KR20140147409A - 전극 형성용 조성물, 이를 이용하여 제조된 전극 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

전극 형성용 조성물, 이를 이용하여 제조된 전극 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 Download PDF

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Abstract

본 발명은 알루미늄 분말; 유기 바인더; 광중합성 모노머; 광 개시제; 제1 및 제2 유리 프릿; 및 용제를 포함하고, 상기 제1 유리 프릿은 유리전이온도가 350 내지 440℃이고, 제2 유리 프릿은 유리전이온도가 450 내지 500℃인 전극 형성용 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널용 전극, 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다. 본 발명의 전극 형성용 조성물로 제조된 전극은 막 밀도가 치밀하고, 기판과의 부착력 및 전도성이 우수하며, PDP 패널에서 상판과 하판의 봉착 후 가스 리크 발생을 방지할 수 있다.

Description

전극 형성용 조성물, 이를 이용하여 제조된 전극 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널{COMPOSITION FORMING ELECTRODE, ELECTRODE FABRICATED USING THE SAME AND PLASMA DISPLAY PANEL COMPRISING THE SAME}
본 발명은 전극 형성용 조성물, 이를 이용하여 제조된 전극 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
종래에는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 전극으로 은(Ag)을 포함하는 전극을 사용하여 왔다. 은을 포함하는 전극은 치밀도가 높아 PDP 공정 중 소성 후 가스 리크는 발생하지 않는다. 그러나, 은은 고가로서 전극 제조 시 경제성이 떨어지고, 은의 미그레이션(migration) 현상으로 인하여 전극 단자부에서 저항 불균일 또는 단락 현상이 발생할 수 있다.
이에, 고가의 은 분말을 대체하기 위하여 알루미늄 분말을 이용한 감광성 전극이 검토되고 있다. 그러나, 알루미늄 분말은 분말 피막이 산화알루미늄(Al2O3)으로 산화되어 있어 소성시 분말간에 충분한 소결이 일어나지 않고, 소성 과정에서 산화알루미늄 피막의 두께가 커질 수 있다. 이는 알루미늄 전극의 저항을 상승시킬 수 있다.
그리고, 알루미늄 분말은 소성시 막 밀도가 낮아 전극 내부 또는 표면이 다공성으로 된다. 이러한 다공성은 유전체 소성시 유전체 소성막에 기포를 발생시킴은 물론 전극 내로 유전체를 침투시켜 전극을 들뜨게 할 수 있다. 또한, 알루미늄 전극은 격벽 형성 과정에 사용되는 알칼리 용액에 대해 내화학성이 결여되어, 단자부의 전극이 손상되기도 한다. 이러한 일련의 문제들은 결국, 플라즈마 디스플레이 패널에서 전면 기판과 배면 기판을 봉착하고 Ne, Xe 가스를 주입한 이후 가스 리크 문제를 발생시킬 수 있다.
이와 관련하여, 한국공개특허 제2009-0064029호는 기판, 기판에 형성되고 은 입자와 구리, 니켈 및 알루미늄 중 어느 하나의 금속 입자의 혼합입자를 포함하는 전극 및 상기 전극을 기판에 부착하기 위해 프릿을 사용하는 플라즈마 디스플레이 패널을 개시하고 있다.
또한, 알루미늄 분말은 은 분말에 비해 소결성이 낮아 소성 후 기판과의 부착력이 저하될 수 있다. 따라서 알루미늄 분말을 사용한 조성물로 제조된 전극은 기판과의 부착력이 약하기 때문에 PDP 생산의 후처리 공정 단계에서 발생할 수 있는 물리적인 외력에 의하여 일부 전극이 탈락되는 등의 문제들이 발생할 수 있다.
본 발명의 목적은 전극 막 밀도가 우수한 전극 형성용 조성물을 제공하기 위함이다.
본 발명의 다른 목적은 PDP 패널 제조시 전면 기판과 배면 기판의 봉착 이후에도 가스 리크 발생을 방지할 수 있는 전극 형성용 조성물을 제공하기 위함이다.
본 발명의 또 다른 목적은 PDP 패널 제조시 기판과 전극의 부착력이 우수한 전극 형성용 조성물을 제공하기 위함이다.
본 발명의 또 다른 목적은 PDP 패널에서 상판과 하판의 봉착 후 가스 리크 문제를 해결할 수 있는 전극 형성용 조성물을 제공하기 위함이다. 　
본 발명의 또 다른 목적은 전극 전도성을 향상시킬 수 있는 전극 형성용 조성물을 제공하기 위함이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 전극 형성용 조성물을 이용하여 제조된 전극을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 관점은 알루미늄 분말; 유기 바인더; 광중합성 모노머; 제1 및 제2 유리 프릿; 광 개시제;　및 용제를 포함하고, 상기 제1 유리 프릿은 유리전이온도가 350 내지 440℃이고, 제2 유리 프릿은 유리전이온도가 450 내지 500℃인 전극 형성용 조성물에 관한 것이다.
상기 제1 및 제2 유리 프릿은 SiO2, B2O3, Bi2O3, Al2O3, ZnO, Na2O, K2O, Li2O, BaO, CaO, MgO, SrO, PbO, 및 TiO2로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속 산화물을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 유리 프릿은 Bi2O3; 및, B2O3, SiO2 및 Al2O3 중 하나 이상의 금속산화물;을 포함하는 비스무스계 유리 프릿일 수 있다.
상기 유리 프릿은 평균입경(D50)이 0.1㎛ 내지 5㎛일 수 있다.
상기 조성물은 알루미늄 분말 20　내지 80 중량%; 유기 바인더 1 내지 30 중량%; 광중합성 모노머 1 내지 30 중량%; 제1 및 제2 유리 프릿 5　내지 40 중량%; 광 개시제 0.1 내지 10 중량%; 및 잔량의 용제를 포함할 수 있다.
상기 조성물은 증감제, 중합 금지제, 산화방지제, 자외선 흡광제, 소포제, 분산제, 레벨링제, 가소제 또는 이들의 혼합물을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 관점인 전극은 상기 전극 형성용 조성물을 이용하여 제조될 수 있다.
본 발명의 또 다른 관점인 플라즈마 디스플레이 패널은 상기 전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 전극 형성용 조성물로 제조된 전극은 막 밀도가 치밀하고, 기판과의 부착력 및 전도성이 우수하며, PDP 패널에서 상판과 하판의 봉착 후 가스 리크 발생을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구체예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 사시도를 나타낸 것이다.
도 2는 실시예 1에 의한 전극 단면의 SEM 이미지이다.
도 3은 비교예 1에 의한 전극 단면의 SEM 이미지이다.
도 4는 비교예 2에 의한 전극 단면의 SEM 이미지이다.
본 발명의 일 관점인 전극 형성용 조성물은 알루미늄 분말(A), 유기 바인더(B), 광중합성 모노머(C), 유리전이온도가 상이한 2종의 유리 프릿(D), 광 개시제(E) 및 용제(F)를 포함한다. 이하, 구체적으로 설명하기로 한다.
　
(A) 알루미늄 분말
본 발명에서 알루미늄 분말은 알루미늄을 주성분으로 하는 전도성 분말일 수 있다. 구체예로서, 상기 알루미늄 분말은 알루미늄 분말 단독, 또는 알루미늄 분말에 전도성 분말로서 통상적으로 사용되는 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 크롬(Cr), 코발트(Co), 주석(Sn), 납(Pb), 아연(Zn), 철(Fe), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 로듐(Rh), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni) 중 1종 이상의 전도성 분말을 더 포함할 수 있다.
상기 알루미늄 분말은 구형, 침상형, 판상형, 무정형상 중 1종 이상을 사용할 수 있다. 바람직하게는 구형 형상의 분말을 사용할 수 있다.
상기 알루미늄 분말의 평균 입경(D50)은 0.1㎛ 내지 20㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 600℃ 이하의 온도에서 소성 가능하고,　소성 후 막 치밀도가 향상되어 전도성이 향상될 수 있다.
본 명세서에서 "평균입경(D50)"은 이소프로필알코올(IPA)에 알루미늄 분말을 초음파로 25℃에서 3분 동안 분산시킨 후 CILAS社에서 제작한 1064LD 모델을 사용하여 측정된 것이다.
상기 알루미늄 분말은 전극 형성용 조성물 중 20　내지 80 중량%, 바람직하게는 30　내지 70 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 충분한 전도성, 기판과의 부착성 및 인쇄성을 확보할 수 있다.
　
(B) 유기 바인더 　
상기 유기 바인더는 전극 형성용 조성물에 포함되는 성분들을 혼합해주고 일정한 점성을 가진 조성물을 제조하기 위해 첨가되는 것이다. 이를 통해, 전극 패턴의 인쇄가 가능하며, 소성 공정을 거친 후 전극을 제조할 수 있다.
상기 유기 바인더는 (메타)아크릴산, 이타콘산 등의 카르복시기 함유 단량체와 아크릴산 에스테르(메틸아크릴레이트, 메틸메타아크릴레이트 등), 스티렌, 아크릴 아미드, 아크릴로니트릴 등의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 단량체를 공중합하여 얻어진 공중합체, 셀룰로오스, 수용성 셀룰로오스 유도체 중 1종 이상을 사용할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
상기 유기 바인더는 전극 형성용 조성물 중 1 내지 30 중량%, 바람직하게는 1 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 제조된 조성물의 점도가 적절하여 인쇄, 건조 후에 기판과의 접착력이 저하되지 않고, 유기 바인더가 과량으로 존재하지 않아 저항이 높아지지 않고, 소성 공정시 전극의 갈라짐, 오픈, 핀홀 발생 등의 문제점이 없을 수 있다.
　
(C) 광중합성 모노머
광중합성 모노머는 감광성 수지 조성물에 사용되는 다관능 모노머 또는 올리고머가 사용될 수 있다. 구체예로서, 트리메틸올프로판에톡시 트리(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 비스페놀 A 디(메타)아크릴레이트, 노볼락에폭시(메타)아크릴레이트 중 하나 이상 선택하여 사용할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
상기 광중합성 모노머는 전극 형성용 조성물 중 1 내지 30 중량%, 바람직하게는 1 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 광경화가 잘 되어 현상시 패턴 탈락의 문제가 없고, 소성시 유기물의 분해 문제가 발생하지 않아 저항이 상승하는 것을 방지할 수 있다.
　
(D) 유리전이온도가 상이한 2종의 유리 프릿
본 발명의 유리 프릿은 유리전이온도(glass transition temperature, Tg.)가 상이한 2종의 유리 프릿인 제1 유리 프릿과 제2 유리 프릿을 포함한다.
일반적으로, 유리 프릿은 소성 공정 중 도전성 분말과 기판 사이의 접착력을 높이는 역할을 한다. 그러나, 알루미늄 분말은 은 분말에 비하여 소결성이 낮으므로 소성 후 기판과의 부착력이 현저히 감소하여 후처리 공정 단계에서 발생할 수 있는 물리적인 외력에 의해 전극의 탈락 등과 같은 문제가 발생할 수 있다.
또한, 유리전이온도가 낮은 유리 프릿만을 사용하는 경우에는 소성 후 전극의 상부층보다 하부층에 유리(glass) 밀도가 높아지므로 기판과의 부착력은 확보되나, 전극 상층부의 표면에 공극이 많이 발생하게 되어 가스 리키지(gas leakage)가 초래될 수 있고, 전극의 표면 평활성(roughness)이 저하될 수 있다.
반대로, 유리전이온도가 높은 유리 프릿만을 사용하는 경우에는 소성 후 전극 하부층보다 상부층에 유리 밀도가 높아지므로 가스 리키지가 발생하지는 않으나, 전극 하부층에 유리 밀도가 낮아져 기판과의 부착력이 약해질 수 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 유리 프릿은 유리전이온도가 350 내지 440℃인 제1 유리 프릿과 유리전이온도가 450 내지 500℃인 제2 유리 프릿을 포함한다. 상기 온도 범위를 갖는 제1 및 제2 유리 프릿을 사용하는 경우, 전극 제조를 위하여 소성 과정을 거친 후에도 전극 내 유리의 밀도 분포가 균일하며, 전극 내부의 보이드(void)를 유리가 채워줄 수 있으므로 막치밀도가 높아질 수 있다. 따라서, 기판과의 부착력이 향상될 수 있고, 가스 리키지가 방지될 수 있으므로 저항 개선 효과를 얻을 수 있다.
상기 제1 유리 프릿과 제2 유리 프릿은 1 : 1 　내지 1 : 4의 중량비로 포함될 수 있다.
상기 제1 및 제2 유리 프릿은 SiO2, B2O3, Bi2O3, Al2O3, ZnO, Na2O, K2O, Li2O, BaO, CaO, MgO, SrO, PbO　및 TiO2로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속산화물을 포함할 수 있다.
일 구체예로서, 상기 제1 및 제2 유리 프릿은 비스무스계 유리 프릿일 수 있다. 상기 비스무스계 유리 프릿은 Bi2O3; 및 B2O3, SiO2,　및 Al2O3　중 하나 이상의 금속산화물;을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 유리 프릿은 평균입경(D50)이 0.1㎛ 내지 5㎛일 수 있다. 상기 범위 내에서 UV 파장의 심부 경화를 방해하지 않으며, 전극형성시 현상공정에서 핀홀 불량을 유발하지 않을 수 있다. 바람직하게는 0.5㎛ 내지 3㎛가 될 수 있다. 평균입경(D50)은 이소프로필알코올(IPA)에 유리 프릿을 초음파로 25℃에서 3분 분산 후 CILAS 社 에서 제작한 1064LD 모델을 사용하여 측정된 것이다.
유리 프릿은 전극 형성용 조성물 중 5 내지 40 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 전도성 분말의 소결성, 부착력 및 저항이 높아져 변환효율이 저하되는 것을 막을 수 있고, 소성 후 남아 있는 유리 프릿의 양이 과다하게 분포되어 저항　상승 및 납땜성을 저하시킬 수 있는 가능성을 막을 수 있다. 바람직하게는 10　내지 30 중량%로 포함될 수 있다.
　
(E) 광 개시제
광 개시제는 200　내지 500nm의 파장대에서 광반응을 나타내는 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 벤조페논계, 아세토페논계, 트리아진계 화합물 또는 이들의 혼합물로부터 선택될 수 있다. 구체예로서, 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논, 알파-디메톡시-알파-페닐아세토페논, 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
상기 광 개시제는 전극 형성용 조성물 중 0.1 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 5 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 잔량의 광 개시제가 남지 않고 경화 반응이 완전히 수행되어 패턴 탈락의 문제가 없고, 인쇄성이 좋으며, 미반응 유기물로 인한 저항 상승이 발생하지 않을 수 있다.
　
(F) 용제
용제는 전극 형성용 조성물에서 범용적으로 사용되는 120℃ 이상의 비점을 갖는 용제가 될 수 있다. 예를 들면, 에스테르계, 지방족 알코올류, 카비톨 용매, 셀로솔브 용매, 수소 용매 등 전극　형성용 조성물에　통상적으로 사용하는 것을 사용할 수 있다. 구체예로서, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 모노-이소부티레이트, 메틸 셀로솔브, 에틸 셀로솔브, 부틸 셀로솔브, 지방족 알코올, 터핀올(terpineol), 에틸렌 글리콜, 에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르, 부틸셀로솔브 아세테이트, 텍사놀(texanol), 부틸 카비톨 아세테이트 또는 이들의 혼합물 등이 될 수 있다. 상기 용제는 전극 형성용 조성물 중 잔량으로 포함될 수 있다.
　
(G) 첨가제
본 발명의 전극 형성용 조성물은 목적에 따라 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제로는 감도를 향상시키는 증감제; 인산, 인산에스테르, 카르복시산 함유 화합물 등의 조성물의 보존성을 높이는 중합 금지제; 산화방지제; 해상도를 높이는 자외선 흡광제; 실리콘계 또는 아크릴계 화합물 등의 전극 형성용 조성물 내 기포를 줄여주는 소포제; 분산성을 향상시켜 주는 분산제; 폴리에스테르 변성 디메틸폴리실록산, 폴리히드록시카르복시산 아미드, 실리콘계 폴리아크릴레이트 공중합체 또는 불소계 파라핀 화합물 등의　인쇄시 막의 평탄성을 높이기 위한 레벨링제; 또는 요변 특성을 제공하는 가소제 등이 있다. 첨가제는 사용 목적에 따라 적절한 함량으로 사용할 수 있다. 예를 들면, 전극 형성용 조성물 중 0.1 내지 2 중량%로 포함될 수 있다.
　
본 발명의 다른 관점인 전극은 상기 전극 형성용 조성물로 제조될 수 있다.　전극은 통상적인 전극 형성 방법에 의해 제조될 수 있다. 일 예로서, (a) 기판 상에 전극 형성용 조성물을 인쇄하고 건조하는 단계; (b) 건조된 상기 조성물 막을 노광하는 단계; (c) 조성물 막 중 노광된 영역 또는 노광되지 않은 영역을 현상 공정을 통해 제거하는 단계; 및 (d) 조성물 막 중 잔류하는 부분을 건조 및 소성시키는 단계를 포함할 수 있다. 인쇄는 전극 형성용 조성물을 10 내지 30㎛의 두께로 기판 상에 도포하는 것이다. 건조는 도포된 조성물을 80℃ 내지 150℃에서 15분 내지 50분 동안 건조시키는 것이다. 노광은 건조된 조성물 막 위에 포토마스크를 놓고　5　내지 20mW, 100 내지 300mJ의 자외선을 조사하는 것이다. 현상은 알칼리 수용액에서 처리하는 것이다. 소성은 잔류하는 조성물막을 450 내지 650℃의 온도에서 10분 내지 1시간 동안 처리하는 것이다.
　
본 발명의 또 다른 관점인 플라즈마 디스플레이 패널은 상기 전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 서로 대향되게 배치된 배면 기판과 전면 기판; 상기 배면 기판 위에 형성된 복수 개의 어드레스 전극; 상기 어드레스 전극을 덮으면서 상기 배면 기판 위에 형성된 제1 유전체층; 상기 제1 유전체층과 접하면서 방전 공간을 형성하는 복수 개의 격벽; 상기 방전 공간 내에 형성된 형광층; 상기 전면 기판의 하면에 상기 어드레스 전극과 교차하는 방향으로 배치된 복수 개의 버스 전극; 상기 버스 전극을 덮는 제2 유전체층을 포함하고, 상기 어드레스 전극은 소성된 유리 조성물을 포함하는 알루미늄 전극을 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구체예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 것이다. 도 1에서 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널(10)은 배면 기판(150)과 전면 기판(100)을 포함한다. 배면 기판(150) 상에는 종 방향으로 배열된 복수개의 어드레스 전극(117)이 형성되어 있고, 상기 어드레스 전극(117)이 형성된 배면 기판(150) 상에는 어드레스 전극(117)을 덮는 제1 유전체층(115)이 형성되어 있다. 상기 제1 유전체층(115) 상에는 방전 공간을 형성하는 복수 개의 격벽(120)이 형성되고 있고, 상기 방전 공간 내부에는 RGB에 해당하는 형광 물질을 포함하는 형광층(132)이 형성되어 화소 영역을 정의하고 있다.
상기 전면 기판(100)은 상기 배면 기판(150)과 대향되게 배치되어 있다. 상기 전면 기판(100)의 하면에는 상기 어드레스 전극(117)과 교차하도록 횡방향으로 배치된 복수 개의 버스 전극(112)이 형성되어 있다. 전면 기판(100)과 버스 전극(112) 사이에는 투명 전극(110)이 설치될 수 있고 버스 전극(112)은 투명 전극(110) 상에 형성될 수 있다. 또한, 투명 전극(110) 상에는 패널 내부에서 발생된 전하를 저장하고 버스 전극(112)을 덮는 제2 유전체층(114)이 형성되어 있다. 또한, 투명 전극(110) 상에는 상기 제2 유전체층(114)을 보호하고 전자 방출을 용이하게 하기 위한 MgO층(118)이 형성될 수 있다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널에서 있어서, 버스 전극 및/또는 어드레스 전극은 본 발명에 따른 전극으로 형성될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
실시예
하기 실시예와 비교예에서 사용된 성분의 구체적인 사양은 다음과 같다.
(A) 알루미늄 분말　: 평균입경(D50)이 4㎛인 구형의 알루미늄 분말(FLQT4#, Yuanyang社)을 사용하였다.
(B) 유기 바인더　: 폴리(메틸 메타크릴레이트-CO-메타아크릴산)　용액(Showa社)을 사용하였다.
(C) 광중합성 모노머　: 트리메틸올프로판 에톡시 트리아크릴레이트(포토닉스社)를 사용하였다.
(D) 유리 프릿　:
(d1) 제1 유리 프릿 : 유리전이온도가 420℃인 비스무스계(Bi203-B2O3-SiO2-Al2O3) 유리 프릿(CBF1031, 휘닉스社)을 사용하였다.
(d2)　제2 유리 프릿 : 유리전이온도가 470℃인 비스무스계(Bi203-B2O3-SiO2-Al2O3) 유리 프릿(LF6106, 파티클로지社)을 사용하였다.
(E)　광 개시제　: (2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논(HL510, 솔텍社)과 알파-디메톡시-알파-페닐아세토페논(HL570, 솔텍社)의 혼합물을 사용하였다.
(F) 용제　: 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 모노-이소부티레이트를 사용하였다.
　
실시예 1 및 비교예 1-2 : 전극 형성용 조성물
실시예 1
용제 1.87 중량%에, 광　개시제 0.96 중량%, 유기 바인더 20.97 중량%, 광중합성 모노머 10.2 중량%를 넣고 40℃에서 4시간 동안 교반하였다. 얻은 혼합물에 제1 유리 프릿　16.75 중량% 및 제2 유리 프릿　16.75 중량%를　넣고 1차 분산 후 3 롤 밀링하였다. 알루미늄 분말　32.5 중량%를 넣고 밀링하여 전극 페이스트 조성물을 제조하였다.
　
비교예 1 - 2
유리 프릿으로 비교예 1은 제1 유리 프릿만을, 비교예 2는 제2 유리 프릿만을 사용하고, 하기 표 1의 조성으로 전극 형성용 조성물을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하다.
　
실험예: 전극 형성용 조성물의 물성 측정
유리 기판 위에 스크린 마스크를 깔고 상기 실시예와 비교예에서 제조한 각각의 전극 형성용 조성물을 20㎛　두께로 인쇄하고 인쇄된 조성물을 110℃에서 20분 동안 건조시켰다. 14mW 및 200mJ에서 노광하고 0.4%의 Na2CO3 수용액 및 30℃에서 현상하였다. 580℃에서 30분 동안 건조 및 소성시켜 전극을 제조하였다. 상기 제조한 전극에 대해 하기 물성을 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
물성 측정 방법
선저항(Ω) : 선저항 측정기 Multimeter(KEITHLEY社)를 사용하여 선저항을 측정하였다.
부착력 : knife scratch test를 시행하여 육안으로 부착력을 판단하였다. (우수 : ○, 보통 : △, 나쁨 : ×)
막밀도 : 소성 후 전극에 대해 S4300(HITACHI社)로 촬영하였다.
[표 1]
Figure pat00001
도 2 내지 4는 실시예 1 및 비교예 1-2의 전극 형성용 조성물로 제조된 전극의 SEM 이미지를 각각 나타낸 것이다. 상기 표 1과 도 2 내지 4를 참고하면, 유리전이온도가 상이한 제1 및 제2 유리 프릿을 사용하여 제조된 실시예 1의 전극 형성용 조성물로 제조된 전극은 유리전이온도가 낮은 제1 유리 프릿만 사용한 비교예 1에 비하여, 선저항은 동등 수준이나 부착력이 우수한 것을 알 수 있으며, 도 3과 같이 비교예 1의 전극은 전극 내 보이드가 많이 관찰되나 실시예 1은 전극 내 보이드가 유리로 채워져 막 밀도가 높은 것을 이미지로 확인할 수 있다. 또한, 실시예 1은 유리전이온도가 높은 제2 유리 프릿만을 사용한 비교예 2에 비하여 선저항이 현저히 낮으며 부착력이 우수하고, 도 4에서 보듯이 비교예 2는 전극 하층부의 유리 밀도가 매우 낮은 것을 확인할 수 있다.

Claims (8)

  1. 알루미늄 분말;
    유기 바인더;
    광중합성 모노머;
    제1 및 제2 유리 프릿;
    광 개시제; 및
    용제를 포함하고,
    상기 제1 유리 프릿은 유리전이온도가 350 내지 440℃이고, 제2 유리 프릿은 유리전이온도가 450 내지 500℃인 것을 특징으로 하는 전극 형성용 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 유리 프릿은 SiO2, B2O3, Bi2O3, Al2O3, ZnO, Na2O, K2O, Li2O, BaO, CaO, MgO, SrO, PbO, 및 TiO2로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 형성용 조성물.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 유리 프릿은 Bi2O3; 및 B2O3, SiO2 및 Al2O3 중 하나 이상의 금속산화물;을 포함하는 비스무스계 유리 프릿인 것을 특징으로 하는 전극 형성용 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 평균입경(D50)이 0.1㎛ 내지 5㎛인 것을 특징으로 하는 전극 형성용 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 조성물은
    알루미늄 분말 20 내지 80 중량%;
    유기 바인더 1 내지 30 중량%;
    광중합성 모노머 1 내지 30 중량%;
    제1 및 제2 유리 프릿 5 내지 40 중량%;
    광 개시제 0.1 내지 10 중량%; 및
    잔량의 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 형성용 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 전극 형성용 조성물은 증감제, 중합 금지제, 산화방지제, 자외선 흡광제, 소포제, 분산제, 레벨링제, 가소제 또는 이들의 혼합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 형성용 조성물.　
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 전극 형성용 조성물을 이용하여 제조된 전극.
  8. 제7항의 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
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