KR101144483B1 - 태양광 발전장치, 이를 포함하는 태양광 발전 시스템 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
태양광 발전장치, 이를 포함하는 태양광 발전 시스템 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양광 발전장치는 지지기판; 상기 지지기판 상에 배치되는 제 1 태양전지; 및 상기 지지기판 아래에 배치되는 제 2 태양전지를 포함한다. 태양광 발전장치는 하나의 지지기판의 상면 및 하면에 각각 태양전지를 구비한다. 이에 따라서, 얇은 두께 및 가벼운 무게를 가지고, 양면을 통하여 발전이 가능한 태양광 발전장치가 제공될 수 있다.
태양전지, 양면, CIGS, 반사, 거울
Description
실시예는 태양광 발전장치, 이를 포함하는 태양광 발전 시스템 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
광전 변환 효과를 이용하여 빛에너지를 전기 에너지로 변환하는 태양광 발전 모듈은 지구 환경의 보전에 기여하는 무공해 에너지를 얻는 수단으로 널리 사용되고 있다.
태양 전지의 광전 변환 효율이 개선됨에 따라, 태양광 발전 모듈을 구비한 많은 태양광 발전 시스템이 주거 용도 및 상업 건물의 외장재로까지 설치되기에 이르렀다.
실시예는 얇고, 가벼우며, 양면을 통하여 발전이 가능한 태양광 발전장치, 이를 포함하는 발전 시스템 및 이를 용이하게 제조하는 방법을 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치는 지지기판; 상기 지지기판 상에 배치되는 제 1 태양전지; 및 상기 지지기판 아래에 배치되는 제 2 태양전지를 포함한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전 시스템은 지지기판; 상기 지지기판 상에 배치되는 제 1 태양전지; 상기 지지기판 아래에 배치되는 제 2 태양전지; 및 상기 제 2 태양전지에 태양광을 반사시키는 반사부재를 포함한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 지지기판의 상면에 제 1 이면전극층 및 상기 지지기판의 하면에 제 2 이면전극층을 동시에 형성하는 단계; 상기 제 1 이면전극층 상에 제 1 광 흡수층 및 상기 제 2 이면전극층 아래에 제 2 광 흡수층을 동시에 형성하는 단계; 및 상기 제 1 광 흡수층 상에 제 1 윈도우층 및 상기 제 2 광 흡수층 아래에 제 2 윈도우층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 하나의 지지기판의 상면 및 하면에 태양전지들을 배치시킨다. 즉, 하나의 지지기판에 의해서, 두 개의 태양전지들이 지지된다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 얇은 두께 및 가벼운 무게를 가진 다. 또한, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상면 및 하면을 통하여, 발전을 할 수 있다.
또한, 두 개의 태양전지들을 형성하는 공정은 동시에 진행될 수 있다. 예를 들어, 제 1 태양전지의 제 1 이면전극층 및 제 2 태양전지의 제 2 이면전극층이 동일한 공정에 의해서, 형성될 수 있다. 마찬가지로, 제 1 태양전지의 제 1 광 흡수층 및 제 2 태양전지의 제 2 광 흡수층은 동일한 공정에 의해서, 형성될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 용이하게 제조될 수 있다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 막, 전극, 홈 또는 층 등이 각 기판, 전극, 막, 홈 또는 층 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지 패널을 도시한 도면이다. 도 2는 제 1 태양전지 및 제 2 태양전지를 자세하게 도시한 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 태양전지 패널은 지지기판(100), 제 1 태양전지들(200) 및 제 2 태양전지들(300)을 포함한다.
상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 제 1 태양전지(200) 및 상기 제 2 태양전지(300)을 지지한다.
상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.
상기 제 1 태양전지들(200)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 도면에서는, 다수 개의 제 1 태양전지들(200)이 상기 지지기판(100) 상에 배치되는 것으로 도시되어 있지만, 상기 지지기판(100) 상에 하나의 제 1 태양전지(200)가 배치될 수 있다.
상기 제 1 태양전지들(200)은 제 1 이면전극층(210), 제 1 광 흡수층(220), 제 1 버퍼층(230), 제 1 고저항 버퍼층(240) 및 제 1 윈도우층(250)을 포함한다.
상기 제 1 이면전극층(210)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 제 1 이면전극층(210)은 도전층이다. 상기 제 1 이면전극층(210)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴(Mo) 등의 금속을 들 수 있다.
또한, 상기 제 1 이면전극층(210)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.
상기 제 1 광 흡수층(220)은 상기 제 1 이면전극층(210) 상에 배치된다. 상기 제 1 광 흡수층(220)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 제 1 광 흡수층(220)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 제 1 광 흡수층(220)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.
상기 제 1 버퍼층(230)은 상기 제 1 광 흡수층(220) 상에 배치된다. 상기 제 1 버퍼층(230)으로 사용되는 물질의 예로서는 황화 카드뮴 등을 들 수 있다. 상기 제 1 버퍼층(230)(310)의 두께는 약 50㎚ 내지 약 150㎚일 수 있다. 또한, 상기 제 1 버퍼층(230)의 밴드갭 에너지는 약 2.0eV 내지 약 2.5eV일 수 있다.
상기 제 1 고저항 버퍼층(240)은 상기 제 1 버퍼층(230) 상에 배치된다. 상기 제 1 고저항 버퍼층(240)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 제 1 고저항 버퍼층(240)의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV일 수 있다.
상기 제 1 윈도우층(250)은 상기 제 1 고저항 버퍼층(240) 상에 배치된다. 상기 제 1 윈도우층(250)은 투명하며, 도전층이다. 상기 제 1 윈도우층(250)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped ZnO;AZO) 등을 들 수 있다.
상기 제 2 태양전지들(300)은 상기 지지기판(100) 아래에 배치된다. 마찬가지로, 상기 지지기판(100) 아래에는 하나의 제 2 태양전지(300)가 배치될 수 있다.
즉, 상기 지지기판(100)의 상면 및 하면에 각각 상기 제 1 태양전지들(200) 및 상기 제 2 태양전지들(300)이 배치된다. 다시 말하면, 상기 지지기판(100)의 서로 마주보는 면들에 각각 상기 제 1 태양전지들(200) 및 상기 제 2 태양전지 들(300)이 배치된다.
상기 제 1 태양전지들(200)은 상기 지지기판(100)을 사이에 두고, 상기 제 2 태양전지들(300)과 마주본다. 즉, 상기 제 1 태양전지들(200) 및 상기 제 2 태양전지들(300)은 상기 지지기판(100)을 샌드위치한다.
상기 제 2 태양전지들(300)은 상기 지지기판(100)을 기준으로, 상기 제 1 태양전지들(200)에 대하여, 대칭구조를 가진다.
상기 제 2 태양전지들(300)은 제 2 이면전극층(310), 제 2 광 흡수층(320), 제 2 버퍼층(330), 제 2 고저항 버퍼층(340) 및 제 2 윈도우층(350)을 포함한다.
상기 제 2 이면전극층(310)은 상기 지지기판(100) 아래에 배치된다. 상기 제 2 이면전극층(310)은 상기 지지기판(100)의 하면에 증착된다. 또한, 상기 제 2 이면전극층(310)은 상기 제 1 이면전극층(210)과 동일한 물질을 포함한다. 따라서, 상기 제 2 이면전극층(310)은 상기 제 1 이면전극층(210)과 동일한 특성을 가질 수 있다.
상기 제 2 광 흡수층(320)은 상기 제 2 이면전극층(310) 아래에 배치된다. 상기 제 2 광 흡수층(320)은 상기 제 2 이면전극층(310)의 하면에 증착된다. 또한, 상기 제 2 광 흡수층(320)은 상기 제 1 광 흡수층(220)과 동일한 물질을 포함한다. 따라서, 상기 제 2 광 흡수층(320)은 상기 제 1 광 흡수층(220)과 동일한 특성을 가질 수 있다.
상기 제 2 버퍼층(330)은 상기 지지기판(100) 아래에 배치된다. 상기 제 2 버퍼층(330)은 상기 제 2 광 흡수층(320)의 하면에 증착된다. 또한, 상기 제 2 버 퍼층(330)은 상기 제 1 버퍼층(230)과 동일한 물질을 포함한다. 따라서, 상기 제 2 버퍼층(330)은 상기 제 1 버퍼층(230)과 동일한 특성을 가질 수 있다.
상기 제 2 고저항 버퍼층(340)은 상기 제 2 버퍼층(330) 아래에 배치된다. 상기 제 2 고저항 버퍼층(340)은 상기 제 2 버퍼층(330)의 하면에 증착된다. 또한, 상기 제 2 고저항 버퍼층(340)은 상기 제 1 고저항 버퍼층(240)과 동일한 물질을 포함한다. 따라서, 상기 제 2 고저항 버퍼층(340)은 상기 제 1 고저항 버퍼층(240)과 동일한 특성을 가질 수 있다.
