースに封止される。トップエミッション方式の場合、封止基板２００の内面（すなわちアレイ基板１００と対向する面）には、シール材３００と表示エリア１０２との間に図示しない乾燥剤が配置可能である。 At least the display area 102 of the array substrate 100 is sealed with a sealing substrate 200. That is, the sealing substrate 200 is disposed so as to face the organic EL element 40 side of the array substrate 100. The array substrate 100 and the sealing substrate 200 are bonded together by a sealing material 300 arranged in a frame shape so as to surround the display area 102. The sealing material 300 may be a photosensitive resin (for example, an ultraviolet curable resin) or may be frit glass. Thereby, the organic EL element 40 is sealed in an airtight space. In the case of the top emission method, a desiccant (not shown) can be disposed between the sealing material 300 and the display area 102 on the inner surface of the sealing substrate 200 (that is, the surface facing the array substrate 100).

さらに、アレイ基板１００は、図１に示すように、表示エリア１０２の外側に端子部５０を備えている。端子部５０は、封止基板２００の端部２００Ａより外方に延在したアレイ基板１００の表面側（画素ＰＸなどが配置された側）における延在部１００Ａに配置されている。表示エリア１０２に配置された各種信号供給配線１２（ゲート線ＧＬ、映像信号線ＳＬ、電源線Ｐ等）のそれぞれは、アレイ基板１００と封止基板２００とを貼り合せるシール材３００の下を通り、延在部１００Ａに引き出され、端子部５０に接続されている。端子部５０には、画素ＰＸを駆動するのに必要な駆動信号を出力する駆動ＩＣチップやフレキシブル・プリンテッド・サーキット（ＦＰＣ）などの信号供給源が接続される。 Furthermore, the array substrate 100 includes a terminal portion 50 outside the display area 102 as shown in FIG. The terminal portion 50 is disposed on the extending portion 100A on the front surface side (the side where the pixels PX and the like are disposed) of the array substrate 100 that extends outward from the end portion 200A of the sealing substrate 200. Each of the various signal supply wirings 12 (gate lines GL, video signal lines SL, power supply lines P, etc.) arranged in the display area 102 passes under the sealing material 300 that bonds the array substrate 100 and the sealing substrate 200 together. The extension part 100 A is pulled out and connected to the terminal part 50. The terminal unit 50 is connected to a signal supply source such as a driving IC chip or a flexible printed circuit (FPC) that outputs a driving signal necessary for driving the pixel PX.

（第１実施形態）
第１実施形態において、図３Ａに示すように、保護膜１１５は、さらに、シール材３００の外側において、封止基板２００の端部２００Ａと対向する信号供給配線１２の表面を覆っている。図３Ｂに示すように、保護膜１１５は、封止基板２００の端部２００Ａから封止基板２００の法線方向に延びた延長面２００Ｂとアレイ基板１００との交わり線１００Ｂ上の信号供給配線１２上に配置されている。つまり、保護膜１１５は、交わり線１００Ｂを含み所定の幅を持って配置されている。なお、端部２００Ａからシール材３００までの距離が短い場合には、保護膜１１５は、シール材３００に接するように配置されることが望ましい。この第１実施形態においては、有機ＥＬ素子４０を覆う保護膜１１５及び信号供給配線１２を覆う保護膜１１５は、ともに無機系材料によって形成されている。 (First embodiment)
In the first embodiment, as shown in FIG. 3A, the protective film 115 further covers the surface of the signal supply wiring 12 facing the end portion 200 A of the sealing substrate 200 on the outside of the sealing material 300. As shown in FIG. 3B, the protective film 115 is formed of the signal supply wiring 12 on the intersection line 100B between the extended surface 200B extending from the end portion 200A of the sealing substrate 200 in the normal direction of the sealing substrate 200 and the array substrate 100. Is placed on top. That is, the protective film 115 is disposed with a predetermined width including the intersection line 100B. Note that when the distance from the end portion 200 A to the sealing material 300 is short, the protective film 115 is desirably disposed so as to be in contact with the sealing material 300. In the first embodiment, the protective film 115 covering the organic EL element 40 and the protective film 115 covering the signal supply wiring 12 are both formed of an inorganic material.

このような第１実施形態によれば、アレイ基板１００上の端子部５０にかかる封止基板２００を割断する際、割断面となる封止基板２００の端部２００Ａに対向する信号供給配線１２が保護膜１１５によって覆われているため、信号供給配線１２が保護される。つまり、割断された不要部分がアレイ基板１００に接触しても、保護膜１１５により、不要部分の信号供給配線１２への接触を防止することができ、信号供給配線１２の断線を防止することが可能となる。 According to such a 1st embodiment, when cleaving sealing board 200 concerning terminal part 50 on array board 100, signal supply wiring 12 which counters end part 200A of sealing board 200 used as a section is formed. Since it is covered with the protective film 115, the signal supply wiring 12 is protected. That is, even if the cleaved unnecessary portion contacts the array substrate 100, the protective film 115 can prevent the unnecessary portion from contacting the signal supply wiring 12, and can prevent the signal supply wiring 12 from being disconnected. It becomes possible.

また、有機ＥＬ素子４０上の保護膜１１５と、信号供給配線１２上の保護膜１１５とは、同一材料で形成されているため、有機ＥＬ素子４０上に保護膜１１５を成膜する工程と同時に、信号供給配線１２上に保護膜１１５を成膜することが可能である。このような保護膜１１５の成膜は、例えばマスク蒸着によってなされ、表示エリア１０２のみならず信号供給配線１２に対応した部分に開口を有するマスクを適用することにより、同一工程で有機ＥＬ素子４０及び信号供給配線１２の上に保護膜１１５を成膜することが可能となる。このため、信号供給配線１２を覆う保護膜１１５の別の材料を用いる必要がなく、信号供給配線１２を覆う保護膜１１５を蒸着する新たな製造工程が不要である。 Further, since the protective film 115 on the organic EL element 40 and the protective film 115 on the signal supply wiring 12 are formed of the same material, simultaneously with the step of forming the protective film 115 on the organic EL element 40. The protective film 115 can be formed on the signal supply wiring 12. Such a protective film 115 is formed by, for example, mask vapor deposition, and by applying a mask having an opening to a portion corresponding to the signal supply wiring 12 as well as the display area 102, the organic EL element 40 and the A protective film 115 can be formed on the signal supply wiring 12. For this reason, it is not necessary to use another material for the protective film 115 covering the signal supply wiring 12, and a new manufacturing process for depositing the protective film 115 covering the signal supply wiring 12 is unnecessary.

したがって、第１実施形態によれば、製造コスト及び製造工程数を増大することなく、信号供給配線１２の断線を防ぐことが可能となり、製造歩留まりの低下を防止することが可能となる。 Therefore, according to the first embodiment, it is possible to prevent the signal supply wiring 12 from being disconnected without increasing the manufacturing cost and the number of manufacturing steps, and it is possible to prevent a decrease in manufacturing yield.

（第２実施形態）
第２実施形態において、図４Ａに示すように、保護膜１１５は、シール材３００の外側において、封止基板２００の端部２００Ａと対向する信号供給配線１２の表面を覆っている。第１実施形態と同様に、保護膜１１５は、封止基板２００の端部２００Ａから封止基板２００の法線方向に延びた延長面２００Ｂとアレイ基板１００との交わり線１００Ｂ上の信号供給配線１２上に配置されている。 (Second Embodiment)
In the second embodiment, as shown in FIG. 4A, the protective film 115 covers the surface of the signal supply wiring 12 facing the end portion 200 A of the sealing substrate 200 outside the sealing material 300. As in the first embodiment, the protective film 115 is a signal supply wiring on the intersection line 100B between the extended surface 200B extending from the end portion 200A of the sealing substrate 200 in the normal direction of the sealing substrate 200 and the array substrate 100. 12 is arranged.

