KR20150059781A - Production method for multilayer printed wiring board, and base material - Google Patents
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Abstract
다층 프린트 배선 기판의 제조 방법은, 금속제 판상 캐리어의 적어도 하나의 주면 상에 이형제층을 개재하여 수지층이 적층한 베이스 기재를 준비하는 제 1 공정과, 베이스 기재의 수지층 상에 1 층 이상의 빌드업층을 적층하는 제 2 공정을 포함한다. 판상 캐리어의 기판 두께가, 5 ㎛ 이상 1600 ㎛ 이하이면 된다. 판상 캐리어와 수지층간의 박리 강도가, 10 gf/㎝ 이상 200 gf/㎝ 이하이면 된다.A method of manufacturing a multilayer printed wiring board includes a first step of preparing a base substrate having a resin layer laminated on at least one main surface of a metal plate carrier with a release agent layer interposed therebetween; And a second step of laminating the upper layer. The substrate thickness of the plate-like carrier may be 5 占 퐉 or more and 1600 占 퐉 or less. The peel strength between the plate-like carrier and the resin layer may be 10 gf / cm or more and 200 gf / cm or less.
Description
본 발명은 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법 및 베이스 기재에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a multilayer printed wiring board and a base substrate.
다층 프린트 배선 기판에 관해서 종래부터 다양한 개발이 실시되고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1 에는, 동박의 캐리어로서 프리프레그를 채용하고, 프리프레그 상에 박리 가능하게 동박을 적층한 구성이 개시되어 있다.Various developments have conventionally been carried out with respect to multilayer printed wiring boards. For example,
다층 프린트 배선 기판에는, 1 이상의 배선층과 1 이상의 절연층을 포함하는 빌드업층이 수지제 베이스 기판 상에 적층한 구성이 통상적으로 포함되지만, 수지제 베이스 기판을 얇게 하면, 다층 프린트 배선판이 제조 공정 중에서 휘어 변형되거나, 뒤틀림이 발생하거나 하여 실장 공정 상의 지장이 일어나는 경우가 있다. 본원 발명은, 이 점을 감안하여, 종래와는 다른 구성의 박형 (薄型) 의 다층 프린트 배선판을 제조할 때에 지지체로서 기능하는 베이스 기재를 제공하는 것을 목적으로 한다.The multilayer printed wiring board typically includes a buildup layer formed by laminating a buildup layer containing at least one wiring layer and at least one insulation layer on a resin base substrate. However, if the resin base substrate is thinned, Warpage or warpage may occur, which may cause troubles in the mounting process. In view of this point, the present invention aims to provide a base substrate that functions as a support when manufacturing a thin multilayered printed circuit board having a different structure from the conventional one.
본 발명에 관련된 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법은, 금속제 판상 캐리어의 적어도 하나의 주면 (主面) 상에 이형제층을 개재하여 수지층이 적층한 베이스 기재를 준비하는 제 1 공정과, 상기 베이스 기재의 상기 수지층 상에 1 층 이상의 빌드업층을 적층하는 제 2 공정을 포함한다.A method of manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention includes a first step of preparing a base substrate having a resin layer laminated on at least one main surface of a metal plate carrier with a release agent layer interposed therebetween; And a second step of laminating at least one build-up layer on the resin layer.
상기 판상 캐리어의 기판 두께가, 5 ㎛ 이상 1600 ㎛ 이하이면 된다.The substrate thickness of the plate-like carrier may be 5 mu m or more and 1600 mu m or less.
상기 판상 캐리어와 상기 수지층간의 박리 강도가, 10 gf/㎝ 이상 200 gf/㎝ 이하이면 된다.The peel strength between the plate-like carrier and the resin layer may be 10 gf / cm or more and 200 gf / cm or less.
220 ℃에서 3 시간, 6 시간 또는 9 시간 중 적어도 하나의 가열 후에 있어서의, 상기 판상 캐리어와 상기 수지층간의 박리 강도가, 10 gf/㎝ 이상 200 gf/㎝ 이하이면 된다.The peel strength between the plate-like carrier and the resin layer after heating at 220 ° C for at least 3 hours, 6 hours, or 9 hours may be 10 gf / cm or more and 200 gf / cm or less.
상기 빌드업층이 적층된 상기 수지층과 상기 판상 캐리어를 분리하는 제 3 공정을 추가로 포함하면 된다.And a third step of separating the resin layer on which the buildup layer is laminated and the plate-like carrier from each other.
상기 수지층을 제 1 수지층으로 하는 상기 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법으로 하여, The method for manufacturing the multilayer printed wiring board in which the resin layer is the first resin layer,
상기 제 3 공정에 의해 얻어진 상기 다층 프린트 배선 기판 상에 상기 제 1 수지층과는 상이한 제 2 수지층, 및 추가적인 빌드업층을 적층하는 제 4 공정을 추가로 포함하면 된다.The second resin layer different from the first resin layer and the fourth step of laminating an additional buildup layer may be further included on the multilayer printed wiring board obtained by the third step.
상기 수지층이, 프리프레그이면 된다.The resin layer may be a prepreg.
상기 수지층은, 120 ∼ 320 ℃ 의 유리 전이 온도 Tg 를 가지면 된다.The resin layer may have a glass transition temperature Tg of 120 to 320 ° C.
상기 빌드업층이, 1 이상의 절연층과 1 이상의 배선층을 포함하면 된다.The build-up layer may include at least one insulating layer and at least one wiring layer.
상기 빌드업층에 포함되는 1 이상의 배선층이, 패터닝된 혹은 패터닝되어 있지 않은 금속박이면 된다.The at least one wiring layer included in the buildup layer may be a patterned or non-patterned metal foil.
상기 빌드업층에 포함되는 1 이상의 절연층이, 프리프레그이면 된다.The at least one insulating layer included in the buildup layer may be a prepreg.
상기 빌드업층이, 편면 혹은 양면 금속 피복 적층판을 포함하면 된다.The build-up layer may include a single-sided or double-sided metal clad laminate.
상기 빌드업층이, 서브트랙티브법 또는 풀 애디티브법 또는 세미 애디티브법 중 적어도 일방을 이용하여 형성되면 된다.The build-up layer may be formed using at least one of a subtractive method, a pull additive method, and a semi-additive method.
상기 베이스 기재 상에 상기 빌드업층이 적층한 적층체에 대해 다이싱 처리를 실시하는 제 5 공정을 추가로 포함하면 된다.And a fifth step of performing a dicing treatment on the laminate obtained by laminating the buildup layer on the base substrate.
상기 다이싱 처리에 의해, 상기 베이스 기재 상에 상기 빌드업층이 적층한 상기 적층체에는 1 이상의 홈이 형성되고, 당해 홈에 의해 상기 빌드업층이 개편화 (個片化) 가능하면 된다.It is preferable that at least one groove is formed in the laminated body in which the buildup layer is laminated on the base substrate by the dicing process, and the buildup layer can be separated (singulated) by the groove.
상기 빌드업층에 포함되는 1 이상의 절연층에 대해 비아 배선을 형성하는 제 6 공정을 추가로 포함하면 된다.And a sixth step of forming a via wiring with respect to at least one insulating layer included in the buildup layer.
상기 이형제층이, 다음 식:Wherein the release agent layer has the following formula:
[화학식 1][Chemical Formula 1]
(식 중, R1 은 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2 는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이며, R3 및 R4 는 각각 독립적으로 할로겐 원자, 또는 알콕시기, 또는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이다.) (Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, and R 3 and R 4 are each independently a halogen atom or an alkoxy group or a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom.
에 나타내는 실란 화합물, 그 가수 분해 생성물, 그 가수 분해 생성물의 축합체를 단독으로 또는 복수 조합해서 사용하여 이루어지면 된다., The hydrolysis product thereof, and the condensation product of the hydrolysis product may be used singly or in combination.
상기 이형제층이, 분자 내에 2 개 이하의 메르캅토기를 갖는 화합물을 사용하여 이루어지면 된다.The release agent layer may be formed using a compound having two or less mercapto groups in the molecule.
상기 이형제층이, 다음 식:Wherein the release agent layer has the following formula:
[화학식 2](2)
(식 중, R1 은 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2 는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이고, M 은 Al, Ti, Zr 중 어느 하나, n 은 0 또는 1 또는 2, m 은 1 이상 M 의 가수 이하의 정수이며, R1 중 적어도 하나는 알콕시기이다. 또한, m+n 은 M 의 가수 즉 Al 의 경우 3, Ti, Zr 의 경우 4 이다) (Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, and M M is at least one of Al, Ti and Zr, n is 0 or 1 or 2, m is an integer of at least 1 and not more than M, and at least one of R 1 is an alkoxy group. 3 for Ti and 4 for Zr)
에 나타내는 알루미네이트 화합물, 티타네이트 화합물, 지르코네이트 화합물, 이들의 가수 분해 생성물, 그 가수 분해 생성물의 축합체를 단독으로 또는 복수 조합해서 사용하여 이루어지면 된다., A titanate compound, a zirconate compound, a hydrolysis product thereof, and a condensate of the hydrolysis product thereof may be used singly or in combination.
이형제층이, 실리콘과, 에폭시계 수지, 멜라민계 수지 및 불소 수지에서 선택되는 어느 하나 또는 복수의 수지로 구성되는 수지 도막이면 된다.The releasing agent layer may be a resin coating film composed of any one or a plurality of resins selected from silicon, an epoxy resin, a melamine resin and a fluororesin.
상기 판상 캐리어가 구리 또는 구리 합금으로 이루어지면 된다.The plate-like carrier may be made of copper or a copper alloy.
상기 배선층이 구리 또는 구리 합금으로 이루어지면 된다.The wiring layer may be made of copper or a copper alloy.
본 발명에 관련된 다층 프린트 배선 기판은, 상기 중 어느 것에 기재된 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법에 의해 제조된 다층 프린트 배선 기판이다.The multilayer printed wiring board according to the present invention is a multilayer printed wiring board manufactured by the method for manufacturing a multilayer printed wiring board described in any of the above.
본 발명에 관련된 베이스 기재는, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법에 사용되는 베이스 기재로서, 금속제 판상 캐리어와, 상기 판상 캐리어의 적어도 하나의 주면 상에 형성된 이형제층과, 상기 이형제층을 개재하여 상기 판상 캐리어 상에 적층한 수지층을 구비하고, 상기 수지층과 상기 판상 캐리어가 박리 가능하다.A base substrate according to the present invention is a base substrate used in a method for manufacturing a multilayer printed wiring board, comprising: a metal plate carrier; a release agent layer formed on at least one main surface of the plate carrier; And a resin layer laminated on the carrier, wherein the resin layer and the plate-like carrier are peelable.
상기 판상 캐리어의 기판 두께가, 5 ㎛ 이상 1600 ㎛ 이하이면 된다.The substrate thickness of the plate-like carrier may be 5 mu m or more and 1600 mu m or less.
상기 판상 캐리어와 상기 수지층간의 박리 강도가, 10 gf/㎝ 이상 200 gf/㎝ 이하이면 된다.The peel strength between the plate-like carrier and the resin layer may be 10 gf / cm or more and 200 gf / cm or less.
220 ℃에서 3 시간, 6 시간 또는 9 시간 중 적어도 하나의 가열 후에 있어서의, 상기 판상 캐리어와 상기 수지층간의 박리 강도가, 10 gf/㎝ 이상 200 gf/㎝ 이하이면 된다.The peel strength between the plate-like carrier and the resin layer after heating at 220 ° C for at least 3 hours, 6 hours, or 9 hours may be 10 gf / cm or more and 200 gf / cm or less.
상기 판상 캐리어가 구리 또는 구리 합금으로 이루어지면 된다.The plate-like carrier may be made of copper or a copper alloy.
상기 수지층이 프리프레그로 이루어지면 된다.The resin layer may be made of a prepreg.
상기 이형제층이, 다음 식:Wherein the release agent layer has the following formula:
[화학식 3](3)
(식 중, R1 은 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2 는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이며, R3 및 R4 는 각각 독립적으로 할로겐 원자, 또는 알콕시기, 또는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이다.) (Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, and R 3 and R 4 are each independently a halogen atom or an alkoxy group or a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom.
에 나타내는 실란 화합물, 그 가수 분해 생성물, 그 가수 분해 생성물의 축합체를 단독으로 또는 복수 조합해서 사용하여 이루어지면 된다., The hydrolysis product thereof, and the condensation product of the hydrolysis product may be used singly or in combination.
상기 이형제층이, 분자 내에 2 개 이하의 메르캅토기를 갖는 화합물을 사용하여 이루어지면 된다.The release agent layer may be formed using a compound having two or less mercapto groups in the molecule.
상기 이형제층이, 다음 식:Wherein the release agent layer has the following formula:
[화학식 4][Chemical Formula 4]
(식 중, R1 은 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2 는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이고, M 은 Al, Ti, Zr 중 어느 하나, n 은 0 또는 1 또는 2, m 은 1 이상 M 의 가수 이하의 정수이며, R1 중 적어도 하나는 알콕시기이다. 또한, m+n 은 M 의 가수 즉 Al 의 경우 3, Ti, Zr 의 경우 4 이다) (Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, and M M is at least one of Al, Ti and Zr, n is 0 or 1 or 2, m is an integer of at least 1 and not more than M, and at least one of R 1 is an alkoxy group. 3 for Ti and 4 for Zr)
에 나타내는 알루미네이트 화합물, 티타네이트 화합물, 지르코네이트 화합물, 이들의 가수 분해 생성물, 그 가수 분해 생성물의 축합체를 단독으로 또는 복수 조합해서 사용하여 이루어지면 된다., A titanate compound, a zirconate compound, a hydrolysis product thereof, and a condensate of the hydrolysis product thereof may be used singly or in combination.
이형제층이, 실리콘과, 에폭시계 수지, 멜라민계 수지 및 불소 수지에서 선택되는 어느 하나 또는 복수의 수지로 구성되는 수지 도막이면 된다.The releasing agent layer may be a resin coating film composed of any one or a plurality of resins selected from silicon, an epoxy resin, a melamine resin and a fluororesin.
본 발명에 관련된 적층체는, 금속제 판상 캐리어의 적어도 하나의 주면 상에 이형제층이 적층된 적층체로서, The laminate related to the present invention is a laminate having a releasing agent layer laminated on at least one main surface of a metal plate carrier,
상기 이형제층이, 다음 식:Wherein the release agent layer has the following formula:
[화학식 5][Chemical Formula 5]
(식 중, R1 은 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2 는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이며, R3 및 R4 는 각각 독립적으로 할로겐 원자, 또는 알콕시기, 또는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이다.) (Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, and R 3 and R 4 are each independently a halogen atom or an alkoxy group or a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom.
에 나타내는 실란 화합물, 그 가수 분해 생성물, 그 가수 분해 생성물의 축합체를 단독으로 또는 복수 조합해서 사용하여 이루어진다., A hydrolysis product thereof, and a condensate of the hydrolysis product thereof, either singly or in combination.
본 발명에 관련된 적층체는, 금속제 판상 캐리어의 적어도 하나의 주면 상에 이형제층이 적층된 적층체로서, 상기 이형제층이, 분자 내에 2 개 이하의 메르캅토기를 갖는 화합물을 사용하여 이루어진다.The laminate related to the present invention is a laminate obtained by laminating a release agent layer on at least one main surface of a metal plate carrier, wherein the release agent layer is made of a compound having two or less mercapto groups in the molecule.
본 발명에 관련된 적층체는, 금속제 판상 캐리어의 적어도 하나의 주면 상에 이형제층이 적층된 적층체로서, The laminate related to the present invention is a laminate having a releasing agent layer laminated on at least one main surface of a metal plate carrier,
상기 이형제층이, 다음 식:Wherein the release agent layer has the following formula:
[화학식 6][Chemical Formula 6]
(식 중, R1 은 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2 는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이고, M 은 Al, Ti, Zr 중 어느 하나, n 은 0 또는 1 또는 2, m 은 1 이상 M 의 가수 이하의 정수이며, R1 중 적어도 하나는 알콕시기이다. 또한, m+n 은 M 의 가수 즉 Al 의 경우 3, Ti, Zr 의 경우 4 이다) (Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, and M M is at least one of Al, Ti and Zr, n is 0 or 1 or 2, m is an integer of at least 1 and not more than M, and at least one of R 1 is an alkoxy group. 3 for Ti and 4 for Zr)
에 나타내는 알루미네이트 화합물, 티타네이트 화합물, 지르코네이트 화합물, 이들의 가수 분해 생성물, 그 가수 분해 생성물의 축합체를 단독으로 또는 복수 조합해서 사용하여 이루어진다., A titanate compound, a zirconate compound, a hydrolysis product thereof, and a condensate of the hydrolysis product thereof, either singly or in combination.
금속제 판상 캐리어의 적어도 하나의 주면 상에 이형제층이 적층된 적층체로서, A laminated body in which a release agent layer is laminated on at least one main surface of a metal plate carrier,
상기 이형제층이, 실리콘과, 에폭시계 수지, 멜라민계 수지 및 불소 수지에서 선택되는 어느 하나 또는 복수의 수지로 구성되는 수지 도막이다.Wherein the release agent layer is a resin coating film composed of one or a plurality of resins selected from silicon, an epoxy resin, a melamine resin and a fluororesin.
상기 판상 캐리어가 구리 또는 구리 합금으로 이루어지면 된다.The plate-like carrier may be made of copper or a copper alloy.
본 발명에 의하면, 빌드업층의 적층 후, 금속제 판상 캐리어와 빌드업층을 분리 가능하고, 박형의 다층 프린트 배선 기판을 효율적으로 제조할 수 있다.According to the present invention, it is possible to separate a metal plate-like carrier and a buildup layer after lamination of a buildup layer, and to efficiently manufacture a thin multilayer printed wiring board.
도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 베이스 기재의 개략적인 단면도이다.
도 2 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 베이스 기재 상에 빌드업층을 적층한 상태를 나타내는 개략적인 공정도이다.
도 3 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 다층 프린트 배선 기판과 판상 캐리어를 박리하는 공정을 모식적으로 나타내는 공정도이다.
도 4 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 베이스 기재의 개략적인 단면도이다
도 5 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 베이스 기재의 양면 상에 빌드업층을 적층한 상태를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 6 은, 본 발명의 실시예에 관한 표를 나타내는 도면이다1 is a schematic sectional view of a base substrate according to a first embodiment of the present invention.
2 is a schematic process diagram showing a state in which a buildup layer is laminated on a base substrate according to the first embodiment of the present invention.
3 is a process diagram schematically showing a step of peeling a multilayer printed wiring board and a plate-like carrier according to the first embodiment of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view of a base substrate according to a second embodiment of the present invention
5 is a schematic cross-sectional view showing a state in which buildup layers are laminated on both surfaces of a base substrate according to a second embodiment of the present invention.
6 is a diagram showing a table according to an embodiment of the present invention
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다. 각 실시형태는, 개개로 독립된 것이 아니고, 과잉 설명할 것까지도 없이, 당업자라면, 적절히 조합하는 것이 가능하고, 이 조합에 의한 상승 효과도 파악 가능하다. 실시형태간의 중복 설명은, 원칙적으로 생략한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. It is to be noted that each embodiment is not independent of each other and can be appropriately combined by a person skilled in the art without being described in detail, and the synergistic effect of this combination can be grasped. The redundant explanation between the embodiments will be omitted in principle.
<제 1 실시형태>≪ First Embodiment >
도 1 내지 도 3 을 참조하여 제 1 실시형태에 대하여 설명한다. 도 1 은, 베이스 기재의 개략적인 단면도이다. 도 2 는, 베이스 기재 상에 빌드업층을 적층한 상태를 나타내는 개략적인 공정도이다. 도 3 은, 다층 프린트 배선 기판과 판상 캐리어를 박리하는 공정을 모식적으로 나타내는 공정도이다.The first embodiment will be described with reference to Figs. 1 to 3. Fig. 1 is a schematic cross-sectional view of a base substrate. 2 is a schematic process chart showing a state in which buildup layers are laminated on a base substrate. 3 is a process diagram schematically showing a step of peeling a multilayer printed wiring board and a plate-like carrier.
도 1 에 나타내는 바와 같이 베이스 기재 (100) 는, 소정 두께의 금속제 판상 캐리어 (10), 판상 캐리어 (10) 의 상면 (주면) 상에 적층한 이형제층 (20), 이형제층 (20) 을 개재하여 판상 캐리어 (10) 의 상면에 적층한 수지층의 일례인 프리프레그 (30) 를 구비하고, 판상 캐리어 (10), 이형제층 (20), 및 프리프레그 (30) 가 이 순서로 적층한 적층체이다. 또한, 반드시 판상 캐리어 (10) 의 상면의 전체면에 이형제층 (20) 을 성막할 필요는 없고, 마찬가지로, 반드시 이형제층 (20) 의 상면의 전체면에 프리프레그 (30) 를 적층할 필요는 없다. 판상 캐리어 (10) 나 프리프레그 (30) 의 상면에서 보았을 때의 형상은 사각형에 한정되지 않고, 원형 등의 다른 형상이더라도 상관없다. 프리프레그 (30) 는, 전형적으로는, 다층 프린트 배선 기판의 최하층을 구성해야 하는 층이다. 바꾸어 말하면, 프리프레그 (30) 는, 빌드업층 (110) 을 구성하는 절연층 (40) 과 동등하다. 이 점은, 후술하는 설명으로부터도 분명하다.1, the
베이스 기재 (100) 의 구성층의 적층 순번에 관해서는 임의이지만, 예를 들어, 처음에 판상 캐리어 (10) 를 준비한 후, 판상 캐리어 (10) 의 상면 (주면) 상에 이형제층 (20) 을 적층하고, 다음으로, 이형제층 (20) 을 개재하여 프리프레그 (30) 를 적층해도 된다. 혹은, 프리프레그 (30) 의 하면 (주면) 에 이형제층 (20) 을 적층하고, 프리프레그 (30) 와 이형제층 (20) 의 적층체를 판상 캐리어 (10) 상에 적층해도 된다. 이형제층 (20) 은, 통상적인 코팅 기술을 활용하여 프리프레그 (30) 또는 판상 캐리어 (10) 상에 성막 가능하다. 판상 캐리어 (10) 혹은 프리프레그 (30) 의 두께는, 임의의 공지된 수단, 방법에 의해 조정 가능하다.The releasing
도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 베이스 기재 (100) 의 프리프레그 (30) 상에는, 1 이상의 절연층 (40) 과 1 이상의 배선층 (50) 을 포함하는 빌드업층 (110) 이 적층된다. 빌드업층 (110) 은, 1 층의 절연층 (40) 과 1 층의 배선층 (50) 의 적층체이며, 도 2 에 있어서는, 프리프레그 (30) 도 포함시켜 2 층 구성의 빌드업층 (110) 이 도시되어 있다. 빌드업층 (110) 의 절연층 (40) 은, 적합하게는 수지층으로 이루어지고, 보다 적합하게는 열경화성 수지를 함유하는 프리프레그로 이루어진다. 빌드업층 (110) 의 배선층 (50) 은, 적합하게는 패터닝된 혹은 패터닝되어 있지 않은 금속층, 적합하게는 금속박 혹은 도금 금속층이다. 빌드업층 (110) 은, 절연층 (40) 과 배선층 (50) 을 순서로 반복 적층함으로써 형성된다. 베이스 기재 (100) 상에 빌드업층 (110) 을 적층한 후, 베이스 기재 (100) 로부터 빌드업층 (110) 을 분리하고, 이에 따라, 빌드업층 (110) 을 적합하게 박형의 다층 프린트 배선 기판으로서 얻을 수 있다.A
이와 같이 하여 제조되는 다층 프린트 배선 기판에 있어서는, 빌드업층 (110) 의 적층에 사용된 베이스 기재 (100) 가 포함되지 않는다. 이와 같은 의미에 있어서 본 실시형태에 관련된 다층 프린트 배선 기판이 「박형」 구성이라고 할 수 있다. 「박형」 이라는 것은, 예를 들어 다층 프린트 배선 기판의 두께가 400 ㎛ 이하, 바람직하게는 200 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎛ 이하인 것을 말한다. 단, 다층 프린트 배선 기판의 기능 상, 배선층의 층 수가 극단적으로 많은 경우 (예를 들어 10 층 이상), 또는 100 ㎛ 보다 두꺼운 절연층 또는 배선층이 필요해지는 경우에는 다층 프린트 배선 기판의 두께가 400 ㎛ 를 초과하는 경우가 있어도 된다.In the multilayer printed circuit board thus manufactured, the
빌드업층의 적층 공정에 있어서는 베이스 기재 (100) 자체도 가열되고, 혹은 물리적 혹은 화학적으로 처치되고, 경우에 따라서는, 약액에 담그어진다. 이와 같은 공정을 거친 후에 있어서도 도 3 에 모식적으로 나타내는 다층 프린트 배선 기판, 단적으로는 다층 프린트 배선 기판의 최하층의 프리프레그 (30) 와 판상 캐리어 (10) 간의 박리성이 확보된다. 적합하게는, 이형제층 (20) 이 판상 캐리어 (10) 측에 잔존하지만, 반드시 이것에 한정되는 것은 아니다.In the laminating step of the build-up layer, the
절연층 (40) 과 배선층 (50) 의 구성 재료나 층 두께는 임의이며, 1 개의 배선층 (50) 이, 1 이상의 도전층의 적층으로 구성되어도 되고, 1 개의 절연층 (40) 이, 1 이상의 절연층의 적층으로 구성되어도 된다. 배선층 (50) 은, 예를 들어, 1 이상의 금속박으로 구성된다. 절연층 (40) 은, 1 이상의 수지층으로 구성되고, 적합하게는 열경화성 수지층이다. 배선층 (50) 은, 반드시 패터닝되어 있을 필요는 없고, 또, 반드시 다른 배선층과 전기적으로 접속되어 있지 않아도 된다. 플로팅의 배선층 (50) 을 형성하는 것은, 배선층간에 발생하는 정전 용량의 제어나 다층 프린트 배선 기판의 기계적 강도 등을 조정할 때에는 유효해지는 경우가 있다.The constituent material and the layer thickness of the insulating
빌드업층 (110) 의 구체적인 구성은 임의이다. 예를 들어, 빌드업층 (110) 은, 1 이상의 절연층 (40) 과 1 이상의 배선층 (50) 을 포함한다. 예를 들어, 빌드업층 (110) 에 포함되는 1 이상의 배선층 (50) 이, 패터닝된 혹은 패터닝되어 있지 않은 금속박이다. 예를 들어, 빌드업층 (110) 에 포함되는 1 이상의 절연층 (40) 이 프리프레그이다. 예를 들어, 빌드업층 (110) 이, 편면 혹은 양면 금속 피복 적층판을 포함한다.The concrete structure of the
판상 캐리어 (10) 는, 금속제, 적합하게는 구리 또는 구리 합금제 평판이며, 그 크기에 의존하여 다소의 가요성을 구비해도 되지만, 지지 기판으로서의 기능을 확보할 수 있는 정도의 강성을 구비하는 것이 바람직하다. 판상 캐리어 (10) 는, 전형적으로는, 5 ㎛ 이상, 보다 적합하게는 10 ㎛ 이상, 30 ㎛ 이상, 35 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이상, 65 ㎛ 이상, 70 ㎛ 이상, 80 ㎛ 이상, 100 ㎛ 이상의 두께를 갖는 금속박을 사용할 수 있다. 또, 판상 캐리어 (10) 는 전형적으로는 1600 ㎛ 이하, 보다 적합하게는 1500 ㎛ 이하, 1350 ㎛ 이하, 1000 ㎛ 이하, 800 ㎛ 이하, 500 ㎛ 이하, 400 ㎛ 이하, 300 ㎛ 이하, 105 ㎛ 이하의 두께를 갖는 금속박을 사용할 수 있다. 또, 판상 캐리어 (10) 는, 적합하게는 동박, 또는 구리 합금박을 사용할 수 있다.The plate-
판상 캐리어 (10) 는, 일례로는, 구리재의 압연에 의해 제조된 평판이어도 되고, 구리재가 다층으로 적층되어 이루어지는 평판이어도 되고, 이 경우, 이 평판이 1600 ㎛ 이상의 두께를 가져도 된다. 전해에 의해 얻은 동박 등의 구리재를 판상 캐리어 (10) 에 활용해도 된다. 판상 캐리어 (10) 의 구성 재료로는 구리 합금을 활용해도 상관없다. 구리 합금을 활용함으로써, 판상 캐리어 (10) 의 경도를 높일 수 있다. 구리 합금으로는, Ni, Si, Zn, Sn, Ti, P, Cr, B, Ag, Mg, Fe, V, Au, Pd, Co, Mn, 베릴륨이나 카드뮴의 원소군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 합계로 0 질량% 이상 ∼ 80 질량% 이하 첨가한 구리 합금을 예시할 수 있다. 또, 판상 캐리어 (10) 의 재료로는 금속이면 특별히 제한은 없고, 예를 들어, 구리, 금, 은, 철, 니켈, 알루미늄, 크롬, 티탄, 아연, 마그네슘 등을 들 수 있다. 구리 합금, 철 합금 등, 이들을 사용한 합금이어도 된다.The plate-shaped
구리로는, 전형적으로는, JIS H0500 에 규정되는 인 탈산 구리, 무산소 구리 및 터프 피치 구리 등의 99.90 질량% 이상의 순도 구리를 들 수 있다. Sn, Ag, Au, Co, Cr, Fe, In, Ni, P, Si, Te, Ti, Zn 및 Zr 중의 1 종 이상을 합계로 0.001 ∼ 4.0 질량% 함유하는 구리 또는 구리 합금으로 할 수도 있다.As the copper, typically, 99.90% by mass or more of purity copper such as phosphorus deoxidized copper, oxygen free copper and tough pitch copper specified in JIS H0500 can be mentioned. Copper or a copper alloy containing 0.001 to 4.0 mass% of at least one of Sn, Ag, Au, Co, Cr, Fe, In, Ni, P, Si, Te, Ti, Zn and Zr in total.
구리 합금으로는, 또한, 티탄구리, 인청동, 콜슨 합금, 단동 (丹銅), 황동, 양은 등을 들 수 있다.Examples of the copper alloy include titanium copper, phosphor bronze, Colson alloy, tantalum copper, brass, and gold silver.
티탄구리는 전형적으로는, Ti:0.5 ∼ 5.0 질량% 를 함유하고, 잔부가 구리 및 불가피적 불순물로 이루어지는 조성을 갖는다. 티탄구리는 또한, Fe, Co, V, Nb, Mo, B, Ni, P, Zr, Mn, Zn, Si, Mg 및 Cr 중의 1 종류 이상을 합계로 2.0 질량% 이하 함유해도 된다.Titanium copper typically has a composition containing 0.5 to 5.0 mass% of Ti and the balance of copper and inevitable impurities. The titanium copper may further contain at least one of Fe, Co, V, Nb, Mo, B, Ni, P, Zr, Mn, Zn, Si, Mg and Cr in a total amount of 2.0 mass% or less.
인청동은 전형적으로는, 인청동이란, 구리를 주성분으로 하여 Sn 및 이것보다 적은 질량의 P 를 함유하는 구리 합금을 가리킨다. 일례로서, 인청동은 Sn 을 3.5 ∼ 11 질량%, P 를 0.03 ∼ 0.35 질량% 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 이루어지는 조성을 갖는다. 인청동은, Ni, Zn 등의 원소를 합계로 1.0 질량% 이하 함유해도 된다.Phosphorous-bronze typically refers to a copper alloy containing Sn as the main component and phosphorus in a smaller amount than phosphorus. As an example, phosphor bronze contains 3.5 to 11% by mass of Sn and 0.03 to 0.35% by mass of P, and has a composition consisting of the residual copper and inevitable impurities. The phosphor bronze may contain 1.0% by mass or less of elements such as Ni and Zn in total.
콜슨 합금은 전형적으로는 Si 와 화합물을 형성하는 원소 (예를 들어, Ni, Co 및 Cr 중 어느 1 종 이상) 가 첨가되고, 모상 (母相) 중에 제 2 상 입자로서 석출하는 구리 합금을 말한다. 일례로서, 콜슨 합금은 Ni 를 1.0 ∼ 4.0 질량%, Si 를 0.2 ∼ 1.3 질량% 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 구성되는 조성을 갖는다. 다른 일례로서, 콜슨 합금은 Ni 를 1.0 ∼ 4.0 질량%, Si 를 0.2 ∼ 1.3 질량%, Cr 을 0.03 ∼ 0.5 질량% 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 구성되는 조성을 갖는다. 또 다른 일례로서, 콜슨 합금은 Ni 를 1.0 ∼ 4.0 질량%, Si 를 0.2 ∼ 1.3 질량%, Co 를 0.5 ∼ 2.5 질량% 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 구성되는 조성을 갖는다. 또 다른 일례로서, 콜슨 합금은 Ni 를 1.0 ∼ 4.0 질량%, Si 를 0.2 ∼ 1.3 질량%, Co 를 0.5 ∼ 2.5 질량%, Cr 을 0.03 ∼ 0.5 질량% 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 구성되는 조성을 갖는다. 또 다른 일례로서, 콜슨 합금은 Si 를 0.2 ∼ 1.3 질량%, Co 를 0.5 ∼ 2.5 질량% 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 구성되는 조성을 갖는다. 콜슨 합금에는 수의로 기타 원소 (예를 들어, Mg, Sn, B, Ti, Mn, Ag, P, Zn, As, Sb, Be, Zr, Al 및 Fe) 가 첨가되어도 된다. 이들 기타 원소는 총계로 2.0 질량% 정도까지 첨가하는 것이 일반적이다. 예를 들어, 또 다른 일례로서, 콜슨 합금은 Ni 를 1.0 ∼ 4.0 질량%, Si 를 0.2 ∼ 1.3 질량%, Sn 을 0.01 ∼ 2.0 질량%, Zn 을 0.01 ∼ 2.0 질량% 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 구성되는 조성을 갖는다.The Colson alloy typically refers to a copper alloy to which an element (for example, any one or more of Ni, Co, and Cr) that forms a compound with Si is added and which precipitates as secondary phase particles in the parent phase . As an example, the Colson alloy contains 1.0 to 4.0% by mass of Ni and 0.2 to 1.3% by mass of Si, and has a composition consisting of the remaining copper and inevitable impurities. As another example, the Colson alloy contains 1.0 to 4.0% by mass of Ni, 0.2 to 1.3% by mass of Si, and 0.03 to 0.5% by mass of Cr, and has a composition consisting of the remaining copper and inevitable impurities. As another example, the Colson alloy contains 1.0 to 4.0% by mass of Ni, 0.2 to 1.3% by mass of Si, and 0.5 to 2.5% by mass of Co, and has a composition consisting of the remaining copper and inevitable impurities. As another example, the Colson alloy contains 1.0 to 4.0% by mass of Ni, 0.2 to 1.3% by mass of Si, 0.5 to 2.5% by mass of Co and 0.03 to 0.5% by mass of Cr, and the balance copper and inevitable impurities . As another example, the Colson alloy contains 0.2 to 1.3% by mass of Si and 0.5 to 2.5% by mass of Co, and has a composition consisting of the remaining copper and inevitable impurities. Other elements (for example, Mg, Sn, B, Ti, Mn, Ag, P, Zn, As, Sb, Be, Zr, Al and Fe) may be added to the Colson alloy. These other elements are generally added in a total amount of about 2.0% by mass. For example, as another example, the Colson alloy contains 1.0 to 4.0% by mass of Ni, 0.2 to 1.3% by mass of Si, 0.01 to 2.0% by mass of Sn and 0.01 to 2.0% by mass of Zn, And has a composition composed of impurities.
황동이란, 구리와 아연의 합금으로, 특히 아연을 20 질량% 이상 함유하는 구리 합금을 말한다. 아연의 상한은 특별히 한정되지는 않지만 60 질량% 이하, 바람직하게는 45 질량% 이하, 혹은 40 질량% 이하이다.Brass is an alloy of copper and zinc, particularly copper alloy containing at least 20 mass% of zinc. The upper limit of zinc is not particularly limited, but it is 60 mass% or less, preferably 45 mass% or less, or 40 mass% or less.
단동이란, 구리와 아연의 합금이며, 아연을 1 ∼ 20 질량%, 보다 바람직하게는 아연을 1 ∼ 10 질량% 함유하는 구리 합금을 말한다. 또, 단동은 주석을 0.1 ∼ 1.0 질량% 포함해도 된다.Dandong is an alloy of copper and zinc, and refers to a copper alloy containing 1 to 20% by mass of zinc, and more preferably 1 to 10% by mass of zinc. The single end may contain 0.1 to 1.0% by mass of tin.
양은이란, 구리를 주성분으로 하여, 구리를 60 질량% 내지 75 질량%, 니켈을 8.5 질량% 내지 19.5 질량%, 아연을 10 질량% 내지 30 질량% 함유하는 구리 합금을 말한다.Refers to a copper alloy containing 60% by mass to 75% by mass of copper, 8.5% by mass to 19.5% by mass of nickel, and 10% by mass to 30% by mass of zinc mainly comprising iron and copper.
알루미늄 및 알루미늄 합금으로는, 예를 들어 Al 을 99 질량% 이상 포함하는 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는, JIS H 4000 에 기재된 합금 번호 1085, 1080, 1070, 1050, 1100, 1200, 1N00, 1N30 으로 대표되는, Al:99.00 질량% 이상의 알루미늄 또는 그 합금 등을 사용할 수 있다.As the aluminum and the aluminum alloy, for example, those containing 99 mass% or more of Al can be used. Concretely, aluminum or an alloy thereof of 99.00 mass% or more of Al represented by Alloy Nos. 1085, 1080, 1070, 1050, 1100, 1200, 1N00, 1N30 described in JIS H 4000 can be used.
니켈 및 니켈 합금으로는, 예를 들어 Ni 를 99 질량% 이상 포함하는 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는, JIS H4551 에 기재된 합금 번호 NW2200, NW2201 로 대표되는, Ni:99.0 질량% 이상의 니켈 또는 그 합금 등을 사용할 수 있다.Nickel and a nickel alloy containing, for example, 99 mass% or more of Ni can be used. Concretely, it is possible to use nickel or its alloy of 99.0% by mass or more of Ni represented by alloy numbers NW2200 and NW2201 described in JIS H4551.
철 합금으로는, 예를 들어 스테인리스, 연강, 철니켈 합금 등을 사용할 수 있다. 스테인리스는, SUS 301, SUS 304, SUS 310, SUS 316, SUS 430, SUS 631 (모두 JIS 규격) 등을 사용할 수 있다. 연강은, 탄소가 0.15 질량% 이하인 연강을 사용할 수 있고, JIS G3141 에 기재된 연강 등을 사용할 수 있다. 철니켈 합금은, Ni 를 35 ∼ 85 질량% 포함하고, 잔부가 Fe 및 불가피 불순물로 이루어지고, 구체적으로는, JIS C2531 에 기재된 철니켈 합금을 사용할 수 있다. 또, 판상 캐리어에는 알루미늄, 알루미늄 합금, 니켈, 니켈 합금, 철, 철 합금, 스테인리스 등의 공지된 금속도 사용할 수 있다.As the iron alloy, for example, stainless steel, mild steel, iron nickel alloy and the like can be used. As the stainless steel, SUS 301, SUS 304, SUS 310, SUS 316, SUS 430, SUS 631 (all of JIS standard) can be used. Mild steel having carbon content of 0.15 mass% or less can be used for mild steel, and mild steel described in JIS G3141 can be used. The iron nickel alloy contains 35 to 85% by mass of Ni and the balance of Fe and inevitable impurities. Specifically, an iron nickel alloy described in JIS C2531 can be used. As the plate-shaped carrier, a known metal such as aluminum, an aluminum alloy, nickel, a nickel alloy, iron, an iron alloy, or stainless steel may be used.
판상 캐리어 (10) 의 비커스 경도 (HV) 는, 전형적으로는 30 ∼ 100 (F/N)/(d/mm)2 이고, 적합하게는 50 ∼ 80 (F/N)/(d/mm)2 이다. 판상 캐리어 (10) 로서 구리 또는 구리 합금제 평판의 충분한 경도를 확보하는 것이 바람직하다.The Vickers hardness HV of the plate-
판상 캐리어 (10) 에 표면 처리를 실시해도 상관없다. 예를 들어, 내열성 부여를 목적으로 한 금속 도금 (Ni 도금, Ni-Zn 합금 도금, Cu-Ni 합금 도금, Cu-Zn 합금 도금, Zn 도금, Cu-Ni-Zn 합금 도금, Co-Ni 합금 도금 등), 방청성이나 내변색성을 부여하기 위한 크로메이트 처리 (크로메이트 처리액 중에 Zn, P, Ni, Mo, Zr, Ti 등의 합금 원소를 1 종 이상 함유시키는 경우를 포함한다), 표면 조도 조정을 위한 조화 (粗化) 처리 (예:구리 전착립이나 Cu-Ni-Co 합금 도금, Cu-Ni-P 합금 도금, Cu-Co 합금 도금, Cu-Ni 합금 도금, Cu-As 합금 도금, Cu-As-W 합금 도금 등의 구리 합금 도금에 의한 것) 를 들 수 있다. 조화 처리가 판상 캐리어 (10) 와 이형제층 (20) 의 박리 강도에 영향을 주는 것은 물론, 크로메이트 처리도 큰 영향을 준다. 크로메이트 처리는 방청성이나 내변색성의 관점에서 중요하지만, 박리 강도를 유의하게 상승시키는 경향이 보이므로, 박리 강도의 조정 수단으로서도 의의가 있다.The plate-
예를 들어, 구리재의 광택면에 대해 하기의 조건에 의한 니켈-아연 (Ni-Zn) 합금 도금 처리 및 크로메이트 (Cr-Zn 크로메이트) 처리를 실시해도 된다.For example, the glossy surface of the copper material may be subjected to a nickel-zinc (Ni-Zn) alloy plating treatment and a chromate (Cr-Zn chromate) treatment under the following conditions.
