KR20150001634A - 이방성 도전 필름, 이를 포함하는 영상 표시 장치 및 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 접속 신뢰성을 높이고 안정적인 접속 저항을 구현할 수 있는 이방성 도전 필름에 관한 것이다.
구체적으로, 상기 이방성 도전 필름은 유리 전이 온도가 200 내지 300 ℃ 인 에폭시 수지, 유리 전이 온도가 130 내지 200 ℃인 에폭시 수지 및 30% K 값이 1000 내지 3000 N/mm2 인 도전 입자를 포함하여, 접속 신뢰성이 우수하고 버블 발생이 낮은 이방성 도전 필름에 관한 것이다.

Description

이방성 도전 필름, 이를 포함하는 영상 표시 장치 및 반도체 장치{Anisotropic conductive film, image display device and semiconductor device comprising the same}
본 발명은 이방성 도전 필름, 이를 포함하는 영상 표시 장치 및 반도체 장치에 관한 것이다.
보다 구체적으로, 본 발명은 유리 전이 온도(Tg)가 상이한 2종의 에폭시 수지와 도전 입자를 포함하고, 높은 접속 신뢰성 및 안정적인 접속 저항을 구현할 수 있는 이방성 도전 필름에 관한 것이다.
이방성 도전 필름(Anisotropic conductive film, ACF)은 일반적으로 니켈(Ni)이나 금(Au) 등의 금속 입자, 또는 그와 같은 금속들로 코팅된 고분자 입자 등의 도전 입자를 에폭시 등의 수지에 분산시킨 필름 형상의 접착제를 말하는 것으로, 필름의 막 두께 방향으로는 도전성을 띠고 면 방향으로는 절연성을 띠는 전기 이방성 및 접착성을 갖는 고분자 막을 의미한다.
이방성 도전 필름은 LCD 모듈에서 LCD 패널, 인쇄회로기판(PCB), 또는 드라이버 IC 회로 등을 패키징 하는 접속 재료로 사용된다. LCD 모듈에서 TFT(thin film transistor) 패턴들을 구동시키기 위해 다수 개의 드라이버 IC(Driver IC)가 실장된다. 드라이버 IC를 LCD 패널에 실장하는 방식은 도전성 와이어를 통해 LCD 패널 전극에 드라이버 IC를 접속하는 방식인 와이어 본딩 방식, 베이스 필름을 이용하여 LCD 패널상의 전극에 드라이버 IC를 실장하는 방식인 TAB(tape automated bonding) 방식 및 소정의 접착제를 사용하여 드라이버 IC를 LCD 패널 상에 직접 실장 하는 방식인 COG(chip on glass) 방식 등으로 분류할 수 있다.
이방성 도전 필름은 상기 COG 실장의 접속 재료로서 주목을 받고 있으며, 폴리이미드 기판에 설계된 배선 패턴과 액정 표시 장치의 유리 기판 상에 설계된 ITO(indium tin oxide) 패턴 또는 전자 부품의 리드 등을 전기적으로 접속하는 곳에 사용되고 있다.
최근 드라이버 IC 및 패널은 두께가 얇아지는 경박 단소화 추세에 있으며, 드라이버 IC 및 패널의 두께가 얇아질수록 열경화시, 열구배가 발생하여 드라이버 IC 와 이방성 도전 필름, 패널간의 글래스 휨 현상이 심해지게 되어 접속 신뢰성이 저하되는 문제가 발생하게 된다. 특히 측면 부위에서의 휨 응력이 가장 크게 발생하며, 신뢰성이 진행됨에 따라 휘었던 글래스가 원복 하고, 응력이 해소되면서 크랙과 들뜸이 발생하게 된다.
구체적으로, 디스플레이 구조에서 드라이버 IC의 전극인 범프와 패널 전극인 ITO가 COG용 이방성 도전 필름의 막 두께 방향으로 접속되고, 면 방향으로 절연되어 실장되는데, 이 때, 고온 고습(85℃, 85% RH)하 조건에서 드라이버 IC의 범프, 이방성 도전 필름의 도전 볼, 패널의 컨덕터의 계면으로의 수분 침투로 인해 들뜸(계면 박리)이 발생하여 전기적 접속 저항 상승 및 접착력 저하가 발생하게 된다.
한편, LCD는 범프와 ITO를 접속시키며 전압 구동성이고, OLED는 범프와 Ti 금속을 접속시키며 전류 구동성(저저항)이다. LCD용 도전 입자는 입자의 변형율이 중요한 인자인 반면, OLED용 도전 입자는 산화막을 뚫고 접속이 되어야 하므로 경도가 중요하다. 종래에는 LCD와 OLED에 모두 사용할 목적으로 도전 입자의 경도가 큰 것을 사용하여 왔는데, 이러한 경우 신뢰성 평가 이후에 전극 간의 스페이스부 및 도전 입자 주위에 버블이 많이 발생하였다.
따라서, LCD와 OLED에 모두 적용되면서 고온, 고습 하에서도 수분 침투로 인한 계면 박리현상이 없어 접속 신뢰성이 우수한 이방성 도전 필름의 개발이 요구되고 있다.
대한민국 공개특허공보 A 제2009-0115520호 (2009.11.05. 공개)
본 발명은 이방성 도전 필름의 신뢰성 평가 후 버블 발생과 접속 저항의 증가율을 낮추어 접속 신뢰성을 높인 이방성 도전 필름을 제공하는 것이다.
구체적으로 본 발명은 이방성 도전 필름을 이용하여 LCD 패널 혹은 OLED 패널에 실장 하는 COG 접속에 있어서, 신뢰성 후 발생하는 전극 간의 스페이스부 및 도전 입자 주위의 버블 발생을 억제하여, 신뢰성 저항을 안정적으로 유지시킬 수 있는 이방성 도전 필름을 제공하는 것이다.
본 발명은 버블 발생을 낮추고, 안정적인 신뢰성 저항을 가지는 이방성 도전 필름을 제공하기 위하여, 2종의 에폭시 수지를 함유하고 하기의 수학식 Ⅰ로 나타나는 30 % K 값이 1000 내지 3000 N/mm2 인 도전 입자를 포함하는 이방성 도전 필름을 제공한다.
[수학식 Ⅰ]
Figure pat00001
(F:입자의 30% 압축변형에 있어서의 하중값(N), S:입자의 30% 압축변형에 있어서의 압축변위(㎜), R:입자의 반경(㎜))
구체적으로, 상기 이방성 도전 필름은 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지; 디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지; 및 도전 입자;를 포함하고, 상기 도전 입자는 30 % K 값이 1000 내지 3000 N/mm2 인, 이방성 도전 필름을 제공한다.
또한, 본 발명은 유리 전이 온도가 130 내지 200 ℃인 에폭시 수지; 유리 전이 온도가 200 내지 300 ℃인 에폭시 수지; 및 도전 입자를 포함하고, 상기 도전 입자는 30 % K 값이 1000 내지 3000 N/mm2 인, 이방성 도전 필름을 제공한다.
또한, 가압착 및 본압착 후, 온도 85℃, 상대습도 85 %의 조건에서 500 시간 동안 방치한 후의 전극 간 스페이스부의 버블 면적이 20% 이하이고, 하기 수학식 Ⅲ의 접속 저항 증가율이 100% 이하인 이방성 도전 필름을 제공한다.
[수학식 Ⅲ]
접속 저항 증가율 (%) = [(R1-R0)/R0]× 100
상기 수학식 Ⅲ에서, 상기 R0은 60 내지 80 ℃, 0.5 내지 2초, 1 내지 3 MPa 조건에서 가압착; 및 190 내지 210℃, 5 내지 10초, 50 내지 80 MPa 조건에서 본압착 후 측정한 접속 저항이며, 상기 R1은 상기 가압착 및 본압착 후, 온도 85 ℃, 상대습도 85 %의 조건에서 500 시간 동안 방치한 후 측정한 접속 저항을 나타낸다.
또한, 드라이버 회로; 액정표시(LCD) 패널; 및 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 필름; 을 포함하는, 액정디스플레이(LCD) 장치 또는 유기발광다이오드 디스플레이(OLED)장치를 제공하며, 상기 이방성 도전 필름에 의해 접속된, 반도체 장치를 제공한다.
본 발명의 이방성 도전 필름은 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지와 내열성과 내습성이 좋은 디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지 및 특정 강도의 도전 입자를 포함하여, 내습성이 우수한 효과를 나타낼 뿐만 아니라, 신뢰성 평가 이후 전극 간 스페이스부 및 도전 입자 주위의 버블 발생과 접속 저항의 증가율을 낮출 수 있다.
본 발명의 이방성 도전 필름은 유리 전이 온도(Tg)가 상이한 2 종의 에폭시 수지를 함유하여 상기 이방성 도전 필름의 용융 점도가 적절히 조절되어, 압착시 필름이 미세 전극 사이 사이에 충분히 고르게 충진되는 효과를 나타낼 수 있다.
또한, 특정 범위 내의 30 % K 값을 가지는 도전 입자를 함유하여 버블 발생과 접속 저항 증가를 최소화시킬 수 있고, 상기 30 % K 값은 통상 OLED 분야에 사용하는 도전 입자의 경도보다 더 낮은 수치이므로, 본 발명의 일 예에 따른 이방성 도전 필름은 OLED나 LCD에 모두 사용할 수 있다.
도 1은 도전 입자의 회복율을 측정하는 방법을 설명하기 위한 것이다.
도 2a는 본 발명의 일 실험예에 따른 신뢰성 후 버블 면적이 20 % 이하인 이방성 도전 필름을 나타낸 것이다.
도 2b는 본 발명의 일 실험예에 따른 신뢰성 후 버블 면적이 20 % 초과인 이방성 도전 필름을 나타낸 것이다.
이하, 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다. 본 명세서에 기재되지 않은 내용은 본 발명의 기술 분야 또는 유사 분야에서 숙련된 자이면 충분히 인식하고 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략한다.
본 발명의 일 예에 따르면, 2종의 에폭시 수지 및 하기 수학식 Ⅰ로 나타나는 30 % K 값이 1000 내지 3000 N/mm2인 도전 입자를 포함하는, 이방성 도전 필름을 제공한다.
본 명세서에서 30 % K 값이란, 미소 압축시험기(예를 들면 시마즈제작소제 PC T-200 등)을 이용해서 입자를 직경 50 ㎛의 다이아몬드제 원주로 이루어지는 평활 압자 단면에서, 압축속도 2.6 mN/초, 최대 시험하중 10 g의 조건하에서 압축했을 경우의 압축변위(mm)를 측정하여 하기 수학식 Ⅰ에 의해 구할 수 있다.
[수학식 Ⅰ]
Figure pat00002
(F:입자의 30% 압축변형에 있어서의 하중값(N), S:입자의 30% 압축변형에 있어서의 압축변위(㎜), R:입자의 반경(㎜))
구체적으로, 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지; 디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지; 및 도전 입자;를 포함하고, 상기 도전 입자는 30 % K 값이 1000 내지 3000 N/mm2인, 이방성 도전 필름일 수 있다.
상기 2종의 에폭시 수지 및 상기 강도를 가지는 도전입자를 포함하여, 신뢰성 후 발생하는 전극 간의 스페이스부의 버블 발생을 억제하고, 신뢰성 저항을 안정적으로 유지시킬 수 있다.
이하 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 필름을 제조하기 위한 조성물에 대해 설명하도록 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 필름은 2종의 에폭시 수지; 바인더 수지; 경화제; 무기 입자; 30 % K 값이 1000 내지 3000 N/mm2이고, 회복율이 50 내지 70 %인 도전입자;를 포함할 수 있다.
a) 2종의 에폭시 수지
에폭시 수지는 유리 전이 온도가 상이한 2종의 에폭시 수지를 사용할 수 있으며, 예를 들어, 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지 및 디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지일 수 있다.
이 외에도 상기 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지 및 디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지와의 상용성에 문제가 되지 않는 한 특별한 제한 없이 그 밖의 에폭시 수지, 예를 들어 다른 종류의 고리 함유 에폭시 수지 등을 추가로 사용할 수 있다.
이하에서, 상기 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지 및 상기 디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지에 대하여 상술한다.
폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지
상기 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지는 예를 들면, 4관능 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지 및 2관능 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택될 수 있다.
예를 들어, 4관능 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지를 1종 이상 포함할 수 있다.
4관능 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지의 예로는 2개 이상의 벤젠 고리가 연속적으로 결합된 에폭시 수지를 포함할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다. 일 실시예로서, 4관능 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지는 하기 화학식 1에서 나타난 바와 같이 리지드(rigid) 구조로 나프탈렌 모이어티(moiety)를 갖는 나프탈렌 4관능 에폭시 모노머로부터 경화된 것일 수 있다. 예를 들어, HP4700(대일본 잉크 화학) 등을 사용할 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00003
2관능 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지는 예를 들어 2개 이상의 벤젠 고리가 연속적으로 결합된 에폭시 수지를 포함할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다. 일 예로, 2관능 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지로는 하기 화학식 2의 구조를 갖는 에폭시 모노머로부터 경화된 것일 수 있다. 예를 들어, 1,6-비스(2,3-에폭시프로폭시)나프탈렌, 1,5-비스(2,3-에폭시프로폭시)나프탈렌 및 2,2'-비스(2,3-에폭시프로폭시)바이나프탈렌으로 이루어진 군으로부터 선택된 에폭시 모노머로부터 경화된 것이다.
[화학식 2]
(Ar)n-Em
상기 화학식 2에서, (Ar)n은 벤젠고리의 개수가 n인 폴리사이클릭 방향족 탄화수소를 나타내고, E는 에폭시기, 글리시딜기, 또는 글리시딜옥시기로부터 선택되고, m은 상기 E의 개수로 1 내지 5일 수 있고, 구체적으로 n은 2 내지 4이고, m은 2일 수 있다.
또한, 상기 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지의 유리 전이 온도는 200 내지 300 ℃일 수 있으며, 구체적으로 205 내지 295 ℃일 수 있고, 보다 구체적으로 220 내지 260 ℃일 수 있다.
이방성 도전 필름 고형분 총 중량에 대하여, 상기 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지를 5 내지 40 중량%로 포함할 수 있고, 구체적으로 5 내지 30 중량%로 포함할 수 있다.
디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지
디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지는 디사이클로 펜타디엔 고리를 함유하는 에폭시 수지라면 특별한 제한 없이 사용할 수 있다.
이 때, 상기 디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지의 유리 전이 온도는 130 내지 200 ℃일 수 있고, 구체적으로 135 내지 195 ℃일 수 있으며, 보다 구체적으로 145 내지 175 ℃일 수 있다.
이방성 도전 필름 고형분 총 중량에 대하여, 상기 디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지를 0.1 내지 30 중량%로 포함할 수 있고, 구체적으로 0.1 내지 20 중량%로 포함할 수 있다.
상기와 같이, 유리 전이 온도가 상이한 상기 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지 및 디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지를 함께 사용하여 용융 점도를 조절하여 내열성 및 내습성을 개선할 뿐만 아니라, 안정적인 접속 저항을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 이방성 도전 필름은 상기 디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 상기 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지를 100 내지 500 중량부로 포함할 수 있고, 구체적으로 100 내지 300 중량부로 포함할 수 있으며, 보다 구체적으로 150 내지 250 중량부로 포함할 수 있다.
상기 범위 내에서 적절한 용융 점도를 나타내어 이방성 도전 필름의 본압착 시, 이방성 도전 접착 조성물이 미세 전극 사이에 충분히 충진될 뿐만 아니라, 신뢰성 후 버블 발생과 접속 저항 증가가 최소화되고, 결과적으로 접속 신뢰성이 향상되는 이점이 있다.
또한, 상기 함량을 가지는 상기 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지 및 디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지의 함량비는 1: 1 내지 5: 1일 수 있고, 구체적으로 1:1 내지 3:1 일 수 있으며, 보다 구체적으로 1.5:1 내지 2.5:1 일 수 있다.
b) 바인더 수지
본 발명의 일 예에서 사용되는 바인더 수지는 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 알려진 것을 사용할 수 있다.
본 발명의 일 예에서 사용 가능한 바인더 수지의 비제한적인 예로는 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 폴리메타크릴레이트 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르우레탄 수지, 폴리비닐 부티랄 수지, 스타이렌-부티렌-스타이렌(SBS) 수지 및 에폭시 변성체, 스타이렌-에틸렌-부틸렌-스타이렌(SEBS) 수지 및 그 변성체, 또는 아크릴로니트릴 부타디엔 고무(NBR) 및 그 수소화체 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있으며, 예를 들어, 페녹시 수지일 수 있다.
상기 바인더 수지는 이방성 도전 필름 고형분 총 중량에 대하여, 5 내지 35 중량%로 포함될 수 있으며, 구체적으로 10 내지 30 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 필름의 우수한 접착력 및 필름 형성력을 얻을 수 있다.
c) 경화제
본 발명의 일 예에서 사용되는 경화제는 바인더 수지 및 상기 2종의 에폭시 수지를 경화시켜 이방성 도전 필름을 형성할 수 있는 것이라면 특별한 제한 없이 사용할 수 있다. 상기 경화제의 비제한적인 예로 설포늄계, 이미다졸계, 이소시아네이트계, 아민계, 아미드계, 페놀계 또는 산무수물계 경화제 등을 사용할 수 있으며, 이들은 단독 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 있다.
