KR20150005524A - Partial hydrolysis condensation product, ink-repellent agent, negative-type photosensitive resin composition, cured film, partition wall, and optical element - Google Patents

Partial hydrolysis condensation product, ink-repellent agent, negative-type photosensitive resin composition, cured film, partition wall, and optical element Download PDF

Info

Publication number
KR20150005524A
KR20150005524A KR1020147026610A KR20147026610A KR20150005524A KR 20150005524 A KR20150005524 A KR 20150005524A KR 1020147026610 A KR1020147026610 A KR 1020147026610A KR 20147026610 A KR20147026610 A KR 20147026610A KR 20150005524 A KR20150005524 A KR 20150005524A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
silane compound
hydrolyzable
hydrolyzable silane
ink
Prior art date
Application number
KR1020147026610A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102021745B1 (en
Inventor
히데유키 다카하시
마사유키 가와시마
Original Assignee
아사히 가라스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아사히 가라스 가부시키가이샤 filed Critical 아사히 가라스 가부시키가이샤
Publication of KR20150005524A publication Critical patent/KR20150005524A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102021745B1 publication Critical patent/KR102021745B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/22Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
    • C08G77/28Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen sulfur-containing groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04Polysiloxanes
    • C08L83/08Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04Polysiloxanes
    • C09D183/08Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen, and oxygen
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0046Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0388Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/22Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
    • C08G77/24Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen halogen-containing groups

Abstract

가수 분해성 실란 화합물의 부분 가수 분해 축합물, 격벽 상면에 선택적으로 양호한 발잉크성을 부여할 수 있는 발잉크제, 저노광량의 노광에서도, 격벽 상면에 선택적으로 양호한 발잉크성을 부여할 수 있고, 도트 내에 발잉크제가 잘 잔존하지 않는 네거티브형 감광성 수지 조성물, UV/O3 조사 처리를 거쳐도 발잉크성을 양호하게 유지할 수 있는 경화막 및 격벽, 및 도트 내에 잉크를 균일 도포할 수 있는 광학 소자를 제공한다. 플루오로알킬렌기 및/또는 플루오로알킬기와 가수 분해성기를 갖고, 메르캅토기를 갖지 않는 제 1 가수 분해성 실란 화합물과, 메르캅토기와 가수 분해성기를 갖고, 플루오로알킬렌기 및 플루오로알킬기를 갖지 않는 제 2 가수 분해성 실란 화합물을 포함하는 혼합물의 부분 가수 분해 축합물.A partial hydrolysis condensation product of a hydrolyzable silane compound, a repellent ink capable of selectively imparting good ink repellency to the upper surface of a partition wall, and an excellent ink repellency on the upper surface of the partition even in exposure at a low exposure dose, A negative-working photosensitive resin composition in which the ink does not remain well in the dot, a cured film and barrier ribs which can maintain good ink-property even after UV / O 3 irradiation treatment, and an optical element Lt; / RTI > A first hydrolyzable silane compound having a fluoroalkylene group and / or a fluoroalkyl group and a hydrolyzable group and having no mercapto group, a first hydrolyzable silane compound having a mercapto group and a hydrolyzable group and having no fluoroalkylene group and fluoroalkyl group A partial hydrolysis condensation product of a mixture comprising a second hydrolysable silane compound.

Description

부분 가수 분해 축합물, 발잉크제, 네거티브형 감광성 수지 조성물, 경화막, 격벽 및 광학 소자{PARTIAL HYDROLYSIS CONDENSATION PRODUCT, INK-REPELLENT AGENT, NEGATIVE-TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, PARTITION WALL, AND OPTICAL ELEMENT}PARTIAL HYDROLYSIS CONDENSATION PRODUCT, INK-REPELLENT AGENT, NEGATIVE-TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, PARTITION WALL, AND OPTICAL ELEMENT }

본 발명은 부분 가수 분해 축합물, 그리고, 이것을 사용한 발잉크제, 네거티브형 감광성 수지 조성물, 경화막, 격벽 및 광학 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a partially hydrolyzed condensation product, and a repelling ink composition, a negative photosensitive resin composition, a cured film, a partition wall and an optical element using the same.

유기 EL (Electro-Luminescence) 소자에 있어서는, 발광층 등의 유기층을 잉크젯 (IJ) 법으로 패턴 인쇄하는 방법이 있다. 이러한 방법에 있어서는, 도트의 윤곽을 따라 격벽을 형성하고, 그 내부에, 형성하는 층의 재료를 포함하는 잉크를 주입하고, 이것을 건조 및/또는 가열 등을 함으로써 원하는 패턴막을 형성한다.In an organic EL (Electro-Luminescence) element, there is a method of pattern printing an organic layer such as a light emitting layer by an ink jet (IJ) method. In this method, a partition wall is formed along the contour of the dot, ink containing the material of the layer to be formed is injected into the partition, and the desired pattern film is formed by drying and / or heating the ink.

상기 방법에 있어서는, 인접하는 도트 사이에 있어서의 잉크의 혼색 방지와 도트 내에 있어서의 잉크의 균일 도포를 위하여, 격벽 상면은 발잉크성을 갖는 한편, 격벽 측면은 친잉크성을 가질 필요가 있다. 즉, 격벽은 그 상면이 선택적으로 발잉크성을 가질 필요가 있다.In the above method, in order to prevent the color mixture of the ink between adjacent dots and to uniformly apply the ink in the dots, the upper surface of the barrier should have ink-repellency and the side of the barrier should have inkphilic property. That is, the upper surface of the partition needs to have ink repellency selectively.

상기 격벽은 예를 들어, 감광성 수지 조성물을 사용한 포토리소그래피법에 의해 패턴 형성된다.The partition is patterned by photolithography using, for example, a photosensitive resin composition.

예를 들어, 감광성 수지 조성물에 표면 자유 에너지가 작은 발잉크제를 포함시키면, 도포막을 건조시킬 때에 용매가 증발하는 과정에서, 발잉크제가 그 밖의 고형 성분과의 사이에 작용하는 척력에 의해 공기측 (도포막의 상면측) 에 이행하는 것을 이용하여, 얻어지는 격벽의 상면에 대하여 선택적으로 발잉크성을 부여할 수 있다. 이러한 방법에서는, 발잉크제의 상면 이행성이 중요하다. 또한, 현상 후에 도트 내에 발잉크제가 잔존하지 않는 것이 중요하다.For example, when the photosensitive resin composition contains a repellent ink having a small surface free energy, the repellent property of the repellent agent to the air component side (On the upper surface side of the coating film), it is possible to selectively impart ink repellency to the upper surface of the obtained barrier rib. In this method, the top surface transfer property of the repelling agent is important. It is also important that the ink does not remain in the dot after development.

유기 EL 소자에 있어서는, 현상 후에 도트 내에 남는 감광성 수지 조성물의 잔류물에 의해, 발광층 등의 유기층이 열화하기 쉬워진다. 그래서, 도트 내의 현상 잔류물 제거를 위하여, 잉크 주입 전에 기재의 표면 전체에 대하여 통상적으로, UV (자외선)/O3 (오존) 조사 처리를 실시한다. UV/O3 조사 처리 후에도, 격벽 상면의 발잉크성이 양호하게 유지되는 것이 중요하다.In the organic EL element, the organic layer such as the light emitting layer is easily deteriorated by the residue of the photosensitive resin composition remaining in the dots after development. Therefore, in order to remove development residues in the dots, UV (ultraviolet) / O 3 (ozone) irradiation treatment is generally performed on the whole surface of the substrate before ink injection. It is important that the ink repellency of the upper surface of the partition wall is maintained well even after the UV / O 3 irradiation treatment.

특허문헌 1 에는, 표면 자유 에너지가 충분히 작고, 형성되는 격벽은 상면이 양호한 발잉크성을 갖고, 또한, UV/O3 조사 처리를 거쳐도, 그 발잉크성이 양호하게 유지되는 함불소 가수 분해성 실란 화합물의 가수 분해 축합물로 이루어지는 발잉크제를 포함하는 네거티브형 감광성 수지 조성물이 개시되어 있다.Patent Document 1 discloses that the surface free energy is sufficiently small and the partition wall to be formed has good ink repellency on the upper surface and also has fluorine-hydrolyzable property such that even when subjected to UV / O 3 irradiation treatment, A negative-type photosensitive resin composition comprising a hydrolysis-condensation product of a silane compound.

국제 공개 제2010/013816호International Publication No. 2010/013816

포토리소그래피법에 의한 격벽 형성에 있어서는, 제조 시간 및 제조 비용의 저감의 관점에서, 노광 시간의 단축화가 요구되고 있다. 노광 시간의 단축화의 관점에서, 격벽 형성용의 감광성 수지 조성물은, 보다 저노광량으로 노광 가능한 것이 바람직하다.In forming barrier ribs by the photolithography method, reduction of exposure time is demanded from the viewpoint of reduction of manufacturing time and manufacturing cost. From the viewpoint of shortening the exposure time, it is preferable that the photosensitive resin composition for forming the barrier rib is capable of being exposed at a lower exposure dose.

본 발명은 발잉크성이 우수한, 가수 분해성 실란 화합물의 부분 가수 분해 축합물, 및 그 축합물로 이루어지는, 격벽 상면에 선택적으로 양호한 발잉크성을 부여할 수 있는 발잉크제의 제공을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a partially hydrolyzed condensate of a hydrolyzable silane compound excellent in ink repellency and a repellent agent comprising the condensate and capable of selectively imparting good ink repellency to the upper surface of a partition wall .

또한, 본 발명은 저노광량으로 노광을 실시하여도, 격벽 상면에 선택적으로 양호한 발잉크성을 부여할 수 있고, 또한, 도트 내에 발잉크제가 잘 잔존하지 않는 특성을 갖는 네거티브형 감광성 수지 조성물, 그 네거티브형 감광성 수지 조성물로부터 형성되는, UV/O3 조사 처리를 거쳐도 그 발잉크성을 양호하게 유지할 수 있는 경화막 및 격벽, 및 그 경화막 및 격벽을 갖는, 도트 내에 잉크를 균일 도포할 수 있는, 광학 소자의 제공을 목적으로 한다.The present invention also provides a negative-working photosensitive resin composition capable of selectively imparting good ink repellency to the upper surface of a partition even when exposure is performed at a low exposure dose, A cured film and a partition wall formed from a negative-type photosensitive resin composition and capable of satisfactorily maintaining the ink-repellency even after UV / O 3 irradiation treatment, and a cured film and a partition wall having the cured film and the partition wall, The present invention also provides an optical element comprising:

본 발명은 이하 [1] ∼ [15] 의 구성을 갖는 부분 가수 분해 축합물, 발잉크제, 네거티브형 감광성 수지 조성물, 경화막, 격벽 및 광학 소자를 제공한다.The present invention provides a partial hydrolysis and condensation product, a repelling ink, a negative photosensitive resin composition, a cured film, a partition wall and an optical element having the constitutions of [1] to [15]

[1] 플루오로알킬렌기 및/또는 플루오로알킬기와 가수 분해성기를 갖고, 메르캅토기를 갖지 않는 제 1 가수 분해성 실란 화합물과,[1] A process for producing a fluorine-containing silane compound, which comprises reacting a first hydrolyzable silane compound having a fluoroalkylene group and / or a fluoroalkyl group and a hydrolyzable group,

메르캅토기와 가수 분해성기를 갖고, 플루오로알킬렌기 및 플루오로알킬기를 갖지 않는 제 2 가수 분해성 실란 화합물을 포함하는 혼합물의 부분 가수 분해 축합물.A partial hydrolysis condensation product of a mixture comprising a mercapto group and a second hydrolyzable silane compound having a hydrolyzable group and not having a fluoroalkylene group and a fluoroalkyl group.

[2] 상기 혼합물 중의 제 2 가수 분해성 실란 화합물의 함유 비율은, 제 1 가수 분해성 실란 화합물의 1 몰에 대하여, 0.125 ∼ 18 몰인 상기 [1] 에 기재된 부분 가수 분해 축합물.[2] The partially hydrolyzed condensate according to [1], wherein the content of the second hydrolyzable silane compound in the mixture is 0.125 to 18 moles per 1 mole of the first hydrolyzable silane compound.

[3] 상기 제 1 가수 분해성 실란 화합물이 하기 식 (c-1) 로 나타내는 화합물인, 상기 [1] 또는 [2] 에 기재된 부분 가수 분해 축합물.[3] The partially hydrolyzed condensate according to [1] or [2], wherein the first hydrolyzable silane compound is a compound represented by the following formula (c-1)

(A-RF1)a-Si(RH1)bX1 (4-a-b) ···(c-1)(AR F1 ) a -Si (R H1 ) b X 1 (4-ab) (c-1)

(식 (c-1) 중, 각 기호는 이하와 같다.(In the formula (c-1), each symbol is as follows.

RF1 은, 적어도 1 개의 플루오로알킬렌기를 포함하는, 에테르성 산소 원자를 포함하고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 16 의 2 가의 유기기를 나타낸다.R F1 represents a divalent organic group having 1 to 16 carbon atoms which may contain an etheric oxygen atom and contains at least one fluoroalkylene group.

RH1 은 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기를 나타낸다.R H1 represents a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.

a 는 1 또는 2, b 는 0 또는 1, a + b 는 1 또는 2 이다.a is 1 or 2, b is 0 or 1, and a + b is 1 or 2.

A 는 불소 원자 또는 하기 식 (I) 로 나타내는 기이다.A is a fluorine atom or a group represented by the following formula (I).

-Si(RH2)bX2 (3-b)···(I)-Si (R H2 ) b X 2 (3-b) (I)

RH2 는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기를 나타낸다.And R H2 represents a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.

b 는 0 또는 1 이다.b is 0 or 1;

X1 및 X2 는 가수 분해성기를 나타낸다.X 1 and X 2 represent a hydrolyzable group.

X1 이 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.When a plurality of X < 1 > s exist, they may be different from or the same as each other.

X2 가 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.When a plurality of X < 2 > exist, they may be different from or the same as each other.

A-RF1 이 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.)When a plurality of AR F1 exist, they may be different from each other or may be the same.)

[4] 상기 제 1 가수 분해성 실란 화합물이 하기 식 (c-1a) 로 나타내는 화합물인, 상기 [3] 에 기재된 부분 가수 분해 축합물.[4] The partially hydrolyzed condensate according to [3], wherein the first hydrolyzable silane compound is a compound represented by the following formula (c-1a).

D-RF2-Q1-SiX1 3···(c-1a) DR F2 -Q 1 -SiX 1 3 ··· (c-1a)

(식 (c-1a) 중, 각 기호는 이하와 같다.(Wherein each symbol in the formula (c-1a) is as follows.

RF2 는 탄소 원자수 2 ∼ 15 의 에테르성 산소 원자를 포함하고 있어도 되는 퍼플루오로알킬렌기이다.And R F2 is a perfluoroalkylene group which may contain an etheric oxygen atom having 2 to 15 carbon atoms.

D 는 불소 원자 또는 하기 식 (Ia) 로 나타내는 기이다.D is a fluorine atom or a group represented by the following formula (Ia).

-Q2-SiX2 3···(Ia)-Q 2 -SiX 2 3 (Ia)

X1 및 X2 는 가수 분해성기를 나타낸다.X 1 and X 2 represent a hydrolyzable group.

3 개의 X1 은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.The three X < 1 > s may be mutually different or the same.

3 개의 X2 는 서로 상이하거나 동일하여도 된다.The three X < 2 > s may be mutually different or the same.

Q1 및 Q2 는 탄소 원자수 1 ∼ 10 의 불소 원자를 포함하지 않는 2 가의 유기기를 나타낸다.)Q 1 and Q 2 each represent a divalent organic group containing no fluorine atom having 1 to 10 carbon atoms.

[5] 상기 제 2 가수 분해성 실란 화합물이 하기 식 (c-2) 로 나타내는 화합물인, 상기 [1] ∼ [4] 중 어느 하나에 기재된 부분 가수 분해 축합물.[5] The partially hydrolyzed condensate according to any one of [1] to [4], wherein the second hydrolyzable silane compound is a compound represented by the following formula (c-2)

(HS-Q3)p-Si(RH3)qX3 (4-p-q)···(c-2)(HS-Q 3 ) p -Si (R H3 ) q X 3 (4-pq) (c-2)

(식 (c-2) 중, 각 기호는 이하와 같다.(In the formula (c-2), symbols are as follows.

Q3 은 탄소 원자수 1 ∼ 10 의 불소 원자를 포함하지 않는 2 가의 유기기를 나타낸다.Q 3 represents a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms and not containing a fluorine atom.

RH3 은 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기를 나타낸다.R H3 represents a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.

X3 은 가수 분해성기를 나타낸다.X 3 represents a hydrolyzable group.

p 는 1 또는 2, q 는 0 또는 1, p + q 는 1 또는 2 이다.p is 1 or 2, q is 0 or 1, and p + q is 1 or 2.

HS-Q3 이 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.When a plurality of HS-Q 3 exist, they may be the same or different.

X3 이 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.)X < 3 > are present, they may be the same or different from each other.)

[6] 상기 혼합물이, 추가로 하기 식 (c-3) 으로 나타내는 제 3 가수 분해성 실란 화합물을 포함하는, 상기 [1] ∼ [5] 중 어느 하나에 기재된 부분 가수 분해 축합물.[6] The partially hydrolyzed condensate according to any one of [1] to [5], wherein the mixture further comprises a third hydrolyzable silane compound represented by the following formula (c-3)

SiX4 4···(c-3)SiX 4 4 (c-3)

(식 (c-3) 중, X4 는 가수 분해성기를 나타내고, 4 개의 X4 는 서로 상이하거나 동일하여도 된다.)(In the formula (c-3), X 4 represents a hydrolyzable group, and four X 4 may be the same or different from each other.)

[7] 상기 혼합물이, 추가로 하기 식 (c-4) 로 나타내는 제 4 가수 분해성 실란 화합물을 포함하는, 상기 [1] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 부분 가수 분해 축합물.[7] The partial hydrolysis-condensation product according to any one of [1] to [6], wherein the mixture further comprises a fourth hydrolyzable silane compound represented by the following formula (c-4)

(Y-Q4)g-Si(RH4)hX5 (4-g-h)···(c-4)(YQ 4 ) g -Si (R H4 ) h X 5 (4-gh) (c-4)

(식 (c-4) 중의 기호는, 이하와 같다.(The symbols in the formula (c-4) are as follows.

Y 는 에틸렌성 이중 결합을 갖는 기를 나타낸다.Y represents a group having an ethylenic double bond.

Q4 는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 불소 원자를 포함하지 않는 2 가의 유기기를 나타낸다.Q 4 represents a divalent organic group containing no fluorine atom having 1 to 6 carbon atoms.

RH4 는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기를 나타낸다.R H4 represents a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.

X5 는 가수 분해성기를 나타낸다.X < 5 > represents a hydrolyzable group.

g 는 1 또는 2, h 는 0 또는 1, g + h 는 1 또는 2 이다.g is 1 or 2, h is 0 or 1, and g + h is 1 or 2.

Y-Q4 가 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.When a plurality of YQ 4 exist, they may be the same or different.

X5 가 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.)When a plurality of X < 5 > s exist, they may be the same or different.)

[8] 상기 혼합물이, 추가로 하기 식 (c-5) 로 나타내는 제 5 가수 분해성 실란 화합물을 포함하는, 상기 [1] ∼ [7] 중 어느 하나에 기재된 부분 가수 분해 축합물.[8] The partial hydrolysis-condensation product according to any one of [1] to [7], wherein the mixture further comprises a fifth hydrolyzable silane compound represented by the following formula (c-5)

(RH5)j-SiX6 (4-j)···(c-5) (R H5) j -SiX 6 ( 4-j) ··· (c-5)

(식 (c-5) 중, 각 기호는 이하와 같다.(In the formula (c-5), each symbol is as follows.

RH5 는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기를 나타낸다.R H5 represents a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.

X6 은 가수 분해성기를 나타낸다.X 6 represents a hydrolyzable group.

j 는 2 또는 3 이다.j is 2 or 3;

RH5 가 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.When a plurality of R H5 exist, they may be the same or different.

X6 이 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.)When a plurality of X < 6 > s exist, they may be the same or different.)

[9] 불소 원자의 함유 비율이 10 ∼ 55 질량% 인, 상기 [1] ∼ [8] 중 어느 하나에 기재된 부분 가수 분해 축합물.[9] The partial hydrolysis-condensation product according to any one of [1] to [8], wherein the fluorine atom content is 10 to 55 mass%.

[10] 수평균 분자량이 500 이상, 10,000 미만인, 상기 [1] ∼ [9] 중 어느 하나에 기재된 부분 가수 분해 축합물.[10] The partial hydrolysis and condensation product according to any one of [1] to [9], wherein the number average molecular weight is 500 or more and less than 10,000.

[11] 상기 [1] ∼ [10] 중 어느 하나에 기재된 부분 가수 분해 축합물로 이루어지는 발잉크제.[11] A foot ink composition comprising the partially hydrolyzed condensate according to any one of [1] to [10].

[12] 상기 [11] 에 기재된 발잉크제, 광 경화성을 갖는 알칼리 가용성 수지 또는 알칼리 가용성 단량체 (A), 광 중합 개시제 (B) 및 용매 (D) 를 포함하는, 네거티브형 감광성 수지 조성물.[12] A negative-type photosensitive resin composition comprising the ink-repellent agent, the alkali-soluble resin having photo-curability, or the alkali-soluble monomer (A), the photopolymerization initiator (B) and the solvent (D)

[13] 추가로 가교제 (E) 를 포함하고, 당해 가교제 (E) 가 1 분자 중에 2 개 이상의 에틸렌성 이중 결합을 갖고, 산성기를 갖지 않는 화합물인, 상기 [12] 에 기재된 네거티브형 감광성 수지 조성물.[13] The negative-working photosensitive resin composition according to the above-mentioned [12], further comprising a crosslinking agent (E), wherein the crosslinking agent (E) is a compound having two or more ethylenic double bonds in one molecule and no acidic group .

[14] 상기 [12] 또는 [13] 에 기재된 네거티브형 감광성 수지 조성물을 기판 표면에 도포하고, 노광하여 이루어지는 경화막.[14] A cured film obtained by applying the negative-type photosensitive resin composition according to [12] or [13] to a substrate surface and exposing the substrate.

[15] 상기 [14] 에 기재된 경화막으로 이루어지는 격벽.[15] A barrier rib comprising the cured film according to the above [14].

[16] 복수의 도트와 상기 [15] 에 기재된 격벽을 구비하는 광학 소자.[16] An optical element comprising a plurality of dots and the partition described in [15] above.

[17] 상기 격벽이, 상기 복수의 도트를 구획하는 격벽, 혹은, 도체 패턴 또는 반도체 패턴의 잉크젯법에 의한 패턴 인쇄용의 격벽인, 상기 [16] 에 기재된 광학 소자.[17] The optical element according to the above [16], wherein the partition is a partition for partitioning the plurality of dots, or a partition for pattern printing by a conductive pattern or a semiconductor pattern by an inkjet method.

본 발명의 가수 분해성 실란 화합물의 부분 가수 분해 축합물은, 발잉크성이 우수하고, 그 축합물로 이루어지는 발잉크제는, 격벽 상면에 선택적으로 양호한 발잉크성을 부여할 수 있다.The partially hydrolyzed and condensed product of the hydrolyzable silane compound of the present invention is excellent in ink repellency and a repellent agent comprising the condensate can selectively impart good ink repellency to the upper surface of the partition wall.

또한, 본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물은, 발잉크제로서 상기 축합물을 포함하는 것으로, 저노광량으로 노광을 실시하여도, 격벽 상면에 선택적으로 양호한 발잉크성을 부여할 수 있고, 도트 내에 발잉크제가 잘 잔존하지 않는 특성을 갖는다.In addition, the negative-working photosensitive resin composition of the present invention contains the condensate as a repelling ink agent, and even when exposure is performed at a low exposure dose, it is possible to selectively impart good ink repellency to the upper surface of the partition, It has a property that the ink for ink-repellent does not remain well.

