KR20140050859A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20140050859A
KR20140050859A KR1020120117207A KR20120117207A KR20140050859A KR 20140050859 A KR20140050859 A KR 20140050859A KR 1020120117207 A KR1020120117207 A KR 1020120117207A KR 20120117207 A KR20120117207 A KR 20120117207A KR 20140050859 A KR20140050859 A KR 20140050859A
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판처리장치는 챔버, 상기 챔버의 내부에 제공되며, 기판을 지지하는 지지유닛, 상기 지지유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열부재, 상기 챔버 내에 공정가스를 공급하는 가스공급유닛, 그리고 상기 챔버의 내벽을 감싸도록 제공되는 라이너유닛을 포함하되, 상기 라이너유닛은
상기 챔버의 내측벽을 감싸고, 중공의 원통 형상으로 제공되는 측부라이너, 상기 챔버의 상부벽을 감싸고, 상기 측부라이너의 상단에 놓여지는 상부라이너, 그리고 상기 챔버의 상부벽과 상기 상부라이너 사이에 제공되는 제1탄성부재를 포함한다.

Description

기판처리장치{Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 칩이나 발광다이오드(LED)와 같은 집적회로의 제조를 위해 기판에 박막을 증착하는 공정이 요구된다. 최근 반도체 소자의 미세화와 고효율 및 고출력 엘이디(LED)의 개발 등에 따라 증착 공정 중 금속 유기 화학 기상 증착법(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)이 각광받고 있다. 금속 유기 화학 기상 증착법은 화학 기상 증착법(MOCVD)들 중 하나로, 유기금속의 열분해 반응을 이용해 기판 상에 금속화합물을 퇴적 및 부착시키는 방법이다.
금속 유기 화학 기상 증착법은 고온의 조건에서 공정가스를 기판 상에 증착하는 공정으로, 공정이 진행되는 중에는 챔버의 내부온도가 700℃ 내지 1300℃로 가열된다. 공정이 진행되는 중에는 공정가스 및 공정부산물로 인해 챔버의 내벽이 손상될 수 있다. 이로 인해 챔버의 내벽에는 이를 보호하는 라이너유닛이 제공된다. 라이너유닛은 탈착이 가능한 구조로, 라이너유닛은 챔버의 내벽을 감싸도록 제공된다. 이로 인해 라이너유닛은 공정가스가 제공되는 공간과 챔버의 내벽을 서로 구획할 수 있다.
라이너유닛은 측부라이너와 상부라이너를 포함한다. 측부라이너는 챔버의 내측벽을 감싸도록 제공되고, 상부라이너는 측부라이너의 상단에 놓여진다. 그러나 챔버의 열변형 및 주변 환경으로 인해 상부라이너와 측부라이너 간에는 틈이 발생되고, 그 틈으로 유입된 공정가스 및 공정부산물은 챔버의 내벽을 손상시킨다.
한국특허 공개번호 제2002-0059224호
본 발명은 챔버의 내벽이 손상되는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 챔버의 내벽을 감싸는 상부라이너와 측부라이너 간에 틈이 발생되는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판처리장치는 챔버, 상기 챔버의 내부에 제공되며, 기판을 지지하는 지지유닛, 상기 지지유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열부재, 상기 챔버 내에 공정가스를 공급하는 가스공급유닛, 그리고 상기 챔버의 내벽을 감싸도록 제공되는 라이너유닛을 포함하되, 상기 라이너유닛은
상기 챔버의 내측벽을 감싸고, 중공의 원통 형상으로 제공되는 측부라이너, 상기 챔버의 상부벽을 감싸고, 상기 측부라이너의 상단에 놓여지는 상부라이너, 그리고 상기 챔버의 상부벽과 상기 상부라이너 사이에 제공되는 제1탄성부재를 포함한다.
상기 제1탄성부재는 상기 측부라이너의 상단과 대향되는 위치에 제공될 수 있다. 상기 라이너유닛은 상기 측부라이너의 하단을 지지하는 제2탄성부재를 더 포함하되, 상기 제2탄성부재는 상하방향으로 탄성력을 제공할 수 있다. 기 제1탄성부재 및 상기 제2탄성부재는 스프링으로 제공될 수 있다. 상기 가스공급유닛은 공정가스를 분사하는 분사노즐을 포함하고, 상기 라이너유닛은 상기 분사노즐을 감싸도록 제공되고, 상기 상부라이너를 지지하는 상부라이너지지부재 및 상기 상부라이너와 상기 챔버의 상부벽 사이에 제공되는 제3탄성부재를 더 포함하되, 상기 상부라이너의 중앙부에는 상기 분사노즐이 관통되는 내측홀이 형성되고, 상기 상부라이너지지부재는 상기 내측홀과 인접한 영역을 지지하며, 상기 제3탄성부재는 상기 상부라이너지지부재와 대향되는 위치에 더 제공될 수 있다. 상기 제1탄성부재 및 상기 제2탄성부재는 세라믹 재질로 제공될 수 있다.
본 발명이 실시예에 의하면, 제1탄성부재는 상부라이너의 상단을 아래로 눌러 상부라이너와 측부라이너 간의 틈이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 제2탄성부재는 하부라이너의 하단을 위로 눌러 상부라이너와 측부라이너 간의 틈이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도2는 도1의 기판홀더를 보여주는 평면도이다.
도3은 도1의 서셉터를 보여주는 평면도이다.
도4는 도1의 분사노즐을 보여주는 단면도이다.
도5는 도1의 분사노즐을 선 a - a'로 절단한 평면도이다.
도6은 도1의 배기유닛을 보여주는 사시도이다.
도7은 도1의 라이너유닛과 배기링이 서로 조합된 사시도이다.
도8은 도1의 상부라이너지지부재를 보여주는 사시도이다.
도9는 도1의 다른 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 따라서 도면에서의 도시된 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판처리장치는 엘이디(LED) 제조를 위해 사용되는 금속 유기 화학 기상 증착 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리 기판처리장치는 반도체 칩 제조를 위해 사용되는 금속 유기 화학 기상 증착 장치일 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에서 기판(W)으로는 발광다이오드의 제조 공정에 사용되는 사파이어 및 실리콘카바이드 기판(W)을 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리 기판은 반도체 집적회로의 제조 공정에 사용되는 실리콘 웨이퍼(W)일 수 있다.
이하, 도1 내지 도9를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도1을 참조하면, 기판처리장치(1)는 챔버(100), 지지유닛(200), 가스공급유닛(300), 배기유닛(400), 가열부재(500), 그리고 라이너유닛(600)을 포함한다.
챔버(100)의 내부는 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 챔버(100)는 몸체(140)와 커버(120)를 포함한다. 몸체(140)는 상부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 커버(120)는 몸체(140)의 상단과 동일한 직경의 원판 형상으로 제공된다. 커버(120)는 몸체(140)의 상단에 탈착 가능하게 제공된다. 커버(120)는 몸체(140)에 장착되어 몸체(140)의 내부를 밀폐할 수 있다. 몸체(140)와 커버(120)는 열변형에 약한 금속재질로 제공될 수 있다. 선택적으로 몸체(140)와 커버(120)는 일체형으로 제공될 수 있다.
지지유닛(200)은 챔버(100)의 내부에서 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(200)은 기판홀더(210), 서셉터(230), 회전축(250), 그리고 모터(270)를 포함한다. 도2는 도1의 기판홀더를 보여주는 단면도이다. 도2를 참조하면, 기판홀더(210)는 대체로 원판 형상을 가진다. 기판홀더(210)의 상면에는 기판(W)이 놓이는 기판안착홈(211)이 형성된다. 기판홀더(210)의 저면 중앙에는 고정홈(213)이 형성된다. 기판홀더(210)는 전기 전도율이 높은 재질로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 기판홀더(210)의 재질은 흑연으로 제공될 수 있다. 기판안착홈(211)은 기판홀더(210)의 상면 중앙에 하나가 제공될 수 있다. 선택적으로 기판안착홈(211)은 하나의 기판홀더(210)에 복수 개가 제공될 수 있다.
