KR20140132229A - Method for forming hole in substrate and apparatus for forming hole in substrate - Google Patents

Method for forming hole in substrate and apparatus for forming hole in substrate Download PDF

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Abstract

Provided by an embodiment of the present invention is a method to form a hole in a substrate which: includes a base member including glass fiber and a resin material; and has a conductive layer formed on the base member. The substrate hole forming method includes: a step of exposing a part of a base member by removing a part to form a hole from a part of a conductive layer; a primary resin removing step of removing a resin material by spraying first resin etching liquid to a part of the exposed base member by using a first flow device while immersing a substrate in the first resin etching liquid; a glass fiber removing step of removing glass fiber of the part of the exposed base member by spraying glass fiber etching liquid to the substrate; and a secondary resin removing step of removing the resin material by spraying second resin etching liquid to the exposed base member by using a second flow device while immersing the substrate in the second resin etching liquid.

Description

기판 홀 형성 방법 및 기판 홀 형성 장치{Method for forming hole in substrate and apparatus for forming hole in substrate}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a substrate hole,

본 발명은 기판에 홀을 형성하는 방법 및 기판에 홀을 형성하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a hole in a substrate and an apparatus for forming a hole in the substrate.

전자 산업의 발달에 따라, 전자 부품의 소형화 및 다기능화에 대한 요구가 점차 증가하고 있고, 전자 부품이 실장되는 회로 기판도 고밀도로 집적화될 것이 요구되고 있다.With the development of the electronic industry, there is a growing demand for miniaturization and multifunctionalization of electronic components, and it is required that circuit boards on which electronic components are mounted are also integrated at high density.

따라서, 회로 기판도 다층의 구조를 가지는 기판의 개발이 활발히 진행되고 있는데, 다층의 기판 구조 또는 양면 기판의 구조에서는 기판을 관통하는 비아 홀(via-hole), 스루 홀(through hole) 등의 홀이 형성된다. Accordingly, in the multilayer substrate structure or the double-sided substrate structure, a substrate having a via-hole, a through-hole, or the like, which penetrates the substrate, has been developed actively. .

기판에 홀을 형성하는 방법은 여러 가지가 있는데, 그 일례로 공개특허공보 2011-0123850호에는 레이저 드릴링의 방법으로 비아 홀을 형성하는 기술이 개시되어 있다. There are various methods for forming holes in the substrate. For example, in the method of forming a via hole by the laser drilling method, a method of forming holes in a substrate is disclosed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-0123850.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판에 홀을 형성하는 방법 및 기판에 홀을 형성하는 장치를 제공하는 것을 주된 과제로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of forming a hole in a substrate and an apparatus for forming a hole in the substrate.

본 발명의 일 측면에 따르면, 유리 섬유와 수지 소재를 포함한 베이스 부재를 포함하고, 상기 베이스 부재에 도전층이 형성된 기판에 홀을 형성하는 방법으로서, 상기 도전층의 부분 중 상기 홀이 형성될 부분을 제거하여 상기 베이스 부재의 일부를 노출시키는 단계;와, 상기 기판을 제1 수지 에칭액에 담근 채 제1 유동 장치를 이용하여 상기 제1 수지 에칭액을 상기 노출된 베이스 부재의 부분에 분사시킴으로써 상기 수지 소재를 제거하는 제1차 수지 제거 단계;와, 상기 기판에 유리 섬유 에칭액을 분사시켜 상기 노출된 베이스 부재의 부분의 유리 섬유를 제거하는 유리 섬유 제거 단계;와, 상기 기판을 제2 수지 에칭액에 담근 채 제2 유동 장치를 이용하여 상기 제2 수지 에칭액을 상기 노출된 베이스 부재에 분사시킴으로써 상기 수지 소재를 제거하는 제2차 수지 제거 단계;를 포함하는 기판 홀 형성 방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of forming a hole in a substrate including a base member including glass fiber and a resin material, and a conductive layer formed on the base member, Removing the first resin etchant to a portion of the exposed base member by using a first flow device while immersing the substrate in the first resin etchant, A glass fiber removing step of removing a glass fiber of a portion of the exposed base member by spraying a glass fiber etchant onto the substrate; The resin material is removed by spraying the second resin etchant onto the exposed base member using a second flow device immersed And a second resin removing step.

여기서, 상기 도전층의 부분 중 상기 홀이 형성될 부분을 제거하여 상기 베이스 부재의 일부를 노출시키는 단계는, 상기 기판에 에칭 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 형성된 에칭 레지스트 패턴을 이용한 에칭 공정으로 수행될 수 있다.Here, the step of removing a portion of the conductive layer where the hole is to be formed to expose a part of the base member may be performed by forming an etching resist pattern on the substrate and performing an etching process using the formed etching resist pattern .

여기서, 상기 제1 수지 에칭액 및 상기 제2 수지 에칭액은 황산 용액을 포함할 수 있다.Here, the first resin etchant and the second resin etchant may include a sulfuric acid solution.

여기서, 상기 제1 수지 에칭액과 상기 제2 수지 에칭액은 동일한 에칭액일 수 있다.Here, the first resin etchant and the second resin etchant may be the same etchant.

여기서, 상기 유리 섬유 제거 단계에서, 상기 유리 섬유 에칭액을 분사시키는 공정은 스프레이 장치로 수행될 수 있다.Here, in the glass fiber removing step, the step of spraying the glass fiber etchant may be performed by a spray device.

여기서, 상기 유리 섬유 에칭액은 불화물 용액을 포함할 수 있다.Here, the glass fiber etchant may include a fluoride solution.

여기서, 상기 유리 섬유 제거 단계에서, 상기 유리 섬유 에칭액을 분사시키는 압력은 1kgf/㎠ 보다 클 수 있다.Here, in the glass fiber removing step, the pressure for spraying the glass fiber etchant may be greater than 1 kgf / cm 2.

여기서, 상기 제1차 수지 제거 단계 및 상기 제2차 수지 제거 단계에서, 상기 제1 유동 장치 및 상기 제2 유동 장치의 분사부의 분사 구멍과 상기 베이스 부재와의 거리는 20㎜보다 작도록 배치될 수 있다.Here, in the first primary resin removing step and the second secondary resin removing step, the distance between the injection hole of the injection portion of the first flow device and the second flow device and the base member may be set to be smaller than 20 mm have.

여기서, 상기 기판은 롤-투-롤 공정에 의해 이송되면서 상기 홀이 형성될 수 있다.Here, the hole may be formed while the substrate is transferred by a roll-to-roll process.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 유리 섬유와 수지 소재를 포함한 베이스 부재를 포함하고, 상기 베이스 부재에 도전층이 형성된 기판에 홀을 형성하는 장치로서, 상기 도전층의 부분 중 상기 홀이 형성될 부분을 제거하여 상기 베이스 부재의 일부를 노출시키는 기판 윈도우 형성부;와, 제1 수지 에칭액을 수용하는 제1 수지 에칭액 수용부와, 상기 기판을 상기 제1 수지 에칭액에 담근 상태로 상기 제1 수지 에칭액을 상기 기판에 분사시키는 제1 유동 장치를 포함하는 제1 수지 제거부;와, 상기 기판에 유리 섬유 에칭액을 분사시키는 스프레이 장치를 포함하는 유리 섬유 제거부;와, 제2 수지 에칭액을 수용하는 제2 수지 에칭액 수용부와, 상기 기판을 상기 제2 수지 에칭액에 담근 상태로 상기 제2 수지 에칭액을 상기 기판에 분사시키는 제2 유동 장치를 포함하는 제2 수지 제거부;를 포함하는 기판 홀 형성 장치를 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an apparatus for forming a hole in a substrate including a base member including glass fiber and a resin material, and a conductive layer formed on the base member, A first resin etchant accommodating portion for accommodating a first resin etchant; a second resin etchant accommodating portion for accommodating the first resin etchant in a state of immersing the substrate in the first resin etchant; And a spray device for spraying a glass fiber etchant onto the substrate, and a second resin etchant containing a second resin etchant, And a second flow device for spraying the second resin etchant onto the substrate while the substrate is immersed in the second resin etchant. Provides a substrate hole forming apparatus including, a second reject to the resin.

여기서, 상기 기판 윈도우 형성부는, 상기 기판에 에칭 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 형성된 에칭 레지스트 패턴을 이용한 에칭 공정으로 상기 베이스 부재의 일부를 노출시킬 수 있다.Here, the substrate window forming unit may form an etching resist pattern on the substrate, and expose a part of the base member by an etching process using the etching resist pattern.

