KR20150012454A - 광투과 후면전극과 이를 이용한 태양전지 및 이들의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 후면전극을 개량한 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 태양전지 모듈(module)의 뒷면으로 조사되는 빛을 투과시킬 수 있는 후면전극에 관한 것이다. 본 발명은 태양전지의 후면전극의 제조방법에 있어서, 태양전지의 투명기판(100) 위에 몰리브덴(Mo)층(200)을 형성시키는 단계(s1000); 상기 몰리브덴(Mo)층을 패터닝(patterning)하는 단계(s2000); 투명기판(100)과 그 위에 패터닝된 몰리브덴층(200)위에 투명전극층(210)을 형성시키는 단계(s3000); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법을 제공한다.
Description
본 발명은 후면전극을 개량한 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 태양전지 모듈(module)의 뒷면으로 조사되는 빛을 투과시킬 수 있는 후면전극에 관한 것이다.
태양전지 및 발전시스템은 태양에너지를 직접 전기에너지로 변환시키는 기술로 반도체, 염료, 고분자 등의 물질로 이루어진 태양전지를 이용하여 태양 빛을 받아 바로 전기를 생성한다. 이와 비교되는 기술로는 태양의 복사에너지를 흡수하여 열에너지로 변환하여 이용하는 태양열발전이 있다.
태양광발전(PV, Photovoltaic)은 무한정, 무공해의 태양에너지를 직접 전기에너지로 변환하는 발전방식으로 태양전지(모듈), PCS, 축전장치 등의 요소로 구성된다. 가장 일반적인 실리콘 태양전지의 기본 구조로서, 태양전지는 p형 반도체와 n형 반도체를 접합시키고 (p-n 접합) 양단에 금속전극을 코팅하여 제작한다. 태양 빛이 입사되어 반도체 내부에서 흡수되면 전자와 정공이 발생하여 p-n 접합에 의한 전기장에 끌려 전자는 n측으로 정공은 p측으로 이동하여 외부회로에 전류가 흐르게 된다. 태양광 시스템은 빛을 받아서 전기로 전환시켜 주는 부분(모듈)과 생산된 전기를 수요에 맞도록 교류로 변환시키고 계통에 연결시켜 주는 부분(PCS)으로 구성된다.
태양광발전 시스템의 구성 요소 기기 중 핵심부품은 태양전지이다. 태양전지는 기본적으로 반도체 소자 기술로서 태양 빛을 전기에너지로 변환하는 기능을 수행하는데, 이는 전기를 빛으로 변환시키는 레이저나 발광다이오드(Light Emitting Diode) 등 정보 표시 소자와 작동 방향이 반대일 뿐 기본 구조나 재료특성이 동일하다.
태양전지의 최소단위를 셀이라고 하며 보통 셀 1개로부터 나오는 전압이 약 0.5V로 매우 작으므로 다수의 태양전지를 직병렬로 연결하여 사용범위에 따라 실용적인 범위의 전압과 출력을 얻을 수 있도록 1매로 패키징하여 제작된 발전장치를 태양전지 모듈(PV Module)이라고 한다.
태양전지 모듈은 외부 환경으로부터 태양전지를 보호하기 위해서 유리, 완충재 및 표면재 등을 사용하여 패널 형태로 제작하며 내구성 및 내후성을 가진 출력을 인출하기 위한 외부단자를 포함한다. 복수 개의 태양전지 모듈에 태양빛이 많이 입사할 수 있도록 경사각, 방위각 등의 설치조건을 고려, 가대 및 지지대를 이용하여 전기적인 직병렬로 연결하여 사용범위에 맞게 구성한 발전장치를 태양전지 어레이(PV Array)라고 한다.
태양광발전용 PCS(Power Conditioning System)는 태양전지 어레이에서 발전된 직류전력을 교류전력으로 변환하기 위한 인버터 장치를 말한다. PCS는 태양전지 어레이에서 발전한 직류전원을 상용계통과 같은 전압과 주파수의 교류전력으로 변환하는 장치가 인버터이기 때문에 PCS를 인버터라고도 한다. PCS는 인버터, 전력제어장치 및 보호 장치로 구성되어 있다. 태양전지 본체를 제외한 주변장치 중에서 가장 큰 비중을 차지하는 요소이다.
