KR20140077522A - 슈퍼 커패시터 및 이의 제조방법 - Google Patents

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KR20140077522A
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Abstract

본 발명은, 전극조립체; 상기 전극조립체의 외주면을 감싸는 파우치 셀; 상기 파우치 셀을 몰딩하는 수지외장재; 및 일측이 상기 전극조립체와 연결되고, 상기 수지외장재 외부로 인출된 타측은 상기 수지외장재의 외주면과 접합하는 리드선;을 포함하는, 슈퍼 커패시터를 제시하여, 외부의 충격에 대해 견고성을 가지며, 슈퍼 커패시터의 수명특성을 크게 개선한다.

Description

슈퍼 커패시터 및 이의 제조방법{SUPER CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 슈퍼 커패시터 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 패키징된 슈퍼 커패시터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 고성능 휴대용 전원은 모든 휴대용 정보 통신 기기, 전자 기기, 전기자동차 등에 필수적으로 사용되는 완제품 기기의 핵심부품이다. 최근 개발되고 있는 차세대 에너지 저장시스템은 모두 전기 화학적인 원리를 이용한 것으로 리튬(Li)계 이차전지와 전기화학 커패시터(electrochemical capacitor)가 대표적이다.
이중에서 전기화학 커패시터는 전극과 전해질 간의 전기화학적인 반응으로 야기되는 커패시터 거동을 이용하여 전기에너지를 저장 및 공급하는 에너지 저장 장치로서, 기존의 전해 커패시터와 이차전지에 비하여 각각 에너지 밀도와 출력 밀도가 월등하여 다량의 에너지를 신속하게 저장하거나 공급할 수 있는 신개념의 에너지 저장 동력원으로 최근 들어 많은 관심을 받고 있다. 전기화학 커패시터는 짧은 시간 내에 많은 양의 전류를 공급할 수 있는 특성으로 인하여 전자장치의 back-up 동력원, 휴대용 이동통신기기의 펄스 동력원, 하이브리드 전기자동차의 고출력 동력원으로 많은 응용이 기대되고 있다.
이러한 전기화학 커패시터 중에 에너지밀도가 기존의 커패시터 보다 큰 슈퍼 커패시터의 개발이 관심의 대상이 되고 있는데, 전극과 전해질간에 발생하는 전기 이중층(electrical double layer)의 원리를 이용한 전기 이중층 커패시터(electrical double layer capacitor : EDLC)와, 전해질내 이온의 전극표면상 흡착반응 또는 전극의 산화/환원 반응 등의 전극과 전해질간에 전하의 이동을 동반하는 패러데이 반응(faradaic reation)에서 발생되는 의사 커패시터(pseudo-capacitor), 그리고 비대칭(Asymmetric) 전극 형태를 가지는 하이브리드(Hybrid) 캐패시터가 대표적인 슈퍼 커패시터이다.
대한민국 공개특허공보 제 10-2012-0056556호(이하, 선행문헌)를 참조하여 종래 슈퍼 커패시터의 기본 구조를 살펴보면, 집전체와 활물질층으로 구성되는 양극판 및 음극판이 분리막을 사이에 두고 결합되어 있으며, 상기 양극판/분리막/음극판으로 구조된 캐패시터를 원통형이나 각형의 금속 재질의 캔(Can) 또는 라미네이트 필름을 사용한 파우치(Pouch)에 수납한 다음, 여기에 전해액을 주입시켜 최종 캐패시터를 제조하게 된다.
종래의 이러한 구성을 갖는 수퍼 캐패시터에 상기 전극의 양단이 연결된 집전체에 수 볼트의 전압을 가하게 되면, 전기장이 형성되고 이에 따라 전해질 내의 이온들이 이동하여 전극 표면에 흡착되어 전기가 저장되는 전기 화학적 메커니즘의 원리에 의해 전기가 충전되게 된다.
그러나, 금속 재질의 캔을 사용한 경우에는 SMT(Surface Mount Technology) 방식을 적용하여 회로기판에 직접 실장 가능한 형태의 외장 케이스를 적용하여 제조하기가 어렵고, 라미네이트 파우치 필름을 사용하여 밀봉한 경우에는 외장 케이스의 강도가 약하여 날카로운 도구 등에 손상을 받거나 타격을 받았을 경우에 안전성이 문제가 될 수 있으며, 이에 따라 셀의 신뢰성은 저하되게 된다.
또한, 슈퍼 커패시터의 충방전 Cycle 진행에 따라 내부에서 가스가 발생 되고 양극판/ 분리막/ 음극판 사이의 밀착력이 저하되는 스웰링 현상에 의하여 저항이 증가되고 Cycle 수명 특성이 저하될 가능성이 있다.
또한, 슈퍼 커패시터는 액상의 전해질을 포함하는데, 종래와 같이 개스킷에 대해 어떠한 방열 수단이 갖추어지지 않은 경우, 고온 작동시 외장 케이스의 밀봉이 약해져 전해액이 누액되거나 외부의 수분이 케이스 내부로 침투하여 슈퍼 커패시터의 특성이 저하되는 문제가 발생한다.
특허문헌 : 대한민국 공개특허공보 제 10-2012-0056556호
본 발명은 내부의 열을 방출하고 스웰링 현상에 대해 견고성을 가지며, 외장 케이스가 외부로부터 손상을 입지 않도록 하여 Cycle 수명특성, 내구성, 안전성을 개선한 슈퍼 커패시터 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 창안된 본 발명은, 전극조립체; 상기 전극조립체의 외주면을 감싸는 파우치 셀; 상기 파우치 셀을 몰딩하는 수지외장재; 및 일측이 상기 전극조립체와 연결되고, 상기 수지외장재 외부로 인출된 타측은 상기 수지외장재의 외주면과 접합하는 리드선;을 포함하는, 슈퍼 커패시터를 제공한다.
또한, 상기 수지외장재의 어느 한 면 이상에 홀(Hall)이 형성되고, 상기 홀을 통해 상기 파우치 셀의 표면이 외부로 노출되는, 슈퍼 커패시터를 제공한다.
또한, 상기 홀 내부에 금속재가 충진된, 슈퍼 커패시터를 제공한다.
또한, 상기 수지외장재의 일면에 형성되는 상기 홀은 적어도 하나 이상으로 구성되는, 슈퍼 커패시터를 제공한다.
또한, 상기 전극조립체의 양측부에는 전극탭이 형성되어 있고, 상기 전극탭은 상기 파우치 셀 외부로 인출되어 상기 리드선의 일측과 연결되는, 슈퍼 커패시터를 제공한다.
또한, 상기 파우치 셀 내부에 전해액이 개재된, 슈퍼 커패시터를 제공한다.
또한, 상기 수지외장재 외부로 인출된 리드선의 끝단은 상기 수지외장재의 실장면까지 연장된, 슈퍼 커패시터를 제공한다.
또한, 상기 전극조립체는, 교대로 적층된 적어도 하나 이상의 음극판 및 양극판, 그리고 상기 음극판과 양극판 사이에 개재된 분리막으로 구성되는, 슈퍼 커패시터를 제공한다.
또한, 상기 파우치 셀은, 적어도 하나 이상의 금속박판과 상기 금속박판의 양면에 고분자 수지층이 적층된 라미네이트 필름으로 구성되는, 슈퍼 커패시터를 제공한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 창안된 본 발명은, 양측에 전극탭이 돌출형성된 전극조립체를 준비하는 단계; 상기 전극조립체의 외주면에 파우치 셀을 형성하고, 상기 파우치 셀 내부에 전해액을 주입하는 단계; 상기 파우치 셀 외부로 인출된 상기 전극탭을 리드선의 일측과 용접하는 단계; 및 상기 파우치 셀을 수지외장재에 몰딩하는 단계; 및 상기 수지외장재 외부로 인출된 상기 리드선을 상기 수지외장재의 외주면에 따라 절곡하는 단계;를 포함하는, 슈퍼 커패시터 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 수지외장재의 어느 한 면 이상에 홀(Hall)을 가공하여 상기 파우치 셀의 표면을 외부로 노출시키는 단계;를 더 수행하는, 슈퍼 커패시터 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 홀 내부에 금속재를 충진하는 단계;를 더 수행하는, 슈퍼 커패시터 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 외부의 충격에 대해 견고성을 가지며, 또한 전해액이 누액되는 불량이 없고, 고온의 조건에서 충방전이 반복적으로 진행되더라도 스웰링 현상이 없어 슈퍼 커패시터의 수명특성이 크게 개선될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 슈퍼 커패시터의 단면도
도 2는 본 발명에 포함된 파우치 셀의 일부를 확대한 단면도
도 3은 본 발명에 따른 슈퍼 커패시터의 평면도
도 4는 홀 내부에 금속재가 충진된 형태를 설명하기 위한 도면
도 5는 홀의 구성예를 설명하기 위한 도면
도 6 내지 도 10은 본 발명의 슈퍼 커패시터 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정도
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 기술 등은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 함과 더불어, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공될 수 있다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 다수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprise)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
도 1은 본 발명에 따른 슈퍼 커패시터의 단면도이다. 부가적으로, 도면의 구성요소는 반드시 축척에 따라 그려진 것은 아니고, 예컨대, 본 발명의 이해를 돕기 위해 도면의 일부 구성요소의 크기는 다른 구성요소에 비해 과장될 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 슈퍼 커패시터(100)는 전극조립체(110)와, 상기 전극조립체(110)의 외주면을 감싸는 파우치 셀(120), 상기 파우치 셀(120)을 몰딩하는 수지외장재(130), 그리고, 상기 전극조립체(110)의 좌우측부로부터 돌출된 전극탭(111)을 통해 상기 전극조립체(110)와 전기적으로 접속하는 리드선(140)으로 구성될 수 있다.
여기서, 상기 전극조립체(110)는 교대로 적층된 적어도 하나 이상의 음극판 및 양극판, 그리고 상기 음극판과 양극판 사이에 개재된 분리막으로 구성될 수 있다. 다만, 설명의 편의를 위해 상기 음극판/분리막/양극판을 별도로 표시하지 않고 포괄적으로 하나의 전극조립체(110)로 도시하였다.
보다 구체적으로, 상기 음극판과 양극판은 각각 집전체와, 집전체의 일면에 도포된 활물질층으로 구성될 수 있고, 집전체로부터 연장되는 상기 전극탭(111)은 상기 파우치 셀(120) 외부로 인출되어 상기 리드선(140)의 일측과 연결된다.
상기 수지외장재(130) 외부로 인출된 리드선(140)은 상기 수지외장재(130)의 외주면과 접합하고, 이에 따라, 상기 리드선(140)은 상기 수지외장재(130)의 형태에 따라 적절하게 절곡되어 있다.
상기 리드선(140)은 일정 길이 이상으로 형성되어 상기 리드선(140)의 끝단(140a)이 상기 수지외장재(130)의 실장면, 즉 상기 수지외장재(130)가 기판 상에 실장 시 기판과 접합하는 상기 수지외장재(130)의 외주면(도면에서 상기 수지외장재(130)의 저면)과 접합할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 슈퍼 커패시터는 표면 실장이 용이하고, 또한 슈퍼 커패시터의 전체 두께를 낮출 수 있어 요구되는 두께값(예를 들어, 1.5mm 이하)을 쉽게 충족시킬 수 있다.
한편, 상기 파우치 셀(120) 내부에는 액상의 전해질, 즉 전해액이 개재되어, 상기 리드선(140)을 통해 외부로부터 전압이 인가되면 전기장이 형성되고, 이에 따라 전해질 내의 이온들이 이동하여 상기 전극조립체(110)(더 구체적으로는 활물질층)의 표면에 흡착되어 전기가 충전된다. 여기서, 상기 전해액은 프로필렌 카보네이트(propylene carbonate; PC), 아세토니트릴(acetonitrile; AN), 에틸렌 카보네이트(ethylene carbonate; EC), 에틸메틸 카보네이트(ethylmethyl carbonate; EMC), 디메틸 카보네이트(dimethyl carbonate; DMC), 디에틸 카보네이트(diethyl carbonate; DEC), 설포란(sulfolane), 감마부티로락톤 (γ-butyrolactone; GBL) 등을 단독 또는 혼합한 용매에 암모늄계 전해질염, 리튬계 전해질염 또는 이들을 혼합한 전해질염을 용해하여 사용할 수 있다.
도 2는 본 발명에 포함된 파우치 셀(120)의 일부를 확대한 단면도로서, 도 2를 참조하면, 상기 파우치 셀(120)은 예를 들어 철(Fe), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 스테인레스스틸(SUS), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 주석(Sn) 및 그 물질들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속박판(120a)과, 상기 금속박판(120a)의 양면에 고분자 수지층(120c)이 적층된 라미네이트 필름으로 구성될 수 있다. 여기서, 상기 파우치 셀(120)의 강도를 높이기 위하여 상기 금속박판(120a)을 복수 개로 구비하거나 또는 그 두께를 두껍게 형성할 수 있다.
상기 고분자 수지층(120c)은 상기 금속박판(120a)과 상기 전극조립체(110) 사이를 절연하기 위한 층으로, 그 재질로는 예를 들어, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 나일론, 테프론(PTFE) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합 수지재를 사용할 수 있다. 또한, 상기 금속박판(120a)과 고분자 수지층(120c) 사이에는 CPP(Casting Polypropylene)와 같은 접착성 수지(120b)가 도포될 수 있다.
상기 파우치 셀(120)을 몰딩하는 상기 수지외장재(130)의 재질은, 강도가 우수하고 내열성이 높은 수지이면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어 상기 수지외장재(130)는 에폭시 수지, 페놀 수지, 우레탄 수지, 실리콘 수지 및 이들의 혼합 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 열경화성 수지로 이루어질 수 있다. 또한 여기에 유리 섬유 또는 무기 필러와 같은 보강재를 함침시킬 수도 있다.
도 3은 본 발명에 따른 슈퍼 커패시터(100)의 평면도로서, 상기 전극조립체(110)에서 발생된 열을 외부로 방출시키기 위하여, 본 발명의 슈퍼 커패시터는 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 수지외장재(130)의 어느 일면에 홀(Hall,130a)이 형성될 수 있다. 상기 홀(130a)에 의해 상기 파우치 셀(120)의 일부 표면은 외부로 노출되고, 이에 따라, 상기 전극조립체(110)에서 발생된 열은 상기 홀(130a)을 통해 외부로 방출된다.
방열 효과를 더욱 높이기 위하여, 도 4와 같이, 상기 홀(130a) 내부에 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 텅스텐(W) 등과 같이 열전도율이 우수한 금속재(150)가 충진될 수 있다. 상기 금속재(150) 외에도 열전도율이 우수한 재질이면 상기 홀(130a) 내부에 충진될 수 있음은 당연하다.
이와 같이 방열 수단으로서의 상기 홀(130a)은 개수에 있어서 제한이 없고, 따라서 도 5와 같이 세 개로도 구성될 수 있으며, 상기 수지외장재(130)의 상면 뿐만 아니라, 정면 및 후면 등에도 형성될 수 있다.
또한, 상기 홀(130a)의 직경이 클수록 방열 효과는 상승하나, 너무 크게 되면 수지외장재(130)의 강도가 떨어질 수 있으므로, 이를 고려하여 적절한 크기의 직경을 갖는 홀(130a)을 형성하는 것이 바람직하다.
이제, 본 발명과 종래 슈퍼 커패시터를 비교 시험한 결과값을 살펴보기로 한다. 시험군으로서 본 발명은 양극과 음극에 EDLC급 활성탄 전극재료를 사용하고 1M TEABF4 / ACN 전해액을 주입한 전기 이중층 커패시터(EDLC)를 제1 실시예로 사용하였고, 양극에는 EDLC급 활성탄 전극재료, 음극에는 LIB급 흑연 전극재료를 사용하고 1.2M LiPF6 / (EC+PC+EMC) 전해액을 주입한 리튬이온 커패시터(Lithium Ion Capacitor; LIC)을 제2 실시예로 사용하였다.
그리고, 이와 비교하기 위한 종래 슈퍼 커패시터로서 통상의 파우치 셀(120)로 감싼 전기 이중층 커패시터(전극재료와 전해액은 상기 제1 실시예와 동일)를 제1 비교예로 사용하였고, 통상의 파우치 셀(120)로 감싼 리튬이온 커패시터(전극재료와 전해액은 상기 제2 실시예와 동일)를 제2 비교예로서 사용하였다. 이때, 상기 제1 및 제2 실시예, 그리고 상기 제1 및 제2 비교예에서 사용된 활물질층은 활물질, AB 도전재, PVDF 바인더의 비율을 80:10:10으로 하였고, 10 mm x 8 mm 크기로 잘라 적층하였다.
아래 표 1은 상기 제1 및 제2 실시예, 그리고 상기 제1 및 제2 비교예 각각의 초기 특성과, 상기 제1 실시예와 제1 비교예에 대해서는 0.1~ 2.5V 전압 범위, 상기 제2 실시예와 제2 비교예에 대해서는 2.2~ 3.8V 전압 범위에서 고온가속시험(60℃에서 1000시간) 후의 특성을 나타낸 표이다.
Figure pat00001
일반적으로 슈퍼 캐패시터의 수명특성은 고온가속시험 후의 정전용량이 초기 대비 80% 이상을 유지하여야 하며, 저항의 경우 초기 대비 200% 이내를 만족해야 하는데, 표 1에 나타난 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예와 제2 실시예의 경우 초기 대비 고온가속시험 후의 정전용량(%)이 각각 95%, 91%로 기준치를 초과 상회하며, 고온가속시험 후의 저항값 역시 초기 대비 200% 이내를 만족하는 것을 알 수 있다.
이에 반해, 제1 비교예의 경우 초기 대비 고온가속시험 후의 정전용량(%)이 81%로 기준치는 만족하나 저항값의 경우 200%를 초과하고 있고, 제2 비교예의 경우 초기 대비 고온가속시험 후의 정전용량 및 저항값 모두 기준치에 미치지 못하는 것을 알 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 슈퍼 커패시터(100)는 파우치 셀(120)에 의해 밀봉된 전극조립체(110)가 다시 수지외장재(130)에 의해 몰딩된 구조를 갖춤에 따라, 외부의 충격에 대해 견고성을 가지며, 또한 전해액이 누액되는 불량이 없고, 고온의 조건에서 충방전이 반복적으로 진행되더라도 스웰링 현상이 없어 슈퍼 커패시터의 수명특성을 크게 개선할 수 있다.
이제, 본 발명의 슈퍼 커패시터 제조방법에 대해 살펴보기로 한다.
도 6 내지 도 10은 본 발명의 슈퍼 커패시터 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정도로서, 본 발명의 슈퍼 커패시터 제조방법은 먼저, 도 6과 같이, 양측에 전극탭(111)이 돌출형성된 전극조립체(110)를 준비한다.
상기 전극조립체(110)는 교대로 적층된 적어도 하나 이상의 음극판 및 양극판, 그리고 상기 음극판과 양극판 사이에 개재된 분리막으로 구성된 것으로, 상기 전극탭(111)은 각각의 전극판으로부터 연장되어 상기 전극조립체(110)의 좌우측부에 돌출된 형태로 구비된다.
그 다음, 도 7과 같이, 상기 전극조립체(110)의 외주면에 파우치 셀(120)을 형성하고, 상기 파우치 셀(120) 내부에 전해액(도면 미도시)을 주입 후 상기 파우치 셀(120)을 밀봉한다.
그 다음, 도 8과 같이, 상기 파우치 셀(120) 외부로 인출된 상기 전극탭(111)을 리드선(140)의 일측과 용접하는 단계를 진행한다. 용접은 전기스폿 용접법, 초음파 용접법, 레이저 용접법 등을 이용할 수 있다. 여기서, 상기 리드선(140)은 그 끝단이 후속공정에 따라 형성되는 수지외장재(130)의 실장면과 접합되게 일정 길이 이상이 되도록 한다.
그 다음, 도 9와 같이, 상기 파우치 셀(120)을 수지외장재(130)에 몰딩하는 단계를 진행한다.
이는 에폭시 수지, 페놀 수지, 우레탄 수지, 실리콘 수지 등의 열경화성 수지를 주요 구성으로 하고, 여기에 유리 섬유 또는 무기 필러와 같은 보강재를 혼합한 슬러리(Slurry)를 이용하여 공지의 사출성형법으로 진행될 수 있다. 이때, 상기 리드선(140)의 타측이 상기 수지외장재(130) 외부로 인출되게 한다.
그 다음, 도 10과 같이, 상기 수지외장재(130) 외부로 인출된 상기 리드선(140)을 상기 수지외장재(130)의 외주면에 따라 적절히 절곡하여 상기 수지외장재(130)의 외주면과 접합되게 하여 최종 형태의 슈퍼 커패시터를 얻는다.
한편, 상기 파우치 셀(120)을 수지외장재(130)에 몰딩하는 단계에서 상기 수지외장재(130)의 어느 한 면 이상에 홀(Hall,130)이 존재하도록 성형몰드를 설계하여 상기 파우치 셀(120)의 일부 표면이 상기 홀(130a)을 통하여 외부로 노출되게 할 수 있다. 이를 통해 상기 전극조립체(110)에서 발생된 열은 외부로 방출될 수 있다.
상기 홀(130a)을 가공하는 또 다른 방법으로, 도 9와 같이 상기 파우치 셀(120)을 모두 몰딩한 상기 수지외장재(130)의 어느 한 면 이상에 대해 직접 홀(130a)을 가공할 수도 있다.
더 나아가 상기 홀(130a) 내부에 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 텅스텐(W) 등과 같이 열전도율이 우수한 금속재(150)를 스크린인쇄(screen printing), 스퍼터링(suppering), 증발법(evaporation), 잉크젯팅, 디스펜싱 등으로 충진하여 방열 효과를 더욱 높일 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
100 : 본 발명에 따른 슈퍼 커패시터 110 : 전극조립체
111 : 전극탭 120 : 파우치 셀
130 : 수지외장재 130a : 홀(Hall)
140 : 리드선 150 : 금속재

Claims (13)

  1. 전극조립체;
    상기 전극조립체의 외주면을 감싸는 파우치 셀;
    상기 파우치 셀을 몰딩하는 수지외장재; 및
    일측이 상기 전극조립체와 연결되고, 상기 수지외장재 외부로 인출된 타측은 상기 수지외장재의 외주면과 접합하는 리드선;을 포함하는,
    슈퍼 커패시터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 수지외장재의 어느 한 면 이상에 홀(Hall)이 형성되고, 상기 홀을 통해 상기 파우치 셀의 일부 표면이 외부로 노출되는,
    슈퍼 커패시터.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 홀 내부에 금속재가 충진된,
    슈퍼 커패시터.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 수지외장재의 일면에 형성되는 상기 홀은 적어도 하나 이상으로 구성되는,
    슈퍼 커패시터.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극조립체의 양측부에는 전극탭이 형성되어 있고, 상기 전극탭은 상기 파우치 셀 외부로 인출되어 상기 리드선의 일측과 연결되는,
    슈퍼 커패시터.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 파우치 셀 내부에 전해액이 개재된,
    슈퍼 커패시터.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 수지외장재 외부로 인출된 리드선의 끝단은 상기 수지외장재의 실장면까지 연장된,
    슈퍼 커패시터.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극조립체는,
    교대로 적층된 적어도 하나 이상의 음극판 및 양극판, 그리고 상기 음극판과 양극판 사이에 개재된 분리막으로 구성되는,
    슈퍼 커패시터.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 파우치 셀은,
    적어도 하나 이상의 금속박판과 상기 금속박판의 양면에 고분자 수지층이 적층된 라미네이트 필름으로 구성되는,
    슈퍼 커패시터.
  10. 양측에 전극탭이 돌출형성된 전극조립체를 준비하는 단계;
    상기 전극조립체의 외주면에 파우치 셀을 형성하고, 상기 파우치 셀 내부에 전해액을 주입 후 상기 파우치 셀을 밀봉하는 단계;
    상기 파우치 셀 외부로 인출된 상기 전극탭을 리드선의 일측과 용접하는 단계; 및
    상기 파우치 셀을 수지외장재에 몰딩하는 단계; 및
    상기 수지외장재 외부로 인출된 상기 리드선을 상기 수지외장재의 외주면에 따라 절곡하는 단계;를 포함하는,
    슈퍼 커패시터 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 파우치 셀을 수지외장재에 몰딩하는 단계에서 상기 수지외장재의 어느 한 면 이상에 홀(Hall)이 존재하도록 성형몰드를 설계하여 상기 홀을 통해 상기 파우치 셀의 일부 표면을 외부로 노출시키는,
    슈퍼 커패시터 제조방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 파우치 셀을 수지외장재에 몰딩하는 단계 이후, 상기 수지외장재의 어느 한 면 이상에 대해 홀(Hall) 가공공정을 진행하여 상기 홀을 통해 상기 파우치 셀의 일부 표면을 외부로 노출시키는,
    슈퍼 커패시터 제조방법.

  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 홀 내부에 금속재를 충진하는 단계;를 더 수행하는,
    슈퍼 커패시터 제조방법.


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