KR20150049967A - 파워모듈 패키지 - Google Patents

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박성근
주용휘
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Abstract

본 발명은 파워모듈 패키지에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 파워모듈 패키지는 홀이 형성된 금속기판, 상기 홀에 금속기판의 재질보다 열전도도가 높은 금속을 충진하여 형성된 내부방열부, 상기 금속기판의 일면에 구비된 리드 프레임, 상기 금속기판의 일면에 실장되며, 리드 프레임과 전기적으로 연결된 반도체 다이 및 상기 금속기판에 구비되며, 일단은 내부방열부에 연결되고, 타단은 반도체 다이가 실장된 금속기판의 일면에 연결된 히트 스프레드를 포함한다. 따라서 상기 히트 스프레드가 반도체 다이에서 발생한 열을 외부로 신속하게 전달하여 방열함으로써, 열 방출을 극대화할 수 있는 효과가 있다.

Description

파워모듈 패키지{POWER MODULE PACKAGE}
본 발명은 파워모듈 패키지에 관한 것이다.
본 발명과 관련된 파워모듈은 (특허문헌 1)에서 개시하고 있다. 상기 (특허문헌 1)에 따르면, 파워모듈은 반도체소자, 금속 절연판 및 리드 프레임을 포함하고 있으며, 상기 리드 프레임에 반도체소자를 실장하고, 본딩 와이어를 통해 전기적으로 연결하여 구성하고 있다.
한편 상기 (특허문헌 1)을 포함하여 통상적인 파워모듈에서 사용하는 반도체소자는 논리소자 또는 메모리소자와 같은 저전력 반도체 칩과 달리 고전압에서 동작하므로, 상기 반도체소자로부터 발생하는 열의 우수한 방출능력이 요구되고 있다.
따라서 상기 (특허문헌 1)은 금속 절연판을 금속의 히트 싱크(Heat sink) 위에 고착한 후 상기 금속 절연판에 리드 프레임과 반도체소자를 실장하고, 본딩 와이어(Bonding wire)를 통해 전기적으로 연결하여 상기 반도체소자에서 발생하는 열을 방출하고 있다.
그러나 상기 (특허문헌 1)을 포함하여 종래기술에서 개시하고 있는 파워모듈은 내부의 반도체소자와 외부의 히트 싱크 사이에 갭(Gap)이 존재하여 상기 반도체소자에서 발생한 열이 상기 히트 싱크에 신속하게 전달되지 않는, 즉 열전도도가 저하되는 문제점이 있다.
JP 2003-124400 A
본 발명은 (특허문헌 1)을 포함하여 종래기술의 구조하에서 발생하고 있는 열전도도의 저하를 해결하기 위한 것이다.
본 발명의 관점은, 파워모듈의 내부에서 발생한 열을 외부로 용이하게 전달하여 방열할 수 있도록 한 파워모듈 패키지를 제공하는 데 있다.
상기 관점을 달성하기 위해,
본 발명의 실시 예에 따른 파워모듈 패키지는 홀이 형성된 금속기판;
상기 홀에 금속기판의 재질보다 열전도도가 높은 금속을 충진하여 형성된 내부방열부;
상기 금속기판의 일면에 구비된 리드 프레임;
상기 금속기판의 일면에 실장되며, 리드 프레임과 전기적으로 연결된 반도체 다이; 및
상기 금속기판에 구비되며, 일단은 내부방열부에 연결되고, 타단은 반도체 다이가 실장된 금속기판의 일면에 연결된 히트 스프레드;
를 포함한다.
또한 본 발명의 실시 예에 따른 파워모듈 패키지에 있어서, 상기 금속기판은 홀이 배열 형성될 수 있다.
또한 본 발명의 실시 예에 따른 파워모듈 패키지에 있어서, 상기 금속기판은 세라믹플레이트의 표면에 구리플레이트를 소결한 DBC기판으로 구성될 수 있다.
또한 본 발명의 실시 예에 따른 파워모듈 패키지에 있어서, 상기 내부방열부는 텅스텐, 몰리브덴을 포함하는 금속을 홀에 충진하여 형성될 수 있다.
또한 본 발명의 실시 예에 따른 파워모듈 패키지에 있어서, 상기 히트 스프레드는 내부방열부 및 금속기판에 솔더링으로 연결될 수 있다.
또한 본 발명의 실시 예에 따른 파워모듈 패키지에 있어서, 상기 금속기판의 외부에 구비되며, 히트 싱크를 포함하는 외부방열부;
를 더 포함할 수 있다.
이러한 해결 수단들은 첨부된 도면에 의거한 다음의 발명의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
이에 앞서, 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 파워모듈 패키지를 나타내 보인 단면도.
도 2 내지 4는 본 발명의 실시 예에 따른 파워모듈 패키지의 제조과정을 순차적으로 나타내 보인 단면도.
본 발명의 특이한 관점, 특정한 기술적 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어 지는 이하의 구체적인 내용과 실시 예로부터 더욱 명백해 질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한 "제1", "제2", "일면", "타면" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지기술에 대한 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 파워모듈 패키지는 홀(Hole)이 형성된 금속기판, 상기 홀에 금속기판의 재질보다 열전도도가 높은 금속을 충진하여 형성된 내부방열부, 상기 금속기판의 일면에 구비된 리드 프레임(Lead frame), 상기 금속기판의 일면에 실장되며, 리드 프레임과 전기적으로 연결된 반도체 다이(Die) 및 상기 금속기판에 구비되며, 일단은 내부방열부에 연결되고, 타단은 반도체 다이가 실장된 금속기판의 일면에 연결된 히트 스프레드(Heat Spread)를 포함한다.
여기서 상기 반도체 다이는 전력소자, 일례로써, 실리콘 제어 정류기(silicon-controlled rectifier; SCR), 전력 트랜지스터, 절연된 게이트 바이폴라 트랜지스터(insulated-gate bipolar transistor; IGBT), 모스 트랜지스터, 전력 정류기, 전력레귤레이터, 인버터, 컨버터 또는 이들이 조합된 고전력 반도체칩으로써, 통상 30V 내지 1000V 또는 그 이상의 전압에서 동작하도록 설계되고 있어 열의 우수한 방출능력이 요구되고 있다.