박막 태양전지는 결정질 실리콘 태양전지에 비하여 원료사용량이 매우 적고 대면적화 및 대량생산이 가능하여 태양전지 제조단가를 낮출 수 있으며, 광흡수층 소재의 두께가 수 ㎛로 원소재 소비가 매우 적으며 5세대급의 대면적 모듈 제조가 가능하고 태양전지 및 모듈제조가 함께 이루어져 가치사슬(Value chain)이 단순하다. 또한, 실리콘 박막과 CI(G)S 및 CdTe 등의 화합물 박막을 이용한 박막 태양전지(모듈)이 상용화되고 있다. 도 1은 상기의 CI(G)S 박막 태양전지의 일반적인 형태를 도시하고 있다.
현재 생산되고 있는 대부분의 박막 태양전지는 유리기판 위에 제조되고 있으며 5세대급 모듈제조시 무게는 약 20㎏이상이 되고 있다.
이러한 박막 태양전지는 기판 위에 박막을 적층하여 제조하며, 태양광이 입사하는 방향에 따라서 상판(superstrate)형과 하판(substrate)형으로 구분된다. 상판형은 태양광이 기판을 통해서 입사하는 구조이며, 투명한 유리 기판에 전면전극을 형성하고, 광흡수층을 차례로 형성한 뒤에 마지막에 후면반사막을 형성한다. 하판형은 태양광이 기판의 반대쪽을 통해서 입사하는 구조이며, 후면 반사막의 역할을 하는 금속 기판 위에 광흡수층을 차례로 형성하고 마지막에 전면전극을 형성한다.
본 발명은, 태양전지 모듈 설치시, 태양전지 모듈의 전면으로 조사되는 태양광은 물론, 태양전지 모듈의 뒷면으로 반사되어 들어오는 태양광 까지 전기로 변환시킬 수 있도록 태양전지 모듈의 후면도 빛을 투과시킬 수 있는 태양전지를 제공하고자 한다.
이에, 본 발명은 태양전지의 후면전극의 제조방법에 있어서,
태양전지의 투명기판(100) 위에 몰리브덴(Mo)층(200)을 형성시키는 단계(s1000);
상기 몰리브덴(Mo)층을 패터닝(patterning)하는 단계(s2000);
투명기판(100)과 그 위에 패터닝된 몰리브덴층(200)위에 투명전극층(210)을 형성시키는 단계(s3000);
를 포함하는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명에 따르면, 태양전지 모듈 설치시, 태양전지 모듈의 전면으로 조사되는 태양광은 물론, 태양전지 모듈의 뒷면으로 반사되어 들어오는 태양광 까지 전기로 변환시킬 수 있어 집광효과를 극대화하여 전력생산효율을 크게 향상시키는 효과가 있다.
도 1은 종래의 박막형 CIGS 태양전지의 단면도.
도 2는 본 발명의 광투과 후면전극이 적용된 태양전지의 요부발췌 사시도.
도 3은 본 발명의 광투과 후면전극이 적용된 태양전지의 요부발췌 단면도.
도 4는 본 발명의 광투과 후면전극의 일실시예를 도시한 요부발췌사시도.
도 5는 본 발명의 광투과 후면전극의 다른 실시예를 도시한 요부발췌사시도.
도 6은 본 발명의 광투과 후면전극의 다른 실시예를 도시한 요부발췌사시도.
도 7은 본 발명의 광투과 후면전극의 제조방법의 순서도.
도 8은 본 발명의 태양전지의 제조방법의 순서도.
도 2는 본 발명의 광투과 후면전극이 적용된 태양전지의 요부발췌 사시도.
도 3은 본 발명의 광투과 후면전극이 적용된 태양전지의 요부발췌 단면도.
