KR102113605B1 - Method of fabricating the organic light emitting diode display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 수율을 향상시킴과 동시에 보호막의 특성을 향상시킬 수 있는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;n상기 박막 트랜지스터와 접속되며, 제 1 전극, 유기 발광층 및 제 2 전극을 포함하는 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계; 상기 유기 발광 다이오드를 감싸도록 하부 무기막을 형성하는 단계; 플라즈마 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor depostion; PECVD) 방법을 이용하여 상기 하부 무기막 상에 유동성을 갖는 유기막을 형성하는 단계; 상기 유기막을 경화시키는 단계; 상기 유기막 상에 상부 무기막을 형성하는 단계; 및 접착제를 통해 상기 상부 무기막 전면에 봉지 기판을 부착하는 단계를 포함한다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting diode display device that can improve the properties of a protective film while improving the yield, forming a thin film transistor on a substrate; n being connected to the thin film transistor, the first electrode Forming an organic light emitting diode including an organic light emitting layer and a second electrode; Forming a lower inorganic layer to surround the organic light emitting diode; Forming an organic film having fluidity on the lower inorganic film by using a plasma enhanced chemical vapor depostion (PECVD) method; Curing the organic film; Forming an upper inorganic layer on the organic layer; And attaching an encapsulation substrate to the front surface of the upper inorganic layer through an adhesive.

Description

유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법{METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}Manufacturing method of organic light emitting diode display device METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE

본 발명은 공정을 단순화하고, 수율을 향상시킴과 동시에 보호막의 특성을 향상시킬 수 있는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting diode display that can simplify a process, improve yield, and at the same time improve the properties of a protective film.

다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기 발광 다이오드 표시 장치가 각광받고 있다.A video display device that embodies various information as a screen is a key technology in the information and communication era, and is developing toward a thinner, lighter, more portable, and high-performance device. Accordingly, an organic light emitting diode display device that displays an image by controlling a light emission amount of an organic light emitting layer as a flat panel display device capable of reducing weight and volume, which is a disadvantage of a cathode ray tube (CRT), has been spotlighted.

유기 발광 다이오드 표시 장치는 전극 사이의 얇은 발광층을 이용한 자발광 소자인 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode: OLED)를 포함하여 이루어진다. 상기와 같은 유기 발광 다이오드 표시 장치는 종이와 같이 박막화가 가능하다.The organic light emitting diode display device includes an organic light emitting diode (OLED), which is a self-emitting device using a thin light emitting layer between electrodes. The organic light emitting diode display device as described above can be thinned like paper.

유기 발광 다이오드는 기판의 서브 화소 영역마다 형성된 박막 트랜지스터와 접속되는 양극(Anode)인 제 1 전극, 발광층(Emission Layer; EML) 및 음극(Cathode)인 제 2 전극을 포함하여 이루어진다. 상기와 같은 유기 발광 다이오드는 제 1, 제 2 전극에 전압을 인가하면 정공과 전자가 유기 발광층 내에서 재결합하여 엑시톤(Exciton)을 형성하고, 엑시톤이 기저상태로 떨어지며 발광한다.The organic light emitting diode includes a first electrode as an anode connected to a thin film transistor formed in each sub-pixel region of a substrate, a second electrode as an emission layer (EML) and a cathode. In the organic light emitting diode as described above, when voltage is applied to the first and second electrodes, holes and electrons recombine in the organic light emitting layer to form excitons, and the excitons fall to a ground state to emit light.

그런데, 유기 발광 다이오드는 외부의 수분, 산소, 자외선 및 소자의 제작 조건 등 외적 요인에 의해 쉽게 열화가 일어난다. 따라서, 일반적인 유기 발광 다이오드 표시 장치는 유기 발광 다이오드를 덮도록 보호막을 형성하고, 보호막 상에 유리 또는 플라스틱으로 형성된 봉지(Encapsulation) 기판을 부착한다.However, the organic light emitting diode easily deteriorates due to external factors such as external moisture, oxygen, ultraviolet rays, and device manufacturing conditions. Accordingly, a general organic light emitting diode display device forms a protective film to cover the organic light emitting diode and attaches an encapsulation substrate formed of glass or plastic on the protective film.

일반적으로, 보호막은 유기막과 무기막을 포함하여 이루어진다. 그런데, 무기막과 유기막을 형성하는 공정이 상이하여, 공정이 복잡하고 제조 비용이 증가한다. 예를 들어, 무기막은 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 방법으로 형성하고, 유기막은 스크린 프린팅 방법으로 형성한다.In general, the protective film includes an organic film and an inorganic film. However, the process of forming the inorganic film and the organic film is different, the process is complicated and the manufacturing cost increases. For example, the inorganic film is formed by a chemical vapor deposition (CVD) method, and the organic film is formed by a screen printing method.