상기 경화제는 이방성 도전 필름 고형분 총 중량에 대하여, 5 내지 50 중량%로 포함될 수 있으며, 구체적으로 20 내지 40 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 충분한 경화가 일어나고 상용성이 우수하여 필름 형성이 원활하게 이루어질 수 있다.
d) 무기 입자
본 발명의 일 예에서 무기 입자는 이방성 도전 필름의 접착성과 절연성을 향상시키는 역할을 한다. 상기 무기 입자의 비제한적인 예로, 실리카(silica, SiO2), Al2O3, TiO2, ZnO, MgO, ZrO2, PbO, Bi2O3, MoO3, V2O5, Nb2O5, Ta2O5, WO3 및 In2O3 로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상일 수 있고, 상기 무기 입자의 표면에 유기성 물질이 코팅된 유/무기 혼합형 입자일 수도 있으나, 예를 들어, 실리카 입자를 사용할 수 있다.
상기 실리카 입자의 평균 입경은 1 내지 50 nm 인 실리카 나노 입자일 수 있고, 구체적으로 상기 평균 입경이 1 내지 45 nm일 수 있다.
상기 무기 입자는 이방성 도전 필름 고형분 총 중량에 대하여, 0.1 내지 20 중량%로 포함될 수 있고, 구체적으로 1 내지 10 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 전극에 가해지는 압력이 균일하게 분산될 수 있으며 이방성 도전 필름의 접착성 및 접속 신뢰성을 향상시키는 이점이 있다.
상기와 같이 유리 전이 온도가 상이한 2 종의 에폭시 수지와 무기 입자를 함께 사용하는 경우, 필름의 압착시 압력이 전달되는 이방성 도전 필름의 두께 방향 압력 불균형이 해소되어 전극 간 필름 충진이 보다 원활하게 이루어지는 이점이 있다.
e) 도전 입자
상기 도전 입자의 비제한적인 예로는 Au, Ag, Ni, Cu, Pd, Ti, Cr, 땜납 등을 포함하는 금속 입자; 탄소; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리스타이렌, 폴리비닐알코올 등을 포함하는 수지 및 그 변성 수지를 입자로 하여 Au, Ag, Ni, Cu, Pd, Ti, Cr, 땜납 등을 포함하는 금속으로 도금 코팅한 입자; 그 위에 절연 입자를 추가로 코팅한 절연화 처리된 도전 입자 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용되거나 2 종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.
이 때, 본 발명의 일 예에 따른 도전 입자는 30 % K 값이 1000 내지 3000 N/㎟인 도전 입자일 수 있으며, 구체적으로, 1000 내지 2500 N/㎟인 도전 입자일 수 있다.
상기 범위에서 본딩 시 도전 입자의 깨짐을 감소시켜, 신뢰성 후 IC 범프와 패널 컨덕터 계면의 접촉 면적을 감소시켜 접속 저항을 낮출 수 있으며, 스프링 백(Spring Back) 현상의 감소로 신뢰성 후 버블 발생을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 예에 따른 도전 입자의 회복율은 50 내지 70 %일 수 있고, 구체적으로 50 내지 65 %일 수 있다.
본 명세서에서 도전 입자의 회복율이란, 입자에 힘이 가해진 후 제거되었을 때, 힘이 가해졌을 때의 변위와 제거되었을 때의 변위차를 비율로 표시한 것을 의미한다. 본 발명의 일 예들에 따른 도전 입자의 회복율은 MCT(Shimatsu, W500)기기로 50 mN 힘으로 측정할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 회복율(%)을 측정하는 방법의 비제한적인 예는 다음과 같다 : 도 1을 참조하면, D1은 가압변위, D2는 회복변위, F는 가압힘, T는 본래의 크기를 나타내고, 상기 회복율은 하기 수학식 Ⅱ에 의해 계산될 수 있다.
[수학식 Ⅱ]
회복율(%) = [D2/(D1 + D2)] ×100
상기 수학식 Ⅲ에서 D1은 가압 변위이고, D2는 회복 변위이다.
상기 가압 변위(D1)는 본래의 크기(T)에서 가압힘(F)을 주었을 때의 크기를 뺀 값이다. 상기 회복 변위(D2)는 본래의 크기(T)에서 가압힘(F)을 주고 난 후 복원된 크기를 뺀 값이다.
상기 30 % K 값 및 회복율 범위 내에서 고온 고습 하에서 수지의 수축 또는 팽창이 발생할 경우, 도전볼과의 접촉 면적이 증가하여, 장기 신뢰성이 유리해지며, 스프링 백 현상의 감소로 신뢰성 후 버블 발생을 억제할 수 있다.
상기 도전 입자는 이방성 도전 필름 고형분 총 중량에 대하여, 5 내지 30 중량%로 포함될 수 있으며, 구체적으로 10 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 상기의 범위 내에서 접속 및/또는 절연 불량의 발생을 방지하여 우수한 접속성을 획득할 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 이방성 도전 필름은 상기 필름의 기본적인 물성들을 저해하지 않으면서 필름에 부가적인 물성을 추가로 부여하기 위하여, 전술한 성분들 이외에 중합 방지제, 산화 방지제, 열안정제, 경화 촉진제, 커플링제 등의 기타 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 이들 기타 첨가제의 첨가량은 필름의 용도나 목적하는 효과 등에 따라 다양할 수 있으며, 그 바람직한 함량은 특별히 제한되지 아니하고 당해 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 널리 알려져 있다.
또한, 본 발명의 일 예에 따른 이방성 도전 필름은 하기 수학식 Ⅲ의 접속 저항 증가율이 100% 이하일 수 있다.
