KR20140116891A

KR20140116891A - 배면 발광 ｏｌｅｄ 소자

Info

Publication number: KR20140116891A
Application number: KR1020147021057A
Authority: KR
Inventors: 뱅상 쉐리; 파비앙 리에나르; 뱅상 소비네
Original assignee: 쌩-고벵 글래스 프랑스
Priority date: 2011-12-30
Filing date: 2012-12-28
Publication date: 2014-10-06
Also published as: EP2798685A1; US9112178B2; FR2985380A1; JP2015503823A; WO2013098536A1; FR2985380B1; CN104137291A; US20150041782A1

Abstract

본 발명은, 특정 시트 저항(R1)을 갖는 투명 애노드, 특정 시트 저항(R2)을 갖는 캐소드(3)(비 r=R2/R1는 0.1과 5 사이에서 변화함), 제1 맞춤형 애노드 전기 콘택, 및 맞춤형 애노드 전기 콘택(41)에 대해 오프셋된 제1 캐소드 전기 콘택(5a,5d)을 포함하는 OLED 소자(100)에 관한 것이며, 각 맞춤형 애노드 콘택(41)의 각 지점(B1)에 있어서, 지점(B1)과, 지점(B1)에 가장 가까운 콘택 표면상의 지점(C1) 간의 거리(D1)를 정의하고, 지점(B1)과, 제1 에지(21)에 대향하는 활성 구역의 제2 에지(22) 상의 지점(X1) 사이의, C1을 통과하는 거리(L1)를 정의할 때, 이하의 기준이 정의되고: 0.1≤r＜1.75일 경우, 20%＜D1/L1; 1.75≤r＜2.5일 경우, 20%＜D1/L1＜90%; 2.5≤r＜3일 경우, 20%＜D1/L1＜80%; 또는 3≤r≤5일 경우, 20%＜D1/L1＜70%, 반사체(6)는 활성 구역(20)을 덮는다.

Description

배면 발광 ＯＬＥＤ 소자{BACKSIDE-EMITTING OLED DEVICE}

본 발명의 주제는 배면 발광 유기 발광 다이오드 소자이다.

공지된 유기 발광 시스템 또는 OLED("Organic Light Emitting Diodes")는 전기전도성 박층의 형태로 측면에 있는(bracketing) 전극들에 의해 전기가 공급된 유기 발광 층의 스택을 포함한다. 2개의 전극들 사이에 전압이 인가될 경우, 전류는 유기층을 통과하여, 전계 발광에 의해 광을 생성한다.

배면 발광(back-emitting) OLED 소자(또는 "배면(bottom)" OLED)에서, 상부 전극 또는 캐소드는 통상적으로 시트 저항이 0.1 Ω/□ 이하인 반사성 금속 층이며, 하부 전극 또는 애노드는 시트 저항이 몇 자릿수 더 높은, 방출된 광이 통과하는 것을 가능하도록 하는 유리 또는 플라스틱 기판상에 퇴적된 투명 층이다.

PCT 특허공개 제WO99/02017호는, 가장 특별하게는 대형 소자에 있어서, 애노드와 캐소드 간의 매우 큰 시트 저항 차이는 휘도 불균일, 지속기간 및 신뢰성 감소를 동시에 초래함을 주목한다. 따라서, 특정 시트 저항(R1)을 갖는 투명 애노드 및 유사한 특정 시트 저항(R2)을 갖는 캐소드를 갖고 비 r=R2/R1이 0.3과 3 사이인 유기 발광 다이오드 소자를 제안한다.

예로서, 애노드는 시트 저항이 10 Ω인 ITO 층이고, 캐소드는 시트 저항이 9.9 Ω인 이트륨 박층이며, 즉 r이 약 1이다.

하지만, 균일도의 증가가 여전히 최적은 아니며 모든 OLED 구성에 있어서 확실하지도 않다.

따라서, 본 발명의 주제는 첫째로, 제1 주면(main face)에서 시작하여,

- (예를 들어, 제1면 또는 하위-층 바로 위의) 투명하며, 바람직하게는 적어도 하나의 전기전도성 층을 포함하고, 특정 시트 저항(R1), 특히 30 Ω/□ 미만이거나 15 Ω/□ 이하, 또는 심지어 10 Ω/□ 이하인 시트 저항(R1)의 애노드를 형성하는 하부 전극 - 애노드는 특정 애노드 표면을 갖고, 애노드 표면의 특징 치수는 바람직하게는 적어도 2 cm 또는 적어도 5 cm임 -

- 애노드 위의 유기 발광 시스템,

- 유기 발광 시스템 위에(또는 시스템 바로 위에), 바람직하게는 전기전도성 층을 포함하며, 특정 시트 저항(R2)의, 바람직하게는 일정한 특정 두께의 캐소드를 형성하는 상부 전극 - 비(r=R2/R1)는 0.1 내지 5의 범위임 -

을 상기 순서대로 포함하여, 애노드, 유기 발광 시스템 및 캐소드가 소위 공통 활성 구역(아주 불투명할 경우, 발광 면에서 선택적인 임의의 내부 애노드 콘택을 제외한 것에 상응함)을 형성하는 스택을 포함하는 제1 주면을 갖는 투명 기판을 포함하는 소위 유기 발광 다이오드(OLED) 소자이다.

OLED 소자는 추가로,

- 활성 구역의 제1 에지를 따라, 예를 들어 제1 에지의 전체를 따라, 또는 인접한 에지(제1 에지를 포함)의 그룹을 따라, 주로 활성 구역의 내부 및/또는 외부 주변부의 제1 맞춤형 애노드 전기 콘택, 특히 수 개의 맞춤형 애노드 전기 콘택,

- 맞춤형 애노드 전기 콘택 또는 콘택들로부터 오프셋되며, 캐소드 콘택이 콘택 표면으로 지칭되는 특정 표면을 갖는, 제1 캐소드 전기 콘택(바람직하게는 단일의)

을 포함한다.

각 맞춤형 애노드 콘택(특히 제1 맞춤형 애노드 전기 콘택)의 (대부분의 또는 80%의 또는 기껏해야) 임의의 지점(B1)에 있어서, 상기 지점(B1)과, 상기 지점(B1)에 가장 가까운 콘택 표면의 지점(C1) 사이의 거리(D1)를 정의하고, 상기 지점(B1)과, 제1 에지에 대향하는 활성 구역의 제2 에지의 지점(X1) 사이의, C1을 통과하는 거리(L1)를 정의할 때, 이하의 기준이 정의된다:

· 0.1≤r＜1.75일 경우, 20%＜D1/L1,

· 1.75≤r＜2.5일 경우, 20%＜D1/L1＜90%, 또는

· 2.5≤r＜3일 경우, 20%＜D1/L1＜80%,

· 또는 3≤r≤5일 경우, 20%＜D1/L1＜70%.

최종적으로, OLED 소자는 제1면으로부터 떨어져서 유기 발광 시스템 위에 활성 구역을 덮는 반사체를 포함한다.

상기 소자는 특히 캐소드 및 애노드 콘택의 레이아웃을 통해 연속으로 연결될 수 있다.

본 발명의 주제는 또한, 1보다 큰 n 개의 스택을 포함하는 제1 주면을 갖는 투명 기판을 포함하는 소위 OLED 소자이며, 각 스택은 제1 주면에서 시작하여,

- (제1면 바로 위의 또는 예를 들어 하위-층 바로 위의) 투명하고, 바람직하게는 적어도 하나의 전기전도성 층을 포함하며, 특정 시트 저항(R1)의 애노드를 형성하는 하부 전극,

- 애노드 위의 유기 발광 시스템,

- 유기 발광 시스템 위의, 및 바람직하게는 전기전도성 층을 포함하며, 바람직하게는 일정한 특정 두께의 특정 시트 저항(R2)의 캐소드를 형성하는 상부 전극 - 비 r=R2/R1의 범위가 0.1 내지 5임 -

을 상기 순서대로 포함하여, 애노드, 유기 발광 시스템 및 캐소드는 소위 공통 활성 구역을 형성하고,

스택은 연속으로 연결되거나, 연속으로 연결될 수 있으며(특히 캐소드 또는 애노드 콘택의 레이아웃 등을 통해),

적어도 하나의 스택에 있어서, 바람직하게는 대부분의, 특히 각각의 n개의 스택에 있어서, OLED 소자는,

- 활성 구역의 제1 에지를 따라 제1 맞춤형 애노드 전기 콘택, 특히 수 개의 맞춤형 애노드 전기 콘택,

- 맞춤형 애노드 전기 콘택 또는 콘택들로부터 오프셋되고, 캐소드 콘택이 콘택 표면으로 지칭되는 특정 표면을 갖는 제1 캐소드 전기 콘택(바람직하게는 단일의)

을 포함한다.

