KR20140131140A - Method of peeling substrate and substrate peeling device - Google Patents

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Abstract

A substrate peeling method is provided. The substrate peeling method comprises: a step of forming a substrate coupling body including a first substrate and a flexible second substrate coupled to the first substrate and divided into a first area and a second area; a step of seating the substrate coupling body on a stage; a first laser scanning step of scanning laser on the first area; a step of measuring a distance between a distance measuring part arranged on the substrate coupling body and the substrate coupling body; a step of varying a focal position of the laser corresponding to the distance between the distance measuring part and the substrate coupling body; and a second laser scanning step of scanning the laser on the second area.

Description

기판 박리 방법 및 기판 박리 장치 {METHOD OF PEELING SUBSTRATE AND SUBSTRATE PEELING DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate peeling method,

본 발명은 기판 박리 방법 및 기판 박리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 레이저를 이용하는 기판 박리 방법 및 기판 박리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate peeling method and a substrate peeling apparatus, and more particularly, to a substrate peeling method and a substrate peeling apparatus using a laser.

플렉서블(flexible) 표시 장치의 제조 시, 제조의 편의를 위하여 상대적으로 덜 휘어지는 캐리어 기판 상에서 플렉서블 표시 장치를 형성하는 구조물들이 형성될 수 있다. 캐리어 기판은 플렉서블 표시 장치의 구조물들을 지지하여 플렉서블 표시 장치의 제조 공정을 용이하게 할 수 있다. 캐리어 기판은 플렉서블 표시 장치의 제조 공정 중 플렉서블 표시 장치의 구조물로부터 분리되며, 캐리어 기판과 플렉서블 표시 장치의 구조물과의 분리를 위하여 기판 박리 장치가 사용될 수 있다.In manufacturing a flexible display device, structures for forming a flexible display device on a relatively less curved carrier substrate can be formed for convenience of manufacture. The carrier substrate supports the structures of the flexible display device to facilitate the manufacturing process of the flexible display device. The carrier substrate is separated from the structure of the flexible display device during the manufacturing process of the flexible display device, and the substrate stripping device can be used for separating the carrier substrate from the structure of the flexible display device.

기판 박리 장치는 기판 결합체에 포함된 상호 결합된 기판들을 분리하거나, 기판에 결합된 막 또는 필름을 기판으로부터 제거하는데 사용된다. 기판 박리 장치는 기판을 박리하기 위하여 레이저를 사용할 수 있다. 레이저는 기판에 조사되어, 기판들 간 또는 기판과 박리 대상인 층 간의 결합력을 약화시킬 수 있다. The substrate peeling apparatus is used to separate mutually bonded substrates included in the substrate bonding body, or to remove a film or a film bonded to the substrate from the substrate. The substrate stripping apparatus can use a laser to strip the substrate. The laser can be irradiated to the substrate to weaken the bonding force between the substrates or between the substrate and the layer to be peeled.

레이저의 폭이 상호 결합된 기판들의 폭보다 좁은 경우, 한 차례의 레이저 스캔으로 상호 결합된 기판들의 모든 영역에 레이저를 조사하지 못한다. 이러한 경우, 상호 결합된 기판들을 분리하기 위하여 수 차례의 레이저 스캔이 실시될 수 있다. 기판 결합체의 일부의 영역에만 레이저 스캔이 실시된 경우, 레이저 스캔이 실시된 영역에서는 기판들이 분리되고, 레이저 스캔이 실시되지 않은 영역에서는 기판들이 분리되지 않을 수 있다. 기판 결합체가 플렉서블 기판을 포함하는 경우, 일부의 영역에서만 타 기판과 분리된 플렉서블 기판에 의해 기판의 외형에 변화가 발생할 수 있으며, 이에 따라 기판 결합체의 배치가 변경될 수 있다. 기판 결합체의 배치가 변경됨에 따라, 레이저의 초점이 위치하는 기판 결합체 내의 영역이 변경될 수 있으며, 이에 따라 원할하게 기판의 분리가 이루어지지 않을 수 있다.If the width of the laser is narrower than the width of the substrates coupled to each other, the laser can not be irradiated to all areas of the substrates bonded together by a single laser scan. In this case, several laser scans can be performed to separate the mutually coupled substrates. In the case where laser scanning is performed only in a part of the substrate combination, the substrates are separated in the region where the laser scanning is performed and the substrates may not be separated in the region where the laser scanning is not performed. In the case where the substrate combination includes a flexible substrate, the outer shape of the substrate may be changed by the flexible substrate separated from the other substrate only in a part of the area, and the arrangement of the substrate combination may be changed accordingly. As the arrangement of the substrate combination is changed, the area in the substrate combination where the focal point of the laser is located may be changed, so that the separation of the substrate may not be performed smoothly.

이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판 결합체에서 레이저의 초점이 위치하는 영역을 가변하여 기판의 분리가 원할히 이루어질 수 있는 기판 박리 방법을 제공하고자 하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a substrate peeling method in which a substrate can be easily separated by varying a region where a focal point of the laser is located.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 기판 결합체에서 레이저의 초점이 위치하는 영역을 가변하여 기판의 분리가 원할히 이루어질 수 있는 기판 박리 장치을 제공하고자 하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate peeling apparatus capable of easily separating a substrate by changing a region where a laser focus is located in a substrate combination body.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing the same.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박리 방법은 따른 제1 기판 및 상기 제1 기판과 결합된 가요성을 갖는 제2 기판을 포함하고, 제1 영역 및 제2 영역으로 구분되는 기판 결합체를 형성하는 단계, 상기 기판 결합체를 스테이지 상에 안착시키는 단계, 상기 제1 영역에 레이저를 조사하는 제1 레이저 스캔 단계, 상기 기판 결합체 상에 배치된 거리 측정부와 상기 기판 결합체 사이의 거리를 측정하는 단계, 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리에 대응하여 상기 레이저의 초점이 위치를 가변하는 단계 및 상기 제2 영역에 레이저를 조사하는 제2 레이저 스캔 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method for removing a substrate, including: forming a first substrate and a second substrate having flexibility, the first substrate being coupled to the first substrate; A first laser scanning step of irradiating a laser beam onto the first area, a second laser scanning step of irradiating the first area with a laser beam, and a second laser scanning step of irradiating the first area with a laser beam, And a second laser scanning step of irradiating a laser beam onto the second area, wherein the focal point of the laser beam varies according to a distance between the distance measuring unit and the substrate combination unit.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 박리 장치는 제1 기판 및 상기 제1 기판과 결합된 가요성을 갖는 제2 기판을 포함하는 기판 결합체에 레이저를 조사하는 레이저 출력부, 상부에 상기 기판 결합체가 안착되는 스테이지, 상기 기판 결합체 상에 배치되고, 상기 기판 결합체와의 거리를 측정하는 거리 측정부 및 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리에 대응하여 상기 레이저의 초점의 위치를 가변하는 제어부를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate stripping apparatus including a laser output unit for irradiating a laser beam onto a substrate assembly including a first substrate and a flexible second substrate coupled to the first substrate, A distance measuring unit arranged on the substrate combining unit for measuring a distance from the substrate combining unit and a distance measuring unit for measuring a distance between the distance measuring unit and the substrate combining unit, And a control unit for varying the position.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.The embodiments of the present invention have at least the following effects.

즉, 레이저의 초점이 위치하는 기판 결합체의 영역을 용이하게 변경하여 기판의 박리를 원활하게 실시할 수 있다.That is, the area of the substrate combination where the focus of the laser is located can be easily changed, and the substrate can be smoothly peeled off.

또, 레이저의 초점이 위치하는 기판 결합체의 영역을 용이하게 변경하여 기판 박리 시 기판이 입을 수 있는 손상을 감소시킬 수 있다.In addition, it is possible to easily change the area of the substrate combination where the focal point of the laser is located, thereby reducing the damage that the substrate may suffer when peeling off the substrate.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박리 방법을 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 결합체의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 결합체의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 결합체를 스테이지에 안착시키는 단계를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박리 장치의 블록도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박리 장치에 기판 결합체가 배치된 것을 나타낸 사시도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 거리 측정부와 기판 결합체의 거리를 측정하는 단계을 나타낸 도면이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 레이저 스캔 단계를 나타낸 도면이다.
도 10은 제1 레이저 스캔 후의 기판 결합체를 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 레이저 스캔 후 거리 측정부와 기판 결합체의 거리를 측정하는 단계를 나타낸 도면이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저의 초점 위치 조절 단계를 도시한 도면이다.
도 13 및 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 레이저 스캔 단계를 도시한 도면이다.
도 15는 제2 레이저 스캔 후의 기판 결합체를 나타낸 도면이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계 및 제2 레이저 스캔 단계를 나타낸 도면이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계 및 제2 레이저 스캔 단계를 나타낸 도면이다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계 및 제2 레이저 스캔 단계를 나타낸 도면이다.1 is a flowchart illustrating a method of removing a substrate according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a substrate combination according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view of a substrate combination according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing a step of seating a substrate combination according to an embodiment of the present invention on a stage.
5 is a block diagram of a substrate stripping apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a perspective view showing a substrate bonding apparatus disposed in a substrate stripping apparatus according to an embodiment of the present invention.
7 is a view illustrating a step of measuring a distance between a distance measuring unit and a substrate assembly according to an embodiment of the present invention.
8 and 9 illustrate a first laser scanning step according to an embodiment of the present invention.
10 is a view showing the substrate combination after the first laser scan.
11 is a view illustrating a step of measuring a distance between a first laser scan distance measuring unit and a substrate combining unit according to an embodiment of the present invention.
12 is a view illustrating a step of adjusting a focus position of a laser according to an embodiment of the present invention.
13 and 14 illustrate a second laser scanning step according to an embodiment of the present invention.
15 is a view showing a substrate combination after the second laser scan.
16 is a view illustrating a step of adjusting a focus position of a laser and a second laser scanning step according to another embodiment of the present invention.
17 is a view illustrating a step of adjusting a focus position of a laser and a second laser scanning step according to another embodiment of the present invention.
18 is a view illustrating a step of adjusting a focus position of a laser and a second laser scanning step according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.It will be understood that when an element or layer is referred to as being "on" of another element or layer, it encompasses the case where it is directly on or intervening another element or intervening layers or other elements. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, it goes without saying that these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, it goes without saying that the first component mentioned below may be the second component within the technical scope of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박리 방법을 나타낸 순서도이다. 도 1을 참조하면, 기판 박리 방법은 기판 결합체를 형성하는 단계(S10), 기판 결합체를 스테이지에 안착시키는 단계(S20), 거리 측정부와 기판 결합체의 거리를 측정하는 단계(S30), 제1 레이저 스캔 단계(S40), 제1 레이저 스캔 후 거리 측정부와 기판 결합체의 거리를 측정하는 단계(S50), 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계(S60), 제2 레이저 스캔 단계(S70) 및 제1 기판과 제2 기판을 분리하는 단계(S80)를 포함할 수 있다.1 is a flowchart illustrating a method of removing a substrate according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a substrate peeling method includes a step S10 of forming a substrate combination, a step S20 of placing the substrate combination on a stage, a step S30 of measuring a distance between the distance measurement part and the substrate combination, The laser scanning step S40 may include measuring a distance between the distance measuring unit after the first laser scanning and the substrate assembly S50, adjusting the focus position of the laser S60, the second laser scanning step S70, And separating the first substrate and the second substrate (S80).

이하 도 2 및 도 3를 참조하여 기판 결합체를 형성하는 단계(S10)에 대하여 설명하도록 한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 결합체의 단면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 결합체의 평면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 결합체(10)는 제1 기판(11), 제2 기판(12) 및 접착층(13)을 포함할 수 있다.Hereinafter, the step S10 of forming the substrate bonding body will be described with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate combination according to an embodiment of the present invention. 3 is a plan view of a substrate combination according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the substrate bonding body 10 may include a first substrate 11, a second substrate 12, and an adhesive layer 13.

제1 기판(11)은 광학적으로 투명한 재질로 형성될 수 있으며, 적어도 레이저(L)를 투과시킬 수 있는 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(11)은 유리 또는 투명한 합성 수지로 형성될 수 있다. 제1 기판(11)은 제2 기판(12)에 비하여 휨 정도가 상대적으로 적을 수 있으며, 제2 기판(12)을 지지하기 위한 캐리어 기판으로서 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first substrate 11 may be formed of an optically transparent material, and may be formed of a material capable of transmitting at least the laser L. For example, the first substrate 11 may be formed of glass or a transparent synthetic resin. The first substrate 11 may have a smaller degree of warpage than the second substrate 12 and may be used as a carrier substrate for supporting the second substrate 12, but the present invention is not limited thereto.

제2 기판(12)은 제1 기판(11) 상에 배치될 수 있다. 제2 기판(12)은 제1 기판(11)과 결합될 수 있다. 제2 기판(12)은 가요성을 갖는 기판일 수 있다. 제2 기판(12)은 플렉서블 표시 장치의 표시 패널을 형성하기 위한 기판일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 기판(12)은 플렉서블 표시 장치의 표시 패널을 형성하기 위한 기판인 경우, 도시되지는 않았으나, 제2 기판(12)은 내부에 화상을 표시하기 위한 표시층 및 표시층을 제어하기 위한 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터층을 포함할 수 있다. 제2 기판(12)은 가요성을 갖는 유기 발광 표시 패널, 액정 표시 패널 또는 전기 영동 표시 패널을 형성하기 위한 기판일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 기판(12)은 제1 기판(11) 상에서 형성될 수 있다. 가요성을 갖는 제2 기판(12)이 휨 정도가 상대적으로 적은 제1 기판(11) 상에서 형성되면, 제2 기판(12)의 형상의 유동을 방지하여, 제2 기판(12)을 보다 용이하게 형성할 수 있다.The second substrate 12 may be disposed on the first substrate 11. The second substrate 12 may be coupled to the first substrate 11. The second substrate 12 may be a flexible substrate. The second substrate 12 may be a substrate for forming a display panel of a flexible display device, but is not limited thereto. In the case where the second substrate 12 is a substrate for forming a display panel of a flexible display device, although not shown, the second substrate 12 includes a display layer for displaying an image therein and a thin film And a thin film transistor layer including a transistor. The second substrate 12 may be a flexible organic light emitting display panel, a liquid crystal display panel, or a substrate for forming an electrophoretic display panel, but the present invention is not limited thereto. The second substrate 12 may be formed on the first substrate 11. When the second substrate 12 having flexibility is formed on the first substrate 11 having a relatively small warping degree, the second substrate 12 can be prevented from flowing in the shape of the second substrate 12, .

제2 기판(12)은 메인 기판(12a) 및 보조층(12b)를 포함할 수 있다. 메인 기판(12a)은 표시층 및 박막 트랜지스터층을 포함할 수 있다. 보조층(12b)은 메인 기판(12a) 상에 배치될 수 있다. 보조층(12b)은 메인 기판(12a)에 부착될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 보조층(12b)은 접착제를 통하여 메인 기판(12a)에 부착될 수 있다. 보조층(12b)은 메인 기판(12a)의 상부에 배치되어, 제1 기판(11)과 제2 기판(12)이 분리된 이후에 메인 기판(12a)을 지지함으로써 메인 기판(12a)의 유동을 방지하여, 이후의 공정 진행이 용이하도록 할 수 있다. 또한 보조층(12b)은 메인 기판(12)을 외부로부터 보호할 수 있다. 보조층(12b)은 메인 기판(12)의 측면을 커버할 수 있으며, 후술할 제2 접착층(13b)을 통하여 제1 기판(11)과 결합될 수 있다. 보조층(12b)은 폴리 에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리 카보네이트(polycarbonate), 폴리 에테르 술폰(Polyethersulfone)등을 포함하는 플라스틱 및 스테인레스(SUS: Stainless Steel) 등을 포함하는 메탈 호일(Metal foil) 등으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The second substrate 12 may include a main substrate 12a and an auxiliary layer 12b. The main substrate 12a may include a display layer and a thin film transistor layer. The auxiliary layer 12b may be disposed on the main substrate 12a. The auxiliary layer 12b may be attached to the main substrate 12a. Although not shown, the auxiliary layer 12b may be attached to the main substrate 12a through an adhesive. The auxiliary layer 12b is disposed on the upper portion of the main substrate 12a and supports the main substrate 12a after the first substrate 11 and the second substrate 12 are separated, So that the subsequent process can be facilitated. Further, the auxiliary layer 12b can protect the main substrate 12 from the outside. The auxiliary layer 12b may cover the side surface of the main substrate 12 and may be coupled with the first substrate 11 through a second adhesive layer 13b to be described later. The auxiliary layer 12b is made of plastic and stainless steel (SUS) including polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyethersulfone, etc. A metal foil including a metal foil, but is not limited thereto.

접착층(13)은 제1 기판(11)과 제2 기판(12) 사이에 배치될 수 있다. 접착층(13)은 제1 기판(11)과 제2 기판(12)을 결합시킬 수 있다. 접착층(13)의 적어도 일부 영역은 레이저에 의하여 제1 기판(11)과 제2 기판(12)을 결합시키는 접착력이 약화될 수 있다. The adhesive layer 13 may be disposed between the first substrate 11 and the second substrate 12. The adhesive layer 13 can bond the first substrate 11 and the second substrate 12 together. At least a part of the region of the adhesive layer 13 may be weakened in adhesion force for bonding the first substrate 11 and the second substrate 12 by the laser.

접착층(13)은 제1 접착층(13a) 및 제2 접착층(13b)을 포함할 수 있다. 제1 접착층(13a)는 제2 접착층(13b)보다 상대적으로 기판 결합체(10)의 내측에 배치될 수 있다. 보다 상세하게는 제1 접착층(13a)은 메인 기판(12a)과 제1 기판(11) 사이에 배치될 수 있다. 제1 접착층(13a)에 레이저가 조사되면 구성 물질의 변형이 발생할 수 있으며, 이에 따라 제1 기판(11)과 제2 기판(12)을 결합시키는 접착력이 약화될 수 있다. 예를 들어, 제1 접착층(13a)은 광분해성 고분자 물질, 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 접착층(13a)이 광분해성 고분자 물질로 형성된 경우, 레이저가 제1 접착층(13a)에 조사되면, 고분자 물질의 공유 결합이 끊어지거나 탄화되어 제1 접착층(13a)이 분해될 수 있다. 제1 접착층(13a)이 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘으로 형성된 경우, 레이저가 제1 접착층(13a)에 조사되면, 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘에 함유되어 있던 수소가 방출되면서 제1 접착층(13a)과 제1 기판(11)의 결합력이 약해져 제1 기판(20)과 제2 기판(30)을 용이하게 분리할 수 있다.The adhesive layer 13 may include a first adhesive layer 13a and a second adhesive layer 13b. The first adhesive layer 13a can be disposed inside the substrate bonding body 10 relatively more than the second adhesive layer 13b. More specifically, the first adhesive layer 13a may be disposed between the main substrate 12a and the first substrate 11. When the laser is irradiated on the first adhesive layer 13a, deformation of the constituent material may occur, so that adhesion force for bonding the first substrate 11 and the second substrate 12 may be weakened. For example, the first adhesive layer 13a may be formed of a photodegradable polymer material, hydrogenated silicon nitride, or hydrogenated amorphous silicon, but is not limited thereto. When the first adhesive layer 13a is formed of a photodegradable polymer material, when the laser beam is irradiated on the first adhesive layer 13a, the covalent bond of the polymer material is broken or carbonized, so that the first adhesive layer 13a can be decomposed. When the first adhesive layer 13a is formed of hydrogenated silicon nitride or hydrogenated amorphous silicon, when the laser is irradiated on the first adhesive layer 13a, the hydrogen contained in the hydrogenated silicon nitride or the hydrogenated amorphous silicon is released, The first substrate 20 and the second substrate 30 can be easily separated from each other because the coupling force between the first substrate 13a and the first substrate 11 is weakened.

제2 접착층(13b)은 제1 접착층(13a)과 비교하여 상대적으로 기판 결합체(10)의 외측에 배치될 수 있다. 제2 접착층(13b)은 기판 결합체(11)의 외곽에 배치될 수 있다. 보다 상세하게는 제2 접착층(13b)은 보조층(12b)과 제1 기판(11) 사이에 배치되어, 보조층(12b)과 제1 기판(11)을 결합시킬 수 있다. 제2 접착층(13b)은 레이저가 조사되더라도 접착력이 약화되지 않을 수 있다. The second adhesive layer 13b can be disposed on the outer side of the substrate bonding body 10 relative to the first adhesive layer 13a. The second adhesive layer 13b may be disposed on the outer periphery of the substrate bonding body 11. [ More specifically, the second adhesive layer 13b may be disposed between the auxiliary layer 12b and the first substrate 11 to couple the auxiliary layer 12b and the first substrate 11 together. The adhesive force of the second adhesive layer 13b may not be weakened even if the laser beam is irradiated.

도시되지는 않았으나, 기판 결합체는 제1 기판(11)과 제2 기판(12)의 결합을 보조하기 위하여 접착층(13)과 제1 기판(11) 사이에 추가적인 접착층을 더 포함할 수도 있다.Although not shown, the substrate combination may further include an additional adhesive layer between the adhesive layer 13 and the first substrate 11 to assist in the bonding of the first substrate 11 and the second substrate 12.

도 3을 참조하면, 기판 결합체(10)는 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2)으로 나뉘어질 수 수 있다. 제1 영역(R1)은 제1 레이저 스캔 단계(S40)에서 레이저가 조사되는 기판 결합체(10)의 영역이며, 제2 영역(R2)은 제2 레이저 스캔 단계(S70)에서 레이저가 조사되는 기판 결합체(10)의 영역일 수 있다. 레이저 스캔 시 레이저의 폭(dL)이 기판 결합체(10)의 폭(dS)보다 좁은 경우, 한 번의 레이저 스캔으로 기판 결합체(10)의 모든 영역에 레이저가 조사될 수 없으므로, 기판 결합체(10)는 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2)으로 분할되어 두 차례에 걸쳐 레이저 스캔이 실시될 수 있다. 두 차례의 레이저 스캔에 의하더라도, 기판 결합체(10)의 모든 영역에 레이저가 조사되지 못하는 경우, 추가적인 레이저 스캔이 실시될 수 있으며, 기판 결합체(10)는 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2) 외에도 추가적인 영역으로 분할될 수 있다.Referring to FIG. 3, the substrate bonding body 10 may be divided into a first region R1 and a second region R2. The first region R1 is a region of the substrate combination 10 to which the laser is irradiated in the first laser scanning step S40 and the second region R2 is a region of the substrate combination 10 in which the laser is irradiated in the second laser scanning step S70. May be the area of the combination 10. When the width dL of the laser beam is narrower than the width dS of the substrate combining body 10 in the laser scanning, the laser beam can not be irradiated to all the regions of the substrate combining body 10 by one laser scan, May be divided into a first region R1 and a second region R2, and laser scanning may be performed twice. Further laser scanning can be performed when all the regions of the substrate combination body 10 can not be irradiated with laser even by the two laser scans, and the substrate combination body 10 can be formed by the first region R1 and the second region May be further divided into additional regions in addition to the region R2.

이하, 도 4를 참조하여 기판 결합체(10)를 스테이지(21)에 안착시키는 단계(S20)에 대하여 설명하도록 한다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 결합체를 스테이지에 안착시키는 단계를 도시한 도면이다. 기판 결합체(10)가 스테이지(21)에 안착될 때, 기판 결합체(10)는 제1 기판(11)은 기판 결합체의 상부에 위치하고, 제2 기판(12)은 하부에 위치하여 스테이지(21)와 대향하도록 배치될 수 있다. Hereinafter, the step S20 of placing the substrate assembly 10 on the stage 21 will be described with reference to FIG. 4 is a view showing a step of seating a substrate combination according to an embodiment of the present invention on a stage. When the substrate assembly 10 is placed on the stage 21, the substrate assembly 10 is positioned on the top of the substrate assembly and the second substrate 12 is positioned on the bottom of the substrate assembly, As shown in Fig.

스테이지(21)는 기판 결합체(10)를 지지하며, 기판 박리 공정은 스테이지(21) 상에서 배치될 수 있다. 스테이지(21)는 기판 박리 장치(20)에 포함될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여, 기판 박리 장치(20)에 대하여 설명하도록 한다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박리 장치의 블록도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박리 장치에 기판 결합체가 배치된 것을 나타낸 사시도이다.The stage 21 supports the substrate assembly 10, and the substrate peeling process can be placed on the stage 21. [ The stage 21 may be included in the substrate stripping apparatus 20. [ Hereinafter, the substrate stripping apparatus 20 will be described with reference to Figs. 5 and 6. Fig. 5 is a block diagram of a substrate stripping apparatus according to an embodiment of the present invention. 6 is a perspective view showing a substrate bonding apparatus disposed in a substrate stripping apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5 및 도 6을 참조하면, 기판 박리 장치(20)는 스테이지(21), 레이저 출력부(22), 거리 측정부(23) 및 제어부(24)를 포함할 수 있다. 5 and 6, the substrate stripping apparatus 20 may include a stage 21, a laser output unit 22, a distance measuring unit 23, and a control unit 24.

스테이지(21) 상에는 기판 결합체(10)가 배치될 수 있으며, 스테이지(21)는 기판 결합체(10)를 지지할 수 있다. 스테이지(21)는 상하로 이동 가능할 수 있으며, 스테이지(21)의 움직임은 제어부(24)에 의하여 제어될 수 있다. The substrate bonding body 10 may be disposed on the stage 21 and the stage 21 may support the substrate bonding body 10. The stage 21 may be movable up and down, and the movement of the stage 21 may be controlled by the control unit 24. [

레이저 출력부(22)는 스테이지(21) 상부에 스테이지(21)와 이격되어 배치될 수 있다. 레이저 출력부(22)는 레이저를 출력할 수 있으며, 출력된 레이저(22)는 스테이지(21) 상에 배치된 기판 결합체(10)에 조사될 수 있다. 레이저 출력부(22)는 수평 방향으로 이동할 수 있으며, 레이저 출력부(22)는 수평 방향으로 이동하며 레이저를 출력하여 기판 결합체(10)에 레이저 스캔을 실시할 수 있다.The laser output section 22 may be disposed above the stage 21 and spaced apart from the stage 21. The laser output section 22 can output a laser and the output laser 22 can be irradiated onto the substrate combination 10 disposed on the stage 21. [ The laser output section 22 can move in the horizontal direction and the laser output section 22 can move in the horizontal direction and output a laser to perform laser scanning on the substrate assembly 10. [

거리 측정부(23)는 스테이지(21) 상부에 스테이지(21)와 이격되어 배치될 수 있다. 거리 측정부(23)는 거리 측정부(23)와 스테이지(21) 상에 배치된 기판 결합체(10)와의 거리를 측정할 수 있다. 거리 측정부(23)는 상호 이격된 제1 거리 측정부(23a) 및 제2 거리 측정부(23b)를 포함할 수 있다. 제1 거리 측정부(23a) 는 제1 영역(R1) 상에 배치되고, 제2 거리 측정부(23b)는 제2 영역(R2) 상에 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The distance measuring unit 23 may be disposed above the stage 21 and spaced apart from the stage 21. The distance measuring unit 23 can measure the distance between the distance measuring unit 23 and the substrate combining unit 10 disposed on the stage 21. [ The distance measuring unit 23 may include a first distance measuring unit 23a and a second distance measuring unit 23b which are spaced apart from each other. The first distance measuring unit 23a may be disposed on the first area R1 and the second distance measuring unit 23b may be disposed on the second area R2.

제어부(24)는 스테이지(21), 레이저 출력부(22) 및 거리 측정부(23)의 동작을 제어할 수 있다. 제어부(23)는 거리 측정부(23)에서 측정된 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리에 대응하여, 스테이지(21)의 상하 이동을 제어할 수 있다. 기판 박리 장치(20)는 거리 측정부(23)에서 측정된 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리에 대응하여, 스테이지(21)의 상하 이동을 제어하는 제어부(24)를 포함하여, 레이저 출력부(22)에서 출력되는 레이저의 초점이 위치하는 기판 결합체(10)내의 영역을 조절할 수 있으며, 레이저의 초점이 위치하는 영역과 접착층(13)이 중첩하는 범위를 증가시켜 기판 결합체(10)의 박리를 효과적으로 실시할 수 있다. 또한, 레이저의 초점이 위치하는 영역이 제2 기판(12)과 중첩하는 범위를 감소시켜 기판 결합체(10)에 레이저 조사 시 제2 기판(12)의 레이저에 의한 손상을 감소시킬 수 있다. 이에 관하여는 후에 보다 상세히 설명하도록 한다.The control unit 24 can control the operation of the stage 21, the laser output unit 22, and the distance measuring unit 23. The control section 23 can control the up and down movement of the stage 21 in correspondence with the distance between the distance measuring section 23 and the substrate combining body 10 measured by the distance measuring section 23. [ The substrate peeling apparatus 20 has a control section 24 for controlling the vertical movement of the stage 21 in correspondence to the distance between the distance measuring section 23 and the substrate combining body 10 measured by the distance measuring section 23 It is possible to adjust the area in the substrate assembly 10 where the focus of the laser output from the laser output unit 22 is located and increase the overlapping range of the region where the focus of the laser is located and the adhesive layer 13, Peeling of the joined body 10 can be effectively performed. In addition, it is possible to reduce the range in which the focus of the laser beam overlaps with the second substrate 12, thereby reducing the damage of the second substrate 12 by the laser beam upon laser irradiation of the substrate assembly 10. This will be described later in more detail.

이하, 도 7을 참조하여, 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리를 측정하는 단계(S30)에 대하여 설명하도록 한다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 거리 측정부와 기판 결합체의 거리를 측정하는 단계을 나타낸 도면이다. 도 7을 참조하면, 거리 측정부(23)는 시험광(TL)을 방출할 수 있다. 시험광(TL)는 기판 결합체(10)에 의하여 반사될 수 있으며, 보다 상세하게는 제1 기판(11)의 상부면에 의하여 반사될 수 있다. 기판 결합체(10)에 의하여 반사된 시험광(TL)은 거리 측정부(23)에 의하여 수광될 수 있으며, 거리 측정부(23)는 수광된 시험광(TL)으로부터 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리를 산출할 수 있다. 제1 거리 측정부(23a)와 제2 거리 측정부(23b)는 기판 결합체(10)의 서로 다른 영역과의 거리를 측정할 수 있다. 제1 거리 측정부(23a)는 제1 거리 측정부(23a)의 하부에 배치된 제1 영역(R1)의 일부 영역과 제1 거리 측정부(23a) 사이의 거리(da)를 측정할 수 있다. 제2 거리 측정부(23b)는 제2 거리 측정부(23b)의 하부에 배치된 제2 영역(R2)의 일부 영역과 제2 거리 측정부(23b) 사이의 거리(db)를 측정할 수 있다. 몇몇 실시예에 의하면, 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리를 측정하는 단계(S30)는 생략될 수도 있다.Hereinafter, a step S30 of measuring the distance between the distance measuring unit 23 and the substrate combining body 10 will be described with reference to FIG. 7 is a view illustrating a step of measuring a distance between a distance measuring unit and a substrate assembly according to an embodiment of the present invention. Referring to Fig. 7, the distance measuring unit 23 may emit the test light TL. The test light TL can be reflected by the substrate combination body 10 and more specifically reflected by the upper surface of the first substrate 11. The test light TL reflected by the substrate combination body 10 can be received by the distance measuring unit 23 and the distance measuring unit 23 can measure the distance from the distance measuring unit 23 The distance between the substrate bonding bodies 10 can be calculated. The first distance measuring unit 23a and the second distance measuring unit 23b can measure distances to different areas of the substrate combining unit 10. [ The first distance measuring unit 23a can measure the distance da between the first distance measuring unit 23a and a part of the first area R1 disposed below the first distance measuring unit 23a have. The second distance measuring unit 23b can measure the distance db between the partial area of the second area R2 disposed below the second distance measuring unit 23b and the second distance measuring unit 23b have. According to some embodiments, the step S30 of measuring the distance between the distance measuring portion 23 and the substrate combination 10 may be omitted.

이하 도 8 및 도 9를 참조하여, 제1 레이저 스캔 단계(S40)에 대하여 설명하도록 한다. 도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 레이저 스캔 단계를 나타낸 도면이다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 제1 레이저 스캔 단계(S40)에서 레이저 출력부(22)는 제1 레이저(L1)를 출력하며, 제1 영역(R1)의 상부를 수평이동하여, 제1 영역(R1)에 제1 레이저(L1)를 조사할 수 있다. 제1 레이저 스캔 단계(S40)에서 제1 레이저(L1)의 제1 초점(f1)은 접착층(13)에 위치할 수 있다. 접착층(13)에 레이저가 조사되면 제1 접착층(13a)의 접착력이 약화되어 제1 기판(11)과 제2 기판(12)의 분리가 진행될 수 있으므로, 제1 레이저(L1)의 초점이 접착층(13)에 위치해야 효율적으로 기판 결합체(10)의 박리가 진행될 수 있다. 기판 결합체(10)의 각 층들의 두께는 미리 설정되어 있을 수 있으며, 이에 따라 스테이지(21)는 접착층(13)에 제1 레이저(L1)의 제1 초점(f1)이 위치하도록 높이가 설정되어 있을 수 있다.Hereinafter, the first laser scanning step S40 will be described with reference to FIGS. 8 and 9. FIG. 8 and 9 illustrate a first laser scanning step according to an embodiment of the present invention. 8 and 9, in the first laser scanning step S40, the laser output unit 22 outputs the first laser L1, horizontally moves the upper portion of the first region R1, The region R1 can be irradiated with the first laser L1. The first focus f1 of the first laser L1 in the first laser scanning step S40 may be located in the adhesive layer 13. [ When the laser beam is irradiated onto the adhesive layer 13, the adhesive strength of the first adhesive layer 13a is weakened and separation of the first substrate 11 and the second substrate 12 can proceed. (13), the separation of the substrate assembly (10) can proceed efficiently. The thicknesses of the respective layers of the substrate combination 10 may be set in advance so that the stage 21 is set at a height such that the first focus f1 of the first laser L1 is positioned on the adhesive layer 13 Can be.

몇몇 실시예에 의하면, 도시되지는 않았으나, 기판 박리 방법은 제1 레이저 스캔 단계(S40) 이전에, 거리 측정부와 기판 결합체의 거리를 측정하는 단계(S30)에서 측정된 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리에 대응하여 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계를 더 포함할 수도 있다. 제어부(24)는 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리를 유지하며 제1 레이저 스캔(S40)을 실시하는 경우, 제1 레이저(L1)의 제1 초점(f1)이 접착층(13a)에 위치하지 않는 것으로 판단되면, 제1 레이저(L1)의 제1 초점(f1)이 접착층(13a)에 위치하도록 제1 레이저(L1)의 제1 초점(f1)의 위치를 조절할 수 있다. 제1 레이저(L1)의 제1 초점(f1)의 위치를 조절하는 것은 스테이지(21)를 상하로 이동시키거나, 레이저 출력부(22)를 상하로 이동시키거나, 레이저 출력부(22)에서 출력되는 제1 레이저(L1)의 제1 초점(f1)의 거리를 조절하여 달성될 수 있다.According to some embodiments, although not shown, the method of removing a substrate may include, before the first laser scanning step S40, a distance measuring unit 23 measured in a step S30 of measuring the distance between the distance measuring unit and the substrate- And adjusting the focal position of the laser corresponding to the distance between the substrate assembly 10 and the substrate assembly 10. When the first laser scan S40 is performed while maintaining the distance between the distance measuring unit 23 and the substrate assembly 10, the control unit 24 controls the first focus L1 of the first laser L1 to be in contact with the adhesive layer < It is possible to adjust the position of the first focus f1 of the first laser L1 so that the first focus f1 of the first laser L1 is located in the adhesive layer 13a have. The adjustment of the position of the first focus f1 of the first laser L1 may be performed by moving the stage 21 up and down, moving the laser output section 22 up and down, Can be achieved by adjusting the distance of the first focus (f1) of the output first laser (L1).

이하 도 10을 참조하여, 제1 레이저 스캔 단계(S40) 후의 기판 결합체(10)에 대하여 설명하도록 한다. 도 10은 제1 레이저 스캔 후의 기판 결합체를 나타낸 도면이다. 제1 레이저 스캔 단계(S40) 후 제1 레이저(L1)가 조사된 제1 영역(R1) 내의 제1 접착층(13a)은 접착력이 약화되어, 제1 접착층(13a)에 의하여 접착된 제1 영역(R1) 내의 제1 기판(11)과 제2 기판(12)은 서로 분리될 수 있으며, 제2 기판(12)은 들뜰 수 있다. 제1 영역(R1) 내의 제2 접착층(13b)은 접착력이 약화되지 않아, 제2 접착층(13b)에 의하여 접착된 제1 영역(R1) 내의 제1 기판(11)과 제2 기판(12)은 서로 결합을 유지 할 수 있다. 제2 영역(R2)에는 제1 레이저(L1)가 조사되지 않아, 제2 영역(R2) 내의 제1 기판(11)과 제2 기판(12)은 결합을 유지할 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1 레이저 스캔 단계(S40) 후 기판 결합체(10)의 일부 영역에서는 제1 기판(11)과 제2 기판(12)의 결합이 유지되고, 다른 영역에서는 제1 기판(11)과 제2 기판(12)이 분리될 수 있다. 제2 기판(12)과 분리된 가요성을 갖는 제1 기판(11)의 형상이 변형될 수 있으며, 이에 따라 기판 결합체(10)의 형상이 변경될 수 있다. 구체적으로, 도 10에서와 같이 기판 결합체(10)의 상부면이 기울어져 수평을 유지하지 못할 수 있으며, 그에 따라 제2 영역(R2) 내의 접착층(13) 또한 수평을 유지하지 못할 수 있다. Referring to Fig. 10, the substrate combining unit 10 after the first laser scanning step S40 will be described. 10 is a view showing the substrate combination after the first laser scan. The first adhesive layer 13a in the first region R1 irradiated with the first laser L1 after the first laser scanning step S40 is weakened in adhesive strength so that the first region R1 adhered by the first adhesive layer 13a, The first substrate 11 and the second substrate 12 in the first substrate R1 may be separated from each other and the second substrate 12 may be in a floating state. The adhesive strength of the second adhesive layer 13b in the first region R1 is not weakened and the adhesiveness between the first substrate 11 and the second substrate 12 in the first region R1 bonded by the second adhesive layer 13b, Can keep the coupling with each other. The first laser L1 is not irradiated to the second region R2 so that the first substrate 11 and the second substrate 12 in the second region R2 can maintain the bonding. As described above, after the first laser scanning step S40, the first substrate 11 and the second substrate 12 are held in a partial region of the substrate assembly 10, and the first substrate 11 And the second substrate 12 can be separated from each other. The shape of the first substrate 11 having flexibility separated from the second substrate 12 can be deformed and thus the shape of the substrate combining body 10 can be changed. Specifically, as shown in FIG. 10, the upper surface of the substrate assembly 10 may not be inclined to maintain a horizontal position, so that the adhesive layer 13 in the second region R2 may not be horizontal.

이하 도 11을 참조하여, 제1 레이저 스캔 후, 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10)의 거리를 측정하는 단계(S50)에 대하여 설명하도록 한다. 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 레이저 스캔 후 거리 측정부와 기판 결합체의 거리를 측정하는 단계를 나타낸 도면이다. 도 11을 참조하면, 거리 측정부(23)는 시험광(TL)을 방출하고, 기판 결합체(10)에 의하여 반사된 시험광(TL)을 수광하여 거리 측정부(23)와 기판 결합체 사이의 거리를 산출할 수 있다. 제1 거리 측정부(23a)는 제1 거리 측정부(23a)의 하부에 배치된 제1 영역(R1)의 일부 영역과 제1 거리 측정부(23a) 사이의 거리(da')를 측정할 수 있다. 제2 거리 측정부(23b)는 제2 거리 측정부(23b)의 하부에 배치된 제2 영역(R2)의 일부 영역과 제2 거리 측정부(23b) 사이의 거리(db')를 측정할 수 있다. Hereinafter, with reference to FIG. 11, description will be made of a step (S50) of measuring the distance between the distance measuring unit 23 and the substrate combining body 10 after the first laser scanning. 11 is a view illustrating a step of measuring a distance between a first laser scan distance measuring unit and a substrate combining unit according to an embodiment of the present invention. 11, the distance measuring unit 23 emits the test light TL and receives the test light TL reflected by the substrate combining unit 10 to measure the distance between the distance measuring unit 23 and the substrate combination The distance can be calculated. The first distance measuring unit 23a measures the distance da between the first distance measuring unit 23a and a part of the first area R1 disposed below the first distance measuring unit 23a . The second distance measuring unit 23b measures the distance db 'between the part of the second area R2 disposed below the second distance measuring unit 23b and the second distance measuring unit 23b .

이하 도 12를 참조하여, 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계(S60)에 대하여 설명하도록 한다. 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저의 초점 위치 조절 단계를 도시한 도면이다. 레이저의 초점 위치는 제1 레이저 스캔 후 측정된 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리에 대응하여 조절될 수 있다. 제어부(24)는 제1 레이저 스캔 후 측정된 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리로부터, 기판 결합체(10)의 상부면의 위치를 검출할 수 있으며, 이로부터, 제2 영역(R2) 내의 접착층(13)의 위치를 도출할 수 있다. 기판 결합체(10)의 상부면의 위치를 검출하기 위하여 거리 측정부(23)는 입사된 시험광(TL)으로부터 기판 결합체(10)의 상부면과의 절대적인 거리를 산출하거나, 제1 레이저 스캔 단계(S40) 이전의 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10)의 거리를 측정하는 단계(S30) 에서 산출된 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10)의 상부면과의 거리를 비교하여 그 차이를 이용할 수도 있다. 산출된 제1 레이저 스캔 후 측정된 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리에 따라, 제어부(24)는 제2 레이저 스캔 단계(S70)에서 출력되는 레이저의 초점 위치와 접착층(13)이 중첩하는 영역이 증가하도록 레이저의 초점 위치를 조절할 수 있다. 이를 위하여, 제2 레이저 스캔 단계(S70)에서 출력되는 레이저의 초점 위치가 제2 영역(R2)의 중앙에서 접착층(13)의 두께의 중앙에 위치하도록 레이저의 초점 위치가 조절될 수 있다. 제2 레이저 스캔 단계(S70)에서 출력되는 레이저의 초점 위치와 접착층(13)과 중첩하는 영역이 증가하면, 제2 레이저 스캔 단계(S70)에서 제1 접착층(13a)에 조사되는 레이저의 양이 증가하여 제1 접착층(13a)의 결합력을 효율적으로 약화시켜 제1 기판(11)과 제2 기판(12)의 분리가 용이하게 이루어지도록 할 수 있다. 뿐만 아니라, 제1 레이저 스캔 단계(S40) 이후 제1 기판(11)과 제2 기판(12)의 들뜸으로 인하여 제2 영역(R2) 내의 제2 기판(12)의 위치가 제1 레이저 스캔 단계(S40) 이전보다 상부로 이동되었을 수 있다. 따라서, 제1 레이저 스캔 단게(S40)과 동일한 레이저의 초점 위치로 제2 레이저 스캔 단계(S70)를 실시하는 경우 레이저의 초점이 제2 기판(12)에 위치할 수 있으며 이러한 경우 제2 기판(12)에 손상이 발생할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박리 방법은 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계(S60)를 포함하여 기판 박리 시 레이저에 의한 제2 기판(12)의 손상을 감소시킬 수 있다. 레이저의 초점 위치를 조절하기 위해 제어부(24)는 스테이지(21)를 상하로 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 레이저 스캔 단계(S40) 이후 제2 기판(12)이 들뜬 경우 제어부(24)는 스테이지(21)를 하측으로 이동시킬 수 있다.Hereinafter, the step S60 of adjusting the focus position of the laser will be described with reference to FIG. 12 is a view illustrating a step of adjusting a focus position of a laser according to an embodiment of the present invention. The focal position of the laser can be adjusted corresponding to the distance between the distance measuring unit 23 measured after the first laser scan and the substrate combining body 10. [ The control unit 24 can detect the position of the upper surface of the substrate combination body 10 from the distance between the distance measuring unit 23 and the substrate combination body 10 measured after the first laser scan, The position of the adhesive layer 13 in the region R2 can be derived. In order to detect the position of the upper surface of the substrate assembly 10, the distance measuring unit 23 calculates an absolute distance between the incident test light TL and the upper surface of the substrate assembly 10, The distance between the distance measurement unit 23 and the upper surface of the substrate assembly 10 calculated in the step S30 of measuring the distance between the distance measuring unit 23 and the substrate assembly 10 before the step S40 is compared You can also use the difference. The controller 24 controls the focal position of the laser output in the second laser scanning step S70 and the distance between the focal point of the laser output in the second laser scanning step S70 13 can be adjusted to increase the overlapping area. For this, the focal position of the laser may be adjusted such that the focal point of the laser output in the second laser scanning step S70 is located at the center of the thickness of the adhesive layer 13 at the center of the second region R2. If the focal position of the laser output in the second laser scanning step S70 and the area overlapping the adhesive layer 13 increase, the amount of laser irradiated on the first adhesive layer 13a in the second laser scanning step S70 So that the bonding force of the first adhesive layer 13a is effectively weakened so that the first substrate 11 and the second substrate 12 can be easily separated from each other. In addition, since the first substrate 11 and the second substrate 12 are lifted up after the first laser scanning step S40, the position of the second substrate 12 in the second region R2 is changed to the first laser scanning step (S40). ≪ / RTI > Accordingly, when performing the second laser scanning step S70 with the same focal position of the laser as the first laser scanning step S40, the focus of the laser may be located on the second substrate 12, and in this case, 12) may be damaged. Accordingly, the method of removing a substrate according to an embodiment of the present invention may include adjusting a focal position of a laser (S60) to reduce the damage of the second substrate 12 by the laser upon peeling the substrate. The control unit 24 can move the stage 21 up and down to adjust the focus position of the laser. For example, when the second substrate 12 is excited after the first laser scanning step S40, the control unit 24 can move the stage 21 downward.

이하 도 13 및 도 14를 참조하여 제2 레이저 스캔 단계(S70)에 대하여 설명하도록 한다. 도 13 및 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 레이저 스캔 단계를 도시한 도면이다. 도 13 및 도 14를 참조하면, 제2 레이저 스캔 단계(S70)에서 레이저 출력부(22)는 제2 초점(f2)을 갖는 제2 레이저(L2)를 출력하며, 제2 영역(R2)의 상부를 수평이동하여, 제2 영역(R2)에 제2 레이저(L2)를 조사할 수 있다. 제2 레이저(L2)는 제1 레이저(L1)과 실질적으로 동일할 수 있으며, 레이저 출력부(22)로부터 제2 초점(f2)까지의 거리는 레이저 출력부(22)로부터 제1 초점(f1)까지의 거리와 실질적으로 동일할 수 있다. 제2 초점(13)은 적어도 일부가 접착층(13)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(R2)의 중앙(R2C)에서 접착층(13)의 두께의 중앙에 제2 초점(f2)이 위치할 수 있다. Hereinafter, the second laser scanning step S70 will be described with reference to FIGS. 13 and 14. FIG. 13 and 14 illustrate a second laser scanning step according to an embodiment of the present invention. 13 and 14, in the second laser scanning step S70, the laser output unit 22 outputs a second laser L2 having a second focal point f2, And the second laser beam L2 can be irradiated to the second region R2. The second laser L2 may be substantially the same as the first laser L1 and the distance from the laser output 22 to the second focus f2 may be from the laser output 22 to the first focus f1, As shown in FIG. At least a part of the second focus 13 may overlap with the adhesive layer 13. For example, the second focus f2 may be located at the center of the thickness of the adhesive layer 13 at the center R2C of the second region R2.

이하, 도 15를 참조하여 제2 레이저 스캔 단계(S70) 후의 기판 결합체에 대하여 설명하도록 한다. 도 15는 제2 레이저 스캔 후의 기판 결합체를 나타낸 도면이다. 제2 레이저 스캔 단계(S70)에 의하여 제2 영역(R2) 내의 제1 접착층(13a)은 접착력이 약화될 수 있으며, 그에 따라, 제1 접착층(13a)에 의하여 제1 기판(11)과 제2 기판(12)이 결합되어 있던 영역에서 제1 기판(11)과 제2 기판(12)은 서로 분리될 수 있다. 제2 접착층(13b)에 의하여 제1 기판(11)과 제2 기판(12)이 결합된 영역은 제2 접착층(13b)이 레이저에 의하여 접착력이 약화되지 않아 결합을 유지하고 있을 수 있다. Hereinafter, the substrate combination after the second laser scanning step (S70) will be described with reference to FIG. 15 is a view showing a substrate combination after the second laser scan. The first adhesive layer 13a in the second region R2 may be weakened in the second laser scanning step S70 so that the first adhesive layer 13a and the second substrate The first substrate 11 and the second substrate 12 may be separated from each other in a region where the two substrates 12 are coupled. The region where the first substrate 11 and the second substrate 12 are coupled by the second adhesive layer 13b may be maintained in the bonding state because the adhesive strength of the second adhesive layer 13b is not weakened by the laser.

제1 기판(11)과 제2 기판(12)을 분리하는 단계(S80)에서는 외력에 의하여 제2 접착층(13b)에 의하여 제1 기판(11)과 제2 기판(12)이 결합된 영역에서도, 제1 기판(11)과 제2 기판(12)이 분리되도록 하여, 제1 기판(11)과 제2 기판(12)이 완전히 분리되도록 할 수 있다. In the step S80 of separating the first substrate 11 and the second substrate 12 from each other, also in a region where the first substrate 11 and the second substrate 12 are bonded by the second adhesive layer 13b due to external force The first substrate 11 and the second substrate 12 are separated from each other so that the first substrate 11 and the second substrate 12 are completely separated from each other.

이하 도 16을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 대하여 설명하도록 한다. 도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계 및 제2 레이저 스캔 단계를 나타낸 도면이다. 도 16을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따르면 레이저의 초점 위치 조절 단계(S6)에서, 레이저의 초점 위치를 조절하기 위하여 레이저 출력부(22)를 상하로 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 레이저 스캔 단계(S40) 이후 제2 기판(12)이 들뜬 경우, 제어부(24)는 제2 레이저 스캔 단계(S70)에서 출력되는 제2 레이저(L2)의 초점(f2)의 위치가 접착층(13)과 중첩하는 영역이 증가하도록 레이저 출력부(22)를 상측으로 이동시킬 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 박리 방법에 대한 다른 설명들은 도 1 내지 도 15에서와 설명한 기판 박리 방법에 대한 설명과 실질적으로 동일하므로 생략하도록 한다.Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 16 is a view illustrating a step of adjusting a focus position of a laser and a second laser scanning step according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 16, according to another embodiment of the present invention, in the focus position adjustment step S6 of the laser, the laser output unit 22 may be moved up and down to adjust the focus position of the laser. For example, when the second substrate 12 is excited after the first laser scanning step S40, the controller 24 controls the focal point f2 of the second laser L2 outputted in the second laser scanning step S70, The laser output section 22 can be moved upward so that the area where the position of the laser output section 22 overlaps with the adhesive layer 13 is increased. Other descriptions of the method of removing a substrate according to another embodiment of the present invention are substantially the same as those of the method of removing a substrate described with reference to FIGS.

이하 도 17을 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 대하여 설명하도록 한다. 도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계 및 제2 레이저 스캔 단계를 나타낸 도면이다. 도 17을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따르면 레이저의 초점 위치 조절 단계(S6)에서, 레이저의 초점 위치를 조절하기 위하여 레이저 출력부(22)에서 출력되는 레이저의 초점 거리를 변경할 수 있다. 예를 들어, 제1 레이저 스캔 단계(S40) 이후 제2 기판(12)이 들뜬 경우, 제어부(24)는 제2 레이저 스캔 단계(S70)에서 출력되는 제2 레이저(L2)의 초점(f2)의 위치가 접착층(13)과 중첩하는 영역이 증가하도록 레이저의 초점 거리를 감소시킬 수 있으며, 이에 따라 제2 초점(f2)은 제1 초점(f1)보다 상부에 위치할 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 박리 방법에 대한 다른 설명들은 도 1 내지 도 15에서와 설명한 기판 박리 방법에 대한 설명과 실질적으로 동일하므로 생략하도록 한다.Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 17 is a view illustrating a step of adjusting a focus position of a laser and a second laser scanning step according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 17, according to another embodiment of the present invention, the focal distance of the laser output from the laser output unit 22 may be changed in order to adjust the focal position of the laser in the focal position adjustment step S6 . For example, when the second substrate 12 is excited after the first laser scanning step S40, the controller 24 controls the focal point f2 of the second laser L2 outputted in the second laser scanning step S70, The focal length of the laser can be reduced so that the area where the position of the second focus f2 overlaps with the adhesive layer 13 is increased so that the second focus f2 can be located above the first focus f1. Other descriptions of the method of removing a substrate according to another embodiment of the present invention are substantially the same as those of the method of removing a substrate described with reference to FIG. 1 to FIG.

이하 도 18을 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 대하여 설명하도록 한다. 도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계 및 제2 레이저 스캔 단계를 나타낸 도면이다. 본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10)의 거리를 측정하는 단계(S30)에서 측정된 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10)의 거리로부터 제어부(24)는 기판 결합체(10)의 상부면이 기울어진 정도를 도출할 수 있으며, 이로부터 제2 영역(R2) 내에 배치된 접착층(13)이 기울어진 정도를 도출할 수 있다. 기판 결합체(10)의 상부면이 기울어진 정도는, 제1 레이저 스캔 후 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10)의 거리를 측정하는 단계(S50)에서 측정된 제1 거리 측정부(23a)와 기판 결합체(10) 사이의 거리(da')와 제2 거리 측정부(23b)와 기판 결합체(10) 사이의 거리(db')의 차로부터 도출될 수 있다. 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계(S60)에서는 접착층(13)이 수평이 되도록 스테이지(21)를 회전시킬 수 있다. 스테이지(21)를 회전시키는 것과 더불어, 스테이지(21)를 상하로 이동시키거나, 레이저 출력부(22)를 상하로 이동시켜 제2 레이저(L2)의 초점(f2)이 접착층(13)내에 배치되도록 할 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 레이저(L2)의 초점이 접착층(13)을 벗어나지 않도록 제어할 수 있으며, 그에 따라, 제1 기판(11)과 제2 기판(12)의 분리가 원활히 이루어질 수 있고, 제2 기판(12)의 레이저에 의한 손상을 방지할 수 있다. 또 다른 실시예에 따른 기판 박리 방법에 대한 다른 설명들은 도 1 내지 도 15에서와 설명한 기판 박리 방법에 대한 설명과 실질적으로 동일하므로 생략하도록 한다.Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 18 is a view illustrating a step of adjusting a focus position of a laser and a second laser scanning step according to another embodiment of the present invention. According to another embodiment of the present invention, from the distance between the distance measurement unit 23 and the substrate assembly 10 measured in the step S30 of measuring the distance between the distance measurement unit 23 and the substrate assembly 10, The degree of inclination of the upper surface of the substrate bonding body 10 can be derived and the degree to which the adhesive layer 13 disposed in the second region R2 is inclined can be derived therefrom. The degree of inclination of the upper surface of the substrate assembly 10 is determined by measuring the distance between the first distance measuring unit 23 and the substrate combining unit 10 measured in step S50 And the distance db 'between the second distance measuring portion 23b and the substrate bonding body 10 can be derived from the distance da' between the substrate bonding body 10 and the substrate bonding body 10. In the step S60 of adjusting the focus position of the laser, the stage 21 may be rotated so that the adhesive layer 13 is horizontal. The stage 21 is moved up and down or the laser output section 22 is moved up and down so that the focus f2 of the second laser L2 is placed in the adhesive layer 13 . According to another embodiment of the present invention, the focal point of the laser L2 can be controlled so as not to deviate from the adhesive layer 13, so that the first substrate 11 and the second substrate 12 can be smoothly separated from each other And damage to the second substrate 12 by the laser can be prevented. Other descriptions of the substrate peeling method according to another embodiment are substantially the same as those of the substrate peeling method described with reference to Figs. 1 to 15, so that the description will be omitted.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, You will understand. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

10: 기판 박리 장치 11: 레이저 출력부
12: 제어부 13: 광특성 측정부
20, 120: 제1 기판 30, 130: 제2 기판
31: 구조물 32, 131: 보호층
132: 가요성 기재 133: 박막 트랜지스터층
134: 표시층 40: 접착층
140: 제1 접착층 150: 제1 보호 필름
160: 제2 접착층 170: 제2 보호 필름
180: 제3 접착층10: substrate stripping device 11: laser output part
12: control unit 13: optical property measuring unit
20, 120: first substrate 30, 130: second substrate
31: Structure 32, 131: Protective layer
132: flexible substrate 133: thin film transistor layer
134: display layer 40: adhesive layer
140: first adhesive layer 150: first protective film
160: second adhesive layer 170: second protective film
180: Third adhesive layer

Claims (20)

제1 기판 및 상기 제1 기판과 결합된 가요성을 갖는 제2 기판을 포함하고, 제1 영역 및 제2 영역으로 구분되는 기판 결합체를 형성하는 단계;
상기 기판 결합체를 스테이지 상에 안착시키는 단계;
상기 제1 영역에 레이저를 조사하는 제1 레이저 스캔 단계;
상기 기판 결합체 상에 배치된 거리 측정부와 상기 기판 결합체 사이의 거리를 측정하는 단계;
상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리에 대응하여 상기 레이저의 초점이 위치를 가변하는 단계; 및
상기 제2 영역에 레이저를 조사하는 제2 레이저 스캔 단계를 포함하는 기판 박리 방법.Forming a substrate combination including a first substrate and a flexible second substrate coupled to the first substrate, the substrate combination being divided into a first region and a second region;
Placing the substrate combination on a stage;
A first laser scanning step of irradiating the first area with a laser;
Measuring a distance between the distance measuring unit and the substrate combination disposed on the substrate combination;
Changing a focal point of the laser according to a distance between the distance measuring unit and the substrate combination; And
And a second laser scanning step of irradiating the second region with a laser. 제1 항에 있어서,
상기 레이저의 초점의 위치를 가변하는 단계는 상기 기판 결합체에 상기 스테이지의 높이를 가변하는 것를 포함하는 기판 박리 방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of varying the position of the focal point of the laser comprises varying the height of the stage on the substrate combining body. 제2 항에 있어서,
상기 거리 측정부는 상기 기판 결합체의 서로 다른 영역과의 거리를 측정하는 제1 거리 측정부 및 제2 거리 측정부를 포함하고,
상기 기판 결합체 상에 배치된 거리 측정부와 상기 기판 결합체 사이의 거리를 측정하는 단계는,
상기 기판 결합체와 상기 제1 거리 측정부와의 거리를 측정하는 것; 및
상기 기판 결합체와 상기 제2 거리 측정부와의 거리를 측정하는 것을 포함하고,
상기 결합체와 상기 제1 거리 측정부와의 거리 및 상기 기판 결합체와 상기 제2 거리 측정부와의 거리로부터 도출되는 상기 기판 결합체의 상부면이 기울어진 정도에 대응하여 상기 스테이지를 기울이는 단계를 더 포함하는 기판 박리 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the distance measuring unit includes a first distance measuring unit and a second distance measuring unit that measure distances to different areas of the substrate combination,
Wherein the measuring the distance between the distance measuring unit and the substrate combination disposed on the substrate combination comprises:
Measuring a distance between the substrate assembly and the first distance measuring unit; And
And measuring a distance between the substrate combination and the second distance measuring unit,
Further comprising the step of tilting the stage corresponding to the degree of tilting of the upper surface of the substrate assembly derived from the distance between the assembly and the first distance measurement unit and the distance between the substrate assembly and the second distance measurement unit . 제1 항에 있어서,
상기 레이저의 초점의 위치를 가변하는 단계는 상기 레이저의 초점 거리를 가변하는 것를 포함하는 기판 박리 방법.The method according to claim 1,
Wherein varying the focal position of the laser comprises varying a focal distance of the laser. 제1 항에 있어서,
상기 레이저의 초점의 위치를 가변하는 단계는 상기 레이저가 출력되는 레이저 출력부의 높이를 가변하는 것을 포함하는 기판 박리 방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of varying the focal position of the laser comprises varying the height of the laser output portion from which the laser is output. 제1 항에 있어서,
상기 기판 결합체는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치되어 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 결합시키고 상기 레이저에 의하여 결합력이 약화되는 제1 접착층을 더 포함하고,
상기 레이저의 초점의 위치를 가변하는 단계는 상기 제2 영역 내에 배치된 상기 제1 접착층 중 적어도 일부에 상기 레이저의 초점이 배치되도록 하는 것을 포함하는 기판 박리 방법.The method according to claim 1,
Wherein the substrate assembly further comprises a first adhesive layer disposed between the first substrate and the second substrate and bonding the first substrate and the second substrate to each other and weakening the bonding force by the laser,
Wherein varying the position of the focus of the laser comprises positioning the focus of the laser on at least a portion of the first adhesive layer disposed in the second region. 제6 항에 있어서,
상기 레이저의 초점의 위치를 가변하는 단계는 상기 제2 영역의 중앙에서 상기 제1 접착층의 두께의 중앙에 상기 레이저의 초점이 배치되도록 하는 것을 포함하는 기판 박리 방법.The method according to claim 6,
Wherein changing the position of the focal point of the laser comprises positioning the focal point of the laser at the center of the thickness of the first adhesive layer at the center of the second region. 제1 항에 있어서,
상기 기판 결합체는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에서, 상기 기판 결합체의 외곽에 배치되고, 상기 제1 접착층과 다른 물질로 이루어진 제2 접착층을 더 포함하는 기판 박리 방법.The method according to claim 1,
Wherein the substrate combining body further comprises a second adhesive layer disposed between the first substrate and the second substrate at an outer periphery of the substrate bonding body and made of a material different from that of the first adhesive layer. 제1 항에 있어서,
상기 제1 레이저 스캔 단계 이전에, 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체 사이의 거리를 측정하는 단계를 더 포함하고,
상기 레이저의 초점의 위치를 가변하는 단계는 상기 제1 스캔 단계 이전에 측정된 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체 사이의 거리와 상기 상기 제1 스캔 단계 이후에 측정된 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체 사이의 거리의 차에 대응하여 상기 레이저의 초점이 배치되는 위치를 가변하는 것을 포함하는 기판 박리 방법.The method according to claim 1,
Further comprising measuring a distance between the distance measuring unit and the substrate combination before the first laser scanning step,
Wherein the step of varying the position of the focal point of the laser comprises the step of measuring a distance between the distance measuring unit and the substrate combination measured before the first scanning step and the distance measuring unit measured after the first scanning step, And varying the position at which the focus of the laser is arranged corresponding to the difference in distance between the laser and the substrate. 제1 기판 및 상기 제1 기판과 결합된 가요성을 갖는 제2 기판을 포함하는 기판 결합체에 레이저를 조사하는 레이저 출력부;
상부에 상기 기판 결합체가 안착되는 스테이지;
상기 기판 결합체 상에 배치되고, 상기 기판 결합체와의 거리를 측정하는 거리 측정부; 및
상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리에 대응하여 상기 레이저의 초점의 위치를 가변하는 제어부를 포함하는 기판 박리 장치.A laser output unit for irradiating a laser beam onto a substrate assembly including a first substrate and a flexible second substrate coupled to the first substrate;
A stage on which the substrate combining body is mounted;
A distance measuring unit disposed on the substrate combining unit and measuring a distance to the substrate combining unit; And
And a controller for changing a focal position of the laser corresponding to a distance between the distance measuring unit and the substrate combining unit. 제10 항에 있어서,
상기 기판 결합체는 제1 영역 및 제2 영역으로 구분되고,
상기 레이저 출력부는 상기 제1 영역에 상기 레이저를 조사하고,
상기 제1 영역에 상기 레이저가 조사된 후, 상기 제어부는 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리에 대응하여 상기 기판 결합체에 상기 레이저의 초점의 위치를 가변하고,
상기 레이저의 초점의 위치가 가변된 후, 상기 레이저 출력부는 상기 제2 영역에 상기 레이저를 조사하는 기판 박리 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the substrate combination is divided into a first region and a second region,
Wherein the laser output section irradiates the laser to the first region,
Wherein the control unit varies the focal point of the laser beam on the substrate assembly corresponding to the distance between the distance measurement unit and the substrate assembly,
Wherein the laser output section irradiates the laser to the second region after the focal position of the laser is varied. 제11 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리에 대응하여 상기 스테이지의 높이를 가변하는 기판 박리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the control unit varies the height of the stage corresponding to a distance between the distance measuring unit and the substrate combination unit. 제12 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 제1 영역에 상기 레이저를 조사하기 이전의 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리와 상기 제1 영역에 상기 레이저를 조사한 후의 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리의 차이에 대응하여 상기 스테이지의 높이를 가변하는 기판 박리 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the controller controls the distance between the distance measuring unit and the substrate combining body before irradiating the laser to the first area and the distance between the distance measuring unit and the substrate combining body after irradiating the laser to the first area And the height of the stage is varied corresponding to the height of the stage. 제12 항에 있어서,
상기 기판 결합체는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치되어 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 결합시키고, 상기 레이저에 의하여 결합력이 약화되는 제1 접착층을 포함하되,
상기 제어부는 상기 제2 영역의 중앙에서 상기 레이저의 초점이 상기 제1 접착층에 위치하도록 상기 스테이지의 높이를 가변시키는 기판 박리 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the substrate bonding body includes a first bonding layer disposed between the first substrate and the second substrate and bonding the first substrate and the second substrate to each other and weakening bonding force by the laser,
Wherein the control section varies the height of the stage so that the focal point of the laser is located at the first adhesive layer in the center of the second region. 제12 항에 있어서,
상기 거리 측정부는 상기 기판 결합체의 서로 다른 영역과의 거리를 측정하는 제1 거리 측정부 및 제2 거리 측정부를 포함하고,
상기 제어부는 상기 제1 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리 및 상기 제2 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리로부터 도출되는 상기 기판 결합체의 상부면이 기울어진 정도에 대응하여 상기 스테이지를 기울이는 기판 박리 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the distance measuring unit includes a first distance measuring unit and a second distance measuring unit that measure distances to different areas of the substrate combination,
Wherein the controller is configured to tilt the stage in correspondence to a distance between the first distance measuring unit and the substrate combining unit and a degree of inclination of the upper surface of the substrate combining unit derived from the distance between the second distance measuring unit and the substrate combining unit Substrate stripping device. 제11 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리에 대응하여 상기 레이저의 초점 거리를 가변하는 기판 박리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the control unit varies the focal distance of the laser corresponding to the distance between the distance measuring unit and the substrate combination unit. 제16 항에 있어서,
상기 기판 결합체는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치되어 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 결합시키고, 상기 레이저에 의하여 결합력이 약화되는 제1 접착층을 포함하되,
상기 제어부는 상기 제2 영역의 중앙에서 상기 레이저의 초점이 상기 제1 접착층에 위치하도록 상기 레이저의 초점 거리를 가변하는 기판 박리 장치.17. The method of claim 16,
Wherein the substrate bonding body includes a first bonding layer disposed between the first substrate and the second substrate and bonding the first substrate and the second substrate to each other and weakening bonding force by the laser,
Wherein the control unit varies the focal distance of the laser so that the focal point of the laser is located at the first adhesive layer at the center of the second region. 제11 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리에 대응하여 상기 레이저 출력부의 높이를 가변하는 기판 박리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the control unit varies the height of the laser output unit in accordance with a distance between the distance measuring unit and the substrate combination unit. 제18 항에 있어서,
상기 기판 결합체는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치되어 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 결합시키고, 상기 레이저에 의하여 결합력이 약화되는 제1 접착층을 포함하되,
상기 제어부는 상기 제2 영역의 중앙에서 상기 레이저의 초점이 상기 제1 접착층에 위치하도록 상기 레이저 출력부의 높이를 가변하는 기판 박리 장치.19. The method of claim 18,
Wherein the substrate bonding body includes a first bonding layer disposed between the first substrate and the second substrate and bonding the first substrate and the second substrate to each other and weakening bonding force by the laser,
Wherein the control section varies the height of the laser output section so that the focal point of the laser is located in the first adhesive layer at the center of the second area. 제11 항에 있어서,
상기 기판 결합체는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에서, 상기 기판 결합체의 외곽에 배치되고, 상기 제1 접착층과 다른 물질로 이루어진 제2 접착층을 더 포함하는 기판 박리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the substrate bonding body further comprises a second adhesive layer disposed between the first substrate and the second substrate at an outer periphery of the substrate bonding body and made of a material different from that of the first bonding layer.
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