도 4는 본 발명의 광투과 후면전극의 일실시예를 도시한 요부발췌사시도.
도 5는 본 발명의 광투과 후면전극의 다른 실시예를 도시한 요부발췌사시도.
도 6은 본 발명의 광투과 후면전극의 다른 실시예를 도시한 요부발췌사시도.
도 7은 본 발명의 광투과 후면전극의 제조방법의 순서도.
도 8은 본 발명의 태양전지의 제조방법의 순서도.
본 발명은 후면전극을 개량한 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 태양전지 모듈(module)의 뒷면으로 조사되는 빛을 투과시킬 수 있는 후면전극에 관한 것이다. 이하, 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다. 도 2는 본 발명의 광투과 후면전극이 적용된 태양전지의 요부발췌 사시도이고, 도 3은 본 발명의 광투과 후면전극이 적용된 태양전지의 요부발췌 단면도이며, 도 4는 본 발명의 광투과 후면전극의 일실시예를 도시한 요부발췌사시도이다.
본 발명은 태양전지의 후면전극의 제조방법에 있어서,
태양전지의 투명기판(100) 위에 몰리브덴(Mo)층(200)을 형성시키는 단계(s1000);
상기 몰리브덴(Mo)층을 패터닝(patterning)하는 단계(s2000);
투명기판(100)과 그 위에 패터닝된 몰리브덴층(200)위에 투명전극층(210)을 형성시키는 단계(s3000);
를 포함하는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법을 제공한다.
상기 태양전지의 투명기판(100) 위에 몰리브덴(Mo)층을 형성시키는 단계(s1000)의 투명기판(100)은 유리 또는 플라스틱의 재질로 형성된 것임이 바람직하다.
태양전지의 투명기판(100) 위에 후면전극인 몰리브덴(Mo)층을 형성시키는 단계(s1000)의 몰리브덴(Mo)층(200)은 스퍼터링, 음극아크증착, 증기증착, 전자빔증착, 화학기상증착, 원자층증착, 전기화학적증착, 분사코팅, 닥터블레이드코팅, 스크린 프린트, 잉크젯 코팅, 전착법, 중에서 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 증착시켜 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 몰리브덴(Mo)층은 불투명하기 때문에 빛을 투과시키기 위하여 패터닝 공정을 수행한다.
상기 몰리브덴(Mo)층을 패터닝(patterning)하는 단계(s2000)는 레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정, 포토 레지스트(photo resist)를 이용한 광식각(露光 ; Photolythography) 공정, 기계적인 스크라이빙 공정 중 하나의 방법에 의해 수행되는 것이 바람직하다.
상기 몰리브덴(Mo)층을 패터닝(patterning)하는 단계(s2000)에서, 상기 패턴은 도 4에 도시된 바와 같은 줄무늬패턴, 도 5에 도시된 바와 같은 바둑판형패턴, 도 6에 도시된 바와 같은 벌집(honeycomb)형패턴 중 하나의 패턴을 선택하여 적용할 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다. 물결모양의 패턴, 동심원패턴 등 역시 적용 가능하다.
패터닝 공정에 따라 몰리브덴이 제거된 부분은 전도성 물질로 채워야 한다. 이에 따라, 투명기판(100)과 그 위에 패터닝된 몰리브덴층(200)위에 투명전극층(210)을 형성시키는 단계(s3000)에서, 상기 투명전극층은 폴리티오펜(polythiophene), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리p-페닐렌(poly(p-phenylene)), 폴리p-페닐렌비닐렌(poly(p-phenylenevinylene)), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리디아세틸렌(polydiacetylene),폴리티오펜비닐렌(poly(thiophenevinylene)), 폴리플러렌(polyfluorene) 또는 이들의 유도체 중의 적어도 어느 하나의 투명 전도성 고분자들을 적용하는 것이 바람직하다.
상기 투명 전도성 고분자들로 구성된 투명전극층(210)은 졸-겔(Sol-gel)법, 스프레이 코팅(spray coating), 침지(Dipping) 코팅법, 스핀코팅(spin coating), 롤투롤(roll to roll), 또는 바코팅(bar coating)법 중 선택되는 하나의 방법으로 형성시키는 것이 바람직하다.
