KR20140131279A - 서브유니트를 포함하는 전력 반도체 모듈 및 이를 포함하는 장치 - Google Patents

서브유니트를 포함하는 전력 반도체 모듈 및 이를 포함하는 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140131279A
KR20140131279A KR1020140053073A KR20140053073A KR20140131279A KR 20140131279 A KR20140131279 A KR 20140131279A KR 1020140053073 A KR1020140053073 A KR 1020140053073A KR 20140053073 A KR20140053073 A KR 20140053073A KR 20140131279 A KR20140131279 A KR 20140131279A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sub
power semiconductor
semiconductor module
load
elements
Prior art date
Application number
KR1020140053073A
Other languages
English (en)
Inventor
한센 위르겐
바키자 네드자드
Original Assignee
세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지 filed Critical 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지
Publication of KR20140131279A publication Critical patent/KR20140131279A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L24/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/40227—Connecting the strap to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/84801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

본 발명은 하우징을 포함함과 동시에 상측 스위치 및 하측 스위치를 포함하는 하프브릿지 형태를 갖는 적어도 하나의 스위칭 소자(3)를 포함하는 전력 반도체 모듈을 제안한다. 이 경우, 스위칭 소자는 서로 전기적으로 절연되고 마찬가지로 하프브릿지 형태를 갖는 다수의 서브유니트로 구성되며, 각 서브유니트는 각각 정확히 하나의 반도체 스위치 형태의 상측 및 하측 서브스위치를 갖는다. 상측 및 하측 서브스위치는 내부 부하 접속 요소에 의해 적절한 회로로 서로 접속된다. 서브유니트는 편평하고 측면을 따라서 서로 밀접하게 근접 배치되어 부분 스택을 구성하는 서로 다른 전위의 부하 접속 요소를 갖는다.

Description

서브유니트를 포함하는 전력 반도체 모듈 및 이를 포함하는 장치{Power semiconductor module comprising subunits and arrangement comprising same}
본 발명은 다수의 서브유니트를 포함하는 전력 반도체 모듈 및 이를 포함하는 장치에 관한 것으로서, 전력 반도체 모듈 및 장치는 모두 특히 낮은 기생 인덕턴스를 갖는다.
하나 또는 다수의 하프브릿지 회로(half-bridge circuit)를 구성하는 스위칭 소자를 포함하는 전력 반도체 모듈은 예를 들어 DE 39 37 045 A1에서처럼 종래 기술에 공지되어 있다. 하프브릿지 형태를 갖는 스위칭 소자들은 전력 전자회로에 대한 기본 유니트를 구성한다. 하프브릿지 형태를 갖는 스위칭 소자는 상측 및 하측 스위치를 갖는다. 해당 기술분야에서 일반적인 것처럼 그리고 DE 39 37 045 A1에서도 개시된 바와 같이 각각의 스위치는 병렬로 접속된 다수의 반도체 스위치 형태일 필요가 있다.
전력 반도체 모듈의 이런 구성은 스위칭 동작중에 전류(轉流; commutation)의 경우에 주위 영역에 전류가 흐르고 따라서 결국 전류 인덕턱스(commutation inductance)는 다수의 반도체 스위치의 위치와 전력 반도체 모듈의 다수의 반도체 스위치에 따라서 결정된다는 결점을 갖는다. 따라서 다수의 반도체 스위치는 높은 전류 인덕턴스를 야기한다.
DE 39 37 045 A1
이런 결점을 감안하여, 본 발명은 내부 기생 인덕턴스, 구체적으로 전류 인덕턴스가 특히 낮은 전력 반도체 모듈과 이런 전력 반도체 모듈 및 커패시터 장치를 포함하며 전체 장치의 기생 인덕턴스, 구체적으로 전류 인덕턴스가 특히 낮은 장치를 제안하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적은 본 발명에 따라서 청구항 1의 특징부를 갖는 전력 반도체 모듈과 청구항 10의 특징부를 갖는 이런 전력 반도체 모듈을 포함하는 장치에 의해 달성된다. 바람직한 실시형태들은 종속 청구항에 설명되어 있다.
본 발명에 따른 전력 반도체 모듈은 하우징을 가짐과 동시에 상측 스위치 및 하측 스위치를 포함하는 하프브릿지 형태를 갖는 적어도 하나의 스위칭 소자를 갖도록 형성되는데, 스위칭 소자는 서로 전기적으로 절연되고 마찬가지로 하프브릿지 형태를 갖는 다수의 서브유니트로 구성되며, 각 서브유니트는 각각 정확히 하나의 반도체 스위치 형태의 상측 및 하측 서브스위치를 가지며, 상측 및 하측 서브스위치는 내부 부하 접속 요소에 의해 적절한 회로로 서로 접속되며, 서브유니트는 부분 스택을 형성하기 위해 편평하고 측면을 따라서 서로 밀접하게 근접 배치된 서로 다른 전위의 부하 접속 요소를 갖는다.
내부 부하 접속 요소는 적어도 하나의 내부 부하 접속 요소라는 것은 말할 필요도 없다.
여기서 그리고 이하에서 "반도체 스위치"라는 용어는 각각의 서브스위치가 정확히 하나의 스위칭 가능한 전력 반도체로 형성되는 것이지 서로 병렬로 접속된 다수의 스위칭 가능한 전력 반도체로 형성되는 것은 아니라는 것을 의미하는 것으로 이해될 것이다. 그러나 반도체 스위치는 다단 형태를 갖는 스위칭 소자의 경우에는 직렬로 접속된 다수의 스위칭 가능한 전력 반도체의 형태가 될 수 있다.
여기서 그리고 이하에서 "부분 스택"이라는 용어는 부하 접속 요소들이 그 측면의 상당 비율, 구체적으로 80%보다 크게 걸쳐서 서로 밀접하게 근접 배치되며 이 장치에서는 서로 전기적으로 절연된 스택을 형성한다는 것을 의미하는 것으로 이해될 것이다. 구체적으로 개별 접속 요소들은 이 경우에 편평한다.
반드시는 아니지만 각 서브유니트의 부하 접속 요소는 나머지 서브유니트의 부하 접속 요소로부터 전기절연 방식으로 하우징을 통해 외부로 연장되고 외부에서 각 서브유니트에 지정된 접촉 소자를 갖는 것이 보다 유리할 수 있다. 그러나 각 서브유니트의 부하 접속 요소는 또한 공통 외부 부하 접속 요소를 형성하도록 하우징 내에 접속될 수도 있다.
어느 경우라도 종방향 측면 중의 한 측면상에서 서로 인접한 서브유니트들은 서로에 대하여 거울 대칭으로 배치되는 것이 더 바람직하다. 그 결과, 개별 서브유니트의 이미 낮은 전류 인덕턴스가 그 거리 때문에 일부만 향상될 수 있다.
더 유리한 구성에 있어서, 각 서브유니트들은 양 및 음의 DC 전위와 AC 전위를 가지며, 이들 부하 전위들은 적절한 극성으로 부하 접속 요소에 접속된다. 이 경우 부분 스택의 경우 AC 전위를 갖는 부하 접속 요소가 양의 DC 전위를 갖는 부하 접속 요소 사이에 배치되고 음의 DC 전위를 갖는 부하 접속 요소와 그 과정에서의 부하 접속 요소가 각각 전기절연막에 의해 서로 절연된다는 것은 반드시 아니다
원칙적으로 각 서브유니트는 전용 기판을 가질 수 있거나 적어도 두 개 이상의 서브유니트가 공통 기판을 가질 수 있다.
또한, 적어도 특정 용도의 경우에 각 서브유니트는 커패시터가 서브스위치에 밀접하게 인접 배치되어 두 개의 DC 전위 사이에 접속되는 것이 유리할 수 있다. 이 커패시터는 낮은 커패시턴스를 가질 필요가 있을 뿐이며 가능한 기판상의 서브스위치 바로 근처에 배치되어야 한다.
구체적으로 반도체 스위치의 개수와 그에 따라서 더 큰 서브유니트의 개수를 선택하고 역으로 더 낮은 개별 반도체 스위치의 통전 용량을 선택하는 것이 유리하다. 물론 실제 전력 반도체 모듈에서는 개수와 사이즈 사이에 타협점을 찾을 필요가 있다.
