KR20150014053A - Method of fabricating the organic light emitting diode display device - Google Patents

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KR20150014053A KR1020130089164A KR20130089164A KR20150014053A KR 20150014053 A KR20150014053 A KR 20150014053A KR 1020130089164 A KR1020130089164 A KR 1020130089164A KR 20130089164 A KR20130089164 A KR 20130089164A KR 20150014053 A KR20150014053 A KR 20150014053A
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Abstract

The present invention relates to a method of fabricating an organic light emitting diode display device capable of improving yield and a property of a protection layer at the same time. The method includes: a step of forming a thin film transistor on a substrate; a step of forming an organic light emitting diode connected to the thin film transistor, and includes a first electrode and a second electrode; a step of forming a lower inorganic layer to surround the organic light emitting diode; a step of forming an organic layer which has fluidity on the lower inorganic layer using a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method; a step of hardening the organic layer; a step of forming an upper inorganic layer on the organic layer; and a step of attaching a sealing substrate on the front side of the upper inorganic layer through an adhesive.

Description

유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법{METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device,

본 발명은 공정을 단순화하고, 수율을 향상시킴과 동시에 보호막의 특성을 향상시킬 수 있는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting diode display device capable of simplifying a process, improving a yield and improving the characteristics of a protective film.

다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기 발광 다이오드 표시 장치가 각광받고 있다.The image display device that realizes various information on the screen is a core technology of the information communication age and it is becoming thinner, lighter, more portable and higher performance. Accordingly, an organic light emitting diode (OLED) display device for displaying an image by controlling the amount of light emitted from the organic light emitting layer by using a flat panel display capable of reducing weight and volume, which is a disadvantage of a cathode ray tube (CRT)

유기 발광 다이오드 표시 장치는 전극 사이의 얇은 발광층을 이용한 자발광 소자인 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode: OLED)를 포함하여 이루어진다. 상기와 같은 유기 발광 다이오드 표시 장치는 종이와 같이 박막화가 가능하다.The organic light emitting diode display device includes an organic light emitting diode (OLED), which is a self-luminous device using a thin light emitting layer between electrodes. The organic light emitting diode display device may be thin as paper.

유기 발광 다이오드는 기판의 서브 화소 영역마다 형성된 박막 트랜지스터와 접속되는 양극(Anode)인 제 1 전극, 발광층(Emission Layer; EML) 및 음극(Cathode)인 제 2 전극을 포함하여 이루어진다. 상기와 같은 유기 발광 다이오드는 제 1, 제 2 전극에 전압을 인가하면 정공과 전자가 유기 발광층 내에서 재결합하여 엑시톤(Exciton)을 형성하고, 엑시톤이 기저상태로 떨어지며 발광한다.The organic light emitting diode includes a first electrode that is an anode connected to a thin film transistor formed in each sub pixel region of a substrate, a second electrode that is an emission layer (EML), and a cathode. In the organic light emitting diode, when a voltage is applied to the first and second electrodes, holes and electrons recombine in the organic light emitting layer to form an exciton, and the exciton falls to a ground state and emits light.

그런데, 유기 발광 다이오드는 외부의 수분, 산소, 자외선 및 소자의 제작 조건 등 외적 요인에 의해 쉽게 열화가 일어난다. 따라서, 일반적인 유기 발광 다이오드 표시 장치는 유기 발광 다이오드를 덮도록 보호막을 형성하고, 보호막 상에 유리 또는 플라스틱으로 형성된 봉지(Encapsulation) 기판을 부착한다.However, the organic light emitting diode easily deteriorates due to external factors such as moisture, oxygen, ultraviolet rays and manufacturing conditions of the device. Therefore, a general organic light emitting diode display device forms a protective film to cover the organic light emitting diode, and attaches an encapsulation substrate formed of glass or plastic on the protective film.

일반적으로, 보호막은 유기막과 무기막을 포함하여 이루어진다. 그런데, 무기막과 유기막을 형성하는 공정이 상이하여, 공정이 복잡하고 제조 비용이 증가한다. 예를 들어, 무기막은 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 방법으로 형성하고, 유기막은 스크린 프린팅 방법으로 형성한다.Generally, the protective film comprises an organic film and an inorganic film. Incidentally, the steps of forming the inorganic film and the organic film are different, and the process is complicated and the manufacturing cost is increased. For example, the inorganic film is formed by a chemical vapor deposition (CVD) method, and the organic film is formed by a screen printing method.

그런데, 상기와 같은 스크린 프린팅 방법에 의해 형성된 유기막은 불량에 취약하다. 예를 들어, 프린팅 시 스퀴즈에 의한 메쉬 마스크에 이물이 발생하고, 이물에 의해 유기 물질이 도포되지 않는 영역이 발생한다. 또한, 스퀴즈에 의해 유기막 하부의 무기막이 손상될 수 있다.However, the organic film formed by the screen printing method as described above is vulnerable to defects. For example, a foreign matter is generated in the mesh mask by the squeeze during printing, and a region where the organic substance is not applied by the foreign matter occurs. Further, the inorganic film under the organic film may be damaged by the squeeze.

도 1a 내지 도 1c는 불량이 발생한 유기막의 사진이다.1A to 1C are photographs of an organic film in which a defect occurs.

도 1a와 같이, 유기막이 이물 하부까지 형성되지 못하므로, 공극(Void)이 발생할 수 있다. 또한, 유기막의 미 도포 영역이 발생하고, 8.4㎛의 직경을 갖는 이물의 단차를 충분히 보상하지 못한다. 따라서, 도 1b 및 도 1c와 같이 표시 장치의 품질이 저하되는 문제가 발생한다.As shown in FIG. 1A, since the organic film is not formed to the lower part of the foreign object, a void may be generated. Further, an uncoated region of the organic film occurs, and the step of the foreign substance having a diameter of 8.4 mu m can not be sufficiently compensated. Therefore, as shown in Figs. 1B and 1C, the quality of the display device is degraded.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 유동성을 갖는 유기막을 형성하고, 이를 경화시켜 보호막을 형성함으로써, 신뢰성이 향상되고 공정이 단순화된 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a manufacturing method of an organic light emitting diode display device in which reliability is improved and processes are simplified by forming an organic film having flowability and curing the organic film to form a protective film.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;n상기 박막 트랜지스터와 접속되며, 제 1 전극, 유기 발광층 및 제 2 전극을 포함하는 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계; 상기 유기 발광 다이오드를 감싸도록 하부 무기막을 형성하는 단계; 플라즈마 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor depostion; PECVD) 방법을 이용하여 상기 하부 무기막 상에 유동성을 갖는 유기막을 형성하는 단계; 상기 유기막을 경화시키는 단계; 상기 유기막 상에 상부 무기막을 형성하는 단계; 및 접착제를 통해 상기 상부 무기막 전면에 봉지 기판을 부착하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating an organic light emitting diode display, including: forming a thin film transistor on a substrate, the thin film transistor including a first electrode, Forming an organic light emitting diode; Forming a lower inorganic film to surround the organic light emitting diode; Forming an organic film having a fluidity on the lower inorganic film by using a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method; Curing the organic film; Forming an upper inorganic film on the organic film; And attaching the sealing substrate to the front surface of the upper inorganic film through an adhesive.

상기 유기막은 HMDSO(Hexamethyldisiloxane), TMDSO(Tetramethyldisiloxane), TMMOS(trimethylmethoxysilane), BTMSM(bistrimetylsilylmethane), TEOS(Tetraethoxysilane), DVTMDSO(divinyltetramethyl disiloxane), OMCATS(Octamethylcyclotetrasiloxan) 중에서 선택된 물질로 형성한다.The organic layer is formed of a material selected from HMDSO (hexamethyldisiloxane), TMDSO (Tetramethyldisiloxane), TMMOS (trimethylmethoxysilane), BTMSM (bistrimethylsilylmethane), TEOS (tetraethoxysilane), DVTMDSO (divinyltetramethyl disiloxane) and OMCATS (Octamethylcyclotetrasiloxane).

상기 하부 무기막, 상기 유기막 및 상기 상부 무기막은 동일 챔버에서 형성한다.The lower inorganic film, the organic film, and the upper inorganic film are formed in the same chamber.

상기 플라즈마 기상 증착 방법은 상기 하부 무기막이 형성된 상기 기판을 챔버의 스테이지에 올려놓고, 상기 챔버에 유기 물질과 O2를 주입하여 유동성을 갖는 상기 유기막을 형성한다.In the plasma vapor deposition method, the substrate on which the lower inorganic film is formed is placed on a stage of a chamber, and organic materials and O 2 are injected into the chamber to form the organic film having fluidity.