(니켈-아연 합금 도금) (Nickel-zinc alloy plating)
Ni 농도 17 g/ℓ (NiSO4 로서 첨가) Ni concentration of 17 g / l (added as NiSO 4 )
Zn 농도 4 g/ℓ (ZnSO4 로서 첨가) Zn concentration 4 g / l (added as ZnSO 4 )
pH 3.1pH 3.1
액온 40 ℃
전류 밀도 0.1 ∼ 10 A/d㎡ Current density 0.1 to 10 A /
도금 시간 0.1 ∼ 10 초Plating time 0.1 ~ 10 seconds
(크로메이트 처리) (Chromate treatment)
Cr 농도 1.4 g/ℓ (CrO3 또는 K2CrO7 로서 첨가) Cr concentration 1.4 g / l (added as CrO 3 or K 2 CrO 7 )
Zn 농도 0.01 ∼ 1.0 g/ℓ (ZnSO4 로서 첨가) Zn concentration 0.01 to 1.0 g / l (added as ZnSO 4 )
Na2SO4 농도 10 g/ℓNa 2 SO 4 concentration 10 g / l
pH 4.8pH 4.8
액온 55 ℃ Solution temperature 55 ° C
전류 밀도 0.1 ∼ 10 A/d㎡ Current density 0.1 to 10 A /
도금 시간 0.1 ∼ 10 초Plating time 0.1 ~ 10 seconds
이형제층 (20) 은, 판상 캐리어 (10) 에 대해 상대적으로 강하게 고착하고, 프리프레그 (30) 에 대해 상대적으로 약하게 고착하는 임의의 재료에서 선택하면 된다. 상기 서술한 바와 같이 빌드업층 (110) 의 적층 공정에 있어서 베이스 기재 (100) 가 가열되고, 화학적 또는 물리적으로 처리되는 경우가 있다. 이와 같은 관점에서, 이형제층 (20) 으로서도 내열성 및 내약품성을 갖고, 용이하게 변질되거나 약품에 의해 침식을 받거나 하지 않는 것이 바람직하다. 이형제층 (20) 은, 스핀 코팅, 딥 코팅, 스프레이 코팅, 인쇄 등의 임의의 방법으로 판상 캐리어 (10) 상에 형성할 수 있지만, 특별히 이것에 한정되는 것은 아니다.The
이형제층 (20) 이 형성되는 판상 캐리어 (10) 의 상면은, 조면 (粗面) (M 면) 또는 광택면 (S 면) 중 어느 쪽도 상관없지만, 조면보다 광택면으로 하는 것이 바람직하다. 판상 캐리어로서 압연 금속박, 보다 적합하게는 압연 동박을 사용하면, 양면이 광택면이 되므로, 판상 캐리어의 양면에 이형제층 (20) 을 형성하는 경우에는 보다 바람직하다. 이에 따라, 이형제층 (20) 이 적층되는 판상 캐리어 (10) 의 상면의 조도의 불균일을 억제하여 베이스 기재 (100) 의 품질의 안정화를 도모할 수 있다. 이형제층 (20) 의 층두께는, 전형적으로는 0.001 ∼ 10 ㎛ 이고, 바람직하게는 0.001 ∼ 0.1 ㎛ 이다.The upper surface of the plate-shaped
(1) 실란 화합물(1) Silane compound
이형제층 (20) 의 구성 재료는, 본원에 개시, 혹은 현 시점에 있어서 입수 가능한 것에 한정되어야 하는 것은 아니지만, 예를 들어, 다음의 화학식에 나타내는 실란 화합물, 그 가수 분해 생성물, 그 가수 분해 생성물의 축합체를 단독으로 또는 복수 조합을 이형제층 (20) 에 활용하면 된다.The constituent material of the releasing
[화학식 7](7)
(식 중, R1 은 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2 는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이며, R3 및 R4 는 각각 독립적으로 할로겐 원자, 또는 알콕시기, 또는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이다.) (Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, and R 3 and R 4 are each independently a halogen atom or an alkoxy group or a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom.
당해 실란 화합물은 알콕시기를 적어도 1 개 갖고 있는 것이 필요하다. 알콕시기가 존재하지 않고, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기만으로 치환기가 구성되는 경우, 이형제층 (20) 과 판상 캐리어 (10) 표면의 밀착성이 지나치게 저하되는 경향이 있다. 또, 당해 실란 화합물은 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기를 적어도 1 개 갖고 있는 것이 필요하다. 당해 탄화수소기가 존재하지 않는 경우, 이형제층 (20) 과 판상 캐리어 (10) 표면의 밀착성이 상승하는 경향이 있기 때문이다. 또한, 본원 발명에 관련된 알콕시기에는 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 알콕시기도 포함되는 것으로 한다.The silane compound needs to have at least one alkoxy group. When there is no alkoxy group and a substituent is constituted only by a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, the releasing
판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) (혹은, 프리프레그 (30) 를 포함하는 빌드업층 (110)) 간의 박리 강도를 후술하는 적합한 범위로 조절하는 데에 있어서는, 당해 실란 화합물은 알콕시기를 3 개, 상기 탄화수소기 (1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 탄화수소기를 포함한다) 를 1 개 갖고 있는 것이 바람직하다. 이것을 위의 식으로 말하면, R3 및 R4 의 양방이 알콕시기라는 것이 된다.In adjusting the peel strength between the plate-
알콕시기로는, 한정적이지는 않지만, 메톡시기, 에톡시기, n- 또는 iso-프로폭시기, n-, iso- 또는 tert-부톡시기, n-, iso- 또는 neo-펜톡시기, n-헥스옥시기, 시클로헥스옥시기, n-헵톡시기, 및 n-옥톡시기 등의 직사슬형, 분기형, 또는 고리형의 탄소수 1 ∼ 20, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 10, 보다 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기를 들 수 있다. 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자를 들 수 있다.Alkoxy groups include, but are not limited to, methoxy, ethoxy, n- or isopropoxy, n-, iso- or tert-butoxy, n-, iso- or neo- Branched or cyclic C 1-20, preferably C 1-10, more preferably C 1-6 alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, An alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
알킬기로는, 한정적이지는 않지만, 메틸기, 에틸기, n- 또는 iso-프로필기, n-, iso- 또는 tert-부틸기, n-, iso- 또는 neo-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기 등의 직사슬형 또는 분기형의 탄소수 1 ∼ 20, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 10, 보다 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 들 수 있다.The alkyl group includes, but is not limited to, methyl, ethyl, n- or isopropyl, n-, iso- or tert-butyl, n-, iso- or neopentyl, n- An alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, such as an octyl group and an n-decyl group.
시클로알킬기로는, 한정적이지는 않지만, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등의 탄소수 3 ∼ 10, 바람직하게는 탄소수 5 ∼ 7 의 시클로알킬기를 들 수 있다.Examples of the cycloalkyl group include, but are not limited to, cycloalkyl groups having 3 to 10 carbon atoms, preferably 5 to 7 carbon atoms such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group and cyclooctyl group .
아릴기로는, 페닐기, 알킬기로 치환된 페닐기 (예:톨릴기, 자일릴기), 1- 또는 2-나프틸기, 안트릴기 등의 탄소수 6 ∼ 20, 바람직하게는 6 ∼ 14 의 아릴기를 들 수 있다.Examples of the aryl group include an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, preferably 6 to 14 carbon atoms such as a phenyl group, a phenyl group substituted with an alkyl group (e.g., a tolyl group, a xylyl group), a 1- or 2-naphthyl group, have.
이들 탄화수소기는 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환되어도 되고, 예를 들어, 불소 원자, 염소 원자, 또는 브롬 원자로 치환될 수 있다.These hydrocarbon groups may be substituted with at least one hydrogen atom by a halogen atom, for example, a fluorine atom, a chlorine atom, or a bromine atom.
바람직한 실란 화합물의 예로는, 메틸트리메톡시실란, 에틸트리메톡시실란, n- 또는 iso-프로필트리메톡시실란, n-, iso- 또는 tert-부틸트리메톡시실란, n-, iso- 또는 neo-펜틸트리메톡시실란, 헥실트리메톡시실란, 옥틸트리메톡시실란, 데실트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란;알킬 치환 페닐트리메톡시실란 (예를 들어, p-(메틸)페닐트리메톡시실란), 메틸트리에톡시실란, 에틸트리에톡시실란, n- 또는 iso-프로필트리에톡시실란, n-, iso- 또는 tert-부틸트리에톡시실란, 펜틸트리에톡시실란, 헥실트리에톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 데실트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 알킬 치환 페닐트리에톡시실란 (예를 들어, p-(메틸)페닐트리에톡시실란), (3,3,3-트리플루오로프로필)트리메톡시실란, 및 트리데카플루오로옥틸트리에톡시실란, 메틸트리클로로실란, 디메틸디클로로실란, 트리메틸클로로실란, 페닐트리클로로실란, 트리메틸플루오로실란, 디메틸디브로모실란, 디페닐디브로모실란, 이들의 가수 분해 생성물, 및 이들의 가수 분해 생성물의 축합체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 입수 용이성의 관점에서, 프로필트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 헥실트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 데실트리메톡시실란이 바람직하다.Examples of preferred silane compounds include methyltrimethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, n- or iso-propyltrimethoxysilane, n-, iso- or tert-butyltrimethoxysilane, n-, iso- or phenyltrimethoxysilane, alkyl-substituted phenyltrimethoxysilane (for example, p- (methyl) phenyl (meth) acrylate, phenyltrimethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, octyltrimethoxysilane, decyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, Trimethoxysilane), methyltriethoxysilane, ethyltriethoxysilane, n- or iso-propyltriethoxysilane, n-, iso- or tert-butyltriethoxysilane, pentyltriethoxysilane, hexyl Phenyl triethoxysilane, alkyl substituted phenyltriethoxysilane (for example, p- (methyl) phenyltriethoxysilane), (3, 4-dimethylphenyltriethoxysilane), triethylsilane, triethoxysilane, octyltriethoxysilane, decyltriethoxysilane, phenyltriethoxysilane, 3,3-trifluoropropyl) trimethoxysilane, and tridecafluorooctyltriethoxysilane, methyltrichlorosilane , Dimethyldichlorosilane, trimethylchlorosilane, phenyltrichlorosilane, trimethylfluorosilane, dimethyldibromosilane, diphenyldibromosilane, hydrolysis products of these, and condensation products of these hydrolysis products . Of these, propyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane and decyltrimethoxysilane are preferable from the viewpoint of availability.
(2) 분자 내에 2 개 이하의 메르캅토기를 갖는 화합물(2) a compound having two or less mercapto groups in the molecule
상기 서술한 실란 화합물 대신에, 분자 내에 2 개 이하의 메르캅토기를 갖는 화합물을 이형제층 (20) 에 활용해도 된다. 이 예로는, 티올, 디티올, 티오카르복실산 또는 그 염, 디티오카르복실산 또는 그 염, 티오술폰산 또는 그 염, 및 디티오술폰산 또는 그 염을 들 수 있으며, 이들 중에서 선택되는 적어도 1 종을 사용할 수 있다.A compound having not more than two mercapto groups in the molecule may be used in the
티올은, 분자 내에 하나의 메르캅토기를 갖는 것이며, 예를 들어 R-SH 로 나타낸다. 여기서, R 은, 수산기 또는 아미노기를 포함해도 되는, 지방족계 또는 방향족계 탄화수소기 또는 복소 고리기를 나타낸다.Thiol has one mercapto group in the molecule and is represented by, for example, R-SH. Here, R represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or heterocyclic group which may contain a hydroxyl group or an amino group.
디티올은, 분자 내에 2 개의 메르캅토기를 갖는 것이며, 예를 들어 R(SH)2 로 나타낸다. R 은, 수산기 또는 아미노기를 포함해도 되는, 지방족계 또는 방향족계 탄화수소기 또는 복소 고리기를 나타낸다. 또, 2 개의 메르캅토기는, 각각 동일한 탄소에 결합해도 되고, 서로 별개의 탄소 또는 질소에 결합해도 된다.Dithiol has two mercapto groups in the molecule and is represented by, for example, R (SH) 2 . R represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or heterocyclic group which may contain a hydroxyl group or an amino group. The two mercapto groups may be bonded to the same carbon or may be bonded to carbon or nitrogen, respectively, which are different from each other.
티오카르복실산은, 유기 카르복실산의 수산기가 메르캅토기로 치환된 것이며, 예를 들어 R-CO-SH 로 나타낸다. R 은, 수산기 또는 아미노기를 포함해도 되는, 지방족계 또는 방향족계 탄화수소기 또는 복소 고리기를 나타낸다. 또, 티오카르복실산은, 염의 형태로도 사용하는 것이 가능하다. 또한, 티오카르복실산기를 2 개 갖는 화합물도 사용 가능하다.The thiocarboxylic acid is one in which the hydroxyl group of the organic carboxylic acid is substituted with a mercapto group and is represented by, for example, R-CO-SH. R represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or heterocyclic group which may contain a hydroxyl group or an amino group. The thiocarboxylic acid can also be used in the form of a salt. Also, a compound having two thiocarboxylic acid groups can be used.
디티오카르복실산은, 유기 카르복실산의 카르복시기 중의 2 개의 산소 원자가 황 원자로 치환된 것이며, 예를 들어 R-(CS)-SH 로 나타낸다. R 은, 수산기 또는 아미노기를 포함해도 되는, 지방족계 또는 방향족계 탄화수소기 또는 복소 고리기를 나타낸다. 또, 디티오카르복실산은, 염의 형태로도 사용하는 것이 가능하다. 또한, 디티오카르복실산기를 2 개 갖는 화합물도 사용 가능하다.The dithiocarboxylic acid is one in which two oxygen atoms in the carboxy group of the organic carboxylic acid are substituted with a sulfur atom and is represented by, for example, R- (CS) -SH. R represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or heterocyclic group which may contain a hydroxyl group or an amino group. The dithiocarboxylic acid can also be used in the form of a salt. A compound having two dithiocarboxylic acid groups can also be used.
티오술폰산은, 유기 술폰산의 수산기가 메르캅토기로 치환된 것이며, 예를 들어 R(SO2)-SH 로 나타낸다. R 은, 수산기 또는 아미노기를 포함해도 되는, 지방족계 또는 방향족계 탄화수소기 또는 복소 고리기를 나타낸다. 또, 티오술폰산은, 염의 형태로도 사용하는 것이 가능하다.The thiosulfonic acid is obtained by replacing the hydroxyl group of the organic sulfonic acid with a mercapto group and is represented by, for example, R (SO 2 ) -SH. R represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or heterocyclic group which may contain a hydroxyl group or an amino group. The thiosulfonic acid can also be used in the form of a salt.
디티오술폰산은, 유기 디술폰산의 2 개의 수산기가 각각 메르캅토기로 치환된 것이며, 예를 들어 R-((SO2)-SH)2 로 나타낸다. R 은, 수산기 또는 아미노기를 포함해도 되는, 지방족계 또는 방향족계 탄화수소기 또는 복소 고리기를 나타낸다. 또, 2 개의 티오술폰산기는, 각각 동일한 탄소에 결합해도 되고, 서로 별개의 탄소에 결합해도 된다. 또, 디티오술폰산은, 염의 형태로도 사용하는 것이 가능하다.The dithiosulfonic acid is represented by R - ((SO 2 ) - SH) 2 , in which two hydroxyl groups of the organic disulfonic acid are each substituted with a mercapto group. R represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or heterocyclic group which may contain a hydroxyl group or an amino group. The two thiosulfonic acid groups may be bonded to the same carbon or may be bonded to each other, respectively. The dithiosulfonic acid can also be used in the form of a salt.
여기서, R 로서 적합한 지방족계 탄화수소기로는, 알킬기, 시클로알킬기를 들 수 있으며, 이들 탄화수소기는 수산기와 아미노기 중 어느 것 또는 양방을 포함하고 있어도 된다.Examples of suitable aliphatic hydrocarbon groups for R include an alkyl group and a cycloalkyl group, and these hydrocarbon groups may contain either or both of a hydroxyl group and an amino group.
또, 알킬기로는, 한정적이지는 않지만, 메틸기, 에틸기, n- 또는 iso-프로필기, n-, iso- 또는 tert-부틸기, n-, iso- 또는 neo-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기 등의 직사슬형 또는 분기형의 탄소수 1 ∼ 20, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 10, 보다 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 들 수 있다.Examples of the alkyl group include, but are not limited to, methyl, ethyl, n- or iso-propyl, n-, iso- or tert- an n-octyl group, an n-decyl group, and other linear or branched alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, and more preferably 1 to 5 carbon atoms.
또, 시클로알킬기로는, 한정적이지는 않지만, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등의 탄소수 3 ∼ 10, 바람직하게는 탄소수 5 ∼ 7 의 시클로알킬기를 들 수 있다.The cycloalkyl group includes, but is not limited to, a cycloalkyl group having a carbon number of 3 to 10, preferably 5 to 7 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group and a cyclooctyl group And a cycloalkyl group.
또, R 로서 적합한 방향족 탄화수소기로는, 페닐기, 알킬기로 치환된 페닐기 (예:톨릴기, 자일릴기), 1- 또는 2-나프틸기, 안트릴기 등의 탄소수 6 ∼ 20, 바람직하게는 6 ∼ 14 의 아릴기를 들 수 있으며, 이들 탄화수소기는 수산기와 아미노기 중 어느 것 또는 양방을 포함하고 있어도 된다.Examples of the aromatic hydrocarbon group suitable as R include a phenyl group, a phenyl group substituted with an alkyl group (e.g., a tolyl group, a xylyl group), a 1- or 2-naphthyl group, An aryl group having 1 to 14 carbon atoms, and these hydrocarbon groups may contain either or both of a hydroxyl group and an amino group.
또, R 로서 적합한 복소 고리기로는, 이미다졸, 트리아졸, 테트라졸, 벤조이미다졸, 벤조트리아졸, 티아졸, 벤조티아졸을 들 수 있으며, 수산기와 아미노기 중 어느 것 또는 양방을 포함하고 있어도 된다.Examples of the heterocyclic group suitable as R include imidazole, triazole, tetrazole, benzoimidazole, benzotriazole, thiazole, and benzothiazole. It is preferable that any of the hydroxyl group and the amino group or both do.
분자 내에 2 개 이하의 메르캅토기를 갖는 화합물의 바람직한 예로는, 3-메르캅토-1,2프로판디올, 2-메르캅토에탄올, 1,2-에탄디티올, 6-메르캅토-1-헥산올, 1-옥탄티올, 1-도데칸티올, 10-하이드록시-1-도데칸티올, 10-카르복시-1-도데칸티올, 10-아미노-1-도데칸티올, 1-도데칸티올술폰산나트륨, 티오페놀, 티오벤조산, 4-아미노-티오페놀, p-톨루엔티올, 2,4-디메틸벤젠티올, 3-메르캅토-1,2,4트리아졸, 2-메르캅토-벤조티아졸을 들 수 있다. 이들 중에서도 수용성과 폐기물 처리상의 관점에서, 3-메르캅토-1,2프로판디올이 바람직하다.Preferable examples of the compound having two or less mercapto groups in the molecule include 3-mercapto-1,2-propanediol, 2-mercaptoethanol, 1,2-ethanedithiol, 6-mercapto- Dodecanethiol, 10-amino-1-dodecanethiol, 10-amino-1-dodecanethiol, 1-dodecanethiol, Sodium thiophenol, thiobenzoic acid, 4-amino-thiophenol, p-toluenethiol, 2,4-dimethylbenzenethiol, 3-mercapto- 1,2,4 triazole, 2- mercapto-benzothiazole . Of these, 3-mercapto-1,2-propanediol is preferred from the viewpoint of water solubility and waste disposal.
(3) 금속 알콕시드(3) Metal alkoxide
다음 식에 나타내는 구조를 갖는 알루미네이트 화합물, 티타네이트 화합물, 지르코네이트 화합물, 또는 그 가수 분해 생성 물질, 또는 그 가수 분해 생성 물질의 축합체 (이하, 간단히 금속 알콕시드라고 기술한다) 를 단독으로 또는 복수 혼합해서 사용하여, 판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) 를 첩합 (貼合) 함으로써, 적당히 밀착성이 저하되고, 박리 강도를 후술하는 바와 같은 범위로 조절할 수 있다.A condensate of an aluminate compound, a titanate compound, a zirconate compound, a hydrolysis product thereof, or a hydrolysis product thereof (hereinafter, simply referred to as a metal alkoxide) having a structure represented by the following formula By using a plurality of the mixture, the plate-
[화학식 8][Chemical Formula 8]
식 중, R1 은 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2 는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이고, M 은 Al, Ti, Zr 중 어느 하나, n 은 0 또는 1 또는 2, m 은 1 이상 M 의 가수 이하의 정수이며, R1 중 적어도 하나는 알콕시기이다. 또한, m+n 은 M 의 가수 즉 Al 의 경우 3, Ti, Zr 의 경우 4 이다.Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, and M is Al, Ti and Zr, n is 0 or 1 or 2, m is an integer of 1 or more and equal to or less than M, and at least one of R 1 is an alkoxy group. Also, m + n is 3 in the case of M, that is, Al, and 4 in case of Ti and Zr.
당해 금속 알콕시드는 알콕시기를 적어도 1 개 갖고 있는 것이 필요하다. 알콕시기가 존재하지 않고, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기만으로 치환기가 구성되는 경우, 판상 캐리어와 금속박 표면의 밀착성이 지나치게 저하되는 경향이 있다. 또, 당해 금속 알콕시드는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기를 0 ∼ 2 개 갖고 있는 것이 필요하다. 당해 탄화수소기를 3 개 이상 갖는 경우, 판상 캐리어와 금속박 표면의 밀착성이 지나치게 저하되는 경향이 있기 때문이다. 또한, 본원 발명에 관련된 알콕시기에는 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 알콕시기도 포함되는 것으로 한다. 판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) (혹은, 프리프레그 (30) 를 포함하는 빌드업층 (110)) 의 박리 강도를 후술하는 범위로 조절하는 데에 있어서는, 당해 금속 알콕시드는 알콕시기를 2 개 이상, 상기 탄화수소기 (1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 탄화수소기를 포함한다) 를 1 개나 2 개 갖고 있는 것이 바람직하다.It is necessary that the metal alkoxide has at least one alkoxy group. When there is no alkoxy group and a substituent is constituted by only a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, the adhesion between the plate- Is likely to deteriorate excessively. It is necessary that the metal alkoxide is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, 0 to 2 hydrocarbon groups. When the number of the hydrocarbon groups is 3 or more, the adhesion between the plate-like carrier and the surface of the metal foil tends to be excessively lowered. In addition, the alkoxy group according to the present invention includes an alkoxy group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom. In adjusting the peel strength of the plate-
또, 알킬기로는, 한정적이지는 않지만, 메틸기, 에틸기, n- 또는 iso-프로필기, n-, iso- 또는 tert-부틸기, n-, iso- 또는 neo-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기 등의 직사슬형 또는 분기형의 탄소수 1 ∼ 20, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 10, 보다 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 들 수 있다.Examples of the alkyl group include, but are not limited to, methyl, ethyl, n- or iso-propyl, n-, iso- or tert- an n-octyl group, an n-decyl group, and other linear or branched alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, and more preferably 1 to 5 carbon atoms.
또, 시클로알킬기로는, 한정적이지는 않지만, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등의 탄소수 3 ∼ 10, 바람직하게는 탄소수 5 ∼ 7 의 시클로알킬기를 들 수 있다.The cycloalkyl group includes, but is not limited to, a cycloalkyl group having a carbon number of 3 to 10, preferably 5 to 7 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group and a cyclooctyl group And a cycloalkyl group.
또, R2 로서 적합한 방향족 탄화수소기로는, 페닐기, 알킬기로 치환된 페닐기 (예:톨릴기, 자일릴기), 1- 또는 2-나프틸기, 안트릴기 등의 탄소수 6 ∼ 20, 바람직하게는 6 ∼ 14 의 아릴기를 들 수 있으며, 이들 탄화수소기는 수산기와 아미노기 중 어느 것 또는 양방을 포함하고 있어도 된다. Examples of the aromatic hydrocarbon group suitable as R 2 include a phenyl group, a phenyl group substituted with an alkyl group (e.g., a tolyl group, a xylyl group), a 1- or 2-naphthyl group, To 14 carbon atoms, and these hydrocarbon groups may contain either or both of a hydroxyl group and an amino group.
이들 탄화수소기는 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환되어도 되고, 예를 들어, 불소 원자, 염소 원자, 또는 브롬 원자로 치환될 수 있다.These hydrocarbon groups may be substituted with at least one hydrogen atom by a halogen atom, for example, a fluorine atom, a chlorine atom, or a bromine atom.
바람직한 알루미네이트 화합물의 예로는, 트리메톡시알루미늄, 메틸디메톡시알루미늄, 에틸디메톡시알루미늄, n- 또는 iso-프로필디메톡시알루미늄, n-, iso- 또는 tert-부틸디메톡시알루미늄, n-, iso- 또는 neo-펜틸디메톡시알루미늄, 헥실디메톡시알루미늄, 옥틸디메톡시알루미늄, 데실디메톡시알루미늄, 페닐디메톡시알루미늄;알킬 치환 페닐디메톡시알루미늄 (예를 들어, p-(메틸)페닐디메톡시알루미늄), 디메틸메톡시알루미늄, 트리에톡시알루미늄, 메틸디에톡시알루미늄, 에틸디에톡시알루미늄, n- 또는 iso-프로필디에톡시알루미늄, n-, iso- 또는 tert-부틸디에톡시알루미늄, 펜틸디에톡시알루미늄, 헥실디에톡시알루미늄, 옥틸디에톡시알루미늄, 데실디에톡시알루미늄, 페닐디에톡시알루미늄, 알킬 치환 페닐디에톡시알루미늄 (예를 들어, p-(메틸)페닐디에톡시알루미늄), 디메틸에톡시알루미늄, 트리이소프로폭시알루미늄, 메틸디이소프로폭시알루미늄, 에틸디이소프로폭시알루미늄, n- 또는 iso-프로필디에톡시알루미늄, n-, iso- 또는 tert-부틸디이소프로폭시알루미늄, 펜틸디이소프로폭시알루미늄, 헥실디이소프로폭시알루미늄, 옥틸디이소프로폭시알루미늄, 데실디이소프로폭시알루미늄, 페닐디이소프로폭시알루미늄, 알킬 치환 페닐디이소프로폭시알루미늄 (예를 들어, p-(메틸)페닐디이소프로폭시알루미늄), 디메틸이소프로폭시알루미늄, (3,3,3-트리플루오로프로필)디메톡시알루미늄, 및 트리데카플루오로옥틸디에톡시알루미늄, 메틸디클로로알루미늄, 디메틸클로로알루미늄, 페닐디클로로알루미늄, 디메틸플루오로알루미늄, 디메틸브로모알루미늄, 디페닐브로모알루미늄, 이들의 가수 분해 생성물, 및 이들의 가수 분해 생성물의 축합체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 입수 용이성의 관점에서, 트리메톡시알루미늄, 트리에톡시알루미늄, 트리이소프로폭시알루미늄이 바람직하다.Examples of preferred aluminate compounds are trimethoxy aluminum, methyl dimethoxy aluminum, ethyl dimethoxy aluminum, n- or iso-propyl dimethoxy aluminum, n-, iso- or tert-butyl dimethoxy aluminum, n-, iso (For example, p- (methyl) phenyldimethoxyaluminum) or an alkyl substituted phenyldimethoxyaluminum (for example, p- (methyl) phenyldimethoxyaluminum) or neopentyldimethoxyaluminum, hexyldimethoxyaluminum, octyldimethoxyaluminum, decyldimethoxyaluminum, , Dimethyl methoxy aluminum, triethoxy aluminum, methyl diethoxy aluminum, ethyl diethoxy aluminum, n- or iso-propyl diethoxy aluminum, n-, iso- or tert-butyl diethoxy aluminum, pentyl diethoxy aluminum, Diethoxy aluminum, octyl diethoxy aluminum, decyl diethoxy aluminum, phenyl diethoxy aluminum, alkyl substituted phenyl diethoxy aluminum (for example, p- (methyl) phenyl Diethoxy aluminum), dimethyl ethoxy aluminum, triisopropoxy aluminum, methyl diisopropoxy aluminum, ethyl diisopropoxy aluminum, n- or iso-propyl diethoxy aluminum, n-, iso- or tert- (E.g., isopropylaluminum, isopropylaluminum, isopropylaluminum, isopropylaluminum, isopropoxyaluminum, pentyldiisopropoxyaluminum, hexyldiisopropoxyaluminum, octyldiisopropoxyaluminum, decyldiisopropoxyaluminum, phenyldiisopropoxyaluminum, For example, p- (methyl) phenyldiisopropoxyaluminum), dimethylisopropoxyaluminum, (3,3,3-trifluoropropyl) dimethoxyaluminum, and tridecafluorooctyldiethoxyaluminum, methyldichloro Aluminum, dimethylchloroaluminum, phenyldichloroaluminum, dimethylfluoroaluminum, dimethylbromoaluminum, diphenylbromoaluminum, their hydrolysis There may be mentioned hydrous product, and such as those of the singer of the degradation product condensate. Of these, trimethoxyaluminum, triethoxyaluminum and triisopropoxyaluminum are preferable from the viewpoint of availability.
바람직한 티타네이트 화합물의 예로는, 테트라메톡시티탄, 메틸트리메톡시티탄, 에틸트리메톡시티탄, n- 또는 iso-프로필트리메톡시티탄, n-, iso- 또는 tert-부틸트리메톡시티탄, n-, iso- 또는 neo-펜틸트리메톡시티탄, 헥실트리메톡시티탄, 옥틸트리메톡시티탄, 데실트리메톡시티탄, 페닐트리메톡시티탄;알킬 치환 페닐트리메톡시티탄 (예를 들어, p-(메틸)페닐트리메톡시티탄), 디메틸디메톡시티탄, 테트라에톡시티탄, 메틸트리에톡시티탄, 에틸트리에톡시티탄, n- 또는 iso-프로필트리에톡시티탄, n-, iso- 또는 tert-부틸트리에톡시티탄, 펜틸트리에톡시티탄, 헥실트리에톡시티탄, 옥틸트리에톡시티탄, 데실트리에톡시티탄, 페닐트리에톡시티탄, 알킬 치환 페닐트리에톡시티탄 (예를 들어, p-(메틸)페닐트리에톡시티탄), 디메틸디에톡시티탄, 테트라이소프로폭시티탄, 메틸트리이소프로폭시티탄, 에틸트리이소프로폭시티탄, n- 또는 iso-프로필트리에톡시티탄, n-, iso- 또는 tert-부틸트리이소프로폭시티탄, 펜틸트리이소프로폭시티탄, 헥실트리이소프로폭시티탄, 옥틸트리이소프로폭시티탄, 데실트리이소프로폭시티탄, 페닐트리이소프로폭시티탄, 알킬 치환 페닐트리이소프로폭시티탄 (예를 들어, p-(메틸)페닐트리이소프로폭시티탄), 디메틸디이소프로폭시티탄, (3,3,3-트리플루오로프로필)트리메톡시티탄, 및 트리데카플루오로옥틸트리에톡시티탄, 메틸트리클로로티탄, 디메틸디클로로티탄, 트리메틸클로로티탄, 페닐트리클로로티탄, 디메틸디플루오로티탄, 디메틸디브로모티탄, 디페닐디브로모티탄, 이들의 가수 분해 생성물, 및 이들의 가수 분해 생성물의 축합체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 입수 용이성의 관점에서, 테트라메톡시티탄, 테트라에톡시티탄, 테트라이소프로폭시티탄이 바람직하다.Examples of preferred titanate compounds include tetramethoxytitanium, methyltrimethoxytitanium, ethyltrimethoxytitanium, n- or isopropyltrimethoxytitanium, n-, iso- or tert-butyltrimethoxytitanium, hexyltrimethoxytitanium, octyltrimethoxytitanium, decyltrimethoxytitanium, phenyltrimethoxytitanium, alkyl-substituted phenyltrimethoxytitanium (for example, phenyltrimethoxytitanium, naphthyltrimethoxytitanium, isopropyltriethoxytitanium, n-isopropyltriethoxytitanium, n-isopropyltriethoxytitanium, p-methylphenyltrimethoxytitanium, dimethyldimethoxytitanium, tetraethoxytitanium, methyltriethoxytitanium, Or tert-butyltriethoxytitanium, pentyltriethoxytitanium, hexyltriethoxytitanium, octyltriethoxytitanium, decyltriethoxytitanium, phenyltriethoxytitanium, alkyl-substituted phenyltriethoxytitanium (for example, , p- (methyl) phenyltriethoxytitanium), dimethyldiethoxytitanium, tetraisopropoxy But are not limited to, cadmium, cadmium, cadmium, manganese, titanium, titanium, titanium, titanium, titanium, , Hexyltriisopropoxytitanium, octyltriisopropoxytitanium, decyltriisopropoxytitanium, phenyltriisopropoxytitanium, alkyl-substituted phenyltriisopropoxytitanium (for example, p- (methyl) phenyl tri (3,3,3-trifluoropropyl) trimethoxytitanium, and tridecafluorooctyltriethoxytitanium, methyl trichlorotitanium, dimethyldichlorotitanium, dimethyldichlorotitanium, Dimethylacetamide, trimethylchlorotitanium, phenyltrichlorotitanium, dimethyldifluorotitanium, dimethyldibromotitanium, diphenyldibromotitan, hydrolysis products of these, and condensation products of these hydroxides. Of these, tetramethoxytitanium, tetraethoxytitanium and tetraisopropoxytitanium are preferable from the viewpoint of availability.
바람직한 지르코네이트 화합물의 예로는, 테트라메톡시지르코늄, 메틸트리메톡시지르코늄, 에틸트리메톡시지르코늄, n- 또는 iso-프로필트리메톡시지르코늄, n-, iso- 또는 tert-부틸트리메톡시지르코늄, n-, iso- 또는 neo-펜틸트리메톡시지르코늄, 헥실트리메톡시지르코늄, 옥틸트리메톡시지르코늄, 데실트리메톡시지르코늄, 페닐트리메톡시지르코늄;알킬 치환 페닐트리메톡시지르코늄 (예를 들어, p-(메틸)페닐트리메톡시지르코늄), 디메틸디메톡시지르코늄, 테트라에톡시지르코늄, 메틸트리에톡시지르코늄, 에틸트리에톡시지르코늄, n- 또는 iso-프로필트리에톡시지르코늄, n-, iso- 또는 tert-부틸트리에톡시지르코늄, 펜틸트리에톡시지르코늄, 헥실트리에톡시지르코늄, 옥틸트리에톡시지르코늄, 데실트리에톡시지르코늄, 페닐트리에톡시지르코늄, 알킬 치환 페닐트리에톡시지르코늄 (예를 들어, p-(메틸)페닐트리에톡시지르코늄), 디메틸디에톡시지르코늄, 테트라이소프로폭시지르코늄, 메틸트리이소프로폭시지르코늄, 에틸트리이소프로폭시지르코늄, n- 또는 iso-프로필트리에톡시지르코늄, n-, iso- 또는 tert-부틸트리이소프로폭시지르코늄, 펜틸트리이소프로폭시지르코늄, 헥실트리이소프로폭시지르코늄, 옥틸트리이소프로폭시지르코늄, 데실트리이소프로폭시지르코늄, 페닐트리이소프로폭시지르코늄, 알킬 치환 페닐트리이소프로폭시지르코늄 (예를 들어, p-(메틸)페닐트리이소프로폭시티탄), 디메틸디이소프로폭시지르코늄, (3,3,3-트리플루오로프로필)트리메톡시지르코늄, 및 트리데카플루오로옥틸트리에톡시지르코늄, 메틸트리클로로지르코늄, 디메틸디클로로지르코늄, 트리메틸클로로지르코늄, 페닐트리클로로지르코늄, 디메틸디플루오로지르코늄, 디메틸디브로모지르코늄, 디페닐디브로모지르코늄, 이들의 가수 분해 생성물, 및 이들의 가수 분해 생성물의 축합체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 입수 용이성의 관점에서, 테트라메톡시지르코늄, 테트라에톡시지르코늄, 테트라이소프로폭시지르코늄이 바람직하다.Examples of preferred zirconate compounds include tetramethoxyzirconium, methyltrimethoxyzirconium, ethyltrimethoxyzirconium, n- or iso-propyltrimethoxyzirconium, n-, iso- or tert-butyltrimethoxyzirconium , n-, iso- or neopentyltrimethoxyzirconium, hexyltrimethoxyzirconium, octyltrimethoxyzirconium, decyltrimethoxyzirconium, phenyltrimethoxyzirconium, alkyl-substituted phenyltrimethoxyzirconium (for example, , p- (methyl) phenyltrimethoxyzirconium), dimethyldimethoxyzirconium, tetraethoxyzirconium, methyltriethoxyzirconium, ethyltriethoxyzirconium, n- or iso-propyltriethoxyzirconium, n-, iso - or tert-butyltriethoxyzirconium, pentyltriethoxyzirconium, hexyltriethoxyzirconium, octyltriethoxyzirconium, decyltriethoxyzirconium, phenyltriethoxyzirconium, alkyl (E.g., p- (methyl) phenyltriethoxyzirconium), dimethyldiethoxyzirconium, tetraisopropoxyzirconium, methyltriisopropoxyzirconium, ethyltriisopropoxyzirconium, n- Or isopropyl triethoxy zirconium, n-, iso- or tert-butyl triisopropoxy zirconium, pentyl triisopropoxy zirconium, hexyl triisopropoxy zirconium, octyl triisopropoxy zirconium, Phenyl triisopropoxy zirconium, alkyl substituted phenyl triisopropoxy zirconium (for example, p- (methyl) phenyl triisopropoxy titanate), dimethyl diisopropoxy zirconium, (3,3,3 -Trifluoropropyl) trimethoxy zirconium, and tridecafluorooctyltriethoxy zirconium, methyl trichloro zirconium, dimethyldichlorozirconium, trimethyl chlorozirconium, Phenyl trichloro zirconium, dimethyl difluorozirconium, dimethyl dibromo zirconium, diphenyl dibromo zirconium, hydrolysis products of these, and condensates of hydrolysis products of these. Of these, tetramethoxy zirconium, tetraethoxy zirconium and tetraisopropoxy zirconium are preferable from the viewpoint of availability.
베이스 기재 (100) 는, 판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) 를 핫 프레스로 밀착시켜 제조 가능하다. 예를 들어, 판상 캐리어 (10) 및/또는 프리프레그 (30) 의 첩합면에 상기 분자 내에 상기 금속 알콕시드를 도공 처리한 다음에, 판상 캐리어 (10) 에 대해 B 스테이지의 수지제 프리프레그 (30) 를 핫 프레스 적층함으로써 제조 가능하다.The
금속 알콕시드는 수용액의 형태로 사용할 수 있다. 물에 대한 용해성을 높이기 위해서 메탄올이나 에탄올 등의 알코올을 첨가할 수도 있다. 알코올의 첨가는 특히 소수성이 높은 금속 알콕시드를 사용할 때에 유효하다.The metal alkoxide can be used in the form of an aqueous solution. To increase the solubility in water, an alcohol such as methanol or ethanol may be added. Addition of an alcohol is particularly effective when a metal alkoxide having high hydrophobicity is used.
