KR20150035214A - 기판 적층체, 이를 포함하는 전자 소자 및 이의 제조방법 - Google Patents
기판 적층체, 이를 포함하는 전자 소자 및 이의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 명세서는 기판 적층체, 이를 포함하는 전자 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 명세서는 기판 적층체, 이를 포함하는 전자 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
액정소자, 전자 잉크 소자, 유기발광소자(OLED) 등을 사용한 디스플레이 장치 및 조명 장치가 널리 사용되고 있거나 시장에 등장하고 있으며, 유기 또는 무기 재료를 사용한 태양광 장치도 무공해 에너지 생산에 사용되고 있다.
이런 장치들을 구성하는 전자 소자와 금속 배선들은 수분, 산소 등과 같은 생활 환경에 널리 존재하는 화학 물질에 취약하여 변성 또는 산화되므로 이들 물질들이 상기 장치 내부에 존재하는 전자 소자에 접근하지 못하도록 차단하는 것이 매우 중요하다.
본 명세서는 기판 적층체, 이를 포함하는 전자 소자 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 명세서는 플라스틱 기판 상에 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자층을 형성하는 단계; 및
상기 고분자층이 형성된 플라스틱 기판 상에 원자층 증착법으로 금속막 또는 금속산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것인 기판 적층체의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 명세서는 상기 방법으로 제조된 기판 적층체 상에 제1 전극, 1 이상의 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광부를 형성하는 단계를 포함하는 전자 소자의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 명세서는 플라스틱 기판; 상기 플라스틱 기판 상에 구비된 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자층; 및 상기 고분자층 상에 구비된 금속막 또는 금속산화막을 포함하는 기판 적층체를 제공한다.
또한, 본 명세서는 상기 방법으로 제조된 기판 적층체; 및
상기 기판 적층체 상에 제1 전극, 1 이상의 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광부를 포함하는 것인 전자 소자를 제공한다.
또한, 본 명세서는 상기 전자 소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
또한, 본 명세서는 상기 전자 소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 기판 적층체는 기판 상에 형성된 금속막 또는 금속산화막이 균일하고, 안정적인 장점이 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 기판 적층체는 수분, 산소 등을 차단하는 배리어 성능이 뛰어난 장점이 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 기판 적층체의 구조이다.
도 2는 본 명세서의 다른 실시상태에 따른 기판 적층체의 구조이다.
도 2는 본 명세서의 다른 실시상태에 따른 기판 적층체의 구조이다.
이하에서 본 명세서에 대하여 상세히 설명한다.
본 명세서는 플라스틱 기판 상에 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자층을 형성하는 단계; 및
상기 고분자층이 형성된 플라스틱 기판 상에 원자층 증착법으로 금속막 또는 금속산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것인 기판 적층체의 제조방법을 제공한다.
상기 고분자층은 스퍼터링법, 웨트 코트법 또는 화학기상증착법의 방법으로 형성될 수 있다.
상기 고분자층을 형성하는 단계에서는, 상기 플라스틱 기판 상에 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자 또는 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 단량체를 이용하여 고분자층을 형성할 수 있다.
상기 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자는 히드록시기를 갖는 고분자, 아민기를 갖는 고분자 또는 히드록시기 및 아민기를 갖는 고분자일 수 있다.
상기 고분자층은 하나의 모노머로 중합된 중합체를 이용하여 제조되거나, 2 이상의 모노머로 중합된 공중합체를 이용하여 제조될 수 있다.
상기 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 단량체는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있으며, 이 경우 n은 1 내지 5일 수 있다.
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 2에서,
R1, R2, R3, R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소; 또는 C1~C5의 알킬기이며,
R4는 직접결합; C1~C5의 알킬렌기; 또는 -(OCH2CH2)o-이고,
R5 및 R10은 각각 독립적으로 -NH2 또는 -OH이며,
R9는 직접결합; 또는 C1~C5의 알킬렌기이고,
o는 1 내지 7인 정수이며, n 은 5 내지 5,000이고, m은 5 내지 5,000이다.
상기 화학식 1에서, R4는 직접결합; 또는 -(OCH2CH2)o-이고, R5는 -OH일 수 있다.
상기 화학식 2에서, R9는 C1~C5의 알킬렌기이고, R10은 -NH2일 수 있다.
상기 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자의 분자량은 1,000 이상 500,000 이하일 수 있다.
본 명세서에서 "*" 는 반복단위 간의 연결 부분을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속막 또는 금속산화막은 주기율표에서 비금속 원소를 제외한 원소를 포함하고 있다면 그 종류를 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면, 금속 원소, 전이 원소 또는 전형 원소를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 금속막 또는 금속산화막은 Al, Ti, Mn, Mg, Zr, Ce, Nb, La, Ta, In, Zn, Sn 및 이의 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로 상기 금속막은 Al, Ti, Mn, Mg, Zr, Ce, Nb, La, Ta, In, Zn 및 Sn 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 금속산화막은 TiO2, Al2O3, Ta2O3, Ti3O3, ZrO2, Nb2O3, NbO, Nb2O5, CeO2, ZnO, MgO, La2O3, MnO2 및 In2O3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자층이 형성된 기판 상에 원자층 증착법으로 2 회 이상 금속막 또는 금속산화막을 형성할 수 있다.