[수학식 Ⅲ]
접속 저항 증가율 (%) = [(R1-R0)/R0]× 100
상기 수학식 Ⅲ에서, 상기 R0은 60 내지 80 ℃, 0.5 내지 2초, 1 내지 3 MPa 조건에서 가압착; 및 190 내지 210 ℃, 5 내지 10초, 50 내지 80 MPa 조건에서 본압착 후 측정한 접속 저항이며, 상기 R1은 상기 가압착 및 본압착 후, 온도 85 ℃, 상대습도 85 %의 조건에서 500 시간 동안 방치한 후 측정한 접속 저항을 나타낸다.
구체적으로, 상기 R1은 4 Ω 이하일 수 있다. 상기 범위 내에서 상기 이방성 도전 필름으로 접속한 반도체 장치를 고온 및/또는 고습 조건하에서도 장기간 사용할 수 있는 이점이 있다.
상기 접속 저항을 측정하는 방법은 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 방법을 사용할 수 있다. 상기 접속 저항을 측정하는 비제한적인 예로는 이방성 도전 필름 각각을 상온(25 ℃)에서 1 시간 동안 방치시킨 후, 0.5 t 글래스에 ITO 층을 1,000 Å으로 피막한, 패턴 없는 글래스에 4 단자 측정 가능한 패턴을 형성한 COF(삼성전자)를 이용하여 실측 온도 70 ℃에서 1초, 1 MPa 의 가압착 조건과, 200 ℃, 5초, 70 MPa의 본압착 조건으로 접속하여 상기 각각의 시편을 10개씩 준비하고, 이들 각각을 4 단자 측정 방법으로 초기 접속 저항을 측정(ASTM F43-64T 방법에 준함)하여 평균값을 계산한다.
또한, 본 발명의 일 예에 따른 이방성 도전 필름은 60 내지 80 ℃, 0.5 내지 2초, 1 내지 3 MPa 조건에서 가압착; 및 190 내지 210 ℃, 5 내지 10초, 50 내지 80 MPa 조건에서 본압착 후, 온도 85 ℃, 상대습도 85 %의 조건에서 500 시간 동안 방치한 후의 전극 간 버블 면적이 20% 이하일 수 있다.
상기 버블 면적이 20% 이하라 함은, 수치적으로 0 및 그 미만의 음의 값을 포함하는 의미는 아니며, 상기 버블 면적의 하한은 0에 근접한 정도의 양의 값을 의미하는 것으로 해석한다.
상기 버블 면적의 측정 방법은 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 방법을 사용할 수 있다. 상기 버블 면적 측정 방법의 비제한적인 예로는 상기 필름 조성물이 충진된 전극 간 스페이스 부를 현미경으로 관찰(또는 사진 촬영)하여 이미지 아날라이져 또는 눈금 격좌표 등을 이용하여 버블 면적을 계산할 수 있다.
신뢰성 버블 면적이 20% 이하인 이방성 도전 필름의 경우, 이를 활용하여 접속한 반도체 장치를 고온 및/또는 고습 조건하에서도 접속 신뢰성을 유지하면서 장기간 사용할 수 있는 이점이 있다.
또한, 상기 버블 면적 범위 내에서 접속 신뢰성이 우수하고 버블 발생이 적어, LCD 및 OLED에 모두 사용가능한 이점이 있다.
본 발명의 일 예에 따른 이방성 도전 필름을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 방법을 사용할 수 있다.
이방성 도전 필름을 형성하는 방법은 특별한 장치나 설비가 필요하지 아니하며, 바인더 수지를 유기 용제에 용해시켜 액상화한 후 나머지 성분을 첨가하여 일정 시간 교반하고, 이를 이형 필름 위에 적당한 두께, 예를 들어 10 내지 50 ㎛의 두께로 도포한 다음, 일정 시간 건조하여 유기 용제를 휘발시킴으로써 이방성 도전 필름을 얻을 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 예에 따르면, 드라이버 회로; 액정표시(LCD) 패널; 및 상기 이방성 도전 필름;을 포함하는, 액정디스플레이(LCD) 장치일 수 있고, 드라이버회로; 유기 발광 다이오드(OLED)패널; 및 상기 이방성 도전 필름;을 포함하는, 유기발광다이오드 디스플레이(OLED)장치일 수 있다.
LCD용 도전입자는 입자의 변형율이 중요하고, OLED 도전입자는 경도가 중요하다. 종래에는 LDC와 OLED에 모두 사용할 목적으로 경도가 큰 도전입자를 사용하였는데, 이 경우 신뢰성 평가 이후 버블이 많이 발생하였다. 따라서, 본 발명의 일 예에 따른 이방성 도전 필름을 이용하여, 고온, 고습 하에서의 수분 침투로 인한 계면 박리현상을 개선하여 신뢰성 평가 이후 접속 저항이 낮으면서도 버블 발생이 적은 이방성 도전 필름을 제공하여 LCD 및 OLED 모두에 적용 가능한 이점이 있다.
본 발명의 또 다른 일 예에 따르면, 본 발명의 일 예에 따른 이방성 도전 필름으로 접속된 반도체 장치일 수 있다. 예를 들면, 상기 반도체 장치는 배선 기판; 상기 배선 기판의 칩 탑재면에 부착되어 있는 이방성 도전 필름; 및 상기 필름상에 탑재된 반도체 칩을 포함할 수 있다.
상기 배선 기판, 반도체 칩은 특별히 한정되지 아니하며, 당해 기술 분야에서 알려진 것을 사용할 수 있다. 상기 배선 기판에는 ITO 또는 금속 배선에 의해 회로 또는 전극들이 형성될 수 있으며, 상기 회로 또는 전극들과 대응되는 위치에 본 발명의 실시예들에 따른 이방성 도전 필름을 이용하여 IC 칩 등이 탑재될 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 아니하며, 당해 기술 분야에서 알려진 방법으로 수행될 수 있다.
이하, 실시예, 비교예 및 실험예를 기술함으로써 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 다만, 하기의 실시예, 비교예 및 실험예는 본 발명의 일 예시에 불과하며, 본 발명의 내용이 이에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.