본 발명에 따른 장치는 전술한 바와 같은 전력 반도체 모듈과 이 전력 반도체 모듈과 접속하는 외부 접속 장치를 갖도록 형성되는데, 외부 접속 장치는 서로 절연된 라인 요소의 편평한 스택 형태이며, 각 라인 요소는 적적한 극성으로 전력 반도체 모듈의 접촉 소자와 커패시터 장치의 접속 장치에 접속되거나, 또는 외부 접속 장치는 서브유니트의 DC 전위를 갖는 접촉 소자를 적절한 극성으로 커패시터 장치의 해당 접촉 소자에 접속하는 다수의 라인 쌍을 갖는다.
물론 이 장치는 어느 경우라도 적어도 하나의 전력 반도체 모듈과 적어도 하나의 커패시터 장치다.
본 발명의 다양한 구성은 개량을 위해 개별적으로 또는 어떤 원하는 조합으로도 실현될 수 있다는 것은 말할 필요도 없다. 구체적으로, 앞에서 언급하고 설명한 특징부들은 본 발명의 범위에서 이탈함 없이 특정 조합에서뿐만 아니라 다른 조합이나 단독으로도 사용될 수 있다.
이제 본 발명의 이점은 서브유니트로 분할된 것에 있는데, 상기 서브유니트는 병렬로 접속되고, 각 서브유니트는 총합 전류를 통해 연결된다. 병렬로 접속된 인덕턴스에 대한 덧셈 규칙 때문에 전력 반도체 모듈의 총 인덕턴스는 서브유니트의 개별 인덕턴스보다 작다.
본 발명의 추가 설명과 유리한 상세 및 특징들은 본 발명에 따른 장치와 그 부품의 도 1 내지 도 4에 도시한 실시형태와 관련된 이하의 설명에 제공한다.
도 1은 서브유니트의 제 1 구성의 평면도.
도 2는 도 1에 도시한 서브유니트를 통과하는 선 AA를 따라서 취한 단면도.
도 3은 도 1에 도시한 서브유니트을 통과하는 선 BB를 따라서 취한 단면도.
도 4는 서브유니트의 제 2 구성의 평면도.
도 5는 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈의 기판면의 개략 평면도.
도 6은 도 5에 도시한 전력 반도체 모듈과 본 발명에 따른 장치의 횡단면도.
도 7은 도 5에 도시한 전력 반도체 모듈을 보여주는 하우징의 평면도.
도 1은 서브유니트(30)의 제 1 구성을 평면도로 보여준다. 이 도면은 기판 상에 여러 가지 전위의 도체 트랙(302)이 배치된 해당 기술분야에서 일반적인 기판(300)을 보여준다. 제 1 상측 반도체 스위치(32)는 양의 DC 전위를 전도하는 제 1 도체 트랙(302)상에 배치되어 전기전도적으로 접속되어 있다. 이 스위치(32, 34) 및 그 외의 후술하는 스위치들은 MOS 전계효과 트랜지스터, 리버스-블록킹 IGBT(reverse-blocking IGBT), 또는 여기서 도시하는 바와 같이 다이오드가 후면끼리 병렬로 접속된 IGBT(320, 340), 소위 프리휠링 다이오드(freewheeling diode)가 될 수 있다. 프리휠링 다이오드가 후면끼리 병렬로 접속된 IGBT 같은 반도체 스위치(32, 34)의 구성의 경우에, 4개의 부품이 기판상에 바둑판 형상으로 배치되는 것이 특히 바람직하다. 그 결과 구체적으로 짧은 전류(commutation) 경로가 되고 따라서 전류가 흐르는 작은 주위 영역이 되며 그 결과 매우 낮은 전류 인덕턴스가 된다.
게다가, 부하 접속 요소(50)는 도체 트랙(302)상에 배치된 접촉 베이스(502)에 의해 상기 부하 접속 요소의 해당 접촉 베이스(502)를 이용하여 도체 트랙(302)에 전기전도적으로 접속된다. 스위칭 소자의 양 전위는 이 부하 접속 요소(50)에 할당된다. 이 장치와 그 외에 도전성 접속을 갖는 어떤 장치도 당해 기술분야에서 일반적인 것처럼 가압 접촉부, 솔더링, 용접, 접착, 또는 소결형 죠인트 형태가 될 수 있다.
제 2 하측 반도체 스위치(34)는 AC 전위를 전도하는 제 2 도체 트랙(304) 상에 배치되어 전기전도적으로 접속된다. 이 제 2 도체 트랙(304)은 기판의 반대측으로 향하는 제 1 반도체 스위치(32)의 측면에 배치된 접촉 부위에 접속된다. 내부 부하 접속 요소(40)는 어느 경우라도 개별 금속 몰딩(400)의 형태, 와이어 본딩 접속부(402)의 형태 또는 막복합체의 형태(도시하지 않음)가 될 수 있다. 또한 해당 부하 접속 요소(52)의 접촉 베이스(522)는 도체 트랙(304)상에 배치되어 전기전도적으로 접속된다. 스위칭 소자의 AC 전위는 이 부하 접속 요소(52)에 할당된다.
해당 부하 접속 요소(54)의 접촉 베이스(542)는 기판(300)으로부터 떨어진 제 2 반도체 스위치(34)의 측면, 보다 정확하게는 상기 반도체 스위치를 구성하는 IGBT(340) 및 프리휠링 다이오드(342)의 측면상에 배치된 접촉 부위상에 배치되어 전기전도적으로 접속된다. 스위칭 소자의 음 전위는 이 부하 접속 요소(54)에 할당된다.
도 2는 도 1에 도시된 서브유니트(30)를 통과하는 선 AA를 따라서 취한 단면도를 보여준다. 결국 상기 도면은 상면에 도체 트랙(302, 304)가 배치된 절연체(306)를 포함하는 기판(300)을 도시하고, 이 경우에 부분 스택(5)을 구성하는 서브유니트(30)의 부하 접속 요소(50, 52, 54)를 적어도 단면으로 도시한다. 이 경우, 스택(5)은 다음의 순서, 즉 양의 DC 전위, AC 전위, 음의 DC 전위를 갖는다. 그러나 모든 부하 접속 요소(50, 52, 54)는 서로 밀접하게 근접하여 형성되며 이상적으로 편평하며 최소 두께를 갖지만 원하는 통전 용량(current-carrying capacity)을 갖기에 충분한 두께를 갖는 것이 필수적이다.
이 경우에 각각의 할당된 부하 접속 요소(50, 52)의 접촉 베이스(502, 522)는 첫째로 통전 용량 때문에 각각의 부하 접속 요소의 추가 프로파일에서와 동일한 단면적을 갖기 위해 그리고 두 번째로 도체 트랙(302, 304)에 대한 기계적 및 전기적 도전성 접속부의 형성을 간단히 하기 위해 더 두껍다.
절연의 이유로 부하 접속 요소(50, 52, 54) 사이에 추가의 절연이 필요한 영역에서 이는 절연 플라스틱막(56, 58)에 의해 형성된다.
도 3은 도 1에 도시된 서브유니트(30)을 통과하는 선 BB를 따라서 취한 단면도를 보여준다. 마찬가지로 상기 도면은 전술한 바와 같이 상면에 배치된 도체 트랙(302, 304), 그 위에 배치된 반도체 스위치(32, 34) 및 서브유니트(30)가 부하 접속 요소(50, 52, 54)를 갖는 상기 기판(300)을 도시한다. 이 도면에서, 반도체 스위치(34)의 접촉 부위에 직접 접속된 음의 DC 전위를 갖는 부하 접속 요소(54)가 필수적이다.
도 4는 서브유니트(30)의 제 2 구성을 평면도로 보여준다. 이 서브유니트는 둘 다 음의 DC 전위를 전도하는 두 개의 도체 트랙(308)을 갖는다는 점에서 도 1에 도시한 것과는 다르다. 부하 접속 요소(54)가 할당된 두 개의 접속부는 이들 도체 트랙(308)상에 배치되어 지정된 접점에 의해 전기전도적으로 접속된다. 이들 도체 트랙(308)은 또한 기판으로부터 떨어져 있는 반도체 스위치의 측면상에 배치된 하측 반도체 스위치(34)의 접촉 부위에 와이어 본딩 접속부(404)에 의해 접속된다.
이 경우에 부하 접속 요소(50, 52, 54)는 분명하게 형성된 접촉 베이스를 갖지 않는다. 그 대신에 부하 접속 요소들은 해당 도체 트랙상에 절두 형태로 형성되어 전기전도적으로 접속되는데, 각 접속부는 다수의 접점을 가질 수 있다.
또한 서브유니트(30)의 제 2 구성은 두 개의 DC 전위 사이에 전기적으로 접속된 커패시터(6)를 갖는다. 이를 위해 커패시터(6)는 음의 DC 전위를 갖는 추가의 전용 도체 트랙(308') 및 양의 DC 전위를 갖는 도체 트랙(302)에 접속되어 기판(300)상에 직접 배치된다.
도 5는 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈(1)의 기판면을 평면도로 개략적으로 보여준다. 상기 도면은 하우징(2)과, 도 1 또는 도 4에 도시한 것처럼 예를 들어 서로 전기적으로 절연되어 각각 하프브릿지 회로를 갖는 6개의 서브유니트(30)를 도시한다. 따라서 서브유니트(30)의 해당 접속이 주어진 전체 전력 반도체 모듈(10)은 하프브릿지 형태를 갖는 스위칭 소자(3)를 갖는다. 이를 위해 각 서브유니트(30)는 부분 스택(5)을 구성하는 전용 부하 접속 요소를 갖는다.
또한, 상측 서브스위치로부터 하측 서브스위치로 또는 하측 서브스위치로부터 상측 서브스위치로의 전류(commutation)의 전류 경로(36, 38)가 단지 개략적으로 도시되어 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 전력 반도체 모듈(1)의 이점, 즉 전류가 흐르는 극히 작은 주위 영역 그리고 이와 직접 관련된 인덕턴스, 이 경우에는 전류 인덕턴스는 명확하다. 부하 접속 요소 때문에 전류가 흐를 추가의 주위 영역들이 생기며, 이 경우에도 그리고 전술한 실시형태에서도 이들 영역 및 그 결과의 인덕턴스는 종래기술과 비교하여 작다.
전류 인덕턴스의 추가의 개량은 어느 경우라도 종방향 측면중의 한 측면상에서 서로 인접하며 서로에 대하여 거울 대칭으로 배치된 서브유니트(30)들에 의해 이루어진다. 이 대칭 상태는 어느 경우라도 서브유니트(30)의 한 코너에 각 절결부에 의해 도시되어 있다. 이 대칭 구조에 의해 인접한 서브유니트(30)들의 자계는 서로 일부 상쇄된다. 이 개량점은 인접한 서브유니트(30)의 개수에 따라서 더 향상된다.
120A의 통전 용량을 갖는 전력 반도체 모듈(1)은 예를 들어 본 발명에 따라서 6개의 서브유니트(30)를 가질 수 있다. 그리고 본 발명에 따른 설계로 인해, 서브유니트(30)의 전류 인덕턴스는 2 nH 내지 4 nH이지만 전체 전력 반도체 모듈(1)의 전류 인덕턴스는 1 nH 미만이 될 수 있다.
도 6은 도 5에 도시된 바와 같은 전력 반도체 모듈(1)을 포함하는 본 발명에 따른 장치를 횡방향 단면으로 보여준다. 상기 도면은 결국 역시 히트싱크 형태가 될 수 있는 베이스 플레이트(20)를 갖는 하우징(2)을 도시하며, 반도체 스위치(32, 34)를 갖는 기판(300)을 개략적으로 도시한다. 도체 트랙과 내부 접속 요소는 여기서 분명하게 도시되어 있지 않다.
각 서브유니트(30)의 부하 접속 요소(50, 52, 54)는 각각의 기판(300)에서 나와서 측면에서 보아서 부분 스택(5)을 갖고 해당 절결부를 통하여 하우징(2)의 외부로 나간다. 그래서 각 서브유니트(30)에 지정된 부하 접속 요소(50, 52, 54)의 접촉 소자(504, 544)는 예를 들어 압입형 접촉부로서 구성되거나 또는 다른 종래의 방식으로 구성될 수 있다.
이들 접촉 소자(504, 544)들은 구체적으로 전력 반도체 모듈(1) 또는 다수의 전력 반도체 모듈을 하나 이상의 커패시터 장치(7)에 접속하는 외부 접속 장치(8)에 접속하는데 사용된다. 이들 외부 접속 장치(8)는 예를 들어 서로 전기적으로 절연된 라인 요소(80, 84)를 갖는 낮은 인덕턴스의 편평한 레일 형태인데, 여기서 라인 요소(80)는 양의 DC 전위를 갖고 라인 요소(84)는 음의 DC 전위를 갖는다.
