DE102005061016B4 - Leistungshalbleitermodul, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung in einem Schaltnetzteil - Google Patents

Leistungshalbleitermodul, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung in einem Schaltnetzteil Download PDF

Info

Publication number
DE102005061016B4
DE102005061016B4 DE102005061016.1A DE102005061016A DE102005061016B4 DE 102005061016 B4 DE102005061016 B4 DE 102005061016B4 DE 102005061016 A DE102005061016 A DE 102005061016A DE 102005061016 B4 DE102005061016 B4 DE 102005061016B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
power
power semiconductor
semiconductor module
connection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102005061016.1A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102005061016A1 (de
Inventor
Dipl.-Ing. Hable Wolfram
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE102005061016.1A priority Critical patent/DE102005061016B4/de
Priority to PCT/DE2006/000721 priority patent/WO2007071216A1/de
Publication of DE102005061016A1 publication Critical patent/DE102005061016A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102005061016B4 publication Critical patent/DE102005061016B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/162Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits the devices being mounted on two or more different substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

Leistungshalbleitermodul (1) mit einem oder mehreren auf einem Leistungssubstrat (2) angeordneten Leistungshalbleiterbauteilen und mit einem zur Steuerung der Leistungshalbleiterbauteile vorgesehenen, auf einem Verbindungssubstrat (8) angeordneten Logikhalbleiterchip (6), wobei der Logikhalbleiterchip (6) von einem Kunststoffgehäuse (7) zumindest teilweise umgeben und über Außenkontakte (13) mit dem Verbindungssubstrat (8) verbunden ist, wobei das Leistungssubstrat (2) und das Verbindungssubstrat (8) voneinander galvanisch getrennt sind und das Verbindungssubstrat (8) elektrisch über Bonddrähte (11) mit einem Durchmesser d mit d ≤ 1 mm und mechanisch nur über die Bonddrähte (11) und über ein weiteres Kunststoffgehäuse (14) mit dem Leistungssubstrat (2) verbunden ist, wobei das Verbindungssubstrat Pins (9) zur Verbindung des Leistungshalbleitermoduls (1) mit einer übergeordneten Platine aufweist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit einem oder mehreren auf einem Leistungssubstrat angeordneten Leistungshalbleiterbauteilen und mit einem Logikhalbleiterchip.
  • Ein Schaltnetzteil wandelt mit Hilfe eines elektronischen Schaltelements, einer Induktivität und einer nachfolgenden Gleichrichtung eine Eingangsspannung in eine kleinere oder größere Ausgangsgleichspannung um. Schaltnetzteile haben den Vorteil, dass sie eine stabile Spannungsversorgung mit gleichzeitig sehr hohem Wirkungsgrad bereitstellen, da ihre Halbleiterbauteile lediglich als Schalter eingesetzt werden und daher nur Schalt- und Durchlassverluste entstehen.
  • In einem sogenannten „intelligenten Schaltnetzteil“ übernimmt ein Logikchip die Steuerung der Leistungshalbleiterbauteile. Dadurch kann sichergestellt werden, dass das Schaltverhalten des Netzteils zu jedem Zeitpunkt auf Schwankungen in der Netzspannung und in der Belastung durch den Verbraucher optimal eingestellt werden kann.
  • Typischerweise weist ein Leistungshalbleitermodul für ein Schaltnetzteil ein oder mehrere Leistungshalbleiterbauteile auf, die auf einem Leistungssubstrat angeordnet sind. Ebenfalls auf dem Leistungssubstrat angeordnet ist der Logikhalbleiterchip, der die Steuerung der Leistungshalbleiterbauteile übernimmt. Er ist durch eine oder eine Anzahl von Löt- oder Klebverbindungen mechanisch und beispielsweise über Lötverbindungen und/oder dünne Bonddrähte elektrisch mit dem Leistungssubstrat verbunden. Dabei muss schon bei der Produktion des Leistungssubstrates ein Platz für den Logikhalbleiterchip vorgesehen sein. Eine flexible Produktion ist daher nicht möglich, vielmehr muss die Produktion von Anfang an speziell auf den Einsatzzweck in einem intelligenten Schaltnetzteil zugeschnitten sein.
  • Die WO 2005/ 106 954 A2 , die US 2005 / 0 237 722 A1 und die EP 1 143 514 A2 offenbaren jeweils Leistungshalbleitermodule.
  • Die WO 00/ 74 446 A1 beschreibt ein Leistungshableitermodul mit einem Leistungssubstrat auf dem mehrere Bauelemente angeordnet sind und einer Leiterplatte, auf der weitere Bauelemente angeordnet sind. Das Leistungssubstrat und ein überwiegender Teil der Leiterplatte sind auf einem Kühlkörper angeordnet, wobei die Leiterplatte eine Aussparung aufweist, in der das Leistungssubstrat angeordnet ist.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, ein Leistungshalbleitermodul, das weitgehend unter Einsatz von Standardkomponenten und Standardverfahren herstellbar ist, und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Leistungshalbleitermoduls anzugeben.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Leistungshalbleitermodul gemäß Anspruch 1 und durch ein Verfahren gemäß Anspruch 6 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
  • Ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul umfasst einen oder mehrere auf einem Leistungssubstrat angeordnete Leistungshalbleiterbauteile und einen zur Steuerung der Leistungshalbleiterbauteile vorgesehenen, auf einem Verbindungssubstrat angeordneten Logikhalbleiterchip. Der Logikhalbleiterchip ist von einem Kunststoffgehäuse zumindest teilweise umgeben und über Außenkontakte mit dem Verbindungssubstrat verbunden. Das Leistungssubstrat und das Verbindungssubstrat sind galvanisch voneinander getrennt und das Logikbauteil ist nur über Bonddrähte mit einem Durchmesser d mit d ≤ 1 mm und über ein weiteres Kunststoffgehäuse mit dem Leistungssubstrat verbunden, wobei das Verbindungssubstrat Pins zur Verbindung des Leistungshalbleitermoduls mit einer übergeordneten Platine aufweist.
  • Die Erfindung geht von der Überlegung aus, dass gerade bei Leistungshalbleitermodulen den Bemühungen zur Einsparung von Platz auf dem Leistungssubstrat enge Grenzen gesetzt sind, da die Leistungshalbleiterbauteile selbst sich nicht beliebig verkleinern lassen. Jedoch kann die volle Fläche, die das Logikhalbleiterbauteil auf dem Leistungssubstrat einnimmt, dadurch eingespart werden, dass das Logikhalbleiterbauteil nicht direkt auf das Leistungssubstrat gelötet oder geklebt wird. Stattdessen sollte das Logikhalbleiterbauteil von dem Leistungssubstrat wegverlagert und auf einem eigenen Verbindungssubstrat angeordnet werden. Die notwendige elektrische und mechanische Verbindung kann stabil über Bonddrähte, die vorzugsweise als Hauptbestandteil Aluminium aufweisen, hergestellt werden.
  • Als Leistungssubstrat ist ein keramisches Substrat mit einer oder mehreren direkt auf das keramische Substrat aufgebrachten Kupferschichten, ein sogenanntes „Direct Copper Bond“- oder DCB-Substrat, besonders geeignet, weil es aufgrund seiner hohen Wärmeleitfähigkeit die bei Leistungshalbleiterbauteilen besonders wichtige Wärmeabfuhr zuverlässig und effektiv ermöglicht.
  • Als Verbindungssubstrat ist vorteilhafterweise ein Umverdrahtungssubstrat, beispielsweise ein Substrat, vorgesehen. Der Logikhalbleiterchip ist zum Schutz vor äußeren Einflüssen vorteilhafterweise in einem Kunststoffgehäuse ganz oder teilweise eingeschlossen.
  • Das erfindungsgemäße Leistungshalbleitermodul ist beispielsweise zur Verwendung in einem Schaltnetzteil geeignet.
  • Das Leistungshalbleitermodul weist gegenüber herkömmlichen Leistungshalbleitermodulen zwei hauptsächliche Vorteile auf: Erstens ist es kompakter und erlaubt eine Verkleinerung des Leistungssubstrats. Zweitens ist das erfindungsgemäße Halbleitermodul besonders flexibel gestaltbar, weil für den Logikhalbleiterchip kein Platz auf dem Leistungssubstrat reserviert werden muss. Das Leistungshalbleitermodul ist stattdessen aus zwei Modulen, nämlich dem Leistungsmodul und dem Logikmodul zusammengesetzt, die jeweils unabhängig voneinander herstellbar und aus Standardkomponenten aufgebaut sind.
  • Das erfindungsgemäße Leistungshalbleitermodul verzichtet auf ein Auflöten oder Aufkleben des Logikhalbleiterchips auf das Leistungssubstrat und realisiert die elektrische Verbindung zwischen dem Verbindungssubstrat und den Leistungshalbleiterbauteilen über Bonddrähte.
  • Nach der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls folgende Schritte:
  • Zunächst wird ein Leistungssubstrat mit einem oder mehreren auf dem Leistungssubstrat angeordneten Leistungshalbleiterbauteilen bereitgestellt. Außerdem wird ein auf einem verbindungssubstrat angeordneter Logikhalbleiterchip bereitgestellt. Das Verbindungssubstrat weist eine Anzahl von Kontaktanschlussflächen auf.
  • Anschließend werden elektrische Verbindungen zwischen den Leistungshalbleiterbauteilen auf dem Leistungssubstrat und den Kontaktanschlussflächen auf dem Verbindungssubstrat selbst hergestellt, wobei zur elektrischen und gleichzeitig zur mechanischen Verbindung Bonddrähte mit einem Durchmesser d mit d ≤ 1 mm verwendet werden.
  • In einem weiteren Verfahrensschritt wird das Leistungshalbleitermodul vorteilhafterweise mit einer Kunststoffmasse vergossen.
  • Bei der Herstellung des Leistungshalbleitermoduls kann also auf das Auflöten oder Aufkleben des Logikhalbleiterbauteils auf das Leistungssubstrat verzichtet werden. Stattdessen wird der Logikhalbleiterchip auf ein Verbindungssubstrat aufgebracht, das beispielsweise ein Standardsubstrat sein kann.
  • Ein besonderer Vorteil liegt in dem modularen Charakter des Leistungshalbleitermoduls. Sowohl das Leistungshalbleiterbauteil als auch der Logikhalbleiterchip können getrennt mit herkömmlichen Methoden hergestellt werden, ohne dass dabei Rücksicht auf eine Kombinierbarkeit von beidem, beispielsweise im Hinblick auf einen für den Logikhalbleiterchip auf dem Leistungssubstrat zu reservierenden Platz, genommen werden muss.
  • Beide Module - das Leistungshalbleiterbauteil und der Logikhalbleiterchip auf dem Verbindungssubstrat - werden über Bonddrähte miteinander elektrisch verbunden und somit zu einem Leistungshalbleitermodul verknüpft. Als Verbindungssubstrat kann dabei ein verhältnismäßig preiswertes und einfach zu verarbeitendes Standardsubstrat verwendet werden. Auch die Verbindung zwischen dem Verbindungssubstrat und dem Leistungssubstrat ist sehr einfach und kostengünstig über Bonddrähte herstellbar.
  • Damit ist nicht nur das Leistungshalbleitermodul deutlich flexibler gestaltbar, sondern auch seine Herstellung ist einfacher und Zeit sparender und somit kostengünstiger möglich.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
    • 1 zeigt schematisch ein Leistungshalbleitermodul gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung und
    • 2 zeigt schematisch einen Querschnitt durch das Leistungshalbleitermodul gemäß 1.
  • Gleiche Teile sind in beiden Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
  • Das Leistungshalbleitermodul 1 gemäß 1 weist ein Leistungssubstrat 2 auf, das beispielsweise ein sogenanntes DCB-Substrat aus einer keramischen Schicht mit einer oder mehreren darauf aufgebrachten Kupferschichten 3 sein kann. Auf dem Leistungssubstrat (2) ist eine Anzahl von Leistungshalbleiterchips (4) angeordnet. Falls das Leistungshalbleitermodul 1 zur Verwendung in einem Schaltnetzteil vorgesehen ist, können die Leistungshalbleiterchips 4 beispielsweise eine Brücken- oder Halbbrückenschaltung bilden. Dieses Leistungshalbleiterbauteil bildet eines der beiden Module, aus denen das Leistungshalbleitermodul (1) zusammengesetzt wird.
  • Das zweite Modul wird durch mindestens einen Logikhalbleiterchip 6, der zur Ansteuerung der Leistungshalbleiterchips 4 vorgesehen ist, gebildet. Der Logikhalbleiterchip 6 ist mit einem Kunststoffgehäuse 7 umgeben und auf einem Verbindungssubstrat 8 angeordnet und über Außenkontakte 13 mit dem Verbindungssubstrat 8 verbunden.
  • Die Verbindung zwischen dem Verbindungssubstrat 8 und dem Leistungssubstrat 2 wird über Bonddrähte 11 hergestellt. Diese Bonddrähte 11 bestehen hauptsächlich aus Aluminium und ermöglichen die elektrische Verbindung zwischen dem Verbindungssubstrat 8 und dem Leistungssubstrat 2 und koppeln auf diese Weise die beiden Module zusammen.
  • Das Leistungshalbleitermodul ist von einem Kunststoffgehäuse 14 eingeschlossen. Über lediglich schematisch dargestellte Pins 9 kann das Leistungshalbleitermodul 1 mit einer nicht dargestellten übergeordneten Platine verbunden werden.
  • 2 zeigt einen Querschnitt durch das Leistungshalbleitermodul 1, bei dem der modulare Aufbau besonders deutlich sichtbar wird. Der modulare Aufbau des Leistungshalbleiterbauteils 1 ist deshalb besonders günstig, weil er den Einsatz von Standardbauteilen und etablierten Herstellungsverfahren erlaubt. So können sowohl das Leistungshalbleiterbauteil mit den Leistungshalbleiterchips 4 und dem Leistungssubstrat 2 als auch der Logikhalbleiterchip 6 auf herkömmliche Weise hergestellt werden. Es ist nicht nötig, bereits diese Bauteile auf den speziellen Einsatzzweck abzustimmen und beispielsweise für den Logikhalbleiterchip 6 einen Platz auf dem Leistungssubstrat 2 vorzusehen. Erst bei der Endmontage werden sie durch die Bonddrähte 11 und das Verbindungssubstrat 8 zu einem Leistungshalbleitermodul (1) verbunden.
  • Auf eine Anordnung des Logikhalbleiterchips 6 direkt auf dem Leistungssubstrat 2 wird also verzichtet. Auf diese Weise kann ein Leistungshalbleitermodul 1 bereitgestellt werden, dessen interne Gestaltung besonders flexibel möglich ist, da kein separater Platz für das Logikhalbleiterbauteil 6 auf dem Leistungssubstrat 2 reserviert werden muss.
  • Bezugszeichenliste
  • 1
    Leistungshalbleitermodul
    2
    Leistungssubstrat
    3
    Kupferschicht
    4
    Leistungshalbleiterchip
    6
    Logikhalbleiterchip
    7
    Kunststoffgehäuse
    8
    Verbindungssubstrat
    9
    Pins
    10
    Kontaktanschlussflächen
    11
    Bonddrähte
    13
    Außenkontakte
    14
    Kunststoffgehäuse

Claims (6)

  1. Leistungshalbleitermodul (1) mit einem oder mehreren auf einem Leistungssubstrat (2) angeordneten Leistungshalbleiterbauteilen und mit einem zur Steuerung der Leistungshalbleiterbauteile vorgesehenen, auf einem Verbindungssubstrat (8) angeordneten Logikhalbleiterchip (6), wobei der Logikhalbleiterchip (6) von einem Kunststoffgehäuse (7) zumindest teilweise umgeben und über Außenkontakte (13) mit dem Verbindungssubstrat (8) verbunden ist, wobei das Leistungssubstrat (2) und das Verbindungssubstrat (8) voneinander galvanisch getrennt sind und das Verbindungssubstrat (8) elektrisch über Bonddrähte (11) mit einem Durchmesser d mit d ≤ 1 mm und mechanisch nur über die Bonddrähte (11) und über ein weiteres Kunststoffgehäuse (14) mit dem Leistungssubstrat (2) verbunden ist, wobei das Verbindungssubstrat Pins (9) zur Verbindung des Leistungshalbleitermoduls (1) mit einer übergeordneten Platine aufweist.
  2. Leistungshalbleitermodul (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Bonddrähte (11) als Hauptbestandteil Aluminium aufweisen.
  3. Leistungshalbleitermodul (1) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Leistungssubstrat (2) ein keramisches Substrat mit einer oder mehreren direkt auf das Substrat aufgebrachten Kupferschichten (3) (DCB-Substrat) vorgesehen ist.
  4. Leistungshalbleitermodul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass als Verbindungssubstrat (8) ein Umverdrahtungssubstrat vorgesehen ist.
  5. Verwendung eines Leistungshalbleitermoduls (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 4 in einem Schaltnetzteil.
  6. Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls (1), das folgende Schritte umfasst: - Bereitstellen eines Leistungssubstrats (2) und eines oder mehrerer auf dem Leistungssubstrat (2) angeordneter Leistungshalbleiterbauteile; - Bereitstellen eines auf einem Verbindungssubstrat (8) angeordneten Logikhalbleiterchips (6) mit Kontaktanschlussflächen (10), wobei der Logikhalbleiterchip (6) von einem Kunststoffgehäuse (7) zumindest teilweise umgeben ist und über Außenkontakte (13) mit dem Verbindungssubstrat (8) verbunden ist, wobei das Verbindungssubstrat Pins (9) zur Verbindung des Leistungshalbleitermoduls (1) mit einer übergeordneten Platine aufweist; - Herstellen von elektrischen Verbindungen zwischen den auf dem Leistungssubstrat (1) angeordneten Leistungshalbleiterchips (4) und den Kontaktanschlussflächen (10) auf dem Verbindungssubstrat (8), wobei zur elektrischen Verbindung Bonddrähte (11) mit einem Durchmesser d mit d ≤ 1 mm verwendet werden; - Vergießen des Leistungshalbleitermoduls (1) unter Bildung eines weiteren Kunststoffgehäuses (14) mit einer Kunststoffmasse, so dass das Verbindungssubstrat (8) elektrisch über die Bonddrähte (11) und mechanisch nur über die Bonddrähte (11) und über das weitere Kunststoffgehäuse (14) mit dem Leistungssubstrat (2) verbunden ist.
DE102005061016.1A 2005-12-19 2005-12-19 Leistungshalbleitermodul, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung in einem Schaltnetzteil Active DE102005061016B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005061016.1A DE102005061016B4 (de) 2005-12-19 2005-12-19 Leistungshalbleitermodul, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung in einem Schaltnetzteil
PCT/DE2006/000721 WO2007071216A1 (de) 2005-12-19 2006-04-25 Leistungshalbleitermodul, verfahren zu seiner herstellung und verwendung in einem schaltnetzteil

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005061016.1A DE102005061016B4 (de) 2005-12-19 2005-12-19 Leistungshalbleitermodul, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung in einem Schaltnetzteil

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102005061016A1 DE102005061016A1 (de) 2007-06-28
DE102005061016B4 true DE102005061016B4 (de) 2018-12-06

Family

ID=36636145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102005061016.1A Active DE102005061016B4 (de) 2005-12-19 2005-12-19 Leistungshalbleitermodul, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung in einem Schaltnetzteil

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102005061016B4 (de)
WO (1) WO2007071216A1 (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010053392A1 (de) * 2010-12-03 2012-06-06 Volkswagen Ag Leistungshalbleitermodul, Kondensatormodul, Schaltungsanordnung sowie elektrisches System eines Kraftfahrzeugs
DE102013104522B3 (de) * 2013-05-03 2014-06-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Subeinheiten und Anordnung hiermit
US9064869B2 (en) 2013-08-23 2015-06-23 Infineon Technologies Ag Semiconductor module and a method for fabrication thereof by extended embedding technologies
US9196510B2 (en) 2013-11-12 2015-11-24 Infineon Technologies Ag Semiconductor package comprising two semiconductor modules and laterally extending connectors
US9681558B2 (en) 2014-08-12 2017-06-13 Infineon Technologies Ag Module with integrated power electronic circuitry and logic circuitry
US10211158B2 (en) 2014-10-31 2019-02-19 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module having a direct copper bonded substrate and an integrated passive component, and an integrated power module
DE102015221925A1 (de) * 2015-11-09 2017-05-11 Continental Automotive Gmbh Leistungsschalter für ein Kraftfahrzeug mit Bondverbindung zwischen Zwischenkreiskondensator und Leistungselektronikeinheit
EP3481161A1 (de) 2017-11-02 2019-05-08 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Bauelementträger mit nebeneinander angeordneten transistorbauelementen

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000074446A1 (de) 1999-05-31 2000-12-07 Tyco Electronics Logistics Ag Intelligentes leistungsmodul
EP1143514A2 (de) 2000-03-07 2001-10-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Kunststoffeingekapselte Leistungshalbleiteranordnung einschliesslich einem Substrat mit allen darauf montierten elektronischen Bauteilen für eine Kontrollschaltung
US20050237722A1 (en) 2002-04-04 2005-10-27 Wolfram Hable Power module comprising at least two substrates and method for producing the same
WO2005106954A2 (de) 2004-04-16 2005-11-10 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Leistungshalbleiterschaltung und verfahren zum herstellen einer leistungshalbleiterschaltung

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4031814A1 (de) * 1990-10-08 1992-04-09 Bosch Gmbh Robert Leistungshalbleiter-verpackung mit einem integrierten leistungshalbleiter
US6404065B1 (en) * 1998-07-31 2002-06-11 I-Xys Corporation Electrically isolated power semiconductor package

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000074446A1 (de) 1999-05-31 2000-12-07 Tyco Electronics Logistics Ag Intelligentes leistungsmodul
EP1143514A2 (de) 2000-03-07 2001-10-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Kunststoffeingekapselte Leistungshalbleiteranordnung einschliesslich einem Substrat mit allen darauf montierten elektronischen Bauteilen für eine Kontrollschaltung
US20050237722A1 (en) 2002-04-04 2005-10-27 Wolfram Hable Power module comprising at least two substrates and method for producing the same
WO2005106954A2 (de) 2004-04-16 2005-11-10 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Leistungshalbleiterschaltung und verfahren zum herstellen einer leistungshalbleiterschaltung

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007071216A1 (de) 2007-06-28
DE102005061016A1 (de) 2007-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102005061016B4 (de) Leistungshalbleitermodul, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung in einem Schaltnetzteil
EP1255299B1 (de) Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktierung
DE102009055648B4 (de) Leistungshalbleitermodul
EP1351302B1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102008052029A1 (de) Halbleitermodul mit Schaltbauteilen und Treiberelektronik
DE19700963C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls mit einer aktive Halbleiterbauelemente und passive Halbleiterbauelemente aufweisenden Schaltungsanordnung
EP1450404A2 (de) Anordnung in Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
DE102016115692A1 (de) Thermisch effiziente elektrische Anordnung
EP1708346A2 (de) Aktive primärseitige Schaltungsanorndung für ein schaltnetzteil
EP1946625A1 (de) Elektronische schaltungsanordnung und verfahren zur herstellung einer elektronischen schaltungsanordnung
DE102015106151B4 (de) Leiterplatte mit eingebettetem Leistungshalbleiterchip
DE102007021073B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Schaltungsanordnung
DE102006012007B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit oberflächenmontierbaren flachen Außenkontakten und Verfahren zur Herstellung desselben und dessen Verwendung
WO2007045112A1 (de) Leistungsgehäuse für halbleiterchips und deren anordnung zur wärmeabfuhr
DE19702186C2 (de) Verfahren zur Gehäusung von integrierten Schaltkreisen
DE19902462B4 (de) Halbleiterbauelement mit Chip-on-Chip-Aufbau
DE112005001285B4 (de) Halbleitervorrichtungsmodul mit Flipchip-Vorrichtungen auf einem gemeinsamen Leiterrahmen
DE102010046963A1 (de) Multi-Chip Package
WO2019007625A1 (de) Leistungsmodul mit einem oberseitig und/oder unterseitig elektrisch zu kontaktierenden halbleiterträgerelement und mindestens einem oberflächenmontierten elektrischen kontaktierungselement
DE102007002807B4 (de) Chipanordnung
WO2017093116A1 (de) Elektronisches leistungsmodul
DE19648492A1 (de) Multi-Chip-Modul
WO2007080027A1 (de) Anordnung zur kühlung von leistungsbauelementen auf leiterplatten und verfahren zur herstellung derselben
EP1166355A1 (de) Multi-chip-modul
WO2019091830A1 (de) Träger, anordnung mit einem substrat und einem träger und verfahren zum herstellen eines trägers

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R082 Change of representative

Representative=s name: WESTPHAL, MUSSGNUG & PARTNER PATENTANWAELTE MI, DE

R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R082 Change of representative
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R082 Change of representative