KR20140085948A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a device for processing a substrate and, more specifically, to a device for processing a substrate which processes the substrate by settling the substrate on a shuttle and transferring the settled substrate. Disclosed is the device for processing the substrate comprising a processing chamber forming a sealed inner space; a shuttle installed to the processing chamber to linearly move the substrate; and a gas spraying unit installed to the processing chamber and positioned on the top of a transfer path of the substrate transferred by the shuttle for spraying gas for processing the substrate. The shuttle includes a substrate settlement unit on which the substrate is settled; and a pair of wing units installed to the front side and the rear side of the substrate settlement unit around a movement direction. The wing units include a plurality of through-holes in order for gas sprayed by the gas spraying unit to flow towards the lower side in at least one part.

Description

기판처리장치 {Substrate processing apparatus}[0001] Substrate processing apparatus [

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 셔틀에 안착시킨 상태에서 안착된 기판을 이송하면 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs substrate processing by transferring a mounted substrate with the substrate placed on a shuttle.

기판처리장치란 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버를 구비하여, 기판표면을 식각하거나 증착하는 등 기판처리를 수행하는 장치를 말한다.The substrate processing apparatus refers to an apparatus that includes a process chamber for forming a closed process space, and performs substrate processing such as etching or vapor deposition of the substrate surface.

여기서 상기 기판처리장치에 의하여 처리되는 기판은 반도체용 웨이퍼, LCD패널용 유리기판, OLDE패널용 유리기판, 태양전지용 기판 등이 있다.Here, the substrate to be processed by the substrate processing apparatus may be a semiconductor wafer, a glass substrate for an LCD panel, a glass substrate for an OLDE panel, or a substrate for a solar cell.

그리고 종래의 기판처리장치 중 공정챔버 내에 선형이동이 가능하도록 설치되며 기판이 안착되는 셔틀을 구비하여, 셔틀에 기판을 안착시킨 후 셔틀의 이동에 의하여 기판처리를 수행하는 장치가 있다.In addition, there is an apparatus for performing substrate processing by moving a shuttle after a substrate is mounted on a shuttle, which is provided in a process chamber of a conventional substrate processing apparatus so as to be linearly movable and on which a substrate is placed.

한편 종래의 기판처리장치에 사용되는 셔틀은, 기판이 안착되는 기판안착부와, 기판안착부의 전방 및 후방에 결합되는 한 쌍의 윙부를 포함하여 구성된다.On the other hand, the shuttle used in the conventional substrate processing apparatus includes a substrate mounting portion on which the substrate is mounted and a pair of wing portions which are coupled to the front and rear of the substrate mounting portion.

여기서 상기 윙부는 가스흐름의 왜곡 등으로 인하여 기판안착부의 가장자리 부근에서 기판처리가 불균일하게 이루어질 수 있는바 이를 보완하기 위한 구성으로서 기판안착부의 가장자리 부근에서 균일한 공정분위기를 형성한다.In this case, the wing portion may have uneven substrate processing near the edges of the substrate seating portion due to distortion of the gas flow, and the like, and a uniform process atmosphere is formed in the vicinity of the edge of the substrate seating portion.

그런데 종래의 기판처리장치는, 윙부에서도 증착이 이루어지며, 윙부에 증착된 물질은 박리되어 파티클을 형성하고 형성된 파티클은 기판처리의 불량 원인으로 작용하는바, 이를 방지하기 위하여 정기적으로 윙부에서 파티클을 제거하거나 윙부를 교체하는 등 유지보수기 필요하다.However, in the conventional substrate processing apparatus, the deposition is carried out in the wing portion, and the material deposited on the wing portion is peeled off to form particles, and the formed particles act as a cause of defective substrate processing. To prevent this, the particles are regularly removed from the wing portion Maintenance is required, such as removing or replacing the wing.

따라서 종래의 기판처리장치는, 윙부에서 발생되는 파티클으로 인한 기판처리의 불량, 파티클 제거, 윙부의 교체에 따른 유지보수의 비용증가, 장비의 가동 중지에 따른 기판처리의 수율을 저하하는 문제점들이 있다.Therefore, the conventional substrate processing apparatus has problems in that defects in substrate processing due to particles generated in the wing portion, removal of particles, increase in cost of maintenance due to replacement of the wing portion, and yield of substrate processing due to shutdown of equipment are reduced .

본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위하여, 기판처리시 윙부에서 증착되는 현상을 최소화하여 윙부에서의 파티클의 형성을 방지하고 윙부의 교체주기를 최소화할 수 있는 기판처리장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of minimizing the deposition of particles in the wing portion during substrate processing and preventing the formation of particles in the wing portion and minimizing the replacement period of the wing portion have.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 밀폐된 내부공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버에 설치되어 기판을 선형이동시키는 셔틀과; 상기 공정챔버에 설치되어 상기 셔틀에 의하여 이송되는 기판의 이송경로의 상부에 위치되어 기판처리를 위한 가스를 분사하는 가스분사부를 포함하며, 상기 셔틀은 기판이 안착되는 기판안착부와, 그 이동방향을 기준으로 상기 기판안착부의 전방 및 후방에 설치되는 한 쌍의 윙부들을 가지며, 상기 윙부는 적어도 일부에서 상기 가스분사부에 의하여 분사되는 가스가 하측으로 관통되어 흐르도록 복수의 관통공들이 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다. The present invention has been made in order to achieve the above-mentioned object of the present invention, and it is an object of the present invention to provide a process chamber, A shuttle installed in the process chamber to linearly move the substrate; And a gas injection unit installed in the process chamber and positioned above a transfer path of the substrate transferred by the shuttle for spraying a gas for substrate processing, the shuttle including a substrate mounting part on which the substrate is mounted, And a plurality of through holes are formed in at least a part of the wing portion so that the gas injected by the gas injecting portion flows downward through the wing portion And a substrate processing apparatus.

상기 윙부는, 상기 기판안착부로부터 순차적으로 설치되는 복수의 윙플레이트들을 포함하며, 상기 복수의 윙플레이트들 중 기판안착부에 인접한 윙플레이트를 제외한 나머지 윙플레이트에 상기 관통공들이 형성될 수 있다.The wing portion includes a plurality of wing plates sequentially installed from the substrate seating portion, and the through holes may be formed in the remaining wing plates except the wing plate adjacent to the substrate seating portion among the plurality of wing plates.

상기 공정챔버는, 저면에 진공펌프와 연결되는 하나 이상의 배기구가 형성될 수 있다.The process chamber may have at least one exhaust port connected to a vacuum pump on the bottom surface thereof.

상기 하나 이상의 배기구는, 상기 가스공급부에 대응되는 위치에 형성될 수 있다.The at least one exhaust port may be formed at a position corresponding to the gas supply unit.

상기 공정챔버는, 상기 가스분사부의 하단부와 상기 셔틀의 상단부가 이루는 사이공간으로 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스분사부가 추가로 설치될 수 있다.The process chamber may further include a purge gas injection unit injecting purge gas into a space between a lower end of the gas injection unit and an upper end of the shuttle.

상기 가스분사부는, 상기 셔틀의 이동방향과 수평을 이루는 양측면을 가지며, 상기 퍼지가스분사부는, 상기 가스분사부의 양측면에 결합될 수 있다.The gas injection unit has both side surfaces that are parallel to the moving direction of the shuttle, and the purge gas injection unit can be coupled to both sides of the gas injection unit.

상기 퍼지가스분사부는, 상기 셔틀 중 상기 윙부가 상기 퍼지가스분사부에 대응되는 위치에 위치되었을 때만 퍼지가스를 분사하도록 작동될 수 있다.The purge gas injection portion may be operated to inject purge gas only when the wing portion of the shuttle is located at a position corresponding to the purge gas injection portion.

상기 셔틀은, 상기 퍼지가스분사부에 의하여 분사되는 퍼지가스가 상기 기판안착부에 안착된 기판으로 분사되는 것을 차단하기 위한 블록킹부재가 추가로 설치될 수 있다.The shuttle may further include a blocking member for blocking injection of the purge gas injected by the purge gas spraying unit onto the substrate placed on the substrate seating portion.

상기 가스분사부의 하단부는, 상기 블록킹부재의 끝단의 일부가 삽입되도록 삽입부가 형성될 수 있다.The lower end of the gas injection part may be formed with an insertion part such that a part of an end of the blocking member is inserted.

상기 윙부는 그 저면에 결합되어 상기 관통공을 통과한 가스를 상기 공정챔버의 저면 쪽으로 유도하는 가스유도부가 추가로 설치될 수 있다.The wing portion may further include a gas guiding portion coupled to a bottom surface of the wing portion to guide the gas passing through the through hole to the bottom surface of the process chamber.

상기 가스유도부는, 상기 윙부의 저면과 함께 공간을 형성하며 하단에 상기 관통공을 통과한 가스가 상기 공정챔버의 저면 쪽으로 배출되는 하나 이상의 배출구가 형성될 수 있다.The gas guiding portion may form a space together with the bottom surface of the wing portion and one or more outlets through which the gas passing through the through hole may be discharged to the bottom surface of the process chamber may be formed.

상기 공정챔버는, 상기 셔틀의 선형이동을 위하여, 가이드레일과, 상기 가이드레일을 따라서 상기 셔틀을 선형이동시키기 위한 선형구동부가 설치되며, 상기 가스유도부는, 상기 가이드레일 및 상기 선형구동부 중 적어도 어느 하나로 상기 관통공을 통과한 가스가 흐르는 것을 방지하기 위한 하나 이상의 차단부가 형성될 수 있다.Wherein the process chamber is provided with a guide rail and a linear driving unit for linearly moving the shuttle along the guide rail for linear movement of the shuttle, and the gas guiding unit includes at least one of the guide rail and the linear driving unit One or more blocking portions may be formed to prevent the gas that has passed through the through holes from flowing.

상기 가이드레일 및 상기 선형구동부는 그 길이방향을 따라서 파티클의 유입을 방지하기 위한 실드부재가 설치되며, 상기 실드부재의 상단은 상기 가스유도부의 차단부의 하단보다 더 높게 설치될 수 있다.The guide rail and the linear driving unit may be provided with a shield member for preventing inflow of particles along the longitudinal direction thereof. The upper end of the shield member may be installed higher than the lower end of the shielding unit of the gas guiding unit.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 윙부에 상하로 관통하는 관통공을 형성함으로써 가스분사부를 통과할 때 가스를 그 하측으로 흐르도록 함으로써 기판처리시 윙부에서 증착되는 현상을 최소화하여 윙부에서의 파티클의 형성을 방지하고 윙부의 교체주기를 최소화할 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention is characterized in that a through hole is formed in the wing portion so as to allow the gas to flow downward when passing through the gas injection portion, thereby minimizing the deposition of the particles in the wing portion during substrate processing, There is an advantage that formation of the wing portion can be prevented and the replacement period of the wing portion can be minimized.

또한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 윙부에 상하로 관통하는 관통공을 형성하고, 측면에서 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스분사부를 추가로 설치함으로써 가스분사부를 통과할 때 가스를 그 하측으로 흐르도록 함으로써 기판처리시 윙부에서 증착되는 현상을 최소화하여 윙부에서의 파티클의 형성을 방지하고 윙부의 교체주기를 최소화할 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention further includes a purge gas injection unit for injecting a purge gas at the side surface, wherein the through hole is formed in the upper and lower portions of the wing portion so as to allow the gas to flow downward when passing through the gas injection unit. Thereby minimizing the phenomenon of deposition in the wing portion during substrate processing, thereby preventing the formation of particles in the wing portion and minimizing the replacement period of the wing portion.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판처리장치의 평면도이다.
도 3은 도 1의 기판처리장치에 대한 도 2에서 Ⅲ-Ⅲ방향에서의 단면도이다.
도 4는 도 1의 기판처리장치에 대한 도 2에서 Ⅳ-Ⅳ방향에서의 단면도이다.
도 5는 도 1의 기판처리장치의 셔틀의 윙부 저면에 결합되는 가스유도부의 일예를 보여주는 평면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
2 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG.
Fig. 3 is a sectional view of the substrate processing apparatus of Fig. 1 taken along the line III-III in Fig.
Fig. 4 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus of Fig. 1 taken along the line IV-IV in Fig. 2;
FIG. 5 is a plan view showing an example of a gas guide coupled to the bottom of the wing portion of the shuttle of the substrate processing apparatus of FIG. 1;

이하, 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 밀폐된 내부공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와, 공정챔버(100)에 설치되어 기판(10)이 안착되는 기판안착부(210)를 가지며 안착된 기판(10)을 선형이동하는 셔틀(100)과; 공정챔버(100)에 설치되어 셔틀(100)에 의하여 이송되는 기판(10)의 이송경로의 상부에 위치되어 기판처리를 위한 가스를 분사하는 가스분사부(140)를 포함한다.1 to 4, a substrate processing apparatus according to the present invention includes a process chamber 100 forming a closed internal space S, a substrate processing unit 100 installed in the process chamber 100, A shuttle (100) having a substrate seating part (210) on which the substrate (10) is placed and linearly moving the substrate (10); And a gas spraying part 140 installed in the process chamber 100 and positioned above the transfer path of the substrate 10 transferred by the shuttle 100 to inject gas for substrate processing.

여기서 본 발명에 따른 기판처리장치는 식각공정, 증착공정 등 기판처리공정을 수행하며, 특히 원자층증착공정, 더 구체적으로 OLED기판에 대한 봉지공정을 수행할 수 있다.Here, the substrate processing apparatus according to the present invention performs a substrate processing process such as an etching process, a deposition process, and the like, and can perform an atomic layer deposition process, more specifically, an encapsulation process for an OLED substrate.

그리고 본 발명에 따른 기판처리장치의 기판처리대상은 반도체용 웨이퍼, LCD패널용 유리기판, OLDE패널용 유리기판, 태양전지용 기판 등 기판처리가 필요한 기판이면 어떠한 기판도 가능하다.The substrate to be processed in the substrate processing apparatus according to the present invention may be any substrate as long as it is a substrate for semiconductor processing, such as a semiconductor wafer, a glass substrate for an LCD panel, a glass substrate for an OLDE panel, or a solar cell substrate.

한편 상기 기판처리장치는, 패턴화된 기판처리를 위하여 기판안착부(210)에 안착된 기판(10)에 마스크(미도시)를 밀착시킨 후 셔틀(100)을 이동시키면서 기판처리를 수행할 수 있다.The substrate processing apparatus can perform substrate processing while moving the shuttle 100 after a mask (not shown) is brought into close contact with the substrate 10 mounted on the substrate mounting part 210 for patterned substrate processing have.

이때 상기 마스크는 기판(10)의 지지, 기판(10)의 기판처리면에 소정 패턴의 기판처리 등을 위하여 기판(10)에 밀착되는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.At this time, the mask can be variously configured as a structure in which the mask is closely attached to the substrate 10 for supporting the substrate 10, treating the substrate 10 with a predetermined pattern, or the like.

상기 공정챔버(100)는 기판처리의 수행을 위한 처리공간(S)이 형성되며 기판처리에 따라서 다양한 구조가 가능하며, 예로서, 도 1, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 서로 착탈가능하게 결합되어 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 챔버본체(120) 및 상부리드(110)를 포함하여 구성될 수 있다. 여기서 상기 공정챔버(100)는 지지프레임(미도시)에 의하여 지지되어 설치될 수 있다.The process chamber 100 is formed with a processing space S for performing substrate processing and can have various structures according to the substrate processing. For example, as shown in FIGS. 1, 3, and 4, And may include a chamber body 120 and an upper lead 110 which are combined to form a closed process space S, as shown in FIG. Here, the process chamber 100 may be supported by a support frame (not shown).

상기 챔버본체(120)에는 반송로봇(미도시) 등에 의하여 반송되어 기판(10)이 도입되거나 배출될 수 있도록 하나 이상의 게이트(101)가 형성될 수 있으며, 처리공간(S) 내의 배기 및 압력제어를 위하여 배기시스템과 연결될 수 있다. One or more gates 101 may be formed in the chamber body 120 so that the substrate 10 may be transferred or discharged by a transfer robot (not shown) And may be connected to the exhaust system.

그리고 상기 챔버본체(120)는 도 1, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 지지프레임에 의하여 지지될 수 있으며, 그 하측에 기판(10)의 도입 및 배출시 기판을 지지하기 위한 리프트핀을 포함하는 기판리프팅시스템(미도시), 기판(10) 및 마스크의 얼라인을 위한 얼라인시스템(미도시), 마스크을 상하로 이동시키기 위한 마스크승하강시스템(미도시) 등이 설치될 수 있다.1, 3, and 4, the chamber body 120 may be supported by a support frame, and a lift pin (not shown) for supporting the substrate when the substrate 10 is introduced and discharged (Not shown), a substrate 10 and an alignment system (not shown) for aligning the mask, a mask lift system (not shown) for moving the mask up and down, and the like .

또한 상기 챔버본체(120)는 마스크 및 기판안착면 사이에 외부로부터 기판(10)이 도입되거나, 기판안착면에 안착된 기판(10)이 외부로 반출될 때, 마스크를 상측으로 이동시킬 필요가 있는바, 마스크를 기판안착부(210)에 대하여 승강시키기 위한 마스크승강구동부(미도시)가 설치될 수 있다.Also, the chamber body 120 needs to move the mask upward when the substrate 10 is introduced from the outside between the mask and the substrate seating surface, or when the substrate 10 seated on the substrate seating surface is taken out And a mask lifting and driving part (not shown) for lifting and lowering the mask with respect to the substrate seating part 210 may be provided.

상기 마스크승강구동부는 셔틀(200)이 외부와 기판(10)을 교환하기 위한 위치에 왔을 때 마스크를 상측으로 상승시키고, 마스크 및 기판안착면 사이에 기판(10)이 도입되고 기판안착면에 기판(10)이 안착된 후 마스크를 하강시켜 기판(10)에 밀착시키는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다. 여기서 상기 기판안착부(210)에는 마스크승강구동부의 일부인 마스크지지부(미도시)가 기판안착부(210)를 관통하여 상하로 이동될 수 있도록 복수의 관통공(미도시)들이 형성될 수 있다.The mask lifting and lowering portion lifts the mask upward when the shuttle 200 comes to a position for exchanging the substrate 10 with the outside, and the substrate 10 is introduced between the mask and the substrate seating surface, After the mask 10 is placed on the substrate 10, the mask is lowered and brought into close contact with the substrate 10. A plurality of through holes (not shown) may be formed in the substrate seating part 210 so that a mask supporting part (not shown), which is a part of the mask lifting and driving part, can pass through the substrate seating part 210 and move up and down.

그리고, 상기 마스크승강구동부는 셔틀(200)에 설치되는 등, 공정챔버(100) 및 셔틀(200) 중 적어도 어느 하나에 설치되는 등 다양하게 설치될 수 있음은 물론이다.In addition, the mask lifting and driving part may be provided in at least one of the process chamber 100 and the shuttle 200, or may be installed in the shuttle 200 or the like.

상기 가스분사부(140)는, 셔틀(200)에 의하여 이송되는 기판(10)의 이송경로의 상부에 위치되어 기판처리를 위한 가스를 분사하는 구성으로서 다수의 분사구들이 형성된 블록형의 샤워헤드, 가스가 흐르면서 분사되도록 다수의 관통공이 형성된 가스분사관 등 가스를 분사할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The gas spraying unit 140 is disposed above the transfer path of the substrate 10 to be transported by the shuttle 200 and is configured to jet a gas for substrate processing, Any configuration is possible as long as it can inject gas such as a gas injection tube having a plurality of through holes formed therein so that the gas can be injected while flowing.

그리고 상기 가스분사부(140)는, 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스분사부, 소스가스를 분사하는 소스가스분사부, 소스가스와 반응하여 기판의 표면에 박막을 형성하도록 반응가스를 분사하는 반응가스분사부 등을 포함할 수 있다.The gas injecting unit 140 includes a purge gas injecting unit injecting a purge gas, a source gas injecting unit injecting a source gas, a reactive gas injecting a reactive gas so as to form a thin film on the surface of the substrate, A sprayer, and the like.

한편 상기 공정챔버(100)는, 공정처리에 따른 전원이 인가를 위하여 접지되거나 RF전원이 인가되는 등 다양한 전원이 인가될 수도 있다.Meanwhile, the process chamber 100 may be supplied with various power sources such as grounded for application of power according to the process, or RF power applied thereto.

또한 상기 기판리프팅시스템 및 가스분사부(140)의 위치와 관련하여, 본 발명에 따른 기판처리장치는 셔틀(200)에 의하여 기판(10)이 이송되면서 기판처리가 이루어짐을 고려하여, 기판리프팅시스템은 기판(10)이 도입되거나 배출되는 위치 즉, 게이트(101) 부근에 설치되며, 가스분사부(140)는 셔틀(200)의 이동에 연동하여 기판(10) 전체에 걸쳐 골고루 기판처리가 이루어질 수 있도록 셔틀(200)의 이동경로를 기준으로 그 중앙에 배치될 수 있다.In consideration of the fact that the substrate processing is performed while the substrate 10 is being transported by the shuttle 200, the substrate lifting system according to the present invention, in relation to the position of the substrate lifting system and the gas injection unit 140, The gas spraying unit 140 is provided at a position where the substrate 10 is introduced or discharged, that is, in the vicinity of the gate 101. The gas spraying unit 140 processes the substrate evenly over the entire substrate 10 in conjunction with the movement of the shuttle 200 The movement path of the shuttle 200 may be located at the center thereof.

한편 상기 공정챔버(100)는 도 1, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 셔틀(200)의 선형이동을 위하여, 한 쌍의 가이드레일(130)과; 가이드레일(130)을 따라서 셔틀(200)을 선형이동시키기 위한 선형구동부(150)가 설치될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIGS. 1, 3 and 4, the process chamber 100 includes a pair of guide rails 130 for linear movement of the shuttle 200; A linear driving unit 150 for linearly moving the shuttle 200 along the guide rail 130 may be installed.

상기 가이드레일(130)은 선형구동부(150)의 선형구동에 의하여 셔틀(200)의 선형이동을 가이드하는 구성으로서, 셔틀(200)의 이동을 가이드할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The guide rail 130 guides the linear movement of the shuttle 200 by linearly driving the linear drive unit 150 and may be configured to guide movement of the shuttle 200.

예로서, 상기 가이드레일(130)은 도 2에 도시된 바와 같이, 셔틀(200)의 선형이동방향, 즉 종방향(X축 방향)으로 배치될 수 있다.For example, the guide rails 130 may be arranged in the linear movement direction of the shuttle 200, that is, in the longitudinal direction (X-axis direction), as shown in FIG.

상기 선형구동부(150)는 셔틀(200)의 선형이동을 구동할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The linear driving unit 150 may have any structure as long as it can drive the linear movement of the shuttle 200.

여기서 상기 선형구동부(150)는 스크류잭, 유압실린더 등 그 구동방식에 따라서 다양한 방식이 가능하며, 파티클에 민감한 공정이 수행됨을 고려하여 파티클의 발생이 가장 적은 자기를 이용한 선형구동장치가 사용됨이 바람직하다.Here, the linear driving unit 150 may be a screw jack, a hydraulic cylinder, or the like, and may be driven in various ways. In consideration of particle-sensitive processes, a linear driving apparatus using magnetic particles Do.

상기 셔틀(200)은, 공정챔버(100) 내에 설치되어 안착된 기판(10)을 선형이동하는 구성으로서, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(10)이 안착되는 기판안착부(210)와, 그 이동방향을 기준으로 기판안착부(210)의 전방 및 후방에 설치되는 한 쌍의 윙부(220)를 포함한다.The shuttle 200 is a structure for linearly moving the substrate 10 installed in the process chamber 100 to move the substrate 10 therebetween and includes a substrate seating portion And a pair of wing portions 220 installed on the front and rear sides of the substrate seating portion 210 with respect to a moving direction thereof.

상기 기판안착부(210)는 기판안착면을 구비하여, 반송로봇(미도시)과 같은 기판이송장치에 의하여 공정챔버(100) 내에 도입된 기판(10)이 안착되는 구성으로서 기판(10)이 안착될 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The substrate seating part 210 includes a substrate seating surface and is configured such that a substrate 10 introduced into the process chamber 100 by a substrate conveying device such as a carrier robot (not shown) Any configuration is possible as long as it can be seated.

여기서 상기 기판안착면은 기판(10)의 형상에 대응되는 형상, 예를 들면 직사각형 형상을 가지며, 기판처리면과 반대면인 기판(10)을 지지하기 위한 구성으로서 기판처리를 위하여 기판(10)을 가열하거나 냉각하는 등 기판(10)에 대한 열전달이 용이하도록 형성됨이 바람직하다.The substrate mounting surface has a shape corresponding to the shape of the substrate 10, for example, a rectangular shape. The substrate mounting surface has a structure for supporting the substrate 10 opposite to the substrate processing surface. Such as heating or cooling, to facilitate heat transfer to the substrate 10.

상기 기판안착부(210)의 재질은 공정에 따라서 공정에 영향을 주지 않는 재질의 사용이 바람직하며, 예로서, 알루미늄, 알루미늄 합금 등의 재질이 사용될 수 있으며, 통상 처리되는 기판의 형상이 직사각형임을 고려하여 직사각형의 형상을 가지는 것이 바람직하다.The material of the substrate mount 210 is preferably a material that does not affect the process depending on the process. For example, materials such as aluminum and aluminum alloy may be used, and the shape of the substrate to be processed usually is rectangular It is preferable to have a rectangular shape.

또한 상기 기판안착부(210)의 저면 쪽에는 자력에 의하여 마스크를 기판(10)에 밀착시키는 마스크홀더(미도시)가 설치될 수 있다.A mask holder (not shown) may be installed on the bottom surface of the substrate seating part 210 to closely contact the mask with the substrate 10 by a magnetic force.

또한 상기 기판안착부(210)의 저면 쪽에는 기판(10)을 가열하기 위한 히터(미도시)가 설치될 수 있다.A heater (not shown) for heating the substrate 10 may be installed on the bottom surface of the substrate mount 210.

상기 윙부(220)는, 셔틀(200)의 선형이동방향(X축 방향)을 기준으로 기판안착부(210)의 전방 및 후방 가장자리 부근에서 균일한 공정분위기를 형성하기 위하여, 종방향(X축 방향)을 기준으로 기판안착부(210)의 전방 및 후방 중 적어도 어느 하나에 결합되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다. The wing portion 220 is formed in the longitudinal direction X-axis direction to form a uniform process atmosphere in the vicinity of the front and rear edges of the substrate seating portion 210 with respect to the linear movement direction (X-axis direction) Direction of the substrate mounting part 210. The substrate mounting part 210 may be formed of a metal or a metal.

상기 윙부(220)는 가스흐름의 왜곡 등으로 인하여 기판안착부(210)의 가장자리 부근에서 기판처리가 불균하게 이루어질 수 있는바 이를 보완하기 위한 구성으로서 기판안착부(210)의 가장자리 부근에서 균일한 공정분위기를 형성하기 위하여 기판안착면 상에 안착된 기판(10), 또는 마스크가 설치된 경우 마스크의 상면과 동일한 평면을 형성하는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The wing portion 220 may be made unevenly in the vicinity of the edge of the substrate seating portion 210 due to distortion of a gas flow or the like, Any configuration can be used as long as the substrate 10 is placed on the substrate seating surface to form a process atmosphere, or if the mask has the same plane as the upper surface of the mask.

예로서, 상기 윙부(220)는 후술하는 프레임부(230)에 지지되어 기판안착부(210)로부터 순차적으로 탈착가능하게 설치되는 복수의 윙플레이트들을 포함할 수 있으며, 그 재질은 기판안착부(210)와 동일한 재질, 즉 알루미늄 또는 알루미늄합금 재질을 가지는 것이 바람직하다.For example, the wing portion 220 may include a plurality of wing plates that are supported by a frame portion 230 to be described later and are detachably installed sequentially from the substrate seating portion 210. The material may be a substrate seating portion 210, that is, aluminum or an aluminum alloy material.

한편 상기 윙부(220)는, 기판처리공정 수행시 그 표면에 증착되는 것을 방지하기 위하여 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 적어도 일부에서 가스분사부(140)에 의하여 분사되는 가스가 하측으로 관통되어 흐르도록 복수의 관통공(222)들이 형성된다.2 and 4, in order to prevent deposition of the wing portion 220 on the surface of the wing portion 220 during the substrate processing process, at least a portion of the gas injected by the gas injection portion 140 is directed downward A plurality of through holes 222 are formed so as to flow therethrough.

상기 관통공(222)은, 윙부(220)를 상하로 관통하도록 형성됨으로써 윙부(220)가 가스분사부(140)의 직하방을 지나갈 때 가스분사부(140)에서 분사되는 가스가 도 4에 도시된 바와 같이, 윙부(220)의 하측으로 흐르도록 함으로써 윙부(220)의 표면에 증착되는 것을 방지하게 된다. 여기서 상기 윙부(200)에 형성된 관통공(222)을 통과한 가스는 윙부(200)의 하측으로 흐르거나 후술하는 프레임부(230)에 관통공(미도시)을 추가로 형성하는 등 측면으로 흐르도록 유도하는 등 윙부(200)의 하부에서의 가스흐름은 다양하게 유도될 수 있다.The through hole 222 is formed so as to pass through the wing portion 220 so that the gas injected from the gas spraying portion 140 when the wing portion 220 passes directly under the gas spraying portion 140 is shown in FIG. As shown in the drawing, it flows to the lower side of the wing portion 220, thereby preventing deposition on the surface of the wing portion 220. The gas that has passed through the through hole 222 formed in the wing portion 200 flows to the lower side of the wing portion 200 or flows through the side surface of the frame portion 230 to form a through hole The gas flow in the lower part of the wing part 200 can be variously induced.

한편 상기 관통공(222)은, 윙부(220)의 표면 중 전체 또는 일부에 형성될 수 있으며, 윙부(220)가 복수의 윙플레이트들로 구성되는 경우 기판안착부(210)에 안착된 기판(10)에 대한 가스의 흐름의 왜곡을 방지하기 위하여, 기판안착부(210)에 인접한 윙플레이트(293)를 제외한 나머지 윙플레이트(221)에 형성될 수 있다.The through hole 222 may be formed on the entire surface or a part of the surface of the wing 220. When the wing 220 is composed of a plurality of wing plates, 10 may be formed on the remaining wing plate 221 except for the wing plate 293 adjacent to the substrate seating portion 210 in order to prevent distortion of the gas flow to the substrate mounting portion 210. [

여기서 상기 기판안착부(210)에서 기판(10)이 지지되는 면으로부터 가스의 흐름에 왜곡이 없을 정도로 충분히 큰 가장자리를 가지는 경우 관통공(222)은, 복수의 윙플레이트들 모두에 형성될 수 있음은 물론이다.The through hole 222 may be formed in all of the plurality of wing plates when the substrate receiving portion 210 has a sufficiently large edge such that there is no distortion in the gas flow from the surface on which the substrate 10 is supported Of course.

한편 상기 윙부(220)를 상하로 관통하도록 형성된 관통공(222)에 의하여 윙부(220)가 가스분사부(140)의 직하방을 지나갈 때 가스분사부(140)에서 분사되는 가스가 윙부(220)의 하측으로의 흐름을 원활하도록 하기 위하여, 공정챔버(100)는, 저면에 진공펌프와 연결되는 하나 이상의 배기구(125)가 형성됨이 바람직하다.The gas injected from the gas injecting unit 140 flows through the wing 220 when the wing 220 passes under the gas injecting unit 140 by the through hole 222 passing through the wing 220. [ It is preferable that the process chamber 100 is formed with at least one exhaust port 125 connected to a vacuum pump on the bottom surface thereof.

여기서 상기 하나 이상의 배기구(125)는, 윙부(220)의 관통공(222)을 통과한 가스를 배기하기 위한 구성으로서 그 위치는 가스공급부(150)에 대응되는 위치에 형성된다.The at least one exhaust port 125 is formed at a position corresponding to the gas supply unit 150 to exhaust gas that has passed through the through hole 222 of the wing unit 220.

한편 상기와 같이 윙부(220)에 관통공(222)이 형성되는 경우, 가스분사부(140)에 의하여 분사되는 가스가 윙부(220)에 관통공(222)을 통하여 그 하부로 유입되어 셔틀(200)의 선형구동을 위한 가이드레일(130) 및 선형구동부(150)으로 유입되어 파티클의 형성되거나, 플라즈마의 형성으로 인하여 부재의 손상이 발생하는 문제점이 있다.When the through hole 222 is formed in the wing portion 220 as described above, the gas injected by the gas injecting portion 140 flows into the lower portion of the wing portion 220 through the through hole 222, There is a problem in that particles are introduced into the guide rail 130 and the linear driving unit 150 for linear driving of the plasma display panel 200 or the member is damaged due to the formation of plasma.

따라서 상기 윙부(220)는 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 그 저면에 결합되어 관통공(222)을 통과한 가스를 공정챔버(100)의 저면 쪽으로 유도하는 가스유도부(290)가 추가로 설치됨이 바람직하다.4 and 5, the wing portion 220 includes a gas guiding portion 290 coupled to the bottom surface thereof to guide the gas passing through the through hole 222 to the bottom surface of the process chamber 100 .

상기 가스유도부(290)는, 윙부(220)의 저면에 결합되어 관통공(222)을 통과한 가스를 공정챔버(100)의 저면 쪽으로 유도할 수 있는 구성이면 어떠한 구성이 가능하다.The gas induction unit 290 may have any structure as long as the gas induction unit 290 is coupled to the bottom surface of the wing unit 220 and can direct the gas that has passed through the through hole 222 to the bottom surface of the process chamber 100.

예로서, 상기 가스유도부(290)는, 윙부(200)의 저면과 함께 공간을 형성하며 하단에 관통공(222)을 통과한 가스가 공정챔버(100)의 저면 쪽으로 배출되는 하나 이상의 배출구(291)가 형성될 수 있다.For example, the gas induction unit 290 forms a space together with the bottom surface of the wing part 200, and one or more outlets 291 (see FIG. 1) through which the gas passing through the through hole 222 is discharged to the bottom surface of the process chamber 100 May be formed.

상기 배출구(291)는 앞서 설명한 공정챔버(100)의 저면에 형성된 배기구(125)로의 가스흐름을 고려하여 그 위치, 크기 및 형상이 결정될 수 있다.The position, size and shape of the discharge port 291 can be determined in consideration of the gas flow to the discharge port 125 formed on the bottom surface of the process chamber 100 described above.

한편 상기 가스유도부(290)는, 윙부(220)의 저면에 결합되어 관통공(222)을 통과한 가스가 배기구(125)를 통하여 직하방으로 배출되는 것이 바람직한바, 윙부(200)의 측면방향, 즉 X축방향 및 Y축방향, 특히 Y축방향으로 가스가 흐르는 것을 차단하기 위하여 격벽부((292)가 형성됨이 바람직하다.The gas guiding part 290 is preferably coupled to the bottom of the wing part 220 so that the gas passing through the through hole 222 is discharged through the exhaust port 125 directly to the lower side. , That is, to prevent gas from flowing in the X-axis direction and the Y-axis direction, particularly, the Y-axis direction.

또한 상기 가스유도부(290)는, 가이드레일(130) 및 선형구동부(150) 중 적어도 어느 하나로 관통공(222)을 통과한 가스가 흐르는 것을 방지하기 위한 하나 이상의 차단부(293, 294)가 형성됨이 더욱 바람직하다.The gas guiding portion 290 is formed with at least one blocking portion 293 and 294 for preventing gas flowing through the through hole 222 from flowing to at least one of the guide rail 130 and the linear driving portion 150 Is more preferable.

상기 차단부(293, 294)는, 관통공(222)을 통과한 가스가 가이드레일(130) 및 선형구동부(150)로 흐르는 것을 방지하기 위한 구성으로서 가이드레일(130) 및 선형구동부(150)의 구성에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The blocking portions 293 and 294 are formed in the guide rail 130 and the linear driving portion 150 so as to prevent the gas that has passed through the through holes 222 from flowing into the guide rail 130 and the linear driving portion 150. [ Various configurations are possible.

한편, 상기 가이드레일(130) 및 선형구동부(150)는 그 길이방향을 따라서 파티클의 유입을 방지하기 위한 실드부재(131, 151)가 설치될 수 있는데, 이때 실드부재(131, 151)의 상단은 가스유도부(290)의 차단부(293, 294)의 하단보다 더 높게 설치됨이 더욱 바람직하다.The guide rail 130 and the linear driving unit 150 may be provided with shielding members 131 and 151 for preventing inflow of particles along the longitudinal direction of the guide rail 130 and the linear driving unit 150. At this time, It is more preferable that the gas guide portion 290 is installed higher than the lower ends of the blocking portions 293 and 294.

상기 실드부재(131, 151)는, 파티클의 유입을 방지하기 위한 구성으로서 가이드레일(130) 및 선형구동부(150)의 길이방향을 따라서 다양한 구조에 의하여 설치되 수 있다.The shield members 131 and 151 may be provided in various structures along the longitudinal direction of the guide rail 130 and the linear driving unit 150 as a structure for preventing the inflow of particles.

한편 상기 윙부(220)의 표면에 증착되는 것을 방지하기 위한 구성으로서, 윙부(220)에 상하로 관통된 관통공(222)의 형성에 더하여, 공정챔버(110)는, 가스분사부(140)와 셔틀(200) 사이의 공간, 즉, 가스분사부(140)의 하단부와 셔틀(200)의 상단부 사이의 공간으로 아르곤(Ar) 등과 같은 불활성 가스의 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스분사부(150)가 추가로 설치될 수 있다.In addition to the formation of the through holes 222 passing through the upper and lower portions of the wing portion 220, the process chamber 110 includes a gas injection portion 140, A purge gas spraying unit 150 for spraying a purge gas of an inert gas such as argon (Ar) into the space between the shuttle 200 and the shuttle 200, that is, the space between the lower end of the gas spraying unit 140 and the upper end of the shuttle 200 ) May be additionally installed.

상기 퍼지가스분사부(150)는, 가스분사부(140)의 측면 쪽, Y축방향에서, 가스분사부(140)의 하단부와 셔틀(200)의 상단부 사이의 공간으로 퍼지가스를 분사함으로써 윙부(220)에 상하로 관통된 관통공(222)을 통한 가스의 흐름을 보다 원활하게 할 수 있다. The purge gas spraying unit 150 injects the purge gas into the space between the lower end of the gas spraying unit 140 and the upper end of the shuttle 200 in the Y axis direction of the gas spraying unit 140, It is possible to smoothly flow the gas through the through-holes 222 penetrating the upper and lower portions of the casing 220.

상기 퍼지가스분사부(150)는, 가스분사부(140)의 측면 쪽에서, 가스분사부(140)의 하단부와 셔틀(200)의 상단부 사이의 공간으로 퍼지가스를 분사하기 위한 구성으로서 가스분사부(140)의 양측면에 결합되는 등 다양하게 설치되며, 그 분사영역이 셔틀(200)의 이동방향, 즉 X축방향을 따라서 소정 길이, 예를 들면 가스분사부(140)의 X축방향의 길이에 대응되는 크기를 가짐이 바람직하다. 여기서 상기 가스분사부(140)는 셔틀(200)의 이동방향과 수평을 이루는 양측면을 가지며, 퍼지가스분사부(150)는, 가스분사부(140)의 양측면에 설치될 수 있다.The purge gas injecting unit 150 is configured to inject the purge gas into the space between the lower end of the gas injecting unit 140 and the upper end of the shuttle 200 on the side of the gas injecting unit 140, The gas spraying unit 140 is attached to both sides of the gas spraying unit 140. The gas spraying unit 140 is installed in various positions, for example, a length in the X axis direction of the gas spraying unit 140 along the moving direction of the shuttle 200, As shown in Fig. The gas spraying unit 140 has both side surfaces that are parallel to the moving direction of the shuttle 200 and the purge gas spraying unit 150 can be installed on both sides of the gas spraying unit 140.

한편, 상기 퍼지가스분사부(150)의 퍼지가스 분사에 의하여 기판처리에 영향을 미칠 수 있는바, 퍼지가스분사부(150)는, 셔틀(200) 중 윙부(220)가 대응되는 위치에 위치되었을 때만 퍼지가스를 분사하도록 작동될 수 있다.The purge gas spraying unit 150 may be disposed at a position corresponding to the wing 220 of the shuttle 200 Lt; RTI ID = 0.0 > purge gas. ≪ / RTI >

또한 상기 셔틀(200)은, 퍼지가스분사부(150)에 의하여 분사되는 퍼지가스가 기판안착부(210)에 안착된 기판(10)으로 분사되는 것을 차단하기 위한 블록킹부재(219)가 추가로 설치될 수 있다.The shuttle 200 is further provided with a blocking member 219 for preventing the purge gas injected by the purge gas spraying unit 150 from being injected onto the substrate 10 mounted on the substrate seating unit 210 Can be installed.

상기 블록킹부재(219)는, 퍼지가스분사부(150)에 의하여 분사되는 퍼지가스가 기판안착부(210)에 안착된 기판(10)으로 분사되는 차단하기 위한 구성으로서 다양한 구성이 가능하며, 퍼지가스분사부(150)의 분사영역에 대응하여 기판안착부(210)에 설치될 수 있다.The blocking member 219 may have various configurations as a configuration for blocking the purge gas injected by the purge gas injecting unit 150 from being injected onto the substrate 10 placed on the substrate seating unit 210, And may be installed in the substrate mounting part 210 corresponding to the jetting area of the gas spraying part 150.

예로서, 상기 블록킹부재(219)는, 셔틀(200)의 이동방향, 즉 X축방향과 수직인 Y축방향으로 대향되어 배치되도록 한 쌍으로 설치되며 그 길이는 퍼지가스분사부(150)의 분사영역의 X축방향의 길이와 동일하거나 조금 크게 형성될 수 있다.For example, the blocking members 219 are provided so as to be opposed to each other in the moving direction of the shuttle 200, that is, in the Y-axis direction perpendicular to the X-axis direction, May be the same as or slightly larger than the length of the ejection region in the X-axis direction.

한편 상기 블록킹부재(219)는, 퍼지가스의 차단효과를 고려하여, 가스분사부(140)의 하단부보다 더 위쪽으로 돌출됨이 바람직하며, 이때 가스분사부(140)의 하단부는, 블록킹부재(219)의 끝단의 일부가 삽입되도록 삽입부(149)가 형성됨이 바람직하다.The blocking member 219 is preferably protruded upward from the lower end of the gas injecting unit 140 in consideration of the effect of blocking the purge gas. At this time, the lower end of the gas injecting unit 140 is blocked by the blocking member It is preferable that the inserting portion 149 is formed so that a part of the end of the first and second inserting portions 219 and 219 is inserted.

상기 삽입부(149)은, 블록킹부재(219)의 끝단의 일부가 삽입되는 구성으로서 가스분사부(140)의 저면이 오목하게 형성된 요홈, 단부 등 다양하게 형성될 수 있다.The inserting portion 149 may be formed in a variety of shapes such as a groove or an end portion in which the bottom surface of the gas spraying portion 140 is concave, or the like, in which a part of the end of the blocking member 219 is inserted.

한편 상기 셔틀(200)은, 도 1, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 기판안착부(210) 및 윙부(220)의 저면에 탈착가능하게 결합되고, 서로 탈착가능하게 결합된 복수의 프레임부재들을 포함하는 프레임부(230)를 포함하는 등 다양한 구성이 가능하다.1, 3 and 4, the shuttle 200 is detachably coupled to a bottom surface of the substrate seating part 210 and the wing part 220, and is detachably coupled to a plurality of And a frame portion 230 including frame members.

상기 프레임부(230)는 기판안착부(210)의 저면에 탈착가능하게 결합되고, 서로 탈착가능하게 결합된 복수의 프레임부재들을 포함하여 셔틀(200)을 경량화 및 유지보수시 교체가 원활하게 하기 위한 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The frame part 230 includes a plurality of frame members detachably coupled to the bottom surface of the substrate seating part 210 and detachably coupled to each other to reduce the weight of the shuttle 200, Various configurations are possible.

예로서, 상기 프레임부(230)를 구성하는 복수의 프레임부재들은 그 재질이 기판안착부(210)에 비하여 강도가 높지만 열변형이 작은, 즉 열팽창률이 작은 재질, 예를 들면 FRP(fiber reinforced plastic)재질의 사용이 바람직하다. 그리고 FRP로는 유리강화섬유(GFRP), 탄소강화섬유(CFRP) 등이 있다.
For example, a plurality of frame members constituting the frame unit 230 may be made of a material having a strength higher than that of the substrate seating unit 210 but having a small thermal deformation, that is, a material having a low coefficient of thermal expansion, such as FRP plastic material is preferred. And FRP is glass reinforced fiber (GFRP) and carbon reinforced fiber (CFRP).

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is to be understood that both the technical idea and the technical spirit of the invention are included in the scope of the present invention.

100 : 공정챔버 200 : 셔틀
210 : 기판안착부 220 : 윙부
221 : 관통공100: process chamber 200: shuttle
210: substrate mounting portion 220: wing portion
221: Through hole

Claims (12)

밀폐된 내부공간을 형성하는 공정챔버와;
상기 공정챔버에 설치되어 기판을 선형이동시키는 셔틀과;
상기 공정챔버에 설치되어 상기 셔틀에 의하여 이송되는 기판의 이송경로의 상부에 위치되어 기판처리를 위한 가스를 분사하는 가스분사부를 포함하며,
상기 셔틀은 기판이 안착되는 기판안착부와, 그 이동방향을 기준으로 상기 기판안착부의 전방 및 후방에 설치되는 한 쌍의 윙부들을 가지며,
상기 윙부는 적어도 일부에서 상기 가스분사부에 의하여 분사되는 가스가 하측으로 관통되어 흐르도록 복수의 관통공들이 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A process chamber forming an enclosed inner space;
A shuttle installed in the process chamber to linearly move the substrate;
And a gas injection unit installed in the process chamber and positioned above a transfer path of the substrate to be transferred by the shuttle to inject gas for substrate processing,
Wherein the shuttle has a substrate mounting part on which the substrate is mounted and a pair of wing parts provided on the front and rear sides of the substrate mounting part with respect to the moving direction,
Wherein the wing portion is formed with a plurality of through holes so that at least a portion of the gas injected by the gas injecting portion flows downwardly through the wing portion. 청구항 1에 있어서,
상기 윙부는, 상기 기판안착부로부터 순차적으로 설치되는 복수의 윙플레이트들을 포함하며,
상기 복수의 윙플레이트들 중 기판안착부에 인접한 윙플레이트를 제외한 나머지 윙플레이트에 상기 관통공들이 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the wing portion includes a plurality of wing plates sequentially installed from the substrate seating portion,
Wherein the through holes are formed in the remaining wing plates except the wing plate adjacent to the substrate seating portion among the plurality of wing plates. 청구항 1에 있어서,
상기 공정챔버는, 저면에 진공펌프와 연결되는 하나 이상의 배기구가 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the process chamber is formed with at least one exhaust port connected to a vacuum pump at a bottom surface thereof. 청구항 3에 있어서,
상기 하나 이상의 배기구는, 상기 가스공급부에 대응되는 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 3,
Wherein the at least one exhaust port is formed at a position corresponding to the gas supply unit. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 공정챔버는, 상기 가스분사부와 상기 셔틀 사이의 공간으로 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스분사부가 추가로 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the process chamber is further provided with a purge gas injection portion for injecting a purge gas into a space between the gas injection portion and the shuttle. 청구항 5에 있어서,
상기 가스분사부는, 상기 셔틀의 이동방향과 수평을 이루는 양측면을 가지며,
상기 퍼지가스분사부는, 상기 가스분사부의 양측면에 결합된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 5,
Wherein the gas injection unit has both side surfaces that are parallel to the moving direction of the shuttle,
Wherein the purge gas injection portion is coupled to both side surfaces of the gas injection portion. 청구항 5에 있어서,
상기 퍼지가스분사부는, 상기 셔틀 중 상기 윙부가 상기 퍼지가스분사부에 대응되는 위치에 위치되었을 때만 퍼지가스를 분사하도록 작동되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 5,
Wherein the purge gas injection portion is operated to inject the purge gas only when the wing portion of the shuttle is located at a position corresponding to the purge gas injection portion. 청구항 5에 있어서,
상기 셔틀은, 상기 퍼지가스분사부에 의하여 분사되는 퍼지가스가 상기 기판안착부에 안착된 기판으로 분사되는 것을 차단하기 위한 블록킹부재가 추가로 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 5,
Wherein the shuttle is further provided with a blocking member for blocking the injection of the purge gas injected by the purge gas spraying part onto the substrate placed on the substrate seating part. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 윙부는 그 저면에 결합되어 상기 관통공을 통과한 가스를 상기 공정챔버의 저면 쪽으로 유도하는 가스유도부가 추가로 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the wing portion is further provided with a gas guiding portion which is coupled to the bottom surface of the wing portion and guides the gas passing through the through hole to the bottom surface of the process chamber. 청구항 9에 있어서,
상기 가스유도부는, 상기 윙부의 저면과 함께 공간을 형성하며 하단에 상기 관통공을 통과한 가스가 상기 공정챔버의 저면 쪽으로 배출되는 하나 이상의 배출구가 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 9,
Wherein the gas guiding part forms a space together with the bottom surface of the wing part and at least one outlet port through which the gas passing through the through hole is discharged toward the bottom surface of the process chamber is formed. 청구항 9에 있어서,
상기 공정챔버는, 상기 셔틀의 선형이동을 위하여, 가이드레일과, 상기 가이드레일을 따라서 상기 셔틀을 선형이동시키기 위한 선형구동부가 설치되며,
상기 가스유도부는, 상기 가이드레일 및 상기 선형구동부 중 적어도 어느 하나로 상기 관통공을 통과한 가스가 흐르는 것을 방지하기 위한 하나 이상의 차단부가 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 9,
Wherein the process chamber includes a guide rail and a linear drive for linearly moving the shuttle along the guide rail for linear movement of the shuttle,
Wherein the gas guiding part is formed with at least one blocking part for preventing gas flowing through the through-hole from flowing into at least one of the guide rail and the linear driving part. 청구항 11에 있어서,
상기 가이드레일 및 상기 선형구동부는 그 길이방향을 따라서 파티클의 유입을 방지하기 위한 실드부재가 설치되며,
상기 실드부재의 상단은 상기 가스유도부의 차단부의 하단보다 더 높게 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 11,
Wherein the guide rail and the linear driving unit are provided with a shielding member for preventing inflow of particles along the longitudinal direction thereof,
Wherein the upper end of the shielding member is higher than the lower end of the shielding portion of the gas guiding portion.
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