도 7은 도 5에 도시한 바와 같은 전력 반도체 모듈(1)을 하우징(2)의 상측면의 평면도로 보여주는데, 여기서는 각 서브유니트에 지정된 접촉 소자(504, 524, 544)가 도시되어 있다.

Claims (10)

  1. 하우징(2)을 포함함과 동시에 상측 스위치 및 하측 스위치를 포함하는 하프브릿지 형태를 갖는 적어도 하나의 스위칭 소자(3)를 포함하는 전력 반도체 모듈(1)로서, 스위칭 소자(3)는 서로 전기적으로 절연되고 마찬가지로 하프브릿지 형태를 갖는 다수의 서브유니트(30)로 구성되며, 각 서브유니트(30)는 각각 정확히 하나의 반도체 스위치 형태의 상측 및 하측 서브스위치(32, 34)를 가지며, 상측 및 하측 서브스위치(32, 34)는 내부 부하 접속 요소(40)에 의해 적절한 회로로 서로 접속되며, 서브유니트(30)는 부분 스택(5)을 형성하기 위해 편평하고 측면을 따라서 서로 밀접하게 근접 배치된 서로 다른 전위의 부하 접속 요소(50, 52, 54)를 갖는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서, 각 서브유니트(30)의 부하 접속 요소(50, 52, 54)는 나머지 서브유니트의 부하 접속 요소로부터 전기절연 방식으로 하우징(3)을 통해 외부로 연장되며, 외부에서 각 서브유니트(30)에 대하여 지정된 접촉 소자(504, 524, 544)를 갖는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 모듈.
  3. 제 1 항에 있어서, 어느 경우라도 종방향 측면상에서 서로 인접한 서브유니트(30)들은 서로에 대하여 거울 대칭으로 배치되는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 모듈.
  4. 제 1 항에 있어서, 각 유니트(30)는 양과 음의 DC 전위와 AC 전위를 가지며, 이들 부하 전위들은 적절한 극성으로 부하 접속 요소(50, 52, 54)에 접속되는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 모듈.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 부분 스택(5)의 경우에 AC 전위를 갖는 부하 접속 요소(52)는 양의 DC 전위를 갖는 부하 접속 요소(50, 54)와 음의 DC 전위를 갖는 부하 접속 요소 사이에 배치되며, 그 과정에서 부하 접속 요소들은 각각 전기절연막(56, 58)에 의해 서로 격리되는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 모듈.
  6. 제 1 항에 있어서, 내부 부하 접속 요소(40)는 어느 경우라도 개별 금속 몰딩(400)의 형태, 와이어 본딩 접속부(402, 404)의 형태 또는 막복합체의 형태인 것을 특징으로 하는 전력 반도체 모듈.
  7. 제 1 항에 있어서, 각 서브유니트(30)는 전용 기판(300)을 갖거나 적어도 두 개의 서브유니트(30)는 공통 기판을 갖는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 모듈.
  8. 제 2 항에 있어서, 접촉 소자(504, 524, 544)는 압입형 접촉부 형태인 것을 특징으로 하는 전력 반도체 모듈.
  9. 제 1 항에 있어서, 각 서브유니트(30)에 있어서, 커패시터(6)가 서브스위치(32, 34)에 밀접하게 근접 배치되어 두 개의 DC 전위 사이에 접속되는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 모듈.
  10. 커패시터 장치(7)를 포함하고, 제 1 항 내지 제 9 항 중의 한 항에 따른 전력 반도체 모듈(1)을 포함하며, 이 전력 반도체 모듈(1)과 접속하는 외부 접속 장치(8)를 포함하는 장치(100)로서,
    외부 접속 장치(8)는 서로 절연된 라인 요소(80, 84)로 된 편평한 스택 형태이며, 각 라인 요소(80, 84)는 적절한 극성으로 전력 반도체 모듈(1)의 접촉 소자(504, 544)와 커패시터 장치(7)의 접속 장치에 접속되거나, 또는
    외부 접속 장치는 각각 서브유니트(30)의 DC 전위를 갖는 접촉 소자(504, 544)를 적절한 극성을 갖는 커패시터 장치(8)의 해당 접촉 장치에 접속하는 다수의 라인 쌍을 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
KR1020140053073A 2013-05-03 2014-05-01 서브유니트를 포함하는 전력 반도체 모듈 및 이를 포함하는 장치 KR20140131279A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201310104522 DE102013104522B3 (de) 2013-05-03 2013-05-03 Leistungshalbleitermodul mit Subeinheiten und Anordnung hiermit
DE102013104522.7 2013-05-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140131279A true KR20140131279A (ko) 2014-11-12

Family

ID=50879070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140053073A KR20140131279A (ko) 2013-05-03 2014-05-01 서브유니트를 포함하는 전력 반도체 모듈 및 이를 포함하는 장치

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20140131279A (ko)
CN (1) CN104134652B (ko)
DE (1) DE102013104522B3 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012218868B3 (de) * 2012-10-17 2013-11-07 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul
EP3392908B1 (de) * 2017-04-20 2019-07-24 Infineon Technologies AG Leistungshalbleiteranordnung mit einem stapel von eine verbesserte geometrie aufweisenden anschlussplatten zur gemeinsamen elektrischen kontaktierungen mehrerer, gleichartiger leistungshalbleiter-schaltelemente
DE102017209515A1 (de) * 2017-06-06 2018-12-06 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Leistungsumrichtermodul und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102017117665B4 (de) * 2017-08-03 2020-04-30 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einem eine bauliche Einheit bildenden elektrischen Verbindungselement und mit einem elektrischen ersten Bauelement
US11935875B2 (en) * 2021-11-30 2024-03-19 Infineon Technologies Ag Power module layout for symmetric switching and temperature sensing

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3937045A1 (de) * 1989-11-07 1991-05-08 Abb Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleitermodul
DE10037533C1 (de) * 2000-08-01 2002-01-31 Semikron Elektronik Gmbh Induktivitätsarme Schaltungsanordnung
DE102005061016B4 (de) * 2005-12-19 2018-12-06 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung in einem Schaltnetzteil
US7791208B2 (en) * 2007-09-27 2010-09-07 Infineon Technologies Ag Power semiconductor arrangement
DE102009017621B3 (de) * 2009-04-16 2010-08-19 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Verringerung der Störabstrahlung in einem leistungselektronischen System
US8076696B2 (en) * 2009-10-30 2011-12-13 General Electric Company Power module assembly with reduced inductance
DE102010030317B4 (de) * 2010-06-21 2016-09-01 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung mit Shuntwiderstand
DE102011076324B4 (de) * 2011-05-24 2014-04-10 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronisches System mit Verbindungseinrichtung erster und zweiter Subsysteme
DE102011080861A1 (de) * 2011-08-12 2013-02-14 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronisches System mit einer Schalt- und einer Ansteuereinrichtung
DE102012202765B3 (de) * 2012-02-23 2013-04-18 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Halbleitermodul
DE102012218868B3 (de) * 2012-10-17 2013-11-07 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul

Also Published As

Publication number Publication date
CN104134652A (zh) 2014-11-05
DE102013104522B3 (de) 2014-06-26
CN104134652B (zh) 2019-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9659912B2 (en) Low-inductance circuit arrangement comprising load current collecting conductor track
US9106124B2 (en) Low-inductance power semiconductor assembly
JP6366612B2 (ja) 電力用半導体モジュール
CN111048491B (zh) 电力用半导体模块以及电力变换装置
JP6202195B2 (ja) 半導体装置
US10615107B2 (en) Power electronic switching device comprising a plurality of potential surfaces
KR20140131279A (ko) 서브유니트를 포함하는 전력 반도체 모듈 및 이를 포함하는 장치
US20230187431A1 (en) Semiconductor module
JP2015122342A (ja) 半導体モジュールおよび電力変換装置
JP2007053371A (ja) ライン要素を備えたパワー半導体モジュール
US10505489B2 (en) Power module for an electric motor
US11817794B2 (en) Electronic circuit module
TWI703705B (zh) 電動馬達用的功率模組
US11973065B2 (en) Semiconductor arrangements
JP2020053622A (ja) パワーモジュール及びパワーモジュールを有する電気装置
US9668350B2 (en) Semiconductor module with low inductance load connections
US20240234392A9 (en) Semiconductor module
US20240136343A1 (en) Semiconductor module
JP2008054495A (ja) 電流印加されたパワー回路のための低インダクタンスのパワー半導体モジュール
US20220368240A1 (en) Power semiconductor module having a substrate, power semiconductor components and having a dc voltage connection device
CN110491848B (zh) 半导体装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid