KR20140055395A - 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 제조 시스템 - Google Patents

반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 제조 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 푸프가 에스티비에 로딩되는 것이 감지하여 제 1 입력 신호를 발생시키는 단계; 및 상기 제 1 입력신호에 기초하여 불활성 가스 밸브를 개방하여 상기 에스티비에 질소 가스를 공급하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법 및 이를 이용하는 반도체 웨이퍼 제조 시스템에 관한 것이다.

Description

반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 제조 시스템{METHOD FOR APPLYING INERT GAS TO STB IN SEMICONDUCTOR WAFER PRODUCT SYSTEM AND SEMICONDUCTOR WAFER PRODUCT SYSTEM USING THE SAME}
본 발명은, 반도체 제작 공정에 있어서, 공정 이동중 산소나 먼지등의 오염원으로부터 웨이퍼가 오염되는 것을 방지하여 반도체 제조 공정 효율을 높일 수 있는, 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 제조 시스템에 관한 것이다.
일반적인 반도체 제작 공정에서 제작된 웨이퍼를 다음 공정을 수행하는 설비로 반송할 때는 웨이퍼 캐리지(Front Opening Unified POD, 이하 'FOUP', 푸프)에 상기 웨이퍼를 저장하고 반송 중에 STB(에스티비;Side Track Buffer)라는 저장 공간을 거쳐 각 공정 장비로 이송이 된다.
상기 STB는 공장의 천장에 상기 STB를 안내하기 위한 레일에 설치되어서, 공간 활용성을 높일 수 있다는 점과, 공정간의 이동 거리를 단축시킬 수 있다는 장점을 가지고 있다.
한편, 반도체 제작 공정에 있어서, 수율은 경제성을 도모하는 데 매우 중요한 요소이다. 그런데, 반도체 제작 공정에서 수율이 낮아지는 이유는, 공정간의 이동시 산소나 먼지등에 의해 웨이퍼가 노출되고, 이에 따라 웨이퍼가 오염될 수 있는 환경이 제공되기 때문이다.
따라서, 반도체 제작 공정 전반에 걸쳐, 웨이퍼가 오염환경에 노출되지 않도록 하는 노력이 있어왔다.
본 발명은, 반도체 제작 공정에 있어서, 공정 이동중 산소나 먼지등의 오염원으로부터 웨이퍼가 오염되는 것을 방지하여 반도체 제조 공정 효율을 높일 수 있는, 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 제조 시스템을 제공하기 위한 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법은, 푸프가 에스티비에 로딩되는 것이 감지하여 제 1 입력 신호를 발생시키는 단계; 및 상기 제 1 입력신호에 기초하여 불활성 가스 밸브를 개방하여 상기 푸프에 질소 가스를 공급하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예의 일태양에 의하면, 상기 불활성 가스는, 질소가스를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예의 일태양에 의하면, 상기 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법은, 상기 푸프 내부의 불활성가스의 압력 및 유량을 측정하여, 측정된 불활성 가스 압력 및 유량 정보를 이용하여 상기 불활성 가스의 공급을 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예의 일태양에 의하면, 상기 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법은, 상기 푸프로 인입되는 불활성 가스의 양과 인출되는 불활성가스의 양을 측정하고, 이에 따라 상기 불활성 가스의 공급을 제어하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예의 일태양에 의하면, 상기 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법은, 상기 푸프가 상기 에스티비에 로딩되면, 상기 푸프의 아이디 정보를 획득하여 제 2 입력신호를 발생시키는 단계를 더 포함하고, 상기 제 1 입력신호에 기초하여 불활성 가스 밸브를 개방하여 상기 푸프에 질소 가스를 공급하는 단계는, 상기 제 1 입력신호 및 상기 제 2 입력 신호에 기초하여 상기 푸프에 질소 가스를 공급하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예의 일태양에 의하면, 상기 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법은, 상기 별도의 에스티비가 상기 반도체 웨이퍼 제조 시스템에 물리적으로 장착되면, 사용자 입력부에 포트 추가 화면이 표시되는 단계; 상기 포트 추가 화면을 이용하여 포트를 소프트웨어적으로 추가한 후, 이 포트의 입출력 장치를 활성화하는 단계; 및 상기 사용자 입력부를 이용하여 상기 추가된 포트를 상기 반도체 웨이퍼 제조 시스템의 포트에 배치시키면, 상기 추가된 포트가 활성화되는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예의 일태양에 의하면, 상기 에스티비가 복수 개이고, 상기 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법은, 상기 에스티비 중 적어도 하나에 푸프가 존재하지 않으면, 해당 포트를 디스에이블하고, 이의 입출력 장치를 비활성화하는 단계; 및 포트 삭제 화면을 통해 상기 비활성화된 포트를 삭제하면, 포트의 입출력 신호가 차단되어 포트 신호 케이블을 제거할 수 있는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예인, 반도체 웨이퍼 제조 시스템은, 푸프가 푸프 포트에 장착되는 에스티비; 및 상기 푸프가 상기 에스티비에 장착되면 발생되는 제 1 입력 신호를 수신하면, 상기 제 1 입력신호에 기초하여 불활성 가스 밸브를 개방하여 상기 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 불활성가스 공급 장치를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예의 일태양에 의하면, 상기 불활성 가스는, 질소가스를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예의 일태양에 의하면, 상기 에스티비는, 그 푸프 내부의 불활성가스의 압력 및 유량을 측정하는 가스 압력 및 유량 센서를 포함하고, 상기 불활성가스 공급 장치는, 상기 제 1 입력 신호에 의해 개방되는 불활성 가스 밸브; 상기 불활성 가스에 대한 압력을 부여하는 펌프; 및 상기 가스 압력 센서에서 생성된 불활성 가스 압력 정보를 이용하여 상기 불활성 가스의 공급을 제어하도록 상기 펌프를 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예의 일태양에 의하면, 상기 에스티비는, 상기 푸프로 인입되는 불활성 가스의 양을 측정하는 가스 인입 센서; 및 상기 푸프에서 인출되는 불활성가스의 양을 측정하는 가스 인출 센서를 포함하고, 상기 불활성가스 공급 장치는, 상기 가스 인입 센서 및 상기 가스 인출 센서에서 획득되는 정보에 기초하여 상기 불활성 가스의 공급을 제어할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예의 일태양에 의하면, 상기 에스티비는, 상기 푸프가 로딩되면, 상기 푸프의 아이디 정보를 획득하여 제 2 입력신호를 발생시키고, 상기 불활성가스 공급 장치는, 상기 제 1 입력신호 및 상기 제 2 입력 신호에 기초하여 상기 푸프에 질소 가스를 공급할 수 있다.
상술한 구성을 가지는 본 발명의 일실시예에 따르면, 반도체 웨이퍼 제조 시스템에 있어서, 공정간 이동시에 이용되는 에스티비에 장착되는 푸프내에 불활성가스를 적정량 공급할 수 있기 때문에 공정 이동 중 오염원으로부터 반도체 웨이퍼가 접촉되는 것을 방지할 수 있어 수율을 높일 수 있다.
또한, 반도체 제조 시스템에 있어서, 에스티비를 추가하거나 탈착할 때, 전체 시스템을 다운시키지 않고, 소프트웨어적으로 에스티비를 추가하거나 삭제하는 것이 가능하게 되어서 반도체 웨이퍼 생산성을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 시스템의 전체적인 구성을 설명하기 위한 블록 구성도.
도 2는 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 시스템에 사용되는 에스티비의 전자적인 구성을 설명하기 위한 블록구성도.
도 3은 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 시스템에 사용되는 에스티비의 전자적인 구성을 설명하기 위한 블록구성도.
도 4는 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 5는 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법에서 에스티비를 추가하는 방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 6은 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법에서 에스티비를 삭제하는 방법을 설명하기 위한 흐름도.
이하, 본 발명과 관련된 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 제조 시스템에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 이하의 설명에서 설명되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 시스템의 전체적인 구성을 설명하기 위한 블록 구성도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 시스템은, 에스티비(100), 불활성 가스 공급 장치(200) 및 메인 제어 장치(300)를 포함할 수 있다.
에스티비(100)는 반도체 웨이퍼를 수용하는 다수개의 푸프(101)를 반도체 제조 공정간에 이동시키기 위한 구성요소이다. 이 때, 에스티비(100)에는 불활성 가스 공급관이 설치되어서, 푸프(101)내에 불활성 가스를 공급하게 된다. 이에 대한 설명은 도 2에서 보다 상세하게 설명하도록 한다.
불활성 가스 공급 장치(200)는, 에스티비(100)에 설치되는 푸프 포트(110)에 설치된 푸프(101)내로 불활성 가스를 공급하기 위한 구성요소이다. 여기에 사용되는 불활성가스로서 질소 가스나 아르곤 가스등이 이용될 수 있다. 이에 대해서는 도 3에서 보다 상세하게 설명하도록 한다.
메인 제어 장치(300)는 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 시스템의 전체 공정을 제어하는 구성요소로서, 에스티비(100)에 푸프(101)를 안착시키고, 불활성 공급 장치(200) 및 에스티비(100)로부터 현재의 상태 정보를 확인하고, 이들을 각각 제어하는 메인 콘트롤러이다.
도 2는 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 시스템에 사용되는 에스티비의 전자적인 구성을 설명하기 위한 블록구성도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 시스템에 사용되는 에스티비(100)는, 푸프 포트(110), 인입 가스 센서(120), 인출 가스 센서(130), 가스 압력 센서(또는 가스 유량 센서, 또는 이들의 조합)(140), 통신 모듈(150) 및 에스티비 제어부(160)를 포함한다.
푸프 포트(110)는 푸프(101)가 에스티비(100)에 안착하기 위한 구성요소이다. 푸프(101)가 에스티비(100)에 안착이 되면, 제 1 입력 신호가 발생하게 되고, 이에 따라, 에스티비 제어부(160)는 통신 모듈(150)을 통해 이를 불활성 가스 공급 장치(200)에 알리게 되며, 이에 따라 불활성 가스 공급 장치(200)는 밸브(210)를 온시켜 푸프(101)내에 불활성 가스를 공급하게 된다. 한편, 상기 푸프 포트(110)에 푸프(101)가 안착되면, 메인 제어 장치(300) 또는 푸프(101)에 있는 아이디 정보를 획득하게 되고, 적절한 불활성 가스가 푸프(101)내로 공급되게 된다.
인입 가스 센서(120)와 인출 가스 센서(130)는 푸프(101)내로 인입되는 불활성 가스 및 외부로 유출되는 불활성 가스의 양을 측정하기 위한 구성요소이다. 상기 가스 인입 센서 및 상기 가스 인출 센서에서 획득되는 정보에 기초하여 상기 불활성 가스의 공급을 제어함으로써, 최적의 불활성 가스를 푸프(101)내에 제공하게 된다.
가스 압력 센서 또는 유량 센서(140)는 푸프(101)내의 불활성가스가 인입됨에 따라 발생되는 내부 압력을 측정하기 위한 구성요소이다. 이 가스 압력 센서(140)에 의해 획득된 정보는 통신 모듈(150)을 통해 불활성 가스 공급 장치(200)에 제공되고, 이에 따라 펌프(220)가 동작되게 되어서 푸프(101)내의 최적의 불활성 가스가 존재하도록 한다.