상기 제 2 윈도우층(350)은 상기 제 2 고저항 버퍼층(340) 아래에 배치된다. 상기 제 2 윈도우층(350)은 상기 제 2 고저항 버퍼층(340)의 하면에 증착된다. 또한, 상기 제 2 윈도우층(350)은 상기 제 1 윈도우층(250)과 동일한 물질을 포함한다. 따라서, 상기 제 2 윈도우층(350)은 상기 제 1 윈도우층(250)과 동일한 특성을 가질 수 있다.
실시예에 따른 태양전지 패널은 상하면, 즉, 양면에 태양전지들(200, 300)을 배치시킨다. 이에 따라서, 실시예에 따른 태양전지 패널은 양면으로 태양광을 입사받아, 전기에너지로 변환시킬 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양전지 패널은 향상된 성능을 가진다.
도 3 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지 패널을 제조하기 위한 공정을 도시한 도면들이다. 본 제조방법에서는 앞서 설명한 태양전지 패널을 참고하여 설명한다. 본 제조방법에 대한 설명에, 앞선 태양전지 패널에 관한 설명은 본질적으로 결합될 수 있다.
도 3을 참조하면, 지지기판(100)의 서로 마주보는 양면 상에 제 1 소스 및 제 2 소스가 배치될 수 있다. 이때, 상기 제 1 소스 및 상기 제 2 소스는 상기 지지기판(100)의 상 및 아래에 각각 배치될 수 있다.
이와는 다르게, 상기 지지기판(100)은 세워지고, 상기 지지기판(100)의 좌 및 우에 상기 제 1 소스 및 상기 제 2 소스가 각각 배치될 수 있다.
상기 제 1 소스는 제 1 태양전지들(200)을 형성하기 위한 재료를 상기 지지기판(100)의 상면에 공급한다. 상기 제 2 소스는 제 2 태양전지들(300)을 형성하기 위한 재료를 상기 지지기판(100)의 하면에 공급한다.
예를 들어, 상기 제 1 소스 및 상기 제 2 소스는 제 1 이면전극, 제 2 이면전극, 제 1 광 흡수층(220), 제 2 광 흡수층(320), 제 1 버퍼층(230), 제 2 버퍼층(330), 제 1 고저항 버퍼층(240), 제 2 고저항 버퍼층(340), 제 1 윈도우층(250) 및 제 2 윈도우층(350)을 형성하기 위한 재료를 상기 지지기판(100)에 공급한다.
예를 들어, 상기 제 1 소스 및 상기 제 2 소스는 몰리브덴 스퍼터링 타겟, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟, 징크 옥사이드 타겟 및 알루미늄이 도핑된 징크옥사이드 타겟일 수 있다.
또한, 상기 제 1 소스, 상기 지지기판(100) 및 상기 제 2 소스는 동일한 챔버에 배치된다. 이에 따라서, 상기 제 1 태양전지들(200) 및 상기 제 2 태양전지들(300)은 서로 대칭구조를 가지며, 서로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 지지기판(100) 상 및 아래에, 상기 제 1 이면전극 층(210) 및 상기 제 2 이면전극층(310)이 동시에 형성된다. 상기 지지기판(100)의 상면 및 상기 지지기판(100)의 하면에 몰리브덴이 동시에 증착되어, 상기 제 1 이면전극층(210) 및 상기 제 2 이면전극층(310)이 형성된다.
상기 제 1 이면전극층(210) 및 상기 제 2 이면전극층(310)은 스퍼터링 공정 등에 의해서 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 이면전극층(210) 및 상기 제 2 이면전극층(310)은 공정 조건이 서로 다른 두 번의 공정들에 의해서 각각 두 개의 층들로 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 제 1 이면전극 상에 제 1 광 흡수층(220)이 형성되고, 동시에, 상기 제 2 이면전극층(310) 아래에 제 2 광 흡수층(320)이 형성된다.
상기 제 1 광 흡수층(220) 및 상기 제 2 광 흡수층(320)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 광 흡수층(220) 및 상기 제 2 광 흡수층(320)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.
즉, 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 두 개의 구리 타겟들, 두 개의 인듐 타겟들, 두 개의 갈륨 타겟들을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 제 1 이면전극 상 및 제 2 이면전극 아래에 각각 금속 프리커서 막들이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서 막들은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 제 1 광 흡수층(220) 및 제 2 광 흡수층(320)이 형성된다.