상기 원자층 증착법은 금속막 또는 금속산화막의 전구체의 증기가 진공 챔버 중에서 고분자층이 구비된 플라스틱 기판 상에 흡수된다. 이때, 상기 전구체는 고분자층 중 반응성기와 화학적으로 반응한다. 이어서, 기판에 흡수된 전구체와의 반응을 촉진시키는 역적 조건 하에서 반응물을 챔버 중으로 도입하여 목적하는 금속막 또는 금속산화막을 형성한다.
상기 금속막 또는 금속산화막이 다층인 경우에는 기판을 전구체의 증기에 노출하는 단계와 기판에 흡수된 전구체와 반응물을 반응시키는 단계를 2회 이상 반복하여 형성할 수 있다. 이와 같이 반복하여 다층의 금속막 또는 금속산화막을 형성하는 경우에는 각 층을 같은 물질로 형성할 수도 있고, 서로 다른 물질로 형성할 수도 있다.
상기 원자층 증착법에 의한 성장은 통상적인 화학기상증착법(CVD) 및 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온플래이팅법과 같은 물리적 기상 증착법(PVD, Physical Vapor Deposition)에 의한 성장과 대조를 이룬다. 구체적으로, 화학기상증착법 및 물리적 기상 증착법에 의한 성장은 기판 표면 상의 한정된 수의 핵형성 부위에서 개시 및 진행되므로, 컬럼 사이에 경계선을 갖는 원주형 미세구조체가 형성되며, 이를 따라 기체 투과가 용이하게 일어날 수 있다. 반면, 상기 원자층 증착법은 기판 표면 상에 틈이 없이 밀착된 매우 얇은 필름을 생성할 수 있으므로, 극히 낮은 가스 투과도를 가질 수 있다.
상기 플라스틱 기판의 재질은 특별히 한정하지는 않으나, 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethylene ether phthalate), 폴리에틸렌프탈레이트(polyethylene phthalate), 폴리부틸렌프탈레이트(polybuthylene phthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN; Polyethylene Naphthalate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리스티렌(PS, polystyrene), 폴리에테르이미드(polyether imide), 폴리에테르술폰(polyether sulfone), 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethyl siloxane), 폴리에테르에테르케톤(PEEK; Polyetheretherketone), 폴리이미드(PI; polyimide) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 재질을 포함할 수 있다. 상기 플라스틱 기판은 단층 또는 복층의 형태로 사용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자층을 형성하는 단계 전에, 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethylene ether phthalate), 폴리에틸렌프탈레이트(polyethylene phthalate), 폴리부틸렌프탈레이트(polybuthylene phthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN; Polyethylene Naphthalate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리스티렌(PS, polystyrene), 폴리에테르이미드(polyether imide), 폴리에테르술폰(polyether sulfone), 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethyl siloxane), 폴리에테르에테르케톤(PEEK; Polyetheretherketone) 및 폴리이미드(PI; polyimide) 중 어느 하나 이상을 이용하여 상기 플라스틱 기판을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 명세서는 상기 기판 적층체의 제조방법으로 제조된 기판 적층체 제1 전극, 1 이상의 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광부를 형성하는 단계를 포함하는 전자 소자의 제조방법을 제공한다.
상기 제1 전극은 양극 또는 음극일 수 있으며, 제2 전극은 제1 전극과 반대로 양극 또는 음극일 수 있다. 즉, 제1 전극이 양극일 때에는 제2 전극은 음극이고, 제1 전극이 음극일 때에는 제2 전극은 양극일 수 있다.
상기 1 이상의 유기물층은 유기물로 구성되어 전기에너지를 빛에너지로 전환하는 층이며, 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기 유기물층은 유기 전자 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어질 수 있으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다.
상기 양극, 음극 및 1 이상의 유기물층의 재질은 각각 양극, 음극 및 유기물층의 기능을 할 수 있다면 특별히 한정하지 않으며, 당 기술분야에서 일반적으로 사용하는 재질을 사용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 기판 적층체와 상기 제1 전극 사이에 광추출층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 다른 실시상태에 따르면, 상기 기판 적층체 중 상기 제1 전극이 구비되는 면의 반대면에 광추출층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 따르면, 상기 기판 적층체와 상기 제1 전극 사이 및 상기 기판 적층체 중 상기 제1 전극이 구비되는 면의 반대면에 각각 광추출층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 광추출층은 광산란을 유도하여, 소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 구조라면 특별히 제한하지 않는다. 하나의 실시상태에 있어서, 상기 광추출층은 바인더 내에 산란입자가 분산된 구조일 수 있다. 또 다른 하나의 실시상태에 있어서, 상기 광추출층은 다수의 렌즈 등과 같은 돌기 구조에 의해서 광을 산란하는 구조일 수 있다.