이하에서는, 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 시스템에 사용되는 부활성 가스 공급 장치에 대하여 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 시스템에 사용되는 불활성 가스 공급 장치의 전자적인 구성을 설명하기 위한 블록구성도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 불활성 가스 공급 장치(200)는, 밸브(210), 펌프(220), 표시부(230), 입력부(240), 통신부(250), 데이터 저장부(260), 에스티비 입력 제어 모듈(270), 불활성 가스 공급 제어부(280)를 포함할 수 있다.
밸브(210)는 에스티비(100)에 설치된 불활성 가스 공급관에 설치되어서, 푸프(101)가 에스티비(100)에 로딩됨에 따라 발생되는 제 1 입력 신호에 기초하여 개방되어서 푸프(101)내로 불활성 가스를 공급하게 하는 기능을 한다.
펌프(220)는 불활성가스가 푸프(101)내로 공급되게 하는 압력을 제공하는 구성요소로서, 상술하는 푸프(101)가 로딩됨에 따라 획득되는 푸프(101)의 아이디 신호, 인입 가스 센서(120), 인출 가스 센서(130), 가스 압력 센서(140)로부터 획득되는 정보등에 의하여 푸프(101)로 공급되는 불활성 가스의 양을 제어하는 기능하게 된다.
표시부(230)는, 불활성 가스 공급 장치(200)의 동작상태를 시각적으로 표시하기 위한 구성요이다. 또한 후술하는 에스티비(100)의 추가 또는 삭제를 할 때 이용되는 UI(User Interface)를 나타내기 위한 구성요소이다. 이러한 표시부로서 터치스크린이 이용될 수 있으며, 이 경우 표시부는 입력부로서 이용될 수 있다.
사용자 입력부(240)는, 불활성 가스 공급 장치(200)의 동작 및 제어 명령을 입력하기 위한 구성요소이며, 후술하는 에스티비(100)의 추가 또는 삭제를 위한 명령어를 입력하기 위한 구성요소이다.
통신부(250)는, 상술한 에스티비(100)에서 감지되는 각종 신호를 수신하기 위한 구성요소이다.
데이터 저장부(260)는, 에러 정보, 푸프 아이디 정보 등을 저장하기 위한 구성요소이다.
에스티비 입력 제어모듈(270)은 에스티비 입력 장치를 활성화 또는 비활성화하기 위한 구성요소로서, 이는 에스티비(100)를 기존의 웨이퍼 제조 시스템에 추가하거나 삭제할 때 이용되며, 이에 대해서는 도 5 및 도 6에서 설명하도록 한다.
불활성 가스 공급 제어부(280)는, 통신부(250)를 통해 획득되는 푸프(101)의 압력 정보, 가스 인입 및 인출 정보를 수신하고 이에 기초하여 밸브(210) 및 펌프(220)를 동작시켜 적절한 불활성 가스를 푸프(101)에 공급하게 하는 기능을 한다.
이하에서는 상술한 구성을 가진 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법을 도 4를 통해 보다 상세하게 설명하도록 한다.
도 4는 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 도시된 바와 같이, 우선, 에스티비(100)의 푸프 포트(110)에 푸프(101)가 로딩되면 푸프(101)를 인식하여 푸프 아이디 정보를 획득하게 된다(S11, S12). 그 다음, 푸프 로딩에 따른 제 1 입력 신호 및 푸프 아이디 정보에 따른 제 2 입력신호가 불활성 가스 공급 장치(200)에 전송하게 되면, 불활성 가스 공급 장치(200)는, 밸브(210)를 개방하게 된다(S13,S21). 이에 따라 질소가스(불활성 가스)가 푸프(101)내로 공급되게 된다(S22). 이와 같이 질소 가스가 공급되면, 에스티비(100)는 푸프(101)내의 가스 압력 정보를 획득하고(S14), 이 가스 압력 정보를 수신한 불활성 가스 공급 장치(200)는 펌프(220)를 제어하여 푸프(101)내로 인입되는 불활성 가스의 양을 제어하게 된다(S15, S24). 그리고, 이러한 푸프(101)내의 상태나 불활성 가스 공급량등의 정보는 메인 제어 장치(300)로 제공되게 된다(S23). 또한, 푸프(101)내로의 가스 인입 정보 및 가스 인출 정보가 획득되어서 이것이 불활성 가스 공급 장치(200)로 전송되면, 불활성 가스 공급 장치(200)는 이들을 이용하여 펌프(220)를 제어하여 푸프(101)내로 인입되는 불활성 가스의 양을 제어하게 된다(S16,S17, S26). 그리고, 이러한 푸프(101)내의 인입 가스 정보 및 인출 가스 정보는 메인 제어 장치(300)로 제공되게 된다(S25)
한편, 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법에서 에스티비를 추가하는 방법에 대하여 도 5를 참조하여 설명하도록 한다.
도 5는 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법에서 에스티비를 추가하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 도시된 바와 같이, 에스티비(100)를 추가하는 경우 반도체 웨이퍼 장치에 에스티비 포트를 설치한다(S41). 에시티비 포트에 설치된 에스티비(100)에 푸프(101)가 안착되면(S43), 표시부에 포트 추가화면이 표시된다(S45). 이 포트 추가회면을 통해 포트가 추가되면 포트 입력 장치가 활성화되고, 그 다음, 상기 사용자 입력부를 이용하여 상기 추가된 포트를 상기 반도체 웨이퍼 제조 시스템의 포트에 배치시키면, 상기 추가된 포트가 활성화된다(S47, S49, S51).
이하에서는, 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법에서 에스티비를 제거 또는 삭제하는 방법에 대하여 도 6을 참조하여 설명하도록 한다.
도 6은 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법에서 에스티비를 삭제하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 우선 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 이미 설치된 에스티비(100) 중 하나를 제거하는 경우, 제거하고자 하는 에스티비(100)의 에스티비 포트를 디스에이블시킨다(S61). 이에 따라 에스티비의 입출력 장치가 비활성화되고, 표시부에는 포트 삭제 화면이 표시된다(S63, S65). 이 포트 삭제 화면을 통해 상기 비활성화된 포트를 삭제하면, 포트 신호가 차단되어 포트 신호 케이블을 제거할 수 있게 된다(S67, S69, S71).
상술한 구성을 가지는 본 발명의 일실시예에 따르면, 반도체 웨이퍼 제조 시스템에 있어서, 공정간 이동시에 이용되는 에스티비에 장착되는 푸프내에 불활성가스를 적정량 공급할 수 있기 때문에 공정 이동 중 오염원으로부터 반도체 웨이퍼가 접촉되는 것을 방지할 수 있어 수율을 높일 수 있다.
또한, 반도체 제조 시스템에 있어서, 에스티비를 추가하거나 탈착할 때, 전체 시스템을 다운시키지 않고, 소프트웨어적으로 에스티비를 추가하거나 삭제하는 것이 가능하게 되어서 반도체 웨이퍼 생산성을 높일 수 있다.