この第２実施形態においては、有機ＥＬ素子４０を覆う保護膜１１５と信号供給配線１２を覆う保護膜１１５とは、ともに有機系材料からなる保護膜（有機層）１１５Ａと、その上に積層された無機系材料からなる保護膜（無機層）１１５Ｂとの積層体によって形成されている。なお、図４Ａでは、２層構造の保護膜１１５を図示しているが、複数の有機層と無機層とを交互に積層した保護膜１１５を適用してもよい。 In the second embodiment, the protective film 115 covering the organic EL element 40 and the protective film 115 covering the signal supply wiring 12 are both laminated on a protective film (organic layer) 115A made of an organic material. It is formed of a laminate with a protective film (inorganic layer) 115B made of an inorganic material. 4A shows the protective film 115 having a two-layer structure, a protective film 115 in which a plurality of organic layers and inorganic layers are alternately stacked may be applied.

このように保護膜１１５を形成しても、第１実施形態と同様に、信号供給配線１２の断線を防ぐことが可能となる。また、第２実施形態において、信号供給配線１２を覆う保護膜１１５は、有機系材料からなる保護膜１１５Ａと無機系材料からなる保護膜１１５Ｂとを積層した積層体によって構成されているため、膜厚が増える。このため、さらに、効果的に信号供給配線１２の断線を防ぐことが可能となる。 Even if the protective film 115 is formed in this manner, the signal supply wiring 12 can be prevented from being disconnected as in the first embodiment. Further, in the second embodiment, the protective film 115 covering the signal supply wiring 12 is configured by a laminated body in which a protective film 115A made of an organic material and a protective film 115B made of an inorganic material are laminated. Thickness increases. Therefore, it is possible to effectively prevent the signal supply wiring 12 from being disconnected.

また、有機ＥＬ素子４０上の保護膜１１５と、信号供給配線１２上の保護膜１１５とは、同一材料を用いて同一工程で形成される。したがって、第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、製造コスト及び製造工程数を増大することなく、信号供給配線１２の断線を防ぐことが可能となり、製造歩留まりの低下を防止することが可能となる。 Further, the protective film 115 on the organic EL element 40 and the protective film 115 on the signal supply wiring 12 are formed in the same process using the same material. Therefore, according to the second embodiment, similarly to the first embodiment, it is possible to prevent the signal supply wiring 12 from being disconnected without increasing the manufacturing cost and the number of manufacturing steps, and to prevent a decrease in manufacturing yield. It becomes possible.

（第２実施形態−変形例）
この変形例においては、図４Ｂに示すように、有機ＥＬ素子４０を覆う保護膜１１５は、第２実施形態と同様に、有機系材料からなる保護膜１１５Ａと無機系材料からなる保護膜１１５Ｂとから形成されている一方で、信号供給配線１２を覆う保護膜１１５は、無機系材料からなる保護膜１１５Ｂのみによって形成されている。このような保護膜１１５を適用しても、第１実施形態と同様の効果が得られる。 (Second Embodiment-Modification)
In this modification, as shown in FIG. 4B, the protective film 115 covering the organic EL element 40 includes a protective film 115A made of an organic material and a protective film 115B made of an inorganic material, as in the second embodiment. On the other hand, the protective film 115 covering the signal supply wiring 12 is formed only by the protective film 115B made of an inorganic material. Even if such a protective film 115 is applied, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

（第３実施形態）
第３実施形態において、図５に示すように、保護膜１１５は、シール材３００の外側において、封止基板２００の端部２００Ａと対向する信号供給配線１２の表面を覆っている。また、有機活性層６２は、さらに、シール材３００の外側において、信号供給配線１２の表面を覆っている。つまり、信号供給配線１２と保護膜１１５との間に有機活性層６２が配置されている。このような保護膜１１５及び有機活性層６２は、封止基板２００の端部２００Ａから封止基板２００の法線方向に延びた延長面２００Ｂとアレイ基板１００との交わり線１００Ｂ上の信号供給配線１２上に配置されている。このように、信号供給配線１２と保護膜１１５の間に配置された有機活性層６２も、実質的に信号供給配線１２を保護する保護膜として機能する。 (Third embodiment)
In the third embodiment, as shown in FIG. 5, the protective film 115 covers the surface of the signal supply wiring 12 facing the end portion 200 A of the sealing substrate 200 on the outside of the sealing material 300. The organic active layer 62 further covers the surface of the signal supply wiring 12 outside the sealing material 300. That is, the organic active layer 62 is disposed between the signal supply wiring 12 and the protective film 115. The protective film 115 and the organic active layer 62 are formed on the signal supply wiring on the intersection line 100B between the extended surface 200B extending from the end portion 200A of the sealing substrate 200 in the normal direction of the sealing substrate 200 and the array substrate 100. 12 is arranged. Thus, the organic active layer 62 disposed between the signal supply wiring 12 and the protective film 115 substantially functions as a protective film for protecting the signal supply wiring 12.

