KR20140129194A - 노광 묘화 장치 및 노광 묘화 방법 - Google Patents

Abstract

각 피노광 기판에 대한 노광 처리시에 있어서의 노광 장치 내의 진애 레벨을 확인할 수 있는 노광 묘화 장치 및 노광 묘화 방법을 제공한다. 피노광 기판을 노광함으로써 회로 패턴을 묘화하는 노광 수단과, 노광 묘화 장치 내의 미립자의 입자수를 계수하는 계수 수단과, 노광 수단에 의한 노광 처리 중에 계수 수단에 의해 계수된 입자수가 회로 패턴의 패턴에 관한 사이즈에 의거해서 정해진 역치 이상인지의 여부를 판정하는 판정 수단과, 판정 수단에 의해 역치 이상이라고 판정되었을 경우에 피노광 기판에 대하여 미리 정해진 정보를 부가하는 부가 수단을 구비했다.

Description

노광 묘화 장치 및 노광 묘화 방법{EXPOSURE DRAWING DEVICE AND EXPOSURE DRAWING METHOD}

본 발명은 노광 묘화 장치 및 노광 묘화 방법에 관한 것이고, 특히 피노광 기판에 대하여 광 빔을 노광함으로써 회로 패턴을 묘화하는 노광 묘화 장치, 노광 묘화 장치에 의해 실행되는 프로그램, 및 피노광 기판에 대하여 광 빔을 노광함으로써 회로 패턴을 묘화하는 노광 묘화 방법에 관한 것이다.

종래, 반도체 장치의 제조시에 제조 장치 내에서 부유하는 진애가 웨이퍼에 부착되는 것이 문제가 되고 있었다. 그 때문에, 일본 특허공개 평 8-5542호 공보에는 제조 중에 웨이퍼에 부착되어 있는 진애수를 예측하는 반도체 장치의 제조 장치가 제안되어 있다. 이 제조 장치는 진공의 처리실에 부유하고 있는 진애수를 계측하는 진애 계측 장치와, 계측된 진애수를 처리실 내에 부유하고 있는 진애수와 이 처리실에서 처리된 웨이퍼에 부착된 진애수의 상관 관계에 조합함으로써 처리실 내에서 처리되는 웨이퍼에 부착되어 있는 진애수를 예측하는 데이터 처리 장치를 구비하고 있다. 이 구성에 의해, 유저는 반도체 장치의 제조 중에 웨이퍼에 부착되어 있는 진애수를 예측하고, 예측한 진애수가 기준값 이상일 경우에 처리실의 처리를 중지하고 점검 청소할 수 있다.

한편, 피노광 기판에 대하여 광 빔을 노광함으로써 회로 패턴을 묘화하는 노광 묘화 장치에 있어서도 마찬가지로, 종래의 전사 마스크를 사용하는 방법으로 노광을 행할 경우에는 제조 중에 전사 마스크에 부착되어 있던 진애가 피노광 기판에 부착되면 피노광 기판이 로트 단위(잡 단위)에서 불량품이 되어버리기 때문에, 제조 현장에 있어서 진애 부착의 유무를 확인할 수 있는 것이 요망되고 있었다.

이것에 대하여, 전사 마스크를 사용하지 않는 직접 묘화형의 방법으로 노광을 행할 경우도 있고, 이 경우에는 원리적으로 전사 마스크가 없기 때문에 전사 마스크에 부착되는 진애에 의한 로트 단위에서의 불량품 발생은 없다. 그러나, 제조 현장에 있어서 노광 처리시의 피노광 기판의 불량 발생률을 전사 마스크를 사용하고 있었던 시대에 길러진 진애에 대한 인식, 즉 불량품의 발생률을 높게 견적한 상태에서 또한, 묘화되는 화상 패턴의 고정세화에 따라서 불량품을 발생시키는 진애의 입자 사이즈가 소사이즈화 되고 있는 것에의 불안감이 더해져, 유저가 보이지 않는 진애에 대하여 과민해져서 필요 이상의 진애 대책을 실시하고 있는 현상이 있다.

노광 묘화 장치에 있어서의 진애 대책으로서, 상기 일본 특허공개 평 8-5542호 공보에 개시되어 있는 반도체 장치의 제조 장치에 있어서의 진애 대책을 노광 묘화 장치에 적용하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 상기 일본 특허공개 평 8-5542호 공보의 진애 대책에서는 예측한 진애수가 규정값을 초과하고 있는 경우에 처리를 중지하는 구성이기 때문에, 각 웨이퍼에 대해서 제조 중의 진애수를 제조 후에 확인할 수 없다는 문제가 있었다.

본 발명은 상기 문제를 고려하여 이루어진 것으로서, 각 피노광 기판에 대한 노광 처리시에 있어서의 노광 장치 내의 진애 레벨을 확인할 수 있는 노광 묘화 장치 및 노광 묘화 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제 1 형태에 의한 노광 묘화 장치는 피노광 기판을 노광함으로써 회로 패턴을 묘화하는 노광 수단과, 노광 묘화 장치 내의 미립자의 입자수를 계수하는 계수 수단과, 상기 노광 수단에 의한 노광 처리 중에 상기 계수 수단에 의해 계수된 입자수가 상기 회로 패턴의 패턴에 관한 사이즈에 의거해서 정해진 역치 이상인지의 여부를 판정하는 판정 수단과, 상기 판정 수단에 의해 역치 이상이라고 판정되었을 경우에 상기 피노광 기판에 대하여 미리 정해진 정보를 부가하는 부가 수단을 구비하고 있다.

제 1 형태에 의한 노광 묘화 장치에 의하면, 노광 수단에 의해 피노광 기판을 노광함으로써 회로 패턴이 묘화되고, 계수 수단에 의해 노광 묘화 장치 내의 미립자의 입자수가 계수된다.

여기서, 본 발명에서는 판정 수단에 의해 상기 노광 수단에 의한 노광 처리 중에 상기 계수 수단에 의해 계수된 입자수가 상기 회로 패턴의 패턴에 관한 사이즈에 의거해서 정해진 역치 이상인지의 여부가 판정되고, 부가 수단에 의해 상기 판정 수단에 의해 역치 이상이라고 판정되었을 경우에 상기 피노광 기판에 대하여 미리 정해진 정보가 부가된다. 또한, 「노광 처리」란 피노광 기판을 노광 묘화 장치의 내부에 반입해서 피노광면으로의 노광을 개시해 상기 피노광면에 대한 노광을 완료시키는 일련의 처리 동작을 말한다.

이와 같이, 제 1 형태에 의한 노광 묘화 장치에 의하면, 노광 처리 중에 장치 내의 미립자의 입자수가 역치 이상이 된 피노광 기판에 미리 정해진 정보가 부가되는 결과, 각 피노광 기판에 대한 노광 처리시에 있어서의 노광 장치 내의 진애 레벨을 확인할 수 있다.

또한, 본 발명은 제 2 형태에 의한 발명과 같이, 상기 패턴에 관한 사이즈는 상기 회로 패턴에 있어서의 인접하는 패턴 사이의 피치폭의 최소값, 패턴폭의 최소값, 및 랜드 지름의 최소값 중 적어도 하나이도록 해도 된다. 이것들에 의해, 피노광 기판에 묘화되는 회로 패턴에 따라서 적절한 역치를 결정할 수 있다.

또한, 본 발명은 제 3 형태에 의한 발명과 같이, 상기 계수 수단은 상기 입자수를 상기 미립자의 입경 범위마다 계수하여 상기 역치가 상기 입경 범위마다 정해지고, 상기 판정 수단은 상기 입자수가 미리 정해진 역치 이상인지의 여부를 상기 입경 범위마다 판정하여 1개 이상의 입경 범위의 입자수가 상기 입경 범위마다 정해진 역치 이상이었을 경우에 역치 이상이었다고 판정하도록 해도 된다. 이것에 의해, 미립자의 종류마다 미립자의 입경이 다른 것을 고려하여 미립자의 종류마다 입자수가 역치 이상인지의 여부를 판정할 수 있다.

또한, 본 발명은 제 4 형태에 의한 발명과 같이, 상기 피노광 기판의 식별 정보를 취득하는 취득 수단과, 상기 계수 수단에 의해 계수된 입자수를 상기 취득 수단에 의해 취득된 상기 식별 정보에 대응시켜서 기억하는 기억 수단을 더 구비하도록 해도 된다. 이것에 의해, 피노광 기판의 식별 정보에 의거하여 노광 처리 중에 장치 내에 존재하고 있었던 미립자의 입자수를 확인할 수 있다.

또한, 본 발명은 제 5 형태에 의한 발명과 같이, 상기 판정 수단은 상기 계수 수단에 의해 계수된 입자수가 미리 정해진 복수의 구분 중 어느 구분에 속할지를 더 판정하고, 상기 부가 수단은 상기 피노광 기판에 대하여 상기 판정 수단에 의해 판정된 구분을 나타내는 정보를 상기 미리 정해진 정보로서 부가하도록 해도 된다. 이것에 의해, 각 피노광 기판에 대한 노광 처리시에 있어서의 노광 장치 내의 진애 레벨을 보다 상세하게 확인할 수 있다.

또한, 본 발명은 제 6 형태에 의한 발명과 같이, 상기 부가 수단에 의해 상기 구분을 나타내는 정보가 부가된 피노광 기판을 상기 구분마다 정렬시키는 정렬 수단을 더 구비하도록 해도 된다. 이것에 의해, 각 피노광 기판에 대한 노광 처리시에 있어서의 노광 장치 내의 진애 레벨을 보다 간단하게 확인할 수 있다.

또한, 본 발명은 제 7 형태에 의한 발명과 같이, 상기 판정 수단에 의해 상기 역치 이상이라고 판정되었을 경우 그 시점에 행하여지고 있는 노광 처리가 완료된 시점에서 노광 처리를 정지하고, 상기 정지한 후에 상기 판정 수단에 의해 상기 역치 이상이 아니라고 판정되었을 경우 노광 처리를 재개하는 노광 제어 수단을 더 구비하도록 해도 된다. 이것에 의해, 노광에 실패함으로써 피노광 기판의 불량품이 발생해버리는 것을 미연에 방지할 수 있다.

또한, 본 발명은 제 8 형태에 의한 발명과 같이, 허용할 수 있는 진애에 의한 불량 발생률의 입력을 접수하는 접수 수단을 구비하고, 상기 역치는 상기 패턴에 관한 사이즈 및 상기 접수 수단에 의해 접수된 불량 발생률에 의거하여 정해지도록 해도 된다. 또한, 본 발명은 제 9 형태에 의한 발명과 같이, 부유하고 있는 미립자의 입자수에 대한 상기 피노광 기판에 부착되는 미립자의 입자수 비율의 입력을 접수하는 접수 수단을 구비하고, 상기 역치는 상기 패턴에 관한 사이즈 및 상기 접수 수단에 의해 접수된 비율에 의거하여 정해지도록 해도 된다. 이것들에 의해, 제조 환경에 따라 적절한 역치를 결정할 수 있다.

한편, 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제 10 형태에 의한 프로그램은 컴퓨터를, 피노광 기판을 노광함으로써 회로 패턴을 묘화하는 노광 수단을 갖는 노광 묘화 장치 내의 미립자의 입자수를 계수하는 계수 수단과, 상기 노광 수단에 의한 노광 처리 중에 상기 계수 수단에 의해 계수된 입자수가 상기 회로 패턴의 패턴에 관한 사이즈에 의거해서 정해진 역치 이상인지의 여부를 판정하는 판정 수단과, 상기 판정 수단에 의해 역치 이상이라고 판정되었을 경우 상기 피노광 기판에 대하여 미리 정해진 정보를 묘화하는 묘화 수단으로서 기능시킨다.

따라서, 제 10 형태에 의한 프로그램에 의하면, 컴퓨터를 제 1 형태에 의한 발명과 마찬가지로 작용시킬 수 있으므로, 제 10 형태에 의한 발명과 마찬가지로 각 피노광 기판에 대한 노광 처리시에 있어서의 노광 장치 내의 진애 레벨을 확인할 수 있다.

한편, 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제 11 형태에 의한 노광 묘화 방법은 피노광 기판을 노광함으로써 회로 패턴을 묘화하는 노광 수단을 갖는 노광 묘화 장치 내의 미립자의 입자수를 계수하는 계수 스텝과, 상기 노광 수단에 의한 노광 처리 중에 상기 계수 스텝에 의해 계수된 입자수가 상기 회로 패턴의 패턴에 관한 사이즈에 의거해서 정해진 역치 이상인지의 여부를 판정하는 판정 스텝과, 상기 판정 스텝에 의해 역치 이상이라고 판정되었을 경우 상기 피노광 기판에 대하여 미리 정해진 정보를 묘화하는 묘화 스텝을 구비하고 있다.

따라서, 본 발명의 제 11 형태에 의한 노광 묘화 방법에 의하면, 제 1 형태에 의한 발명과 마찬가지로 작용하므로, 제 1 형태에 의한 발명과 마찬가지로 각 피노광 기판에 대한 노광 처리시에 있어서의 노광 장치 내의 진애 레벨을 확인할 수 있다.

(발명의 효과)

본 발명에 의하면, 각 피노광 기판에 대한 노광 처리시에 있어서의 노광 장치 내의 진애 레벨을 확인할 수 있다는 효과를 나타낸다.

도 1은 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템의 전체의 구성을 나타내는 구성 도이다.
도 2는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치의 내부 구성을 나타내는 사시도이다.
도 3은 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서의 진애 계측 장치에 의한 공기의 흡입 위치를 나타내는 도면이다.
도 4는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치의 진애 계측 장치의 구성을 나타내는 개략 상면도이다.
도 5는 실시형태에 의한 노광 묘화 장치의 전기 계통의 구성을 나타내는 블럭도이다.
도 6은 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템 제어 장치의 전기 계통의 구성을 나타내는 블럭도이다.
도 7은 제 1 실시형태에 의한 노광 처리 프로그램의 처리 흐름을 나타내는 플로우차트이다.
도 8은 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서 피노광 기판에 묘화되는 화상의 일례를 나타내는 부분 확대도이다.
도 9는 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 의해 마크가 형성된 피노광 기판의 일례를 나타내는 정면도이다.
도 10은 제 2 실시형태에 의한 노광 처리 프로그램의 처리 흐름을 나타내는 플로우차트이다.
도 11은 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 의해 마크가 형성된 피노광 기판의 일례를 나타내는 정면도이다.
도 12는 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 있어서 작성되는 계측 결과 정보의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 13은 제 3 실시형태에 의한 노광 처리 프로그램의 처리 흐름을 나타내는 플로우차트이다.
도 14는 제 3 실시형태에 의한 노광 묘화 장치에 의해 마크가 형성된 피노광 기판의 일례를 나타내는 정면도이다.
도 15는 제 4 실시형태에 의한 정렬 처리 프로그램의 처리 흐름을 나타내는 플로우차트이다.

〔제 1 실시형태〕

이하, 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템에 대해서 첨부 도면을 이용하여 상세하게 설명한다. 또한, 제 1 실시형태에서는 노광 묘화 시스템(1)으로서 프린트 배선 기판 및 플랫 판넬 디스플레이용 유리 기판 등의 평판 기판을 피노광 기판으로 하여 피노광 기판의 한면 또는 양면에 노광 묘화를 행하는 시스템을 예로서 설명한다.

도 1은 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)의 전체의 구성을 나타내는 구성도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 노광 묘화 시스템(1)은 피노광 기판[후술하는 피노광 기판(C)]에 노광을 행함과 아울러 장치 내의 미립자의 입자수를 계측해서 상기 입자수가 역치 이상이었을 경우에 피노광 기판(C)에 마크[후술하는 마크(M)]를 기록하는 노광 묘화 장치(2), 및 노광 묘화 장치(2)에 의한 노광 묘화나 마크(M)의 형성을 제어하는 제어 장치(3)를 구비하고 있다.

도 2는 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(2)의 내부 구성을 나타내는 사시도이다. 또한, 이하에서는 스테이지(10)가 이동하는 방향을 Y방향이라고 정하고, 이 Y방향에 대하여 수평면 내에서 직교하는 방향을 X방향이라고 정하고, Y방향으로 연직면 내에서 직교하는 방향을 Z방향이라고 정하고, 또한 Z축을 중심으로 해서 시계 방향으로 회전하는 회전 방향을 θ방향이라고 정한다.

도 2에 나타내는 바와 같이, 노광 묘화 장치(2)는 피노광 기판(C)을 고정하기 위한 평판 형상의 스테이지(10)를 구비하고 있다. 스테이지(10)는 상면에 피노광 기판(C)이 적재되었을 때에 피노광 기판(C) 및 스테이지(10) 사이의 공기를 흡입하여 피노광 기판(C)을 상면에 진공 흡착시킨다. 또한, 스테이지(10)는 이동 가능하게 구성되어 있어서 스테이지(10)에 고정된 피노광 기판(C)은 스테이지(10)의 이동에 따라 노광 위치까지 이동하고, 후술하는 노광부(16)에 의해 광 빔이 조사되어 회로 패턴 등의 화상이 묘화된다.

스테이지(10)는 테이블 형상의 기체(11)의 상면에 이동 가능하게 설치된 평판 형상의 기대(12)에 지지되어 있다. 기체(11)의 상면에는 1개 또는 복수개(본 실시형태에서는 2개)의 가이드 레일(14)이 설치되어 있다. 기대(12)는 가이드 레일(14)을 따라 Y방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 지지되어 있고, 모터 등에 의해 구성된 스테이지 구동부[후술하는 스테이지 구동부(41)]에 의해 이동한다. 그리고, 스테이지(10)는 이 이동 가능한 기대(12)의 상면에 지지됨으로써 기대(12)의 이동에 연동해서 가이드 레일(14)을 따라 이동한다.

기체(11)의 상면에는 가이드 레일(14)에 걸치도록 문 형의 게이트(15)가 세워서 설치되어 있고, 이 게이트(15)에는 스테이지(10)에 적재된 피노광 기판(C)의 표면에 대하여 노광하는 노광부(16)가 부착되어 있다. 노광부(16)는 복수개(본 실시형태에서는 16개)의 노광 헤드(16a)를 포함하여 구성되어 있고, 스테이지(10)의 이동 경로 상에 고정 배치되어 있다. 노광부(16)에는 후술하는 광원 유닛(17)으로부터 인출된 광파이버(18)와, 후술하는 화상 처리 유닛(19)으로부터 인출된 신호 케이블(20)이 각각 접속되어 있다.

각 노광 헤드(16a)는 반사형의 공간 광변조 소자로서의 디지털 마이크로미러 디바이스(DMD)를 갖고, 화상 처리 유닛(19)으로부터 입력되는 화상 데이터에 의거하여 DMD를 제어해서 광원 유닛(17)으로부터의 광 빔을 변조한다. 노광 묘화 장치(2)는 이 변조한 광 빔을 피노광 기판(C)에 조사함으로써 노광을 행한다. 또한, 공간 광변조 소자로서 액정 등의 투과형의 공간 광변조 소자를 사용해도 된다.

노광 헤드(16)의 부근에는 피노광 기판(C)에 대하여 자외선 빔을 조사하는 자외선 광원(21)이 설치되어 있다. 자외선 빔의 조사 시간은 피노광 기판(C)에 도포되어 있는 감광 재료에 따라 각각 최적의 시간이 설정된다. 또한, 자외선 광원(21)의 설치 위치는 노광 헤드(16a) 부근에 한정되지 않고, 피노광 기판(C)의 일부에 자외선 빔을 조사할 수 있는 위치이면 된다. 또한, 본 실시형태에서는 자외선 광원(21)은 고정되어 있지만, 이것에 한정되지 않고 모터 등에 의해 자외선 빔의 조사 대상 위치에 따라 자유롭게 이동 가능하게 구성되어 있어도 된다. 또한, 자외선 광원(21)은 피노광 기판(C)의 이면측의 면[스테이지(10)에 접하는 측의 면]에 자외선 빔을 조사할 수 있도록 스테이지(10)의 하방에 설치되어 있어도 된다. 이 경우에는, 스테이지(10)에는 자외선 빔을 두께 방향으로 통과시키기 위한 관통 구멍이 형성된다.

기체(11)의 상면에는 가이드 레일(14)에 걸치도록 게이트(22)가 더 설치되어 있다. 게이트(22)에는 스테이지(10)에 적재된 피노광 기판(C)에 형성된 노광 기준용 얼라인먼트 마크를 촬영하기 위한 1개 또는 복수개(본 실시형태에서는 2개)의 촬영부(23)가 부착되어 있다. 촬영부(23)는 1회의 발광 시간이 매우 짧은 스트로보를 내장한 CCD 카메라 등이다. 각각의 촬영부(23)는 수평면 내에 있어서 스테이지(10)의 이동 방향(Y방향)에 대하여 수직인 방향(X방향)으로 이동 가능하게 설치되어 있다.

노광 묘화 장치(2)는 외부로부터 제 1 반송부(5)에 반입된 피노광 기판(C)을 스테이지(10)의 상면에 반송하는 오토 캐리어 핸드(이하, AC 핸드라고 한다.)(24)를 구비하고 있다. AC 핸드(24)는 평판 형상으로 형성됨과 아울러, 수평 방향 및 연직 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 또한, AC 핸드(24)의 하면에는 에어를 흡인함으로써 피노광 기판(C)을 진공 흡착에 의해 흡착 유지하는 흡착부(25)를 갖는 흡착 기구와, 피노광 기판(C)을 하방을 향해서 압박하는 상하 이동 가능한 압박부(26)를 갖는 압박 기구가 설치되어 있다. AC 핸드(24)는 제 1 반송부(5)에 적재된 미노광의 피노광 기판(C)을 흡착 기구에 의해 흡착 유지함으로써 상방으로 매달아 올리고, 매달아 올린 피노광 기판(C)을 스테이지(10)의 상면의 미리 정해진 위치에 적재한다.

AC 핸드(24)는 피노광 기판(C)을 스테이지(10)에 적재시킬 때에, 압박 기구에 의해 피노광 기판(C)을 스테이지(10)에 압박하면서 흡착부(25)에 의한 흡착을 해제함으로써 피노광 기판(C)을 스테이지(10)에 진공 흡착시켜 피노광 기판(C)을 스테이지(10)에 흡착 고정시킨다. 또한, AC 핸드(24)는 스테이지(10)의 상면에 적재된 노광 완료된 피노광 기판(C)을 흡착 기구에 의해 흡착 유지함으로써 상방으로 매달아 올리고, 매달아 올린 피노광 기판(C)을 흡착 유지한 상태로 제 2 반송부(6)까지 이동시킨 뒤, 흡착 기구에 의한 흡착을 해제함으로써 피노광 기판(C)을 제 2 반송부(6)로 이동시킨다. 제 2 반송부(6)로 반송된 피노광 기판(C)은 노광 묘화 장치(2)의 외부로 배출된다.

여기서, 노광 묘화 장치(2)는 장치 내의 미립자의 입자수를 계측하는 복수(본 실시형태에서는 3개)의 진애 계측 장치(4)를 구비하고 있다. 진애 계측 장치(4)는 주위의 공기를 흡입하고, 흡입한 공기에 포함된 미립자의 입자수를 계측하는 소위 파티클 카운터(Particle Counter)이다.

도 3은 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(2)에 있어서의 진애 계측 장치(4)에 의한 공기의 흡입 위치를 나타내는 도면이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 노광 묘화 장치(2)의 장치 내부에 있어서 스테이지 이동 방향(Y방향)에 있어서의 노광이 행하여지는 위치로부터 피노광 기판(C)이 적재되는 위치로 향하는 방향으로 공기가 흐르고 있어서, 내부의 공기가 피노광 기판(C)이 적재되는 위치에 있어서 외부로 배출된다.

노광 묘화 장치(2)에서는 장치 내부의 미립자의 입자수를 보다 정확하게 계측하기 위해서, 공기 흐름의 하류측의 소정 위치[본 실시형태에서는 제 1 반송부(5) 및 스테이지(10) 사이의 위치, 스테이지(10)의 적재 위치보다 공기 흐름의 하류측 위치, 및 스테이지(10) 및 제 2 반송부(6) 사이의 위치]에 각각 진애 계측 장치(4)에 공기를 흡입하는 튜브(4a)가 배치되어 있다. 또한, 튜브(4a)의 공기 입구는 스테이지(10)의 상면과 거의 같은 높이(Z방향에 있어서의 거의 같은 위치)에 설치되어 있다. 이러한 구성에 의해, 진애 계측 장치(4)에 의해 스테이지(10)의 상면 근방[즉 피노광 기판(C)의 근방]의 미립자의 입자수를 계측할 수 있다.

도 4는, 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(2)의 진애 계측 장치(4)의 구성을 나타내는 개략 상면도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 진애 계측 장치(4)는 외부의 공기[노광 묘화 장치(2)의 장치 내부의 공기](K)를 튜브(4a)를 통해서 장치 내부에 흡입하는 흡입창(30)과, 흡입한 공기(K)를 장치 외부[노광 묘화 장치(2)의 장치 내부]로 배출하는 배출창(31)을 구비하고 있다. 노광 묘화 장치(2)의 장치 내부에 있어서 스테이지 이동 방향을 따라 흐르고 있는 공기(K)는, 흡입창(30)을 통해서 진애 계측 장치(4)의 장치 내부에 유입된 후에 배출창(31)을 통해서 진애 계측 장치(4)의 장치 외부로 유출된다.

또한, 진애 계측 장치(4)에는 레이저 광(L)을 발생시키는 레이저 발생 장치(32), 발생한 레이저 광(L)을 유입된 공기(K)의 경로를 가로지르도록 출사시키는 출사창(33), 및 출사한 레이저 광(L)이 공기(K)의 경로 상을 통과한 후에 입사하는 입사창(34)이 설치되어 있다. 레이저 광(L)이 공기(K)의 경로 상을 통과할 때에 공기(K) 내부에 미립자가 포함되어 있으면, 레이저 광(L) 내의 미립자(P)에 충돌한 일부가 산란된다. 진애 계측 장치(4)에는 이 산란된 레이저 광(L)을 집광하는 집광 렌즈(35), 및 집광 렌즈(35)에 의해 집광된 레이저 광(L)을 검출하는 검출 장치(36)가 설치되어 있다. 진애 계측 장치(4)는 검출 장치(36)에 의한 검출값에 의거하여 미립자를 검출해서 각각의 미립자의 입경을 측정함으로써 검출된 미립자의 개수를 입경마다 계수한다. 진애 계측 장치(4)는 검출된 미립자의 입자수를 나타내는 신호를 제어 장치(3)에 대하여 송신한다.

도 5는 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(2)의 전기 계통의 구성을 나타내는 블럭도이다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 노광 묘화 장치(2)에는 장치 각 부에 각각 전기적으로 접속되는 시스템 제어부(40)가 설치되어 있고, 이 시스템 제어부(40)가 각 부를 통괄적으로 제어하고 있다. 시스템 제어부(40)는 AC 핸드(24)를 제어해서 피노광 기판(C)의 스테이지(10)에의 반입 동작 및 스테이지(10)로부터의 배출 동작을 행하게 한다. 또한, 시스템 제어부(40)는 스테이지 구동부(41)를 제어하여 스테이지(10)의 이동을 행하게 하면서, 후술하는 이동 제어부(43)를 통해서 촬영부(23)를 이동시켜서 피노광 기판(C)의 얼라인먼트 마크의 촬영을 행하여 노광 위치를 조정함과 아울러 광원 유닛(17) 및 화상 처리 유닛(19)을 제어해서 노광 헤드(16a)에 노광 처리를 행하게 한다. 상술한 바와 같이, 「노광 처리」란 피노광 기판(C)을 노광 묘화 장치(2)의 내부에 반입해서 피노광면에의 노광을 개시하여 상기 피노광면에 대한 노광을 완료시키는 일련의 처리 동작을 말한다. 시스템 제어부(40)는 제어 장치(3)로부터 노광 개시를 지시하기 위한 신호를 수신한 타이밍에서 피노광 기판(C)에 대한 노광 처리를 개시함과 아울러, 노광 정지를 지시하기 위한 신호를 수신한 타이밍에서 그때 행하여지고 있는 피노광 기판(C)에 대한 노광 처리를 완료한 시점에 노광 처리를 정지한다.

또한, 시스템 제어부(40)는 미리 정해진 타이밍에서 진애 계측 장치(4)로부터 입경마다 미립자의 입자수를 취득한다. 상기 타이밍은 피노광 기판(C)의 노광 개시 직전, 노광 중 및 노광 완료 직후의 타이밍이어도 되고, 미리 정해진 시간의 경과별 타이밍이어도 된다.

또한, 노광 묘화 장치(2)는 조작 장치(42)를 구비하고 있다. 조작 장치(42)는 시스템 제어부(40)의 제어에 의해 정보를 표시하는 표시부와 유저 조작에 의해 정보를 입력하는 입력부를 갖는다. 상기 입력부는 예를 들면, 피노광 기판(C)의 최소 패턴폭 등을 입력할 때에 유저에 의해 조작된다.

또한, 노광 묘화 장치(2)는 이동 제어부(43)를 구비하고 있다. 이동 제어부(43)는 시스템 제어부(40)의 지시에 의거하여 피노광 기판(C)의 얼라인먼트 마크가 스테이지(10)의 이동시에 복수의 촬영부(23) 중 어느 하나 또는 각각의 촬영 영역의 중앙을 통과하도록 촬영부(23)의 이동 구동을 제어하고 있다.

도 6은 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)의 제어 장치(3)의 전기 계통의 구성을 나타내는 블럭도이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 노광 묘화 시스템(1)은 노광 묘화 시스템(1)에 있어서의 노광 처리를 제어하는 제어부(50), 제어부(50)에 의한 노광 처리에 필요한 노광 처리 프로그램이나 각종 데이터를 기억하는 ROM 및 HDD 등을 갖는 기억부(51), 제어부(50)의 제어에 의거하여 데이터를 표시하는 디스플레이 등의 표시부(52), 유저 조작에 의해 데이터를 입력하는 키보드 등의 입력부(53), 및 제어부(50)의 제어에 의거하여 노광 묘화 장치(2)에 대한 데이터의 송수신을 행하는 통신 인터페이스(54)를 구비하고 있다.

여기서, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(2)는 피노광 기판(C)의 노광 처리 중에 장치 내의 미립자의 입자수를 계측하고, 계측된 입자수가 역치 이상이었을 경우에 노광 중인 피노광 기판(C)에 대하여 입자수에 관한 정보를 기록하는 기능을 구비하고 있다.

종래의 노광 묘화 장치에서는 진애 대책으로서 장치 내의 미립자의 입자수를 계측하고 있지 않기 때문에, 제조 현장에 있어서 유저가 피노광 기판(C)에 진애가 부착되어 있는 것을 모른 채 피노광 기판(C)에 대하여 노광하여, 결과적으로 불량품을 생산하고 있을지도 모른다는 유저의 잠재적인 불안이 있었다.

그래서, 본 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(2)에서는 노광 처리 중에 장치 내의 미립자의 입자수를 상시 계측하고, 계측된 입자수가 역치 이상이었을 경우에 그 취지를 나타내는 미리 정해진 마크[예를 들면 도 9에 나타낸 마크(M)]를 피노광 기판(C)에 묘화한다. 이것에 의해, 유저가 노광 완료된 피노광 기판(C)에 대해서 기판마다 노광 처리시의 진애 레벨(계측된 입자수가 역치 이상인지의 여부 등)을 확인할 수 있으므로 유저의 불안을 해소할 수 있다.

또한, 검사 대상이 되는 노광 완료된 피노광 기판(C)에 마크(M)가 형성되어 있는 경우에, 검사 담당자는 그 피노광 기판(C)의 노광 처리시에 있어서의 진애 레벨이 높은(즉 계측된 입자수가 큰) 것을 인식하여 검사에 대한 의식 레벨을 높일 수 있기 때문에, 결과적으로 검사 불량을 억제할 수 있다. 또한, 시인하는 것이 곤란한 진애에 대하여 유저가 진애 레벨과 피노광 기판(C)의 불량 발생률의 상관 관계를 파악할 수 있으므로, 진애 대책을 필요 최소한의 대책으로 억제할 수 있기 때문에 생산 공정 작업의 효율화로 이어진다.

이어서, 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)에 의한 작용에 대하여 설명한다.

도 7은 제 1 실시형태에 의한 노광 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우차트이며, 상기 프로그램은 제어 장치(3)의 기억부(51)에 구비된 기록 매체인 ROM의 소정 영역에 미리 기억되어 있다.

제어 장치(3)의 제어부(50)는 미리 정해진 타이밍[본 실시형태에서는, 미리 정해진 복수의 피노광 기판(C)에 대하여 연속적으로 노광을 행하는 처리가 개시되는 타이밍]에서 상기 노광 처리 프로그램을 실행한다.

우선 처음으로, 스텝 S101에 있어서 제어부(50)는 피노광 기판(C)에 노광되는 화상(본 실시형태에서는 회로 패턴)의 화상 정보로부터 최소 패턴 사이즈를 산출한다. 이것은 피노광 기판(C)에 노광되는 회로 패턴이 세밀화될수록 피노광 기판(C)에 부착되는 것을 허용할 수 있는지 여부를 역치로 하는 미립자의 입경(이하, 허용 진애 사이즈라고도 한다.)이 소사이즈화 되는 것을 고려한 것이다.

도 8은 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(2)에 있어서 피노광 기판(C)에 묘화되는 화상의 일례를 나타내는 부분 확대도이다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 의한 패턴 사이즈는 묘화되는 각각의 패턴의 폭인 패턴폭, 인접하는 패턴 사이의 거리 또는 인접하는 패턴 및 랜드 사이의 거리인 피치폭, 및 각각의 패턴의 랜드 지름의 3종류이다. 또한, 본 실시형태에 의한 최소 패턴 사이즈는 패턴폭의 최소값, 피치폭의 최소값, 및 랜드 지름의 최소값 중에서의 최소값이다. 또는, 피치폭의 최소값을 최소 패턴 사이즈로 해도 된다.

이어서, 스텝 S103에 있어서 제어부(50)는 노광 묘화 장치(2)의 내부에 존재하는 각각의 입경의 미립자에 대해서, 존재하는 것을 허용할 수 있는지의 여부를 역치로 하는 입자수를 입경마다 나타내는 테이블을 작성한다. 이 테이블은, 후술하는 스텝 S109에 있어서 역치를 정할 때에 사용된다.

테이블을 작성할 때에는, 제어부(50)는 우선 단위체적 내에 포함되는 미립자의 입자수인 진애 농도를 산출한다. 진애 농도는 JIS B 9920에 의해, 하기의 (1)식으로 정의되어 있다. 또한, (1)식에 있어서의 우변 제 2 항의 0.1은 정수(단위는 ㎛)이다.

여기서, 클래스 수는 클린룸의 클린도를 나타내고 있고, 종래 1cf(약 0.0283㎥;입체 피트) 중 입경 0.5㎛ 이상인 입자 개수에 의해 1~9로 클래스가 나뉘어져 있고, 현재도 이 지표로 관리되는 경우가 많다. 또한, ISO(국제 표준화 기구)에서는 1㎥ 중 입경이 지름 φ0.1㎛ 이상인 입자수에 의해 클래스가 나누어져 있지만, 본 실시형태에서는 종래법의 단위를 기초로 해서 설명한다.

초기 상태에서 설정되는 테이블은, 상기 식을 이용하여 작성한다. 예를 들면, 입경이 φ0.5㎛ 이상인 입경 범위의 미립자 입자수의 역치가 100개였을 경우의 다른 입경 이상인 미립자의 입자수는 하기의 표 1이 된다. 하기의 표 1에서는 0.3㎛ 이상인 입경 범위의 미립자 입자수의 역치가 289개, 0.7㎛ 이상인 입경 범위의 미립자 입자수의 역치가 50개, 1㎛ 이상인 입경 범위의 미립자 입자수의 역치가 24개, 2㎛ 이상인 입경 범위의 미립자 입자수의 역치가 6개, 5㎛ 이상인 입경 범위의 미립자 입자수의 역치가 1개로 되어 있다.

또한, 진애 상한 농도를 φ0.5㎛ 이상인 입경을 기준으로 해서 복수 레벨로 레벨 나누기한 예를 하기의 표 2에 나타낸다. 하기의 표 2에 의하면, φ0.5㎛ 이상인 입경 범위의 미립자가 0개 이상 100개 이하인 경우가 레벨A, φ0.5㎛ 이상인 입경 범위의 미립자가 100개보다 많고 200개 이하인 경우가 레벨B, φ0.5㎛ 이상인 입경의 미립자가 200개보다 많고 300개 이하인 경우가 레벨C가 되도록 레벨 나누기를 행하고 있다.

여기서, 상기 표 2에 의하면, 예를 들면 허용 진애 사이즈를 φ0.5 ㎛로 하고, 노광 처리시에 계측된 φ0.5㎛ 이상인 입경 범위의 미립자의 입자수가 150개였을 경우, 입자수가 100개보다 많고 200개 이하이기 때문에 그 피노광 기판(C)은 B레벨로 위치가 부여된다.

또한, 스텝 S101에서 취득한 최소 패턴 사이즈가 30㎛이며, 허용 진애 사이즈를 최소 패턴 사이즈의 소정 비율(본 실시형태에서는 10%, 표 내에서는 허용 사이즈 비율이라고 한다.) 이상인 3㎛ 이상으로 했을 경우에는, 상기 표 2에서 가장 값이 가까운 2㎛의 조건을 사용해도 되고, 하기의 표 3에 나타내는 바와 같이 허용 진애 사이즈에 따라 테이블에 새로운 입경 이상의 입자에 관한 정보를 부가해도 된다.

또한, 상기 최소 패턴 사이즈의 소정 비율은 제조품의 종류나 유저의 사정에 따라 다르기 때문에, 미리 정해진 비율폭(예를 들면, 10~30% 사이) 중에서 유저가 자유롭게 설정할 수 있도록 되어 있다. 유저는 제어 장치(3)의 입력부(53)를 통해서 상기 허용 진애 사이즈의 소정 비율을 입력하고, 제어부(50)는 입력된 값을 상기 허용 진애 사이즈의 소정 비율로서 설정한다.

상기 표 1 내지 표 3을 사용할 경우, 유저는 제조 데이터를 기초로 불량 발생률과의 상관 관계를 파악함으로써 A레벨 내지 C레벨 중 어느 레벨까지 허용할 수 있는지를, 예를 들면 제조 경험을 통해서 파악할 수 있다. 유저는 제어 장치(3)의 입력부(53)를 통해서 A레벨 내지 C레벨 중 어느 레벨까지 허용할 수 있는지를 허용할 수 있는 불량 발생률로서 입력하고, 제어부(50)는 입력된 값을 허용할 수 있는 레벨로서 설정한다. 이 설정된 레벨의 입자수가 스텝 S109에 있어서 역치로서 사용된다.

그런데, 진애 계측 장치(4)로 계측되는 입자수는 노광 묘화 장치(2)의 내부 공간에 부유하고 있는 입경이 허용 진애 사이즈 이상인 미립자의 입자수이며, 실제로 피노광 기판(C)에 부착되어 있는 미립자의 입자수는 아니기 때문에, 부착률과 허용되는 불량 발생률을 고려해서 테이블을 생성하는 것이 보다 현실적이다. 예를 들면, 부착률을 소정값(본 실시형태에서는 1/1000), 불량 발생률을 소정값(본 실시형태에서는 1%) 미만으로 피노광 기판(C)의 양면을 노광할 경우, 한면을 노광할 때에 허용되는 불량 발생률을 절반인 0.5% 미만으로 하면 허용 진애 사이즈의 미립자 입자수의 허용수는 한면에서 허용되는 불량 발생률×1/(부착률)=0.005×1000=5가 된다. 이 결과에 의거하여, 하기의 표 4에 나타내는 바와 같은 테이블을 생성해도 된다.

상기 표 4에서는, B레벨을 기준으로 해서 A레벨의 허용수를 B레벨 허용수의 절반, C레벨의 허용수를 B레벨 허용수의 2배로 했다. 여기서, 진애 계측 장치(4)로 계측 가능한 미립자가 예를 들면 0.5㎛ 이상인 입경 범위로 한정되어 있을 경우 등은, 상기 표 3과 같은 대비 데이터를 사용해도 된다. 또한, 부착률은 유저가 사용하는 피노광 기판(C)의 기재나 DFR(Dry Film Resist) 소재 및 노광 묘화 장치(2)의 설치 환경에 부유하는 진애 종류 등에 따라 다르기 때문에, 실제의 생산 데이터와 상관을 대비하거나 해서 구한 값으로 자유롭게 설정할 수 있도록 했다. 유저는 제어 장치(3)의 입력부(53)를 통해서 부착률을 입력하고, 제어부(50)는 입력된 값을 부착률로서 설정한다.

다른 클래스 나누기의 방법으로서, 최소 패턴 사이즈에 따라 허용 진애 사이즈를 복수로 구분해도 된다. 예를 들면, 최소 패턴 사이즈가 10㎛, 상기 허용 진애 사이즈의 소정 비율을 10%, 20%, 30%로 구분할 경우, 부착률을 1/1000, 불량 발생률을 1% 미만으로 피노광 기판(C)의 양면을 노광할 때, 상기 표 4에 상당하는 각 비율에서의 테이블은 하기에 나타내는 표 5가 된다.

진애 계측 장치(4)가 복수 종류의 입경의 미립자에 대해서 계측할 수 있는 경우에는 상기 표 5를 사용해서 레벨 나누기를 해도 되지만, 진애 계측 장치(4)가 0.5㎛ 이상의 입경 범위의 미립자를 계측하는 계측 환경을 사용하는 것이라면, 표 5에 의거하여 생성한 하기의 표 6의 테이블로 랭크 나누기를 행하면 된다. 하기의 표 6에 의하면, 상기 허용 진애 사이즈의 소정 비율이 10%일 경우가 A랭크, 상기 허용 진애 사이즈의 소정 비율이 20%일 경우가 B랭크, 상기 허용 진애 사이즈의 소정 비율이 30%일 경우가 C랭크가 된다.

또한, 지금까지 설명의 전제로 한 진애 농도 산출의 상기 (1)식과 실제의 미립자의 분포는, 노광하는 피노광 기판(C)의 기재나 기재의 상태 및 DFR이나 장치의 메인티넌스 상태에 따라 다르기 때문에, 실태(생산 데이터와 불량 발생률)에 맞춰서 각 수치를 자유롭게 변경하면 된다. 예를 들면, 하기의 표 7에서는 상기 표 2를 기초로 0.3㎛ 이상인 입경 범위의 미립자가 통상보다 적고, 2㎛ 이상인 입경 범위의 미립자가 존재하지 않을 경우를 상정해서 설정한 테이블이다. 이렇게 설정해서 얻어진 테이블을 생성해도 된다.

이렇게 하여 작성된 테이블을 사용함으로써, 패턴 정세도에 따라 허용할 수 있는 미립자 입자수의 기준이 설정되기 때문에, 종래와 같은 매우 엄격한 조건에 맞춰서 기준을 설정하는 것이 회피되어, 중정세 패턴에서는 문제없는 입자수임에도 불구하고 처리가 중지되어 버리는 것이 방지된다.

스텝 S105에 있어서, 제어부(50)는 노광 묘화 장치(2)에 대하여 노광 개시를 지시한다. 제어부(50)는 노광 묘화 장치(2)의 시스템 제어부(40)에 대하여 노광 개시를 지시하기 위한 신호를 송신한다. 상기 신호를 수신한 시스템 제어부(40)는 피노광 기판(C)의 반입을 개시하고, 노광 묘화 장치(2)의 내부에 반입되어 스테이지(10)에 적재된 피노광 기판(C)에 대하여 노광을 개시하고, 피노광 기판(C)에 회로 패턴을 묘화한다.

스텝 S107에 있어서, 제어부(50)는 진애 계측 장치(4)에 의해 계측된 미립자의 입자수를 취득하여 상기 입자수를 표시부(52)에 표시한다. 유저는 표시부(52)를 시인함으로써 노광 묘화 장치(2) 내부의 미립자의 입자수를 인식할 수 있다.

그리고, 스텝 S109에 있어서 제어부(50)는 스텝 S107에 있어서 취득한 입자수가 역치 이상인지의 여부를 판정한다. 상기 역치는 스텝 S103에 있어서 작성된 테이블에 의해 결정된다. 즉, 제어부(50)는 진애 계측 장치(4)에 의해 소정의 입경(예를 들면 0.5㎛) 이상인 미립자의 입자수를 계측하고, 상기 표 1 내지 표 7에 있어서의 유저가 소망하는 레벨의 입자수의 값을 역치로서 사용한다. 또한, 진애 계측 장치(4)에 의해 복수 종류 입경의 미립자의 입자수를 입경마다 계측하고 있는 경우에는, 각 입경 이상인 미립자의 입자수 중 어느 하나가 대응하는 역치 이상이었을 경우 입자수가 역치 이상이라고 판정한다.

스텝 S109에 있어서 입자수가 역치 이상이라고 판정된 경우에는, 스텝 S111에 있어서 제어부(50)는 자외선 광원(21)에 의해 발생한 자외선 빔을 스테이지(10)에 적재된 피노광 기판(C)에 조사함으로써, 노광 중인 피노광 기판(C)의 피노광면 또는 피노광면과 대향하는 면에 미리 정해진 마크를 형성하여 피노광 기판(C)에 입자수가 역치 이상인 것을 나타내는 정보를 부가한다.

도 9는 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(2)에 의해 마크가 형성된 피노광 기판(C)의 일례를 나타내는 정면도이다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 피노광 기판(C)의 단부에 원 형상의 마크(M)를 형성함으로써 입자수가 역치 이상인 것을 나타내는 정보가 부가된다. 또한, 마크(M)의 형상은 원 형상에 한하지 않고, 별형이나 십자형 등의 임의 형상의 마크여도, 문자나 숫자 등이어도 된다. 또한, 마크(M)의 위치 및 크기는 노광되는 화상과 겹치지 않는 위치 및 크기이면 되고, 피노광 기판(C)의 사이즈나 노광되는 화상에 따라 임의로 설정할 수 있다.

또한, 피노광 기판(C)에 정보를 부가하는 방법은 피노광 기판(C)에 자외선 빔을 조사해서 마크를 형성하는 방법에 한정되지 않고, 예를 들면 잉크를 부착시킴으로써 마크를 묘화하는 방법이어도 되고, 피노광 기판(C)의 표면을 물리적으로 깎음으로써 마크를 묘화하는 방법이어도 되며, 정보가 부가된 씰 등의 매체를 피노광 기판(C)에 붙이는 방법이어도 된다.

그리고, 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(2)에서는 피노광 기판(C)에 입자수가 역치 이상인 취지를 나타내는 정보를 부가할 때에 피노광 기판(C)의 피노광면에 마크(M)를 형성하지만, 정보를 부가하는 면은 피노광면에 한정되지 않고, 피노광면의 이면이어도 된다.

스텝 113에 있어서, 제어부(50)는 노광 완료 타이밍이 도래한 것인가의 여부를 판정한다. 이때, 제어부(50)는 미리 정해진 복수의 피노광 기판(C)의 전체에 대해서 노광을 완료했을 경우나, 유저 조작에 의해 입력부(43) 또는 조작 장치(53)를 통해서 완료 타이밍을 나타내는 정보가 입력되었을 경우에 노광 완료 타이밍이 도래했다고 판정한다.

스텝 S113에 있어서 노광 완료 타이밍이 도래하지 않았다고 판정된 경우에는, 스텝 S107로 이행하여 제어부(50)는 스텝 S107 내지 S113의 처리를 반복하고, 스텝 S113에 있어서 노광 완료 타이밍이 도래했다고 판정된 경우에는 제어부(50)는 노광 처리 프로그램의 실행을 종료한다. 이때, 제어부(50)는 노광 정지를 지시하는 신호를 노광 묘화 장치(2)에 대하여 송부한다. 상기 신호를 수신한 피노광 묘화 장치(2)는 피노광 기판(C)에 대한 노광을 정지한다.

이렇게 하여, 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)에서는 각각의 피노광 기판(C)의 노광 처리시에 장치 내의 미립자의 입자수를 계측하고, 계측한 입자수가 기준으로 하는 역치 이상이었을 경우에, 상기 피노광 기판(C)에 미리 정해진 마크(M)를 형성함으로써 역치 이상인 것을 나타내는 정보를 부가한다. 유저는 노광 완료된 피노광 기판(C)에 있어서 마크(M)의 유무를 확인함으로써, 그 피노광 기판(C)에 대해서 노광 처리시의 진애 레벨을 확인할 수 있다.

또한, 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(2)에서는 자외선 광원(21)이 노광부(16) 부근에 고정되어서 설치되어 있지만 이것에 한정되지 않고, 자외선 광원(21)은 스테이지(10)에 설치되어 스테이지(10)의 이동과 연동해서 이동하도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우에는, 자외선 광원(21)은 제어 장치(3)의 제어에 의거하여 스테이지(10)의 위치에 의존하지 않고 임의의 위치에서 피노광 기판(C)에 마크(M)를 형성할 수 있다.

또한, 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)에 있어서, 스텝 S109에서 계측된 입자수가 역치 이상이라고 판정되었을 경우, 스텝 S111에 있어서 피노광 기판(C)에 마크(M)를 묘화하면서 그때 노광 처리 중인 피노광 기판(C)에 대한 노광 처리가 완료된 시점에서 노광 처리를 정지시키고, 노광 처리를 정지한 상태에서 진애 계측 장치(4)에 의한 입자수의 계측을 계속시켜 계측된 입자수가 역치보다 작아진 단계에서 다시 노광 처리를 개시하도록 해도 된다. 이것에 의해, 노광 묘화 장치(2)의 장치 내의 미립자의 입자수가 역치보다 작을 경우에만 피노광 기판(C)에 대한 노광을 행할 수 있다.

〔제 2 실시형태〕

이하, 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)에 대해서 첨부 도면을 참조해서 상세하게 설명한다. 또한, 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)은 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)과 마찬가지로, 도 1 내지 도 6에 나타내는 구성을 갖고 있기 때문에, 상기 구성에 관해서 중복하는 설명을 생략한다.

제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)은 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)이 갖는 기능에 추가해서, 계측한 미립자의 입자수와 피노광 기판(C)의 식별 정보를 각각 대응시켜서 기억하는 기능을 구비하고 있다.

제 2 실시 형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)에 의한 작용에 대하여 설명한다.

도 10은 제 2 실시형태에 의한 노광 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우차트이며, 상기 프로그램은 제어 장치(3)의 기억부(51)에 구비된 기록 매체인 ROM의 소정 영역에 미리 기억되어 있다.

제어 장치(3)의 제어부(50)는 미리 정해진 타이밍[본 실시형태에서는 미리 정해진 복수의 피노광 기판(C)에 대하여 연속적으로 노광을 행하는 처리가 개시되는 타이밍]에서 상기 노광 처리 프로그램을 실행한다.

스텝 S201 내지 S213에 있어서, 제어부(50)는 상술한 스텝 S101 내지 S113과 마찬가지의 처리를 각각 행한다. 또한, 스텝 S205에 있어서는 노광 개시의 지시를 받은 시스템 제어부(50)가, 피노광 기판(C)의 피노광면에 회로 패턴을 묘화할 때에 또는 묘화하는 전후로 피노광면에 있어서의 회로 패턴의 묘화 대상 영역의 외부에 광 빔을 더 노광함으로써, 개개의 피노광 기판을 식별하기 위한 식별 정보인 시리얼 번호를 묘화한다.

도 11은 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(2)에 의해 마크가 형성된 피노광 기판(C)의 일례를 나타내는 정면도이다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 피노광 기판(C)의 표면에는 시리얼 번호(N)가 인자되어 있음과 아울러, 스텝 S211에 있어서 상기 시리얼 번호(N)와 겹치지 않는 위치에 마크(M)가 형성된다.

그리고, 스텝 S213에 있어서 제어부(50)는 피노광 기판(C)의 시리얼 번호 등의 식별 정보를 취득한다. 이때, 제어부(50)는 노광 묘화 장치(2)의 시스템 제어부(40)에 식별 정보의 취득을 지시하는 신호를 송신한다. 상기 신호를 수신한 시스템 제어부(40)는 상기 스텝 S205에 있어서 피노광 기판(C)에 묘화한 시리얼 번호를 식별 정보로서 취득한다. 그리고, 시스템 제어부(40)는 취득한 식별 정보를 제어 장치(3)의 제어부(50)에 송신한다. 제어부(50)는 송신된 식별 정보를 수신함으로써 피노광 기판(C)의 식별 정보를 취득한다.

또한, 식별 정보를 취득하는 방법은 상기 방법에 한정되지 않고, 스테이지(10)를 스텝 205에서 묘화된 시리얼 번호가 촬영부(23)의 촬영 대상 영역에 포함되는 위치가 되도록 스테이지(10)를 이동시키고, 피노광 기판(C)의 시리얼 번호가 촬영되어 있는 촬영 화상으로부터 시리얼 번호를 화상 처리에 의해 문자 인식해서 상기 식별 정보를 취득하도록 해도 된다.

스텝 S215에 있어서, 제어부(50)는 스텝 S207에 있어서 계측된 입자수와 스텝 S213에 있어서 취득한 식별 정보를 각각 대응시켜서 얻어지는 계측 결과 정보(50)를 기억부(51)에 기억한다.

도 12는 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(2)에 있어서 작성되는 계측 결과 정보(60)의 일례를 나타내는 모식도이다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 계측 결과 정보(60)는 식별 정보(60a)에 대하여 미립자의 입자수(60b)가 각각 대응된 정보이다. 도 12에 나타내는 계측 결과 정보(60)에 의하면, 식별 정보 「X0000001」의 피노광 기판(C)에 대하여 노광을 행하고 있을 때에 장치 내에서 3개의 미립자가 계측된 것을 알 수 있다.

스텝 217에 있어서, 제어부(50)는 노광 완료 타이밍이 도래한 것인지의 여부를 판정한다. 이때, 제어부(50)는 1그룹의 피노광 기판(C)의 전체에 대해서 노광을 완료했을 경우나, 유저 조작에 의해 입력부(43) 또는 조작 장치(53)를 통해서 완료 타이밍을 나타내는 정보가 입력되었을 경우에 노광 완료 타이밍이 도래했다고 판정한다.

스텝 S217에 있어서 노광 완료 타이밍이 도래하지 않았다고 판정된 경우에는, 스텝 S207로 이행하여 제어부(50)는 스텝 S207 내지 S217의 처리를 반복하고, 스텝 S217에 있어서 노광 완료 타이밍이 도래했다고 판정된 경우에는 제어부(50)는 노광 처리 프로그램의 실행을 종료한다.

이렇게 하여, 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)에서는 계측 결과 정보(60)에 의해 나타내어지는 피노광 기판(C)의 식별 정보와 노광 처리시의 미립자 입자수의 관계로부터, 노광 처리 후에 행하여지는 검사 공정에서 불량품이라고 판정된 피노광 기판(C)과 노광 처리시의 미립자 입자수의 상관을 파악할 수 있다.

또한, 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)에서는 계측 결과 정보(60)에 있어서 각각의 피노광 기판(C)이 노광되는 시각을 대응시켜서 기억해 둠으로써, 장치 내의 미립자의 입자수가 미리 정해진 역치보다 적은 피노광 기판(C)이며, 장치 내의 미립자의 입자수가 미리 정해진 역치 이상이라고 판정되는 전후로 노광되어 그 노광 시점에 있어서 상기 입자수가 미리 정해진 역치를 초과하고 있을 가능성이 있는 피노광 기판(C)을 특정할 수 있다.

또한, 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)에 있어서 피노광 기판(C)에 대하여 복수층의 노광을 행할 경우에는, 계측 결과 정보(60)에 있어서 각각의 피노광 기판(C)의 층마다 노광 처리시의 미립자의 입자수를 대응시켜서 기억해 둠으로써, 다층 기판이 되는 피노광 기판(C)의 어느 층에서 불량이 발생할 가능성이 있는지를 판단할 수 있다.

〔제 3 실시형태〕

이하, 제 3 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)에 대해서 첨부 도면을 참조해서 상세하게 설명한다. 또한, 제 3 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)은 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)과 마찬가지로, 도 1 내지 도 6에 나타내는 구성을 갖고 있기 때문에, 상기 구성에 관해서 중복되는 설명을 생략한다.

제 3 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)은 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)이 갖는 기능에 추가해서, 계측한 미립자의 입자수를 랭크 나누기하고, 상기 입자수가 속하는 랭크를 나타내는 마크(MR)를 피노광 기판(C)에 형성하는 기능을 구비하고 있다.

제 3 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)에 의한 작용에 대하여 설명한다.

도 13은 제 3 실시형태에 의한 노광 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우차트이며, 상기 프로그램은 제어 장치(3)의 기억부(51)에 구비된 기록 매체인 ROM의 소정 영역에 미리 기억되어 있다.

제어 장치(3)의 제어부(50)는 미리 정해진 타이밍[본 실시형태에서는 미리 정해진 복수의 피노광 기판(C)에 대하여 연속적으로 노광을 행하는 처리가 개시되는 타이밍]에서 상기 노광 처리 프로그램을 실행한다.

스텝 S301 내지 S309에 있어서, 제어부(50)는 상술한 스텝 S101 내지 S109와 마찬가지의 처리를 각각 행한다.

그리고, 스텝 S311에 있어서, 제어부(50)는 스텝 S307에 있어서 계측된 미립자의 입자수가 복수의 랭크 중 어느 곳에 속할지를 판정한다. 이때, 제어부(50)는 상기 표 6에 의거하여 스텝 S307에 있어서 계측된 입경 0.5㎛ 이상인 미립자의 입자수가 43개 이하였을 경우에는 A랭크, 43개보다 많고 179개 미만이었을 경우에는 B랭크, 179개보다 많고 410개 미만이었을 경우에는 C랭크로 판정한다.

스텝 S313에 있어서, 제어부(50)는 자외선 광원(21)에 의해 발생한 자외선 빔을 스테이지(10)에 적재된 피노광 기판(C)의 피노광면 또는 피노광면과 대향하는 면에 조사함으로써, 노광 중인 피노광 기판(C)에 스텝 S307에서 판정된 랭크를 나타내는 마크(MR)를 형성한다.

도 14는 제 3 실시형태에 의한 노광 묘화 장치(2)에 의해 마크(MR)가 형성된 피노광 기판(C)의 일례를 나타내는 정면도이다. 도 14에 나타내는 바와 같이, 피노광 기판(C)의 단부에 랭크(도 15에 나타내는 예에서는, A랭크)를 나타내는 마크(MR)가 형성된다. 또한, 피노광 기판(C)에 마크를 형성하는 방법은 자외선 빔을 조사하는 방법에 한하지 않고, 잉크를 부착시킴으로써 묘화하는 방법이어도 되고, 피노광 기판(C)의 표면을 물리적으로 깎음으로써 묘화하는 방법이어도 된다.

스텝 315에 있어서, 제어부(50)는 노광 완료 타이밍이 도래한 것인가의 여부를 판정한다. 이때, 제어부(50)는 1그룹의 피노광 기판(C)의 전체에 대해서 노광을 완료했을 경우나, 유저 조작에 의해 입력부(43) 또는 조작 장치(53)를 통해서 완료 타이밍을 나타내는 정보가 입력되었을 경우에 노광 완료 타이밍이 도래했다고 판정한다.

스텝 S315에 있어서 노광 완료 타이밍이 도래하지 않았다고 판정된 경우에는, 스텝 S307로 이행하여 제어부(50)는 스텝 S307 내지 S315의 처리를 반복하고, 스텝 S315에 있어서 노광 완료 타이밍이 도래했다고 판정된 경우에는, 제어부(50)는 노광 처리 프로그램의 실행을 종료한다.

이렇게 하여 제 3 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)에서는 각각의 피노광 기판(C)의 노광 처리시에 장치 내의 미립자의 입자수를 계측하고, 계측한 입자수의 랭크를 판정하여 상기 피노광 기판(C)에 랭크를 나타내는 마크(MR)를 묘화한다. 유저는 노광 완료된 피노광 기판(C)에 있어서 마크(MR)를 확인함으로써 그 피노광 기판(C)에 대해서 노광 처리시의 더스트 상태를 확인할 수 있다.

〔제 4 실시형태〕

이하, 제 4 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)에 대해서 첨부 도면을 참조해서 상세하게 설명한다. 또한, 제 4 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)은 제 1 실시형태 내지 제 3 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)과 마찬가지로, 도 1 내지 도 6에 나타내는 구성을 갖고 있기 때문에 상기 구성에 관해서 중복되는 설명을 생략한다.

제 4 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)은 제 3 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)이 갖는 기능에 추가해서, 미립자 입자수의 랭크에 따라 피노광 기판(C)을 정렬시키는 기능을 구비하고 있다.

제 4 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)에 의한 작용에 대하여 설명한다.

도 15는 제 4 실시형태에 의한 정렬 처리 프로그램의 처리의 흐름을 나타내는 플로우차트이며, 상기 프로그램은 제어 장치(3)의 기억부(51)에 구비된 기록 매체인 ROM의 소정 영역에 미리 기억되어 있다.

제어 장치(3)의 제어부(50)는 미리 정해진 타이밍(본 실시형태에서는 노광 처리 프로그램을 종료한 타이밍)에서 상기 정렬 처리 프로그램을 실행한다.

스텝 S401에 있어서, 제어부(50)는 노광 완료된 피노광 기판(C)이 있는지의 여부를 판정한다. 이때, 제어부(50)는 노광 묘화 장치(2)에 의해 노광된 피노광 기판(C)이 반송 장치(도시 생략)에 의해 반송되어 오는 도중에, 피노광 기판(C)이 통과하는 것을 알고 있는 미리 정해진 개소에서 포토 센서(도시 생략)에 의해 피노광 기판(C)의 유무를 판정하고, 피노광 기판(C)이 있다고 판정되었을 경우에 노광 완료된 피노광 기판(C)이 있다고 판정한다.

스텝 S401에 있어서 노광 완료된 피노광 기판(C)이 있다고 판정되었을 경우, 스텝 S403에 있어서 제어부(50)는 노광 완료된 피노광 기판(C)의 랭크 정보를 취득한다. 이때, 제어부(50)는 스텝 S311에 있어서, 판정된 랭크를 나타내는 랭크 정보를 시스템 제어부(40)가 갖는 기록 매체 또는 기억부(51)에 기억시켜 두고, 스텝 S403에 있어서 그 기억된 랭크 정보를 취득한다. 또한, 랭크 정보를 취득하는 방법은 이것에 한정되지 않고, 피노광 기판(C)에 형성된 마크(MR)를 촬영 장치(도시 생략)에 의해 촬영하고, 화상 처리에 의해 문자 인식함으로써 랭크 정보를 취득하도록 해도 된다.

스텝 S405에 있어서, 제어부(50)는 노광 완료된 피노광 기판(C)을 스텝 S403에서 취득한 랭크 정보에 따라 정렬시킨다. 이때, 제어부(50)는 반송 장치 상에 있어서의 반송 방향에 대하여 수직인 방향에 있어서, 랭크마다 다른 미리 결정된 위치에 피노광 기판(C)을 배치한 뒤에 반송시킨다. 정렬시키는 방법은 이것에 한정되지 않고, 랭크마다 반송 경로를 다르게 하는 방법이어도 된다.

제 4 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)에 있어서, 제 3 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)의 처리에 의해 피노광 기판(C)에 랭크를 나타내는 마크(MR)가 묘화되어 있는 것을 전제로 해서 설명했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제 4 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)은 제 1 실시형태에 의한 노광 묘화 시스템(1)이 갖는 기능에 추가해서, 미립자 입자수의 랭크에 따라 피노광 기판(C)을 정렬시키는 기능을 구비하고 있어도 된다. 이 경우에는, 제어 장치(3)는 스텝 S403에 있어서 피노광 기판(C)에 마크(M)가 묘화되어 있는지의 여부를 판정하고, 스텝 S405에 있어서 마크(M)의 묘화 유무에 따라 노광 완료된 피노광 기판(C)을 정렬하면 된다.

일본 출원 특원 2012-039185호의 개시는 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 받아들여진다.

본 명세서에 기재된 모든 문헌, 특허출원 및 기술규격은 개개의 문헌, 특허출원 및 기술규격이 참조에 의해 받아들이는 것이 구체적 또한 개별적으로 기재된 경우와 같은 정도로, 본 명세서 내에 참조에 의해 받아들여진다.

1 : 노광 묘화 시스템 2 : 노광 묘화 장치
3 : 제어 장치 4 : 진애 계측 장치
5 : 제 1 반송부 6 : 제 2 반송부
10 : 스테이지 11 : 기체
12 : 기대 14 : 가이드 레일
15 : 게이트 16 : 노광부
16a : 노광 헤드 17 : 광원 유닛
18 : 광파이버 19 : 화상 처리 유닛
20 : 신호 케이블 21 : 자외선 광원
22 : 게이트 23 : 촬영부
24 : AC 핸드 25 : 흡착부
26 : 압박부 30 : 흡입창
31 : 배출창 32 : 레이저 발생 장치
33 : 출사창 34 : 입사창
35 : 집광 렌즈 36 : 검출 장치
40 : 시스템 제어부 41 : 스테이지 구동부
42 : 조작 장치 43 : 이동 구동부
50 : 제어부 51 : 기억부
52 : 표시부 53 : 입력부
54 : 통신 인터페이스 60 : 계측 결과 정보
61 : 대응 정보 C : 피노광 기판
L : 레이저 M, MR : 마크
N : 시리얼 번호

Claims (11)

1. 피노광 기판을 노광함으로써 회로 패턴을 묘화하는 노광 수단과,
   노광 묘화 장치 내의 미립자의 입자수를 계수하는 계수 수단과,
   상기 노광 수단에 의한 노광 처리 중에 상기 계수 수단에 의해 계수된 입자수가 상기 회로 패턴의 패턴에 관한 사이즈에 의거해서 정해진 역치 이상인지의 여부를 판정하는 판정 수단과,
   상기 판정 수단에 의해 역치 이상이라고 판정되었을 경우에 상기 피노광 기판에 대하여 미리 정해진 정보를 부가하는 부가 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 노광 묘화 장치.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 패턴에 관한 사이즈는 상기 회로 패턴에 있어서의 인접하는 패턴 사이의 피치폭의 최소값, 패턴폭의 최소값, 및 랜드 지름의 최소값 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 노광 묘화 장치.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 계수 수단은 상기 입자수를 상기 미립자의 입경 범위마다 계수하고,
   상기 역치가 상기 입경 범위마다 정해지고,
   상기 판정 수단은 상기 입자수가 미리 정해진 역치 이상인지의 여부를 상기 입경 범위마다 판정하여, 1개 이상의 입경 범위의 입자수가 상기 입경 범위마다 정해진 역치 이상이었을 경우에 역치 이상이었다고 판정하는 것을 특징으로 하는 노광 묘화 장치.
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 판정 수단에 의해 상기 역치 이상이라고 판정되었을 경우 그 시점에 행하여지고 있는 노광 처리가 완료된 시점에서 노광 처리를 정지하고, 상기 정지한 후에 상기 판정 수단에 의해 상기 역치 이상이 아니라고 판정되었을 경우 노광 처리를 재개하는 노광 제어 수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 노광 묘화 장치.
5. 제 1 항에 있어서,
   허용할 수 있는 진애에 의한 불량 발생률의 입력을 접수하는 접수 수단을 구비하고,
   상기 역치는 상기 패턴에 관한 사이즈 및 상기 접수 수단에 의해 접수된 불량 발생률에 의거해서 정해지는 것을 특징으로 하는 노광 묘화 장치.
6. 제 1 항에 있어서,
   부유하고 있는 미립자의 입자수에 대한 상기 피노광 기판에 부착되는 미립자의 입자수 비율의 입력을 접수하는 접수 수단을 구비하고,
   상기 역치는 상기 패턴에 관한 사이즈 및 상기 접수 수단에 의해 접수된 비율에 의거해서 정해지는 것을 특징으로 하는 노광 묘화 장치.
7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 피노광 기판의 식별 정보를 취득하는 취득 수단과,
   상기 계수 수단에 의해 계수된 입자수를 상기 취득 수단에 의해 취득된 상기 식별 정보에 대응시켜서 기억하는 기억 수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 노광 묘화 장치.
8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 판정 수단은 상기 계수 수단에 의해 계수된 입자수가 미리 정해진 복수의 구분 중 어느 구분에 속할지를 더 판정하고,
   상기 부가 수단은 상기 피노광 기판에 대하여 상기 판정 수단에 의해 판정된 구분을 나타내는 정보를 상기 미리 정해진 정보로서 부가하는 것을 특징으로 하는 노광 묘화 장치.
9. 제 8 항에 있어서,
   상기 부가 수단에 의해 상기 구분을 나타내는 정보가 부가된 피노광 기판을 상기 구분마다 정렬시키는 정렬 수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 노광 묘화 장치.
10. 컴퓨터에,
    피노광 기판을 노광함으로써 회로 패턴을 묘화하는 노광 수단을 갖는 노광 묘화 장치 내의 미립자의 입자수를 계수 수단에 의해 계수시키고,
    상기 노광 수단에 의한 노광 처리 중에 상기 계수 수단에 의해 계수된 입자수가 상기 회로 패턴의 패턴에 관한 사이즈에 의거해서 정해진 역치 이상인지의 여부를 판정 수단에 의해 판정시키고,
    상기 판정 수단에 의해 역치 이상이라고 판정되었을 경우 상기 피노광 기판에 대하여 미리 정해진 정보를 부가 수단에 의해 부가시키는 프로그램을 격납하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 가독 기억매체.
11. 피노광 기판을 노광함으로써 회로 패턴을 묘화하는 노광 수단을 갖는 노광 묘화 장치 내의 미립자의 입자수를 계수하는 계수 스텝과,
    상기 노광 수단에 의한 노광 처리 중에 상기 계수 스텝에 의해 계수된 입자수가 상기 회로 패턴의 패턴에 관한 사이즈에 의거해서 정해진 역치 이상인지의 여부를 판정하는 판정 스텝과,
    상기 판정 스텝에 의해 역치 이상이라고 판정되었을 경우 상기 피노광 기판에 대하여 미리 정해진 정보를 부가하는 부가 스텝을 구비한 것을 특징으로 하는 노광 묘화 방법.

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