KR20140116918A - 광전자 컴포넌트, 광전자 컴포넌트를 생산하기 위한 방법, 방을 분리하기 위한 디바이스, 그리고 가구 - Google Patents

광전자 컴포넌트, 광전자 컴포넌트를 생산하기 위한 방법, 방을 분리하기 위한 디바이스, 그리고 가구 Download PDF

Info

Publication number
KR20140116918A
KR20140116918A KR1020147022301A KR20147022301A KR20140116918A KR 20140116918 A KR20140116918 A KR 20140116918A KR 1020147022301 A KR1020147022301 A KR 1020147022301A KR 20147022301 A KR20147022301 A KR 20147022301A KR 20140116918 A KR20140116918 A KR 20140116918A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
electrode layer
optoelectronic component
organic functional
layers
Prior art date
Application number
KR1020147022301A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101676681B1 (ko
Inventor
에르빈 랑
토마스 도베르틴
Original Assignee
오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 filed Critical 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Publication of KR20140116918A publication Critical patent/KR20140116918A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101676681B1 publication Critical patent/KR101676681B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V33/00—Structural combinations of lighting devices with other articles, not otherwise provided for
    • F21V33/0004—Personal or domestic articles
    • F21V33/0012—Furniture
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00—Planar light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • F21Y2115/15—Organic light-emitting diodes [OLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means

Abstract

발명은 제1 전극층(14), 제1 전극층(14) 상 또는 위에 제1 유기 기능층 구조(16), 제1 유기 기능층 구조(16) 상 또는 위에 제2 비-투명 전극층(18), 제2 전극층(18) 상 또는 위에 제2 유기 기능층 구조(20), 그리고 제2 유기 기능층 구조(20) 상 또는 위에 제3 전극층(22)을 포함하는 광전자 컴포넌트(10)에 관한 것이다.

Description

광전자 컴포넌트, 광전자 컴포넌트를 생산하기 위한 방법, 방을 분리하기 위한 디바이스, 그리고 가구{OPTOELECTRONIC COMPONENT, METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT, DEVICE FOR SEPARATING A ROOM, AND PIECE OF FURNITURE}
본 발명은 광전자 컴포넌트(optoelectronic component), 광전자 컴포넌트를 생산하기 위한 방법, 방을 분리하기 위한 디바이스, 그리고 가구에 관한 것이다.
광전자 컴포넌트는 광을 발생하거나 전기를 발생하기에 적합하다. 알려진 광전자 컴포넌트들은, 예를 들어, 발광 다이오드들, 특히 유기 발광 다이오드들, 또는 태양 전지들, 특히 유기 태양 전지들이다. 유기 발광 다이오드들은, 방들의 특수 조명에 의해, 예를 들어 직접 조명과 간접 조명을 혼합함으로써 좋고 쾌적한 방 분위기 또는 성과-증진 작업 분위기의 생성에 기여하기 위해, 새로운 타입들의 조명 솔루션들에 대해 항상 자주 사용되고 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)들은 대부분의 실시예들에서 일 측에 거울로 존재하며 따라서 오직 일 방향(예를 들어 바닥 에미터들의 경우에 기판측 위에 또는 상부 에미터들의 경우에 커버 클래스 위에)으로만 광을 방출한다. 양 측들을 통한 방출이 달성되도록 의도되는 어플리케이션들을 위해, 2개의 OLED들은 광 방출이 양 방출 방향들로 일어나는 것과 같은 방식으로 정렬된다. 이것은 2배의 OLED들의 수가 사용되어야 한다는 단점을 가지며, 이러한 단점은 상당한 비용 증가를 초래한다. 게다가 단점들은 이와 같은 램프들의 상당히 두꺼운 설치 높이에 기인하며, 따라서 매우 얇고 미적으로 어울리는 OLED들의 장점들이 대부분 상실된다. 이것은 설계 자유도에 있어서 상당한 제한들을 일으킨다.
양 측들을 통한 광의 방출을 위해, 더욱이 투명 OLED들이 또한 알려져 있으며, 투명 OLED들에서, 전극 층들을 포함하는, OLED의 유기 기능층 구조는 투명 또는 반투명이도록 구성되며, 따라서 광 방출은 기판 측과 커버 글래스 측을 통해 가능하다. 투명 OLED들은 투명 OLED들이 스위치 오프될 때 투명하다는 추가 장점을 가지며, 이러한 장점은 스위치 오프될 때 한편으로는 투명 OLED들 통해 보는 것을 허용하거나, 또는 투명한 OLED를 통해 외부 광의 입사를 허용한다. 투명 OLED들은 원칙적으로 양 측들을 통해 방출한다. 이들 컴포넌트들의 큰 단점은 발생된 광의 단지 약 20%만이 2개의 반-평면들내로 방출될 수 있으며, 그리고 광의 나머지는 도파되어 사라지며 내부 손실들에 의해(예를 들어 전체 내부 반사 및 내부 흡수에 의해) 없어진다는 것이다.
다양한 실시예들은, 양 측들(기판 측과 커버 글래스 측)을 통해 효율적인 광 방출이 가능한, 고효율 OLED 컴포넌트들을 생산하는 것을 가능하게 하며, 따라서 램프의 양 측들로 광의 방출을 허용하며 따라서 하나의 램프에서 직접적인 광 컴포넌트와 간접적인 광 컴포넌트의 혼합을 조합하는 고효율 램프들을 생산하는 것을 가능하게 한다. 이것은 상당한 설계 자유도들과, 예를 들어 방들의 조명에 있어서, 좋고 쾌적한 방 분위기 또는 성과-증진 작업 분위기에 기여할 수 있는, 램프 개념들을 위한 새로운 가능성들을 제공한다.
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트가 제공된다. 광전자 컴포넌트는 제1 전극층, 제1 전극층 상 또는 위에 제1 유기 기능층 구조, 제1 유기 기능층 구조 상 또는 위에 불투명 제2 전극층, 제2 전극층 상 또는 위에 제2 유기 기능층 구조, 그리고 제2 유기 기능층 구조 상 또는 위에 제3 전극층을 포함할 수 있다.
유기 기능층 구조들은 각각, 예를 들어, 투명층 및 에미터 층(emitter layer)을 포함한다. 전압이 제1 전극층과 제2 전극층에 인가될 때, 제1 유기 기능층 구조는 광을 방출하며, 그리고 전압이 제2 전극층과 제3 전극층에 인가될 때, 제2 유기 기능층 구조는 광을 방출한다. 광전자 컴포넌트는 2개의 상호 반대 방향들로 효율적인 광 방출을 허용한다. 광전자 컴포넌트는 양 방향들로부터 반사적으로 또는 비반사적으로 작용할 수 있거나, 또는 광전자 컴포넌트는 두 방향들 중 오직 하나의 방향으로부터만 반사적으로 작용할 수 있다. 2개의 유기 기능 층 구조들은 상이한 방출 특성들을 가질 수 있으며, 예를 들어 층 구조들 중 하나는 따듯한, 예를 들어 온백색(warm-white), 방출 특성을 가질 수 있으며 층 구조들 중 다른 하나는 차가운, 예를 들어 냉백색(cold-white), 방출 특성을 가질 수 있다. 층 구조들의 광 방출은 상호 독립적으로, 예를 들어 법선 속도면(surface normal)들을 따라서 진행될 수 있거나 또는 층 구조들의 광 방출은 랑베르 방출 프로필(Lambertian emission profile)을 갖거나 나비-형상일 수 있다. 더욱이, 층 구조들 중 하나는 다른 층 구조와 다른 색의 광을 방출할 수 있으며, 따라서 광전자 컴포넌트는 제2 방출 방향과 다른 제1 방출 방향으로 상이한 색의 광을 방출한다.
더욱이, 제1 전극층, 제1 유기 기능층 구조 및 제2 전극층은 바닥 에미터(bottom emitter)를 형성할 수 있고/있거나, 제2 전극층, 제2 유기 기능층 구조 및 제3 전극층은 상부 에미터(top emitter)를 형성할 수 있다. 제2 전극 층은 불투명하도록 형성되며, 이는 본 맥락에서 제2 전극층이 제1 및/또는 제2 기능 층 구조로부터의 광에 대해 투명하지 않다는 것을 의미할 수 있다. 예를 들어, 제2 전극층은 제2 전극층 측들의 일측 또는 양측을 통해 반사되도록 형성될 수 있다. 이것은 다른 방출 방향으로 광 이외에 상이한 색, 상이한 방출 특성 및/또는 상이한 색 온도를 갖는 방출 방향들 중 하나의 방향으로 광에 기여할 수 있다. 예를 들어, 개별 전극층들을 위한 특별한 재료들을 선택함으로써, 양 측들 위 무광, 일 측 위 무광 그리고 일측 위 반사이거나, 또는 양 측들 위 반사인 임프레션(impression)이 주어질 수 있다. 더욱이, 두 측들에 종속하는 시야각(viewing angle)은 동일하거나 다르게 설정될 수 있다.
유기 기능층 구조는 상이한 색들의 광을 방출하는 유기층들로 구성될 수 있으며, 따라서 대응하는 층 구조는 개별적인 유기층들의 광으로 구성된 광을 방출한다.
이에 의해 두 방향들로 방출비가 제어될 수 있다. 방출 색은 두 방향들로 상호 독립적으로 설정될 수 있다(예를 들어 중립 백색(neutral white), 냉 백색, 또는 적, 녹, 청 등과 같은 가시 스펙트럼의 서브범위들). 방출 특성은 두 측들 위 그리고 방출 방향들로 상호 독립적으로 설정될 수 있다.
예를 들어, 일 측은 반사이고 따라서 특정한 어플리케이션들을 위해 매우 고품질 및 심미적으로 어필하는 임프레션을 발생하는 램프들을 생산하는 것이 가능하다. 다른 방출 방향으로, OLED 또는 램프의 고효율은 출력 구조들(예를 들어 광 발현(optical appearance) 및 직접 광 컴포넌트, 그리고 간접 조명 컴포넌트를 위해 상방으로 무광 발현(matt appearance)을 위해 바닥에 반사면을 갖는 천장 램프)에 의해 달성될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 더욱이 광전자 컴포넌트는 기판을 포함하며, 제1 전극층이 기판 상 또는 위에 정렬된다. 기판은 글래스 또는 시트(sheet)를 포함할 수 있으며, 그리고 하나 또는 하나를 초과하는 배리어 층들이 구비될 수 있다. 그 다음 2개의 방향들 중 하나의 방향으로 광의 방출이 기판 측을 통해 일어난다.
다양한 실시예들에 따르면, 더욱이 광전자 컴포넌트는 제3 전극층 상 또는 위에 커버 층을 포함한다. 커버 층은 글래스, 시트 및/또는 코팅을 포함할 수 있으며, 그리고 하나 또는 하나를 초과하는 배리어 층들이 구비될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 더욱이 광전자 컴포넌트는 적어도 하나의 봉지 층(encapsulation layer)을 포함하며, 봉지 층 위에 제1 전극층이 정렬되고/되거나, 제1 전극층은 제3 전극층 위에 정렬된다. 봉지층은 제1 전극층과 제1 기능층 구조를 밀봉시키는 제1 봉지 층, 및/또는 제2 전극층과 제2 기능층 구조를 밀봉시키는 제2 봉지층을 포함할 수 있다. 봉지층들은 습기 및 오물로부터 대응하는 기능층 구조들을 보호한다.
다양한 실시예들에 따르면, 더욱이 광전자 컴포넌트는 적어도 하나의 추가층을 포함하며, 추가층 위에 기판이 정렬되고, 추가층 기판과 제1 전극층 사이에 정렬되며, 추가층은 제1 전극층과 제1 유기 기능층 구조 사이에 정렬되고, 추가층은 제1 유기 기능층 구조와 제2 전극층 사이에 정렬되며, 추가층은 제2 전극층과 제2 유기 기능층 구조 사이에 정렬되고, 추가층은 제2 유기 기능층 구조와 제3 전극층 사이에 정렬되며, 추가층은 제3 전극층과 커버층 사이에 정렬되고/되거나, 추가층은 커버층 위에 정렬된다. 즉, 추가층은, 전극층들, 봉지층들 및/또는 유기 기능층 구조들, 및 기판 또는 커버 글래스와 같은, 전술한 층들의 위, 아래쪽, 안에 또는 서로 사이에 정렬될 수 있다. 더욱이 복수의 추가층들은 상기 위치들에 정렬될 수 있다.
기판 아래쪽 추가층 또는 커버층 위 추가층이 외부 출력 구조들로서 형성될 수 있다. 기타 추가층들이 내부 출력 구조들로서 형성될 수 있다. 추가층들의 도움으로, 예를 들어, 전극층들의 전송률 또는 반사율, 또는 대안으로 두 방출 방향들로 방출비(emission ratio)가 설정될 수 있다. 더욱이, 발생된 광의 출력 효율이 개선될 수 있다. 더욱이, 상이한 색들과 함께 광의 방출은 두 방출 방향들로, 예를 들어 색 필터로서 형성되는 추가층들 중 적어도 하나에 의해 설정될 수 있다. 더욱이, 방출된 광의 색 온도는 추가층들의 도움으로, 예를 들어 추가층들로서 엘렉트로크로믹 또는 써모크로믹 층을 이용하여 설정될 수 있다. 추가층들은 또한 하나, 둘 또는 둘을 초과하는 서브층들을 포함할 수 있다. 추가층, 또는 선택적으로 추가층의 서브층들은 하나 또는 하나를 초과하는 출력 층들, 하나 또는 하나를 초과하는 출력 구조들, 하나 또는 하나를 초과하는 평탄화 층들, 및/또는 매트릭스내 굴절 또는 회절 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 이와 같은 출력 구조는 기판의, 전극층들의, 유기 기능층 구조들의, 또는 커버층의 처리된 서브층일 수 있다. 예를 들어, 출력 구조는 기판의, 전극층들의, 유기 기능층 구조들의, 봉지층들의, 또는 커버층의 텍스처링일 수 있다.
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트를 생산하기 위한 방법이 제공되며, 방법은 : 제1 전극층의 형성 단계, 제1 전극층 상 또는 위에 제1 유기 기능층 구조의 형성 단계, 제1 유기 기능층 구조 상 또는 위에 제2 전극층의 형성 단계, 제2 전극층 상 또는 위에 제2 유기 기능층 구조의 형성 단계, 그리고 제2 유기 기능층 구조 상 또는 위에 제3 전극층의 형성 단계를 포함한다.
다양한 실시예들에 따르면, 기판이 제공되며, 그리고 제1 전극층이 기판 상 또는 위에 형성된다. 기판은 글래스 또는 시트를 포함할 수 있고/있거나, 기판은 하나 또는 하나를 초과하는 배리어 층들을 구비할 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 커버층은 제3 전극층 상 또는 위에 형성된다. 커버층은 글래스, 시트 또는 코팅을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 적어도 봉지층은 제1 전극층 아래 및/또는 제3 전극층 위에 형성된다.
다양한 실시예들에 따르면, 추가층이 기판 아래, 기판과 제1 전극층 사이, 제1 전극층과 제1 유기 기능층 구조 사이, 제1 유기 기능층 구조와 제2 전극층 사이, 제2 전극층과 제2 유기 기능층 구조 사이, 제2 유기 기능층 구조와 제3 전극층 사이, 제3 전극층과 커버층 사이, 및/또는 커버층 위에 형성된다. 더욱이, 추가층은 봉지층 위, 아래 또는 안에 형성될 수 있다. 추가층은 하나, 둘 또는 둘을 초과하는 서브층들로부터 형성될 수 있다. 추가층, 또는 선택적으로 추가층의 서브층들은 출력층, 출력 구조, 평탄화층으로서 및/또는 굴절 또는 회절 엘리먼트들을 포함하는 매트릭스로서 형성될 수 있다. 출력 구조는 기판의, 전극층들의, 유기 기능층 구조들의 또는 커버층의 처리된 서브층으로서 형성될 수 있다. 예를 들어, 추가층은 기판의, 대응하는 전극층의, 대응하는 유기 기능층 구조의, 또는 커버층의 재료의 국부적인 가열에 의해 형성될 수 있다. 각각의 층의 재료의 국부적인 가열은 예를 들어 레이저를 이용함으로써, 바람직하게는 각각의 층의 내부 레이저 식각이 수행되는 것과 같은 방식으로 수행될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 방을 분리하기 위한 디바이스는 광전자 컴포넌트를 포함한다. 예를 들어, 디바이스는 창 또는 문, 예를 들어 두 방들 사이의 분할 창, 예를 들어, 회의실의 창, 또는 가구의 문, 예를 들어 벽장 문일 수 있다.
다양한 실시예들에서, 가구는 디바이스를 포함한다. 가구는, 예를 들어, 디스플레이 캐비넷 또는 벽장이다.
디바이스의 그리고 디스플레이 캐비넷들, 벽장들내 그리고, 불투명 유리(frosted glass)의 사용이 요구되는, 회의실들내 광전자 컴포넌트의 사용은 스위치 오프때 조차 사생활 영역을 보장하거나 컨텐트를 숨기는데 기여할 수 있다. 이들 표면들은 두 방출 방향들로 매우 효율적인 조명과 조합될 수 있다.
하나 또는 하나를 초과하는 국부적인 수정 구조들은 국부적인 수정 구조들이 인간 눈에 가까스로 인지가능하지만 그럼에도 불구하고 광의 출력을 개선하기 위해 광의 일부를 산란시키는 것과 같은 방식으로 형성될 수 있다는 것이 주목되어야 한다.
발명의 실시예들은 도면들에 표시되며 이하 보다 상세히 설명될 것이다.
도 1은 다양한 실시예들에 따른 광전자 컴포넌트를 도시한다.
도 2는 다양한 실시예들에 따른 광전자 컴포넌트를 도시한다.
도 3은 다양한 실시예들에 따른 광전자 컴포넌트를 도시한다.
도 4는 다양한 실시예들에 따른 광전자 컴포넌트를 도시한다.
도 5는 다양한 실시예들에 따른 광전자 컴포넌트를 생산하기 위한 방법이 표시되는 흐름도를 도시한다.
도 6은 광전자 컴포넌트를 포함하는 창을 도시한다.
도 7은 광전자 컴포넌트를 포함하는 가구를 도시한다.
이어지는 상세한 설명에서, 첨부 도면들에 대해 참조가 이루어지며, 첨부 도면들은 상세한 설명의 일부를 형성하며 첨부 도면들에서 발명이 구현될 수 있는 특정한 실시예들이 예시를 위해 도시된다. 이에 대하여, "위로(up)", "아래로(down)", "전방으로(forward)", "후방으로(backward)", "정면(front)", "뒤(rear)", "상(on)", "위(over)", "아래(under)" 등과 같은 방향 용어가 기술되고 있는 도면 또는 도면들의 방향에 관하여 사용된다. 이러한 상세한 설명의 범주에서, "연결된" 및 "결합된"과 같은 용어들이 직접 연결과 간접 연결 둘 다, 그리고 직접 결합 또는 간접 결합을 기술하기 위해 사용된다. 실시예들의 컴포넌트들이 다수의 상이한 오리엔테이션들로 위치될 수 있기 때문에, 방향 용어는 예시를 위해 사용되며 결코 제한적이지 않다. 본 발명의 보호 범위를 벗어남이 없이, 다른 실시예들이 사용될 수 있으며 구조적 또는 논리적 변경들이 수행될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 달리 특별하게 표시되지 않는 한, 본 명세서에 기술된 다양한 실시예들의 특징들이 서로 조합될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 따라서 이어지는 상세한 설명은 제한적 의미로 해석되지 않으며, 그리고 본 발명의 보호 범위는 첨부된 청구항들에 의해 한정된다. 도면들에서, 동일하거나 유사한 엘리먼트들은, 필요한 범위에서는, 동일한 참조들로 제공된다.
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트는 유기 발광 다이오드(OLED)로서, 유기 포토다이오드(OPD)로서, 유기 태양전지(OSC)로서 또는 유기 트랜지스터로서, 예를 들어 유기 박막 트랜지스터(OTFT)로서 형성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트는 집적 회로의 일부일 수 있다. 더욱이, 다수의 광전자 컴포넌트들이 제공, 예를 들어 공통 하우징내에 설치될 수 있다.
용어 "반투명 층(translucent layer)"은 다양한 실시예들에서 층이 광을 위해, 예를 들어 하나 또는 하나를 초과하는 파장 범위들의, 예를 들어 광전자 컴포넌트에 의해 발생된 광을 위해, 예를 들어 가시광의 파장 범위(예를 들어 적어도 380nm에서 780nm의 광파장 범위의 서브범위에서)에서 광을 위해 전송적이라는 것을 의미하는 것으로서 해석될 수 있다. 예를 들어, 용어 "반투명 층"은 다양한 실시예들에서 본질적으로 구조(예를 들어 층) 내로 입력된 광의 모든 전체량이 구조(예를 들어 층)로부터 또한 출력된다는 것을 의미하는 것으로서 해설될 것이다.
용어 "투명층"은 다양한 실시예들에서 층은 광(예를 들어 적어도 380nm에서 780nm의 광파장 범위의 서브범위에서)을 위해 전송할 수 있으며, 구조(예를 들어 층) 내로 입력된 광은 또한 본질적으로 산란 또는 광 변환 없이 구조(예를 들어 층)로부터 출력된다는 것을 의미하는 것으로 해석될 수 있다.
이에 대조적으로, 용어 "불투명층"은 다양한 실시예들에서, 예를 들어 380nm에서 780nm의 광파장 범위의 서브범위 및/또는 광전자 컴포넌트의 유기 기능층 구조로부터 광이 위치해 있는 광파장 범위에서 광을 위해 전송할 수 없다는 것을 의미하는 것으로서 해석될 수 있다.
도 1은 광전자 컴포넌트(10)의 실시예를 도시한다. 광전자 컴포넌트(10)는 기판(12)과 기판(12) 위 제1 전극층(14)을 포함한다. 제1 유기 기능층 구조(16)는 제1 전극층(14) 상 또는 위에 형성된다. 불투명 제2 전극층(18)은 제1 유기 기능층 구조(16) 상 또는 위에 형성되며, 그리고 제2 유기 기능층 구조(20)는 제2 전극층(18) 상 또는 위에 형성된다. 제3 전극층(22)은 제2 유기 기능층 구조(20) 상 또는 위에 형성된다.
커버층(24)은 제3 전극층(22) 위에 형성된다.
광전자 컴포넌트(10)는 2개의 정반대 방출 방향들로, 예를 들어 제1 방출 방향(26) 및 제2 방출 방향(28)으로 효율적인 광 방출을 허용한다. 예를 들어, 제1 전극층(14), 제1 유기 기능층 구조(16) 및 제2 전극층(18)은 바닥 에미터로서 형성될 수 있고/있거나, 제2 전극층(18), 제2 유기 기능층 구조(20) 및 제3 전극층(22)은 상부 에미터로서 형성될 수 있다.
기판(12)은 글래스 및/또는 하나 또는 하나를 초과하는 시트들을 포함하고/하거나, 하나 또는 하나를 초과하는 배리어 층들이 구비될 수 있다. 커버층(24)은 글래스, 하나 또는 하나를 초과하는 시트들, 또는 코팅을 포함할 수 있다.
예를 들어, 기판(12)은 글래스, 석영 및/또는 반도체 재료, 또는 임의의 다른 적절한 재료를 포함하거나 글래스, 석영 및/또는 반도체 재료, 또는 임의의 다른 적절한 재료로 형성될 수 있다. 더욱이, 기판(12)은 플라스틱 시트 또는 하나 또는 하나를 초과하는 시트들을 포함하는 라미네이트를 포함하거나 플라스틱 시트 또는 하나 또는 하나를 초과하는 시트들을 포함하는 라미네이트로 형성될 수 있다. 플라스틱은 하나 또는 하나를 초과하는 폴리올레핀들(예를 들어 고밀도 또는 저밀도 폴리에틸렌(PE), 또는 폴리프로필렌(PP))을 포함하거나 폴리올레핀들로 형성될 수 있다. 더욱이, 플라스틱은 염화 폴리비닐(PVC), 폴리스티렌(PS), 폴리에스터 및/또는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에테르 술폰(PES) 및/또는 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN)를 포함하거나 염화 폴리비닐(PVC), 폴리스티렌(PS), 폴리에스터 및/또는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에테르 술폰(PES) 및/또는 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN)로 형성될 수 있다. 기판(12)은 상기 언급한 재료들 중 하나 또는 하나를 초과하는 재료를 포함할 수 있다. 기판(12)은 투명, 반투명, 부분적으로 반투명, 부분적으로 투명, 또는 불투명이도록 구성될 수 있다.
커버층(24)은 예를 들어 글래스 또는 다른 적절한 재료, 예를 들어 이어지는 재료들 중 하나를 포함하거나 글래스 또는 다른 적절한 재료, 예를 들어 이어지는 재료들 중 하나로 형성될 수 있다: 석영, 반도체 재료, 플라스틱 시트 또는 하나 또는 하나를 초과하는 플라스틱 시트들을 포함하는 라미네이트. 플라스틱은 하나 또는 하나를 초과하는 폴리올레핀들(예를 들어 고밀도 또는 저밀도 폴리에틸렌(PE), 또는 폴리프로필렌(PP))을 포함하거나 폴리올레핀들로 형성될 수 있다. 더욱이, 플라스틱은 염화 폴리비닐(PVC), 폴리스티렌(PS), 폴리에스터 및/또는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에테르 술폰(PES) 및/또는 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN)를 포함하거나 염화 폴리비닐(PVC), 폴리스티렌(PS), 폴리에스터 및/또는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에테르 술폰(PES) 및/또는 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN)로 형성될 수 있다. 커버층(24)은 반투명, 예를 들어 투명, 부분적으로 반투명, 예를 들어 부분적으로 투명이도록 구성될 수 있다. 커버층(24)은 약 1㎛에서 약 50㎛의 범위, 예를 들어 약 5㎛에서 약 40㎛의 범위, 예를 들어 약 10㎛에서 약 25㎛의 범위에서 층 두께를 가질 수 있다.
2개의 유기 기능층 구조들(16, 20)은 상이한 방출 특성들; 예를 들어, 층 구조들 중 하나는 따듯한, 예를 들어 온백색, 방출 특성을 가지며 그리고 층 구조들 중 나머지 하나는 차가운, 예를 들어 냉백색, 방출 특성을 가질 수 있다. 더욱이 방출은 예를 들어 기판(12) 또는 커버층(24) 위 법선 속도면(surface normal)을 따라서 향하게 될 수 있다. 더욱이, 랑베르 방출 프로필, 나비-형상 방출 프로필 등이 각각의 다른 방출 방향에 독립적으로 방출 방향들(26, 28)의 각각을 위해 발생 될 수 있다. 더욱이, 유기 기능층 구조들(16, 20)중 하나는 다른 유기 기능층 구조들(16, 20)과 다른 색의 광을 방출할 수 있다. 유기 기능층 구조들(16, 20)은 각각 적어도 하나의 운반 층과 각각 적어도 하나의 에미터 층을 포함한다. 유기 기능층 구조들(16, 20)은, 각각 하나 또는 하나를 초과하는 홀 전도층들 뿐만 아니라, 예를 들어 형광 및/또는 인광 에미터들을 포함하는 하나 또는 하나를 초과하는 에미터층들을 각각 포함할 수 있다.
에미터 층 또는 층들을 위한 다양한 실시예들에 따라 광전자 컴포넌트(10)에서 사용될 수 있는 에미터 재료들의 예들은, 비중합체 에미터들로서 폴리플루오렌, 폴리티오펜 및 폴리페닐렌(예를 들어 2- 또는 2, 5-치환된 폴리-p-페닐렌 비닐렌)의 유도체들과 같은 유기 또는 유기금속 화합물들과 금속 복합체들, 예를 들어 이리듐 복합체들, 예를 들어 블루 인광 FIrPic(bis(3, 5-디플루오르-2-(2-피리딜)페닐-(2-카복시피리딜) 이리듐 III), 그린 인광 Ir(ppy)3(tris(2-페닐피리딘) 이리듐 III), 레드 인광 Ru(dtb-bpy)3*2(PF6)(tris[4, 4'-di-tert-부틸-(2, 2')-바이피리딘] 루테늄(III) 복합체) 그리고 비중합체 에미터들로서 블루 형광 DPAVBi (4, 4-bis[4-(p-톨리라미노)스티릴]바이페닐), 그린 형광 TTPA (9, 10-bis[N, N-야(p-톨릴)아미노]안트라센) 및 레드 형광 DCM2 (4-디시아노메틸렌)-2-메틸-6-줄로리딜-9-에닐-4H-피란)을 포함한다. 이와 같은 비중합체 에미터들은, 예를 들어, 열 증착(thermal evaporation)에 의해 증착될 수 있다. 더욱이, 중합체 에미터들이 사용될 수 있으며, 중합체 에미터들은 특히 습식 화학법들, 예를 들어 스핀 코팅에 의해 증착될 수 있다. 에미터 재료들은 매트릭스 재료에 적절한 방식으로 임베드될 수 있다.
광전자 컴포넌트(10)의 에미터 층 또는 층들의 에미터 재료들은, 예를 들어, 광전자 컴포넌트(10)가 두 방출 방향들(26, 28) 중 적어도 하나의 방향으로 백색광을 방출하는 것과 같은 방식으로 선택될 수 있다. 에미터 층 또는 층들은 상이한 색들을 방출하는 복수의 에미터 재료들(예를 들어 블루와 옐로우 또는 블루, 그린 및 레드)을 포함할 수 있거나, 또는 대안으로, 도 3을 참조하여 이하 보다 상세히 설명된 바와 같이, 에미터 층 또는 층들은 또한 블루 형광 에미터층 또는 블루 인광 에미터 층, 그린 인광 에미터층 및 레드 인광 에미터층과 같은, 복수의 기능 서브층들로 구성될 수 있다. 상이한 색들을 섞는 것은 백색 임프레션과 함께 광의 방출을 초래할 수 있다. 대안으로서, 변환기 재료가 이들 층들에 의해 발생된 1차 방출의 빔 경로에 또한 정렬될 수 있으며, 변환기 재료는 적어도 부분적으로 1차 방사선을 흡수하고 상이한 파장의 2차 방사선을 방출하며, 따라서 백색 임프레션이 1차 방사선과 2차 방사선의 조합에 의해 1차 방사선(미확정 백색)으로부터 획득된다.
유기 기능층 구조들(16, 20)은 일반적으로 각각 하나 또는 하나를 초과하는 기능 서브층들을 포함한다. 하나 또는 하나를 초과하는 기능 서브층들은 유기 중합체들, 유기 저중합체들, 유기 단량체들, 비중합체 유기 소분자들, 또는 이들 재료들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유기 기능층 구조 또는 구조들(16, 20)은 홀 수송 층(hole transport sublayer)으로서 구성되는 하나 또는 하나를 초과하는 기능 서브층들을 포함할 수 있으며, 따라서, 예를 들어 OLED의 경우에, 전자발광 층 또는 전자발광 영역내로 유효한 홀 인젝션(hole injection)이 만들어지는 것이 가능하다. 예를 들어, 제3 아민들, 카바조 파생물들, 전도성 폴리아닐린 또는 폴리에틸렌 디옥시티오펜이 홀 수송 층을 위한 재료로서 사용될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 하나 또는 하나를 초과하는 기능 서브층들이 전자발광 층으로서 구성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제1 유기 기능층 구조(16)의 홀 수송 층이 제1 전극층(14) 상 또는 위에 도포, 예를 들어 증착될 수 있으며, 그리고 제1 유기 기능층 구조(16)의 에미터 층이 제1 유기 기능층 구조(16)의 홀 수송 층 상 또는 위에 도포, 예를 들어 증착될 수 있다. 더욱이, 제2 유기 기능층 구조(20)의 홀 수송 층이 제2 전극층(18) 상 또는 위에 도포, 예를 들어 증착될 수 있으며, 그리고 제2 유기 기능층 구조(20)의 에미터 층은 제2 유기 기능층 구조(20)의 홀 수송 층 상 또는 위에 도포, 예를 들어 증착될 수 있다.
광전자 컴포넌트(10)는 일반적으로 추가 유기 기능층들을 포함할 수 있으며, 추가 유기 기능층들은 광전자 컴포넌트(10)의 기능을 더 개선하고 따라서 효율을 더 개선하기 위해 사용된다.
다양한 실시예들에서, 제1 유기 기능층 구조(16) 및/또는 제2 유기 기능층 구조(20)는 1.5㎛까지의 층 두께, 예를 들어 1.2㎛까지의 층 두께, 예를 들어 1㎛까지의 층 두께, 예를 들어 800nm까지의 층 두께, 예를 들어 500nm까지의 층 두께, 예를 들어 400nm까지의 층 두께, 예를 들어 300nm까지의 층 두께를 가질 수 있다.
제1 및 제3 전극층들(14, 18)은 바람직하게는 투명 또는 반투명하도록 형성되며, 제1 전극층(14)은 제1 유기 기능층 구조(16)로부터 광을 위해 적어도 반투명 또는 투명이며, 그리고 제3 전극층(22)은 제2 유기 기능층 구조(20)로부터 광을 위해 적어도 반투명 또는 투명이다. 반대로, 제2 전극층(18)은 제1 및/또는 제2 유기 기능층 구조(16, 20)로부터 광을 위해 불투명 또는 비반투명이도록 형성된다. 대안으로서 또는 추가로, 제2 전극층(18)은 가시 파장 범위내 광을 위해 불투명 또는 비반투명일 수 있다. 제2 전극층(18)은, 예를 들어, 반사할 수 있도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극층(18)을 위해 특별한 재료들을 선택함으로써, 양 측들 위에 무광이고, 일 측 위에 무광이고/이거나 일 측 위에 반사, 또는 양 측들 위에 반사할 수 있는 임프레션이 주어질 수 있다. 더욱이, 두 측들에 종속하는 시야각은 동일하거나 다르게 설정될 수 있다.
전극층들(14, 18, 20)은 (도시되지 않은) 제어 회로에 전기적으로 결합되며, 제어 회로의 도움으로 전압이 제1 전극층(14)과 제2 전극층(18) 사이 및/또는 제2 전극층(18)과 제3 전극층(22) 사이에 인가될 수 있다. 이러한 방식으로, 제1 유기 기능층 구조(16) 또는 제2 유기 기능층 구조(20)가 광을 방출하기 위해 시뮬레이트될 수 있다. 이것은 제1 방출 방향(26) 및/또는 제2 방출 방향(28)으로 광의 선택적 방출을 가져온다.
제1 및/또는 제3 전극층(14, 22)은 전기적으로 전도성인 재료로 형성될 수 있거나 또는 이와 같은 재료, 예를 들어 금속 또는 투명 전도성 산화물(TCO) 또는 복수의 동일하거나 상이한 금속들 및/또는 동일한 TCO 또는 상이한 TCO들의 층들의 층 스택일 수 있다. 투명 전도성 산화물들은 투명 전도성 재료들, 예를 들어 금속 산화물들, 예를 들어 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴 산화물, 티타늄 산화물, 인듐 산화물 또는 인듐 주석 산화물(ITO)이다. 게다가 2진 금속-산소 화합물들, 예를 들어 ZnO, SnO2, 또는 In2O3, 삼중 금속-산소 화합물들, 예를 들어 Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12, 또는 상이한 투명 전도성 산화물들의 혼합물들이 또한 TCO 그룹에 속한다. 더욱이, TCO들은 화학양론 조성(stoichiometric composition)에 반드시 대응할 필요는 없으며, 그리고 더욱이 p-도핑 또는 n-도핑될 수 있다. 제1 및/또는 제3 전극층들(14, 22)이 애노드(anode), 즉 홀-인젝팅 재료로서 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제1 및/또는 제3 전극층(14, 22)이 TCO의 층 위 금속의 층의 조합의 층 스택에 의해 형성될 수 있거나, 또는 그 반대 역시 마찬가지이다. 일례는 인듐 주석 산화물(ITO)(ITO 위 Ag) 위에 도포되는 실버층이다. 다양한 실시예들에서, 제1 및/또는 제3 전극층(14, 22)은 금속(예를 들어 Ag, Pt, Au, Mg) 또는 기술된 재료들의 금속 합금(예를 들어 AgMg 합금)을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제1 및/또는 제3 전극층(14, 22)은 AlZnO 또는 유사한 재료들을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제1 및/또는 제3 전극층(14, 22)은, 예를 들어, 캐소드 재료, 즉, 전자-인젝팅 재료로서 사용될 수 있는 금속을 포함할 수 있다. 그 중에서도, 예를 들어, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca 또는 Li, 및 이들 재료들의 화합물들, 조합들 또는 합금들이 다양한 실시예들에서 캐소드 재료로서 존재할 수 있다.
제1 및/또는 제3 전극 층(14, 22)은 25nm 보다 작거나 동일한 층 두께, 예를 들어 20nm보다 작거나 동일한 층 두께, 예를 들어 18nm보다 작거나 동일한 층 두께를 가질 수 있다. 더욱이, 제1 및/또는 제3 전극층(14, 22)은 예를 들어 10nm보다 크거나 동일한 층 두께, 예를 들어 5nm보다 크거나 동일한 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제1 및/또는 제3 전극층(14, 22)은 대략 10nm에서 대략 25nm까지의 범위내 층 두께, 예를 들어 대략 10nm에서 대략 18nm까지의 범위내 층 두께, 대략 15nm에서 대략 18nm까지의 범위내 층 두께를 가질 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제2 전극층(18)은 예를 들어 50nm보다 작거나 동일한 층 두께, 예를 들어 45nm보다 작거나 동일한 층 두께, 예를 들어 40nm보다 작거나 동일한 층 두께, 예를 들어 35nm보다 작거나 동일한 층 두께, 예를 들어 30nm보다 작거나 동일한 층 두께, 예를 들어 25nm보다 작거나 동일한 층 두께, 예를 들어 20nm보다 작거나 동일한 층 두께, 예를 들어 15nm보다 작거나 동일한 층 두께, 예를 들어 10nm보다 작거나 동일한 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제2 전극층(18)은 임의대로 보다 큰 층 두께를 가질 수 있다.
도 2는 광전자 컴포넌트(10)의 실시예를 도시하며, 비록, 도 1에 도시된 실시예와 대조적으로, 추가로 제1 봉지층(30)이 기판(12)과 제1 전극층(14) 사이에 정렬되고 제2 봉지층(32)이 제3 전극층(22)과 커버층(24) 사이에 정렬된다고 하더라도, 광전자 컴포넌트(10)는 본질적으로 도 1에 도시된 실시예의 광전자 컴포넌트(10)와 동일한 방식으로 형성될 수 있다. 봉지층들(30, 32)은, 예를 들어 습기, 산소, 부식 또는 오물에 대해 전극층들(14, 18, 22)과 유기 기능층 구조들(16, 20)을 보호하기 위해 사용된다. 봉지층들(30, 32)은 바람직하게는 투명 또는 반투명이도록, 예를 들어 유기 기능층 구조들(16, 20)이 방출하는 광의 파장 범위들에 존재하도록 형성된다.
다양한 실시예들에서, 표현 "봉지된" 또는 "봉지"는 예를 들어 배리어가 습기 및/또는 산소에 대해 제공되며, 따라서 대응적으로 봉지된 유기 기능층 구조(16, 20)가 이들 물질들에 의해 침투될 수 없다는 것을 의미하기 위함이다. 다양한 실시예들에서, 봉지층들(30, 32)은 이어지는 재료들 중 하나 또는 하나를 초과하는 재료들을 포함하거나 재료들로 구성될 수 있다: 재료 또는 재료들의 혼합물 또는 재료들의 층들의 스택, 예를 들어 SiO2; Si3N4; SiON(이들 재료들은, 예를 들어, CVD 방법에 의해 증착된다); Al2O3; ZrO2; TiO2; Ta2O5; SiO2; ZnO; 및/또는 HfO2(이들 재료들은, 예를 들어, ALD 방법에 의해 증착된다); 또는 이들 재료들의 조합.
도 3은 광전자 컴포넌트(10)의 실시예를 도시하며, 비록, 도 1에 도시된 실시예와 대조적으로, 제1 유기 기능층 구조(16)가 제1 기능 서브층(40), 제2 기능 서브층(42)과 제3 기능 서브층(44)을 포함하며, 그리고 제2 유기 기능층 구조(20)가 제4 기능 서브층(50), 제5 기능 서브층(52) 및 제6 기능 서브층(54)을 포함한다고 하더라도, 광전자 컴포넌트(10)는 본질적으로 도 1에 도시된 실시예의 광전자 컴포넌트(10)와 동일한 방식으로 형성될 수 있다. 기능 서브층들(40 내지 54)은 상이한 색들의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제4 기능 서브층들(40, 50)은 제1 색, 예를 들어 레드 광의 광을 방출할 수 있으며, 제2 및 제5 기능 서브층들(42, 52)은 제2 색, 예를 들어 그린 광의 광을 방출할 수 있고, 그리고 제3 및 제 6 기능 서브층들(42, 52)은 제3 색, 예를 들어 블루 광의 광을 방출할 수 있다. 이러한 맥락에서, 제1 및 제2 유기 기능층 구조들(16, 20)은 추가 매개 전극층들을 포함할 수 있으며, 추가 매개 전극층들은 예를 들어 개별적인 기능 서브층들(40 내지 54)의 선택적인 구동을 위해 제1 기능 서브층(40)과 제2 기능 서브층(42) 사이, 제2 기능 서브층(42)과 제3 기능 서브층(44) 사이, 제4 기능 서브층(50)과 제5 기능 서브층(52) 사이 및/또는 제5 기능 서브층(52)과 제6 기능 서브층(54) 사이에 정렬된다. 더욱이, 개별적인 서브층들 또는 서브층들(40 내지 54)의 각각은 각각 하나의 수송층과 각각 하나의 에미터 층을 각각 포함할 수 있다.
서브층들이 구동되는 방식에 따라서, 기능 서브층들(40 내지 54)이 상이한 색들의 광을 방출하는 것이 가능하며, 이 경우에 상이한 색의 광은 제2 방출 방향(28)보다 제1 방출 방향(26)으로 방출될 수 있다. 더욱이, 유기 기능층 구조들(16, 20) 중 하나 내에, 기능 서브층들(40 내지 54) 중 하나 또는 둘로부터 광이, 백색광을 발생하기 위해, 다른 기능 서브층들 중 둘 또는 하나로부터의 광에 의해 혼합될 수 있으며, 따라서 대응하는 유기 기능층 구조(16, 20)는 개별적인 기능 서브층들(40 내지 54)의 광으로 구성되는 광을 방출한다.
도 4는 광전자 컴포넌트(10)의 실시예를 도시하며, 비록 도 1에 도시된 실시예와 대조적으로, 제1 추가 층(60)이 기판(12) 아래에 형성되고, 추가로 또는 대안으로서 제2 추가 층(61)이 기판(12)과 제1 전극층(14) 사이에 형성되며, 추가로 또는 대안으로서 제3 추가 층(62)이 제1 전극층(14)과 제1 유기 기능층 구조(16) 사이에 형성되고, 추가로 또는 대안으로서, 제4 추가층(63)이 제1 유기 기능층 구조(16)와 제2 전극층(18) 사이에 형성되며, 추가로 또는 대안으로서 제5 추가층(64)이 제2 전극층(18)과 제2 유기 기능층 구조(20) 사이에 형성되고, 추가로 또는 대안으로서 제6 추가층(65)이 제2 유기 기능층 구조(20)와 제3 전극층(22) 사이에 형성되며, 추가로 또는 대안으로서 제7 추가층(66)이 제3 전극층(22)과 커버층(24) 사이에 정렬되고/되거나, 추가로 또는 대안으로서 제8 추가층(67)이 커버층(24) 위에 형성된다고 하더라도, 광전자 검포넌트(10)는 본질적으로 도 1에 도시된 실시예의 광전자 컴포넌트(10)와 동일한 방식으로 형성될 수 있다. 선택적으로, 여분의 추가층들이 봉지층들(30, 32) 위 및/또는 아래에 형성될 수 있다(도 2를 참조).
기판(12) 아래 제1 추가층(60) 또는 커버층(24) 위 제8 추가층(67)이 외부 출력 구조들로서 형성될 수 있다. 기타 추가층들(61 내지 66)이 내부 출력 구조들로서 형성될 수 있다. 추가층들(60 내지 67)의 도움으로, 예를 들어, 두 방출 방향들(26, 28)로 전극층들(14, 18, 20)의 전송률 또는 반사율 또는 방출비가 설정될 수 있다. 더욱이, 발생된 광의 출력 효율이 개선될 수 있다. 더욱이, 제1 전극층(14) 아래 추가층들(60, 61, 62)의 도움 및/또는 제3 전극층(22) 위 추가층들(65, 66, 67)의 도움으로, 상이한 색의 광의 방출은 두 방출 방향들(26, 28)로, 예를 들어, 색 필터들로서 형성되는 대응하는 추가층들(60, 61, 62, 65, 66, 67)에 의해 설정될 수 있다. 더욱이, 방출된 광의 색 온도는 추가층들(60 내지 67)의 도움으로, 예를 들어 일렉트로크로믹 또는 써모크로릭 추가층들(60 내지 67)을 이용함으로써 설정될 수 있다. 예를 들어, 2500K와 4000K 사이의 색온도는 제1 방출 방향(30)으로, 예를 들어 직접 조명으로서 설정될 수 있으며, 그리고 4000K 내지 6500K의 색온도는 제2 방출 방향(32)으로, 예를 들어 간접 조명으로서 설정될 수 있다. 더욱이, 발생된 광의 양의 45%는 제1 방출 방향(30)으로 방출되며, 그리고 발생된 광의 양의 55%는 제2 방출 방향(32)으로 방출된다.
추가층들 또는 개별 추가층들(60 내지 67)의 각각은 하나, 또는 둘을 초과하는 서브층들을 각각 포함할 수 있다. 더욱이, 추가층들 또는 개별 추가 층들(60 내지 67), 또는 선택적으로 이들의 서브층들의 각각은 출력층들, 출력 구조들, 평탄화 층들 및/또는 매트릭스내 굴절 또는 회절 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 출력 구조들은 기판(12)의, 전극층들(14, 18, 22)의, 유기 기능층 구조들(16, 20)의, 봉지층들(30, 32)의, 또는 커버층(24)의 처리된 서브층들일 수 있다. 예를 들어, 출력 구조는 기판(12)의, 전극층들(14, 18, 22)의, 유기 기능층 구조들(16, 20)의, 봉지층들(30, 32)의, 또는 커버층(24)의 텍스처링일 수 있다.
예를 들어, 하나 또는 하나를 초과하는 추가층들(60 내지 67)은 구조들을 수정함에 따라서 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 및/또는 제2 추가층(60, 61)이 기판(12)의 재료의 국부적인 수정 구조로서 적어도 하나의 사전결정된 위치(또는 복수의 사전결정된 위치들)(각각)에서 기판(예를 들어 글래스 기판)(12)내 기판 모드들의 출력을 위해 제공될 수 있다. 더욱이, 제7 및/또는 제8 추가층(66, 67)이 커버층(24)의 재료의 국부적인 수정 구조로서 적어도 하나의 사전결정된 위치(또는 복수의 사전결정된 위치들)(각각)에서 커버(예를 들어 글래스 기판)(12)내 기판 모드들의 출력을 위해 제공될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 국부적인 수정 구조 또는 구조들은 식각(etching)의 형태로, 예를 들어 기판 또는 커버층 내부 식각의 형태로 형성된다. 다양한 실시예들에서, 국부적인 수정 구조 또는 구조들은 비주기적인 구조의 형태로 형성된다. 이러한 국부적인 수정 구조, 또는 이들 국부적인 수정 구조들은, 예를 들어, 에미터 층들에 의해 발생된 광을 산란시키며, 산란된 광은 기판(12), 또는 커버층(24)내로 안내된다. 이러한 구성의 장점은 기판(12)의, 또는 커버층(24)의 표면(예를 들어 글래스 표면)이 앞서와 같이 자신의 반사 임프레션을 유지한다는 것이다. 이러한 방식으로, 광전자 컴포넌트(10)의 오프-상태 모습이 추가적으로 개선될 수 있다. 하나 또는 하나를 초과하는 국부적인 수정 구조들이 기판(12) 또는 커버층(24)내 사전결정되거나 사전정의된 위치들에서 형성될 수 있으며, 따라서 바람직한 인공적으로 발생된 산란 구조들(비결정적이며 원하지 않는 불균일함들에 기인한 각각의 층의 재료내 불균일함이 없는)이 형성된다. 하나 또는 하나를 초과하는 국부적인 수정 구조들은 모두 동일한 크기 또는 상이한 크기들을 가질 수 있다. 하나 또는 하나를 초과하는 층들내 복수의 국부적인 수정 구조들의 정렬이 랜덤하게, 즉 비주기적으로 존재할 수 있다. 대안으로서, 국부적인 수정 구조들이 사전결정된 (예를 들어 주기적인) 패턴으로 정렬될 수 있다. 더욱이, 복수의 국부적인 수정 구조들에 의해, 국부적인 결정 구조, 예를 들어 렌즈 구조가 하나 또는 하나를 초과하는 층들 내에 형성될 수 있다.
커버층(24)내 하나 또는 하나를 초과하는 국부적인 수정 구조들은 수정 구조에 산란 중심들을 형성한다. 이러한 방식으로, 제2 방출 방향(28)으로 광의 출력이, 예를 들어 하나 또는 하나를 초과하는 국부적인 수정 구조들(예를 들어 내부 식각의 형태로)을 포함하는 커버층(302)(예를 들어 커버 글래스)에 의해 개선될 수 있다.
광전자 컴포넌트(10)의 유기 기능층 구조들(16, 20)내 안내된 모드들의 출력을 위해, 특정한 상황들하에서 하나 또는 하나를 초과하는 국부적인 수정 구조들과 함께 기판(12) 및/또는 커버층(24)을 제공, 예를 들어 내부적으로 식각하는 것이 충분하지 않을 수 있는데, 이는 사용된 재료들 때문에 유기 기능층 구조들(16, 20), 전극층들(14, 18, 22), 커버층(24) 및 기판(202) 사이에 통상적으로 존재하는 굴절률 비연속성으로 인해, 광이 적어도 부분적으로 커버층(24) 또는 기판(12)(예를 들어 글래스 기판)내에 도달하지 않기 때문이다. 이러한 양상은 다양한 방식들에서 국부적인 수정 구조들에 의해 부딪히게 될 수 있다.
예를 들어, 추가층들(60 내지 67) 중 하나는 (예를 들어 질화 규소 및/또는 산화 티타늄의) 투명한 높은-인덱스 층으로서, 또는 복수의 투명한 높은-인덱스 층들의 스택으로서 형성될 수 있다. 하나 또는 하나를 초과하는 국부적인 수정 구조들이 투명한 높은-인덱스 층에 제공되거나 또는 복수의 투명한 높은-인덱스 층의 스택에 제공될 수 있다. 예를 들어, 투명한 높은-인덱스 층 또는 복수의 투명한 높은-인덱스 층들의 스택이 내부적으로 식각될 수 있다. 유기 기능층 구조들(16, 20)의 층들로부터 오는 광은 대응하는 투명한 높은-인덱스 층에서 또는 복수의 투명한 높은-인덱스 층들의 스택에서 산란될 수 있으며, 따라서 광이 출력될 수 있다. 이러한 경우에, 예를 들어, 하나 또는 하나를 초과하는 국부적인 수정 구조들이 또한 개별 층들의 인터페이스들에서 제공될 수 있다.
국부적인 수정 구조들이 서브-㎛ 범위의 크기를 가지면, 다양한 실시예들에서 국부적인 수정 구조들이 비주기적인 패턴으로 정렬되는 것이 가능하다. 국부적인 수정 구조들이 적어도 1㎛이 크기를 가지면, 다양한 실시예들에서 국부적인 수정 구조들이 주기적인 패턴으로 정렬되는 것이 가능하다. 그러나, 국부적인 수정 구조들은 국부적인 수정 구조들이 적어도 1㎛의 크기를 갖는 경우에서 조차도 비주기적으로 정렬될 수 있다는 것이 주목되어야 한다.
도 5는 광전자 컴포넌트(10)를 발생하기 위한 방법의 흐름도를 도시한다.
단계(S2)에서, 기판(12)이 제공된다. 기판(12)은, 예를 들어, 글래스 또는 시트로부터 형성되며, 그리고 제1 추가층(60)에 의해 제공될 수 있으며, 제1 추가층(60)은 배리어 층으로서 형성될 수 있다.
단계(S4)에서, 단계(S4)는 선택적으로 수행될 수 있으며, 제1 봉지층(30)이 기판(12) 위에 형성된다. 제1 봉지층(30)은 바람직하게는 투명하도록 형성된다.
단계(S6)에서, 제1 전극층(14)은 기판(12) 위에 형성되거나, 또는 선택적으로 제1 봉지층(30) 위에 형성된다. 제1 전극층(14)은, 예를 들어, 투명하며 제어 회로에 전기적으로 결합되도록 형성된다.
단계(S8)에서, 제1 유기 기능 층 구조(16)는, 예를 들어 하나 또는 하나를 초과하는 투명층들과 하나 또는 하나를 초과하는 에미터층들을 형성하고/하거나, 기능 서브층들(40, 42, 44)을 형성함으로써 제1 전극층(14) 상 또는 위에 형성된다.
단계(S10)에서, 제2 전극층(18)은 제1 유기 기능층 구조(16) 상 또는 위에 형성된다. 제2 전극층(18)은 불투명하도록 형성된다. 예를 들어, 제2 전극층(18)은 일측에 무광이고 다른 측에 반사, 양 측들에 무광이거나, 또는 양 측들에 반사할 수 있도록 형성된다. 더욱이, 제2 전극층(18)은 제어 회로에 전기적으로 결합된다.
단계(S12)에서, 제2 유기 기능층 구조(20)는, 예를 들어 제1 유기 기능층 구조(16)에 대응하는 방식으로, 제2 전극층(18) 상 또는 위에 형성된다.
단계(S14)에서, 제3 전극층(22)은, 예를 들어 제1 전극층(14)에 대응하는 방식으로 제2 유기 기능층 구조(20) 상 또는 위에 형성된다.
단계(S16)에서, 단계(S16)는 선택적으로 수행될 수 있으며, 제2 봉지층(32)은, 예를 들어 제1 봉지층(30)에 대응하는 방식으로 제3 전극층(22) 위에 형성된다.
단계(S18)에서, 커버층(24)은 제3 전극층(22) 상 또는 위에 형성되거나, 선택적으로, 예를 들어 글래스, 시트 또는 코팅으로부터 제2 봉지층(32) 위에 형성된다. 글래스 또는 시트는 제3 전극층(22) 위 또는 제2 봉지층(32) 위에 접착제 접합될 수 있다.
추가 단계(S20)에서, 추가 단계(S20)는 상기 하나, 둘 또는 둘을 초과하는 단계들(S2 내지 S18)간에 수행될 수 있으며, 추가층 또는 층들(60 내지 67) 및/또는 이들의 서브층들이 형성된다. 추가층들(60 내지 67)은, 예를 들어, 추가 재료층들로서 도포될 수 있거나, 추가층들(60 내지 67)은 기판(12)의, 대응하는 전극층(14, 18, 22)의, 대응하는 유기 기능층 구조들(16, 20)의, 커버층(24)의 또는 봉지층들(30, 32)의 재료의 국부적인 가열에 의해 형성될 수 있다. 각각의 층의 재료의 국부적인 가열은, 예를 들어, 레이저를 이용함으로써, 바람직하게는 각각의 층의 내부 레이저 식각이 수행되는 것과 같은 방식으로 수행된다.
다양한 실시예들에서, 복수의 식각된 층들의 조합이 또한 광전자 컴포넌트(10)내에 제공될 수 있다. 하나 또는 하나를 초과하는 층들을 오직 조금만 식각하는 것이 또한 가능하다.
예를 들어, (하나 또는 하나를 초과하는 레이저들을 이용함으로써) 내부 식각의 기법은 층들내에 임의의 원하는 구조들을 스크라이브하거나 형성하는 것을 가능하게 한다. 다양한 실시예들에서, 이들은 예를 들어 특히 산란 층들일 수 있으며; 대안으로서 또는 추가로, 예를 들어 렌즈 효과들을 야기할 수 있는, 3차원 구조들이 또한 스크라이브될 수 있거나 광전자 컴포넌트(10)의 하나 또는 하나를 초과하는 층들 내에 형성될 수 있다. 이러한 방식으로, 최종 사용을 위한 특별한 효과들, 예를 들어 유기 발광 다이오드의 광 패턴으로 밝게 빛을 발하는 문자를 위해 특별한 효과들을 생성하는 것이 또한 가능하다.
예를 들어, 모든 선택적으로 반투명한, 예를 들어 투명한 그 자체로, 재료들이 내부 레이저 식각을 위해 제공될 수 있기 때문에, 기판(12) 또는 커버층(24)은 반드시 글래스로 구성될 필요가 없다. 예를 들어, 기판(12) 또는 커버층(24)이 플라스틱 또는 기타 반투명한, 예를 들어 투명한, 재료들로 구성되거나 포함하는 것이 또한 가능하다.
따라서, 다양한 실시예들에서, 기판 모드들 및/또는 기타 층들의 모드들, 예를 들어 전극층들(14, 18, 22)의 모드들(예를 들어 ITO 모드들) 및/또는 유기의, 즉 유기 기능층 구조들(16, 20)의 모드들이 출력되며; 이들 모드들은 또한 ITO/유기 모드로서 지칭된다.
다양한 실시예들에서, (비록 인터페이스가 의도적으로 구성되어야 할 실시예를 제외하고, 인터페이스가 파괴되지 않아야 한다고 하더라도) 식각은 층의 인터페이스들로부터 수 nm까지 형성될 수 있다.
예를 들어, 광전자 컴포넌트(10)는 방을 분리하기 위한 디바이스에서 사용될 수 있다.
도 6은, 방(70)을 분리하기 위한 디바이스로서, 본질적으로 하나 또는 하나를 초과하는 광전자 컴포넌트들(10)로부터 형성되는 창(72)을 예로서 도시한다. 예를 들어, 창(72)은 외부 창 또는 2개의 방들 사이의 분할 창, 예를 들어 회의실에 대한 창이다. 창에 대한 대안으로서 또는 추가로, 대응하는 방(70)은 광전자 컴포넌트(10)를 포함하는 문에 의해 또한 분리될 수 있다.
도 7은, 방을 분리하기 위한 디바이스로서, 예를 들어 가구(80), 하나 또는 하나를 초과하는 광전자 컴포넌트들(10)에 의해 본질적으로 형성되는 문(82)을 도시하며, 방은 예를 들어 가구(80)의 인테리어이다. 가구(80)는, 예를 들어, 디스플레이 캐비넷 또는 벽장이다.
발명은 표시된 실시예들로 제한되지 않는다. 예를 들어, 실시예들은 서로 조합될 수 있다. 예를 들어, 추가층들(60 내지 67) 및 봉지층들(30, 32)이 제공될 수 있다. 더욱이, 추가층들(60 내지 67) 및 기능 서브층들(40, 42, 22, 50, 52, 54)이 제공될 수 있다. 더욱이, 봉지층들(30, 32) 및 기능 서브층들(40, 42, 22, 50, 52, 54)이 제공될 수 있다. 더욱이, 보다 적은 추가층들(60 내지 67), 보다 적은 기능 서브층들(40, 42, 22, 50, 52, 54), 또는 봉지층들(30, 32) 중 오직 하나만이 제공될 수 있다. 더욱이, 여분의 추가층들(60 내지 67), 여분의 기능 서브층들(40, 42, 22, 50, 52, 54), 또는 여분의 봉지층들(30, 32)이 제공될 수 있다.
10 광전자 컴포넌트
12 기판
14 제1 전극층
16 제1 유기 기능층 구조
18 제2 전극층
20 제2 유기 기능층 구조
22 제3 전극층
24 커버층
26 제1 방출 방향
28 제2 방출 방향
30 제1 봉지층
32 제2 봉지층
40 제1 기능 서브층
42 제2 기능 서브층
44 제3 기능 서브층
50 제4 기능 서브층
52 제5 기능 서브층
54 제6 기능 서브층
60 제1 추가층
61 제2 추가층
62 제3 추가층
63 제4 추가층
65 제6 추가층
66 제7 추가층
67 제8 추가층
70 방
72 창
80 가구
82 문
S2 - S20 단계 2 내지 단계 20

Claims (18)

  1. 광전자 컴포넌트(10)로서,
    제1 전극층(14);
    상기 제1 전극층(14) 상 또는 위에 제1 유기 기능층 구조(16);
    상기 제1 유기 기능층 구조(16) 상 또는 위에 불투명 제2 전극층(18);
    상기 제2 전극층(18) 상 또는 위에 제2 유기 기능층 구조(20);
    상기 제2 유기 기능층 구조(20) 상 또는 위에 제3 전극층(22)
    을 포함하며,
    여기서 상기 제2 전극층을 위한 재료는, 상기 광전자 컴포넌트(10)의 적어도 일 측의 무광 임프레션(matt impression)이 주어지는 방식으로 선택되는,
    광전자 컴포넌트(10).
  2. 제1항에 있어서,
    기판(12)을 더 포함하며,
    여기서 상기 제1 전극층(14)은 상기 기판(12) 상 또는 위에 정렬되는,
    광전자 컴포넌트(10).
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제3 전극층(22) 상 또는 위에 커버층(24)을 더 포함하는,
    광전자 컴포넌트(10).
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 봉지층(encapsulation layer)(30, 32)을 더 포함하며,
    봉지층(30, 32) 위에 상기 제1 전극층(14)이 정렬되고/되거나, 상기 봉지층(30, 32)이 상기 제3 전극층(22) 위에 정렬되는,
    광전자 컴포넌트(10).
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 추가층(60 내지 67)을 더 포함하며,
    상기 적어도 하나의 추가층(60 내지 67) 위에 상기 기판(12)이 정렬되고,
    상기 적어도 하나의 추가층(60 내지 67)이 상기 기판(12)과 상기 제1 전극층(14) 사이에 정렬되며,
    상기 적어도 하나의 추가층(60 내지 67)이 상기 제1 전극층(14)과 상기 제1 유기 기능층 구조(16) 사이에 정렬되고,
    상기 적어도 하나의 추가층(60 내지 67)이 상기 제1 유기 기능층 구조(16)와 상기 제2 전극층(18) 사이에 정렬되며,
    상기 적어도 하나의 추가층(60 내지 67)이 상기 제2 전극층(18)과 상기 제2 유기 기능층 구조(20) 사이에 정렬되고,
    상기 적어도 하나의 추가층(60 내지 67)이 상기 제2 유기 기능층 구조(20)와 상기 제3 전극층(22) 사이에 정렬되며,
    상기 적어도 하나의 추가층(60 내지 67)이 상기 제3 전극층(22)과 상기 커버층(24) 사이에 정렬되고/되거나,
    상기 적어도 하나의 추가층(60 내지 67)이 상기 커버층(24) 위에 정렬되는,
    광전자 컴포넌트(10).
  6. 제5항에 있어서,
    상기 추가층(60 내지 67)은 하나, 둘 또는 둘을 초과하는 서브층들을 포함하는,
    광전자 컴포넌트(10).
  7. 제5항에 있어서,
    상기 추가층(60 내지 67), 또는 선택적으로 상기 추가층(60 내지 67)의 서브층들은 출력층, 출력 구조, 평탄화 층, 및/또는 매트릭스내 굴절 엘리먼트와 회절 엘리먼트를 포함하는,
    광전자 컴포넌트(10).
  8. 광전자 컴포넌트(10)를 생산하기 위한 방법으로서,
    제1 전극층(14)을 형성하는 단계;
    상기 제 전극층(14) 상 또는 위에 제1 유기 기능층 구조(16)를 형성하는 단계;
    상기 제1 유기 기능층 구조(16) 상 또는 위에 불투명 제2 전극층(18)을 형성하는 단계;
    상기 제2 전극층(18) 상 또는 위에 제2 유기 기능층 구조(20)를 형성하는 단계; 및
    상기 제2 유기 기능층 구조(20) 상 또는 위에 제3 전극층(22)을 형성하는 단계
    를 포함하며,
    여기서 상기 제2 전극층을 위한 재료는, 상기 광전자 컴포넌트(10)의 적어도 일 측의 무광 임플레션이 주어지는 방식으로 선택되는,
    광전자 컴포넌트(10)를 생산하기 위한 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    기판(12)이 제공되며, 그리고 상기 제1 전극층(14)은 상기 기판(12) 상 또는 위에 형성되는,
    광전자 컴포넌트(10)를 생산하기 위한 방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    커버층(24)이 상기 제3 전극층(22) 상 또는 위에 형성되는,
    광전자 컴포넌트(10)를 생산하기 위한 방법.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 봉지층(30, 32)이 상기 제1 전극층(14) 아래 및/또는 상기 제3 전극층(22) 위에 형성되는,
    광전자 컴포넌트(10)를 생산하기 위한 방법.
  12. 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    추가층(60 내지 67)이
    상기 기판(12) 아래에,
    상기 기판(12)과 상기 제1 전극층(14) 사이에,
    상기 제1 전극층(14)과 상기 제1 유기 기능층 구조(16) 사이에,
    상기 제1 유기 기능층 구조(16)와 상기 제2 전극층(18) 사이에,
    상기 제2 전극층(18)과 상기 제2 유기 기능층 구조(20) 사이에,
    상기 제2 유기 기능층 구조(20)와 상기 제3 전극층(22) 사이에,
    상기 제3 전극층(22)과 상기 커버층(24) 사이에 및/또는,
    상기 커버층(24) 위에 형성되는,
    광전자 컴포넌트(10)를 생산하기 위한 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 추가층(60 내지 67)은 하나, 둘 또는 둘을 초과하는 서브층들을 포함하는,
    광전자 컴포넌트(10)를 생산하기 위한 방법.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 추가층(60 내지 67), 또는 선택적으로 상기 추가층(60 내지 67)의 서브층들은 출력층, 출력 구조, 평탄화 층으로서 그리고/또는 굴절 엘리먼트와 회절 엘리먼트를 포함하는 매트릭스로서 형성되는,
    광전자 컴포넌트(10)를 생산하기 위한 방법.
  15. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 추가층(60 내지 67)은 상기 기판(12)의, 대응하는 전극층(14, 18, 22)의, 상기 대응하는 유기 기능층 구조(16, 20)의, 또는 상기 커버층(24)의 재료의 국부적인 가열에 의해 형성되는,
    광전자 컴포넌트(10)를 생산하기 위한 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    각각의 층의 상기 재료의 상기 국부적인 가열은 레이저를 이용함으로써, 바람직하게는 상기 각각의 층의 내부적인 레이저 식각이 수행되는 것과 같은 방식으로 수행되는,
    광전자 컴포넌트(10)를 생산하기 위한 방법.
  17. 방(70)을 분리하기 위한 디바이스로서,
    상기 디바이스는 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 상기 광전자 컴포넌트(10)를 포함하는,
    방(70)을 분리하기 위한 디바이스.
  18. 가구(80)로서,
    상기 가구(80)는 제17항에 따른 상기 디바이스를 포함하는,
    가구(80).
KR1020147022301A 2012-01-10 2013-01-07 광전자 컴포넌트, 광전자 컴포넌트를 생산하기 위한 방법, 공간을 분리하기 위한 디바이스, 그리고 가구 KR101676681B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012200224.3 2012-01-10
DE102012200224A DE102012200224A1 (de) 2012-01-10 2012-01-10 Optoelektronisches bauelement, verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements, vorrichtung zum abtrennen eines raumes und möbelstück
PCT/EP2013/050135 WO2013104572A1 (de) 2012-01-10 2013-01-07 Optoelektronisches bauelement, verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements, vorrichtung zum abtrennen eines raumes und möbelstück

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140116918A true KR20140116918A (ko) 2014-10-06
KR101676681B1 KR101676681B1 (ko) 2016-11-16

Family

ID=47563433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147022301A KR101676681B1 (ko) 2012-01-10 2013-01-07 광전자 컴포넌트, 광전자 컴포넌트를 생산하기 위한 방법, 공간을 분리하기 위한 디바이스, 그리고 가구

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20150028312A1 (ko)
KR (1) KR101676681B1 (ko)
CN (1) CN104040749A (ko)
DE (1) DE102012200224A1 (ko)
WO (1) WO2013104572A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014100993A1 (de) 2013-12-05 2015-06-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung des organischen lichtemittierenden Bauelements
DE102014111286A1 (de) * 2014-08-07 2016-02-11 Osram Oled Gmbh Organische Leuchtdiode
CN105895819B (zh) * 2016-04-28 2018-07-06 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件及其制备方法、oled显示面板
KR102466444B1 (ko) * 2017-12-21 2022-11-14 루미리즈 홀딩 비.브이. 조명 디바이스

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070114522A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-24 Hoi-Sing Kwok Double sided emission organic light emitting diode display
KR100835725B1 (ko) * 2002-03-26 2008-06-05 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤 유기전계발광소자
KR20090077054A (ko) * 2006-09-29 2009-07-14 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 유기 발광 소자 및 조명 장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996034514A1 (fr) * 1995-04-25 1996-10-31 Citizen Watch Co., Ltd. Dispositif d'electroluminescence organique
EP1435762A4 (en) * 2001-09-13 2010-03-24 Nissan Chemical Ind Ltd TRANSPARENT SUBSTRATE USING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
US7119372B2 (en) * 2003-10-24 2006-10-10 Gelcore, Llc Flip-chip light emitting diode
JP2006252787A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子製造方法および有機ｅｌ素子
DE102006060781B4 (de) * 2006-09-29 2021-09-16 Pictiva Displays International Limited Organisches Leuchtmittel
CN102324462B (zh) * 2006-10-12 2015-07-01 凯博瑞奥斯技术公司 基于纳米线的透明导体及其应用
JP4932421B2 (ja) * 2006-10-13 2012-05-16 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置とその製造方法
RU2010138903A (ru) * 2008-02-22 2012-03-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl) Двусторонний органический светоизлучающий диод (осид)
EP2399306A1 (fr) * 2009-02-19 2011-12-28 AGC Glass Europe Susbstrat transparent pour dispositifs photoniques
KR20110108697A (ko) * 2010-03-29 2011-10-06 삼성전자주식회사 유기 발광 소자 및 이에 채용되는 편광 구조 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100835725B1 (ko) * 2002-03-26 2008-06-05 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤 유기전계발광소자
US20070114522A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-24 Hoi-Sing Kwok Double sided emission organic light emitting diode display
KR20090077054A (ko) * 2006-09-29 2009-07-14 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 유기 발광 소자 및 조명 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR101676681B1 (ko) 2016-11-16
DE102012200224A1 (de) 2013-07-11
US20150028312A1 (en) 2015-01-29
CN104040749A (zh) 2014-09-10
WO2013104572A1 (de) 2013-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101727668B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US8941296B2 (en) Organic EL device having a high light output
US9130195B2 (en) Structure to enhance light extraction and lifetime of OLED devices
US20140061617A1 (en) Method and apparatus for integrating an infrared (hr) pholovoltaic cell on a thin photovoltaic cell
US20130140982A1 (en) Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
US20150034930A1 (en) Organic light-emitting device
US20140225086A1 (en) Organic light-emitting component and method for producing an organic light-emitting component
KR20140091696A (ko) 발광 컴포넌트와 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법
KR101676681B1 (ko) 광전자 컴포넌트, 광전자 컴포넌트를 생산하기 위한 방법, 공간을 분리하기 위한 디바이스, 그리고 가구
US9941486B2 (en) Component and method for producing a component
CN103931011A (zh) 有机发光器件
US20160172330A1 (en) Tunable OLED Lighting Source
US9109790B2 (en) Liquid container, container illumination device, container member, and container illumination system
CN103210518A (zh) 电子器件和用于制造电子器件的方法
KR102390862B1 (ko) 광전자 어셈블리 및 광전자 어셈블리를 제조하기 위한 방법
KR102080630B1 (ko) 발광 컴포넌트 및 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법
US9614188B2 (en) Organic electroluminescent element and lighting device
US20130270542A1 (en) Method for producing an optoelectronic component and optoelectronic component
KR20170030637A (ko) 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트의 제조 방법
TWI424226B (zh) 面光源與顯示面板
US10770690B2 (en) OLED with minimal plasmonic losses
Forrest et al. OLED with minimal plasmonic losses
CN107591489A (zh) 一种电致侧发光器件

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant