KR20140074150A - 웨이퍼 세정 - Google Patents

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KR20140074150A
KR20140074150A KR1020130023389A KR20130023389A KR20140074150A KR 20140074150 A KR20140074150 A KR 20140074150A KR 1020130023389 A KR1020130023389 A KR 1020130023389A KR 20130023389 A KR20130023389 A KR 20130023389A KR 20140074150 A KR20140074150 A KR 20140074150A
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샤오-옌 쿠
츠-양 충
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타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
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Abstract

반도체 제조 중에 웨이퍼 세정을 위한 하나 이상의 기술 및 시스템 또는 관련 브러시가 제공된다. 일부 실시형태에서, 브러시는 브러시 바디 및 브러시 바디 내에 하나 이상의 내부 구멍 지지체를 포함한다. 예컨대, 제1 내부 구멍 지지체와 제2 내부 구멍 지지체는 제1 사이즈와 관련된 제1 내부 구멍을 규정한다. 다른 예로서, 제3 내부 구멍 지지체와 제4 내부 구멍 지지체는 제1 사이즈와 다른 제2 사이즈와 관련된 제2 내부 구멍을 규정한다. 일부 실시형태에서, 세정액은 제1 브러시 위치에서 제1 유량에 기초하여 그리고 제2 브러시 위치에서 제2 유량에 기초하여 웨이퍼에 적용된다. 이러한 방식으로, 예컨대 웨이퍼 세정과 관련된 유량이 제공되고, 이에 따라 세정 효율이 향상된다.

Description

웨이퍼 세정{WAFER CLEANING}
본 발명은 웨이퍼의 세정에 관한 것이다.
일반적으로, 웨이퍼는 주로 CMP(chemical mechanical planarization) 처리된다. 때로는, CMP 이후에 웨이퍼를 세정하는데 웨이퍼가 사용된다. 그러나, 웨이퍼는 세정 중에 스크래치 검출을 겪게 될 수 있다.
반도체 제조 중에 웨이퍼 세정을 위한 하나 이상의 기술 및 시스템 또는 관련 브러시가 제공된다. 일부 실시형태에서, 브러시는 브러시 바디 및 브러시 바디 내에 하나 이상의 내부 구멍 지지체를 포함한다. 예컨대, 제1 내부 구멍 지지체와 제2 내부 구멍 지지체는 제1 사이즈와 관련된 제1 내부 구멍을 규정한다. 다른 예로서, 제3 내부 구멍 지지체와 제4 내부 구멍 지지체는 제1 사이즈와 다른 제2 사이즈와 관련된 제2 내부 구멍을 규정한다. 일부 실시형태에서, 세정액은 제1 브러시 위치에서 제1 유량에 기초하여 그리고 제2 브러시 위치에서 제2 유량에 기초하여 웨이퍼에 적용된다. 이러한 방식으로, 예컨대 웨이퍼 세정과 관련된 유량이 제공되고, 이에 따라 세정 효율이 향상된다.
본 발명의 양상은 첨부 도면을 참조하여 이하의 상세한 설명을 읽으면 잘 이해된다. 도면의 엘리먼트들, 구조들은 비례적으로 도시되지 않았다는 것이 인식될 것이다. 따라서, 엘리먼트들, 구조들의 치수는 예컨대 논의의 명확함을 위해 임의로 증가 또는 감소될 수 있다.
도 1은 일부 실시형태에 의한 반도체 제조 중에 웨이퍼 세정을 위한 예시적 브러시(brush)의 단면도이다.
도 2는 일부 실시형태에 의한 반도체 제조 중에 웨이퍼 세정을 위한 예시적 브러시(brush)의 단면도이다.
도 3은 일부 실시형태에 의한 반도체 제조 중에 웨이퍼 세정을 위한 예시적 방법의 플로우 다이어그램이다.
도면에 도시된 실시형태 또는 실시예는 특정 랭귀지(language)를 사용하여 이하 논의된다. 그러나, 실시형태 또는 실시예들은 한정을 의도하지 않는다는 것이 인식될 것이다. 개시된 실시형태에서의 모든 변경 및 수정, 그리고 본 명세서에 개시된 원리의 모든 추가적인 적용은 당업자에게 일반적으로 발생하는 것으로 예상된다.
여기 도시된 도면들의 적어도 일부에 있어서, 예컨대 도 2의 바운더리(boundary) 202, 204, 또는 210 중 적어도 하나와 같은 하나 이상의 바운더리는 예시를 위해 단지 다른 것에 비해 상이한 높이, 폭, 둘레, 종횡비로 도시되어 있고, 비례적으로 도시될 필요는 없다. 예컨대, 파선 또는 점선은 상이한 바운더리를 표현하기 위해 사용되므로, 파선 또는 점선이 다른 것의 상부에 그려지면, 도면에서 구별되지 않고 이에 따라 예컨대, 다른 것으로부터 구별할 수 있도록 도면의 적어도 일부에 있어서 다른 것으로부터 약간 이격되어 도시된다.
다른 실시예에 있어서, 콤포넌트(component)는 불규칙 형상과 관련되기 때문에, 파선, 점선 등으로 도시된 박스(box)는 전체 콤포넌트를 포함할 필요가 없다. 마찬가지로, 도시된 박스는 단지 관련된 콤포넌트를 포함할 필요가 없지만, 일부 실시형태에서, 하나 이상의 다른 콤포넌트들 중 적어도 일부를 포함한다. 따라서, 이들 바운더리의 일부의 치수는 예컨대 도면에서 상이한 바운더리가 보일 수 있도록 일부 실시형태에서 필요한 것보다 더 크고, 짧고, 넓고, 좁게 도시된다.
도 1은 일부 실시형태에 의한 반도체 제조 중에 웨이퍼 세정을 위한 예시적 브러시(brush)의 단면도(100)이다. 일부 실시형태에서, 도 1의 브러시는 브러시 바디(102)를 포함한다. 일부 실시형태에서, 브러시 바디(102)는 브러시를 위한 구조적 지지를 제공하도록 구성된 브러시 바를 포함한다. 일부 실시형태에서, 브러시는 하나 이상의 내부 구멍 지지체(inner hole support)를 포함한다. 일부 실시형태에서, 브러시는 내부 구멍 지지체의 적어도 일부에서 규정되는 하나 이상의 내부 구멍을 포함한다. 따라서, 내부 구멍은 일반적으로 구멍 거리(hole distance) 또는 대응 사이즈와 관련된다. 도 1의 브러시는 임의의 수늬 내부 구멍 지지체를 포함하고, 각각의 내부 구멍 지지체는 다양한 실시형태에서 다양한 패턴으로 배열된다는 것이 인식될 것이다. 마찬가지로, 도 1의 브러시는 임의의 수의 내부 구멍을 포함하고, 각각의 내부 구멍은 다양한 실시형태에서 다양한 패턴으로 배열된다. 도 1의 브러시는 내부 구멍 지지체(110A, 110B, 110C, 110D, 110E, 110F, 110G, 및 110H)를 포함한다. 일부 실시형태에서, 내부 구멍 지지체(110A)는 브러시의 제1 에지(edge)(202)를 따르고, 내부 구멍 지지체(110H)는 여기서 논의되는 바와 같이 브러시의 제2 에지(204)를 따른다. 일부 실시형태에서, 내부 구멍 지지체 사이의 공간 또는 거리는 내부 구멍 및 대응 사이즈와 관련된다. 예컨대, 내부 구멍(120A)은 내부 구멍 지지체(110A)와 내부 구멍 지지체(110B) 사이의 거리(130A)에 의해 규정된다. 마찬가지로, 내부 구멍(120B)은 내부 구멍 지지체(110B)와 내부 구멍 지지체(110C) 사이의 거리(130B)에 의해 규정된다. 일부 실시형태에서, 내부 구멍(120C)은 내부 구멍 지지체(110C)와 내부 구멍 지지체(110D) 사이의 거리(130C)에 의해 규정된다. 일부 실시형태에서, 내부 구멍(120D)은 내부 구멍 지지체(110D)와 내부 구멍 지지체(110E) 사이의 거리(130D)에 의해 규정된다. 일부 실시형태에서, 내부 구멍(120E)은 내부 구멍 지지체(110E)와 내부 구멍 지지체(110F) 사이의 거리(130E)에 의해 규정된다. 