실시예 및 비교예
하기의 표 1과 같은 조성과 함량으로 이방성 도전 필름 조성물을 제조하였다. 각 실시예 및 비교예의 도전입자의 30 % K 값과 회복율을 하기의 표 2에 나타내었다.
실시예1 실시예2 실시예3 비교예1 비교예2 비교예3 비교예4 비교예5
페녹시 수지 20 20 20 20 20 20 20 20
폴리사이클릭 방향족 고리 함유
에폭시[A]		 Tg: 245℃ 20 20 20 20 20 20 20 -
디사이클로 펜타디엔
고리함유 에폭시[B]		 Tg:157℃ 10 10 10 10 10 10 - 20
비스페놀 F
에폭시 수지[C]		 Tg : 110 ℃ - - - - - - 10 10
경화제 30 30 30 30 30 30 30 30
나노 실리카 5 5 5 5 5 5 5 5
도전 입자 15 15 15 15 15 15 15 15
Total 100 100 100 100 100 100 100 100
실시예1 실시예2 실시예3 비교예1 비교예2 비교예3 비교예4 비교예5
30% K 값
(N/mm2)		 1300 1600 2100 500 900 4000 1300 1300
회복율(%) 60 50 60 30 60 60 60 60
실시예 1
이방성 도전 필름 조성물의 제조
상기 이방성 도전 필름 고형분 총 중량에 대하여 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지(Tg: 245 ℃, HP4032D, 대일본 잉크화학) 20 중량%;
디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지(Tg: 157℃, HP7200L, 대일본잉크화학) 10 중량%;
페녹시 수지(YP50, 신일본제철) 20 중량%;
경화제(HX-3922, 아사히카세이) 30 중량%;
실리카 나노 입자(R812, 데구사) 5 중량%; 및
도전 입자(AUL704, 세키수이화학) 15 중량%; 를 혼합하여 이방성 도전 필름 조성물을 제조하였다.
(상기 도전 입자는 30% K 값이 1300 N/㎟ 이고 회복율이 60 %인 도전 입자임.)
이방성 도전 필름의 제조
상기 필름 조성물을 도전 입자가 분쇄되지 않는 속도 범위 내에서 상온(25℃)에서 60 분간 교반하였다. 상기 조합액을 실리콘 이형 표면 처리된 폴리에틸렌 기재 필름에 35 ㎛의 두께의 필름으로 형성시켰으며, 필름 형성을 위해서 캐스팅 나이프(Casting knife)를 사용하였다. 필름의 건조 시간은 60℃에서 5분으로 하였다.
실시예 2
상기 실시예 1에 있어서, 도전 입자의 30% K 값을 1600 N/㎟ 및 도전 입자의 회복율 50 %인 도전 입자를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 조건 및 방법으로 이방성 도전 필름을 제조하였다.
실시예 3
상기 실시예 1에 있어서, 도전 입자의 30% K 값을 2100 N/㎟ 및 도전 입자의 회복율 60 %인 도전입자를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 조건 및 방법으로 이방성 도전 필름을 제조하였다.
비교예 1
상기 실시예 1에 있어서, 도전 입자의 30% K 값을 500 N/㎟ 및 도전 입자의 회복율 30 %인 도전입자를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 조건 및 방법으로 이방성 도전 필름을 제조하였다.
비교예 2
상기 실시예 1에 있어서, 도전 입자의 30% K 값을 900 N/㎟ 및 도전 입자의 회복율 60 %인 도전입자를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 조건 및 방법으로 이방성 도전 필름을 제조하였다.
비교예 3
상기 실시예 1에 있어서, 도전 입자의 30% K 값을 4000 N/㎟ 및 도전 입자의 회복율 60 %인 도전입자를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 조건 및 방법으로 이방성 도전 필름을 제조하였다.
비교예 4
상기 실시예 1에 있어서, 상기 이방성 도전 필름 고형분 총 중량에 대하여, 디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지 대신 비스페놀 F 에폭시 수지(Tg: 110 ℃, YDF170, 국도화학)를 10 중량%로 혼합하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 조건 및 방법으로 이방성 도전 필름을 제조하였다.
비교예 5
상기 실시예 1에 있어서, 상기 이방성 도전 필름 고형분 총 중량에 대하여, 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지 대신 비스페놀 F 에폭시 수지를 10 중량%로, 디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지를 20 중량%로 혼합하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 조건 및 방법으로 이방성 도전 필름을 제조하였다.
실험예 1: 초기 및 신뢰성 접속 저항의 측정
상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 5의 이방성 도전 필름의 초기 및 신뢰성 접속 저항을 측정하기 위하여, 상기 이방성 도전 필름 각각을 상온(25℃)에서 1 시간 동안 방치시킨 후, 0.5 t 글래스에 ITO층을 1000Å 으로 피막한, 패턴 없는 글래스에 4 단자 측정 가능한 패턴을 형성한 COF(삼성전자)를 이용하여 실측 온도 70 ℃에서 1초, 1 MPa의 가압착 조건과, 200℃, 5초, 70 MPa의 본압착 조건으로 접속하여 상기 각각의 시편을 10개씩 준비하고, 이들 각각을 4 단자 측정 방법으로 초기 접속 저항을 측정(ASTM F43-64T 방법에 준함)하여 평균값을 계산하였다.
상기 각각의 10개씩의 시편을, 온도 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건하에서 500 시간 동안 방치하여 고온ㆍ고습 신뢰성 평가를 진행한 후, 이들 각각의 신뢰성 접속 저항을 측정(ASTM D117에 준함)하여 평균값을 계산하였다.