도3은 도1의 서셉터를 보여주는 평면도이다. 도3을 참조하면, 서셉터(230)는 기판홀더(210)보다 큰 원판 형상으로 제공된다. 서셉터(230)는 그 중심축을 기준으로 회전 가능하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 서셉터(230)는 열변형에 강한 재질로 제공될 수 있다. 서셉터(230)의 저면에는 회전축(250)이 결합되고, 회전축(250)은 모터(270)에 결합된다. 모터(270)가 회전축(250)에 회전력을 제공하면, 서셉터(230)는 회전축(250)과 함께 회전될 수 있다. 서셉터(230)의 상면 중앙부에는 중앙홈(239)이 형성된다. 서셉터(230)의 상면에는 홀더안착홈(231)이 복수 개로 형성된다. 홀더안착홈(231)에는 기판홀더(210)가 놓이는 공간을 제공한다. 각각의 홀더안착홈(231)은 서셉터(230)의 중앙홈(239)을 감싸는 환형의 링을 이루도록 배열된다. 각각의 홀더안착홈(231)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 홀더안착홈(231)들은 서로 동일한 크기 및 형상으로 제공될 수 있다. 홀더안착홈(231)은 원형으로 제공된다. 일 예에 의하면, 홀더안착홈(231)은 10 개로 제공될 수 있다. 홀더안착홈(231)은 기판홀더(210)와 동일한 직경을 가지거나 이보다 큰 직경을 가질 수 있다. 홀더안착홈(231)의 상면 중앙부에는 위로 돌출된 돌기(233)가 형성된다. 돌기(233)는 기판홀더(210)가 홀더안착홈(231)으로부터 이탈되는 것을 방지한다. 돌기(233)는 기판홀더(210)의 고정홈(213)에 삽입 가능하다.
또한 서셉터(230)는 가스베어링의 원리에 의해 기판홀더(210)를 회전시킨다. 홀더안착홈(231)의 상면에는 복수의 분사홀들(235)이 형성된다. 분사홀들(235)은 기체를 분사한다. 분사된 기체는 홀더안착홈(231)에 삽입된 기판홀더(210)를 공중 부양시킨다. 분사홀들(235)은 돌기(233)를 감싸도록 배열된다. 각각의 홀더안착홈(231)의 상면에는 분사홀(235)로부터 연장되는 안내홈(236)이 형성된다. 안내홈(236)은 상부에서 바라볼 때 라운드지도록 형성된다. 안내홈(236)은 분사홀(235)로부터 분사된 기체가 흐르는 방향을 안내한다. 안내홈(236)은 기판홀더(210)가 부유된 상태에서 회전 가능하도록 기체를 안내한다.
서셉터(230)의 내부에는 기체공급라인(237)이 제공된다. 기체공급라인(237)은 각각의 분사홀(235)에 연결된다. 기체는 기체공급라인(237)을 통해 분사홀(235)로 제공된다. 예컨대, 기체는 질소가스(N2)와 같은 비활성 가스일 수 있다.
가스공급유닛(300)은 지지유닛(200)에 놓인 기판(W) 상으로 공정가스 및 퍼지가스를 공급한다. 도4는 도1의 분사노즐을 보여주는 단면도이고, 도5는 도1의 분사노즐을 선 a - a'로 절단한 평면도이다. 도4 및 도5를 참조하면, 가스공급유닛(300)은 분사노즐(310) 및 공급라인(330)을 포함한다. 분사노즐(310)은 노즐몸체(310a), 제1내관(321), 그리고 제2내관(322)을 포함한다. 노즐몸체(310a)는 원통 형상으로 제공된다. 노즐몸체(310a)는 커버(120)의 중앙부를 관통한 상태에서 커버(120)에 고정결합된다. 노즐몸체(310a)는 서셉터(230)의 상부에서 서셉터(230)와 대향되게 위치된다. 노즐몸체(310a)는 서셉터(230)의 중앙홈(239)에 비해 작은 직경을 가지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 노즐몸체(310a)는 홀더안착홈(231)과 중첩되지 않도록 배치된다. 노즐몸체(310a)의 하단은 서셉터(230)의 중앙홈(239) 내에 위치도록 제공된다. 노즐몸체(310a)의 하단은 서셉터(230)의 중앙홀 저면에서 이격되게 위치될 수 있다. 노즐몸체(310a)의 외측면에는 퍼지가스분사홀(314,318)과 공정가스분사홀(315,316,317)이 형성된다. 퍼지가스분사홀(314,318)과 공정가스분사홀(315,316,317)은 각각 복수 개로 제공된다. 퍼지가스분사홀(314,318)들과 공정가스분사홀(315,316,317)들은 서로 상이한 높이에 제공된다. 퍼지가스분사홀(314,318)들과 공정가스분사홀(315,316,317)들 각각은 노즐몸체(310a)의 원주방향을 따라 복수 개가 형성된다. 각각의 퍼지가스분사홀(314,318)들은 서로 동일 간격으로 이격되게 제공된다. 각각의 퍼지가스분사홀(314,318)들은 서로 간에 동일한 크기로 제공된다. 또한 각각의 공정가스분사홀(315,316,317)들은 서로 동일 간격으로 이격되게 제공된다. 각각의 공정가스분사홀(315,316,317)들은 서로 간에 동일한 크기로 제공된다. 퍼지가스분사홀(314,318)과 공정가스분사홀(315,316,317)은 상하방향을 따라 교대로 번갈아 가면서 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 노즐몸체(310a)의 최상부와 최하부에는 각각 퍼지가스분사홀(314,318)이 위치되고, 이들의 퍼지가스분사홀(314,318) 사이에는 공정가스분사홀(315,316,317)이 위치될 수 있다. 공정가스분사홀(315,316,317)은 상하방향을 따라 제1분사홀(315), 제2분사홀(316), 그리고 제1분사홀(317)이 순차적으로 형성될 수 있다. 노즐몸체(310a)의 최하부에 형성되는 퍼지가스분사홀(318)은 서셉터(230)의 중앙홈(239)의 내측면과 마주보도록 위치될 수 있다. 노즐몸체(310a)의 최상부에 형성되는 퍼지가스분사홀(314)은 후술할 상부라이너와 인접한 높이에 제공될 수 있다.
노즐몸체(310a)의 내부에는 제1공간(311), 제2공간(312), 그리고 제3공간(313)이 형성된다. 제1공간(311)은 노즐몸체(310a)의 내부 중앙부에 제공된다. 제2공간(312)은 제1공간(311)을 감싸도록 제공되고, 제3공간(313)은 제2공간(312)을 감싸도록 제공되며, 각각의 공간은 서로에 대해 분리된 공간으로 제공된다.
제1내관(321)은 제1공간(311)과 제2분사홀(316)을 연결한다. 제2내관(322)은 제2공간(312)과 제1분사홀(315) 및 제3분사홀(317)을 연결한다. 제3공간(313)은 퍼지가스분사홀(314,318)과 통하도록 제공된다. 도시되지 않았지만, 노즐몸체(310a)의 내부에는 냉각유체가 흐르는 유로가 더 형성된다. 냉각유체는 노즐몸체(310a)가 일정온도 이상으로 가열되는 것을 방지한다. 냉각유체는 노즐몸체(310a) 내부에서 공정가스들이 서로 반응하거나, 노즐몸체(310a)의 외측벽에 공정부산물이 부착되는 것을 방지한다.
공급라인(330)은 제1공정가스공급라인(332), 제2공정가스공급라인(334), 그리고 퍼지가스공급라인(336)을 포함한다. 제1공정가스공급라인(332)은 제1공간(311)에 연결되고, 제2공정가스공급라인(334)은 제2공간(312)에 연결되며, 퍼지가스공급라인(336)은 제3공간(313) 및 커버(120)에 연결된다. 예컨대 퍼지가스는 비활성 가스일 수 있다. 퍼지가스는 질소가스(N2)일 수 있다. 제1공정가스는 유기금속인 Ⅲ족 원소의 가스일 수 있다. 제1공정가스는 트리메틸갈륨(TMG) 또는 트리메틸알루미늄(TMA)일 수 있다. 제2공정가스는 V족원소가 수소화물로서 제공될 수 있다. 제2공정가스는 포스핀(PH3), 수소화비소(AsH3), 또는 암모니아(NH3)일 수 있다.
배기유닛(400)은 챔버(100) 내에 발생되는 공정부산물을 외부로 배기한다. 도6은 도1의 배기유닛을 보여주는 사시도이다. 도6을 참조하면, 배기유닛(400)은 배기링(420), 배기관(440), 그리고 배기부재를 포함한다. 배기링(420)은 서셉터(230)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 또한 배기링(420)의 내부에는 환형의 내부 공간에 형성된다. 배기링(420)의 상단은 서셉터(230)의 상면과 동일하거나 이보다 낮게 제공된다. 배기링(420)의 상단에는 복수의 배기홀(421)들이 형성된다. 배기홀(421)들은 배기링(420)의 원주방향을 따라 제공된다. 배기홀(421)들은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 배기관(440)은 배기링(420)을 챔버(100)의 외부에 위치되는 배기부재에 연결시킨다. 배기관(440)은 복수개로 제공된다. 예컨대, 배기관(442)은 4 개로 제공될 수 있다. 배기관들(442)은 배기링(420)의 원주방향을 따라 배기링(420)의 하단에 결합된다. 각각의 배기관(442)은 배기링(420)의 내부공간과 통하도록 제공된다. 배기관들(442)은 서로 간에 동일 가격으로 이격되게 배치된다. 서로 인접한 배기관들(442)은 단계별로 합쳐 하나의 중심배관(446)으로 연결된다. 예컨대, 서로 인접한 2 개의 배기관(442)은 하나의 분기배관(444)으로 합쳐지고, 합쳐진 각각의 분기배관(444)은 다시 합쳐져 중심배관(446)으로 연결된다. 중앙배관(446)에는 배기부재(460)가 설치된다. 배기부재(460)로부터 발생되는 진공압은 배기관(440)을 통해 배기링(420)으로 제공된다. 챔버(100) 내에 진공압이 제공되면, 챔버(100) 내에 발생되는 공정부산물을 배기홀(421)을 통해 흡기될 수 있다. 또한 챔버(100) 내에 제공되는 진공압을 통해 챔버(100)의 내부압력을 조절할 수 있다. 예컨대, 배기부재는 펌프일 수 있다.
다시 도2를 참조하면, 가열부재(500)는 챔버(100)의 내부에서 서셉터(230)의 아래에 설치된다. 가열부재(500)는 서셉터(230)와 일정간격을 유지하도록 설치된다. 가열부재(500)는 나선형 형상으로 제공된다. 가열부재(500)는 서셉터(230)와 평행하게 제공될 수 있다. 가열부재(500)로부터 제공되는 열은 서셉터(230)를 통해 기판홀더(210) 및 기판(W)으로 전달될 수 있다. 예컨대, 가열부재(500)는 히터일 수 있다.
