KR20150001019A - Organic Light Emitting Diode Display Device capable of bending bezel area thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a flexible organic light emitting diode display device capable of reducing a bezel region by bending a wiring region of the display device. The flexible organic light emitting diode display device according to the present invention includes a flexible substrate which includes a display region and the wiring region, an atom buffer layer which is formed on the wiring region and the display region of the flexible substrate, a first insulation layer which is formed on the atom buffer layer of the display region and the wiring region, and a plurality of routing wires which are formed on the atom buffer layer or the first insulation layer of the wiring region and are connected to the signal lines of the display region.

Description

플렉서블 유기 발광 다이오드 표시장치{Organic Light Emitting Diode Display Device capable of bending bezel area thereof}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a flexible organic light emitting diode (OLED) display device,

본 발명은 유기 발광 다이오드 표시장치에 관한 것으로, 특히 표시장치의 배선영역을 구부려 베젤영역을 줄일 수 있는 플렉서블 유기 발광 다이오드(flexibel Organic Light Emitting Diode, OLED) 표시장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device, and more particularly to a flexible organic light emitting diode (OLED) display device capable of reducing a bezel area by bending a wiring region of a display device.

최근, 평판 디스플레이 시장은 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD)와 OLED 표시장치가 주류를 이루고 있다. 이 중 OLED 표시장치는 LCD와 다르게 자발광소자로서, LCD에 사용되는 백라이트가 필요하지 않고, 경량 박형이 가능해 점차 시장을 넓혀가고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, the flat panel display market is mainly comprised of a liquid crystal display (LCD) and an OLED display. Of these, OLED display devices are self-luminous devices unlike LCDs, and do not require a backlight used in LCDs. Lightweight thin type OLED display devices are gradually expanding the market.

또한, 최근에는 플렉서블(flexible) 플라스틱이나 메탈 호일(metal hoil)과 같이 유연성 있는 재료를 기판으로 사용하여 종이처럼 휘어져도 표시성능을 그대로 유지할 수 있게 제조된 플렉서블(flexible) OLED 표시장치가 차세대 평판표시장치로 급부상중이다.In recent years, flexible OLED display devices, which are manufactured using a flexible material such as flexible plastic or metal hoil as a substrate to maintain the display performance even when bent like paper, It is emerging as a device.

이 플렉서블 OLED 표시장치의 기판은 경량이고, 내충격성이 우수하며 저렴한 장점을 갖는 반면, 외부로부터 수분 또는 산소의 침투가 용이한 단점이 있다.The substrate of this flexible OLED display device is lightweight, has excellent impact resistance and is inexpensive, but has a disadvantage that moisture or oxygen can easily penetrate from the outside.

이와 같은 이유로, 플렉서블 OLED 표시장치는 적어도 3층으로 이뤄진 보호필름(13)을 포함해 구성된다.For this reason, the flexible OLED display device is composed of a protective film 13 consisting of at least three layers.

이하, 도 1a 및 도 1b를 참조하여, 종래의 플렉서블 OLED 표시장치에 대해 상세히 설명하기로 한다. 도 1a는 종래의 플렉서블 OLED 표시장치을 개략적으로 도시한 단면도이고 도 1b는 종래의 터치센서를 구비하는 OLED표시장치에 관한 것으로, 도 1a의 OLED 표시장치에 적용된 터치 센서를 도시한 단면도이다.Hereinafter, a conventional flexible OLED display device will be described in detail with reference to FIGS. 1A and 1B. FIG. 1A is a cross-sectional view schematically illustrating a conventional flexible OLED display, FIG. 1B is a cross-sectional view illustrating a touch sensor applied to the OLED display of FIG. 1A, and FIG.

도 1a를 참조하면, 플렉서블 OLED 표시장치는 데이터 라인들, 게이트 라인들 및 박막 트랜지스터 등의 표시소자가 형성된 박막 트랜지스터(TFT) 기판(10)과, TFT 기판(10) 상에 형성되는 유기 발광다이오드(OLED)(11)와, TFT 기판(10)과 OLED(11)를 인캡슐레이트하는 보호막(13)을 포함한다.1A, a flexible OLED display device includes a thin film transistor (TFT) substrate 10 on which display elements such as data lines, gate lines, and thin film transistors are formed, and an organic light emitting diode (OLED) 11, and a protective film 13 encapsulating the TFT substrate 10 and the OLED 11.

보호막(13)은 외부로부터 산소 및 수분이 OLED 내부로 침투하는 것을 방지하는 구성이다. 일반적으로 보호막(13)은 2층의 무기 보호막(13a, 13c)과, 2층의 무기 보호막(13a, 13c) 사이에 배치되는 1층의 유기 보호막(13b)으로 이뤄진다. 무기 보호막(13a, 13c)은 산소 및 수분의 침투를 방지하는데 있어 유기 보호막(13b)보다 적합하며, 유기 보호막(13b)은 무기 보호막(13a, 13c)의 내충격성을 보완하는 역할을 한다. The protective film 13 prevents the penetration of oxygen and moisture from the outside into the OLED. In general, the protective film 13 is composed of two layers of the inorganic protective films 13a and 13c and one layer of the organic protective film 13b disposed between the two inorganic protective films 13a and 13c. The inorganic protective films 13a and 13c are more suitable for preventing penetration of oxygen and moisture than the organic protective film 13b and the organic protective film 13b serves to compensate the impact resistance of the inorganic protective films 13a and 13c.

여기에서, 무기 보호막(13a, 13c)은 실리콘산화막(SiO2), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 산화질화막(SiON), 알루미늄 산화물(AlOx), 질화알루미늄(AlNx), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnOx) 등으로 이뤄지며, 유기 보호막은 모노머(monomer) 또는 고분자 박막이 사용되는데, 모노머로는 아크릴레이트 모노머(acrylate monomer), 페닐아세틸렌(phenylacetylene), 디아민(diamine) 및 디안하이드라이드(dianhydride), 실록산(siloxane), 실란(silane), 파릴렌(parylene) 등이 사용된다. 고분자 박막으로는 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene)과 같은 올레핀계 폴리머, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 플루오로수지(fluororesin), 폴리실록산(polysiloxane) 등이 사용된다.Here, the inorganic protection film (13a, 13c) is a silicon oxide film (SiO 2), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride film (SiON), aluminum oxide (AlOx), aluminum nitride (AlNx), titanium oxide (TiO 2) And zinc oxide (ZnOx). The organic protective film may be a monomer or a polymer thin film. Examples of the monomer include acrylate monomer, phenylacetylene, diamine and dianhydride dianhydride, siloxane, silane, parylene and the like are used. As the polymer thin film, an olefin polymer such as polyethylene or polypropylene, polyethylene terephthalate (PET), fluororesin, or polysiloxane is used.

플렉서블 OLED는 이처럼 구성된 3층 구조의 보호막(13)을 통해 외부로부터 수분 및 산소가 OLED(11) 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있다.The flexible OLED can prevent moisture and oxygen from penetrating into the OLED 11 from the outside through the protective film 13 having such a three-layer structure.

도 1a에서, 미설명부호 14는 반사방지막으로, 일반적으로 선편광필름 및 원편광필름이 적층된 구조를 이루고 있으며, 15는 윈도우 커버(window cover)이고, 18은 TFT 기판(10)과 윈도우 커버(15) 사이에 형성되어 내부를 밀봉하기 위한 실런트(sealant)이며, DP는 표시패널을 나타낸다.1A, reference numeral 14 denotes an antireflection film, which generally has a structure in which a linear polarizing film and a circularly polarizing film are laminated. Reference numeral 15 denotes a window cover. Reference numeral 18 denotes a TFT substrate 10 and a window cover 15 and sealing the inside thereof, and DP denotes a display panel.