또는, 상기의 투명 전도성 고분자들에 갈음하여, 투명기판(100)과 그 위에 패터닝된 몰리브덴층(200)위에 투명전극층을 형성시키는 단계(s3000)에서, 상기 투명전극층은 ITO(In2O3:Sn)(Indium Tin Oxide), FTO(SnO2:F), AZO (ZnO:Al), BZO (ZnO:B), GZO (ZnO:Ga), 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화납, 산화구리, 산화티탄 중 선택된 하나 이상의 재질로 구성시킬 수 있다.
상기 투명전극층(210)은 RF 마그네트론 스퍼터링, DC 마그네트론 스퍼터링, MF 마그네트론 스퍼터링, 열증발법, 전자빔증발법, 열분무법, 프린팅법 중 하나의 방법을 선택하여 증착시킬 수 있다.
본 발명은 이에 나아가, 태양전지의 제조방법에 있어서,
태양전지의 투명기판(100) 위에 몰리브덴(Mo)층(200)을 형성시키는 단계(s100);
상기 몰리브덴(Mo)층을 패터닝(patterning)하는 단계(s200);
투명기판(100)과 그 위에 패터닝된 몰리브덴층(200)위에 투명전극층(210)을 형성시키는 단계(s300);
후면전극층(200) 및 투명전극층(210) 위에 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 포함하여 구성되는 CIGS 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s400);
상기 광흡수층(300) 위에 CdS, ZnS, InOH 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 버퍼층(400)을 형성하는 단계(s500);
상기 버퍼층(400) 위에 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화인듐, 산화납, 산화구리, 산화티탄, 산화주석, 산화철, 이산화주석, 인듐주석산화물 및 이들 중 2 이상의 물질의 산화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 투명전극층(500)을 형성하는 단계(s600);
를 포함하는 상기의 광투과 후면전극을 이용한 태양전지의 제조방법을 제공한다.
본 발명을 첨부된 도면과 함께 설명하였으나, 이는 본 발명의 요지를 포함하는 다양한 실시 형태 중의 하나의 실시예에 불과하며, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 하는 데에 그 목적이 있는 것으로, 본 발명은 상기 설명된 실시예에만 국한되는 것이 아님은 명확하다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 하기의 청구범위에 의해 해석되어야 하며, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서의 변경, 치환, 대체 등에 의해 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함될 것이다. 또한, 도면의 일부 구성은 구성을 보다 명확하게 설명하기 위한 것으로 실제보다 과장되거나 축소되어 제공된 것임을 명확히 한다.
100. 투명기판
200. 몰리브덴층
210. 투명전극층
300. CIGS 광흡수층
400. 버퍼층
500. 투명전극층
600. 반사방지막
700. 전면전극
200. 몰리브덴층
210. 투명전극층
300. CIGS 광흡수층
400. 버퍼층
500. 투명전극층
600. 반사방지막
700. 전면전극
Claims (20)
- 태양전지의 후면전극의 제조방법에 있어서,
태양전지의 투명기판(100) 위에 몰리브덴(Mo)층(200)을 형성시키는 단계(s1000);
상기 몰리브덴(Mo)층을 패터닝(patterning)하는 단계(s2000);
투명기판(100)과 그 위에 패터닝된 몰리브덴층(200)위에 투명전극층(210)을 형성시키는 단계(s3000);
를 포함하는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,
태양전지의 투명기판(100) 위에 몰리브덴(Mo)층을 형성시키는 단계(s1000)의 투명기판(100)은 유리 또는 플라스틱의 재질로 형성된 것임을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,
태양전지의 투명기판(100) 위에 몰리브덴(Mo)층을 형성시키는 단계(s1000)의 몰리브덴(Mo)층(200)은 스퍼터링, 음극아크증착, 증기증착, 전자빔증착, 화학기상증착, 원자층증착, 전기화학적증착, 분사코팅, 닥터블레이드코팅, 스크린 프린트, 잉크젯 코팅, 열증착법, 도금법 중에서 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 증착시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,
상기 몰리브덴(Mo)층을 패터닝(patterning)하는 단계(s2000)는 레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정, 포토 레지스트(photo resist)를 이용한 광식각(露光 ; Photolythography) 공정, 기계적 스크라이빙 공정 중 하나의 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,
상기 몰리브덴(Mo)층을 패터닝(patterning)하는 단계(s2000)에서, 상기 패턴은 줄무늬패턴, 바둑판형패턴, 벌집(honeycomb)형패턴 중 하나의 패턴을 선택한 것임을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,
투명기판(100)과 그 위에 패터닝된 몰리브덴층(200)위에 투명전극층(210)을 형성시키는 단계(s3000)에서, 상기 투명전극층은 폴리티오펜(polythiophene), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리p-페닐렌(poly(p-phenylene)), 폴리p-페닐렌비닐렌(poly(p-phenylenevinylene)), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리디아세틸렌(polydiacetylene), 폴리티오펜비닐렌(poly(thiophenevinylene)), 폴리플러렌(polyfluorene) 또는 이들의 유도체 중의 적어도 어느 하나의 투명 전도성 고분자들로 구성된 것임을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법.
- 제 6항에 있어서,
상기 투명 전도성 고분자들로 구성된 투명전극층(210)은 졸-겔(Sol-gel)법, 스프레이 코팅(spray coating), 침지(Dipping) 코팅법, 스핀코팅(spin coating), 롤투롤(roll to roll), 또는 바코팅(bar coating)법 중 선택되는 하나의 방법으로 형성시키는 것임을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,
투명기판(100)과 그 위에 패터닝된 몰리브덴층(200)위에 투명전극층을 형성시키는 단계(s3000)에서, 상기 투명전극층은 ITO(In2O3:Sn)(Indium Tin Oxide), FTO(SnO2:F), AZO (ZnO:Al), BZO (ZnO:B), GZO (ZnO:Ga), 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화납, 산화구리, 산화티탄 중 선택된 하나 이상의 재질로 구성된 것임을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법.
- 제 8항에 있어서,
상기 투명전극층(210)은 RF 마그네트론 스퍼터링, DC 마그네트론 스퍼터링, MF 마그네트론 스퍼터링, 열증발법, 전자빔증발법, 열분무법, 프린팅법 중 하나의 방법을 선택하여 증착되는 것임을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법.
- 태양전지의 후면전극에 있어서,
태양전지의 투명기판(100) 위에 패터닝된 몰리브덴(Mo)층(200)과 투명전극층(210)을 가지며, 제 1항 내지 제 9항의 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극.
- 태양전지의 제조방법에 있어서,
태양전지의 투명기판(100) 위에 몰리브덴(Mo)층(200)을 형성시키는 단계(s100);
상기 몰리브덴(Mo)층을 패터닝(patterning)하는 단계(s200);
투명기판(100)과 그 위에 패터닝된 몰리브덴층(200)위에 투명전극층(210)을 형성시키는 단계(s300);
후면전극층(200) 및 투명전극층(210) 위에 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 포함하여 구성되는 CIGS 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s400);
상기 광흡수층(300) 위에 CdS, ZnS, InOH 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 버퍼층(400)을 형성하는 단계(s500);
상기 버퍼층(400) 위에 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화인듐, 산화납, 산화구리, 산화티탄, 산화주석, 산화철, 이산화주석, 인듐주석산화물 및 이들 중 2 이상의 물질의 산화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 투명전극층(500)을 형성하는 단계(s600);
를 포함하는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극을 이용한 태양전지의 제조방법.
- 제 11항에 있어서,
태양전지의 투명기판(100) 위에 몰리브덴(Mo)층을 형성시키는 단계(s1000)의 투명기판(100)은 유리 또는 플라스틱의 재질로 형성된 것임을 특징으로 하는 광투과 후면전극을 갖는 광투과 후면전극을 이용한 태양전지의 제조방법.