상기 스테이지의 온도는 0℃~100℃이며, 상기 챔버의 압력은 0.8Torr~1.6Torr이며, 상기 O2의 유량은 100sccm~1000sccm이다.The temperature of the stage is 0 ° C to 100 ° C, the pressure of the chamber is 0.8 Torr to 1.6 Torr, and the flow rate of O 2 is 100 sccm to 1000 sccm.

상기 유기막을 경화시키는 단계는 산소 플라즈마 공정 또는 열 경화 공정을 이용한다.The step of curing the organic film uses an oxygen plasma process or a thermosetting process.

상기 유동성을 갖는 유기막을 형성하는 단계와 상기 유기막을 경화시키는 단계를 2 회 이상 반복 실시하여, 상기 유기막을 다층 구조로 형성한다.The organic film having the fluidity is formed and the organic film is cured repeatedly at least twice to form the organic film into a multi-layer structure.

본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.The manufacturing method of the organic light emitting diode display of the present invention has the following effects.

첫째, 유기 발광 다이오드를 덮는 보호막으로 기능하도록 무기막과 유기막을 형성할 때, 무기막과 유기막을 동일 챔버안에서 형성함으로써 공정을 간소화하고 수율을 향상시킬 수 있다.First, when the inorganic film and the organic film are formed to function as a protective film covering the organic light emitting diode, the inorganic film and the organic film are formed in the same chamber, thereby simplifying the process and improving the yield.

둘째, 플라즈마 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor depostion; PECVD) 방법으로 유동성을 갖는 유기막을 형성함으로써, 유기막이 이물 하부까지 완전히 채워져, 이물 하부에 공극이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 다이오드 표시 장치의 신뢰성이 향상된다.Second, by forming an organic film having fluidity by a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, it is possible to prevent the organic film from being completely filled up to the lower part of the foreign matter, thereby forming voids in the lower part of the foreign matter. Thus, the reliability of the organic light emitting diode display device is improved.

도 1a 내지 도 1c는 불량이 발생한 유기막의 사진이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 3은 이물 하부에 공극이 발생하지 않은 본 발명의 유기막의 사진이다.
도 4는 본 발명의 유기막이 복수 층으로 형성된 사진이다.1A to 1C are photographs of an organic film in which a defect occurs.
2A to 2E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display device of the present invention.
3 is a photograph of the organic film of the present invention in which voids are not formed in the lower part of the foreign matter.
4 is a photograph showing the organic film of the present invention formed into a plurality of layers.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다. 그리고, 도 3은 이물 하부에 공극이 발생하지 않은 본 발명의 유기막의 사진이다. 또한, 도 4는 본 발명의 유기막이 복수 층으로 형성된 사진이다.2A to 2E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display device of the present invention. 3 is a photograph of the organic film of the present invention in which voids are not formed in the lower part of the foreign object. 4 is a photograph showing the organic film of the present invention formed into a plurality of layers.

도 2a와 같이, 기판(100) 상에 게이트 전극(105), 게이트 절연막(110), 반도체층(115), 소스 전극(120a) 및 드레인 전극(120b)을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성한다.A thin film transistor including a gate electrode 105, a gate insulating film 110, a semiconductor layer 115, a source electrode 120a and a drain electrode 120b is formed on a substrate 100 as shown in FIG.

구체적으로, 기판(100) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 게이트 금속층을 형성한다. 게이트 금속층은 알루미늄계 금속(Al, AlNd), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)등과 같은 금속으로 형성되며, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 게이트 금속층을 패터닝하여 게이트 전극(105)을 형성한다.Specifically, a gate metal layer is formed on the substrate 100 through a deposition method such as a sputtering method. The gate metal layer is formed of a metal such as an aluminum-based metal (Al, AlNd), copper (Cu), titanium (Ti), molybdenum (Mo), tungsten (W) or the like and is patterned by a photolithography process and an etching process Gate electrode 105 is formed.

게이트 전극(105)을 덮도록 기판(100) 상에 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등과 같은 무기 절연 물질로 게이트 절연막(110)을 형성한다. 게이트 절연막(110) 상에 게이트 전극(105)과 중첩되는 반도체층(115)을 형성한다. 이 때, 반도체층(115)은 산화물, 유기물, 비정질 실리콘 및 다결정 실리콘 등으로 형성된다.The gate insulating film 110 is formed on the substrate 100 with an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO x) or silicon nitride (SiN x) to cover the gate electrode 105. A semiconductor layer 115 is formed on the gate insulating film 110 so as to overlap with the gate electrode 105. At this time, the semiconductor layer 115 is formed of an oxide, an organic material, an amorphous silicon, a polycrystalline silicon or the like.

그리고, 반도체층(115)이 형성된 기판(100) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 데이터 금속층을 형성한다. 데이터 금속층은 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 알루미늄(Al)계 금속, 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등으로 형성된다. 그리고, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 데이터 금속층을 패터닝하여 반도체층(115)의 상부면을 노출시키도록 이격된 소스 전극(120a) 및 드레인 전극(120b)을 형성한다. Then, a data metal layer is formed on the substrate 100 on which the semiconductor layer 115 is formed through a deposition method such as a sputtering method. The data metal layer is formed of titanium (Ti), tungsten (W), aluminum (Al), molybdenum (Mo), copper (Cu) The data metal layer is patterned by a photolithography process and an etching process to form the source electrode 120a and the drain electrode 120b spaced apart to expose the upper surface of the semiconductor layer 115. [

이어, 도 2b와 같이, 소스 및 드레인 전극(120a, 120b)이 형성된 기판(100) 상에 절연막(125)을 형성한다. 그리고, 절연막(125)을 선택적으로 제거하여 후술할 제 1 전극과 드레인 전극(120b)을 접속시키기 위해 드레인 전극(120b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(125H)을 형성한다.2B, an insulating film 125 is formed on the substrate 100 on which the source and drain electrodes 120a and 120b are formed. A drain contact hole 125H exposing the drain electrode 120b is formed in order to selectively remove the insulating film 125 and connect the first electrode and the drain electrode 120b to be described later.

절연막(125)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질으로 형성되거나, 무기 절연 물질과 유기 절연 물질이 적층된 구조로 형성될 수 있다. 일반적으로, 유기 절연 물질은 박막트랜지스터가 형성된 기판(100)을 평탄화시킨다. 그리고, 유기 절연 물질과 박막 트랜지스터 사이에 무기 절연 물질을 구비하는 경우, 무기 절연 물질은 게이트 절연막(110), 소스, 드레인 전극(120a, 120b) 각각과 유기 절연 물질의 계면 안정성을 향상시킬 수 있다.The insulating layer 125 may be formed of an organic insulating material or an inorganic insulating material, or may be formed by stacking an inorganic insulating material and an organic insulating material. Generally, the organic insulating material flattenes the substrate 100 on which the thin film transistor is formed. When an inorganic insulating material is provided between the organic insulating material and the thin film transistor, the inorganic insulating material can improve the interfacial stability of the organic insulating material with the gate insulating layer 110, the source and drain electrodes 120a and 120b, respectively .

이어, 도 2c와 같이, 절연막(125) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법으로 제 1 전극(130a)을 형성한다. 제 1 전극(130a)은 드레인 콘택홀(125H)을 통해 드레인 전극(120b)과 접속된다. 그리고, 제 1 전극(130a)의 일부 영역을 노출시키는 뱅크 절연막(135)을 형성한다. 뱅크 절연막(135)은 유기 발광 다이오드의 발광 영역을 정의하며, 비 발광 영역의 빛샘을 방지한다. 뱅크 절연막(135)에 의해 노출된 제 1 전극(130a) 상에 유기 발광층(130b)을 형성하고, 유기 발광층(130b) 상에 제 2 전극(130c)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2C, the first electrode 130a is formed on the insulating film 125 by a deposition method such as a sputtering method. The first electrode 130a is connected to the drain electrode 120b through the drain contact hole 125H. A bank insulating film 135 exposing a part of the first electrode 130a is formed. The bank insulating film 135 defines a light emitting region of the organic light emitting diode and prevents light leakage in the non-light emitting region. The organic light emitting layer 130b is formed on the first electrode 130a exposed by the bank insulating film 135 and the second electrode 130c is formed on the organic light emitting layer 130b.

상기와 같은 유기 발광 다이오드는 제 1, 제 2 전극(130a, 130c)에 전압을 인가하면 정공과 전자가 유기 발광층(130b) 내에서 재결합하여 엑시톤(Exciton)을 형성한다. 그리고, 엑시톤이 기저상태로 떨어지며 발광한다.In the organic light emitting diode, when a voltage is applied to the first and second electrodes 130a and 130c, holes and electrons recombine in the organic light emitting layer 130b to form an exciton. Then, the excitons drop to the ground state and emit light.

유기 발광층(130b)에서 발생하는 광이 기판(100)을 통해 외부로 방출되는 경우, 제 1 전극(130a)은 틴 옥사이드(Tin Oxide: TO), 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide: ITO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide: IZO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO) 등과 같은 투명 도전성 물질로 형성되고, 제 2 전극(130c)은 반사율이 높은 알루미늄(Al) 등과 같은 불투명 도전성 물질로 형성된다.When the light generated in the organic light emitting layer 130b is emitted to the outside through the substrate 100, the first electrode 130a may be formed of tin oxide (TO), indium tin oxide (ITO) The second electrode 130c is formed of a transparent conductive material such as indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO) or the like and the second electrode 130c is formed of an opaque conductive material such as aluminum .

반대로, 유기 발광층(130)에서 발생하는 광이 후술할 봉지 기판을 통해 외부로 방출되는 경우, 제 1 전극(130a)을 불투명 도전성 물질로 형성한다. 그리고, 제 2 전극(130c)을 투명 도전성 물질로 형성한다.On the other hand, when the light generated in the organic light emitting layer 130 is emitted to the outside through a sealing substrate to be described later, the first electrode 130a is formed of an opaque conductive material. The second electrode 130c is formed of a transparent conductive material.

이어, 도 2d와 같이, 유기 발광 다이오드 상에 무기 보호막과 유기 보호막을 포함하는 보호막(140)을 형성한다. 보호막(140)은 유기 발광 다이오드와 후술할 봉지 기판 사이에 형성되어 유기 발광 다이오드가 수분 또는 산소 등에 의해 손상되거나 발광 특성이 저하되는 것을 방지하기 위한 것이다. 이 때, 무기막은 외부의 수분 및 산소를 차단하며, 유기막은 보호막에 혼입된 이물에 의한 단차를 보상한다. 동시에 유기막은 보호막으로 유입된 수분 및 산소의 진행 경로를 증가시킨다. 특히, 보호막(140)은 유기 발광 다이오드를 완전히 감싸도록 절연막(125)의 가장자리까지 덮도록 형성되는 것이 바람직하다. Next, as shown in FIG. 2D, a protective layer 140 including an inorganic protective layer and an organic protective layer is formed on the organic light emitting diode. The protective film 140 is formed between the organic light emitting diode and a sealing substrate to be described later to prevent the organic light emitting diode from being damaged by moisture, At this time, the inorganic film blocks external moisture and oxygen, and the organic film compensates for a step caused by foreign matter mixed in the protective film. At the same time, the organic film increases the pathway of water and oxygen introduced into the protective film. In particular, the passivation layer 140 may be formed to cover the edge of the insulating layer 125 so as to completely surround the organic light emitting diode.

구체적으로, 제 2 전극(130c) 상에 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 방법으로 하부 무기막(140a)을 형성한다. 하부 무기막(140a)은 산화 실리콘(SiO), 질화 실리콘(SiNx) 등과 같은 물질로 형성되며, 상술한 바와 같이, 유기 발광 다이오드를 완전히 덮도록 절연막(125) 가장자리까지 형성되는 것이 바람직하다.Specifically, the lower inorganic film 140a is formed on the second electrode 130c by a chemical vapor deposition (CVD) method. The lower inorganic film 140a is formed of a material such as silicon oxide (SiO2), silicon nitride (SiNx), or the like, and is formed up to the edge of the insulating film 125 so as to completely cover the organic light emitting diode.

그리고, 플라즈마 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor depostion; PECVD) 방법으로 하부 무기막(140a) 상에 유기막(140b)을 형성한다. 이 때, 유기막(140b)은 하부 무기막(140a)과 동일 챔버에서 형성된다. 상기와 같은 플라즈마 기상 증착 방법은 20,000Å/min의 속도로 유기막을 형성하므로, 5㎛ 두께의 유기막(140b)을 형성하는데 약 2.5분이 걸린다. Then, an organic film 140b is formed on the lower inorganic film 140a by a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method. At this time, the organic film 140b is formed in the same chamber as the lower inorganic film 140a. The plasma CVD method forms an organic film at a rate of 20,000 Å / min, so that it takes about 2.5 minutes to form the organic film 140b having a thickness of 5 μm.

유기막(140b)은 HMDSO(Hexamethyldisiloxane), TMDSO(Tetramethyldisiloxane), TMMOS(trimethylmethoxysilane), BTMSM(bistrimetylsilylmethane), TEOS(Tetraethoxysilane), DVTMDSO(divinyltetramethyl disiloxane), OMCATS(Octamethylcyclotetrasiloxan) 등에서 선택된 물질로 형성된다. The organic layer 140b is formed of a material selected from HMDSO (hexamethyldisiloxane), TMDSO (Tetramethyldisiloxane), TMMOS (trimethylmethoxysilane), BTMSM (bistrimethylsilylmethane), TEOS (tetraethoxysilane), DVTMDSO (divinyltetramethyl disiloxane) and OMCATS (Octamethylcyclotetrasiloxane).

Figure pat00001
Figure pat00001

예를 들어, 유기막(140b)을 화학식 1과 같은 HMDSO로 형성하는 경우, 챔버의 스테이지에 기판(100)을 올려놓고 Si-O-CH 성분의 가스와 반응 가스로 기능하는 O2를 주입한다. 그리고, 플라즈마의 높은 에너지 내에서 유기막(140b)을 형성한다. 이 때, 스테이지의 온도, 챔버의 압력 및 O2 유량을 조절하면, 유동성을 갖는 유기막(140b)을 형성할 수 있다. 구체적으로, 유동성을 갖는 유기막(140b)을 형성하기 위한 스테이지의 온도는 0℃~100℃이고, 챔버의 압력은 0.8Torr~1.6Torr이며, O2 유량은 100sccm~1000sccm이다.For example, when the organic film 140b is formed of HMDSO as shown in Formula 1, the substrate 100 is placed on the stage of the chamber and O 2 gas serving as a reaction gas is introduced into the Si-O-CH component gas . Then, the organic film 140b is formed within the high energy of the plasma. At this time, the organic film 140b having fluidity can be formed by adjusting the temperature of the stage, the pressure of the chamber, and the O 2 flow rate. Specifically, the temperature of the stage for forming the organic film 140b having fluidity is 0 ° C to 100 ° C, the chamber pressure is 0.8 Torr to 1.6 Torr, and the O 2 flow rate is 100 sccm to 1000 sccm.

즉, 유기막(140b)이 유동성을 가져, 도 3과 같이, 이물의 하부까지 유기막(140b)이 형성된다. 따라서, 본 발명은 이물 하부에 공극(Void)이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 특히, 8.4㎛의 직경을 갖는 이물이 유입된 영역과 이물 주변의 단차를 충분히 보상할 수 있다.That is, the organic film 140b has fluidity, and the organic film 140b is formed to the bottom of the foreign substance as shown in FIG. Therefore, the present invention can prevent the formation of voids in the lower part of the foreign object. Particularly, it is possible to sufficiently compensate the step around the foreign object and the region into which the foreign object having the diameter of 8.4 占 퐉 is introduced.

상기와 같이 유동성을 갖는 유기막(140b)을 형성한 후, 유기막(140b)을 경화시킨다. 이 때, 경화 공정은 산소 플라즈마 또는 열 경화를 이용한다. 구체적으로, 유기막(140b)을 산소 플라즈마에 노출시키면, 유동성을 갖는 유기막(140b)이 고체 막으로 변형된다. 열 경화는 30℃~100℃의 온도에서 10분~200분 정도 실시한다.After the organic film 140b having fluidity is formed as described above, the organic film 140b is cured. At this time, the curing process uses oxygen plasma or thermosetting. Specifically, when the organic film 140b is exposed to the oxygen plasma, the organic film 140b having fluidity is deformed into a solid film. Thermal curing is carried out at a temperature of 30 ° C to 100 ° C for 10 minutes to 200 minutes.

특히, 본 발명은 유기막(140b)을 도 4와 같이, 다층 구조로 형성할 수 있다. 이 경우, 플라즈마 기상 증착 방법과 경화 공정을 2회 이상 반복하여 형성할 수 있다. 그리고, 상기와 같이 다층 구조로 유기막(140b)을 형성하는 경우, 경화 공정은 산소 플라즈마 방법으로 실시하는 것이 바람직하다. 이는, 유기막(140b)의 형성 공정과 경화 공정을 동일 챔버에서 수행할 수 있기 때문이다.In particular, the organic layer 140b may be formed in a multi-layer structure as shown in FIG. In this case, the plasma vapor deposition method and the curing process can be repeatedly performed two or more times. When the organic film 140b is formed in a multi-layered structure as described above, the curing process is preferably performed by an oxygen plasma method. This is because the formation process of the organic film 140b and the curing process can be performed in the same chamber.

그리고, 경화된 유기막(140b) 상에 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 방법으로 상부 무기막(140c)을 더 형성한다. 이 때, 상부 무기막(140c)은 유기막(140b)을 완전히 감싸도록 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 유기막(140b)은 상, 하부 무기막(140c, 140a)에 의해 완전히 감싸진 형태로 형성된다.Then, an upper inorganic film 140c is further formed on the cured organic film 140b by a chemical vapor deposition (CVD) method. In this case, the upper inorganic film 140c is preferably formed to completely surround the organic film 140b. That is, the organic film 140b is formed to be completely enclosed by the upper and lower inorganic films 140c and 140a.

일반적인 방법으로 하부 무기막, 유기막 및 상부 무기막을 차례로 형성하는 경우, 화학 기상 증착 방법, 스크린 프린팅 방법 및 화학 기상 증착 방법을 차례로 실시해야 하므로, 서로 다른 장비를 이동하며 증착 해야 한다. 이에 따라, 기판을 챔버 내부 및 챔버 외부로 수 차례 이동시킬 때 이물이 발생할 수 있으며, 장비 관리에 어려움이 있다.When a lower inorganic film, an organic film, and an upper inorganic film are sequentially formed by a general method, a chemical vapor deposition method, a screen printing method, and a chemical vapor deposition method must be sequentially performed. Accordingly, when the substrate is moved several times inside the chamber and outside the chamber, foreign matter may be generated, which makes it difficult to manage the equipment.

그러나, 본 발명은 상술한 바와 같이, 상, 하부 무기막(140c, 140a)과 유기막(140b)을 동일 챔버안에서 형성함으로써 공정을 간소화하고 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 플라즈마 기상 증착 방법으로 유동성을 갖는 유기막(140b)을 형성함으로써, 유기막(140b)이 이물 하부까지 완전히 채워져, 이물 하부에 공극이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 다이오드 표시 장치의 신뢰성이 향상된다.However, as described above, the present invention can simplify the process and improve the yield by forming the upper and lower inorganic films 140c and 140a and the organic film 140b in the same chamber. Further, by forming the organic film 140b having flowability by the plasma vapor deposition method, the organic film 140b can be completely filled up to the lower part of the foreign material, and voids can be prevented from being formed under the foreign material. Thus, the reliability of the organic light emitting diode display device is improved.

이어, 도 2e와 같이, 보호막(140)이 형성된 기판(100)이 접착제(145)를 통해 봉지 기판(150)과 합착한다. 구체적으로, 봉지 기판(150)의 전면에 접착제(145)를 형성하고, 보호막(140)이 형성된 기판(100)과 봉지 기판(150)이 서로 대향되도록 배치한 후 접착제(145)를 통해 기판(100)과 봉지 기판(145)을 합착한다.2E, the substrate 100 on which the protective film 140 is formed is adhered to the encapsulation substrate 150 through the adhesive 145. Next, as shown in FIG. Specifically, the adhesive 145 is formed on the entire surface of the sealing substrate 150, and the substrate 100 on which the protective film 140 is formed and the sealing substrate 150 are disposed to face each other, 100 and the sealing substrate 145 are attached to each other.

상기와 같은 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법은 유기막(140b)의 막 특성을 향상시켜, 이물에 의한 단차를 충분히 보상할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 다이오드 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상, 하부 무기막(140c, 140a)과 유기막(140b)을 동일 챔버안에서 형성함으로써 공정을 간소화하고 수율을 향상시킬 수 있다.The method of manufacturing an organic light emitting diode display device of the present invention as described above improves the film characteristics of the organic film 140b and can sufficiently compensate the step caused by foreign matter. Thus, the reliability of the organic light emitting diode display device can be improved. In addition, by forming the upper and lower inorganic films 140c and 140a and the organic film 140b in the same chamber, the process can be simplified and the yield can be improved.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of.