도 1b를 참조하면, 플렉서블 OLED 표시장치는 윈도우 커버(W)와 표시패널 사이에 형성되는 터치 센서를 포함한다. Referring to FIG. 1B, the flexible OLED display includes a touch sensor formed between a window cover W and a display panel.

터치 센서는 일반적으로 터치된 부분을 감지하는 방식에 따라, 상판 또는 하판에 금속 전극을 형성하여 직류전압을 인가한 상태에서 터치된 위치를 저항에 따른 전압 구배(voltage gradient)로 판단하는 저항막 방식(resistive type), 도전막에 등전위를 형성하고 터치에 따른 상하판의 전압 변화가 일어난 위치를 감지하여 터치된 부분을 감지하는 정전용량 방식(capacitive type), 전자펜이 도전막을 터치함에 따라 유도되는 LC값을 읽어들여 터치된 부분을 감지하는 전자 유도 방식(electromagnetic type) 등으로 구별될 수 있으며, 그 외에도 광학 방식, 초음파 방식 등이 알려져 있다. A touch sensor is a resistance film type in which a metal electrode is formed on a top plate or a bottom plate in accordance with a method of sensing a touched portion and a touched position is judged as a voltage gradient according to a resistance in a state in which a DC voltage is applied a resistive type, a capacitive type in which an equal potential is formed on a conductive film and a touched portion is sensed by sensing a position where voltage changes of the upper and lower plates due to the touch are sensed, And an electromagnetic type in which the LC value is read to detect the touched portion. In addition, an optical method, an ultrasonic method, and the like are known.

이 중 요즘 시장에서 가장 많이 사용되는 정전용량 방식은 X축 전극패턴들과 Y축 전극패턴들을 교차시켜 매트릭스를 형성하고, 매트릭스 상의 임의의 위치에서 터치가 이루어지는 경우, 정전용량이 변화되는 매트릭스 상의 X축과 Y축의 좌표를 찾아내어 터치 위치를 검출하므로 접촉력이 작은 경우에도 터치위치를 감지할 수 있는 이점이 있다.The most widely used capacitive method in the market today is to form a matrix by crossing the X-axis electrode patterns and the Y-axis electrode patterns, and when a touch is made at an arbitrary position on the matrix, Axis and Y-axis are detected and the touch position is detected, there is an advantage that the touch position can be detected even when the contact force is small.

도 1b의 플렉서블 OLED에 적용된 터치 센서는 정정용량 방식 터치 센서이다.The touch sensor applied to the flexible OLED of Fig. 1B is a capacitive touch sensor.

도 1b를 참조하면, 터치 센서는 투명 기판(20) 상의 일면에 서로 나란하게 형성되는 복수의 터치 구동 전극들(Tx)과, 투명 기판(20)의 타면 상에 형성되며, 복수의 터치 구동전극들(Tx)과 교차하는 방향으로 나란하게 형성되는 복수의 터치 센싱 전극들(Rx)을 포함한다. 이와 같이 형성된 터치 센서의 상면(터치 센싱 전극들(RX)이 형성된 면)에는 제 1 접착제(A1)에 의해 윈도우 커버(W)가 부착되고, 터치 센서의 하면(터치 구동 전극들(.Tx)이 형성된 면)에는 제 2 접착제(A2)에 의해 표시장치(DP)가 부착된다.1B, the touch sensor includes a plurality of touch driving electrodes Tx formed on one surface of a transparent substrate 20 in parallel with each other, a plurality of touch driving electrodes Tx formed on the other surface of the transparent substrate 20, And a plurality of touch sensing electrodes Rx formed in parallel to each other in a direction intersecting the plurality of touch sensing electrodes Tx. The window cover W is attached to the upper surface of the touch sensor (the surface on which the touch sensing electrodes RX are formed) by the first adhesive A1 and the lower surface of the touch sensor (the touch driving electrodes Tx) The display device DP is attached by the second adhesive A2.

상술한 바와 같이 종래의 플렉서블 OLED 표시장치에 따르면 터치 센서는 접착제에 의해 OLED 표시장치에 상판부착(add on) 방식으로 부착된다.As described above, according to the conventional flexible OLED display device, the touch sensor is attached to the OLED display device in an add-on manner by an adhesive.

그러나, 이와 같이 상판부착 방식으로 플렉서블 OLED 표시장치에 터치 센서를 부착하면, 터치 센서의 추가로 인해 두께 및 무게, 그리고 제조 비용이 증가하는 등의 문제점이 있었다.
However, when the touch sensor is attached to the flexible OLED display device by the method of attaching the upper plate, there is a problem that thickness, weight, and manufacturing cost are increased due to the addition of the touch sensor.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해소하기 위한 것으로, 플렉서블 OLED 표시장치의 구성요소를 이용함으로써 하여 플렉서블 OLED 표시장치의 두께와 무게를 줄이고 제조비용을 줄일 수 있는 OLED 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
It is an object of the present invention to provide an OLED display device capable of reducing the thickness and weight of a flexible OLED display device and reducing manufacturing cost by using the components of the flexible OLED display device for solving the above- do.

상기 목적 달성을 위해 본 발명에 따르는 플렉서블 유기 발광 다이오드 표시장치는 표시영역과 배선영역을 구비하는 플렉서블 기판; 상기 플렉서블 기판의 표시영역과 배선영역에 형성되는 원자 버퍼층; 상기 표시영역과 배선영역의 원자 버퍼층 상에 형성되는 제 1 절연막; 상기 배선영역의 제 1 절연막 또는 상기 원자 버퍼층 상에 형성되며 상기 표시영역의 신호선들에 각각 연결된 복수의 라우팅 배선들을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a flexible organic light emitting diode display device including: a flexible substrate having a display region and a wiring region; An atomic buffer layer formed in the display region and the wiring region of the flexible substrate; A first insulating film formed on the atomic buffer layer in the display region and the wiring region; And a plurality of routing wirings formed on the first insulating film of the wiring region or the atomic buffer layer and connected to the signal lines of the display region, respectively.

상기 배선영역의 제 1 절연막은 상기 원자 버퍼층이 노출되도록 복수의 절연패턴들로 형성되며, 상기 복수의 라우팅 배선들은 상기 복수의 절연패턴들 상에 각각 형성되는 것을 특징으로 한다.The first insulating layer in the wiring region is formed of a plurality of insulating patterns so that the atomic buffer layer is exposed, and the plurality of routing wirings are formed on the plurality of insulating patterns.

상기 배선영역의 제 1 절연막은 상기 원자 버퍼층이 노출되도록 복수의 절연패턴들로 형성되며, 상기 복수의 라우팅 배선들은 상기 복수의 절연패턴들 사이로 노출되는 상기 원자 버퍼층 상에 각각 형성되는 것을 특징으로 한다.The first insulating layer in the wiring region is formed of a plurality of insulating patterns so that the atomic buffer layer is exposed and the plurality of routing wirings are formed on the atomic buffer layer exposed between the plurality of insulating patterns .

상기 복수의 라우팅 배선들 각각은 지그재그 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 한다.And each of the plurality of routing wirings is formed in a zigzag pattern.

상기 복수의 라우팅 배선들 각각은 지그재그 패턴으로 형성되는 제 1 가지부와 제 2 가지부를 포함하는 것을 특징으로 한다.And each of the plurality of routing wirings includes a first branch portion and a second branch portion formed in a zigzag pattern.

상기 플렉서블 기판의 표시영역은, 상기 제 1 원자 버퍼층 상에 형성되는 박막 트랜지스터층; 및 상기 박막 트랜지스터층 상에 형성되는 발광 다이오드층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Wherein the display region of the flexible substrate comprises: a thin film transistor layer formed on the first atomic buffer layer; And a light emitting diode layer formed on the thin film transistor layer.

