KR102032377B1 - Method for forming hole in substrate - Google Patents

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허영민
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Abstract

본 발명의 일 측면에 따르면, 유리 섬유, 수지 소재 및 필러를 포함한 베이스 부재를 포함하고, 상기 베이스 부재에 도전층이 형성된 기판에 홀을 형성하는 방법으로서, 상기 도전층의 부분 중 상기 홀이 형성될 부분을 제거하여 상기 베이스 부재의 일부를 노출시키는 단계;와, 상기 기판을 필러 제거액에 담가 상기 베이스 부재의 노출된 부분에 존재하는 상기 필러를 제거하는 필러 제거 단계;와, 상기 기판을 수지 에칭액에 담가 상기 베이스 부재의 노출된 부분에 존재하는 상기 수지 소재를 제거하는 수지 제거 단계;와, 상기 기판을 물에 담그고, 상기 기판에 초음파를 가하는 제1차 초음파 처리 단계;와, 상기 기판에 물을 분사시키는 물 분사 단계;와, 상기 기판을 유리 섬유 에칭액에 담가 상기 베이스 부재의 노출된 부분에 존재하는 상기 유리 섬유를 제거하는 유리 섬유 제거 단계;와, 상기 기판을 물에 담그고, 상기 기판에 초음파를 가하는 제2차 초음파 처리 단계;를 포함하는 기판 홀 형성 방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, a method for forming a hole in a substrate comprising a base member including a glass fiber, a resin material and a filler, the conductive layer is formed on the base member, wherein the hole is formed of a portion of the conductive layer Removing a portion to be exposed to expose a portion of the base member; and immersing the substrate in a filler removal liquid to remove the filler existing in an exposed portion of the base member; and etching the substrate into a resin etching solution. A resin removing step of immersing the resin material in the exposed portion of the base member; and immersing the substrate in water and applying a ultrasonic wave to the substrate; Spraying water; and immersing the substrate in a glass fiber etching solution and present in the exposed portion of the base member. Removing step of removing the glass fiber; and, dipping the substrate in water, the Second sonication step of applying an ultrasonic wave to the substrate, provides a substrate hole forming method comprising a.

Description

기판 홀 형성 방법{Method for forming hole in substrate}Method for forming hole in substrate

본 발명은 기판에 홀을 형성하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a hole in a substrate.

전자 산업의 발달에 따라, 전자 부품의 소형화 및 다기능화에 대한 요구가 점차 증가하고 있고, 전자 부품이 실장되는 회로 기판도 고밀도로 집적화될 것이 요구되고 있다.With the development of the electronic industry, the demand for miniaturization and multifunctionalization of electronic components is gradually increasing, and circuit boards on which electronic components are mounted are also required to be integrated at high density.

따라서, 회로 기판도 다층의 구조를 가지는 기판의 개발이 활발히 진행되고 있는데, 다층의 기판 구조 또는 양면 기판의 구조에서는 기판을 관통하는 비아 홀(via-hole), 스루 홀(through hole) 등의 홀이 형성된다. Accordingly, circuit boards have also been actively developed in a substrate having a multilayer structure. In a multilayer substrate structure or a structure of a double-sided substrate, holes such as via-holes and through holes that penetrate the substrate are provided. Is formed.

기판에 홀을 형성하는 방법은 여러 가지가 있는데, 그 일례로 공개특허공보 2011-0123850호에는 레이저 드릴링의 방법으로 비아 홀을 형성하는 기술이 개시되어 있다. There are a number of methods for forming holes in a substrate. As an example, Korean Patent Laid-Open No. 2011-0123850 discloses a technique for forming via holes by laser drilling.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판에 홀을 형성하는 방법을 제공하는 것을 주된 과제로 한다.According to an aspect of the present invention, it is a main problem to provide a method for forming a hole in a substrate.

본 발명의 일 측면에 따르면, 유리 섬유, 수지 소재 및 필러를 포함한 베이스 부재를 포함하고, 상기 베이스 부재에 도전층이 형성된 기판에 홀을 형성하는 방법으로서, 상기 도전층의 부분 중 상기 홀이 형성될 부분을 제거하여 상기 베이스 부재의 일부를 노출시키는 단계;와, 상기 기판을 필러 제거액에 담가 상기 베이스 부재의 노출된 부분에 존재하는 상기 필러를 제거하는 필러 제거 단계;와, 상기 기판을 수지 에칭액에 담가 상기 베이스 부재의 노출된 부분에 존재하는 상기 수지 소재를 제거하는 수지 제거 단계;와, 상기 기판을 물에 담그고, 상기 기판에 초음파를 가하는 제1차 초음파 처리 단계;와, 상기 기판에 물을 분사시키는 물 분사 단계;와, 상기 기판을 유리 섬유 에칭액에 담가 상기 베이스 부재의 노출된 부분에 존재하는 상기 유리 섬유를 제거하는 유리 섬유 제거 단계;와, 상기 기판을 물에 담그고, 상기 기판에 초음파를 가하는 제2차 초음파 처리 단계;를 포함하는 기판 홀 형성 방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, a method for forming a hole in a substrate comprising a base member including a glass fiber, a resin material and a filler, the conductive layer is formed on the base member, wherein the hole is formed of a portion of the conductive layer Removing a portion to be exposed to expose a portion of the base member; and immersing the substrate in a filler removal liquid to remove the filler existing in an exposed portion of the base member; and etching the substrate into a resin etching solution. A resin removing step of immersing the resin material in the exposed portion of the base member; and immersing the substrate in water and applying a ultrasonic wave to the substrate; Spraying water; and immersing the substrate in a glass fiber etching solution and present in the exposed portion of the base member. Removing step of removing the glass fiber; and, dipping the substrate in water, the Second sonication step of applying an ultrasonic wave to the substrate, provides a substrate hole forming method comprising a.