금속 알콕시드의 수용액 중의 농도는 높은 쪽이 판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) (혹은, 프리프레그 (30) 를 포함하는 빌드업층 (110)) 의 박리 강도는 저하되는 경향이 있고, 금속 알콕시드 농도 조정에 의해 박리 강도를 조정 가능하다. 한정적이지는 않지만, 금속 알콕시드의 수용액 중의 농도는 0.001 ∼ 1.0 ㏖/ℓ 로 할 수 있고, 전형적으로는 0.005 ∼ 0.2 ㏖/ℓ 로 할 수 있다.The higher the concentration of the metal alkoxide in the aqueous solution is, the lower the peel strength of the plate-
금속 알콕시드의 수용액의 pH 는 특별히 제한은 없고, 산성측에서도 알칼리성측에서도 이용할 수 있다. 예를 들어 3.0 ∼ 10.0 범위의 pH 로 사용할 수 있다. 특단의 pH 조정이 불필요하다는 관점에서 중성 부근인 5.0 ∼ 9.0 범위의 pH 로 하는 것이 바람직하고, 7.0 ∼ 9.0 범위의 pH 로 하는 것이 보다 바람직하다.The pH of the aqueous solution of the metal alkoxide is not particularly limited and can be used on the acidic side or on the alkaline side. For example, at a pH in the range of 3.0 to 10.0. From the viewpoint that no specific pH adjustment is required, the pH is preferably in the range of about 5.0 to 9.0, which is near neutral, and more preferably in the range of 7.0 to 9.0.
(4) 수지 도막으로 이루어지는 이형재(4) a releasing member made of a resin coating film
실리콘과, 에폭시계 수지, 멜라민계 수지 및 불소 수지에서 선택되는 어느 하나 또는 복수의 수지로 구성되는 수지 도막을 사용하여, 판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) 를 첩합함으로써, 적당히 밀착성이 저하되고, 박리 강도를 후술하는 바와 같은 범위로 조절할 수 있다.By bonding the plate-
이와 같은 밀착성을 실현하기 위한 박리 강도의 조절은, 후술하는 바와 같이 실리콘과, 에폭시계 수지, 멜라민계 수지 및 불소 수지에서 선택되는 어느 하나 또는 복수의 수지로 구성되는 수지 도막을 사용함으로써 실시한다. 이와 같은 수지 도막에 후술하는 바와 같은 소정 조건의 베이킹 처리를 실시하여, 판상 캐리어와 금속박 사이에 사용하여 핫 프레스하여 첩합함으로써, 적당히 밀착성이 저하되고, 박리 강도를 후술하는 범위로 조절할 수 있게 되기 때문이다.The adjustment of the peel strength for realizing such adhesion is carried out by using a resin coating film composed of one or a plurality of resins selected from silicon, an epoxy resin, a melamine resin and a fluorine resin as described later. Such a resin coating film is subjected to a baking treatment under a predetermined condition as described later, and is used between the plate-like carrier and the metal foil for hot-press bonding, whereby the adhesiveness is appropriately lowered and the peel strength can be controlled within a range described later to be.
에폭시계 수지로는, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 브롬화 에폭시 수지, 아민형 에폭시 수지, 가요성 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 페녹시 수지, 브롬화 페녹시 수지 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, novolak type epoxy resin, brominated epoxy resin, amine type epoxy resin, flexible epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, Brominated phenoxy resins, and the like.
멜라민계 수지로는, 메틸에테르화 멜라민 수지, 부틸화 우레아 멜라민 수지, 부틸화 멜라민 수지, 메틸화 멜라민 수지, 부틸알코올 변성 멜라민 수지 등을 들 수 있다. 또, 멜라민계 수지는, 상기 수지와 부틸화 우레아 수지, 부틸화 벤조구아나민 수지 등과의 혼합 수지여도 된다.Examples of the melamine resin include a methyletherified melamine resin, a butylated urea melamine resin, a butylated melamine resin, a methylated melamine resin, and a butylated alcohol-modified melamine resin. The melamine resin may be a mixed resin of the above resin with a butylated urea resin, a butylated benzoguanamine resin, or the like.
또한, 에폭시계 수지의 수평균 분자량은 2000 ∼ 3000, 멜라민계 수지의 수평균 분자량은 500 ∼ 1000 인 것이 바람직하다. 이와 같은 수평균 분자량을 가짐으로써, 수지의 도료화가 가능해짐과 함께, 수지 도막의 접착 강도를 소정 범위로 조정하기 쉬워진다.The number average molecular weight of the epoxy resin is preferably 2000 to 3000, and the number average molecular weight of the melamine resin is preferably 500 to 1000. By having such a number average molecular weight, the resin can be made into a coating material, and the adhesion strength of the resin coating film can be easily adjusted to a predetermined range.
또, 불소 수지로는, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리불화비닐리덴, 폴리불화비닐 등을 들 수 있다.Examples of the fluororesin include polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polyvinylidene fluoride, and polyvinyl fluoride.
실리콘으로는, 메틸페닐폴리실록산, 메틸하이드로폴리실록산, 디메틸폴리실록산, 변성 디메틸폴리실록산, 이들의 혼합물 등을 들 수 있다. 여기서, 변성이란, 예를 들어, 에폭시 변성, 알킬 변성, 아미노 변성, 카르복실 변성, 알코올 변성, 불소 변성, 알킬아르알킬폴리에테르 변성, 에폭시폴리에테르 변성, 폴리에테르 변성, 알킬 고급 알코올에스테르 변성, 폴리에스테르 변성, 아실옥시알킬 변성, 할로겐화 알킬아실옥시알킬 변성, 할로겐화 알킬 변성, 아미노글리콜 변성, 메르캅토 변성, 수산기 함유 폴리에스테르 변성 등을 들 수 있다.Examples of silicones include methylphenylpolysiloxane, methylhydrogenpolysiloxane, dimethylpolysiloxane, modified dimethylpolysiloxane, and mixtures thereof. Here, the denaturation means, for example, an abrasion resistance, an abrasion resistance, an elastic modulus, an elastic modulus, an elastic modulus, an elastic modulus, an elastic modulus, an elastic modulus, Polyester modification, acyloxyalkyl modification, halogenated alkyl acyloxyalkyl modification, halogenated alkyl modification, aminoglycol modification, mercapto modification, and hydroxyl group-containing polyester modification.
수지 도막에 있어서, 막두께가 지나치게 작으면, 수지 도막이 지나치게 박막으로 형성이 곤란하기 때문에, 생산성이 저하되기 쉽다. 또, 막두께가 일정한 크기를 초과해도, 수지 도막의 박리성의 추가적인 향상은 보이지 않고, 수지 도막의 제조 코스트가 높아지기 쉽다. 이와 같은 관점에서, 수지 도막은, 그 막두께가 0.1 ∼ 10 ㎛ 인 것이 바람직하고, 0.5 ∼ 5 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하다. 또, 수지 도막의 막두께는, 후술하는 순서에 있어서, 수지 도료를 소정 도포량으로 도포함으로써 달성된다.If the film thickness of the resin coating film is too small, it is difficult to form the resin coating film too thinly, and the productivity tends to be lowered. Further, even if the film thickness exceeds a certain size, no further improvement in the peelability of the resin coating film is seen, and the manufacturing cost of the resin coating film tends to increase. From this viewpoint, the resin coating film preferably has a film thickness of 0.1 to 10 mu m, more preferably 0.5 to 5 mu m. The film thickness of the resin coating film is achieved by applying the resin coating material in a predetermined coating amount in the procedure described below.
수지 도막에 있어서, 실리콘은 수지 도막의 이형제로서 기능한다. 그래서, 에폭시계 수지, 멜라민계 수지의 합계량이 실리콘에 비해 지나치게 많으면, 판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) (혹은, 프리프레그 (30) 를 포함하는 빌드업층 (110)) 사이에서 수지 도막이 부여하는 박리 강도가 커지기 때문에, 수지 도막의 박리성이 저하되어, 사람 손으로 용이하게 박리할 수 없게 되는 경우가 있다. 한편, 에폭시계 수지, 멜라민계 수지의 합계량이 지나치게 적으면, 전술한 박리 강도가 작아지기 때문에, 반송시나 가공시에 박리되는 경우가 있다. 이 관점에서, 실리콘 100 질량부에 대해, 에폭시계 수지, 멜라민계 수지의 합계가 10 ∼ 1500 질량부의 양으로 포함되는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 20 ∼ 800 중량부의 양으로 포함되는 것이 바람직하다.In the resin coating film, silicon functions as a releasing agent for the resin coating film. Therefore, if the total amount of the epoxy resin and the melamine resin is excessively larger than that of silicon, the resin coating film is formed between the plate-
또, 불소 수지는, 실리콘과 마찬가지로, 이형제로서 기능하고, 수지 도막의 내열성을 향상시키는 효과가 있다. 불소 수지가 실리콘에 비해 지나치게 많으면, 전술한 박리 강도가 작아지기 때문에, 반송시나 가공시에 박리되는 경우가 있는 것 외에, 후술하는 베이킹 공정에 필요한 온도가 올라가기 때문에 비경제적이 된다. 이 관점에서, 불소 수지는, 실리콘 100 질량부에 대해, 0 ∼ 50 질량부인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0 ∼ 40 질량부인 것이 바람직하다.The fluororesin, like silicon, functions as a releasing agent and has an effect of improving the heat resistance of the resin coating film. If the amount of the fluororesin is too large as compared with that of silicon, the above-mentioned peeling strength becomes small, so that it may be peeled off during transportation or processing, and the temperature required for the baking step to be described later is increased. From this viewpoint, the fluororesin is preferably 0 to 50 parts by mass, more preferably 0 to 40 parts by mass, per 100 parts by mass of silicon.
수지 도막은, 실리콘, 및 에폭시 수지 및/또는 멜라민 수지, 및 필요에 따라 불소 수지에 더하여, SiO2, MgO, Al2O3, BaSO4 및 Mg(OH)2 에서 선택되는 1 종 이상의 표면 조화 입자를 추가로 함유하고 있어도 된다. 수지 도막이 표면 조화 입자를 함유함으로써, 수지 도막의 표면이 요철이 된다. 그 요철에 의해, 수지 도막이 도포된 판상 캐리어 혹은 금속박의 표면이 요철이 되어, 광택이 제거된 표면이 된다. 표면 조화 입자의 함유량은, 수지 도막이 요철화되면 특별히 한정되지 않지만, 실리콘 100 질량부에 대해 1 ∼ 10 질량부가 바람직하다.The resin coating film may contain at least one kind of surface harmony selected from SiO 2 , MgO, Al 2 O 3 , BaSO 4 and Mg (OH) 2 , in addition to silicon and an epoxy resin and / or a melamine resin and, Or may further contain particles. When the resin coating film contains surface roughening particles, the surface of the resin coating film becomes irregular. By the unevenness, the surface of the plate-like carrier or the metal foil coated with the resin coating film becomes uneven and becomes the surface on which the gloss is removed. The content of the surface roughening particles is not particularly limited as long as the resin coating film is uneven, but is preferably 1 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of silicon.
표면 조화 입자의 입자경은, 15 nm ∼ 4 ㎛ 인 것이 바람직하다. 여기서, 입자경은, 주사 전자 현미경 (SEM) 사진 등으로부터 측정한 평균 입자경 (최대 입자경과 최소 입자경의 평균값) 을 의미한다. 표면 조화 입자의 입자경이 상기 범위임으로써, 수지 도막의 표면의 요철량이 조정되기 쉬워지고, 결과적으로 판상 캐리어 혹은 금속박의 표면의 요철량이 조정되기 쉬워진다. 구체적으로는, 판상 캐리어 혹은 금속박의 표면의 요철량은, JIS 규정의 최대 높이 조도 Ry 로 4.0 ㎛ 정도가 된다.The particle size of the surface roughening particles is preferably 15 nm to 4 탆. Here, the particle diameter refers to an average particle diameter (average value of maximum particle diameter and minimum particle diameter) measured from a scanning electron microscope (SEM) photograph and the like. When the particle size of the surface roughening particles is in the above range, the amount of irregularity of the surface of the resin coating film is easily adjusted, and consequently the irregularity amount of the surface of the plate-like carrier or metal foil is easily adjusted. Concretely, the amount of unevenness of the surface of the plate-like carrier or metal foil is about 4.0 탆 at the maximum height roughness Ry defined by JIS.
여기서, 베이스 기재 (100) 의 제조 방법에 대하여 설명한다. 베이스 기재 (100) 는, 코팅 대상물 (판상 캐리어 (10) 및 프리프레그 (30) 중 적어도 일방) 의 표면에, 상기 서술한 수지 도막을 도포하는 공정과, 이 도포한 수지 도막을 경화시키는 베이킹 공정을 갖는 순서를 거쳐 얻어진다. 이하, 각 공정에 대하여 설명한다.Here, a manufacturing method of the
(도포 공정) (Coating step)
도포 공정은, 코팅 대상물 (판상 캐리어 (10) 및 프리프레그 (30) 중 적어도 일방) 에, 주제로서의 실리콘과, 경화제로서의 에폭시계 수지, 멜라민계 수지와, 필요에 따라 이형제로서의 불소 수지로 이루어지는 수지 도료를 도포하여 수지 도막을 형성하는 공정이다. 수지 도료는, 알코올 등의 유기 용매에 에폭시계 수지, 멜라민계 수지, 불소 수지 및 실리콘을 용해한 것이다. 또, 수지 도료에 있어서의 배합량 (첨가량) 은, 실리콘 100 질량부에 대해, 에폭시계 수지, 멜라민계 수지의 합계가 10 ∼ 1500 질량부인 것이 바람직하다. 또, 불소 수지는, 실리콘 100 질량부에 대해, 0 ∼ 50 질량부인 것이 바람직하다.The coating step is a step of applying a coating solution containing at least one of silicon as a main component, an epoxy resin as a curing agent, a melamine resin and a fluororesin as a mold releasing agent (if necessary) to a coating object (at least one of the plate- Thereby forming a resin coating film. Resin paints are obtained by dissolving an epoxy resin, a melamine resin, a fluorine resin and silicon in an organic solvent such as alcohol. It is preferable that the total amount of the epoxy resin and the melamine resin is 10 to 1500 parts by mass based on 100 parts by mass of the silicone. It is preferable that the fluororesin is 0 to 50 parts by mass relative to 100 parts by mass of silicon.
도포 공정에 있어서의 도포 방법으로는, 수지 도막을 형성할 수 있으면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 그라비아 코트법, 바 코트법, 롤 코트법, 커튼 플로우 코트법, 정전 도장기를 사용하는 방법 등이 이용되며, 수지 도막의 균일성, 및, 작업의 간편성에서 그라비아 코트법이 바람직하다. 또, 도포량으로는, 수지 도막 3 이 바람직한 막두께:0.5 ∼ 5 ㎛ 가 되도록, 수지량으로서 1.0 ∼ 2.0 g/㎡ 가 바람직하다.The coating method in the coating step is not particularly limited as long as a resin coating film can be formed. Examples of the coating method include a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a curtain flow coating method, and an electrostatic coating machine , The uniformity of the resin coating film, and the ease of operation, the gravure coating method is preferable. The coating amount is preferably 1.0 to 2.0 g /
그라비아 코트법은, 롤 표면에 형성된 오목부 (셀) 에 채워진 수지 도료를 코팅 대상물에 전사시킴으로써, 코팅 대상물의 표면에 수지 도막을 형성시키는 방법이다. 구체적으로는, 표면에 셀이 형성된 하측 롤의 하부를 수지 도료 중에 침지하고, 하측 롤의 회전에 의해 셀 내에 수지 도료를 퍼 올린다. 그리고, 하측 롤과, 하측 롤의 상측에 배치된 상측 롤 사이에 코팅 대상물을 배치하고, 상측 롤로 코팅 대상물을 하측 롤에 가압이면서, 하측 롤 및 상측 롤을 회전시킴으로써, 코팅 대상물이 반송됨과 함께, 셀 내에 퍼 올려진 수지 도료가 코팅 대상물의 편면에 전사 (도포) 된다.The gravure coating method is a method of forming a resin coating film on the surface of a coating object by transferring a resin coating material filled in a concave portion (cell) formed on the roll surface to a coating object. Specifically, the lower portion of the lower roll having the cells on its surface is immersed in the resin coating, and the resin coating is pushed up into the cell by the rotation of the lower roll. The object to be coated is placed between the lower roll and the upper roll disposed on the upper side of the lower roll and the lower roll and the upper roll are rotated while pressing the object to be coated with the upper roll to the lower roll, The resin coating material poured into the cell is transferred (applied) to one side of the coating object.
또, 코팅 대상물의 반입측에, 하측 롤의 표면에 접촉하도록 독터 블레이드를 배치함으로써, 셀 이외의 롤 표면에 퍼 올려진 과잉인 수지 도료가 제거되고, 코팅 대상물의 표면에 소정량의 수지 도료가 도포된다. 또한, 셀의 번수 (番手) (크기 및 깊이) 가 큰 경우, 또는, 수지 도료의 점도가 높은 경우에는, 코팅 대상물의 편면에 형성되는 수지 도막이 평활해지기 어려워진다. 따라서, 코팅 대상물의 반출측에 스무딩 롤을 배치하여, 수지 도막의 평활도를 유지해도 된다.In addition, by arranging the doctor blade so as to contact the surface of the lower roll on the carry-in side of the object to be coated, the excess resin paint poured on the roll surface other than the cell is removed, and a predetermined amount of resin paint . Further, when the number of cells (size and depth) is large, or when the viscosity of the resin coating material is high, the resin coating film formed on one side of the coating object becomes difficult to be smoothed. Therefore, the smoothness of the resin coating film may be maintained by disposing a smoothing roll on the carry-out side of the coating object.
또한, 코팅 대상물의 양면에 수지 도막을 형성시키는 경우에는, 코팅 대상물의 편면에 수지 도막을 형성시킨 후에, 코팅 대상물을 뒤집어, 재차, 하측 롤과 상측 롤 사이에 배치한다. 그리고, 상기와 마찬가지로, 하측 롤의 셀 내의 수지 도료를 코팅 대상물의 이면에 전사 (도포) 한다.When a resin coating film is formed on both sides of the coating object, the resin coating film is formed on one side of the coating object, and then the coating object is turned upside down again between the lower and upper rolls. Then, similarly to the above, the resin paint in the cell of the lower roll is transferred (applied) to the back surface of the object to be coated.
(베이킹 공정) (Baking process)
베이킹 공정은, 도포 공정에서 형성된 수지 도막에 125 ∼ 320 ℃ (베이킹 온도) 에서 0.5 ∼ 60 초간 (베이킹 시간) 의 베이킹 처리를 실시하는 공정이다. 이와 같이, 소정 배합량의 수지 도료로 형성된 수지 도막에 소정 조건의 베이킹 처리를 실시함으로써, 수지 도막에 의해 부여된 것 (예를 들어, 판상 캐리어 (10)) 과 타방의 것 (예를 들어, 프리프레그 (30)) 사이의 박리 강도가 소정 범위로 제어된다. 본 발명에 있어서, 베이킹 온도는 프리프레그 (30) 의 도달 온도이다. 또, 베이킹 처리에 사용되는 가열 수단으로는, 종래 공지된 장치를 사용한다.The baking step is a step of baking the resin coating film formed in the coating step at 125 to 320 DEG C (baking temperature) for 0.5 to 60 seconds (baking time). As described above, by baking the resin coating film formed of the predetermined amount of the resin coating material under a predetermined condition, it is possible to prevent the resin coating film (for example, the plate carrier 10)
베이킹이 불충분해지는 조건, 예를 들어 베이킹 온도가 125 ℃ 미만, 또는, 베이킹 시간이 0.5 초 미만인 경우에는, 수지 도막이 경화 부족이 되고, 상기 박리 강도가 200 gf/㎝ 를 초과하고, 박리성이 저하된다. 또, 베이킹이 과도한 조건, 예를 들어 베이킹 온도가 320 ℃ 를 초과하는 경우에는, 수지 도막이 열화하여, 상기 박리 강도가 200 gf/㎝ 를 초과하고, 박리시의 작업성이 악화된다. 혹은, 판상 캐리어가 고온에 의해 변질되는 경우가 있다. 또, 베이킹 시간이 60 초를 초과하는 경우에는, 생산성이 악화된다.If the baking temperature is less than 125 占 폚 or the baking time is less than 0.5 sec, the resin coating film becomes insufficient in curing, the peel strength is more than 200 gf / cm and the peelability is deteriorated do. When the baking is excessive, for example, when the baking temperature exceeds 320 DEG C, the resin coating film deteriorates, the peel strength exceeds 200 gf / cm, and the workability upon peeling is deteriorated. Alternatively, the plate-like carrier may be deteriorated by high temperature. When the baking time exceeds 60 seconds, the productivity is deteriorated.