この第３実施形態においては、有機ＥＬ素子４０を覆う保護膜１１５と信号供給配線１２を覆う保護膜１１５は、ともに無機系材料のみによって形成されても良いし、無機系材料と有機系材料との積層体によって形成されていても良い。いずれの保護膜１１５を適用しても、信号供給配線１２は、保護膜１１５に加えて有機活性層６２にも覆われている。このため、信号供給配線１２を保護する保護膜の膜厚が増えるため、さらに、効果的に信号供給配線１２の断線を防ぐことが可能となる。なお、信号供給配線１２と保護膜１１５との間に配置される有機活性層６２は、赤、緑、青のそれぞれの色画素に配置されるものを積層しても良く、これにより、さらに膜厚を増すことが可能となる。 In the third embodiment, both the protective film 115 covering the organic EL element 40 and the protective film 115 covering the signal supply wiring 12 may be formed of only an inorganic material, or an inorganic material and an organic material may be used. It may be formed of the laminated body. Regardless of which protective film 115 is applied, the signal supply wiring 12 is covered with the organic active layer 62 in addition to the protective film 115. For this reason, since the film thickness of the protective film for protecting the signal supply wiring 12 is increased, it is possible to effectively prevent the signal supply wiring 12 from being disconnected. Note that the organic active layer 62 disposed between the signal supply wiring 12 and the protective film 115 may be formed by stacking layers disposed in the respective color pixels of red, green, and blue. The thickness can be increased.

また、有機ＥＬ素子４０上の保護膜１１５と、信号供給配線上の保護膜１１５とは、同一材料を用いて同一工程で形成される。また、有機活性層６２が低分子系材料によって形成されている場合には、保護膜１１５と同様にマスク蒸着法によって成膜可能であるため、有機ＥＬ素子４０の有機活性層６２と、信号供給配線１２上の有機活性層６２とは、同一材料で形成される。したがって、第３実施形態によれば、第１実施形態と同様に、製造コスト及び製造工程数を増大することなく、信号供給配線１２の断線を防ぐことが可能となり、製造歩留まりの低下を防止することが可能となる。 Further, the protective film 115 on the organic EL element 40 and the protective film 115 on the signal supply wiring are formed in the same process using the same material. Further, when the organic active layer 62 is formed of a low molecular material, it can be formed by a mask vapor deposition method in the same manner as the protective film 115. Therefore, the organic active layer 62 of the organic EL element 40 and the signal supply can be supplied. The organic active layer 62 on the wiring 12 is formed of the same material. Therefore, according to the third embodiment, as in the first embodiment, it is possible to prevent the signal supply wiring 12 from being disconnected without increasing the manufacturing cost and the number of manufacturing steps, and to prevent a reduction in manufacturing yield. It becomes possible.

上述した第１乃至第３実施形態は、シール材３００が感光性樹脂である場合にも、フリットガラスである場合にも適用可能である。 The first to third embodiments described above can be applied both when the sealing material 300 is a photosensitive resin and when it is a frit glass.

（第４実施形態）
第４実施形態は、シール材３００がフリットガラスからなる場合（フリット封止）に好適な構成である。すなわち、アレイ基板１００と封止基板２００とは、表示エリア１０２を囲む枠状のシール材３００によって貼り合せられている。 (Fourth embodiment)
The fourth embodiment has a configuration suitable when the sealing material 300 is made of frit glass (frit sealing). That is, the array substrate 100 and the sealing substrate 200 are bonded together by a frame-shaped sealing material 300 that surrounds the display area 102.