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 제 1 광 흡수층(220) 및 상기 제 2 광 흡수층(320) 아래에 각각 제 1 버퍼층(230) 및 제 2 버퍼층(330)이 형성된다. 상기 제 1 버퍼층(230) 및 상기 제 2 버퍼층(330)은 화학 용액 성장법(chemical bath depositon;CBD)에 의해서 동시에 형성된다.
예를 들어, Cd2 + 및 S2 -가 과포화된 용액에 상기 제 1 광 흡수층(220) 및 상기 제 2 광 흡수층(320)이 형성된 지지기판(100)을 딥핑한다. 이때, 딥핑 시간은 약 10분 정도이다. 상기 제 1 광 흡수층(220)의 상면 및 상기 제 2 광 흡수층(320)의 하면에는 황화 카드뮴층이 동시에 성장되고, 상기 제 1 버퍼층(230) 및 상기 제 2 버퍼층(330)이 형성된다.
이후, 상기 제 1 버퍼층(230) 상면 및 상기 제 2 버퍼층(330)의 하면에 징크 옥사이드가 두 개의 스퍼터링 타겟을 사용하여, 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착된다. 이에 따라서, 상기 제 1 버퍼층(230) 상에 상기 제 1 고저항 버퍼층(240)이 형성되고, 동시에, 상기 제 2 버퍼층(330) 아래에 상기 제 2 고저항 버퍼층(340)이 형성된다.
도 7을 참조하면, 상기 제 1 고저항 버퍼층(240) 상에 상기 제 1 윈도우층(250)이 형성되고, 동시에, 상기 제 2 고저항 버퍼층(340) 아래에, 상기 제 2 윈도우층(350)이 형성된다.
상기 제 1 윈도우층(250) 및 상기 제 2 윈도우층(350)을 형성하기 위해서, 상기 제 1 고저항 버퍼층(240)의 상면 및 상기 제 2 고저항 버퍼층(340)의 하면에 투명한 도전물질이 적층된다. 상기 투명한 도전물질의 예로서는 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드 등을 들 수 있다.
실시예에 따른 태양전지 패널의 제조방법은 상기 지지기판(100)의 양면, 즉, 상하면에 제 1 태양전지들(200) 및 제 2 태양전지들(300)을 동시에 형성할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 상기 지지기판(100)의 상하면에 같은 특성을 가지는 층들을 동시에 증착하여, 양면을 통하여 발전이 가능한 태양전지 패널을 제공할 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양전지 패널의 제조방법은 향상된 성능을 가지는 태양전지 패널을 용이하게 제공할 수 있다.
도 8은 실시예에 따른 태양전지 패널을 포함하는 태양광 발전 시스템을 도시한 도면이다. 본 실시예에서는 앞서 설명한 태양전지 패널 및 이의 제조방법을 참조한다. 앞선 태양전지 패널 및 이의 제조방법에 대한 설명은 본 태양광 발전 시스템에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 8을 참조하면, 실시예에 따른 태양광 발전 시스템은 반사부재(20)를 포함 한다.
상기 반사부재(20)는 태양광을 태양전지 패널(10)의 하면에 반사시킨다. 이에 따라서, 상기 태양전지 패널(10)의 상면은 태양을 향하여, 태양광을 직접 입사받고, 상기 태양전지 패널(10)의 하면은 상기 반사부재(20)에 의해서 반사된 태양광을 입사받는다.
즉, 제 1 태양전지들(200)은 태양광을 직접 입사받아, 전기에너지를 생성하고, 제 2 태양전지들(300)은 상기 반사부재(20)에 의해서 반사된 광을 입사받아 전기에너지를 생성한다.
이때, 평평한 반사부재(20)에 의해서 반사되는 태양광은 상기 제 1 태양전지들(200)에 입사되는 태양광보다 낮은 세기를 가질 수 있다. 이는 평평한 반사부재(20)에 의해서, 반사될 때, 태양광의 손실이 발생할 수 있기 때문이다.
이에 따라서, 상기 반사부재(20)는 반사면에서의 태양광의 손실을 보상하기 위해서, 오목한 반사면을 포함할 수 있다. 즉, 상기 반사부재(20)는 태양광의 손실을 집광에 의해서 보상할 수 있다.