실험예 2: 초기 및 신뢰성 버블 발생 측정
상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 5의 이방성 도전 필름의 초기 및 신뢰성 버블 면적을 측정하기 위하여, 상기 이방성 도전 필름 각각을 상온(25℃)에서 1 시간 동안 방치시킨 후, 0.5 t 글래스에 ITO층을 1000Å으로 피막한, 패턴 없는 글래스에 4 단자 측정 가능한 패턴을 형성한 COF(삼성전자)를 이용하여 실측 온도 70℃에서 1초, 1 MPa의 가압착 조건과, 200℃, 5초, 70 MPa의 본압착 조건으로 접속하여 상기 각각의 시편을 10개씩 준비하고, 이를 광학 현미경을 이용하여 10 군데의 사진을 찍은 후 이미지 아날라이져를 이용하여 전극 간 스페이스부의 버블 면적을 측정하여 평균값을 계산하였다.
상기 각각의 10개씩의 시편을, 온도 85℃ 및 상대 습도 85 %의 조건하에서 500 시간 동안 방치하여 고온ㆍ고습 신뢰성 평가를 진행한 후, 상기와 동일한 방법으로 버블 면적을 측정하여 평균값을 계산하였다.
상기 실험예 1 및 2의 측정 결과를 하기의 표 3 에 나타낸다.
실시예1 실시예2 실시예3 비교예1 비교예2 비교예3 비교예4 비교예5
　초기 접속 저항 (R0)(Ω) 0.06 0.05 0.06 0.08 0.06 0.04 0.06 0.05
신뢰성 후
[85℃ × 85%, 500Hr]		 접속 저항 (R1)(Ω) 3.1 3.5 3.6 35.6 19.6 26.8 117 92.6
버블평가 O O O O O X X X
종합
결과		 저항 OK OK OK NG NG NG NG NG
버블 OK OK OK OK OK NG NG NG
(상기 표 3에서, 신뢰성 후 버블 항목에서 각 기호는 버블 발생 면적을 나타낸다. O : 0% ~ 20% 이하의 버블 발생 면적, △: 20% 초과 ~50% 이하의 버블 발생 면적, X : 50% 초과 ~100% 이하의 버블 발생 면적)
상기 표 3에 나타난 바와 같이, 실시예 1 내지 3의 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지 및 디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지를 함께 함유하고, 30% K 값이 1000 내지 3000 N/㎟ 인 도전 입자를 포함 하는 이방성 도전 필름의 경우, 신뢰성 후 접속 저항 및 버블 발생이 모두 우수하였다(도 2a 참조).
반면, 비교예 1 및 2의 경우와 같이, 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 및 디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시를 모두 포함하나, 도전 입자의 30 % k 값이 1000 내지 3000 N/㎟을 만족하지 않는 경우, 버블 면적은 20 % 이하이나, 신뢰성 후 접속저항이 모두 4 Ω이상임이 확인되었고, 비교예 3과 같이 30 % k 값이 3000 N/㎟ 을 초과하는 경우, 신뢰성 후 접속 저항 및 버블 측면 모두에서 효과가 좋지 않음을 확인하였다(도 2b 참조).
비교예 4의 디사이클로 펜타디엔 대신 유리 전이 온도가 110℃ 인 비스페놀 F 에폭시 수지를 사용하는 경우 및 비교예 5의 경우와 같이, 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지 대신 유리 전이 온도가 110℃ 인 비스페놀 F 에폭시 수지를 사용하는 경우, 도전 입자의 30% K 값이 1000 내지 3000 N/㎟ 범위 및 회복율 50 내지 70 %를 만족하더라도, 접속 저항 및 버블 발생 측면에서 우수한 효과를 나타내지 못하는 것으로 확인되었다(도 2b 참조).
따라서, 실시예 1 내지 3의 경우와 같이, 유리 전이 온도가 상이한 2종의 에폭시 수지를 포함하고, 상기 도전 입자의 30 % K 값을 모두 만족하는 경우, 신뢰성 저항이 안정적이고 버블 발생을 최소화 시킬 수 있어, LCD 및 OLED 모두에 적용가능한 이방성 도전 필름을 제조할 수 있음을 확인하였다.
이상으로 본 발명의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시예일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.

Claims (22)

  1. 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지;
    디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지; 및
    도전 입자;를 포함하고,
    상기 도전 입자는 하기의 수학식 Ⅰ로 나타나는 30% K 값이 1000 내지 3000 N/㎟ 인, 이방성 도전 필름.
    [수학식 Ⅰ]
    Figure pat00004

    (F:입자의 30% 압축변형에 있어서의 하중값(N), S:입자의 30% 압축변형에 있어서의 압축변위(㎜), R:입자의 반경(㎜))
  2. 제1항에 있어서, 상기 디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 상기 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지를 100 내지 500 중량부로 포함하는, 이방성 도전 필름.
  3. 제1항에 있어서, 상기 디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지의 유리 전이 온도가 130 내지 200 ℃이고, 상기 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지의 유리 전이 온도는 200 내지 300 ℃인, 이방성 도전 필름.
  4. 제1항에 있어서, 바인더 수지, 경화제 및 무기 입자를 추가로 포함하는, 이방성 도전 필름.
  5. 제4항에 있어서, 상기 이방성 도전 필름 고형분 총 중량에 대하여
    폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지 5 내지 40 중량%;
    디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지 0.1 내지 30 중량%;
    바인더 수지 5 내지 35 중량%;
    경화제 5 내지 50 중량%;
    무기 입자 0.1 내지 20 중량%; 및
    도전 입자 5 내지 30 중량%;를 포함하는, 이방성 도전 필름.
  6. 유리 전이 온도가 130 내지 200 ℃인 에폭시 수지;
    유리 전이 온도가 200 내지 300 ℃인 에폭시 수지; 및
    도전 입자;를 포함하고,
    상기 도전 입자는 하기의 수학식 Ⅰ로 나타나는 30% K 값이 1000 내지 3000 N/㎟ 인, 이방성 도전 필름.
    [수학식 Ⅰ]
    Figure pat00005

    (F:입자의 30% 압축변형에 있어서의 하중값(N), S:입자의 30% 압축변형에 있어서의 압축변위(㎜), R:입자의 반경(㎜))
  7. 제6항에 있어서, 상기 유리 전이 온도가 130 내지 200 ℃인 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 상기 유리 전이 온도가 200 내지 300 ℃인 에폭시 수지를 100 내지 500 중량부로 포함하는, 이방성 도전 필름.
  8. 제6항에 있어서, 상기 유리 전이 온도가 130 내지 200 ℃인 에폭시 수지는 디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지이고, 상기 유리 전이 온도가 200 내지 300 ℃인 에폭시 수지는 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지인, 이방성 도전 필름.
  9. 제6항에 있어서, 바인더 수지, 경화제 및 무기 입자를 추가로 포함하는, 이방성 도전 필름.
  10. 제9항에 있어서, 상기 이방성 도전 필름 고형분 총 중량에 대하여
    유리 전이 온도가 130 내지 200 ℃인 에폭시 수지 0.1 내지 30 중량%;
    유리 전이 온도가 200 내지 300 ℃인 에폭시 수지 5 내지 40 중량%;
    바인더 수지 5 내지 35 중량%;
    경화제 5 내지 50 중량%;
    무기 입자 0.1 내지 20 중량%; 및
    도전 입자 5 내지 30 중량%;를 포함하는, 이방성 도전 필름.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 하나의 항에 있어서, 하기 수학식 Ⅲ의 접속 저항 증가율이 100% 이하인 이방성 도전 필름;
    [수학식 Ⅲ]
    접속 저항 증가율 (%) = [(R1-R0)/R0]× 100
    상기 수학식 Ⅲ에서, 상기 R0은 60 내지 80 ℃, 0.5 내지 2초, 1 내지 3 MPa 조건에서 가압착; 및 190 내지 210 ℃, 5 내지 10초, 50 내지 80 MPa 조건에서 본압착 후 측정한 접속 저항이며, 상기 R1은 상기 가압착 및 본압착 후, 온도 85 ℃, 상대습도 85 %의 조건에서 500 시간 동안 방치한 후 접속 저항을 나타낸다.
  12. 제11항에 있어서, 상기 R0 측정과 동일한 조건에서 가압착 및 본압착 후, 온도 85 ℃, 상대습도 85 %의 조건에서 500 시간 동안 방치한 후의 전극 간 스페이스부의 버블 면적이 20% 이하인, 이방성 도전 필름.
  13. 하기 R0 측정과 동일한 조건에서 가압착 및 본압착 후, 온도 85℃, 상대습도 85 %에서 500 시간 동안 방치한 후 측정한 전극 간 스페이스부의 버블 면적이 20% 이하이고, 하기 수학식 Ⅲ의 접속 저항 증가율이 100% 이하인 이방성 도전 필름.
    [수학식 Ⅲ]
    접속 저항 증가율 (%) = [(R1-R0)/R0]× 100
    상기 수학식 Ⅲ에서, 상기 R0은 60 내지 80 ℃, 0.5 내지 2초, 1 내지 3 MPa 조건에서 가압착; 및 190 내지 210℃, 5 내지 10초, 50 내지 80 MPa 조건에서 본압착 후 측정한 접속 저항이며, 상기 R1은 상기 가압착 및 본압착 후, 온도 85 ℃, 상대습도 85 %에서 500 시간 동안 방치한 후 측정한 접속 저항을 나타낸다.
  14. 제13항에 있어서, 상기 R1은 4 Ω 이하인, 이방성 도전 필름.
  15. 제13항에 있어서, 상기 이방성 도전 필름 고형분 총 중량에 대하여
    폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지 5 내지 40 중량%;
    디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지 0.1 내지 30 중량%;
    바인더 수지 5 내지 35 중량%;
    경화제 5 내지 50 중량%;
    무기 입자 0.1 내지 20 중량%; 및
    도전 입자 5 내지 30 중량%;를 포함하는, 이방성 도전 필름.
  16. 제13항에 있어서, 상기 도전 입자는 하기의 수학식 Ⅰ로 나타나는 30 % K 값이 1000 내지 3000 N/㎟인, 이방성 도전 필름.
    [수학식 Ⅰ]
    Figure pat00006

    (F:입자의 30% 압축변형에 있어서의 하중값(N), S:입자의 30% 압축변형에 있어서의 압축변위(㎜), R:입자의 반경(㎜))
  17. 제13항에 있어서, 상기 디사이클로 펜타디엔 고리 함유 에폭시 수지의 유리 전이 온도가 130 내지 200 ℃이고, 상기 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지의 유리 전이 온도는 200 내지 300 ℃인, 이방성 도전 필름.
  18. 제1항 내지 제10항, 제13항 내지 제17항 중 어느 하나의 항에 있어서, 하기의 수학식 Ⅱ로 나타나는 상기 도전 입자의 회복율이 50 내지 70 %인, 이방성 도전 필름.
    [수학식 Ⅱ]
    회복율(%) = [D2/(D1 + D2)] ×100
    상기 수학식 Ⅲ에서, D1은 가압 변위이고, D2는 회복 변위이다.
  19. 제1항 내지 제10항, 제13항 내지 제17항 중 어느 하나의 항의 이방성 도전 필름은 COG(chip on glass) 실장 방식에 사용되는 것인, 이방성 도전 필름.
  20. 드라이버 회로;
    액정표시(LCD) 패널; 및
    제1항 내지 제10항, 제13항 내지 제17항 중 어느 하나의 항의 이방성 도전 필름;을 포함하는, 액정디스플레이(LCD) 장치.
  21. 드라이버회로;
    유기 발광 다이오드(OLED)패널; 및
    제1항 내지 제10항, 제13항 내지 제17항 중 어느 하나의 항의 이방성 도전 필름;을 포함하는, 유기발광다이오드 디스플레이(OLED)장치.
  22. 제1항 내지 제10항, 제13항 내지 제17항 중 어느 하나의 항의 이방성 도전 필름에 의해 접속된, 반도체 장치.
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