KR20140098761A - 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물 - Google Patents

반도체 웨이퍼용 연마액 조성물 Download PDF

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후미아키 아라키
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닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
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Abstract

[과제] 본원 발명은, 반도체 웨이퍼의 연마에 있어서, 웨이퍼 표면의 50nm 이하의 크기의 LPD를 효과적으로 저감할 수 있는 연마액 조성물의 제공을 과제로 한다.
[해결수단] 물, 실리카 입자, 알칼리 화합물, 수용성 고분자 화합물 및 폴리에틸렌글리콜을 포함하고, 하기 (a)~(c)의 조건을 만족하는 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물. (a): 상기 실리카 입자의 형상계수 SF1이 1.00~1.20인 것 (b): 상기 실리카 입자의 질소흡착법에 의해 구해지는 평균일차입자경이 5~100nm이며, 또한 투과형 전자현미경 사진의 화상 해석으로부터 구해지는 입자경 변동계수 CV값이 0~15%인 것 (c): 상기 폴리에틸렌글리콜은, 수평균분자량이 200~15,000인 것

Description

반도체 웨이퍼용 연마액 조성물{POLISHING LIQUID COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR WAFERS}
본원 발명은, 반도체 웨이퍼 표면의 경면 연마에 있어서, LPD의 개선에 호적한 연마액 조성물에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 웨이퍼의 제조 방법은, 1) 단결정 잉곳을 슬라이스하여 얇은 원판형상의 웨이퍼를 얻는 슬라이스 공정과, 2) 이 웨이퍼의 외주부를 면취(chamfer, 面取)하는 면취 공정과, 3) 면취한 웨이퍼를 평탄화하는 래핑(lapping) 공정과, 4) 래핑한 웨이퍼의 가공변형(加工歪み)을 제거하는 에칭 공정과, 5) 에칭된 웨이퍼의 표면을 경면화하는 연마 공정과, 6) 연마된 웨이퍼를 세정하는 세정 공정으로 구성되어 있다.
연마 공정은, 연마액 조성물을 연마 패드 표면에 공급하면서, 피연마물인 반도체 웨이퍼를 연마 패드에 압접하여 상대이동시킴으로써 행해진다. 그 연마 공정은, 1차 연마, 2차 연마, 최종연마의 복수 단계로 행해지는 것이 일반적이다. 1차 연마 및 2차 연마는, 래핑이나 에칭 공정에서 발생한 웨이퍼 표면의 깊은 상처(傷)를 제거하는 것을 목적으로 이루어지는 것에 반해, 최종연마는 1차 연마 및 2차 연마 후에 잔존하는 표면결함을 제거하여, 고정밀도(高精度)로 평탄화하는 것을 목적으로 행해진다. 최종연마 후의 반도체 웨이퍼의 품질의 평가기준으로는, 일반적으로 LPD(Light Point Defect) 및 헤이즈 레벨(표면흐림의 정도)이 이용되고 있다.
LPD란, 경면상태를 이루는 반도체 웨이퍼에 강한 광을 조사했을 때에, 난반사를 일으키는 미소한 표면결함을 말하며, 연마시에 조대(粗大)한 지립이나 이물에 의해 일어나는 스크래치(scratch)나 지립, 이물 등의 부착물, 혹은 지립, 이물 등의 부착에 의해 일어나는 가공변질층에 기인한다.
한편 헤이즈 레벨이란, 경면 상태를 이루는 반도체 웨이퍼에 강한 광을 조사했을 때에, 그 반사광에 나타나는 흐림의 정도를 말한다. 평탄성이 높은 반도체 웨이퍼일수록, 난반사가 적고, 헤이즈 레벨은 양호해진다. LPD의 개수나 헤이즈 레벨의 값이 작은 편이 보다 고품질의 웨이퍼라고 할 수 있다.
LPD나 헤이즈 레벨을 개선시킬 목적으로 행해지는 최종연마 공정에 있어서는, 수중에 분산된 실리카 입자에 알칼리 화합물을 첨가하고, 추가로 수용성 고분자 화합물을 첨가한 연마액 조성물을 이용하는 것이 일반적이다. 응력 완화능을 갖는 수용성 고분자 화합물은, 지립이나 이물에 의한 데미지를 저하시킬 뿐만 아니라, 반도체 웨이퍼 표면에 친수성을 부여하여, 지립이나 이물의 부착을 방지하는 효과가 있다. 또한, 반도체 웨이퍼 계면의 젖음성을 향상시키는 알코올성 하이드록시기를 갖는 화합물을 첨가함으로써, 스크래치의 저감 및 부착방지의 효과를 보다 향상시켜, 고정밀도한 평탄화를 실현할 수 있게 된다.
한편, 최근 반도체 웨이퍼에 디자인되는 배선폭의 미세화가 진행되고 있기 때문에, 반도체 웨이퍼의 LPD 및 헤이즈 레벨에 대한 요구는 더욱 높아지고 있다. 특히 LPD는, 표면결함 검사장치의 급속한 진보에 의해 50nm 이하의 레벨까지 관찰되게 되어, 이에 현재화(顯在化)된 수십nm 레벨의 결함 억제에 대해서는, 종래의 연마액 조성물에서는 충분한 효과가 얻어지고 있지 않다.
특허문헌 1에는, 하이드록시에틸셀룰로오스, 0.005질량%를 초과함과 함께 0.5질량% 미만의 폴리에틸렌옥사이드, 알칼리 화합물, 물, 이산화규소가 함유되는 연마액 조성물이 개시되어 있다. 그러나, 50nm 이하의 LPD의 저감에 효과가 있을지의 여부에 대해서는 나타나 있지 않다.