또한, 본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물로부터 형성되는 경화막 및 격벽은, UV/O3 조사 처리를 거쳐도 그 발잉크성이 양호하게 유지되고, 그 경화막 및 격벽을 갖는 광학 소자는, 도트 내에 발잉크제가 잘 잔존하지 않기 때문에, 도트 내에 잉크를 균일 도포할 수 있다.The cured film and the partition formed from the negative-working photosensitive resin composition of the present invention maintain favorable ink repellency even after the UV / O 3 irradiation treatment, and the optical element having the cured film and the partition wall has the dot It is possible to uniformly apply the ink to the dots.

도 1a 는 본 발명에 관련된 경화막으로 이루어지는 격벽의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 공정도이다.
도 1b 는 본 발명에 관련된 경화막으로 이루어지는 격벽의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 공정도이다.
도 1c 는 본 발명에 관련된 경화막으로 이루어지는 격벽의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 공정도이다.
도 1d 는 본 발명에 관련된 경화막으로 이루어지는 격벽의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 공정도이다.
도 1e 는 본 발명에 관련된 경화막으로 이루어지는 격벽의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 공정도이다.
도 2a 는 본 발명에 관련된 경화막으로 이루어지는 격벽을 사용한 패턴막의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 공정도이다.
도 2b 는 본 발명에 관련된 경화막으로 이루어지는 격벽을 사용한 패턴막의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 공정도이다.
1A is a process diagram schematically showing a method of manufacturing a barrier rib made of a cured film according to the present invention.
Fig. 1B is a process diagram schematically showing a method of manufacturing a barrier rib made of a cured film according to the present invention.
1C is a process diagram schematically showing a method of manufacturing a barrier rib made of a cured film according to the present invention.
FIG. 1D is a process diagram schematically showing a method of manufacturing a barrier rib made of a cured film according to the present invention.
FIG. 1E is a process diagram schematically showing a method for manufacturing a barrier rib made of a cured film according to the present invention.
2A is a process diagram schematically showing a method for producing a patterned film using a barrier rib made of a cured film according to the present invention.
FIG. 2B is a process diagram schematically showing a method of manufacturing a patterned film using a barrier rib made of a cured film according to the present invention. FIG.

본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴로일기」 는, 「메타크릴로일기」 와 「아크릴로일기」 의 총칭이다. (메트)아크릴레이트, (메트)아크릴아미드, 및 (메트)아크릴 수지도 이에 준한다.In the present specification, the term "(meth) acryloyl group" is a general term for "methacryloyl group" and "acryloyl group". (Meth) acrylate, (meth) acrylamide, and (meth) acrylic resin.

본 명세서에 있어서, 식 (x) 로 나타내는 기를, 간단히 기 (x) 라고 기재하는 경우가 있다.In the present specification, the group represented by the formula (x) may be simply referred to as a group (x).

본 명세서에 있어서, 식 (y) 로 나타내는 화합물을, 간단히 화합물 (y) 라고 기재하는 경우가 있다.In the present specification, a compound represented by the formula (y) may be simply referred to as a compound (y).

여기서, 식 (x), 식 (y) 는, 임의의 식을 나타내고 있다.Here, the expressions (x) and (y) represent arbitrary expressions.

본 명세서에 있어서의 「측사슬」 이란, 반복 단위가 주사슬을 구성하는 중합체에 있어서, 주사슬을 구성하는 탄소 원자에 결합하는, 수소 원자 또는 할로겐 원자 이외의 기이다.In the present specification, the term "side chain" refers to a group other than a hydrogen atom or a halogen atom, which is bonded to the carbon atom constituting the main chain in the polymer in which the repeating unit constitutes the main chain.

본 명세서에 있어서의 「감광성 수지 조성물의 전체 고형분」 이란, 감광성 수지 조성물이 함유하는 성분 중 후술하는 경화막을 형성하는 성분을 가리키고, 감광성 수지 조성물을 140 ℃ 에서 24 시간 가열하여 용매를 제거한 잔존물로부터 구한다. 또한, 전체 고형분량은 주입량으로부터도 계산할 수 있다.Refers to a component forming a cured film to be described later among the components contained in the photosensitive resin composition, and the photosensitive resin composition is heated at 140 占 폚 for 24 hours to obtain a residue from which the solvent has been removed . In addition, the total solid content can also be calculated from the amount of injection.

본 명세서에 있어서는, 감광성 수지 조성물을 도포한 막을 「도포막」, 그것을 건조시킨 막을 「건조막」, 추가로 그것을 경화시켜 얻어지는 막을 「경화막」 이라고 한다.In the present specification, the film coated with the photosensitive resin composition is referred to as a " coated film ", the film obtained by drying it is referred to as a " dried film "

본 명세서에 있어서, 격벽의 「상면」 은, 격벽의 측면을 제외한, 상표면만을 나타내는 용어로서 사용한다. 따라서, 격벽의 「상면」 에는, 격벽의 측면은 포함되지 않는다.In the present specification, the " upper surface " of the partition wall is used as a term indicating only the trademark surface except for the side surface of the partition wall. Therefore, the " upper surface " of the partition does not include the side surface of the partition.

본 명세서에 있어서의 「잉크」 에는, 도트 내에 주입하는, 광학적 및/또는 전기적인 기능을 갖는 액체 전반이 포함된다.In this specification, the term " ink " includes liquids having optical and / or electrical functions injected into dots.

본 명세서에 있어서의 「잉크」 에는, 잉크젯 (IJ) 법에 의한 패턴 인쇄에 사용되는 잉크 전반이 포함된다.The term " ink " in this specification includes the whole ink used for pattern printing by the ink jet (IJ) method.

최근, 유기 EL 소자, 액정 소자의 컬러 필터 및 유기 TFT (Thin Film Transistor) 어레이 등의 광학 소자에 있어서, 각종 구성 요소를 IJ 법에 의해 패턴 인쇄할 수 있다.In recent years, various components can be pattern printed by the IJ method in an optical element such as an organic EL element, a color filter of a liquid crystal element, and an organic TFT (Thin Film Transistor) array.

본 명세서에 있어서의 「잉크」 에는, 이러한 용도에 사용되는 원료의 잉크가 포함된다.The term " ink " in this specification includes an ink of a raw material used for such a use.

본 명세서에 있어서의 「발잉크성」 이란, 상기 잉크를 튕기는 성질로, 발수성과 발유성의 양방을 갖는다. 발잉크성은 예를 들어, 잉크를 적하했을 때의 접촉각에 의해 평가할 수 있다.The term " ink repellency " in the present specification means both of water repellency and oil repellency due to the property of repelling the ink. The ink repellency can be evaluated, for example, by the contact angle when the ink is dripped.

본 명세서에 있어서의 「도트」 란, 광학 소자에 있어서의 광 변조 가능한 최소 영역을 나타낸다. 유기 EL 소자, 액정 소자의 컬러 필터, 및 유기 TFT 어레이 등의 광학 소자에 있어서는, 흑백 표시의 경우에 1 도트 = 1 화소이고, 컬러 표시의 경우에 예를 들어 3 도트 (R (빨강), G (초록), B (파랑) 등) = 1 화소이다.The term " dot " in this specification refers to a minimum light-modulating area in an optical element. In an optical element such as an organic EL element, a color filter of a liquid crystal element, and an organic TFT array, one dot = one pixel in the case of monochrome display and three dots (R (Green), B (blue), etc.) = 1 pixel.

본 명세서에 있어서의 「노광량」 이란, 단위 면적 당의 노광량 (mJ/㎠) 이다. 노광에 사용되는 광은 조도 분포가 있고, 조도의 시간 변동도 있기 때문에, 노광량을 엄밀하게 구하는 것은 어렵지만, 본 명세서에 있어서는, 노광량을 노광 파워 (노광 출력) 와 노광 시간의 곱으로부터 구한다.The " exposure amount " in this specification is an exposure amount per unit area (mJ / cm 2). Since the light used for exposure has an illuminance distribution and there is also a time variation of illuminance, it is difficult to strictly obtain the exposure amount. In the present specification, the exposure amount is obtained from the product of exposure power (exposure output) and exposure time.

동일 지점에 대하여 복수회로 나누어 노광할 수 있다. 이 때, 복수회의 노광 조건은 동일하여도 되고 동일하지 않아도 상관없다. 동일 지점에 대하여 복수회로 나누어 노광하는 경우, 「노광량」 은 복수회 노광의 노광량의 합산으로 한다.Exposure can be performed by dividing the same point into a plurality of circuits. At this time, a plurality of exposure conditions may or may not be the same. Quot; exposure amount " is the sum of exposure amounts of exposure for a plurality of times.

이하, 본 발명의 실시형태를 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서 특별히 설명이 없는 경우, % 는 질량% 를 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. In the present specification, unless otherwise specified,% represents mass%.

[부분 가수 분해 축합물][Partial hydrolysis condensation product]

본 발명의 부분 가수 분해 축합물은, 플루오로알킬렌기 및/또는 플루오로알킬기와 가수 분해성기를 갖고, 메르캅토기를 갖지 않는 제 1 가수 분해성 실란 화합물과, 메르캅토기와 가수 분해성기를 갖고, 플루오로알킬렌기 및 플루오로알킬기를 갖지 않는 제 2 가수 분해성 실란 화합물을 포함하는 혼합물 (이하, 가수 분해성 실란 화합물 혼합물이라고도 한다) 의 부분 가수 분해 축합물이다.The partial hydrolyzed condensate of the present invention is a partially hydrolyzed condensate which contains a first hydrolyzable silane compound having a fluoroalkylene group and / or a fluoroalkyl group and a hydrolyzable group and having no mercapto group, a first hydrolyzable silane compound having a mercapto group and a hydrolyzable group, And a second hydrolyzable silane compound having no fluoroalkyl group (hereinafter, also referred to as a hydrolyzable silane compound mixture).

본 발명의 부분 가수 분해 축합물은, 통상적으로, 분자량 분포를 갖는 조성물이다.The partial hydrolyzed condensate of the present invention is usually a composition having a molecular weight distribution.

또한, 본 발명의 가수 분해성 실란 화합물 혼합물은, 제 1 가수 분해성 실란 화합물과 제 2 가수 분해성 실란 화합물을 필수 성분으로서 포함하고, 임의로, 후술하는 제 3 ∼ 5 가수 분해성 실란 화합물을 포함한다. 또한, 제 1 ∼ 5 가수 분해성 실란 화합물 이외의 가수 분해성 실란 화합물을 포함하여도 된다.In addition, the hydrolyzable silane compound mixture of the present invention contains a first hydrolyzable silane compound and a second hydrolyzable silane compound as essential components, and optionally includes a third to fifth hydrolyzable silane compounds described later. In addition, hydrolyzable silane compounds other than the first to fifth hydrolyzable silane compounds may be included.

본 발명의 부분 가수 분해 축합물은 발잉크제로서 바람직하다. 네거티브형 감광성 수지 조성물에 발잉크제로서 함유시킨 경우, 저노광량으로 노광을 실시하여도, 격벽 상면에 선택적으로 양호한 발잉크성을 부여할 수 있고, 또한, UV/O3 조사 처리를 거쳐도, 그 발잉크성이 양호하게 유지되고, 또한, 도트 내에 발잉크제가 잘 잔존하지 않는 특성을 갖는 것이다.The partial hydrolyzed condensate of the present invention is preferably used as a foot ink composition. If that contained as the foot print on the negative-type photosensitive resin compositions, even when subjected to exposure at a low exposure amount, it is possible to give the optionally good ink repellency on the upper surface of the partition wall, and, even after the UV / O 3 irradiation treatment, Has good ink-retaining property, and has a property that the ink does not remain well in the dot.

본 발명의 부분 가수 분해 축합물은 발잉크제로서 바람직하지만, 다른 용도에도 사용 가능하다.The partial hydrolyzed condensate of the present invention is preferably used as a depigmenting agent but can be used for other purposes.

본 발명의 부분 가수 분해 축합물은 네거티브형 감광성 수지 조성물용으로서 바람직하지만, 포지티브형 감광성 수지 조성물에도 사용 가능하다.The partial hydrolyzed condensate of the present invention is preferably used for a negative photosensitive resin composition, but can also be used for a positive photosensitive resin composition.

본 발명의 부분 가수 분해 축합물을 발잉크제로서 포함하는 감광성 수지 조성물은, 광학 소자의 각종 구성 요소의 IJ 법에 의한 패턴 형성에 있어서의 격벽 형성용의 조성물로서 바람직하다.The photosensitive resin composition comprising the partially hydrolyzed condensate of the present invention as a depigmenting agent is preferably used as a composition for forming a barrier rib in the pattern formation by the IJ method of various components of the optical element.

본 발명의 부분 가수 분해 축합물에 있어서의 불소 원자의 함유 비율 (이하, 불소 원자 함유율이라고도 한다) 은, 발잉크성, 그 내 UV/O3 성 및 가수 분해성 실란 화합물 혼합물에 있어서의 상용성의 점에서, 10 ∼ 55 질량% 가 바람직하고, 12 ∼ 40 질량% 가 보다 바람직하고, 15 ∼ 30 질량% 가 특히 바람직하다.The content of the fluorine atom in the partial hydrolysis and condensation product of the present invention (hereinafter also referred to as a fluorine atom content) is, ink repellency, and within the UV / O 3 properties and the hydrolyzable silane compound that mixture commercially available in the Province , It is preferably 10 to 55 mass%, more preferably 12 to 40 mass%, and particularly preferably 15 to 30 mass%.

(제 1 가수 분해성 실란 화합물)(First hydrolyzable silane compound)

제 1 가수 분해성 실란 화합물은, 플루오로알킬렌기 및/또는 플루오로알킬기와 가수 분해성기를 갖고, 메르캅토기를 갖지 않는 화합물이다.The first hydrolyzable silane compound is a compound having a fluoroalkylene group and / or a fluoroalkyl group and a hydrolyzable group and having no mercapto group.

가수 분해성기로는, 알콕시기, 할로겐 원자, 아실기, 이소시아네이트기, 아미노기, 및 아미노기의 적어도 1 개의 수소가 알킬기로 치환된 기 등을 들 수 있다. 가수 분해 반응에 의해 수산기 (실란올기) 가 되고, 또한 분자 사이에서 축합 반응하여 Si-O-Si 결합을 형성하는 반응이 원활히 진행되기 쉬운 점에서, 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알콕시기 및 할로겐 원자가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기 및 염소 원자가 보다 바람직하고, 메톡시기 및 에톡시기가 특히 바람직하다.Examples of the hydrolyzable group include groups in which at least one hydrogen of an alkoxy group, a halogen atom, an acyl group, an isocyanate group, an amino group, and an amino group is substituted with an alkyl group. An alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms and a halogen atom (for example, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms) are preferable because the hydroxyl group (silanol group) is formed by a hydrolysis reaction and the reaction for condensation reaction between molecules to form a Si- More preferably a methoxy group, an ethoxy group and a chlorine atom, and a methoxy group and an ethoxy group are particularly preferable.

제 1 가수 분해성 실란 화합물은, 1 종을 단독으로 이용하여도 되고 2 종 이상을 병용하여도 된다.The first hydrolyzable silane compound may be used alone or in combination of two or more.

플루오로알킬렌기 및/또는 플루오로알킬기를 포함하는 제 1 가수 분해성 실란 화합물을 사용함으로써, 본 발명의 부분 가수 분해 축합물에 발잉크성을 부여할 수 있다. 또한, 양호한 발잉크성은 UV/O3 조사 처리를 거쳐도 유지된다.By using the first hydrolyzable silane compound containing a fluoroalkylene group and / or a fluoroalkyl group, ink repellency can be imparted to the partial hydrolysis condensation product of the present invention. In addition, good ink repellency is maintained even after UV / O 3 irradiation treatment.

제 1 가수 분해성 실란 화합물을 사용함으로써, 본 발명의 부분 가수 분해 축합물을 발잉크제로서 포함하는 네거티브형 감광성 수지 조성물은, 경화하여 이루어지는 격벽의 상면에 선택적으로 양호한 발잉크성을 부여할 수 있다. 또한, 양호한 발잉크성은 UV/O3 조사 처리를 거쳐도 유지된다.By using the first hydrolyzable silane compound, the negative type photosensitive resin composition containing the partial hydrolyzed condensate of the present invention as a releasing agent can selectively impart good ink repellency to the upper surface of the cured partition wall . In addition, good ink repellency is maintained even after UV / O 3 irradiation treatment.

또한, 제 1 가수 분해성 실란 화합물이 갖는 효과를 보다 발현하기 위해서는, 제 1 가수 분해성 실란 화합물이 플루오로알킬기, 퍼플루오로알킬렌기 또는 퍼플루오로알킬기를 갖는 것이 보다 바람직하고, 퍼플루오로알킬기를 갖는 것이 특히 바람직하다. 또한, 제 1 가수 분해성 실란 화합물은, 에테르성 산소 원자를 포함하는 퍼플루오로알킬기를 갖는 것이 바람직하다.Further, in order to further manifest the effect of the first hydrolyzable silane compound, it is more preferable that the first hydrolyzable silane compound has a fluoroalkyl group, a perfluoroalkylene group or a perfluoroalkyl group, and a perfluoroalkyl group Is particularly preferable. The first hydrolyzable silane compound preferably has a perfluoroalkyl group containing an etheric oxygen atom.

즉, 제 1 가수 분해성 실란 화합물로서 가장 바람직한 화합물은, 퍼플루오로알킬기 및/또는 에테르성 산소 원자를 포함하는 퍼플루오로알킬기를 갖는 화합물이다.That is, the most preferable compound as the first hydrolyzable silane compound is a compound having a perfluoroalkyl group and / or a perfluoroalkyl group containing an ether oxygen atom.

제 1 가수 분해성 실란 화합물로는, 하기 식 (c-1) 로 나타내는 화합물이 바람직하다.As the first hydrolyzable silane compound, a compound represented by the following formula (c-1) is preferable.

(A-RF1)a-Si(RH1)bX1 (4-a-b) ···(c-1)(AR F1 ) a -Si (R H1 ) b X 1 (4-ab) (c-1)

식 (c-1) 중, 각 기호는 이하와 같다.In the formula (c-1), each symbol is as follows.

RF1 은, 적어도 1 개의 플루오로알킬렌기를 포함하는, 에테르성 산소 원자를 포함하고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 16 의 2 가의 유기기를 나타낸다.R F1 represents a divalent organic group having 1 to 16 carbon atoms which may contain an etheric oxygen atom and contains at least one fluoroalkylene group.

RH1 은 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기를 나타낸다.R H1 represents a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.

a 는 1 또는 2, b 는 0 또는 1, a + b 는 1 또는 2 이다.a is 1 or 2, b is 0 or 1, and a + b is 1 or 2.

A 는 불소 원자 또는 하기 식 (I) 로 나타내는 기이다.A is a fluorine atom or a group represented by the following formula (I).

-Si(RH2)bX2 (3-b)···(I)-Si (R H2 ) b X 2 (3-b) (I)

RH2 는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기를 나타낸다.And R H2 represents a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.

b 는 0 또는 1 이다.b is 0 or 1;

X1 및 X2 는 가수 분해성기이다.X 1 and X 2 are hydrolyzable groups.

X1 이 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.When a plurality of X < 1 > s exist, they may be different from or the same as each other.

X2 가 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.When a plurality of X < 2 > exist, they may be different from or the same as each other.

A-RF1 이 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.When a plurality of AR F1 exist, they may be different from each other or the same.

화합물 (c-1) 은, 2 또는 3 관능성의 가수 분해성 실릴기를 1 개 또는 2 개 갖는 함불소 가수 분해성 실란 화합물이다.The compound (c-1) is a fluorinated hydrolyzable silane compound having one or two hydrolyzable silyl groups having two or three functionalities.

RH1 및 RH2 는, 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기이고, 탄소 원자수 1 ∼ 3 의 탄화수소기가 보다 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.R H1 and R H2 are hydrocarbon groups of 1 to 6 carbon atoms, more preferably hydrocarbon groups of 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methyl group.

식 (c-1) 중, a 가 1 이고, b 가 0 또는 1 인 것이 보다 바람직하다.In the formula (c-1), it is more preferable that a is 1 and b is 0 or 1.

X1 및 X2 는 규소 원자에 결합하는 가수 분해성기이고, 바람직한 양태는 상기와 같다.X < 1 > and X < 2 > are hydrolyzable groups bonded to silicon atoms, and preferred embodiments thereof are the same as described above.

제 1 가수 분해성 실란 화합물로는, 하기 식 (c-1a) 로 나타내는 화합물이 특히 바람직하다.As the first hydrolyzable silane compound, a compound represented by the following formula (c-1a) is particularly preferable.

D-RF2-Q1-SiX1 3···(c-1a) DR F2 -Q 1 -SiX 1 3 ··· (c-1a)

식 (c-1a) 중, 각 기호는 이하와 같다.In the formula (c-1a), each symbol is as follows.

RF2 는 탄소 원자수 2 ∼ 15 의 에테르성 산소 원자를 포함하고 있어도 되는 퍼플루오로알킬렌기이다.And R F2 is a perfluoroalkylene group which may contain an etheric oxygen atom having 2 to 15 carbon atoms.

D 는 불소 원자 또는 하기 식 (Ia) 로 나타내는 기이다.D is a fluorine atom or a group represented by the following formula (Ia).

-Q2-SiX2 3···(Ia)-Q 2 -SiX 2 3 (Ia)

X1 및 X2 는 가수 분해성기이다.X 1 and X 2 are hydrolyzable groups.

3 개의 X1 은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.The three X < 1 > s may be mutually different or the same.

3 개의 X2 는 서로 상이하거나 동일하여도 된다.The three X < 2 > s may be mutually different or the same.

Q1 및 Q2 는 탄소 원자수 1 ∼ 10 의 불소 원자를 포함하지 않는 2 가의 유기기를 나타낸다.Q 1 and Q 2 each represent a divalent organic group containing no fluorine atom having 1 to 10 carbon atoms.

식 (c-1a) 에 있어서 D 가 불소 원자인 경우, RF2 는 탄소 원자수 4 ∼ 8 의 퍼플루오로알킬렌기, 및, 탄소 원자수 4 ∼ 10 의 에테르성 산소 원자를 포함하는 퍼플루오로알킬렌기가 바람직하고, 탄소 원자수 4 ∼ 8 의 퍼플루오로알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소 원자수 6 의 퍼플루오로알킬렌기가 특히 바람직하다.When D in the formula (c-1a) is a fluorine atom, R F2 represents a perfluoroalkylene group having 4 to 8 carbon atoms and a perfluoroalkylene group containing an etheric oxygen atom having 4 to 10 carbon atoms An alkylene group is preferable, a perfluoroalkylene group having 4 to 8 carbon atoms is more preferable, and a perfluoroalkylene group having 6 carbon atoms is particularly preferable.

또한, 식 (c-1a) 에 있어서 D 가 기 (Ia) 인 경우, RF2 는 탄소 원자수 3 ∼ 15 의 퍼플루오로알킬렌기, 및, 탄소 원자수 3 ∼ 15 의 에테르성 산소 원자를 포함하는 퍼플루오로알킬렌기가 바람직하고, 탄소 원자수 4 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬렌기가 특히 바람직하다.When D in the formula (c-1a) is the group (Ia), R F2 contains a perfluoroalkylene group having 3 to 15 carbon atoms and an etheric oxygen atom having 3 to 15 carbon atoms , And perfluoroalkylene groups having 4 to 6 carbon atoms are particularly preferable.

RF2 가 상기 예시한 기이면, 본 발명의 부분 가수 분해 축합물이 양호한 발잉크성과 그 내 UV/O3 성을 갖고, 또한, 화합물 (c-1a) 는 용매에 대한 용해성이 우수하다.When R F2 is the group exemplified above, the partial hydrolyzed condensate of the present invention has good ink repellency and UV / O 3 properties, and compound (c-1a) has excellent solubility in solvents.

RF2 의 구조로는 특별히 제한되지 않는다. RF2 의 구조로는, 직사슬 구조, 분기 구조, 고리 구조, 및 부분적으로 고리를 갖는 구조 등을 들 수 있고, 직사슬 구조가 바람직하다.The structure of R F2 is not particularly limited. Examples of the structure of R F2 include a linear structure, a branched structure, a cyclic structure, and a structure having a partially cyclic structure, and a linear structure is preferable.

RF2 의 구체예로는, 이하의 기를 들 수 있다.Specific examples of R F2 include the following groups.

Figure pct00001
Figure pct00001

식 (c-1a) 중의 Q1 및 식 (Ia) 중의 Q2 는, RF2 와 가수 분해성 실릴기 (-SiX1 3) 또는 (-SiX2 3) 을 각각 연결하는 2 가의 유기기이고, 탄소 원자수 1 ∼ 10 의 불소 원자를 포함하지 않는 2 가의 유기기이다.Formula (c-1a) of Q 1 and formula (Ia) is in Q 2 is, R F2 and the hydrolyzable silyl group (-SiX 1 3) or a divalent organic group that connects (-SiX 2 3), respectively, the carbon And is a divalent organic group containing no fluorine atom having 1 to 10 atoms.

Q1 및 Q2 는, 우측의 결합손에 Si 가, 좌측의 결합손에 RF2 가 각각 결합하는 것으로 표시한 경우, 구체적으로는, -(CH2)i1- (i1 은 1 ∼ 5 의 정수), -CH2O(CH2)i2- (i2 는 1 ∼ 4 의 정수), -SO2NR1-(CH2)i3- (R1 은 수소 원자, 메틸기, 또는 에틸기이고, i3 은 1 ∼ 4 의 정수이고, R1 과 (CH2)i3 의 탄소 원자수의 합계는 4 이하의 정수이다), -(C=O)-NR1-(CH2)i4- (R1 은 상기와 동일하고, i4 는 1 ∼ 4 의 정수이고, R1 과 (CH2)i4 의 탄소 원자수의 합계는 4 이하의 정수이다) 로 나타내는 기가 바람직하다. Q1 및 Q2 로는, i1 이 2 ∼ 4 의 정수인 -(CH2)i1- 이 보다 바람직하고, -(CH2)2- 가 특히 바람직하다.Q 1 and Q 2 are each a combination of - (CH 2 ) i 1 - (i 1 is an integer of 1 to 5, when Si is bonded to the right hand and R F2 is bonded to the left hand, ), -CH 2 O (CH 2 ) i2 - (i2 is an integer of 1 ~ 4), -SO 2 NR 1 - (CH 2) i3 - (R 1 is a hydrogen atom, a methyl group, or ethyl group, i3 is 1 It is an integer of 1-4, R 1 and (CH 2) the sum of the number of carbon atoms i3 is an integer of less than 4), - (C = O ) -NR 1 - (CH 2) i4 - (R 1 is as above identical and, i4 is preferably a group represented by an integer from 1 ~ 4, R 1 and (CH 2) the sum of the number of carbon atoms in the i4 is an integer of less than 4). As Q 1 and Q 2 , - (CH 2 ) i 1 -, in which i 1 is an integer of 2 to 4, is more preferable, and - (CH 2 ) 2 - is particularly preferable.

또한, RF2 가 에테르성 산소 원자를 포함하지 않는 퍼플루오로알킬렌기인 경우, Q1 및 Q2 로는, -(CH2)i1- 로 나타내는 기가 바람직하다. i1 은 2 ∼ 4 의 정수가 보다 바람직하고, i1 은 2 가 특히 바람직하다.When R F2 is a perfluoroalkylene group containing no etheric oxygen atom, Q 1 and Q 2 are preferably groups represented by - (CH 2 ) i1 -. i1 is more preferably an integer of 2 to 4, and i1 is particularly preferably 2.

RF2 가 에테르성 산소 원자를 포함하는 퍼플루오로알킬기인 경우, Q1 및 Q2 로는, -(CH2)i1-, -CH2O(CH2)i2-, -SO2NR1-(CH2)i3-, 및 -(C=O)-NR1-(CH2)i4- 로 나타내는 기가 바람직하다. 이 경우에 있어서도, -(CH2)i1- 이 보다 바람직하고, i1 이 2 ∼ 4 의 정수가 더욱 바람직하고, i1 은 2 가 특히 바람직하다.When R F2 is a perfluoroalkyl group containing an etheric oxygen atom, roneun Q 1 and Q 2, - (CH 2) i1 -, -CH 2 O (CH 2) i2 -, -SO 2 NR 1 - ( CH 2) i3 -, and - (C = O) -NR 1 - (CH 2) i4 - groups are preferred as shown. In this case also, - (CH 2 ) i 1 - is more preferable, i 1 is more preferably an integer of 2 to 4, and i 1 is particularly preferably 2.

D 가 불소 원자인 경우, 화합물 (c-1a) 의 구체예로는, 이하의 화합물을 들 수 있다.When D is a fluorine atom, specific examples of the compound (c-1a) include the following compounds.

Figure pct00002
Figure pct00002

D 가 기 (Ia) 인 경우, 화합물 (c-1a) 의 구체예로는, 이하의 화합물을 들 수 있다.When D is the group (Ia), specific examples of the compound (c-1a) include the following compounds.

Figure pct00003
Figure pct00003

본 발명에 있어서, 화합물 (c-1a) 로는, 그 중에서도, F(CF2)6CH2CH2Si(OCH3)3 및 F(CF2)3OCF(CF3)CF2O(CF2)2CH2CH2Si(OCH3)3 이 특히 바람직하다.In the present invention, among the compounds (c-1a), F (CF 2 ) 6 CH 2 CH 2 Si (OCH 3 ) 3 And the F (CF 2) 3 OCF ( CF 3) CF 2 O (CF 2) 2 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3 is particularly preferred.

가수 분해성 실란 화합물 혼합물에 있어서의 제 1 가수 분해성 실란 화합물의 함유 비율은, 그 혼합물로부터 얻어지는 부분 가수 분해 축합물에 있어서의 불소 원자 함유율이 10 ∼ 55 질량%, 보다 바람직하게는 12 ∼ 40 질량%, 특히 바람직하게는 15 ∼ 30 질량% 가 되는 비율인 것이 바람직하다. 제 1 가수 분해성 실란 화합물의 함유 비율이 상기 범위의 하한치 이상이 되는 비율이면, 경화막의 상면에 양호한 발잉크성을 부여할 수 있고, 상한치 이하가 되는 비율이면, 다른 성분과의 상용성이 양호해진다.The content of the first hydrolyzable silane compound in the hydrolyzable silane compound mixture is preferably 10 to 55% by mass, more preferably 12 to 40% by mass, in the partial hydrolyzed condensate obtained from the mixture, , And particularly preferably from 15 to 30 mass%. If the ratio of the content of the first hydrolyzable silane compound is not less than the lower limit of the above range, good ink repellency can be imparted to the upper surface of the cured film, and if the ratio is less than the upper limit value, compatibility with other components becomes good .

(제 2 가수 분해성 실란 화합물)(Second hydrolyzable silane compound)

제 2 가수 분해성 실란 화합물은, 메르캅토기와 가수 분해성기를 갖고, 플루오로알킬렌기 및 플루오로알킬기를 갖지 않는 화합물이다.The second hydrolyzable silane compound is a compound having a mercapto group and a hydrolyzable group and not having a fluoroalkylene group and a fluoroalkyl group.

가수 분해성기로는, 제 1 가수 분해성 실란 화합물의 가수 분해성기와 동일한 것을 사용할 수 있다.As the hydrolyzable group, the same group as the hydrolyzable group of the first hydrolyzable silane compound can be used.

제 2 가수 분해성 실란 화합물은, 1 종을 단독으로 이용하여도 되고 2 종 이상을 병용하여도 된다.The second hydrolyzable silane compound may be used alone or in combination of two or more.

메르캅토기를 포함하는 제 2 가수 분해성 실란 화합물을 사용함으로써, 본 발명의 부분 가수 분해 축합물을 발잉크제로서 포함하는 네거티브형의 네거티브형 감광성 수지 조성물에 있어서, 저노광량으로의 노광이 가능해진다. 제 2 가수 분해성 실란 화합물 중의 메르캅토기가 연쇄 이동성을 갖고, 후술하는 알칼리 가용성 수지 또는 알칼리 가용성 단량체 (A) 를 갖는 에틸렌성 이중 결합 등과 결부되기 쉽고, 광 경화를 촉진시키기 때문인 것으로 생각된다.By using the second hydrolyzable silane compound containing a mercapto group, the negative type photosensitive resin composition containing the partially hydrolyzed condensate of the present invention as a releasing agent can be exposed at a low exposure dose . It is considered that the mercapto group in the second hydrolyzable silane compound has chain transferability and easily attaches to an ethylenic double bond or the like having an alkali-soluble resin or an alkali-soluble monomer (A) to be described later, thereby promoting photo-curing.

또한, 메르캅토기를 포함하는 제 2 가수 분해성 실란 화합물은 pKa 가 10 정도이고, 알칼리 용액 중에서 탈프로톤, 즉 해리하기 쉽다. 여기서, pKa = -log10Ka 로 나타내고, 식 중, Ka 는 산해리 정수 (定數) 를 나타낸다. 그 때문에, 메르캅토기가, 본 발명의 부분 가수 분해 축합물을 발잉크제로서 포함하는 네거티브형 감광성 수지 조성물의 현상시의 알칼리 가용성을 높이는 것으로 생각된다.In addition, the second hydrolyzable silane compound having a mercapto group has a pKa of about 10, and is easy to be deprotonated, that is, dissociated in an alkali solution. Here, pKa = -log 10 Ka, where Ka represents the acid dissociation constant. Therefore, it is considered that the mercapto group enhances the alkali solubility of the negative type photosensitive resin composition containing the partial hydrolyzed condensate of the present invention as the ink repellent agent upon development.

제 2 가수 분해성 실란 화합물로는, 하기 식 (c-2) 로 나타내는 화합물이 바람직하다.As the second hydrolyzable silane compound, a compound represented by the following formula (c-2) is preferable.

(HS-Q3)p-Si(RH3)qX3 (4-p-q)···(c-2)(HS-Q 3 ) p -Si (R H3 ) q X 3 (4-pq) (c-2)

식 (c-2) 중, 각 기호는 이하와 같다.In the formula (c-2), each symbol is as follows.

Q3 은 탄소 원자수 1 ∼ 10 의 불소 원자를 포함하지 않는 2 가의 유기기를 나타낸다.Q 3 represents a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms and not containing a fluorine atom.

RH3 은 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기를 나타낸다.R H3 represents a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.

X3 은 가수 분해성기를 나타낸다.X 3 represents a hydrolyzable group.

p 는 1 또는 2, q 는 0 또는 1, p + q 는 1 또는 2 이다.p is 1 or 2, q is 0 or 1, and p + q is 1 or 2.

HS-Q3 이 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.When a plurality of HS-Q 3 exist, they may be the same or different.

X3 이 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.When a plurality of X < 3 > exist, they may be the same or different from each other.

X3 으로는, 상기 X1 및 X2 와 동일한 기가 사용된다.As X 3 , the same groups as X 1 and X 2 are used.

Q3 으로는, 탄소 원자수 1 ∼ 10 의 알킬렌기가 바람직하고, 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소 원자수 1 ∼ 3 의 알킬렌기가 특히 바람직하다.As Q 3 , an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms is preferable, an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable, and an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms is particularly preferable.

RH3 으로는, 상기 RH1 과 동일한 기가 사용된다.As R H3 , the same group as R H1 is used.

화합물 (c-2) 의 구체예로는, HS-(CH2)3-Si(OCH3)3, HS-(CH2)3-Si(CH3)(OCH3)2 등을 들 수 있다.Concrete examples of the compound (c-2) there may be mentioned HS- (CH 2) 3 -Si ( OCH 3) 3, HS- (CH 2) 3 -Si (CH 3) (OCH 3) 2 .

가수 분해성 실란 화합물 혼합물에 있어서의 제 2 가수 분해성 실란 화합물의 함유 비율은, 제 1 가수 분해성 실란 화합물의 1 몰에 대하여, 0.125 ∼ 18 몰이 바람직하고, 0.125 ∼ 8 몰이 특히 바람직하다.The content of the second hydrolyzable silane compound in the hydrolyzable silane compound mixture is preferably 0.125 to 18 moles, more preferably 0.125 to 8 moles, per 1 mole of the first hydrolyzable silane compound.

(제 3 가수 분해성 실란 화합물)(Third hydrolyzable silane compound)

제 3 가수 분해성 실란 화합물은, 하기 식 (c-3) 으로 나타내는 화합물이다.The third hydrolyzable silane compound is a compound represented by the following formula (c-3).

SiX4 4···(c-3)SiX 4 4 (c-3)

식 (c-3) 중, X4 는 가수 분해성기를 나타내고, 4 개의 X4 는 서로 상이하거나 동일하여도 된다.In the formula (c-3), X 4 represents a hydrolyzable group, and four X 4 may be the same or different from each other.

X4 로는, 상기 X1 및 X2 와 동일한 기가 사용된다.As X < 4 >, the same groups as X < 1 > and X < 2 >

화합물 (c-3) 의 구체예로는, 이하의 화합물을 들 수 있다. 또한, 화합물 (c-3) 으로서, 필요에 따라, 그 복수 개를 미리 부분 가수 분해 축합하여 얻은 부분 가수 분해 축합물을 사용하여도 된다.Specific examples of the compound (c-3) include the following compounds. As the compound (c-3), a partial hydrolysis-condensation product obtained by partially hydrolyzing and condensing a plurality of the compound (c-3), if necessary, may be used.

Si(OCH3)4, Si(OCH2CH3)4, Si (OCH 3) 4, Si (OCH 2 CH 3) 4,

Si(OCH3)4 의 부분 가수 분해 축합물 (예를 들어, 콜코트사 제조의 메틸실리케이트 51 (상품명)),Si (OCH 3) 4 partially hydrolyzed condensate (e.g., Cole coat the product of methyl silicate 51 (trade name)) of,

Si(OCH2CH3)4 의 부분 가수 분해 축합물 (예를 들어, 콜코트사 제조의 에틸실리케이트 40, 에틸실리케이트 48 (모두 상품명)).Partial hydrolyzed condensates of Si (OCH 2 CH 3 ) 4 (for example, ethyl silicate 40 and ethyl silicate 48 (all trade names) manufactured by Colcoat Co.).

화합물 (c-3) 은, 1 종을 단독으로 이용하여도 되고 2 종 이상을 병용하여도 된다.As the compound (c-3), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

가수 분해성 실란 화합물 혼합물에 화합물 (c-3) 을 포함시킴으로써, 본 발명의 부분 가수 분해 축합물을 발잉크제로서 포함하는 네거티브형 감광성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막에 있어서, 발잉크제가 상면 이행한 후의 막 제조성을 높일 수 있다. 즉, 화합물 (c-3) 중의 가수 분해성기의 수가 많은 점에서, 상면 이행한 후에 부분 가수 분해 축합물끼리가 양호하게 축합하고, 상면 전체에 얇은 막을 형성할 수 있는 것으로 생각된다.In the cured film obtained by curing the negative photosensitive resin composition containing the partial hydrolyzed condensate of the present invention as the ink-repelling agent by incorporating the compound (c-3) in the hydrolyzable silane compound mixture, It is possible to increase the film-forming property after the drying. That is, from the point that the number of hydrolyzable groups in the compound (c-3) is large, it is considered that the partially hydrolyzed condensates are satisfactorily condensed after shifting to the upper surface, and a thin film can be formed on the entire upper surface.

또한, 가수 분해성 실란 화합물 혼합물에 화합물 (c-3) 을 포함시킴으로써, 가수 분해성 실란 화합물 혼합물의 균질성을 높일 수 있다. 화합물 (c-3) 의 존재에 의해, 제 1 가수 분해성 실란 화합물과 제 2 가수 분해성 실란 화합물이, 서로 결부되기 쉬워지고 섞이기 쉬워지기 때문인 것으로 생각된다. 가수 분해성 실란 화합물 혼합물의 균질성이 양호하면, 가수 분해성 실란 화합물 혼합물 중에 포함되는 가수 분해성 실란 화합물의 효과를 균형있게 발현할 수 있는 부분 가수 분해 축합물이 얻어지는 것으로 생각된다.In addition, by including the compound (c-3) in the hydrolyzable silane compound mixture, the homogeneity of the hydrolyzable silane compound mixture can be increased. It is believed that the presence of the compound (c-3) makes the first hydrolyzable silane compound and the second hydrolyzable silane compound easy to be bonded to each other and to be easily mixed. If the homogeneity of the hydrolyzable silane compound mixture is good, it is considered that the partial hydrolyzed condensate which can exhibit the effect of the hydrolyzable silane compound contained in the hydrolyzable silane compound mixture in a balanced manner is obtained.

또한, 가수 분해성 실란 화합물 혼합물에 화합물 (c-3) 을 포함시킴으로써, 본 발명의 부분 가수 분해 축합물은 탄화수소계의 용매에 용해되기 쉬워진다.Further, by including the compound (c-3) in the hydrolyzable silane compound mixture, the partial hydrolyzed condensate of the present invention is easily dissolved in the hydrocarbon-based solvent.

가수 분해성 실란 화합물 혼합물에 있어서의 화합물 (c-3) 의 함유 비율은, 제 1 가수 분해성 실란 화합물과 제 2 가수 분해성 실란 화합물의 합계 1 몰에 대하여, 0.01 ∼ 5 몰이 바람직하고, 0.05 ∼ 3 몰이 특히 바람직하다. 함유 비율이 상기 범위의 하한치 이상이면 막 제조성이 양호하고, 상한치 이하이면 제 1 가수 분해성 실란 화합물 및 제 2 가수 분해성 실란 화합물의 효과를 충분히 발현할 수 있다.The content of the compound (c-3) in the hydrolyzable silane compound mixture is preferably 0.01 to 5 moles, more preferably 0.05 to 3 moles, per mole of the total amount of the first hydrolyzable silane compound and the second hydrolyzable silane compound Particularly preferred. When the content ratio is lower than the lower limit of the above range, the film-forming property is good, and if it is not more than the upper limit value, the effects of the first hydrolyzable silane compound and the second hydrolyzable silane compound can be sufficiently exhibited.

(제 4 가수 분해성 실란 화합물)(Fourth hydrolyzable silane compound)

제 4 가수 분해성 실란 화합물은, 하기 식 (c-4) 로 나타내는 가수 분해성 실란 화합물이다.The fourth hydrolyzable silane compound is a hydrolyzable silane compound represented by the following formula (c-4).

(Y-Q4)g-Si(RH4)hX5 (4-g-h)···(c-4)(YQ 4 ) g -Si (R H4 ) h X 5 (4-gh) (c-4)

식 (c-4) 중의 기호는, 이하와 같다.The symbols in the formula (c-4) are as follows.

Y 는 에틸렌성 이중 결합을 갖는 기를 나타낸다.Y represents a group having an ethylenic double bond.

Q4 는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 불소 원자를 포함하지 않는 2 가의 유기기를 나타낸다.Q 4 represents a divalent organic group containing no fluorine atom having 1 to 6 carbon atoms.

RH4 는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기를 나타낸다.R H4 represents a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.

X5 는 가수 분해성기를 나타낸다.X < 5 > represents a hydrolyzable group.

g 는 1 또는 2, h 는 0 또는 1, g + h 는 1 또는 2 이다.g is 1 or 2, h is 0 or 1, and g + h is 1 or 2.

Y-Q4 가 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.When a plurality of YQ 4 exist, they may be the same or different.

X5 가 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.When a plurality of X < 5 > exist, they may be the same or different from each other.

RH4 로는, 상기 RH1 과 동일한 기가 사용된다.As R H4 , the same group as R H1 is used.

X5 로는, 상기 X1 및 X2 와 동일한 기가 사용된다.As X < 5 >, the same groups as X < 1 > and X < 2 >

Y 로는, (메트)아크릴로일옥시기 및 비닐페닐기가 바람직하고, (메트)아크릴로일옥시기가 특히 바람직하다.Y is preferably a (meth) acryloyloxy group and a vinylphenyl group, and particularly preferably a (meth) acryloyloxy group.

Q4 의 구체예로는, 탄소 원자수 2 ∼ 6 의 알킬렌기 및 페닐렌기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, -(CH2)3- 이 바람직하다.Specific examples of Q 4 include an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms and a phenylene group. Among them, - (CH 2 ) 3 - is preferable.

g 가 1 이고, h 가 0 또는 1 인 것이 바람직하다.g is 1, and h is 0 or 1.

화합물 (c-4) 의 구체예로는, 이하의 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the compound (c-4) include the following compounds.

Figure pct00004
Figure pct00004

화합물 (c-4) 는, 1 종을 단독으로 이용하여도 되고 2 종 이상을 병용하여도 된다.The compound (c-4) may be used singly or in combination of two or more.

가수 분해성 실란 화합물 혼합물에 에틸렌성 이중 결합을 갖는 기 Y 를 포함하는 화합물 (c-4) 를 포함시킴으로써, 본 발명의 부분 가수 분해 축합물을 발잉크제로서 포함하는 네거티브형 감광성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 격벽의 제조에 있어서, 주로 발잉크제끼리의 노광에 의한 축합 반응을 촉진시키고, 발잉크제의 격벽 상면에서의 정착성을 향상시킬 수 있다.(C-4) containing a group Y having an ethylenic double bond in the hydrolyzable silane compound mixture to cure the negative type photosensitive resin composition containing the partially hydrolyzed condensate of the present invention as a ink-repelling agent In the production of barrier ribs, it is possible to promote the condensation reaction mainly by exposure of the ink-repelling agents and improve the fixability of the ink-repellent agent on the upper surface of the barrier ribs.

상기한 바와 같이, 제 2 가수 분해성 실란 화합물은 메르캅토기를 갖고, 그 연쇄 이동성에 의해, 본 발명의 부분 가수 분해 축합물을 발잉크제로서 포함하는 네거티브형 감광성 수지 조성물에 있어서, 종래보다 저노광량의 노광을 가능하게 한다. 그러나, 메르캅토기가 지나치게 많으면, 네거티브형 감광성 수지 조성물에 포함되는 다른 성분의 에틸렌성 이중 결합과 반응하여 결합하기 쉽고, 발잉크제의 상면 이행성을 저하시킬 우려가 있다.As described above, the second hydrolyzable silane compound has a mercapto group and, due to its chain mobility, the partial hydrolyzed condensate of the present invention is contained in the negative type photosensitive resin composition as a releasing agent, Thereby enabling exposure at an exposure amount. However, if the amount of the mercapto group is excessively large, it is likely to react with the ethylenic double bonds of the other components contained in the negative photosensitive resin composition and bond easily, thereby lowering the top surface transfer property of the ink repellent agent.

화합물 (c-4) 는 에틸렌성 이중 결합을 갖는 기 Y 를 갖고, 이것이 제 2 가수 분해성 실란 화합물에 포함되는 메르캅토기의 일부와 반응하는 점에서, 제 2 가수 분해성 실란 화합물의 메르캅토기와 네거티브형 감광성 수지 조성물에 포함되는 다른 성분의 에틸렌성 이중 결합의 반응을 제어할 수 있다. 제 2 가수 분해성 실란 화합물에 포함되는 메르캅토기와 네거티브형 감광성 수지 조성물에 포함되는 다른 성분의 에틸렌성 이중 결합의 반응을 제어함으로써, 네거티브형 감광성 수지 조성물에 있어서, 종래보다 저노광량으로의 노광이 가능해지고, 또한, 발잉크제의 상면 이행성도 양호해지는 것으로 생각된다. 또한, 네거티브형 감광성 수지 조성물의 저장 안정성이 양호해지는 것으로 생각된다.The compound (c-4) has a group Y having an ethylenic double bond, which reacts with a part of the mercapto group contained in the second hydrolyzable silane compound, and the mercapto group and the mercapto group of the second hydrolyzable silane compound The reaction of the ethylenic double bond of the other components contained in the negative-working photosensitive resin composition can be controlled. The reaction of the ethylenic double bonds of the mercapto group contained in the second hydrolyzable silane compound and the other components contained in the negative photosensitive resin composition is controlled so that the exposure of the negative type photosensitive resin composition at a lower exposure dose And it is considered that the top surface transfer property of the ink repellent agent is also improved. Further, it is considered that the storage stability of the negative-type photosensitive resin composition becomes better.

