KR20140078421A - Organic Light Emitting Diode Display - Google Patents

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KR20140078421A
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Abstract

The present invention relates to an organic light emitting diode display device. According to the present invention, the organic light emitting diode display device includes: a substrate divided into a displaying area and a non-displaying area; a gate wiring, a data wiring, and a drive current wiring which are arranged on the substrate to define pixel areas arranged in the displaying area; thin film transistors formed inside the pixel area; an organic light emitting diode which is formed inside the pixel area and is connected to the thin film transistor; a bank formed to define a light emitting area of the organic light emitting diode; and a data pad, a drive current pad, a data pad protection layer, and a drive current pad protection layer. The data pad and the drive current pad are exposed to the outside of the bank and are arranged on the non-displaying area. The data pad protection layer and the drive current protection layer cover the data pad and the drive current pad, respectively.

Description

유기발광 다이오드 표시장치 {Organic Light Emitting Diode Display}[0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display,

본 발명은 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 대면적 유기발광 다이오드 표시 장치의 제조 공정을 단순화하는 과정에서 발생할 수 있는 불량을 해소하기 위해 고안된 구조를 갖는 대면적 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an organic light emitting diode display. In particular, the present invention relates to a large area organic light emitting diode display device having a structure designed to eliminate defects that may occur during the process of simplifying the manufacturing process of a large area organic light emitting diode display device.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광장치(Electro-Luminescence device, EL) 등이 있다.2. Description of the Related Art Recently, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs), have been developed. Such flat panel display devices include a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), and an electro-luminescence device (EL) .

도 1은 종래 기술에 의한 능동소자인 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 혹은 "TFT")를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display Device: OLED)의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1에서 절취선 I-I'로 자른 단면으로 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.FIG. 1 is a plan view showing the structure of an organic light emitting diode display device (OLED) using a thin film transistor (or "TFT") which is an active element according to the related art. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the cutting line I-I 'in FIG. 1, illustrating a structure of a conventional organic light emitting diode display device.

도 1 및 2를 참조하면, 유기발광 다이오드 표시장치는 박막 트랜지스터(ST, DT) 및 박막 트랜지스터(ST, DT)와 연결되어 구동되는 유기발광 다이오드(OLED)가 형성된 박막 트랜지스터 기판, 박막 트랜지스터 기판 위에 실(FS)재를 사이에 두고 합착하는 배리어 필름(BF)을 포함한다. 박막 트랜지스터 기판은 스위칭 TFT(ST), 스위칭 TFT(ST)와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.1 and 2, the organic light emitting diode display device includes a thin film transistor (TFT) substrate having a thin film transistor (ST) and a thin film transistor (DT) and an organic light emitting diode (OLED) And a barrier film (BF) which is bonded together with a sealant (FS) interposed therebetween. The thin film transistor substrate includes a switching TFT ST, a driving TFT DT connected to the switching TFT ST, and an organic light emitting diode OLED connected to the driving TFT DT.

유리 기판(SUB) 위에 스위칭 TFT(ST)는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 게이트 라인(GL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다. 그리고 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 애노드 전극(ANO)을 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체층(DA), 구동 전류 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.On the glass substrate SUB, the switching TFT ST is formed at a position where the gate line GL and the data line DL cross each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG, a semiconductor layer SA, a source electrode SS and a drain electrode SD which branch off from the gate line GL. The driving TFT DT serves to drive the anode electrode ANO of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST and a source electrode DS connected to the semiconductor layer DA and the driving current wiring VDD, DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode electrode ANO of the organic light emitting diode.

도 2에서는 일례로, 탑 게이트(Top Gate) 구조의 박막 트랜지스터를 도시하였다. 이 경우, 스위칭 TFT(ST)의 반도체 층(SA) 및 구동 TFT(DT)의 반도체 층(DA)들이 기판(SUB) 위에 먼저 형성되고, 그 위를 덮는 게이트 절연막(GI) 위에 게이트 전극들(SG, DG)이 반도체 층들(SA, DA)의 중심부에 중첩되어 형성된다. 그리고 반도체 층들(SA, DA)의 양 측면에는 콘택홀을 통해 소스 전극들(SS, DS) 및 드레인 전극들(SD, DD)이 연결된다. 소스 전극(SS, DS) 및 드레인 전극(SD, DD)들은 게이트 전극들(SG, DG)을 덮는 절연막(IN) 위에 형성된다.In FIG. 2, a thin film transistor having a top gate structure is shown as an example. In this case, the semiconductor layer DA of the switching TFT ST and the semiconductor layer DA of the driving TFT DT are formed first on the substrate SUB, and the gate electrodes G1 and G2 are formed on the gate insulating film GI, SG, and DG are formed overlapping the center portions of the semiconductor layers SA and DA. Source electrodes SS and DS and drain electrodes SD and DD are connected to both sides of the semiconductor layers SA and DA through a contact hole. The source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD are formed on the insulating film IN covering the gate electrodes SG and DG.

또한, 화소 영역이 배치되는 표시 영역의 외주부에는, 각 게이트 라인(GL)의 일측 단부에 형성된 게이트 패드(GP), 각 데이터 라인(DL)의 일측 단부에 형성된 데이터 패드(DP), 그리고 각 구동 전류 배선(VDD)의 일측 단부에 형성된 구동 전류 패드(VDP)가 배치된다. 게이트 패드(GP)와 데이터 패드(DP)는 서로 다른 층에 형성되기 때문에 단차로 인해 불량이 발생할 수 있다. 이러한 단차 불량을 해소하기 위해 게이트 패드(GP)를 덮는 절연막(IN)을 패턴하여 게이트 패드(GP)를 노출하고, 절연막(IN) 위에 데이터 패드(DP)와 동일한 물질로 게이트 패드(GP)에 연결되는 게이트 중간 패드(GPI)를 더 형성하는 것이 바람직하다.A gate pad GP formed at one end of each gate line GL and a data pad DP formed at one end of each data line DL are formed in the outer periphery of the display region where the pixel region is disposed, A driving current pad VDP formed at one end of the current wiring VDD is disposed. Since the gate pad GP and the data pad DP are formed on different layers, defects may occur due to the step difference. The gate pad GP is exposed by patterning the insulating film IN covering the gate pad GP and the gate pad GP is formed on the insulating film IN with the same material as the data pad DP It is preferable to further form a gate intermediate pad GPI to be connected.

스위칭 TFT(ST)와 구동 TFT(DT)가 형성된 기판(SUB) 위에 보호막(PAS)이 전면 도포된다. 그리고 게이트 중간 패드(GPI), 데이터 패드(DP), 구동 전류 패드(VDP), 그리고, 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)을 노출하는 콘택홀들이 형성된다. 그리고 기판(SUB) 중에서 표시 영역 위에는 평탄화 막(PL)이 도포된다. 평탄화 막(PL)을 패턴하여 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)을 노출하는 콘택홀이 형성된다. 한편, 게이트 중간 패드(GPI) 및 데이터 패드(GP) 부분은 완전히 노출되도록 평탄화 막(PL)을 패턴한다. 평탄화 막(PL)은 유기발광 다이오드를 구성하는 유기물질을 매끈한 평면 상태에서 도포하기 위해 기판 표면의 거칠기를 균일하게 하는 기능을 한다.The protective film PAS is entirely coated on the substrate SUB on which the switching TFT ST and the driving TFT DT are formed. Contact holes are formed to expose the gate intermediate pad GPI, the data pad DP, the driving current pad VDP, and the drain electrode DD of the driving TFT DT. Then, a flattening film PL is applied onto the display area of the substrate SUB. The planarizing film PL is patterned to form a contact hole exposing the drain electrode DD of the driving TFT DT. On the other hand, the gate intermediate pad GPI and the data pad GP portions are patterned to completely expose the planarizing film PL. The planarization layer PL serves to uniformize the roughness of the substrate surface in order to apply the organic material constituting the organic light emitting diode in a smooth planar state.