- 제 11항에 있어서,
태양전지의 투명기판(100) 위에 몰리브덴(Mo)층을 형성시키는 단계(s1000)의 몰리브덴(Mo)층(200)은 스퍼터링, 음극아크증착, 증기증착, 전자빔증착, 화학기상증착, 원자층증착, 전기화학적증착, 분사코팅, 닥터블레이드코팅, 스크린 프린트, 잉크젯 코팅, 열증착법, 도금법 중에서 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 증착시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극을 갖는 광투과 후면전극을 이용한 태양전지의 제조방법.
- 제 11항에 있어서,
상기 몰리브덴(Mo)층을 패터닝(patterning)하는 단계(s2000)는 레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정, 포토 레지스트(photo resist)를 이용한 광식각(露光 ; Photolythography) 공정, 기계적 스크라이빙 공정 중 하나의 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극을 갖는 광투과 후면전극을 이용한 태양전지의 제조방법.
- 제 11항에 있어서,
상기 상기 몰리브덴(Mo)층을 패터닝(patterning)하는 단계(s2000)에서, 상기 패턴은 줄무늬패턴, 바둑판형패턴, 벌집(honeycomb)형패턴 중 하나의 패턴을 선택한 것임을 특징으로 하는 광투과 후면전극을 이용한 태양전지의 제조방법.
- 제 11항에 있어서,
투명기판(100)과 그 위에 패터닝된 몰리브덴층(200)위에 투명전극층(210)을 형성시키는 단계(s3000)에서, 상기 투명전극층은 폴리티오펜(polythiophene), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리p-페닐렌(poly(p-phenylene)), 폴리p-페닐렌비닐렌(poly(p-phenylenevinylene)), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리디아세틸렌(polydiacetylene),폴리티오펜비닐렌(poly(thiophenevinylene)), 폴리플러렌(polyfluorene) 또는 이들의 유도체 중의 적어도 어느 하나의 투명 전도성 고분자들로 구성된 것임을 특징으로 하는 광투과 후면전극을 갖는 태양전지의 제조방법.
- 제 16항에 있어서,
상기 투명 전도성 고분자들로 구성된 투명전극층(210)은 졸-겔(Sol-gel)법, 스프레이 코팅(spray coating), 침지(Dipping) 코팅법, 스핀코팅(spin coating), 롤투롤(roll to roll), 또는 바코팅(bar coating)법 중 선택되는 하나의 방법으로 형성시키는 것임을 특징으로 하는 광투과 후면전극을 갖는 태양전지의 제조방법.
- 제 11항에 있어서,
투명기판(100)과 그 위에 패터닝된 몰리브덴층(200)위에 투명전극층을 형성시키는 단계(s3000)에서, 상기 투명전극층은 ITO(In2O3:Sn)(Indium Tin Oxide), FTO(SnO2:F), AZO (ZnO:Al), BZO (ZnO:B), GZO (ZnO:Ga), 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화납, 산화구리, 산화티탄 중 선택된 하나 이상의 재질로 구성된 것임을 특징으로 하는 광투과 후면전극을 갖는 태양전지의 제조방법.
- 제 18항에 있어서,
상기 투명전극층(210)은 RF 마그네트론 스퍼터링, DC 마그네트론 스퍼터링, MF 마그네트론 스퍼터링, 열증발법, 전자빔증발법, 열분무법, 프린팅법 중 하나의 방법을 선택하여 증착되는 것임을 특징으로 하는 광투과 후면전극을 갖는 태양전지의 제조방법.
- 기판(100)과, 상기 기판(100) 위에 형성된 후면전극층(200)과, 상기 후면전극층(200) 위에 형성되는 광흡수층(300)과, 상기 광흡수층(300) 위에 형성되는 버퍼층(400)과, 상기 버퍼층(400) 위에 형성되는 투명전극층(500)을 포함하는 태양전지에 있어서,
제 11항 내지 제 18항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되는 것임을 특징으로 하는 태양전지.
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