· 0.1≤r＜1.75일 경우, 20%＜D1/L1,

· 1.75≤r＜2.5일 경우, 20%＜D1/L1＜90%, 또는

· 2.5≤r＜3일 경우, 20%＜D1/L1＜80%, 또는

· 3≤r≤5일 경우, 20%＜D1/L1＜70%.

따라서, 0.1≤r＜1.75에 대해, D1이 L1 미만(D1/L1＜100%)일 경우, 제1 캐소드 전기 콘택은 활성 구역 위에 배치되어, 활성 구역 위의 캐소드 영역을 부분적으로 덮는다(제1 에지에 대향하는 제2 에지에까지 연장됨). D1이 L1 이상일 경우, 제1 캐소드 전기 콘택은 활성 구역(예를 들어, 활성 구역으로부터 돌출된 캐소드 구역의)의 외부 주변부의 제2 에지를 따라 배치된다.

다른 범위의 r에 있어서, 제1 캐소드 전기 콘택은 활성 구역 위에 배치되어 활성 구역 위의 캐소드 영역을 부분적으로 덮는다(제1 에지에 대향하는 제2 에지에까지 연장됨).

더 엄밀하게는, D1는 B1와, 애노드 상의 또는 더 양호하게는 애노드에 평행한 B1을 통과하는 평면의 (직교) 돌출부(C1) 간의 거리이지만, OLED의 작은 높이를 고려할 경우 이로 인해 상기 정의된 기준이 변경되지 않는다.

이와 유사하게, 더 엄밀하게는, L1은, 애노드에 평행한 B1을 통과하는 평면의 직교 돌출부(C)를 통과하는, B1와 X1(애노드에 평행한 B1을 통과하는 평면의 X1) 간의 거리이지만, OLED의 작은 높이를 상기하면 이로 인해 상기 기준이 변경되지 않는다.

따라서, 애노드에 평행한 B1을 통과하는 평면에 D1 및 L1을 정의하는 것이 바람직할 수 있다.

투명 기판은 일체형(스택의 전부 또는 일부가 공통임)이거나, 여러 조각(예를 들어 스택 당 지지체, n개의 지지체가 인접하여 기판을 형성함)일 수 있다.

본 발명에 따라, "맞춤형 애노드 콘택"(즉, 제1 맞춤형 애노드 콘택 및 또한 다른 맞춤형 애노드 콘택(들))은, OLED가 작동중일 경우, 맞춤형 콘택의 임의의 지점에서 전압이 동일하도록 충분한 전도성을 갖는 전기 콘택을 의미하는 것을 의도한다. 상기 전도성의 결과는, 맞춤형 콘택의 두 지점 사이에서 상기 두 지점 근처에서의 휘도 변형이 5% 미만이라는 것이다. 따라서 맞춤형 애노드 콘택의 역할은 그의 표면 전체에 걸쳐 하나의 동일한 전기 전위를 분포시키는 것이다.

본 발명에 따라, 제1 캐소드 전기 콘택은 추가로, OLED가 작동중일 경우, 제1 캐소드 콘택의 임의의 지점에서 전압이 동일하도록 충분한 전도성을 갖는다. 상기 전도성의 결과는, 상기 캐소드 콘택의 두 지점 사이에서 상기 두 지점 근처에서의 휘도 변형이 5% 미만이라는 것이다. 따라서 상기 캐소드 콘택의 역할은 그의 표면 전체에 걸쳐 하나의 동일한 전기 전위를 분포시키는 것이다.

본 발명의 목적은 특정 R1의 애노드 및 특정 유기층 저항(rorg)으로, 특히 단일 에지 상의 또는 연속의 OLED 상의 애노드 콘택의 특정 구성으로, 전제조건인 휘도 균일도 기준을 만족하는 가능한 최대의 OLED를 제조하는 것이다.

본 출원인은 애노드 및 캐소드를 위한 연결 장치(connection arrangements)의 위치, 특히 서로에 대한 위치설정뿐만 아니라 형태가 중요하였음을 주목하였다. 따라서, 진정한 균일도 증가를 위해서:

- 애노드 콘택 또는 콘택들, 특히 이들의 위치 및 저항을 적절히 선택하고(이들이 맞춰지도록),

- 제1 캐소드 콘택을 정확하게 배치하고,

- 제1 캐소드 콘택을 맞춤형 애노드 콘택 또는 콘택들로부터 충분히 이격시키는 것

이 중요하다.

따라서, 발광 면 전체에 걸쳐 캐소드와 애노드 간의 가능한 가장 일정한 전위 차를 수득한다.

D1는 지점(B1)에 상관없이 일정할 수 있거나, 비 r의 선택에 따라 대폭적으로 좌우되는 본 발명에 따른 비 D1/L1을 유지하면서 변화할 수 있다.

제1 캐소드 콘택은 적어도 맞춤형 애노드 콘택 또는 콘택들의 방향으로 활성 구역의 에지를 향해 활성 구역에서 연장될 수 있다.

D1/L1의 선택적인 상한치는 본 발명에 따른 제1 캐소드 콘택이 점 형 종류의 콘택에서 벗어남을 상기시킨다.

활성 구역의 중심 구역의 일부가 불균일한 캐소드 콘택은 본 발명에 따르지 않는다. 비교예로서:

- 활성 구역의 중심 구역에서 지나치게 멀리 이격된 복수 부분의 캐소드 콘택,

- 지나치게 미세한 프레임(frame) 또는 환(annulus)을 형성하는 중공(hollow) 캐소드 콘택

을 인용하는 것이 가능하다.

캐소드 콘택의 다른 비교 예(본 발명을 따르지 않는)는 추가로, 활성 구역의 내부 주변부(폭이 D1)만을 차지하거나 활성 구역 전체를 차지하는, 그리드 또는 병렬 밴드(band)와 같은 저항형 또는 맞춤형 콘택의 네트워크일 것이다.

특히 활성 구역 위의 본 발명에 따른 제1 캐소드 콘택은 바람직하게는 점 형 종류의 콘택이 아니다.

본 발명에 따른 제1 캐소드 콘택은 반드시 활성 구역의 대칭을 재현할 필요가 없다.

콘택 표면은 솔리드(solid) 표면, 그리드형 표면(등전위를 유지하기 위해 설계됨)일 수 있다. 콘택 표면은 바람직하게는 단일 표면(한 조각의)일 수 있고/있거나 캐소드 콘택은 단일일 수 있다.

(실질적으로) 솔리드인 콘택 표면(특히, 애노드 상에 퇴적된 층)은 표면 불연속성을 나타낼 수 있지만, 등전위 작용을 방해할 수 없다.

그리고, 이미 나타낸 바와 같이, 바람직하게는 솔리드 콘택 표면은 중공형이 아니다.

활성 구역이 솔리드 종류인 것이 더욱 바람직하다.

캐소드 콘택은 자립형(self-supported)일 수 있으며, 예를 들어 한 세트의 와이어, 시트형 등으로 캐소드 상에 오버레이될 수 있다.

바람직하게는, 제1 캐소드 콘택의 두께는 일정하다.

제1 맞춤형 콘택은 부분적으로 솔리드 층 또는 메쉬형 층(밴드를 형성하는 밀집한 그리드 등), 또는 전류를 분산시키기에 충분히 조밀한, 예를 들어 수 mm 미만으로 이격된 한 세트의 점 형 애노드 콘택일 수 있다.

표현 "제1 에지를 따라"는 광범위한 의미로 해석되어야 하며, 맞춤형 애노드 콘택 또는 콘택들은 제1 에지의 윤곽을 따를 수 있거나(내부적으로), 또는 어법에서 "제1 에지에 대향하는 제2 에지"는 광범위한 의미로 사용되며 둥근 활성 구역(디스크, 타원형 윤곽 등)의 2개의 대향 구역을 포함한다.

제1 맞춤형 콘택은 특히 (실질적으로) 직선형이며, 주변부일 수 있고, 따라서 광범위하게는

- 제1 에지의 외부 주변부에서의

- 발광 시스템(및 위의 캐소드)에 의해 덮이고 폴리이미드와 같은 패시베이션 층에 의해 패시베이션되며, 따라서 (적어도 부분적으로) 활성 구역의 내부 주변부에서의

주변부일 수 있다.

제1 외부 주변부 맞춤형 콘택 및/또는 선택적인 제2 외부 주변부 맞춤형 애노드 콘택 또는 콘택들은 바람직하게는, 제1 에지로부터 L/10 미만 또는 L/20 미만(상기에서, L은 제1 및 제2 에지 사이의, 바람직하게는 일정한 거리임)의 거리(W)에 있다.

바람직하게는, 주변부인 제1 맞춤형 콘택(선택적인 제2 주변부 맞춤형 애노드 콘택 또는 콘택들과 같이)은 제1 에지의 주변부(내부 또는 외부)와 (실질적으로) 나란히 놓이며, 활성 구역의 주변부로부터 일정한(또는 거의 일정한) 거리이다.

외부 및/또는 내부의 제1 주변부 맞춤형 콘택은 바람직하게는, 제1 에지로부터 10 mm 미만 또는 5 mm 이하의 거리에 존재하거나, (부분적으로) 활성 구역의 제1 에지 상에(양측 상에 이들로부터 돌출하여) 존재한다.

주변부 애노드의 제1 또는 선택적인 다른 주변부 맞춤형 애노드 콘택들(외부 및/또는 내부)은 바람직하게는, 제1 에지로부터 10 mm 미만 또는 5 mm 미만의 거리(바람직하게는 일정한)에 있고/있거나, (부분적으로) 활성 구역의 제1 에지 상에 (양측 상에서 이들로부터 돌출하여) 존재한다.

제1 맞춤형 콘택은 애노드 상에 또는 아래에 존재할 수 있다.

제1 및/또는 선택적인 제2 맞춤형 애노드 콘택(들)(특히 주변부)은 실질적으로 직선형일 수 있거나, 곡선형 등 일 수 있다.

통상적으로 맞춤형 애노드 콘택 (연장형 또는 점 형)의 폭은 cm 단위이다. 제1 맞춤형 애노드 콘택이 매우 불투명하여 제1 맞춤형 애노드 콘택이 제공된 활성 구역에서 광이 나오지 않을 수 있다.

또한, 상술한 종래 기술과 대조적으로, 본 발명에 따른 반사체를 통해 용인가능한 휘도 수준이 보존된다. 통상적으로 반사체는 광 반사율(R_L)(유기 시스템을 향한)이 적어도 80%일 수 있다.

유기 발광 시스템은 애노드 위에 존재하며;

- 특히, 선택적인 전기전도성 평탄화에 의해, 애노드 기능에 통합시킴으로써 애노드 바로 위에,

- 또는 활성 구역 내부의 맞춤형 애노드 콘택의 패시베이션 바로 위에(이후에 논의되는 바와 같이),

- 또는 활성 구역 내부의 저항형 애노드 콘택의 패시베이션 바로 위에(이후에 논의되는 바와 같이)

존재한다.

통상적으로, 애노드(기판 바로 위의 애노드 또는 예를 들어 광 추출을 위한층에 의해 분리된 애노드)를 구비한 기판 클래드(clad)는 광 투과율이 적어도 70%일 수 있다.

본 발명에 따라, "박층"은 두께가 ㎛ 미만이거나, 500 nm 미만이거나, 100 nm 미만인 층(정확하게 특정되지 않을 경우 단일 층 또는 다중 층)을 의미하는 것을 의도한다.

본 발명에 따라, "층"은 정확하게 특정되지 않을 경우 단일 층 또는 다중 층을 의미하는 것을 의도한다.

캐소드는 바람직하게는, 특히 박층 종류 퇴적에 있어서 제조 방법의 함수로서 공차가 예를 들어 ±10%인 일정한 특정 두께를 갖는다.

가장 특별하게는 조명용으로 의도된 본 발명에 따른 OLED는 활성 구역의 길이 또는 직경과 같은, 특징 치수, 즉 최대 치수가 적어도 10 cm 또는 적어도 15 cm일 수 있다.

캐소드는, 애노드와 캐소드 간의 전위(들) 차가 조명에 적합하도록, 특히 Vc가 접지되도록 전위(Vc)에서 통전된다.

종래의 두꺼운 캐소드가 이상적인 것으로 간주되며, 즉, 이는 자체적으로 캐소드 콘택을 형성한다(캐소드의 모든 지점에서 등전위임). 본 발명은 캐소드의 시트 저항(R2)이 증가하는 점 및 콘택 표면상에서의 기준이 상기 캐소드와 구별된다.

특히 1.75≤r일 경우, 캐소드 콘택은 활성 구역 위에 있거나, r＜1.75일 경우, 캐소드 콘택은 활성 구역 외부에 있을 수 있다.

바람직하게는, 활성 구역 위에 있는 제1 캐소드 콘택은 활성 구역의 표면에 (실질적으로) 상사(homothetic)인 표면을 가질 수 있고/있거나, 특히 맞춤형 애노드 콘택에 (실질적으로) 평행하게 맞춤형 애노드 콘택으로부터 (실질적으로) 일정한 거리에 있을 수 있다.

활성 구역이 정사각형 또는 직사각형일 경우 캐소드 콘택은 정사각형 또는 직사각형이거나, 활성 구역이 둥글 경우 제1 캐소드 콘택은 제1 에지를 향하는 둥근 에지를 나타낸다.

훨씬 더 양호한 균일화를 위해, 하기가 바람직하다:

· 0.1≤r＜1.75일 경우, 40%＜D1/L1, 특히 60%≤D1/L1,

· 1.75≤r＜2.5일 경우, 40%≤D1/L1≤80%, 특히 50%≤D1/L1≤70%,

· 2.5≤r＜3일 경우, 40%≤D1/L1≤70%, 특히 40%≤D1/L1≤60%,

· 3≤r≤5일 경우, 30%≤D1/L1≤50%.

OLED 소자는, 특히 전기 전도성 층으로서, 제1 맞춤형 애노드 콘택 및/또는 선택적인 맞춤형 애노드 콘택(들)에 연결되며, 선택적으로 상호접속되고, 맞춤형 애노드 콘택 또는 콘택들의 저항보다 큰 저항을 갖는, 하나 이상의 소위 저항형 애노드 전기 콘택을 포함할 수 있다.

그리고, 0.1 내지 5 범위의 비 r=R2/R1는 0.1 내지 5 범위의 비 r'=R2/R1'로 대체되고, 상기에서, R1'는 활성 구역의 애노드/저항형 콘택(들) 어셈블리의 등가 시트 저항이며, 비 D1/L1가 유지된다.

당연히, 하기가 바람직할 것이다:

· 0.1≤r'＜1.75일 경우, 40%≤D1/L1, 특히 60%≤D1/L1,

· 1.75≤r'＜2.5일 경우, 40%≤D1/L1≤80%, 특히 50%≤D1/L1≤70%,

· 2.5≤r'＜3일 경우, 40%≤D1/L1≤70%, 특히 40%≤D1/L1≤60%,

· 3≤r'≤5일 경우, 30%≤D1/L1≤50%.

저항형 콘택은, 작동 중에, 저항형 콘택의 특정 지점의 전위가 맞춤형 애노드 콘택의 전위와 절대값 관계로서 5% 초과만큼, 또는 적어도 10% 또는 심지어 적어도 20% 만큼 다른 전위(Vr) 이도록 하는 저항을 갖는다.

따라서, 애노드의 전체 저항은 저항형 콘택의 저항을 투명 애노드 층의 저항과 병렬로 배치하는 것으로서 정의될 수 있다.

저항형 콘택은 맞춤형 콘택과 동일한 하나의 재료일 수 있지만, 예를 들어 1 mm 미만으로 훨씬 더 미세하다.

심미적 목적을 위해, 활성 구역에서 하나 이상의 맞춤형 애노드 콘택이 제거되거나, 활성 구역에서 하나 이상의 저항형 애노드 콘택이 제거된(비록 일반적으로 상당히 미세할 경우에도) OLED 소자가 바람직할 수 있다.

애노드 콘택(맞춤형 또는 저항형)은 두께가 0.2 내지 10 ㎛인 층의 형태일 수 있고, 바람직하게는 후속하는 금속:Mo, Al, Cr, Nb, 또는 MoCr, AlNb와 같은 합금 중 하나의 단일 층 형태, 또는 Mo/Al/Mo 또는 Cr/Al/Cr와 같은 다중 층 형태일 수 있다.

이는 또한 실크 스크린 인쇄된 은-계 버스 바(은 에나멜)일 수 있거나, 잉크젯에 의해 퇴적된 것일 수 있다.

상당히 미세한 메쉬의 저항형 전기 콘택, 통상적으로 애노드 상의 사각형 금속성 네트워크 또는 벌집 구조에 의해 애노드의 R1을 감소시키는 것이 이미 알려져 있다.

스트랜드(strands)의 폭은 대략 50 내지 100 ㎛이고 네트워크의 피치는 일반적으로 1/5 mm이어서, 엄폐율(occlusion factor)이 1과 5% 사이인 결과를 수득한다.

R1'은 예를 들어 0.5 내지 5 Ω까지 변화할 수 있다. 실제로, 예를 들어 140 nm의 ITO 상에 Mo 또는 Cr(100 nm)/Al(500 nm 내지 1000 nm)/Mo 또는 Cr(100 nm)를 퇴적한 다중 층을 사용한다. 이후에, 상기 다중 층은 일반적으로 포토리소그래피 방법으로 화학적 처리되어, 동일하지만 더 넓은 기판에 저항형 콘택 및 선택적인 맞춤형 애노드 콘택이 형성된다.

따라서, 애노드 레벨에서, 애노드와 저항형 애노드 콘택 또는 콘택들을 평행하게 배치하는 것과 등가의 저항을 갖는 애노드가 마치 존재하였던 것처럼 모든 것이 발생한다.

그래서, OLED의 에지로부터 멀어질 경우 계속해서 감소하는 전압이 저항형 애노드 콘택에 존재한다.

동일한 방식으로, 예를 들어 전기전도성 층으로서, 제1 캐소드 콘택에 연결되며, 선택적으로 상호접속되고, 특히 제1 캐소드 콘택과 OLED 에지 사이의 구역 전체에 걸쳐 분포된 하나 이상의 캐소드 저항형 콘택이 존재할 수 있다.

이 경우, R2는 캐소드 및 저항형 콘택(들) 어셈블리의 등가의 시트 저항에 상응한다.

저항형 콘택은, 예를 들어, 작동 중에 저항형 콘택의 특정 지점의 전위가 제1 캐소드 콘택의 전위(V)와 절대값 관계로서 2% 초과만큼, 또는 적어도 4% 또는 심지어 적어도 8%만큼 다른 전위(Vr) 이도록 하는 저항을 갖는다.

제1 맞춤형 애노드 콘택은 특히 단일의 연장형 콘택일 수 있거나, 제1 맞춤형 애노드 콘택은 점 형 종류의 콘택이고 다른 점 형 종류의 맞춤형 애노드 콘택은 제1 에지 위에 분포된다.

제1 에지 및 제2 에지는 바람직하게는 활성 구역의 종방향 에지(최장 에지)이다. 제1 및 제2 에지에 인접한 에지 상에 맞춤형 애노드 콘택이 존재하지 않는 것이 바람직하다. 맞춤형 애노드 콘택 또는 콘택들은 (적어도) 활성 구역의 절반 미만의 거리 위의 제1 에지 위에 연장되는 것이 바람직하다.

정사각형 또는 직사각형의 활성 구역에 있어서, 맞춤형 애노드 콘택 또는 콘택들은 바람직하게는 가장 긴 단일 에지 위로 연장되는 것이 바람직하다.

캐소드 콘택이 외부일 경우, 형태는 덜 중요하다. 바람직하게는 이는 제2 에지에 인접하며(또는 제2 에지와 접하며) 제2 에지와 나란히 놓인다.

둥근 활성 구역에 있어서, 애노드 콘택 및 캐소드 콘택은 캐소드 콘택이 외부일 경우 괄호(parenthesis)형이다. 또는 애노드 콘택은 C-형이고, 내부 캐소드 콘택은 특히 애노드 콘택의 C로부터 일정한 거리인 C-형이다.

이는 활성 구역의 형태가 삼각형이지 않도록 하고, 제1 및 제2 에지가 "지나치게" 인접하지 않도록 한다. 대칭형의 활성 구역이 바람직하다.

활성 구역 또는 구역들은 정사각형 또는 직사각형 밴드, (실질적으로) 직선형이며 평행하거나 곡선의 밴드를 형성할 수 있다.

n개의 스택의 경우, 활성 구역은 예를 들어 적어도 하나의 소위 특정 연결 방향(A)을 따라 정렬되거나, 해(sun) 등과 같은 다른 형태에 따라 연장된다.

특히 솔리드인 n개의 스택의 활성 구역은 바람직하게는 유사한 크기이며, 특히 표면적(S)±10%이며, 바람직하게는 활성 구역은 유사한 형태를 갖는다. 제1 에지와 제2 에지 간의 거리는 바람직하게는 (실질적으로) 일정하며, 예를 들어 값 G±10%이다.

활성 구역들 간의 간격은 바람직하게는 500 ㎛ 미만까지, 특히 100과 500 ㎛ 사이까지 최소화된다.

활성 구역들 사이에, 반사체를 연장시키는 것이 가능하다.

오프 상태에서, 반사체가 n개의 스택의 전체 세트 상에(따라서 불연속부 없이) 거울을 형성하도록 부재들을 배치하는 것이 가능하다.

활성 구역은 바람직하게는 기하학적 형태, 타일링(직사각형, 정사각형, 벌집형 등)이다.

또한, R2의 조정으로 인해, 캐소드는 투명하거나, 특히 반사율(RL)이 80% 미만, 또는 60% 이하 또는 50% 이하인 반-반사성(semi-reflecting)일 수 있다.

캐소드에 의해, 방출된 광이 바람직하게는 지나치게 많이 흡수되지 않고 통과하는 것이 가능하다.

제1 구성(투명하거나 반투명 캐소드를 갖는)에서, 반사체는 제1 주면에서 멀리 떨어진 캐소드 위에 바람직하게는 금속성인 반사 피복 부재, 특히 (얇은) 층(들)을 포함할 수 있으며, 피복 부재는 특히 층형의 소위 인서트인 전기 절연 부재에 의해 캐소드로부터 분리된다.

인서트에 인접한 제1 캐소드 콘택은 또한 반사체의 일부를 형성할 수 있으며, 바람직하게는 반사체 피복 부재와 접촉하거나 전기적으로 연결된다.

반사 피복 부재는:

- 인서트 상에, 또는 인서트에 대해 덮어 씌워진(바람직하게는 광학 접촉하는) 카운터-부재(counter-element)(유리, 플라스틱 막 등)의 내부면 상에 물리 기상 증착에 의해 퇴적된 층,

- 금속성 시트; Cu, 스테인레스 스틸, Al, Ag 등

일 수 있다.

바람직하게는 층형인 반사 피복 부재는, Al, Ag, Cu, Mo, Cr 중에서 선택된 적어도 하나의 금속을 기재로 한다.

인서트는 방출된 광이 바람직하게는 지나치게 많이 흡수되지 않고 통과되는 것을 가능하게 하도록 선택될 수 있다. 예를 들어, 인서트는 투명하며, 바람직하게는 TL＞90%이고, 특히 A＜3%인 상당한 비-흡수성이다.

인서트는:

- 물리 기상 증착에 의해 퇴적된 박층 캐소드 상에 퇴적된 층, 또는 반사체가 플레이트(스테인레스 스틸 등) 등일 경우 접착제,

- 공기;반사체는 활성 구역의 주변부인 스페이서에 의해 분리됨,

- 오버레이 막(overlaid film), 예를 들어 라미네이션 인서트(PVB 형); 반사체는 예를 들어, 반사 층을 갖는 유리 기판임,

일 수 있다.

인서트는 바람직하게는:

- 바람직하게는 질화물, 산화물, 산질화물 중에서 선택된 미네랄, 예를 들어 질화 규소,

- 또는 예를 들어 OLED 에지를 패시베이션하기 위한 수지와 동일한 수지, 특히 폴리이미드

- 및/또는 선택적으로, 예를 들어, 특히 미네랄인 바인더에 특히 미네랄인 확산 입자를 첨가함으로써 확산하는

(단일)층(특히, 두께가 100 nm 미만이고 두께는 흡수율의 함수로서 조정됨)을 포함하거나 이로 구성된다.

바람직하게는, 상기 제1 구성에서, 제1 캐소드 콘택은 금속성 피복 부재와 동일한 재료를 기재로 한 층, 바람직하게는 알루미늄을 기재로 한 층을 포함한다.

캐소드 콘택은:

- 캐소드 상에 퇴적된 층: 도전성 접착제, 원하는 형태에 따라 잉크 젯 또는 실크 스크린 인쇄에 의해 퇴적된 층, PVD에 의해 퇴적되고 필요할 경우 패터닝된 박층, 땜납된 조인트 또는 용접 등

- 및/또는 미리 정해진 형태를 갖는 오버레이 막: 포일 박(foil leaf) 등

일 수 있다.

캐소드 콘택은 바람직하게는 층형이며, 바람직하게는 Al, Ag, Cu, Mo, Cr 중에서 선택된 적어도 하나의 금속을 기재로 한다.

특히, 캐소드 콘택 및 피복 부재는 연속 층에 의해, 특히 인서트(층형) 및 캐소드 상에 형성될 수 있다. 바람직하게는, 캐소드 콘택 및 연속 층은 캐소드와 동일한 재료, 특히 알루미늄을 기재로 한다.

이 방식으로 오프-상태에서, 연속 층은 거울을 형성할 수 있으며 캐소드 콘택은 피복 부재와 구분되지 않는다.

피복 부재 및 캐소드 콘택 (및 심지어는 캐소드 또는 인서트)에 대해 단일 퇴적 기술(예를 들어, 물리 기상 증착(PVD), 특히 캐소드 스퍼터링 또는 증발)을 사용하는 것이 바람직할 수 있거나, 심지어 피복 부재 및 캐소드 콘택에 대해 단일 단계의 층 퇴적을 사용하는 것이 바람직할 수 있다.

더 광범위하게는, 캐소드용으로 가능한 재료로는

- 금속: 알루미늄, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 란타늄, 하프늄, 인듐, 비스무트,

- 및 란탄계 원소: 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 테르븀, 디스프로슘, 홀뮴, 에르븀, 툴륨, 이테르븀 및 류테튬

을 인용할 수 있다.

특히 바람직한 것은 낮은 일함수 때문에 종종 사용되는, 알루미늄, 은, 바륨, 칼슘, 사마륨이다.

하기 표 1에서,

알루미늄(선택된 두께의 함수로서 투명하거나 반투명할 수 있음)의 R2,

저항(단위 중량당)이 900 nΩ.m이고, 선택된 두께의 함수로서 투명하거나 반투명할 수 있는 사마륨의 R2, 및

저항(단위 중량당)이 332 nΩ.m이고, 선택된 두께의 함수로서 투명하거나 반투명한 바륨의 R2

가 제시된다.

R2는 1 Ω/□ 이상이거나, 3 Ω/□ 초과 및 20 Ω/□ 미만인 것이 바람직하다.

바람직한 방식에서, 캐소드는 적어도 하나의 금속을 기재로 하며, 바람직하게는 Al 및 Ag 중에서 선택되고, 선택적으로 금속 층 아래에 예를 들어 두께가 3 nm 미만인 LiF 층을 갖는다.

가장 특별하게는, 캐소드는 알루미늄을 기재로 한 층을 포함할 수 있거나 이로 구성될 수 있으며, 캐소드 콘택은, 예를 들어 알루미늄 캐소드 층 상에 두껍게 된 부분을 형성하는, 알루미늄 기재의 층이다.

제2 구성(투명 또는 반투명 캐소드를 갖는)에서, 반사체는 브래그 거울이며, 브래그 거울은 캐소드 상에 및 캐소드 콘택에 인접하여 배치되고, 캐소드 콘택은 반사체의 일부를 형성한다.

브래그 거울은, 예를 들어 TiO₂, ZrO₂, Al₂O₃, Si₃N₄와 같은 고 굴절율(n1) 박층 및 예를 들어 SiO₂, CaF₂와 같은 저 굴절율(n2) 박층의 교호층으로 형성된 스택으로서 알려져 있다.

예를 들어, 굴절율의 차이(n2-n1)는 적어도 0.3이며, 바람직하게는 적어도 0.6이고, 스택은 적어도 2개의 고 굴절율 층 및 적어도 2개의 저 굴절율 층을 포함한다.

따라서, 570 nm 근방에 파장이 집중된 OLED에 있어서, 다중 층 스택 TiO₂ 60 nm/SiO₂ 95 nm, 또는 선택적으로, 상기 다중 층 스택의 중첩을 고려하는 것이 가능할 것이다.

OLED에 브래그 거울을 사용하는 것은 당업자에게 공지되어 있으며, 선택적으로 당업자는 후속하는 공개문헌을 참조할 수 있을 것이다:

·[Appl. Phys. Lett. 69, 1997(1996); Efficiency enhancement of microcavity organic light emitting diodes; R.H.Jordan, A.Dodabalapur, and R.E.Slusher]

·[JOSA B,Vol.17, Issue 1, pp.114-119(2000), Semitransparent metal or distributed Bragg reflector for wide-viewing-angle organic light-emitting-diode microcavities; Kristiaan Neyts, Patrick De Visschere, David K.Fork, and Greg B.Anderson]

캐소드 콘택은 브래그 거울과 접촉할 수 있다.

캐소드 콘택은, 예를 들어 활성 구역으로부터 돌출되어 캐소드 연결 장치 구역을 형성하는 그의 단부 중 하나에 의해 연결된다.

이제 비제한적 예 및 하기의 도면의 도움으로 본 발명을 더 상세히 설명할 것이다:
- 도 1은 본 발명에 따른 제1 유기 발광 소자의 개략적 단면도이고,
- 도 1a는 도 1의 OLED 소자의 위로부터의 개략도를 예시하고,
- 도 1b는 본 발명에 따라 수득된 휘도 균일도 그래프를 도시하고,
- 도 1c는 본 발명에 따른 제2 유기 발광 소자의 개략적 단면도이고,
- 도 1d는 도 1c의 OLED 소자의 위로부터의 개략도를 예시하고,
- 도 2는 본 발명에 따른 제3 유기 발광 소자의 개략적 단면도이고,
- 도 2a는 도 2의 OLED 소자의 위로부터의 부분 개략도를 예시하고,
- 도 3은 연속으로 연결된 4개의 스택을 갖는, 본 발명에 따른 제4 OLED 소자의 개략적 단면도이다.
명료성을 위해, 나타낸 대상물의 각종 요소들(각도를 포함)은 일정한 비율로 재현되지 않음을 명시한다.

도 1은 의도적으로 매우 개략적이며, 기판을 통해 발광하거나 "배면 발광"하는 유기 발광 소자의 단면을 나타낸다.

OLED 소자(100)(연속으로 용이하게 연결가능한)는, 제1 주면(10)에서 시작하여,

- 투명하고, 적어도 하나의 전기전도성 층을 포함하며, 특정 시트 저항(R1)의, 예를 들어 TCO 또는 은-계 스택인 애노드(1)를 형성하는 하부 전극,

- 애노드 위의 유기 발광 시스템(2)(HTL 및 ETL 층을 포함),

- 투명하거나 반-반사성이며, 유기 발광 시스템 위에 존재하며, 전기전도성 층을 포함하며, 일정한 특정 두께의 특정 시트 저항(R2)의 캐소드(3)를 형성하는 상부 전극 - 비(r=R2/R1는 0.1 내지 5의 범위임 -

을 상기 순서대로 포함하여, 스택이 소위 공통 활성 구역(20)을 형성하는 스택을 포함하는 제1 주면(10)을 갖는 투명 기판을 포함한다.

예를 들어 4 V 또는 10 V인 전위(V)가, 예를 들어 금속성 (다중)층인 제1 주변부 애노드 전기 콘택(41)을 통해 애노드(1)의 경계에 인가된다. 상기 제1 주변부 애노드 전기 콘택(41)은 제1 맞춤형 애노드 콘택(41), 즉, 동작 중에 모든 지점에서 제1 전위(V)가 되도록 맞춰진 전기 저항을 갖는 제1 맞춤형 애노드 콘택(41)으로 지칭된다.

여기서 제1 맞춤형 콘택(41)은 활성 구역의 제1 종방향 에지(21) 상의 활성 구역(20) 외부에 존재한다.

따라서, 본 발명은, 2개의 전극 사이에서 가능한 가장 균일한 전압 차가 유지되도록 2개의 전극에서 발생하는 전압 강하가 서로 보상되는 방식으로, 2개의 전극 상의 전기적 연결의 기하학적 구조 및 비 r 모두가 조정되는 OLED 모듈로 구성된다.

제1 맞춤형 애노드 콘택(41)의 임의의 지점(B1)에 있어서, 상기 지점(B1)과 상기 지점(B1)에 가장 가까운 콘택 표면의 지점(C1) 간의 거리(D1)를 정의하고, 상기 지점(B1)과, 제1 에지(21)에 대향하는 활성 구역의 제2 종방향 에지(22)의 지점(X1) 사이의, C1을 통과하는 거리(L1)를 정의할 때, 이하의 기준이 정의된다:

· 0.1≤r＜1.75일 경우, 20%＜D1/L1,

· 1.75≤r＜2.5일 경우, 20%＜D1/L1＜90%,

· 2.5≤r＜3일 경우, 20%＜D1/L1＜80%,

· 3≤r≤5일 경우, 20%＜D1/L1＜70%.

그리고 더 양호하게는

· 0.1≤r＜1.75일 경우, 40%≤D1/L1, 또는 60%≤D1/L1, 특히 70%≤D1/L1,

· 1.75≤r＜2.5일 경우, 40%≤D1/L1≤80%, 특히 50%≤D1/L1≤70%,

· 2.5≤r＜3일 경우, 40%≤D1/L1≤70%, 특히 40%≤D1/L1≤60%,

· 3≤r≤5일 경우, 30%≤D1/L1≤50%이다.

여기서 콘택 표면(5)은 솔리드 표면이며; 변형으로서 그리드형이다.

반사체(6)는 제1 주면에서 멀리 떨어진 캐소드(3) 위에 금속성 반사 피복 부재(61)를 포함하며, 피복 부재(61)는, 투명하고 상당히 비-흡수성이며 여기서는 바람직하게는 예를 들어 50 nm의 질화 규소와 같은, 얇은 미네랄 층인, 소위 인서트인 전기 절연 전기 부재(7)에 의해 캐소드(3)로부터 분리된다.

인서트(7)에 인접한 제1 캐소드 콘택(5)은 반사성이며, 따라서 반사체(6)의 일부를 형성하고 바람직하게는 반사 피복 부재(61)와 접촉하거나 전기적으로 연결된다.

캐소드 콘택(5)은 바람직하게는 금속성 피복 부재(61)와 동일한 재료를 기재로 한다. 이어서, 캐소드 콘택(5) 및 피복 반사체(6)는 예를 들어 물리 기상 증착에 의해 인서트(7) 및 캐소드(3) 상에 연속 층에 의해 형성된다. 바람직하게는, 상기 연속 층은, 두께가 예를 들어 100 nm 또는 500 nm인 알루미늄을 기재로 한다. 당연히, 인서트(7)는, 캐소드 콘택 구역이 되도록 의도된 구역에 상응하는 프리 구역(free zone)을 남기도록, 퇴적 전에 구축되었다.

활성 구역(20)의 제2 에지(22)는, 예를 들어 71과 같은 폴리이미드 수지에 의해 패시베이션된다.

여기서 애노드 콘택(41)은 기판상에(또는 아래의 층 상에) 미리 퇴적된 애노드(1) 상에 존재한다. 하지만, 애노드(2)는 애노드 콘택(41) 이후에도 동일하게 잘 퇴적될 수 있으며 전기적 접합을 위해 애노드 콘택(41)에 부분적으로 중첩된다.

변형으로서, 나타내지는 않았지만, 반사체는 상기 제1 캐소드 콘택에 인접하는 브래그 거울을 포함한다. 그래서, 반사성 캐소드 콘택은 여전히 반사체의 일부를 형성한다. 브래그 거울(유전체 재료의)은 캐소드 바로 위에 존재할 수 있다.

캐소드(3)는 예를 들어 알루미늄 층이며, 특히 R2가 1 Ω/□ 이상, 특히 3 Ω/□ 이상이고, 20 Ω/□ 미만 또는 10 Ω/□ 미만이며, 캐소드 콘택은 바람직하게는, 이미 나타낸 바와 같이 알루미늄 기재의 층이다.

활성 구역(20)은 예를 들어 적어도 5cm x 5cm이다.

캐소드 콘택은 제2 에지(22) 너머로 활성 구역 외부에 연장되며, 예를 들어 기 존재하는 콘택 패드(81) 상에 퇴적된다.

OLED 소자(100)는 제1면(10)으로부터 떨어져서 유기 발광 시스템(2) 위에 활성 구역(20)을 덮는 반사체(6)를 포함한다.

도 1a는 더 명확하게 하기 위해 소자의 부재들 부분, 즉 전기적 기능을 갖는 부재들을 도시하는, 소자(100)의 위로부터의 개략도를 예시한다.

제1 맞춤형 애노드 콘택(41)은 직선형 밴드이다. 활성 구역(20)(여기서는 단순히 윤곽에 의해서 정의됨, 파선임)은 유사하게 정사각형이다.

제1 및 제2 에지(21,22)에 인접한 활성 구역의 에지(23,24)에는 맞춤형 애노드 콘택이 제공되지 않는다.

예시로서, 제1 애노드 콘택(41)의 지점(B1), 캐소드 콘택(5)(여기서는 내부)에 속하는 가장 가까운 지점(C1), 및 제2 에지(22)의 지점(X1)(애노드에 평행한 B1의 평면의)을 나타내었다. 애노드에 평행한 B1의 평면의 직교 돌출부(C1)를 통해 B1을 통과하고, X1을 통과하는 직선에 의해 L1 및 D1을 가장 잘 정의하는 것이 가능하다.

사실상, 제1 맞춤형 콘택(41)과 제1 에지(21) 간의 공간이 한정된다. 제1 외부 주변부 맞춤형 콘택은 바람직하게는, 제1 에지로부터 L/10 미만 또는 L/20 미만의 거리(W)에 있고, 상기에서 L은 제1 및 제2 에지(21 및 22) 사이의, 여기서는 일정한 거리이다(L1과 동일).

L=15 cm, Rorg=1000 Ω·cm², 3 Ω/□의 애노드를 선택하며, 휘도 균일도(H)는 OLED 턴-온 전압 초과의 특정 전압이 공급된 OLED의 최대 휘도에 대한 최소 휘도의 비로서 정의된다.

도 1b는 각종 비 r(0.1과 4 사이)에 대해, 도 1에 도시된 소자(100)의 캐소드 콘택(5)의 D1/L1의 함수로서 균일도(H)의 그래프를 도시한다.

거기에 도시된 것은 각각 r=0.1; r=0.5; r=1; r=2; r=3; r=4에 대한 균일도(H)(%)인 6개의 곡선 F1 내지 F6이다.

상기 그래프(F1 내지 F6)는, 특히 낮은 값의 r에 대한, 적절한 변수 범위를 상기하며, 최적의 범위는 더 좁지만 H는 더 향상된다.

H에 대한 결과는, 통상적으로 50과 1000 Ω·cm²사이인 상이한 Rorg, 통상적으로 1과 10 Ω/□ 사이의 상이한 R1을 갖는 애노드, 및 임의의 다른 활성 구역 크기에 대해 유사하다(동일한 경향을 따름).

예를 들어, R1=8 Ω/□인 ITO 애노드 및 R2=24 Ω/□인 캐소드; 또는 R1=3 Ω/□인 은-계 애노드 및 R2=9 Ω/□인 캐소드를 이용하여 r=3 및 D/L=50%를 선택한다.

제조상의 용이성을 위해, 예를 들어, R1=8 Ω/□인 ITO 애노드 및 R2=8 Ω/□인 캐소드; 또는 R1=3 Ω인 은-계 애노드 및 R2=3 Ω/□인 캐소드를 이용하여 r=1 및 D/L=70%인 더 낮은 r을 선택하는 것도 가능하다.

R1=3 Ω/□인 애노드를 제조하기 위해, ITO와 같은 투명 도전성 산화물("TCO")보다 은-계 스택이 바람직하다. 예를 들어, PCT 특허공개 제WO2008/029060호 및 제WO2009/083693호에 설명된 은-계 단일 층 또는 은-계 이중 층 스택을 인용하는 것이 가능하다.

캐소드를 제조하기 위해, 두께를 조정하면서 알루미늄을 퇴적한다.

도 1c는 본 발명에 따른 제2 유기 발광 소자(100')의 개략적인 단면도이다.

상당히 낮은 r, 예를 들어 r=1 및 100%＜D/L을 선택하였다. 다르게 서술되지 않으면 인서트(7) 및 피복 부재(61)는 활성 구역(20) 전체를 덮고, 캐소드 콘택(5')은 활성 구역(20)으로부터 돌출된 캐소드(3) 구역의 제2 에지(22)의 주변부로 이동한다.

캐소드 콘택(5')은, 예를 들어 활성 구역 및 그 너머에 연속 층을 형성하는 피복 부재(61)와 접촉할 수 있다.

도 1d는 좀더 명료하게 하기 위해 소자의 부재들, 즉 전기적 기능을 갖는 부재들의 일부를 도시하는 소자(100')의 위로부터의 개략도를 예시한다.

제1 맞춤형 애노드 콘택(41)은 직선형 밴드이다. 활성 구역(20)(여기서는 단순히 윤곽에 의해 정의됨, 파선임)이 직사각형이다.

사실상, 제1 맞춤형 콘택과 제1 에지(21) 간의 공간이 한정된다. 제1 외부 주변부 맞춤형 콘택은 바람직하게는, 제1 에지로부터 L/10 미만 또는 L/20 미만의 거리(W)에 있고, 상기에서 L은 제1 및 제2 에지(21 및 22) 사이의 거리이다.

예시로서, 애노드 콘택(41)의 지점(B1), 캐소드 콘택(5)(여기서는 외부)에 가장 가까운 지점(C1), 및 제2 에지(22)의 지점(X1)(애노드에 평행한 B1의 평면의)을 나타내었다. 애노드에 평행한 B1의 평면의 직교 돌출부(C1)를 통해 B1을 통과하고, X1을 통과하는 직선에 의해 L1 및 D1을 가장 잘 정의하는 것이 가능하다.

도 2는 제1 소자(100)의 변형으로서 본 발명에 따른 제2 유기 발광 소자(100')의 개략적 단면도이다. 도 2a는 도 2의 OLED 소자의 위로부터의 부분 개략도를 예시한다.

제1 맞춤형 애노드 콘택(41)에 연결된 전기전도성 층으로서 저항형 애노드 전기 콘택(42)이 추가된다. 여기서 상기 저항형 콘택들(42)은 상호접속되며 애노드 상에(또는 변형으로서 애노드 아래에) 그리드를 형성하고, 수지(71)에 의해 패시베이션된다.

따라서, 양호한 휘도 균일도를 수득하기 위해, 비 r는 비 r'=R2/R'1(상기에서, R'1은 애노드/저항형 애노드 콘택(들) 어셈블리의 등가 시트 저항임)로 대체되며, 즉 애노드 및 저항형 애노드 콘택을 평행하게 배치하는 것으로 대체된다.

저항형 애노드 콘택(42)은 맞춤형 콘택(41)과 동일한 하나의 재료로 제조될 수 있지만, 예를 들어 1 mm 미만으로 훨씬 더 미세할 수 있다. 예를 들어, 높이가 500 nm 이고 폭이 100 ㎛인 알루미늄 와이어의 도움으로 제조된, 주기가 5 mm인 금속성 스트랜드의 정사각형 메쉬가, 2.7 Ω/□의 등가 시트 저항을 갖는 시스템을 형성한다. 상기 메쉬가 시트 저항이 20 Ω/□인 ITO 애노드 상에 놓일 경우, 애노드의 등가 저항(애노드 및 저항형 콘택을 평행하게 배치함으로써 초래된 저항으로서 정의됨)은 2.4 Ω/□이다. 상기 애노드 상에 유기 재료의 수직 저항이 100 Ω·cm² 인 8x8 cm²의 정사각형 활성 구역의 OLED를 제조함으로써, OLED의 에지로부터 4 cm에 위치한 저항형 콘택 근처에서 광은 20% 저하될 것이다. 상기 5% 초과의 광 감소는, OLED의 중심에서의 애노드의 전압 감소를 야기하여 광의 감소를 야기하는 저항형 콘택의 저항 특성에 기인한다.

제1 소자와의 다른 차이점은 제1 애노드 콘택(41)이 활성 구역(20) 외부가 아닌 내부에서 제1 에지(21)와 나란히 놓인다는 점이다. 또한, 이는 수지(71)에 의해 패시베이션된다. 이는 전기적 연결을 위해 에지(24)(제1 에지(21)에 인접함)로부터 돌출된다.

도 3은 본 발명에 따른 제3 유기 발광 소자(1000)의 개략적 단면도이다.

사실상, OLED 소자는 제1 소자(100)의 종류인 4개의 OLED 소자(100a 내지 100d)를 포함하며, 따라서 4개의 스택은 4개의 활성 구역(20a 내지 20d)을 정의하고 방향 A를 따라 연속으로 연결된다.

당연히, 캐소드 콘택 패드(81)는 마지막 스택(20d)의 마지막 에지 상에 배치된다. 또한, 제1 캐소드 콘택(5a)은 제1 활성 구역(20a)으로부터 돌출되어 제2 애노드(2b)의 애노드 콘택(41b)으로서 작용하고, 기타 등등이다.

여기서는 단일 기판(10)이 존재하지만, OLED가 함께 접한 4개의 지지체를 사용하는 것도 또한 가능하다.

바람직하게는 동일한 활성 구역은 직선형 밴드 또는 곡선형 밴드이며, 일정한 폭을 갖는다.

각 소자(100a 내지 100d) 간의 비-반사 구역을 최소화하는 것이 바람직하다.

종류 100' 또는 200의 소자로 연속으로 OLED를 제조하는 것도 가능하다. 둥글거나 유사한 활성 구역으로 OLED를 연속으로 제조하는 것도 또한 가능하다.

Claims

제1 주면에서 시작하여,
- 투명하며, 특정 시트 저항(R1)의 애노드(1)를 형성하는 하부 전극,
- 애노드 위의 유기 발광 시스템(2),
- 유기 발광 시스템 위에, 특정 시트 저항(R2)의 캐소드(3)를 형성하는 상부 전극 - 비(r=R2/R1)의 범위는 0.1 내지 5임 -
을 상기 순서대로 포함하여, 애노드, 유기 발광 시스템 및 캐소드는 소위 공통 활성 구역(20)을 형성하는 스택을 포함하는 제1 주면(10)을 갖는 투명 기판을 포함하는 소위 유기 발광 다이오드(OLED) 소자(100 내지 200, 1000)로서,
OLED 소자는,
- 활성 구역(20)의 제1 에지(21)를 따라, 제1 맞춤형 애노드 전기 콘택(41), 특히 수 개의 맞춤형 애노드 전기 콘택,
- 맞춤형 애노드 전기 콘택(41)으로부터 오프셋되고, 캐소드 콘택이 콘택 표면으로 지칭되는 특정 표면(5)을 갖는 제1 캐소드 전기 콘택(5',5,5a,5d)
을 포함하며,
각 맞춤형 애노드 콘택(41)의 임의의 지점(B1)에 있어서, 상기 지점(B1)과 상기 지점(B1)에 가장 가까운 콘택 표면의 지점(C1) 간의 거리(D1)를 정의하고, 상기 지점(B1)과, 제1 에지(21)에 대향하는 활성 구역의 제2 에지(22)의 지점(X1) 사이의, C1을 통과하는 거리(L1)를 정의할 때, 이하의 기준이 정의되고:
· 0.1≤r＜1.75일 경우, 20%＜D1/L1,
· 1.75≤r＜2.5일 경우, 20%＜D1/L1＜90%,
· 또는 2.5≤r＜3일 경우, 20%＜D1/L1＜80%,
· 또는 3≤r≤5일 경우, 20%＜D1/L1＜70%,
OLED 소자(100)는 제1면(10)으로부터 떨어져서 유기 발광 시스템(2) 위에 활성 구역(20)을 덮는 반사체(6)를 포함하는,
OLED 소자(100 내지 200, 1000).
1보다 큰 수 n개의 스택(100a 내지 100d)을 포함하는 제1 주면(10)을 갖는 투명 기판을 포함하는 소위 유기 발광 다이오드(OLED) 소자(1000)로서, 각 스택은 상기 제1 주면에서 시작하여,
- 투명하며, 특정 시트 저항(R1)의 애노드(1)를 형성하는 하부 전극,
- 애노드 위의 유기 발광 시스템(2),
- 유기 발광 시스템 위에, 특정 시트 저항(R2)의 캐소드(3)를 형성하는 상부 전극 - 비(r=R2/R1)의 범위는 0.1 내지 5임 -
을 상기 순서대로 포함하여, 애노드(1), 유기 발광 시스템(2) 및 캐소드(3)는 소위 공통 활성 구역(20a,20d)을 형성하고,
스택은 적어도 하나의 스택에 대해, 바람직하게는 대부분의, 특히 각각의 n개의 스택에 대해 연속으로 연결되거나 연속으로 연결될 수 있고,
OLED 소자는:
- 활성 구역(20)의 제1 에지(21)를 따라, 제1 맞춤형 애노드 전기 콘택, 특히 수 개의 맞춤형 애노드 전기 콘택(41,41a 내지 41d),
- 맞춤형 애노드 전기 콘택 또는 콘택들(41)로부터 오프셋되고, 캐소드 콘택이 콘택 표면으로 지칭되는 특정 표면(5)을 갖는 제1 캐소드 전기 콘택(5',5a 내지 5d)
을 포함하며,
- 각 맞춤형 애노드 콘택(41)의 임의의 지점(B1)에 있어서, 상기 지점(B1)과 상기 지점(B)에 가장 가까운 콘택 표면의 지점(C1) 간의 거리(D1)를 정의하고, 상기 지점(B1)과, 제1 에지(21)에 대향하는 활성 구역의 제2 에지(22)의 지점(X1) 사이의, C1을 통과하는 거리(L1)를 정의할 때, 이하의 기준이 정의되는 OLED 소자(1000).
· 0.1≤r＜1.75일 경우, 20%＜D1/L1,
· 1.75≤r＜2.5일 경우, 20%＜D1/L1＜90%,
· 2.5≤r＜3일 경우, 20%＜D1/L1＜80%,
· 3≤r≤5일 경우, 20%＜D1/L1＜70%.
제1항 또는 제2항에 있어서, 콘택 표면(5,5',5a 내지 5d)은 솔리드 표면, 그리드형 표면인 것을 특징으로 하는 OLED 소자(100 내지 1000).
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 캐소드 콘택(5)은 특히 1.75≤r일 경우 활성 구역(20) 위에 존재하거나, 캐소드 콘택(5')은 특히 r＜1.75일 경우 활성 구역(20) 외부에 존재하는 것을 특징으로 하는 OLED 소자(100 내지 1000).
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 캐소드 콘택(5)은 활성 구역(20) 위에 존재하고, 활성 구역(20)의 표면에 실질적으로 상사(homothetic)인 표면을 나타내고, 특히 맞춤형 애노드 콘택(41)으로부터 실질적으로 일정한 거리에 있는 것을 특징으로 하는 OLED 소자(100 내지 1000).
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 캐소드 콘택(5)은 활성 구역(20) 위에 존재하고, 맞춤형 애노드 콘택(41)으로부터 실질적으로 일정한 거리에 있는 것을 특징으로 하는 OLED 소자(100 내지 1000).
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
· 0.1≤r＜1.75일 경우, 40%≤D1/L1, 특히 60%≤D1/L1,
· 1.75≤r＜2.5일 경우, 40%≤D1/L1≤80%, 특히 50%≤D1/L1≤70%,
· 2.5≤r＜3일 경우, 40%≤D1/L1≤70%, 특히 40%≤D1/L1≤60%,
· 3≤r≤5일 경우, 30%≤D1/L1≤50%
인 것을 특징으로 하는 OLED 소자(100 내지 1000).
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 특히 전기전도성 층으로서, 맞춤형 애노드 콘택 또는 콘택들(41)의 저항보다 큰 저항의 소위 저항형 애노드 전기 콘택(42)이 맞춤형 애노드 콘택(들)(41)에 연결되고, 0.1과 5 사이인 비 r이 0.1 내지 5 범위의 비(r'=R2/R1')(R1'는 애노드(1) 및 저항형 애노드 콘택(들)(42)의 어셈블리의 등가 시트 저항임)로 대체되는 것을 특징으로 하는 OLED 소자(100 내지 1000).
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 에지(21) 및 제2 에지(22)는 활성 구역(20)의 종방향 에지인 것을 특징으로 하는 OLED 소자(100 내지 1000).
제2항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, n개의 스택 중 수 개, 특히 n개의 스택의 활성 구역은 유사한 크기인 것을 특징으로 하는 OLED 소자(100 내지 1000).
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 캐소드(3)는 투명하거나 반-반사성이며, 반사체(6)는 제1 주면으로부터 떨어져서 캐소드(3) 위에 특히 금속성인 반사 피복 부재(61)를 포함하고, 반사 피복 부재(61)는 소위 인서트 전기 절연 부재(7)에 의해 캐소드로부터 분리되고, 인서트(7)에 인접한 제1 캐소드 콘택(5)은 바람직하게는 반사체(6)의 일부를 형성하고, 바람직하게는 반사 피복 부재(61)와 접촉하거나 특히 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 OLED 소자(100 내지 1000).
제11항에 있어서, 제1 캐소드 콘택(5)은 반사 피복 부재(61)와 동일한 재료를 기재로 하고, 바람직하게는 알루미늄을 기재로 하며, 특히 제1 캐소드 콘택(5) 및 반사 피복 부재(61)는 연속 층에 의해 형성되며, 바람직하게는 캐소드 콘택(5)은 캐소드(3)와 동일한 재료를 기재로 하는 것을 특징으로 하는 OLED 소자(100 내지 1000).
제12항에 있어서, 연속 층은 캐소드(3)와 동일한 재료, 특히 알루미늄을 기재로 하는 것을 특징으로 하는 OLED 소자(100 내지 1000).
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 캐소드는 알루미늄을 기재로 하는 층을 포함하고, 제1 캐소드 콘택은 알루미늄을 기재로 하는 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 OLED 소자(100 내지 1000).
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 반사체는 캐소드 콘택에 인접하는 브래그 거울을 포함하고, 캐소드 콘택은 반사체의 일부를 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 소자.