따라서 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 히트 스프레드가 반도체 다이에서 발생한 열을 내부방열부를 이용하여 외부로 전달하여 방열함으로써, 파워모듈에서 요구되고 있는 열 방출을 극대화할 수 있는 효과가 있다.
상기 금속기판은 반도체 다이가 실장되고, 또한 상기 반도체 다이와 전기적으로 연결되는 리드 프레임이 구비되는 그린시트로써, 용이한 방열을 위해 금속재질로 형성된다. 일례로써, 상기 금속기판은 세라믹플레이트(Ceramic plate)에 구리플레이트(Copper plate)를 열과 압력으로 소결하여 접합(Attach)함으로써, 파워모듈에서 요구하는 방열특성 및 열전도도 특성이 뛰어난 DBC(Direct Bonded Copper)기판을 이용 가능하다.
이러한 DBC(Direct Bonded Copper)기판을 이용한 파워모듈 제작시에는 세라믹플레이트에 하나의 홀(Hole)을 형성하거나 다수의 홀을 배열 형성한 후 상기 홀에 세라믹보다 열전도도가 높은 금속재료, 즉 일례로써, 텅스텐, 몰리브덴 등의 금속을 충진하여 내부방열부를 형성하게 된다.
상기 히트 스프레드는 파워모듈의 내부에서 발생한 반도체 다이의 열을 파워모듈의 외부로 신속하게 전달하여 방열시키기 위한 일종의 매개체로써, 이를 위해 상기 히트 스프레드의 일단은 상기 반도체 다이에 연결되고, 타단은 내부방열부에 연결되는 것이다.
한편 본 발명의 일 실시 예에 따른 파워모듈 패키지는 상기 히트 스프레드를 통해 전달된 반도체 다이의 열을 더욱 용이하게 방열할 수 있도록 외부방열부를 더 포함하며, 이는 통상의 히트 싱크(Heat sink)를 금속기판의 외부에 부착하여 구성 가능하다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1에서 보듯이, 금속기판(10)은 세라믹플레이트(11)의 도면상 위,아래에 구리플레이트(Cu Plate)를 소결하여 접합한 DBC(Direct Bonded Copper)기판을 채택하고, 상기 DBC기판의 세라믹플레이트(11)에 홀(10a)을 형성하게 된다. 여기서 용이한 설명 및 이해를 돕고자 상기 세라믹플레이트(11)의 위,아래에 배치되는 구리플레이트를 이하에서는 제1,2 구리플레이트(12)(13)로 지칭함을 밝혀둔다.
상기 금속기판(10)의 상부에는 반도체 다이(30)가 제1 구리플레이트(12)에 실장되어 본딩 와이어(31)를 통해 리드 프레임(40)과 전기적으로 연결된다. 이때 상기 반도체 다이(30)는 복수로 실장될 수 있으며, 이 경우 상기 본딩 와이어(31)를 통해 서로 전기적으로 연결된다.
한편 내부방열부(20)는 세라믹플레이트(11)에 형성된 홀(10a)에 텅스텐 또는 몰리브덴을 충진하여 형성되며, 금속분말 형태 등으로 충진 가능하다. 이러한 내부방열부(20)와 일단이 연결되는 히트 스프레드(50)는 타단이 제1 구리플레이트(12)의 상면에 연결됨으로써, 일 방향으로 중간부가 굴절된 'ㄱ'자로 단면이 형성된다.
상기 히트 스프레드(50)는 솔더링(Soldering)을 통해 각 일단이 내부방열부(20)와 제1 구리플레이트(12)에 연결하되, 쇼트(Short) 등의 발생을 방지할 수 있도록 반도체 다이(30)와는 이격 배치된다. 또한 이러한 히트 스프레드(50)가 내부방열부(20)와 제1 구리플레이트(12)에 각각 연결되도록 상기 제1 구리플레이트(12)에는 일종의 통로로써 개구부(12a)가 형성된다.
여기서 본 발명의 실시 예에 따른 파워모듈 패키지는 다음과 같은 공정에 의해 진행 가능하다.
도 2 내지 4에서 보듯이, 본 발명의 실시 예에 따른 파워모듈 패키지는 세라믹플레이트(11)에 하나 또는 다수의 홀(10a)을 형성한 후 상기 홀(10a)에 텅스텐, 몰리브덴을 포함하는 금속을 충진하여 내부방열부(20)를 형성하게 된다. 그리고 이러한 세라믹플레이트(11)의 상부와 하부의 표면에 제1,2 구리플레이트(12)(13)를 열과 압력으로 소결하여 접합(Attach)한 후 패턴형성, 에칭 및 도금의 순서로 공정을 진행하게 된다.
이와 같은 공정의 진행이 완료되면, 상기 제1 구리플레이트(12)에 반도체 다이(30), 리드 프레임(40) 및 히트 스프레드(50)를 접합(Attach)하는 어셈블리(Assembly) 공정을 진행하게 된다.
또한 이러한 어셈블리 공정의 진행이 완료되면, 금형을 이용하여 금속기판(10), 반도체 다이(30) 및 히트 스프레드(50)를 봉지(Encapsulation)하여 형성되는 수지몰드부(EMC)를 형성하게 되는데, 이때 상기 수지몰드부(60)의 외부로 노출되는 금속기판(10)에 통상의 히트 싱크를 부착함으로써, 외부방열부(51)를 구성할 수 있게 된다. 따라서 본 발명의 실시 예에 따른 파워모듈 패키지는 상기 외부방열부(51), 내부방열부(20) 및 히트 스프레드(50)의 연계성에 의한 열 방출을 더욱 극대화할 수 있게 된다.
한편 본 발명의 실시 예에 따른 파워모듈 패키지는 일례로써, 에어컨, 세탁기, 냉장고 등의 가전기기에 채용되어 운용되고 있으며, 이는 가혹한 여건에서도 생존할 수 있는 방열 관련 높은 신뢰성을 담보하고 있기 때문이다.
이상 본 발명을 실시 예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 파워모듈 패키지는 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다고 할 것이다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
10 - 금속기판 10a - 홀
11 - 세라믹플레이트 12 - 제1 구리플레이트
12a - 개구부 13 - 제2 구리플레이트
20 - 내부방열부 30 - 반도체 다이
31 - 본딩 와이어 40 - 리드 프레임
50 - 히트 스프레드 51 - 외부방열부
60 - 수지몰드부

Claims (6)

  1. 홀(Hole)이 형성된 금속기판;
    상기 홀에 금속기판의 재질보다 열전도도가 높은 금속을 충진하여 형성된 내부방열부;
    상기 금속기판의 일면에 구비된 리드 프레임(Lead frame);
    상기 금속기판의 일면에 실장되며, 리드 프레임과 전기적으로 연결된 반도체 다이(Die); 및
    상기 금속기판에 구비되며, 일단은 내부방열부에 연결되고, 타단은 반도체 다이가 실장된 금속기판의 일면에 연결된 히트 스프레드(Heat spread);
    를 포함하는 파워모듈 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속기판은 홀이 배열 형성된 파워모듈 패키지.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속기판은 세라믹플레이트의 표면에 구리플레이트(Cu Plate)를 소결한 DBC(Direct Bonded Copper)기판으로 구성된 파워모듈 패키지.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 내부방열부는 텅스텐, 몰리브덴을 포함하는 금속을 홀에 충진하여 형성된 파워모듈 패키지.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 히트 스프레드는 내부방열부 및 금속기판에 솔더링(Soldering)으로 연결된 파워모듈 패키지.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속기판의 외부에 구비되며, 히트 싱크(Heat sink)를 포함하는 외부방열부;
    를 더 포함하는 파워모듈 패키지.
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WO2020122482A1 (ko) * 2018-12-11 2020-06-18 주식회사 아모센스 반도체 패키지 부품, rf 트랜지스터용 베이스 기판 및 이의 제조방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020122482A1 (ko) * 2018-12-11 2020-06-18 주식회사 아모센스 반도체 패키지 부품, rf 트랜지스터용 베이스 기판 및 이의 제조방법
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