라이너유닛(600)은 챔버(100)의 내벽을 보호한다. 라이너유닛(600)은 몸체(140)의 내측벽 및 커버(120)에 공정가스가 부착되는 것을 방지한다. 도7은 도1의 라이너유닛과 배기링이 서로 조합된 사시도이다. 도7을 참조하면, 라이너유닛(600)은 측부라이너(610), 측부라이너지지부재(620), 상부라이너(630), 상부라이너지지부재(640), 그리고 누름부재(650)를 포함한다. 측부라이너(610)는 몸체(140)의 내측벽을 공정가스로부터 보호한다. 측부라이너(610)는 중공의 통 형상으로 제공된다. 측부라이너(610)는 몸체(140)의 내측벽과 대체로 대응되는 직경을 가진다. 측부라이너(610)는 몸체(140)의 내측벽과 인접하도록 제공된다. 측부라이너(610)와 몸체(140)의 내측벽 간에는 소정의 공간이 형성될 수 있다. 측부라이너(610)는 배기링의 상단에 놓여질 수 있다.
측부라이너(610)는 배기링의 하단을 지지한다. 측부라이너지지부재(620)는 지지축(622) 및 삽입축(624)을 포함한다. 지지축(622)은 복수 개로 제공되며, 각각의 지지축(622)은 배기링과 챔버(100)의 바닥벽에 결합된다. 지지축(622)은 상부가 개방된 원통 형상을 가지도록 제공된다. 삽입축(624)은 지지축(622)의 내부에 삽입된다. 삽입축(624)은 지지축(622)의 내부에서 상하방향으로 이동가능하도록 제공된다. 삽입축(624)은 'T' 형상으로 제공된다. 삽입축(624)은 수평판(624a) 및 수직축(624b)을 가진다. 수평판(624a)은 판 형상으로 제공되며, 상부에서 바라볼 때 지지축(622)의 내부공간과 대응되는 직경을 가진다. 수평판(624a)의 상단은 지지축(622)의 상단보다 높게 위치되고, 그 하단은 지지축(622)의 내부에 위치된다. 지지축(622)으로부터 돌출된 수평판(624a)의 상단은 배기링의 저면과 고정결합된다. 이로 인해 수평판(624a)은 지지축(622)의 상단보다 높은 높이에서 지지축(622)의 상단과 동일한 높이 간에 이동 가능하다. 수직축(624b)은 삽입축(624)의 저면 중앙부로부터 아래로 연장된 바 형상을 가진다.
상부라이너(630)는 커버(120)를 공정가스로부터 보호한다. 상부라이너(630)는 중공을 가지는 원판 형상으로 제공된다. 상부라이너(630)는 측부라이너(610)와 대응되는 직경을 가진다. 상부라이너(630)는 챔버(100)의 상부벽과 대향되게 배치되도록 측부라이너(610)의 상단에 놓여진다. 이로 인해 서셉터, 배기링, 측부라이너(610), 그리고 상부라이너(630)는 서로 조합되어 챔버(100)의 내벽과 구획된 공간을 형성한다. 상부라이너(630)의 중공에는 분사노즐이 관통된다. 상부라이너(630)는 커버(120)와 대체로 대응되는 직경을 가진다. 상부라이너(630)는 커버(120)와 인접하도록 제공된다. 상부라이너(630)와 커버(120) 간에는 소정의 공간이 형성된다. 상부라이너(630)와 커버(120) 간의 사이 공간에는 퍼지가스가 공급된다. 이는 상부라이너(630)와 커버(120) 간의 사이공간으로 공정가스가 유입되는 것을 방지할 수 있다. 또한 상부라이너(630)가 일정온도 이상으로 가열되는 것을 방지할 수 있다. 일 예에 의하면, 상부라이너(630) 및 측부라이너(610)는 열변형에 강한 재질로 제공될 수 있다.