第４実施形態において、図６に示すように、保護膜１１５は、シール材３００が形成されている領域において、信号供給配線１２とシール材３００との間に介在し、シール材３００に接するように配置されている。特に、この第４実施形態においては、保護膜１１５は、無機系材料によって形成されている。 In the fourth embodiment, as shown in FIG. 6, the protective film 115 is interposed between the signal supply wiring 12 and the sealing material 300 in the region where the sealing material 300 is formed so as to be in contact with the sealing material 300. Is arranged. In particular, in the fourth embodiment, the protective film 115 is formed of an inorganic material.

フリットガラスからなるシール材３００を適用する構成においては、高い気密性が要求される。このため、シール材３００のアレイ基板１００との接着性が極めて重要である。発明者の検討によれば、フリットガラスは、配線材料となる金属との接着性が弱いことがわかった。 In the configuration to which the sealing material 300 made of frit glass is applied, high airtightness is required. For this reason, the adhesiveness of the sealing material 300 to the array substrate 100 is extremely important. According to the inventor's investigation, it has been found that frit glass has a weak adhesive property with a metal as a wiring material.

このため、本実施形態においては、フリットガラスからなるシール材３００の下地として、無機系材料からなる保護膜１１５を適用し、シール材３００が保護膜１１５と接するように配置されている。このため、シール材３００と保護膜１１５とが密着する。これにより、アレイ基板１００と封止基板２００とが気密に貼り合わせられ、水分や酸素の流入を防ぐことが可能となる。したがって、第４実施形態によれば、有機ＥＬ素子４０の劣化を防止することが可能となり、製造歩留まりの低下を防止することが可能となる。 For this reason, in the present embodiment, the protective film 115 made of an inorganic material is applied as the base of the sealing material 300 made of frit glass, and the sealing material 300 is arranged so as to be in contact with the protective film 115. For this reason, the sealing material 300 and the protective film 115 adhere. Thereby, the array substrate 100 and the sealing substrate 200 are bonded together in an airtight manner, and it becomes possible to prevent inflow of moisture and oxygen. Therefore, according to the fourth embodiment, it is possible to prevent the deterioration of the organic EL element 40, and it is possible to prevent a decrease in manufacturing yield.

さらに、図６に示した例では、保護膜１１５は、シール材３００の外側に延在し、封止基板２００の端部２００Ａと対向する信号供給配線１２の表面を覆っている。このように保護膜１１５を形成すると、第１実施形態と同様に、信号供給配線１２の断線を防ぐことが可能となる。 Further, in the example shown in FIG. 6, the protective film 115 extends outside the sealing material 300 and covers the surface of the signal supply wiring 12 facing the end portion 200 A of the sealing substrate 200. When the protective film 115 is formed in this way, it is possible to prevent the signal supply wiring 12 from being disconnected as in the first embodiment.

また、フリット封止の場合においては、レーザーを照射するなどして熱を加えることによって、フリットガラスを溶融してアレイ基板１００と封止基板２００とが接着される。この第４実施形態においては、シール材３００の下に配置された信号供給配線１２は、比較的耐熱性の高い無機系材料（例えば、ＳｉＯＮ）によって形成された保護膜１１５によって覆われている。このため、シール材３００が溶融したときの熱による信号供給配線１２へのダメージを低減することが可能となる。 In the case of frit sealing, the array substrate 100 and the sealing substrate 200 are bonded by melting the frit glass by applying heat by irradiating a laser or the like. In the fourth embodiment, the signal supply wiring 12 disposed under the sealing material 300 is covered with a protective film 115 formed of an inorganic material (for example, SiON) having a relatively high heat resistance. For this reason, it becomes possible to reduce the damage to the signal supply wiring 12 by the heat | fever when the sealing material 300 fuse | melts.

表示エリア１０２においては、信号供給配線１２より封止基板側に、有機絶縁膜１１４や隔壁７０などの有機系材料によって形成された絶縁層が積層されている。このような有機系材料からなる絶縁層は、比較的耐熱性が低く、無機系材料と比較してフリットガラスとの接着性が劣る。このため、有機絶縁膜１１４及び隔壁７０は、シール材３００よりも内側に留まるように配置されている。つまり、フリット封止を適用する本実施形態においては、有機系材料からなる絶縁層は、シール材３００と接する保護膜１１５を構成することはなく、また、保護膜１１５と信号供給配線１２との間にも介在していない。 In the display area 102, an insulating layer formed of an organic material such as the organic insulating film 114 and the partition wall 70 is laminated on the sealing substrate side from the signal supply wiring 12. Such an insulating layer made of an organic material has a relatively low heat resistance, and is inferior in adhesion to frit glass as compared with an inorganic material. For this reason, the organic insulating film 114 and the partition 70 are disposed so as to remain inside the sealing material 300. That is, in this embodiment to which frit sealing is applied, the insulating layer made of an organic material does not form the protective film 115 in contact with the sealing material 300, and the protective film 115 and the signal supply wiring 12 are not formed. There is no intervening.

また、有機ＥＬ素子４０上の保護膜１１５と、信号供給配線１２上の保護膜１１５とは、同一材料を用いて同一工程で形成される。したがって、第４実施形態によれば、製造コスト及び製造工程数を増大することなく、水分や酸素の流入及び信号供給配線１２の断線を防ぐことが可能となり、製造歩留まりの低下を防止することが可能となる。 Further, the protective film 115 on the organic EL element 40 and the protective film 115 on the signal supply wiring 12 are formed in the same process using the same material. Therefore, according to the fourth embodiment, it is possible to prevent the inflow of moisture and oxygen and the disconnection of the signal supply wiring 12 without increasing the manufacturing cost and the number of manufacturing steps, and it is possible to prevent a decrease in manufacturing yield. It becomes possible.

なお、上述した第１実施形態乃至第４実施形態において、図７に示すように、有機ＥＬ素子４０を覆う保護膜１１５と、信号供給配線１２を覆う保護膜１１５とを、一体的に形成しても良い。このとき、保護膜１１５は、シール材３００の下を通り、信号供給配線１２を覆うように配置される。 In the first to fourth embodiments described above, as shown in FIG. 7, the protective film 115 covering the organic EL element 40 and the protective film 115 covering the signal supply wiring 12 are integrally formed. May be. At this time, the protective film 115 is disposed so as to pass under the sealant 300 and cover the signal supply wiring 12.

また、シール材３００の外側において、信号供給配線１２と保護膜１１５との間には、信号供給配線１２より上に積層されている層、例えば、有機絶縁膜１１４や、無機系材料によって形成された図示しないパッシベーション膜などを配置しても良い。これにより、プロセス負荷を増すことなく、信号供給配線１２を保護するのに十分な膜厚の保護層を得ることが可能となる。 In addition, outside the sealing material 300, between the signal supply wiring 12 and the protective film 115, a layer stacked above the signal supply wiring 12, for example, an organic insulating film 114 or an inorganic material is formed. Alternatively, a passivation film or the like (not shown) may be disposed. As a result, it is possible to obtain a protective layer having a thickness sufficient to protect the signal supply wiring 12 without increasing the process load.

以上説明したように、この実施の形態の表示装置によれば、製造コスト及び製造工程を増大することなく、製造歩留まりの低下を防止することが可能となる。 As described above, according to the display device of this embodiment, it is possible to prevent a decrease in manufacturing yield without increasing manufacturing costs and manufacturing steps.

なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment itself, In the stage of implementation, it can change and implement a component within the range which does not deviate from the summary. Further, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, you may combine suitably the component covering different embodiment.

図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention. 図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を切断したときの構成例を概略的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example when the organic EL display device shown in FIG. 1 is cut. 図３Ａは、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を切断したときの構造を概略的に示す断面図である。FIG. 3A is a cross-sectional view schematically showing a structure when the organic EL display device according to the first embodiment is cut. 図３Ｂは、図３Ａに示した有機ＥＬ表示装置の表示エリアの一部の構造を概略的に示す図である。3B is a diagram schematically showing a partial structure of the display area of the organic EL display device shown in FIG. 3A. 図４Ａは、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を切断したときの構造を概略的に示す断面図である。FIG. 4A is a cross-sectional view schematically showing a structure when the organic EL display device according to the second embodiment is cut. 図４Ｂは、第２実施形態の変形例に係る有機ＥＬ表示装置を切断したときの構造を概略的に示す断面図である。FIG. 4B is a cross-sectional view schematically showing a structure when an organic EL display device according to a modification of the second embodiment is cut. 図５は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を切断したときの構成を概略的に示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a configuration when the organic EL display device according to the third embodiment is cut. 図６は、第４実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を切断したときの構成を概略的に示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a configuration when the organic EL display device according to the fourth embodiment is cut. 図７は、変形例に係る有機ＥＬ表示装置を切断したときの構成を概略的に示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a configuration when an organic EL display device according to a modification is cut.

Explanation of symbols

１…有機ＥＬ表示装置ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…色画素
１０…画素回路ＤＲＴ…駆動トランジスタ
ＳＷ１…第１スイッチＳＷ２…第２スイッチ
ＳＷ３…第３スイッチＣｓ…蓄積容量素子
４０…有機ＥＬ素子６０…第１電極
６２…有機活性層６４…第２電極
７０…隔壁
１００…アレイ基板１０２…表示エリア
１１４…有機絶縁膜１１５…保護膜１２０…配線基板
２００…封止基板３００…シール材
１２…信号供給配線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL display device PX (R, G, B) ... Color pixel 10 ... Pixel circuit DRT ... Drive transistor SW1 ... First switch SW2 ... Second switch SW3 ... Third switch Cs ... Storage capacitor element 40 ... Organic EL element DESCRIPTION OF SYMBOLS 60 ... 1st electrode 62 ... Organic active layer 64 ... 2nd electrode 70 ... Partition 100 ... Array substrate 102 ... Display area 114 ... Organic insulating film 115 ... Protective film 120 ... Wiring substrate 200 ... Sealing substrate 300 ... Sealing material 12 ... Signal supply wiring

Claims

An array substrate having self-luminous elements in the display area;
A sealing substrate disposed to face the light emitting element side of the array substrate;
A sealing material arranged in a frame shape so as to surround the display area, and for bonding the array substrate and the sealing substrate;
A signal supply wiring that is arranged in the display area, passes under the sealing material, and extends outward from an end of the sealing substrate, and is extended to the extended portion of the array substrate;
A protective film disposed so as to cover the self-luminous element,
The display device, wherein the protective film is further arranged so as to cover the signal supply wiring facing the end of the sealing substrate outside the sealing material.

The display device according to claim 1, wherein the protective film is made of an inorganic material.

The display device according to claim 1, wherein the protective film is formed by laminating an inorganic material and an organic material.

The protective film covering the self-luminous element is formed by laminating an organic material and an inorganic material,
The display device according to claim 1, wherein the protective film covering the signal supply wiring is formed of an inorganic material.

The sealing material is made of frit glass,
The display device according to claim 1, wherein the protective film that covers the signal supply wiring is formed of an inorganic material and is disposed between the sealing material and the signal supply wiring.

The self-luminous element is
A first electrode disposed in each pixel;
An organic active layer disposed on the first electrode;
A second electrode disposed on the organic active layer and common to a plurality of pixels,
The display device according to claim 1, wherein the organic active layer is further disposed between the signal supply wiring and the protective film outside the sealing material.

An array substrate comprising: a self-luminous element arranged in a display area; and a protective film made of an inorganic material arranged to cover the self-luminous element;
A sealing substrate disposed to face the light emitting element side of the array substrate;
A sealing material that is arranged in a frame shape so as to surround the display area, and is made of frit glass for bonding the array substrate and the sealing substrate;
A signal supply wiring that is arranged in the display area, passes under the sealing material, and extends outward from the sealing material, and is extended to the extended portion of the array substrate,
The display device is further characterized in that the protective film is disposed between the signal supply wiring and the sealing material so as to be in contact with the sealing material.

The display device according to claim 7, wherein the protective film is further arranged so as to cover the signal supply wiring facing the end of the sealing substrate outside the sealing material.

The self-luminous element is
A first electrode disposed in each pixel;
An organic active layer disposed on the first electrode;
A second electrode disposed on the organic active layer and common to a plurality of pixels,
9. The display device according to claim 8, wherein the organic active layer is further disposed between the signal supply wiring and the protective film outside the sealing material.