또한, 상기 광추출층은 스핀 코팅, 바 코팅, 슬릿 코팅 등의 방법에 의하여 직접 형성되거나, 필름 형태로 제작하여 부착하는 방식에 의하여 형성될 수 있다.
본 명세서에서, 광추출층을 구비하는 경우에는 상기 광추출층 상에 평탄층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 평탄층의 재료는 광추출층을 평탄하게 하고 빛이 투과하는 데에 문제가 없다면 특별히 한정하지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광부의 외측을 덮는 밀봉부를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 밀봉부가 유기 발광부의 외측을 덮으면서 유기 발광부를 밀봉할 수 있다면, 그 재료는 특별히 한정하지 않는다.
예를 들면, 봉지 필름으로 압착하거나, 금속 또는 금속산화물을 증착하거나, 수지 조성물을 코팅 및 경화하여 밀봉할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 밀봉부는 적어도 유기 발광부의 외측을 밀봉하며, 유기 발광부의 외측뿐만 아니라 노출된 기판 적층체의 외측도 밀봉할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광부가 형성된 기판 적층체 상에 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자층을 형성하는 단계; 및
상기 고분자층이 형성된 기판 적층체 상에 원자층 증착법으로 금속막 또는 금속산화막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 고분자층을 형성하는 단계에서, 상기 유기 발광부가 형성된 기판 적층체 상에 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자 또는 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 단량체를 이용하여 고분자층을 형성할 수 있다.
상기 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자는 히드록시기를 갖는 고분자, 아민기를 갖는 고분자 또는 히드록시기 및 아민기를 갖는 고분자일 수 있으며, 특별히 한정하지 않는다.
예를 들면, 상기 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 단량체는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있으며, 이 경우 n은 1 내지 5일 수 있다.
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 2에서,
R1, R2, R3, R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소; 또는 C1~C5의 알킬기이며,
R4는 직접결합; C1~C5의 알킬렌기; 또는 -(OCH2CH2)o-이고,
R5 및 R10은 각각 독립적으로 -NH2 또는 -OH이며,
R9는 직접결합; 또는 C1~C5의 알킬렌기이고,
o는 1 내지 7인 정수이며, n 은 5 내지 5,000이고, m은 5 내지 5,000이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속막 또는 금속산화막을 형성하는 단계에서, 상기 금속막 또는 금속산화막은 주기율표에서 비금속 원소를 제외한 원소를 포함하고 있다면 그 종류를 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면, 금속 원소, 전이 원소 또는 전형 원소를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 금속막 또는 금속산화막은 Al, Ti, Mn, Mg, Zr, Ce, Nb, La, Ta, In, Zn, Sn 및 이의 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로 상기 금속막은 Al, Ti, Mn, Mg, Zr, Ce, Nb, La, Ta, In, Zn 및 Sn 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 금속산화막은 TiO2, Al2O3, Ta2O3, Ti3O3, ZrO2, Nb2O3, NbO, Nb2O5, CeO2, ZnO, MgO, La2O3, MnO2 및 In2O3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 플라스틱 기판 상에 고분자층을 형성하기 전에, 캐리어(carrier) 기판 상에 기판을 설치하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 캐리어 기판은 당 기술분야에 알려진 재료를 이용할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 캐리어 기판은 글래스 기판, 금속 기판, 플라스틱 기판 등을 이용할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 캐리어 기판의 두께는 0.5mm 이상 0.7mm 이하일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 캐리어 기판 상에 플라스틱 기판을 라미네이션하여 형성할 수도 있고, 플라스틱 기판 형성용 조성물을 캐리어 기판 상에 코팅하고 경화시켜서 형성할 수도 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전자 소자의 제조방법은, 기판 적층체 상에 유기 발광부를 형성한 후에, 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 때, 캐리어 기판의 분리방법은 나이프, 레이저 등 당 기술분야에 알려진 방법을 이용할 수 있고, 특히 나이프 만으로도 쉽게 분리할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 기판 적층체 상에 유기 발광부를 형성한 후 또는 캐리어 기판을 분리하기 전에 상기 유기 발광부의 외측을 덮는 밀봉부를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 유기 발광부를 형성한 후 또는 캐리어 기판을 분리한 후에 핀을 이용하여 지면으로부터 유기 발광부가 형성된 기판 적층체를 띄우는 단계; 및 유기 발광부의 외측과 기판 적층체의 외측을 원자층 증착법으로 금속층 또는 금속산화물층 형성하여 밀봉하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이때, 기판 적층체의 외측은 유기 발광부가 형성된 면 중 유기 발광부가 형성되지 않는 부분, 유기 발광부가 형성된 면의 반대면 및 측면을 포함한다. 구체적으로, 유기 발광부의 외측과 기판 적층체의 외측은 전자 소자의 전면을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 캐리어 기판 상에 플라스틱 기판, 고분자층, 금속막, 금속산화막, 광추출층, 평탄층, 유기 발광부 또는 밀봉부를 설치하는 각각의 공정은 플레이트 투 플레이트(plate-to-plate) 공정 또는 롤 투 플레이트(roll-to-plate) 공정뿐만 아니라, 롤투롤(roll-to-roll) 공정을 이용할 수 있다. 특히, 본 명세서에서는 롤투롤 공정을 이용하여 공정비용을 절감할 수 있다. 특히, 본 출원에서는 롤투롤 공정을 이용하여 전자 소자를 제조할 수 있으므로, 공정비용을 절감할 수 있는 특징이 있다.
본 명세서는 플라스틱 기판; 상기 플라스틱 기판 상에 구비된 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자층; 및 상기 고분자층 상에 구비된 금속막 또는 금속산화막을 포함하는 기판 적층체를 제공한다.
상기 고분자층은 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자 또는 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 단량체를 이용하여 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 기판 적층체의 수증기 투과율은 10-1 g/m2Day 이하일 수 있으며, 구체적으로 10-3 g/m2Day 이하일 수 있고, 구체적으로 10-5 g/m2Day 이하일 수 있다. 이 경우 상기 기판 적층체 상에 구비된 후술할 유기 발광부가 수분으로부터 보호될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 기판 적층체의 광 투과율은 50 % 이상일 수 있으며, 구체적으로 80 % 이상일 수 있다. 이 경우 상기 기판 적층체가 빛이 투과해야 하는 전자 소자의 기판으로 적용되는 경우에도 빛을 투과시킬 수 있는 장점이 있다.
상기 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 단량체는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있으며, 이 경우 n은 1 내지 5일 수 있다.
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 2에서,
R1, R2, R3, R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소; 또는 C1~C5의 알킬기이며,
R4는 직접결합; C1~C5의 알킬렌기; 또는 -(OCH2CH2)o-이고,
R5 및 R10은 각각 독립적으로 -NH2 또는 -OH이며,
R9는 직접결합; 또는 C1~C5의 알킬렌기이고,
o는 1 내지 7인 정수이며, n 은 5 내지 5,000이고, m은 5 내지 5,000이다.
상기 화학식 1에서, R4는 직접결합; 또는 -(OCH2CH2)o-이고, R5는 -OH일 수 있다.
상기 화학식 2에서, R9는 C1~C5의 알킬렌기이고, R10은 -NH2일 수 있다.
상기 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자의 분자량은 1,000 이상 500,000 이하일 수 있다.
상기 금속막 또는 금속산화막은 원자층 증착법으로 제조된 것일 수 있다. 이 경우 금속막 또는 금속산화막은 1회의 원자층 증착법으로 형성된 단층이거나, 2회 이상 원자층 증착법으로 형성된 다층일 수 있다.
예를 들면, 본 명세서의 기판 적층체는 도 1에 도시된 바와 같이 단층의 금속산화막이 구비되거나, 도 2에 도시된 바와 같이 2층 이상의 다층의 금속산화막이 구비될 수 있다.
상기 플라스틱 기판은 단층 또는 복층일 수 있다.
상기 플라스틱 기판의 재료는 특별히 한정하지는 않으나, 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethylene ether phthalate), 폴리에틸렌프탈레이트(polyethylene phthalate), 폴리부틸렌프탈레이트(polybuthylene phthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN; Polyethylene Naphthalate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리스티렌(PS, polystyrene), 폴리에테르이미드(polyether imide), 폴리에테르술폰(polyether sulfone), 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethyl siloxane), 폴리에테르에테르케톤(PEEK; Polyetheretherketone), 폴리이미드(PI; polyimide) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 재질을 포함할 수 있다. 상기 플라스틱 기판은 단층 또는 복층의 형태로 사용할 수 있다.
상기 고분자층의 히드록시기 또는 아민기와 상기 금속막 또는 금속산화막의 금속이 화학적으로 결합된 것일 수 있다. 이때 상기 히드록시기와 금속의 결합은 배위결합, 공유결합 및 공유결합 중 어느 하나의 결합일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속막 또는 금속산화막은 주기율표에서 비금속 원소를 제외한 원소를 포함하고 있다면 그 종류를 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면, 금속 원소, 전이 원소 또는 전형 원소를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 금속막 또는 금속산화막은 Al, Ti, Mn, Mg, Zr, Ce, Nb, La, Ta, In, Zn, Sn 및 이의 산화물 중 적어도 하나로 제조될 수 있다. 더욱 구체적으로 상기 금속막은 Al, Ti, Mn, Mg, Zr, Ce, Nb, La, Ta, In, Zn 및 Sn 중 적어도 하나로 제조될 수 있으며, 상기 금속산화막은 TiO2, Al2O3, Ta2O3, Ti3O3, ZrO2, Nb2O3, NbO, Nb2O5, CeO2, ZnO, MgO, La2O3, MnO2 및 In2O3 중 적어도 하나로 제조될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 플라스틱 기판의 두께는 10 nm 이상 10 cm 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자층의 두께는 1 nm 이상 1 μm 이하일 수 있다. 필요에 따라 5 nm 이상 50 nm 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속막 또는 금속산화막의 두께는 10 nm 이상 100 nm 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속막 또는 금속산화막이 2층 이상일 때, 상기 금속막 또는 금속산화막의 한 층의 두께는 각각 0.2 nm 이상 50 nm 이하일 수 있다. 필요에 따라, 0.3 nm 이상 10 nm 이하일 수 있으며, 구체적으로 1 nm 이상 10 nm 이하일 수 있다.
상기 금속막 또는 금속산화막이 다층으로 형성되는 경우에는, 필요한 두께에 따라 금속막 또는 금속산화막이 6층 이상 100층이하로 형성될 수 있다.
상기 금속막 또는 금속산화막은 배리어층으로서, 수분 및 산소 등이 침투되지 않도록 하는 층이다.
본 명세서에서, 상기 금속막 또는 금속산화막의 굴절률은 상기 기판의 굴절률과 같거나 더 큰 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 금속막 또는 금속산화막의 굴절률은 1.5 이상 2.5 이하일 수 있다.
상기 기판 적층체는 전자 소자 기판일 수 있다.
본 명세서는 상기 기판 적층체; 및
상기 기판 적층체 상에 제1 전극, 1 이상의 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광부를 포함하는 것인 전자 소자를 제공한다.
본 명세서는 상기 기판 적층체 제조방법에 따라 제조된 기판 적층체; 및
상기 기판 적층체 상에 제1 전극, 1 이상의 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광부를 포함하는 것인 전자 소자를 제공한다.
본 명세서에서, “순차적으로”라는 표현은 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2전극 중에서 상대적으로 형성되는 순서를 의미한다.
본 명세서에서, 제1 전극과 유기물층이 접하고 상기 유기물층에 제2 전극이 접하여 형성되거나, 기판과 제1 전극의 사이, 제1 전극과 유기물층의 사이 및 유기물층과 제2 전극의 사이 중 적어도 하나에 추가의 기능층, 중간전극 등이 1 이상 추가될 수 있다.
본 명세서에서, “기판 적층체”는 적어도 기판을 포함하고, 기판의 일측 및 타측 중 1 이상에 형성된 기능층을 더 포함할 수 있다. 상기 기능층으로는 내부 배리어층, 외부 배리어층, 광추출층, 평탄층, 점착층 등일 수 있다.
상기 제1 전극은 양극 또는 음극일 수 있으며, 제2 전극은 제1 전극과 반대로 양극 또는 음극일 수 있다. 즉, 제1 전극이 양극일 때에는 제2 전극은 음극이고, 제1 전극이 음극일 때에는 제2 전극은 양극일 수 있다.
상기 1 이상의 유기물층은 유기물로 구성되어 전기에너지를 빛에너지로 전환하는 층이며, 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 1 이상의 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기 1 이상의 유기물층은 유기 전자 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어질 수 있으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다.
상기 양극, 음극 및 1 이상의 유기물층의 재질은 각각 양극, 음극 및 1 이상의 유기물층의 기능을 할 수 있다면 특별히 한정하지 않으며, 당 기술분야에서 일반적으로 사용하는 재질을 사용할 수 있다.
상기 유기 발광부의 외측을 덮는 밀봉부를 더 포함할 수 있다.
상기 밀봉부가 유기 발광부의 외측을 덮으면서 유기 발광부를 밀봉할 수 있다면, 그 재료는 특별히 한정하지 않는다.
예를 들면, 봉지 필름으로 압착하거나, 금속 또는 금속산화물을 증착하거나, 수지 조성물을 코팅 및 경화하여 밀봉할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광부가 구비된 기판 적층체 상에 구비된 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자층; 및 상기 고분자층 상에 구비된 금속막 또는 금속산화막을 더 포함할 수 있다.
상기 고분자층은 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자 또는 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 단량체를 이용하여 형성할 수 있다.
상기 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자는 히드록시기를 갖는 고분자, 아민기를 갖는 고분자 또는 히드록시기 및 아민기를 갖는 고분자일 수 있으며, 특별히 한정하지 않는다.
예를 들면, 상기 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 단량체는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있으며, 이 경우 n은 1 내지 5일 수 있다.
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 2에서,
R1, R2, R3, R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소; 또는 C1~C5의 알킬기이며,
R4는 직접결합; C1~C5의 알킬렌기; 또는 -(OCH2CH2)o-이고,
R5 및 R10은 각각 독립적으로 -NH2 또는 -OH이며,
R9는 직접결합; 또는 C1~C5의 알킬렌기이고,
o는 1 내지 7인 정수이며, n 은 5 내지 5,000이고, m은 5 내지 5,000이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속막 또는 금속산화막을 형성하는 단계에서, 상기 금속막 또는 금속산화막은 주기율표에서 비금속 원소를 제외한 원소를 포함하고 있다면 그 종류를 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면, 금속 원소, 전이 원소 또는 전형 원소를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 금속막 또는 금속산화막은 Al, Ti, Mn, Mg, Zr, Ce, Nb, La, Ta, In, Zn, Sn 및 이의 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로 상기 금속막은 Al, Ti, Mn, Mg, Zr, Ce, Nb, La, Ta, In, Zn 및 Sn 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 금속산화막은 TiO2, Al2O3, Ta2O3, Ti3O3, ZrO2, Nb2O3, NbO, Nb2O5, CeO2, ZnO, MgO, La2O3, MnO2 및 In2O3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 전자 소자는 광추출층을 더 포함할 수 있다.
상기 기판 적층체와 상기 제1 전극 사이에 구비된 광추출층을 더 포함할 수 있다.
상기 기판 적층체 중 상기 제1 전극이 구비되는 면의 반대면에 구비된 광추출층을 더 포함할 수 있다.
상기 기판 적층체와 상기 제1 전극 사이 및 상기 기판 적층체 중 상기 제1 전극이 구비되는 면의 반대면에 각각 구비된 광추출층을 더 포함할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 광추출층은 광산란을 유도하여, 소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 구조라면 특별히 제한하지 않는다. 하나의 실시상태에 있어서, 상기 광추출층은 바인더 내에 산란입자가 분산된 구조일 수 있다. 또 다른 하나의 실시상태에 있어서, 상기 광추출층은 다수의 렌즈 등과 같은 돌기 구조에 의해서 광을 산란하는 구조일 수 있다.
또한, 상기 광추출층은 스핀 코팅, 바 코팅, 슬릿 코팅 등의 방법에 의하여 직접 형성되거나, 필름 형태로 제작하여 부착하는 방식에 의하여 형성될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 광추출층을 구비하는 경우에는, 상기 광추출층 상에 구비된 평탄층을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 평탄층의 재료는 광추출층을 평탄하게 하고 빛이 투과하는 데에 문제가 없다면 특별히 한정하지 않는다.
상기 전자 소자의 예로는 유기 발광 소자, 유기 태양전지, 유기 감광체(OPC), 유기 트랜지스터 등이 있으나, 이에만 한정되지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자 소자는 유기 발광 소자일 수 있다.
상기 전자 소자는 플렉서블 유기 발광 소자일 수 있다. 이 경우, 상기 전자 소자 기판이 플랙시블 재료를 포함한다. 예컨대, 휘어질 수 있는 박막 형태의 글래스, 플라스틱 또는 필름 형태의 기판을 사용할 수 있다.
상기 플라스틱 기판의 재료는 특별히 한정하지는 않으나, 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethylene ether phthalate), 폴리에틸렌프탈레이트(polyethylene phthalate), 폴리부틸렌프탈레이트(polybuthylene phthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN; Polyethylene Naphthalate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리스티렌(PS, polystyrene), 폴리에테르이미드(polyether imide), 폴리에테르술폰(polyether sulfone), 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethyl siloxane), 폴리에테르에테르케톤(PEEK; Polyetheretherketone), 폴리이미드(PI; polyimide) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 재질을 포함할 수 있다. 상기 플라스틱 기판은 단층 또는 복층의 형태로 사용할 수 있다.
또한, 본 명세서는 상기 전자 소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
상기 디스플레이 장치는 백라이트 유닛과 화소부를 포함하며, 본 명세서의 전자 소자는 상기 백라이트 유닛과 화소부 중 적어도 하나에 포함될 수 있다.
또한, 본 명세서는 상기 전자 소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다.
상기 조명 장치는 백색의 조명 장치이거나 유색의 조명 장치일 수 있다. 이때, 요구되는 조명 색에 따라 본 명세서의 전자 소자의 발광색을 조절하여 조명 장치에 포함될 수 있다.
Claims (35)
- 플라스틱 기판 상에 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자층을 형성하는 단계; 및
상기 고분자층이 형성된 플라스틱 기판 상에 원자층 증착법으로 금속막 또는 금속산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것인 기판 적층체의 제조방법. - 청구항 1에 있어서, 상기 고분자층을 형성하는 단계에서, 상기 플라스틱 기판 상에 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자 또는 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 단량체를 이용하여 고분자층을 형성하는 것인 기판 적층체의 제조방법.
- 청구항 2에 있어서, 상기 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위 중 어느 하나 이상을 포함하는 것인 기판 적층체의 제조방법:
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 2에서,
R1, R2, R3, R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소; 또는 C1~C5의 알킬기이며,
R4는 직접결합; C1~C5의 알킬렌기; 또는 -(OCH2CH2)o-이고,
R5 및 R10은 각각 독립적으로 -NH2 또는 -OH이며,
R9는 직접결합; 또는 C1~C5의 알킬렌기이고,
o는 1 내지 7인 정수이며, n 은 5 내지 5,000이고, m은 5 내지 5,000이다. - 청구항 1에 있어서, 상기 금속막 또는 금속산화막을 형성하는 단계에서, Al, Ti, Mn, Mg, Zr, Ce, Nb, La, Ta, In, Zn, Sn 및 이의 산화물 중 적어도 하나를 이용하여 상기 금속막 또는 금속산화막을 제조하는 것인 기판 적층체의 제조방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 금속막 또는 금속산화막을 형성하는 단계에서, 상기 고분자층이 형성된 플라스틱 기판 상에 원자층 증착법으로 2 층 이상의 금속막 또는 금속산화막을 형성하는 것인 기판 적층체의 제조방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 고분자층을 형성하는 단계 전에, 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethylene ether phthalate), 폴리에틸렌프탈레이트(polyethylene phthalate), 폴리부틸렌프탈레이트(polybuthylene phthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN; Polyethylene Naphthalate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리스티렌(PS, polystyrene), 폴리에테르이미드(polyether imide), 폴리에테르술폰(polyether sulfone), 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethyl siloxane), 폴리에테르에테르케톤(PEEK; Polyetheretherketone) 및 폴리이미드(PI; polyimide) 중 어느 하나 이상을 이용하여 상기 플라스틱 기판을 형성하는 단계를 더 포함하는 기판 적층체의 제조방법.
- 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 따라 제조된 기판 적층체 상에 제1 전극, 1 이상의 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광부를 형성하는 단계를 포함하는 전자 소자의 제조방법.
- 청구항 7에 있어서, 상기 형성된 유기 발광부의 외측을 덮는 밀봉부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 전자 소자의 제조방법.
- 청구항 7에 있어서, 상기 유기 발광부가 형성된 기판 적층체 상에 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자층을 형성하는 단계; 및
상기 고분자층이 형성된 기판 적층체 상에 원자층 증착법으로 금속막 또는 금속산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 전자 소자의 제조방법. - 청구항 9에 있어서, 상기 고분자층을 형성하는 단계에서, 상기 유기 발광부가 형성된 기판 적층체 상에 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자를 이용하여 고분자층을 형성하며,
상기 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위 중 어느 하나 이상을 포함하는 것인 전자 소자의 제조방법:
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 2에서,
R1, R2, R3, R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소; 또는 C1~C5의 알킬기이며,
R4는 직접결합; C1~C5의 알킬렌기; 또는 -(OCH2CH2)o-이고,
R5 및 R10은 각각 독립적으로 -NH2 또는 -OH이며,
R9는 직접결합; 또는 C1~C5의 알킬렌기이고,
o는 1 내지 7인 정수이며, n 은 5 내지 5,000이고, m은 5 내지 5,000이다. - 청구항 9에 있어서, 상기 금속막 또는 금속산화막을 형성하는 단계에서는, Al, Ti, Mn, Mg, Zr, Ce, Nb, La, Ta, In, Zn, Sn 및 이의 산화물 중 적어도 하나를 이용하여 상기 금속막 또는 금속산화막을 제조하는 것인 전자 소자의 제조방법.
- 플라스틱 기판; 상기 플라스틱 기판 상에 구비된 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자층; 및 상기 고분자층 상에 구비된 금속막 또는 금속산화막을 포함하는 기판 적층체.
- 청구항 12에 있어서, 상기 고분자층은 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자를 이용하여 형성된 것인 기판 적층체.
- 청구항 13에 있어서, 상기 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위 중 어느 하나 이상을 포함하는 것인 기판 적층체:
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 2에서,
R1, R2, R3, R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소; 또는 C1~C5의 알킬기이며,
R4는 직접결합; C1~C5의 알킬렌기; 또는 -(OCH2CH2)o-이고,
R5 및 R10은 각각 독립적으로 -NH2 또는 -OH이며,
R9는 직접결합; 또는 C1~C5의 알킬렌기이고,
o는 1 내지 7인 정수이며, n 은 5 내지 5,000이고, m은 5 내지 5,000이다. - 청구항 12에 있어서, 상기 금속막 또는 금속산화막은 원자층 증착법으로 2층 이상의 막으로 형성된 것인 기판 적층체.
- 청구항 12에 있어서, 상기 플라스틱 기판은 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethylene ether phthalate), 폴리에틸렌프탈레이트(polyethylene phthalate), 폴리부틸렌프탈레이트(polybuthylene phthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN; Polyethylene Naphthalate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리스티렌(PS, polystyrene), 폴리에테르이미드(polyether imide), 폴리에테르술폰(polyether sulfone), 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethyl siloxane), 폴리에테르에테르케톤(PEEK; Polyetheretherketone) 및 폴리이미드(PI; polyimide) 중 어느 하나 이상을 포함하는 것인 기판 적층체.
- 청구항 12에 있어서, 상기 고분자층의 히드록시기 또는 아민기와 상기 금속막 또는 금속산화막의 금속이 화학적으로 결합된 것인 기판 적층체.
- 청구항 12에 있어서, 상기 금속막 또는 금속산화막은 Al, Ti, Mn, Mg, Zr, Ce, Nb, La, Ta, In, Zn, Sn 및 이의 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 것인 기판 적층체.
- 청구항 12에 있어서 상기 기판 적층체의 수증기 투과율은 10-1 g/m2Day 이하인 것인 기판 적층체.
- 청구항 12에 있어서, 상기 기판 적층체의 광 투과율은 50 % 이상 인 것인 기판 적층체.
- 청구항 12에 있어서, 상기 플라스틱 기판의 두께는 10nm 이상 10 cm 이하인 것인 기판 적층체.
- 청구항 12에 있어서, 상기 금속막 또는 금속산화막의 두께는 10 nm 이상 100 nm 이하인 것인 기판 적층체.
- 청구항 12에 있어서, 상기 금속막 또는 금속산화막이 2층 이상일 때, 상기 금속막 또는 금속산화막의 한 층의 두께는 각각 0.2 nm 이상 50 nm 이하인 것인 기판 적층체.
- 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 따라 제조된 기판 적층체; 및
상기 기판 적층체 상에 제1 전극, 1 이상의 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광부를 포함하는 것인 전자 소자. - 청구항 24에 있어서, 상기 유기 발광부의 외측을 덮는 밀봉부를 더 포함하는 것인 전자 소자.
- 청구항 24에 있어서, 상기 유기 발광부가 구비된 기판 적층체 상에 구비된 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자층; 및 상기 고분자층 상에 구비된 금속막 또는 금속산화막을 더 포함하는 것인 전자 소자.
- 청구항 26에 있어서, 상기 고분자층은 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자를 이용하여 형성되고,
상기 히드록시기 및 아민기 중 어느 하나 이상을 갖는 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위 중 어느 하나 이상을 포함하는 것인 전자 소자:
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 2에서,
R1, R2, R3, R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소; 또는 C1~C5의 알킬기이며,
R4는 직접결합; C1~C5의 알킬렌기; 또는 -(OCH2CH2)o-이고,
R5 및 R10은 각각 독립적으로 -NH2 또는 -OH이며,
R9는 직접결합; 또는 C1~C5의 알킬렌기이고,
o는 1 내지 7인 정수이며, n 은 5 내지 5,000이고, m은 5 내지 5,000이다. - 청구항 26에 있어서, 상기 금속막 또는 금속산화막은 Al, Ti, Mn, Mg, Zr, Ce, Nb, La, Ta, In, Zn, Sn 및 이의 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 것인 전자 소자.
- 청구항 24에 있어서, 상기 기판 적층체와 상기 제1 전극 사이에 구비된 광추출층을 더 포함하는 것인 전자 소자.
- 청구항 29에 있어서, 상기 광추출층 상에 구비된 평탄층을 더 포함하는 것인 전자 소자.
- 청구항 24에 있어서, 상기 기판 적층체 중 상기 제1 전극이 구비되는 면의 반대면에 구비된 광추출층을 더 포함하는 것인 전자 소자.
- 청구항 24에 있어서, 상기 전자 소자는 유기 발광 소자인 것인 전자 소자.
- 청구항 24에 있어서, 상기 전자 소자는 플렉서블 유기 발광 소자인 것인 전자 소자.
- 청구항 24의 전자 소자를 포함하는 디스플레이 장치.
- 청구항 24의 전자 소자를 포함하는 조명 장치.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20130115506A KR20150035214A (ko) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | 기판 적층체, 이를 포함하는 전자 소자 및 이의 제조방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20130115506A KR20150035214A (ko) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | 기판 적층체, 이를 포함하는 전자 소자 및 이의 제조방법 |
Publications (1)
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|---|---|
| KR20150035214A true KR20150035214A (ko) | 2015-04-06 |
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ID=53030243
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20130115506A KR20150035214A (ko) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | 기판 적층체, 이를 포함하는 전자 소자 및 이의 제조방법 |
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|---|---|
| KR (1) | KR20150035214A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200023582A (ko) * | 2018-08-24 | 2020-03-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 베이스 필름의 제조 방법 |
-
2013
- 2013-09-27 KR KR20130115506A patent/KR20150035214A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200023582A (ko) * | 2018-08-24 | 2020-03-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 베이스 필름의 제조 방법 |
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