또한, 상기 플렉서블 기판의 표시영역은, 상기 제 1 원자 버퍼층 상에 형성되는 제 1 기능층;상기 제 1 기능층 상에 형성되는 박막 트랜지스터층; 및 상기 박막 트랜지스터층 상에 형성되는 발광 다이오드층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The display region of the flexible substrate may include: a first functional layer formed on the first atomic buffer layer; a thin film transistor layer formed on the first functional layer; And a light emitting diode layer formed on the thin film transistor layer.

또한, 상기 플렉서블 기판의 표시영역은, 상기 제 1 원자 버퍼층과 상기 플렉서블 기판 사이에 형성되는 제 2 기능층; 상기 제 1 원자 버퍼층 상에 형성되는 박막 트랜지스터층; 및 상기 박막 트랜지스터층 상에 형성되는 발광 다이오드층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The display region of the flexible substrate may further include: a second functional layer formed between the first atomic buffer layer and the flexible substrate; A thin film transistor layer formed on the first atomic buffer layer; And a light emitting diode layer formed on the thin film transistor layer.

또한, 상기 플렉서블 기판의 표시영역은, 상기 제 1 원자 버퍼층 상에 형성되는 제 1 기능층; 상기 제 1 원자 버퍼층과 상기 플렉서블 기판 사이에 형성되는 제 2 기능층; 상기 제 1 기능층 상에 형성되는 박막 트랜지스터층; 및 상기 박막 트랜지스터층 상에 형성되는 발광 다이오드층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The display region of the flexible substrate may further include: a first functional layer formed on the first atomic buffer layer; A second functional layer formed between the first atomic buffer layer and the flexible substrate; A thin film transistor layer formed on the first functional layer; And a light emitting diode layer formed on the thin film transistor layer.

또한, 상기 플렉서블 기판의 표시영역의 상기 제 1 원자 버퍼층은 상기 플렉서블 기판의 1면 상에 형성되고, 상기 플렉서블 기판의 표시영역은, 상기 플렉서블 기판의 1면과 반대면이 타면 상에 형성되는 제 2 원자 버퍼층; 상기 제 1 원자 버퍼층 상에 형성되는 박막 트랜지스터층; 및 상기 박막 트랜지스터층 상에 형성되는 발광 다이오드층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The first atomic buffer layer in the display region of the flexible substrate is formed on one surface of the flexible substrate, and the display region of the flexible substrate is formed on the other surface of the flexible substrate opposite to the one surface. A two-atom buffer layer; A thin film transistor layer formed on the first atomic buffer layer; And a light emitting diode layer formed on the thin film transistor layer.

또한, 상기 플렉서블 기판의 표시영역의 상기 제 1 원자 버퍼층은 상기 플렉서블 기판의 1면 상에 형성되고, 상기 플렉서블 기판의 표시영역은, 상기 플렉서블 기판의 1면과 반대면이 타면 상에 형성되는 박막 트랜지스터층; 및 상기 박막 트랜지스터층 상에 형성되는 발광 다이오드층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
The first atomic buffer layer in the display region of the flexible substrate is formed on one surface of the flexible substrate, and the display region of the flexible substrate is a thin film formed on the other surface opposite to the one surface of the flexible substrate. A transistor layer; And a light emitting diode layer formed on the thin film transistor layer.

본 발명에 따르면, 터치 센서의 베이스층이 플렉서블 OLED의 배리어층(barrier layer), 스크래치 방지층, 원 편광막(circular polarization film) 중의 적어도 하나의 기능을 겸하기 때문에 이 터치 센서를 플렉서블 OLED 표시장치에 적용하면, 플렉서블 OLED 표시장치의 두께와 무게를 줄임과 동시에 제조비용을 줄일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
According to the present invention, since the base layer of the touch sensor also functions as at least one of the barrier layer of the flexible OLED, the anti-scratch layer, and the circular polarization film, the touch sensor can be applied to the flexible OLED display The effect of reducing the thickness and weight of the flexible OLED display device and reducing the manufacturing cost can be obtained.

도 1은 종래의 플렉서블 OLED 표시장치를 개략적으로 도시한 평면도,
도 2는 도 1에 도시된 종래의 플렉서블 OLED 표시장치의 단면도,
도 3a 내지 도 3e는 배선영역에 라우팅 배선들을 형성하는 공정들을 도시한 단면도,
도 4는 본 발명의 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치를 개략적으로 도시한 평면도,
도 5는 도 4에 도시된 본 발명의 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치를개략적으로 도시한 단면도,
도 6은 도 4에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 표시영역의 박막 트랜지스터층 및 발광 다이오드층과 배선 및 패드영역들을 구체적으로 도시한 단면도,
도 7a는 도 4에 도시된 본 발명의 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 배선영역의 일례를 도시한 단면도,
도 7b는 도 4에 도시된 본 발명의 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 배선영역의 다른 예를 도시한 단면도,
도 8은 도 4에 도시된 본 발명의 실시에에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치에서 A-A'라인을 따라 구부러진 상태를 도시한 단면도,
도 9a 및 도 9b는 배선영역에 형성되는 라우팅 배선의 예시적인 형상을 도시한 평면도,
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 표시영역을 도시한 단면도,
도 11은 본 발명의 제 3 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 표시영역을 도시한 단면도,
도 12는 본 발명의 제 4 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 표시영역을 도시한 단면도,
도 13는 본 발명의 제 5 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 표시영역을 도시한 단면도,
도 14는 본 발명의 제 6 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 표시영역을 도시한 단면도.1 is a plan view schematically showing a conventional flexible OLED display device,
FIG. 2 is a cross-sectional view of a conventional flexible OLED display device shown in FIG. 1,
Figs. 3A to 3E are cross-sectional views showing processes for forming routing wirings in a wiring region,
4 is a plan view schematically showing a flexible OLED display device according to an embodiment of the present invention,
5 is a cross-sectional view schematically showing a flexible OLED display device according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4,
FIG. 6 is a cross-sectional view specifically showing a thin film transistor layer, a light emitting diode layer, wiring and pad regions in a display region of a flexible OLED display device according to the first embodiment of the present invention shown in FIG.
FIG. 7A is a cross-sectional view showing an example of a wiring region of a flexible OLED display device according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 4,
Fig. 7B is a cross-sectional view showing another example of the wiring region of the flexible OLED display device according to the embodiment of the present invention shown in Fig. 4,
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a bent state along the line A-A 'in the flexible OLED display according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 4;
9A and 9B are plan views showing exemplary shapes of routing wirings formed in a wiring region,
10 is a cross-sectional view showing a display region of a flexible OLED display device according to a second embodiment of the present invention,
11 is a cross-sectional view showing a display region of a flexible OLED display device according to a third embodiment of the present invention,
12 is a cross-sectional view showing a display region of a flexible OLED display device according to a fourth embodiment of the present invention,
13 is a sectional view showing a display region of a flexible OLED display device according to a fifth embodiment of the present invention,
14 is a cross-sectional view showing a display region of a flexible OLED display device according to a sixth embodiment of the present invention.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 나타낸다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

우선, 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 OLED 표시장치에 대해 설명하기로 한다. 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 5는 도 4에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.First, a flexible OLED display according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. 4 is a plan view schematically showing a flexible OLED display according to the first embodiment of the present invention, and Fig. 5 is a schematic view of a flexible OLED display according to the first embodiment of the present invention shown in Fig. 4 Sectional view.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치는, 데이터가 표시되는 표시영역(DA), 및 표시영역(DA)에 데이터를 전송하기 위한 라우팅 배선들(RW)과 패드들(도시생략)이 형성되는 배선영역(WA)를 포함하는 표시패널(DP)을 포함한다. 표시패널(DP)의 배선영역(WA)에는 본딩 등에 의해 플렉서블 인쇄회로(flexible printed circuit)(FPC)가 부착되며, FPC에는 표시영역(DA)에 데이터를 전송하는 구동 드라이버 IC(Integrated Chip)가 설치된다. Referring to FIG. 4, the flexible OLED display according to the first embodiment of the present invention includes a display area DA for displaying data, routing wirings RW for transferring data to the display area DA, And a wiring region WA in which pads (not shown) are formed. A flexible printed circuit (FPC) is attached to the wiring area WA of the display panel DP by bonding or the like and a drive driver IC (Integrated Chip) for transferring data to the display area DA is provided on the FPC Respectively.

본 발명의 제 1 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 표시영역(DA)은 도 5에 도시된 바와 같이, 플렉서블 기판(100) 상에 순차적으로 형성되는 원자 버퍼층(120), 박막 트랜지스터층(130), 유기 발광 다이오드층(140), 인캡슐레이션층(150), 및 편광층(160)을 포함한다. 5, the display area DA of the flexible OLED display according to the first exemplary embodiment of the present invention includes an atomic buffer layer 120, a thin film transistor layer 130 (not shown) sequentially formed on a flexible substrate 100, An organic light emitting diode layer 140, an encapsulation layer 150, and a polarization layer 160.

원자 버퍼층(120)은 원자층 증착(atomic layer depositoin) 방법에 의해 플렉서블 기판(100) 상에 형성된다. 원자 버퍼층(120)으로서는 음전하에 의한 전계효과가 강하고, 표면결함 밀도가 낮으며, 투명도가 양호하고, 자외선 안정성이 높은 산화 알루미늄층(Al2O3층)이 이용된다. The atomic buffer layer 120 is formed on the flexible substrate 100 by an atomic layer deposition method. As the atomic buffer layer 120, an aluminum oxide layer (Al 2 O 3 layer) having a strong electric field effect by a negative charge, a low surface defect density, a good transparency and a high ultraviolet stability is used.

특히, 원자층 증착 방법에 의해 원자 버퍼층을 형성하면, 초미세 층간(layer-by-layer) 증착이 가능하고, 산화물과 금속 박막을 최대한 얇게 쌓을 수 있기 때문에 종래의 4층으로 이루어지는 다층 보호막에 비해 1/4 정도로 두께를 줄일 수 있는 효과를 얻을 수 있다. Particularly, when the atomic buffer layer is formed by the atomic layer deposition method, it is possible to perform the layer-by-layer deposition and to stack the oxide and the metal thin film as thin as possible. Therefore, compared with the conventional four- The effect of reducing the thickness can be obtained by about 1/4.

또한, 원자층 증착 방법에 의해 형성되는 원자 버퍼층(120)은 가스의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착시키는 화학 기상 증착(CVD)보다 낮은 온도(500℃ 이하)에서 막질을 형성할 수 있기 때문에 종래의 화학 기상증착보다 플렉서블 기판(100)에 가해지는 충격을 줄일 수 있는 효과를 얻을 수 있다. In addition, the atomic buffer layer 120 formed by the atomic layer deposition method can form a film at a lower temperature (500 캜 or lower) than the chemical vapor deposition (CVD) in which particles formed by the chemical reaction of the gas are deposited on the wafer surface Therefore, the effect of reducing the impact applied to the flexible substrate 100 over the conventional chemical vapor deposition can be obtained.

또한, 원자층 증착방법에 의해 형성되는 원자 버퍼층(120)은 원자의 성장에 의해 형성되기 때문에 막 치밀도가 좋고 크랙(crack)이 잘 발생하지 않는다. 따라서, 배선영역(WA)에서 라우팅 배선들(RW)이 형성된 플렉서블 기판(120)을 구부리더라도 원자 버퍼층(120)이 손상되지 않게 되는 효과를 얻을 수 있다.In addition, since the atomic buffer layer 120 formed by the atomic layer deposition method is formed by the growth of atoms, the film density is good and the cracks are not generated well. Therefore, even if the flexible substrate 120 on which the routing wirings RW are formed is bent in the wiring region WA, the effect that the atomic buffer layer 120 is not damaged can be obtained.

다음으로 도 6을 참조하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 박막 트랜지스터층 및 발광 다이오드층에 대해 보다 구체적으로 설명하기로 한다. Next, the thin film transistor layer and the light emitting diode layer of the flexible OLED display according to the first embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to FIG.

도 6은 도 4에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 표시영역의 박막 트랜지스터층 및 발광 다이오드층과 배선 및 패드영역들을 구체적으로 도시한 단면도이다. FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a thin film transistor layer, a light emitting diode layer, wiring, and pad regions in a display region of a flexible OLED display device according to a first embodiment of the present invention shown in FIG.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치는 플렉서블 기판(100)과, 플렉서블 기판(100) 상에 형성되는 원자 버퍼층(120)과, 원자 버퍼층(120) 상에 형성되는 박막 트랜지스터층과, 박막 트랜지스층 상에 형성되는 발광 다이오드층을 포함한다. 6, the flexible OLED display according to the first embodiment of the present invention includes a flexible substrate 100, an atomic buffer layer 120 formed on the flexible substrate 100, A thin film transistor layer to be formed, and a light emitting diode layer to be formed on the thin film transistor layer.

박막 트랜지스터층은, 원자 버퍼층(120) 상에 형성되는 반도체층으로 된 소스/드레인 영역(130)과, 소스/드레인 영역(130)을 커버하고, 반도체층의 소스영역과 드레인 영역을 각각 노출시키는 제 1 및 제 2 콘택홀들이 형성된 게이트 절연막(140)과, 게이트 절연막(140) 상에 형성되는 게이트 라인(150a) 및 게이트 라인(150a)으로부터 연장되는 게이트 전극(150b)과, 게이트 라인(150a) 및 게이트 전극(150b)을 커버하고, 상기 제 1 및 제 2 콘택홀들과 중첩되는 제 3 및 제 4 콘택홀들이 형성된 층간 절연막(160)과, 층간 절연막(160) 상에 형성되며 상기 제 1 및 제 3 콘택홀들을 통해 소스영역에 접속되는 소스전극(170a)과, 층간 절연막(160) 상에서 상기 소스전극(170a)과 분리되어 형성되며 상기 제 2 및 제 4 콘택홀들을 통해 드레인 영역에 접속되는 드레인 전극(170b)를 포함한다. 소스전극(170a) 및 드레인 전극(170b) 상에서는 소스 및 드레인 전극들(170a, 170b)을 보호하기 위한 제 1 보호막(180)이 형성되고, 제 1 보호막(180) 상에는 평탄화를 위한 평탄화막(190)이 형성된다. The thin film transistor layer covers the source / drain region 130 and the source / drain region 130, which are semiconductor layers formed on the atomic buffer layer 120, and exposes the source region and the drain region of the semiconductor layer, respectively A gate insulating film 140 formed with first and second contact holes, a gate line 150a formed on the gate insulating film 140 and a gate electrode 150b extending from the gate line 150a, An interlayer insulating layer 160 covering the gate electrode 150a and the gate electrode 150b and having third and fourth contact holes formed to overlap with the first and second contact holes and an interlayer insulating layer 160 formed on the interlayer insulating layer 160, A source electrode 170a connected to the source region through the first and third contact holes and a source electrode 170b formed on the interlayer insulating layer 160 separately from the source electrode 170a and connected to the drain region through the second and fourth contact holes. And a drain electrode 170b connected thereto. A first passivation layer 180 is formed on the source electrode 170a and the drain electrode 170b to protect the source and drain electrodes 170a and 170b and a planarization layer 190 Is formed.

발광 다이오드층은, 평탄화막(190) 상에 형성되며, 제 1 보호막(180) 및 평탄화막(190)에 형성된 제 5 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터층의 드레인 전극(170b)에 접속되는 제 1 전극(200a)과, 뱅크 패턴(210)에 의해 정의되는 화소영역에서 제 1 전극(200a)상에 형성되는 발광층(220)과, 발광층(220)과 뱅크 패턴(210) 상에 형성되는 제 2 전극(230)을 포함한다. 발광 다이오드층 상에는 제 2 보호막(240)이 형성되어 발광 다이오드의 소자들을 보호한다. The light emitting diode layer is formed on the planarization layer 190 and is connected to the drain electrode 170b of the thin film transistor layer through the fifth contact hole formed in the first passivation layer 180 and the planarization layer 190, A light emitting layer 220 formed on the first electrode 200a in the pixel region defined by the bank pattern 210 and a second electrode 220 formed on the light emitting layer 220 and the bank pattern 210. [ (230). A second protective layer 240 is formed on the light emitting diode layer to protect the elements of the light emitting diode.

본 발명의 제 1 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 배선 및 패드영역들(WA, PA)은 플렉서블 기판(100)과, 플렉서블 기판(100) 상에 형성되는 원자 버퍼층(120)과, 원자 버퍼층(120) 상에 형성되며, 표시영역(DA)의 게이트 라인(150a)과 연결되는 라우팅 배선(170c)과, 라우팅 배선(170c)을 커버하도록 형성되며, 패드영역(PA)에서 라우팅 배선(170c)을 노출시키는 콘택홀이 형성된 제 1 보호막(180)과, 제 1 보호막(180)에 형성된 콘택홀을 통해 라우팅 배선에 접속되는 패드(200b)를 포함한다. 상기 구성에서, 라우팅 배선(170c)은 소스 및 드레인 전극들(170a, 170b)을 형성할 때 형성되고, 패드(200b)는 제 1 전극(220)을 형성할 때 형성된다. The wiring and pad areas WA and PA of the flexible OLED display according to the first embodiment of the present invention are formed of a flexible substrate 100, an atomic buffer layer 120 formed on the flexible substrate 100, A routing wiring 170c formed on the display region DA and connected to the gate line 150a of the display region DA and a wiring line 170c formed in the pad region PA to cover the routing wiring 170c And a pad 200b connected to the routing wiring through a contact hole formed in the first passivation layer 180. The first passivation layer 180 is formed on the first passivation layer 180, The routing wiring 170c is formed when forming the source and drain electrodes 170a and 170b and the pad 200b is formed when the first electrode 220 is formed.

다음으로 도 7a 및 도 7b를 참조하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 배선영역의 다른 예들에 대해 설명하기로 한다. 도 7a는 도 4에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 배선영역의 다른 예를 도시한 단면도이며, 도 7b는 도 4에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 배선영역의 또 다른 예를 도시한 단면도이다.Next, another example of the wiring region of the flexible OLED display device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7A and 7B. FIG. 7A is a cross-sectional view showing another example of the wiring region of the flexible OLED display device according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 4, and FIG. 7B is a cross-sectional view of the flexible OLED display according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. Sectional view showing another example of the wiring region of the flexible OLED display device.

도 7a를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 다른 예의 배선영역(WA)은 플렉서블 기판(100)과, 플렉서블 기판(100) 상에 형성되는 원자 버퍼층(120)과, 원자 버퍼층(120) 상에 형성되며, 표시영역(DA)의 층간절연막(160)으로부터 연장되는 층간 절연막(160)과, 층간 절연막(160) 상에 형성되며, 표시영역(DA)의 게이트 라인(150a)과 연결되는 라우팅 배선(170c)과, 라우팅 배선(170c)을 커버하도록 형성되며, 패드영역에서 라우팅 배선(170c)을 노출시키는 콘택홀이 형성된 제 1 보호막(180)과, 제 1 보호막(180)에 형성된 콘택홀을 통해 라우팅 배선(180)에 접속되는 패드(도시생략)를 포함한다. 상기 구성에서, 라우팅 배선(170c)은 소스 및 드레인 전극들(170a, 170b)을 형성할 때 형성되고, 패드(200b)는 제 1 전극(220)을 형성할 때 형성된다. 또한, 배선영역(WA)에 형성되는 층간 절연막(160)은 라우팅 배선들(160) 사이에서는 제거되어 있다. 7A, the wiring area WA of another example of the flexible OLED display according to the first embodiment of the present invention includes a flexible substrate 100, an atomic buffer layer 120 formed on the flexible substrate 100, An interlayer insulating film 160 formed on the atomic buffer layer 120 and extending from the interlayer insulating film 160 in the display region DA; a gate insulating film 160 formed on the interlayer insulating film 160, A first protection layer 180 formed to cover the routing wiring 170c and having a contact hole exposing the routing wiring 170c in the pad region and a second protection layer 180 formed to cover the routing wiring 170c, And a pad (not shown) connected to the routing wiring 180 through a contact hole formed in the substrate 180. The routing wiring 170c is formed when forming the source and drain electrodes 170a and 170b and the pad 200b is formed when the first electrode 220 is formed. In addition, the interlayer insulating film 160 formed in the wiring region WA is removed between the routing wirings 160.

도 7b를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 또 다른 예의 배선영역(WA)은 플렉서블 기판(100)과, 플렉서블 기판(100) 상에 형성되는 원자 버퍼층(120)과, 원자 버퍼층(120) 상에 형성되며, 표시영역(DA)의 층간 절연막(160)으로부터 연장되어 라우팅 배선(170c)이 형성될 영역을 제외한 나머지 영역이 제거된 층간 절연막(160)과, 층간 절연막(160)이 제거된 영역에 형성되며, 표시영역(DA)의 게이트 라인(150a)과 연결되는 라우팅 배선(170c)과, 라우팅 배선(170c)을 커버하며, 패드영역에서 라우팅 배선(170c)을 노출시키는 콘택홀이 형성된 제 1 보호막(180)과, 제 1 보호막(180)에 형성된 콘택홀을 통해 라우팅 배선(180)에 접속되는 패드(도시생략)를 포함한다. 상기 구성에서, 라우팅 배선(170c)은 소스 및 드레인 전극들(170a, 170b)을 형성할 때 형성되고, 패드(200b)는 제 1 전극(220)을 형성할 때 형성된다. 또한, 층간 절연막(160)과 라우팅 배선(170c)은 동일층에 형성되어 있다. 7B, a wiring region WA of another example of the flexible OLED display according to the first embodiment of the present invention includes a flexible substrate 100, an atomic buffer layer 120 formed on the flexible substrate 100, An interlayer insulating film 160 formed on the atomic buffer layer 120 and extending from the interlayer insulating film 160 of the display area DA to remove the remaining regions except for the region where the routing wiring 170c is to be formed, A routing wiring 170c formed in a region where the insulating film 160 is removed and connected to the gate line 150a of the display area DA and a wiring wiring 170c covering the routing wiring 170c, And a pad (not shown) connected to the routing wiring 180 through a contact hole formed in the first passivation layer 180. The first passivation layer 180 is formed on the first passivation layer 180, The routing wiring 170c is formed when forming the source and drain electrodes 170a and 170b and the pad 200b is formed when the first electrode 220 is formed. The interlayer insulating film 160 and the routing wiring 170c are formed in the same layer.

도 8은 상술한 본 발명의 제 1 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치가 표시영역(DA) 외측의 배선영역(WA)에서 구부러진 상태를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 8에서 표시영역(DA)의 빗금친 부분은 도 6 내지 도 7b에 도시된 플렉서블 기판(100)과 원자 버퍼층(120)을 포함하며, 플렉서블 기판(100)의 배면으로 구부러진 배선 및 패드영역은 도 6 내지 도 7b에 도시된 플렉서블 기판(100), 원자 버퍼층(120), 층간 절연막(160), 라우팅 배선(170c) 및 패드(200b)를 포함한다. 8 is a view schematically showing a state in which the flexible OLED display according to the first embodiment of the present invention described above is bent in the wiring area WA outside the display area DA. 8, the shaded portion of the display area DA includes the flexible substrate 100 and the atomic buffer layer 120 shown in Figs. 6 to 7B, and the wiring and the pad region bent to the back surface of the flexible substrate 100 And includes a flexible substrate 100, an atomic buffer layer 120, an interlayer insulating film 160, a routing wiring 170c, and a pad 200b shown in Figs. 6 to 7B.

도 9a 및 도 9b는 플렉서블 OLED 표시장치의 배선영역(WA)에 형성되는 라우팅 배선의 예시적인 형상을 도시한 평면도들이다. Figs. 9A and 9B are plan views showing exemplary shapes of routing wirings formed in the wiring area WA of the flexible OLED display device.

도 9a를 참조하면, 층간 절연막(160)과 라우팅 배선(170c)은 지그재그 패턴으로 형성되며, 라우팅 배선(170c)은 층간 절연막(160) 상에 형성된다. 도 9a에 도시된 바와 같이 배선영역에서 층간 절연막(160)과 라우팅 배선(170c)을 지그재그 패턴으로 형성하면, 구부러지는 위치 A-A'에서의 라우팅 배선과 층간 절연막의 길이가 수직 절단의 경우보다 길어지기 때문에 구부림에 의한 손상을 줄일 수 있는 효과를 얻을 수 있다. 9A, the interlayer insulating layer 160 and the routing interconnection layer 170c are formed in a zigzag pattern, and the routing interconnection layer 170c is formed on the interlayer insulating layer 160. Referring to FIG. If the interlayer insulating film 160 and the routing wiring 170c are formed in a zigzag pattern in the wiring region as shown in FIG. 9A, the length of the routing wiring and the interlayer insulating film at the bent position A-A ' The effect of reducing the damage due to bending can be obtained.

도 9b를 참조하면, 하나의 라우팅 배선(170c)이 적어도 2개의 가지(branch)(170c1, 170c2)를 갖도록 지그재그 패턴으로 형성된다. 도 9c에 도시된 바와 같이, 층간 절연막(160)과 라우팅 배선(170c)을 지그재그 패턴으로 형성하면, 구부러지는 위치 A-A'에서 라우팅 배선의 어느 하나가 손상되더라도 나머지 하나가 유지되면 되기 때문에 안정성을 더욱 높일 수 있는 효과를 얻을 수 있다. Referring to FIG. 9B, one routing wiring 170c is formed in a zigzag pattern so as to have at least two branches 170c1 and 170c2. 9C, if the interlayer insulating film 160 and the routing wiring 170c are formed in a zigzag pattern, even if any one of the routing wirings is damaged at the bent position A-A ', the other is maintained, Can be further increased.

다음으로, 도 10을 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치에 대해 설명하기로 한다. 도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 표시영역을 도시한 단면도이다. Next, a flexible OLED display device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 10 is a cross-sectional view showing a display region of a flexible OLED display device according to a second embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치는 플렉서블 기판(300)과, 플렉서블 기판(300) 상에 형성되는 원자 버퍼층(320)과, 원자 버퍼층(320) 상에 형성되는 제 1 기능층(325)과, 제 1 기능층(325) 상에 형성되는 박막 트랜지스터층(330)과, 박막 트랜지스층(330) 상에 형성되는 발광 다이오드층(340)과, 발광층(350) 상에 형성되는 인캡슐레이션층(350)과, 인캡슐레이션층(350) 상에 형성되는 편광층(360)을 포함한다. 10, a flexible OLED display device according to the second embodiment of the present invention includes a flexible substrate 300, an atomic buffer layer 320 formed on the flexible substrate 300, A thin film transistor layer 330 formed on the first functional layer 325; a light emitting diode layer 340 formed on the thin film transistor layer 330; An encapsulation layer 350 formed on the encapsulation layer 350, and a polarization layer 360 formed on the encapsulation layer 350.

본 발명의 제 2 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치에서 제 1 기능층(325)은 플렉서블 기판(300)과 원자 버퍼층(320)의 접착력을 향상시키기 위한 것으로, 질화 실리콘막, 산화 실리콘막, 포토아크릴막, 광학 점착 필름이 사용될 수 있다. In the flexible OLED display according to the second embodiment of the present invention, the first functional layer 325 is formed to improve adhesion between the flexible substrate 300 and the atomic buffer layer 320, and includes a silicon nitride film, a silicon oxide film, An acrylic film, and an optical adhesive film may be used.

다음으로, 도 11을 참조하여 본 발명의 제 3 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치에 대해 설명하기로 한다. 도 11은 본 발명의 제 3 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 표시영역을 도시한 단면도이다. Next, a flexible OLED display according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 11 is a cross-sectional view showing a display region of a flexible OLED display device according to a third embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치는 플렉서블 기판(400)과, 플렉서블 기판(400) 상에 형성되는 제 2 기능층(415), 제 2 기능층(415) 상에 형성되는 원자 버퍼층(420)과, 원자 버퍼층(420) 상에 형성되는 박막 트랜지스터층(430)과, 박막 트랜지스층(430) 상에 형성되는 발광 다이오드층(440)과, 발광층(440) 상에 형성되는 인캡슐레이션층(450)과, 인캡슐레이션층(450) 상에 형성되는 편광층(460)을 포함한다.11, the flexible OLED display according to the third embodiment of the present invention includes a flexible substrate 400, a second functional layer 415 formed on the flexible substrate 400, a second functional layer 415 A thin film transistor layer 430 formed on the atomic buffer layer 420; a light emitting diode layer 440 formed on the thin film transistor layer 430; An encapsulation layer 450 formed on the encapsulation layer 440 and a polarization layer 460 formed on the encapsulation layer 450.

본 발명의 제 3 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치에서 제 2 기능층(415)를 플렉서블 기판(400)과 원자 버퍼층(420) 사이에 형성하면, 원자 버퍼층(420)의 두께를 최소화할 수 있고, 기능층(415)이 플렉서블 기판(400) 외측으로부터의 수분이나 산소의 침투를 방지하는 투습작용을 할 수 있게 된다. 이 경우, 원자 버퍼층(420)의 형성에 따르는 시간을 절약할 수 공정시간을 단축시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다. 기능층(415)으로서는 질화 실리콘막, 산화 실리콘막이 사용될 수 있다. When the second functional layer 415 is formed between the flexible substrate 400 and the atomic buffer layer 420 in the flexible OLED display according to the third embodiment of the present invention, the thickness of the atomic buffer layer 420 can be minimized , The functional layer 415 can perform a moisture-permeable action to prevent penetration of moisture or oxygen from the outside of the flexible substrate 400. [ In this case, the time required for forming the atomic buffer layer 420 can be reduced and the processing time can be shortened. As the functional layer 415, a silicon nitride film and a silicon oxide film can be used.

다음으로, 도 12을 참조하여 본 발명의 제 4 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치에 대해 설명하기로 한다. 도 12는 본 발명의 제 4 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 표시영역을 도시한 단면도이다. Next, a flexible OLED display device according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 12 is a cross-sectional view showing a display region of a flexible OLED display device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 12를 참조하면, 본 발명의 제 4 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치는 플렉서블 기판(500)과, 플렉서블 기판(500) 상에 형성되는 제 2 기능층(515), 제 2 기능층(515) 상에 형성되는 원자 버퍼층(520)과, 원자 버퍼층(520) 상에 형성되는 제 1 기능층(525)과, 제 1 기능층(525) 상에 형성되는 박막 트랜지스터층(530)과, 박막 트랜지스층(530) 상에 형성되는 발광 다이오드층(540)과, 발광 다이오드층(540) 상에 형성되는 인캡슐레이션층(550)과, 인캡슐레이션층(550) 상에 형성되는 편광층(560)을 포함한다.12, a flexible OLED display device according to the fourth embodiment of the present invention includes a flexible substrate 500, a second functional layer 515 formed on the flexible substrate 500, a second functional layer 515 A first functional layer 525 formed on the atomic buffer layer 520; a thin film transistor layer 530 formed on the first functional layer 525; A light emitting diode layer 540 formed on the transitional layer 530, an encapsulation layer 550 formed on the light emitting diode layer 540 and a polarizing layer 540 formed on the encapsulation layer 550. [ (560).

본 발명의 제 4 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치에 의하면, 플렉서블 기판(500)과 원자 버퍼층(520) 사이에 형성되는 제 2 기능층(515)에 의해 제 3 실시예와 같은 공정시간 단축효과를 얻을 수 있고, 원자 버퍼층(520)과 박막 트랜지스터층(530) 사이에 형성되는 제 1 기능층(525)에 의해 제 1 실시예에서와 유사하게 점착력을 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다. According to the flexible OLED display device according to the fourth embodiment of the present invention, the second functional layer 515 formed between the flexible substrate 500 and the atomic buffer layer 520 has the same process time shortening effect as the third embodiment And the adhesive force can be improved similarly to the first embodiment by the first functional layer 525 formed between the atomic buffer layer 520 and the thin film transistor layer 530. [

다음으로, 도 13을 참조하여 본 발명의 제 5 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치에 대해 설명하기로 한다. 도 15는 본 발명의 제 5 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 표시영역을 도시한 단면도이다. Next, a flexible OLED display device according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a display area of a flexible OLED display device according to a fifth embodiment of the present invention.

도 13을 참조하면, 본 발명의 제 5 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치는 플렉서블 기판(600)과, 플렉서블 기판(600)의 1면에 형성되는 제 1 원자 버퍼층(620a)과, 플렉서블 기판(500)의 1면과 반대면인 타면에 형성되는 제 2 원자 버퍼층(620b)과, 제 2 원자 버퍼층(620b) 상에 형성되는 박막 트랜지스터층(530)과, 박막 트랜지스층(530) 상에 형성되는 발광 다이오드층(540)과, 발광 다이오드층(540) 상에 형성되는 인캡슐레이션층(550)과, 인캡슐레이션층(550) 상에 형성되는 편광층(560)을 포함한다.13, the flexible OLED display according to the fifth embodiment of the present invention includes a flexible substrate 600, a first atomic buffer layer 620a formed on one surface of the flexible substrate 600, A thin film transistor layer 530 formed on the second atomic buffer layer 620b and a thin film transistor layer 530 formed on the thin film transistor layer 530. The second atomic buffer layer 620b is formed on the other surface of the thin- An encapsulation layer 550 formed on the light emitting diode layer 540 and a polarization layer 560 formed on the encapsulation layer 550. The light emitting diode layer 540 is formed on the light emitting diode layer 540,

본 발명의 제 5 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치에 의하면, 제 1 원자 버퍼층(620a)이 투습방지 기능을 하여 2중 투습효과를 누릴 수 있고, 특히 제 1 원자 버퍼층(620a)으로 산화 알루미늄으로 형성될 경우, 부도체층으로 작용하여 상부에 형성되는 박막 트랜지스터의 오동작을 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다. According to the flexible OLED display device according to the fifth embodiment of the present invention, the first atomic buffer layer 620a functions as a moisture-proofing function and can enjoy a double moisture-proofing effect. Particularly, as the first atomic buffer layer 620a, It is possible to obtain the effect of preventing the malfunction of the thin film transistor formed on the upper part by acting as the nonconductor layer.

다음으로, 도 14를 참조하여 본 발명의 제 6 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치에 대해 설명하기로 한다. 도 15는 본 발명의 제 6 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치의 표시영역을 도시한 단면도이다.  Next, a flexible OLED display device according to a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 15 is a cross-sectional view showing a display region of a flexible OLED display device according to a sixth embodiment of the present invention.

도 14를 참조하면, 본 발명의 제 6 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치는 플렉서블 기판(700)과, 플렉서블 기판(700)의 1면에 형성되는 제 1 원자 버퍼층(620a)과, 플렉서블 기판(500)의 1면과 반대면인 타면에 형성되는 박막 트랜지스터층(530)과, 박막 트랜지스층(530) 상에 형성되는 발광 다이오드층(540)과, 발광 다이오드층(540) 상에 형성되는 인캡슐레이션층(550)과, 인캡슐레이션층(550) 상에 형성되는 편광층(560)을 포함한다.14, a flexible OLED display device according to the sixth embodiment of the present invention includes a flexible substrate 700, a first atomic buffer layer 620a formed on one surface of the flexible substrate 700, A light emitting diode layer 540 formed on the thin film transistor layer 530 and a light emitting diode layer 540 formed on the other side of the light emitting diode layer 540 An encapsulation layer 550 and a polarization layer 560 formed on the encapsulation layer 550.

본 발명의 제 6 실시예에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치에 의하면, 제 1 원자 버퍼층(620a)이 산화 알루미늄으로 형성될 경우, 부도체층으로 작용하여 상부에 형성되는 박막 트랜지스터의 오동작을 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다. According to the flexible OLED display device according to the sixth embodiment of the present invention, when the first atomic buffer layer 620a is formed of aluminum oxide, it is possible to prevent the malfunction of the thin film transistor formed on the upper layer, Can be obtained.

상술한 본 발명의 실시예들에 따르는 플렉서블 OLED 표시장치에 의하면, 외부로부터의 수분이나 산소가 표시장치 내부로 침투되는 것을 방지하기 위한 보호막으로서 원자층 증착법에 의해 원자 버퍼층이 사용되므로, 종래의 4층으로 이루어지는 다층 보호막에 비해 두께를 줄일 수 있는 효과를 얻을 수 있다. According to the flexible OLED display device according to the embodiments of the present invention described above, since an atomic buffer layer is used by atomic layer deposition as a protective film for preventing moisture or oxygen from penetrating from the outside into the display device, The thickness of the multilayer protective film can be reduced.

또한, 원자층 증착 방법에 의해 형성되는 원자 버퍼층을 종래의 화학 기상 증착(CVD)보다 낮은 온도에서 형성할 수 있기 때문에 플렉서블 기판에 가해지는 충격을 줄일 수 있는 효과를 얻을 수 있다. In addition, since the atomic buffer layer formed by the atomic layer deposition method can be formed at a temperature lower than that of the conventional chemical vapor deposition (CVD), the impact applied to the flexible substrate can be reduced.

또한, 원자층 증착방법에 의해 형성되는 원자 버퍼층은 원자의 성장에 의해 형성되기 때문에 막 치밀도가 좋고 크랙(crack)이 잘 발생하지 않는다. 따라서, 배선영역에서 라우팅 배선들이 형성된 플렉서블 기판을 구부리더라도 원자 버퍼층이 손상되지 않는 효과를 얻을 수 있다.In addition, since the atomic buffer layer formed by the atomic layer deposition method is formed by the growth of atoms, the film density is good and cracks are not generated well. Therefore, even if the flexible substrate on which the routing wirings are formed is bent in the wiring region, the effect that the atomic buffer layer is not damaged can be obtained.

또한, 배선영역에 형성되는 라우팅 배선이 지그재그 패턴으로 형성되기 때문에 구부림에 의해 손상될 가능성이 낮아지는 효과를 얻을 수 있다. Further, since the routing wiring formed in the wiring region is formed in a zigzag pattern, the possibility of damage by bending is reduced.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 발명의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the invention but should be defined by the claims.

100, 300, 400, 500, 600, 700 : 플렉서블 기판
120, 320, 420, 520, 620a, 620b, 700 : 원자 버퍼층
130, 330, 430, 530, 630, 730 : 박막 트랜지스터층
140, 340, 440, 540, 640, 740 : 유기 발광 다이오드층
150, 350, 450, 550, 650, 750 : 인캡슐레이션층
160, 360, 460, 560, 660, 760 : 편광층
325, 415, 425, 515, 525 : 기능층 100, 300, 400, 500, 600, 700: Flexible substrate
120, 320, 420, 520, 620a, 620b, 700: atomic buffer layer
130, 330, 430, 530, 630, 730: thin film transistor layer
140, 340, 440, 540, 640, 740: organic light emitting diode layer
150, 350, 450, 550, 650, 750: encapsulation layer
160, 360, 460, 560, 660, 760:
325, 415, 425, 515, 525: Functional layer

Claims (11)

표시영역과 배선영역을 구비하는 플렉서블 기판;
상기 플렉서블 기판의 표시영역과 배선영역에 형성되는 원자 버퍼층;
상기 표시영역과 배선영역의 원자 버퍼층 상에 형성되는 제 1 절연막;
상기 배선영역의 제 1 절연막 또는 상기 원자 버퍼층 상에 형성되며 상기 표시영역의 신호선들에 각각 연결된 복수의 라우팅 배선들을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드 표시장치.
A flexible substrate having a display region and a wiring region;
An atomic buffer layer formed in the display region and the wiring region of the flexible substrate;
A first insulating film formed on the atomic buffer layer in the display region and the wiring region;
And a plurality of routing wirings formed on the first insulating layer of the wiring region or the atomic buffer layer and connected to the signal lines of the display region, respectively.
제 1 항에 있어서,
상기 배선영역의 제 1 절연막은 상기 원자 버퍼층이 노출되도록 복수의 절연패턴들로 형성되며, 상기 복수의 라우팅 배선들은 상기 복수의 절연패턴들 상에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first insulating layer in the wiring region is formed of a plurality of insulating patterns so that the atomic buffer layer is exposed and the plurality of routing wirings are formed on the plurality of insulating patterns, .
제 1 항에 있어서,
상기 배선영역의 제 1 절연막은 상기 원자 버퍼층이 노출되도록 복수의 절연패턴들로 형성되며, 상기 복수의 라우팅 배선들은 상기 복수의 절연패턴들 사이로 노출되는 상기 원자 버퍼층 상에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first insulating film in the wiring region is formed of a plurality of insulating patterns so as to expose the atomic buffer layer and the plurality of routing wirings are formed on the atomic buffer layer exposed between the plurality of insulating patterns Flexible organic light emitting diode display.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 복수의 라우팅 배선들 각각은 지그재그 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 2 or 3,
Wherein each of the plurality of routing wirings is formed in a zigzag pattern.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 복수의 라우팅 배선들 각각은 지그재그 패턴으로 형성되는 제 1 가지부와 제 2 가지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 2 or 3,
Wherein each of the plurality of routing wirings includes a first branch portion and a second branch portion formed in a staggered pattern.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 플렉서블 기판의 표시영역은,
상기 제 1 원자 버퍼층 상에 형성되는 박막 트랜지스터층; 및
상기 박막 트랜지스터층 상에 형성되는 발광 다이오드층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드 표시장치.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the display region of the flexible substrate
A thin film transistor layer formed on the first atomic buffer layer; And
Wherein the organic light emitting diode display further comprises a light emitting diode layer formed on the thin film transistor layer.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 플렉서블 기판의 표시영역은,
상기 제 1 원자 버퍼층 상에 형성되는 제 1 기능층;
상기 제 1 기능층 상에 형성되는 박막 트랜지스터층; 및
상기 박막 트랜지스터층 상에 형성되는 발광 다이오드층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드 표시장치.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the display region of the flexible substrate
A first functional layer formed on the first atomic buffer layer;
A thin film transistor layer formed on the first functional layer; And
Wherein the organic light emitting diode display further comprises a light emitting diode layer formed on the thin film transistor layer.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 플렉서블 기판의 표시영역은,
상기 제 1 원자 버퍼층과 상기 플렉서블 기판 사이에 형성되는 제 2 기능층;
상기 제 1 원자 버퍼층 상에 형성되는 박막 트랜지스터층; 및
상기 박막 트랜지스터층 상에 형성되는 발광 다이오드층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드 표시장치.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the display region of the flexible substrate
A second functional layer formed between the first atomic buffer layer and the flexible substrate;
A thin film transistor layer formed on the first atomic buffer layer; And
Wherein the organic light emitting diode display further comprises a light emitting diode layer formed on the thin film transistor layer.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 플렉서블 기판의 표시영역은,
상기 제 1 원자 버퍼층 상에 형성되는 제 1 기능층;
상기 제 1 원자 버퍼층과 상기 플렉서블 기판 사이에 형성되는 제 2 기능층;
상기 제 1 기능층 상에 형성되는 박막 트랜지스터층; 및
상기 박막 트랜지스터층 상에 형성되는 발광 다이오드층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드 표시장치.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the display region of the flexible substrate
A first functional layer formed on the first atomic buffer layer;
A second functional layer formed between the first atomic buffer layer and the flexible substrate;
A thin film transistor layer formed on the first functional layer; And
Wherein the organic light emitting diode display further comprises a light emitting diode layer formed on the thin film transistor layer.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 플렉서블 기판의 표시영역의 상기 제 1 원자 버퍼층은 상기 플렉서블 기판의 1면 상에 형성되고,
상기 플렉서블 기판의 표시영역은,
상기 플렉서블 기판의 1면과 반대면이 타면 상에 형성되는 제 2 원자 버퍼층;
상기 제 1 원자 버퍼층 상에 형성되는 박막 트랜지스터층; 및
상기 박막 트랜지스터층 상에 형성되는 발광 다이오드층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드 표시장치.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The first atomic buffer layer in the display region of the flexible substrate is formed on one surface of the flexible substrate,
Wherein the display region of the flexible substrate
A second atomic buffer layer formed on the other surface opposite to the one surface of the flexible substrate;
A thin film transistor layer formed on the first atomic buffer layer; And
Wherein the organic light emitting diode display further comprises a light emitting diode layer formed on the thin film transistor layer.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 플렉서블 기판의 표시영역의 상기 제 1 원자 버퍼층은 상기 플렉서블 기판의 1면 상에 형성되고,
상기 플렉서블 기판의 표시영역은,
상기 플렉서블 기판의 1면과 반대면이 타면 상에 형성되는 박막 트랜지스터층; 및
상기 박막 트랜지스터층 상에 형성되는 발광 다이오드층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드 표시장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The first atomic buffer layer in the display region of the flexible substrate is formed on one surface of the flexible substrate,
Wherein the display region of the flexible substrate
A thin film transistor layer formed on the other surface opposite to the one surface of the flexible substrate; And
Wherein the organic light emitting diode display further comprises a light emitting diode layer formed on the thin film transistor layer.
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