여기서, 상기 필러 제거액은 불화물 용액을 포함할 수 있다.Here, the filler removal liquid may include a fluoride solution.

여기서, 상기 수지 에칭액은 황산 용액을 포함할 수 있다.Here, the resin etching solution may include a sulfuric acid solution.

여기서, 상기 물 분사 단계에서, 상기 물을 분사시키는 공정은 스프레이 장치로 수행되고, 상기 물을 분사시키는 압력은 1kgf/㎠ 보다 클 수 있다.Here, in the water spraying step, the process of spraying the water is performed by a spray device, the pressure for spraying the water may be greater than 1kgf / ㎠.

여기서, 상기 유리 섬유 에칭액은 불화물 용액을 포함할 수 있다.Here, the glass fiber etching solution may include a fluoride solution.

여기서, 상기 제2차 초음파 처리 단계를 수행한 후, 상기 기판에 물을 분사시키는 물 분사 단계를 추가로 수행할 수 있다.Here, after performing the second sonication step, a water injection step of spraying water on the substrate may be further performed.

본 발명의 일 측면에 따른 기판 홀 형성 방법은, 우수한 품질의 홀을 형성할 수 있는 효과가 있다.The substrate hole forming method according to an aspect of the present invention has the effect of forming a hole of excellent quality.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 홀(H)이 형성되기 전의 기판의 모습을 도시한 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 관한 기판의 도전층에 에칭 레지스트 패턴을 이용한 에칭 공정으로 윈도우를 형성하는 모습을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판의 도전층에 윈도우가 형성된 모습을 도시한 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 관한 기판을 필러 제거액에 담가 베이스 부재의 노출된 부분에 존재하는 필러를 제거하는 모습을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 관한 기판을 수지 에칭액에 담가 베이스 부재의 노출된 부분에 존재하는 수지 소재를 제거하는 모습을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판을 물에 담그고 기판에 초음파를 가하는 모습을 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 관한 베이스 부재의 노출된 부분에 물을 분사하는 모습을 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판을 유리 섬유 에칭액에 담가 베이스 부재의 노출된 부분에 존재하는 유리 섬유를 제거하는 모습을 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 관한 기판을 물에 담그고 기판에 초음파를 가하는 모습을 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판에 홀(H)이 형성된 모습을 도시한 개략적인 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 홀 형성 방법의 단계들을 도시한 개략적인 흐름도이다.
1 is a schematic cross-sectional view showing a state of a substrate before a hole H is formed according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view illustrating a window formed in an etching process using an etching resist pattern on a conductive layer of a substrate according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view showing a window formed in a conductive layer of a substrate according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing a state in which a filler existing in an exposed portion of a base member is removed by immersing a substrate in a filler removal liquid according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a view showing a state in which a resin material existing in an exposed portion of a base member is removed by immersing a substrate according to an embodiment of the present invention in a resin etching solution.
FIG. 6 is a diagram illustrating a state in which a substrate is immersed in water and ultrasonic waves are applied to the substrate according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a view illustrating a state in which water is sprayed on an exposed portion of the base member according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
FIG. 8 is a view showing a state in which a glass fiber existing in an exposed portion of a base member is removed by immersing a substrate in a glass fiber etching solution according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a diagram illustrating a state in which a substrate is immersed in water and ultrasonic waves are applied to the substrate according to an embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a hole H formed on a substrate according to an embodiment of the present invention.
11 is a schematic flowchart illustrating steps of a method of forming a substrate hole in accordance with an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예에 따른 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 사용함으로써 중복 설명을 생략한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, in this specification and drawing, duplication description is abbreviate | omitted by using the same code | symbol about the component which has substantially the same structure.