상기와 같이 설명된 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 제조 시스템은 상기 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
100 : STB(에스티비)
200 : 불활성 가스 공급 장치
300 : 메인 제어 장치
101 : 푸프(FOUP)
110 : 푸프 포트
120 : 인입 가스 센서
130 : 인출 가스 센서
140 : 가스 압력 센서
150 : 통신 모듈
160 : 에스티비 제어부
210 : 밸브
220 : 펌프
230 : 표시부(터치스크린)
240 : 입력부
250 : 통신부
260 : 데이터 저장부
270 : 에스티비 입력 제어 모듈
280 : 불활성가스 공급 제어부

Claims (12)

  1. 푸프가 에스티비에 로딩되는 것이 감지하여 제 1 입력 신호를 발생시키는 단계; 및
    상기 제 1 입력신호에 기초하여 불활성 가스 밸브를 개방하여 상기 푸프에 질소 가스를 공급하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 불활성 가스는, 질소가스를 포함하는, 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 푸프 내부의 불활성가스의 압력 및 유량을 측정하여, 측정된 불활성 가스 압력 및 유량 정보를 이용하여 상기 불활성 가스의 공급을 제어하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 푸프로 인입되는 불활성 가스의 양과 인출되는 불활성가스의 양을 측정하고, 이에 따라 상기 불활성 가스의 공급을 제어하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 푸프가 상기 에스티비에 로딩되면, 상기 푸프의 아이디 정보를 획득하여 제 2 입력신호를 발생시키는 단계를 더 포함하고,
    상기 제 1 입력신호에 기초하여 불활성 가스 밸브를 개방하여 상기 푸프에 질소 가스를 공급하는 단계는,
    상기 제 1 입력신호 및 상기 제 2 입력 신호에 기초하여 상기 푸프에 질소 가스를 제어하여 공급하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 별도의 에스티비가 상기 반도체 웨이퍼 제조 시스템에 물리적으로 장착되면, 사용자 입력부에 포트 추가 화면이 표시되는 단계;
    상기 포트 추가 화면을 이용하여 포트를 소프트웨어적으로 추가한 후, 이 포트의 입출력 장치를 활성화하는 단계;
    상기 사용자 입력부를 이용하여 상기 추가된 포트를 상기 반도체 웨이퍼 제조 시스템의 포트에 배치시키면, 상기 추가된 포트가 활성화되는 단계를 더 포함하는, 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 에스티비가 복수개이고,
    상기 에스티비 중 하나에 푸프가 존재하지 않으면, 해당 포트를 디스에이블하고, 이의 입출력 장치를 비활성화하는 단계;
    포트 삭제 화면을 통해 상기 비활성화된 포트를 삭제하면, 포트 입출력 신호가 차단되어 포트 신호 케이블을 제거할 수 있는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법.
  8. 푸프가 푸프 포트에 장착되는 에스티비; 및
    상기 푸프가 상기 에스티비에 장착되면 발생되는 제 1 입력 신호를 수신하면, 상기 제 1 입력신호에 기초하여 상기 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 불활성가스 공급 장치를 포함하는, 반도체 웨이퍼 제조 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 불활성 가스는, 질소가스를 포함하는, 반도체 웨이퍼 제조 시스템.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 에스티비는, 그 푸프 내부의 불활성가스의 압력을 측정하는 가스 압력 센서를 포함하고,
    상기 불활성가스 공급 장치는,
    상기 제 1 입력신호에 의해 개방되는 불활성 가스 밸브;
    상기 불활성 가스에 대한 압력을 부여하는 펌프 및
    상기 가스 압력 센서에서 생성된 불활성 가스 압력 정보를 이용하여 상기 불활성 가스의 공급을 제어하도록 상기 펌프를 제어하는 제어부를 포함하는, 반도체 웨이퍼 제조 시스템.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 에스티비는,
    상기 푸프로 인입되는 불활성 가스의 양을 측정하는 가스 인입 센서; 및
    상기 푸프에서 인출되는 불활성가스의 양을 측정하는 가스 인출 센서를 포함하고,
    상기 불활성가스 공급 장치는,
    상기 가스 인입 센서 및 상기 가스 인출 센서에서 획득되는 정보에 기초하여 상기 불활성 가스의 공급을 제어하는, 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 에스티비는,
    상기 푸프가 로딩되면, 상기 푸프의 아이디 정보를 획득하여 제 2 입력신호를 발생시키고,
    상기 불활성가스 공급 장치는,
    상기 제 1 입력신호 및 상기 제 2 입력 신호에 기초하여 상기 푸프에 질소 가스를 제어하여 공급하는, 반도체 웨이퍼 제조 시스템.
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