상부라이너지지부재(640)는 상부라이너(630)가 고정되도록 상부라이너(630)를 지지한다. 상부라이너지지부재(640)는 상부라이너(630)의 내측부를 지지한다. 도8은 도1의 상부라이너지지부재를 보여주는 사시도이다. 상부라이너지지부재(640)는 고정부(640a) 및 지지부(640b)를 가진다. 고정부(640a)는 노즐몸체(310a)의 외측면을 감싸는 링 형상으로 제공되며, 노즐몸체(310a)의 외측면에 결합된다. 지지부(640b)는 고정부(640a)의 하단으로부터 외측 방향으로 연장된다. 상부라이너지지부재(640)는 외측면이 단턱을 가지는 링 형상으로 제공될 수 있다. 상부라이너지지부재(640)의 지지부(640b)에는 상부라이너(630)의 내측부가 놓여진다.
누름부재(650)는 상부라이너(630) 및 측부라이너(610)를 상하방향으로 누른다. 누름부재(650)는 상부라이너(630) 및 측부라이너(610)의 형상 및 위치에 변형이 발생되더라도, 상부라이너(630) 및 측부라이너(610) 간에 틈이 발생되는 것을 방지한다. 누름부재(650)는 제1탄성부재(650a) 및 제2탄성부재(650b)를 포함한다. 제1탄성부재(650a)는 상부라이너(630)와 커버(120) 사이에 위치된다. 제1탄성부재(650a)는 복수 개로 제공되며, 각각의 제1탄성부재(650a)는 상부라이너(630)의 원주방향을 따라 배열된다. 제1탄성부재(650a)들은 상부라이너(630)와 측부라이너(610)가 서로 접촉되는 영역을 마주보도록 위치된다. 일 예에 의하면, 제1탄성부재(650a)는 상부라이너(630)를 아래방향으로 눌러 상부라이너(630)와 측부라이너(610) 간에 틈이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 제2탄성부재(650b)는 측부라이너지지부재(620)의 지지축(622) 내에 위치된다. 제2탄성부재(650b)는 수평판(624a)의 저면과 고정결합되고, 수직축(624b)을 감싸도록 제공된다. 일 예에 의하면, 제2탄성부재(650b)는 수평판(624a)을 위 방향으로 눌러 배기링(420)과 측부라이너(610) 간, 그리고 상부라이너(630)와 측부라이너(610) 간에 틈이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 제1탄성부재(650a)와 제2탄성부재(650b)는 스프링으로 제공될 수 있다. 스프링은 세라믹 재질로 제공될 수 있다.
상술한 실시예와 달리, 도9의 누름부재(650)는 제3탄성부재(650c)를 더 포함할 수 있다. 제3탄성부재(650c)는 커버(120)와 상부라이너(630) 간에 위치될 수 있다. 제3탄성부재(650c)는 상부라이너(630)와 상부라이너지지부재(640)의 지지부(640b)가 서로 접촉되는 영역을 마주보도록 위치될 수 있다. 이로 인해 제3탄성부재(650c)는 상부라이너(630)와 상부라이너지지부재(640) 간에 틈이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
100: 챔버 200: 지지유닛
300: 가스공급유닛 500: 가열부재
600: 라이너유닛 610: 측부라이너
630: 상부라이너 650: 누름부재
650a: 제1탄성부재 650b: 제2탄성부재

Claims (2)

  1. 챔버와;
    상기 챔버의 내부에 제공되며, 기판을 지지하는 지지유닛과;
    상기 지지유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열부재와;
    상기 챔버 내에 공정가스를 공급하는 가스공급유닛과
    상기 챔버의 내벽을 감싸도록 제공되는 라이너유닛을 포함하되,
    상기 라이너유닛은,
    상기 챔버의 내측벽을 감싸고, 중공의 원통 형상으로 제공되는 측부라이너와;
    상기 챔버의 내부에서 상기 챔버의 상부벽과 대향되게 배치되고, 상기 측부라이너의 상단에 놓여지는 상부라이너와;
    상기 챔버의 상부벽과 상기 상부라이너 사이에 제공되는 제1탄성부재를 포함하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1탄성부재는,
    상기 측부라이너의 상단과 대향되는 위치에 제공되는 기판처리장치.
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