일부 실시형태에서, 내부 구멍(120F)은 내부 구멍 지지체(110F)와 내부 구멍 지지체(110G) 사이의 거리(130F)에 의해 규정된다. 일부 실시형태에서, 내부 구멍(120G)은 내부 구멍 지지체(110G)와 내부 구멍 지지체(110H) 사이의 거리(130G)에 의해 규정된다. 일부 실시형태에서, 내부 구멍 지지체(110A)는 내부 구멍(120A)에 인접하고, 내부 구멍(120A)은 내부 구멍 지지체(110B)에 인접하고, 내부 구멍 지지체(110B)는 내부 구멍(120B)에 인접하고, 내부 구멍(120B)은 내부 구멍 지지체(110C)에 인접하고, 내부 구멍 지지체(110C)는 내부 구멍(120C)에 인접하고, 내부 구멍(120C)은 내부 구멍 지지체(110D)에 인접하고, 내부 구멍 지지체(110D)는 내부 구멍(120D)에 인접하고, 내부 구멍(120D)은 내부 구멍 지지체(110E)에 인접하고, 내부 구멍 지지체(110E)는 내부 구멍(120E)에 인접하고, 내부 구멍(120E)은 내부 구멍 지지체(110F)에 인접하고, 내부 구멍 지지체(110F)는 내부 구멍(120F)에 인접하고, 내부 구멍(120F)은 내부 구멍 지지체(110G)에 인접하고, 내부 구멍 지지체(110G)는 내부 구멍(120G)에 인접하고, 내부 구멍(120G)은 내부 구멍 지지체(110H)에 인접한다.
일부 실시형태에서, 하나 이상의 내부 구멍 지지체는 그라디언트 스페이싱 패턴(gradient spacing pattern)을 형성하기 위해 이격된다(spaced). 예컨대, 증가 방식 또는 감소 방식 중 적어도 하나의 방식으로 배열된 거리(130A), 거리(130B), 거리(130C), 거리(130D), 거리(130E), 거리(130F), 또는 거리(130G)와 같은 하나 이상의 연속적인 구멍 거리에 기초하여 그라디언트 스페이싱 패턴이 형성된다. 일부 실시형태에서, 내부 구멍(120D)은 거리(130D)와 관련된고, 거리(130D)는 각각 내부 구멍(120C 또는 120E)에 관련된 거리(130C) 또는 거리(130E) 중 적어도 하나보다 크다. 일부 실시형태에서, 거리(130C) 또는 거리(130E) 중 적어도 하나는 각각 내부 구멍(120B 또는 120F)과 관련된 거리(130B) 또는 거리(130F) 중 적어도 하나보다 크다. 일부 실시형태에서, 거리(130B) 또는 거리(130F) 중 적어도 하나는 각각 내부 구멍(120A 또는 120G)과 관련된 거리(130A) 또는 거리(130G) 중 적어도 하나보다 크다. 일부 실시형태에서, 내부 거리 중 적어도 일부는 대칭적이다. 예컨대, 일부 실시형태에서, 거리(120C)는 실질적으로 거리(120E)와 동일하다. 일부 실시형태에서, 거리(120B)는 실질적으로 거리(120F)와 동일하다. 일부 실시형태에서, 거리(120A)는 실질적으로 거리(120G)와 동일하다.
일부 실시형태에서, 중간 내부 구멍을 위한 중간 구멍 거리는 하나 이상의 다른 구멍 거리보다 크다. 그러나, 일부 실시형태는 하나 이상의 중간 내부 구멍과 관련된다는 것이 인식될 것이다. 일부 실시형태에서, 거리(120D)는 거리(120A), 거리(120B), 거리(120C),거리(120E), 거리(120F), 또는 거리(120G) 중 적어도 하나보다 크다. 예컨대 일부 실시형태에서, 거리(120D)는 거리(120A), 거리(120B), 거리(120C),거리(120E), 거리(120F), 또는 거리(120G)가 실질적으로 동일하도록 하나 이상의 다른 구멍 거리보다 크다.
예컨대, 더 큰 내부 구멍은 적어도 브러시로부터 더 많은 세정액이 흐를 수 있게 하기 때문에, 제2 구멍 거리 또는 제2 사이즈보다 큰 제1 구멍 거리 또는 제1 사이즈는 더 큰 유량(flow rate)과 관련된다는 것이 인식될 것이다. 예컨대 일부 실시형태에서, 포스트(post) CMP(chemical mechanical planarization) 세정 등의 CMP 후에 웨이퍼의 세정을 위해 도 1의 브러시가 사용된다. 일부 실시형태에서, 물 또는 DIW(de-ionized water) 등의 클리너 또는 세정액이 브러시를 통해 웨이퍼에 적용된다. 예컨대, DIW는 하나 이상의 내부 구멍을 통해 웨이퍼로 흐른다. 일부 실시형태에서, DIW는 내부 구멍(120A, 120B, 120C, 120D, 120E, 120F, 또는 120G) 중 적어도 하나를 통해 흐른다. 따라서, 내부 구멍 지지체(110A, 110B, 110C, 110D, 110E, 110F, 110G, 또는 110H) 등의 하나 이상의 내부 구멍 지지체들 사이의 공간을 조정함으로써 내부 구멍 또는 브러시 위치와 관련된 유량이 제어된다. 이러한 방식으로, 예컨대 웨이퍼 세정과 관련된 스크래치 결함(scratch defect)이 완화된다. 일부 실시형태에서, 내부 구멍(120G) 또는 내부 구멍(120A) 주위 등의 웨이퍼의 에지와 관련된 유량은, 내부 구멍(120B, 120C, 120D, 120E, 120F) 중 적어도 하나와 관련된 유량 등의 웨이퍼의 에지와 관련되지 않은 유량보다 작다.
일부 실시형태에서, 제1 내부 구멍 지지체와 제2 내부 구멍 지지체는 제1 사이즈와 관련된 제1 내부 구멍을 규정한다. 예컨대, 일부 양상에 의하면, 제1 내부 구멍 지지체는 내부 구멍 지지체(110A)이고, 제2 내부 구멍 지지체는 내부 구멍 지지체(110B)이다. 따라서, 본 실시예에서, 제1 내부 구멍은 구멍 거리(130A)와 관련된 내부 구멍(120A)이다. 일부 실시형태에서, 제3 내부 구멍 지지체와 제4 내부 구멍 지지체는 제1 사이즈와 다른 제2 사이즈와 관련된 제2 내부 구멍을 규정한다. 예컨대, 제3 내부 구멍 지지체는 내부 구멍 지지체(110C)이고, 제4 내부 구멍 지지체는 내부 구멍 지지체(110D)이다. 본 실시예에서, 제2 내부 구멍은 구멍 거리(130C)와 관련된 내부 구멍(120C)이다. 일부 실시형태에서, 적어도 제2 사이즈는 구멍 거리(130C)와 관련되고, 제1 사이즈는 구멍 거리(130A)와 관련되고, 구멍 거리(130C)는 구멍 거리(130A)보다 크기 때문에, 제2 사이즈는 제1 사이즈보다 크다.
일부 실시형태에서, 브러시는 제5 내부 구멍 지지체 및 제6 내부 구멍 지지체를 포함한다. 예컨대, 제5 내부 구멍 지지체와 제6 내부 구멍 지지체는 제3 사이즈와 관련된 제3 내부 구멍을 규정한다. 일부 실시형태에서, 제5 내부 구멍 지지체는 내부 구멍 지지체(110E)이고, 제6 내부 구멍 지지체는 내부 구멍 지지체(110F)이다. 따라서, 본 실시형태에서, 제3 내부 구멍은 구멍 거리(130E)와 관련된 내부 구멍(120E)이다.
그러나, 다른 실시형태에서, 제2 내부 구멍 지지체는 제3 내부 구멍 지지체와 동일하다. 예컨대, 제1 내부 구멍 지지체와 제2 내부 구멍 지지체는 제1 사이즈와 관련된 제1 내부 구멍을 규정한다. 본 실시예에서, 제1 내부 구멍 지지체는 내부 구멍 지지체(110A)이고, 제2 내부 구멍 지지체는 내부 구멍 지지체(110B)이다. 따라서, 본 실시예에서, 제1 내부 구멍은 구멍 거리(130A)와 관련된 내부 구멍(120A)이다. 일부 실시형태에서, 제3 내부 구멍 지지체와 제4 내부 구멍 지지체는 제1 사이즈와 다른 제2 사이즈와 관련된 제2 내부 구멍을 규정하는데 사용된다. 그러나, 일부 실시형태에서, 제3 내부 구멍 지지체는 제2 내부 구멍 지지체이기 때문에, 제3 내부 구멍 지지체는 110B이고, 제4 내부 구멍 지지체는 110C이다. 따라서, 본 실시예에서, 제2 내부 구멍은 구멍 거리(130B)와 관련된 내부 구멍(120B)으로서 규정된다. 따라서, 일부 실시형태에서 내부 구멍 지지체 중 적어도 일부는 예컨대 오버랩(overlap) 또는 동일한 것 중 적어도 하나가 되도록 구성된다. 일부 실시형태에서, 적어도 제2 사이즈는 구멍 거리(130B)와 관련되고, 제1 사이즈는 구멍 거리(130A)와 관련되고, 구멍 거리(130B)는 구멍 거리(130A)보다 크기 때문에, 제2 사이즈는 제1 사이즈보다 크다. 일부 실시형태에서, 브러시는 제5 내부 구멍 지지체 및 제6 내부 구멍 지지체를 포함한다. 예컨대, 제5 내부 구멍 지지체와 제6 내부 구멍 지지체는 제3 사이즈와 관련된 제3 내부 구멍을 규정한다. 일부 실시형태에서, 제5 내부 구멍 지지체는 내부 구멍 지지체(110C)이고, 제6 내부 구멍 지지체는 110D이다. 따라서, 본 실시형태에서, 제3 내부 구멍은 구멍 거리(130C)와 관련된 내부 구멍(120C)이다. 일부 실시형태에서, 제1 사이즈는 제2 사이즈보다 작다. 일부 실시형태에서, 적어도 제2 사이즈는 구멍 거리(130B)와 관련되고, 제3 사이즈는 구멍 거리(130C)와 관련되고, 구멍 거리(130B)는 구멍 거리(130C)보다 작기 때문에, 제2 사이즈는 제3 사이즈보다 작다.
일부 실시형태에서, 브러시 바디(102)의 제1 에지(202)에 대하여 제1 내부 구멍 지지체가 제2 내부 구멍 지지체보다 더 가깝다. 예컨대, 브러시 바디(102)의 좌측 에지와 같은 제1 에지(202)에 대하여 내부 구멍 지지체(110A)가 내부 구멍 지지체(110B)보다 더 가깝다. 마찬가지로, 브러시 바디(102)의 제1 에지(202)에 대하여 내부 구멍 지지체(110B)가 내부 구멍 지지체(110C)보다 더 가깝다. 따라서, 내부 구멍 지지체(110D, 110E, 110F, 110G, 및 110H)는 예컨대 브러시 바디(102)의 제1 에지(202)로부터 연속적으로 점점 더 멀어진다. 일부 실시형태에서, 내부 구멍 지지체(110H)는 브러시 바디(102)의 우측 에지와 같은 제2 에지(204)에 있다.
일부 실시형태에서, 브러시는 중간 구멍 사이즈와 관련된 중간 내부 구멍을 규정하는 제2 중간 내부 구멍 지지체와 제1 중간 내부 구멍 지지체를 포함한다. 일부 실시형태에서, 내부 구멍 지지체(110D)는 제1 중간 내부 구멍 지지체이고, 내부 구멍 지지체(110E)는 제2 중간 내부 구멍 지지체이다. 일부 실시형태에서, 중간 내부 구멍은 내부 구멍(120D)이고, 중간 구멍 사이즈는 구멍 거리(130D)와 관련된다. 일부 실시형태에서, 중간 내부 구멍으로부터 브러시 바디의 제1 에지(202)까지의 거리가 중간 내부 구멍으로부터 브러시 바디의 제2 에지(204)까지의 거리와 실질적으로 동일하게 되도록 중간 내부 구멍이 배치된다. 예컨대 일부 실시형태에서, 중간 내부 구멍은 내부 구멍(120D)이다. 또한, 내부 구멍(120D)으로부터 브러시 바디(102)의 좌측 에지와 같은 제1 에지(202)까지의 거리가 내부 구멍(120D)으로부터 브러시 바디(102)의 우측 에지와 같은 제2 에지(204)까지의 거리와 실질적으로 동일하게 되도록 내부 구멍(120D)이 중심에 배치된다. 일부 실시형태에서 하나 이상의 중간 내부 구멍이 브러시와 관련되다는 것이 인식될 것이다. 이러한 방식으로 하나 이상의 '중간' 또는 중간 내부 구멍이 예컨대 브러시 내에 배치된다. 일부 실시형태에서, 중간 구멍 사이즈는 제1 사이즈 또는 제2 사이즈 중 적어도 하나보다 크다. 예컨대, 내부 구멍(120D)이 중간 내부 구멍이면, 중간 구멍 사이즈는 거리(130D)와 관련된다. 따라서, 예컨대 130A, 130B, 또는 130C 중 적어도 하나와 같이 130D는 제1 구멍 거리 또는 제2 구멍 거리 중 적어도 하나보다 크다.
도 2는 일부 실시형태에 의한 반도체 제조 중에 웨이퍼 세정을 위한 예시적 브러시의 단면도(200)이다. 일부 실시형태에서, 도 2의 브러시는 브러시에 의해 제공되는 세정액과 관련된 유량을 제어하도록 구성된 유량계(flow meter)(252)를 포함한다. 일부 실시형태에서, 브러시는 브러시에 의해 제공되는 세정액과 관련된 압력을 제어하도록 구성된 압력변환기(pressure transducer)(254)를 포함한다. 일부 실시형태에서, 브러시 바디(102)는 예컨대 구조적 지지를 제공하도록 구성된 브러시 바를 포함한다. 일부 실시형태에서, 도 2의 브러시 바디는 제1 에지(202) 및 제2 에지(204)와 관련된다. 따라서, 일부 실시형태에서, 브러시 바디(102)는 예컨대 중간(middle)(206) 또는 중심(center)과 관련된다. 일부 실시형태에서, 예컨대 210과 같이 브러시는 축을 따라 스핀(spin) 또는 회전(rotate) 중 적어도 하나를 하도록 구성된다. 일부 실시형태에서, 적어도 중간(206)에서 내부 구멍에 대한 구멍 거리가 예컨대 에지(202 또는 204)에서의 내부 구멍에 대한 구멍 거리보다 크기 때문에, 202 또는 204 중 적어도 하나와 같이 에지와 관련된 유량보다 중간(206)과 관련된 유량이 더 크다.
도 3은 일부 실시형태에 의한 반도체 제조 중에 웨이퍼 세정을 위한 예시적 방법(300)의 플로우 다이어그램이다. 일부 실시형태에서, 상기 방법(300)은 302에서 제1 브러시 위치에서의 제1 유량에 기초하여 웨이퍼에 세정액을 적용하는 단계를 포함한다. 일부 실시형태에서, 제1 브러시 위치는 하나 이상의 내부 구멍 또는 하나 이상의 내부 구멍 지지체 중 적어도 하나에 기초한다. 예컨대, 제1 브러시 위치는 내부 구멍(120A)에 관련된다. 304에서, 상기 방법(300)은 제2 브러시 위치에서 제2 유량에 기초하여 웨이퍼에 세정액을 적용하는 단계를 포함한다. 일부 실시형태에서, 제2 브러시 위치는 하나 이상의 내부 구멍 또는 하나 이상의 내부 구멍 지지체 중 적어도 하나에 기초한다. 예컨대, 제2 브러시 위치는 내부 구멍(120A)에 관련된다.
CMP 다음에 웨이퍼를 세정하기 위한 하나 이상의 기술 또는 시스템이 제공된다. 일반적으로, CMP 후에 물에 DIW(de-ionized water)와 같은 클리너 또는 세정액이 적용된다. 일부 실시형태에서, 웨이퍼의 중간 또는 중심에 더 가까운 유량은 웨이퍼의 에지와 관련된 유량보다 크다. 예컨대, 웨이퍼의 세정에 사용되는 브러시는 제1 브러시 위치에서 제1 유량 및 제2 브러시 위치에서 제2 유량에 기초하여 세정액을 적용하도록 구성된다. 일부 실시형태에서, 제2 브러시 위치는 브러시의 중간이나 중심에 있는 것 또는 중간이나 중심에 더 가까운 것 중 적어도 하나이다. 일부 실시형태에서, 제1 브러시 위치는 브러시의 에지에 있는 것 또는 에지에 더 가까운 것 중 적어도 하나이다. 따라서, 일부 실시형태에서, 제2 유량이 제1 유량보다 크다. 일부 실시형태에서, 제2 사이즈와 관련된 제2 내부 구멍에 기초한 제2 브러시 위치에서 더 큰 유량이 달성된다. 일부 실시형태에서, 제1 내부 구멍의 제1 사이즈보다 제2 사이즈가 더 크다. 따라서, 일부 양상에 의하면, 제1 내부 구멍은 제1 내부 구멍 지지체 및 제2 내부 구멍 지지체에 의해 규정되고, 제2 내부 구멍은 제3 내부 구멍 지지체 및 제4 내부 구멍 지지체에 의해 규정된다.
일부 양상에 의하면, 반도체 제조 동안에 웨이퍼를 세정하기 위한 브러시가 제공되고, 브러시는 브러시 바디를 포함한다. 일부 실시형태에서, 브러시는 브러시 바디 내에 하나 이상의 내부 구멍 지지체를 포함한다. 예컨대, 제1 내부 구멍 지지체와 제2 내부 구멍 지지체는 제1 사이즈와 관련된 제1 내부 구멍을 규정한다. 다른 예로서, 제3 내부 구멍 지지체와 제4 내부 구멍 지지체는 제1 사이즈와 다른 제2 사이즈와 관련된 제2 내부 구멍을 규정한다.
일부 양상에 의하면, 반도체 제조 동안에 웨이퍼를 세정하기 위한 브러시가 제공되고, 브러시는 브러시 바디를 포함한다. 일부 실시형태에서, 브러시는 브러시 바디 내에 하나 이상의 내부 구멍 지지체를 포함한다. 예컨대, 제1 내부 구멍 지지체와 제2 내부 구멍 지지체는 제1 사이즈와 관련된 제1 내부 구멍을 규정한다. 다른 예로서, 제1 중간 내부 구멍 지지체와 제2 중간 내부 구멍 지지체는 중간 구멍 사이즈와 관련된 중간 내부 구멍을 규정한다. 일부 실시형태에서, 중간 구멍 사이즈는 제1 사이즈보다 크다.
일부 양상에 의하면, 반도체 제조 동안에 웨이퍼를 세정하기 위한 방법이 제공되고, 상기 방법은 제1 브러시 위치에서 제1 유량에 기초하여 웨이퍼에 세정액을 적용하는 단계를 포함한다. 일부 실시형태에서, 상기 방법은 제2 브러시 위치에서 제2 유량에 기초하여 웨이퍼에 세정액을 적용하는 단계를 포함한다.
구조적 피쳐(feature) 또는 방법론적 동작에 대하여 특정한 랭귀지로 주제를 설명했지만, 청구범위의 주제는 상기 특정 피쳐 또는 동작에 한정될 필요가 없다는 것이 이해될 것이다. 대신 상기 특정 피쳐 및 동작은 청구범위를 구현하는 예시적 형태로서 개시된다.
여기서, 실시형태의 다양한 동작이 제공된다. 일부 또는 전체 동작이 기술(describe)되는 순서는 이들 동작이 필연적으로 순서 의존적이라는 것을 의미하는 것으로 이해되지 않아야 한다. 다른 순서가 본 명세서에 기초하여 인식될 것이다. 또한, 여기 제공된 각각의 실시형태에서 모든 동작이 필연적이 아니라는 것이 이해될 것이다.
또한, "예시"는 예, 사례, 실례 등을 의미하기 위해 사용되고, 장점으로서 필연적이지 않다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, "또는"은 배타적 논리합이 아닌 포함적 논리합을 의미한다. 또한, 본 명세서에 사용된 부정관사는 일반적으로 단일 형태를 지칭하는 콘텍스트로부터 반대로 또는 명확하게 특정되지 않으면 하나 이상을 의미하는 것으로 이해된다. A와 B 중 적어도 하나 및/또는 등은 일반적으로 A이거나 B 또는 A와 B를 의미한다. 또한, "포함하다", "구비하다", "갖는다", "내포하다", 또는 그 변형들이 발명의 상세한 설명이나 청구범위에 사용되고, 이러한 용어들은 용어 "구성되다(comprising)"와 마찬가지 방식으로 포함적인 것을 의도하고 있다.
또한, 본 개시는 하나 이상의 구현에 관하여 도시 및 설명되었지만, 본 명세서와 첨부 도면에 대한 검토 및 이해에 기초하여 동등한 변형 및 수정이 발생할 것이다. 본 개시는 이러한 모든 수정 및 변형을 포함하고, 이하의 청구범위의 범위에 의해 한정되지 않는다.

Claims (10)

  1. 반도체 제조 중에 웨이퍼를 세정하기 위한 브러시에 있어서,
    브러시 바디; 및
    상기 브러시 바디 내의 하나 이상의 내부 구멍 지지체;
    를 포함하고,
    제1 내부 구멍 지지체와 제2 내부 구멍 지지체는 제1 사이즈와 관련된 제1 내부 구멍을 규정하고,
    제3 내부 구멍 지지체와 제4 내부 구멍 지지체는 상기 제1 사이즈와 상이한 제2 사이즈와 관련된 제2 내부 구멍을 규정하는 것인,
    웨이퍼 세정을 위한 브러시.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 브러시 바디는 브러시 바(brush bar)를 포함하는 것인,
    웨이퍼 세정을 위한 브러시.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제3 내부 구멍 지지체 또는 상기 제4 내부 구멍 지지체 중 적어도 하나가 상기 브러시 바디의 제1 에지에 근접한 것보다, 상기 제1 내부 구멍 지지체 또는 상기 제2 내부 구멍 지지체 중 적어도 하나가 상기 브러시 바디의 상기 제1 에지에 더 근접한 것인,
    웨이퍼 세정을 위한 브러시.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 사이즈는 상기 제1 사이즈보다 큰 것인,
    웨이퍼 세정을 위한 브러시.
  5. 제1항에 있어서,
    제5 내부 구멍 지지체와 제6 내부 구멍 지지체는 제3 사이즈와 관련된 제3 내부 구멍을 규정하고,
    상기 제1 내부 구멍 지지체는 상기 제2 내부 구멍 지지체보다 상기 브러시 바디의 제1 에지에 더 가깝고,
    상기 제2 내부 구멍 지지체는 상기 제3 내부 구멍 지지체보다 상기 브러시 바디의 제1 에지에 더 가깝고,
    상기 제3 내부 구멍 지지체는 상기 제4 내부 구멍 지지체보다 상기 브러시 바디의 제1 에지에 더 가깝고,
    상기 제4 내부 구멍 지지체는 상기 제5 내부 구멍 지지체보다 상기 브러시 바디의 제1 에지에 더 가깝고,
    상기 제5 내부 구멍 지지체는 상기 제6 내부 구멍 지지체보다 상기 브러시 바디의 제1 에지에 더 가까운 것인,
    웨이퍼 세정을 위한 브러시.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 사이즈는 상기 제2 사이즈보다 크고, 상기 제2 사이즈는 상기 제3 사이즈보다 작은 것인,
    웨이퍼 세정을 위한 브러시.
  7. 제1항에 있어서,
    중간 구멍 사이즈와 관련된 중간 내부 구멍을 규정하는 제1 중간 내부 구멍지지체 및 제2 중간 내부 구멍 지지체를 포함하고,
    상기 중간 내부 구멍으로부터 상기 브러시 바디의 제1 에지까지의 거리가 상기 중간 내부 구멍으로부터 상기 브러시 바디의 제2 에지까지의 거리와 동일하게 되도록 상기 중간 내부 구멍이 배치되는 것인,
    웨이퍼 세정을 위한 브러시.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 중간 구멍 사이즈는 상기 제1 사이즈 또는 상기 제2 사이즈 중 적어도 하나보다 큰 것인,
    웨이퍼 세정을 위한 브러시.
  9. 반도체 제조 중에 웨이퍼를 세정하기 위한 브러시에 있어서,
    브러시 바디; 및
    상기 브러시 바디 내에 하나 이상의 내부 구멍 지지체;
    를 포함하고,
    제1 내부 구멍 지지체와 제2 내부 구멍 지지체는 제1 사이즈와 관련된 제1 내부 구멍을 규정하고,
    제1 중간 내부 구멍 지지체와 제2 중간 내부 구멍 지지체는 중간 구멍 사이즈와 관련된 중간 내부 구멍을 규정하고, 상기 중간 구멍 사이즈는 상기 제1 사이즈보다 큰 것인,
    웨이퍼 세정을 위한 브러시.
  10. 제1 브러시 위치에서 제1 유량(flow rate)에 기초하여 웨이퍼에 세정액을 적용하는 단계; 및
    제2 브러시 위치에서 제2 유량에 기초하여 상기 웨이퍼에 상기 세정액을 적용하는 단계;
    를 포함하는, 반도체 제조 중에 웨이퍼를 세정하기 위한 방법.
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