베이스 기재 (100) 의 제조 방법에 있어서는, 상기 도포 공정의 수지 도료가, 주제로서의 실리콘과, 경화제로서의 에폭시 수지, 멜라민계 수지와, 이형제로서의 불소 수지와, SiO2, MgO, Al2O3, BaSO4 및 Mg(OH)2 에서 선택되는 1 종 이상의 표면 조화 입자로 이루어지는 것이어도 된다.In the production method of the
구체적으로는, 수지 도료는, 상기한 실리콘 첨가 수지 용액에 표면 조화 입자를 추가로 첨가한 것이다. 이와 같은 표면 조화 입자를 수지 도료에 추가로 첨가함으로써, 수지 도막의 표면이 요철이 되고, 이 요철에 의해 판상 캐리어 (10) 가 요철이 되어, 광택 제거된 표면이 된다. 그리고, 이와 같은 광택 제거된 표면을 갖는 판상 캐리어 (10) 를 얻기 위해서는, 수지 도료에 있어서의 표면 조화 입자의 배합량 (첨가량) 이, 실리콘 100 질량부에 대해, 1 ∼ 10 질량부인 것이 바람직하다. 또, 표면 조화 입자의 입자경이 15 nm ∼ 4 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하다.Specifically, the resin coating material is obtained by further adding surface roughening particles to the above-mentioned silicone resin solution. By additionally adding such surface roughening particles to the resin coating material, the surface of the resin coating film becomes irregular, and the
본 발명에 관련된 제조 방법은, 이상 설명한 바와 같지만, 본 발명을 실시하는 데에 있어서, 상기 각 공정에 악영향을 주지 않는 범위에 있어서, 상기 각 공정의 사이 혹은 전후에, 다른 공정을 포함시켜도 된다. 예를 들어, 도포 공정의 전에 판상 캐리어의 표면을 세정하는 세정 공정을 실시해도 된다.The manufacturing method according to the present invention is as described above. However, in carrying out the present invention, other steps may be included during or after each step in the range not adversely affecting each step. For example, a cleaning step for cleaning the surface of the plate-like carrier before the application step may be performed.
프리프레그 (30) 는, 다층 프린트 배선 기판 토대의 층을 구성하는 수지층의 일례이다. 프리프레그 (30) 는, 임의의 기재와 임의의 충전 재료의 복합체이며, 전형적으로는, 부직포, 직물 등의 기재를 합성 수지 등의 충전 재료에 함침시킨 상태로 충전 재료를 액체로부터 고체화하여 얻어진다. 프리프레그 (30) 는, 높은 절연성을 갖고, 또한 원하는 기계적 강도를 갖는다. 프리프레그 (30) 의 구성 재료인 수지는, 예시적으로는, 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 천연 고무, 송진 등이지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 판상 캐리어 (10) 상으로의 실장 전의 프리프레그 (30) 는, B 스테이지 상태에 있는 것이 좋고, 이에 따라, 충분한 강도를 확보할 수 있다.The
프리프레그 (30) 는, 높은 유리 전이 온도 Tg 를 갖는 것이 바람직하다. 프리프레그 (30) 의 유리 전이 온도 Tg 는, 예를 들어, 120 ∼ 320 ℃, 바람직하게는 170 ∼ 240 ℃ 이다. 또한, 유리 전이 온도 Tg 는, DSC (시차 주사 열량 측정법) 에 의해 측정되는 값으로 한다.The
프리프레그 (30) 는, 판상 캐리어 (10) 상의 이형제층 (20) 이 성막된 상면 상에 핫 프레스 처리 등에 의해 열 압착하여 적층 고정된다. 핫 프레스의 조건으로는, 압력 30 ∼ 40 ㎏/㎠, 프리프레그 (30) 의 유리 전이 온도보다 높은 온도에서 핫 프레스하는 것이 바람직하다. 프리프레그 (30) 의 적층 고정시에 프리프레그 (30) 에 접하는 프레스 부재의 표면 온도는, 140 ∼ 320 ℃ 가 바람직하다.The
프리프레그 (30) 의 두께는 특별히 제한은 없고, 가요성을 가질 정도의 두께 혹은 가요성을 갖지 않을 정도의 두께로 설정된다. 단, 빌드업층 (110) 을 적층하는 데에 있어서 프리프레그 (30) 에도 기계적 강도와 강성이 있는 쪽이 바람직하기 때문에, 극단적으로 얇게 하는 것은 적당하지 않다. 또, 프리프레그 (30) 가 극단적으로 두꺼우면, 프리프레그 (30) 를 통한 열 전파가 잘 발생하지 않기 때문에, 핫 프레스시에 프리프레그 (30) 의 평면 내에 있어서 불균일인 열 분포가 발생되어 버려, 충분한 핫 프레스를 달성하기 어려워질 우려가 있다. 이 점을 감안하여, 프리프레그 (30) 의 두께를 50 ∼ 900 ㎛ 로 하고, 보다 바람직하게는 100 ∼ 400 ㎛ 로 한다.The thickness of the
빌드업층 (110) 의 적층 공정에 있어서 프리프레그 (30) 를 판상 캐리어 (10) 상에 충분히 고정하고, 한편, 빌드업층 (110) 의 적층 공정 후에 있어서 프리프레그 (30) 와 판상 캐리어 (10) 간의 용이한 박리성을 확보한다는 관점에 기초하여 판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) (혹은, 프리프레그 (30) 를 포함하는 빌드업층 (110)) 간의 박리 강도를 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 박리 강도의 조절은, 상기 서술한 이형제층 (20) 의 재료나 두께의 설정에 의해 조정할 수 있고, 또, 판상 캐리어 (10) 나 프리프레그 (30) 의 표면 처리에 의해 조정할 수 있다.The
빌드업층 (110) 의 적층 공정 전의 상태에 있어서, 판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) 간의 박리 강도가, 전형적으로는 10 gf/㎝ 이상, 바람직하게는 30 gf/㎝ 이상, 보다 바람직하게는 50 gf/㎝ 이상이며, 전형적으로는 200 gf/㎝ 이하, 바람직하게는 150 gf/㎝ 이하, 보다 바람직하게는 80 gf/㎝ 이하이다. 이와 같이 판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) 간의 박리 강도를 설정함으로써, 베이스 기재 (100) 의 반송시 등에 판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) 가 박리하는 것을 억제할 수 있고, 또한 빌드업층 (110) 의 적층 공정 후에 있어서 판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) 를 포함하는 빌드업층 (110) 간의 박리성을 확보할 수 있다. 또한, 판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) 간의 박리 강도는, 판상 캐리어 (10) 와 빌드업층 (110) 간의 박리 강도와 동등한 것으로 이해해도 상관없다.The peel strength between the plate-
판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) 간의 박리 강도는, 빌드업층 (110) 의 적층 공정 후에 있어서도 크게 변동하지 않는 것이 바람직하다. 이에 따라, 빌드업층 (110) 의 적층 공정 후에 있어서도 판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) 를 포함하는 빌드업층 (110) 간의 박리성이 손상되지 않는 것을 확보할 수 있다.It is preferable that the peel strength between the plate-
예를 들어 220 ℃ 에서 3 시간, 6 시간 또는 9 시간 중 적어도 하나의 조건으로 베이스 기재 (100) 를 가열한 후에 있어서, 판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) 간의 박리 강도가, 전형적으로는 10 gf/㎝ 이상, 바람직하게는 30 gf/㎝ 이상, 보다 바람직하게는 50 gf/㎝ 이상이며, 전형적으로는 200 gf/㎝ 이하, 바람직하게는 150 gf/㎝ 이하, 보다 바람직하게는 80 gf/㎝ 이하이다.The peeling strength between the plate-
220 ℃ 의 조건으로 베이스 기재 (100) 를 가열한 후의 판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) 간의 박리 강도에 대해서는, 빌드업층 (110) 의 적층 수의 폭의 확보라는 관점에서, 3 시간 후 및 6 시간 후의 양방, 또는 6 시간 및 9 시간 후의 양방에 있어서 박리 강도가 상기 서술한 범위를 만족하는 것이 바람직하고, 3 시간, 6 시간 및 9 시간 후의 모든 박리 강도가 상기 서술한 범위를 만족하는 것이 더욱 바람직하다.The peel strength between the plate-
본 발명에 있어서, 박리 강도는 JIS C6481 에 규정되는 90 도 박리 강도 측정 방법에 준거하여 측정한다.In the present invention, the peel strength is measured in accordance with the 90 degree peel strength measurement method specified in JIS C6481.
종래의 CCL 에서는, 수지층과 동박의 필 강도가 높은 것이 요망되기 때문에, 예를 들어, 전해 동박의 매트면 (M 면) 을 수지층과의 접착면으로 하고, 조화 처리 등의 표면 처리를 실시함으로써 화학적 및 물리적 앵커 효과에 의한 접착력 향상이 도모되고 있다. 또, 수지층측에 있어서도, 동박과의 접착력을 업하기 위해서 각종 바인더가 첨가되는 등 하고 있다. 전술한 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는 CCL 과는 달리, 판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) 를 최종적으로 박리하기 때문에, 그 박리 강도가 과도하게 높은 것은 바람직하지 않다.In the conventional CCL, it is desired that the resin layer and the copper foil have high peel strength. For example, the matte surface (M side) of the electrolytic copper foil is used as a bonding surface with the resin layer, The adhesive force is improved by the chemical and physical anchor effect. Also, on the resin layer side, various binders are added in order to increase the adhesive force with the copper foil. As described above, in this embodiment, unlike the CCL, since the plate-
판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) 간의 박리 강도를 전술한 바람직한 범위로 조절하기 위해서, 첩합면의 표면 조도를, JIS B 0601 (2001) 에 준거하여 측정한 판상 캐리어 (10) 의 상면의 10 점 평균 조도 (Rz jis) 로 나타내면, 3.5 ㎛ 이하, 또한 3.0 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 단, 표면 조도를 한없이 작게 하는 것은 시간이 걸려 코스트 상승의 원인이 되므로, 0.1 ㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 0.3 ㎛ 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 표면 조도의 조정이라는 관점에서 보면, 판상 캐리어 (10) 의 광택면을 이형제층 (20) 의 적층면으로서 사용하는 것이 간편하다.In order to adjust the peel strength between the plate-
실시형태에 따라서는, 판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) 의 각 첩합면에 대해 조화 처리 등의 박리 강도 향상을 위한 표면 처리를 실시하지 않아도 된다. 실시형태에 따라서는, 프리프레그 (30) 중에는 이형제층 (20) 과의 접착력을 높이기 위한 바인더는 첨가되어 있지 않다.The surface treatment for improving the peel strength such as the roughening treatment may not be performed on each of the coplanar surfaces of the
빌드업층 (110) 중의 배선층은, 금속박을 사용해도 되고, 서브트랙티브법 또는 풀 애디티브법 또는 세미 애디티브법 중 적어도 일방을 이용하여 형성해도 된다.The wiring layer in the
서브트랙티브법이란, 임의의 기판, 예를 들어, 금속 피복 적층판이나 배선 기판 (프린트 배선판, 프린트 회로판을 포함한다) 상의 금속박의 불필요 부분을 에칭 등에 의해 선택적으로 제거하여 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다. 풀 애디티브법은, 무전해 도금 및/또는 전해 도금을 이용하여, 패터닝된 도체층인 배선층 (50) 을 형성하는 방법이다. 세미 애디티브법은, 예를 들어, 금속박으로 이루어지는 시드층 상에 무전해 금속 석출과, 전해 도금, 에칭, 또는 그 양자를 병용하여 도체 패턴을 형성한 후, 불필요한 시드층을 에칭하여 제거함으로써 도체 패턴을 얻는 방법이다.The subtractive method is a method of forming a conductor pattern by selectively removing unnecessary portions of a metal foil on an arbitrary substrate, for example, a metal clad laminate or a wiring board (including a printed wiring board and a printed circuit board) by etching or the like Point. The pull additive method is a method of forming a
빌드업층 (110) 의 구성층으로서, 수지, 편면 혹은 양면 배선 기판, 편면 혹은 양면 금속 피복 적층판, 캐리어 부착 금속박, 금속박, 또는 베이스 기재 (100) 를 하나 이상 포함시켜도 된다.As the constituent layer of the
편면 혹은 양면 배선 기판, 편면 혹은 양면 금속 피복 적층판, 캐리어 부착 금속박의 금속박, 캐리어 부착 금속박의 판상 캐리어, 또는 수지에 구멍을 뚫고, 당해 구멍의 측면 및 저면에 도통 도금을 하는 공정을 추가로 포함할 수 있다. 또, 상기 편면 혹은 양면 배선 기판을 구성하는 금속박, 편면 혹은 양면 금속 피복 적층판을 구성하는 금속박, 및 캐리어 부착 금속박을 구성하는 금속박 중 적어도 하나에 배선을 형성하는 공정을 1 회 이상 실시하는 것을 추가로 포함할 수도 있다.The method may further include the step of punching a hole in the single- or double-sided wiring substrate, the single-sided or double-sided metal clad laminate, the metal foil of the carrier-adhered metal foil, the plate-shaped carrier of the metal foil with the carrier, or the resin, . The step of forming the wiring on at least one of the metal foil constituting the single-sided or double-sided wiring board, the metal foil constituting the single-sided or double-sided metal clad laminate, and the metal foil constituting the carrier- .
패터닝된 배선층 (50) 상에 금속박을 밀착시키고, 또한 캐리어 부착 금속박의 캐리어측을 적층하는 공정을 추가로 포함할 수도 있다. 패터닝된 배선층 (50) 상에 수지를 적층하고, 또한, 당해 수지 상에 금속박을 밀착시켜도 된다. 또, 배선 형성된 표면 상에, 수지를 적층하고, 당해 수지에 양면에 금속박을 밀착시킨 캐리어 부착 금속박을 적층하는 공정을 추가로 포함할 수도 있다. 또한, 「배선 형성된 표면」 이란, 빌드업을 실시하는 과정에서 그때마다 나타나는 표면에 배선 형성된 부분을 의미하며, 빌드업 기판으로는 최종 제품의 것도, 그 도중의 것도 포함한다.The step of laminating the metal foil on the patterned
또한, 캐리어 부착 금속박은, 지지 기판으로서 기능하는 수지제 또는 금속제 캐리어 상에 금속박이 이형제층을 개재하여 적층한 것이다. 캐리어 부착 금속박에 있어서 캐리어와 금속박간을 박리 가능하게 결합하는 이형제층은, 본원에 개시된 이형제층 (20) 과 동일한 재료를 사용할 수 있다.The carrier-bonded metal foil is a laminate of a metal foil and a release agent layer on a resin or metal carrier functioning as a support substrate. In the carrier-bonded metal foil, the releasing agent layer which can peelably bond the carrier and the metal foil can be the same material as the releasing
베이스 기재 (100) 상에 빌드업층 (110) 을 적층한 상태로 이 적층체 (150) 를 다이싱해도 된다. 다이싱 심도는, 적층체 (150) 를 완전히 개편화하는 정도의 것일 필요는 없고, 판상 캐리어 (10) 까지 도달하지 않는 정도여도 상관없다. 적층체 (150) 를 완전히 개편화하지 않는 경우에는, 판상 캐리어 (10) 에 도달 혹은 도달하지 않는 홈이 형성된다. 다이싱에 사용하는 기기는, 다이싱 블레이드를 활용한 타입에 한정되지 않고, 와이어, 레이저 등의 임의의 방법을 채용할 수 있다.The
상기 서술한 다이싱 공정 후, 판상 캐리어 (10) 와 프리프레그 (30) 를 박리하여 분리하면 된다. 판상 캐리어 (10) 가 다이싱에 의해 개편화되어 있지 않은 경우, 공통의 판상 캐리어 (10) 로부터 복수의 개편화된 다층 프린트 배선 기판이 얻어진다.After the above-described dicing process, the plate-
빌드업층 (110) 내에 있어서의 절연층 (40) 과 배선층 (50) 끼리는 열 압착에 의해 적층시켜도 된다. 이 열 압착은, 한 층씩 적층할 때마다 실시해도 되고, 어느 정도 적층시키고 나서 정리하여 실시해도 되며, 마지막에 한 번에 정리하여 실시해도 된다.The insulating
빌드업층 (110) 내의 배선층 (50) 끼리 혹은 빌드업층 (110) 내의 배선층 (50) 과 외부 배선간의 전기적 도통을 확보하기 위해서 빌드업층 (110) 에 비아 배선 (층간 배선) 을 형성해도 되고, 그 공정은, 베이스 기재 (100) 상에 빌드업층 (110) 을 형성하는 과정에서 실시해도 되고, 소정의 적층 수의 빌드업층 (110) 을 베이스 기재 (100) 상에 적층한 후에 실시해도 된다. 베이스 기재 (100) 상에 빌드업층 (110) 을 적층한 상태로 비아 배선을 형성해도 되고, 베이스 기재 (100) 의 판상 캐리어 (10) 를 빌드업층 (110) 으로부터 박리한 후에 비아 배선을 형성해도 된다. 예를 들어, 베이스 기재 (100) 상에 하부 배선층 (50), 중간 절연층 (40), 및 상부 배선층 (50) 을 형성한 상태에 있어서 상부 배선층 (50) 과 중간 절연층 (40) 을 관통하여 하부 배선층 (50) 에 도달하는 비아홀을 형성하고, 그 비아홀에 도전재를 퇴적 등에 의해 형성하고, 이에 따라, 하부 배선층 (50) 과 상부 배선층 (50) 간의 전기적 도통이 확보된다. 비아홀의 형성은, 기계적 절삭이나 레이저 가공 등의 임의의 방법을 채용할 수 있다. 비아홀이 관통하는 절연층 (40) 의 수는 임의이며, 2 이상이어도 상관없다. 비아홀로의 도전재의 충전은, 전해 도금을 활용해도 된다.The via wiring (interlayer wiring) may be formed in the
도 2 및 도 3 을 참조하여 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법에 대하여 설명한다. 먼저, 도 1 에 나타내는 베이스 기재 (100) 를 준비한다. 베이스 기재 (100) 자체의 제조 방법은, 상기 서술한 바와 같지만, 예를 들어, 판상 캐리어 (10) 상에 이형제층 (20) 을 성막하고, 그 후, 프리프레그 (30) 를 이형제층 (20) 을 개재하여 판상 캐리어 (10) 상에 실장하여 상방으로부터 가열 압압하고, 프리프레그 (30) 가 이형제층 (20) 을 개재하여 판상 캐리어 (10) 상에 적층한 베이스 기재 (100) 를 얻는다. 이형제층 (20) 은, 판상 캐리어 (10) 의 상면의 모든 범위에 걸쳐 일정한 층두께로 형성된다. 프리프레그 (30) 는, 이형제층 (20) 의 상면에 평면 내에서 똑같이 충분히 밀착한다.A method of manufacturing a multilayer printed wiring board will be described with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. First, the
다음으로 도 2 에 모식적으로 나타내는 바와 같이 베이스 기재 (100) 상에 빌드업층 (110) 을 적층한다. 예를 들어, 절연층 (40) 과 배선층 (50) 을 번갈아 적층한다. 절연층 (40) 과 배선층 (50) 의 세트로 이루어지는 적층 단위의 수는, 전형적으로는 1 이상이며, 2 이상, 3 이상, 4 이상이어도 상관없다. 적층 단위의 수의 증가에 의해 다층 프린트 배선 기판의 층간 위치의 정밀도의 유지가 곤란해진다. 본 실시형태에 있어서는, 다층 프린트 배선 기판의 최하층이 되는 프리프레그 (30) 가, 사전에 베이스 기재 (100) 상에 안정적으로 고정되어 있고, 이 프리프레그 (30) 상에 빌드업층 (110) 을 안정적으로 적층할 수 있다.Next, as shown in FIG. 2, the build-
베이스 기재 (100) 의 프리프레그 (30) 를 생략한 상태로 고객측에 제공하고, 고객측에 있어서 프리프레그 (30) 를 열 압착하여 적층 고정하여 빌드업층 (110) 을 형성하는 경우, 이형제층 (20) 을 별도 보호하기 위한 부재가 필요해져, 이 부재와의 관계도 고려하여 이형제층 (20) 의 두께나 재료를 선정하는 것이 필요해지는 경우도 있을지도 모른다. 본 실시형태에 있어서는, 빌드업층 (110) 의 최하층인 프리프레그 (30) 를 이형제층 (20) 상에 적층하고, 상기 서술한 바와 같은 문제가 발생하는 것을 회피할 수 있다.When the
배선층 (50) 은, 비한정적으로는 금속박 혹은 패터닝된 금속박이며, 적합하게는 동박 혹은 패터닝된 동박이다. 통상적인 반도체 프로세스 기술을 활용하여 배선층 (50) 을 형성해도 상관없다. 배선층 (50) 은, 특별히 한정을 의도하는 것은 아니지만, 전형적으로는 CVD (Chemical Vapor Deposition), PVD (Physical Vapor Deposition) 로 대표되는 증착 등에 의해 형성한 베타 배선층을 포토리소그래피 기술의 활용에 의해 패터닝하여 형성된다. 배선층 (50) 을 반드시 패터닝할 필요는 없고, 배선층 (50) 을 베타 배선층으로 해도 상관없다. 패터닝에 의한 배선층의 제거 부분에 대해서는, 프리프레그 (30) 에 대해 절연층 (40) 이 접촉하는 경우도 있다. 리프트 오프 기술을 활용하여 패터닝해도 상관없다.The
절연층 (40) 은, 비한정적으로는 수지층 혹은 비아 배선 (층간 배선) 이 형성된 수지층이며, 전형적으로는 열경화성 수지 또는 감광성 수지를 예시할 수 있다. 또, 절연층 (40) 은 유리 섬유 또는 무기 충전물에 의해 보강된 프리프레그여도 된다. 절연층 (40) 의 구성 수지는, 프리프레그와 동일 혹은 유사 특성의 재료에서 선정하면 된다. 다이 코터로 대표되는 임의의 종류의 도포 장치를 활용하여 성막해도 된다. 이것 대신에, 혹은 이것과 병용하여, 통상적인 반도체 프로세스 기술을 활용하여 배선층 (50) 을 형성해도 상관없다. 절연층 (40) 은, 특별히 한정을 의도하는 것은 아니지만, 전형적으로는 CVD (Chemical Vapor Deposition), PVD (Physical Vapor Deposition) 로 대표되는 증착 등에 의해 절연 재료가 성막되어 이루어지고, 필요에 따라 상하의 배선층 (50) 간의 전기적 접속을 확보하기 위해서 도전성 비아가 형성된다. 도전성 비아의 절연층 (40) 중으로의 삽입 방법은 임의이다. 배선층 (50) 상에 퇴적한 절연층 (40) 상에 개구를 갖는 마스크층을 형성하고, 마스크층을 개재하여 에칭 처리하여 마스크층의 개구에 대응하는 범위에서 절연층 (40) 을 제거하고, 그 후, 절연층 (40) 이 제거된 범위에서 도전성 재료를 충전하는 방법을 예시할 수 있다.The insulating
배선층 (50) 은, 예를 들어, 구리, 알루미늄, 폴리실리콘 등의 도전성 재료로 이루어진다. 절연층 (40) 은, 이산화실리콘 등의 절연 재료로 이루어진다. 절연층 (40) 중에 삽입되는 비아는, 구리, 알루미늄, 폴리실리콘 등의 도전성 재료로 이루어진다. 절연층 (40) 의 구성 수지는, 프리프레그 (30) 와 동일 혹은 유사 특성의 재료에서 선정하면 된다.The
다음으로 도 3 에 모식적으로 나타내는 바와 같이, 판상 캐리어 (10) 상에 이형제층 (20) 이 잔존한 적층체 (120) 와 빌드업층 (110) 을 분리한다. 이와 같이 하여 다층 프린트 배선 기판을 제조할 수 있다. 또한, 적층체 (120) 와 빌드업층 (110) 을 사람 손에 의해 박리함으로써 양자를 분리해도 상관없지만, 로봇 등을 활용하여 양자를 분리해도 된다.Next, as schematically shown in Fig. 3, the laminate 120 in which the
도 3 에 나타내는 분리 공정 후에 적층체 (120) 상에 다른 새로운 프리프레그 (30) 를 핫 프레스함으로써 도 1 에 나타낸 베이스 기재 (100) 를 제조해도 상관없다. 그 후, 상기 서술한 설명과 동일하게 하여 도 2 에 나타내는 바와 같이 빌드업층 (110) 을 적층하고, 도 3 에 나타내는 바와 같이 적층체 (120) 와 빌드업층 (110) 을 분리해도 된다.The
이하, 또한 예시적인 형태에 대하여 설명한다. 상기 서술한 베이스 기재 (100) 상에, 소망 매수의 프리프레그, 다음으로 「내층 코어」 라고 칭하는 2 층 금속 피복 적층판, 다음으로 프리프레그, 또한 「캐리어 부착 금속박」 을 순서로 적층하고, 이 적층 유닛의 단위 (통칭 「페이지」 라고 한다) 를 10 회 정도 반복하여 적층하고, 프레스 조립물 (통칭 「북」 이라고 한다) 을 구성해도 된다. 그 후, 이 북을 1 세트의 평판 플레이트 사이에 끼워 핫 프레스기에 세트하고, 소정의 온도 및 압력으로 가압 성형함으로써 다수의 4 층 금속 피복 적층판을 동시에 제조할 수 있다. 평판 플레이트로는 예를 들어 스테인리스제 플레이트를 사용할 수 있다. 플레이트는, 한정적이지는 않지만, 예를 들어 1 ∼ 10 ㎜ 정도의 두께판을 사용할 수 있다. 4 층 이상의 금속 피복 적층판에 대해서도, 일반적으로는 내층 코어의 층 수를 올림으로써, 동일한 공정에서 생산하는 것이 가능하다.Hereinafter, an exemplary embodiment will be described. A desired number of prepregs, a two-layer metal clad laminate, hereinafter referred to as "inner layer cores", a prepreg, and a "carrier-adhered metal foil" are successively laminated on the
필요에 따라 배선층 (50) 을 구성하는 금속박의 전체면을, 하프 에칭하여 두께를 조정하는 공정을 포함시켜도 된다. 배선층 (50) 을 구성하는 금속박의 소정 위치에 레이저 가공을 실시하여 금속박과 수지를 관통하는 비아홀을 형성하고, 비아홀 중의 스미어를 제거하는 디스미어 처리를 실시한 후, 비아홀 저부, 측면 및 금속박의 전체면 또는 일부에 무전해 도금을 실시하여 층간 접속을 형성하고, 필요에 따라 추가로 전해 도금을 실시해도 된다. 금속박 상의 무전해 도금 또는 전해 도금이 불필요한 부분에는 각각의 도금을 실시할 때까지 미리 도금 레지스트를 형성해 두어도 된다. 또, 무전해 도금, 전해 도금, 도금 레지스트와 금속박의 밀착성이 불충분한 경우에는 미리 금속박의 표면을 화학적으로 조화해 두어도 된다. 도금 레지스트를 사용한 경우, 도금 후에 도금 레지스트를 제거한다. 다음으로, 금속박 및, 무전해 도금부, 전해 도금부의 불필요 부분을 에칭에 의해 제거함으로써 회로를 형성한다. 이와 같이 하여 빌드업 기판을 제조할 수 있다. 수지, 동박의 적층부터 회로 형성까지의 공정을 복수 회 반복 실시하여 또한 다층의 빌드업 기판으로 해도 된다.A step of half-etching the entire surface of the metal foil constituting the
빌드업층 (110) 의 최상층에, 수지제 캐리어 기판의 편면에 금속박을 밀착한 캐리어 부착 금속박을 형성해도 된다. 캐리어 부착 금속박의 캐리어 기판이 금속박보다 하층으로 해도 되고, 반대라도 상관없다. 빌드업층 (110) 의 수지층 상에, 수지제 캐리어 기판의 양면에 금속박을 밀착한 캐리어 부착 금속박을 적층해도 된다.A metal foil with a carrier in close contact with a metal foil on one side of the resin carrier substrate may be formed on the uppermost layer of the
빌드업층 (110) 의 최상층에, 다른 베이스 기재 (100) 를 적층해도 된다.Another
적합하게는, 빌드업층 (110) 의 절연층 (40) 으로서, 열경화성 수지를 함유하는 프리프레그를 사용하면 된다.Preferably, a prepreg containing a thermosetting resin may be used as the insulating
적합하게는, 절연층 (40) 은, 수지층, 예를 들어, 프리프레그 또는 감광성 수지이다. 절연층 (40) 으로서 프리프레그를 사용하는 경우, 레이저 가공에 의해 프리프레그에 비아홀을 형성해도 된다. 레이저 가공 후, 이 비아홀 중의 스미어를 제거하는 디스미어 처리를 실시하면 된다. 또, 수지로서 감광성 수지를 사용한 경우, 포토리소그래피법에 의해 비아홀을 형성부의 수지를 제거할 수 있다. 다음으로, 비아홀 저부, 측면 및 수지의 전체면 또는 일부에 무전해 도금을 실시하여 층간 접속을 형성하여, 필요에 따라 추가로 전해 도금을 실시한다. 수지 상의 무전해 도금 또는 전해 도금이 불필요한 부분에는 각각의 도금을 실시할 때까지 미리 도금 레지스트를 형성해 두어도 된다. 또, 무전해 도금, 전해 도금, 도금 레지스트와 수지의 밀착성이 불충분한 경우에는 미리 수지의 표면을 화학적으로 조화해 두어도 된다. 도금 레지스트를 사용한 경우, 도금 후에 도금 레지스트를 제거한다. 다음으로, 무전해 도금부 또는 전해 도금부의 불필요 부분을 에칭에 의해 제거함으로써 회로를 형성한다.Suitably, the insulating
<제 2 실시형태>≪ Second Embodiment >
도 4 및 도 5 를 참조하여 제 2 실시형태에 대하여 설명한다. 도 4 는, 베이스 기재의 개략적인 단면도이다. 도 5 는, 베이스 기재의 양면 상에 빌드업층을 적층한 상태를 나타내는 개략적인 단면도이다. 본 실시형태에 있어서는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 판상 캐리어 (10) 의 하면 상에도 이형제층 (20), 프리프레그 (30) 를 순서로 적층한다. 이와 같은 경우에도 제 1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 본 구성의 경우, 도 5 에 모식적으로 나타내는 바와 같이 판상 캐리어 (10) 의 양면에 빌드업층 (110) 을 적층할 수 있고, 베이스 기재 (100) 의 이용 효율을 효과적으로 높일 수 있어, 결과적으로 다층 프린트 배선 기판의 제조 효율을 높일 수 있다.The second embodiment will be described with reference to Figs. 4 and 5. Fig. 4 is a schematic cross-sectional view of the base substrate. 5 is a schematic cross-sectional view showing a state in which buildup layers are laminated on both surfaces of a base substrate. In this embodiment, as shown in Fig. 4, the
또한, 판상 캐리어 (10) 의 양면에 첩부 (貼付) 되는 이형제층 (20) 의 두께는, 동일해도 되고, 상이해도 상관없다. 이 점은, 판상 캐리어 (10) 의 상층 및 하층에 배치되는 프리프레그 (30) 에 대해서도 동일하다. 베이스 기재 (100) 의 상층 및 하층에 형성되는 빌드업층 (110) 의 구성에 대해서도 동일하다.The thickness of the
<유용한 적층체에 대하여>≪ Useful laminate >
상기 서술한 설명으로부터 분명한 바와 같이, 본원에는 상기 서술한 베이스 기재의 제조에 사용되는 적층체도 개시되어 있으며, 상세하게는 다음과 같은 것이다.As is clear from the above description, the laminate used in the production of the above-described base substrate is also disclosed in the present invention, and the details thereof are as follows.
금속제 판상 캐리어의 적어도 하나의 주면 상에 이형제층이 적층된 적층체로서, A laminated body in which a release agent layer is laminated on at least one main surface of a metal plate carrier,
상기 이형제층이, 다음 식:Wherein the release agent layer has the following formula:
[화학식 9][Chemical Formula 9]
(식 중, R1 은 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2 는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이며, R3 및 R4 는 각각 독립적으로 할로겐 원자, 또는 알콕시기, 또는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이다.) (Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, and R 3 and R 4 are each independently a halogen atom or an alkoxy group or a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom.
에 나타내는 실란 화합물, 그 가수 분해 생성물, 그 가수 분해 생성물의 축합체를 단독으로 또는 복수 조합해서 사용하여 이루어지는, 적층체., The hydrolysis product thereof, and the condensation product of the hydrolysis product thereof, either singly or in combination.
금속제 판상 캐리어의 적어도 하나의 주면 상에 이형제층이 적층된 적층체로서, A laminated body in which a release agent layer is laminated on at least one main surface of a metal plate carrier,
상기 이형제층이, 분자 내에 2 개 이하의 메르캅토기를 갖는 화합물을 사용하여 이루어지는, 적층체.Wherein the release agent layer comprises a compound having two or less mercapto groups in the molecule.
금속제 판상 캐리어의 적어도 하나의 주면 상에 이형제층이 적층된 적층체로서, A laminated body in which a release agent layer is laminated on at least one main surface of a metal plate carrier,
상기 이형제층이, 다음 식:Wherein the release agent layer has the following formula:
[화학식 10][Chemical formula 10]
(식 중, R1 은 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2 는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이고, M 은 Al, Ti, Zr 중 어느 하나, n 은 0 또는 1 또는 2, m 은 1 이상 M 의 가수 이하의 정수이며, R1 중 적어도 하나는 알콕시기이다. 또한, m+n 은 M 의 가수 즉 Al 의 경우 3, Ti, Zr 의 경우 4 이다) (Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, and M M is at least one of Al, Ti and Zr, n is 0 or 1 or 2, m is an integer of at least 1 and not more than M, and at least one of R 1 is an alkoxy group. 3 for Ti and 4 for Zr)
에 나타내는 알루미네이트 화합물, 티타네이트 화합물, 지르코네이트 화합물, 이들의 가수 분해 생성물, 그 가수 분해 생성물의 축합체를 단독으로 또는 복수 조합해서 사용하여 이루어지는, 적층체., A titanate compound, a zirconate compound, a hydrolysis product thereof, and a condensate of the hydrolysis product thereof, either singly or in combination.
금속제 판상 캐리어의 적어도 하나의 주면 상에 이형제층이 적층된 적층체로서, A laminated body in which a release agent layer is laminated on at least one main surface of a metal plate carrier,
상기 이형제층이, 실리콘과, 에폭시계 수지, 멜라민계 수지 및 불소 수지에서 선택되는 어느 하나 또는 복수의 수지로 구성되는 수지 도막인, 적층체.Wherein the release agent layer is a resin coating film composed of one or a plurality of resins selected from silicon, an epoxy resin, a melamine resin and a fluororesin.
-실시예-- Example -
<실험예 1><Experimental Example 1>
압연 동박 (두께 70 ㎛) 을 준비하고, 그 양면에 대해, 하기의 조건에 의한 니켈-아연 (Ni-Zn) 합금 도금 처리 및 크로메이트 (Cr-Zn 크로메이트) 처리를 실시하고, 양면의 10 점 평균 조도 (Rz jis:JIS B 0601 (2001) 에 준거하여 측정) 를 1.5 ㎛ 로 하였다.A nickel-zinc (Ni-Zn) alloy plating treatment and a chromate (Cr-Zn chromate) treatment were performed on both surfaces of the rolled copper foil (thickness: 70 占 퐉) under the following conditions. And the roughness (Rz jis: measured in accordance with JIS B 0601 (2001)) was set to 1.5 탆.
(니켈-아연 합금 도금) (Nickel-zinc alloy plating)
Ni 농도 17 g/ℓ (NiSO4 로서 첨가) Ni concentration of 17 g / l (added as NiSO 4 )
Zn 농도 4 g/ℓ (ZnSO4 로서 첨가) Zn concentration 4 g / l (added as ZnSO 4 )
pH 3.1pH 3.1
액온 40 ℃
전류 밀도 0.1 ∼ 10 A/d㎡ Current density 0.1 to 10 A /
도금 시간 0.1 ∼ 10 초Plating time 0.1 ~ 10 seconds
(크로메이트 처리) (Chromate treatment)
Cr 농도 1.4 g/ℓ (CrO3 또는 K2CrO7 로서 첨가) Cr concentration 1.4 g / l (added as CrO 3 or K 2 CrO 7 )
Zn 농도 0.01 ∼ 1.0 g/ℓ (ZnSO4 로서 첨가) Zn concentration 0.01 to 1.0 g / l (added as ZnSO 4 )
Na2SO4 농도 10 g/ℓNa 2 SO 4 concentration 10 g / l
pH 4.8pH 4.8
액온 55 ℃ Solution temperature 55 ° C
전류 밀도 0.1 ∼ 10 A/d㎡ Current density 0.1 to 10 A /
도금 시간 0.1 ∼ 10 초Plating time 0.1 ~ 10 seconds
당해 동박 표면에 대한 이형제의 처리에 관해서는, 이형제의 수용액을 스프레이 코터를 사용하여 도포하고 나서, 100 ℃ 의 공기 중에서 동박 표면을 건조시켰다. 이형제의 사용 조건에 대해, 이형제의 종류, 이형제를 수중 (水中) 에 용해시키고 나서 도포하기 전까지의 교반 시간, 수용액 중의 이형제의 농도, 수용액 중의 알코올 농도, 수용액의 pH 를 도 6 의 표에 나타낸다.With respect to the treatment of the release agent against the surface of the copper foil, the aqueous solution of the release agent was applied using a spray coater, and then the copper foil surface was dried in air at 100 ° C. The conditions for the use of the release agent are shown in the table of FIG. 6, the type of the release agent, the stirring time after dissolving the release agent in water (water), the concentration of the release agent in the aqueous solution, the alcohol concentration in the aqueous solution and the pH of the aqueous solution.
이와 같이 하여 얻은, 이형제층이 부착된 동박의 양면에, 두께 200 ㎛ 의 프리프레그 (난야 플라스틱사 제조, FR-4 프리프레그) 를 핫 프레스에 의해 적층하여 베이스 기재를 얻었다. 핫 프레스 조건은 압력 30 ㎏/㎟, 온도 170 ℃, 유지 시간 100 분으로 하였다.A prepreg (FR-4 prepreg, manufactured by Nanya Plastic Co., Ltd.) having a thickness of 200 占 퐉 was laminated on both sides of the thus-obtained copper foil with the release agent layer by hot pressing to obtain a base substrate. The hot press conditions were a pressure of 30 kg /
다음으로, 베이스 기재의 양면에, 절연층으로서 프리프레그 (난야 플라스틱사 제조, FR-4 프리프레그, 두께 62 ㎛) 와, 배선층으로서 동박 (JX 닛코 닛세키 금속 주식회사 제조, JTC (제품명), 두께 12 ㎛) 을 핫 프레스에 의해 적층하여 빌드업층을 형성하였다. 핫 프레스 조건은 전술한 베이스 기재를 얻었을 때와 동일하다. 이렇게 하여 얻은 베이스 기재와 빌드업층으로 이루어지는 적층체에 대해 빌드업층 형성 등의 추가적인 가열 처리시에 열 이력이 가해지는 것을 상정하여, 도 6 에 나타내는 표에 기재된 조건 (여기서는, 220 ℃ 에서 3 시간) 의 열 처리를 실시하였다. 얻어진 적층체, 및 또한 열 처리를 실시한 후의 적층체에 있어서의, 베이스 기재와 빌드업층의 절연층과의 계면의 박리 강도를 측정하였다. 각각의 결과를 도 6 의 표에 나타낸다.Next, on both sides of the base substrate, a prepreg (FR-4 prepreg, thickness 62 占 퐉, manufactured by Nanya Plastic Co., Ltd.) as a dielectric layer and a copper foil (JTC (product name) manufactured by JX Nikkoseki Metal Co., 12 占 퐉) was laminated by hot pressing to form a buildup layer. The hot press conditions are the same as those in the case of obtaining the base substrate described above. The laminate composed of the base substrate and the buildup layer thus obtained was subjected to heat treatment under the conditions described in the table shown in Fig. 6 (here, at 220 캜 for 3 hours) on the assumption that thermal history was applied during additional heat treatment such as build- Was subjected to heat treatment. The peel strength at the interface between the base substrate and the insulating layer of the build-up layer in the obtained laminate and the laminate after heat treatment was measured. The results are shown in the table of Fig.
<실험예 2 ∼ 11><Experimental Examples 2 to 11>
도 6 의 표에 나타내는 동박, 수지 (프리프레그) 및 이형제를 사용하여, 실험예 1 과 동일한 순서로, 베이스 기재와 빌드업층으로 이루어지는 적층체를 제조하였다. 각각에 대해 실험예 1 과 동일한 평가를 실시하였다. 결과를 도 6 의 표에 나타낸다.Using a copper foil, a resin (prepreg) and a releasing agent shown in the table of Fig. 6, a laminate composed of a base substrate and a build-up layer was produced in the same manner as in Experimental Example 1. [ The same evaluation as in Experimental Example 1 was carried out for each. The results are shown in the table of Fig.
또, 실험예 11 에 있어서의 당해 S 면으로의 이형재 수지 도막의 형성은, 도 6 의 표에 나타낸 조성을 갖는 수지 도막용의 조성물을 그라비아 코트법에 의해 도포한 후, 독터 블레이드를 사용하여 그 두께를 2 ∼ 4 ㎛ 로 조절하였다. 또, 도포한 수지 도막은, 150 ℃ 에서, 30 초간 가열하여 베이킹 처리를 실시하였다. 또한, 도 6 의 표에서 나타낸 에폭시계 수지로는 비스페놀 A 형 에폭시 수지를 사용하고, 멜라민계 수지로는 메틸에테르화 멜라민 수지를 사용하고, 불소 수지로는 폴리테트라플루오로에틸렌을 사용하고, 디메틸실리콘 레진으로는 디메틸폴리실록산을 사용하였다.The release-molded resin coating film on the S-plane in Experimental Example 11 was formed by applying the resin coating composition having the composition shown in the table of Fig. 6 by the gravure coating method, Was adjusted to 2 to 4 탆. The applied resin coating film was baked at 150 캜 for 30 seconds. As the epoxy resin shown in the table of Fig. 6, a bisphenol A type epoxy resin was used. As the melamine resin, a methyl etherified melamine resin was used. As the fluororesin, polytetrafluoroethylene was used. Dimethylpolysiloxane was used as the silicone resin.
또한, 동박의 이형제 처리면의 종별, 표면 처리의 조건 및 표면 조도 Rz jis, 이형제의 사용 조건, 프리프레그의 종류, 그리고 동박과 프리프레그의 적층 조건은, 도 6 의 표에 나타낸 바와 같다.The type of the releasing agent-treated surface of the copper foil, the condition of the surface treatment and the surface roughness Rz jis, the use conditions of the release agent, the type of the prepreg, and the lamination conditions of the copper foil and the prepreg are as shown in the table of Fig.
도 6 의 표에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 ∼ 11 에 있어서 양호한 결과를 얻을 수 있었다. 실시예 1 ∼ 8, 10 에 있어서 보다 양호한 결과를 얻을 수 있었다. 실시예 1, 2, 5 ∼ 7 에 있어서 특히 양호한 결과를 얻을 수 있었다. 또한, 박리 작업성의 평가에 있어서는, 수지층인 이형제층이 파괴되지 않고, 베이스 기재 (100) 로부터 빌드업층 (110) 을 박리할 수 있었던 것을 「G」 로 나타내었다. 이형제층이 파괴되지 않고, 베이스 기재 (100) 로부터 빌드업층 (110) 을 박리할 수 있었지만, 10 회 중 4 회 이상의 확률로 박리 조작없이 박리되어 버린 것을 「-」 로 나타내었다. 이형제층이 파괴되고, 혹은 베이스 기재 (100) 로부터 빌드업층 (110) 을 박리할 수 없는 것을 「N」 으로 나타내었다.As shown in the table of Fig. 6, good results were obtained in Examples 1 to 11. In Examples 1 to 8 and 10, better results were obtained. Particularly good results were obtained in Examples 1, 2 and 5 to 7. In the evaluation of the peeling workability, "G" indicates that the release agent layer as the resin layer was not destroyed and the build-
(실시예 12) (Example 12)
실시예 1 ∼ 11 과 동일한 베이스 기재의 양측에, FR-4 프리프레그 (난야 플라스틱사 제조), 동박 (JX 닛코 닛세키 금속 (주) 제조, JTC 12 ㎛ (제품명)) 을 순서로 겹치고, 3 ㎫ 의 압력으로 소정의 가열 조건으로 핫 프레스를 실시하고, 4 층 구리 피복 적층판을 제조하였다.FR-4 prepreg (manufactured by Nanya Plastic Company) and copper foil (manufactured by JX Nikkoseki Metal Co., Ltd.,
다음으로, 상기 4 층 구리 피복 적층판 표면의 동박과 그 아래의 절연층 (경화한 프리프레그) 을 관통하는 직경 100 ㎛ 의 구멍을 레이저 가공기를 사용하여 뚫었다. 계속해서, 상기 구멍의 저부에 노출된 캐리어 부착 동박 상의 동박 표면과, 상기 구멍의 측면, 상기 4 층 구리 피복 적층판 표면의 동박 상에 무전해 구리 도금, 전기 구리 도금에 의해 구리 도금을 실시하고, 캐리어 부착 동박 상의 동박과, 4 층 구리 피복 적층판 표면의 동박 사이에 전기적 접속을 형성하였다. 다음으로, 4 층 구리 피복 적층판 표면의 동박의 일부를 염화 제2철계의 에칭액을 사용하여 에칭하고, 회로를 형성하였다. 이와 같이 하여, 4 층 빌드업 기판을 얻었다.Next, holes having a diameter of 100 mu m penetrating through the copper foil on the surface of the four-layer copper-clad laminate and the insulating layer (cured prepreg) beneath the copper foil were drilled using a laser processor. Subsequently, copper plating was carried out on the surface of the copper foil on the carrier-bonded copper foil exposed on the bottom of the hole, on the side of the hole, on the copper foil on the surface of the four-layer copper- clad laminate, by electroless copper plating or electro- An electrical connection was formed between the copper foil on the copper foil with a carrier and the copper foil on the surface of the copper foil laminate. Next, a part of the copper foil on the surface of the four-layer copper-clad laminate was etched using a ferric chloride-based etchant to form a circuit. Thus, a four-layer buildup substrate was obtained.
계속해서, 상기 4 층 빌드업 기판에 있어서, 상기 베이스 기재의 판상 캐리어와 그 양면의 프리프레그를 박리하여 분리함으로써, 2 세트의 2 층 빌드업 배선판을 얻었다. 박리도 양호하게 실시할 수 있었다.Subsequently, in the four-layer build-up substrate, the plate-like carrier of the base substrate and the prepregs on both sides thereof were separated and separated to obtain two sets of two-layer build-up wiring boards. Peeling could be performed well.
상기 서술한 교시를 고려하면, 당업자라면, 각 실시형태에 대해 다양한 변경을 할 수 있다. 판상 캐리어의 주면은, 전형적으로는 그 상면 혹은 하면이다.In view of the above teachings, those skilled in the art can make various modifications to the embodiments. The major surface of the plate-like carrier is typically the upper surface or the lower surface.
100 : 베이스 기재
10 : 판상 캐리어
20 : 이형제층
30 : 프리프레그
110 : 빌드업층100: base substrate
10: plate carrier
20: Release agent layer
30: prepreg
110: buildup layer
Claims (38)
상기 베이스 기재의 상기 수지층 상에 1 층 이상의 빌드업층을 적층하는 제 2 공정을 포함하는 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.A first step of preparing a base substrate having a resin layer laminated on at least one main surface of a metal plate carrier through a release agent layer;
And a second step of laminating one or more buildup layers on the resin layer of the base substrate.
상기 판상 캐리어의 기판 두께가, 5 ㎛ 이상 1600 ㎛ 이하인, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the substrate thickness of the plate-like carrier is not less than 5 占 퐉 and not more than 1600 占 퐉.
상기 판상 캐리어와 상기 수지층간의 박리 강도가, 10 gf/㎝ 이상 200 gf/㎝ 이하인, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the peel strength between the plate-like carrier and the resin layer is not less than 10 gf / cm and not more than 200 gf / cm.
220 ℃에서 3 시간, 6 시간 또는 9 시간 중 적어도 하나의 가열 후에 있어서의, 상기 판상 캐리어와 상기 수지층간의 박리 강도가, 10 gf/㎝ 이상 200 gf/㎝ 이하인, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the peel strength between the plate-like carrier and the resin layer is not less than 10 gf / cm and not more than 200 gf / cm after heating at 220 ° C for at least 3 hours, 6 hours, or 9 hours .
상기 빌드업층이 적층된 상기 수지층과 상기 판상 캐리어를 분리하는 제 3 공정을 추가로 포함하는, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Further comprising a third step of separating the resin layer on which the buildup layer is laminated and the plate-shaped carrier.
상기 제 3 공정에 의해 얻어진 상기 다층 프린트 배선 기판 상에 상기 제 1 수지층과는 상이한 제 2 수지층, 및 추가적인 빌드업층을 적층하는 제 4 공정을 추가로 포함하는, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to claim 5, wherein the resin layer is a first resin layer,
Further comprising a fourth step of laminating a second resin layer different from the first resin layer and an additional buildup layer on the multilayer printed wiring board obtained by the third step .
상기 수지층이, 프리프레그인, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the resin layer is a prepreg.
상기 수지층은, 120 ∼ 320 ℃ 의 유리 전이 온도 Tg 를 갖는, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the resin layer has a glass transition temperature Tg of 120 to 320 캜.
상기 빌드업층이, 1 이상의 절연층과 1 이상의 배선층을 포함하는, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the build-up layer comprises at least one insulating layer and at least one wiring layer.
상기 빌드업층에 포함되는 1 이상의 배선층이, 패터닝된 혹은 패터닝되어 있지 않은 금속박인, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein at least one wiring layer included in the build-up layer is a patterned or non-patterned metal foil.
상기 빌드업층에 포함되는 1 이상의 절연층이, 프리프레그인, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.11. The method according to any one of claims 1 to 10,
Wherein at least one insulating layer included in the buildup layer is a prepreg.
상기 빌드업층이, 편면 혹은 양면 금속 피복 적층판을 포함하는, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.12. The method according to any one of claims 1 to 11,
Wherein the build-up layer comprises a single-sided or double-sided metal clad laminate.
상기 빌드업층이, 서브트랙티브법 또는 풀 애디티브법 또는 세미 애디티브법 중 적어도 일방을 이용하여 형성되는, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.13. The method according to any one of claims 1 to 12,
Wherein the build-up layer is formed using at least one of a subtractive method, a pull additive method, and a semi-additive method.
상기 베이스 기재 상에 상기 빌드업층이 적층한 적층체에 대해 다이싱 처리를 실시하는 제 5 공정을 추가로 포함하는, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.14. The method according to any one of claims 1 to 13,
Further comprising a fifth step of performing a dicing process on the laminate having the buildup layer laminated on the base substrate.
상기 다이싱 처리에 의해, 상기 베이스 기재 상에 상기 빌드업층이 적층한 상기 적층체에는 1 이상의 홈이 형성되고, 당해 홈에 의해 상기 빌드업층이 개편화 (個片化) 가능한, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.15. The method of claim 14,
Wherein at least one groove is formed in the laminate having the build-up layer laminated on the base substrate by the dicing process, and the build-up layer is divided into individual pieces by the groove, ≪ / RTI >
상기 빌드업층에 포함되는 1 이상의 절연층에 대해 비아 배선을 형성하는 제 6 공정을 추가로 포함하는, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.16. The method according to any one of claims 1 to 15,
Further comprising a sixth step of forming a via wiring with respect to at least one insulating layer included in the buildup layer.
상기 이형제층이, 다음 식:
[화학식 1]
(식 중, R1 은 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2 는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이며, R3 및 R4 는 각각 독립적으로 할로겐 원자, 또는 알콕시기, 또는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이다.)
에 나타내는 실란 화합물, 그 가수 분해 생성물, 그 가수 분해 생성물의 축합체를 단독으로 또는 복수 조합해서 사용하여 이루어지는, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.17. The method according to any one of claims 1 to 16,
Wherein the release agent layer has the following formula:
[Chemical Formula 1]
(Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, and R 3 and R 4 are each independently a halogen atom or an alkoxy group or a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom.
, The hydrolysis product thereof, and the condensation product of the hydrolysis product thereof are used singly or in combination.
상기 이형제층이, 분자 내에 2 개 이하의 메르캅토기를 갖는 화합물을 사용하여 이루어지는, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.17. The method according to any one of claims 1 to 16,
Wherein the release agent layer comprises a compound having two or less mercapto groups in the molecule.
상기 이형제층이, 다음 식:
[화학식 2]
(식 중, R1 은 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2 는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이고, M 은 Al, Ti, Zr 중 어느 하나, n 은 0 또는 1 또는 2, m 은 1 이상 M 의 가수 이하의 정수이며, R1 중 적어도 하나는 알콕시기이다. 또한, m+n 은 M 의 가수 즉 Al 의 경우 3, Ti, Zr 의 경우 4 이다)
에 나타내는 알루미네이트 화합물, 티타네이트 화합물, 지르코네이트 화합물, 이들의 가수 분해 생성물, 그 가수 분해 생성물의 축합체를 단독으로 또는 복수 조합해서 사용하여 이루어지는, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.17. The method according to any one of claims 1 to 16,
Wherein the release agent layer has the following formula:
(2)
(Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, and M M is at least one of Al, Ti and Zr, n is 0 or 1 or 2, m is an integer of at least 1 and not more than M, and at least one of R 1 is an alkoxy group. 3 for Ti and 4 for Zr)
, A titanate compound, a zirconate compound, a hydrolysis product thereof, and a condensate of the hydrolysis product thereof, either singly or in combination.
이형제층이, 실리콘과, 에폭시계 수지, 멜라민계 수지 및 불소 수지에서 선택되는 어느 하나 또는 복수의 수지로 구성되는 수지 도막인, 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.17. The method according to any one of claims 1 to 16,
Wherein the release agent layer is a resin coating film composed of any one or a plurality of resins selected from silicon, an epoxy resin, a melamine resin and a fluororesin.
상기 판상 캐리어가 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.21. The method according to any one of claims 1 to 20,
Wherein the plate-like carrier is made of copper or a copper alloy.
상기 배선층이 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 다층 프린트 배선 기판의 제조 방법.22. The method according to any one of claims 1 to 21,
Wherein the wiring layer is made of copper or a copper alloy.
금속제 판상 캐리어와,
상기 판상 캐리어의 적어도 하나의 주면 상에 형성된 이형제층과,
상기 이형제층을 개재하여 상기 판상 캐리어 상에 적층한 수지층을 구비하고,
상기 수지층과 상기 판상 캐리어가 박리 가능한, 베이스 기재.A base substrate for use in a method of manufacturing a multilayer printed wiring board,
A metal plate carrier,
A release agent layer formed on at least one main surface of the plate-like carrier,
And a resin layer laminated on the plate-like carrier via the release agent layer,
Wherein the resin layer and the plate-like carrier are peelable.
상기 판상 캐리어의 기판 두께가, 5 ㎛ 이상 1600 ㎛ 이하인, 베이스 기재.25. The method of claim 24,
Wherein a thickness of the substrate of the plate-like carrier is 5 占 퐉 or more and 1600 占 퐉 or less.
상기 판상 캐리어와 상기 수지층간의 박리 강도가, 10 gf/㎝ 이상 200 gf/㎝ 이하인, 베이스 기재.26. The method according to claim 24 or 25,
Wherein the peel strength between the plate-like carrier and the resin layer is 10 gf / cm or more and 200 gf / cm or less.
220 ℃ 에서 3 시간, 6 시간 또는 9 시간 중 적어도 하나의 가열 후에 있어서의, 상기 판상 캐리어와 상기 수지층간의 박리 강도가, 10 gf/㎝ 이상 200 gf/㎝ 이하인, 베이스 기재.27. The method according to any one of claims 24 to 26,
Wherein the peel strength between the plate-like carrier and the resin layer after heating at 220 占 폚 for at least 3 hours, 6 hours, or 9 hours is 10 gf / cm or more and 200 gf / cm or less.
상기 판상 캐리어가 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 베이스 기재.28. The method according to any one of claims 24 to 27,
Wherein the plate-like carrier is made of copper or a copper alloy.
상기 수지층이 프리프레그로 이루어지는 베이스 기재.29. The method according to any one of claims 24 to 28,
Wherein the resin layer comprises a prepreg.
상기 이형제층이, 다음 식:
[화학식 3]
(식 중, R1 은 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2 는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이며, R3 및 R4 는 각각 독립적으로 할로겐 원자, 또는 알콕시기, 또는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이다.)
에 나타내는 실란 화합물, 그 가수 분해 생성물, 그 가수 분해 생성물의 축합체를 단독으로 또는 복수 조합해서 사용하여 이루어지는, 베이스 기재.30. The method according to any one of claims 24 to 29,
Wherein the release agent layer has the following formula:
(3)
(Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, and R 3 and R 4 are each independently a halogen atom or an alkoxy group or a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom.
, A hydrolysis product thereof, and a condensate of the hydrolysis product thereof, either singly or in combination.
상기 이형제층이, 분자 내에 2 개 이하의 메르캅토기를 갖는 화합물을 사용하여 이루어지는, 베이스 기재.30. The method according to any one of claims 24 to 29,
Wherein the release agent layer comprises a compound having two or less mercapto groups in the molecule.
상기 이형제층이, 다음 식:
[화학식 4]
(식 중, R1 은 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2 는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이고, M 은 Al, Ti, Zr 중 어느 하나, n 은 0 또는 1 또는 2, m 은 1 이상 M 의 가수 이하의 정수이며, R1 중 적어도 하나는 알콕시기이다. 또한, m+n 은 M 의 가수 즉 Al 의 경우 3, Ti, Zr 의 경우 4 이다)
에 나타내는 알루미네이트 화합물, 티타네이트 화합물, 지르코네이트 화합물, 이들의 가수 분해 생성물, 그 가수 분해 생성물의 축합체를 단독으로 또는 복수 조합해서 사용하여 이루어지는, 베이스 기재.30. The method according to any one of claims 24 to 29,
Wherein the release agent layer has the following formula:
[Chemical Formula 4]
(Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, and M M is at least one of Al, Ti and Zr, n is 0 or 1 or 2, m is an integer of at least 1 and not more than M, and at least one of R 1 is an alkoxy group. 3 for Ti and 4 for Zr)
, A titanate compound, a zirconate compound, a hydrolysis product thereof, and a condensate of the hydrolysis product thereof, either singly or in combination.
이형제층이, 실리콘과, 에폭시계 수지, 멜라민계 수지 및 불소 수지에서 선택되는 어느 하나 또는 복수의 수지로 구성되는 수지 도막인, 베이스 기재.30. The method according to any one of claims 24 to 29,
Wherein the release agent layer is a resin coating film composed of one or a plurality of resins selected from silicon, an epoxy resin, a melamine resin and a fluororesin.
상기 이형제층이, 다음 식:
[화학식 5]
(식 중, R1 은 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2 는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이며, R3 및 R4 는 각각 독립적으로 할로겐 원자, 또는 알콕시기, 또는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이다.)
에 나타내는 실란 화합물, 그 가수 분해 생성물, 그 가수 분해 생성물의 축합체를 단독으로 또는 복수 조합해서 사용하여 이루어지는, 적층체.A laminated body in which a release agent layer is laminated on at least one main surface of a metal plate carrier,
Wherein the release agent layer has the following formula:
[Chemical Formula 5]
(Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, and R 3 and R 4 are each independently a halogen atom or an alkoxy group or a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom.
, The hydrolysis product thereof, and the condensation product of the hydrolysis product thereof, either singly or in combination.
상기 이형제층이, 분자 내에 2 개 이하의 메르캅토기를 갖는 화합물을 사용하여 이루어지는, 적층체.A laminated body in which a release agent layer is laminated on at least one main surface of a metal plate carrier,
Wherein the release agent layer comprises a compound having two or less mercapto groups in the molecule.
상기 이형제층이, 다음 식:
[화학식 6]
(식 중, R1 은 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2 는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄화수소기이거나, 1 개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 이들 어느 것의 탄화수소기이고, M 은 Al, Ti, Zr 중 어느 하나, n 은 0 또는 1 또는 2, m 은 1 이상 M 의 가수 이하의 정수이며, R1 중 적어도 하나는 알콕시기이다. 또한, m+n 은 M 의 가수 즉 Al 의 경우 3, Ti, Zr 의 경우 4 이다)
에 나타내는 알루미네이트 화합물, 티타네이트 화합물, 지르코네이트 화합물, 이들의 가수 분해 생성물, 그 가수 분해 생성물의 축합체를 단독으로 또는 복수 조합해서 사용하여 이루어지는, 적층체.A laminated body in which a release agent layer is laminated on at least one main surface of a metal plate carrier,
Wherein the release agent layer has the following formula:
[Chemical Formula 6]
(Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, and M M is at least one of Al, Ti and Zr, n is 0 or 1 or 2, m is an integer of at least 1 and not more than M, and at least one of R 1 is an alkoxy group. 3 for Ti and 4 for Zr)
, A titanate compound, a zirconate compound, a hydrolysis product thereof, and a condensate of the hydrolysis product thereof, either singly or in combination.
상기 이형제층이, 실리콘과, 에폭시계 수지, 멜라민계 수지 및 불소 수지에서 선택되는 어느 하나 또는 복수의 수지로 구성되는 수지 도막인, 적층체.A laminated body in which a release agent layer is laminated on at least one main surface of a metal plate carrier,
Wherein the release agent layer is a resin coating film composed of one or a plurality of resins selected from silicon, an epoxy resin, a melamine resin and a fluororesin.
상기 판상 캐리어가 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 기재된 적층체.37. The method according to any one of claims 34 to 37,
Wherein the plate-like carrier is made of copper or a copper alloy.
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