이하에서는, 도 1 내지 도 11을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 관한 기판의 홀 형성 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of forming a hole in a substrate according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 11.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 홀(H)이 형성되기 전의 기판의 모습을 도시한 개략적인 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 관한 기판의 도전층에 에칭 레지스트 패턴을 이용한 에칭 공정으로 윈도우를 형성하는 모습을 도시한 도면이다. 또한, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판의 도전층에 윈도우가 형성된 모습을 도시한 개략적인 단면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 관한 기판을 필러 제거액에 담가 베이스 부재의 노출된 부분에 존재하는 필러를 제거하는 모습을 도시한 도면이다. 또한, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 관한 기판을 수지 에칭액에 담가 베이스 부재의 노출된 부분에 존재하는 수지 소재를 제거하는 모습을 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판을 물에 담그고 기판에 초음파를 가하는 모습을 도시한 도면이다. 또한, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 관한 베이스 부재의 노출된 부분에 물을 분사하는 모습을 도시한 도면이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판을 유리 섬유 에칭액에 담가 베이스 부재의 노출된 부분에 존재하는 유리 섬유를 제거하는 모습을 도시한 도면이다. 또한, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 관한 기판을 물에 담그고 기판에 초음파를 가하는 모습을 도시한 도면이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판에 홀(H)이 형성된 모습을 도시한 개략적인 단면도이다. 또한, 도 11은 본 발명의 일 실시예에 관한 기판 홀 형성 방법의 단계들을 도시한 개략적인 흐름도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a state of a substrate before a hole H is formed according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an etching resist pattern on a conductive layer of the substrate according to an embodiment of the present invention. It is a figure which shows the form of a window by the used etching process. 3 is a schematic cross-sectional view showing a window formed in a conductive layer of a substrate according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a base member immersing the substrate in a filler removal liquid according to an embodiment of the present invention FIG. Is a view illustrating the removal of a filler present in an exposed part. 5 is a view showing a state in which a resin material existing in an exposed portion of a base member is removed by immersing a substrate according to an embodiment of the present invention in a resin etching solution, and FIG. 6 is an embodiment of the present invention. It is a figure which shows the state which immerses the board | substrate which concerns on water, and applies ultrasonic waves to a board | substrate. 7 is a view showing a state in which water is sprayed on the exposed portion of the base member according to an embodiment of the present invention, Figure 8 is a base immersing a substrate in a glass fiber etching solution according to an embodiment of the present invention Figure showing the removal of the glass fibers present in the exposed portion of the member. 9 is a view showing a state in which a substrate is immersed in water and ultrasonic waves are applied to the substrate according to an embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a view in which a hole H is formed in the substrate according to an embodiment of the present invention. It is a schematic sectional drawing which shows. 11 is a schematic flowchart showing steps of a method of forming a substrate hole in accordance with an embodiment of the present invention.

우선 홀(H) 형성 작업의 대상이 되는 본 발명의 일 실시예에 관한 기판(100)의 구성에 대해 설명한다.First, the structure of the board | substrate 100 which concerns on one Embodiment of this invention used as the object of hole H formation operation | movement is demonstrated.

기판(100)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 베이스 부재(110)와 도전층(120)을 포함하고 있으며, 연성 회로 기판의 특징을 가지고 있다. As shown in FIG. 1, the substrate 100 includes a base member 110 and a conductive layer 120, and has the characteristics of a flexible circuit board.

베이스 부재(110)는 수지 소재(resin)(111)에 유리 섬유(glass fiber)(112)와 필러(filler)(113)를 보강 기재로 적용한 복합소재로 이루어져 있으며, 연성(flexible)의 특성을 가진다. The base member 110 is made of a composite material in which a glass fiber 112 and a filler 113 are applied to a resin material 111 as a reinforcing base material. Have

수지 소재(111)로는 에폭시, 페놀, 폴리이미드, 액정 고분자, 시아네이트 에스테르, LCP, 기타의 고분자 물질 등이 사용될 수 있다. 또한, 수지 소재(111)는 단일의 소재뿐만 아니라 복합 소재로도 이루어질 수 있다. 또한, 수지 소재(111)는 여러 가지 형태의 내부 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 필라멘트 형상의 소재와 작은 입자 형상의 소재가 함께 섞여 수지 소재(111)를 구성할 수 있다. As the resin material 111, an epoxy, a phenol, a polyimide, a liquid crystal polymer, a cyanate ester, an LCP, or another polymer material may be used. In addition, the resin material 111 may be made of not only a single material but also a composite material. In addition, the resin material 111 may have various types of internal structures. For example, the filamentary material and the small particle material can be mixed together to form the resin material 111.

유리 섬유(112)는 유리의 소재를 포함하여 구성된다. Glass fiber 112 comprises a material of glass.

필러(113)는 실리카 계열의 소재를 포함하여 구성되는 것이 바람직한데, 예를 들어, 필러(113)는 이산화규소(SiO2)를 포함할 수 있다. The filler 113 is preferably configured to include a silica-based material, for example, the filler 113 may include silicon dioxide (SiO 2 ).

한편, 도전층(120)은 구리(Cu) 소재를 포함하며, 베이스 부재(110)의 양면에 형성되는데, 도전층(120)은 스크린 프린팅 방법, 잉크젯 프린팅 방법, 도금법 등의 방법으로 형성될 수 있다.Meanwhile, the conductive layer 120 includes a copper (Cu) material and is formed on both sides of the base member 110, and the conductive layer 120 may be formed by a screen printing method, an inkjet printing method, a plating method, or the like. have.

본 실시예에 따른 도전층(120)의 소재는 구리를 포함하지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따른 도전층의 소재로는 다른 도전성의 소재, 예를 들어, 은(Ag), 금(Au) 등도 사용될 수 있다.The material of the conductive layer 120 according to the present embodiment includes copper, but the present invention is not limited thereto. That is, other conductive materials, for example, silver (Ag), gold (Au), or the like may also be used as the material of the conductive layer according to the present invention.

본 실시예에 따른 기판(100)의 베이스 부재(110)는, 유리 섬유(112)뿐만 아니라 필러(113)를 수지 소재(111) 내에 분산 배치하기 때문에 고온 열 변형 특성이 우수하여 일반 기판보다 낮은 열팽창계수를 가지는 특성을 가진다.Since the base member 110 of the substrate 100 according to the present embodiment disperses and arranges not only the glass fiber 112 but also the filler 113 in the resin material 111, the base member 110 is excellent in high temperature thermal deformation characteristics and thus lower than that of the general substrate. It has the property of having a coefficient of thermal expansion.

아울러, 본 실시예에 따른 기판(100)은 특수한 구조를 가지도록 제조자가 직접 제조할 수 있으며, 기판(100)으로서 유리 섬유와 필러를 포함한 동박 적층 원판(Copper Clad Laminate)이 바로 사용될 수도 있다.In addition, the substrate 100 according to the present embodiment may be manufactured directly by the manufacturer to have a special structure, and as the substrate 100, a copper clad laminate including a glass fiber and a filler may be directly used.

본 실시예에 따른 기판(100)은 연성 회로 기판의 특성을 가지도록 구성되지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따른 기판은 경성 회로 기판(rigid printed circuit board)의 특징을 가질 수도 있다.The substrate 100 according to the present embodiment is configured to have the characteristics of the flexible circuit board, but the present invention is not limited thereto. That is, the substrate according to the present invention may have a feature of a rigid printed circuit board.

본 실시예에 따른 기판(100)은 패널(panel)의 형상을 가지고 있어, 제조자가 직접 기판(100)을 옮기면서 작업을 수행하는 경우에 기판(100)에 홀(H)을 형성하는 일부 공정들이 불연속적으로 이루어질 수 있다. 그렇지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따르면, 롤-투-롤 공정에 의해 기판을 이송하면서 홀을 형성할 수도 있는데, 그 경우 홀 형성 시간과 홀 형성 공정의 수를 줄일 수 있다.Since the substrate 100 according to the present exemplary embodiment has a panel shape, some processes of forming a hole H in the substrate 100 when the manufacturer directly performs the operation while moving the substrate 100 may be performed. It can be discontinuous. However, the present invention is not limited to this. That is, according to the present invention, the hole may be formed while transferring the substrate by a roll-to-roll process, in which case the hole formation time and the number of hole forming processes can be reduced.

이하, 도 2 내지 도 11을 참조하여, 이상과 같이 설명한 기판(100)에 홀(H)을 형성하는 과정을 순차적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, the process of forming the hole H in the substrate 100 described above will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 11.

먼저, 제조자는 도전층(120)의 부분 중 홀(H)이 형성될 부분을 제거하여 베이스 부재(110)의 일부 표면을 노출시킨다(S1 단계).First, the manufacturer removes a portion of the conductive layer 120 where the hole H is to be formed to expose a portion of the surface of the base member 110 (step S1).

이를 위해 제조자는 도전층(120)의 표면에 감광성 물질을 도포하고, 노광 및 현상 공정을 포함한 포토 리소그래피 공정으로 에칭 레지스트 패턴(ERP)을 형성한다. 이어, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 형성된 에칭 레지스트 패턴(ERP)을 이용하여 도전층(120)을 에칭액으로 식각하는 에칭 공정을 수행한다. 그 결과, 도 3에 도시된 바와 같이, 도전층(120)의 일부가 제거되어 도전층(120)에 윈도우(W)가 형성된다.To this end, the manufacturer applies a photosensitive material to the surface of the conductive layer 120 and forms an etching resist pattern ERP by a photolithography process including an exposure and development process. Subsequently, as illustrated in FIG. 2, an etching process of etching the conductive layer 120 with an etching solution is performed using the formed etching resist pattern ERP. As a result, as shown in FIG. 3, a portion of the conductive layer 120 is removed to form a window W in the conductive layer 120.

본 실시예에 따르면, 도전층(120)의 부분 중 홀(H)이 형성될 부분을 제거하기 위하여 감광성 물질을 이용한 포토 리소그래피 공정을 사용하였지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따른 도전층(120)의 부분 중 홀(H)이 형성될 부분을 제거하기 위하여 다른 방법을 사용할 수도 있다. 예를 들어, 레이저를 조사하여 도전층(120)에 윈도우(W)를 형성할 수도 있다.
According to the present embodiment, a photolithography process using a photosensitive material is used to remove a portion of the conductive layer 120 where the hole H is to be formed, but the present invention is not limited thereto. That is, another method may be used to remove the portion where the hole H is to be formed among the portions of the conductive layer 120 according to the present invention. For example, the window W may be formed in the conductive layer 120 by irradiating a laser.

그 다음, 제조자는, 기판(100)을 필러 제거액(FE)에 담가 베이스 부재(110)의 노출된 부분에 존재하는 필러(113)를 제거한다(S2 단계).Next, the manufacturer immerses the substrate 100 in the filler removal liquid FE and removes the filler 113 present in the exposed portion of the base member 110 (step S2).

즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 제조자는 필러 제거액 용기(FEB)에 수용된 필러 제거액(FE)에 기판(100)을 담근다. 그렇게 되면, 필러 제거액(FE)이, 도전층(120)에 형성된 윈도우(W)를 통해 베이스 부재(110)의 노출된 부분에 도달하고, 도달된 필러 제거액(FE)은 베이스 부재(110)의 노출된 부분에 침투하여 화학 반응을 일으켜 필러(113)를 제거하게 된다.That is, as shown in FIG. 4, the manufacturer dips the substrate 100 in the filler removal liquid FE contained in the filler removal liquid container FEB. Then, the filler removal liquid FE reaches the exposed part of the base member 110 through the window W formed in the conductive layer 120, and the reached filler removal liquid FE of the base member 110 Penetration of the exposed portion causes a chemical reaction to remove the filler 113.