100: 기판 105: 게이트 전극
110: 게이트 절연막 115: 반도체층
120a: 소스 전극 120b: 드레인 전극
125: 절연막 125H: 드레인 콘택홀
130a: 제 1 전극 130b: 유기 발광층
130c: 제 2 전극 135: 뱅크 절연막
140: 보호막 140a: 하부 무기막
140b: 유기막 140c: 상부 무기막
145: 접착제 150: 봉지 기판100: substrate 105: gate electrode
110: gate insulating film 115: semiconductor layer
120a: source electrode 120b: drain electrode
125: insulating film 125H: drain contact hole
130a: first electrode 130b: organic light emitting layer
130c: second electrode 135: bank insulating film
140: protective film 140a: lower inorganic film
140b: organic film 140c: upper inorganic film
145: adhesive 150: sealing substrate

Claims (7)

기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터와 접속되며, 제 1 전극, 유기 발광층 및 제 2 전극을 포함하는 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계;
상기 유기 발광 다이오드를 감싸도록 하부 무기막을 형성하는 단계;
플라즈마 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor depostion; PECVD) 방법을 이용하여 상기 하부 무기막 상에 유동성을 갖는 유기막을 형성하는 단계;
상기 유기막을 경화시키는 단계;
상기 유기막 상에 상부 무기막을 형성하는 단계; 및
접착제를 통해 상기 상부 무기막 전면에 봉지 기판을 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.Forming a thin film transistor on a substrate;
Forming an organic light emitting diode connected to the thin film transistor, the organic light emitting diode including a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode;
Forming a lower inorganic film to surround the organic light emitting diode;
Forming an organic film having a fluidity on the lower inorganic film by using a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method;
Curing the organic film;
Forming an upper inorganic film on the organic film; And
And attaching the sealing substrate to the entire upper inorganic film through an adhesive. 제 1 항에 있어서,
상기 유기막은 HMDSO(Hexamethyldisiloxane), TMDSO(Tetramethyldisiloxane), TMMOS(trimethylmethoxysilane), BTMSM(bistrimetylsilylmethane), TEOS(Tetraethoxysilane), DVTMDSO(divinyltetramethyl disiloxane), OMCATS(Octamethylcyclotetrasiloxan) 중에서 선택된 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the organic layer is formed of a material selected from among HMDSO (hexamethyldisiloxane), TMDSO (Tetramethyldisiloxane), TMMOS (trimethylmethoxysilane), BTMSM (bistrimethylsilylmethane), TEOS (tetraethoxysilane), DVTMDSO (divinyltetramethyl disiloxane), OMCATS (Octamethylcyclotetrasiloxane) A method of manufacturing a diode display device. 제 1 항에 있어서,
상기 하부 무기막, 상기 유기막 및 상기 상부 무기막은 동일 챔버에서 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the lower inorganic film, the organic film, and the upper inorganic film are formed in the same chamber. 제 1 항에 있어서,
상기 플라즈마 기상 증착 방법은 상기 하부 무기막이 형성된 상기 기판을 챔버의 스테이지에 올려놓고, 상기 챔버에 유기 물질과 O2를 주입하여 유동성을 갖는 상기 유기막을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the substrate having the lower inorganic film formed thereon is placed on a stage of a chamber, and organic material and O 2 are injected into the chamber to form the organic film having fluidity. The organic light emitting diode display according to claim 1, Gt; 제 4 항에 있어서,
상기 스테이지의 온도는 0℃~100℃이며, 상기 챔버의 압력은 0.8Torr~1.6Torr이며, 상기 O2의 유량은 100sccm~1000sccm인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.5. The method of claim 4,
Wherein the temperature of the stage is 0 ° C to 100 ° C, the pressure of the chamber is 0.8 Torr to 1.6 Torr, and the flow rate of the O 2 is 100 sccm to 1000 sccm. 제 1 항에 있어서,
상기 유기막을 경화시키는 단계는 산소 플라즈마 공정 또는 열 경화 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of curing the organic layer uses an oxygen plasma process or a thermal curing process. 제 1 항에 있어서,
상기 유동성을 갖는 유기막을 형성하는 단계와 상기 유기막을 경화시키는 단계를 2 회 이상 반복 실시하여, 상기 유기막을 다층 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the organic film having fluidity and the step of curing the organic film are repeated two or more times to form the organic film into a multi-layered structure.
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