KR20140111950A - Grinding wheel - Google Patents

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KR20140111950A
KR20140111950A KR1020140022411A KR20140022411A KR20140111950A KR 20140111950 A KR20140111950 A KR 20140111950A KR 1020140022411 A KR1020140022411 A KR 1020140022411A KR 20140022411 A KR20140022411 A KR 20140022411A KR 20140111950 A KR20140111950 A KR 20140111950A
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grinding
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grinding wheel
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KR1020140022411A
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세츠오 야마모토
신노스케 세키야
다쿠야 미하라
아키 다카하시
? 하마오카
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

The present invention provides a grinding wheel, which precisely grinds a surface of an object without a waning toward an opposite to a direction of rotation of a segment magnet. The grinding wheel mounted to a wheel mount of a grinding means comprises: a wheel base including a mounting portion, which is mounted on the wheel mount and has a ring shape, and a free end portion formed with the ring shape and arranged on an opposite area of the mounting portion; and a plurality of grindstones arranged on the free end portion. The plurality of grindstones comprises: a grinding grindstone obtained by mixing a diamond grit and a bond to sinter the grinding grindstone; and an auxiliary grindstone by sintering only the bond. Both ends of the grinding grindstone and the auxiliary grindstone are closely and alternatively arranged on the free end portion of the wheel base in the ring shape.

Description

연삭 휠{GRINDING WHEEL}GRINDING WHEEL [0002]

본 발명은, 연삭 장치의 연삭 휠에 관한 것이다.The present invention relates to a grinding wheel of a grinding apparatus.

IC, LSI, LED 등의 수많은 디바이스가 표면에 형성되고, 개개의 디바이스가 분할 예정 라인(스트리트)에 의해 구획된 웨이퍼는, 연삭 장치에 의해 이면이 연삭되어 정해진 두께로 가공된 후, 레이저 가공 장치에 의해 개개의 디바이스로 분할되고, 분할된 디바이스는 휴대전화나 퍼스널 컴퓨터, 조명 기구 등의 전기기기에 널리 이용되고 있다.A wafer in which a large number of devices such as ICs, LSIs, and LEDs are formed on the surface and each device is partitioned by lines to be divided (streets) is ground to a predetermined thickness by a grinding apparatus, , And the divided devices are widely used in electric devices such as cellular phones, personal computers, and lighting devices.

또한, IC, LSI, LED 등의 디바이스가 형성되는 실리콘 웨이퍼, 사파이어 기판, SiC 기판은 디바이스가 형성되기 전에 연삭 장치에 의해 양면이 평탄하게 연삭되고, 또한 필요에 따라 연마 장치에 의해 연마되어 경면(鏡面)으로 가공된다.Further, silicon wafers, sapphire substrates, and SiC substrates on which devices such as ICs, LSIs, and LEDs are formed are polished flat on both sides by a grinding apparatus before devices are formed, polished by a polishing apparatus as necessary, Mirror surface).

연삭 장치는, 웨이퍼 등의 피가공물을 유지하는 척 테이블과, 이 척 테이블에 유지된 피가공물을 연삭하는 연삭 지석이 배치된 연삭 휠을 회전 가능하게 지지하는 연삭 수단과, 연삭 영역에 연삭수를 공급하는 연삭수 공급 수단을 구비하고 있고, 웨이퍼 또는 기판을 고정밀도로 원하는 두께로 연삭할 수 있다.The grinding apparatus includes a chuck table for holding a workpiece such as a wafer, grinding means for rotatably supporting a grinding wheel provided with a grinding wheel for grinding the workpiece held on the chuck table, And the grinding water supply means for grinding the wafer or the substrate to a desired thickness with high accuracy.

연삭 휠은, 연삭 유닛을 구성하는 휠마운트에 장착되는 환형으로 형성된 장착부와 이 장착부의 반대측에서 환형으로 형성된 자유단부를 갖는 휠베이스와, 이 휠베이스의 자유단부에 간격을 두고 고착된 복수의 세그먼트 지석으로 구성되고, 세그먼트 지석에 연삭수가 공급되는 구성으로 되어 있다(예컨대, 일본 특허 공개 제2006-198737호 공보 참조).The grinding wheel includes a wheel base having an annularly formed mounting portion mounted on a wheel mount which constitutes a grinding unit and a free end formed in an annular shape on the opposite side of the mounting portion, and a plurality of segments And the grinding wheel is supplied to the segment grindstone (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-198737).

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2006-198737호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-198737

그러나, 사파이어 기판, SiC 기판과 같이 모스 경도가 높은 피가공물을 연삭하면, 세그먼트 지석의 회전 방향 반대측에 이지러짐이 생기고, 피가공물의 연삭면에 흠집을 낸다고 하는 문제가 있다.However, when a workpiece having high Mohs hardness such as a sapphire substrate or an SiC substrate is ground, there is a problem that the segment is turned on the opposite side in the direction of rotation of the segmented grinding wheel, and the grinding surface of the workpiece is scratched.

그래서, 세그먼트 지석을 링형으로 간극을 두지 않고 긴밀하게 배치하여 세그먼트 지석의 회전 방향 반대측에 이지러짐이 생기지 않도록 구성하면, 세그먼트 지석으로부터 탈락한 지립이 함께 회전하여 연삭 저항이 커져, 피가공물의 피연삭면의 면 정밀도가 나빠진다고 하는 문제가 있다.Therefore, if the segment grinders are arranged in a ring shape without being spaced and tightly arranged so as to prevent the segment grindstone from rotating on the opposite side in the rotating direction, the abrasive grains dropped from the segment grindstone rotate together to increase the grinding resistance, There is a problem that the surface precision of the surface is deteriorated.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적으로 하는 것은, 세그먼트 지석의 회전 방향 반대측에 이지러짐을 발생시키지 않고, 피가공물의 피연삭면의 양호한 면 정밀도를 달성할 수 있는 연삭 휠을 제공하는 것이다.The object of the present invention is to provide a grinding wheel capable of achieving a good surface precision of a surface to be grounded of a workpiece without generating a load on the opposite side in the direction of rotation of the segment grindstone will be.

본 발명에 따르면, 연삭 수단의 휠마운트에 장착되는 연삭 휠로서, 상기 휠마운트에 장착되는 환형으로 형성된 장착부와 상기 장착부의 반대측에서 환형으로 형성된 자유단부를 갖는 휠베이스와, 상기 휠베이스의 상기 자유단부에 배치된 복수의 지석을 포함하며, 상기 복수의 지석은, 본드재에 다이아몬드 지립을 혼입하여 소결한 연삭 지석과, 본드재만을 소결한 보조 지석을 포함하고, 상기 연삭 지석과 상기 보조 지석이 상기 휠베이스의 상기 자유단부에 양 단부가 밀착하여 교대로 링형으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 연삭 휠이 제공된다. 바람직하게는, 본드재는 비트리파이드 본드로 구성된다.According to the present invention there is provided a grinding wheel mounted on a wheel mount of a grinding means, comprising: a wheel base having an annularly formed mounting portion mounted on the wheel mount and a free end formed in an annular shape on the opposite side of the mounting portion; Wherein the plurality of grindstones include a grinding stone obtained by sintering diamond grains mixed with a bonding material and an auxiliary grinding wheel obtained by sintering only the bonding material, And both end portions of the wheel base are closely attached to the free end of the wheel base in a ring shape. Preferably, the bond material comprises a non-tripide bond.

본 발명의 연삭 휠에 따르면, 연삭 지석이 보조 지석에 의해 보강되어, 연삭 지석의 회전 방향 반대측에 이지러짐이 생기지 않고 피가공물 연삭면에 흠집을 내지 않으며, 양호한 면 정밀도로 연삭할 수 있다.According to the grinding wheel of the present invention, the grinding stone is reinforced by the auxiliary grinding wheel, so that the grinding wheel is not scratched on the opposite side in the rotating direction of the grinding stone, and can be ground with good surface precision.

또한, 보조 지석이 본드재만을 소결하여 구성되어 있기 때문에, 연삭 지석으로부터 탈락한 지립은 보조 지석에 의해 포획되고, 실질적으로 지립이 함께 회전하지 않게 되며, 탈락한 지립에 의해 피가공물의 면 정밀도가 악화된다고 하는 문제가 억제된다.Further, since the auxiliary grinding stone is formed by sintering only the bond material, the abrasive grains dropped from the grinding stone are caught by the auxiliary grinding wheel, the abrasive grains do not substantially rotate together, and the surface accuracy of the workpiece The problem of deterioration is suppressed.

도 1은 본 발명의 연삭 휠을 구비한 연삭 장치의 사시도이다.
도 2는 반도체 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 접착하는 모습을 도시하는 사시도이다.
도 3의 (A)는 휠베이스의 저면도, 도 3의 (B)는 도 3의 (A)의 선 3B-3B를 따라 취한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시형태에 따른 연삭 휠의 사시도이다.
도 5는 세그먼트 지석의 배열 방법을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 6은 실시형태의 연삭 휠을 사용하여 웨이퍼의 이면을 연삭하고 있는 모습을 도시하는 사시도이다.1 is a perspective view of a grinding apparatus provided with a grinding wheel of the present invention.
2 is a perspective view showing a state in which a protective tape is adhered to the surface of a semiconductor wafer.
Fig. 3 (A) is a bottom view of the wheel base, and Fig. 3 (B) is a sectional view taken along the line 3B-3B in Fig.
4 is a perspective view of a grinding wheel according to an embodiment of the present invention.
5 is a diagram schematically showing a method of arranging segment grindstones.
6 is a perspective view showing a state in which the back surface of the wafer is ground using the grinding wheel of the embodiment.

이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 연삭 휠을 구비한 연삭 장치(2)의 외관 사시도가 도시되어 있다. 참조부호 4는 연삭 장치(2)의 베이스이며, 베이스(4)의 후방에는 칼럼(6)이 세워져 설치되어 있다. 칼럼(6)에는, 상하 방향으로 연장되는 한 쌍의 가이드 레일(8)이 고정되어 있다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to Fig. 1, there is shown an external perspective view of a grinding apparatus 2 having a grinding wheel of the present invention. Reference numeral 4 denotes the base of the grinding apparatus 2, and a column 6 is provided at the rear of the base 4. In the column 6, a pair of guide rails 8 extending in the vertical direction are fixed.

이 한 쌍의 가이드 레일(8)을 따라 연삭 유닛(연삭 수단)(10)이 상하 방향으로 이동 가능하게 장착되어 있다. 연삭 유닛(10)은, 스핀들 하우징(12)과, 스핀들 하우징(12)을 유지하는 지지부(14)를 갖고 있고, 지지부(14)가 한 쌍의 가이드 레일(8)을 따라 상하 방향으로 이동하는 이동 베이스(16)에 부착되어 있다.A grinding unit (grinding means) 10 is movably mounted along the pair of guide rails 8 in the vertical direction. The grinding unit 10 has a spindle housing 12 and a support portion 14 for holding the spindle housing 12 so that the support portion 14 moves up and down along the pair of guide rails 8 And is attached to the moving base 16.

연삭 유닛(10)은, 스핀들 하우징(12) 중에 회전 가능하게 수용된 스핀들(18)과, 스핀들(18)을 회전 구동하는 모터(20)와, 스핀들(18)의 선단에 고정된 휠마운트(22)와, 휠마운트(22)에 착탈 가능하게 장착된 연삭 휠(24)을 포함하고 있다.The grinding unit 10 includes a spindle 18 rotatably accommodated in a spindle housing 12, a motor 20 for rotating the spindle 18, a wheel mount 22 fixed to the tip of the spindle 18 And a grinding wheel 24 detachably mounted on the wheel mount 22.

연삭 장치(2)는, 연삭 유닛(10)을 한 쌍의 안내 레일(8)을 따라 상하 방향으로 이동시키는 볼나사(30)와 펄스 모터(32)로 구성되는 연삭 유닛 이송 기구(34)를 구비하고 있다. 펄스 모터(32)를 구동하면, 볼나사(30)가 회전하고, 이동 베이스(16)가 상하 방향으로 이동한다.The grinding apparatus 2 includes a grinding unit feed mechanism 34 composed of a ball screw 30 and a pulse motor 32 for vertically moving the grinding unit 10 along the pair of guide rails 8 Respectively. When the pulse motor 32 is driven, the ball screw 30 rotates, and the movable base 16 moves in the vertical direction.

베이스(4)의 상면에는 오목부(4a)가 형성되어 있고, 이 오목부(4a)에 척 테이블 기구(36)가 배치되어 있다. 척 테이블 기구(36)는 척 테이블(38)을 가지며, 도시하지 않는 이동 기구에 의해 웨이퍼 착탈 위치 A와, 연삭 유닛(10)에 대향하는 연삭 위치 B 사이에서 Y축 방향으로 이동된다. 참조부호 40, 참조부호 42는 벨로우즈이다. 베이스(4)의 전방측에는, 연삭 장치(2)의 오퍼레이터가 연삭 조건 등을 입력하는 조작 패널(44)이 배치되어 있다.A concave portion 4a is formed on the upper surface of the base 4 and a chuck table mechanism 36 is disposed in the concave portion 4a. The chuck table mechanism 36 has a chuck table 38 and is moved in the Y axis direction between the wafer attachment / detachment position A and the grinding position B opposed to the grinding unit 10 by a moving mechanism (not shown). Reference numeral 40 denotes a bellows. On the front side of the base 4, there is disposed an operation panel 44 through which an operator of the grinding apparatus 2 inputs grinding conditions and the like.

도 2를 참조하면, 반도체 웨이퍼(11)는, 예컨대 두께가 700 ㎛인 실리콘 웨이퍼로 이루어져 있고, 표면(11a)에 복수의 스트리트(분할 예정 라인)(13)가 격자형으로 형성되어 있으며, 복수의 스트리트(13)에 의해 구획된 각 영역에 IC, LSI 등의 디바이스(15)가 형성되어 있다.2, the semiconductor wafer 11 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 700 占 퐉. A plurality of streets (lines to be divided) 13 are formed in a lattice pattern on the surface 11a, Devices 15 such as ICs and LSIs are formed in each of the areas defined by the streets 13 of the IC chip.

이와 같이 구성된 반도체 웨이퍼(11)는, 디바이스(15)가 형성되어 있는 디바이스 영역(17)과, 디바이스 영역(17)을 위요하는 외주 잉여 영역(19)을 구비하고 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(11)의 외주에는 실리콘 웨이퍼의 결정 방위를 나타내는 마크로서의 노치(21)가 형성되어 있다.The semiconductor wafer 11 thus configured is provided with a device region 17 in which the device 15 is formed and an outer peripheral region 19 surrounding the device region 17. A notch 21 as a mark indicating the crystal orientation of the silicon wafer is formed on the outer periphery of the semiconductor wafer 11. [

웨이퍼(11)의 이면(11b)의 연삭에 앞서, 웨이퍼(11)의 표면(11a)에는, 보호 테이프 접착 공정에 의해 보호 테이프(23)가 접착된다. 보호 테이프(23)는, 예컨대 폴리에틸렌염화비닐, 폴리올레핀 등의 일면에 자외선 경화형 점착재(페이스트층)를 배치한 자외선 경화형 점착테이프이다.The protective tape 23 is adhered to the surface 11a of the wafer 11 by the protective tape adhering step before grinding the back surface 11b of the wafer 11. [ The protective tape 23 is an ultraviolet curable adhesive tape in which an ultraviolet curing type adhesive material (paste layer) is disposed on one side of, for example, polyethylene chloride or polyolefin.

도 3의 (A)를 참조하면, 도 4에 도시된 연삭 휠(24)을 구성하는 휠베이스(26)의 저면도가 도시되어 있다. 도 3의 (B)는 도 3의 (A)의 선 3B-3B를 따라 취한 단면도이다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 연삭 휠(24)의 휠베이스(26)는, 휠마운트(22)에 장착되는 환형으로 형성된 장착부(26a)와, 장착부(26a)의 반대측에서 동일하게 환형으로 형성된 자유단부(26b)를 갖고 있다. 도 3의 (A)에 도시되는 바와 같이, 휠베이스(26)의 자유단부(26b)에는 정해진 깊이의 환형 감합홈(27)이 형성되어 있다.Referring to Fig. 3 (A), a bottom view of the wheel base 26 constituting the grinding wheel 24 shown in Fig. 4 is shown. Fig. 3B is a cross-sectional view taken along the line 3B-3B in Fig. 3A. 4, the wheel base 26 of the grinding wheel 24 includes an annularly formed mounting portion 26a mounted on the wheel mount 22 and an annularly formed mounting portion 26a formed on the opposite side of the mounting portion 26a And a free end portion 26b. As shown in Fig. 3 (A), the free end portion 26b of the wheel base 26 is formed with an annular fitting groove 27 having a predetermined depth.

도 4에 도시하는 바와 같이, 휠베이스(26)의 장착부(26a)에는 연삭 휠(24)을 휠마운트(22)에 장착하기 위한 나사 구멍(33)과, 휠베이스(26)를 상하 방향으로 관통하는 원주 방향으로 정해진 간격 이격된 복수의 연삭수 공급 구멍(31)이 형성되어 있다.4, a screw hole 33 for mounting the grinding wheel 24 to the wheel mount 22 and a screw hole 33 for attaching the grinding wheel 24 to the wheel base 26 are provided in the mounting portion 26a of the wheel base 26 in the vertical direction A plurality of grinding water supply holes 31 spaced apart in a circumferential direction passing through are formed.

휠베이스(26)의 자유단부(26b)에는, 연삭 지석(28a)과 보조 지석(28b)을 교대로 밀착시켜 환형 감합홈(27)중에 링형으로 배치하고, 복수개의 지석(28)이 접착제에 의해 감합홈(27) 중에 고정되어 있다.The grinding wheel 28a and the auxiliary grinding wheel 28b are alternately brought into close contact with each other at the free end portion 26b of the wheel base 26 to form a ring shape in the annular fitting groove 27. A plurality of grinding wheels 28 And is fixed in the fitting groove 27.

즉, 본 실시형태의 연삭 휠(24)에서는, 지석(28)이 본드재에 다이아몬드 지립을 혼입하여 소결한 연삭 지석(28a)과, 본드재만을 소결한 보조 지석(28b)을 포함하고, 연삭 지석(28a)과 보조 지석(28b)이 양 단부에서 밀착되어 감합홈(27) 중에 링형으로 고정되어 있다. 본 실시형태에서는, 본드재로서 비트리파이드 본드를 채용하였다. 도 5를 참조하면, 지석(28)의 배열 방법이 모식적으로 도시되어 있다.That is, in the grinding wheel 24 of the present embodiment, the grinding wheel 28 includes the grinding stone 28a in which the diamond abrasive grains are mixed and sintered, and the auxiliary grinding wheel 28b in which only the bonding material is sintered, The grinding wheel 28a and the auxiliary grinding wheel 28b are closely contacted at both ends and fixed in a ring shape in the fitting groove 27. [ In the present embodiment, a non-trippled bond is employed as the bond material. Referring to Fig. 5, a method of arranging the grindstone 28 is schematically shown.

이하, 본 실시형태의 지석(28)을 구성하는 연삭 지석(28a) 및 보조 지석(28b)의 제조 방법의 일례에 대해서 설명한다.Hereinafter, an example of a method of manufacturing the grinding wheel 28a and the auxiliary grinding wheel 28b constituting the grinding wheel 28 of the present embodiment will be described.

연삭 지석(28a)의 제조 방법Method of manufacturing grinding wheel 28a

(1) 입경 φ0.5 ㎛(#8000)의 다이아몬드 지립과, SiO2를 주성분으로 하고 NaO, B2O3, CaO 등을 부성분으로 하는 비트리파이드 본드재와, 규산나트륨(겔형의 무기질 발포제)과, 입경 φ50 ㎛ 전후의 유기물 입자「폴리스티렌(PS)계, 폴리메타크릴산에스테르(PMMA)계의 유기물 입자(상품명 거츠펄: 거츠 카세이 가부시키가이샤)」를 혼련하고 조립(造粒)하여 과립물(입경 φ350 ㎛∼φ50 ㎛)을 생성한다.(1) particle diameter of φ0.5 ㎛ (# 8000) of the diamond abrasive grains and, SiO 2 as the main component, and NaO, B 2 O 3, CaO, such as non-bonding material and the tree sulfide, sodium silicate as an auxiliary component (a gel-type inorganic blowing agent ) And organic material particles of polystyrene (PS), polymethacrylic acid ester (PMMA) type (trade name: Gatsu Pearl: Gatsu Kasei Co., Ltd.) having particle diameters of about 50 占 퐉 were kneaded and granulated To produce granular material (particle diameter? 350 占 퐉? 50 占 퐉).

(2) 세그먼트를 형성하는 프레임에 이 과립물을 충전하여 정해진 형상으로 가압 성형한다.(2) The granules are filled in the frame forming the segment, and the granules are pressure-formed into a predetermined shape.

(3) 소결로 내에 성형된 과립물을 반입한다.(3) The molded granules are loaded into the sintering furnace.

(4) 소결로 내의 온도를 약 2시간에 걸쳐 650℃까지 상승시키고, 그 후 650℃에서 약 4시간 유지한 후, 약 6시간에 걸쳐 상온으로 복귀시켜 연삭 지석을 형성한다.(4) The temperature in the sintering furnace is raised to 650 DEG C over about 2 hours, then held at 650 DEG C for about 4 hours, and then returned to room temperature for about 6 hours to form a grinding stone.

(5) 소결로 내로부터 연삭 지석을 반출하고, 절단 가공 등에 의해 세그먼트 형상으로 정형한다.(5) The grinding stone is taken out from the sintering furnace and shaped into a segment shape by cutting or the like.

보조 지석(28b)의 제조 방법A method of manufacturing the auxiliary grinding wheel 28b

(1) SiO2를 주성분으로 하고 NaO, B2O3, CaO 등을 부성분으로 하는 비트리파이드 본드재와, 규산나트륨(겔형의 무기질 발포제)과, 입경 φ50 ㎛ 전후의 유기물 입자「폴리스티렌(PS)계, 폴리메타크릴산에스테르(PMMA)계의 유기물 입자(상품명 거츠펄: 거츠 카세이 가부시키가이샤)」를 혼련하고 조립하여 과립물(입경 φ350 ㎛∼φ50 ㎛)을 생성한다.(1) A non-tripide bond material containing SiO 2 as a main component and having NaO, B 2 O 3 , CaO, etc. as a subcomponent, sodium silicate (gel type inorganic foaming agent), and organic particles "polystyrene ), Polymethacrylic acid ester (PMMA) based organic particles (trade name: Gatsu Pearl: Gatsu Kasei K.K.) are kneaded and granulated to produce granules (particle size? 350 to? 50 占 퐉).

(2) 세그먼트를 형성하는 프레임에 이 과립물을 충전하여 정해진 형상으로 가압 성형한다.(2) The granules are filled in the frame forming the segment, and the granules are pressure-formed into a predetermined shape.

(3) 소결로 내에 성형된 과립물을 반입한다.(3) The molded granules are loaded into the sintering furnace.

(4) 소결로 내의 온도를 약 2시간에 걸쳐 650℃까지 상승시키고, 그 후 650℃에서 약 4시간 유지한 후, 약 6시간에 걸쳐 상온으로 복귀시켜 보조 지석을 형성한다.(4) The temperature in the sintering furnace is raised to 650 DEG C over about 2 hours, then maintained at 650 DEG C for about 4 hours, and then returned to room temperature over about 6 hours to form auxiliary grinding wheels.

(5) 소결로 내로부터 보조 지석을 반출하고, 절단 가공 등에 의해 세그먼트 형상으로 정형한다.(5) The auxiliary grinding stone is taken out from the sintering furnace and shaped into a segment shape by cutting or the like.

다음에, 본 실시형태의 연삭 휠(24)을 사용한 웨이퍼(11)의 연삭 방법에 대해서 도 6을 참조하여 설명한다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 연삭 유닛(10)의 스핀들(18) 선단에 고정된 휠마운트(22)에는, 복수의 나사(35)에 의해 연삭 휠(24)이 착탈 가능하게 장착되어 있다. 연삭 휠(24)은, 휠베이스(26)의 자유단부에 연삭 지석(28a)과 보조 지석(28b)을 교대로 밀착시키고 링형으로 고착하여 구성되어 있다.Next, a grinding method of the wafer 11 using the grinding wheel 24 of the present embodiment will be described with reference to Fig. 6, a grinding wheel 24 is detachably attached to a wheel mount 22 fixed to the front end of a spindle 18 of the grinding unit 10 by a plurality of screws 35. As shown in Fig. The grinding wheel 24 is constituted by alternately adhering the grinding wheel 28a and the auxiliary grinding wheel 28b to the free end of the wheel base 26 in a ring shape.

연삭 장치의 척 테이블(38)로 웨이퍼(11) 표면에 접착된 보호 테이프(23)측을 흡착 유지하고, 척 테이블(38)을 화살표 a로 나타내는 방향으로, 예컨대 300 rpm으로 회전시키면서, 연삭 휠(24)을 화살표 b로 나타내는 방향으로, 예컨대 6000 rpm으로 회전시키고, 연삭 유닛 이송 기구(34)를 구동하여 연삭 휠(24)의 연삭 지석(28a) 및 보조 지석(28b)을 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 접촉시킨다.The chuck table 38 of the grinding apparatus adsorbs and holds the protective tape 23 attached to the surface of the wafer 11 and rotates the chuck table 38 in the direction of arrow a, The grinding unit 24 is rotated in the direction indicated by the arrow b at 6000 rpm to drive the grinding unit feed mechanism 34 to move the grinding wheel 28a and the auxiliary grinding wheel 28b of the grinding wheel 24 to the wafer 11, The rear surface 11b of the substrate 11 is brought into contact with the rear surface 11b.

그리고, 연삭 휠(24)을 정해진 연삭 이송 속도(예컨대, 1 ㎛/s)로 아래쪽으로 정해진 양 연삭 이송하여 웨이퍼(11)의 연삭을 실시한다. 접촉식 또는 비접촉식의 두께 측정 게이지로 웨이퍼(11)의 두께를 측정하면서, 웨이퍼(11)를 원하는 두께, 예컨대 100 ㎛로 연삭한다.Then, the grinding wheel 24 is subjected to both grinding downward at a predetermined grinding feed rate (for example, 1 占 퐉 / s) to grind the wafer 11. The wafer 11 is ground to a desired thickness, for example, 100 占 퐉 while measuring the thickness of the wafer 11 with a contact-type or non-contact-type thickness gauge.

본 실시형태의 연삭 휠(24)에 따르면, 연삭 지석(28a)과 보조 지석(28b)은 서로 밀착하여 교대로 링형으로 배치되어 있기 때문에, 연삭 지석(28a)이 보조 지석(28b)에 의해 보강되어, 연삭 지석(28a)의 회전 방향 반대측에 이지러짐이 생기지 않고, 웨이퍼(11)의 연삭면에 흠집을 내지 않는다.According to the grinding wheel 24 of the present embodiment, since the grinding wheel 28a and the auxiliary grinding wheel 28b are closely arranged and arranged alternately in a ring shape, the grinding wheel 28a is reinforced by the auxiliary grinding wheel 28b So that the grinding surface of the wafer 11 is not scratched, and no irregularity is caused on the opposite side in the rotating direction of the grinding stone 28a.

또한, 보조 지석(28b)은 본드재만을 소결하여 구성되어 있기 때문에, 연삭 지석(28a)으로부터 탈락한 지립은 보조 지석(28b)에 의해 포획되고, 실질적으로 지립이 함께 회전하지 않기 때문에, 웨이퍼(11)의 연삭면의 양호한 면 정밀도를 달성할 수 있다.Since the auxiliary grinding wheel 28b is constituted by sintering only the bond material, the abrasive grains dropped from the grinding stone 28a are caught by the auxiliary grinding wheel 28b, and the abrasive grains do not substantially rotate together. Therefore, 11 can be achieved with a good surface precision.

10 : 절삭 유닛(절삭 수단) 11 : 반도체 웨이퍼
22 : 휠마운트 23 : 보호 테이프
24 : 연삭 휠 26 : 휠베이스
28 : 지석 28a : 연삭 지석
28b : 보조 지석 38 : 척 테이블10: cutting unit (cutting means) 11: semiconductor wafer
22: Wheel mount 23: Protective tape
24: grinding wheel 26: wheel base
28: Grinding wheel 28a: Grinding wheel
28b: auxiliary grinding wheel 38: chuck table

Claims (2)

연삭 수단의 휠마운트에 장착되는 연삭 휠로서,
상기 휠마운트에 장착되는 환형으로 형성된 장착부와 상기 장착부의 반대측에서 환형으로 형성된 자유단부를 갖는 휠베이스와,
상기 휠베이스의 상기 자유단부에 배치된 복수의 지석
을 포함하며, 상기 복수의 지석은, 본드재에 다이아몬드 지립을 혼입하여 소결한 연삭 지석과, 본드재만을 소결한 보조 지석을 포함하고,
상기 연삭 지석과 상기 보조 지석이 상기 휠베이스의 상기 자유단부에 양 단부가 밀착하여 교대로 링형으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 연삭 휠.A grinding wheel mounted on a wheel mount of a grinding means,
A wheel base having an annularly formed mounting portion mounted on the wheel mount and a free end formed in an annular shape on the opposite side of the mounting portion,
A plurality of grinding wheels disposed on the free end of the wheel base
Wherein the plurality of grinding wheels comprise a grinding stone obtained by sintering diamond grains mixed with a bonding material and an auxiliary grinding wheel obtained by sintering only the bonding material,
Wherein the grinding wheel and the auxiliary grinding wheel are arranged in ring shape in close contact with both free ends of the wheel base. 제1항에 있어서, 상기 본드재는, 비트리파이드 본드로 구성되는 것인 연삭 휠.The grinding wheel according to claim 1, wherein the bond material is composed of a non-trippled bond.
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