여기서, 필러 제거액(FE)으로는 불화물 용액을 포함할 수 있는데, 불화물 용액의 예로 불화암모늄 용액, 불화수소산 용액 등이 될 수 있다. 불화물 용액으로 불화암모늄 용액을 사용하는 예의 경우, 다음의 화학 반응식에 의해 필러(113)가 제거된다. Here, the filler removal liquid (FE) may include a fluoride solution. Examples of the fluoride solution may include an ammonium fluoride solution, a hydrofluoric acid solution, and the like. In the case of using an ammonium fluoride solution as the fluoride solution, the filler 113 is removed by the following chemical reaction formula.

3NH4HF2 + SiO2(필러) -> (NH4)2SiF6(sludge) +NH4OH +H2O
3NH 4 HF 2 + SiO 2 (filler)-> (NH 4 ) 2 SiF 6 (sludge) + NH 4 OH + H 2 O

그 다음, 제조자는 기판(100)을 필러 제거액(FE)으로부터 꺼낸 후, 기판(100)을 수지 에칭액(RE)에 담가 베이스 부재(110)의 노출된 부분에 존재하는 수지 소재(111)를 제거한다(S3 단계).Then, the manufacturer removes the substrate 100 from the filler removal liquid FE, and then immerses the substrate 100 in the resin etching solution RE to remove the resin material 111 existing in the exposed portion of the base member 110. (Step S3).

즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 제조자는 수지 에칭액 용기(REB)에 수용된 수지 에칭액(RE)에 기판(100)을 담근다. 그렇게 되면, 수지 에칭액(RE)이, 도전층(120)에 형성된 윈도우(W)를 통해 베이스 부재(110)의 노출된 부분에 도달하고, 도달된 수지 에칭액(RE)은 베이스 부재(110)의 노출된 부분에 침투하여 화학 반응을 일으켜 수지 소재(111)를 제거하게 된다.That is, as shown in FIG. 5, the manufacturer dips the substrate 100 in the resin etching solution RE accommodated in the resin etching solution container REB. In that case, the resin etching solution RE reaches the exposed part of the base member 110 through the window W formed in the conductive layer 120, and the resin etching solution RE thus reached reaches the base member 110. The resin material 111 is removed by penetrating the exposed part to cause a chemical reaction.

여기서, 수지 에칭액(RE)은 기판(100)에 적용된 수지 소재(111)의 종류에 따라 그 종류가 결정되는데, 예를 들면 수지 에칭액(RE)으로 70% 고농도 황산이 사용될 수 있다.
Here, the type of the resin etching solution RE is determined according to the type of the resin material 111 applied to the substrate 100. For example, 70% high sulfuric acid may be used as the resin etching solution RE.

그 다음, 제조자는, 기판(100)을 수지 에칭액(RE)으로부터 꺼낸 후, 기판(100)을 물에 담그고 기판(100)에 초음파를 가하는 제1차 초음파 처리를 수행한다(S4 단계).Next, the manufacturer removes the substrate 100 from the resin etching solution RE, and then performs a first ultrasonic treatment in which the substrate 100 is immersed in water and an ultrasonic wave is applied to the substrate 100 (step S4).

즉, 도 6에 도시된 바와 같이, 제조자는 제1 초음파 처리 용기(UB1)에 수용된 물에 기판(100)을 담근 후, 제1 초음파 장치(UD1)를 구동시켜 기판(100)에 초음파를 가하게 된다. 그렇게 되면, 이전의 S2 단계 및 S3 단계들을 거쳐 발생된 필러(113)의 슬러지 및 수지 소재(111)의 잔여물들이, 제1 초음파 장치(UD1)에서 발생된 진동에 의해 기판(100)과의 부착력이 완화되어 기판(100)으로부터 분리되게 된다.That is, as shown in FIG. 6, the manufacturer soaks the substrate 100 in the water contained in the first ultrasonic processing container UB1 and then drives the first ultrasonic apparatus UD1 to apply ultrasonic waves to the substrate 100. do. Then, the residues of the sludge of the filler 113 and the residue of the resin material 111 generated through the previous steps S2 and S3 are separated from the substrate 100 by the vibration generated in the first ultrasonic apparatus UD1. The adhesive force is relaxed and separated from the substrate 100.

여기서, 제1 초음파 장치(UD1)와 기판(100)의 이격 거리(d1)는 10cm를 초과하지 않도록 하며, 초음파 주파수는 28kHz 내지 45kHz의 범위에서 선택적으로 적용하는 것이 바람직하다.Here, the distance d1 of the first ultrasound apparatus UD1 and the substrate 100 may not exceed 10 cm, and the ultrasound frequency may be selectively applied in the range of 28 kHz to 45 kHz.

도 6에는 제1 초음파 장치(UD1)가 기판(100)의 하방에만 배치되어 있으나 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 예를 들면, 본 발명에 따른 제1 초음파 장치(UD1)는 한 쌍으로 구성되어 기판(100) 양면을 마주보도록 배치됨으로써, 기판(100)의 양면 방향으로 동시에 초음파를 가할 수 있도록 구성될 수 있다.
In FIG. 6, the first ultrasound apparatus UD1 is disposed only below the substrate 100, but the present invention is not limited thereto. For example, the first ultrasound apparatus UD1 according to the present invention may be configured in a pair so as to face both sides of the substrate 100, so that ultrasonic waves may be simultaneously applied in both directions of the substrate 100. .

그 다음, 제조자는, 기판(100)을 초음파 처리 용기(UB1)에 수용된 물로부터 꺼낸 후, 소정의 압력으로 기판(100)에 물을 분사시킨다(S5 단계). Then, the manufacturer removes the substrate 100 from the water contained in the ultrasonic processing container UB1, and then sprays water onto the substrate 100 at a predetermined pressure (step S5).

즉, 도 7에 도시된 바와 같이, 기판(100)에 물을 소정의 압력으로 분사시키는 공정을 통해, 물이 기판(100)에 부딪히는 충격력에 의해 이전의 S2 단계 내지 S4 단계들을 거쳐 발생한 필러(113)의 슬러지 및 수지 소재(111)의 잔여물들을 기판(100)으로부터 제거한다. That is, as shown in FIG. 7, through the process of spraying water onto the substrate 100 at a predetermined pressure, the filler generated through the previous steps S2 to S4 by the impact force of the water hitting the substrate 100 ( The sludge of 113 and residues of the resin material 111 are removed from the substrate 100.

여기서, 기판(100)에 물을 분사시키는 공정은 스프레이 장치(SP)를 이용하여 수행되며, 물을 분사시키는 압력은 1kgf/㎠ 보다 큰 것이 바람직하며, 스프레이 장치(SP)의 분사 노즐(SPN)과 기판(100)과의 거리(d2)는 20cm를 초과하지 않도록 구성하는 것이 바람직하다. Here, the process of spraying water on the substrate 100 is performed using a spray device SP, the pressure for spraying water is preferably greater than 1kgf / ㎠, the spray nozzle (SPN) of the spray device (SP) It is preferable that the distance d2 between the substrate 100 and the substrate 100 does not exceed 20 cm.

도 7에는 스프레이 장치(SP)가 기판(100)의 양면 방향으로 배치되어 있으나 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 예를 들면, 본 발명에 따른 스프레이 장치(SP)는 기판(100)의 일면만을 마주보도록 배치될 수 있고, 그 경우 작업자가 공정 중 기판(100)을 뒤집어, 분사되는 물이 기판(100)의 양쪽 면에 고루 닿도록 작업 공정을 구성할 수 있다. In FIG. 7, the spray device SP is disposed in both directions of the substrate 100, but the present invention is not limited thereto. For example, the spray device SP according to the present invention may be arranged to face only one surface of the substrate 100, in which case an operator flips the substrate 100 during the process, and the water sprayed on the substrate 100 Work processes can be configured to evenly contact both sides.

이상과 같이, 본 실시예의 경우에는, 수지 제거 단계(S3 단계) 후에 제1차 초음파 처리 단계(S4 단계) 및 물 분사 단계(S5 단계)를 연속적으로 수행함으로써, 필러(113)의 슬러지 및 수지 소재(111)의 잔여물을 확실히 제거할 수 있다.
As described above, in the present embodiment, the sludge and the resin of the filler 113 by successively performing the first ultrasonic treatment step (S4 step) and the water injection step (step S5 step) after the resin removal step (step S3). The residue of the material 111 can be removed reliably.

그 다음, 제조자는, 기판(100)을 유리 섬유 에칭액(GE)에 담가 베이스 부재(110)의 노출된 부분에 존재하는 유리 섬유(112)를 제거한다(S6 단계).Next, the manufacturer dips the substrate 100 in the glass fiber etching solution GE to remove the glass fibers 112 present in the exposed portion of the base member 110 (step S6).

즉, 도 8에 도시된 바와 같이, 제조자는 유리 섬유 에칭액 용기(GEB)에 수용된 유리 섬유 에칭액(GE)에 기판(100)을 담근다. 그렇게 되면, 유리 섬유 에칭액(GE)이, 도전층(120)에 형성된 윈도우(W)를 통해 베이스 부재(110)의 노출된 부분에 도달하고, 도달된 유리 섬유 에칭액(GE)은 베이스 부재(110)의 노출된 부분에 존재하는 유리 섬유(112)와 화학 반응을 일으켜 유리 섬유(112)를 제거하게 된다.That is, as shown in FIG. 8, the manufacturer dips the substrate 100 in the glass fiber etching solution GE contained in the glass fiber etching solution container GEB. Then, the glass fiber etching solution GE reaches the exposed part of the base member 110 through the window W formed in the conductive layer 120, and the glass fiber etching solution GE reached is the base member 110. The glass fiber 112 is chemically reacted with the glass fiber 112 present in the exposed portion of the c) to remove the glass fiber 112.

여기서, 유리 섬유 에칭액(GE)으로는 불화물 용액을 포함할 수 있는데, 불화물 용액의 예로 불화암모늄 용액, 불화수소산 용액 등이 될 수 있다. 불화물 용액으로 불화암모늄 용액을 사용하는 예의 경우, 다음의 화학 반응식에 의해 유리 섬유(112)가 제거된다. Here, the glass fiber etching solution GE may include a fluoride solution. Examples of the fluoride solution may include an ammonium fluoride solution, a hydrofluoric acid solution, and the like. In the case of using an ammonium fluoride solution as the fluoride solution, the glass fiber 112 is removed by the following chemical reaction formula.

3NH4HF2 + SiO2(유리 섬유) -> (NH4)2SiF6(sludge) +NH4OH +H2O3NH 4 HF 2 + SiO 2 (Glass Fiber)-> (NH 4 ) 2 SiF 6 (sludge) + NH 4 OH + H 2 O

여기서, 생성되는 슬러지(sludge) 형태의 (NH4)2SiF6는 다음의 제2차 초음파 처리 공정에 의해 확실히 제거된다.
Here, the produced sludge form (NH 4 ) 2 SiF 6 is reliably removed by the following second sonication process.

그 다음, 제조자는, 기판(100)을 유리 섬유 에칭액(GE)으로부터 꺼낸 후, 기판(100)을 물에 담그고 기판(100)에 초음파를 가하는 제2차 초음파 처리를 수행한다(S7 단계).Next, the manufacturer removes the substrate 100 from the glass fiber etching solution GE, and then performs a second ultrasonic treatment in which the substrate 100 is immersed in water and an ultrasonic wave is applied to the substrate 100 (step S7).

즉, 도 9에 도시된 바와 같이, 제조자는 제2차 초음파 처리 용기(UB2)에 수용된 물에 기판(100)을 담근 후, 제2 초음파 장치(UD2)를 구동시켜 기판(100)에 초음파를 가하게 된다. 그렇게 되면, 이전의 S6 단계에서 발생된 유리 섬유(112)의 슬러지 등의 잔여물들이, 제2 초음파 장치(UD2)에서 발생된 진동에 의해 기판(100)과의 부착력이 완화되어 기판(100)으로부터 분리되게 된다.That is, as shown in FIG. 9, the manufacturer soaks the substrate 100 in water contained in the second ultrasonic processing container UB2, and then drives the second ultrasonic device UD2 to apply ultrasonic waves to the substrate 100. Will be added. Then, the residues such as the sludge of the glass fiber 112 generated in the previous step S6, the adhesion force to the substrate 100 by the vibration generated in the second ultrasonic device UD2 is relaxed, the substrate 100 To be separated from.

여기서, 제2 초음파 장치(UD2)와 기판(100)의 이격 거리(d3)는 10cm를 초과하지 않도록 하며, 초음파 주파수는 28kHz 내지 45kHz의 범위에서 적절히 선택하여 적용하는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the separation distance d3 of the second ultrasonic apparatus UD2 and the substrate 100 does not exceed 10 cm, and the ultrasonic frequency is appropriately selected and applied in the range of 28 kHz to 45 kHz.

도 9에는 제2 초음파 장치(UD2)가 기판(100)의 하방에만 배치되어 있으나 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 예를 들면, 본 발명에 따른 제2 초음파 장치(UD2)는 한 쌍으로 구성되어 기판(100) 양면을 마주보도록 배치됨으로써, 기판(100)의 양면 방향으로 동시에 초음파를 가할 수 있도록 구성될 수 있다.In FIG. 9, the second ultrasound device UD2 is disposed only below the substrate 100, but the present invention is not limited thereto. For example, the second ultrasound apparatus UD2 according to the present invention may be configured in a pair so as to face both sides of the substrate 100 so that the ultrasonic waves may be simultaneously applied in both directions of the substrate 100. .

이상과 같이, S1 단계부터 S7 단계의 공정을 거치게 되면, 도 10에 도시되는 바와 같이, 기판(100)에 홀(H)이 형성되게 된다. As described above, when the process of step S1 to step S7 is performed, as shown in FIG. 10, the hole H is formed in the substrate 100.

본 실시예에 따르면 제2차 초음파 처리 단계(S7 단계)를 거친 후에는 추가적인 공정이 없지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따른 기판 홀 형성 방법에 따르면, 제2차 초음파 처리 단계(S7 단계) 후에 전술한 물 분사 단계(S5 단계)를 추가로 실시할 수도 있다. 그 경우 제2차 초음파 처리 단계를 거치고도 완전히 제거되지 않은 유리 섬유 슬러지 잔여물을 더 확실히 제거할 수 있게 된다.According to this embodiment, there is no additional process after the second sonication step (step S7), but the present invention is not limited thereto. That is, according to the method for forming a substrate hole according to the present invention, the above-described water spraying step (S5 step) may be further performed after the second ultrasonic processing step (S7 step). In that case, it becomes possible to more reliably remove the glass fiber sludge residue that has not been completely removed even after the second sonication step.

이상과 같이 설명한 본 실시예에 따른 기판 홀 형성 방법에서는, 홀(H)을 형성하기 위해 필러 제거 단계, 수지 제거 단계, 제1차 초음파 처리 단계, 물 분사 단계, 유리 섬유 제거 단계, 제2차 초음파 처리 단계를 순차적으로 수행함으로써, 직진도 및 균일성이 높은 고품질의 홀(H)을 형성할 수 있다.In the substrate hole forming method according to the present embodiment described above, the filler removing step, the resin removing step, the first ultrasonic treatment step, the water spraying step, the glass fiber removing step, the second order to form the hole H By sequentially performing the ultrasonic treatment step, it is possible to form a high quality hole H having high straightness and uniformity.

본 실시예에 따른 기판 홀 형성 방법은 화학적 방법을 사용함으로써, 일반적으로 사용하는 메카니컬(mechanical) 드릴링이나 레이저 드릴링의 방법에 의한 홀 형성 방법보다 저렴한 비용으로 대량의 홀을 용이하게 형성할 수 있다.In the substrate hole forming method according to the present embodiment, a large number of holes can be easily formed at a lower cost than the hole forming method by a mechanical drilling method or a laser drilling method that is generally used.

또한, 본 발명의 실시예의 경우에는 필러(113)가 포함되는 기판(100)에 홀(H)을 형성함에 있어, 홀 형성 공정에 필러(113)를 제거하기 위한 필러 제거 단계를 포함함으로써, 가공성을 향상시켜 가공 시간을 줄이는 동시에 고품질의 홀(H)을 형성할 수 있다. In addition, in the embodiment of the present invention in forming the hole (H) in the substrate 100 including the filler 113, by including a filler removing step for removing the filler 113 in the hole forming process, workability It is possible to form a high quality hole (H) at the same time by reducing the machining time.

본 발명의 일 측면들은 첨부된 도면에 도시된 실시예들을 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다. While aspects of the present invention have been described with reference to the embodiments shown in the accompanying drawings, this is merely exemplary, and various modifications and equivalent other embodiments are possible from those skilled in the art. You will understand the point. Accordingly, the true scope of protection of the invention should be defined only by the appended claims.

본 발명은 기판에 홀을 형성하는 산업이나, 기판에 홀을 형성하는 장치를 제조하는 산업 등에 이용할 수 있다. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used in an industry for forming a hole in a substrate, or an industry for manufacturing an apparatus for forming a hole in a substrate.

100: 기판 110: 베이스 부재
111: 수지 소재 112: 유리 섬유
113: 필러 120: 도전층
H: 홀
100: substrate 110: base member
111: resin material 112: glass fiber
113: filler 120: conductive layer
H: Hall

Claims (6)

유리 섬유, 수지 소재 및 필러를 포함한 베이스 부재를 포함하고, 상기 베이스 부재에 도전층이 형성된 기판에 홀을 형성하는 방법으로서,
상기 도전층의 부분 중 상기 홀이 형성될 부분을 제거하여 상기 베이스 부재의 일부를 노출시키는 단계;
상기 기판을 필러 제거액에 담가 상기 베이스 부재의 노출된 부분에 존재하는 상기 필러를 제거하는 필러 제거 단계;
상기 기판을 수지 에칭액에 담가 상기 베이스 부재의 노출된 부분에 존재하는 상기 수지 소재를 제거하는 수지 제거 단계;
상기 기판을 물에 담그고, 상기 기판에 초음파를 가하는 제1차 초음파 처리 단계;
상기 기판에 물을 분사시키는 물 분사 단계;
상기 기판을 유리 섬유 에칭액에 담가 상기 베이스 부재의 노출된 부분에 존재하는 상기 유리 섬유를 제거하는 유리 섬유 제거 단계; 및
상기 기판을 물에 담그고, 상기 기판에 초음파를 가하는 제2차 초음파 처리 단계;를 포함하는 기판 홀 형성 방법.
As a method of forming a hole in a substrate comprising a base member including a glass fiber, a resin material and a filler, the conductive layer formed on the base member,
Removing a portion of the conductive layer in which the hole is to be formed to expose a portion of the base member;
A filler removing step of dipping the substrate in the filler removing liquid to remove the filler present in the exposed portion of the base member;
A resin removing step of immersing the substrate in a resin etching solution to remove the resin material present in the exposed portion of the base member;
A first sonication step of dipping the substrate in water and applying ultrasonic waves to the substrate;
A water spraying step of spraying water onto the substrate;
A glass fiber removing step of dipping the substrate in a glass fiber etching solution to remove the glass fibers present in the exposed portion of the base member; And
And a second ultrasonication step of dipping the substrate in water and applying ultrasonic waves to the substrate.
제1항에 있어서,
상기 필러 제거액은 불화물 용액을 포함하는 기판 홀 형성 방법.
The method of claim 1,
The filler removal liquid comprises a fluoride solution.
제1항에 있어서,
상기 수지 에칭액은 황산 용액을 포함하는 기판 홀 형성 방법.
The method of claim 1,
The resin etching solution comprises a sulfuric acid solution.
제1항에 있어서,
상기 물 분사 단계에서, 상기 물을 분사시키는 공정은 스프레이 장치로 수행되고, 상기 물을 분사시키는 압력은 1kgf/㎠ 보다 큰 기판 홀 형성 방법.
The method of claim 1,
In the water spraying step, the step of spraying water is performed with a spray device, the pressure for spraying the water is greater than 1kgf / ㎠.
제1항에 있어서,
상기 유리 섬유 에칭액은 불화물 용액을 포함하는 기판 홀 형성 방법.
The method of claim 1,
And the glass fiber etching solution comprises a fluoride solution.
제1항에 있어서,
상기 제2차 초음파 처리 단계를 수행한 후, 상기 기판에 물을 분사시키는 물 분사 단계를 추가로 수행하는 기판 홀 형성 방법.
The method of claim 1,
And performing a water spraying step of spraying water onto the substrate after performing the second ultrasonication step.
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