또한, 화합물 (c-4) 는 에틸렌성 이중 결합을 갖는 기 Y 를 갖기 때문에, 본 발명의 부분 가수 분해 축합물을 발잉크제로서 포함하는 네거티브형 감광성 수지 조성물의 노광시에, 이 기를 개재하여 발잉크제끼리 혹은 발잉크제와 네거티브형 감광성 수지 조성물이 함유하는 에틸렌성 이중 결합을 갖는 다른 성분과 공중합할 수 있다. 이 작용 효과에 의해, 노광 후에, 발잉크제가 경화막 상면에 머물기 쉬워지는 것으로 생각된다.Since the compound (c-4) has the group Y having an ethylenic double bond, when the negative type photosensitive resin composition containing the partial hydrolysis-condensation product of the present invention as the ink-repelling agent is exposed, And can be copolymerized with each other or with other components having an ethylenic double bond contained in the negative-type photosensitive resin composition. It is considered that, due to this action effect, the ink for ink tends to remain on the upper surface of the cured film after exposure.

가수 분해성 실란 화합물 혼합물에 있어서의 화합물 (c-4) 의 함유 비율은, 제 1 가수 분해성 실란 화합물과 제 2 가수 분해성 실란 화합물의 합계 1 몰에 대하여, 0.1 ∼ 5 몰이 바람직하고, 0.5 ∼ 4 몰이 특히 바람직하다. 함유 비율이 상기 범위의 하한치 이상이면, 발잉크제의 상면 이행성이 양호하고, 또한, 네거티브형 감광성 수지 조성물의 저장 안정성이 양호하다. 상한치 이하이면 제 1 가수 분해성 실란 화합물 및 제 2 가수 분해성 실란 화합물의 효과를 충분히 발현할 수 있다.The content of the compound (c-4) in the hydrolyzable silane compound mixture is preferably 0.1 to 5 moles, more preferably 0.5 to 4 moles, per 1 mole of the total of the first hydrolyzable silane compound and the second hydrolyzable silane compound Particularly preferred. When the content ratio is not lower than the lower limit of the above range, the top surface of the ink repellent agent is favorable and the storage stability of the negative-working photosensitive resin composition is good. If it is not more than the upper limit, the effects of the first hydrolyzable silane compound and the second hydrolyzable silane compound can be sufficiently exhibited.

(제 5 가수 분해성 실란 화합물)(Fifth hydrolyzable silane compound)

제 5 가수 분해성 실란 화합물은, 하기 식 (c-5) 로 나타내는 화합물이다.The fifth hydrolysable silane compound is a compound represented by the following formula (c-5).

(RH5)j-SiX6 (4-j)···(c-5) (R H5) j -SiX 6 ( 4-j) ··· (c-5)

식 (c-5) 중, 각 기호는 이하와 같다.In the formula (c-5), each symbol is as follows.

RH5 는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기를 나타낸다.R H5 represents a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.

X6 은 가수 분해성기를 나타낸다.X 6 represents a hydrolyzable group.

j 는 2 또는 3 이다.j is 2 or 3;

RH5 가 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.When a plurality of R H5 exist, they may be the same or different.

X6 이 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.When a plurality of X < 6 > exist, they may be the same or different.

RH5 로는, 상기 RH1 과 동일한 기가 사용된다.As R H5 , the same group as R H1 is used.

X6 으로는, 상기 X1 및 X2 와 동일한 기가 사용된다.As X 6 , the same groups as X 1 and X 2 are used.

화합물 (c-5) 의 구체예로는, 이하의 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the compound (c-5) include the following compounds.

Figure pct00005
Figure pct00005

화합물 (c-5) 는, 1 종을 단독으로 이용하여도 되고 2 종 이상을 병용하여도 된다.As the compound (c-5), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

본 발명의 부분 가수 분해 축합물이 화합물 (c-3) 에서 유래하는 성분을 다량으로 함유하는 경우, 그 축합물을 발잉크제로서 포함하는 네거티브형 감광성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 격벽에 있어서, 그 상면의 단부에 마운팅이 형성되는 경우가 있다. 이것은, 주사형 전자 현미경 (SEM) 등에 의해 관찰되는 레벨의 미소한 것이다. 본 발명자는, 이 마운팅에 있어서, 다른 부분보다 F 및/또는 Si 의 함유량이 많은 것을 확인하였다.When the partial hydrolyzed condensate of the present invention contains a large amount of the component derived from the compound (c-3), in the partition wall formed by curing the negative photosensitive resin composition containing the condensate as a releasing agent, Mounting may be formed at the end of the upper surface. This is a minute level observed by a scanning electron microscope (SEM) or the like. The inventor of the present invention has confirmed that in this mounting, the content of F and / or Si is larger than other portions.

상기 마운팅은 격벽 등으로서 특별히 지장을 초래하는 것은 아니지만, 본 발명자는, 화합물 (c-3) 의 일부를 가수 분해기의 수가 적은 화합물 (c-5) 로 치환함으로써, 상기 마운팅의 발생이 억제되는 것을 알아냈다.The present inventors have found that the occurrence of mounting can be suppressed by replacing part of the compound (c-3) with the compound (c-5) having a small number of hydrolyzers I found out.

가수 분해기의 수가 많은 화합물 (c-3) 에 의해 생성되는 실란올기끼리의 반응에 의해, 발잉크제의 막 제조성이 증가한다. 그러나, 그 반응성이 높기 때문에, 상기 마운팅이 일어나는 것으로 생각된다. 즉, 화합물 (c-3) 의 일부를 가수 분해기의 수가 적은 화합물 (c-5) 로 치환함으로써, 실란올기끼리의 반응이 억제되고, 상기 마운팅의 발생이 억제되는 것으로 생각된다.The silanol groups produced by the compound (c-3) having a large number of hydrolyzers react with each other to increase the film-forming composition of the ink-repellent agent. However, since the reactivity is high, it is considered that the above-mentioned mounting occurs. That is, it is considered that the substitution of a part of the compound (c-3) with the compound (c-5) having a small number of hydrolyzers suppresses the reaction between the silanol groups and suppresses the occurrence of the mounting.

가수 분해성 실란 화합물 혼합물에 있어서의 화합물 (c-5) 의 함유 비율은, 제 1 가수 분해성 실란 화합물과 제 2 가수 분해성 실란 화합물의 합계 1 몰에 대하여, 0.05 ∼ 5 몰이 바람직하고, 0.3 ∼ 3 몰이 특히 바람직하다.The content of the compound (c-5) in the hydrolyzable silane compound mixture is preferably from 0.05 to 5 moles, more preferably from 0.3 to 3 moles, per mole of the total of the first hydrolyzable silane compound and the second hydrolyzable silane compound Particularly preferred.

(그 밖의 가수 분해성 실란 화합물)(Other hydrolyzable silane compounds)

상기의 가수 분해성 실란 화합물 외에도 공축합 가능한 가수 분해성 실란 화합물을 포함시킬 수도 있다. 예를 들어, 트리메톡시페닐실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다.In addition to the hydrolyzable silane compound, a hydrolyzable silane compound capable of co-condensation may also be included. For example, trimethoxyphenylsilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and the like.

(바람직한 가수 분해성 실란 화합물의 조합)(Combination of preferred hydrolyzable silane compounds)

본 발명의 부분 가수 분해 축합물은, 화합물 (c-1a) 와 화합물 (c-2) 를 포함하는 혼합물의 부분 가수 분해 축합물인 것이 바람직하고, 화합물 (c-1a) 와 화합물 (c-2) 와 화합물 (c-3) 을 포함하는 혼합물의 부분 가수 분해 축합물인 것이 보다 바람직하고, 화합물 (c-1a) 와 화합물 (c-2) 와 화합물 (c-3) 과 화합물 (c-4) 를 포함하는 혼합물의 부분 가수 분해 축합물인 것이 더욱 바람직하고, 화합물 (c-1a) 와 화합물 (c-2) 와 화합물 (c-3) 과 화합물 (c-4) 와 화합물 (c-5) 를 포함하는 혼합물의 부분 가수 분해 축합물인 것이 특히 바람직하다.The partial hydrolyzed condensate of the present invention is preferably a partially hydrolyzed condensate of a mixture containing a compound (c-1a) and a compound (c-2) (C-1), the compound (c-2), the compound (c-3) and the compound (c-4) are preferably used as the partial hydrolyzed condensate of the compound (C-2), the compound (c-3), the compound (c-4) and the compound (c-5) Is particularly preferable.

본 발명의 부분 가수 분해 축합물이, 화합물 (c-1a) 와 화합물 (c-2) 를 포함하고, 화합물 (c-3) 과 화합물 (c-4) 와 화합물 (c-5) 를 임의로 포함하고, 화합물 (c-1a) 중의 기 D 가 불소 원자인 혼합물의 부분 가수 분해 축합물인 경우의, 평균 조성식을 하기 식 (II) 에 나타낸다.The partially hydrolyzed condensate of the present invention contains the compound (c-1a) and the compound (c-2), and optionally contains the compound (c-3), the compound (c- And the group D in the compound (c-1a) is a fluorine atom, the average composition formula is shown in the following formula (II).

Figure pct00006
Figure pct00006

식 (II) 중, n1 ∼ n5 는 구성 단위의 합계 몰량에 대한 각 구성 단위의 몰분율을 나타낸다.In the formula (II), n1 to n5 represent the molar fraction of each constituent unit with respect to the total molar amount of the constituent units.

n1 > 0, n2 > 0, n3 ≥ 0, n4 ≥ 0, n5 ≥ 0, n1 + n2 + n3 + n4 + n5 = 1 이다. 그 밖의 각 부호는, 상기 서술한 바와 같다. 단, D 는 불소 원자이다.n1> 0, n2> 0, n3> 0, n4> 0, n5> 0, n1 + n2 + n3 + n4 + n5 = The other symbols are as described above. Provided that D is a fluorine atom.

또한, 실제는 가수 분해성기 또는 실란올기가 잔존한 생성물 (부분 가수 분해 축합물) 이기 때문에, 이 생성물을 화학식으로 나타내는 것은 곤란하다. 식 (II) 로 나타내는 평균 조성식은, 본 발명의 부분 가수 분해 축합물에 있어서, 가수 분해성기 또는 실란올기 모두가 실록산 결합이 되었다고 가정한 경우의 화학식이다.In addition, since the hydrolyzable group or the silanol group remains in the product (partially hydrolyzed condensate) in practice, it is difficult to express this product in the formula. The average composition formula represented by the formula (II) is a formula in the case where the hydrolyzable group or the silanol group in the partial hydrolyzed condensate of the present invention is assumed to be a siloxane bond.

또한, 식 (II) 에 있어서, 화합물 (c-1a), 및 화합물 (c-2) ∼ (c-5) 에서 각각 유래하는 단위는, 랜덤하게 배열되어 있는 것으로 추측된다.It is presumed that the units derived from the compound (c-1a) and the compounds (c-2) to (c-5) in the formula (II) are randomly arranged.

식 (II) 로 나타내는 평균 조성식 중의, n1 : n2 : n3 : n4 : n5 는, 가수 분해성 실란 화합물 혼합물에 있어서의 화합물 (c-1a), 및 화합물 (c-2) ∼ (c-5) 의 주입 조성과 일치한다.N1: n2: n3: n4: n5 in the average composition formula represented by the formula (II) is a ratio of the number average molecular weight of the compound (c-1a) in the hydrolyzable silane compound mixture, It corresponds to the injection composition.

각 성분의 몰비는, 각 성분의 효과의 밸런스로부터 설계된다.The molar ratio of each component is designed from the balance of effects of each component.

n1 은 0.05 ∼ 0.4 가 바람직하다.n1 is preferably 0.05 to 0.4.

n2 는 0.05 ∼ 0.9 가 바람직하고, 0.05 ∼ 0.4 가 특히 바람직하다.n2 is preferably 0.05 to 0.9, more preferably 0.05 to 0.4.

n3 은 0 ∼ 0.8 이 바람직하고, 0.05 ∼ 0.6 이 특히 바람직하다.n3 is preferably 0 to 0.8, more preferably 0.05 to 0.6.

n4 는 0 ∼ 0.8 이 바람직하고, 0.2 ∼ 0.5 가 특히 바람직하다.n4 is preferably from 0 to 0.8, and particularly preferably from 0.2 to 0.5.

n5 는 0 ∼ 0.5 가 바람직하고, 0.05 ∼ 0.3 이 특히 바람직하다.n5 is preferably 0 to 0.5, and particularly preferably 0.05 to 0.3.

또한, 상기 각 성분의 바람직한 몰비는, 화합물 (c-1a) 중의 D 가 기 (Ia) 인 경우도 동일하다.The preferable molar ratio of the respective components is the same when D in the compound (c-1a) is the group (Ia).

본 발명의 부분 가수 분해 축합물의 수평균 분자량 (Mn) 은, 500 이상이 바람직하고, 1,000,000 미만이 바람직하고, 10,000 미만이 특히 바람직하다. 수평균 분자량 (Mn) 이 하한치 이상이면, 네거티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 경화막을 형성할 때에, 잘 증발하지 않는다. 상한치 미만이면, 본 발명의 부분 가수 분해 축합물의 용매에 대한 용해성이 양호해진다.The number average molecular weight (Mn) of the partially hydrolyzed condensate of the present invention is preferably 500 or more, more preferably 1,000,000 or less, particularly preferably 10,000 or less. When the number average molecular weight (Mn) is not less than the lower limit value, evaporation does not occur when the cured film is formed using the negative photosensitive resin composition. If it is less than the upper limit, the solubility of the partial hydrolyzed condensate of the present invention to the solvent becomes better.

본 발명의 부분 가수 분해 축합물의 수평균 분자량 (Mn) 은, 제조 조건에 따라 조정할 수 있다.The number average molecular weight (Mn) of the partially hydrolyzed condensate of the present invention can be adjusted according to the production conditions.

(부분 가수 분해 축합물의 제조)(Production of partial hydrolyzed condensate)

본 발명의 부분 가수 분해 축합물은, 상기 서술한 가수 분해성 실란 화합물 혼합물을, 일본 공개특허공보 2002-53805호 등에 기재되는 공지된 방법에 의해 가수 분해 및 축합 반응시킴으로써 제조할 수 있다.The partial hydrolysis condensation product of the present invention can be produced by subjecting the above-described hydrolyzable silane compound mixture to hydrolysis and condensation reaction by a known method described in JP 2002-53805 A and the like.

이 반응에는, 통상적으로 사용되는 염산, 황산, 질산, 인산 등의 무기산, 혹은, 아세트산, 옥살산, 말레산 등의 유기산을 촉매로서 사용하는 것이 바람직하다.In this reaction, it is preferable to use an inorganic acid such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid or the like which is commonly used, or an organic acid such as acetic acid, oxalic acid or maleic acid.

상기 반응에는 공지된 용매를 사용할 수 있다. 용매 중에서도, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 2-프로판올, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등이 바람직하게 사용된다.A known solvent may be used for the reaction. Among the solvents, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, 2-propanol, diethylene glycol monoethyl ether acetate and the like are preferably used.

[발잉크제][Foot ink]

본 발명의 발잉크제는, 상기의 본 발명의 부분 가수 분해 축합물로 이루어진다.The repelling ink composition of the present invention comprises the partial hydrolysis condensation product of the present invention.

본 발명의 발잉크제는, 네거티브형 혹은 포지티브형의 감광성 수지 조성물의 첨가제로서 사용할 수 있고, 네거티브형 감광성 수지 조성물용으로서 특히 바람직하다.The repelling ink of the present invention can be used as an additive for a negative or positive photosensitive resin composition and is particularly preferable for a negative photosensitive resin composition.

[네거티브형 감광성 수지 조성물][Negative photosensitive resin composition]

본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물은, 광 경화성을 갖는 알칼리 가용성 수지 또는 알칼리 가용성 단량체 (A), 광 중합 개시제 (B), 상기의 본 발명의 부분 가수 분해 축합물로 이루어지는 발잉크제 (C) 및 용매 (D) 를 함유한다. 필요에 따라, 가교제 (E) 및 착색제 (F) 를 함유하여도 된다.The negative-working photosensitive resin composition of the present invention comprises an alkali-soluble resin having photo-curability or an alkali-soluble monomer (A), a photopolymerization initiator (B), a repelling ink (C) comprising the partial hydrolysis- And a solvent (D). If necessary, a crosslinking agent (E) and a coloring agent (F) may be contained.

이하, 각 성분에 대하여 설명한다.Hereinafter, each component will be described.

(알칼리 가용성 수지 또는 알칼리 가용성 단량체 (A))(Alkali-soluble resin or alkali-soluble monomer (A))

본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물은, 광 경화성을 갖는 알칼리 가용성 수지 또는 알칼리 가용성 단량체 (A) 를 함유한다.The negative-working photosensitive resin composition of the present invention contains an alkali-soluble resin having photo-curability or an alkali-soluble monomer (A).

이후, 알칼리 가용성 수지에는 부호 (AP), 알칼리 가용성 단량체에는 부호 (AM) 를 부여하여, 각각 설명한다.Hereinafter, the symbol (AP) is given to the alkali-soluble resin, and the symbol (AM) is given to the alkali-soluble monomer, respectively.

알칼리 가용성 수지 (AP) 로는, 1 분자 중에 산성기와 에틸렌성 이중 결합을 갖는 감광성 수지가 바람직하다. 알칼리 가용성 수지 (AP) 가 분자 중에 에틸렌성 이중 결합을 가짐으로써, 네거티브형 감광성 수지 조성물의 노광부는, 광 중합 개시제 (B) 로부터 발생한 라디칼에 의해 중합하여 경화한다. 이와 같이 경화한 노광부는 알칼리 현상액으로 제거되지 않는다. 또한, 알칼리 가용성 수지 (AP) 가 분자 중에 산성기를 가짐으로써, 알칼리 현상액으로, 경화하지 않은 네거티브형 감광성 수지 조성물의 비노광부를 선택적으로 제거할 수 있다. 그 결과, 원하는 패턴의 경화막, 즉 격벽을 형성할 수 있다.As the alkali-soluble resin (AP), a photosensitive resin having an acidic group and an ethylenic double bond in one molecule is preferable. Since the alkali-soluble resin (AP) has an ethylenic double bond in the molecule, the exposed part of the negative-type photosensitive resin composition is cured by the radical generated from the photopolymerization initiator (B). The exposed portion thus cured is not removed by the alkali developing solution. In addition, since the alkali-soluble resin (AP) has an acidic group in the molecule, the non-exposed portion of the uncured negative photosensitive resin composition can be selectively removed with an alkaline developer. As a result, a cured film of a desired pattern, that is, a partition wall can be formed.

산성기로는, 카르복실기, 페놀성 수산기, 술포기, 인산기 등을 들 수 있고, 이들은 1 종을 단독으로 이용하여도 되고 2 종 이상을 병용하여도 된다.Examples of the acidic group include a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, a sulfo group, and a phosphoric acid group, and these may be used singly or in combination of two or more kinds.

에틸렌성 이중 결합으로는, (메트)아크릴로일기, 알릴기, 비닐기, 비닐옥시기, 비닐옥시알킬기 등의 부가 중합성을 갖는 이중 결합을 들 수 있다.Examples of the ethylenic double bonds include double bonds having addition polymerizability such as (meth) acryloyl groups, allyl groups, vinyl groups, vinyloxy groups and vinyloxyalkyl groups.

이들은 1 종을 단독으로 이용하여도 되고 2 종 이상을 병용하여도 된다. 또한, 에틸렌성 이중 결합이 갖는 수소 원자의 일부 또는 모두가, 메틸기 등의 알킬기로 치환되어 있어도 된다.These may be used alone or in combination of two or more. In addition, some or all of the hydrogen atoms of the ethylenic double bond may be substituted with an alkyl group such as a methyl group.

알칼리 가용성 수지 (AP) 로는, 산성기를 갖는 측사슬과 에틸렌성 이중 결합을 갖는 측사슬을 갖는 수지 (A-1), 및 에폭시 수지에 산성기와 에틸렌성 이중 결합이 도입된 수지 (A-2) 등을 들 수 있다. 이들은 1 종을 단독으로 이용하여도 되고 2 종 이상을 병용하여도 된다.As the alkali-soluble resin (AP), a resin (A-1) having a side chain having an acidic group and a side chain having an ethylenic double bond and a resin (A-2) having an acidic group and an ethylene double bond introduced into the epoxy resin, And the like. These may be used alone or in combination of two or more.

수지 (A-1) 은, 예를 들어, 이하의 (i) 또는 (ii) 의 방법으로 합성할 수 있다.The resin (A-1) can be synthesized by, for example, the following method (i) or (ii).

(i) 측사슬에 산성기 이외의 반응성기, 예를 들어, 수산기, 에폭시기 등의 반응성기를 갖는 단량체와 측사슬에 산성기를 갖는 단량체를 공중합시켜, 반응성기를 갖는 측사슬과 산성기를 갖는 측사슬을 갖는 공중합체를 얻는다. 이어서, 이 공중합체와, 상기 반응성기에 대하여 결합할 수 있는 관능기 및 에틸렌성 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시킨다. 또는, 측사슬에 카르복실기 등의 산성기를 갖는 단량체를 공중합시킨 후, 산성기에 대하여 결합할 수 있는 관능기 및 에틸렌성 이중 결합을 갖는 화합물을 반응 후에 산성기가 남는 양, 반응시킨다.(i) copolymerizing a monomer having a reactive group other than the acidic group, for example, a reactive group such as a hydroxyl group or an epoxy group, and a monomer having an acidic group in the side chain, in the side chain to form a side chain having a reactive group and a side chain having an acidic group Is obtained. Subsequently, the copolymer is reacted with a compound having a functional group capable of binding to the reactive group and an ethylenic double bond. Alternatively, after a monomer having an acidic group such as a carboxyl group is copolymerized with a side chain, a compound having a functional group capable of bonding to the acidic group and an ethylenic double bond is reacted in an amount that remains after the reaction.

(ii) 상기 (i) 과 동일한 산성기 이외의 반응성기를 측사슬에 갖는 단량체와, 이 반응성기에 대하여 결합할 수 있는 관능기 및 보호된 에틸렌성 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시킨다. 이어서, 이 단량체와 측사슬에 산성기를 갖는 단량체를 공중합시킨 후, 에틸렌성 이중 결합의 보호를 제거한다. 또는, 측사슬에 산성기를 갖는 단량체와 측사슬에 보호된 에틸렌성 이중 결합을 갖는 단량체를 공중합시킨 후, 에틸렌성 이중 결합의 보호를 제거한다.(ii) reacting a monomer having a reactive group other than the same acid group as the above (i) in the side chain with a compound having a functional group capable of binding to the reactive group and a protected ethylenic double bond. Then, the monomer and the monomer having an acidic group are copolymerized with the side chain, and then the protection of the ethylenic double bond is removed. Alternatively, the monomer having an acidic group in the side chain is copolymerized with a monomer having a protected ethylenic double bond in the side chain, and then the protection of the ethylenic double bond is removed.

또한, (i) 및 (ii) 는 용매 중에서 실시하는 것이 바람직하다.Further, (i) and (ii) are preferably carried out in a solvent.

상기 방법 중에서도, (i) 의 방법이 바람직하게 사용된다. 이하, (i) 의 방법에 대하여 구체적으로 설명한다.Among the above methods, the method of (i) is preferably used. Hereinafter, the method of (i) will be described in detail.

반응성기로서 수산기를 갖는 단량체로는, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 5-하이드록시펜틸(메트)아크릴레이트, 6-하이드록시헥실(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시시클로헥실(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜모노(메트)아크릴레이트, 3-클로로-2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 글리세린모노(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸비닐에테르, 4-하이드록시부틸비닐에테르, 시클로헥산디올모노비닐에테르, 2-하이드록시에틸알릴에테르, N-하이드록시메틸(메트)아크릴아미드, N,N-비스(하이드록시메틸)(메트)아크릴아미드 등을 들 수 있다.Examples of the monomer having a hydroxyl group as the reactive group include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (Meth) acrylate, 3-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 4-hydroxycyclohexyl (meth) acrylate, neopentyl glycol mono (Meth) acrylate, 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, cyclohexanediol monovinyl ether, 2-hydroxyethyl allyl Ether, N-hydroxymethyl (meth) acrylamide, N, N-bis (hydroxymethyl) (meth) acrylamide and the like.

반응성기로서 수산기를 갖는 단량체를 사용하는 경우, 공중합시키는 산성기를 갖는 단량체는, 후술하는 카르복실기를 갖는 단량체 외에, 인산기를 갖는 단량체로서 2-(메트)아크릴로일옥시에틸포스페이트 등을 들 수 있다. 수산기를 반응성기로서 갖는 단량체와 산성기를 갖는 단량체의 공중합은, 종래 공지된 방법으로 실시할 수 있다.In the case of using a monomer having a hydroxyl group as a reactive group, examples of the monomer having an acidic group to be copolymerized include 2- (meth) acryloyloxyethyl phosphate as a monomer having a phosphate group in addition to the monomer having a carboxyl group described later. The copolymerization of the monomer having a hydroxyl group as a reactive group and the monomer having an acidic group can be carried out by a conventionally known method.

얻어진 공중합체와 반응시키는, 수산기에 대하여 결합할 수 있는 관능기 및 에틸렌성 이중 결합을 갖는 화합물로는, 에틸렌성 이중 결합을 갖는 산무수물, 이소시아네이트기와 에틸렌성 이중 결합을 갖는 화합물, 염화아실기와 에틸렌성 이중 결합을 갖는 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the compound having a functional group capable of binding to the hydroxyl group and having an ethylenic double bond to be reacted with the obtained copolymer include an acid anhydride having an ethylenic double bond, a compound having an isocyanate group and an ethylenic double bond, Compounds having a double bond, and the like.

에틸렌성 이중 결합을 갖는 산무수물로는, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산, 메틸-5-노르보르넨-2,3-디카르복실산 무수물, 3,4,5,6-테트라하이드로프탈산 무수물, cis-1,2,3,6-테트라하이드로프탈산 무수물, 2-부텐-1-일숙시닉안하이드라이드 등을 들 수 있다.Examples of the acid anhydride having an ethylenic double bond include maleic anhydride, itaconic anhydride, citraconic anhydride, methyl-5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid anhydride, Tetrahydrophthalic anhydride, cis-1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride, 2-buten-1-ylsuccinic anhydride and the like.

이소시아네이트기와 에틸렌성 이중 결합을 갖는 화합물로는, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 1,1-비스((메트)아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트 등을 들 수 있다.Examples of the compound having an isocyanate group and an ethylenic double bond include 2- (meth) acryloyloxyethyl isocyanate and 1,1-bis ((meth) acryloyloxymethyl) ethyl isocyanate.

염화아실기와 에틸렌성 이중 결합을 갖는 화합물로는, (메트)아크릴로일클로라이드 등을 들 수 있다.Examples of the compound having an acyl chloride group and an ethylenic double bond include (meth) acryloyl chloride and the like.

반응성기로서 에폭시기를 갖는 단량체로는, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the monomer having an epoxy group as the reactive group include glycidyl (meth) acrylate and 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate.

반응성기로서 에폭시기를 갖는 단량체와 공중합시키는 산성기를 갖는 단량체로는, 상기 수산기를 반응성기로서 갖는 단량체에서 설명한 것과 동일한 단량체를 사용할 수 있고, 에폭시기를 반응성기로서 갖는 단량체와 산성기를 갖는 단량체의 공중합에 대해서도, 종래 공지된 방법으로 실시할 수 있다.As the monomer having an acid group to be copolymerized with a monomer having an epoxy group as a reactive group, the same monomer as that described above for the monomer having a hydroxyl group as a reactive group can be used. In the copolymerization of a monomer having an epoxy group as a reactive group and a monomer having an acid group Can also be carried out by a conventionally known method.

얻어진 공중합체와 반응시키는, 에폭시기에 대하여 결합할 수 있는 관능기 및 에틸렌성 이중 결합을 갖는 화합물로는, 카르복실기와 에틸렌성 이중 결합을 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 이러한 화합물의 구체예로는, 아크릴산, 메타크릴산, 비닐아세트산, 크로톤산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 계피산 및 이들의 염, 그리고 이염기산의 경우에는 모노에스테르 등을 들 수 있다. 또한, 여기서 발생한 수산기와 카르복실산의 탈수 축합 부분이 고리형 구조의 일부를 이루는 산무수물을 반응시켜, 수지 (A-1) 중에 카르복실기를 도입하여도 된다.Examples of the compound having a functional group capable of binding to the epoxy group and an ethylenic double bond to be reacted with the obtained copolymer include a compound having a carboxyl group and an ethylenic double bond. Specific examples of such a compound include acrylic acid, methacrylic acid, vinylacetic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, cinnamic acid and salts thereof, and monoesters in the case of dibasic acid. In addition, a carboxyl group may be introduced into the resin (A-1) by reacting an acid anhydride in which the dehydration condensation portion of the hydroxyl group and the carboxylic acid generated in this step forms a part of the cyclic structure.

반응성기로서 카르복실기를 갖는 단량체로는, 아크릴산, 메타크릴산, 비닐아세트산, 크로톤산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 계피산 및 이들의 염, 그리고 이염기산의 경우에는 모노에스테르 등을 들 수 있다. 또한, 이들 단량체는 상기 서술한 산성기를 갖는 단량체로서도 사용된다.Examples of the monomer having a carboxyl group as the reactive group include acrylic acid, methacrylic acid, vinylacetic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, cinnamic acid and salts thereof, and monoesters in the case of dibasic acid. These monomers are also used as the above-mentioned monomers having an acidic group.

반응성기로서 카르복실기를 갖는 단량체를 사용하는 경우, 상기와 같이, 이 단량체를 중합시킨다. 얻어진 중합체와 반응시키는, 카르복실기에 대하여 결합할 수 있는 관능기 및 에틸렌성 이중 결합을 갖는 화합물로는, 에폭시기와 에틸렌성 이중 결합을 갖는 화합물을 들 수 있다. 이러한 화합물로는, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 이 경우, 카르복실기를 갖는 중합체와 반응시키는, 카르복실기에 대하여 결합할 수 있는 관능기 및 에틸렌성 이중 결합을 갖는 화합물의 양은, 반응 후에 중합체에 있어서 카르복실기가 산성기로서 측사슬에 남는 양으로 한다.When a monomer having a carboxyl group is used as the reactive group, the monomer is polymerized as described above. Examples of the compound having a functional group capable of binding to a carboxyl group and an ethylenic double bond to be reacted with the resulting polymer include a compound having an epoxy group and an ethylenic double bond. Examples of such a compound include glycidyl (meth) acrylate and 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate. In this case, the amount of the compound having a functional group capable of binding to a carboxyl group and the compound having an ethylenic double bond to be reacted with a polymer having a carboxyl group is such that the carboxyl group remains in the side chain as an acid group in the polymer after the reaction.

수지 (A-2) 는, 에폭시 수지와, 후술하는 카르복실기와 에틸렌성 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시킨 후에, 다가 카르복실산 또는 그 무수물을 반응시킴으로써 합성할 수 있다.The resin (A-2) can be synthesized by reacting an epoxy resin with a compound having a carboxyl group and an ethylenic double bond, which will be described later, and then reacting the polycarboxylic acid or its anhydride.

구체적으로는, 에폭시 수지와, 카르복실기와 에틸렌성 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 에폭시 수지에 에틸렌성 이중 결합이 도입된다. 다음으로, 에틸렌성 이중 결합이 도입된 에폭시 수지에 다가 카르복실산 또는 그 무수물을 반응시킴으로써, 카르복실기를 도입할 수 있다.Specifically, by reacting an epoxy resin with a compound having a carboxyl group and an ethylenic double bond, an ethylenic double bond is introduced into the epoxy resin. Next, a carboxyl group can be introduced by reacting a polyvalent carboxylic acid or its anhydride with an epoxy resin into which an ethylenic double bond has been introduced.

에폭시 수지로는 특별히 한정되지 않고, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 트리스페놀메탄형 에폭시 수지, 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지, 하기 식 (A-2a) 로 나타내는 비페닐 골격을 갖는 에폭시 수지, 하기 식 (A-2b) 로 나타내는 플루오레닐 치환 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 하기 식 (A-2c) 로 나타내는 비페닐 골격을 갖는 에폭시 수지 등을 들 수 있다.The epoxy resin is not particularly limited, and examples thereof include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, phenol novolak epoxy resin, cresol novolak epoxy resin, trisphenol methane epoxy resin, epoxy resin having naphthalene skeleton An epoxy resin having a biphenyl skeleton represented by the formula (A-2a), a fluorenyl substituted bisphenol A type epoxy resin represented by the following formula (A-2b), an epoxy resin having a biphenyl skeleton represented by the following formula Resins and the like.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pct00007
Figure pct00007

(식 (A-2a) 중, v 는 1 ∼ 50 의 정수이고, 2 ∼ 10 의 정수가 바람직하다. 또한 벤젠 고리의 수소 원자는 각각 독립적으로, 탄소 원자수 1 ∼ 12 의 알킬기, 할로겐 원자, 또는, 일부의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 페닐기로 치환되어 있어도 된다.)(In the formula (A-2a), v is an integer of 1 to 50, preferably an integer of 2 to 10. The hydrogen atoms of the benzene ring are each independently an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a halogen atom, Or a phenyl group in which some hydrogen atoms may be substituted with a substituent).

[화학식 2](2)

Figure pct00008
Figure pct00008

(식 (A-2b) 중, R31, R32, R33 및 R34 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 염소 원자 또는 탄소 원자수가 1 ∼ 5 인 알킬기이고, w 는 0 또는 1 ∼ 10 의 정수이다.)(In the formula (A-2b), R 31 , R 32 , R 33 and R 34 are each independently a hydrogen atom, a chlorine atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, w is 0 or 1 to 10 It is an integer.)

[화학식 3](3)

Figure pct00009
Figure pct00009

(식 (A-2c) 중, 벤젠 고리의 수소 원자는, 각각 독립적으로, 탄소 원자수 1 ∼ 12 의 알킬기, 할로겐 원자, 또는, 일부의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 페닐기로 치환되어 있어도 된다. z 는 0 또는 1 ∼ 10 의 정수이다.)(In the formula (A-2c), the hydrogen atom of the benzene ring may be independently substituted with an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a halogen atom, or a phenyl group in which some hydrogen atoms may be substituted with a substituent and z is an integer of 0 or 1 to 10.)

또한, 식 (A-2a) ∼ (A-2c) 로 나타내는 에폭시 수지와, 카르복실기와 에틸렌성 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시킨 후에, 다가 카르복실산 무수물을 반응시키는 경우, 다가 카르복실산 무수물로서 디카르복실산 무수물 및 테트라카르복실산 2 무수물의 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다.When an epoxy resin represented by the formulas (A-2a) to (A-2c) is reacted with a compound having a carboxyl group and an ethylenic double bond and then reacted with a polycarboxylic acid anhydride, a polycarboxylic acid anhydride It is preferable to use a mixture of a dicarboxylic acid anhydride and a tetracarboxylic acid dianhydride.

카르복실기와 에틸렌성 이중 결합을 갖는 화합물로는, 아크릴산, 메타크릴산, 비닐아세트산, 크로톤산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 계피산 및 이들의 염, 그리고 이염기산의 경우에는 모노에스테르가 바람직하고, (메트)아크릴산이 특히 바람직하다.The compound having a carboxyl group and an ethylenic double bond is preferably a monoester in the case of acrylic acid, methacrylic acid, vinylacetic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, cinnamic acid and salts thereof and dibasic acid, (Meth) acrylic acid is particularly preferable.

알칼리 가용성 수지 (AP) 로는, 현상시의 경화막의 박리가 억제되어, 고해상도의 패턴을 얻을 수 있는 점, 라인 패턴의 직선성이 양호한 점, 평활한 경화막 표면이 얻어지기 쉬운 점에서, 수지 (A-2) 를 사용하는 것이 바람직하다.As the alkali-soluble resin (AP), peeling of the cured film at the time of development is suppressed, a high-resolution pattern can be obtained, linearity of the line pattern is good, and a smooth cured film surface is easily obtained. A-2) is preferably used.

수지 (A-2) 로는, 비스페놀 A 형 에폭시 수지에 산성기와 에틸렌성 이중 결합을 도입한 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지에 산성기와 에틸렌성 이중 결합을 도입한 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지에 산성기와 에틸렌성 이중 결합을 도입한 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지에 산성기와 에틸렌성 이중 결합을 도입한 수지, 트리스페놀메탄형 에폭시 수지에 산성기와 에틸렌성 이중 결합을 도입한 수지, 식 (A-2a) ∼ (A-2c) 로 나타내는 에폭시 수지에 산성기와 에틸렌성 이중 결합을 도입한 수지가 특히 바람직하다.Examples of the resin (A-2) include a resin in which an acidic group and an ethylene double bond are introduced into a bisphenol A type epoxy resin, a resin in which an acidic group and an ethylene double bond are introduced into a bisphenol F type epoxy resin, A resin into which an acidic group and an ethylenic double bond are introduced into a cresol novolak type epoxy resin, a resin into which an acidic group and an ethylenic double bond are introduced into a trisphenol methane type epoxy resin, A resin in which an acidic group and an ethylenic double bond are introduced into an epoxy resin represented by the formula (2a) to (A-2c) is particularly preferable.

알칼리 가용성 단량체 (AM) 로는, 예를 들어, 산성기를 갖는 측사슬과 에틸렌성 이중 결합을 갖는 측사슬을 갖는 단량체 (A-3) 이 바람직하게 사용된다. 산성기 및 에틸렌성 이중 결합은, 알칼리 가용성 수지 (AM) 와 동일하다.As the alkali-soluble monomer (AM), for example, a monomer (A-3) having a side chain having an acidic group and a side chain having an ethylenic double bond is preferably used. The acidic group and the ethylenic double bond are the same as the alkali-soluble resin (AM).

단량체 (A-3) 으로는, 2,2,2-트리아크릴로일옥시메틸에틸프탈산 등을 들 수 있다.Examples of the monomer (A-3) include 2,2,2-triacryloyloxymethylethylphthalic acid and the like.

네거티브형 감광성 수지 조성물에 포함되는 알칼리 가용성 수지 또는 알칼리 가용성 단량체 (A) 는, 1 종을 단독으로 이용하여도 되고 2 종 이상을 병용하여도 된다.The alkali-soluble resin or the alkali-soluble monomer (A) contained in the negative-type photosensitive resin composition may be used alone or in combination of two or more.

네거티브형 감광성 수지 조성물에 있어서의 전체 고형분 중의 알칼리 가용성 수지 또는 알칼리 가용성 단량체 (A) 의 함유 비율은, 5 ∼ 80 질량% 가 바람직하고, 10 ∼ 60 질량% 가 특히 바람직하다. 함유 비율이 상기 범위이면, 네거티브형 감광성 수지 조성물의 광 경화성 및 현상성이 양호하다.The content of the alkali-soluble resin or the alkali-soluble monomer (A) in the total solid content in the negative-working photosensitive resin composition is preferably 5 to 80 mass%, particularly preferably 10 to 60 mass%. When the content ratio is within the above range, the negative type photosensitive resin composition has good light curability and developability.

(광 중합 개시제 (B))(Photopolymerization initiator (B))

본 발명에 있어서의 광 중합 개시제 (B) 는, 광 중합 개시제로서의 기능을 갖는 화합물이면 특별히 제한되지 않고, 광에 의해 라디칼을 발생하는 화합물이 바람직하다.The photopolymerization initiator (B) in the present invention is not particularly limited as long as it is a compound having a function as a photopolymerization initiator, and a compound which generates a radical by light is preferable.

광 중합 개시제 (B) 로는, 메틸페닐글리옥실레이트, 9,10-페난트렌퀴논 등의 α-디케톤류 ; 벤조인 등의 아실로인류 ; 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등의 아실로인에테르류 ; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤, 티오크산톤-4-술폰산 등의 티오크산톤류 ; 벤조페논, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논 등의 벤조페논류 ; 아세토페논, 2-(4-톨루엔술포닐옥시)-2-페닐아세토페논, p-디메틸아미노아세토페논, 2,2'-디메톡시-2-페닐아세토페논, p-메톡시아세토페논, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로파논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 등의 아세토페논류 ; 안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 캠퍼퀴논, 1,4-나프토퀴논 등의 퀴논류 ; 2-디메틸아미노벤조산에틸, 4-디메틸아미노벤조산에틸, 4-디메틸아미노벤조산(n-부톡시)에틸, 4-디메틸아미노벤조산이소아밀, 4-디메틸아미노벤조산2-에틸헥실 등의 아미노벤조산류 ; 페나실클로라이드, 트리할로메틸페닐술폰 등의 할로겐 화합물 ; 아실포스핀옥사이드류 ; 디-t-부틸퍼옥사이드 등의 과산화물 ; 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-, 2-(O-벤조일옥심), 아세틸옥심 등의 옥심에스테르류, 트리에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 트리이소프로판올아민, n-부틸아민, N-메틸디에탄올아민, 디에틸아미노에틸메타크릴레이트 등의 지방족 아민류 ; 2-메르캅토벤즈이미다졸, 2-메르캅토벤조옥사졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 1,4-부탄올비스(3-메르캅토부틸레이트), 트리스(2-메르캅토프로파노일옥시에틸)이소시아누레이트, 펜타에리트리톨테트라키스(3-메르캅토부틸레이트) 등의 티올 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the photopolymerization initiator (B) include? -Diketones such as methylphenylglyoxylate and 9,10-phenanthrenequinone; An acyloin such as benzoin; Acyloin ethers such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether and benzoin isopropyl ether; Thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4- Thioxanthones such as thantone, 2,4-diisopropylthioxanthone and thioxanthone-4-sulfonic acid; Benzophenones such as benzophenone, 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone, and 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone; Acetophenone, 2- (4-toluenesulfonyloxy) -2-phenylacetophenone, p-dimethylaminoacetophenone, 2,2'-dimethoxy-2-phenylacetophenone, p- Methyl-4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone and 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) Acetophenones; Quinones such as anthraquinone, 2-ethyl anthraquinone, camphorquinone, and 1,4-naphthoquinone; Aminobenzoic acids such as ethyl 2-dimethylaminobenzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, isoamyl 4-dimethylaminobenzoate and 2-ethylhexyl 4-dimethylaminobenzoate ; Halogen compounds such as phenacyl chloride and trihalomethylphenylsulfone; Acylphosphine oxides; Peroxide such as di-t-butyl peroxide; Oxime esters such as 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) -, 2- (O-benzoyloxime), and acetyl oxime; triethanolamine, methyldiethanolamine, triisopropanolamine, Aliphatic amines such as amine, N-methyldiethanolamine and diethylaminoethyl methacrylate; 2-mercaptobenzimidazole, 2-mercaptobenzoxazole, 2-mercaptobenzothiazole, 1,4-butanol bis (3-mercaptobutyrate), tris (2-mercaptopropanoyloxyethyl ) Isocyanurate, pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate), and the like.

광 중합 개시제 (B) 중에서도, 벤조페논류, 아미노벤조산류, 지방족 아민류 및 티올 화합물은, 그 밖의 라디칼 개시제와 함께 사용하면, 증감 효과를 발현하는 경우가 있어 바람직하다.Among the photopolymerization initiators (B), benzophenones, aminobenzoates, aliphatic amines and thiol compounds are preferred because they exhibit a sensitizing effect when used together with other radical initiators.

광 중합 개시제 (B) 로는, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로파논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-, 2-(O-벤조일옥심), 에타논1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 및 2,4-디에틸티오크산톤이 바람직하다. 또한, 이들과 벤조페논류, 예를 들어, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논의 조합이 특히 바람직하다.Examples of the photopolymerization initiator (B) include 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone, 2-benzyl- Phenyl-butan-1-one, 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) -, 2- (O- benzoyloxime), ethanone 1- [ Methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), and 2,4-diethylthioxanthone are preferred. Also preferred are combinations of these and benzophenones, for example 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone.

광 중합 개시제 (B) 는, 1 종을 단독으로 이용하여도 되고 2 종 이상을 병용하여도 된다.As the photopolymerization initiator (B), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

네거티브형 감광성 수지 조성물에 있어서의 전체 고형분 중의 광 중합 개시제 (B) 의 함유 비율은, 0.1 ∼ 50 질량% 가 바람직하고, 0.5 ∼ 30 질량% 가 보다 바람직하고, 5 ∼ 15 질량% 가 특히 바람직하다. 함유 비율이 상기 범위이면, 네거티브형 감광성 수지 조성물의 광 경화성 및 현상성이 양호하다.The content of the photopolymerization initiator (B) in the total solid content in the negative-working photosensitive resin composition is preferably from 0.1 to 50 mass%, more preferably from 0.5 to 30 mass%, and particularly preferably from 5 to 15 mass% . When the content ratio is within the above range, the negative type photosensitive resin composition has good light curability and developability.

(발잉크제 (C))(Repellent agent (C))

본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물에 있어서의 발잉크제 (C) 의 함유 비율은, 0.01 ∼ 10 질량% 가 바람직하고, 0.1 ∼ 6 질량% 가 보다 바람직하고, 0.5 ∼ 5 질량% 가 특히 바람직하다. 함유 비율이 상기 범위이면, 네거티브형 감광성 수지 조성물의 저장 안정성이 양호해지고, 또한 네거티브형 감광성 수지 조성물로 이루어지는 격벽 상면의 발잉크성 및 그 내 UV/O3 성이 양호해진다.The content of the ink composition (C) in the negative photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.01 to 10% by mass, more preferably 0.1 to 6% by mass, and particularly preferably 0.5 to 5% by mass . When the content is within the above range, the storage stability of the negative-working photosensitive resin composition becomes good, and the ink repellency of the upper surface of the partition made of the negative-type photosensitive resin composition and the UV / O 3 property thereof are improved.

(용매 (D))(Solvent (D))

본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물은, 용매 (D) 를 함유함으로써 점도가 저감되고, 네거티브형 감광성 수지 조성물의 기재 표면에 대한 도포가 쉬워진다. 그 결과, 균일한 막두께의 네거티브형 감광성 수지 조성물의 도포막을 형성할 수 있다.The negative photosensitive resin composition of the present invention contains the solvent (D), whereby the viscosity is reduced and the application of the negative type photosensitive resin composition to the substrate surface becomes easy. As a result, a coating film of a negative-type photosensitive resin composition having a uniform film thickness can be formed.

용매 (D) 로는 공지된 용매가 사용된다. 그 중에서도, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 2-프로판올, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트가 바람직하게 사용된다.As the solvent (D), a known solvent is used. Among them, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, 2-propanol, and diethylene glycol monoethyl ether acetate are preferably used.

네거티브형 감광성 수지 조성물에 있어서의 용매 (D) 의 함유 비율은, 50 ∼ 99 질량% 가 바람직하고, 60 ∼ 95 질량% 가 보다 바람직하고, 65 ∼ 90 질량% 가 특히 바람직하다.The content of the solvent (D) in the negative-type photosensitive resin composition is preferably 50 to 99% by mass, more preferably 60 to 95% by mass, and particularly preferably 65 to 90% by mass.

(가교제 (E))(Crosslinking agent (E))

본 발명에 있어서의 가교제 (E) 로는, 1 분자 중에 2 개 이상의 에틸렌성 이중 결합을 갖고, 산성기를 갖지 않는 화합물이 바람직하다. 네거티브형 감광성 수지 조성물이 가교제 (E) 를 포함함으로써, 노광시에 있어서의 네거티브형 감광성 수지 조성물의 경화성이 향상되고, 낮은 노광량으로도 격벽을 형성할 수 있다.As the crosslinking agent (E) in the present invention, a compound having two or more ethylenic double bonds in one molecule and having no acidic group is preferable. By including the cross-linking agent (E) in the negative-working photosensitive resin composition, the curing property of the negative-working photosensitive resin composition at the time of exposure is improved, and the partition wall can be formed even at a low exposure dose.

가교제 (E) 로는, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에톡시화이소시아누르산트리아크릴레이트, ε-카프로락톤 변성 트리스-(2-아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 비스{4-(알릴비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복시이미드)페닐}메탄, N,N'-m-자일릴렌-비스(알릴비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복시이미드), 우레탄아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinking agent (E) include diethyleneglycol di (meth) acrylate, tetraethyleneglycol di (meth) acrylate, tripropyleneglycol di (meth) acrylate, neopentylglycol di (meth) (Meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, (Meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, ethoxy isocyanuric acid triacrylate, epsilon -caprolactone modified tris- (2-acryloxyethyl) isocyanurate , Bis {4- (allylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxyimide) phenyl} methane, N, N'-m-xylylene-bis (allylbicyclo [2.2. 1] hept-5-ene-2,3-dicarboxyimide), urethane acrylate And the like.

광 반응성의 점에서는, 다수의 에틸렌성 이중 결합을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 에톡시화이소시아누르산트리아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트 등이 바람직하다.In terms of photoreactivity, it is preferable to have a large number of ethylenic double bonds. (Meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, Isocyanuric acid triacrylate, urethane acrylate, and the like.

가교제 (E) 는 1 종을 단독으로 이용하여도 되고 2 종 이상을 병용하여도 된다.The crosslinking agent (E) may be used alone or in combination of two or more.

네거티브형 감광성 수지 조성물에 있어서의 전체 고형분 중의 가교제 (E) 의 함유 비율은, 10 ∼ 60 질량% 가 바람직하고, 20 ∼ 55 질량% 가 특히 바람직하다.The content of the crosslinking agent (E) in the total solid content in the negative-working photosensitive resin composition is preferably 10 to 60 mass%, particularly preferably 20 to 55 mass%.

(착색제 (F))(Colorant (F))

본 발명에 있어서의 착색제 (F) 로는, 카본 블랙, 아닐린 블랙, 안트라퀴논계 흑색 안료, 페릴렌계 흑색 안료 등을 들 수 있다. 구체적으로는, C. I. 피그먼트 블랙 1, 6, 7, 12, 20, 31 등을 들 수 있다. 또한, 적색 안료, 청색 안료 및 녹색 안료 등의 유기 안료 및/또는 무기 안료의 혼합물을 사용할 수도 있다.Examples of the coloring agent (F) in the present invention include carbon black, aniline black, anthraquinone-based black pigment, and perylene-based black pigment. Specific examples include C.I. Pigment Black 1, 6, 7, 12, 20, 31 and the like. A mixture of an organic pigment and / or an inorganic pigment such as a red pigment, a blue pigment and a green pigment may also be used.

착색제 (F) 를 함유하는 경우, 본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물에 있어서의 전체 고형분 중의 착색제 (F) 의 함유 비율은, 15 ∼ 65 질량% 가 바람직하고, 20 ∼ 50 질량% 가 특히 바람직하다. 상기 범위이면, 얻어지는 네거티브형 감광성 수지 조성물은 감도가 양호하고, 또한, 형성되는 격벽은 차광성이 우수하다.When the colorant (F) is contained, the content of the colorant (F) in the total solid content in the negative-working photosensitive resin composition of the present invention is preferably 15 to 65 mass%, particularly preferably 20 to 50 mass% . Within the above range, the resulting negative-working photosensitive resin composition has good sensitivity, and the formed barrier rib is excellent in light shielding property.

(그 밖의 성분)(Other components)

본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물은 추가로, 필요에 따라, 산화 방지제, 열가교제, 고분자 분산제, 분산 보조제, 실란 커플링제, 미립자, 인산 화합물, 경화 촉진제, 증점제, 가소제, 소포제, 레벨링제, 크레이터링 방지제, 자외선 흡수제 등의 다른 첨가제를 1 종 또는 2 종 이상 함유하여도 된다.The negative-working photosensitive resin composition of the present invention may further contain at least one component selected from the group consisting of an antioxidant, a thermal crosslinking agent, a polymer dispersant, a dispersion aid, a silane coupling agent, a fine particle, a phosphate compound, a hardening accelerator, a thickener, a plasticizer, An antioxidant, an antioxidant, an antioxidant, an antioxidant, an antioxidant, an antioxidant, an antioxidant,

(산화 방지제 (G))(Antioxidant (G))

산화 방지제 (G) 로는, 2,6-디-tert-부틸-p-크레졸 등의 힌더드페놀계, 하이드로퀴논, 카테콜, 레조르시놀, 2-메틸하이드로퀴논, 4-메톡시페놀, 페노티아진, 테트라메틸피페리딘-N-옥실류, 피로갈롤, P-벤조퀴논, 쿠페론, N-니트로소페닐-β-나프틸아민 등을 들 수 있다. 본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물에 있어서의 전체 고형분 중의 산화 방지제 (G) 의 함유 비율은, 0.01 ∼ 0.1 질량% 의 범위인 것이 바람직하다.Examples of the antioxidant (G) include hindered phenols such as 2,6-di-tert-butyl-p-cresol, hydroquinone, catechol, resorcinol, 2-methylhydroquinone, 4-methoxyphenol, Naphthylamine, p-benzoquinone, couperone, N-nitrosophenyl-β-naphthylamine, and the like. The content of the antioxidant (G) in the total solid content in the negative-working photosensitive resin composition of the present invention is preferably in the range of 0.01 to 0.1% by mass.

본 발명에 의하면, 종래보다 저노광량으로 노광을 실시하여도, 노광 및 현상 후에 얻어지는 격벽의 상면에, 선택적으로 양호한 발잉크성을 부여할 수 있고, 또한, UV/O3 조사 처리를 거쳐도, 그 발잉크성이 양호하게 유지되고, 또한, 도트 내에 발잉크제가 잘 잔존하지 않는 특성을 갖는 네거티브형 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.According to the present invention, the upper surface of the partition wall is obtained even by carrying out exposure at a low exposure amount than conventional, after exposure and development, it is possible to give a selectively good ink repellency, and also, even after the UV / O 3 irradiation treatment, It is possible to provide a negative-working photosensitive resin composition which has good ink-retaining property and which has a property that the ink does not remain well in the dot.

[격벽][septum]

본 발명의 격벽은 본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물을 기재 표면에 도포하고, 노광 및 현상하여 이루어지는 패턴을 갖는 경화막이다.The barrier rib of the present invention is a cured film having a pattern formed by applying the negative-working photosensitive resin composition of the present invention to the substrate surface, and exposing and developing the negative photosensitive resin composition.

이하, 격벽의 제조 방법의 1 예를, 도 1a ∼ 1e 를 이용하여 설명하지만, 격벽의 제조 방법은 이하에 한정되지 않는다.Hereinafter, one example of the manufacturing method of the barrier rib will be described with reference to Figs. 1A to 1E, but the manufacturing method of the barrier rib is not limited to the following.

도 1a 에 나타내는 바와 같이, 기재 (10) 의 표면 전체에 네거티브형 감광성 수지 조성물을 도포하여, 도포막 (21) 을 형성한다. 이 때, 도포막 (21) 중에는 발잉크제 (C) 가 전체적으로 용해되고, 균일하게 분산되어 있다. 또한, 도면 중, 발잉크제 (C) 는 모식적으로 나타내고 있으며, 실제로 이와 같은 입자 형상으로 존재하고 있는 것은 아니다.1A, a negative-type photosensitive resin composition is applied to the entire surface of a substrate 10 to form a coating film 21. Then, as shown in Fig. At this time, the repellent agent (C) is completely dissolved in the coating film 21 and is uniformly dispersed. In the drawings, the repellent agent (C) is schematically shown, and actually does not exist in such a particle shape.

다음으로 도 1b 에 나타내는 바와 같이, 도포막 (21) 을 건조시켜, 건조막 (22) 으로 한다. 건조 방법으로는, 가열 건조, 감압 건조, 감압 가열 건조 등을 들 수 있다.Next, as shown in Fig. 1 (B), the coating film 21 is dried to form a dried film 22. Examples of the drying method include heat drying, vacuum drying, and drying under reduced pressure.

용매 (D) 의 종류에 따라 다르기도 하지만, 가열 건조의 경우, 가열 온도는 50 ∼ 120 ℃ 가 바람직하고, 80 ∼ 120 ℃ 가 보다 바람직하다.Depending on the type of the solvent (D), the heating temperature is preferably 50 to 120 ° C, more preferably 80 to 120 ° C in the case of heat drying.

이 건조 과정에 있어서, 발잉크제 (C) 는 건조막의 상면 및 그 근방에 이행한다.In this drying process, the repelling agent (C) migrates to the upper surface of the dried film and its vicinity.

다음으로, 도 1c 에 나타내는 바와 같이, 소정 패턴의 개구부 (31) 를 갖는 포토마스크 (30) 를 개재하여, 건조막 (22) 에 대하여, 광 (L) 을 조사하여, 노광한다. 건조막 (22) 을 노광한 후의 막을 노광막 (23) 이라고 칭한다. 노광막 (23) 에 있어서, 부호 23A 는 노광부, 부호 23B 는 비노광부이다. 이 공정에 있어서, 노광부 (23A) 가 광 경화한다.Next, as shown in Fig. 1C, the dry film 22 is exposed to light L through a photomask 30 having an opening 31 of a predetermined pattern. The film after the dry film 22 is exposed is referred to as an exposure film 23. In the exposure film 23, reference numeral 23A denotes an exposure portion, and reference numeral 23B denotes an unexposed portion. In this process, the exposed portion 23A is photo-cured.

조사하는 광 (L) 으로는, 가시광 ; 자외선 ; 원자외선 ; KrF 엑시머 레이저 광, ArF 엑시머 레이저광, F2 엑시머 레이저광, Kr2 엑시머 레이저광, KrAr 엑시머 레이저광, Ar2 엑시머 레이저광 등의 엑시머 레이저광 ; X 선 ; 전자선 등을 들 수 있다.As the light L to be irradiated, visible light; UV-rays ; Deep ultraviolet light; Excimer laser lights such as KrF excimer laser light, ArF excimer laser light, F 2 excimer laser light, Kr 2 excimer laser light, KrAr excimer laser light and Ar 2 excimer laser light; X-rays; Electron beam and the like.

조사하는 광 (L) 으로는, 파장 100 ∼ 600 ㎚ 의 광이 바람직하고, 300 ∼ 500 ㎚ 의 광이 보다 바람직하고, i 선 (365 ㎚), h 선 (405 ㎚) 또는 g 선 (436 ㎚) 을 포함하는 광이 특히 바람직하다.The light L to be irradiated is preferably a light having a wavelength of 100 to 600 nm and more preferably a light of 300 to 500 nm and an i-line (365 nm), h-line (405 nm) ) Is particularly preferable.

노광 방식으로는, 전체면 일괄 노광, 스캔 노광 등을 들 수 있다. 동일 지점에 대하여 복수회로 나누어 노광하여도 된다. 이 때, 복수회의 노광 조건은 동일하여도 되고 동일하지 않아도 상관없다.Examples of the exposure method include whole-surface batch exposure and scan exposure. Exposure may be performed by dividing the same point into a plurality of circuits. At this time, a plurality of exposure conditions may or may not be the same.

노광량은, 상기 어느 노광 방식에 있어서도, 예를 들어, 5 ∼ 1,000 mJ/㎠ 가 바람직하고, 5 ∼ 500 mJ/㎠ 가 보다 바람직하고, 5 ∼ 300 mJ/㎠ 가 더욱 바람직하고, 5 ∼ 200 mJ/㎠ 가 특히 바람직하고, 5 ∼ 50 mJ/㎠ 가 가장 바람직하다. 또한, 노광량은 조사하는 광의 파장, 네거티브형 감광성 수지 조성물의 조성 및 도포막의 두께 등에 따라, 적절히 호적화된다.The exposure dose is preferably 5 to 1,000 mJ / cm 2, more preferably 5 to 500 mJ / cm 2, still more preferably 5 to 300 mJ / cm 2, and more preferably 5 to 200 mJ / / Cm < 2 > is particularly preferable, and 5 to 50 mJ / cm < 2 > The exposure amount is appropriately customized according to the wavelength of the light to be irradiated, the composition of the negative-type photosensitive resin composition, the thickness of the coating film, and the like.

단위 면적 당의 노광 시간은 특별히 제한되지 않고, 사용하는 노광 장치의 노광 파워 및 필요한 노광량 등으로부터 설계된다. 또한, 스캔 노광의 경우, 광의 주사 속도로부터 노광 시간이 구해진다.The exposure time per unit area is not particularly limited and is designed from the exposure power of the exposure apparatus to be used and the necessary exposure amount. Further, in the case of the scan exposure, the exposure time is obtained from the scanning speed of light.

단위 면적 당의 노광 시간은 통상적으로 0.01 ∼ 60 초, 바람직하게는 1 ∼ 60 초, 특히 바람직하게는 0.1 ∼ 5 초 정도이다.The exposure time per unit area is usually 0.01 to 60 seconds, preferably 1 to 60 seconds, particularly preferably 0.1 to 5 seconds.

저노광량으로 노광을 실시할 수 있는 것은, 노광 시간 (노광 공정) 의 단축화에 연결되어, 제조 비용의 저감을 도모할 수 있다.The fact that the exposure can be performed at a low exposure dose is connected to the shortening of the exposure time (exposure step), so that the manufacturing cost can be reduced.

예를 들어, 종래, 100 mJ/㎠ 의 노광량이 필요했던 것을 50 mJ/㎠ 의 노광량으로 완성되면, 단순 계산으로, 기재 1 장 당의 노광 시간을 반감시킬 수 있다.For example, if an exposure amount of 100 mJ / cm < 2 > has been conventionally required at an exposure amount of 50 mJ / cm < 2 >, the exposure time per one substrate can be halved by a simple calculation.

특히, 스캔 노광에서는, 전체면 일괄 노광보다 기재 전체면 처리에 시간을 필요로 하기 때문에, 단위 면적 당의 노광 시간이 초 오더여도, 노광 시간의 단축화의 효과가 크다.Particularly, in the scan exposure, time is required for the entire surface treatment of the entire substrate rather than the whole surface batch exposure, so that even if the exposure time per unit area is a second order, the effect of shortening the exposure time is large.

다음으로, 도 1d 에 나타내는 바와 같이, 알칼리 현상액을 사용한 현상을 실시하여, 원하는 패턴을 갖는 경화막 (24) 이 형성된다. 경화막 (24) 에 있어서는, 상기 노광에 있어서의 노광부 (23A) 가 볼록부 (24A) 가 되고, 비노광부 (23B) 가 패턴 개구부 (24B) 가 된다.Next, as shown in Fig. 1D, development using an alkaline developer is performed to form a cured film 24 having a desired pattern. In the cured film 24, the exposed portion 23A in the exposure becomes the convex portion 24A, and the unexposed portion 23B becomes the pattern opening portion 24B.

경화막 (24) 의 두께는 0.1 ∼ 10 ㎛ 가 바람직하고, 0.5 ∼ 5 ㎛ 가 보다 바람직하다.The thickness of the cured film 24 is preferably 0.1 to 10 mu m, more preferably 0.5 to 5 mu m.

또한, 이 공정에 있어서, 비노광부 (23B) 의 발잉크제 (C) 는 알칼리 현상액에 양호하게 용해되고, 패턴 개구부 (24B) 에는 잔존하지 않는다.Further, in this step, the ink repellent agent C of the non-visible portion 23B is dissolved well in the alkaline developer, and does not remain in the pattern opening portion 24B.

패턴을 갖는 경화막 (24) 은, 도 1e 에 나타내는 바와 같이, 추가로 가열하여도 된다. 가열 온도는 130 ∼ 250 ℃ 가 바람직하고, 200 ∼ 240 ℃ 가 보다 바람직하다. 가열에 의해 발잉크제 (C) 는 경화막 내에 강고하게 결합하고, 보다 표면 근처에서 얇은 층을 형성한다.The cured film 24 having a pattern may be further heated as shown in Fig. 1E. The heating temperature is preferably 130 to 250 ° C, more preferably 200 to 240 ° C. By heating, the ink repellent agent (C) binds strongly to the cured film and forms a thin layer nearer to the surface.

상기 가열 후, 유기 EL 소자의 발광층 등의 유기층을 IJ 법으로 패턴 인쇄하기 위한 격벽 등의 용도에서는, 통상적으로, 패턴 개구부 (24B) 내에 남은 네거티브형 감광성 수지 조성물의 현상 잔류물을 제거하기 위해서, 기재 (10) 에 대하여 UV/O3 조사 처리가 이루어진다.In order to remove development residue of the negative photosensitive resin composition remaining in the pattern opening portion 24B in applications such as barrier ribs for pattern printing of an organic layer such as a light emitting layer of the organic EL device by the IJ method after the heating, The substrate 10 is subjected to UV / O 3 irradiation treatment.

본 발명에 의하면, 그 제조에 있어서, 종래보다 저노광량으로 노광을 실시할 수 있고, 그 상면이 선택적으로 양호한 발잉크성을 갖고, 또한, UV/O3 조사 처리를 거쳐도, 그 발잉크성을 양호하게 유지하고, 도트 내에 발잉크제가 잔존하지 않는 특성을 갖는 격벽을 제공할 수 있다.According to the present invention, in its production, it is possible to carry out exposure at a low exposure amount than conventional, the upper surface is optionally have good ink repellency, and also, UV / O 3 even after the irradiation treatment, the ink-repellent Can be satisfactorily maintained, and the barrier ribs having such characteristics that no ink residue remains in the dots can be provided.

본 발명의 격벽은, IJ 법으로 패턴 인쇄를 실시할 때에, 잉크 주입 영역을 획정하는 격벽으로서 이용할 수 있다.The barrier rib of the present invention can be used as a partition defining the ink injection region when pattern printing is performed by the IJ method.

본 발명의 격벽은, 그 상면이 선택적으로 양호한 발잉크성을 갖기 때문에, IJ 법으로 패턴 인쇄를 실시할 때에, 격벽으로 둘러싸인 영역 내에 균일하게 잉크를 도포할 수 있다. 또한, 격벽을 초과하여 원하지 않는 영역에 잉크가 주입되는 것을 억제하고, 잉크를 원하는 패턴으로 양호하게 인쇄하는 것이 가능해진다.Since the upper surface of the partition wall of the present invention selectively has excellent ink repellency, ink can be uniformly applied within the region surrounded by the partition when pattern printing is performed by the IJ method. In addition, it is possible to suppress ink from being injected into an undesired region exceeding the barrier ribs, and to print the ink well in a desired pattern.

도 2a 에 나타내는 바와 같이, 경화막 (24) 을 형성한 후 (도 1e), 잉크젯 헤드 (40) 로부터 잉크 (51) 를 적하하여, 경화막 (24) 의 패턴 개구부 (24B) 에 잉크 (51) 를 주입한다. 이어서, 건조 및/또는 가열 등에 의해 용매를 제거하여, 도 2b 에 나타내는 바와 같이, 원하는 패턴막 (52) 이 얻어진다.2A, after the cured film 24 is formed (Fig. 1E), the ink 51 is dropped from the inkjet head 40, and the ink 51 ). Subsequently, the solvent is removed by drying and / or heating or the like to obtain a desired pattern film 52 as shown in FIG. 2B.

[광학 소자][Optical element]

본 발명의 광학 소자는, 복수의 도트와 상기의 본 발명의 격벽을 구비하는 것이다.The optical element of the present invention includes a plurality of dots and the above-described barrier rib of the present invention.

광학 소자로는, 유기 EL 소자, 액정 소자의 컬러 필터, 유기 TFT 어레이 소자 등을 들 수 있다.Examples of the optical element include an organic EL element, a color filter of a liquid crystal element, and an organic TFT array element.

유기 TFT 어레이 소자란, 복수의 도트가 평면에서 보았을 때 매트릭스상으로 배치되고, 각 도트에 화소 전극과 이것을 구동하기 위한 스위칭 소자로서 TFT 가 형성되고, TFT 의 채널층을 포함하는 반도체층으로서 유기 반도체층이 사용되는 소자이다.The organic TFT array element is a structure in which a plurality of dots are arranged in a matrix when viewed in a plane, TFTs are formed as pixel elements and switching elements for driving the pixel electrodes in each dot, and organic semiconductors Layer is used.

유기 TFT 어레이 소자는, 유기 EL 소자, 혹은 액정 소자 등에, TFT 어레이 기판으로서 구비된다.The organic TFT array element is provided as an organic EL element, a liquid crystal element, or the like as a TFT array substrate.

유기 EL 소자는 예를 들어, 이하와 같이 제조할 수 있다.The organic EL device can be manufactured, for example, as follows.

유리 등의 투광성 기판에 주석 도프 산화인듐 (ITO) 등의 투광성 전극을 스퍼터법 등에 의해 성막한다. 이 투광성 전극은 필요에 따라 패터닝된다.A light-transmitting electrode such as tin-doped indium oxide (ITO) is formed on a transparent substrate such as glass by a sputtering method or the like. This transparent electrode is patterned as required.

다음으로, 본 발명의 네거티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여, 도포, 노광 및 현상을 포함하는 포토리소그래피법에 의해, 각 도트의 윤곽을 따라, 평면에서 보았을 때 격자상으로 격벽을 형성한다.Next, the negative type photosensitive resin composition of the present invention is used to form a lattice-shaped partition wall in a plan view along the outline of each dot by a photolithography method including coating, exposure and development.

다음으로 필요에 따라, 공지 방법에 의해 격벽으로 둘러싸인 도트에 대하여 친잉크화 처리를 실시한다.Next, if necessary, the ink encapsulated in the dots surrounded by the barrier ribs is subjected to the ink-losing process by known methods.

다음으로, 도트 내에, IJ 법에 의해, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 정공 저지층 및 전자 주입층의 재료를 각각 도포 및 건조시켜, 이들 층을 순차적으로 적층한다. 도트 내에 형성되는 유기층의 종류 및 수는 적절히 설계된다.Next, the materials of the hole injection layer, the hole transporting layer, the light emitting layer, the hole blocking layer and the electron injection layer are coated and dried in the dots by the IJ method, respectively, and these layers are sequentially laminated. The type and the number of organic layers formed in the dots are appropriately designed.

마지막으로, 알루미늄 등의 반사 전극을 증착법 등에 의해 형성한다.Finally, reflective electrodes such as aluminum are formed by vapor deposition or the like.

실시예Example

이하에 실시예를 이용하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 예 1 ∼ 9 및 예 11 ∼ 19 가 실시예이고, 예 10 및 20 이 비교예이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples. Further, Examples 1 to 9 and Examples 11 to 19 are Examples, and Examples 10 and 20 are Comparative Examples.

각 측정은 이하의 방법으로 실시하였다.Each measurement was carried out in the following manner.

[수평균 분자량 (Mn) 및 질량 평균 분자량 (Mw)][Number average molecular weight (Mn) and mass average molecular weight (Mw)] [

분자량 측정용의 표준 시료로서 시판되고 있는 중합도가 상이한 복수종의 단분산 폴리스티렌 중합체의 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 를, 시판되는 GPC 측정 장치 (토소사 제조, 장치명 : HLC-8320GPC) 를 이용하여 측정하였다. 폴리스티렌의 분자량과 유지 시간 (리텐션 타임) 의 관계를 기초로 검량선을 작성하였다.Gel permeation chromatography (GPC) of a plurality of kinds of monodispersed polystyrene polymers having different degrees of polymerization, which are commercially available as standard samples for molecular weight measurement, was carried out using a commercially available GPC measuring apparatus (manufactured by Tosoh Corporation, HLC-8320GPC) Respectively. A calibration curve was prepared based on the relationship between the molecular weight of polystyrene and the retention time (retention time).

각 시료에 대하여, 테트라하이드로푸란으로 1.0 질량% 로 희석하고, 0.5 ㎛ 의 필터를 통과시킨 후, 상기 장치를 이용하여 GPC 를 측정하였다. 상기 검량선을 이용하여, GPC 스펙트럼을 컴퓨터 해석함으로써, 시료의 수평균 분자량 (Mn) 및 질량 평균 분자량 (Mw) 을 구하였다.Each sample was diluted with tetrahydrofuran to 1.0% by mass, passed through a filter of 0.5 탆, and then GPC was measured using the above apparatus. Using the calibration curve, the GPC spectrum was subjected to computer analysis to determine the number average molecular weight (Mn) and mass average molecular weight (Mw) of the sample.

[PGMEA 접촉각][PGMEA contact angle]

정적법에 의해, JIS R3257 「기판 유리 표면의 젖음성 시험 방법」 에 준거하여, 기재 상의 측정 표면의 3 개 지점에 PGMEA 방울을 올리고, 각 PGMEA 방울에 대하여 측정하였다. 액적은 2 ㎕/방울로 하고, 측정은 20 ℃ 에서 실시하였다. 접촉각은 3 측정치의 평균치 (n = 3) 로부터 구하였다. 또한, PGMEA 는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트의 약호이다.According to JIS R3257 " Test Method for Wettability of Substrate Glass Surface " by static method, PGMEA droplets were placed at three points of the measurement surface on the substrate and measured for each PGMEA droplet. The droplet was adjusted to 2 쨉 l / drop, and the measurement was carried out at 20 째 C. The contact angle was obtained from the average of three measurements (n = 3). In addition, PGMEA is an abbreviation for propylene glycol monomethyl ether acetate.

각 예에서 사용한 화합물의 약어는 이하와 같다.The abbreviations of the compounds used in each example are as follows.

(발잉크제 (C) 의 원료로서의 가수 분해성 실란 화합물)(A hydrolyzable silane compound as a raw material of the ink-repellent agent (C)),

화합물 (c-1a) 에 상당하는 화합물 (c-11) : CF3(CF2)5CH2CH2Si(OCH3)3 (아사히 유리사 제조).Compound (1a-c) Compound (c-11) corresponding to: CF 3 (CF 2) 5 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3 ( manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.).

화합물 (c-2) 에 상당하는 화합물 (c-21) : SH(CH2)3Si(OCH3)3 (KBM-803 : 상품명 ; 신에츠 화학공업사 제조).Compound (c-21) corresponding to compound (c- 2 ): SH (CH 2 ) 3 Si (OCH 3 ) 3 (KBM-803: trade name; manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

화합물 (c-3) 에 상당하는 화합물 (c-31) : Si(OC2H5)4 (콜코트사 제조).Compound (c-31) corresponding to compound (c-3): Si (OC 2 H 5 ) 4 (manufactured by Colcoat Co.).

화합물 (c-3) 에 상당하는 화합물 (c-32) : Si(OC2H5)4 의 부분 가수 분해 축합물 (상품명 : 에틸실리케이트 48 콜코트사 제조).Compound (c-32) corresponding to compound (c-3): Partial hydrolysis condensation product of Si (OC 2 H 5 ) 4 (trade name: ethyl silicate 48 manufactured by Colcoat Co.).

화합물 (c-3) 에 상당하는 화합물 (c-33) : Si(OCH3)4 의 부분 가수 분해 축합물 (상품명 : 메틸실리케이트 51 콜코트사 제조).Compound (c-33) corresponding to compound (c-3): partial hydrolysis condensation product of Si (OCH 3 ) 4 (trade name: methyl silicate 51, manufactured by Colcoat Co.).

화합물 (c-4) 에 상당하는 화합물 (c-41) : CH2=CHCOO(CH2)3Si(OCH3)3 (토쿄 화성공업사 제조).Compound (c-41) corresponding to compound (c-4): CH 2 CHCOO (CH 2 ) 3 Si (OCH 3 ) 3 (manufactured by TOKYO CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD.).

화합물 (c-5) 에 상당하는 화합물 (c-51) : (CH3)3SiOCH3 (토쿄 화성공업사 제조).Compound (c-51) corresponding to compound (c-5): (CH 3 ) 3 SiOCH 3 (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.).

화합물 (c-6) 에 상당하는 화합물 (c-61) : 트리메톡시페닐실란 (토쿄 화성공업사 제조).Compound (c-61) corresponding to compound (c-6): trimethoxyphenylsilane (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.).

화합물 (c-6) 에 상당하는 화합물 (c-62) : 3-글리시독시프로필 (토쿄 화성공업사 제조).Compound (c-62) corresponding to compound (c-6): 3-glycidoxypropyl (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.).

(알칼리 가용성 수지 (AP))(Alkali soluble resin (AP))

A-11 : 크레졸 노볼락형 에폭시 수지를 아크릴산, 이어서 1,2,3,6-테트라하이드로 무수 프탈산과 반응시켜, 아크릴로일기와 카르복실기를 도입한 수지를 헥산으로 정제한 수지, 고형분 70 질량%, 산가 60 ㎎KOH/g.A-11: A resin obtained by reacting a cresol novolak type epoxy resin with acrylic acid and then 1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride to obtain a resin having an acryloyl group and a carboxyl group introduced thereinto and purified with hexane; a resin having a solid content of 70% , An acid value of 60 mgKOH / g.

A-21 : ZAR2002 (상품명 ; KAYARAD ZAR-2002H, 닛폰 화약사 제조, 비스페놀 A 형 에폭시 수지에 카르복실기와 에틸렌성 이중 결합을 도입한 수지, 고형분 70 질량%, 산가 60 ㎎KOH/g.A-21: A resin having a carboxyl group and an ethylenic double bond introduced into a bisphenol A type epoxy resin (trade name: KAYARAD ZAR-2002H, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., solid content: 70% by mass, acid value: 60 mgKOH / g)

A-31 : 식 (A-2a) 로 나타내는 비페닐 골격을 갖는 에폭시 수지에, 에틸렌성 이중 결합과 산성기를 도입한 수지 (고형분 : 70 질량%, PGMEA : 30 질량%. MW = 4000, 산가 70 ㎎KOH/g.).A-31: A resin (solid content: 70% by mass, PGMEA: 30% by mass, MW = 4000, acid value: 70%) having an ethylenic double bond and an acidic group introduced into an epoxy resin having a biphenyl skeleton represented by the formula MgKOH / g).

A-41 : 식 (A-2b) 로 나타내는 에폭시 수지에, 에틸렌성 이중 결합과 산성기를 도입한 수지 (고형분 : 70 질량%, PGMEA : 30 질량%. MW = 3000, 산가 50 ㎎KOH/g.).A-41: A resin (solid content: 70% by mass, PGMEA: 30% by mass, MW = 3000, acid value: 50 mgKOH / g) having an ethylenic double bond and an acidic group introduced into the epoxy resin represented by the formula (A- ).

(광 중합 개시제 (B))(Photopolymerization initiator (B))

IR907 : 상품명 ; IRGACURE907, BASF 사 제조, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온.IR907: trade name; IRGACURE 907, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane-1-one manufactured by BASF.

IR369 : 상품명 : IRGACURE369, BASF 사 제조, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온.IR369: trade name: IRGACURE369, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one manufactured by BASF.

EAB : 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논 (토쿄 화성공업사 제조).EAB: 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.).

OXE01 : 1.2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)페닐]-, 2-(0-벤조일옥심) BASF 사 제조, 상품명 : OXE01).OXE01: 1.2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) phenyl] -, 2- (0-benzoyloxime) manufactured by BASF, trade name: OXE01).

OXE02 : 에타논 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바조일-3-일]-1-(O-아세틸옥심) (치바 스페셜티 케미컬즈사 제조, 상품명 : OXE02).OXE02: Ethanone 1- [9-Ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbamoyl-3-yl] -1- (O- acetyloxime) (trade name: OXE02, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) .

(용매 (D))(Solvent (D))

PGMEA : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트,PGMEA: Propylene glycol monomethyl ether acetate,

PGME : 프로필렌글리콜모노메틸에테르,PGME: propylene glycol monomethyl ether,

EDM : 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르,EDM: diethylene glycol ethyl methyl ether,

IPA : 2-프로판올,IPA: 2-propanol,

EDGAC : 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트.EDGAC: diethylene glycol monoethyl ether acetate.

(가교제 (E))(Crosslinking agent (E))

A9530 : 상품명 ; NK 에스테르 A-9530, 신나카무라 화학공업사 제조, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트와 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트의 혼합품.A9530: trade name; NK Ester A-9530, a product of Shin Nakamura Chemical Co., Ltd., a mixture of dipentaerythritol hexaacrylate and dipentaerythritol pentaacrylate.

V802 : 상품명 ; V#802 오사카 유기화학 공업사 제조, 펜타에리트리톨아크릴레이트, 디펜타에리트리톨아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨아크릴레이트, 테트라펜타에리트리톨아크릴레이트의 혼합품.V802: trade name; V # 802 A mixture of pentaerythritol acrylate, dipentaerythritol acrylate, tripentaerythritol acrylate, and tetrapentaerythritol acrylate, manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.

(산화 방지제 (G))(Antioxidant (G))

BHT : 2,6-디-tert-부틸-p-크레졸,BHT: 2,6-di-tert-butyl-p-cresol,

MHQ : 2-메틸하이드로퀴논,MHQ: 2-methylhydroquinone,

MEHQ : 4-메톡시페놀.MEHQ: 4-methoxyphenol.

[예 1 : 발잉크제 (C1) 액의 조제][Example 1: Preparation of ink for liquid of repellent (C1)] [

교반기를 구비한 1,000 ㎤ 의 3 구 플라스크에, 화합물 (c-11) 의 32.3 g, 및 화합물 (c-21) 의 67.7 g 을 넣어, 가수 분해성 실란 화합물 혼합물을 얻었다. 이어서, 이 혼합물에 PGME 의 569.4 g 을 넣어, 원료 용액으로 하였다.32.3 g of the compound (c-11) and 67.7 g of the compound (c-21) were placed in a 1,000 cm 3 three-necked flask equipped with a stirrer to obtain a hydrolyzable silane compound mixture. Subsequently, 569.4 g of PGME was added to the mixture to prepare a raw material solution.

얻어진 원료 용액에, 0.1 질량% 염산 수용액을 44.7 g 적하하였다. 적하 종료 후, 40 ℃ 에서 5 시간 교반하여, 발잉크제 (C1) 의 PGME 용액 (발잉크제 (C1) 농도 : 10 질량%) 을 얻었다. 이후, 이 용액을 (C1) 액이라고 한다.To the obtained raw material solution, 44.7 g of a 0.1 mass% hydrochloric acid aqueous solution was added dropwise. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at 40 DEG C for 5 hours to obtain a PGME solution (repellent agent (C1) concentration: 10% by mass) of the repelling agent C1. This solution is hereinafter referred to as (C1) solution.

또한, 반응 종료 후, 반응액을 가스 크로마토그래피를 사용하여 측정하고, 원료로서의 각 화합물이 검출 한계 이하가 된 것을 확인하였다.After completion of the reaction, the reaction solution was measured by using gas chromatography to confirm that each compound as a raw material was below the detection limit.

발잉크제의 주입량 조성 (몰%) 을 표 1 에 나타낸다.Table 1 shows the composition (mol%) of the injection amount of the ink repellent agent.

[예 2 ∼ 10 : 발잉크제 (C2) ∼ (C9), 및 (H1) 액의 조제][Examples 2 to 10: Preparation of liquid for ink-repellent agents (C2) to (C9) and (H1)] [

발잉크제의 주입량 조성 (몰%) 과 용매의 종류를 표 1 에 나타내는 것으로 한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여, 발잉크제 (C2) ∼ (C9), 및 (H1) 의 용액 (발잉크제 농도 : 10 질량%) 을 얻었다. 이후, 각 용액을 (C2) ∼ (C9), (H1) 액이라고 한다.(Solutions) of the repellent agents (C2) to (C9) and (H1) were prepared in the same manner as in Example 1, except that the composition (mol% Concentration of ink: 10% by mass). Each solution is hereinafter referred to as (C 2) to (C 9) and (H 1) solutions.

또한, 예 10 에서는 화합물 (c-2) 를 이용하지 않고 발잉크제 (H1) 액을 조제하였다. 이 발잉크제는 본 발명의 발잉크제 (C) 는 아니기 때문에, 발잉크제의 부호를 바꾸었다. 비교용의 발잉크제 전체를 (H) 로 하고, 예 10 의 발잉크제는 (H1) 로 하였다.In Example 10, a solution of a repellent agent (H1) was prepared without using the compound (c-2). Since this repelling ink agent is not a repelling ink agent (C) of the present invention, the sign of the repelling agent is changed. (H) was used as the entire ink composition for comparison, and (H1) was used as the ink repellent agent of Example 10.

(평가)(evaluation)

예 1 ∼ 10 에 있어서 얻어진 발잉크제에 대하여, 이하의 평가를 실시하였다.The following evaluations were carried out on the ink-repellent agents obtained in Examples 1 to 10.

<수평균 분자량 (Mn) 과 질량 평균 분자량 (Mw)>≪ Number average molecular weight (Mn) and mass average molecular weight (Mw) >

예 1 ∼ 10 에 있어서 얻어진 각 발잉크제에 대하여, 상기 방법에 의해, 수평균 분자량 (Mn) 과 질량 평균 분자량 (Mw) 을 측정하였다.The number average molecular weight (Mn) and the weight average molecular weight (Mw) were measured for each of the ink-repelling agents obtained in Examples 1 to 10 by the above-mentioned method.

<불소 원자 함유율><Content of fluorine atoms>

예 1 ∼ 10 에 있어서 얻어진 각 발잉크제에 대하여, 주입 조성으로부터 불소 원자 함유율을 구하였다.For each of the ink-repellent agents obtained in Examples 1 to 10, the content of fluorine atoms was determined from the injection composition.

예 1 ∼ 10 에서 얻어진 발잉크제의 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.The evaluation results of the ink repellent agent obtained in Examples 1 to 10 are shown in Table 1.

Figure pct00010
Figure pct00010

[예 11 : 네거티브형 감광성 수지 조성물의 제조 및 경화막의 제조][Example 11: Preparation of negative-working photosensitive resin composition and preparation of cured film]

(네거티브형 감광성 수지 조성물의 제조)(Production of negative-type photosensitive resin composition)

상기 예 1 에서 얻어진 (C1) 액의 0.23 g (발잉크제 (C1) 을 고형분으로서 0.023 g 함유, 나머지는 용매의 PGME), A-11 의 16.1 g (고형분은 11.3 g, 나머지는 용매의 EDGAC), IR907 의 1.1 g, EAB 의 1.1 g, A9530 의 11.3 g, PGMEA 의 65.2 g, IPA 의 2.5 g, 및 물의 2.5 g 을 200 ㎤ 의 교반용 용기에 넣고, 5 시간 교반하여 네거티브형 감광성 수지 조성물을 제조하였다.0.23 g of the liquid C1 obtained in Example 1 (containing 0.023 g as solids of the ink repellent (C1) and the remainder being PGME as a solvent), 16.1 g of A-11 (solid content: 11.3 g, ), 1.1 g of IR907, 1.1 g of EAB, 11.3 g of A9530, 65.2 g of PGMEA, 2.5 g of IPA and 2.5 g of water were placed in a 200 cm 3 stirring vessel and stirred for 5 hours to obtain a negative photosensitive resin composition .

또한, 발잉크제 (C1) 에 관하여, 주입 환산으로는 고형분은 0.026 g 으로 산출되지만, 가수 분해성기가 탈리하여 메탄올 혹은 에탄올 등이 생성되기 때문에, 실제로는 0.026 g 이하가 된다. 어느 정도의 가수 분해성기가 탈리했는지를 구하는 것은 어렵기 때문에, 대략 모든 가수 분해성기가 탈리했다고 가정하여, 고형분을 0.023 g 으로 하였다.With regard to the repellent agent (C1), the solids content is calculated to be 0.026 g in terms of injection, but the hydrolyzable group is eliminated to produce methanol or ethanol, so that it is actually 0.026 g or less. Since it is difficult to determine how much of the hydrolyzable group has disappeared, assuming that almost all of the hydrolyzable group has disappeared, the solid content was set at 0.023 g.

(격벽의 제조)(Preparation of barrier rib)

가로세로 10 ㎝ 의 유리 기판을 에탄올로 30 초간 초음파 세정하고, 이어서, 5 분간의 UV/O3 처리를 실시하였다. UV/O3 처리에는, UV/O3 발생 장치로서 PL2001N-58 (센 엔지니어링사 제조) 을 사용하였다. 254 ㎚ 환산의 광 파워 (광 출력) 는 10 ㎽/㎠ 였다. 또한, 이하 모든 UV/O3 처리에 있어서도 본 장치를 사용하였다.A glass substrate with a length of 10 cm was ultrasonically cleaned with ethanol for 30 seconds, followed by UV / O 3 treatment for 5 minutes. For the UV / O 3 treatment, PL2001N-58 (Sen Engineering) was used as a UV / O 3 generator. The optical power (optical output) in terms of 254 nm was 10 mW / cm 2. In addition, the present apparatus was also used for all UV / O 3 treatment.

상기 세정 후의 유리 기판 표면에, 스피너를 이용하여, 상기 네거티브형 감광성 수지 조성물을 도포한 후, 100 ℃ 에서 2 분간 핫 플레이트 상에서 건조시켜, 막두께 2.4 ㎛ 의 건조막을 형성하였다. 얻어진 건조막에 대하여, 개구 패턴 (2.5 ㎝ × 5 ㎝) 을 갖는 포토마스크를 통하여, 365 ㎚ 환산의 노광 파워 (노광 출력) 가 25 ㎽/㎠ 인 초고압 수은 램프의 UV 광을 전체면 일괄 조사하였다. 노광시에, 330 ㎚ 이하의 광은 커트하였다. 또한, 건조막과 포토마스크의 이간 거리는 50 ㎛ 로 하였다.The negative photosensitive resin composition was coated on the cleaned glass substrate surface using a spinner and then dried on a hot plate at 100 캜 for 2 minutes to form a dried film having a thickness of 2.4 탆. The obtained dried film was irradiated with UV light of an ultrahigh pressure mercury lamp having an exposure power (exposure power) of 25 mW / cm 2 in terms of 365 nm as a whole through a photomask having an opening pattern (2.5 cm x 5 cm) . At the time of exposure, light of 330 nm or less was cut. The distance between the dried film and the photomask was set to 50 탆.

각 예에 있어서, 하기 2 의 노광 조건으로, 노광을 실시하였다.In each example, exposure was performed under the exposure conditions shown in the following 2.

<노광 조건 1> 노광 시간을 2 초로 하고, 노광량을 50 mJ/㎠ 로 하였다.<Exposure condition 1> The exposure time was 2 seconds and the exposure amount was 50 mJ / cm 2.

<노광 조건 2> 노광 시간을 4 초로 하고, 노광량을 100 mJ/㎠ 로 하였다.&Lt; Exposure condition 2 &gt; The exposure time was 4 seconds and the exposure amount was 100 mJ / cm &lt; 2 &gt;.

이어서, 상기 노광 처리 후의 유리 기판을 2.38 질량% 테트라메틸수산화암모늄 수용액에 40 초간 침지시켜 현상하고, 비노광부를 물에 의해 흘리면서 세정하여, 건조시켰다. 이어서, 핫 플레이트 상, 230 ℃ 에서 60 분간 가열함으로써, 포토마스크의 개구 패턴에 대응한 패턴을 갖는 경화막 (격벽) 을 얻었다.Subsequently, the glass substrate after the exposure treatment was immersed in a 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide for 40 seconds to develop, and the unexposed portion was washed while flowing with water, followed by drying. Subsequently, the substrate was heated on a hot plate at 230 DEG C for 60 minutes to obtain a cured film (partition wall) having a pattern corresponding to the opening pattern of the photomask.

[예 12 ∼ 20][Examples 12 to 20]

상기 예 11 에 있어서, 네거티브형 감광성 수지 조성물을 표 2 에 나타내는 조성으로 변경한 것 이외에는, 동일한 방법으로, 네거티브형 감광성 수지 조성물 및 격벽을 제조하였다.A negative-working photosensitive resin composition and a barrier rib were prepared in the same manner as in Example 11 except that the composition of the negative-working photosensitive resin composition was changed to the composition shown in Table 2.

(평가)(evaluation)

예 12 ∼ 20 에 있어서 얻어진 격벽에 대하여, 이하의 평가를 실시하였다.The following evaluations were carried out on the barrier ribs obtained in Examples 12 to 20.

<경화막의 막두께>&Lt; Film thickness of cured film &

레이저 현미경 (키엔스사 제조, 장치명 : VK-8500) 을 이용하여 측정하였다.The measurement was carried out using a laser microscope (manufactured by KEYENCE CORPORATION, device name: VK-8500).

<격벽 상면의 발잉크성>&Lt; Repellability of the upper surface of the partition &

얻어진 경화막 상면의 PGMEA 접촉각을 상기의 방법으로 측정하였다.The contact angle of PGMEA on the upper surface of the obtained cured film was measured by the above method.

<격벽 상면의 발잉크성의 내 UV/O3 성>&Lt; UV / O 3 property of ink-repellent property on the upper surface of barrier rib>

경화막이 형성된 유리 기판에 대하여, 표면 전체에, UV/O3 조사 처리를 3 분간 (광량은 254 ㎚ 환산으로 1,800 mJ/㎠) 실시한 후, 재차, 경화막 상면의 PGMEA 접촉각을 측정하였다.The glass substrate on which the cured film was formed was subjected to the UV / O 3 irradiation treatment for 3 minutes (the light amount was 1,800 mJ / cm 2 in terms of 254 nm) on the entire surface, and then the contact angle of PGMEA on the surface of the cured film was measured again.

각 예에 있어서, 발잉크성의 내 UV/O3 성의 평가는, 노광량을 50 mJ/㎠ 로 한 샘플에 대해서만 실시하였다.In each example, evaluation of the UV / O 3 resistance of the ink-repellent property was carried out only on a sample having an exposure amount of 50 mJ / cm 2.

<네거티브형 감광성 수지 조성물의 저장 안정성><Storage Stability of Negative-Based Photosensitive Resin Composition>

각 예에서 제조한 네거티브형 감광성 수지 조성물을 상온에서 1 개월 유지한 후, 그 조성물을 이용하여, 예 11 과 동일하게 격벽을 제조하였다 (노광량은 50 mJ/㎠ 로 하였다). 격벽 상면의 PGMEA 접촉각으로부터 초기의 네거티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 얻어진 격벽 상면의 PGMEA 접촉각을 뺀 값을 구하고, 하기 기준에 기초하여 평가하였다.The negative-working photosensitive resin composition prepared in each example was kept at room temperature for one month, and then the barrier ribs were prepared in the same manner as in Example 11 (using an exposure dose of 50 mJ / cm 2). The value obtained by subtracting the PGMEA contact angle of the upper surface of the partition obtained from the initial negative photosensitive resin composition from the PGMEA contact angle on the upper surface of the barrier was evaluated based on the following criteria.

○ (양호) : -5°이상.○ (Good): -5 ° or more.

△ (가) : -10°이상 그리고 -5°미만.△ (A): above -10 ° and below -5 °.

× (불가) : -10°미만.× (not allowed): Less than -10 °.

<격벽 상면의 단부의 SEM 관찰>&Lt; SEM observation of the end portion of the upper surface of the partition &

얻어진 격벽 상면의 SEM 관찰을 실시하여 (5,000 배), 격벽 상면의 단부의 마운팅의 유무를 관찰하고, 하기 기준에 기초하여 평가하였다. 장치로는, 3D 리얼 서페이스뷰 현미경 VE-9800 (키엔스사 제조) 을 사용하였다. 격벽 상면의 단부의 마운팅은 특별히 격벽으로서 지장을 초래하는 것은 아니기 때문에, 격벽 상면의 단부의 마운팅 있음의 경우의 평가를 △ 로 하였다.SEM observation of the obtained upper surface of the barrier rib was performed (5,000 times), and the presence or absence of mounting of the end portion of the upper surface of the barrier rib was observed and evaluated based on the following criteria. As the apparatus, a 3D real surface view microscope VE-9800 (manufactured by Keens) was used. Since the mounting of the end portion of the upper surface of the partition wall is not particularly troublesome as the partition wall, the evaluation in the case of the mounting of the end portion of the upper surface of the partition is?.

○ (양호) : 격벽 상면의 단부에 마운팅을 볼 수 없었다.(Good): No mounting was observed at the end of the upper surface of the partition wall.

△ (가) : 격벽 상면의 단부에 마운팅을 볼 수 있었다.(A): Mounting was observed at the end of the upper surface of the partition wall.

예 12 ∼ 20 에 있어서 얻어진 격벽의 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.Table 2 shows the evaluation results of the barrier ribs obtained in Examples 12 to 20.

Figure pct00011
Figure pct00011

예 11 ∼ 19 의 네거티브형 감광성 수지 조성물은, 본 발명의 발잉크제 (C) 를 사용했기 때문에, 저노광량으로도 얻어진 격벽 상면은 우수한 발잉크성을 갖고, 그 발잉크성은 UV/O3 처리 후에도 양호하게 유지되었다.Since the negative type photosensitive resin compositions of Examples 11 to 19 used the repelling ink (C) of the present invention, the upper surface of the partition obtained even at a low exposure dose had excellent ink repellency and the ink repellency was UV / O 3 treatment It was maintained well afterwards.

한편, 예 20 의 네거티브형 감광성 수지 조성물은, 화합물 (c-2) 를 이용하지 않고 제조한 발잉크제 (H1) 을 사용했기 때문에, 저노광량에서의 경화막 상면의 발잉크성이 불충분하였다.On the other hand, the negative-working photosensitive resin composition of Example 20 had inadequate ink repellency on the upper surface of the cured film at a low exposure dose, because a repellent agent (H1) prepared without using the compound (c-2) was used.

본 발명의 화합물 (c-4) 를 사용한 발잉크제 (C) 를 사용한 예 13 ∼ 16 에서는, 화합물 (c-4) 를 사용하지 않은 발잉크제 (C) 를 사용한 예 11, 12, 17 ∼ 19 보다, 네거티브형 감광성 수지 조성물의 저장 안정성, 격벽 상면의 발잉크성이 우수하였다.Examples 13 to 16 using the ink-repellent agent (C) using the compound (c-4) of the present invention were used in Examples 11, 12, 17, 19, the storage stability of the negative-working photosensitive resin composition and the ink repellency of the upper surface of the partition wall were excellent.

본 발명의 화합물 (c-5) 를 사용한 발잉크제 (C) 를 사용한 예 16 에서는, 격벽 상면의 단부의 마운팅을 볼 수 없고, 미려한 형상의 격벽을 형성할 수 있었다.In Example 16 using the repellent agent (C) using the compound (c-5) of the present invention, the mounting of the end portion of the upper surface of the partition could not be seen, and the partition wall having a beautiful shape could be formed.

산업상 이용가능성Industrial availability

본 발명의 부분 가수 분해 축합물은 유기 EL 소자, 액정 소자의 컬러 필터, 및 유기 TFT 어레이 등의 광학 소자에 있어서, 잉크젯법에 의한 패턴 인쇄를 실시할 때의 격벽 형성용의 감광성 수지 조성물 등에 포함시키는 발잉크제 등으로서 바람직하게 사용할 수 있다.The partial hydrolysis-condensation product of the present invention is contained in a photosensitive resin composition or the like for forming a barrier rib when performing pattern printing by an ink-jet method in an organic EL device, a color filter of a liquid crystal device, and an optical device such as an organic TFT array An ink for ink-jet recording, and the like.

또한, 본 발명의 격벽은 유기 EL 소자에 있어서, 발광층 등의 유기층을 IJ 법으로 패턴 인쇄하기 위한 격벽 (뱅크), 혹은 액정 소자에 있어서 컬러 필터를 IJ 법으로 패턴 인쇄하기 위한 격벽 (이 격벽은 블랙 매트릭스 (BM) 를 겸할 수 있다), 유기 TFT 어레이에 있어서 도체 패턴 또는 반도체 패턴을 IJ 법으로 패턴 인쇄하기 위한 격벽, TFT 의 채널층을 이루는 유기 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 배선, 및 소스 배선 등을 IJ 법으로 패턴 인쇄하기 위한 격벽 등으로서 이용할 수 있다.In the organic EL device according to the present invention, the partition wall (bank) for pattern printing the organic layer such as the light emitting layer by the IJ method or the partition wall for pattern printing the color filter in the IJ method in the liquid crystal element A black matrix (BM)), a barrier rib for pattern printing of a conductor pattern or a semiconductor pattern in the organic TFT array by the IJ method, an organic semiconductor layer constituting a channel layer of the TFT, a gate electrode, a source electrode, Gate wirings, source wirings, etc. can be used as barrier ribs for pattern printing by the IJ method.

또한, 2012년 4월 27일에 출원된 일본 특허출원 2012-102984호의 명세서, 특허 청구의 범위, 도면 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하고, 본 발명의 명세서의 개시로서 받아들이는 것이다.The entire contents of the specification, claims, drawings and summary of Japanese Patent Application No. 2012-102984 filed on April 27, 2012 are hereby incorporated herein by reference and the disclosure of the specification of the present invention.

10 : 기재
21 : 도포막
22 : 건조막
23 : 노광막
23A : 노광부
23B : 비노광부
24 : 경화막
24A : 볼록부
24B : 패턴 개구부
30 : 포토마스크
52 : 패턴막
L : 광
10: substrate
21: Coating film
22: Dry film
23: Exposure film
23A:
23B: Non-
24:
24A:
24B: pattern opening
30: Photomask
52: pattern film
L: Light

Claims (17)

플루오로알킬렌기 및/또는 플루오로알킬기와 가수 분해성기를 갖고, 메르캅토기를 갖지 않는 제 1 가수 분해성 실란 화합물과,
메르캅토기와 가수 분해성기를 갖고, 플루오로알킬렌기 및 플루오로알킬기를 갖지 않는 제 2 가수 분해성 실란 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합물의 부분 가수 분해 축합물.
A first hydrolyzable silane compound having a fluoroalkylene group and / or a fluoroalkyl group and a hydrolyzable group and having no mercapto group,
A partially hydrolyzed condensate of a mixture characterized by comprising a mercapto group and a second hydrolyzable silane compound having a hydrolyzable group and not having a fluoroalkylene group and a fluoroalkyl group.
제 1 항에 있어서,
상기 혼합물 중의 제 2 가수 분해성 실란 화합물의 함유 비율은, 제 1 가수 분해성 실란 화합물의 1 몰에 대하여, 0.125 ∼ 18 몰인 부분 가수 분해 축합물.
The method according to claim 1,
The content of the second hydrolyzable silane compound in the mixture is 0.125 to 18 moles per 1 mole of the first hydrolyzable silane compound.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 가수 분해성 실란 화합물이 하기 식 (c-1) 로 나타내는 화합물인, 부분 가수 분해 축합물.
(A-RF1)a-Si(RH1)bX1 (4-a-b) ···(c-1)
(식 (c-1) 중, 각 기호는 이하와 같다.
RF1 은 적어도 1 개의 플루오로알킬렌기를 포함하는, 에테르성 산소 원자를 포함하고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 16 의 2 가의 유기기를 나타낸다.
RH1 은 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기를 나타낸다.
a 는 1 또는 2, b 는 0 또는 1, a + b 는 1 또는 2 이다.
A 는 불소 원자 또는 하기 식 (I) 로 나타내는 기이다.
-Si(RH2)bX2 (3-b)···(I)
RH2 는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기를 나타낸다.
b 는 0 또는 1 이다.
X1 및 X2 는 가수 분해성기를 나타낸다.
X1 이 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.
X2 가 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.
A-RF1 이 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.)
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the first hydrolyzable silane compound is a compound represented by the following formula (c-1).
(AR F1 ) a -Si (R H1 ) b X 1 (4-ab) (c-1)
(In the formula (c-1), each symbol is as follows.
R F1 represents a divalent organic group having 1 to 16 carbon atoms which may contain an etheric oxygen atom and contains at least one fluoroalkylene group.
R H1 represents a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.
a is 1 or 2, b is 0 or 1, and a + b is 1 or 2.
A is a fluorine atom or a group represented by the following formula (I).
-Si (R H2 ) b X 2 (3-b) (I)
And R H2 represents a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.
b is 0 or 1;
X 1 and X 2 represent a hydrolyzable group.
When a plurality of X &lt; 1 &gt; s exist, they may be different from or the same as each other.
When a plurality of X &lt; 2 &gt; exist, they may be different from or the same as each other.
When a plurality of AR F1 exist, they may be different from each other or may be the same.)
제 3 항에 있어서,
상기 제 1 가수 분해성 실란 화합물이 하기 식 (c-1a) 로 나타내는 화합물인 부분 가수 분해 축합물.
D-RF2-Q1-SiX1 3···(c-1a)
(식 (c-1a) 중, 각 기호는 이하와 같다.
RF2 는 탄소 원자수 2 ∼ 15 의 에테르성 산소 원자를 포함하고 있어도 되는 퍼플루오로알킬렌기이다.
D 는 불소 원자 또는 하기 식 (Ia) 로 나타내는 기이다.
-Q2-SiX2 3···(Ia)
X1 및 X2 는 가수 분해성기를 나타낸다.
3 개의 X1 은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.
3 개의 X2 는 서로 상이하거나 동일하여도 된다.
Q1 및 Q2 는 탄소 원자수 1 ∼ 10 의 불소 원자를 포함하지 않는 2 가의 유기기를 나타낸다.)
The method of claim 3,
Wherein the first hydrolyzable silane compound is a compound represented by the following formula (c-1a).
DR F2 -Q 1 -SiX 1 3 ··· (c-1a)
(Wherein each symbol in the formula (c-1a) is as follows.
And R F2 is a perfluoroalkylene group which may contain an etheric oxygen atom having 2 to 15 carbon atoms.
D is a fluorine atom or a group represented by the following formula (Ia).
-Q 2 -SiX 2 3 (Ia)
X 1 and X 2 represent a hydrolyzable group.
The three X &lt; 1 &gt; s may be mutually different or the same.
The three X &lt; 2 &gt; s may be mutually different or the same.
Q 1 and Q 2 each represent a divalent organic group containing no fluorine atom having 1 to 10 carbon atoms.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 가수 분해성 실란 화합물이 하기 식 (c-2) 로 나타내는 화합물인 부분 가수 분해 축합물.
(HS-Q3)p-Si(RH3)qX3 (4-p-q)···(c-2)
(식 (c-2) 중, 각 기호는 이하와 같다.
Q3 은 탄소 원자수 1 ∼ 10 의 불소 원자를 포함하지 않는 2 가의 유기기를 나타낸다.
RH3 은 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기를 나타낸다.
X3 은 가수 분해성기를 나타낸다.
p 는 1 또는 2, q 는 0 또는 1, p + q 는 1 또는 2 이다.
HS-Q3 이 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.
X3 이 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.)
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
And the second hydrolyzable silane compound is a compound represented by the following formula (c-2).
(HS-Q 3 ) p -Si (R H3 ) q X 3 (4-pq) (c-2)
(In the formula (c-2), symbols are as follows.
Q 3 represents a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms and not containing a fluorine atom.
R H3 represents a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.
X 3 represents a hydrolyzable group.
p is 1 or 2, q is 0 or 1, and p + q is 1 or 2.
When a plurality of HS-Q 3 exist, they may be the same or different.
X &lt; 3 &gt; are present, they may be the same or different from each other.)
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 혼합물이 추가로 하기 식 (c-3) 으로 나타내는 제 3 가수 분해성 실란 화합물을 포함하는 부분 가수 분해 축합물.
SiX4 4···(c-3)
(식 (c-3) 중, X4 는 가수 분해성기를 나타내고, 4 개의 X4 는 서로 상이하거나 동일하여도 된다.)
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the mixture further comprises a third hydrolyzable silane compound represented by the following formula (c-3).
SiX 4 4 (c-3)
(In the formula (c-3), X 4 represents a hydrolyzable group, and four X 4 may be the same or different from each other.)
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 혼합물이 추가로 하기 식 (c-4) 로 나타내는 제 4 가수 분해성 실란 화합물을 포함하는 부분 가수 분해 축합물.
(Y-Q4)g-Si(RH4)hX5 (4-g-h)···(c-4)
(식 (c-4) 중의 기호는, 이하와 같다.
Y 는 에틸렌성 이중 결합을 갖는 기를 나타낸다.
Q4 는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 불소 원자를 포함하지 않는 2 가의 유기기를 나타낸다.
RH4 는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기를 나타낸다.
X5 는 가수 분해성기를 나타낸다.
g 는 1 또는 2, h 는 0 또는 1, g + h 는 1 또는 2 이다.
Y-Q4 가 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.
X5 가 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.)
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein said mixture further comprises a fourth hydrolyzable silane compound represented by the following formula (c-4).
(YQ 4 ) g -Si (R H4 ) h X 5 (4-gh) (c-4)
(The symbols in the formula (c-4) are as follows.
Y represents a group having an ethylenic double bond.
Q 4 represents a divalent organic group containing no fluorine atom having 1 to 6 carbon atoms.
R H4 represents a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.
X &lt; 5 &gt; represents a hydrolyzable group.
g is 1 or 2, h is 0 or 1, and g + h is 1 or 2.
When a plurality of YQ 4 exist, they may be the same or different.
When a plurality of X &lt; 5 &gt; s exist, they may be the same or different.)
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 혼합물이 추가로 하기 식 (c-5) 로 나타내는 제 5 가수 분해성 실란 화합물을 포함하는 부분 가수 분해 축합물.
(RH5)j-SiX6 (4-j)···(c-5)
(식 (c-5) 중, 각 기호는 이하와 같다.
RH5 는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 탄화수소기를 나타낸다.
X6 은 가수 분해성기를 나타낸다.
j 는 2 또는 3 이다.
RH5 가 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.
X6 이 복수 개 존재하는 경우, 이들은 서로 상이하거나 동일하여도 된다.)
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the mixture further comprises a fifth hydrolyzable silane compound represented by the following formula (c-5).
(R H5) j -SiX 6 ( 4-j) ··· (c-5)
(In the formula (c-5), each symbol is as follows.
R H5 represents a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.
X 6 represents a hydrolyzable group.
j is 2 or 3;
When a plurality of R H5 exist, they may be the same or different.
When a plurality of X &lt; 6 &gt; s exist, they may be the same or different.)
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
불소 원자의 함유 비율이 10 ∼ 55 질량% 인 부분 가수 분해 축합물.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
A partial hydrolysis-condensation product having a fluorine atom content of 10 to 55 mass%.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
수평균 분자량이 500 이상, 10,000 미만인 부분 가수 분해 축합물.
10. The method according to any one of claims 1 to 9,
A partial hydrolysis condensation product having a number average molecular weight of 500 or more and less than 10,000.
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 부분 가수 분해 축합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발잉크제.A foot ink composition comprising the partial hydrolyzed condensate according to any one of claims 1 to 10. 제 11 항에 기재된 발잉크제, 광 경화성을 갖는 알칼리 가용성 수지 또는 알칼리 가용성 단량체 (A), 광 중합 개시제 (B) 및 용매 (D) 를 포함하는 것을 특징으로 하는 네거티브형 감광성 수지 조성물.(A), a photopolymerization initiator (B), and a solvent (D) according to any one of claims 1 to 11, an alkali-soluble resin having photo-curability, or an alkali-soluble monomer. 제 12 항에 있어서,
추가로 가교제 (E) 를 포함하고, 당해 가교제 (E) 가 1 분자 중에 2 개 이상의 에틸렌성 이중 결합을 갖고, 산성기를 갖지 않는 화합물인 네거티브형 감광성 수지 조성물.
13. The method of claim 12,
Wherein the crosslinking agent (E) further comprises a crosslinking agent (E), wherein the crosslinking agent (E) has two or more ethylenic double bonds in one molecule and does not have an acidic group.
제 12 항 또는 제 13 항에 기재된 네거티브형 감광성 수지 조성물을 기판 표면에 도포하고, 노광하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 경화막.A cured film characterized by coating the substrate surface with the negative-working photosensitive resin composition according to claim 12 or 13 and exposing it. 제 14 항에 기재된 경화막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 격벽.A barrier rib comprising the cured film according to claim 14. 복수의 도트와 제 15 항에 기재된 격벽을 구비하는 것을 특징으로 하는 광학 소자.An optical element comprising a plurality of dots and the barrier rib according to claim 15. 제 16 항에 있어서,
상기 격벽이 상기 복수의 도트를 구획하는 격벽, 혹은, 도체 패턴 또는 반도체 패턴의 잉크젯법에 의한 패턴 인쇄용의 격벽인 광학 소자.
17. The method of claim 16,
Wherein the partition is a partition for partitioning the plurality of dots or a partition for pattern printing by a conductive pattern or a semiconductor pattern of an inkjet method.
KR1020147026610A 2012-04-27 2013-04-23 Partial hydrolysis condensation product, ink-repellent agent, negative-type photosensitive resin composition, cured film, partition wall, and optical element KR102021745B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2012-102984 2012-04-27
JP2012102984 2012-04-27
PCT/JP2013/061949 WO2013161829A1 (en) 2012-04-27 2013-04-23 Partial hydrolysis condensation product, ink-repellent agent, negative-type photosensitive resin composition, cured film, partition wall, and optical element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150005524A true KR20150005524A (en) 2015-01-14
KR102021745B1 KR102021745B1 (en) 2019-09-17

Family

ID=49483138

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147026610A KR102021745B1 (en) 2012-04-27 2013-04-23 Partial hydrolysis condensation product, ink-repellent agent, negative-type photosensitive resin composition, cured film, partition wall, and optical element

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6020557B2 (en)
KR (1) KR102021745B1 (en)
CN (1) CN104271642B (en)
TW (1) TWI576667B (en)
WO (1) WO2013161829A1 (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102372956B1 (en) * 2013-12-17 2022-03-10 에이지씨 가부시키가이샤 Negative photosensitive resin composition, resin cured film, partition wall, and optical element
CN106031306B (en) 2014-02-18 2018-05-22 旭硝子株式会社 Negative light-sensitive resin combination, resin cured film, partition wall and optical element
CN106462069B (en) * 2014-04-25 2019-10-18 Agc株式会社 Negative light-sensitive resin combination, partition wall and optical element
JP6647780B2 (en) * 2014-10-27 2020-02-14 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC Organometallic materials and methods
WO2019146680A1 (en) 2018-01-26 2019-08-01 三菱ケミカル株式会社 Photosensitive resin composition, partition wall, organic electroluminescent element, image display device and lighting
WO2019156000A1 (en) * 2018-02-08 2019-08-15 日産化学株式会社 Photosensitive resin composition
JP7156638B2 (en) * 2018-08-28 2022-10-19 株式会社豊田自動織機 Coating agent, resin member and manufacturing method thereof
JP2022551983A (en) 2019-10-18 2022-12-14 モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド Reactive poly(fluoroalkyl-functional siloxane) oligomers, methods for forming same, and compositions using same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080084551A (en) * 2007-03-15 2008-09-19 후지필름 가부시키가이샤 Method of producing photosensitive resin film, transfer material, substrate with pixel separation wall, color filter and production method thereof, and display device
WO2010013816A1 (en) 2008-08-01 2010-02-04 旭硝子株式会社 Negative working photosensitive composition, partition wall for optical element using the nagative working photosensitive composition, and optical element comprising the partition wall
KR20100015446A (en) * 2007-04-10 2010-02-12 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 Coating solution for forming antireflective coating film comprising polysiloxane modified with mercapto group

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5766771A (en) * 1995-03-01 1998-06-16 Robert Bosch Gmbh Elastomers having a friction-reducing coating
JP2002122987A (en) * 2000-10-16 2002-04-26 Kansai Paint Co Ltd Negative photosensitive resin composition, negative photosensitive dry film, material obtained by using the composition and pattern forming method
JP2004277493A (en) * 2003-03-13 2004-10-07 Asahi Glass Co Ltd Silicon-containing resin and photosensitive resin composition
JP4189657B2 (en) * 2003-05-09 2008-12-03 信越化学工業株式会社 Aqueous adhesive composition for elastomer and adhesion method of elastomer
JP2006111734A (en) * 2004-10-15 2006-04-27 Shin Etsu Chem Co Ltd Fluorine-containing organopolysiloxane
CN101415789B (en) * 2006-04-13 2012-08-08 日产化学工业株式会社 Phosphoric ester containing coating fluid and antireflection coatings
CN101481598A (en) * 2008-01-10 2009-07-15 中国科学院化学研究所 Anti-reflection anti-fogging thin film, preparation thereof, special coating solution and use
SI23002A (en) * 2009-03-30 2010-09-30 Kemijski@inštitut Procedure for sol-gel preparation of corrosion protection coatings for solar collectors
JP6201280B2 (en) * 2011-03-30 2017-09-27 東レ株式会社 Method for producing siloxane-based resin composition, cured film using the same, optical article, and method for producing solid-state imaging device
JP2012251035A (en) * 2011-06-01 2012-12-20 Yokohama Rubber Co Ltd:The Curable resin composition

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080084551A (en) * 2007-03-15 2008-09-19 후지필름 가부시키가이샤 Method of producing photosensitive resin film, transfer material, substrate with pixel separation wall, color filter and production method thereof, and display device
KR20100015446A (en) * 2007-04-10 2010-02-12 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 Coating solution for forming antireflective coating film comprising polysiloxane modified with mercapto group
WO2010013816A1 (en) 2008-08-01 2010-02-04 旭硝子株式会社 Negative working photosensitive composition, partition wall for optical element using the nagative working photosensitive composition, and optical element comprising the partition wall

Also Published As

Publication number Publication date
CN104271642B (en) 2016-06-22
WO2013161829A1 (en) 2013-10-31
TWI576667B (en) 2017-04-01
CN104271642A (en) 2015-01-07
JPWO2013161829A1 (en) 2015-12-24
JP6020557B2 (en) 2016-11-02
TW201348883A (en) 2013-12-01
KR102021745B1 (en) 2019-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6398774B2 (en) Negative photosensitive resin composition, cured resin film, partition and optical element
JP6350287B2 (en) Negative photosensitive resin composition, cured resin film, partition and optical element
KR102021745B1 (en) Partial hydrolysis condensation product, ink-repellent agent, negative-type photosensitive resin composition, cured film, partition wall, and optical element
JP6341093B2 (en) Negative photosensitive resin composition, cured resin film, partition and optical element
JP6065915B2 (en) Negative photosensitive resin composition, cured film, partition, and optical element
JP6593331B2 (en) Ink-repellent agent, negative photosensitive resin composition, partition and optical element
JP6136928B2 (en) Negative photosensitive resin composition, method for producing partition wall, and method for producing optical element
WO2015093415A1 (en) Negative photosensitive resin composition, resin cured film, partition wall, and optical element
WO2013058386A1 (en) Method for manufacturing ink-repellent agent, negative-type photosensitive resin composition, partition wall, and optical device
WO2014046210A1 (en) Partial hydrolysis-condensation product and ink repellent agent using same
WO2012132755A1 (en) Negative photosensitive resin composition and coating film
WO2018116914A1 (en) Negative photosensitive resin composition
WO2017033835A1 (en) Negative-type photosensitive resin composition, cured resin film, partition, optical element, and production method therefor
WO2023149406A1 (en) Curable resin composition, resin cured film, partition wall and optical element

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant