CN104040749A - 光电子器件、用于制造光电子器件的方法、用于分割空间的设备和家具 - Google Patents

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Abstract

一种光电子器件(10)具有：第一电极层(14)；在第一电极层(14)上或上方的第一有机功能层结构(16)；在第一有机功能层结构(16)上或者上方的非透明的第二电极层(18)；在第二电极层(18)上或上方的第二有机功能层结构(20)；在第二有机功能层结构(20)上或上方的第三电极层(22)。

Description

光电子器件、用于制造光电子器件的方法、用于分割空间的设备和家具
技术领域
本发明涉及一种光电子器件、一种用于制造光电子器件的方法、一种用于分割空间的设备和一种家具。
背景技术
光电子器件适合于产生光或产生电流。作为光电子器件例如已知的是发光二极管、尤其是有机发光二级管、或太阳能电池、尤其是有机太阳能电池。有机发光二级管越来越频繁地用于新型的照明解决方案，以便通过空间的特定的照明来有助于产生良好的和舒适的空间氛围或促进效率的工作氛围，例如通过混合直接的或间接的照明。
有机发光二极管(OLED)在大多数实施方式中单侧地被镜反射化进而仅沿一个方向(例如在底部发射器中在衬底侧或者在顶部发射器中在覆盖玻璃侧)发射光。对于应实现在两侧发射的应用而言，设置两个OLED，使得沿两个放射方向进行光发射。这具有下述缺点：必须使用双倍数量的OLED，这导致显著的成本提高。另外的缺点通过这种灯具的显著更厚的结构高度而产生，由此通常丧失极其薄的且审美学上美观的OLED的优点。由此引起设计自由度的大的限制。
此外为了在两侧放射光，也已知透明的OLED，其中以透明的或半透明的方式构成包围OLED的有机功能层结构的电极层进而可以在衬底侧和覆盖玻璃侧进行光放射。透明的OLED具有另外的优点：其在断开的状态下是透明的，这在断开的状态下一方面实现透过透明的OLED的透视或外部光穿过透明的OLED的入射。透明的OLED原则上在两侧发射。该器件的大的缺点是：仅大约20％的所产生的光能够发射到这两个半平面中，剩余的光被波导并且通过内部损耗而损失(例如通过内部的全反射和内部吸收)。
发明内容
不同的实施例能够实现高效率的OLED器件的实现方案，其中有效地在两侧进行光放射(衬底侧和覆盖玻璃侧)是可行的，进而能够实现高效率的灯具的实现方案，所述灯具能够实现光朝灯具的两侧放射并且其因而在一个灯具中共存有直接的和间接的光份额的混合。由此得到用于灯具设计的新的可行性和大的设计自由度，这例如在空间照明时能够有助于良好的和舒适的空间氛围或促进效率的工作氛围。
在不同的实施例中提供光电子器件。光电子器件能够具有：第一电极层；在第一电极层上或上方的第一有机功能层结构；在第一有机功能层结构上或者上方的非透明的第二电极层；在第二电极层上或上方的第二有机功能层结构，在第二有机功能层结构上或上方的第三电极层。
有机功能层结构例如能够分别具有传输层和发射体层。在将电压施加到第一和第二电极层上时，第一有机功能层结构发射光，并且在将电压施加到第二和第三电极层上时，第二有机功能层结构发射光。光电子器件能够实现在彼此相反的两个方向上的有效率的光放射。光电子器件能够从两个方向镜反射地作用或者非镜反射地作用或者仅从这两个方向中的一个方向镜反射地作用。这两个有机功能层结构能够具有不同的放射特性，例如层结构中的一个能够具有暖的、例如暖白色的放射特性，并且另外的层结构能够具有冷的、例如冷白色的放射特性。层结构的光的放射能够彼此无关地定向，例如沿着面法线，或者具有朗伯的放射轮廓或者是蝴蝶状的。此外，层结构中的一个能够发射与其他的层结构不同颜色的光，使得光电子器件沿第一放射方向放射与沿第二放射方向不同颜色的光。
此外，第一电极层、第一有机功能层结构和第二电极层能够形成底部发射器和/或第二电极层、第二有机功能层结构和第三电极层能够形成顶部发射器。第二电极层构成为是非透明的，这在本文中能够表示：第二电极层对于来自第一和/或第二功能层结构中的光是非透明的。例如，第二电极层能够在其一侧或两侧上以镜反射的方式构成。这能够有助于：在一个放射方向上的光具有与在其他放射方向上的光不同的颜色、不同的放射特性和/或不同的色温。例如，能够通过为各个电极层选择特定的材料而给出两侧亚光的、单侧亚光的和单侧镜反射的或两侧镜反射的印象。此外，在两侧上的视角相关性能够设定为相同的或不同的。
有机功能层结构能够由有机层组成，所述有机层发射不同颜色的光，使得相应的层结构发射由各个有机层的光组成的光。
因此，能够控制在两个方向上的发射比。能够在这两个方向上彼此独立地设定发射颜色(例如中性白色、冷白色、或者可视光谱的子区域，如红色、绿色、蓝色等)。能够在两侧且沿发射方向彼此独立地设定放射特性。
灯具的下述实现方案是可行的，其中例如一侧是镜反射的并且该侧因此对于特定的应用而言产生极其高质量的且审美学上美观的印象。能够借助于耦合输出结构沿另一发射方向实现OLED的或灯具的高的效率(例如具有向下的为了光学外观的和直接的光份额的镜面以及向上的为了间接照明部分的亚光外观的吊顶灯)。
根据不同的实施例，光电子器件还具有衬底，其中第一电极层设置在衬底上或上方。衬底能够具有玻璃或薄膜并且能够设有一个或多个阻挡层。因此，在衬底侧进行光沿两个方向中的一个放射。
根据不同的实施例，光电子器件还具有在第三电极层上或上方的覆盖层。覆盖层能够具有玻璃、薄膜和/或漆并且能够设有一个或多个阻挡层。
根据不同的实施例，光电子器件还具有至少一个封装层，第一电极层设置在所述封装层上方，和/或所述封装层设置在第三电极层上方。封装层能够具有封装第一电极层和第一功能层结构的第一封装层和/或封装第二电极层和第二功能层结构的第二封装层。封装层保护相应的功能层结构免受湿气和污物影响。
根据不同的实施例，光电子器件还具有至少一个附加层，衬底设置在所述附加层上方，所述附加层设置在衬底和第一电极层之间，所述附加层设置在第一电极层和第一有机功能层结构之间，所述附加层设置在第一有机功能层结构和第二电极层之间，所述附加层设置在第二电极层和第二有机功能层结构之间，所述附加层设置在第二有机功能层结构和第三电极层之间，所述附加层设置在第三电极层和覆盖层之间，和/或所述附加层设置在覆盖层上方。换而言之，附加层能够设置在每个另外的前面提及的层、例如电极层、封装层和/或有机功能层结构以及衬底或覆盖玻璃之间、之中、下方或设置在其上。此外，在所提及的部位上能够设置有多个附加层。
衬底下方的附加层或覆盖层上的附加层能够构成为外部的耦合输出结构。另外的附加层能够构成为内部的耦合输出结构。借助于附加层例如能够设定电极层的反射率或透射率或者也设定在两个放射方向上的发射比。此外，能够改进所产生的光的耦合输出效率。此外，能够沿两个放射方向设定不用颜色光的放射，其方式例如为将附加层中的至少一个构成为色彩过滤器。此外，能够借助于附加层设定所放射的光的色温，例如通过使用电致变色或热致变色层作为附加层来进行。附加层也能够具有一个、两个或多个子层。附加层或必要时其子层能够具有一个或多个耦合输出层、一个或多个耦合输出结构、一个或多个平坦化层和/或基体中的衍射或折射的单元。这种耦合输出结构能够是衬底的、电极层的、有机功能层结构的或覆盖层的经过加工的子层。例如，耦合输出结构能够是衬底的、电极层的、有机功能层结构的或封装层的或覆盖层的纹理化部。
在不同的实施例中，提供一种用于制造光电子器件的方法，其中该方法具有下述步骤：形成第一电极层；形成第一电极层上或上方的第一有机功能层结构；形成第一有机功能层结构上或者上方的第二电极层；形成第二电极层上或上方的第二有机功能层结构；形成第二有机功能层结构上或上方的第三电极层。
根据不同的实施例，提供衬底并且在衬底上或上方形成第一电极层。衬底能够具有玻璃或薄膜和/或设有一个或多个阻挡层。
根据不同的实施例，在第三电极层上或上方形成覆盖层。覆盖层能够具有玻璃、薄膜或漆。
根据不同的实施例，在第一电极层下方和/或在第三电极层上方至少形成封装层。
根据不同的实施例，在衬底下方，在衬底和第一电极层之间，在第一电极层和第一有机功能层结构之间，在第一有机功能层结构和第二电极层之间，在第二电极层和第二有机功能层结构之间，在第二有机功能层结构和第三电极层之间，在第三电极层和覆盖层之间，和/或在覆盖层上方，形成附加层。此外，附加层能够构成在封装层上方、下方或其中。附加层能够由一个、两个或更多个子层形成。附加层或必要时其子层能够构成为耦合输出层、耦合输出结构、平坦化层和/或构成为具有折射的或衍射的单元的基体。耦合输出结构能够构成为衬底的、电极层的、有机功能层结构的或覆盖层的经过加工的子层。例如，附加层能够借助于局部地加热衬底的、相应的电极层的、相应的有机功能层结构的或覆盖层的材料形成。例如能够利用激光局部地加热相应层的材料，优选使得执行相应层的激光内雕。
在不同的实施例中，用于分隔空间的设备具有光电子器件。设备例如能够是窗或门，例如两个空间之间的分隔窗，例如会客室的窗户，或者家具的门，例如柜门。
在不同的实施例中，家具具有该设备。家具例如是陈列柜或柜子。
设备的和光电子器件在陈列柜、柜子和在期望使用乳白玻璃的会客室中的应用能够有助于：确保私人领域或者即使在切断的状态下也能遮掩内容。所述面能够与在两个放射方向上的极其有效的照明组合。
需要指出的是，能够构成一个或多个局部的改变结构，使得其几乎不能够由人眼察觉，但是仍控制光的一部分，使得因此改进光的耦合输出。
附图说明
在附图中示出本发明的实施例并且在下面详细阐明。
附图示出：
图1示出根据不同的实施例的光电子器件；
图2示出根据不同的实施例的光电子器件；
图3示出根据不同的实施例的光电子器件；
图4示出根据不同的实施例的光电子器件；
图5示出流程图，其中示出用于制造根据不同实施例的光电子器件的方法；
图6示出具有光电子器件的窗；
图7示出具有光电子器件的家具。
具体实施方式
在下面详细的描述中参考附图，所述附图形成所述描述的一部分，并且在所述附图中为了图解说明示出能够实施本发明的具体的实施形式。在此方面，关于所描述的附图的定向而应用方向术语例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”、“上方”、“之上”、“之下”等等。在本说明书的范围内，术语“连接”、“联接”以及“耦联”用于描述直接的和间接的连接、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦联。因为实施形式的组成部分能够以多个不同的定向来定位，所以方向术语用于图解说明并且不以任何方式受到限制。不言而喻，能够使用其他的实施形式并且能够进行结构上的或逻辑上的改变，而不偏离本发明的保护范围。不言而喻，除非另作特别说明，在此描述的不同的示例的实施形式的特征能够互相组合。因此，下面详细的描述不应解释为受限制的，并且本发明的保护范围通过所附的权利要求来限定。在附图中，只要是适宜的，相同的或类似的元件就设有相同的附图标记。
在不同的实施例中，光电子器件能够构成为有机发光二级管(organic light emitting diode，OLED)、或者构成为有机光电二极管(organic solar cell,OSC)、构成为有机太阳能电池(organic solar cell,OSC)、或构成为有机晶体管，例如构成为有机薄膜晶体管(organic thinfilm transistor,OTFT)。在不同的实施例中，光电子器件能够是集成电路的一部分。此外，能够设有多个光电子器件，例如安置在共同的壳体中。
术语“半透明层”在不同的实施例中能够理解为：层对于光是可穿透的，例如对于由光电子器件所产生的例如一个或多个波长范围的光是可穿透的，例如对于可见光的波长范围中的光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波长范围的局部范围中)。例如术语“半透明层”在不同的实施例中理解为：全部的耦合输入到一个结构(例如层)中的光量基本上也从该结构(例如层)中耦合输出。
术语“透明层”在不同的实施例中能够理解为：层对于光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波长范围的局部范围中)，其中耦合输入到结构(例如层)中的光基本上在没有散射或光转换的情况下也从该结构(例如层)中耦合输出。
与此相反，术语“非透明层”在不同的实施例中能够理解为：层对于光是不可穿透的，例如对于在380nm至780nm的波长范围的局部范围中和/或在存在出自光电子器件的有机功能层结构中的光的波长范围中的光是不可穿透的。
图1示出光电子器件10的一个实施例。光电子器件10具有衬底12和在衬底12上具有第一电极层14。第一有机功能层结构16在第一电极层14上或上方形成。非透明的第二电极层18在第一有机功能层结构16上或上方形成，并且第二有机功能层结构20在第二电极层18上或上方形成。第三电极层22在第二有机功能层结构20上或上方形成。在第三电极层22上形成覆盖层24。
光电子器件10能够实现在两个相反的放射方向上的有效率的光放射，例如沿第一放射方向26和第二放射方向28的光放射。例如，第一电极层14、第一有机功能层结构16和第二电极层18构成为底部发射器和/或第二电极层18、第二有机功能层结构20和第三电极层22能够形成顶部发射器。
衬底12能够具有玻璃和/或一个或多个薄膜和/或设有一个或多个阻挡层。覆盖层24能够具有玻璃、一个或多个薄膜或漆。
例如，衬底12能够具有玻璃、石英和/或半导体材料或任意其他适合的材料或由其形成。此外，衬底12能够具有塑料薄膜或具有带有一个或多个塑料薄膜的叠层或者由其形成。塑料能够具有一种或多种聚烯烃(例如具有高密度或低密度的聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP))或者由其形成。此外，塑料能够具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者由其形成。衬底12能够具有一种或多种上述材料。衬底12能够构成为是透明的、半透明、部分半透明的、部分透明的或甚至是不透明的。
覆盖层24例如能够具有玻璃或其他适合的材料或尤其形成，例如下述材料中的一种：石英、半导体材料、塑料薄膜或具有一个或多个塑料薄膜的叠层。塑料能够具有一种或多种聚烯烃(例如具有高密度或低密度的聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP))或者由其形成。此外，塑料能够具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者由其形成。覆盖层24能够半透明地、例如透明地、部分半透明地、例如部分透明地构成。覆盖层24能够具有大约1μm至大约50μm范围中的、例如大约5μm至大约40μm范围中的、例如大约10μm至大约25μm范围中的层厚度。
两个有机功能层结构16、20能够具有不同的放射特性，例如，层结构中的一个能够具有暖的、例如暖白色的放射特性并且另外的层结构能够具有冷的、例如冷白色的放射特性。此外，放射能够定向，例如沿着在衬底12上或覆盖层24上的面法线定向。此外，对每个层结构26、28能够与各其他的放射方向无关地实现朗伯的放射轮廓、蝴蝶状的放射轮廓等。此外，有机功能层结构16、20中的一个能够发射与其他的有机功能层结构16、20不同颜色的光。有机功能层结构16、20具有至少各一个传输层和各一个发射体层。有机功能层结构16、20能够包含各一个或多个发射体层，例如具有发荧光的和/或发磷光的发射体，以及各一个或多个空穴传导层。
能够在根据不同实施例的光电子器件10中用于发射体层的发射体材料的示例包括：有机的或有机金属的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亚苯基的衍生物(例如2-或2,5-取代的聚-对-亚苯基乙烯基)；以及金属络合物，例如铱络合物，如发蓝色磷光的FIrPic(双(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)-铱III)、发绿色磷光的Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱III)、发红色磷光的Ru(dtb-bpy)3*2(PF6))(三[4,4’-二-叔-丁基-(2,2’)-联吡啶]钌(III)络合物)、以及发蓝色荧光的DPAVBi(4,4-双[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯)、发绿色荧光的TTPA(9,10-双[N,N-二-(对-甲苯基)-氨基]蒽)和发红色荧光的DCM2(4-二氰基亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作为非聚合物发射体。这种非聚合物发射体例如能够借助于热蒸镀沉积。此外，能够使用聚合物发射体，所述聚合物发射体尤其能够借助于湿法化学法、例如旋涂法来沉积。发射体材料能够以适当的方式嵌入基体材料中。
光电子器件10的发射体层的发射体材料例如能够选择为，使得光电子器件10至少沿两个放射方向26、28中的一个发射白光。一个或多个发射体层能够具有多种发射不同颜色(例如蓝色和黄色，或者蓝色、绿色和红色)的发射体材料，替选地，发射体层如在下文中参考图3详细阐述的那样也能够由多个功能子层构成，如发蓝色荧光的发射体层或发蓝色磷光的发射体层、发绿色磷光的发射体层和发红色磷光的发射体层。通过不同颜色的混合，能够得到具有白色的色彩印象的光的发射。替选地，也能够提出，在通过这些层产生的初级发射的光路中设置有转换材料，所述转换材料至少部分地吸收初级辐射并且发射其他波长的次级辐射，使得从(还不是白色的)初级辐射通过将初级辐射和次级辐射组合而得到白色的色彩印象。
有机功能层结构16、20通常能够具有各一个或多个功能子层。一个或多个功能子层能够具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的、非聚合物的小分子(“small molecules")或这些材料的组合。例如，有机功能层结构16、20能够具有构成为空穴传输层的一个或多个功能子层，使得例如在OLED的情况下能够实现将空穴有效地注入到进行电致发光的层或进行电致发光的区域中。例如能够使用叔胺、咔唑衍生物、导电性聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作为用于空穴传输层的材料。在不同的实施例中，一个或多个功能子层能够构成为进行电致发光的层。在不同的实施例中，第一有机功能层结构16的空穴传输层施加、例如沉积在第一电极层14上或上方，并且第一有机功能层结构16的发射体层能够施加、例如沉积在第一有机功能层结构16的空穴传输层上或上方。此外，第二有机功能层结构20的空穴传输层施加、例如沉积在第二电极层18上或上方，并且第二有机功能层结构20的发射体层能够施加、例如沉积在第二有机功能层结构20的空穴传输层上或上方。
光电子器件10通常能够具有另外的有机功能层，所述有机功能层用于进一步改进光电子器件10的功能进而效率。
在不同的实施例中，第一有机功能层结构16和/或第二有机功能层结构20具有至1.5μm的层厚度、例如至1.2μm的层厚度、例如至1μm的层厚度、例如至800nm的层厚度、例如至500nm的层厚度、例如至400nm的层厚度、例如至300nm的层厚度。
第一和第三电极层14、18优选构成为是透明的或半透明的，其中第一电极层14至少对于来自第一有机功能层结构16的光而言是透明的或半透明的，并且其中第三电极层22至少对于来自第二有机功能层结构20的光而言是透明的或半透明的。而第二电极层18对于来自第一和/或第二有机功能层结构16、20的光而言非透明或非半透明地构成。替选地或附加地，第二电极层18对于可见波长范围中的光而言是非透明的或非半透明的。第二电极层18例如能够构成为是镜反射的。例如，能够通过选择用于第二电极层18的特定的材料来给出两侧亚光的、单侧亚光的和/或单侧镜反射的或两侧镜反射的印象。此外，能够将两侧上的视角相关性设定为是相同的不同的。
电极层14、18、20与未示出的控制电路电耦合，借助所述控制电路能够在第一和第二电极层14、18之间和/或第二和第三电极层18、22之间施加电压。由此，能够激发第一有机功能层结构16或第二有机功能层结构20以发射光。这引起沿第一放射方向26和/或第二放射方向28选择性地放射光。
第一和/或第三电极层14、22能够由能导电的材料形成或者是由其形成的，例如由金属或透明导电氧化物(transparent conductiveoxide,TCO)形成或由相同金属的或不同金属的和/或相同TCO的或不同TCO的多个层的层堆来形成。透明导电氧化物是透明的、能导电的材料，例如金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物(ITO)。除了二元的金属氧化物例如ZnO、SnO2或In2O3以外，三元的金属氧化物例如Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、Mgln2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族。此外，TCO不强制符合化学计量的组分并且还能够是p型掺杂的或n型掺杂的。第一和/或第三电极层14、22能够构成为阳极、即构成为注入空穴的材料。
在不同的实施例中，第一和/或第三电极层14、22能够由TCO层上的金属的层的组合的层堆形成或者反之亦然。一个示例是银层，所述银层施加在铟锡氧化物层(ITO)上(ITO上的银)。在不同的实施例中，第一和/或第三电极层14、22具有金属(例如Ag、Pt、Au、Mg)或者所描述的材料的金属合金(例如AgMg合金)。在不同的实施例中，第一和/或第三电极层14、22具有AlZnO或类似的材料。
在不同的实施例中，第一和/或第三电极层14、22具有金属，所述金属例如能够用作为阴极材料、即构成为注入电子的材料。此外，在不同的实施例中，作为阴极材料例如能够设有Al、Ba、In、Ag、Au、Mg、Ca或Li以及所述材料的化合物、组合物或合金。
第一和/或第三电极层14、22能够具有小于或等于25nm的层厚度、例如小于或等于20nm的层厚度、例如小于或等于18nm的层厚度。此外，第一和/或第三电极14、22例如能够具有大于或等于10nm的层厚度、例如大于或等于5nm的层厚度。在不同的实施例中，第一和/或第三电极14、22能够具有在大约10nm至大约25nm范围内的层厚度、例如在大约10nm至大约18nm范围内的层厚度、例如在大约15nm至大约18nm范围内的层厚度。
在不同的实施例中，第二电极18例如能够具有小于或等于50nm的层厚度、例如小于或等于45nm的层厚度、例如小于或等于40nm的层厚度、例如小于或等于35nm的层厚度、例如小于或等于30nm的层厚度、例如小于或等于25nm的层厚度、例如小于或等于20nm的层厚度、例如小于或等于15nm的层厚度、例如小于或等于10nm的层厚度。在不同的实施例中，第二电极层18能够具有任意大的层厚度。
图2示出光电子器件10的一个实施例，所述光电子器件基本上能够与图1中示出的实施例的光电子器件10相同地构成，其中与图1中示出的实施例的区别在于附加地在衬底12和第一电极层14之间设置有第一封装层30，并且在第三电极层22和覆盖层24之间设置有第二封装层32。封装层30、32用于保护电极层14、18、22和有机功能层结构16、20例如免受湿气、氧气、腐蚀或污染。封装层30、32优选构成为是透明的或半透明的，例如在有机功能层结构16、20所发射的光的波长范围中是透明的或半透明的。
在不同的实施例中，术语“封装”或“封装件”例如理解为：提供相对于湿气和/或氧气的阻挡，使得相应地封装的有机功能层结构16、20不能够由所述物质穿透。在不同的实施例中，封装层30、32具有下述材料中的一种或多种或者由其制成：下述材料或者下述材料的混合或者下述材料的层的层堆：例如SiO2、Si3N4、SiON(所述材料例如借助于CVD方法来沉积)、Al2O3、ZrO2、TiO2、Ta2O5、SiO2、ZnO和/或HfO2(所述材料例如借助于ALD方法来沉积)；或者这些材料的组合。
图3示出光电子器件10的一个实施例，所述光电子器件基本上能够与图1中示出的实施例的光电子器件10相同地构成，其中与图1中示出的实施例的区别在于第一有机功能层结构16具有第一功能子层40、第二功能子层42和第三功能子层44，并且第二有机功能层结构20具有第四功能子层50、第五功能子层52和第六功能子层54。功能子层40至54能够发射不同颜色的光。例如，第一和第四功能子层40、50能够发射第一颜色的光、例如红光，第二和第五功能子层42、52能够发射第二颜色的光、例如绿光，并且第三和第六功能子层42、52能够发射第三颜色的光、例如蓝光。在本文中，第一和第二有机功能层结构16、20能够具有另外的中间电极层，所述中间电极层例如设置在第一和第二功能子层40、42之间、第二和第三功能子层42、44之间、第四和第五功能子层50、52之间和/或第五和第六功能子层52、54之间以用于选择性地激发各个功能子层40至54。此外，各个或每个子层40至54能够具有各一个传输层和各一个发射体层。
功能子层40至54根据其激发能够实现不同颜色光的放射，其中沿第一放射方向26能够放射与沿第二放射方向28不同颜色的光。此外，能够在有机功能层结构16、20中的一个之内将出自功能子层40至54中的一个或两个的光与出自另外的功能子层中的两个或一个的光混合，例如以产生白色的光，使得相应的有机功能层结构16、20发射由各个功能子层40至54组成的光。
图4示出光电子器件10的一个实施例，所述光电子器件基本上能够与图1中示出的实施例的光电子器件10相同地构成，其中与图1中示出的实施例的区别在于第一附加层60构成在衬底12下方，附加地或替选地，在衬底12和第一电极层14之间构成第二附加层61，附加地或替选地，在第一电极层14和第一有机功能层结构16之间构成第三附加层62，附加地或替选地，在第一有机功能层结构16和第二电极层18之间构成第四附加层63，附加地或替选地，在第二电极层18和第二有机功能层结构20之间构成第五附加层64，附加地或替选地，在第二有机功能层结构20和第三电极层22之间构成第六附加层65，附加地或替选地，在第三电极层22和覆盖层24之间构设置第七附加层66和/或附加地或替选地在覆盖层24上方构成第八附加层67。必要时，能够在封装层30、32(见图2)上方和/或下方构成另外的附加层。
在衬底12下方的第一附加层60或在覆盖层24上的第八附加层67能够构成为外部的耦合输出结构。另外的附加层61至66能够构成为内部的耦合输出结构。借助于附加层60至67例如能够设定电极层14、18、20的反射率或透射率或者也设定在两个放射方向26、28上的发射比。此外，能够借助于在第一电极层14下方的附加层60、61、62和/或借助于在第三电极层22上方的附加层65、66、67沿两个放射方向26、28设定不同颜色的光的放射，例如其方式为将相应的附加层60、61、62、65、66、67构成为色彩过滤器。此外，能够借助于附加层60至67设定所放射的光的色温，例如通过应用电致变色或热致变色的附加层60至67来进行。例如，能够沿第一放射方向30设定2500K和4000K之间的色温例如作为直接照明，并且沿第二放射方向32能够设定4000K至6500K的色温例如作为间接照明。此外能够设定：沿第一放射方向30放射45％的所产生的光量并且沿第二放射方向32放射55％的所产生的光量。
附加层60至67中的每个或各个附加层能够具有各一个、两个或多个子层。此外，附加层60至67中的每个或各个附加层或必要时其子层能够具有耦合输出层、耦合输出结构、平坦化层和/或基体中的衍射或折射的单元。耦合输出结构能够是衬底12的、电极层14、18、22的、有机功能层结构16、20的、封装层30、32的或覆盖层24的经过加工的子层。例如，耦合输出结构能够是衬底12的、电极层14、18、22的、有机功能层结构16、20的或封装层30、32的或覆盖层24的纹理化部。
例如，附加层60至67中的一个或多个能够构成为改变结构。例如，第一和/或第二附加层60、61能够设置用于在衬底12(例如玻璃衬底)之内在至少一个预设的位置上(或者在多个预设的位置上)(分别)作为衬底12的材料的局部改变结构而耦合输出衬底模量(Substratmoden)。此外，第七和/或第八附加层66、67设置用于在覆盖层24(例如玻璃覆盖层)之内在至少一个预设的位置上(或者在多个预设的位置上)(分别)作为覆盖层24的材料的局部改变结构而耦合输出衬底模量。在不同的实施例中，局部的改变结构以雕刻的形式形成，例如以衬底或覆盖层内雕刻的形式。在不同的实施例中，局部的改变结构以非周期结构的形式形成。该局部的改变结构控制例如由发射体层产生的光，所述光被引导到衬底12或覆盖层24中。该设计方案的优点是：衬底12的或覆盖层24的表面(例如玻璃表面)一如既往保持其镜反射的印象。由此能够附加地改进光电子器件10的“关断状态外观”(“Off-State-Appearance”)。一个或多个局部的改变结构能够在衬底12或在覆盖层24之内在预设的或预先限定的位置上形成，使得形成期望的、人工产生的散射结构(相应的层的材料中的不归因于非确定性的且不期望的不规则性的不规则性)。一个或多个局部的改变结构能够全部具有相同的大小或不同的大小。一个或多个层中的多个局部的改变结构的设置能够是随机的、换而言之非周期性的。替选地，局部的改变结构能够以预设的(例如周期的)图案设置或是以预设的(例如周期的)图案设置的。此外，能够借助于多个局部的改变结构在一个或多个层中形成局部的确定的结构、例如透镜结构。
覆盖层24中的一个或多个局部的改变结构在那里形成散射中心。因此，通过例如覆盖层302(例如覆盖玻璃)具有一个或多个局部的改变结构(例如以内雕刻的形式)能够改进在第二放射方向28上的光耦合输出。
对衬底12和/或覆盖层24设有一个或多个局部的改变结构、例如进行内雕刻可能还不足以耦合输出在光电子器件10的有机功能层结构16、20中引导的模量，因为由于通常基于所应用的材料而在有机功能层结构16、20，电极层14、18、20，覆盖层24和衬底202之间存在的折射率突变，光至少部分地不会到达覆盖层24或衬底12(例如玻璃衬底)中。能够借助于局部的改变结构以不同的方式应对该方面。
因此，例如附加层60至67中的一个能够构成为透明的、高折射的层(例如由氮化硅和/或氧化钛构成)或者构成为多个透明的、高折射的层的层堆。一个或多个局部的改变结构能够设置在透明的、高折射的层中或设置在多个透明的、高折射的层的层堆中。例如，透明的、高折射的层或多个透明的、高折射的层的层堆被内雕刻或者是内雕刻的。来自有机功能层结构16、20的层的光能够在相应地透明的、高折射的层中或在多个透明的高折射的层的层堆中进行散射，由此所述光能够耦合输出。在此，例如能够也在各个层的边界面处设有一个或多个局部的改变结构。
如果局部的改变结构具有次μm范围(Sub-μm-Bereich)中的局部的改变结构，那么在不同的实施例中提出：局部的改变结构以非周期性的图案设置。如果局部的改变结构具有至少1μm的大小，那么在不同的实施例中提出：局部的改变结构以周期的图案设置。然而需要指出的是：即使对于局部的改变结构具有至少1μm大小的情况而言，局部的改变结构也能够非周期性地设置。
图5示出用于制造光电子器件10的方法的流程图。
在步骤S2中提供衬底12。衬底12例如由玻璃或薄膜形成并且能够设有第一附加层60，所述第一附加层能够构成为阻挡层。
在能够可选地进行的步骤S4中，在衬底12上形成第一封装层30。第一封装层30优选构成为是透明的。
在步骤S6中，在衬底12上或者必要时在第一封装层30上形成第一电极层14。第一电极层14例如构成为是透明的并且与控制电路电耦合。
在步骤S8中，在第一电极层14上或上方形成第一有机功能层结构16，例如通过形成一个或多个传输层和一个或多个发射体层和/或通过形成功能子层40、42、44的方式形成。
在步骤S10中，在第一有机功能层结构16上或上方形成第二电极层18。第二电极层18构成为是非透明的。例如，第二电极层18在一侧上亚光地构成并且在另一侧上镜反射地构成或在两侧上镜反射地构成。此外，第二电极层18与控制电路电耦合。
在步骤S12，在第二电极层18上或上方形成第二有机功能层结构20，例如相应于第一有机功能层结构16。
在步骤S14中，在第二有机功能层20上或上方形成第三电极层22，例如相应于第一电极层14。
在能够可选地进行的步骤S16中，在第三电极层22上方形成第二封装层32，例如相应于第一封装层30。
在步骤S18中，在第三电极层22上或上方或者必要时在第二封装层323上形成覆盖层24，例如由玻璃、薄膜或漆构成。玻璃或薄膜能够固定粘贴在第三电极层22或第二封装层32上。
在能够在一个、两个或多个现有的步骤S2至S18之间进行的附加步骤S20中形成附加层60至67和/或其子层。附加层60至67例如能够作为附加的材料层施加或者附加层60至67能够借助于局部地加热衬底12的、相应的电极层14、18、22的、相应的有机功能层结构16、20的、覆盖层24的或封装层30、32的材料构成。能够利用激光局部地加热相应层的材料，优选使得执行相应层的激光内雕。
在不同的实施例中，也能够在光电子器件10中设有多个雕刻的层的组合。也能够提出的是：仅以小的程度雕刻一个或多个层。
例如，(利用一个或多个激光器)内雕刻的工艺能够实现：在层之内写入或构成任意结构。在不同的实施例中，这例如尤其能够是用于散射的层，替选地或附加地，也能够在光电子器件10的一个或多个层之内写入或形成三维结构，所述三维结构例如能够引起透镜效应。由此也可行的是：能够创建用于最终应用的特殊效果、例如在有机发光二机构的发光图像中的亮的、发光的文字。因为例如对于激光内雕本身而言能够设有全部光学半透的、例如透明的材料，所以衬底12或者覆盖层24不必一定由玻璃制成。同样可行的是，其例如由塑料或其他的半透明的、例如透明的材料制成或具有这种材料。
因此，在不同的实施例中提出：耦合输出衬底模量和/或其他的层的模量、例如电极层14、18、22的模量(例如ITO模量)和/或组织的模量、即有机功能层结构16、20的模量；所述模量也称作为ITO/组织模量。
在不同的实施例中，大约至几纳米的雕刻能够在层的边界面处形成(然而除应故意地对边界面结构化的实施例之外，不应破坏边界面)。
光电子器件10例如能够在设备中用于分隔空间。
图6示出例如窗72作为用于分隔空间70的设备，所述窗基本上由一个或多个光电子器件10形成。窗72例如是外窗或两个空间之间的分隔窗，例如朝向会谈室的窗。替选于或附加于所述窗，也能够借助门来分隔相应的空间70，所述门具有光电子器件10。
图7示出例如家具80作为用于分隔空间的设备，所述家具的门82基本上由一个或多个光电子器件10形成，其中空间例如是家具80的内部空间。家具80例如是陈列柜或柜子。
本发明不局限于所提出的实施例。例如，实施例能够彼此组合。例如，能够设有附加层60至67和封装层30、32。此外，能够设有附加层60至67和功能子层40、42、22、50、52、54。此外，能够设有封装层30、32和功能子层40、42、22、50、52、54。此外，能设有少量的附加层60至67、少量的功能子层40、42、22、50、52、54或封装层30、32中的仅一个。此外，能够设有另外的附加层60至67、另外的功能子层40、42、22、50、52、54或另外的封装层30、32。
附图标记列表
10 光电子器件
12 衬底
14 第一电极层
16 第一有机功能层结构
18 第二电极层
20 第二有机功能层结构
22 第三电极层
24 覆盖层
26 第一放射方向
28 第二放射方向
30 第一封装层
32 第二封装层
40 第一功能子层
42 第二功能子层
44 第三功能子层
50 第四功能子层
52 第五功能子层
54 第六功能子层
60 第一附加层
61 第二附加层
62 第三附加层
63 第四附加层
64 第五附加层
65 第六附加层
66 第七附加层
67 第八附加层
70 空间
72 窗
80 家具
82 门
S2-S20 步骤二至二十

Claims (18)

1.一种光电子器件(10)，具有：
·第一电极层(14)；
·在所述第一电极层(14)上或上方的第一有机功能层结构(16)；
·在所述第一有机功能层结构(16)上或者上方的非透明的第二电极层(18)；
·在所述第二电极层(18)上或上方的第二有机功能层结构(20)；
·在所述第二有机功能层结构(20)上或上方的第三电极层(22)，
其中用于所述第二电极层的材料选择成，使得由所述光电子器件(10)的至少一侧给出亚光的印象。
2.根据权利要求1所述的光电子器件(10)，还具有衬底(12)，其中所述第一电极层(14)设置在所述衬底(12)上或上方。
3.根据权利要求1或2所述的光电子器件(10)，还具有在所述第三电极层(22)上或上方的覆盖层(24)。
4.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件(10)，还具有至少一个封装层(30，32)，所述第一电极层(14)设置在所述封装层上方，和/或所述封装层设置在所述第三电极层(22)上方。
5.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件(10)，还具有至少一个附加层(60至67)，
·所述衬底(12)设置在所述附加层上方，
·所述附加层设置在所述衬底(12)和所述第一电极层(14)之间，
·所述附加层设置在所述第一电极层(14)和所述第一有机功能层结构(16)之间，
·所述附加层设置在所述第一有机功能层结构(16)和所述第二电极层(18)之间，
·所述附加层设置在所述第二电极层(18)和所述第二有机功能层结构(20)之间，
·所述附加层设置在所述第二有机功能层结构(20)和所述第三电极层(22)之间，
·所述附加层设置在所述第三电极层(22)和所述覆盖层(24)之间，和/或
·所述附加层设置在所述覆盖层(24)上方。
6.根据权利要求5所述的光电子器件(10)，其中所述附加层(60至67)具有一个、两个或更多个子层。
7.根据权利要求5所述的光电子器件(10)，其中所述附加层(60至67)或者必要时其子层具有耦合输出层、耦合输出结构、平坦化层和/或基体中的折射的或衍射的单元。
8.一种用于制造光电子器件(10)的方法，其中所述方法具有：
·形成第一电极层(14)；
·在所述第一电极层(14)上或上方形成第一有机功能层结构(16)；
·在所述第一有机功能层结构(16)上或上方形成非透明的第二电极层(18)；
·在所述第二电极层(18)上或上方形成第二有机功能层结构(20)；
·在所述第二有机功能层结构(20)上或上方形成第三电极层(22)，
其中用于所述第二电极层的材料选择成，使得由所述光电子器件(10)的至少一侧给出亚光的印象。
9.根据权利要求8所述的方法，其中提供衬底(2)并且在所述衬底(12)上或上方形成所述第一电极层(14)。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其中在所述第三电极层(22)上或上方形成覆盖层(24)。
11.根据权利要求8至10中的任一项所述的方法，其中在所述第一电极层(14)下方和/或在所述第三电极层(22)上方形成至少一个封装层(30，32)。
12.根据权利要求8至11中的任一项所述的方法，其中
·在所述衬底(12)下方，
·在所述衬底(12)和所述第一电极层(14)之间，
·在所述第一电极层(14)和所述第一有机功能层结构(16)之间，
·在所述第一有机功能层结构(16)和所述第二电极层(18)之间，
·在所述第二电极层(18)和所述第二有机功能层结构(20)之间，
·在所述第二有机功能层结构(20)和所述第三电极层(22)之间，
·在所述第三电极层(22)和所述覆盖层(24)之间，和/或
·在所述覆盖层(24)上方，
形成附加层(60至67)。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述附加层(60至67)由一个、两个或更多个子层形成。
14.根据权利要求12或13所述的方法，其中所述附加层(60至67)或者必要时其子层构成为耦合输出层、耦合输出结构、平坦化层和/或构成为具有折射的或衍射的单元的基体。
15.根据权利要求12至14中的任一项所述的方法，其中借助于局部地加热所述衬底(12)的、相应的所述电极层(14，18，22)的、相应的所述有机功能层结构(16，20)的或所述覆盖层(24)的材料来形成所述附加层(60至67)。
16.根据权利要求15所述的方法，其中利用激光局部地加热相应层的材料，优选使得执行相应的层的激光内雕。
17.一种用于分隔空间(70)的设备，所述设备具有根据权利要求1至7中的任一项所述的光电子器件(10)。
18.一种家具(80)，所述家具具有根据权利要求17所述的设备。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014100993A1 (de) 2013-12-05 2015-06-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung des organischen lichtemittierenden Bauelements
DE102014111286A1 (de) * 2014-08-07 2016-02-11 Osram Oled Gmbh Organische Leuchtdiode
CN105895819B (zh) * 2016-04-28 2018-07-06 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件及其制备方法、oled显示面板
CN111480233A (zh) * 2017-12-21 2020-07-31 亮锐控股有限公司 照明装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1182524A (zh) * 1995-04-25 1998-05-20 西铁城时计株式会社 有机场致发光器件
CN1554212A (zh) * 2001-09-13 2004-12-08 �ղ���ѧ��ҵ��ʽ���� 有机电致发光元件用透明基板及有机电致发光元件
US20050087884A1 (en) * 2003-10-24 2005-04-28 Stokes Edward B. Flip-chip light emitting diode
US20070114522A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-24 Hoi-Sing Kwok Double sided emission organic light emitting diode display
CN101162306A (zh) * 2006-10-13 2008-04-16 株式会社日立显示器 液晶显示装置及其制造方法
CN101523634A (zh) * 2006-09-29 2009-09-02 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 有机发光器件和照明装置
US20110297988A1 (en) * 2009-02-19 2011-12-08 Agc Glass Europe Transparent substrate for photonic devices

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3933591B2 (ja) * 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2006252787A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子製造方法および有機ｅｌ素子
KR101691274B1 (ko) * 2006-09-29 2016-12-29 오스람 오엘이디 게엠베하 유기 발광 소자 및 조명 장치
SG10201502808UA (en) * 2006-10-12 2015-05-28 Cambrios Technologies Corp Nanowire-Based Transparent Conductors And Applications Thereof
RU2010138903A (ru) * 2008-02-22 2012-03-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl) Двусторонний органический светоизлучающий диод (осид)
KR20110108697A (ko) * 2010-03-29 2011-10-06 삼성전자주식회사 유기 발광 소자 및 이에 채용되는 편광 구조 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1182524A (zh) * 1995-04-25 1998-05-20 西铁城时计株式会社 有机场致发光器件
CN1554212A (zh) * 2001-09-13 2004-12-08 �ղ���ѧ��ҵ��ʽ���� 有机电致发光元件用透明基板及有机电致发光元件
US20050087884A1 (en) * 2003-10-24 2005-04-28 Stokes Edward B. Flip-chip light emitting diode
US20070114522A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-24 Hoi-Sing Kwok Double sided emission organic light emitting diode display
CN101523634A (zh) * 2006-09-29 2009-09-02 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 有机发光器件和照明装置
CN101162306A (zh) * 2006-10-13 2008-04-16 株式会社日立显示器 液晶显示装置及其制造方法
US20110297988A1 (en) * 2009-02-19 2011-12-08 Agc Glass Europe Transparent substrate for photonic devices

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