평탄화 막(PL) 위에는 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 접촉하는 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 또한, 평탄화 막(PL)이 형성되지 않은 표시 영역의 외주부에서도, 보호막(PAS)에 형성된 콘택홀들을 통해 노출된 게이트 중간 패드(GPI), 데이터 패드(DP) 그리고 구동 전류 패드(VDP) 위에는 게이트 패드 단자(GPT), 데이터 패드 단자(DPT) 그리고 구동 전류 패드 단자(VDPT)가 각각 형성된다. 표시 영역 내에서 특히 발광 영역을 제외한 기판(SUB) 위에 뱅크(BANK)가 형성된다.An anode electrode ANO is formed on the planarizing film PL in contact with the drain electrode DD of the driving TFT DT through the contact hole. The gate pad PUS is formed on the gate intermediate pad GPI, the data pad DP, and the driving current pad VDP exposed through the contact holes formed in the passivation layer PAS in the outer peripheral portion of the display region where the planarization film PL is not formed. A pad terminal GPT, a data pad terminal DPT, and a driving current pad terminal VDPT, respectively. A bank (BANK) is formed on the substrate (SUB) except for the light emitting region in the display region.

상기와 같은 구조를 갖는 박막 트랜지스터 기판 위, 전체 표면에 실재(FS)를 도포하고, 실재(FS)를 매개로 하여 배리어 필름(BF)을 합착한다. 즉, 박막 트랜지스터 기판과 배리어 필름(BF)은 그 사이에 개재된 실재(FS)를 이용하여 완전 밀봉 합착하도록 하는 것이 바람직하다. 게이트 패드(GP) 및 게이트 패드 단자(GPT) 그리고 데이터 패드(DP) 및 데이터 패드 단자(DPT)는 배리어 필름(BF) 외부에 노출되어 각종 연결 수단을 통해 외부에 설치되는 장치와 연결된다.(FS) is applied on the entire surface of the thin film transistor substrate having the above-described structure, and the barrier film (BF) is adhered via the substance FS. In other words, it is preferable that the thin film transistor substrate and the barrier film (BF) are completely sealed and cemented by using the substance (FS) sandwiched therebetween. The gate pad GP and the gate pad terminal GPT and the data pad DP and the data pad terminal DPT are exposed to the outside of the barrier film BF and are connected to an external device through various connecting means.

이와 같이 유기발광 다이오드 표시장치는 단일 기판(SUB) 위에 박막 트랜지스터(ST, DT), 유기발광 다이오드(OLED) 및 실재(FS)를 이용한 배리어 필름(BF)까지 모든 구성 요소를 적층한 구조로 완성된다. 즉, 액정 표시 장치와 같은 다른 평판형 표시장치와 달리 하나의 기판 위에 필수 구성 요소들이 적층되어 완성된다. 따라서, 생산 수율 및 생산 비용을 절감하기 위해서는 구성 요소들을 형성하기 위한 공정을 단순화하여 마스크 공정 수를 줄이기 위한 노력이 필요하다.Thus, the organic light emitting diode display device is completed with a structure in which all the components are stacked on a single substrate SUB, including a thin film transistor ST, a light emitting diode (OLED), and a barrier film BF using a reality FS do. That is, unlike other flat panel display devices such as a liquid crystal display device, essential components are stacked on one substrate and completed. Therefore, in order to reduce the production yield and the production cost, it is necessary to simplify the process for forming the components, thereby reducing the number of mask processes.

특히, 이와 같이 하나의 기판 위에서 여러 구성 요소들을 적층 형성하는 구조에서는 마스크 공정 하나를 줄이는 것만으로도 상당한 생산성 향상을 얻을 수 있기 때문에, 마스크 공정 수를 줄이기 위한 제조 기술 개발에 힘쓰고 있다.
Particularly, in the structure in which a plurality of components are stacked on one substrate, a significant productivity improvement can be obtained by reducing only one mask process. Therefore, efforts are being made to develop a manufacturing technique for reducing the number of mask processes.

본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출 된 발명으로써 마스크 공정 수를 절감하여 제작한 유기발광 다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은, 마스크 공정 수를 절감함에 따라 발생하는 불량을 방지할 수 있는 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic light emitting diode display device which is manufactured by reducing the number of mask processes as a solution to the problems of the prior art. It is another object of the present invention to provide an organic light emitting diode display device having a structure capable of preventing defects caused by reduction in the number of mask processes.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 표시 영역과 비 표시 영역으로 구획된 기판; 상기 표시 영역 내에 배치되는 화소 영역을 정의하도록, 상기 기판 위에 배치된 게이트 배선, 데이터 배선 및 구동 전류 배선; 상기 화소 영역 내에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 화소 영역 내에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터에 연결된 유기발광 다이오드; 상기 유기발광 다이오드의 발광 영역을 정의하도록 형성된 뱅크; 그리고 상기 뱅크 외부로 노출되며 상기 비 표시 영역에 배치된, 데이터 패드 및 구동 전류 패드, 그리고 상기 데이터 패드 및 상기 구동 전류 패드를 각각 덮는 데이터 패드 보호층 및 구동 패드 보호층을 포함한다.In order to achieve the above object, an organic light emitting diode display device according to the present invention includes: a substrate partitioned into a display region and a non-display region; A gate wiring, a data wiring, and a drive current wiring disposed on the substrate so as to define a pixel region disposed in the display region; A thin film transistor formed in the pixel region; An organic light emitting diode formed in the pixel region and connected to the thin film transistor; A bank formed to define a light emitting region of the organic light emitting diode; And a data pad protection layer and a driving pad protection layer which are exposed to the outside of the bank and are disposed in the non-display area, covering the data pad and the driving current pad, and the data pad and the driving current pad, respectively.

상기 데이터 패드 보호층 및 상기 구동 패드 보호층은 상기 유기발광 다이오드의 제1 전극층과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.The data pad protection layer and the driving pad protection layer may include the same material as the first electrode layer of the organic light emitting diode.

상기 제1 전극층은, ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 투명 도전 층; 그리고 상기 투명 도전 층 위에 적층된 은을 포함하는 은 합금 층을 포함하는 것을 특징으로 한다.The first electrode layer may include a transparent conductive layer including indium tin oxide (ITO); And a silver alloy layer including silver deposited on the transparent conductive layer.

상기 데이터 패드 보호층 및 상기 구동 패드 보호층은 상기 은 합금 층이 제거되어, 상기 투명 도전 층만을 포함하는 것을 특징으로 한다.Wherein the data pad protection layer and the driving pad protection layer include only the transparent conductive layer after the silver alloy layer is removed.

상기 박막 트랜지스터는, 상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선에 연결된 스위칭 박막 트랜지스터; 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 구동 전류 배선사이에 연결된 구동 박막 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 유기발광 다이오드에 연결된 것을 특징으로 한다.The thin film transistor includes: a switching thin film transistor connected to the gate wiring and the data wiring; And a driving thin film transistor connected between the drain electrode of the switching thin film transistor and the driving current wiring, wherein a drain electrode of the driving thin film transistor is connected to the organic light emitting diode.

상기 유기발광 다이오드는, 상기 구동 박막 트랜지스터의 상기 드레인 전극에 연결된 제1 전극; 상기 제1 전극 위에 도포된 유기발광층; 그리고 상기 유기발광층 위에 형성된 캐소드 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.Wherein the organic light emitting diode comprises: a first electrode connected to the drain electrode of the driving thin film transistor; An organic light emitting layer coated on the first electrode; And a cathode electrode formed on the organic light emitting layer.

상기 뱅크 외부로 노출되며 상기 비 표시 영역에 배치된, 게이트 패드; 그리고 상기 게이트 패드 상부에 형성된 게이트 보호층을 더 포함하고, 상기 게이트 보호층은 상기 데이터 패드 보호층 및 상기 구동 패드 보호층과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.A gate pad exposed outside the bank and disposed in the non-display area; And a gate protection layer formed on the gate pad, wherein the gate protection layer includes the same material as the data pad protection layer and the driving pad protection layer.

상기 비 표시 영역에는 기저 전압을 제공하는 기저 배선; 그리고 상기 기저 배선 상부에 형성된 기저 배선 보호층을 더 포함하고, 상기 기저 배선 보호층은 상기 데이터 패드 보호층 및 상기 구동 패드 보호층과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
A base line for providing a base voltage in the non-display region; And a base wiring protection layer formed on the base wiring, wherein the base wiring protection layer includes the same material as the data pad protection layer and the driving pad protection layer.

본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 보호막을 삭제하였다. 따라서, 보호막을 패턴하여 패드나 전극부를 노출시키는 콘택홀 형성을 위한 마스크 공정을 줄일 수 있다. 또한, 보호막을 삭제함으로써 노출된 금속층을 애노드 전극으로 덮어, 이후 도포되는 유기물 사이의 낮은 접촉력에 의한 들뜸 및/또는 얼룩 불량을 방지할 수 있다. 더구나, 애노드 전극이 은 합금 층과 투명 도전물질인 ITO 층을 포함할 경우, 은 합금층의 산화에 의한 불량을 방지하기 위해, 외부에 노출되는 부분에서는 은 합금 층을 선택적으로 제거하였다. 따라서, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 마스크 수를 저감하는 공정에서 발생할 수 있는 불량을 방지하는 구조를 갖는다.
In the organic light emitting diode display device according to the present invention, a protective film is removed. Therefore, the mask process for forming the contact hole for exposing the pads and the electrode portions can be reduced by patterning the protective film. In addition, by deleting the protective film, the exposed metal layer can be covered with the anode electrode, so that floating and / or unevenness due to low contact force between organic substances to be coated thereafter can be prevented. In addition, when the anode electrode includes the silver alloy layer and the ITO layer, which is a transparent conductive material, the silver alloy layer is selectively removed in the portion exposed to the outside in order to prevent defects due to oxidation of the silver alloy layer. Therefore, the organic light emitting diode display device according to the present invention has a structure for preventing defects that may occur in the process of reducing the number of masks.

도 1은 종래 기술에 의한 능동소자인 박막 트랜지스터를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도.
도 2는 도 1에서 절취선 I-I'로 자른 단면으로 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명에 의한 능동소자인 박막 트랜지스터를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3에서 절취선 II-II'로 자른 단면으로 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 도 3에서 절취선 II-II'로 자른 단면으로 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 6a는 보호막을 삭제한 방법에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 패드 부 구조를 나타내는 확대 단면도.
도 6b는 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 패드부 구조를 나타내는 확대 단면도.
도 6c는 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 패드부 구조를 나타내는 확대 단면도.1 is a plan view showing a structure of an organic light emitting diode display device using a thin film transistor which is an active device according to the related art.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along a cutting line I-I 'in FIG. 1, showing a structure of a conventional organic light emitting diode display device. FIG.
3 is a plan view showing the structure of an organic light emitting diode display device using a thin film transistor which is an active element according to the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view cut along a cutting line II-II 'in FIG. 3, showing a structure of an organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view cut along a cutting line II-II 'in FIG. 3, showing a structure of an organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention.
6A is an enlarged cross-sectional view showing a pad structure of an organic light emitting diode display device by a method in which a protective film is removed.
FIG. 6B is an enlarged cross-sectional view illustrating a pad structure of an organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 6C is an enlarged cross-sectional view illustrating the pad structure of the organic light emitting diode display device according to the second embodiment of the present invention; FIG.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지된 내용 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail to avoid unnecessarily obscuring the subject matter of the present invention.

이하, 도 3 및 4를 참조하여 본 발명의 제1 실시 에에 대하여 설명한다. 도 3은 본 발명에 의한 능동소자인 박막 트랜지스터를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다. 본 발명의 주요 특징이 보호막을 삭제하는 구조를 갖는다. 따라서, 평면도에서는 본 발명의 특징이 확연하게 드러나지 않을 수 있다. 그러므로 도 3은 종래 기술에 의한 도 1과 거의 동일하다. 도 4는 도 3에서 절취선 II-II'로 자른 단면으로 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.Hereinafter, the first embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 3 and 4. Fig. 3 is a plan view showing a structure of an organic light emitting diode display device using a thin film transistor which is an active element according to the present invention. The main feature of the present invention is that it has a structure to remove the protective film. Therefore, the features of the present invention may not be evident in the plan view. Therefore, Fig. 3 is almost the same as Fig. 1 according to the prior art. FIG. 4 is a cross-sectional view cut along a cutting line II-II 'in FIG. 3, illustrating a structure of an organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.

도 3 및 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 박막 트랜지스터(ST, DT) 및 박막 트랜지스터(ST, DT)와 연결되어 구동되는 유기발광 다이오드(OLED)가 형성된 박막 트랜지스터 기판, 박막 트랜지스터 기판 위에 실(FS)재를 사이에 두고 합착하는 배리어 필름(BF)을 포함한다. 박막 트랜지스터 기판은 스위칭 TFT(ST), 스위칭 TFT(ST)와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.3 and 4, the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode OLED driven by a thin film transistor ST and a thin film transistor DT, , And a barrier film (BF) for bonding the thin film transistor substrate to the thin film transistor substrate with a sealant (FS) interposed therebetween. The thin film transistor substrate includes a switching TFT ST, a driving TFT DT connected to the switching TFT ST, and an organic light emitting diode OLED connected to the driving TFT DT.

유리 기판(SUB) 위에 스위칭 TFT(ST)는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 게이트 라인(GL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다. 그리고 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 애노드 전극(ANO)을 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.On the glass substrate SUB, the switching TFT ST is formed at a position where the gate line GL and the data line DL cross each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG, a semiconductor layer SA, a source electrode SS and a drain electrode SD which branch off from the gate line GL. The driving TFT DT serves to drive the anode electrode ANO of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST and a source electrode DS connected to the semiconductor layer DA and the driving current wiring VDD, DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode electrode ANO of the organic light emitting diode.

도 4에서는 일례로, 탑 게이트(Top Gate) 구조의 박막 트랜지스터를 도시하였다. 이 경우, 스위칭 TFT(ST)의 반도체 층(SA) 및 구동 TFT(DT)의 반도체 층(DA)들이 기판(SUB) 위에 먼저 형성되고, 그 위를 덮는 게이트 절연막(GI) 위에 게이트 전극들(SG, DG)이 반도체 층들(SA, DA)의 중심부에 중첩되어 형성된다. 그리고 반도체 층들(SA, DA)의 양 측면에는 콘택홀을 통해 소스 전극들(SS, DS) 및 드레인 전극들(SD, DD)이 연결된다. 소스 전극(SS, DS) 및 드레인 전극(SD, DD)들은 게이트 전극들(SG, DG)을 덮는 절연막(IN) 위에 형성된다.In FIG. 4, a thin film transistor having a top gate structure is shown as an example. In this case, the semiconductor layer DA of the switching TFT ST and the semiconductor layer DA of the driving TFT DT are formed first on the substrate SUB, and the gate electrodes G1 and G2 are formed on the gate insulating film GI, SG, and DG are formed overlapping the center portions of the semiconductor layers SA and DA. Source electrodes SS and DS and drain electrodes SD and DD are connected to both sides of the semiconductor layers SA and DA through a contact hole. The source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD are formed on the insulating film IN covering the gate electrodes SG and DG.

또한, 화소 영역이 배치되는 표시 영역의 외주부에는, 각 게이트 라인(GL)의 일측 단부에 형성된 게이트 패드(GP), 각 데이터 라인(DL)의 일측 단부에 형성된 데이터 패드(DP), 그리고 각 구동 전류 전송 배선(VDD)의 일측 단부에 형성된 구동 전류 패드(VDP)가 배치된다. 게이트 패드(GP)와 데이터 패드(DP)는 서로 다른 층에 형성되기 때문에 단차로 인해 불량이 발생할 수 있다. 이러한 단차 불량을 해소하기 위해 게이트 패드(GP)를 덮는 절연막(IN)을 패턴하여 게이트 패드(GP)를 노출하고, 절연막(IN) 위에 데이터 패드(DP)와 동일한 물질로 게이트 패드(GP)에 연결되는 게이트 중간 패드(GPI)를 더 형성하는 것이 바람직하다.A gate pad GP formed at one end of each gate line GL and a data pad DP formed at one end of each data line DL are formed in the outer periphery of the display region where the pixel region is disposed, A driving current pad VDP formed at one end of the current transfer wiring VDD is disposed. Since the gate pad GP and the data pad DP are formed on different layers, defects may occur due to the step difference. The gate pad GP is exposed by patterning the insulating film IN covering the gate pad GP and the gate pad GP is formed on the insulating film IN with the same material as the data pad DP It is preferable to further form a gate intermediate pad GPI to be connected.

본 발명의 제1 실시 예에서는, 마스크 공정 수를 줄이기 위해, 스위칭 TFT(ST)와 구동 TFT(DT), 그리고 게이트 중간 패드(GPI)와 데이터 패드(DP)가 완성된 기판(SUB) 위에 보호막을 도포하지 않는다. 따라서, 게이트 중간 패드(GPI), 데이터 패드(DP), 구동 전류 패드(VDP), 그리고, 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)을 노출하는 콘택홀들을 형성하기 위한 마스크 공정이 필요 없다. 그 결과, 제조 시간을 단축하고, 제조 비용을 절감함으로써 생산성을 향상할 수 있다.In the first embodiment of the present invention, in order to reduce the number of mask processes, on the substrate SUB on which the switching TFT ST, the driving TFT DT, the gate intermediate pad GPI and the data pad DP are completed, . Hence, there is no need for a mask process for forming contact holes exposing the gate intermediate pad GPI, the data pad DP, the driving current pad VDP, and the drain electrode DD of the driving TFT DT. As a result, the productivity can be improved by shortening the manufacturing time and reducing the manufacturing cost.

그리고 기판(SUB) 중에서 표시 영역 위에는 평탄화 막(PL)이 도포된다. 평탄화 막(PL)을 패턴하여 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)을 노출하는 콘택홀이 형성된다. 한편, 게이트 중간 패드(GPI) 및 데이터 패드(GP) 부분은 완전히 노출되도록 평탄화 막(PL)을 패턴한다. 평탄화 막(PL)은 유기발광 다이오드를 구성하는 유기물질을 매끈한 평면 상태에서 도포하기 위해 기판 표면의 거칠기를 균일하게 하는 기능을 한다.Then, a flattening film PL is applied onto the display area of the substrate SUB. The planarizing film PL is patterned to form a contact hole exposing the drain electrode DD of the driving TFT DT. On the other hand, the gate intermediate pad GPI and the data pad GP portions are patterned to completely expose the planarizing film PL. The planarization layer PL serves to uniformize the roughness of the substrate surface in order to apply the organic material constituting the organic light emitting diode in a smooth planar state.

평탄화 막(PL) 위에는 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 접촉하는 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 또한, 평탄화 막(PL)이 형성되지 않은 표시 영역의 외주부에서는 노출된 게이트 중간 패드(GPI), 데이터 패드(DP) 그리고 구동 전류 패드(VDP) 위에는 게이트 패드 단자(GPT), 데이터 패드 단자(DPT) 그리고 구동 전류 패드 단자(VDPT)들을 애노드 전극(ANO) 물질로 덮는 것이 바람직하다.An anode electrode ANO is formed on the planarizing film PL in contact with the drain electrode DD of the driving TFT DT through the contact hole. A gate pad terminal GPT and a data pad terminal DPT are formed on the exposed gate intermediate pad GPI, the data pad DP and the driving current pad VDP in the outer peripheral portion of the display region where the planarization film PL is not formed. ) And the driving current pad terminals (VDPT) with the anode electrode (ANO) material.

이후에, 뱅크(BANK) 물질을 도포하고 패드부를 노출하도록 패턴하는데, 뱅크(BANK) 물질이 노출된 게이트 중간 패드(GPI), 데이터 패드(DP) 그리고 구동 전류 패드(VDP)와 직접 접촉하게 된다. 특히, 패드 부분하고만 접촉하는 것이 아니고, 패드에서 연장된 배선들하고도 접촉하게 된다. 또한, 도면으로 도시하지 않았지만, 패드부 근처에는 캐소드 전극(CAT)에 기저전압을 공급하기 위한 기저 배선이 배치될 수 있다. 이들 기저 배선을 데이터 배선과 동일한 금속층으로 형성하는 경우에는, 패드 및 연장 배선 그리고 기저 배선들이 노출된다.The BANK material is then in direct contact with the exposed gate intermediate pad GPI, the data pad DP, and the drive current pad VDP, in order to apply the BANK material and expose the pad portion . In particular, not only the pad portion but also the wirings extending from the pad are brought into contact with each other. Although not shown in the drawing, a base wire for supplying a base voltage to the cathode electrode CAT may be disposed near the pad portion. When these base wirings are formed of the same metal layer as the data wirings, the pads, extended wirings and base wirings are exposed.

뱅크(BANK) 물질로 사용하는 폴리이미드(polyimide)는 몰리브덴-티타늄(MoTi) 또는 구리(Cu)를 포함하는 데이터 금속 물질과의 접촉성이 좋지 않다. 즉, 뱅크(BANK) 물질과 데이터 금속 물질 사이의 표면 에너지 차이로 인하여 접촉 특성이 나빠 서로 잘 접촉되지 않는다. 그 결과 뱅크(BANK) 물질을 도포할 때, 데이터 금속 물질이 없는 부분인 절연막(IN)이 노출된 부분으로 몰리는 현상이 발생할 수 있다. 또한, 데이터 금속 물질 상부에 도포되더라도, 들뜨는 현상이 발생할 수 있다. 따라서, 나중에 패턴하여 제거되더라도, 패드 부분에 도포된 뱅크(BANK) 물질은 데이터 금속 물질 사이에서 도포 불량, 들뜸 및/또는 얼룩이 발생할 수 있고, 이것은 표시 영역에까지 영향을 줄 수 있다. 즉, 뱅크(BANK)와 평탄화 막(PL) 사이에는 접촉 문제가 없지만, 패드 영역에서 발생한 도포 불량, 들뜸 및/또는 얼룩이 현상이 표시 영역으로 전파되어 뱅크(BANK)와 평탄화 막(PL) 사이에도 유기박막 접착 불량 및 표시 품질 불량이 발생할 수 있다.The polyimide used as the bank material has poor contact with data metal materials including molybdenum-titanium (MoTi) or copper (Cu). That is, due to the difference in surface energy between the BANK material and the data metal material, the contact characteristics are poor and the electrodes do not contact each other well. As a result, when the bank material is applied, a phenomenon may occur in which the insulating film IN, which is a portion where there is no data metal material, is pushed to the exposed portion. In addition, even if it is applied on the data metallic material, flipping phenomenon may occur. Thus, even if the pattern is removed later, the bank material applied to the pad portion may cause poor coating, lifting and / or smearing between the data metal materials, which may affect the display area. In other words, there is no contact problem between the bank BANK and the planarizing film PL, but there is no contact problem between the bank BANK and the planarizing film PL, and the coating failure, lifting and / Poor adhesion of the organic thin film and poor display quality may occur.

이러한 문제를 해결하기 위해, 본 발명의 제1 실시 예에서는, 비 표시 영역에 배치된 데이터 금속 물질로 형성된 배선 및 패드들을 애노드 전극(ANO) 물질로 덮는다. 제1 실시 예에서의 애노드 전극(ANO) 물질은, 하부층은 Indium Tin Oxide와 같은 투명 도전층(ITO)이고 상부층은 은 98%를 포함하는 은 합금층(Ag)이 적층된 구조를 갖는다. 표시 영역 내에서 특히 화소 영역을 제외한 기판(SUB) 위에 뱅크(BANK)가 형성된다.In order to solve this problem, in the first embodiment of the present invention, the wiring and pads formed of the data metal material disposed in the non-display area are covered with the anode electrode (ANO) material. The anode electrode (ANO) material in the first embodiment has a structure in which the lower layer is a transparent conductive layer (ITO) such as Indium Tin Oxide and the upper layer is a layered silver alloy layer (Ag) containing 98% silver. A bank (BANK) is formed on the substrate (SUB) except for the pixel region in the display region.

뱅크(BANK)가 형성된 기판 위에 유기발광 층(OLE)을 도포한다. 그리고 유기발광 층(OLE) 위에 캐소드 전극(CAT)을 도포한다. 유기발광 층(OLE)이 적, 녹, 청 중 어느 한 색상을 발현하는 물질일 경우에는 유기발광 층(OLE)은 뱅크(BANK)에 의해 정의된 발광 영역 내에 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 유기발광 층(OLE)이 백색광을 발현하는 물질인 경우에는 기판(SUB) 전체 면에 도포할 수도 있다. 캐스드 전극(CAT)은 뱅크(BANK)가 형성된 영역 전체에 걸쳐 도포하는 것이 바람직하다. 이로써, 구동 박막 트랜지스터(DT)에 연결된, 애노드 전극(ANO), 유기발광층(OLE) 및 캐소드 전극(CAT)이 적층된 유기발광 다이오드(OLED)가 완성된다.An organic light emitting layer (OLE) is coated on a substrate on which a bank (BANK) is formed. Then, a cathode electrode (CAT) is coated on the organic light emitting layer (OLE). When the organic light emitting layer (OLE) is a material that emits red, green or blue light, the organic light emitting layer (OLE) is preferably formed in the light emitting region defined by the bank (BANK). When the organic light emitting layer (OLE) is a substance which emits white light, it may be applied to the entire surface of the substrate (SUB). The cast electrode (CAT) is preferably applied over the entire region where the bank (BANK) is formed. This completes the organic light emitting diode OLED in which the anode electrode ANO, the organic light emitting layer OLE and the cathode electrode CAT are laminated, which is connected to the driving thin film transistor DT.

상기와 같은 구조를 갖는 박막 트랜지스터 기판 위의, 전체 표면에 실재(FS)를 도포하고, 실재(FS)를 매개로 하여 배리어 필름(BF)을 합착한다. 즉, 박막 트랜지스터 기판과 배리어 필름(BF)은 그 사이에 개재된 실재(FS)를 이용하여 완전 밀봉 합착하도록 하는 것이 바람직하다. 게이트 패드(GP) 및 게이트 패드 단자(GPT) 그리고 데이터 패드(DP) 및 데이터 패드 단자(DPT)는 배리어 필름(BF) 외부에 노출되어 각종 연결 수단을 통해 외부에 설치되는 장치와 연결된다.(FS) is applied to the entire surface of the thin film transistor substrate having the above-described structure, and the barrier film (BF) is adhered via the substance FS. In other words, it is preferable that the thin film transistor substrate and the barrier film (BF) are completely sealed and cemented by using the substance (FS) sandwiched therebetween. The gate pad GP and the gate pad terminal GPT and the data pad DP and the data pad terminal DPT are exposed to the outside of the barrier film BF and are connected to an external device through various connecting means.

특히, 제1 실시 예에서는 보호막을 구비하지 않음으로 하여, 보호막을 패턴하기 위한 마스크 공정이 삭제된다. 또한, 보호막이 삭제됨으로 하여 발생할 수 있는 데이터 금속 물질 위에 도포되는 유기막과의 낮은 접촉력으로 인해 발생할 수 있는 도포 불량, 들뜸 및/또는 얼룩을 방지할 수 있다. 이를 위해, 데이터 금속 물질을 애노드 전극 물질로 덮는다.
Particularly, in the first embodiment, the mask process for patterning the protective film is eliminated without providing a protective film. In addition, it is possible to prevent application failure, lifting and / or staining that may occur due to a low contact force with the organic film applied on the data metallic material, which may be caused by the removal of the protective film. To this end, the data metal material is covered with the anode electrode material.

하지만, 제1 실시 예의 경우와 같이 애노드 전극(ANO)에 은 합금층(Ag)을 포함하는 경우, 노출된 은 합금층(Ag)의 부식으로 인해 다른 문제가 발생할 수 있다. 예를 들어, 도 4를 참조하면, 상층에 노출된 은 합금층(Ag)에서 부식이 발생하고, 이 부식은 표시 영역으로 연장된 배선을 따라 전파되어 불량을 야기할 수 있다.However, when the anode electrode ANO includes the silver alloy layer (Ag) as in the case of the first embodiment, other problems may occur due to corrosion of the exposed silver alloy layer (Ag). For example, referring to FIG. 4, corrosion occurs in the silver alloy layer (Ag) exposed in the upper layer, and this corrosion may propagate along the wiring extended to the display area, resulting in defects.

이하, 도 5를 참조하여 본 발명의 제2 실시 예를 설명한다. 도 5는 도 3에서 절취선 II-II'로 자른 단면으로 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view cut along a perforated line II-II 'in FIG. 3, illustrating a structure of an organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 거의 모든 구성 요소들이 제1 실시 예의 것과 동일하다. 따라서, 동일한 부분에 대한 내용은 중복된 것으로 여기서 따로 설명하지 않는다.The organic light emitting diode display according to the second embodiment of the present invention has substantially the same components as those of the first embodiment. Therefore, the same parts are duplicated and are not separately described here.

차이가 있다면, 보호막이 삭제됨으로 하여 노출된 데이터 금속층을 덮는 애노드 전극층(ANO)의 구조에 있다. 제2 실시 예에서는 데이터 금속층을 패턴할 때, 특히 뱅크(BANK)와 접촉하는 부분을 덮는 애노드 전극층(ANO)에 포함된 은 합금층을 선택적으로 제거한 구조를 갖는 것을 특징으로 한다. 따라서, 데이터 금속층의 상부에는 애노드 전극층(ANO)의 ITO 층(ITO)만이 존재한다. 그 결과, 비 표시 영역에서는 데이터 금속층 위에 뱅크(BANK)를 도포할 때 뱅크(BANK) 물질은 ITO 층(ITO)과 접촉한다. ITO 층(ITO)과 뱅크(BANK) 물질 사이에서는 접촉성이 우수하다. 따라서, 뱅크(BANK) 물질과 비 표시 영역에 배치되는 패드 및 배선들과 뱅크(BANK) 물질 사이에서의 접촉력이 증가하여 도포 불량, 들뜸 및/또는 얼룩이 발생하지 않는다.
If there is a difference, the structure of the anode electrode layer (ANO) covers the exposed data metal layer by removing the protective film. The second embodiment is characterized in that it has a structure in which a silver alloy layer contained in the anode electrode layer (ANO) covering a portion in contact with the bank (BANK) is selectively removed when patterning the data metal layer. Therefore, only the ITO layer (ITO) of the anode electrode layer (ANO) exists on the data metal layer. As a result, the bank (BANK) material is in contact with the ITO layer (ITO) when the bank (BANK) is coated on the data metal layer in the non-display area. The contact between the ITO layer (ITO) and the bank material is excellent. Therefore, the contact force between the bank (BANK) material and the pads and wirings disposed in the non-display area and the bank material increases, so that defective coating, lifting and / or smearing does not occur.

이하, 도 6a 내지 6c를 더 참조하여, 본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 의한 비 표시 영역에 배치된 패드 및 배선들의 구조적 특징에 대하여 비교 설명한다. 도 6a는 보호막을 삭제한 방법에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 패드 부 구조를 나타내는 확대 단면도이다. 도 6b는 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 패드부 구조를 나타내는 확대 단면도이다. 도 6c는 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 패드부 구조를 나타내는 확대 단면도이다.Hereinafter, structural characteristics of the pads and the wirings disposed in the non-display region according to the first and second embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 6A to 6C. 6A is an enlarged cross-sectional view showing a structure of a pad portion of an organic light emitting diode display device by a method in which a protective film is removed. 6B is an enlarged cross-sectional view illustrating the pad structure of the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention. 6C is an enlarged cross-sectional view illustrating a pad structure of an organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention.

도 6a를 참조하면, 보호막이 삭제되어 절연막(IN) 위에 형성되는 데이터 금속 물질인 몰리브덴-티타늄(MoTi) 또는 구리(Cu)를 포함하는 게이트 중간 패드(GPI)와 데이터 패드(DP)가 노출된 구조를 갖는다. 이 상태에서 평탄화 막(PI) 및/또는 뱅크(BANK)를 도포하면, 데이터 금속 물질과의 계면 접착력이 떨어지기 때문에 도포 불량, 들뜸 및/또는 얼룩이 발생할 수 있다.6A, a gate intermediate pad GPI including molybdenum-titanium (MoTi) or copper (Cu), which is a data metal material formed on a dielectric layer IN with a protective layer removed, and a data pad DP are exposed Structure. If the planarizing film (PI) and / or the bank (BANK) is coated in this state, the interfacial adhesion with the data metal material is deteriorated, and coating failure, lifting and / or smearing may occur.

예를 들어, 평탄화 막(PI)을 패턴한 후, 뱅크(BANK) 물질인 폴리이미드(PI)를 기판(SUB) 전체에 도포한다. 그러면, 노출된 데이터 패드(DP)가 폴리이미드(PI)와 접촉하는데, 이 사이에서 표면 에너지 차이로 인해, 접촉력이 좋지 않아, 도포 불량, 들뜸 및/또는 얼룩이 발생할 수 있다. 이러한 불량은 뱅크(BANK)와 평탄화 막(PL)의 접촉 부분에까지 연장되어 영향을 줄 수 있다. 따라서, 점선에 표시한 부분처럼 뱅크(BANK)를 패턴한 후에도, 뱅크(BANK)와 평탄화 막(PL) 사이의 도포 불량, 들뜸 및/또는 얼룩이 유지되고, 이는 표시 장치 전체의 불량을 야기할 수 있다.For example, after the planarization film PI is patterned, polyimide (PI), which is a bank material, is applied to the entire substrate SUB. Then, the exposed data pad DP is in contact with the polyimide (PI), and due to the difference in surface energy therebetween, the contact force is poor, and coating failure, lifting and / or smearing may occur. Such defects may extend to the contact portion between the bank (BANK) and the planarizing film (PL) and may affect the contact. Therefore, even after the bank BANK is patterned like the portion indicated by the dotted line, the coating failure, lifting and / or unevenness between the bank BANK and the planarizing film PL is maintained, have.

이를 방지하기 위해 본 발명의 제1 실시 예에서는 데이터 금속 물질을 애노드 전극층(ANO)으로 덮는다. 애노드 전극층(ANO)을 구성하는 은 합금 층(Ag)은 뱅크(BANK) 물질과의 접촉성이 우수하여, 뱅크(BANK) 물질을 도포할 때 얼룩이나 들뜸이 발생하지 않는다.In order to prevent this, the data metal material is covered with the anode electrode layer (ANO) in the first embodiment of the present invention. The silver alloy layer (Ag) constituting the anode electrode layer (ANO) has excellent contact with the BANK material, so that no stain or lifting occurs when the BANK material is applied.

예를 들어, 도 6b에서 도시한 바와 같이, 평탄화 막(PL)에 의해 노출된, 데이터 패드(DP) 및 일부 데이터 배선(DL) 위에는 애노드 전극층(ANO)이 적층된 구조를 갖는다. 따라서, 이후에 뱅크(BANK) 물질인 폴리이미드(PI)를 도포할 때, 애노드 전극층(ANO)과의 우수한 접촉력으로 인해 비 표시 영역에서 폴리이미드(PI)와 데이터 금속 사이에서의 도포 불량, 들뜸 및/또는 얼룩이 발생하지 않는다. 이후, 뱅크(BANK)를 패턴하여 폴리이미드층(PI)이 제거되더라도, 표시 영역 내에 있는 뱅크(BANK)와 평탄화 막(PI) 사이에서 어떠한 표시 품질 불량도 발생하지 않는다.For example, as shown in FIG. 6B, the anode electrode layer ANO is stacked on the data pad DP and some data lines DL exposed by the planarizing film PL. Therefore, when the polyimide (PI), which is a bank material, is applied thereafter, the poor adhesion between the polyimide (PI) and the data metal in the non-display area due to the excellent contact force with the anode electrode ANO, And / or smudges do not occur. Thereafter, even if the polyimide layer PI is removed by patterning the bank BANK, no display quality defect occurs between the bank BANK and the planarizing film PI in the display area.

하지만, 뱅크(BANK)를 패턴한 후에 비 표시 영역에 배치된 배선 및 패드 위에는 은 합금 층(Ag)이 노출된다. 은 합금 층(Ag)은 부식이 쉽게 발생할 수 있다. 이 경우, 비 표시 영역에서 발생한 부식이 배선을 따라 표시 영역으로 전파되고, 이로 인해 수분이 표시 영역으로 침투하는 경로가 형성될 수 있다.However, after patterning the bank (BANK), the silver alloy layer (Ag) is exposed on the wiring and the pad arranged in the non-display area. Silver alloy layer (Ag) can easily corrode. In this case, the corrosion generated in the non-display area propagates along the wiring to the display area, so that a path through which moisture penetrates into the display area can be formed.

이를 방지하기 위해서, 도 6c에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시 예에서는 비 표시 영역에 형성된 패드 및 배선의 상층을 덮는 애노드 전극층(ANO)은 은 합금 층(Ag)이 선택적으로 삭제된 구조를 갖는다. 그 결과, 외부에 노출된 비 표시 영역에서 부식이 발생하지 않아 수분이 표시 영역으로 침투하는 문제를 차단할 수 있다.In order to prevent this, as shown in FIG. 6C, in the second embodiment of the present invention, the anode electrode layer ANO covering the pad and the upper layer of the wiring formed in the non-display region is formed by selectively removing the silver alloy layer (Ag) Structure. As a result, corrosion can be prevented from occurring in the non-display area exposed to the outside, thereby preventing moisture from penetrating into the display area.

이와 같은 구조를 갖도록 하기 위한 제조 과정을 간략하게 설명하면 다음과 같다. 평탄화 막(PL)을 도포하고 패턴하여 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD), 게이트 패드(GP), 데이터 패드(DP) 및 구동 전류 패드(VDP) 그리고 비 표시 영역에 배치된 일부 배선들을 노출한다. 그 후에 애노드 전극층(ANO) 물질을 도포하고 패턴하여, 애노드 전극(ANO)을 형성한다. 이와 동시에 비 표시 영역에 배치된 게이트 패드(GP), 데이터 패드(DP) 및 구동 전류 패드(VDP) 그리고 일부 배선들 위에 적층된 애노드 전극층(ANO)을 각각 형성한다. A manufacturing process for achieving such a structure will be briefly described as follows. The planarization film PL is applied and patterned so that the drain electrode DD, the gate pad GP, the data pad DP and the driving current pad VDP of the driving TFT DT and some wirings arranged in the non- Exposed. Thereafter, an anode electrode layer (ANO) material is applied and patterned to form an anode electrode ANO. At the same time, a gate pad GP, a data pad DP, a driving current pad VDP, and an anode electrode layer ANO stacked over some wirings are formed in a non-display region, respectively.

애노드 전극층(ANO)은 하부에 ITO 층(ITO) 그리고 상부에는 은 합금 층(Ag)이 적층된 구조를 갖는다. 제2 실시 예에서는, 애노드 전극(ANO)은 ITO 층(ITO)과 은 합금 층(Ag)이 적층된 구조를 갖는다. 반면에 비 표시 영역에 형성된 게이트 패드(GP), 데이터 패드(DP) 및 구동 전류 패드(VDP) 그리고 일부 배선들 위에 적층된 보호층은 ITO 층(ITO)만이 존재하는 것을 특징으로 한다. 이를 위해, 애노드 전극층 물질을 패턴할 때에는 하프-톤(Half Tone) 마스크를 사용하는 것이 바람직하다.The anode electrode layer ANO has a structure in which an ITO layer (ITO) is formed on the lower portion and a silver alloy layer (Ag) is formed on the upper portion. In the second embodiment, the anode electrode ANO has a structure in which an ITO layer (ITO) and a silver alloy layer (Ag) are laminated. On the other hand, the protective layer stacked on the gate pad GP, the data pad DP, the driving current pad VDP and some wirings formed in the non-display region is characterized in that only the ITO layer (ITO) exists. For this purpose, it is preferable to use a half-tone mask when patterning the anode electrode layer material.

외부에 노출되는 비 표시 영역에 배치되는 패드 및 배선들 위에는 은 합금 층(Ag)이 배제된 ITO 층(ITO)이 도포되어 있으므로, 부식에 의해 수분이 표시 영역 내부로 전파되는 문제를 방지할 수 있다. 또한, 이후에 뱅크(BANK) 물질인 폴리이미드(PI)를 도포하더라도, 뱅크(BANK) 물질과 ITO 층(ITO) 사이에서의 계면 접착력이 우수하기 때문에 도포 불량, 들뜸 및/또는 얼룩이 발생하지 않는다. 이후, 뱅크(BANK)를 패턴하여 폴리이미드층(PI)이 제거되더라도, 표시 영역 내에 있는 뱅크(BANK)와 평탄화 막(PI) 사이에서 어떠한 표시 품질 불량도 발생하지 않는다.Since the ITO layer (ITO) in which the silver alloy layer (Ag) is removed is coated on the pads and the wirings disposed in the non-display area exposed to the outside, the problem that moisture is propagated into the display area due to corrosion can be prevented have. In addition, even if polyimide (PI) as a bank material is applied thereafter, since the interfacial adhesion between the bank material and the ITO layer (ITO) is excellent, defective coating, lifting and / or smudging does not occur . Thereafter, even if the polyimide layer PI is removed by patterning the bank BANK, no display quality defect occurs between the bank BANK and the planarizing film PI in the display area.

본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서는, 보호막이 삭제되어 제조 공정이 단순하고 생산성이 우수한 제조 공정을 제공한다. 더불어, 보호막이 삭제된 제조 공정에 의해 발생할 수 있는 뱅크 물질의 도포 불량으로 발생할 수 있는 얼룩을 방지할 수 있도록, ITO 층이 비 표시 영역에 배치된 데이터 금속을 덮는 구조를 갖는다. 또한, 비 표시 영역에 배치된 데이터 금속층을 덮는 보호물질에는 내부식성이 약한 은 합금 층은 선택적으로 배제되고 내부식성이 강한 ITO 층(ITO)만이 존재하여, 부식에 의한 불량도 방지할 수 있다.In the organic light emitting diode display device according to the second embodiment of the present invention, a protective film is removed to provide a simple manufacturing process and a high productivity. In addition, the ITO layer has a structure for covering the data metal disposed in the non-display area so as to prevent stains that may occur due to defective application of the bank material, which may be caused by the manufacturing process in which the protective film is removed. In addition, the protective material covering the data metal layer disposed in the non-display area has only the ITO layer (ITO), which is selectively exempted from the silver alloy layer having a weak corrosion resistance and is highly resistant to corrosion, so that defects due to corrosion can be prevented.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the present invention should not be limited to the details described in the detailed description, but should be defined by the claims.

ST: 스위칭 TFT DT: 구동 TFT
SG: 스위칭 TFT 게이트 전극 DG: 구동 TFT 게이트 전극
SS: 스위칭 TFT 소스 전극 DS: 구동 TFT 소스 전극
SD: 스위칭 TFT 드레인 전극 DD: 구동 TFT 드레인 전극
SA: 스위칭 TFT 반도체 층 DA: 구동 TFT 반도체 층
GL: 게이트 배선 DL: 데이터 배선
VDD: 구동 전류 배선 GP: 게이트 패드
DP: 데이터 패드 GPT: 게이트 패드 단자
DPT: 데이터 패드 단자 VDP: 구동 전류 패드
VDPT: 구동 전류 패드 단자 GPH: 게이트 패드 콘택홀
DPH: 데이터 패드 콘택홀 VPH: 구동 전류 패드 콘택홀
GI: 게이트 절연막 IN: 절연막
PAS: 보호막 PL: 평탄화 막
OL: 유기막 OLED: 유기발광 다이오드
FS: 실 BF: 배리어 필름
BANK: 뱅크 ITO: ITO 층
Ag: 은 합금 층ST: switching TFT DT: driving TFT
SG: switching TFT gate electrode DG: driving TFT gate electrode
SS: switching TFT source electrode DS: driving TFT source electrode
SD: switching TFT drain electrode DD: driving TFT drain electrode
SA: switching TFT semiconductor layer DA: driving TFT semiconductor layer
GL: gate wiring DL: data wiring
VDD: Drive current wiring GP: Gate pad
DP: Data pad GPT: Gate pad terminal
DPT: Data pad terminal VDP: Drive current pad
VDPT: driving current pad terminal GPH: gate pad contact hole
DPH: Data pad contact hole VPH: Drive current pad contact hole
GI: Gate insulating film IN: Insulating film
PAS: protective film PL: planarization film
OL: organic film OLED: organic light emitting diode
FS: yarn BF: barrier film
BANK: Bank ITO: ITO layer
Ag: Silver alloy layer

Claims (8)

표시 영역과 비 표시 영역으로 구획된 기판;
상기 표시 영역 내에 배치되는 화소 영역을 정의하도록, 상기 기판 위에 배치된 게이트 배선, 데이터 배선 및 구동 전류 배선;
상기 화소 영역 내에 형성된 박막 트랜지스터;
상기 화소 영역 내에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터에 연결된 유기발광 다이오드;
상기 유기발광 다이오드의 발광 영역을 정의하도록 형성된 뱅크; 그리고
상기 뱅크 외부로 노출되며 상기 비 표시 영역에 배치된, 데이터 패드 및 구동 전류 패드, 그리고 상기 데이터 패드 및 상기 구동 전류 패드를 각각 덮는 데이터 패드 보호층 및 구동 패드 보호층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
A substrate partitioned into a display area and a non-display area;
A gate wiring, a data wiring, and a drive current wiring disposed on the substrate so as to define a pixel region disposed in the display region;
A thin film transistor formed in the pixel region;
An organic light emitting diode formed in the pixel region and connected to the thin film transistor;
A bank formed to define a light emitting region of the organic light emitting diode; And
And a data pad protection layer and a driving pad protection layer which are exposed to the outside of the bank and are disposed in the non-display area, the data pad and the driving current pad, and the data pad and the driving current pad, respectively. Light emitting diode display.
제 1 항에 있어서,
상기 데이터 패드 보호층 및 상기 구동 패드 보호층은 상기 유기발광 다이오드의 제1 전극층과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the data pad protection layer and the driving pad protection layer comprise the same material as the first electrode layer of the organic light emitting diode.
제 2 항에 있어서,
상기 제1 전극층은,
ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 투명 도전 층; 그리고
상기 투명 도전 층 위에 적층된 은을 포함하는 은 합금 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the first electrode layer comprises a first electrode layer,
A transparent conductive layer containing indium tin oxide (ITO); And
And a silver alloy layer including silver deposited on the transparent conductive layer.
제 3 항에 있어서,
상기 데이터 패드 보호층 및 상기 구동 패드 보호층은 상기 은 합금 층이 제거되어, 상기 투명 도전 층만을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the data pad protection layer and the driving pad protection layer are formed by removing the silver alloy layer and including only the transparent conductive layer.
제 1 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터는,
상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선에 연결된 스위칭 박막 트랜지스터;
상기 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 구동 전류 배선사이에 연결된 구동 박막 트랜지스터를 더 포함하고,
상기 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 유기발광 다이오드에 연결된 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
The thin-
A switching thin film transistor connected to the gate wiring and the data wiring;
And a driving thin film transistor connected between the drain electrode of the switching thin film transistor and the driving current wiring,
And the drain electrode of the driving thin film transistor is connected to the organic light emitting diode.
제 5 항에 있어서,
상기 유기발광 다이오드는,
상기 구동 박막 트랜지스터의 상기 드레인 전극에 연결된 제1 전극;
상기 제1 전극 위에 도포된 유기발광층; 그리고
상기 유기발광층 위에 형성된 캐소드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
6. The method of claim 5,
The organic light emitting diode includes:
A first electrode connected to the drain electrode of the driving thin film transistor;
An organic light emitting layer coated on the first electrode; And
And a cathode electrode formed on the organic light emitting layer.
제 1 항에 있어서,
상기 뱅크 외부로 노출되며 상기 비 표시 영역에 배치된, 게이트 패드; 그리고
상기 게이트 패드 상부에 형성된 게이트 보호층을 더 포함하고,
상기 게이트 보호층은 상기 데이터 패드 보호층 및 상기 구동 패드 보호층과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
A gate pad exposed outside the bank and disposed in the non-display area; And
And a gate protection layer formed on the gate pad,
Wherein the gate protection layer comprises the same material as the data pad protection layer and the driving pad protection layer.
제 1 항에 있어서,
상기 비 표시 영역에는 기저 전압을 제공하는 기저 배선; 그리고
상기 기저 배선 상부에 형성된 기저 배선 보호층을 더 포함하고,
상기 기저 배선 보호층은 상기 데이터 패드 보호층 및 상기 구동 패드 보호층과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.The method according to claim 1,
A base line for providing a base voltage in the non-display region; And
Further comprising a base wiring protection layer formed on the base wiring,
Wherein the base wiring protection layer comprises the same material as the data pad protection layer and the driving pad protection layer.
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