그런데, 상기와 같은 스크린 프린팅 방법에 의해 형성된 유기막은 불량에 취약하다. 예를 들어, 프린팅 시 스퀴즈에 의한 메쉬 마스크에 이물이 발생하고, 이물에 의해 유기 물질이 도포되지 않는 영역이 발생한다. 또한, 스퀴즈에 의해 유기막 하부의 무기막이 손상될 수 있다.However, the organic film formed by the above screen printing method is vulnerable to defects. For example, when printing, a foreign material is generated in the mesh mask by the squeeze, and an area in which an organic material is not applied is generated by the foreign material. In addition, the inorganic film under the organic film may be damaged by the squeeze.

도 1a 내지 도 1c는 불량이 발생한 유기막의 사진이다.1A to 1C are photographs of an organic film in which defects have occurred.

도 1a와 같이, 유기막이 이물 하부까지 형성되지 못하므로, 공극(Void)이 발생할 수 있다. 또한, 유기막의 미 도포 영역이 발생하고, 8.4㎛의 직경을 갖는 이물의 단차를 충분히 보상하지 못한다. 따라서, 도 1b 및 도 1c와 같이 표시 장치의 품질이 저하되는 문제가 발생한다.As shown in FIG. 1A, since the organic layer is not formed to the lower part of the foreign material, voids may be generated. In addition, an uncoated region of the organic film occurs, and the level difference of the foreign matter having a diameter of 8.4 μm is not sufficiently compensated. Accordingly, a problem occurs in that the quality of the display device is deteriorated as shown in FIGS. 1B and 1C.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 유동성을 갖는 유기막을 형성하고, 이를 경화시켜 보호막을 형성함으로써, 신뢰성이 향상되고 공정이 단순화된 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention is to solve the above problems, by forming an organic film having a fluidity, and curing it to form a protective film, to provide a method for manufacturing an organic light emitting diode display having improved reliability and a simplified process.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;n상기 박막 트랜지스터와 접속되며, 제 1 전극, 유기 발광층 및 제 2 전극을 포함하는 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계; 상기 유기 발광 다이오드를 감싸도록 하부 무기막을 형성하는 단계; 플라즈마 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor depostion; PECVD) 방법을 이용하여 상기 하부 무기막 상에 유동성을 갖는 유기막을 형성하는 단계; 상기 유기막을 경화시키는 단계; 상기 유기막 상에 상부 무기막을 형성하는 단계; 및 접착제를 통해 상기 상부 무기막 전면에 봉지 기판을 부착하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to the present invention for achieving the above object includes forming a thin film transistor on a substrate; n is connected to the thin film transistor and includes a first electrode, an organic light emitting layer and a second electrode Forming an organic light emitting diode; Forming a lower inorganic layer to surround the organic light emitting diode; Forming an organic film having fluidity on the lower inorganic film by using a plasma enhanced chemical vapor depostion (PECVD) method; Curing the organic film; Forming an upper inorganic layer on the organic layer; And attaching an encapsulation substrate to the front surface of the upper inorganic layer through an adhesive.

상기 유기막은 HMDSO(Hexamethyldisiloxane), TMDSO(Tetramethyldisiloxane), TMMOS(trimethylmethoxysilane), BTMSM(bistrimetylsilylmethane), TEOS(Tetraethoxysilane), DVTMDSO(divinyltetramethyl disiloxane), OMCATS(Octamethylcyclotetrasiloxan) 중에서 선택된 물질로 형성한다.The organic film is formed of a material selected from Hexamethyldisiloxane (HMDSO), Tetramethyldisiloxane (TMDSO), trimethylmethoxysilane (TMMOS), bistrimetylsilylmethane (BTMSM), Tetraethoxysilane (TEOS), divinyltetramethyl disiloxane (DVTMDSO), and OMCATS (Octamethylcyclotetrasiloxan).

상기 하부 무기막, 상기 유기막 및 상기 상부 무기막은 동일 챔버에서 형성한다.The lower inorganic layer, the organic layer and the upper inorganic layer are formed in the same chamber.

상기 플라즈마 기상 증착 방법은 상기 하부 무기막이 형성된 상기 기판을 챔버의 스테이지에 올려놓고, 상기 챔버에 유기 물질과 O2를 주입하여 유동성을 갖는 상기 유기막을 형성한다.In the plasma vapor deposition method, the substrate on which the lower inorganic layer is formed is placed on a stage of a chamber, and an organic material and O 2 are injected into the chamber to form the organic layer having fluidity.

상기 스테이지의 온도는 0℃~100℃이며, 상기 챔버의 압력은 0.8Torr~1.6Torr이며, 상기 O2의 유량은 100sccm~1000sccm이다.The temperature of the stage is 0 ℃ ~ 100 ℃, the pressure of the chamber is 0.8 Torr ~ 1.6 Torr, the flow rate of the O 2 is 100sccm ~ 1000sccm.

상기 유기막을 경화시키는 단계는 산소 플라즈마 공정 또는 열 경화 공정을 이용한다.The step of curing the organic film uses an oxygen plasma process or a thermal curing process.

상기 유동성을 갖는 유기막을 형성하는 단계와 상기 유기막을 경화시키는 단계를 2 회 이상 반복 실시하여, 상기 유기막을 다층 구조로 형성한다.The step of forming the organic film having the fluidity and the step of curing the organic film are repeated two or more times to form the organic film in a multi-layer structure.

본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.The manufacturing method of the organic light emitting diode display device of the present invention has the following effects.

첫째, 유기 발광 다이오드를 덮는 보호막으로 기능하도록 무기막과 유기막을 형성할 때, 무기막과 유기막을 동일 챔버안에서 형성함으로써 공정을 간소화하고 수율을 향상시킬 수 있다.First, when forming the inorganic film and the organic film to function as a protective film covering the organic light emitting diode, by forming the inorganic film and the organic film in the same chamber, it is possible to simplify the process and improve the yield.

둘째, 플라즈마 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor depostion; PECVD) 방법으로 유동성을 갖는 유기막을 형성함으로써, 유기막이 이물 하부까지 완전히 채워져, 이물 하부에 공극이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 다이오드 표시 장치의 신뢰성이 향상된다.Second, by forming an organic film having fluidity by a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, the organic film is completely filled to the lower part of the foreign material, thereby preventing the formation of voids under the foreign material. Accordingly, reliability of the organic light emitting diode display is improved.

도 1a 내지 도 1c는 불량이 발생한 유기막의 사진이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 3은 이물 하부에 공극이 발생하지 않은 본 발명의 유기막의 사진이다.
도 4는 본 발명의 유기막이 복수 층으로 형성된 사진이다.1A to 1C are photographs of an organic film in which defects have occurred.
2A to 2E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display device of the present invention.
3 is a photograph of the organic film of the present invention in which no voids are formed under the foreign material.
4 is a photograph of the organic film of the present invention formed in multiple layers.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다. 그리고, 도 3은 이물 하부에 공극이 발생하지 않은 본 발명의 유기막의 사진이다. 또한, 도 4는 본 발명의 유기막이 복수 층으로 형성된 사진이다.2A to 2E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display device of the present invention. And, Figure 3 is a photo of the organic film of the present invention does not generate voids under the foreign body. In addition, FIG. 4 is a photograph in which the organic film of the present invention is formed in multiple layers.

도 2a와 같이, 기판(100) 상에 게이트 전극(105), 게이트 절연막(110), 반도체층(115), 소스 전극(120a) 및 드레인 전극(120b)을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성한다.2A, a thin film transistor including a gate electrode 105, a gate insulating layer 110, a semiconductor layer 115, a source electrode 120a and a drain electrode 120b is formed on the substrate 100.

구체적으로, 기판(100) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 게이트 금속층을 형성한다. 게이트 금속층은 알루미늄계 금속(Al, AlNd), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)등과 같은 금속으로 형성되며, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 게이트 금속층을 패터닝하여 게이트 전극(105)을 형성한다.Specifically, the gate metal layer is formed on the substrate 100 through a deposition method such as a sputtering method. The gate metal layer is formed of a metal such as aluminum-based metal (Al, AlNd), copper (Cu), titanium (Ti), molybdenum (Mo), tungsten (W), etc., by patterning the gate metal layer by a photolithography process and an etching process. The gate electrode 105 is formed.

게이트 전극(105)을 덮도록 기판(100) 상에 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등과 같은 무기 절연 물질로 게이트 절연막(110)을 형성한다. 게이트 절연막(110) 상에 게이트 전극(105)과 중첩되는 반도체층(115)을 형성한다. 이 때, 반도체층(115)은 산화물, 유기물, 비정질 실리콘 및 다결정 실리콘 등으로 형성된다.The gate insulating layer 110 is formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) on the substrate 100 to cover the gate electrode 105. A semiconductor layer 115 overlapping the gate electrode 105 is formed on the gate insulating layer 110. At this time, the semiconductor layer 115 is formed of oxide, organic material, amorphous silicon and polycrystalline silicon.

그리고, 반도체층(115)이 형성된 기판(100) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 데이터 금속층을 형성한다. 데이터 금속층은 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 알루미늄(Al)계 금속, 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등으로 형성된다. 그리고, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 데이터 금속층을 패터닝하여 반도체층(115)의 상부면을 노출시키도록 이격된 소스 전극(120a) 및 드레인 전극(120b)을 형성한다. Then, a data metal layer is formed on the substrate 100 on which the semiconductor layer 115 is formed through a deposition method such as a sputtering method. The data metal layer is formed of titanium (Ti), tungsten (W), aluminum (Al) -based metal, molybdenum (Mo), copper (Cu), or the like. Then, the data metal layer is patterned by a photolithography process and an etching process to form spaced source electrodes 120a and drain electrodes 120b to expose the upper surface of the semiconductor layer 115.

이어, 도 2b와 같이, 소스 및 드레인 전극(120a, 120b)이 형성된 기판(100) 상에 절연막(125)을 형성한다. 그리고, 절연막(125)을 선택적으로 제거하여 후술할 제 1 전극과 드레인 전극(120b)을 접속시키기 위해 드레인 전극(120b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(125H)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2B, an insulating layer 125 is formed on the substrate 100 on which the source and drain electrodes 120a and 120b are formed. Then, the insulating layer 125 is selectively removed to form a drain contact hole 125H exposing the drain electrode 120b to connect the first electrode and the drain electrode 120b, which will be described later.

절연막(125)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질으로 형성되거나, 무기 절연 물질과 유기 절연 물질이 적층된 구조로 형성될 수 있다. 일반적으로, 유기 절연 물질은 박막트랜지스터가 형성된 기판(100)을 평탄화시킨다. 그리고, 유기 절연 물질과 박막 트랜지스터 사이에 무기 절연 물질을 구비하는 경우, 무기 절연 물질은 게이트 절연막(110), 소스, 드레인 전극(120a, 120b) 각각과 유기 절연 물질의 계면 안정성을 향상시킬 수 있다.The insulating layer 125 may be formed of an organic insulating material or an inorganic insulating material, or a structure in which an inorganic insulating material and an organic insulating material are stacked. In general, the organic insulating material planarizes the substrate 100 on which the thin film transistor is formed. In addition, when an inorganic insulating material is provided between the organic insulating material and the thin film transistor, the inorganic insulating material may improve the interfacial stability of each of the gate insulating film 110, the source and drain electrodes 120a and 120b, and the organic insulating material. .

이어, 도 2c와 같이, 절연막(125) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법으로 제 1 전극(130a)을 형성한다. 제 1 전극(130a)은 드레인 콘택홀(125H)을 통해 드레인 전극(120b)과 접속된다. 그리고, 제 1 전극(130a)의 일부 영역을 노출시키는 뱅크 절연막(135)을 형성한다. 뱅크 절연막(135)은 유기 발광 다이오드의 발광 영역을 정의하며, 비 발광 영역의 빛샘을 방지한다. 뱅크 절연막(135)에 의해 노출된 제 1 전극(130a) 상에 유기 발광층(130b)을 형성하고, 유기 발광층(130b) 상에 제 2 전극(130c)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 2C, the first electrode 130a is formed on the insulating layer 125 by a deposition method such as a sputtering method. The first electrode 130a is connected to the drain electrode 120b through the drain contact hole 125H. Then, a bank insulating layer 135 exposing a portion of the first electrode 130a is formed. The bank insulating layer 135 defines a light emitting region of the organic light emitting diode and prevents light leakage in the non-light emitting region. The organic emission layer 130b is formed on the first electrode 130a exposed by the bank insulating layer 135, and the second electrode 130c is formed on the organic emission layer 130b.

상기와 같은 유기 발광 다이오드는 제 1, 제 2 전극(130a, 130c)에 전압을 인가하면 정공과 전자가 유기 발광층(130b) 내에서 재결합하여 엑시톤(Exciton)을 형성한다. 그리고, 엑시톤이 기저상태로 떨어지며 발광한다.In the organic light emitting diode as described above, when voltage is applied to the first and second electrodes 130a and 130c, holes and electrons recombine within the organic light emitting layer 130b to form excitons. Then, the exciton falls to the ground state and emits light.

