KR20140132590A - 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 - Google Patents
유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 유기발광소자로부터 발광된 빛이 외부로 방출되는 일면에 배치되되, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 형성되는 광추출층; 및 상기 광추출층 내부에 형성되어 있는 다수의 결정화 입자를 포함하되, 상기 광추출층은 ZnO, B2O3, SiO2, MgO 및 Bi2O3를 포함하는 프릿 유리로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
이를 위해, 본 발명은, 유기발광소자로부터 발광된 빛이 외부로 방출되는 일면에 배치되되, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 형성되는 광추출층; 및 상기 광추출층 내부에 형성되어 있는 다수의 결정화 입자를 포함하되, 상기 광추출층은 ZnO, B2O3, SiO2, MgO 및 Bi2O3를 포함하는 프릿 유리로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
Description
본 발명은 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것이다.
일반적으로, 발광장치는 크게 유기물을 이용하여 발광층을 형성하는 유기발광과 무기물을 이용하여 발광층을 형성하는 무기발광으로 구분할 수 있다. 이중, 유기발광소자는 전자주입전극(cathode)으로부터 주입된 전자와 정공주입전극(anode)으로부터 주입된 정공이 유기 발광층에서 결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고, 이 엑시톤이 에너지를 방출하면서 발광하는 자체 발광형 소자로서, 저전력구동, 자체발광, 넓은 시야각, 높은 해상도와 천연색 실현, 빠른 응답속도 등의 장점을 가지고 있다.
최근에는 이러한 유기발광소자를 휴대용 정보기기, 카메라, 시계, 사무용기기, 자동차 등의 정보 표시 창, 텔레비전, 디스플레이 또는 조명용 등에 적용하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.
상술한 바와 같은 유기발광소자의 발광효율을 향상시키기 위한 방법으로는 발광층을 구성하는 재료의 발광효율을 높이거나 발광층에서 발광된 광의 광추출 효율을 향상시키는 방법이 있다.
이때, 광추출 효율은 유기발광소자를 구성하는 각 층들의 굴절률에 의해 좌우된다. 일반적인 유기발광소자의 경우, 발광층으로부터 방출되는 광이 임계각 이상으로 출사될 때, 투명전극층과 같이 굴절률이 높은 층과 기판과 같이 굴절률이 낮은 층 사이의 계면에서 전반사를 일으키게 되어 광추출 효율이 낮아지게 되고, 이로 인해, 발광 효율이 감소되는 문제점이 있다.
실제로, 이러한 계면에서의 전반사 문제로 인하여 유기발광소자의 발광층에서 발생되는 빛의 약 25% 정도만 외부로 추출되고, 나머지 75% 정도의 빛은 외부로 출광되지 못하는 문제점을 가지고 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 종래에는 고굴절 프릿에 광산란제 입자를 혼합하여 유리기판 상에 도포하거나 또는 유리기판 상에 먼저 광산란제를 도포하고 여기에 다시 고굴절 프릿을 도포하는 방법을 사용하였다. 그러나 이러한 방법들은 유리기판 상에 프릿 도포 후 소성 시 광산란제 입자가 돌출되어 평탄도가 떨어져 유기발광소자 구동 시 광산란제 입자가 돌출된 부분에 전류가 집중되는 문제점이 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 종래에는 광산란제 입자가 돌출된 프릿 상에 평탄화층을 형성하였으나, 이는 공정적으로도 어렵고, 비용 또한 상승되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공하는 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 유기발광소자로부터 발광된 빛이 외부로 방출되는 일면에 배치되되, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 형성되는 광추출층; 및 상기 광추출층 내부에 형성되어 있는 다수의 결정화 입자를 포함하되, 상기 광추출층은 ZnO, B2O3, SiO2, MgO 및 Bi2O3를 포함하는 프릿 유리로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판을 제공한다.
여기서, 상기 프릿 유리는, 상기 ZnO 30~65 중량%, 상기 B2O3 5~24 중량%, 상기 SiO2 3~15 중량%, 상기 MgO 1~5 중량% 및 상기 Bi2O3 5~30 중량%를 포함할 수 있다.