여기서, 상기 제1 수지 에칭액 및 상기 제2 수지 에칭액은 황산 용액을 포함할 수 있다.Here, the first resin etchant and the second resin etchant may include a sulfuric acid solution.

여기서, 상기 제1 수지 에칭액과 상기 제2 수지 에칭액은 동일한 에칭액일 수 있다.Here, the first resin etchant and the second resin etchant may be the same etchant.

여기서, 상기 유리 섬유 에칭액은 불화물 용액을 포함할 수 있다.Here, the glass fiber etchant may include a fluoride solution.

여기서, 상기 스프레이 장치의 분사 압력은 1kgf/㎠ 보다 클 수 있다.Here, the spray pressure of the spray device may be greater than 1 kgf / cm 2.

여기서, 상기 제1 유동 장치 및 상기 제2 유동 장치의 분사부의 분사 구멍과 상기 베이스 부재와의 거리는 20㎜보다 작도록 배치될 수 있다.Here, the distance between the injection hole of the jetting portion of the first flow device and the second flow device and the base member may be arranged to be smaller than 20 mm.

여기서, 상기 기판 홀 형성 장치에서의 상기 기판의 이송 공정은 롤-투-롤 이송 공정에 의해 이루어질 수 있다.Here, the transferring process of the substrate in the substrate hole forming apparatus may be performed by a roll-to-roll transfer process.

여기서, 상기 기판 홀 형성 장치는, 상기 기판을 공급하는 기판 공급롤과, 상기 홀이 형성된 기판을 회수하는 기판 회수롤을 더 포함할 수 있다.Here, the substrate hole forming apparatus may further include a substrate supply roll for supplying the substrate, and a substrate recovery roll for recovering the substrate on which the hole is formed.

본 발명의 일 측면에 따른 기판 홀 형성 방법 및 기판 홀 형성 장치는, 우수한 품질의 홀을 형성할 수 있는 효과가 있다.The substrate hole forming method and the substrate hole forming apparatus according to one aspect of the present invention have the effect of forming a hole of high quality.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 홀 형성 장치를 이용하여 기판에 홀을 형성하는 공정별 단계를 도시한 개략적인 도면이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ의 지점에서의 기판의 모습을 도시한 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 홀 형성 장치의 기판 윈도우 형성부에서, 에칭 레지스트 패턴을 이용한 에칭 공정으로 도전층에 윈도우를 형성하는 모습을 도시한 도면이다.
도 4는 도 1의 Ⅱ의 지점에서의 기판의 모습을 도시한 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 홀 형성 장치의 제1 수지 제거부에서, 제1 유동 장치를 이용하여 제1 수지 에칭액을 기판에 분사시켜 수지 소재를 제거하는 모습을 도시한 도면이다.
도 6은 도 1의 Ⅲ의 지점에서의 기판의 모습을 도시한 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 홀 형성 장치의 유리 섬유 제거부에서, 스프레이 장치를 이용하여 유리 섬유 에칭액을 기판에 분사시켜 유리 섬유를 제거하는 모습을 도시한 도면이다.
도 8은 도 1의 Ⅳ의 지점에서의 기판의 모습을 도시한 개략적인 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 홀 형성 장치의 제2 수지 제거부에서, 제2 유동 장치를 이용하여 제2 수지 에칭액을 기판에 분사시켜 수지 소재를 제거하는 모습을 도시한 도면이다.
도 10은 도 1의 Ⅴ의 지점에서의 기판의 모습을 도시한 개략적인 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 홀 형성 방법의 단계들을 도시한 개략적인 흐름도이다.FIG. 1 is a schematic view showing steps for forming holes in a substrate using a substrate hole forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view showing a state of a substrate at a point I in Fig.
3 is a view showing a state in which a window is formed in a conductive layer by an etching process using an etching resist pattern in a substrate window forming unit of the substrate hole forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view showing a state of a substrate at a point II in Fig.
5 is a view showing a state in which a resin material is removed by spraying a first resin etchant onto a substrate using a first flow apparatus in a first resin removing apparatus of a substrate hole forming apparatus according to an embodiment of the present invention .
6 is a schematic cross-sectional view showing a state of a substrate at a point of III in Fig.
7 is a view showing a state in which a glass fiber etchant is sprayed onto a substrate by using a spray apparatus to remove glass fibers in a glass fiber removing apparatus of a substrate hole forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
8 is a schematic cross-sectional view showing a state of a substrate at a point IV of Fig.
9 is a view showing a state in which a resin material is removed by spraying a second resin etchant onto a substrate by using a second flow apparatus in a second resin removal of the substrate hole forming apparatus according to an embodiment of the present invention .
10 is a schematic cross-sectional view showing a state of a substrate at a point V in Fig.
11 is a schematic flow chart showing steps of a method of forming a substrate hole according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예에 따른 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 사용함으로써 중복 설명을 생략한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present specification and drawings, the same reference numerals are used for constituent elements having substantially the same configuration, and redundant description is omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 홀 형성 장치를 이용하여 기판에 홀을 형성하는 공정별 단계를 도시한 개략적인 도면이다. 도 2는 도 1의 Ⅰ의 지점에서의 기판의 모습을 도시한 개략적인 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 홀 형성 장치의 기판 윈도우 형성부에서, 에칭 레지스트 패턴을 이용한 에칭 공정으로 도전층에 윈도우를 형성하는 모습을 도시한 도면이다. 또한, 도 4는 도 1의 Ⅱ의 지점에서의 기판의 모습을 도시한 개략적인 단면도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 홀 형성 장치의 제1 수지 제거부에서, 제1 유동 장치를 이용하여 제1 수지 에칭액을 기판에 분사시켜 수지 소재를 제거하는 모습을 도시한 도면이다. 또한, 도 6은 도 1의 Ⅲ의 지점에서의 기판의 모습을 도시한 개략적인 단면도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 홀 형성 장치의 유리 섬유 제거부에서, 스프레이 장치를 이용하여 유리 섬유 에칭액을 기판에 분사시켜 유리 섬유를 제거하는 모습을 도시한 도면이다. 또한, 도 8은 도 1의 Ⅳ의 지점에서의 기판의 모습을 도시한 개략적인 단면도이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 홀 형성 장치의 제2 수지 제거부에서, 제2 유동 장치를 이용하여 제2 수지 에칭액을 기판에 분사시켜 수지 소재를 제거하는 모습을 도시한 도면이며, 도 10은 도 1의 Ⅴ의 지점에서의 기판의 모습을 도시한 개략적인 단면도이다.FIG. 1 is a schematic view showing steps for forming holes in a substrate using a substrate hole forming apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a substrate at a point I in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a substrate window forming apparatus according to an embodiment of the present invention, In which a window is formed on a conductive layer by a process. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a state of the substrate at a point II in FIG. 1, and FIG. 5 is a cross-sectional view showing a first resin removing part of the substrate hole forming apparatus according to an embodiment of the present invention, The first resin etchant is sprayed onto the substrate using the apparatus to remove the resin material. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing the state of the substrate at the point III in FIG. 1, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the glass fiber removing apparatus in the substrate hole forming apparatus according to the embodiment of the present invention, And the glass fiber etchant is sprayed onto the substrate to remove the glass fiber. Fig. 8 is a schematic cross-sectional view showing a state of the substrate at the point IV of Fig. 1, and Fig. 9 is a cross-sectional view of the second resin removing unit of the substrate hole forming apparatus according to the embodiment of the present invention, FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a state of a substrate at a point V in FIG. 1; FIG. 10 is a view showing a state in which a resin material is removed by spraying a second resin etchant onto the substrate using the apparatus; FIG.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 홀 형성 장치(100)는 롤-투-롤 공정에 의해 기판(210)을 이송하면서 기판(210)에 홀(H)을 형성하는 장치로서, 기판 공급롤(110), 기판 윈도우 형성부(120), 제1 수지 제거부(130), 유리 섬유 제거부(140), 제2 수지 제거부(150), 기판 회수롤(160), 다수의 이송 롤러(R)를 포함한다.1, a substrate hole forming apparatus 100 according to an embodiment of the present invention forms a hole H in a substrate 210 while transferring the substrate 210 by a roll-to-roll process, A first resin removing unit 130, a glass fiber removing unit 140, a second resin removing unit 150, a substrate recovery roll 160 , And a plurality of feed rollers R.

본 실시예에 따른 기판(210)에 형성되는 홀(H)의 종류에는 제한이 없다. 예를 들면 비아 홀(via-hole), 스루 홀(through hole) 등 다양한 종류의 홀(H)이 형성될 수 있다.There is no limitation on the type of the hole H formed in the substrate 210 according to the present embodiment. Various kinds of holes H, for example, via-holes, through holes, and the like can be formed.

본 실시예에 따른 기판 홀 형성 장치(100)는 롤-투-롤 공정에 의해 기판(210)을 이송하면서 기판(210)에 홀을 형성하는 장치이지만, 본 발명에 따르면 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따른 기판 홀 형성 장치는, 기판이 패널(panel)의 형상을 가지는 경우에 컨베이어 이송 방법 등을 이용하여 기판을 이송하면서 기판에 홀을 형성할 수도 있다.The substrate hole forming apparatus 100 according to the present embodiment is an apparatus for forming a hole in the substrate 210 while transferring the substrate 210 by a roll-to-roll process, but the present invention is not limited thereto. That is, when the substrate has the shape of a panel, the substrate hole forming apparatus according to the present invention may form a hole in the substrate while transferring the substrate using a conveyor transfer method or the like.

홀(H)이 형성되는 기판(210)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 베이스 부재(211)와 도전층(212)을 포함하고 있으며, 연성 회로 기판의 특징을 가지고 있다. The substrate 210 on which the holes H are formed includes a base member 211 and a conductive layer 212 as shown in FIG. 2 and has a feature of a flexible circuit board.

베이스 부재(211)는 수지 소재(resin)(211a)에 유리 섬유(glass fiber)(211b)를 보강 기재로 적용한 복합소재로 이루어져 있으며, 연성(flexible)의 특성을 가진다. The base member 211 is made of a composite material in which a glass fiber 211b is applied to a resin material 211a as a reinforcing base material and has a flexible characteristic.

수지 소재(211a)로는 에폭시, 페놀, 폴리이미드, 액정 고분자, 시아네이트 에스테르, LCP, 기타의 고분자 물질 등이 사용될 수 있다. 또한, 수지 소재(211a)는 단일의 소재뿐만 아니라 복합 소재로도 이루어질 수 있다. 또한, 수지 소재(211a)는 여러 가지 형태의 내부 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 필라멘트 형상의 소재와 작은 입자 형상의 소재가 함께 섞여 수지 소재(211a)를 구성할 수 있다. As the resin material 211a, an epoxy, a phenol, a polyimide, a liquid crystal polymer, a cyanate ester, an LCP, and other polymer materials can be used. In addition, the resin material 211a can be made of a single material as well as a composite material. In addition, the resin material 211a may have various types of internal structures. For example, the filament-like material and the small particle-like material may be mixed together to form the resin material 211a.

도전층(212)은 구리(Cu) 소재를 포함하며, 베이스 부재(211)의 양면에 형성되는데, 도전층(212)은 스크린 프린팅 방법, 잉크젯 프린팅 방법, 도금법 등의 방법으로 형성될 수 있다.The conductive layer 212 includes copper and is formed on both sides of the base member 211. The conductive layer 212 may be formed by a screen printing method, an inkjet printing method, a plating method, or the like.

본 실시예에 따른 도전층(212)의 소재는 구리를 포함하지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따른 도전층의 소재로는 다른 도전성의 소재, 예를 들어, 은(Ag), 금(Au) 등도 사용될 수 있다.The material of the conductive layer 212 according to the present embodiment includes copper, but the present invention is not limited thereto. That is, other conductive materials such as silver (Ag) and gold (Au) may be used as the material of the conductive layer according to the present invention.

또한, 본 실시예에 따른 기판(210)은 특수한 구조를 가지도록 제조자가 직접 제조할 수 있으며, 기판(210)으로 유리 섬유를 포함한 동박 적층 원판(Copper Clad Laminate)이 바로 사용될 수도 있다.The substrate 210 according to the present embodiment may be directly manufactured by the manufacturer so as to have a specific structure, and a copper clad laminate including glass fibers may be directly used as the substrate 210.

본 실시예에 따른 기판(210)은 연성 회로 기판의 특성을 가지도록 구성되지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따른 기판은 경성 회로 기판(rigid printed circuit board)의 특징을 가질 수도 있다. The substrate 210 according to the present embodiment is configured to have the characteristics of the flexible circuit board, but the present invention is not limited thereto. That is, the substrate according to the present invention may have the feature of a rigid printed circuit board.

한편, 도 1에 도시된 기판 홀 형성 장치(100)의 기판 공급롤(110)은, 홀(H)이 형성되지 않은 기판(210)을 공급한다. 기판 공급롤(110)은 원통형의 형상으로 형성되어 있으며, 기판 공급롤(110)에는 홀(H)이 형성되지 않은 기판(210)이 소정의 횟수로 감겨져 있다.On the other hand, the substrate supply roll 110 of the substrate hole forming apparatus 100 shown in FIG. 1 supplies the substrate 210 on which the holes H are not formed. The substrate feed roll 110 is formed in a cylindrical shape and the substrate 210 on which the holes H are not formed is wound on the substrate feed roll 110 a predetermined number of times.

기판 윈도우 형성부(120)는 도전층(212)에 윈도우(W)를 형성함으로써 베이스 부재(211)의 부분 중 홀(H)이 형성될 부분을 노출시키는 장치이다.The substrate window forming portion 120 is a device for exposing a portion of the base member 211 where a hole H is to be formed by forming a window W on the conductive layer 212.

기판 윈도우 형성부(120)는 기판(210)에 감광성 물질을 도포하는 장치(121)와, 노광 및 현상 공정을 포함한 포토 리소그래피 공정으로 에칭 레지스트 패턴을 형성하는 장치(122)와, 상기 형성된 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 도전층(212)을 식각하는 에칭 공정이 수행되는 장치(123)를 포함하는데, 각 장치들(121)(122)(123)은 공지의 장치가 사용될 수 있으므로, 여기서 자세한 설명은 생략한다. The substrate window forming unit 120 includes an apparatus 121 for applying a photosensitive material to the substrate 210, an apparatus 122 for forming an etching resist pattern by a photolithography process including an exposure and development process, A device 123 in which an etching process is performed to etch the conductive layer 212 using a pattern is performed. Since each of the devices 121, 122, and 123 may be a well-known device, It is omitted.

기판(210)이 기판 윈도우 형성부(120)를 거치게 되면, 도전층(212)의 일부가 제거되어 윈도우(W)가 형성된다.When the substrate 210 passes through the substrate window forming portion 120, a part of the conductive layer 212 is removed to form the window W.

한편, 제1 수지 제거부(130)는, 이송된 기판(210)을 제1 수지 에칭액(RE1)에 담근 채 제1 유동 장치(132)를 이용하여 제1 수지 에칭액(RE1)을 윈도우(W)를 통해 상기 노출된 베이스 부재(211)의 부분에 분사시킴으로써, 수지 소재를 제거하는 장치이다.The first resin removing unit 130 removes the first resin etchant RE1 from the window W by using the first flow device 132 while immersing the transferred substrate 210 in the first resin etchant RE1, To the exposed portion of the base member 211, thereby removing the resin material.

제1 수지 제거부(130)는, 제1 수지 에칭액 수용부(131)와 제1 유동 장치(132)를 포함한다.The first resin removing unit 130 includes a first resin etchant receiving part 131 and a first flow device 132.

제1 수지 에칭액 수용부(131)는 용기의 형상을 가지고 있는데, 제1 수지 에칭액(RE1)을 수용하고 있다.The first resin etchant storage part 131 has a shape of a container, and houses the first resin etchant RE1.

제1 수지 에칭액 수용부(131)에 수용된 제1 수지 에칭액(RE1)은, 수지 소재(211a)를 제거하기 위한 에칭액이다. 제1 수지 에칭액(RE1)은 기판(210)에 사용된 수지 소재(211a)에 따라 그 종류가 결정되는데, 예를 들면 70% 고농도 황산이 사용될 수 있다. The first resin etchant RE1 contained in the first resin etchant storage part 131 is an etchant for removing the resin material 211a. The kind of the first resin etchant RE1 is determined according to the resin material 211a used for the substrate 210. For example, 70% high concentration sulfuric acid may be used.

한편, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 유동 장치(132)는, 분사부(132a), 연결부(132b), 펌프부(132c), 유입부(132d)를 포함한다. 5, the first flow device 132 includes a jetting section 132a, a connecting section 132b, a pump section 132c, and an inlet section 132d.

분사부(132a)는 제1 수지 에칭액 수용부(131) 내부에 배치되는데, 작동 시 제1 수지 에칭액(RE1)에 잠기도록 배치되고, 펌프부(132c)로부터 연결부(132b)를 경유하여 소정 압력의 제1 수지 에칭액(RE1)을 받아 기판(210)으로 분사시키는 장치이다. The jetting portion 132a is disposed inside the first resin etchant receiving portion 131 and is disposed so as to be submerged in the first resin etchant RE1 during operation and is connected to the jetting portion 132a via a connecting portion 132b from the pump portion 132c, The first resin etchant RE1 is injected onto the substrate 210. The first resin etchant RE1,

연결부(132b)는 분사부(132a)와 펌프부(132c)를 연결하는 관로로서, 펌프부(132c)에서 압축된 제1 수지 에칭액(RE1)은 연결부(132b)를 통해 분사부(132a)에 도달하게 된다.The first resin etchant RE1 compressed by the pump part 132c is connected to the jetting part 132a through the connecting part 132b .

펌프부(132c)는 제1 수지 에칭액(RE1)이 소정의 압력을 가지도록 제1 수지 에칭액(RE1)에 기계적인 에너지를 부여하는 장치이다.The pump section 132c is a device for imparting mechanical energy to the first resin etchant RE1 so that the first resin etchant RE1 has a predetermined pressure.

유입부(132d)는 제1 수지 에칭액 수용부(131)에 수용된 제1 수지 에칭액(RE1)을 펌프부(132c)로 유입하는 부분이다. The inflow portion 132d is a portion for introducing the first resin etchant RE1 contained in the first resin etchant receiving portion 131 into the pump portion 132c.

제1 유동 장치(132)의 작동을 살펴보면, 제1 수지 에칭액 수용부(131)에 수용된 제1 수지 에칭액(RE1)은 유입부(132d)로 유입된 후 펌프부(132c)에서 가압되고, 이어 연결부(132b)를 거쳐 분사부(132a)로 이동하게 된다. 이어, 분사부(132a)는 제1 수지 에칭액(RE1)을 소정의 압력으로 기판(210)에 분사한다. The first resin etchant RE1 contained in the first resin etchant accommodating portion 131 is introduced into the inlet portion 132d and then pressurized by the pump portion 132c, And moves to the jetting section 132a via the connecting section 132b. Next, the jetting section 132a ejects the first resin etchant RE1 onto the substrate 210 at a predetermined pressure.

본 실시예에 따른 제1 유동 장치(132)는, 분사부(132a), 연결부(132b), 펌프부(132c), 유입부(132d)를 포함하여 구성되지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따른 제1 유동 장치는 소정의 압력으로 제1 수지 에칭액(RE1)을 기판(210)에 분사시키는 기능을 수행하기만 하면 되고, 그 외의 구성에는 특별한 제한이 없다. 예를 들어, 본 발명에 따른 제1 유동 장치(132)는 공지된 플러드 바 장치(flood bar device)가 적용될 수도 있다. The first flow device 132 according to the present embodiment includes the jetting section 132a, the connecting section 132b, the pump section 132c, and the inlet section 132d, but the present invention is not limited thereto. That is, the first flow device according to the present invention is only required to perform the function of injecting the first resin etchant RE1 onto the substrate 210 at a predetermined pressure, and there is no particular limitation on the other structures. For example, the first flow device 132 according to the present invention may be applied to a known flood bar device.

제1 유동 장치(132)의 분사부(132a)에서 분사된 제1 수지 에칭액(RE1)은, 도전층(212)에 형성된 윈도우(W)를 통해 베이스 부재(211)의 노출된 부분에 도달하게 된다. 도달된 제1 수지 에칭액(RE1)은 베이스 부재(211)의 노출된 부분에 침투하여 수지 소재(211a)를 제거함으로써 홈(G)을 형성하는데, 제1 수지 에칭액(RE1)이 베이스 부재(211)에 닿을 때의 압력이 높을수록, 제1 수지 에칭액(RE1)은 베이스 부재(211)의 노출된 부분으로 침투가 용이하게 된다. 따라서, 제1 유동 장치(132)의 분사부(132a)의 분사 구멍(132a_1)과 베이스 부재(211)와의 거리(d1)는 20㎜보다 작도록 배치되는 것이 바람직하다. The first resin etchant RE1 injected from the jetting portion 132a of the first flow device 132 reaches the exposed portion of the base member 211 through the window W formed in the conductive layer 212 do. The obtained first resin etchant RE1 penetrates the exposed portion of the base member 211 to remove the resin material 211a to form a groove G. The first resin etchant RE1 is deposited on the base member 211 , The first resin etchant RE1 easily penetrates into the exposed portion of the base member 211. As a result, It is therefore preferable that the distance d1 between the jetting hole 132a_1 of the jetting section 132a of the first flow device 132 and the base member 211 is smaller than 20 mm.

한편, 유리 섬유 제거부(140)는 이송된 기판(210)에 유리 섬유 에칭액(GE)을 분사시킴으로써, 베이스 부재(211)의 상기 노출된 부분의 유리 섬유(211b)를 제거하는 장치이다.The glass fiber removing part 140 is a device for removing the glass fiber 211b of the exposed part of the base member 211 by injecting the glass fiber etching solution GE onto the transferred substrate 210. [

유리 섬유 제거부(140)는 스프레이 장치(141)를 포함한다.The glass fiber removing part 140 includes a spraying device 141.

도 7에 도시된 바와 같이, 스프레이 장치(141)는 노즐부(141a)를 구비하고 있는데, 스프레이 장치(141)로 공급된 유리 섬유 에칭액(GE)은 노즐부(141a)를 통해 소정의 압력으로 기판(210)에 분사된다.7, the spray apparatus 141 includes a nozzle unit 141a. The glass fiber etchant GE supplied to the spray apparatus 141 is supplied to the spray apparatus 141 through the nozzle unit 141a at a predetermined pressure And is sprayed onto the substrate 210.

유리 섬유 에칭액(GE)은 불화물 용액을 포함할 수 있는데, 불화물 용액의 예로 불화암모늄 용액, 불화수소산 용액 등이 될 수 있다.The glass fiber etchant (GE) may include a fluoride solution, and examples of the fluoride solution may include ammonium fluoride solution, hydrofluoric acid solution, and the like.

불화물 용액으로 불화암모늄 용액을 사용하는 예의 경우, 다음의 화학 반응식에 의해 유리 섬유(211b)가 제거된다. In the case of using an ammonium fluoride solution as the fluoride solution, the glass fiber 211b is removed by the following chemical reaction formula.

3NH4HF2 + SiO2 -> (NH4)2SiF6(sludge) +NH4OH +H2O3 NH 4 HF 2 + SiO 2 -> (NH 4 ) 2 SiF 6 (sludge) + NH 4 OH + H 2 O

여기서, 생성되는 슬러지(sludge) 형태의 (NH4)2SiF6 는 후공정에서 자연스럽게 제거될 수 있으며, 별개의 초음파 공정을 추가하여 제거할 수도 있다.Here, (NH 4 ) 2 SiF 6 in the form of a sludge that is generated can be removed naturally in a post-process, or may be removed by adding a separate ultrasonic process.

스프레이 장치(141)의 노즐부(141a)에서 분사된 유리 섬유 에칭액(GE)은, 도전층(212)에 형성된 윈도우(W)를 통해 베이스 부재(211)의 노출된 부분에 도달하게 된다. 도달된 유리 섬유 에칭액(GE)은 베이스 부재(211)의 노출된 부분의 유리 섬유(211b)를 제거한다. 유리 섬유 에칭액(GE)은 주로 화학적 작용에 의해 유리 섬유(211b)를 제거하기는 하지만, 유리 섬유(211b)에 직접 닿을 때 작용하는 물리적 충돌 에너지도 유리 섬유(211b) 및 부산물로 발생하는 슬러지 제거 작용에 도움을 주므로, 노즐부(141a)로부터 분사되는 유리 섬유 에칭액(GE)의 분사 압력은 1kgf/㎠ 보다 큰 것이 바람직하다.The glass fiber etchant GE sprayed from the nozzle portion 141a of the spray device 141 reaches the exposed portion of the base member 211 through the window W formed in the conductive layer 212. [ The reached glass fiber etchant (GE) removes the glass fibers 211b of the exposed portion of the base member 211. Although the glass fiber etching solution (GE) mainly removes the glass fiber (211b) by chemical action, the physical impact energy acting when the glass fiber (211b) touches the glass fiber (211b) is also removed by the glass fiber (211b) and the sludge The injection pressure of the glass fiber etching liquid GE injected from the nozzle portion 141a is preferably larger than 1 kgf / cm2.

한편, 제2 수지 제거부(150)는, 이송된 기판(210)을 제2 수지 에칭액(RE2)에 담근 채, 제2 유동 장치(152)를 이용하여 제2 수지 에칭액(RE2)을 윈도우(W)를 통해 상기 노출된 베이스 부재(211)의 부분에 분사시킴으로써 수지 소재를 제거하는 장치이다.On the other hand, the second resin removing unit 150 removes the second resin etchant RE2 from the window (not shown) while the transferred substrate 210 is immersed in the second resin etchant RE2, W to the exposed portion of the base member 211 to remove the resin material.

제2 수지 제거부(150)는, 제2 수지 에칭액 수용부(151)와 제2 유동 장치(152)를 포함한다.The second resin removing unit 150 includes a second resin etchant receiving unit 151 and a second flow device 152. [

제2 수지 에칭액 수용부(151)는 용기의 형상을 가지고 있는데, 제2 수지 에칭액(RE2)을 수용하고 있다.The second resin etchant receiving portion 151 has a container shape, and contains the second resin etchant RE2.

제2 수지 에칭액 수용부(151)에 수용된 제2 수지 에칭액(RE2)은, 수지 소재(211a)를 제거하기 위한 에칭액이다. The second resin etchant RE2 housed in the second resin etchant receiving portion 151 is an etchant for removing the resin material 211a.

본 실시예에서는 제2 수지 에칭액 수용부(151)에 수용된 제2 수지 에칭액(RE2)은 제1 수지 에칭액 수용부(131)에 수용된 제1 수지 에칭액(RE1)과 동일한 종류의 수지 에칭액이 사용된다. 즉, 제1 수지 에칭액 수용부(131)과 제2 수지 에칭액 수용부(151)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 연결 관로(C)와 밸브(BL)에 의해 연결되어 있어 서로 순환이 가능하도록 구성되어 있다. The second resin etchant RE2 accommodated in the second resin etchant receiving portion 151 is used in the same manner as the first resin etchant RE1 housed in the first resin etchant receiving portion 131 . 1, the first resin etchant receiving portion 131 and the second resin etchant receiving portion 151 are connected to each other by the connection pipe C and the valve BL so that they can circulate with each other .

본 실시예에서는 제2 수지 에칭액 수용부(151)에 수용된 제2 수지 에칭액(RE2)은 제1 수지 에칭액 수용부(131)에 수용된 제1 수지 에칭액(RE1)과 동일한 종류의 수지 에칭액이 사용되지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따른 제2 수지 에칭액 수용부(151)에 수용된 제2 수지 에칭액(RE2)은, 제1 수지 에칭액 수용부(131)에 수용된 제1 수지 에칭액(RE1)과 상이한 성분 및/또는 상이한 종류의 수지 에칭액이 사용될 수 있다. 예를 들면, 제2 수지 에칭액(RE2)으로는 고농도 황산 80%가 사용될 수 있다.The second resin etchant RE2 accommodated in the second resin etchant receiving portion 151 is used in the same manner as the first resin etchant RE1 housed in the first resin etchant receiving portion 131 , But the present invention is not limited thereto. That is, the second resin etchant RE2 accommodated in the second resin etchant receiving portion 151 according to the present invention is different from the first resin etchant RE1 accommodated in the first resin etchant receiving portion 131 and / Different types of resin etchants may be used. For example, as the second resin etching liquid RE2, 80% of high sulfuric acid can be used.

한편, 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 유동 장치(152)는, 분사부(152a), 연결부(152b), 펌프부(152c), 유입부(152d)를 포함한다. 9, the second flow device 152 includes a jetting section 152a, a connecting section 152b, a pump section 152c, and an inlet section 152d.

분사부(152a)는 제2 수지 에칭액 수용부(151) 내부에 배치되는데, 작동 시 제2 수지 에칭액(RE2)에 잠기도록 배치되고, 펌프부(152c)로부터 연결부(152b)를 경유하여 소정 압력의 제2 수지 에칭액(RE2)을 받아 기판(210)으로 분사시키는 장치이다. The jetting section 152a is disposed inside the second resin etchant receiving section 151 and is disposed so as to be submerged in the second resin etchant RE2 during operation and is supplied from the pump section 152c via the connecting section 152b to a predetermined pressure Of the second resin etchant RE2 is injected onto the substrate 210. In this case,

연결부(152c)는 분사부(152a)와 펌프부(152c)를 연결하는 관로로서, 펌프부(152b)에서 압축된 제2 수지 에칭액(RE2)은 연결부(152b)를 통해 분사부(152a)에 도달하게 된다.The connection portion 152c is a conduit connecting the jetting portion 152a and the pump portion 152c and the second resin etchant RE2 compressed by the pump portion 152b is supplied to the jetting portion 152a through the connecting portion 152b .

펌프부(152c)는 제2 수지 에칭액(RE2)이 소정의 압력을 가지도록 제2 수지 에칭액(RE2)에 기계적인 에너지를 부여하는 장치이다.The pump section 152c is a device for imparting mechanical energy to the second resin etchant RE2 so that the second resin etchant RE2 has a predetermined pressure.

유입부(152d)는 제2 수지 에칭액 수용부(151)에 수용된 제2 수지 에칭액(RE2)을 펌프부(152c)로 유입하는 부분이다. The inflow portion 152d is a portion for introducing the second resin etchant RE2 contained in the second resin etchant receiving portion 151 into the pump portion 152c.

제2 유동 장치(152)의 작동을 살펴보면, 제2 수지 에칭액 수용부(151)에 수용된 제2 수지 에칭액(RE2)은 유입부(152d)로 유입된 후 펌프부(152c)에서 가압되고, 이어 연결부(152b)를 거쳐 분사부(152a)로 이동하게 된다. 이어, 분사부(152a)는 제2 수지 에칭액(RE2)을 소정의 압력으로 기판(210)에 분사한다. The second resin etchant RE2 stored in the second resin etchant receiving portion 151 flows into the inlet portion 152d and is then pressurized by the pump portion 152c, And moves to the jetting section 152a via the connection section 152b. Then, the jetting section 152a ejects the second resin etchant RE2 onto the substrate 210 at a predetermined pressure.

본 실시예에 따른 제2 유동 장치(152)는, 분사부(152a), 연결부(152b), 펌프부(152c), 유입부(152d)를 포함하여 구성되지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따른 제2 유동 장치는 소정의 압력으로 제2 수지 에칭액(RE2)을 기판(210)에 분사시키는 기능을 수행하기만 하면 되고, 그 외의 구성에는 특별한 제한이 없다. 예를 들어, 본 발명에 따른 제2 유동 장치(152)는 공지된 플러드 바 장치가 적용될 수도 있다. The second flow device 152 according to the present embodiment includes the jetting section 152a, the connecting section 152b, the pump section 152c, and the inflow section 152d, but the present invention is not limited thereto. That is, the second flow apparatus according to the present invention is only required to perform the function of injecting the second resin etchant RE2 onto the substrate 210 at a predetermined pressure, and there is no particular limitation on the other structures. For example, the second flow device 152 according to the present invention may be applied to a known flood bar device.

제2 유동 장치(152)의 분사부(152a)에서 분사된 제2 수지 에칭액(RE2)은, 도전층(212)에 형성된 윈도우(W)를 통해 베이스 부재(211)의 노출된 부분에 도달하게 된다. 즉, 제2 수지 에칭액(RE2)은, 제1 수지 제거부(130)에서 1차로 수지 소재(211a)를 제거함으로써 형성된 홈(G)의 안쪽 부분에 침투하여 수지 소재(211a)를 제거한다. 제2 수지 에칭액(RE2)이 베이스 부재(211)에 닿을 때의 압력이 높을수록, 제2 수지 에칭액(RE2)은 베이스 부재(211)의 노출된 부분으로 침투가 용이하게 되므로, 제1 수지 제거부(130)에서와 마찬가지로, 제2 유동 장치(152)의 분사부(152a)의 분사 구멍(152a_1)과 베이스 부재(211)와의 거리(d2)는 20㎜보다 작도록 배치되는 것이 바람직하다. The second resin etchant RE2 injected from the jetting section 152a of the second flow device 152 reaches the exposed portion of the base member 211 through the window W formed in the conductive layer 212 do. That is, the second resin etchant RE2 penetrates the inner portion of the groove G formed by removing the resin material 211a by the first resin removing unit 130 to remove the resin material 211a. The higher the pressure at which the second resin etchant RE2 touches the base member 211, the easier the penetration of the second resin etchant RE2 into the exposed portion of the base member 211. Therefore, The distance d2 between the injection hole 152a_1 of the jetting section 152a of the second flow device 152 and the base member 211 is preferably smaller than 20 mm.

한편, 기판 회수롤(160)은 홀(H)이 형성된 기판(210)을 감아 회수하는 장치이다. 여기서, 기판 회수롤(160)은 원통형의 형상을 가지도록 형성되는데, 홀(H)이 형성된 기판(210)은 기판 회수롤(160)에 감겨져 회수되게 된다.On the other hand, the substrate recovery roll 160 is a device for winding and recovering the substrate 210 on which the holes H are formed. Here, the substrate recovery roll 160 is formed to have a cylindrical shape, and the substrate 210 on which the holes H are formed is wound around the substrate recovery roll 160 and recovered.

이하에서는, 도 1 내지 도 11을 참조하여, 상기 설명한 기판 홀 형성 장치(100)를 이용한 기판의 홀 형성 방법을 설명한다.Hereinafter, with reference to Figs. 1 to 11, a method of forming holes in a substrate using the above-described substrate hole forming apparatus 100 will be described.

도 11은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 홀 형성 방법의 단계들을 도시한 개략적인 흐름도이다.11 is a schematic flow chart showing steps of a method of forming a substrate hole according to an embodiment of the present invention.

먼저, 제조자는 기판(210)이 감겨져 있는 기판 공급롤(110)을 준비하고, 도 1에 도시된 것과 같이, 기판 공급롤(110)을 기판 홀 형성 장치(100)에 세팅시킨다(S1 단계). First, the manufacturer prepares a substrate feed roll 110 on which a substrate 210 is wound, and sets the substrate feed roll 110 to the substrate hole forming apparatus 100 as shown in FIG. 1 (step S1) .

기판 공급롤(110)과 기판 윈도우 형성부(120) 사이의 일 지점 Ⅰ에서의 기판(210)의 단면도는 도 2에 도시되어 있다. A cross-sectional view of the substrate 210 at one point I between the substrate feed roll 110 and the substrate window forming portion 120 is shown in FIG.

그 다음, 기판 공급롤(110)의 회전과 함께 풀려진 기판(210)은 기판 윈도우 형성부(120)로 이송된다. Subsequently, the substrate 210 unwound together with the rotation of the substrate feed roll 110 is transferred to the substrate window forming portion 120.

기판 윈도우 형성부(120)에서는, 도전층(212)의 부분 중 홀(H)이 형성될 부분을 제거하여 윈도우(W)를 형성함으로써 베이스 부재(211)의 일부를 노출시킨다(S2 단계). In the substrate window forming part 120, a portion of the conductive layer 212 where the hole H is to be formed is removed to form a window W to expose a part of the base member 211 (step S2).

즉, 기판 윈도우 형성부(120)로 이송된 기판(210)은, 기판(210)에 감광성 물질을 도포하는 장치(121)와, 노광 및 현상 공정을 포함한 포토 리소그래피 공정으로 에칭 레지스트 패턴(ERP)을 형성하는 장치(122)와, 상기 형성된 에칭 레지스트 패턴(ERP)을 이용하여 도전층(212)을 식각하는 에칭 공정(도 3 참조)이 수행되는 장치(123)를 순차적으로 통과하면서, 도전층(212)의 일부가 제거되어 윈도우(W)가 형성된다. 도 4에는, 기판 윈도우 형성부(120)와 제1 수지 제거부(130) 사이의 일 지점 Ⅱ에서의 기판(210)의 단면도가 도시되어 있는데, 일 지점 Ⅱ에서의 기판(210)은 그 도전층(212)에 윈도우(W)가 형성되어 있다.That is, the substrate 210 transferred to the substrate window forming unit 120 includes an apparatus 121 for applying a photosensitive material to the substrate 210, an etching resist pattern ERP by a photolithography process including an exposure and development process, And an apparatus 123 in which an etching process (see FIG. 3) in which the conductive layer 212 is etched using the etching resist pattern ERP is performed is sequentially performed, A part of the window 212 is removed and a window W is formed. 4 shows a cross-sectional view of the substrate 210 at one point II between the substrate window forming portion 120 and the first resin removing portion 130, wherein the substrate 210 at one point < RTI ID = 0.0 > And a window W is formed in the layer 212. [

그 다음, 기판 윈도우 형성부(120)의 윈도우(W) 형성 공정을 거친 기판(210)은 제1 수지 제거부(130)로 이송된다. 제1 수지 제거부(130)에서는 제1차 수지 제거 단계가 진행되는데, 제1 수지 에칭액 수용부(131)에 수용된 제1 수지 에칭액(RE1)에 기판(210)이 담겨지게 되고, 기판(210)이 제1 수지 에칭액(RE1)에 담겨진 상태로 제1 유동 장치(132)를 이용하여 제1 수지 에칭액(RE1)을 윈도우(W)를 통해 노출된 베이스 부재(211)의 부분에 분사시킴으로써 수지 소재(211a)를 제거한다(S3 단계).Subsequently, the substrate 210 having undergone the process of forming the window W of the substrate window forming part 120 is transferred to the first resin removing part 130. In the first resin removing unit 130, the first resin removing step is performed. The substrate 210 is contained in the first resin etchant RE1 contained in the first resin etchant receiving unit 131, and the substrate 210 The first resin etchant RE1 is injected onto the portion of the base member 211 exposed through the window W by using the first flow device 132 while the first resin etchant RE1 is contained in the first resin etchant RE1, The material 211a is removed (step S3).

즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 수지 제거부(130)에서는 제1 유동 장치(132)의 분사부(132a)에서 분사된 제1 수지 에칭액(RE1)이, 도전층(212)에 형성된 윈도우(W)를 통해 베이스 부재(211)의 노출된 부분에 도달하고, 도달된 제1 수지 에칭액(RE1)은 베이스 부재(211)의 노출된 부분에 침투하여 화학 반응을 일으켜 수지 소재(211a)를 제거하게 된다. 또한, 이 때 제1 수지 에칭액(RE1)은 소정의 유동 압력으로 베이스 부재(211)의 노출된 부분에 부딪히게 되므로, 베이스 부재(211)의 노출된 부분에 물리적인 타격도 가해져 수지 소재(211a)를 제거하는데 도움을 주게 된다. 이상과 같은 공정을 통해 베이스 부재(211)의 노출된 부분의 수지 소재(211a)의 일부가 제거되어 홈(G)이 형성된다. 도 6에서는, 제1 수지 제거부(130)와 유리 섬유 제거부(140) 사이의 일 지점 Ⅲ에서의 기판(210)의 단면도가 도시되어 있다. 일 지점 Ⅲ에서의 기판(210)은, 베이스 부재(211)의 노출된 부분에 홈(G)이 형성되어 있지만, 유리 섬유(211b)는 여전히 존재하고 있다. 5, in the first resin removing unit 130, the first resin etchant RE1 injected from the jetting unit 132a of the first flow device 132 is supplied to the conductive layer 212 The first resin etchant RE1 reaches the exposed portion of the base member 211 through the formed window W and penetrates into the exposed portion of the base member 211 to cause a chemical reaction, ). At this time, the first resin etchant RE1 strikes the exposed portion of the base member 211 at a predetermined flow pressure, so that the exposed portion of the base member 211 is physically struck and the resin material 211a ). Through the above process, a part of the resin material 211a of the exposed portion of the base member 211 is removed and a groove G is formed. 6, a cross-sectional view of the substrate 210 at one point III between the first resin removing unit 130 and the glass fiber removing unit 140 is shown. In the substrate 210 at the point III, although the groove G is formed in the exposed portion of the base member 211, the glass fiber 211b still exists.

그 다음, 제1 수지 제거부(130)에서 제1차 수지 제거 공정을 거친 기판(210)은 유리 섬유 제거부(140)로 이송된다. 유리 섬유 제거부(140)에서는 유리 섬유 제거 단계가 진행되는데, 스프레이 장치(141)를 이용하여 유리 섬유 에칭액(GE)을 분사시켜 베이스 부재(211)의 노출된 부분(홈(G))에 존재하는 유리 섬유를 제거한다(S4 단계). Then, the substrate 210 having undergone the first resin removing process in the first resin removing unit 130 is transferred to the glass fiber removing unit 140. In the glass fiber removing unit 140, the glass fiber removing step is carried out. The glass fiber etching solution GE is sprayed by using the spraying unit 141 to be present in the exposed part (groove G) of the base member 211 (Step S4).

즉, 도 7에 도시된 바와 같이, 스프레이 장치(141)의 노즐부(141a)에서 분사된 유리 섬유 에칭액(GE)은 소정의 압력을 가지고, 도전층(212)에 형성된 윈도우(W)를 통해 베이스 부재(211)의 노출된 부분(홈(G))에 도달하게 된다. 도달된 유리 섬유 에칭액(GE)은 화학적 반응 작용 및 물리적 충격 작용을 이용하여 베이스 부재(211)의 유리 섬유(211b)를 제거한다. 도 8에는, 유리 섬유 제거부(140)와 제2 수지 제거부(150) 사이의 일 지점 Ⅳ에서의 기판(210)의 단면도가 도시되어 있다. 일 지점 Ⅳ에서는 베이스 부재(211)의 노출된 부분(홈(G))에 존재하였던 유리 섬유(211b)가 제거되어 있다. 7, the glass fiber etchant GE sprayed from the nozzle portion 141a of the spray device 141 is sprayed through the window W formed in the conductive layer 212 at a predetermined pressure, And reaches the exposed portion (groove G) of the base member 211. The glass fiber etchant (GE) thus obtained removes the glass fibers 211b of the base member 211 using a chemical reaction action and a physical impact action. 8, a cross-sectional view of the substrate 210 at one point IV between the glass fiber removing part 140 and the second resin removing part 150 is shown. At the point IV, the glass fibers 211b existing in the exposed portion (groove G) of the base member 211 are removed.

그 다음, 유리 섬유 제거부(140)에서 유리 섬유 제거 공정을 거친 기판(210)은 제2 수지 제거부(150)로 이송된다. 제2 수지 제거부(150)에서는 제2차 수지 제거 단계가 진행되는데, 제2 수지 에칭액 수용부(151)에 수용된 제2 수지 에칭액(RE2)에 기판(210)이 담겨지게 되고, 기판(210)이 제2 수지 에칭액(RE2)에 담겨진 상태로 제2 유동 장치(152)를 이용하여 제2 수지 에칭액(RE2)을 윈도우(W)를 통해 노출된 베이스 부재(211)의 부분에 분사시킴으로써 수지 소재(211a)를 제거한다(S5 단계).Subsequently, the substrate 210 having been subjected to the glass fiber removing process in the glass fiber removing unit 140 is transferred to the second resin removing unit 150. In the second resin removing unit 150, a second resin removing step is performed. The substrate 210 is contained in the second resin etching liquid RE2 stored in the second resin etching liquid storing unit 151, and the substrate 210 Is injected onto the portion of the base member 211 exposed through the window W using the second flow device 152 in a state in which the second resin etchant RE2 is contained in the second resin etchant RE2, The material 211a is removed (step S5).

즉, 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 수지 제거부(150)에서는 제2 유동 장치(152)의 분사부(152a)에서 분사된 제2 수지 에칭액(RE2)이, 도전층(212)에 형성된 윈도우(W)를 통해 베이스 부재(211)의 노출된 부분(홈(G))에 도달하고, 도달된 제2 수지 에칭액(RE2)은 베이스 부재(211)의 노출된 부분에 침투하여 수지 소재(211a)를 제거하게 된다. 또한, 이 때 제2 수지 에칭액(RE2)은 소정의 유동 압력으로 베이스 부재(211)의 노출된 부분에 부딪히게 되므로, 베이스 부재(211)의 노출된 부분에 물리적인 타격도 가해져 수지 소재(211a)를 제거하는데 도움을 주게 된다. 이상과 같은 공정을 통해 베이스 부재(211)의 노출된 부분의 수지 소재(211a)가 제거됨으로써 홀(H)을 형성하게 된다. 도 10에는, 제2 수지 제거부(150)와 기판 회수롤(160) 사이의 일 지점 Ⅴ에서의 기판(210)의 단면도가 도시되어 있다. 일 지점 Ⅴ에서는 기판(210)은, 홀(H)이 형성된 구조를 가지게 된다.9, in the second resin removing unit 150, the second resin etchant RE2 injected from the jetting unit 152a of the second flow device 152 flows into the conductive layer 212 The exposed second resin etchant RE2 reaches the exposed portion of the base member 211 through the formed window W and reaches the exposed portion of the base member 211, (211a) is removed. At this time, the second resin etchant RE2 strikes the exposed portion of the base member 211 at a predetermined flow pressure, so that the exposed portion of the base member 211 is physically struck and the resin material 211a ). Through the above process, the resin material 211a of the exposed portion of the base member 211 is removed to form the hole H. [ 10 is a cross-sectional view of the substrate 210 at one point V between the second resin removing unit 150 and the substrate recovery roll 160. As shown in FIG. At the point V, the substrate 210 has a structure in which the holes H are formed.

그 다음, 제2 수지 제거부(150)에서 제2차 수지 제거 공정을 거친 기판(210)은 기판 회수롤(160)로 이송되는데, 기판 회수롤(160)로 이송된 기판(210)은 기판 회수롤(160)에 감겨 회수됨으로써 기판 홀 형성 공정이 완료된다(S6 단계).Subsequently, the substrate 210 having undergone the second resin removing process in the second resin removing unit 150 is transferred to the substrate recovering roll 160. The substrate 210 transferred to the substrate recovering roll 160 is transferred to the substrate removing roll 160, And is wound around the recovery roll 160 to be recovered, thereby completing the substrate hole forming process (step S6).

본 실시예에 따르면 제2 수지 제거부(150)에서의 제2차 수지 제거 공정과 기판 회수롤(160)에서의 기판 회수 공정 사이에 추가적인 공정이 없지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따른 기판 홀 형성 공정에 따르면, 제2차 수지 제거 공정과 기판 회수 공정 사이에 추가적인 공정을 도입할 수 있다. 예를 들면, 제2차 수지 제거 공정에 의해서도 완전히 제거 되지 않은 수지 잔여물을 제거하는 공정을 추가로 수행할 수 있다. According to the present embodiment, there is no additional process between the second resin removing process in the second resin removing unit 150 and the substrate recovering process in the substrate recovery roll 160, but the present invention is not limited thereto. That is, according to the substrate hole forming step of the present invention, an additional process can be introduced between the second resin removing step and the substrate recovering step. For example, it is possible to further carry out a step of removing the resin residue which has not been completely removed even by the second resin removing step.

이상과 같이 설명한 본 발명의 실시예에 따른 기판 홀 형성 방법에서는, 홀(H)을 형성하기 위해 제1 유동 장치(132)를 이용한 제1차 수지 제거 단계, 스프레이 장치(141)를 이용한 유리 섬유 제거 단계, 제2 유동 장치(152)를 이용한 제2차 수지 제거 단계를 순차적으로 수행하여, 직진도 및 균일성이 높은 고품질의 홀(H)을 형성할 수 있다.In the method of forming a substrate hole according to the embodiment of the present invention described above, the first resin removing step using the first flow device 132 to form the hole H, the first resin removing step using the glass fiber Removing step and the second resin removing step using the second flow device 152 are sequentially performed to form a high quality hole H having high straightness and uniformity.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 홀 형성 방법에서는, 제1차 수지 제거 단계와 제2차 수지 제거 단계에서 각각 제1 유동 장치(132)와 제2 유동 장치(152)를 이용함으로써, 베이스 부재(211)의 노출된 부분에 제1 수지 에칭액(RE1), 제2 수지 에칭액(RE2)을 효과적으로 침투시켜 화학 반응을 유도하고 아울러 물리적인 타격도 가함으로써 고품질의 홀(H)을 형성할 수 있다. 그렇게 되면 직경 75㎛ 이하의 미세홀도 대량으로 가공할 수 있다. Further, in the method of forming a substrate hole according to the embodiment of the present invention, by using the first flow device 132 and the second flow device 152 in the first resin removing step and the second resin removing step, The first resin etchant RE1 and the second resin etchant RE2 are effectively penetrated into the exposed portion of the member 211 to induce a chemical reaction and physical hitting is performed to thereby form a high quality hole H have. As a result, a large number of fine holes having a diameter of 75 μm or less can be processed.

본 발명의 일 측면들은 첨부된 도면에 도시된 실시예들을 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation, You will understand the point. Accordingly, the true scope of protection of the present invention should be determined only by the appended claims.

본 발명은 기판에 홀을 형성하는 산업이나, 기판에 홀을 형성하는 장치를 제조하는 산업 등에 이용할 수 있다. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be applied to an industry in which holes are formed in a substrate, an industry in which an apparatus for forming holes in a substrate is manufactured, and the like.

100: 기판 홀 형성 장치 110: 기판 공급롤
120: 기판 윈도우 형성부 130: 제1 수지 제거부
140: 유리 섬유 제거부 150: 제2 수지 제거부
160: 기판 회수롤100: substrate hole forming apparatus 110: substrate feed roll
120: substrate window forming part 130: first resin removing part
140: Glass fiber removing agent 150: Second resin removing agent
160: Substrate recovery roll

Claims (18)

유리 섬유와 수지 소재를 포함한 베이스 부재를 포함하고, 상기 베이스 부재에 도전층이 형성된 기판에 홀을 형성하는 방법으로서,
상기 도전층의 부분 중 상기 홀이 형성될 부분을 제거하여 상기 베이스 부재의 일부를 노출시키는 단계;
상기 기판을 제1 수지 에칭액에 담근 채 제1 유동 장치를 이용하여 상기 제1 수지 에칭액을 상기 노출된 베이스 부재의 부분에 분사시킴으로써 상기 수지 소재를 제거하는 제1차 수지 제거 단계;
상기 기판에 유리 섬유 에칭액을 분사시켜 상기 노출된 베이스 부재의 부분의 유리 섬유를 제거하는 유리 섬유 제거 단계; 및
상기 기판을 제2 수지 에칭액에 담근 채 제2 유동 장치를 이용하여 상기 제2 수지 에칭액을 상기 노출된 베이스 부재에 분사시킴으로써 상기 수지 소재를 제거하는 제2차 수지 제거 단계;를 포함하는 기판 홀 형성 방법.A method of forming a hole in a substrate including a base member including a glass fiber and a resin material and having a conductive layer formed on the base member,
Removing a portion of the conductive layer where the hole is to be formed to expose a portion of the base member;
A first resin removing step of removing the resin material by spraying the first resin etchant onto a portion of the exposed base member using a first flow device with the substrate immersed in a first resin etchant;
A glass fiber removing step of spraying a glass fiber etchant on the substrate to remove the glass fibers of the exposed base member; And
And a second resin removing step of removing the resin material by spraying the second resin etchant onto the exposed base member using a second flow apparatus while immersing the substrate in a second resin etchant, Way. 제1항에 있어서,
상기 도전층의 부분 중 상기 홀이 형성될 부분을 제거하여 상기 베이스 부재의 일부를 노출시키는 단계는, 상기 기판에 에칭 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 형성된 에칭 레지스트 패턴을 이용한 에칭 공정으로 수행되는 기판 홀 형성 방법.The method according to claim 1,
The step of exposing a part of the base member by removing a portion of the conductive layer where the hole is to be formed may include forming an etching resist pattern on the substrate and etching the substrate hole / RTI > 제1항에 있어서,
상기 제1 수지 에칭액 및 상기 제2 수지 에칭액은 황산 용액을 포함하는 기판 홀 형성 방법.The method according to claim 1,
Wherein the first resin etchant and the second resin etchant comprise a sulfuric acid solution. 제1항에 있어서,
상기 제1 수지 에칭액과 상기 제2 수지 에칭액은 동일한 에칭액인 기판 홀 형성 방법.The method according to claim 1,
Wherein the first resin etchant and the second resin etchant are the same etchant. 제1항에 있어서,
상기 유리 섬유 제거 단계에서, 상기 유리 섬유 에칭액을 분사시키는 공정은 스프레이 장치로 수행되는 기판 홀 형성 방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of spraying the glass fiber etchant in the glass fiber removing step is performed with a spray apparatus. 제1항에 있어서,
상기 유리 섬유 에칭액은 불화물 용액을 포함하는 기판 홀 형성 방법.The method according to claim 1,
Wherein the glass fiber etchant comprises a fluoride solution. 제1항에 있어서,
상기 유리 섬유 제거 단계에서, 상기 유리 섬유 에칭액을 분사시키는 압력은 1kgf/㎠ 보다 큰 기판 홀 형성 방법.The method according to claim 1,
Wherein the pressure for ejecting the glass fiber etchant in the glass fiber removing step is greater than 1 kgf / cm2. 제1항에 있어서,
상기 제1차 수지 제거 단계 및 상기 제2차 수지 제거 단계에서, 상기 제1 유동 장치 및 상기 제2 유동 장치의 분사부의 분사 구멍과 상기 베이스 부재와의 거리는 20㎜보다 작도록 배치되는 기판 홀 형성 방법.The method according to claim 1,
Wherein the distance between the injection hole of the injection unit of the first flow device and the second flow device and the base member is less than 20 mm in the first and second resin removing steps Way. 제1항에 있어서,
상기 기판은 롤-투-롤 공정에 의해 이송되면서 상기 홀이 형성되는 기판 홀 형성 방법.The method according to claim 1,
Wherein the substrate is transported by a roll-to-roll process to form the hole. 유리 섬유와 수지 소재를 포함한 베이스 부재를 포함하고, 상기 베이스 부재에 도전층이 형성된 기판에 홀을 형성하는 장치로서,
상기 도전층의 부분 중 상기 홀이 형성될 부분을 제거하여 상기 베이스 부재의 일부를 노출시키는 기판 윈도우 형성부;
제1 수지 에칭액을 수용하는 제1 수지 에칭액 수용부와, 상기 기판을 상기 제1 수지 에칭액에 담근 상태로 상기 제1 수지 에칭액을 상기 기판에 분사시키는 제1 유동 장치를 포함하는 제1 수지 제거부;
상기 기판에 유리 섬유 에칭액을 분사시키는 스프레이 장치를 포함하는 유리 섬유 제거부; 및
제2 수지 에칭액을 수용하는 제2 수지 에칭액 수용부와, 상기 기판을 상기 제2 수지 에칭액에 담근 상태로 상기 제2 수지 에칭액을 상기 기판에 분사시키는 제2 유동 장치를 포함하는 제2 수지 제거부;를 포함하는 기판 홀 형성 장치.An apparatus for forming a hole in a substrate including a base member including a glass fiber and a resin material and having a conductive layer formed on the base member,
A substrate window forming part for removing a portion of the conductive layer where the hole is to be formed to expose a part of the base member;
A first resin etchant accommodating portion for accommodating a first resin etchant; and a first flow device for injecting the first resin etchant onto the substrate while immersing the substrate in the first resin etchant, ;
A glass fiber remover comprising a spray device for spraying a glass fiber etchant onto the substrate; And
A second resin etchant accommodating portion for accommodating a second resin etchant; and a second flow device for injecting the second resin etchant onto the substrate while immersing the substrate in the second resin etchant, The substrate hole forming apparatus comprising: 제10항에 있어서,
상기 기판 윈도우 형성부는, 상기 기판에 에칭 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 형성된 에칭 레지스트 패턴을 이용한 에칭 공정으로 상기 베이스 부재의 일부를 노출시키는 기판 홀 형성 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the substrate window forming portion forms an etching resist pattern on the substrate and exposes a part of the base member by an etching process using the etching resist pattern formed. 제10항에 있어서,
상기 제1 수지 에칭액 및 상기 제2 수지 에칭액은 황산 용액을 포함하는 기판 홀 형성 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the first resin etchant and the second resin etchant comprise a sulfuric acid solution. 제10항에 있어서,
상기 제1 수지 에칭액과 상기 제2 수지 에칭액은 동일한 에칭액인 기판 홀 형성 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the first resin etchant and the second resin etchant are the same etchant. 제10항에 있어서,
상기 유리 섬유 에칭액은 불화물 용액을 포함하는 기판 홀 형성 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the glass fiber etchant comprises a fluoride solution. 제10항에 있어서,
상기 스프레이 장치의 분사 압력은 1kgf/㎠ 보다 큰 기판 홀 형성 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the spraying pressure of the spraying device is greater than 1 kgf / cm2. 제10항에 있어서,
상기 제1 유동 장치 및 상기 제2 유동 장치의 분사부의 분사 구멍과 상기 베이스 부재와의 거리는 20㎜보다 작도록 배치되는 기판 홀 형성 장치.11. The method of claim 10,
Wherein a distance between the injection hole of the ejecting portion of the first flow device and the second flow device and the base member is smaller than 20 mm. 제10항에 있어서,
상기 기판 홀 형성 장치에서의 상기 기판의 이송 공정은 롤-투-롤 이송 공정에 의해 이루어지는 기판 홀 형성 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the substrate transferring step in the substrate hole forming apparatus is performed by a roll-to-roll transferring step. 제17항에 있어서,
상기 기판을 공급하는 기판 공급롤; 및
상기 홀이 형성된 기판을 회수하는 기판 회수롤;을 더 포함하는 기판 홀 형성 장치.18. The method of claim 17,
A substrate supply roll for supplying the substrate; And
And a substrate recovery roll for recovering the substrate on which the hole is formed.
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