유기 발광층(130b)에서 발생하는 광이 기판(100)을 통해 외부로 방출되는 경우, 제 1 전극(130a)은 틴 옥사이드(Tin Oxide: TO), 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide: ITO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide: IZO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO) 등과 같은 투명 도전성 물질로 형성되고, 제 2 전극(130c)은 반사율이 높은 알루미늄(Al) 등과 같은 불투명 도전성 물질로 형성된다.When light emitted from the organic emission layer 130b is emitted to the outside through the substrate 100, the first electrode 130a is tin oxide (TO), indium tin oxide (ITO), indium It is formed of a transparent conductive material such as zinc oxide (Indium Zinc Oxide: IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), and the second electrode 130c is an opaque conductive material such as aluminum (Al) having high reflectivity. It is formed of.

반대로, 유기 발광층(130)에서 발생하는 광이 후술할 봉지 기판을 통해 외부로 방출되는 경우, 제 1 전극(130a)을 불투명 도전성 물질로 형성한다. 그리고, 제 2 전극(130c)을 투명 도전성 물질로 형성한다.Conversely, when light emitted from the organic light emitting layer 130 is emitted to the outside through the sealing substrate to be described later, the first electrode 130a is formed of an opaque conductive material. Then, the second electrode 130c is formed of a transparent conductive material.

이어, 도 2d와 같이, 유기 발광 다이오드 상에 무기 보호막과 유기 보호막을 포함하는 보호막(140)을 형성한다. 보호막(140)은 유기 발광 다이오드와 후술할 봉지 기판 사이에 형성되어 유기 발광 다이오드가 수분 또는 산소 등에 의해 손상되거나 발광 특성이 저하되는 것을 방지하기 위한 것이다. 이 때, 무기막은 외부의 수분 및 산소를 차단하며, 유기막은 보호막에 혼입된 이물에 의한 단차를 보상한다. 동시에 유기막은 보호막으로 유입된 수분 및 산소의 진행 경로를 증가시킨다. 특히, 보호막(140)은 유기 발광 다이오드를 완전히 감싸도록 절연막(125)의 가장자리까지 덮도록 형성되는 것이 바람직하다. Subsequently, as shown in FIG. 2D, a protective layer 140 including an inorganic protective layer and an organic protective layer is formed on the organic light emitting diode. The passivation layer 140 is formed between the organic light emitting diode and the encapsulation substrate, which will be described later, to prevent the organic light emitting diode from being damaged by moisture or oxygen or deteriorating the light emitting characteristics. At this time, the inorganic film blocks external moisture and oxygen, and the organic film compensates for a step due to foreign matter mixed in the protective film. At the same time, the organic film increases the path of moisture and oxygen flowing into the protective film. In particular, the protective film 140 is preferably formed to cover the edge of the insulating film 125 to completely surround the organic light emitting diode.

구체적으로, 제 2 전극(130c) 상에 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 방법으로 하부 무기막(140a)을 형성한다. 하부 무기막(140a)은 산화 실리콘(SiO), 질화 실리콘(SiNx) 등과 같은 물질로 형성되며, 상술한 바와 같이, 유기 발광 다이오드를 완전히 덮도록 절연막(125) 가장자리까지 형성되는 것이 바람직하다.Specifically, the lower inorganic layer 140a is formed on the second electrode 130c by a chemical vapor deposition (CVD) method. The lower inorganic film 140a is formed of a material such as silicon oxide (SiO), silicon nitride (SiNx), and the like, and as described above, is preferably formed to the edge of the insulating film 125 to completely cover the organic light emitting diode.

그리고, 플라즈마 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor depostion; PECVD) 방법으로 하부 무기막(140a) 상에 유기막(140b)을 형성한다. 이 때, 유기막(140b)은 하부 무기막(140a)과 동일 챔버에서 형성된다. 상기와 같은 플라즈마 기상 증착 방법은 20,000Å/min의 속도로 유기막을 형성하므로, 5㎛ 두께의 유기막(140b)을 형성하는데 약 2.5분이 걸린다. Then, an organic layer 140b is formed on the lower inorganic layer 140a by a plasma enhanced chemical vapor depostion (PECVD) method. At this time, the organic film 140b is formed in the same chamber as the lower inorganic film 140a. The plasma vapor deposition method as described above forms an organic film at a rate of 20,000 kPa / min, so it takes about 2.5 minutes to form the 5 μm thick organic film 140b.

유기막(140b)은 HMDSO(Hexamethyldisiloxane), TMDSO(Tetramethyldisiloxane), TMMOS(trimethylmethoxysilane), BTMSM(bistrimetylsilylmethane), TEOS(Tetraethoxysilane), DVTMDSO(divinyltetramethyl disiloxane), OMCATS(Octamethylcyclotetrasiloxan) 등에서 선택된 물질로 형성된다. The organic film 140b is formed of a material selected from Hexamethyldisiloxane (HMDSO), Tetramethyldisiloxane (TMDSO), trimethylmethoxysilane (TMMOS), bistrimetylsilylmethane (BTMSM), tetraethoxysilane (TEOS), divinyltetramethyl disiloxane (DVTMDSO), or octagoncyclocyclosiloxan (OMCATS).

Figure 112013068143336-pat00001
Figure 112013068143336-pat00001

예를 들어, 유기막(140b)을 화학식 1과 같은 HMDSO로 형성하는 경우, 챔버의 스테이지에 기판(100)을 올려놓고 Si-O-CH 성분의 가스와 반응 가스로 기능하는 O2를 주입한다. 그리고, 플라즈마의 높은 에너지 내에서 유기막(140b)을 형성한다. 이 때, 스테이지의 온도, 챔버의 압력 및 O2 유량을 조절하면, 유동성을 갖는 유기막(140b)을 형성할 수 있다. 구체적으로, 유동성을 갖는 유기막(140b)을 형성하기 위한 스테이지의 온도는 0℃~100℃이고, 챔버의 압력은 0.8Torr~1.6Torr이며, O2 유량은 100sccm~1000sccm이다.For example, when the organic film 140b is formed of HMDSO such as Chemical Formula 1, the substrate 100 is placed on the stage of the chamber and O 2 serving as a gas of Si-O-CH and a reactive gas is injected. . Then, the organic film 140b is formed within the high energy of the plasma. At this time, by adjusting the temperature of the stage, the pressure of the chamber and the flow rate of O 2 , an organic film 140b having fluidity can be formed. Specifically, the temperature of the stage for forming the organic film 140b having fluidity is 0 ° C to 100 ° C, the pressure in the chamber is 0.8 Torr to 1.6 Torr, and the O 2 flow rate is 100 sccm to 1000 sccm.

즉, 유기막(140b)이 유동성을 가져, 도 3과 같이, 이물의 하부까지 유기막(140b)이 형성된다. 따라서, 본 발명은 이물 하부에 공극(Void)이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 특히, 8.4㎛의 직경을 갖는 이물이 유입된 영역과 이물 주변의 단차를 충분히 보상할 수 있다.That is, the organic film 140b has fluidity, and as shown in FIG. 3, the organic film 140b is formed to the lower part of the foreign material. Therefore, the present invention can prevent the formation of voids (Void) in the lower part of the foreign material. In particular, it is possible to sufficiently compensate for the step between the area where the foreign material having a diameter of 8.4 µm flows in and the foreign material.

상기와 같이 유동성을 갖는 유기막(140b)을 형성한 후, 유기막(140b)을 경화시킨다. 이 때, 경화 공정은 산소 플라즈마 또는 열 경화를 이용한다. 구체적으로, 유기막(140b)을 산소 플라즈마에 노출시키면, 유동성을 갖는 유기막(140b)이 고체 막으로 변형된다. 열 경화는 30℃~100℃의 온도에서 10분~200분 정도 실시한다.After forming the organic film 140b having fluidity as described above, the organic film 140b is cured. At this time, the curing process uses oxygen plasma or thermal curing. Specifically, when the organic film 140b is exposed to oxygen plasma, the organic film 140b having fluidity is transformed into a solid film. Thermal curing is performed at a temperature of 30 ° C to 100 ° C for 10 minutes to 200 minutes.

특히, 본 발명은 유기막(140b)을 도 4와 같이, 다층 구조로 형성할 수 있다. 이 경우, 플라즈마 기상 증착 방법과 경화 공정을 2회 이상 반복하여 형성할 수 있다. 그리고, 상기와 같이 다층 구조로 유기막(140b)을 형성하는 경우, 경화 공정은 산소 플라즈마 방법으로 실시하는 것이 바람직하다. 이는, 유기막(140b)의 형성 공정과 경화 공정을 동일 챔버에서 수행할 수 있기 때문이다.In particular, the present invention can form the organic film 140b in a multi-layer structure, as shown in FIG. 4. In this case, the plasma vapor deposition method and the curing process can be repeatedly formed two or more times. In addition, when forming the organic film 140b in a multi-layer structure as described above, it is preferable that the curing process is performed by an oxygen plasma method. This is because the formation process and the curing process of the organic film 140b can be performed in the same chamber.

그리고, 경화된 유기막(140b) 상에 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 방법으로 상부 무기막(140c)을 더 형성한다. 이 때, 상부 무기막(140c)은 유기막(140b)을 완전히 감싸도록 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 유기막(140b)은 상, 하부 무기막(140c, 140a)에 의해 완전히 감싸진 형태로 형성된다.Then, the upper inorganic film 140c is further formed on the cured organic film 140b by a chemical vapor deposition (CVD) method. At this time, the upper inorganic film 140c is preferably formed to completely surround the organic film 140b. That is, the organic film 140b is formed in a form completely enclosed by the upper and lower inorganic films 140c and 140a.

일반적인 방법으로 하부 무기막, 유기막 및 상부 무기막을 차례로 형성하는 경우, 화학 기상 증착 방법, 스크린 프린팅 방법 및 화학 기상 증착 방법을 차례로 실시해야 하므로, 서로 다른 장비를 이동하며 증착 해야 한다. 이에 따라, 기판을 챔버 내부 및 챔버 외부로 수 차례 이동시킬 때 이물이 발생할 수 있으며, 장비 관리에 어려움이 있다.When the lower inorganic film, the organic film, and the upper inorganic film are sequentially formed by a general method, chemical vapor deposition methods, screen printing methods, and chemical vapor deposition methods must be sequentially performed, and thus deposition must be performed while moving different equipment. Accordingly, foreign matter may be generated when the substrate is moved to and from the chamber several times, and equipment management is difficult.

그러나, 본 발명은 상술한 바와 같이, 상, 하부 무기막(140c, 140a)과 유기막(140b)을 동일 챔버안에서 형성함으로써 공정을 간소화하고 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 플라즈마 기상 증착 방법으로 유동성을 갖는 유기막(140b)을 형성함으로써, 유기막(140b)이 이물 하부까지 완전히 채워져, 이물 하부에 공극이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 다이오드 표시 장치의 신뢰성이 향상된다.However, as described above, the present invention can simplify the process and improve the yield by forming the upper and lower inorganic films 140c and 140a and the organic film 140b in the same chamber. In addition, by forming the organic film 140b having fluidity by the plasma vapor deposition method, the organic film 140b is completely filled to the lower part of the foreign material, and thus it is possible to prevent the voids from being formed under the foreign material. Accordingly, reliability of the organic light emitting diode display is improved.

이어, 도 2e와 같이, 보호막(140)이 형성된 기판(100)이 접착제(145)를 통해 봉지 기판(150)과 합착한다. 구체적으로, 봉지 기판(150)의 전면에 접착제(145)를 형성하고, 보호막(140)이 형성된 기판(100)과 봉지 기판(150)이 서로 대향되도록 배치한 후 접착제(145)를 통해 기판(100)과 봉지 기판(145)을 합착한다.Subsequently, as shown in FIG. 2E, the substrate 100 on which the protective film 140 is formed is bonded to the sealing substrate 150 through the adhesive 145. Specifically, the adhesive 145 is formed on the front surface of the sealing substrate 150, and the substrate 100 on which the protective film 140 is formed and the sealing substrate 150 are arranged to face each other, and then the substrate (through the adhesive 145) 100) and sealing substrate 145.

상기와 같은 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법은 유기막(140b)의 막 특성을 향상시켜, 이물에 의한 단차를 충분히 보상할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 다이오드 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상, 하부 무기막(140c, 140a)과 유기막(140b)을 동일 챔버안에서 형성함으로써 공정을 간소화하고 수율을 향상시킬 수 있다.The manufacturing method of the organic light emitting diode display device of the present invention as described above can improve the film properties of the organic film 140b, and sufficiently compensate the level difference caused by foreign matter. Accordingly, reliability of the organic light emitting diode display device can be improved. In addition, the upper and lower inorganic films 140c and 140a and the organic film 140b are formed in the same chamber, thereby simplifying the process and improving yield.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications and changes are possible within the scope of the present invention without departing from the technical spirit of the present invention. It will be clear to those who have the knowledge of

100: 기판 105: 게이트 전극
110: 게이트 절연막 115: 반도체층
120a: 소스 전극 120b: 드레인 전극
125: 절연막 125H: 드레인 콘택홀
130a: 제 1 전극 130b: 유기 발광층
130c: 제 2 전극 135: 뱅크 절연막
140: 보호막 140a: 하부 무기막
140b: 유기막 140c: 상부 무기막
145: 접착제 150: 봉지 기판100: substrate 105: gate electrode
110: gate insulating film 115: semiconductor layer
120a: source electrode 120b: drain electrode
125: insulating film 125H: drain contact hole
130a: first electrode 130b: organic light emitting layer
130c: second electrode 135: bank insulating film
140: protective film 140a: lower inorganic film
140b: organic film 140c: upper inorganic film
145: adhesive 150: sealing substrate

Claims (8)

기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터와 접속되며, 제 1 전극, 유기 발광층 및 제 2 전극을 포함하는 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계;
상기 유기 발광 다이오드를 완전히 감싸도록 하부 무기막을 형성하는 단계;
플라즈마 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor depostion; PECVD) 방법을 이용하여 상기 하부 무기막 상에 유동성을 갖는 유기막을 형성하는 단계;
상기 유기막을 경화시키는 단계;
상기 유기막 상에 상기 유기막을 완전히 감싸도록 상부 무기막을 형성하는 단계; 및
접착제를 통해 상기 상부 무기막 전면에 봉지 기판을 부착하는 단계를 포함하고,
상기 하부 무기막, 유기막 및 상부 무기막은 동일 챔버안에서 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.Forming a thin film transistor on the substrate;
Forming an organic light emitting diode connected to the thin film transistor and including a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode;
Forming a lower inorganic layer to completely surround the organic light emitting diode;
Forming an organic film having fluidity on the lower inorganic film using a plasma enhanced chemical vapor depostion (PECVD) method;
Curing the organic film;
Forming an upper inorganic layer on the organic layer to completely surround the organic layer; And
And attaching a sealing substrate to the front surface of the upper inorganic film through an adhesive,
The lower inorganic film, the organic film and the upper inorganic film is a method of manufacturing an organic light emitting diode display, characterized in that formed in the same chamber. 제 1 항에 있어서,
상기 유기막은 HMDSO(Hexamethyldisiloxane), TMDSO(Tetramethyldisiloxane), TMMOS(trimethylmethoxysilane), BTMSM(bistrimetylsilylmethane), TEOS(Tetraethoxysilane), DVTMDSO(divinyltetramethyl disiloxane), OMCATS(Octamethylcyclotetrasiloxan) 중에서 선택된 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.According to claim 1,
The organic film is formed of a material selected from organic materials selected from Hexamethyldisiloxane (HMDSO), Tetramethyldisiloxane (TMDSO), trimethylmethoxysilane (TMMOS), bistrimetylsilylmethane (BTMSM), Tetraethoxysilane (TEOS), divinyltetramethyl disiloxane (DVTMDSO), and OMCATS (Octamethylcyclotetrasiloxan). Method for manufacturing a diode display device. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 플라즈마 기상 증착 방법은 상기 하부 무기막이 형성된 상기 기판을 챔버의 스테이지에 올려놓고, 상기 챔버에 유기 물질과 O2를 주입하여 유동성을 갖는 상기 유기막을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.According to claim 1,
In the plasma vapor deposition method, the substrate on which the lower inorganic layer is formed is placed on a stage of a chamber, and an organic material and O 2 are injected into the chamber to form the organic layer having fluidity. Manufacturing method. 제 4 항에 있어서,
상기 스테이지의 온도는 0℃~100℃이며, 상기 챔버의 압력은 0.8Torr~1.6Torr이며, 상기 O2의 유량은 100sccm~1000sccm인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 4,
The temperature of the stage is 0 ℃ ~ 100 ℃, the pressure of the chamber is 0.8 Torr ~ 1.6 Torr, the flow rate of the O 2 is a method of manufacturing an organic light emitting diode display device, characterized in that 100sccm ~ 1000sccm. 제 1 항에 있어서,
상기 유기막을 경화시키는 단계는 산소 플라즈마 공정 또는 열 경화 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.According to claim 1,
The step of curing the organic film is a method of manufacturing an organic light emitting diode display, characterized in that using an oxygen plasma process or a thermal curing process. 제 1 항에 있어서,
상기 유동성을 갖는 유기막을 형성하는 단계와 상기 유기막을 경화시키는 단계를 2 회 이상 반복 실시하여, 상기 유기막을 다층 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.According to claim 1,
A method of manufacturing an organic light emitting diode display device comprising forming the organic film having the fluidity and curing the organic film two or more times to form the organic film in a multi-layer structure. 제 7 항에 있어서, 상기 다층 구조의 유기막은 산소 플라즈마 처리를 실시하고 형성 공정과 경화 공정을 동일 챔버에서 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.

The method of claim 7, wherein the multi-layered organic film is subjected to oxygen plasma treatment and a forming process and a curing process are performed in the same chamber.

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