또한, 상기 광추출층의 굴절률은 1.65 이상일 수 있다.
그리고 상기 광추출층의 투과율은 50% 이상일 수 있다.
아울러, 상기 다수의 결정화 입자는 상기 광추출층 내부에 랜덤하게 분포되어 있을 수 있다.
한편, 본 발명은, 유기발광소자로부터 발광된 빛이 외부로 방출되는 일면에 배치되는 광추출 기판을 제조하는 방법에 있어서, 베이스 기판 상에 프릿 페이스트를 도포하는 프릿 페이스트 도포단계; 및 상기 베이스 기판의 스트레인 포인트(strain point) 이하의 온도에서 상기 프릿 페이스트를 소성하여, 내부에 다수의 결정화 입자가 형성되어 있는 광추출층을 상기 베이스 기판 상에 형성하는 프릿 페이스트 소성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 제공한다.
여기서, 상기 프릿 페이스트 도포단계에서는 유기 바인더가 첨가되어 있는 유기용매에 ZnO, B2O3, SiO2, MgO 및 Bi2O3를 포함하는 프릿을 혼합하여 제조된 상기 프릿 페이스트를 상기 베이스 기판 상에 도포할 수 있다.
이때, 상기 프릿 페이스트 도포단계에서는 유기 바인더가 첨가되어 있는 유기용매에 상기 ZnO 30~65 중량%, 상기 B2O3 5~24 중량%, 상기 SiO2 3~15 중량%, 상기 MgO 1~5 중량% 및 상기 Bi2O3 5~30 중량%를 포함하는 프릿을 혼합하여 제조된 상기 프릿 페이스트를 상기 베이스 기판 상에 도포할 수 있다.
또한, 상기 프릿 페이스트 소성단계에서는 상기 프릿 페이스트를 470~670℃의 온도로 소성할 수 있다.
한편, 본 발명은, 상기의 유기발광소자용 광추출 기판을 발광된 빛이 방출되는 일면에 배치되는 기판으로 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 유리기판 상에 결정성 프릿 페이스트를 인쇄한 후 유리기판의 스트레인 포인트(strain point) 이하의 온도로 소성함으로써, 즉, 유리기판 상에 결정성 저융점 유리가 포함된 코팅층을 코팅하고, 이를 열처리 함에 따라 코팅층에 랜덤하게 결정이 석출되어 이루어진 광추출층을 유리기판 상에 형성함으로써, 유기발광소자로부터 발광되어 광추출층을 통과하는 빛을 석출된 결정 즉, 결정화 입자를 통해 산란시킬 수 있고, 이를 통해, 유기발광소자의 광추출 효율을 증가시킬 수 있으며, 저 전류로도 유기발광소자를 구동할 수 있게 되어, 유기발광소자의 소비 전력을 감소시킬 수 있고, 이를 채용한 디스플레이 또는 조명의 휘도 또한 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 소성 시 프릿의 연화 유동에 의해 우수한 표면조도를 갖는 광추출층을 구현함으로써, 유기발광소자의 외부 광추출층 뿐만 아니라 내부 광추출층으로도 적용할 수 있다. 이때, 내부 광추출층으로 적용 시 광추출층을 이루는 프릿 유리의 굴절률이 유기발광소자의 애노드를 이루는 ITO 투명전극의 굴절률과 유사하거나 조금 낮기 때문에 광추출 효율 증가에 유리할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 소성 시 광추출층 내에 결정화 입자가 랜덤하게 분포됨으로써, 일정 수준의 투과율 또한 확보할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판을 개략적으로 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 나타낸 공정 순서도.
도 3은 프릿 페이스트를 인쇄한 상태 및 이를 소성한 상태를 보여주는 사진.
도 4는 열처리 조건에 따른 결정화 입자의 상태를 보여주는 전자현미경 사진.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 나타낸 공정 순서도.
도 3은 프릿 페이스트를 인쇄한 상태 및 이를 소성한 상태를 보여주는 사진.
도 4는 열처리 조건에 따른 결정화 입자의 상태를 보여주는 전자현미경 사진.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자에 대해 상세히 설명한다.
아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판(100)은 유기발광소자를 채용한 디스플레이 또는 조명의 휘도를 향상시키기 위해 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시키는 기능성 기판이다. 이를 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판(100)은 유기발광소자로부터 발광된 빛이 외부로 방출되는 일면에 배치된다.
이러한 유기발광소자용 광추출 기판(100)은 베이스 기판(110), 광추출층(120) 및 다수의 결정화 입자(130)를 포함하여 형성된다.
베이스 기판(110)은 이의 일면에 형성되는 광추출층(120)을 지지하는 기판이다. 또한, 베이스 기판(110)은 유기발광소자의 전방, 즉, 유기발광소자로부터 발광된 빛이 외부로 방출되는 방향에 배치되어, 발광된 빛을 외부로 투과시킨다. 그리고 베이스 기판(110)은 유기발광소자를 외부 환경으로부터 보호하는 봉지(encapsulation) 기판으로서의 역할을 한다. 이러한 베이스 기판(110)은 투명 기판으로, 프릿 유리로 이루어진 광추출층(120) 소성 시 변형되지 않도록 열팽창 계수(CTE)가 낮고, 소성 시 프릿의 결정화를 용이하게 하기 위해, 스트레인 포인트(strain point)가 낮은 투명 유리로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(110)은 보로실리케이트(borosilicate)계 유리로 이루어질 수 있다.
광추출층(120)은 베이스 기판(110) 상에 형성된다. 이러한 광추출층(120)은 유기발광소자로부터 발광된 빛의 산란 경로를 다변화 혹은 증가시켜, 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시키는 역할을 하는 층으로, 내부에는 빛을 산란시키는 다수의 결정화 입자(130)가 형성되어 있다. 즉, 이를 통해, 유기발광소자로부터 발광되어 광추출층(120)을 통과하는 빛을, 광 확산제로 작용하는 다수의 결정화 입자(130)를 통해 산란시킬 수 있고, 이를 통해, 유기발광소자의 광추출 효율을 증가시킬 수 있으며, 저 전류로도 유기발광소자를 구동할 수 있게 되어, 유기발광소자의 소비 전력을 감소시킬 수 있고, 이를 채용한 디스플레이 또는 조명의 휘도 또한 향상시킬 수 있다.
이때, 본 발명의 실시 예에 따른 결정화 입자(130)는 랜덤하게 분산되어 있을 수 있다. 이와 같이, 결정화 입자(130)가 광추출층(120) 내부에서 랜덤하게 분산되어 있으면, 결정화 입자(130)들을 통한 광 산란은 물론, 일정 수준, 예컨대, 광추출층(120)이 50% 이상의 투과율을 확보하는 것이 가능해진다.
여기서, 본 발명의 실시 예에 따른 광추출층(120)은 프릿 유리로 이루어진다. 이때, 프릿 유리는 ZnO, B2O3, SiO2, MgO 및 Bi2O3를 포함한다. 예를 들어, 프릿 유리는 ZnO 30~65 중량%, B2O3 5~24 중량%, SiO2 3~15 중량%, MgO 1~5 중량% 및 Bi2O3 5~30 중량%를 포함할 수 있다. 여기서, 각 조성의 함량에 대한 의의는 하기의 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에서 보다 상세히 설명하기로 한다.
광추출층(120) 내부에 랜덤하게 형성되어 있는 다수의 결정화 입자(130)는 상기와 같은 조성의 프릿을 소성함으로써, 형성된다. 또한, 상기와 같은 조성의 프릿을 소성하게 되면, 프릿의 연화 유동에 의해, 광추출층(120)의 표면은 고 평탄도 즉, 우수한 표면조도를 나타내게 된다. 프릿 소성에 대해서는 하기의 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에서 보다 상세히 설명하기로 한다.
아울러, 내부에 다수의 결정화 입자(130)가 형성되어 있고 우수한 표면조도를 가지며 상기와 같은 조성의 프릿 유리로 이루어진 광추출층(120)은 1.65 이상의 굴절률을 갖는다. 이는, 유기발광소자의 애노드를 이루는 ITO 투명전극의 굴절률과 유사하기 때문에, 본 발명의 실시 예에 따른 광추출 기판(100)을 유기발광소자의 내부 광추출 기판으로 적용 시 광추출층(120)은 이와 굴절률이 유사한 애노드와 접하게 되므로, 광추출 효율을 보다 증가시킬 수 있다. 또한, 광추출층(120)의 표면이 고 평탄면을 가짐에 따라, 유기발광소자의 애노드와 접촉되더라도 접촉부에 전류가 집중되는 현상을 막을 수 있다.
한편, 도시하진 않았지만, 상기와 같이, 베이스 기판(110), 광추출층(120) 및 결정화 입자(130)를 포함하여 형성되는 광추출 기판(100)을 구비하는 유기발광소자는 본 발명의 실시 예에 따른 광추출 기판(100) 및 이와 대향되는 기판 사이에 배치되는 애노드, 유기 발광층 및 캐소드의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 여기서, 애노드는 정공 주입이 잘 일어나도록 일함수(work function)가 큰 금속 Au, In, Sn 또는 ITO와 같은 금속 또는 산화물로 이루어질 수 있다. 또한, 캐소드는 전자 주입이 잘 일어나도록 일함수가 작은 Al, Al:Li 또는 Mg:Ag의 금속 박막으로 이루어질 수 있다. 전면 발광형 유기발광소자에서는 캐소드가 유기 발광층에서 발광된 빛이 잘 투과될 수 있도록 Al, Al:Li 또는 Mg:Ag의 금속 박막의 반투명 전극(semitransparent electrode)과 인듐 주석산화물(indium tin oxide; ITO)과 같은 산화물 투명 전극(transparent electrode) 박막의 다층구조로 이루어질 수 있다. 그리고 유기 발광층은 애노드 상에 차례로 적층되는 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하여 형성된다.
이러한 구조에 따라, 애노드와 캐소드 사이에 순방향 전압이 인가되면, 캐소드로부터 전자가 전자 주입층 및 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되고, 애노드로부터 정공이 정공 주입층 및 정공 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 된다. 그리고 발광층 내로 주입된 전자와 정공은 발광층에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 전이하면서 빛을 방출하게 되는데, 이때, 방출되는 빛의 밝기는 애노드와 캐소드 사이에 흐르는 전류량에 비례하게 된다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에 대하여 도 2를 참조하여 설명하기로 한다. 여기서, 각 구성들의 도면부호는 도 1을 참조한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법은 유기발광소자로부터 발광된 빛이 외부로 방출되는 일면에 배치되는 광추출 기판(100)을 제조하는 방법으로, 프릿 페이스트 도포단계(S1) 및 프릿 페이스트 소성단계(S2)를 포함한다.
먼저, 프릿 페이스트 도포단계(S1)는 베이스 기판(110) 상에 프릿 페이스트를 도포하는 단계이다. 프릿 페이스트 도포단계(S1)에서는 예컨대, 보로실리케이트계 유리로 이루어진 베이스 기판(110) 상에 프릿 페이스트를 스크린 인쇄 등의 방법을 통해 도포한다. 이때, 프릿 페이스트 도포단계(S1)에서는 유기 바인더가 첨가되어 있는 유기용매에 ZnO, B2O3, SiO2, MgO 및 Bi2O3를 포함하는 프릿을 혼합하여 제조된 프릿 페이스트를 베이스 기판(110) 상에 도포할 수 있다. 이때, 프릿 페이스트 도포단계(S1)에서는 유기 바인더가 첨가되어 있는 유기용매에 ZnO 30~65 중량%, B2O3 5~24 중량%, SiO2 3~15 중량%, MgO 1~5 중량% 및 Bi2O3 5~30 중량%를 포함하는 프릿을 혼합하여 제조된 프릿 페이스트를 베이스 기판(110) 상에 도포할 수 있다. 여기서, ZnO가 30 중량% 미만이 되면, 후속 공정인 소성 시 결정화가 일어나기 어렵고, 65 중량%를 넘으면, 결정화가 너무 많이 일어나 제조되는 광추출층(120)의 투과율을 확보하기 어렵게 된다. 또한, B2O3가 5 중량% 미만이면, 유리화가 어렵게 되고, 24 중량%를 넘으면, 결정 형상이 번지게 되어 결정화도를 제어하기 어렵게 된다. 그리고 SiO2는 유리의 구성성분으로 3 중량% 미만이면, 효과가 없고, 15 중량%를 넘으면, 프릿의 연화점이 높아지게 된다. 아울러, Bi2O3가 5 중량% 미만이면, 프릿의 연화점이 상승되어, 보로실리케이트계 유리로 이루어진 베이스 기판(110)의 스트레인 포인트보다 높은 온도에서 소성할 수 밖에 없는데, 이 경우, 베이스 기판(110)이 변형될 수 있고, 30 중량%를 넘으면, 프릿의 연화점이 낮아지나 유리를 프릿으로 만들기 위한 융해(melting) 시 결정이 석출되는 문제가 있다. 또한, MgO는 1~5 중량%로 포함될 경우 결정화를 보다 촉진시킬 수 있다.
한편, 유기용매로는 부틸카비톨아세테이트(butyl carbitol acetate; BCA), α-테르피네올(α-terpineol; α-TPN), 디부틸프탈레이트(dibutyl phthalate; DBP), 에틸 아세테이트(ethyl acetate), β-테르피네올(β-terpineol), 사이클로 헥사논(cyclohexanone), 사이클로 펜타논(cyclopentanone), 헥실렌 글리콜(hexylene glycol), 고비점 알코올, 알코올 에스테르의 혼합물 등을 1종 이상 선택하여 사용할 수 있다.
또한, 유기 바인더로는 에틸셀룰로우스(ethyl cellulose), 에틸렌글리콜(ethylene glycol), 프로필렌글리콜(propylene glycol), 에틸 하이드록시에틸 셀룰로오스(ethylhydroxyethlcellulose), 페놀성 수지, 에틸셀룰로오스와 페놀성 수지의 혼합물, 에스터 중합체, 메타크릴레이트 중합체, 저급 아코올의 메타크릴레이트 중합체, 에틸렌 글리콜 모노아세테이트의 모노부틸에테르 등을 1종 이상 선택하여 사용할 수 있다.
다음으로, 프릿 페이스트 소성단계(S2)는 베이스 기판(110) 상에 도포된 프릿 페이스트를 소성하는 단계이다. 프릿 페이스트 소성단계(S2)에서는 베이스 기판(110)의 스트레인 포인트(strain point) 이하의 온도에서 프릿 페이스트를 소성한다. 본 발명의 실시 예에서는 베이스 기판(110)으로 보로실리케이트계 유리를 사용하므로, 프릿 페이스트 소성단계(S2)에서는 470~670℃의 온도에서 대략 30분 정도 프릿 페이스트를 소성할 수 있다.
이와 같이, 프릿 페이스트를 소성하면, 상기와 같은 조성의 프릿 유리로 이루어지고 내부에 다수의 결정화 입자(130)가 랜덤하게 분포되어 있는 광추출층(120)이 베이스 기판(110) 상에 형성되고, 이러한 광추출층(120)은 베이스 기판(110)과 함께 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판(100)을 이루게 된다.
여기서, 도 3은 프릿 페이스트를 인쇄한 상태 및 이를 소성한 상태를 보여주는 사진으로, 프릿 페이스트를 인쇄한 상태(a)보다 이를 소성한 상태(b)의 명도(brightness)가 높은 것으로 보아, 470~670℃의 온도에서 대략 30분 정도 프릿 페이스트를 소성하면, 결정화가 발생되는 것을 육안으로 확인할 수 있다.
또한, 도 4는 열처리 조건에 따른 결정화 입자의 상태를 보여주는 전자현미경 사진으로, (a)는 550℃에서 30분 열처리한 상태, (b)는 590℃에서 30분 열처리한 상태 및 (c)는 630℃에서 30분 열처리한 상태이다. 이들 사진에서 보여지는 바와 같이, 열처리 온도에 따라 결정화 입자의 형상, 크기 및 결정화도(결정화 입자의 밀도)에 차이가 있는 것을 확인할 수 있다. 이를 통해, 프릿 페이스트 소성 시 열처리 온도를 조절하면, 결정화 입자의 특성을 제어할 수 있는 것으로 확인되었다. 이는, 유기발광소자의 광추출 정도를 원하는 대로 제어할 수 있음을 의미한다.
| 실시 예1 | 실시 예2 | 실시 예3 | 실시 예4 | 실시 예5 | 실시 예6 | |
| ZnO(중량%) | 43 | 40 | 59 | 55 | 59 | 47 |
| B2O3(중량%) | 21 | 20 | 21 | 20 | 18 | 24 |
| SiO2(중량%) | 6 | 10 | 10 | 10 | 7 | 6 |
| Bi2O3(중량%) | 28 | 27 | 5 | 10 | 13 | 20 |
| MgO(중량%) | 2 | 3 | 5 | 5 | 3 | 3 |
| 결정화 온도(℃) | 530 | 560 | 660 | 620 | 610 | 580 |
| 굴절률 | 1.831 | 1.791 | 1.686 | 1.735 | 1.762 | 1.783 |
| 투과율(%) | 78 | 75 | 62 | 65 | 68 | 72 |
상기 표 1은 실시 예 별로 조성 및 결정화 온도를 다르게 하여, 프릿 유리로 이루어진 광추출층을 형성한 결과로, 실시 예1 내지 실시 예6 모두 1.68 이상의 고굴절률을 나타내는 것으로 확인되었고, 60% 이상의 우수한 투과율을 확보할 수 있는 것으로 확인되었다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 유기발광소자용 광추출 기판 110: 베이스 기판
120: 광추출층 130: 결정화 입자
120: 광추출층 130: 결정화 입자
Claims (10)
- 유기발광소자로부터 발광된 빛이 외부로 방출되는 일면에 배치되되,
베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 형성되는 광추출층; 및
상기 광추출층 내부에 형성되어 있는 다수의 결정화 입자;
를 포함하되,
상기 광추출층은 ZnO, B2O3, SiO2, MgO 및 Bi2O3를 포함하는 프릿 유리로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제1항에 있어서,
상기 프릿 유리는,
상기 ZnO 30~65 중량%, 상기 B2O3 5~24 중량%, 상기 SiO2 3~15 중량%, 상기 MgO 1~5 중량% 및 상기 Bi2O3 5~30 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제1항에 있어서,
상기 광추출층의 굴절률은 1.65 이상인 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제1항에 있어서,
상기 광추출층의 투과율은 50% 이상인 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제1항에 있어서,
상기 다수의 결정화 입자는 상기 광추출층 내부에 랜덤하게 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 유기발광소자로부터 발광된 빛이 외부로 방출되는 일면에 배치되는 광추출 기판을 제조하는 방법에 있어서,
베이스 기판 상에 프릿 페이스트를 도포하는 프릿 페이스트 도포단계; 및
상기 베이스 기판의 스트레인 포인트(strain point) 이하의 온도에서 상기 프릿 페이스트를 소성하여, 내부에 다수의 결정화 입자가 형성되어 있는 광추출층을 상기 베이스 기판 상에 형성하는 프릿 페이스트 소성단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제6항에 있어서,
상기 프릿 페이스트 도포단계에서는 유기 바인더가 첨가되어 있는 유기용매에 ZnO, B2O3, SiO2, MgO 및 Bi2O3를 포함하는 프릿을 혼합하여 제조된 상기 프릿 페이스트를 상기 베이스 기판 상에 도포하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제7항에 있어서,
상기 프릿 페이스트 도포단계에서는 유기 바인더가 첨가되어 있는 유기용매에 상기 ZnO 30~65 중량%, 상기 B2O3 5~24 중량%, 상기 SiO2 3~15 중량%, 상기 MgO 1~5 중량% 및 상기 Bi2O3 5~30 중량%를 포함하는 프릿을 혼합하여 제조된 상기 프릿 페이스트를 상기 베이스 기판 상에 도포하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제6항에 있어서,
상기 프릿 페이스트 소성단계에서는 상기 프릿 페이스트를 470~670℃의 온도로 소성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제1항에 따른 유기발광소자용 광추출 기판을 발광된 빛이 방출되는 일면에 배치되는 기판으로 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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