KR102065370B1 - Method of peeling substrate and substrate peeling device - Google Patents

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Abstract

기판 박리 방법이 제공된다. 기판 박리 방법은 따른 제1 기판 및 상기 제1 기판과 결합된 가요성을 갖는 제2 기판을 포함하고, 제1 영역 및 제2 영역으로 구분되는 기판 결합체를 형성하는 단계, 상기 기판 결합체를 스테이지 상에 안착시키는 단계, 상기 제1 영역에 레이저를 조사하는 제1 레이저 스캔 단계, 상기 기판 결합체 상에 배치된 거리 측정부와 상기 기판 결합체 사이의 거리를 측정하는 단계, 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리에 대응하여 상기 레이저의 초점이 위치를 가변하는 단계 및 상기 제2 영역에 레이저를 조사하는 제2 레이저 스캔 단계를 포함한다.A substrate peeling method is provided. The substrate peeling method includes a first substrate according to the first substrate and a second substrate having flexibility coupled to the first substrate, and forming a substrate assembly divided into a first region and a second region, and the substrate assembly is formed on a stage. Mounting on the substrate, a first laser scanning step of irradiating a laser to the first region, measuring a distance between the distance measuring unit disposed on the substrate assembly and the substrate assembly, the distance measuring unit and the substrate assembly And varying a position of a focal point of the laser corresponding to a distance between the laser beam and a second laser scan for irradiating the laser to the second area.

Description

기판 박리 방법 및 기판 박리 장치 {METHOD OF PEELING SUBSTRATE AND SUBSTRATE PEELING DEVICE}Substrate Peeling Method and Substrate Peeling Device {METHOD OF PEELING SUBSTRATE AND SUBSTRATE PEELING DEVICE}

본 발명은 기판 박리 방법 및 기판 박리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 레이저를 이용하는 기판 박리 방법 및 기판 박리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate peeling method and a substrate peeling apparatus, and more particularly, to a substrate peeling method and a substrate peeling apparatus using a laser.

플렉서블(flexible) 표시 장치의 제조 시, 제조의 편의를 위하여 상대적으로 덜 휘어지는 캐리어 기판 상에서 플렉서블 표시 장치를 형성하는 구조물들이 형성될 수 있다. 캐리어 기판은 플렉서블 표시 장치의 구조물들을 지지하여 플렉서블 표시 장치의 제조 공정을 용이하게 할 수 있다. 캐리어 기판은 플렉서블 표시 장치의 제조 공정 중 플렉서블 표시 장치의 구조물로부터 분리되며, 캐리어 기판과 플렉서블 표시 장치의 구조물과의 분리를 위하여 기판 박리 장치가 사용될 수 있다.In manufacturing the flexible display device, structures for forming the flexible display device may be formed on a carrier substrate that is relatively less curved for convenience of manufacturing. The carrier substrate may support structures of the flexible display device to facilitate a manufacturing process of the flexible display device. The carrier substrate is separated from the structure of the flexible display device during the manufacturing process of the flexible display device, and a substrate peeling device may be used to separate the carrier substrate from the structure of the flexible display device.

기판 박리 장치는 기판 결합체에 포함된 상호 결합된 기판들을 분리하거나, 기판에 결합된 막 또는 필름을 기판으로부터 제거하는데 사용된다. 기판 박리 장치는 기판을 박리하기 위하여 레이저를 사용할 수 있다. 레이저는 기판에 조사되어, 기판들 간 또는 기판과 박리 대상인 층 간의 결합력을 약화시킬 수 있다. The substrate peeling apparatus is used to separate the mutually bonded substrates included in the substrate assembly or to remove a film or film bonded to the substrate from the substrate. The substrate peeling apparatus may use a laser to peel the substrate. The laser may be irradiated onto the substrate to weaken the bonding force between the substrates or between the substrate and the layer to be peeled off.

레이저의 폭이 상호 결합된 기판들의 폭보다 좁은 경우, 한 차례의 레이저 스캔으로 상호 결합된 기판들의 모든 영역에 레이저를 조사하지 못한다. 이러한 경우, 상호 결합된 기판들을 분리하기 위하여 수 차례의 레이저 스캔이 실시될 수 있다. 기판 결합체의 일부의 영역에만 레이저 스캔이 실시된 경우, 레이저 스캔이 실시된 영역에서는 기판들이 분리되고, 레이저 스캔이 실시되지 않은 영역에서는 기판들이 분리되지 않을 수 있다. 기판 결합체가 플렉서블 기판을 포함하는 경우, 일부의 영역에서만 타 기판과 분리된 플렉서블 기판에 의해 기판의 외형에 변화가 발생할 수 있으며, 이에 따라 기판 결합체의 배치가 변경될 수 있다. 기판 결합체의 배치가 변경됨에 따라, 레이저의 초점이 위치하는 기판 결합체 내의 영역이 변경될 수 있으며, 이에 따라 원할하게 기판의 분리가 이루어지지 않을 수 있다.If the width of the laser is narrower than the width of the mutually bonded substrates, one laser scan does not irradiate the laser to all areas of the mutually bonded substrates. In this case, several laser scans may be performed to separate the substrates that are bonded to each other. When the laser scan is performed only on a part of the substrate assembly, the substrates may be separated in the region where the laser scan is performed, and the substrates may not be separated in the region where the laser scan is not performed. When the substrate assembly includes the flexible substrate, the appearance of the substrate may be changed by the flexible substrate separated from the other substrate in only a part of the region, and thus the arrangement of the substrate assembly may be changed. As the arrangement of the substrate assembly is changed, the area in the substrate assembly where the focal point of the laser is located may be changed, so that the separation of the substrate may not be performed smoothly.

이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판 결합체에서 레이저의 초점이 위치하는 영역을 가변하여 기판의 분리가 원할히 이루어질 수 있는 기판 박리 방법을 제공하고자 하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a substrate peeling method in which the separation of the substrate can be made smoothly by varying the region where the focus of the laser is located in the substrate assembly.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 기판 결합체에서 레이저의 초점이 위치하는 영역을 가변하여 기판의 분리가 원할히 이루어질 수 있는 기판 박리 장치을 제공하고자 하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate peeling apparatus capable of smoothly separating the substrate by varying the region where the focus of the laser is located in the substrate assembly.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박리 방법은 따른 제1 기판 및 상기 제1 기판과 결합된 가요성을 갖는 제2 기판을 포함하고, 제1 영역 및 제2 영역으로 구분되는 기판 결합체를 형성하는 단계, 상기 기판 결합체를 스테이지 상에 안착시키는 단계, 상기 제1 영역에 레이저를 조사하는 제1 레이저 스캔 단계, 상기 기판 결합체 상에 배치된 거리 측정부와 상기 기판 결합체 사이의 거리를 측정하는 단계, 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리에 대응하여 상기 레이저의 초점이 위치를 가변하는 단계 및 상기 제2 영역에 레이저를 조사하는 제2 레이저 스캔 단계를 포함한다.A substrate peeling method according to an embodiment of the present invention for solving the above problems includes a first substrate and a second substrate having flexibility coupled with the first substrate, divided into a first region and a second region Forming a substrate assembly, placing the substrate assembly on a stage, a first laser scanning step of irradiating a laser to the first region, and a distance measuring unit disposed on the substrate assembly and the substrate assembly Measuring a distance, changing a position of a focal point of the laser corresponding to a distance between the distance measurer and the substrate assembly, and irradiating a laser to the second area;

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 박리 장치는 제1 기판 및 상기 제1 기판과 결합된 가요성을 갖는 제2 기판을 포함하는 기판 결합체에 레이저를 조사하는 레이저 출력부, 상부에 상기 기판 결합체가 안착되는 스테이지, 상기 기판 결합체 상에 배치되고, 상기 기판 결합체와의 거리를 측정하는 거리 측정부 및 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리에 대응하여 상기 레이저의 초점의 위치를 가변하는 제어부를 포함한다.Substrate peeling apparatus according to another embodiment of the present invention for solving the above problems is a laser output unit for irradiating a laser to a substrate assembly comprising a first substrate and a second substrate having flexibility coupled to the first substrate, A stage on which the substrate assembly is seated, a distance measuring unit disposed on the substrate assembly, and configured to measure a distance from the substrate assembly, and a distance of the focal point of the laser corresponding to the distance between the distance measuring unit and the substrate assembly. It includes a control unit for varying the position.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.According to embodiments of the present invention has at least the following effects.

즉, 레이저의 초점이 위치하는 기판 결합체의 영역을 용이하게 변경하여 기판의 박리를 원활하게 실시할 수 있다.In other words, it is possible to easily change the area of the substrate assembly where the focus of the laser is located to smoothly peel the substrate.

또, 레이저의 초점이 위치하는 기판 결합체의 영역을 용이하게 변경하여 기판 박리 시 기판이 입을 수 있는 손상을 감소시킬 수 있다.In addition, it is possible to easily change the area of the substrate assembly where the focus of the laser is located to reduce the damage that the substrate may be subjected to when the substrate is peeled off.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박리 방법을 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 결합체의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 결합체의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 결합체를 스테이지에 안착시키는 단계를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박리 장치의 블록도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박리 장치에 기판 결합체가 배치된 것을 나타낸 사시도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 거리 측정부와 기판 결합체의 거리를 측정하는 단계을 나타낸 도면이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 레이저 스캔 단계를 나타낸 도면이다.
도 10은 제1 레이저 스캔 후의 기판 결합체를 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 레이저 스캔 후 거리 측정부와 기판 결합체의 거리를 측정하는 단계를 나타낸 도면이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저의 초점 위치 조절 단계를 도시한 도면이다.
도 13 및 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 레이저 스캔 단계를 도시한 도면이다.
도 15는 제2 레이저 스캔 후의 기판 결합체를 나타낸 도면이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계 및 제2 레이저 스캔 단계를 나타낸 도면이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계 및 제2 레이저 스캔 단계를 나타낸 도면이다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계 및 제2 레이저 스캔 단계를 나타낸 도면이다.
1 is a flow chart showing a substrate peeling method according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a substrate assembly according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view of a substrate assembly according to an embodiment of the present invention.
4 is a view illustrating a step of mounting a substrate assembly on a stage according to an embodiment of the present invention.
5 is a block diagram of a substrate peeling apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a perspective view illustrating a substrate assembly disposed in a substrate peeling apparatus according to an embodiment of the present invention.
7 is a view illustrating a step of measuring the distance between the distance measuring unit and the substrate assembly according to an embodiment of the present invention.
8 and 9 are diagrams illustrating a first laser scan step according to an embodiment of the present invention.
10 shows the substrate assembly after the first laser scan.
11 is a diagram illustrating a step of measuring a distance between a distance measuring unit and a substrate assembly after a first laser scan according to an embodiment of the present invention.
12 is a view illustrating a focus position adjusting step of a laser according to an embodiment of the present invention.
13 and 14 illustrate a second laser scan step according to an embodiment of the present invention.
15 shows the substrate assembly after the second laser scan.
16 is a view illustrating adjusting a focus position of a laser and a second laser scan step according to another exemplary embodiment of the present invention.
17 is a view illustrating adjusting a focus position of a laser and a second laser scan step according to another exemplary embodiment of the present invention.
18 is a view illustrating a step of adjusting a focus position of a laser and a second laser scanning step according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms, and only the present embodiments make the disclosure of the present invention complete, and those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.When an element or layer is referred to as "on" another element or layer, it includes any case where another element or layer is interposed over or in the middle of another element. Like reference numerals refer to like elements throughout.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are of course not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Therefore, of course, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described embodiments of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박리 방법을 나타낸 순서도이다. 도 1을 참조하면, 기판 박리 방법은 기판 결합체를 형성하는 단계(S10), 기판 결합체를 스테이지에 안착시키는 단계(S20), 거리 측정부와 기판 결합체의 거리를 측정하는 단계(S30), 제1 레이저 스캔 단계(S40), 제1 레이저 스캔 후 거리 측정부와 기판 결합체의 거리를 측정하는 단계(S50), 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계(S60), 제2 레이저 스캔 단계(S70) 및 제1 기판과 제2 기판을 분리하는 단계(S80)를 포함할 수 있다.1 is a flow chart showing a substrate peeling method according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the substrate peeling method may include forming a substrate assembly (S10), mounting the substrate assembly on a stage (S20), measuring a distance between the distance measuring unit and the substrate assembly (S30), and firstly. Laser scan step (S40), after the first laser scan step of measuring the distance between the distance measuring unit and the substrate assembly (S50), adjusting the focus position of the laser (S60), the second laser scan step (S70) and the second The method may include separating the first substrate from the second substrate (S80).

이하 도 2 및 도 3를 참조하여 기판 결합체를 형성하는 단계(S10)에 대하여 설명하도록 한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 결합체의 단면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 결합체의 평면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 결합체(10)는 제1 기판(11), 제2 기판(12) 및 접착층(13)을 포함할 수 있다.Hereinafter, the step S10 of forming the substrate assembly will be described with reference to FIGS. 2 and 3. 2 is a cross-sectional view of a substrate assembly according to an embodiment of the present invention. 3 is a plan view of a substrate assembly according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the substrate assembly 10 may include a first substrate 11, a second substrate 12, and an adhesive layer 13.

제1 기판(11)은 광학적으로 투명한 재질로 형성될 수 있으며, 적어도 레이저(L)를 투과시킬 수 있는 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(11)은 유리 또는 투명한 합성 수지로 형성될 수 있다. 제1 기판(11)은 제2 기판(12)에 비하여 휨 정도가 상대적으로 적을 수 있으며, 제2 기판(12)을 지지하기 위한 캐리어 기판으로서 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first substrate 11 may be formed of an optically transparent material, and may be formed of a material that can transmit at least the laser (L). For example, the first substrate 11 may be formed of glass or transparent synthetic resin. The first substrate 11 may have a degree of warpage relatively smaller than that of the second substrate 12, and may be used as a carrier substrate for supporting the second substrate 12, but is not limited thereto.

제2 기판(12)은 제1 기판(11) 상에 배치될 수 있다. 제2 기판(12)은 제1 기판(11)과 결합될 수 있다. 제2 기판(12)은 가요성을 갖는 기판일 수 있다. 제2 기판(12)은 플렉서블 표시 장치의 표시 패널을 형성하기 위한 기판일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 기판(12)은 플렉서블 표시 장치의 표시 패널을 형성하기 위한 기판인 경우, 도시되지는 않았으나, 제2 기판(12)은 내부에 화상을 표시하기 위한 표시층 및 표시층을 제어하기 위한 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터층을 포함할 수 있다. 제2 기판(12)은 가요성을 갖는 유기 발광 표시 패널, 액정 표시 패널 또는 전기 영동 표시 패널을 형성하기 위한 기판일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 기판(12)은 제1 기판(11) 상에서 형성될 수 있다. 가요성을 갖는 제2 기판(12)이 휨 정도가 상대적으로 적은 제1 기판(11) 상에서 형성되면, 제2 기판(12)의 형상의 유동을 방지하여, 제2 기판(12)을 보다 용이하게 형성할 수 있다.The second substrate 12 may be disposed on the first substrate 11. The second substrate 12 may be combined with the first substrate 11. The second substrate 12 may be a substrate having flexibility. The second substrate 12 may be a substrate for forming a display panel of the flexible display device, but is not limited thereto. Although the second substrate 12 is a substrate for forming a display panel of the flexible display device, although not shown, the second substrate 12 is a thin film for controlling the display layer and the display layer for displaying an image therein. It may include a thin film transistor layer including a transistor. The second substrate 12 may be a substrate for forming a flexible organic light emitting display panel, a liquid crystal display panel, or an electrophoretic display panel, but is not limited thereto. The second substrate 12 may be formed on the first substrate 11. When the flexible second substrate 12 is formed on the first substrate 11 having a relatively small degree of warpage, the flow of the shape of the second substrate 12 is prevented, thereby making the second substrate 12 easier. Can be formed.

제2 기판(12)은 메인 기판(12a) 및 보조층(12b)를 포함할 수 있다. 메인 기판(12a)은 표시층 및 박막 트랜지스터층을 포함할 수 있다. 보조층(12b)은 메인 기판(12a) 상에 배치될 수 있다. 보조층(12b)은 메인 기판(12a)에 부착될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 보조층(12b)은 접착제를 통하여 메인 기판(12a)에 부착될 수 있다. 보조층(12b)은 메인 기판(12a)의 상부에 배치되어, 제1 기판(11)과 제2 기판(12)이 분리된 이후에 메인 기판(12a)을 지지함으로써 메인 기판(12a)의 유동을 방지하여, 이후의 공정 진행이 용이하도록 할 수 있다. 또한 보조층(12b)은 메인 기판(12)을 외부로부터 보호할 수 있다. 보조층(12b)은 메인 기판(12)의 측면을 커버할 수 있으며, 후술할 제2 접착층(13b)을 통하여 제1 기판(11)과 결합될 수 있다. 보조층(12b)은 폴리 에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리 카보네이트(polycarbonate), 폴리 에테르 술폰(Polyethersulfone)등을 포함하는 플라스틱 및 스테인레스(SUS: Stainless Steel) 등을 포함하는 메탈 호일(Metal foil) 등으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The second substrate 12 may include a main substrate 12a and an auxiliary layer 12b. The main substrate 12a may include a display layer and a thin film transistor layer. The auxiliary layer 12b may be disposed on the main substrate 12a. The auxiliary layer 12b may be attached to the main substrate 12a. Although not shown, the auxiliary layer 12b may be attached to the main substrate 12a through an adhesive. The auxiliary layer 12b is disposed on the main substrate 12a and supports the main substrate 12a after the first substrate 11 and the second substrate 12 are separated from each other so that the main substrate 12a flows. By preventing, it is possible to facilitate the subsequent process progress. In addition, the auxiliary layer 12b may protect the main substrate 12 from the outside. The auxiliary layer 12b may cover the side surface of the main substrate 12 and may be combined with the first substrate 11 through the second adhesive layer 13b to be described later. The auxiliary layer 12b may be made of plastic, including stainless steel (SUS) such as polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyether sulfone, and the like. It may be formed of a metal foil (Metal foil), including, but is not limited thereto.

접착층(13)은 제1 기판(11)과 제2 기판(12) 사이에 배치될 수 있다. 접착층(13)은 제1 기판(11)과 제2 기판(12)을 결합시킬 수 있다. 접착층(13)의 적어도 일부 영역은 레이저에 의하여 제1 기판(11)과 제2 기판(12)을 결합시키는 접착력이 약화될 수 있다. The adhesive layer 13 may be disposed between the first substrate 11 and the second substrate 12. The adhesive layer 13 may bond the first substrate 11 and the second substrate 12 to each other. At least a portion of the adhesive layer 13 may weaken the adhesive force for bonding the first substrate 11 and the second substrate 12 by a laser.

접착층(13)은 제1 접착층(13a) 및 제2 접착층(13b)을 포함할 수 있다. 제1 접착층(13a)는 제2 접착층(13b)보다 상대적으로 기판 결합체(10)의 내측에 배치될 수 있다. 보다 상세하게는 제1 접착층(13a)은 메인 기판(12a)과 제1 기판(11) 사이에 배치될 수 있다. 제1 접착층(13a)에 레이저가 조사되면 구성 물질의 변형이 발생할 수 있으며, 이에 따라 제1 기판(11)과 제2 기판(12)을 결합시키는 접착력이 약화될 수 있다. 예를 들어, 제1 접착층(13a)은 광분해성 고분자 물질, 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 접착층(13a)이 광분해성 고분자 물질로 형성된 경우, 레이저가 제1 접착층(13a)에 조사되면, 고분자 물질의 공유 결합이 끊어지거나 탄화되어 제1 접착층(13a)이 분해될 수 있다. 제1 접착층(13a)이 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘으로 형성된 경우, 레이저가 제1 접착층(13a)에 조사되면, 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘에 함유되어 있던 수소가 방출되면서 제1 접착층(13a)과 제1 기판(11)의 결합력이 약해져 제1 기판(20)과 제2 기판(30)을 용이하게 분리할 수 있다.The adhesive layer 13 may include a first adhesive layer 13a and a second adhesive layer 13b. The first adhesive layer 13a may be disposed inside the substrate assembly 10 relatively than the second adhesive layer 13b. In more detail, the first adhesive layer 13a may be disposed between the main substrate 12a and the first substrate 11. When the laser is irradiated to the first adhesive layer 13a, deformation of the constituent material may occur, and thus, adhesive force for bonding the first substrate 11 and the second substrate 12 may be weakened. For example, the first adhesive layer 13a may be formed of a photodegradable polymer material, hydrogenated silicon nitride, or hydrogenated amorphous silicon, but is not limited thereto. When the first adhesive layer 13a is formed of a photodegradable polymer material, when the laser is irradiated to the first adhesive layer 13a, the covalent bond of the polymer material may be broken or carbonized to decompose the first adhesive layer 13a. When the first adhesive layer 13a is formed of hydrogenated silicon nitride or hydrogenated amorphous silicon, when the laser is irradiated to the first adhesive layer 13a, hydrogen contained in the hydrogenated silicon nitride or hydrogenated amorphous silicon is released and the first adhesive layer is released. Coupling force between the 13a and the first substrate 11 is weakened, so that the first substrate 20 and the second substrate 30 can be easily separated.

제2 접착층(13b)은 제1 접착층(13a)과 비교하여 상대적으로 기판 결합체(10)의 외측에 배치될 수 있다. 제2 접착층(13b)은 기판 결합체(11)의 외곽에 배치될 수 있다. 보다 상세하게는 제2 접착층(13b)은 보조층(12b)과 제1 기판(11) 사이에 배치되어, 보조층(12b)과 제1 기판(11)을 결합시킬 수 있다. 제2 접착층(13b)은 레이저가 조사되더라도 접착력이 약화되지 않을 수 있다. The second adhesive layer 13b may be disposed outside the substrate assembly 10 relatively to the first adhesive layer 13a. The second adhesive layer 13b may be disposed outside the substrate assembly 11. More specifically, the second adhesive layer 13b may be disposed between the auxiliary layer 12b and the first substrate 11 to bond the auxiliary layer 12b and the first substrate 11 to each other. The adhesive strength of the second adhesive layer 13b may not be weakened even when the laser is irradiated.

도시되지는 않았으나, 기판 결합체는 제1 기판(11)과 제2 기판(12)의 결합을 보조하기 위하여 접착층(13)과 제1 기판(11) 사이에 추가적인 접착층을 더 포함할 수도 있다.Although not shown, the substrate assembly may further include an additional adhesive layer between the adhesive layer 13 and the first substrate 11 to assist in bonding the first substrate 11 and the second substrate 12.

도 3을 참조하면, 기판 결합체(10)는 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2)으로 나뉘어질 수 수 있다. 제1 영역(R1)은 제1 레이저 스캔 단계(S40)에서 레이저가 조사되는 기판 결합체(10)의 영역이며, 제2 영역(R2)은 제2 레이저 스캔 단계(S70)에서 레이저가 조사되는 기판 결합체(10)의 영역일 수 있다. 레이저 스캔 시 레이저의 폭(dL)이 기판 결합체(10)의 폭(dS)보다 좁은 경우, 한 번의 레이저 스캔으로 기판 결합체(10)의 모든 영역에 레이저가 조사될 수 없으므로, 기판 결합체(10)는 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2)으로 분할되어 두 차례에 걸쳐 레이저 스캔이 실시될 수 있다. 두 차례의 레이저 스캔에 의하더라도, 기판 결합체(10)의 모든 영역에 레이저가 조사되지 못하는 경우, 추가적인 레이저 스캔이 실시될 수 있으며, 기판 결합체(10)는 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2) 외에도 추가적인 영역으로 분할될 수 있다.Referring to FIG. 3, the substrate assembly 10 may be divided into a first region R1 and a second region R2. The first region R1 is the region of the substrate assembly 10 to which the laser is irradiated in the first laser scan step S40, and the second region R2 is the substrate to which the laser is irradiated in the second laser scan step S70. It may be a region of the assembly 10. When the width dL of the laser is narrower than the width dS of the substrate assembly 10 during the laser scan, since the laser cannot be irradiated to all the regions of the substrate assembly 10 in one laser scan, the substrate assembly 10 May be divided into a first region R1 and a second region R2, and laser scanning may be performed twice. Even with two laser scans, if a laser is not irradiated to all the regions of the substrate assembly 10, an additional laser scan may be performed, and the substrate assembly 10 may be formed of the first region R1 and the second region. In addition to (R2) may be divided into additional areas.

이하, 도 4를 참조하여 기판 결합체(10)를 스테이지(21)에 안착시키는 단계(S20)에 대하여 설명하도록 한다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 결합체를 스테이지에 안착시키는 단계를 도시한 도면이다. 기판 결합체(10)가 스테이지(21)에 안착될 때, 기판 결합체(10)는 제1 기판(11)은 기판 결합체의 상부에 위치하고, 제2 기판(12)은 하부에 위치하여 스테이지(21)와 대향하도록 배치될 수 있다. Hereinafter, the step (S20) of mounting the substrate assembly 10 on the stage 21 will be described with reference to FIG. 4 is a view illustrating a step of mounting a substrate assembly on a stage according to an embodiment of the present invention. When the substrate assembly 10 is seated on the stage 21, the substrate assembly 10 is positioned on the first substrate 11 above the substrate assembly, and the second substrate 12 is positioned below the stage 21. It can be arranged to face.

스테이지(21)는 기판 결합체(10)를 지지하며, 기판 박리 공정은 스테이지(21) 상에서 배치될 수 있다. 스테이지(21)는 기판 박리 장치(20)에 포함될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여, 기판 박리 장치(20)에 대하여 설명하도록 한다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박리 장치의 블록도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박리 장치에 기판 결합체가 배치된 것을 나타낸 사시도이다.The stage 21 supports the substrate assembly 10, and a substrate peeling process may be disposed on the stage 21. The stage 21 may be included in the substrate peeling apparatus 20. Hereinafter, the substrate peeling apparatus 20 will be described with reference to FIGS. 5 and 6. 5 is a block diagram of a substrate peeling apparatus according to an embodiment of the present invention. 6 is a perspective view illustrating a substrate assembly disposed in a substrate peeling apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5 및 도 6을 참조하면, 기판 박리 장치(20)는 스테이지(21), 레이저 출력부(22), 거리 측정부(23) 및 제어부(24)를 포함할 수 있다. 5 and 6, the substrate peeling apparatus 20 may include a stage 21, a laser output unit 22, a distance measuring unit 23, and a controller 24.

스테이지(21) 상에는 기판 결합체(10)가 배치될 수 있으며, 스테이지(21)는 기판 결합체(10)를 지지할 수 있다. 스테이지(21)는 상하로 이동 가능할 수 있으며, 스테이지(21)의 움직임은 제어부(24)에 의하여 제어될 수 있다. The substrate assembly 10 may be disposed on the stage 21, and the stage 21 may support the substrate assembly 10. The stage 21 may be movable up and down, and the movement of the stage 21 may be controlled by the controller 24.

레이저 출력부(22)는 스테이지(21) 상부에 스테이지(21)와 이격되어 배치될 수 있다. 레이저 출력부(22)는 레이저를 출력할 수 있으며, 출력된 레이저(22)는 스테이지(21) 상에 배치된 기판 결합체(10)에 조사될 수 있다. 레이저 출력부(22)는 수평 방향으로 이동할 수 있으며, 레이저 출력부(22)는 수평 방향으로 이동하며 레이저를 출력하여 기판 결합체(10)에 레이저 스캔을 실시할 수 있다.The laser output unit 22 may be disposed spaced apart from the stage 21 on the stage 21. The laser output unit 22 may output a laser, and the output laser 22 may be irradiated onto the substrate assembly 10 disposed on the stage 21. The laser output unit 22 may move in a horizontal direction, and the laser output unit 22 may move in a horizontal direction and output a laser to perform a laser scan on the substrate assembly 10.

거리 측정부(23)는 스테이지(21) 상부에 스테이지(21)와 이격되어 배치될 수 있다. 거리 측정부(23)는 거리 측정부(23)와 스테이지(21) 상에 배치된 기판 결합체(10)와의 거리를 측정할 수 있다. 거리 측정부(23)는 상호 이격된 제1 거리 측정부(23a) 및 제2 거리 측정부(23b)를 포함할 수 있다. 제1 거리 측정부(23a) 는 제1 영역(R1) 상에 배치되고, 제2 거리 측정부(23b)는 제2 영역(R2) 상에 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The distance measuring unit 23 may be spaced apart from the stage 21 on the stage 21. The distance measuring unit 23 may measure the distance between the distance measuring unit 23 and the substrate assembly 10 disposed on the stage 21. The distance measurer 23 may include a first distance measurer 23a and a second distance measurer 23b spaced apart from each other. The first distance measuring unit 23a may be disposed on the first area R1, and the second distance measuring unit 23b may be disposed on the second area R2, but is not limited thereto.

제어부(24)는 스테이지(21), 레이저 출력부(22) 및 거리 측정부(23)의 동작을 제어할 수 있다. 제어부(23)는 거리 측정부(23)에서 측정된 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리에 대응하여, 스테이지(21)의 상하 이동을 제어할 수 있다. 기판 박리 장치(20)는 거리 측정부(23)에서 측정된 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리에 대응하여, 스테이지(21)의 상하 이동을 제어하는 제어부(24)를 포함하여, 레이저 출력부(22)에서 출력되는 레이저의 초점이 위치하는 기판 결합체(10)내의 영역을 조절할 수 있으며, 레이저의 초점이 위치하는 영역과 접착층(13)이 중첩하는 범위를 증가시켜 기판 결합체(10)의 박리를 효과적으로 실시할 수 있다. 또한, 레이저의 초점이 위치하는 영역이 제2 기판(12)과 중첩하는 범위를 감소시켜 기판 결합체(10)에 레이저 조사 시 제2 기판(12)의 레이저에 의한 손상을 감소시킬 수 있다. 이에 관하여는 후에 보다 상세히 설명하도록 한다.The controller 24 may control the operations of the stage 21, the laser output unit 22, and the distance measuring unit 23. The controller 23 may control the vertical movement of the stage 21 in response to the distance between the distance measurer 23 and the substrate assembly 10 measured by the distance measurer 23. The substrate peeling apparatus 20 corresponds to a distance between the distance measuring unit 23 and the substrate assembly 10 measured by the distance measuring unit 23, and controls the controller 24 that controls the vertical movement of the stage 21. In addition, the area within the substrate assembly 10 in which the focal point of the laser output from the laser output unit 22 is located can be adjusted, and the area where the focal point of the laser and the adhesive layer 13 overlap is increased. Peeling of the assembly 10 can be performed effectively. In addition, the area where the focus of the laser is located overlaps with the second substrate 12 so as to reduce the damage caused by the laser of the second substrate 12 when the laser beam is irradiated onto the substrate assembly 10. This will be described later in more detail.

이하, 도 7을 참조하여, 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리를 측정하는 단계(S30)에 대하여 설명하도록 한다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 거리 측정부와 기판 결합체의 거리를 측정하는 단계을 나타낸 도면이다. 도 7을 참조하면, 거리 측정부(23)는 시험광(TL)을 방출할 수 있다. 시험광(TL)는 기판 결합체(10)에 의하여 반사될 수 있으며, 보다 상세하게는 제1 기판(11)의 상부면에 의하여 반사될 수 있다. 기판 결합체(10)에 의하여 반사된 시험광(TL)은 거리 측정부(23)에 의하여 수광될 수 있으며, 거리 측정부(23)는 수광된 시험광(TL)으로부터 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리를 산출할 수 있다. 제1 거리 측정부(23a)와 제2 거리 측정부(23b)는 기판 결합체(10)의 서로 다른 영역과의 거리를 측정할 수 있다. 제1 거리 측정부(23a)는 제1 거리 측정부(23a)의 하부에 배치된 제1 영역(R1)의 일부 영역과 제1 거리 측정부(23a) 사이의 거리(da)를 측정할 수 있다. 제2 거리 측정부(23b)는 제2 거리 측정부(23b)의 하부에 배치된 제2 영역(R2)의 일부 영역과 제2 거리 측정부(23b) 사이의 거리(db)를 측정할 수 있다. 몇몇 실시예에 의하면, 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리를 측정하는 단계(S30)는 생략될 수도 있다.Hereinafter, referring to FIG. 7, the step S30 of measuring the distance between the distance measurer 23 and the substrate assembly 10 will be described. 7 is a view illustrating a step of measuring the distance between the distance measuring unit and the substrate assembly according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7, the distance measuring unit 23 may emit the test light TL. The test light TL may be reflected by the substrate assembly 10, and more particularly, may be reflected by the upper surface of the first substrate 11. The test light TL reflected by the substrate assembly 10 may be received by the distance measuring unit 23, and the distance measuring unit 23 may be connected to the distance measuring unit 23 from the received test light TL. The distance between the substrate assemblies 10 can be calculated. The first distance measuring unit 23a and the second distance measuring unit 23b may measure distances from different regions of the substrate assembly 10. The first distance measuring unit 23a may measure the distance da between a portion of the first area R1 disposed under the first distance measuring unit 23a and the first distance measuring unit 23a. have. The second distance measuring unit 23b may measure the distance db between a portion of the second area R2 disposed under the second distance measuring unit 23b and the second distance measuring unit 23b. have. According to some embodiments, the step S30 of measuring the distance between the distance measurer 23 and the substrate assembly 10 may be omitted.

이하 도 8 및 도 9를 참조하여, 제1 레이저 스캔 단계(S40)에 대하여 설명하도록 한다. 도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 레이저 스캔 단계를 나타낸 도면이다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 제1 레이저 스캔 단계(S40)에서 레이저 출력부(22)는 제1 레이저(L1)를 출력하며, 제1 영역(R1)의 상부를 수평이동하여, 제1 영역(R1)에 제1 레이저(L1)를 조사할 수 있다. 제1 레이저 스캔 단계(S40)에서 제1 레이저(L1)의 제1 초점(f1)은 접착층(13)에 위치할 수 있다. 접착층(13)에 레이저가 조사되면 제1 접착층(13a)의 접착력이 약화되어 제1 기판(11)과 제2 기판(12)의 분리가 진행될 수 있으므로, 제1 레이저(L1)의 초점이 접착층(13)에 위치해야 효율적으로 기판 결합체(10)의 박리가 진행될 수 있다. 기판 결합체(10)의 각 층들의 두께는 미리 설정되어 있을 수 있으며, 이에 따라 스테이지(21)는 접착층(13)에 제1 레이저(L1)의 제1 초점(f1)이 위치하도록 높이가 설정되어 있을 수 있다.Hereinafter, the first laser scan step S40 will be described with reference to FIGS. 8 and 9. 8 and 9 are diagrams illustrating a first laser scan step according to an embodiment of the present invention. 8 and 9, in the first laser scanning operation S40, the laser output unit 22 outputs the first laser L1, and horizontally moves the upper portion of the first region R1 to form a first laser beam. The first laser L1 may be irradiated to the region R1. In the first laser scan step S40, the first focal point f1 of the first laser L1 may be located on the adhesive layer 13. When the laser is irradiated to the adhesive layer 13, the adhesive force of the first adhesive layer 13a may be weakened and separation of the first substrate 11 and the second substrate 12 may proceed, so that the focus of the first laser L1 is focused on the adhesive layer. It should be located at (13) to be able to efficiently peel off the substrate assembly 10. The thickness of each layer of the substrate assembly 10 may be set in advance, and accordingly, the stage 21 may be set to have a height such that the first focal point f1 of the first laser L1 is positioned on the adhesive layer 13. There may be.

몇몇 실시예에 의하면, 도시되지는 않았으나, 기판 박리 방법은 제1 레이저 스캔 단계(S40) 이전에, 거리 측정부와 기판 결합체의 거리를 측정하는 단계(S30)에서 측정된 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리에 대응하여 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계를 더 포함할 수도 있다. 제어부(24)는 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리를 유지하며 제1 레이저 스캔(S40)을 실시하는 경우, 제1 레이저(L1)의 제1 초점(f1)이 접착층(13a)에 위치하지 않는 것으로 판단되면, 제1 레이저(L1)의 제1 초점(f1)이 접착층(13a)에 위치하도록 제1 레이저(L1)의 제1 초점(f1)의 위치를 조절할 수 있다. 제1 레이저(L1)의 제1 초점(f1)의 위치를 조절하는 것은 스테이지(21)를 상하로 이동시키거나, 레이저 출력부(22)를 상하로 이동시키거나, 레이저 출력부(22)에서 출력되는 제1 레이저(L1)의 제1 초점(f1)의 거리를 조절하여 달성될 수 있다.According to some embodiments, although not shown, the substrate peeling method may include the distance measurer 23 measured in the step S30 of measuring the distance between the distance measurer and the substrate assembly before the first laser scan step S40. The method may further include adjusting a focal position of the laser corresponding to the distance between the substrate assembly 10 and the substrate assembly 10. The control unit 24 maintains the distance between the distance measuring unit 23 and the substrate assembly 10 and when performing the first laser scan S40, the first focal point f1 of the first laser L1 is the adhesive layer. If it is determined that the position is not at 13a, the position of the first focal point f1 of the first laser L1 may be adjusted such that the first focal point f1 of the first laser L1 is positioned at the adhesive layer 13a. have. Adjusting the position of the first focus f1 of the first laser L1 moves the stage 21 up and down, moves the laser output unit 22 up and down, or at the laser output unit 22. This may be achieved by adjusting the distance of the first focal point f1 of the output first laser L1.

이하 도 10을 참조하여, 제1 레이저 스캔 단계(S40) 후의 기판 결합체(10)에 대하여 설명하도록 한다. 도 10은 제1 레이저 스캔 후의 기판 결합체를 나타낸 도면이다. 제1 레이저 스캔 단계(S40) 후 제1 레이저(L1)가 조사된 제1 영역(R1) 내의 제1 접착층(13a)은 접착력이 약화되어, 제1 접착층(13a)에 의하여 접착된 제1 영역(R1) 내의 제1 기판(11)과 제2 기판(12)은 서로 분리될 수 있으며, 제2 기판(12)은 들뜰 수 있다. 제1 영역(R1) 내의 제2 접착층(13b)은 접착력이 약화되지 않아, 제2 접착층(13b)에 의하여 접착된 제1 영역(R1) 내의 제1 기판(11)과 제2 기판(12)은 서로 결합을 유지 할 수 있다. 제2 영역(R2)에는 제1 레이저(L1)가 조사되지 않아, 제2 영역(R2) 내의 제1 기판(11)과 제2 기판(12)은 결합을 유지할 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1 레이저 스캔 단계(S40) 후 기판 결합체(10)의 일부 영역에서는 제1 기판(11)과 제2 기판(12)의 결합이 유지되고, 다른 영역에서는 제1 기판(11)과 제2 기판(12)이 분리될 수 있다. 제2 기판(12)과 분리된 가요성을 갖는 제1 기판(11)의 형상이 변형될 수 있으며, 이에 따라 기판 결합체(10)의 형상이 변경될 수 있다. 구체적으로, 도 10에서와 같이 기판 결합체(10)의 상부면이 기울어져 수평을 유지하지 못할 수 있으며, 그에 따라 제2 영역(R2) 내의 접착층(13) 또한 수평을 유지하지 못할 수 있다. Hereinafter, the substrate assembly 10 after the first laser scan step S40 will be described with reference to FIG. 10. 10 shows the substrate assembly after the first laser scan. After the first laser scan step S40, the first adhesive layer 13a in the first region R1 to which the first laser L1 is irradiated has weakened adhesive force, and thus the first region bonded by the first adhesive layer 13a. The first substrate 11 and the second substrate 12 in the R1 may be separated from each other, and the second substrate 12 may be raised. Since the adhesive strength of the second adhesive layer 13b in the first region R1 is not weakened, the first substrate 11 and the second substrate 12 in the first region R1 adhered by the second adhesive layer 13b. Can keep bonding to each other. Since the first laser L1 is not irradiated to the second region R2, the first substrate 11 and the second substrate 12 in the second region R2 may remain coupled. As described above, after the first laser scanning step S40, the first substrate 11 and the second substrate 12 are maintained in some regions of the substrate assembly 10, and in the other regions, the first substrate 11 is maintained. ) And the second substrate 12 may be separated. The shape of the first substrate 11 having flexibility separated from the second substrate 12 may be modified, and thus, the shape of the substrate assembly 10 may be changed. Specifically, as shown in FIG. 10, the upper surface of the substrate assembly 10 may be inclined to be unable to be horizontal, and thus, the adhesive layer 13 in the second region R2 may not be horizontal.

이하 도 11을 참조하여, 제1 레이저 스캔 후, 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10)의 거리를 측정하는 단계(S50)에 대하여 설명하도록 한다. 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 레이저 스캔 후 거리 측정부와 기판 결합체의 거리를 측정하는 단계를 나타낸 도면이다. 도 11을 참조하면, 거리 측정부(23)는 시험광(TL)을 방출하고, 기판 결합체(10)에 의하여 반사된 시험광(TL)을 수광하여 거리 측정부(23)와 기판 결합체 사이의 거리를 산출할 수 있다. 제1 거리 측정부(23a)는 제1 거리 측정부(23a)의 하부에 배치된 제1 영역(R1)의 일부 영역과 제1 거리 측정부(23a) 사이의 거리(da')를 측정할 수 있다. 제2 거리 측정부(23b)는 제2 거리 측정부(23b)의 하부에 배치된 제2 영역(R2)의 일부 영역과 제2 거리 측정부(23b) 사이의 거리(db')를 측정할 수 있다. Hereinafter, referring to FIG. 11, the step S50 of measuring the distance between the distance measuring unit 23 and the substrate assembly 10 after the first laser scan will be described. 11 is a diagram illustrating a step of measuring a distance between a distance measuring unit and a substrate assembly after a first laser scan according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 11, the distance measuring unit 23 emits the test light TL, receives the test light TL reflected by the substrate assembly 10, and then determines the distance between the distance measuring unit 23 and the substrate assembly. The distance can be calculated. The first distance measuring unit 23a may measure the distance da 'between a portion of the first area R1 disposed under the first distance measuring unit 23a and the first distance measuring unit 23a. Can be. The second distance measuring unit 23b may measure the distance db ′ between a portion of the second area R2 disposed under the second distance measuring unit 23b and the second distance measuring unit 23b. Can be.

이하 도 12를 참조하여, 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계(S60)에 대하여 설명하도록 한다. 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저의 초점 위치 조절 단계를 도시한 도면이다. 레이저의 초점 위치는 제1 레이저 스캔 후 측정된 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리에 대응하여 조절될 수 있다. 제어부(24)는 제1 레이저 스캔 후 측정된 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리로부터, 기판 결합체(10)의 상부면의 위치를 검출할 수 있으며, 이로부터, 제2 영역(R2) 내의 접착층(13)의 위치를 도출할 수 있다. 기판 결합체(10)의 상부면의 위치를 검출하기 위하여 거리 측정부(23)는 입사된 시험광(TL)으로부터 기판 결합체(10)의 상부면과의 절대적인 거리를 산출하거나, 제1 레이저 스캔 단계(S40) 이전의 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10)의 거리를 측정하는 단계(S30) 에서 산출된 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10)의 상부면과의 거리를 비교하여 그 차이를 이용할 수도 있다. 산출된 제1 레이저 스캔 후 측정된 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10) 사이의 거리에 따라, 제어부(24)는 제2 레이저 스캔 단계(S70)에서 출력되는 레이저의 초점 위치와 접착층(13)이 중첩하는 영역이 증가하도록 레이저의 초점 위치를 조절할 수 있다. 이를 위하여, 제2 레이저 스캔 단계(S70)에서 출력되는 레이저의 초점 위치가 제2 영역(R2)의 중앙에서 접착층(13)의 두께의 중앙에 위치하도록 레이저의 초점 위치가 조절될 수 있다. 제2 레이저 스캔 단계(S70)에서 출력되는 레이저의 초점 위치와 접착층(13)과 중첩하는 영역이 증가하면, 제2 레이저 스캔 단계(S70)에서 제1 접착층(13a)에 조사되는 레이저의 양이 증가하여 제1 접착층(13a)의 결합력을 효율적으로 약화시켜 제1 기판(11)과 제2 기판(12)의 분리가 용이하게 이루어지도록 할 수 있다. 뿐만 아니라, 제1 레이저 스캔 단계(S40) 이후 제1 기판(11)과 제2 기판(12)의 들뜸으로 인하여 제2 영역(R2) 내의 제2 기판(12)의 위치가 제1 레이저 스캔 단계(S40) 이전보다 상부로 이동되었을 수 있다. 따라서, 제1 레이저 스캔 단게(S40)과 동일한 레이저의 초점 위치로 제2 레이저 스캔 단계(S70)를 실시하는 경우 레이저의 초점이 제2 기판(12)에 위치할 수 있으며 이러한 경우 제2 기판(12)에 손상이 발생할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박리 방법은 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계(S60)를 포함하여 기판 박리 시 레이저에 의한 제2 기판(12)의 손상을 감소시킬 수 있다. 레이저의 초점 위치를 조절하기 위해 제어부(24)는 스테이지(21)를 상하로 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 레이저 스캔 단계(S40) 이후 제2 기판(12)이 들뜬 경우 제어부(24)는 스테이지(21)를 하측으로 이동시킬 수 있다.Hereinafter, the step S60 of adjusting the focus position of the laser will be described with reference to FIG. 12. 12 is a view illustrating a focus position adjusting step of a laser according to an embodiment of the present invention. The focal position of the laser may be adjusted according to the distance between the distance measuring unit 23 and the substrate assembly 10 measured after the first laser scan. The controller 24 may detect a position of the upper surface of the substrate assembly 10 from the distance between the distance measuring unit 23 and the substrate assembly 10 measured after the first laser scan, and from this, the second The position of the adhesive layer 13 in the region R2 can be derived. In order to detect the position of the upper surface of the substrate assembly 10, the distance measuring unit 23 calculates an absolute distance from the incident test light TL to the upper surface of the substrate assembly 10, or the first laser scanning step. (S40) by comparing the distance between the distance measuring unit 23 and the upper surface of the substrate assembly 10 calculated in the step (S30) measuring the distance between the distance measuring unit 23 and the substrate assembly 10 You can also use the difference. According to the calculated distance between the distance measuring unit 23 and the substrate assembly 10 measured after the first laser scan, the controller 24 may adjust the focal position of the laser output in the second laser scan step S70 and the adhesive layer ( 13) the focal position of the laser can be adjusted to increase the overlapping area. For this purpose, the focal position of the laser may be adjusted such that the focal position of the laser output in the second laser scan step S70 is located at the center of the thickness of the adhesive layer 13 at the center of the second region R2. When the focal position of the laser output in the second laser scan step S70 and an area overlapping with the adhesive layer 13 increase, the amount of laser irradiated to the first adhesive layer 13a in the second laser scan step S70 increases. Increasingly, the bonding force of the first adhesive layer 13a may be effectively weakened to facilitate separation of the first substrate 11 and the second substrate 12. In addition, since the first substrate 11 and the second substrate 12 are lifted up after the first laser scan step S40, the position of the second substrate 12 in the second region R2 is changed to the first laser scan step. (S40) may have been moved upwards than before. Therefore, when the second laser scan step S70 is performed at the focal position of the same laser as the first laser scan step S40, the focal point of the laser may be located on the second substrate 12, and in this case, the second substrate ( 12) Damage may occur. Therefore, the substrate peeling method according to an embodiment of the present invention may include the step (S60) of adjusting the focal position of the laser to reduce damage of the second substrate 12 by the laser when the substrate is peeled off. The controller 24 may move the stage 21 up and down to adjust the focus position of the laser. For example, when the second substrate 12 is excited after the first laser scan step S40, the controller 24 may move the stage 21 downward.

이하 도 13 및 도 14를 참조하여 제2 레이저 스캔 단계(S70)에 대하여 설명하도록 한다. 도 13 및 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 레이저 스캔 단계를 도시한 도면이다. 도 13 및 도 14를 참조하면, 제2 레이저 스캔 단계(S70)에서 레이저 출력부(22)는 제2 초점(f2)을 갖는 제2 레이저(L2)를 출력하며, 제2 영역(R2)의 상부를 수평이동하여, 제2 영역(R2)에 제2 레이저(L2)를 조사할 수 있다. 제2 레이저(L2)는 제1 레이저(L1)과 실질적으로 동일할 수 있으며, 레이저 출력부(22)로부터 제2 초점(f2)까지의 거리는 레이저 출력부(22)로부터 제1 초점(f1)까지의 거리와 실질적으로 동일할 수 있다. 제2 초점(13)은 적어도 일부가 접착층(13)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(R2)의 중앙(R2C)에서 접착층(13)의 두께의 중앙에 제2 초점(f2)이 위치할 수 있다. Hereinafter, the second laser scan step S70 will be described with reference to FIGS. 13 and 14. 13 and 14 illustrate a second laser scan step according to an embodiment of the present invention. 13 and 14, in the second laser scan step S70, the laser output unit 22 outputs the second laser L2 having the second focal point f2, and the second region R2 of the second region R2. The second laser beam L2 may be irradiated to the second region R2 by horizontally moving the upper portion. The second laser L2 may be substantially the same as the first laser L1, and the distance from the laser output part 22 to the second focal point f2 is the first focal point f1 from the laser output part 22. It may be substantially equal to the distance to. At least a portion of the second focal point 13 may overlap the adhesive layer 13. For example, the second focal point f2 may be located at the center of the thickness of the adhesive layer 13 at the center R2C of the second region R2.

이하, 도 15를 참조하여 제2 레이저 스캔 단계(S70) 후의 기판 결합체에 대하여 설명하도록 한다. 도 15는 제2 레이저 스캔 후의 기판 결합체를 나타낸 도면이다. 제2 레이저 스캔 단계(S70)에 의하여 제2 영역(R2) 내의 제1 접착층(13a)은 접착력이 약화될 수 있으며, 그에 따라, 제1 접착층(13a)에 의하여 제1 기판(11)과 제2 기판(12)이 결합되어 있던 영역에서 제1 기판(11)과 제2 기판(12)은 서로 분리될 수 있다. 제2 접착층(13b)에 의하여 제1 기판(11)과 제2 기판(12)이 결합된 영역은 제2 접착층(13b)이 레이저에 의하여 접착력이 약화되지 않아 결합을 유지하고 있을 수 있다. Hereinafter, the substrate assembly after the second laser scan step S70 will be described with reference to FIG. 15. 15 shows the substrate assembly after the second laser scan. The adhesive force of the first adhesive layer 13a in the second region R2 may be weakened by the second laser scan step S70. Accordingly, the first substrate 11 and the first adhesive layer 13a may be weakened by the first adhesive layer 13a. The first substrate 11 and the second substrate 12 may be separated from each other in the region where the two substrates 12 are bonded. In the region where the first substrate 11 and the second substrate 12 are coupled by the second adhesive layer 13b, the second adhesive layer 13b may not be weakened by the laser, thereby maintaining the bonding.

제1 기판(11)과 제2 기판(12)을 분리하는 단계(S80)에서는 외력에 의하여 제2 접착층(13b)에 의하여 제1 기판(11)과 제2 기판(12)이 결합된 영역에서도, 제1 기판(11)과 제2 기판(12)이 분리되도록 하여, 제1 기판(11)과 제2 기판(12)이 완전히 분리되도록 할 수 있다. In the step of separating the first substrate 11 and the second substrate 12 (S80), even in a region where the first substrate 11 and the second substrate 12 are coupled by the second adhesive layer 13b by an external force. The first substrate 11 and the second substrate 12 may be separated from each other so that the first substrate 11 and the second substrate 12 may be completely separated from each other.

이하 도 16을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 대하여 설명하도록 한다. 도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계 및 제2 레이저 스캔 단계를 나타낸 도면이다. 도 16을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따르면 레이저의 초점 위치 조절 단계(S6)에서, 레이저의 초점 위치를 조절하기 위하여 레이저 출력부(22)를 상하로 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 레이저 스캔 단계(S40) 이후 제2 기판(12)이 들뜬 경우, 제어부(24)는 제2 레이저 스캔 단계(S70)에서 출력되는 제2 레이저(L2)의 초점(f2)의 위치가 접착층(13)과 중첩하는 영역이 증가하도록 레이저 출력부(22)를 상측으로 이동시킬 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 박리 방법에 대한 다른 설명들은 도 1 내지 도 15에서와 설명한 기판 박리 방법에 대한 설명과 실질적으로 동일하므로 생략하도록 한다.Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 16. 16 is a view illustrating adjusting a focus position of a laser and a second laser scan step according to another exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 16, according to another exemplary embodiment of the present invention, the laser output unit 22 may be moved up and down to adjust the focus position of the laser in step S6 of adjusting the focus position of the laser. For example, when the second substrate 12 is excited after the first laser scan step S40, the controller 24 may focus f2 of the second laser L2 output in the second laser scan step S70. The laser output unit 22 may be moved upward so that the region where the position of the overlaps with the adhesive layer 13 increases. Other descriptions of the substrate peeling method according to another embodiment of the present invention will be omitted since it is substantially the same as the description of the substrate peeling method described with reference to FIGS. 1 to 15.

이하 도 17을 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 대하여 설명하도록 한다. 도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계 및 제2 레이저 스캔 단계를 나타낸 도면이다. 도 17을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따르면 레이저의 초점 위치 조절 단계(S6)에서, 레이저의 초점 위치를 조절하기 위하여 레이저 출력부(22)에서 출력되는 레이저의 초점 거리를 변경할 수 있다. 예를 들어, 제1 레이저 스캔 단계(S40) 이후 제2 기판(12)이 들뜬 경우, 제어부(24)는 제2 레이저 스캔 단계(S70)에서 출력되는 제2 레이저(L2)의 초점(f2)의 위치가 접착층(13)과 중첩하는 영역이 증가하도록 레이저의 초점 거리를 감소시킬 수 있으며, 이에 따라 제2 초점(f2)은 제1 초점(f1)보다 상부에 위치할 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 박리 방법에 대한 다른 설명들은 도 1 내지 도 15에서와 설명한 기판 박리 방법에 대한 설명과 실질적으로 동일하므로 생략하도록 한다.Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 17. 17 is a view illustrating adjusting a focus position of a laser and a second laser scan step according to another exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 17, according to another exemplary embodiment of the present invention, the focal length of the laser output from the laser output unit 22 may be changed in order to adjust the focal position of the laser in operation S6. . For example, when the second substrate 12 is excited after the first laser scan step S40, the controller 24 may focus f2 of the second laser L2 output in the second laser scan step S70. The focal length of the laser may be reduced so that the area of the overlapped with the adhesive layer 13 may be increased, and thus the second focal point f2 may be positioned above the first focal point f1. Other descriptions of the substrate peeling method according to another embodiment of the present invention will be omitted since it is substantially the same as the description of the substrate peeling method described with reference to FIGS. 1 to 15.

이하 도 18을 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 대하여 설명하도록 한다. 도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계 및 제2 레이저 스캔 단계를 나타낸 도면이다. 본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10)의 거리를 측정하는 단계(S30)에서 측정된 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10)의 거리로부터 제어부(24)는 기판 결합체(10)의 상부면이 기울어진 정도를 도출할 수 있으며, 이로부터 제2 영역(R2) 내에 배치된 접착층(13)이 기울어진 정도를 도출할 수 있다. 기판 결합체(10)의 상부면이 기울어진 정도는, 제1 레이저 스캔 후 거리 측정부(23)와 기판 결합체(10)의 거리를 측정하는 단계(S50)에서 측정된 제1 거리 측정부(23a)와 기판 결합체(10) 사이의 거리(da')와 제2 거리 측정부(23b)와 기판 결합체(10) 사이의 거리(db')의 차로부터 도출될 수 있다. 레이저의 초점 위치를 조절하는 단계(S60)에서는 접착층(13)이 수평이 되도록 스테이지(21)를 회전시킬 수 있다. 스테이지(21)를 회전시키는 것과 더불어, 스테이지(21)를 상하로 이동시키거나, 레이저 출력부(22)를 상하로 이동시켜 제2 레이저(L2)의 초점(f2)이 접착층(13)내에 배치되도록 할 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 레이저(L2)의 초점이 접착층(13)을 벗어나지 않도록 제어할 수 있으며, 그에 따라, 제1 기판(11)과 제2 기판(12)의 분리가 원활히 이루어질 수 있고, 제2 기판(12)의 레이저에 의한 손상을 방지할 수 있다. 또 다른 실시예에 따른 기판 박리 방법에 대한 다른 설명들은 도 1 내지 도 15에서와 설명한 기판 박리 방법에 대한 설명과 실질적으로 동일하므로 생략하도록 한다.Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 18. 18 is a view illustrating a step of adjusting a focus position of a laser and a second laser scanning step according to another embodiment of the present invention. According to another embodiment of the present invention, the control unit from the distance between the distance measuring unit 23 and the substrate assembly 10 measured in step (S30) measuring the distance between the distance measuring unit 23 and the substrate assembly 10 The reference numeral 24 may derive the degree of inclination of the upper surface of the substrate assembly 10, from which the degree of inclination of the adhesive layer 13 disposed in the second region R2 may be derived. The degree of inclination of the upper surface of the substrate assembly 10 is the first distance measuring unit 23a measured in step S50 of measuring the distance between the distance measuring unit 23 and the substrate assembly 10 after the first laser scan. ) And the distance da 'between the substrate assembly 10 and the distance db' between the second distance measuring unit 23b and the substrate assembly 10. In step S60 of adjusting the focus position of the laser, the stage 21 may be rotated so that the adhesive layer 13 is horizontal. In addition to rotating the stage 21, the stage 21 is moved up and down, or the laser output unit 22 is moved up and down so that the focal point f2 of the second laser L2 is disposed in the adhesive layer 13. You can do that. According to another embodiment of the present invention, the focus of the laser (L2) can be controlled so as not to deviate from the adhesive layer 13, thereby, the separation of the first substrate 11 and the second substrate 12 is made smoothly It is possible to prevent damage to the second substrate 12 by the laser. Other descriptions of the substrate peeling method according to another embodiment are substantially the same as the description of the substrate peeling method described with reference to FIGS. 1 to 15, and thus will be omitted.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

10: 기판 박리 장치 11: 레이저 출력부
12: 제어부 13: 광특성 측정부
20, 120: 제1 기판 30, 130: 제2 기판
31: 구조물 32, 131: 보호층
132: 가요성 기재 133: 박막 트랜지스터층
134: 표시층 40: 접착층
140: 제1 접착층 150: 제1 보호 필름
160: 제2 접착층 170: 제2 보호 필름
180: 제3 접착층
10: substrate peeling device 11: laser output unit
12: control unit 13: optical characteristics measuring unit
20, 120: first substrate 30, 130: second substrate
31: Structure 32, 131: protective layer
132: flexible substrate 133: thin film transistor layer
134: display layer 40: adhesive layer
140: first adhesive layer 150: first protective film
160: second adhesive layer 170: second protective film
180: third adhesive layer

Claims (20)

제1 기판 및 상기 제1 기판과 결합된 가요성을 갖는 제2 기판을 포함하고, 제1 영역 및 제2 영역으로 구분되는 기판 결합체를 형성하는 단계;
상기 기판 결합체를 스테이지 상에 안착시키는 단계;
상기 제1 영역에 레이저를 조사하는 제1 레이저 스캔 단계;
상기 기판 결합체 상에 배치된 거리 측정부와 상기 기판 결합체 사이의 거리를 측정하는 단계;
상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리에 대응하여 상기 레이저의 초점의 위치를 가변하는 단계; 및
상기 제2 영역에 레이저를 조사하는 제2 레이저 스캔 단계를 포함하는 기판 박리 방법.
Forming a substrate assembly comprising a first substrate and a second substrate having flexibility coupled to the first substrate, the substrate assembly being divided into a first region and a second region;
Mounting the substrate assembly on a stage;
A first laser scan step of irradiating a laser onto the first area;
Measuring a distance between the distance measuring unit disposed on the substrate assembly and the substrate assembly;
Varying the position of the focal point of the laser corresponding to the distance between the distance measuring unit and the substrate assembly; And
And a second laser scan step of irradiating a laser onto the second region.
제1 항에 있어서,
상기 레이저의 초점의 위치를 가변하는 단계는 상기 기판 결합체에 상기 스테이지의 높이를 가변하는 것를 포함하는 기판 박리 방법.
According to claim 1,
Varying the position of the focal point of the laser comprises varying the height of the stage in the substrate assembly.
제2 항에 있어서,
상기 거리 측정부는 상기 기판 결합체의 서로 다른 영역과의 거리를 측정하는 제1 거리 측정부 및 제2 거리 측정부를 포함하고,
상기 기판 결합체 상에 배치된 거리 측정부와 상기 기판 결합체 사이의 거리를 측정하는 단계는,
상기 기판 결합체와 상기 제1 거리 측정부와의 거리를 측정하는 것; 및
상기 기판 결합체와 상기 제2 거리 측정부와의 거리를 측정하는 것을 포함하고,
상기 결합체와 상기 제1 거리 측정부와의 거리 및 상기 기판 결합체와 상기 제2 거리 측정부와의 거리로부터 도출되는 상기 기판 결합체의 상부면이 기울어진 정도에 대응하여 상기 스테이지를 기울이는 단계를 더 포함하는 기판 박리 방법.
The method of claim 2,
The distance measuring unit includes a first distance measuring unit and a second distance measuring unit for measuring a distance to different areas of the substrate assembly,
Measuring the distance between the distance measuring unit disposed on the substrate assembly and the substrate assembly,
Measuring a distance between the substrate assembly and the first distance measuring unit; And
Measuring a distance between the substrate assembly and the second distance measuring unit;
Tilting the stage in correspondence with the degree of inclination of the upper surface of the substrate assembly derived from the distance between the assembly and the first distance measuring unit and the distance between the substrate assembly and the second distance measuring unit. Substrate peeling method.
제1 항에 있어서,
상기 레이저의 초점의 위치를 가변하는 단계는 상기 레이저의 초점 거리를 가변하는 것를 포함하는 기판 박리 방법.
According to claim 1,
Varying the position of the focal point of the laser comprises varying the focal length of the laser.
제1 항에 있어서,
상기 레이저의 초점의 위치를 가변하는 단계는 상기 레이저가 출력되는 레이저 출력부의 높이를 가변하는 것을 포함하는 기판 박리 방법.
According to claim 1,
And varying the position of the focal point of the laser comprises varying the height of the laser output portion from which the laser is output.
제1 항에 있어서,
상기 기판 결합체는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치되어 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 결합시키고 상기 레이저에 의하여 결합력이 약화되는 제1 접착층을 더 포함하고,
상기 레이저의 초점의 위치를 가변하는 단계는 상기 제2 영역 내에 배치된 상기 제1 접착층 중 적어도 일부에 상기 레이저의 초점이 배치되도록 하는 것을 포함하는 기판 박리 방법.
According to claim 1,
The substrate assembly further includes a first adhesive layer disposed between the first substrate and the second substrate to bond the first substrate and the second substrate and weaken the bonding force by the laser,
Varying the position of the focal point of the laser comprises causing the focal point of the laser to be placed on at least a portion of the first adhesive layer disposed in the second region.
제6 항에 있어서,
상기 레이저의 초점의 위치를 가변하는 단계는 상기 제2 영역의 중앙에서 상기 제1 접착층의 두께의 중앙에 상기 레이저의 초점이 배치되도록 하는 것을 포함하는 기판 박리 방법.
The method of claim 6,
Varying the position of the focal point of the laser comprises placing the focal point of the laser at the center of the thickness of the first adhesive layer at the center of the second region.
제6 항에 있어서,
상기 기판 결합체는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에서, 상기 기판 결합체의 외곽에 배치되고, 상기 제1 접착층과 다른 물질로 이루어진 제2 접착층을 더 포함하는 기판 박리 방법.
The method of claim 6,
And the substrate assembly further comprises a second adhesive layer between the first substrate and the second substrate, the second adhesive layer being disposed outside the substrate assembly and made of a material different from the first adhesive layer.
제1 항에 있어서,
상기 제1 레이저 스캔 단계 이전에, 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체 사이의 거리를 측정하는 단계를 더 포함하고,
상기 레이저의 초점의 위치를 가변하는 단계는 상기 제1 레이저 스캔 단계 이전에 측정된 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체 사이의 거리와 상기 제1 레이저 스캔 단계 이후에 측정된 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체 사이의 거리의 차에 대응하여 상기 레이저의 초점이 배치되는 위치를 가변하는 것을 포함하는 기판 박리 방법.
According to claim 1,
Before the first laser scanning step, further comprising the step of measuring the distance between the distance measuring unit and the substrate assembly,
The varying position of the focal point of the laser may include the distance between the distance measurer and the substrate assembly measured before the first laser scan step and the distance measurer and the substrate measured after the first laser scan step. And varying a position at which the focal point of the laser is disposed corresponding to the difference in distance between the assemblies.
제1 기판 및 상기 제1 기판과 결합된 가요성을 갖는 제2 기판을 포함하는 기판 결합체에 레이저를 조사하는 레이저 출력부;
상부에 상기 기판 결합체가 안착되는 스테이지;
상기 기판 결합체 상에 배치된 거리 측정부; 및
상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리에 대응하여 상기 레이저의 초점의 위치를 가변하는 제어부를 포함하되,
상기 거리 측정부는 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체 사이의 거리를 측정하는 기판 박리 장치.
A laser output unit configured to irradiate a laser onto a substrate assembly including a first substrate and a second substrate having flexibility coupled to the first substrate;
A stage on which the substrate assembly is mounted;
A distance measurer disposed on the substrate assembly; And
A control unit for varying the position of the focus of the laser corresponding to the distance between the distance measuring unit and the substrate assembly,
And the distance measurer measures a distance between the distance measurer and the substrate assembly.
제10 항에 있어서,
상기 기판 결합체는 제1 영역 및 제2 영역으로 구분되고,
상기 레이저 출력부는 상기 제1 영역에 상기 레이저를 조사하고,
상기 제1 영역에 상기 레이저가 조사된 후, 상기 제어부는 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리에 대응하여 상기 기판 결합체에 상기 레이저의 초점의 위치를 가변하고,
상기 레이저의 초점의 위치가 가변된 후, 상기 레이저 출력부는 상기 제2 영역에 상기 레이저를 조사하는 기판 박리 장치.
The method of claim 10,
The substrate assembly is divided into a first region and a second region,
The laser output unit irradiates the laser to the first area,
After the laser is irradiated to the first region, the control unit changes the position of the focal point of the laser on the substrate assembly in response to the distance between the distance measuring unit and the substrate assembly,
And after the position of the focal point of the laser is changed, the laser output unit irradiates the laser to the second area.
제11 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리에 대응하여 상기 스테이지의 높이를 가변하는 기판 박리 장치.
The method of claim 11, wherein
The control unit is a substrate peeling apparatus for varying the height of the stage corresponding to the distance between the distance measuring unit and the substrate assembly.
제12 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 제1 영역에 상기 레이저를 조사하기 이전의 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리와 상기 제1 영역에 상기 레이저를 조사한 후의 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리의 차이에 대응하여 상기 스테이지의 높이를 가변하는 기판 박리 장치.
The method of claim 12,
The controller is a difference between the distance between the distance measuring unit and the substrate assembly before irradiating the laser to the first region and the distance between the distance measuring unit and the substrate assembly after irradiating the laser to the first region. The substrate peeling apparatus which changes the height of the said stage correspondingly.
제12 항에 있어서,
상기 기판 결합체는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치되어 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 결합시키고, 상기 레이저에 의하여 결합력이 약화되는 제1 접착층을 포함하되,
상기 제어부는 상기 제2 영역의 중앙에서 상기 레이저의 초점이 상기 제1 접착층에 위치하도록 상기 스테이지의 높이를 가변시키는 기판 박리 장치.
The method of claim 12,
The substrate assembly includes a first adhesive layer disposed between the first substrate and the second substrate to bond the first substrate and the second substrate, and weaken the bonding force by the laser.
And the controller is configured to vary the height of the stage such that the focus of the laser is located at the first adhesive layer in the center of the second region.
제12 항에 있어서,
상기 거리 측정부는 상기 기판 결합체의 서로 다른 영역과의 거리를 측정하는 제1 거리 측정부 및 제2 거리 측정부를 포함하고,
상기 제어부는 상기 제1 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리 및 상기 제2 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리로부터 도출되는 상기 기판 결합체의 상부면이 기울어진 정도에 대응하여 상기 스테이지를 기울이는 기판 박리 장치.
The method of claim 12,
The distance measuring unit includes a first distance measuring unit and a second distance measuring unit for measuring a distance to different areas of the substrate assembly,
The controller tilts the stage in response to the degree of inclination of the upper surface of the substrate assembly derived from the distance between the first distance measuring unit and the substrate assembly and the distance between the second distance measuring unit and the substrate assembly. Substrate peeling apparatus.
제11 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리에 대응하여 상기 레이저의 초점 거리를 가변하는 기판 박리 장치.
The method of claim 11, wherein
The control unit is a substrate peeling apparatus for varying the focal length of the laser corresponding to the distance between the distance measuring unit and the substrate assembly.
제16 항에 있어서,
상기 기판 결합체는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치되어 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 결합시키고, 상기 레이저에 의하여 결합력이 약화되는 제1 접착층을 포함하되,
상기 제어부는 상기 제2 영역의 중앙에서 상기 레이저의 초점이 상기 제1 접착층에 위치하도록 상기 레이저의 초점 거리를 가변하는 기판 박리 장치.
The method of claim 16,
The substrate assembly includes a first adhesive layer disposed between the first substrate and the second substrate to bond the first substrate and the second substrate, and weaken the bonding force by the laser.
And the controller is configured to vary the focal length of the laser so that the focal point of the laser is located at the first adhesive layer in the center of the second region.
제11 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 거리 측정부와 상기 기판 결합체와의 거리에 대응하여 상기 레이저 출력부의 높이를 가변하는 기판 박리 장치.
The method of claim 11, wherein
And the control unit varies the height of the laser output unit in response to a distance between the distance measuring unit and the substrate assembly.
제18 항에 있어서,
상기 기판 결합체는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치되어 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 결합시키고, 상기 레이저에 의하여 결합력이 약화되는 제1 접착층을 포함하되,
상기 제어부는 상기 제2 영역의 중앙에서 상기 레이저의 초점이 상기 제1 접착층에 위치하도록 상기 레이저 출력부의 높이를 가변하는 기판 박리 장치.
The method of claim 18,
The substrate assembly includes a first adhesive layer disposed between the first substrate and the second substrate to bond the first substrate and the second substrate, and weaken the bonding force by the laser.
And the controller is configured to vary the height of the laser output unit so that the focal point of the laser is located at the first adhesive layer in the center of the second region.
제17 항에 있어서,
상기 기판 결합체는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에서, 상기 기판 결합체의 외곽에 배치되고, 상기 제1 접착층과 다른 물질로 이루어진 제2 접착층을 더 포함하는 기판 박리 장치.
The method of claim 17,
The substrate assembly further includes a second adhesive layer disposed between the first substrate and the second substrate, the substrate assembly being formed outside of the substrate assembly, and formed of a material different from the first adhesive layer.
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