특허문헌 2에는, 구상(球狀)이며 표면의 평활성이 높고, 또한 입자경 분포가 좁고, 실질적으로 조대입자를 포함하지 않는 개질된 실리카계 미립자를 연마용 조성물의 성분으로 이용하면, 연마속도, 피연마 기재의 표면거칠기 및 피연마 기재의 선상흔(線狀痕) 발생 억제(抑止)에 있어서 균형잡힌 성능을 나타낸다는 개시가 있다. 그러나, 어느 정도 LPD의 저감에 효과가 있을지의 여부에 대해서는 불명확하다.
일본특허공개 2004-128089호 공보 일본특허공개 2008-273780호 공보
본원 발명은, 반도체 웨이퍼의 연마에 있어서, 웨이퍼 표면의 50nm 이하의 크기의 LPD를 효과적으로 저감할 수 있는 연마액 조성물의 제공을 과제로 한다.
본원 발명의 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물은, 제1 관점으로서, 물, 실리카 입자, 알칼리 화합물, 수용성 고분자 화합물 및 폴리에틸렌글리콜을 포함하고, 하기 (a)~(c)의 조건을 만족하는 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물,
(a): 상기 실리카 입자의, 하기 식(1)로 표시되는 형상계수 SF1이 1.00~1.20인 것
(1) SF1=(DL 2×π/4)/S
(단, DL은, 투과형 전자현미경 사진으로부터 구해지는 실리카 입자의 최대길이(nm)이고, S는, 실리카 입자의 투영면적(nm2)이다.)
(b): 상기 실리카 입자의 질소흡착법에 의해 구해지는 평균일차입자경이 5~100nm이며, 또한 투과형 전자현미경 사진의 화상 해석으로부터 구해지는 입자경 변동계수 CV값이 0~15%의 범위인 것
(c): 상기 폴리에틸렌글리콜의 수평균분자량이 200~15,000인 것
제2 관점으로서, 상기 알칼리 화합물은, 알칼리 금속의 무기염 및/또는 암모늄염인, 제1 관점에 기재된 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물,
제3 관점으로서, 상기 알칼리 금속의 무기염은, 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소리튬, 탄산수소나트륨 및 탄산수소칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종류인, 제2 관점에 기재된 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물,
제4 관점으로서, 상기 암모늄염은, 수산화암모늄, 탄산암모늄, 탄산수소암모늄, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 염화테트라메틸암모늄 및 염화테트라에틸암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종류인, 제2 관점에 기재된 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물,
제5 관점으로서, 상기 수용성 고분자 화합물은, 셀룰로오스 유도체 및 폴리비닐알코올로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물의 적어도 1종류인, 제1 관점에 기재된 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물,
제6 관점으로서, 상기 셀룰로오스 유도체는, 카르복시메틸셀룰로오스, 하이드록시에틸셀룰로오스, 하이드록시에틸메틸셀룰로오스, 하이드록시프로필셀룰로오스, 하이드록시프로필메틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 에틸하이드록시에틸셀룰로오스, 및 카르복시메틸에틸셀룰로오스로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물의 적어도 1종류인, 제5 관점에 기재된 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물
제7 관점으로서, 상기 셀룰로오스 유도체는, 100,000~3,000,000의 폴리에틸렌옥사이드 환산의 중량평균분자량을 갖는 하이드록시에틸셀룰로오스인, 제5 관점에 기재된 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물,
제8 관점으로서, 상기 실리카 입자의 함유량은, 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물의 전체질량을 기준으로 하여 0.005~50질량%인, 제1 관점~제7 관점 중 어느 하나에 기재된 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물,
제9 관점으로서, 상기 알칼리 화합물의 함유량은, 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물의 전체질량을 기준으로 하여 0.001~30질량%인, 제1 관점~제8 관점 중 어느 하나에 기재된 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물,
제10 관점으로서, 상기 수용성 고분자 화합물의 함유량은, 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물의 전체질량을 기준으로 하여 0.01~2.0질량%인, 제1 관점~제9 관점 중 어느 하나에 기재된 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물,
제11 관점으로서, 상기 폴리에틸렌글리콜의 함유량은, 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물의 전체질량을 기준으로 하여 0.01~0.5질량%인, 제1 관점~제10 관점 중 어느 하나에 기재된 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물이다
본원 발명에 따르면, 형상이 진구(眞球)상이고, 또한 입도분포가 균일하게 제어된 실리카 입자와 특정 분자량의 폴리에틸렌글리콜을 조합하여 이용함으로써, 반도체 웨이퍼 표면에 대한 데미지를 저감할 수 있고, 지립이나 이물의 부착을 방지할 수 있으므로, 50nm 이하의 LPD가 저감된 반도체 웨이퍼를 제공할 수 있다.
본원 발명의 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물은, 물과 실리카 입자와 알칼리 화합물과 수용성 고분자 화합물과 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 것이다.
[실리카 입자]
상기 실리카 입자는, 하기 식(1)로 표시되는 형상계수 SF1이 1.00~1.20이다.
(1) SF1=(DL 2×π/4)/S
(단, DL은, 투과형 전자현미경 사진으로부터 구해지는 실리카 입자의 최대길이(nm)이고, S는, 실리카 입자의 투영면적(nm2)이다.)
상기 식(1)에서, DL은 투과형 전자현미경(TEM) 사진의 화상 해석으로부터 구해지는 실리카 입자의 최대길이(화상의 주상(周上)의 임의의 2점 간 중 최대 길이)이고, 또한, S는 투과형 전자현미경 사진의 화상 해석으로부터 구해지는 실리카 입자의 투영면적이다. 상세하게는, 배율 20만배로 촬영한 투과형 전자현미경 사진을 해상도 150dpi(dot/inch)로 스캔한 전자 데이터를 화상 해석 장치에 입력하고, 실리카 입자가 차지하는 화소수로부터 면적으로 환산한 것을 투영면적으로 하고 있다. 예를 들어, 20만배의 사진에서는, 1inch당 127nm가 되기 때문에, 1dot의 한 변의 길이는 0.847nm가 되고, 따라서 1dot당 면적은 0.717nm2로 환산된다.
SF1은, 화상 해석 장치에서 인식한 약 1000개의 입자에 대하여, 각각의 최대길이 DL와 투영면적 S를 구하고, 입자 각각에 대하여 식(1)의 계산값을 산출하고, 이들의 평균값을 SF1로 한다.
SF1은, 1.00에 가까워질수록 진구상에 가까운 형상인 것을 나타낸다. SF1의 값을 상기 범위 내로 함으로써, 반도체 웨이퍼 상의 결함이나 데미지를 저감시킬 수 있게 된다. 본원 발명에 있어서 웨이퍼 표면의 LPD를 보다 저감시키려면, SF1은 1.00~1.18의 범위에 있는 것이 보다 바람직하고, 1.00~1.15의 범위인 것이 가장 바람직하다.
상기 실리카 입자는, 질소흡착법으로부터 구해지는 일차입자경이 5~100nm이다. 5nm보다 작으면 연마속도가 느려지고, 또한 입자의 응집이 일어나기 쉬워, 연마액 조성물의 안정성이 낮아진다. 또한 100nm보다 크면 반도체 웨이퍼 표면에 스크래치가 쉽게 발생하고, 또한 연마면의 평탄성은 나빠진다.
본원 발명에 있어서, 연마속도를 저하시키지 않고, 입자형상의 효과를 발휘시켜 반도체 웨이퍼 표면의 LPD를 보다 저감시키려면, 이용하는 실리카 입자의 일차입자경은 10~70nm의 범위인 것이 바람직하고, 20~50nm의 범위인 것이 보다 바람직하다.
상기 실리카 입자는, 하기 식(2)로 표시되는 입자경 변동계수 CV값이 0~15%이다.
(2) CV값(%)=σ/DA×100
(단, σ는 입자경 표준편차이고, DA는 평균입자경이다.)
상기 식(2)에서, σ 및 DA는 투과형 전자현미경 사진의 화상 해석으로부터 구해진다. 구체적으로는, 실리카 입자의 투과형 전자현미경 사진에서의 임의의 1000개의 입자에 대하여, 화상 해석 장치(예를 들어 Nireco Corporation제: LUZEX AP)를 이용하여 각각 입자경을 구하고, 그 값으로부터 DA(nm), σ를 산출한다. CV값은, 0%에 가까워질수록 분포가 균일하다.
본원 발명에 있어서, 반도체 웨이퍼 표면의 LPD를 보다 저감시키려면 CV값은 10% 이하인 것이 바람직하고, 7% 이하인 것이 보다 바람직하다.
상기 실리카 입자는 콜로이달 실리카이며, 규산알칼리 수용액 또는 알킬실리케이트를 원료로 하여 제조되는 것이 호적하다.
상기 실리카 입자의 제법으로서, 규산알칼리 수용액을 원료로 한 경우에는, 규산알칼리 수용액으로부터 탈알칼리하여 얻어지는 규산 수용액 또는 규산 수용액에 소량의 알칼리 화합물을 첨가하여 얻어지는 안정화 규산 수용액을, 힐액(heel solution)에 첨가하고, 실리카 입자의 입자경을 성장시키는 것에 따른 제법이 바람직하다. 이때, 이용되는 힐액의 성분으로는, 물과 알칼리 화합물과 일차입자경 3~25nm의 핵이 되는 콜로이달 실리카 입자, 또는 물과 알칼리 화합물로 이루어진다.
상기 실리카 입자의 입자성장 반응에 있어서, 반응온도는 90~150℃가 바람직하다. 또한, 힐액의 SiO2/M2O(M은 알칼리 금속) 몰비는 0~40이 바람직하다. 또한, 상기 규산 수용액 또는 안정화 규산 수용액의 첨가속도는, 반응매체의 SiO2/M2O(M은 알칼리 금속) 몰비가 1분간 0.01~0.5 상승하도록 설정하는 것이 바람직하다.
상기 실리카 입자의 제법으로서, 알킬실리케이트를 원료로 한 경우에는, 상기 힐액에 알킬실리케이트를 첨가하고, 실리카 입자의 입자경을 성장시키는 것에 따른 제법이 바람직하다. 이때, 힐액의 성분으로는 물과 알칼리 화합물과 일차입자경 3~25nm의 핵이 되는 콜로이달 실리카 입자, 또는 물과 알칼리 화합물로 이루어진다.
상기 실리카 입자의 입자성장 반응에 있어서, 반응온도는 45℃ 이상, 반응매체의 비점 이하가 바람직하다. 또한, 힐액의 알칼리 화합물의 농도로서, 힐액 1리터당 0.002~0.1몰, 물의 농도는 힐액 1리터당 30몰 이상이 바람직하다. 첨가하는 알킬실리케이트의 양으로는, 힐액 중의 알칼리 화합물 1몰에 대하여 Si원자로서 7~80몰이 바람직하다. 알킬실리케이트의 첨가속도는, 반응매체의 SiO2/M'OH(M'OH는 알칼리 금속 수산화물 또는 암모늄 수산화물) 몰비가 1분간 0.1~1.0 상승하도록 설정하는 것이 바람직하다.
상기 실리카 입자는, 상기 제법에 의해 얻어지는 콜로이달 실리카를 SiO2농도 10~30질량%로 조정하고, 온도 120~300℃에서 2~20시간 정도의 수열처리를 행한 것을 사용할 수도 있다.
상기 실리카 입자에 0.5μm 이상의 조대입자에 포함되어 있는 경우에는, 그 조대입자를 제거할 필요가 있다. 조대입자의 제거 공정에는, 강제침강법이나 정밀여과법을 들 수 있다. 정밀여과에 사용하는 필터에는, 뎁스 필터, 플리츠 필터, 멤브레인 필터, 중공사 필터 등이 있으며, 어느 것이나 사용할 수 있다. 또한, 필터의 재질에는 코튼, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 나일론, 셀룰로오스, 유리 등이 있는데, 어느 것이나 사용할 수 있다. 필터의 여과정도는 절대여과정도(99.9% 이상 보족되는 입자의 크기)로 나타나는데, 상기 실리카 입자에 있어서는, 생산효율(처리시간이나 필터의 막힘 등)의 관점으로부터, 절대여과정도 0.5μm~1.0μm의 필터로 처리하는 것이 바람직하다.
상기 실리카 입자의 함유량은, 연마액 조성물 전체량의 질량(연마액 조성물의 전체질량)에 대하여, 일반적으로는 0.05~50질량%, 바람직하게는 0.1~20질량%, 더욱 바람직하게는 5~10질량%이다. 0.05질량% 이하에서는 연마성능이 충분히 발휘되지 않으며, 50질량% 이상에서는 연마액 조성물의 안정성이 나빠진다.
[알칼리 화합물]
상기 알칼리 화합물은, 알칼리 금속의 무기염 및/또는 암모늄염이고, 이들은 가공촉진제로서의 작용을 발휘한다. 상기 알칼리 금속의 무기염은, 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소리튬, 탄산수소나트륨 및 탄산수소칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종류이고, 특히 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨이 바람직하다.
상기 암모늄염은, 수산화암모늄, 탄산암모늄, 탄산수소암모늄, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 염화테트라메틸암모늄 및 염화테트라에틸암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종류이고, 그 중에서도 수산화암모늄이 바람직하다.
상기 알칼리 화합물의 바람직한 첨가량은, 사용하는 물질에 따라 다르지만, 일반적으로는 연마액 조성물 전체량의 질량에 대하여 0.01~30질량%이다. 특히, 알칼리 화합물로서 알칼리 금속염을 이용하는 경우에는 0.01~1.0질량%, 암모늄염을 이용하는 경우에는 0.01~5질량%가 바람직하다. 0.01질량% 미만의 첨가에서는, 가공촉진제로서의 작용이 충분하지 않고, 반대로 30질량% 이상의 첨가를 행했다 하더라도, 연마성능의 추가적인 향상은 기대할 수 없다. 또한, 상기에 나타내는 알칼리 화합물 중, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.
[수용성 고분자 화합물]
상기 수용성 고분자 화합물은, 셀룰로오스 유도체 및 폴리비닐알코올로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물의 적어도 1종류이다. 상기 수용성 고분자 화합물의 중량평균분자량은 GPC(겔 퍼미에이션 크로마토그래피)를 이용하여 측정되며, 폴리에틸렌옥사이드 환산의 중량평균분자량(Mw)으로서 100,000~3,000,000이고, 바람직하게는 300,000~2,500,000이고, 보다 바람직하게는 500,000~2,000,000이다.
상기 셀룰로오스 유도체는, 카르복시메틸셀룰로오스, 하이드록시에틸셀룰로오스, 하이드록시에틸메틸셀룰로오스, 하이드록시프로필셀룰로오스, 하이드록시프로필메틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 에틸하이드록시에틸셀룰로오스 및 카르복시메틸에틸셀룰로오스로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물의 적어도 1종류이고, 그 중에서도 하이드록시에틸셀룰로오스가 보다 바람직하다.
상기 수용성 고분자 화합물의 첨가량은, 연마액 조성물 전체량의 질량에 대하여 0.01~2.0질량%가 바람직하다. 0.01질량% 미만의 첨가에서는, 연마 후의 반도체 웨이퍼 표면의 젖음성이 불충분한 한편, 2.0질량% 이상의 첨가에서는, 연마용 조성물의 점도가 너무 높아진다.
상기 셀룰로오스 유도체에는 미크론~서브미크론 사이즈의 이물이 포함되어 있으므로, 그 이물을 제거하는 것이 바람직하다. 이물의 제거 공정에는 정밀여과법이 호적하다. 정밀여과에 사용하는 필터에는, 뎁스 필터, 플리츠 필터, 멤브레인 필터, 중공사 필터 등이 있는데, 어느 것이나 사용할 수 있다. 또한, 필터의 재질에는 코튼, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 나일론, 셀룰로오스, 유리 등이 있는데, 어느 것이나 사용할 수 있다. 필터의 여과정도는 절대여과정도(99.9% 이상 보족되는 입자의 크기)로 나타나는데, 상기 셀룰로오스 유도체에 있어서는, 생산효율(처리시간이나 필터의 막힘 등)의 관점으로부터, 절대여과정도 0.5μm~1.0μm의 필터로 처리하는 것이 바람직하다.
[폴리에틸렌글리콜]
상기 폴리에틸렌글리콜은, 수평균분자량이 200~15,000이다. 반도체 웨이퍼 표면의 LPD를 보다 저감시키려면, 수평균분자량은 10,000 이하인 것이 바람직하고, 5,000 이하인 것이 보다 바람직하다.
상기 폴리에틸렌글리콜의 첨가량으로는, 연마액 조성물 전체량의 질량에 대하여 0.01~0.5질량%이다. 폴리에틸렌글리콜의 첨가량이 0.01질량% 미만에서는, LPD를 개선할 수는 없다. 또한 0.5질량%를 초과하면 젖음성이 너무 높아지기 때문에 쉽게 미끄러지고, 연마 패드와 웨이퍼 표면의 저항이 낮아지기 때문에, 연마속도가 저하되고, 그 때문에 LPD가 악화된다. 반도체 웨이퍼 표면의 LPD를 보다 저감시키려면, 폴리에틸렌글리콜의 첨가량은 0.02~0.4질량%인 것이 바람직하고, 0.03~0.2질량%인 것이 보다 바람직하다.
[연마액 조성물]
본원 발명의 연마액 조성물은, 고농도의 원액으로 하여 조제해서, 저장 또는 수송을 행하고, 연마장치에서 사용할 때에 순수를 넣어 희석하여 사용할 수도 있다. 희석배율은 5~100배, 바람직하게는 10~50배이다.
본원 발명의 연마액 조성물을 적용할 수 있는 반도체 웨이퍼란, 실리콘 웨이퍼, SiC 웨이퍼, GaN 웨이퍼, GaAs 웨이퍼, GaP 웨이퍼 등을 말한다.
반도체 웨이퍼를 연마할 때의 연마장치에는, 편면 연마 방식과 양면 연마 방식이 있는데, 본원 발명의 연마액 조성물은 어떠한 장치에도 이용할 수 있다.
본원 발명의 연마액 조성물에 0.5μm 이상의 조대입자가 포함되어 있는 경우에는, 연마 전에 조대입자를 제거할 필요가 있다. 조대입자의 제거 공정에는, 정밀여과법이 호적하다. 정밀여과에 사용하는 필터에는 뎁스 필터, 플리츠 필터, 멤브레인 필터, 중공사 필터 등이 있는데, 어느 것이나 사용할 수 있다. 또한, 필터의 재질에는 코튼, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 나일론, 셀룰로오스, 유리 등이 있는데, 어느 것이나 사용할 수 있다. 필터의 여과정도는 절대여과정도(99.9% 이상 보족되는 입자의 크기)로 나타나는데, 본원 발명의 연마액 조성물에 있어서는, 생산효율(처리시간이나 필터의 막힘 등)의 관점으로부터, 절대여과정도 0.5μm~1.0μm의 필터로 처리하는 것이 바람직하다.
실시예
[분석 방법 및 시험 방법]
[1] SF1의 측정 방법, [2] CV값의 측정 방법, [3] 질소흡착법으로부터 구해지는 일차입자경, [4] 수용성 고분자 화합물의 분자량 측정에 대해서는 특별히 언급하지 않는 한, 각각 다음의 분석 방법 [1]~[4]에 따라 측정 또는 산정하고, 그 결과를 표 1에 나타내었다.
[1] 화상 해석에 따른 형상계수 SF1(입자의 진구도)의 측정 방법
투과형 전자현미경(JEOL, Ltd.제, JEM-1010)에 의해, 시료의 실리카 입자를 배율 20만배로 사진 촬영하였다. 얻어진 사진 투영도에서의 임의의 1000개의 입자에 대하여, 화상 해석 장치(Nireco Corporation제: LUZEX AP)를 이용하여, 하기 식(1)에 의해 형상계수 SF1을 산출하였다.
(1) SF1=(DL 2×π/4)/S
(단, DL은, 투과형 전자현미경 사진으로부터 구해지는 실리카 입자의 최대길이(nm)이고, S는, 실리카 입자의 투영면적(nm2)이다.)
[2] 입자경 변동계수 CV값(입자경 분포)의 측정 방법
투과형 전자현미경(JEOL, Ltd.제, JEM-1010)에 의해, 시료의 실리카 입자를 배율 20만배로 사진 촬영하였다. 얻어진 사진 투영도에서의 임의의 1000개의 입자에 대하여, 화상 해석 장치(Nireco Corporation제: LUZEX AP)를 이용하여, 각각 입자경을 측정하고, 그 값으로부터 평균입자경 및 입자경의 표준편차를 구하고, 하기 식(2)으로부터 입자경 변동계수 CV값을 산정하였다.
(2) CV값(%)=σ/DA×100
(단, σ는 입자경 표준편차이고, DA는 평균입자경이다.)
[3] 질소흡착법에 의해 구해지는 실리카 입자의 평균일차입자경의 산출 방법
실리카 입자의 수성졸 10ml를 양이온 교환수지에 접촉시킨 후, 110℃에서 12시간 건조한 시료에 대하여 유발(乳鉢; 막자사발)로 분쇄하였다. 다시 300℃에서 1시간 건조시킨 것을 측정용 시료로 하였다. 질소흡착법(BET법)의 측정장치에는 Quantachrome Corporation제 Monosorb를 이용하였다. 질소흡착법에 의해 산출되는 비표면적의 값을 이용하여, 실리카 입자의 평균일차입자경을 이하의 식(3)으로 구하였다.
(3) 평균일차입자경(nm)=2727/질소흡착법 비표면적(m2/g)
[4] 수용성 고분자 화합물의 분자량 측정
중량평균분자량은, 겔 침투 크로마토그래피법에 의해 하기 조건으로 측정하였다.
컬럼: OHpak SB-806M HQ(8.0㎜ID×300㎜)
컬럼온도: 40℃
용리액: 0.1M 질산나트륨 수용액
시료농도: 0.11질량%
유속: 0.5mL/분
주입량: 200μL
검출기: RI(시차굴절계)
[5] 반도체 웨이퍼에 대한 연마 특성의 평가 방법
SF1, CV값이 상이한 실리카 입자에, 물, 암모니아, 하이드록시에틸셀룰로오스, 폴리에틸렌글리콜을 첨가하여 연마액 조성물을 조제하고, 절대여과정도 1.0μm의 필터로 여과처리하였다. 그 연마액 조성물을 40배로 희석한 연마 슬러리를 이용하여, 동일한 조건으로 1차 연마된 실리콘 웨이퍼를 이하에 나타내는 조건으로 마무리 연마하였다.
연마기: 900φ 편면 가공기
하중: 120g/cm2
정반 회전수: 40rpm
헤드 회전수: 40rpm
연마 조성물의 희석액: 350ml/분
연마시간: 5분
웨이퍼: 실리콘 웨이퍼 P-(100)
마무리 연마 후의 실리콘 웨이퍼에 공지의 SC1세정(암모니아:과산화수소:물의 혼합비=1:1~2:5~7의 세정액(SC1액)에 75~85℃, 10~20분 침지처리) 및 SC2 세정(염산:과산화수소:물=1:1~2:5~7의 세정액(SC2액)에 75~85℃, 10~20분 침지처리)을 실시하고, 웨이퍼 표면의 불순물을 제거하였다. 마무리 연마 후의 실리콘 웨이퍼 표면의 LPD는, KLA-Tencor Corporation제 Surf Scan SP-2를 이용하여 측정하였다. LPD는 37nm 이상의 개수로 나타내었다. 표 1에서, (○)는 웨이퍼 1매당 37nm 이상의 LPD의 개수가 80개 미만, (△)는 80개 이상 200개 미만, (×)는 200개 이상을 나타낸다.
〔실시예 1〕
평균일차입자경이 37nm이고, SF1이 1.11, CV값이 7%인 메틸실리케이트를 원료로 하는 실리카 입자를 함유하는 실리카 농도 30질량%의 수성 실리카졸 79g에 물 156g, 28질량% 암모니아수 5g, 중량평균분자량 60만의 하이드록시에틸셀룰로오스 59g, 수평균분자량 1,000의 폴리에틸렌글리콜 1.5g을 첨가하여, 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 중량평균분자량 60만의 하이드록시에틸셀룰로오스가 0.22질량%, 수평균분자량 1,000의 폴리에틸렌글리콜이 0.1질량%인 연마액 조성물(나머지는 물, 이하 동일)을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트(Ostwald) 점도는 3.0mPa·s였다.
〔실시예 2〕
평균일차입자경이 31nm이고, SF1이 1.17, CV값이 7%인 메틸실리케이트를 원료로 하는 실리카 입자를 함유하는 실리카 농도 30질량%의 수성 실리카졸을 이용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 행하여, 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 중량평균분자량 60만의 하이드록시에틸셀룰로오스가 0.22질량%, 수평균분자량 1,000의 폴리에틸렌글리콜이 0.1질량%인 연마액 조성물을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트 점도는 3.2mPa·s였다.
〔실시예 3〕
평균일차입자경이 37nm이고, SF1이 1.20, CV값이 12%인 규산나트륨 수용액을 원료로 하는 실리카 입자를 함유하는 실리카 농도 30질량%의 수성 실리카졸을 이용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 행하여, 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 중량평균분자량 60만의 하이드록시에틸셀룰로오스가 0.22질량%, 수평균분자량 1,000의 폴리에틸렌글리콜이 0.1질량%인 연마액 조성물을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트 점도는 3.1mPa·s였다.
〔비교예 1〕
평균일차입자경이 32nm이고, SF1이 1.34, CV값이 32%인 규산나트륨 수용액을 원료로 하는 실리카 입자를 함유하는 실리카 농도 30질량%의 수성 실리카졸을 이용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 행하여 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 중량평균분자량 60만의 하이드록시에틸셀룰로오스가 0.22질량%, 수평균분자량 1,000의 폴리에틸렌글리콜이 0.1질량%인 연마액 조성물을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트 점도는 3.1mPa·s였다.
〔비교예 2〕
평균일차입자경이 29nm이고, SF1이 1.89, CV값이 13%의 메틸실리케이트를 원료로 하는 실리카 입자를 함유하는 실리카 농도 30질량%의 수성 실리카졸을 이용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 행하여, 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 중량평균분자량 60만의 하이드록시에틸셀룰로오스가 0.22질량%, 수평균분자량 1,000의 폴리에틸렌글리콜이 0.1질량%인 연마액 조성물을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트 점도는 3.2mPa·s였다.
〔실시예 4〕
평균일차입자경이 31nm이고, SF1이 1.17, CV값이 7%인 메틸실리케이트를 원료로 하는 실리카 입자를 함유하는 실리카 농도 30질량%의 수성 실리카졸 79g에 물 156g, 28질량% 암모니아수 5g, 중량평균분자량 120만의 하이드록시에틸셀룰로오스 59g, 수평균분자량 1,000의 폴리에틸렌글리콜 1.5g을 첨가하여, 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 중량평균분자량 120만의 하이드록시에틸셀룰로오스가 0.22질량%, 수평균분자량 1,000의 폴리에틸렌글리콜이 0.1질량%인 연마액 조성물을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트 점도는 7.0mPa·s였다.
〔실시예 5〕
평균일차입자경이 31nm이고, SF1이 1.17, CV값이 7%인 메틸실리케이트를 원료로 하는 실리카 입자를 함유하는 실리카 농도 30질량%의 수성 실리카졸 79g에 물 156g, 28질량% 암모니아수 5g, 중량평균분자량 170만의 하이드록시에틸셀룰로오스 59g, 수평균분자량 1,000의 폴리에틸렌글리콜 1.5g을 첨가하여, 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 중량평균분자량 170만의 하이드록시에틸셀룰로오스가 0.22질량%, 수평균분자량 1,000의 폴리에틸렌글리콜이 0.1질량%인 연마액 조성물을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트 점도는 11.0mPa·s였다.
〔실시예 6〕
중량평균분자량 170만의 하이드록시에틸셀룰로오스의 첨가량을 0.43질량%로 한 것을 제외하고는 실시예 5와 동일하게 행하여, 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 수평균분자량 1,000의 폴리에틸렌글리콜이 0.1질량%인 연마액 조성물을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트 점도는 12.0mPa·s였다.
〔비교예 3〕
평균일차입자경이 31nm이고, SF1이 1.17, CV값이 7%인 메틸실리케이트를 원료로 하는 실리카 입자를 함유하는 실리카 농도 30질량%의 수성 실리카졸 79g에 물 156g, 28질량% 암모니아수 5g, 중량평균분자량 60만의 하이드록시에틸셀룰로오스 59g을 첨가하여, 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 중량평균분자량 60만의 하이드록시에틸셀룰로오스가 0.22질량%인 연마액 조성물을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트 점도는 3.2mPa·s였다.
〔실시예 7〕
평균일차입자경이 31nm이고, SF1이 1.17, CV값이 7%인 메틸실리케이트를 원료로 하는 실리카 입자를 함유하는 실리카 농도 30질량%의 수성 실리카졸 79g에 물 156g, 28질량% 암모니아수 5g, 중량평균분자량 60만의 하이드록시에틸셀룰로오스 59g, 수평균분자량 200의 폴리에틸렌글리콜 1.5g을 첨가하여, 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 중량평균분자량 60만의 하이드록시에틸셀룰로오스가 0.22질량%, 수평균분자량 200의 폴리에틸렌글리콜이 0.1질량%인 연마액 조성물을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트 점도는 3.1mPa·s였다.
〔실시예 8〕
수평균분자량 10,000의 폴리에틸렌글리콜을 이용한 것을 제외하고는 실시예 7과 동일하게 행하여, 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 중량평균분자량 60만의 하이드록시에틸셀룰로오스가 0.22질량%, 수평균분자량 10,000의 폴리에틸렌글리콜이 0.1질량%인 연마액 조성물을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트 점도는 3.1mPa·s였다.
〔실시예 9〕
수평균분자량 15,000의 폴리에틸렌글리콜을 이용한 것을 제외하고는 실시예 7과 동일하게 행하여, 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 중량평균분자량 60만의 하이드록시에틸셀룰로오스가 0.22질량%, 수평균분자량 15,000의 폴리에틸렌글리콜이 0.1질량%인 연마액 조성물을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트 점도는 3.1mPa·s였다.
〔비교예 4〕
수평균분자량 100의 폴리에틸렌글리콜을 이용한 것을 제외하고는 실시예 7과 동일하게 행하여, 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 중량평균분자량 60만의 하이드록시에틸셀룰로오스가 0.22질량%, 수평균분자량 100의 폴리에틸렌글리콜이 0.1질량%인 연마액 조성물을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트 점도는 3.2mPa·s였다.
〔비교예 5〕
수평균분자량 50,000의 폴리에틸렌글리콜을 이용한 것을 제외하고는 실시예 7과 동일하게 행하여, 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 중량평균분자량 60만의 하이드록시에틸셀룰로오스가 0.22질량%, 수평균분자량 50,000의 폴리에틸렌글리콜이 0.1질량%인 연마액 조성물을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트 점도는 3.1mPa·s였다.
〔실시예 10〕
평균일차입자경이 31nm이고, SF1이 1.17, CV값이 7%인 메틸실리케이트를 원료로 하는 실리카 입자를 함유하는 실리카 농도 30질량%의 수성 실리카졸 79g에 물 156g, 28질량% 암모니아수 5g, 중량평균분자량 120만의 하이드록시에틸셀룰로오스 59g, 수평균분자량 600의 폴리에틸렌글리콜 1.5g을 첨가하여, 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 중량평균분자량 120만의 하이드록시에틸셀룰로오스가 0.22질량%, 수평균분자량 600의 폴리에틸렌글리콜이 0.1질량%인 연마액 조성물을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트 점도는 7.0mPa·s였다.
〔비교예 6〕
평균일차입자경이 32nm이고, SF1이 1.34, CV값이 32%인 규산나트륨 수용액을 원료로 하는 실리카 입자를 함유하는 실리카 농도 30질량%의 수성 실리카졸을 이용한 것을 제외하고는 실시예 10과 동일하게 행하여, 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 중량평균분자량 120만의 하이드록시에틸셀룰로오스가 0.22질량%, 수평균분자량 600의 폴리에틸렌글리콜이 0.1질량%인 연마액 조성물을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트 점도는 6.8mPa·s였다.
〔실시예 11〕
수평균분자량 1,000의 폴리에틸렌글리콜의 첨가량을 0.05질량%로 한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일하게 행하여, 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 중량평균분자량 60만의 하이드록시에틸셀룰로오스가 0.22질량%, 수평균분자량 1,000의 폴리에틸렌글리콜이 0.05질량%인 연마액 조성물을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트 점도는 3.2mPa·s였다.
〔실시예 12〕
수평균분자량 1,000의 폴리에틸렌글리콜의 첨가량을 0.2질량%로 한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일하게 행하여, 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 중량평균분자량 60만의 하이드록시에틸셀룰로오스가 0.22질량%, 수평균분자량 1,000의 폴리에틸렌글리콜이 0.2질량%인 연마액 조성물을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트 점도는 3.2mPa·s였다.
〔실시예 13〕
수평균분자량 1,000의 폴리에틸렌글리콜의 첨가량을 0.4질량%로 한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일하게 행하여, 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 중량평균분자량 60만의 하이드록시에틸셀룰로오스가 0.22질량%, 수평균분자량 1,000의 폴리에틸렌글리콜이 0.4질량%인 연마액 조성물을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트 점도는 3.2mPa·s였다.
〔비교예 7〕
수평균분자량 1,000의 폴리에틸렌글리콜을 1.0질량% 첨가한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일하게 행하여, 실리카 농도가 8질량%, 암모니아가 0.46질량%, 중량평균분자량 60만의 하이드록시에틸셀룰로오스가 0.22질량%, 수평균분자량 1,000의 폴리에틸렌글리콜이 1.0질량%인 연마액 조성물을 조제하였다. 얻어진 연마액 조성물의 pH는 10.7, 25℃에서의 오스트발트 점도는 3.2mPa·s였다.
[표 1]
Figure pct00001

표 1에 나타난 바와 같이, SF1이 1.20을 초과하는 비교예 1, 2 및 6, 폴리에틸렌글리콜을 포함하지 않는 비교예 3 및 폴리에틸렌글리콜의 첨가량이 0.5질량%를 초과하는 비교예 7, 폴리에틸렌글리콜의 수평균분자량이 200에 못 미치는 비교예 4 및 15,000을 초과하는 비교예 5의 LPD의 평가 결과가 양호하지 않았던 것에 반해, 실시예 1~13에서, LPD의 평가 결과는 우수하였다.
산업상 이용가능성
본원 발명의 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물은 마무리 연마성능이 우수하고, 반도체 웨이퍼 표면의 LPD의 저감이 우수한 연마액 조성물로서 호적하게 이용할 수 있다.

Claims (11)

  1. 물, 실리카 입자, 알칼리 화합물, 수용성 고분자 화합물 및 폴리에틸렌글리콜을 포함하고, 하기 (a)~(c)의 조건을 만족하는 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물.
    (a): 상기 실리카 입자의, 하기 식(1)로 표시되는 형상계수 SF1이 1.00~1.20인 것
    (1) SF1=(DL 2×π/4)/S
    (단, DL은, 투과형 전자현미경 사진으로부터 구해지는 실리카 입자의 최대길이(nm)이고, S는, 실리카 입자의 투영면적(nm2)이다.)
    (b): 상기 실리카 입자의 질소흡착법에 의해 구해지는 평균일차입자경이 5~100nm이며, 또한 투과형 전자현미경 사진의 화상 해석으로부터 구해지는 입자경 변동계수 CV값이 0~15%인 것
    (c): 상기 폴리에틸렌글리콜의 수평균분자량이 200~15,000인 것
  2. 제1항에 있어서,
    상기 알칼리 화합물은, 알칼리 금속의 무기염 및/또는 암모늄염인, 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 알칼리 금속의 무기염은, 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소리튬, 탄산수소나트륨 및 탄산수소칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종류인, 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 암모늄염은, 수산화암모늄, 탄산암모늄, 탄산수소암모늄, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 염화테트라메틸암모늄 및 염화테트라에틸암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종류인, 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 수용성 고분자 화합물은, 셀룰로오스 유도체 및 폴리비닐알코올로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물의 적어도 1종류인, 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 셀룰로오스 유도체는, 카르복시메틸셀룰로오스, 하이드록시에틸셀룰로오스, 하이드록시에틸메틸셀룰로오스, 하이드록시프로필셀룰로오스, 하이드록시프로필메틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 에틸하이드록시에틸셀룰로오스, 및 카르복시메틸에틸셀룰로오스로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물의 적어도 1종류인, 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 셀룰로오스 유도체는, 100,000~3,000,000의 폴리에틸렌옥사이드 환산의 중량평균분자량을 갖는 하이드록시에틸셀룰로오스인, 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 실리카 입자의 함유량은, 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물의 전체질량을 기준으로 하여 0.005~50질량%인, 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 알칼리 화합물의 함유량은, 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물의 전체질량을 기준으로 하여 0.001~30질량%인, 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수용성 고분자 화합물의 함유량은, 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물의 전체질량을 기준으로 하여 0.01~2.0질량%인, 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폴리에틸렌글리콜의 함유량은, 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물의 전체질량을 기준으로 하여 0.01~0.5질량%인, 반도체 웨이퍼용 연마액 조성물.
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