본 실시예에 따른 태양광 발전시스템은 상기 태양전지 패널의 양면을 통하여, 발전하기 때문에, 향상된 효율을 가진다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지 패널을 도시한 도면이다.
도 2는 제 1 태양전지 및 제 2 태양전지를 자세하게 도시한 도면이다.
도 3 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지 패널을 제조하기 위한 공정을 도시한 도면들이다.
도 8은 실시예에 따른 태양전지 패널을 포함하는 태양광 발전 시스템을 도시한 도면이다.
Claims (9)
- 지지기판;상기 지지기판 상에 배치되는 제 1 태양전지; 및상기 지지기판 아래에 배치되는 제 2 태양전지를 포함하고,상기 제 1 태양전지는상기 지지기판 상에 배치되는 제 1 이면전극층;상기 제 1 이면전극층 상에 배치되는 제 1 광 흡수층; 및상기 제 1 광 흡수층 상에 배치되는 제 1 윈도우층을 포함하며,상기 제 2 태양전지는상기 지지기판 아래에 배치되는 제 2 이면전극층;상기 제 2 이면전극층 아래에 배치되는 제 2 광 흡수층; 및상기 제 2 광 흡수층 아래에 배치되는 제 2 윈도우층을 포함하고,상기 제 1 이면전극층 및 상기 제 2 이면전극층은 몰리브덴을 포함하고,상기 제 1 광 흡수층 및 상기 제 2 광 흡수층은 서로 동일한 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족계 화합물을 포함하고,상기 제 1 윈도우층 및 상기 제 2 윈도우층은 징크 옥사이드를 포함하는 태양광 발전장치.
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- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 태양전지는 상기 제 1 광 흡수층 및 상기 제 1 윈도우층 사이에 개재되는 제 1 버퍼층을 포함하고,상기 제 2 태양전지는 상기 제 2 광 흡수층 및 상기 제 2 윈도우층 사이에 개재되는 제 2 버퍼층을 포함하는 태양광 발전장치.
- 지지기판;상기 지지기판 상에 배치되는 제 1 태양전지;상기 지지기판 아래에 배치되는 제 2 태양전지; 및상기 제 2 태양전지에 태양광을 반사시키는 반사부재를 포함하고,상기 제 1 태양전지는상기 지지기판 상에 배치되는 제 1 이면전극층;상기 제 1 이면전극층 상에 배치되는 제 1 광 흡수층; 및상기 제 1 광 흡수층 상에 배치되는 제 1 윈도우층을 포함하며,상기 제 2 태양전지는상기 지지기판 아래에 배치되는 제 2 이면전극층;상기 제 2 이면전극층 아래에 배치되는 제 2 광 흡수층; 및상기 제 2 광 흡수층 아래에 배치되는 제 2 윈도우층을 포함하고,상기 제 1 이면전극층 및 상기 제 2 이면전극층은 몰리브덴을 포함하고,상기 제 1 광 흡수층 및 상기 제 2 광 흡수층은 서로 동일한 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족계 화합물을 포함하고,상기 제 1 윈도우층 및 상기 제 2 윈도우층은 징크 옥사이드를 포함하는 태양광 발전장치.
- 지지기판의 상면에 제 1 이면전극층 및 상기 지지기판의 하면에 제 2 이면전극층을 동시에 형성하는 단계;상기 제 1 이면전극층 상에 제 1 광 흡수층 및 상기 제 2 이면전극층 아래에 제 2 광 흡수층을 동시에 형성하는 단계; 및상기 제 1 광 흡수층 상에 제 1 윈도우층 및 상기 제 2 광 흡수층 아래에 제 2 윈도우층을 형성하는 단계를 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 광 흡수층 상에 제 1 버퍼층 및 상기 제 2 광 흡수층 아래에 제 2 버퍼층을 형성하는 단계를 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 버퍼층 및 상기 제 2 버퍼층을 형성하는 단계에서,상기 제 1 광 흡수층 및 상기 제 2 광 흡수층은 상기 제 1 버퍼층 및 상기 제 2 버퍼층을 형성하기 위한 이온을 포함하는 용액에 딥핑되는 태양광 발전장치의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 이면전극층, 상기 제 2 이면전극층, 상기 제 1 광 흡수층, 상기 제 2 광 흡수층, 상기 제 1 윈도우층 및 상기 제 2 윈도우층은 상기 지지기판이 세워진 상태에서 형성되는 태양광 발전장치의 제조방법.
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