KR20140104756A - 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광소자용 렌즈 및 이를 이용한 발광소자 패키지에 관한 것으로서, 기판 상에, 질소 극성보다 Ⅲ족 원소 극성이 우세한 Ⅲ족 리치면을 갖는 상면과 Ⅲ족 원소 극성보다 질소 극성이 우세한 질소 리치면을 갖는 하면을 갖는 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층을 성장시키는 단계; 상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층의 상면 중 상기 질소 극성 영역을 선택적으로 식각하는 단계; 상기 식각된 질소 극성 영역을 채우도록 상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층 상에 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층 상에 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 갖는 발광적층체를 형성하는 단계;를 포함하여, 기판과 반도체층 간의 격자상수 차이로 인한 전위의 발생을 감소시켜 반도체층의 품질을 향상시킬 수 있다.

Description

질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법{NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF}
본 발명은 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광 다이오드는 전기에너지를 이용하여 소자 내에 포함되어 있는 물질이 빛을 발광하는 소자로서, 접합된 반도체의 전자와 정공이 재결합하며 발생하는 에너지를 광으로 변환하여 방출한다. 이러한 발광 다이오드는 현재 조명, 표시장치 및 광원으로서 널리 이용되며 그 개발이 가속화되고 있는 추세이다.
특히, 최근 그 개발 및 사용이 활성화된 발광 다이오드(예, 질화 갈륨계 반도체)를 이용한 휴대폰 키패드, 사이드 뷰어, 카메라 플래쉬 등의 상용화에 힘입어, 최근 발광 다이오드를 이용한 일반 조명 개발이 활기를 띠고 있다. 대형 TV의 백라이트 유닛 및 자동차 전조등, 일반 조명 등 그의 응용제품과 같이, 발광 다이오드의 용도가 점차 대형화, 고출력화, 고효율화된 제품으로 진행하고 있으므로 이와 같은 용도에 사용되는 발광 다이오드의 특성도 이를 충족하는 높은 수준이 요청되고 있다.
당 기술분야에서는, 더욱 우수한 품질의 반도체층을 제공할 수 있는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법이 요청되고 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법은 기판 상에, 질소 극성보다 Ⅲ족 원소 극성이 우세한 Ⅲ족 리치면을 갖는 상면과 Ⅲ족 원소 극성보다 질소 극성이 우세한 질소 리치면을 갖는 하면을 갖는 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층을 성장시키는 단계; 상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층의 상면 중 상기 질소 극성 영역을 선택적으로 식각하는 단계; 상기 식각된 질소 극성 영역을 채우도록 상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층 상에 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층 상에 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 갖는 발광적층체를 형성하는 단계;를 포함한다.
상기 하면은 상기 기판의 일 면과 접하여 형성될 수 있다.
상기 상면 중 상기 질소 극성 영역을 선택적으로 식각하는 단계는, 상기 기판의 일 면이 노출되는 깊이까지 식각하는 것일 수 있다.
상기 기판은 사파이어 기판일 수 있다.
상기 상면 중 상기 질소 극성 영역을 선택적으로 식각하는 단계는, 상기 기판의 일 면이 노출되지 않는 깊이까지 식각하는 것일 수 있다.
상기 기판은 Si 기판일 수 있다.
상기 상면 중 상기 질소 극성 영역을 선택적으로 식각하는 단계는, 화학적 습식식각에 의해 수행될 수 있다.
상기 화학적 습식식각은, 10% 내지 50% 농도의 KOH 용액에 의해 수행될 수 있다.
상기 화학적 습식식각은, 60℃ 내지 100℃의 온도에서 1시간 이내의 시간동안 식각될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의한 질화물 반도체 발광소자는 기판; 상기 기판 상에 형성되며, 상면에 적어도 하나의 식각영역을 가지는 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층; 상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층 상에 형성되며, 상기 식각영역을 채우는 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층; 및 상기 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층 상에 형성되며, 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층으로 구성된 발광적층체를 포함하며, 상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층은 상기 기판과 접한 하면에 Ⅲ족 원소극성이 식각되어 질소 극성이 우세한 질소 리치면을 가지며, 상기 하면에 대향하는 상면에는 질소 극성 영역이 식각되어 상기 Ⅲ족 원소 극성이 우세한 Ⅲ족 리치면을 갖는다.
기판과 반도체층 간의 격자상수 차이로 인한 전위의 발생을 감소시켜 반도체층의 품질을 향상시킬 수 있다.
덧붙여 상기한 과제의 해결수단 및 효과는, 본 발명의 특징을 모두 열거한 것은 아니다. 본 발명의 다양한 특징과 그에 따른 장점과 효과는 아래의 구체적인 실시형태를 참조하여 보다 상세하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 의한 질화물 반도체 발광소자의 측단면도이다.
도 2 내지 도 6은 도 1의 질화물 반도체 발광소자를 제조하는 방법을 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시형태에 의한 질화물 반도체 발광소자의 다른 실시예이다.
도 8은 도 1의 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층에 홈부가 형성된 것을 보여주는 사진과 비교예이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 의한 질화물 반도체 발광소자의 측단면도이고, 도 2 내지 도 6은 도 1의 질화물 반도체 발광소자를 제조하는 방법을 도시한 도면이다.
본 발명의 일실시예에 의한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법은 기판(10) 상에 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)을 형성하는 단계, 상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)을 식각하는 단계, 상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20) 상에 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층(30)을 형성하는 단계, 및 상기 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층(30) 상에 발광적층체(40)를 형성하는 단계를 포함한다.
먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(10)을 마련한 후, 상기 기판(10) 상에 상면(21)과 하면(22)을 갖는 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)을 형성한다.
상기 기판(10)은 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘(Si), MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2 또는 GaN 중의 어느 하나를 사용할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 본 실시예에서는 사파이어 기판을 사용할 수 있다.
상기 기판(10) 상에는 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)이 형성된다. 상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)은 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식을 갖는 반도체 물질로 형성될 수 있으며, 대표적으로, AlN GaN, AlGaN, InGaN이 사용될 수 있다. 이때, 상기 x, y 값은 각각 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1 의 범위 내로 할 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 AlN이 사용될 수 있다.
상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)은 상면(21)과 반대면에 위치하는 하면(22)을 포함한다. 이 경우, 상기 상면(21)은 Ⅲ족 원소 극성을 가지도록 형성될 수 있으며, 상기 하면(22)은 질소 원소 극성을 갖도록 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 상기 Ⅲ족 원소가 알루미늄(Al)일 수 있다.
본 실시예에서는 상기 기판(10)과 접하는 면에 질소 극성을 갖는 하면(22)이 형성되며, 상기 하면(22)의 반대면에는 Al 극성을 갖는 상면(21)이 형성될 수 있다.
상기, 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)은 Wurtzite 결정 구조를 갖는 것으로, 비 중심 대칭 형태(non-centrosymmetric) 형태의 결정 구조를 갖는다. 따라서, 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)의 일 표면은 알루미늄 극성(Al polarity)을 가지며(이하, '알루미늄 극성 영역'이라 함), 타 표면은 질소 극성(N polarity)을 갖는다(이하, '질소 극성 영역'이라 함). 이와 같이, 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)의 양 표면은 극성(surface polarity) 차이로 인해 다양한 물성 차이가 발생하게 된다.
예를 들어, 알루미늄 극성 영역과 질소 극성 영역은 식각 속도, 표면 재결합(surface recombination)의 형태, 결함 및 표면 전위 등과 같은 물성 차이가 발생하게 되며, 이 같은 물성 차이로 인해 알루미늄 극성 영역과 질소 극성 영역의 표면 특성에 차이가 발생하게 된다.
구체적으로, 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)의 알루미늄 극성 영역은 질소 극성 영역에 비해 표면 평탄도가 우수하며, 불순물로 작용하는 물질의 결합도가 낮아, 질소 극성 영역을 갖는 반도체층에 비해 그 결정성이 좋다. 이에 따라, 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20) 상에 반도체층을 재성장시키는 경우, 상대적으로 평탄한 표면을 갖게 된다.
반면, 질소 극성 영역 상에 반도체층을 형성하는 경우에는 그 표면에 힐락(hillock), 컬럼(column) 및 피라미드 형태의 그래인(grain) 등과 같은 결함이 발생되어 표면 특성이 저하된다.
한편, 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)은 양 표면의 극성 차이에 의해 자발분극이 발생하여 알루미늄 극성 영역과 질소 극성 영역의 표면 밴드 벤딩(surface band bending) 특성이 상이하게 나타난다. 또한, 알루미늄 극성 영역은 오믹 접촉 저항이 낮아 누설 전류가 낮게 나타나므로, 질소 극성 영역에 비해 우수한 전기적 특성을 갖는다.
뿐만 아니라, 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)의 양 표면은 극성 차이로 인해 식각 용액(예를 들어, 'KOH')에 대한 반응 속도에 차이가 있다. 구체적으로, 알루미늄 극성 영역은 식각 용액과의 반응이 거의 일어나지 않는 반면, 질소 극성 영역은 식각 용액과의 반응이 활발하여 식각되는 정도가 크다.
상술한 바와 같이, 알루미늄 극성 영역은 표면 평탄도, 불순물과의 결합도, 재성장 특성, 전기적 특성 및 식각 특성의 측면에서 질소 극성 영역보다 우수하다. 따라서, 반도체층을 성장시키려는 면의 전면이 알루미늄 극성 영역을 갖도록 하는 것이 바람직하다. 그러나, AlN과 같은 물질을 사용하여 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(10)을 형성하면, 제조과정 중의 산소에 의해 알루미늄 극성 영역 중에 질소 극성 영역(20a)이 혼재되는 문제가 발생할 수 있다. 이와 같이, 알루미늄 극성 영역에 질소 극성 영역(20a)이 혼재되면, 반도체층 표면에 피트(pit)가 형성될 가능성이 높아지게 되며, 표면 모폴로지(morphology)가 저하되는 문제점이 발생할 수 있다. 따라서, 알루미늄 극성 영역 중에 형성된 질소 극성 영역(20a)을 제거하면 반도체층의 특성이 향상될 수 있다.
이와 같이, 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)의 상면(21)에는 질소 극성보다 Ⅲ족 원소 극성이 우세한 Ⅲ족 리치면이 형성되고, 상기 상면에 대향하는 하면(22)에는 Ⅲ족 원소 극성보다 질소 극성이 우세한 질소 리치면이 형성되게 된다. 여기서 '리치면'이란 우세한 원소 극성이 열등한 원소 극성보다 풍부한 층을 의미한다.
본 발명은 상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)의 상면(21)에 혼재된 질소 극성 영역(20a)을 제거하여 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)의 특성을 향상시킬 수 있다.
다음으로, 상기 상면(21)의 질소 극성 영역(20a)을 제거하기 위해, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 질소 극성 영역(20a)를 식각한다.
상기 식각은 화학적 습식 식각에 의해 수행될 수 있다. 상기 화학적 습식 식각에 사용되는 식각 용액은 KOH, H2SO4 및 H2PO4 중 어느 하나가 사용될 수 있으며, 본 발명의 실시예에서는 KOH가 사용될 수 있다. 구체적으로, 상기 KOH는 10% 내지 50% 농도의 용액일 수 있으며, 60℃ 내지 100℃의 온도에서 1시간 이내의 시간으로 식각될 수 있다.
상기 상면(21)의 Ⅲ족 원소 극성을 갖는 영역은 식각 용액과 반응성이 낮으므로, 식각공정에서 하부의 반도체층이 식각되는 것을 방지하는 마스크의 기능을 할 수 있다. 반면에 질소 극성 영역(20a)은 식각 용액과의 반응성이 상대적으로 높으므로, Ⅲ족 원소 극성을 갖는 영역에 비해 식각율을 높게 된다. 따라서, 질소 극성 영역(20a)만 제거된다.
상기와 같은 식각 공정을 거치면, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(21)의 질소 극성 영역(20a)이 식각되어 제거되어 홈부(23)가 형성된다.
상기 질소 극성 영역(20a)을 식각할 때, 상기 홈부(23)의 하부면에 상기 기판(10)의 상면이 노출되도록 식각할 수 있으나, 사파이어 기판과 같이 식각 용액과 반응성이 낮은 경우가 아닌 경우에는 기판이 식각될 수 있으므로 식각되는 깊이를 조절하는 것이 바람직하다. 구체적으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 상면이 노출되지 않는 깊이로 홈부(23')를 형성하여, 식각 용액이 기판(10)을 식각하지 않도록 하는 것이 바람직하다. Si 기판과 같은 기판을 사용하여 제1 반도체층(20)을 형성한 경우가 이에 해당한다.
도 8는 식각공정 전(도 8(a))과 후(도 8(b))의 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층 (20)을 상부에서 촬영한 원자력 현미경(Atomic force microscopy: AFM) 이미지로서, 질소 극성 영역만 식각되어 홈부(23)가 형성 것을 확인할 수 있다. 다만, 상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)을 선택적으로 식각시키지 못하는 농도의 식각 용액과 식각온도로 식각 공정을 수행한 경우에는, 질소 극성 영역이 선택적으로 식각되지 못하고, 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층 (20)이 전체적으로 식각되게 된다. 도 8(c)는 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)이 선택적으로 식각되지 못하여 홈부가 형성되지 못한 것을 촬영한 AFM 이미지이다.
다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20) 상에 상기 홈부(23)를 채우도록 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층(30)을 형성한다.
상기 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층(30)은 상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)과 동일한 조성의 물질을 사용하여 형성시킬 수 있으며, 다른 조성의 물질을 사용하여 형성할 수도 있다.
상기 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층(30)을 상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)과 동일한 조성의 물질을 사용하여 형성한 경우에, 상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)을 측면 성장시켜 상기 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층(30)의 홈부(23)를 채운다. 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)에서 측면 성장된 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층(30)은 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층(20)의 Ⅲ족 원소 극성과 동일한 극성을 가지고 형성되므로, 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층(30)의 상면에는 질소 원소 극성이 노출되지 않게 된다. 따라서, 반도체층의 품질이 향상될 수 있다. 상기와 같은 과정을 통하여, 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층(30)을 형성한 경우와 그렇지 않은 경우의 XRD 값을 비교하면, 그렇지 않은 경우는 FWHM 300 arcsec 인데 반해, 상기와 같은 과정을 거치면, FWHM 262 arcsec 이 되어 약 10%의 수치가 감소함을 확인할 수 있다.
다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층(30) 상에 발광적층체(40)를 형성한다. 상기 발광적층체(40)는 제1 도전형 질화물 반도체층(41), 활성층(42) 및 제2 도전형 질화물 반도체층(43)을 포함하며, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층(41)은 n형 반도체층을, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층(43)은 p형 반도체층을 포함할 수 있다.
상기 n형 반도체층 및 p형 반도체층은 상기 기판(10)에 형성되어 있는 상기 제1 및 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층(20, 30)과 동일한 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식을 갖는 n형 불순물 및 p형 불순물이 도핑된 반도체 물질로 형성될 수 있다.
또한, 상기 n형 불순물로 Si, Ge, Se, Te 또는 C 등이 사용될 수 있으며, 상기 p형 불순물로는 Mg, Zn 또는 Be 등이 대표적이다.
본 실시예에서는 상기 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층(41, 43)으로 GaN층을 사용할 수 있으며, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층(41)으로 n-GaN을, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층(43)으로 p-GaN을 사용할 수 있다.
상기 발광적층체(40)는 유기금속 기상증착법(metal organic chemical vapor deposition: MOCVD) 및 분자빔성장법(molecular beam epitaxy: MBE) 등으로 성장될 수 있다.
상기 활성층(42)은 양자우물층과 양자장벽층이 교대로 적층된 다중양자우물구조로　이루어지되, 예를 들어 AlxInyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 양자장벽층과 양자우물층이 교대로 적층된 다중양자우물구조(multiple quantum well: MQW)로서　형성되어 소정의 밴드 갭을 가지며, 이와 같은 양자 우물에 의해 전자와 정공이 재결합되어 발광한다. 또한, 상기 활성층(42)는 단일양자우물구조로 형성될 수도 있다. 상기 활성층(42)은 가시광(약 350㎚∼680㎚ 파장범위)을 발광하기 위한 층일 수 있으며, 상기 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층(41, 43)과 동일하게 유기금속 기상증착법 및 분자빔성장법 등으로 성장될 수 있다.
다음으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 발광적층체(40)를 상기 제1 도전형 질화물 반도체층(41)의 일부가 노출되도록 메사 식각한 후, 상기 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층(41, 43) 상의 일 영역에 각각 제1 및 제2 전극(60, 70)을 형성하면 질화물 반도체 발광소자(100)가 제조된다.
이때, 상기 제1 및 제2 전극(60, 70)은 ITO, Ni, Au, Ag, Ti, Cr 및 Cu로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 단일층 또는 복수층으로 형성될 수 있으며, 화학기상증착법 및 전자빔 증발법과 같은 공지의 증착 방법 또는 스퍼터링 등의 공정에 의해 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(70)의 하부에는 전류 확산을 위한 투명전극층(50)이 형성될 수도 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
10: 기판 20: 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층
20a: 질소 극성 영역 21: 상면
22: 하면 23: 홈부
30: 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층 40: 발광적층체
41: 제1 도전형 질화물 반도체층 42: 활성층
43: 제2 도전형 질화물 반도체층 50: 투명전극층
60: 제1 전극 70: 제2 전극
100: 질화물 반도체 발광소자

Claims (10)

  1. 기판 상에, 질소 극성보다 Ⅲ족 원소 극성이 우세한 Ⅲ족 리치면을 갖는 상면과 Ⅲ족 원소 극성보다 질소 극성이 우세한 질소 리치면을 갖는 하면을 갖는 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층을 성장시키는 단계;
    상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층의 상면 중 상기 질소 극성 영역을 선택적으로 식각하는 단계;
    상기 식각된 질소 극성 영역을 채우도록 상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층 상에 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층 상에 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 갖는 발광적층체를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하면은 상기 기판의 일 면과 접하여 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 상면 중 상기 질소 극성 영역을 선택적으로 식각하는 단계는,
    상기 기판의 일 면이 노출되는 깊이까지 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 상면 중 상기 질소 극성 영역을 선택적으로 식각하는 단계는,
    상기 기판의 일 면이 노출되지 않는 깊이까지 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 Si 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 상면 중 상기 질소 극성 영역을 선택적으로 식각하는 단계는,
    화학적 습식식각에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 화학적 습식식각은, 10% 내지 50% 농도의 KOH 용액에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 화학적 습식식각은, 60℃ 내지 100℃의 온도에서 1시간 이내의 시간동안 식각되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  10. 기판;
    상기 기판 상에 형성되며, 상면에 적어도 하나의 식각영역을 가지는 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층;
    상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층 상에 형성되며, 상기 식각영역을 채우는 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층; 및
    상기 제2 Ⅲ족 질화물 반도체층 상에 형성되며, 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층으로 구성된 발광적층체를 포함하며,
    상기 제1 Ⅲ족 질화물 반도체층은 상기 기판과 접한 하면에 Ⅲ족 원소극성이 식각되어 질소 극성이 우세한 질소 리치면을 가지며, 상기 하면에 대향하는 상면에는 질소 극성 영역이 식각되어 상기 Ⅲ족 원소 극성이 우세한 Ⅲ족 리치면을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
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