KR20140084735A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 지지 부재; 상기 지지 부재에 놓인 기판으로 처리액을 토출하는 공정 노즐; 상기 지지 부재의 일측에 배치되고, 상기 공정 노즐이 공정 진행을 위해 대기하는 장소로 제공되는 대기 포트를 포함하되, 상기 대기 포트는 상기 공정 노즐이 수용되는 공간이 형성된 노즐 포트; 상기 노즐 포트에 수용된 상기 공정 노즐로 세정액을 토출하는 세정 노즐; 상기 공정 노즐의 토출단에 방물 맺힘을 감지하는 센서; 및 상기 센서에서 상기 방울 맺힘이 감지되는 경우, 상기 공정 노즐에 상기 세정액이 토출되도록 상기 세정 노즐을 제어하는 제어부를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판으로 처리액을 토출하는 노즐을 갖는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 디바이스는 기판상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착하고 이를 패터닝하여 제조된다. 이를 위하여 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 및 세정 공정 등 여러 단계의 서로 다른 공정이 요구된다.
이들 공정 중 사진 공정 중에는 기판상에 감광액을 도포하는 도포 공정과, 기판상에 현상액을 공급하는 현상 공정이 포함되며, 식각 공정은 기판상에 식각액을 공급하여 기판상에 형성된 막질을 제거하는 공정이고, 세정 공정은 기판상에 세정액을 공급하여 기판 표면에 잔류하는 오염 물질을 제거하는 공정이다.
도포, 현상, 식각 및 세정 공정은 스핀 척 위에 기판을 놓고 기판을 회전시키는 동안 노즐이 기판의 표면에 처리액을 공급하며 진행된다. 노즐은 처리액 공급 후, 대기 포트에서 후속 공정을 위해 대기한다.
기판 토출에 제공된 처리액은 일부가 노즐의 토출구에 방울 형태로 맺혀 잔류할 수 있다. 방울 맺힘이 발생된 상태로 노즐이 후속 공정에서 기판으로 처리액을 토출할 경우, 방울 맺힘이 기판 위에 떨어져 기판 오염원으로 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예는 기판 오염원 발생을 예방할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 지지 부재; 상기 지지 부재에 놓인 기판으로 처리액을 토출하는 공정 노즐; 상기 지지 부재의 일측에 배치되고, 상기 공정 노즐이 공정 진행을 위해 대기하는 장소로 제공되는 대기 포트를 포함하되, 상기 대기 포트는 상기 공정 노즐이 수용되는 공간이 형성된 노즐 포트; 상기 노즐 포트에 수용된 상기 공정 노즐로 세정액을 토출하는 세정 노즐; 상기 공정 노즐의 토출단에 방물 맺힘을 감지하는 센서; 및 상기 센서에서 상기 방울 맺힘이 감지되는 경우, 상기 공정 노즐에 상기 세정액이 토출되도록 상기 세정 노즐을 제어하는 제어부를 포함한다.
또한, 상기 제어부는 상기 방울 맺힘이 감지되는 경우 상기 공정 노즐로 상기 세정액을 복수 회 토출하고, 상기 방울 맺힘이 감지되지 않는 경우 상기 공정 노즐로 상기 세정액의 토출을 중단할 수 있다.
또한, 상기 센서는 상기 노즐 포트에 수용된 상기 공정 노즐의 토출단과 동일 높이에서 상기 방울 맺힘을 감지할 수 있다.
또한, 상기 세정 노즐은 상기 노즐의 토출단을 향해 하향 경사지게 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 기판 처리 방법은 공정 노즐로부터 처리액을 기판으로 토출하고, 상기 공정 노즐을 대기 포트로 이동시켜 후속 공정을 대기하되, 상기 공정 노즐이 상기 대기 포트에 대기하는 동안, 상기 공정 노즐의 토출단에 방울 맺힘을 감지하고, 상기 방물 맺힘이 감지되는 경우, 상기 공정 노즐을 향해 세정액을 공급한다.
또한, 상기 방울 맺힘이 감지되는 경우, 상기 세정액은 상기 공정 노즐을 향해 복수 회 공급하고, 상기 방울 맺힘이 감지되지 않는 경우, 상기 세정액의 공급을 중단할 수 있다.
또한, 상기 세정액은 상기 공정 노즐의 토출단을 향해 하향 경사지게 토출될 수 있다.
본 발명에 의하면, 노즐의 토출구에 방울 형태로 맺힌 처리액이 후속 공정 전에 제거되므로, 기판 오염원 발생이 예방된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 A - A' 선에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 대기 포트를 나타내는 단면도이다.
도 4는 방물 맺힘을 제거하는 공정을 순차적으로 나타내는 순서도이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리장치 및 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 따라서 도면에서의 도시된 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 A - A' 선에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 기판 지지 부재(100), 처리액 공급 부재(200), 처리액 회수 부재(300), 배기통(400), 그리고 대기 포트(500)를 포함한다.
기판 지지 부재(100)는 기판(W)을 지지하고, 처리액 공급 부재(200)는 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 처리액 회수 부재(300)는 기판(W)으로 공급된 처리액을 회수하고, 배기통(400)은 기판(W) 처리 공간에 형성된 기류를 외부로 배기한다. 대기 포트(500)는 처리액 공급 부재(200)의 공정 노즐이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공한다.
기판 지지 부재(100)는 지지판(110)과, 지지판(110)의 상부 면에서 기판(W)을 지지하는 핀 부재(120)를 포함한다. 핀 부재(120)는 지지 핀(122)들과 척킹 핀(124)들을 가진다. 지지 핀(122)들은 지지판(110)의 상부 면 가장자리영역을 따라 일정 간격으로 배열되고, 지지판(110)으로부터 상부로 돌출된다. 지지 핀(122)들은 지지판(110)의 상면으로부터 소정 거리 떨어진 지점에 기판(W)이 놓이도록 기판(W) 하면을 지지한다.
지지 핀(122)들의 외측에는 척킹 핀(124)들이 배치되며, 척킹 핀(124)들은 지지판(110)의 상면으로 돌출된다. 척킹 핀(124)들은 지지 핀(122)들에 지지된 기판(W)이 지지판(110) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(124)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.
지지판(110)의 하부에는 지지판(110)을 지지하는 지지 축(130)이 연결되며, 지지 축(130)은 그 하단에 연결된 구동부(140)에 의해 회전한다. 구동부(140)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지 축(130)이 회전함에 따라 지지판(110)과 기판(W)이 회전한다. 구동부(140)는 지지판(110) 상에 기판(W)을 로딩하거나 지지판(110)으로 부터 기판(W)을 언로딩하는 경우, 그리고 기판 처리 공정 지지판(110)을 상하방향으로 이동시킬 수 있다.
처리액 공급 부재(200)는 기판 지지 부재(100) 상에 놓인 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 처리액 공급 부재(200)는 기판(W)으로 처리액을 공급하는 공정 노즐(220)과, 공정 노즐(220)을 지지하는 노즐 지지대(240)를 포함한다. 노즐 지지대(240)는 수평 방향으로 배치되며, 노즐 지지대(240)의 일단에 노즐(220)이 결합한다. 노즐 지지대(240)의 타단에는 이동 로드(260)가 제공된다. 이동 로드(260)는 노즐 지지대(240)에 수직 방향으로 배치되며, 노즐 지지대(240)를 지지한다. 이동 로드(260)의 하단에는 구동 부재(280)가 제공된다. 구동 부재(280)는 이동 로드(260)를 상하방향으로 이동시키고, 공정 노즐(220)이 기판 지지 부재(100)의 내측과 외측 사이를 이동하도록 이동 로드(260)를 회전시킨다.
공정 노즐(220)은 처리액 공급 라인(270)에 의해 처리액 공급원(271)에 연결된다. 처리액 공급 라인(270)에는 처리액 공급원(271)으로부터 공정 노즐(220) 방향으로 펌프(272), 필터(273) 및 밸브(274)가 순차적으로 배치된다. 밸브(274)는 컷 오프 밸브(Cut-Off Valve, 274a)와 석백 밸브(Suckback Valve, 274b)를 가진다. 처리액 공급원(271)으로부터 공급되는 처리액은 펌프(272)에 의해 가압되고, 가압된 처리액은 필터(273)를 거쳐 컷 오프 밸브(274a) 및 석백 밸브(274b)를 통과한 후, 노즐(220)을 통해 기판상에 토출된다. 컷 오프 밸브(274a)는 가압된 처리액의 흐름을 온/오프(On/Off)하고, 석백 밸브(274b)는 처리액 토출후 노즐(220)의 토출구(미도시) 끝단에 존재하는 일정량의 처리액을 흡입하여 후퇴시킴으로써 처리액의 흘림을 방지한다.
처리액 공급 부재(200)가 회전하는 기판(W)의 상면으로 처리액을 공급할 때, 처리액은 원심력에 의해 기판(W) 상면의 중심으로부터 가장자리로 이동하고, 처리액 회수 부재(300)로 회수된다. 처리액 회수 부재(300)는 공정 노즐(220)로부터 공급되는 처리액들을 회수하여 처리액의 재사용이 가능하도록 한다. 처리액 회수 부재(300)는 내측에 기판 지지부재(100)가 위치하는 공간(310)을 제공하며, 기판 지지 부재(100)를 감싸도록 배치되는 처리액 회수통들(320, 340)을 가진다. 처리액은 기판(W)에서 제거하고자 하는 막질의 종류에 따라 다양하게 제공될 수 있으며, 본 실시 예의 경우 두 종류의 처리액(식각액/세정액)을 사용하는 경우를 예로 들어 설명한다.
처리액 회수통들(320, 340)은 식각액 회수통들(320)과 세정액 회수통(340)을 포함한다. 식각액 회수통들(320)은 기판(W)으로 공급되는 식각액들을 회수하고, 세정액 회수통(340)은 기판(W)으로 공급되는 탈이온수를 회수한다. 세정액 회수통(340)은 최외곽에 배치되고, 식각액 회수통들(320)은 세정액 회수통(340)의 안쪽에 배치된다. 식각액 회수통들(320)은 내부 회수통(320a)과 외부 회수통(320b)을 가지며, 내부 회수통(320a)은 기판 지지 부재(100)에 가장 인접하게 기판 지지 부재(100)를 감싸도록 배치되고, 외부 회수통(320b)은 내부 회수통(320a)과 세정액 회수통(340) 사이에 배치된다.
기판 지지 부재(100) 및 처리액 회수 부재(300)의 아래에는 배기통(400)이 제공된다. 배기통(400)은 대체로 원통 형상을 가진다. 구체적으로 배기통(400)은 원형의 하부 벽(410)과, 하부 벽(410)으로부터 상부로 연장되는 측벽(412), 그리고 기판 처리 공정이 진행되는 공간(310)과 배기통(400) 내부를 분리하기 위해 제공되는 분리벽(414)을 가진다.
배기통(400)에는 펌프와 같은 흡입 부재(420)가 설치된 배기관(430)이 연결된다. 기판 처리 공정이 진행되는 공간(330) 내에서 기류가 처리액 회수통(320, 340)들을 향하는 방향으로 형성되도록, 각각의 처리액 회수통(320, 340)과 배기통(400)이 서로 통한다. 구동부(140)는 처리액 회수 부재(300) 내에서 기판 지지 부재(100)와 처리액 회수통들(320a, 320b, 340) 간의 상대 높이가 조절되도록 기판 지지 부재(100)를 상하 이동시킬 수 있다. 예컨대, 구동부(140)는 기판(W)으로 공급되는 처리액의 종류에 따라 기판 지지 부재(100)가 내부 회수통(320a)에 대응하는 높이, 외부 회수통(320b)에 대응하는 높이, 그리고 세정액 회수통(340)에 대응하는 높이에 위치하도록 기판 지지 부재(100)를 이동시킬 수 있다.
대기 포트(500)는 기판 지지 부재(100)의 일 측에 배치되며, 기판 처리 공정의 진행 후 공정 노즐(220)이 후속 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 대기 포트를 나타내는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 대기 포트(500)는 노즐 포트(510), 센서(520), 세정 노즐(530), 그리고 제어부(540)를 포함한다.
노즐 포트(510)는 상부가 개방되고 내부에 공간이 형성된 구조를 가지며, 내부에는 공정 노즐(220)이 수용되는 공간(512)이 제공된다. 공정 노즐(220)은 노즐 포트(510)의 내부에 수용되어 대기된다. 노즐 포트(510)의 바닥벽에는 배수 홀(514)이 형성된다. 배수 홀(514)은 공정 노즐(220)에서 흘러내린 처리액과 세정 노즐(530)에서 토출된 세정액을 회수하여 외부로 배출한다.
센서(520)는 노즐 포트(510)에 설치되며, 공정 노즐(220)의 토출단(221)에서의 방울 맺힘(a)을 감지한다. 기판 토출에 제공된 처리액은 일부가 공정 노즐(220)의 토출단(221)에 방울 형태로 맺혀 잔류할 수 있다. 방울 맺힘(a)이 발생된 상태로 공정 노즐(220)이 후속 공정에서 기판으로 처리액을 토출할 경우, 방울 맺힘(a)이 기판 위에 떨어져 파티클로 제공될 수 있다. 때문에, 공정 노즐(220)이 대기 포트(510)에서 대기하는 동안 방울 맺힘(a)의 제거가 요구된다. 센서(520)는 공정 노즐(220)의 토출단(221)에서 방울 맺힘(a)을 감지한다. 센서(520)는 노즐 포트(510) 내부에 놓인 공정 노즐(220)의 토출구(221)와 동일 높이에서 방울 맺힘(a)을 감지한다. 센서(520)는 공정 노즐(220)의 토출구(221)와 동일 높이에서 방울 맺힘(a)을 감지하므로, 방울 맺힘(a) 발생을 실시간으로 감지할 수 있다. 센서(520)는 공정 노즐(220)이 놓인 노즐 포트(510) 내부 공간(512)으로 광을 조사하여 방울 맺힘(a)을 감지하는 광센서가 제공될 수 있다.
세정 노즐(530)은 노즐 포트(510)에 설치되며, 공급 노즐(220)을 향해 세정액을 토출한다. 세정 노즐(530)은 공급 노즐(220)의 토출단(221)을 향해 하향 경사지게 배치될 수 있다. 세정 노즐(530)은 노즐 포트(510)에 고정 결합되어 일체로 제공될 수 있다. 이와 달리, 세정 노즐(530)은 노즐 포트(510)에 형성된 공급 유로로 제공될 수 있다. 세정 노즐(530)은 공급 노즐(220)의 외측면, 또는 공정 노즐(220)의 토출단(221)으로 세정액을 토출한다. 토출된 세정액은 공정 노즐(220)의 토출단(221)에 발생된 방울 맺힘(a)을 제거한다.
세정 노즐(530)은 세정액 공급 라인(531)을 통해 세정액 저장부(532)와 연결된다. 세정액 공급 라인(531)에는 밸브(533)가 설치된다. 밸브(533)의 개폐로 세정액이 세정 노즐(530)로 공급된다.
제어부(540)는 밸브(533) 개폐를 조절하여 세정 노즐(530)의 토출을 제어한다. 센서(520)에서 방울 맺힘(a)이 감지되면, 제어부(540)에 감지 신호가 수신된다. 제어부(540)는 감지 신호에 따라 세정액이 토출되도록 제어한다. 제어부(540)는 감지 신호에 따라 세정액이 복수 회 토출되도록 제어할 수 있다. 제어부(540)는 센서(520)에서 방울 맺힘(a)이 감지되지 않는 경우, 세정액의 토출을 중단한다.
이하, 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 설명한다.
기판(W)이 기판 지지 부재(100)에 지지되면, 이동 로드(260)가 회전하여 공정 노즐(220)이 기판(W) 상부에 위치한다. 공정 노즐(220)은 기판(W)으로 처리액을 토출하여 기판 처리 공정을 수행한다.
처리액 토출이 완료되면, 이동 로드(260)가 회전하여 공정 노즐(220)이 기판 지지 부재(100)의 외측으로 이동한다. 이동 로드(260)의 이동으로 공정 노즐(220)은 노즐 포트(510) 내에 위치한다. 공정 노즐(220)은 상단부가 노즐 포트(510)의 상단에 지지되며, 토출단(221)이 노즐 포트(510) 내부에 위치한다. 공정 노즐(220)은 노즐 포트(510)에서 후속 공정 진행을 위해 대기한다. 공정 노즐(220)이 대기하는 동안 방울 맺힘(a) 제거 공정이 수행된다.
도 4는 방물 맺힘을 제거하는 공정을 순차적으로 나타내는 순서도이다.
도 4를 참조하면, 센서(520)는 공정 노즐의 토출단에서의 방울 맺힘을 감지한다(S10). 방울 맺힘이 감지되는 경우(S20), 제어부(540)의 제어에 의해 세정 노즐(530)에서 세정액이 토출된다. 세정액은 시너(thinner)가 사용될 수 있다. 세정액은 공정 노즐(220)의 토출단으로 제공되어 처리액의 방울 맺힘(a)을 제거한다. 센서(520)에서 방물 맺힘(a)이 계속 감지되는 경우, 방울 맺힘(a)이 감지되지 않을 때까지 세정액은 복수 회 토출될 수 있다.
센서(520)에서 방울 맺힘(a)이 감지되지 않는 경우(S30), 세정액의 토출이 중단된다(S40). 세정액의 토출이 중단된 후, 공정 노즐(520)은 후속 공정에 제공된다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 기판 처리 장치 100: 기판 지지 부재
200: 처리액 공급 부재 300: 처리액 회수 부재
400: 배기통 500: 대기 포트
510: 노즐 포트 520: 센서
530: 세정 노즐 540: 제어부

Claims (2)

  1. 기판을 지지하는 지지 부재;
    상기 지지 부재에 놓인 기판으로 처리액을 토출하는 공정 노즐;
    상기 지지 부재의 일측에 배치되고, 상기 공정 노즐이 공정 진행을 위해 대기하는 장소로 제공되는 대기 포트를 포함하되,
    상기 대기 포트는
    상기 공정 노즐이 수용되는 공간이 형성된 노즐 포트;
    상기 노즐 포트에 수용된 상기 공정 노즐로 세정액을 토출하는 세정 노즐;
    상기 공정 노즐의 토출단에 방물 맺힘을 감지하는 센서; 및
    상기 센서에서 상기 방울 맺힘이 감지되는 경우, 상기 공정 노즐에 상기 세정액이 토출되도록 상기 세정 노즐을 제어하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는
    상기 방울 맺힘이 감지되는 경우 상기 공정 노즐로 상기 세정액을 복수 회 토출하고, 상기 방울 맺힘이 감지되지 않는 경우 상기 공정 노즐로 상기 세정액의 토출을 중단하는 기판 처리 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101594469B1 (ko) 2015-11-17 2016-02-16 신상우 배관 연결용 프레싱 공구
KR20160081299A (ko) * 2014-12-31 2016-07-08 세메스 주식회사 홈포트, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 분위기 조성 방법
KR20180060829A (ko) * 2016-11-29 2018-06-07 주식회사 이오테크닉스 레이저 마킹 장치 및 이에 사용되는 관절 구조물 보관 장치
KR20180082959A (ko) * 2017-01-11 2018-07-19 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치
KR20190041159A (ko) * 2017-10-12 2019-04-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP2019079886A (ja) * 2017-10-23 2019-05-23 東京エレクトロン株式会社 ノズル待機装置、液処理装置及び液処理装置の運転方法並びに記憶媒体
KR20200021681A (ko) 2018-08-21 2020-03-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160081299A (ko) * 2014-12-31 2016-07-08 세메스 주식회사 홈포트, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 분위기 조성 방법
KR101594469B1 (ko) 2015-11-17 2016-02-16 신상우 배관 연결용 프레싱 공구
KR20180060829A (ko) * 2016-11-29 2018-06-07 주식회사 이오테크닉스 레이저 마킹 장치 및 이에 사용되는 관절 구조물 보관 장치
KR20180082959A (ko) * 2017-01-11 2018-07-19 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치
KR20190041159A (ko) * 2017-10-12 2019-04-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP2019079886A (ja) * 2017-10-23 2019-05-23 東京エレクトロン株式会社 ノズル待機装置、液処理装置及び液処理装置の運転方法並びに記憶媒体
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