KR20140054701A - 히터유닛 - Google Patents

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KR20140054701A
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heater
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support rod
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KR1020120120505A
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김선철
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 고온의 조건에서 기판을 처리하는 히터유닛 및 이를 가지는 기판처리장치를 제공한다. 히터유닛은 히터, 상기 히터의 높이를 조절하는 높이조절부, 그리고 상기 높이조절부를 지지하는 베이스를 포함하되, 상기 높이조절부는 상기 히터를 지지하는 지지로드, 상기 지지로드와 고정결합되어 상기 지지로드를 지지하는 지지판, 그리고 상기 지지판을 지지하고, 높이가 조절 가능한 레벨링볼트를 포함하되, 상기 레벨링볼트와 상기 지지로드는 서로 상하로 마주보도록 위치된다.

Description

히터유닛{Heater Unit}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고온의 조건에서 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 칩이나 발광다이오드(LED)와 같은 집적회로의 제조를 위해 기판에 박막을 증착하는 공정이 요구된다. 최근 반도체 소자의 미세화와 고효율 및 고출력 엘이디(LED)의 개발 등에 따라 증착 공정 중 금속 유기 화학 기상 증착법(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)이 각광받고 있다. 금속 유기 화학 기상 증착법은 화학 기상 증착법(MOCVD)들 중 하나로, 유기금속의 열분해 반응을 이용해 기판 상에 금속화합물을 퇴적 및 부착시키는 방법이다.
금속 유기 화학 기상 증착법은 기판을 고온으로 가열하고, 가열된 기판으로 공정가스를 공급하여 박막을 증착하는 공정이다. 기판에 증착되는 박막은 그 영역별 온도에 따라 차이가 발생될 수 있기 때문에 기판의 영역별 온도를 균일하게 유지하는 것이 중요하다. 이로 인해 기판의 아래에는 나선형으로 제공된 히터가 제공되고, 히터의 각 턴에는 높이를 조절할 수 있는 높이조절부재가 제공된다.
도1 및 도2는 일반적인 높이조절부재 의해 히터가 이동되는 과정을 보여주는 단면도이다. 높이조절부재는 지지판(3), 레벨링볼트(4), 그리고 고정볼트(5)를 포함한다. 지지판(3)은 히터(1)와 결합된 지지로드(2)를 지지한다. 레벨링볼트(4)는 지지판(3)의 일측을 상하로 이동시키고, 고정볼트(5)는 지지판(3)의 타측을 고정시킨다.
이로 인해 지지로드(2)는 그 길이방향을 따라 상하로 이동되지 않고, 지지판(3)의 타측을 중심으로 스윙이동된다. 이 결과 히터(1)의 각 턴들 간에 간격이 비균등해지고, 기판의 영역 별 온도는 차이가 발생된다.
한국 특허 공개번호: 제10-2007-0027883호
본 발명은 기판의 영역별 온도를 균일하게 조절할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 히터를 상하방향으로 이동시키는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 히터의 턴들 간의 간격을 균등하게 유지한 채로 히터의 높이를 조절하는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 고온의 조건에서 기판을 처리하는 히터유닛 및 이를 가지는 기판처리장치를 제공한다. 히터유닛은 히터, 상기 히터의 높이를 조절하는 높이조절부, 그리고 상기 높이조절부를 지지하는 베이스를 포함하되, 상기 높이조절부는 상기 히터를 지지하는 지지로드, 상기 지지로드와 고정결합되어 상기 지지로드를 지지하는 지지판, 그리고 상기 지지판을 지지하고, 높이가 조절 가능한 레벨링볼트를 포함하되, 상기 레벨링볼트와 상기 지지로드는 서로 상하로 마주보도록 위치된다.
상기 높이조절부는 상기 레벨링볼트의 높이를 조절하는 볼트조절부재를 더 포함하되, 상기 볼트조절부재는 상기 레벨링볼트의 일측에 위치되는 제어볼트, 상기 레벨링볼트에 고정결합되는 제1기어, 그리고 상기 제어볼트에 고정결합되는 제2기어를 포함하되, 상기 제1기어와 상기 제2기어는 서로 맞물리도록 위치될 수 있다. 상기 지지판에는 상기 지지로드의 일측에 삽입홀이 형성되고, 상기 높이조절부는 상부영역이 상기 삽입홀에 삽입되고, 하부영역이 상기 베이스에 체결되는 고정볼트를 더 포함할 수 있다. 상기 히터는 나선형을 가지도록 제공되고, 상기 베이스는 상기 히터의 중심축으로부터 가장자리까지 연장되도록 제공되며, 상기 높이조절부는 상기 히터의 각 턴마다 위치되도록 상기 베이스에 복수 개로 제공될 수 있다. 상기 레벨링볼트와 상기 지지로드는 상기 지지판의 중앙영역을 사이에 두고 서로 마주보도록 위치될 수 있다.
기판처리장치는 챔버, 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 서셉터, 상기 서셉터에 공정가스를 공급하는 가스공급유닛, 그리고 상기 서셉터를 가열하는 히터유닛을 포함하되, 상기 히터유닛은 히터, 상기 히터의 높이를 조절하는 높이조절부, 그리고 상기 높이조절부를 지지하는 베이스를 포함하되, 상기 높이조절부는 상기 히터를 지지하는 지지로드, 상기 지지로드와 고정결합되어 상기 지지로드를 지지하는 지지판, 그리고 상기 지지판을 지지하고, 높이가 조절 가능한 레벨링볼트를 포함하되, 상기 베이스에는 상기 레벨링볼트가 관통되고 내측에 나사산이 형성되는 관통홀이 제공되고, 상기 레벨링볼트와 상기 지지로드는 서로 상하로 마주보도록 위치된다.
상기 높이조절부는 상기 레벨링볼트의 높이를 조절하는 볼트조절부재를 더 포함하되, 상기 볼트조절부재는 상기 레벨링볼트의 일측에 위치되는 제어볼트, 상기 레벨링볼트에 고정결합되는 제1기어, 그리고 상기 제어볼트에 고정결합되는 제2기어를 포함하되, 상기 제1기어와 상기 제2기어는 서로 맞물리도록 위치될 수 있다.
상기 지지판에는 상기 지지로드의 일측에 삽입홀이 형성되고, 상기 높이조절부는 상부영역이 상기 삽입홀에 삽입되고, 하부영역이 상기 베이스에 체결되는 고정볼트를 더 포함할 수 있다. 상기 히터는 나선형을 가지도록 제공되고, 상기 베이스는 상기 히터의 중심축으로부터 일측 가장자리까지 연장되도록 제공되며, 상기 높이조절부는 상기 히터의 각 턴마다 위치되도록 상기 베이스에 복수 개로 제공될 수 있다. 상기 레벨링볼트와 상기 지지로드는 상기 지지판의 중앙영역을 사이에 두고 서로 마주보도록 위치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 영역별 온도를 균일하게 조절할 수 있다.
또한 본 발명은 히터를 상하방향으로 이동시킬 수 있다.
또한 본 발명은 히터의 턴들 간의 간격을 균등하게 유지한 채로 히터의 높이를 조절할 수 있다.
도1 및 도2는 일반적인 높이조절부재 의해 히터가 이동되는 과정을 보여주는 단면도이다.
도3은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도4는 도3의 기판홀더를 보여주는 평면도이다.
도5는 도3의 서셉터를 보여주는 평면도이다.
도6은 도3의 분사노즐을 보여주는 단면도이다.
도7은 도6의 분사노즐에서 선 a - a'를 따라 절단한 평면도이다.
도8은 도3의 배기유닛을 보여주는 사시도이다.
도9는 도3의 히터유닛을 보여주는 평면도이다.
도10은 도3의 히터유닛에서 선 b - b'를 따라 절단한 단면도이다.
도11 및 도12는 레벨링볼트를 이용하여 히터의 높이를 조절하는 과정을 보여주는 도면이다.
도13은 도10의 레벨링볼트의 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 따라서 도면에서의 도시된 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판처리장치는 엘이디(LED) 제조를 위해 사용되는 금속 유기 화학 기상 증착 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리 기판처리장치는 반도체 칩 제조를 위해 사용되는 금속 유기 화학 기상 증착 장치일 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에서 기판(W)으로는 발광다이오드의 제조 공정에 사용되는 사파이어 및 실리콘카바이드 기판(W)을 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리 기판은 반도체 집적회로의 제조 공정에 사용되는 실리콘 웨이퍼(W)일 수 있다.
이하, 도3 내지 도13을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도3은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도3을 참조하면, 기판처리장치(1)는 챔버(100), 지지유닛(200), 가스공급유닛(300), 배기유닛(400), 그리고 히터유닛을 포함한다.
챔버(100)의 내부는 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 챔버(100)는 몸체(140)와 커버(120)를 포함한다. 몸체(140)는 상부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 커버(120)는 몸체(140)의 상단과 동일한 직경의 원판 형상으로 제공된다. 커버(120)는 몸체(140)의 상단에 탈착 가능하게 제공된다. 커버(120)는 몸체(140)에 장착되어 몸체(140)의 내부를 밀폐할 수 있다. 몸체(140)와 커버(120)는 열변형에 약한 금속재질로 제공될 수 있다. 선택적으로 몸체(140)와 커버(120)는 일체형으로 제공될 수 있다.
지지유닛(200)은 챔버(100)의 내부에서 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(200)은 기판홀더(210), 서셉터(230), 회전축(250), 그리고 모터(270)를 포함한다. 도4는 도3의 기판홀더를 보여주는 단면도이다. 도4를 참조하면, 기판홀더(210)는 대체로 원판 형상을 가진다. 기판홀더(210)의 상면에는 기판(W)이 놓이는 기판안착홈(211)이 형성된다. 기판홀더(210)의 저면 중앙에는 고정홈(213)이 형성된다. 기판홀더(210)는 전기 전도율이 높은 재질로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 기판홀더(210)의 재질은 흑연으로 제공될 수 있다. 기판안착홈(211)은 기판홀더(210)의 상면 중앙에 하나가 제공될 수 있다. 선택적으로 기판안착홈(211)은 하나의 기판홀더(210)에 복수 개가 제공될 수 있다.
도5는 도3의 서셉터를 보여주는 평면도이다. 도5를 참조하면, 서셉터(230)는 기판홀더(210)보다 큰 원판 형상으로 제공된다. 서셉터(230)는 그 중심축을 기준으로 회전 가능하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 서셉터(230)는 열변형에 강한 재질로 제공될 수 있다. 서셉터(230)의 저면에는 회전축(250)이 결합되고, 회전축(250)은 모터(270)에 결합된다. 모터(270)가 회전축(250)에 회전력을 제공하면, 서셉터(230)는 회전축(250)과 함께 회전될 수 있다. 서셉터(230)의 상면 중앙부에는 중앙홈(239)이 형성된다. 서셉터(230)의 상면에는 홀더안착홈(231)이 복수 개로 형성된다. 홀더안착홈(231)에는 기판홀더(210)가 놓이는 공간을 제공한다. 각각의 홀더안착홈(231)은 서셉터(230)의 중앙홈(239)을 감싸는 환형의 링을 이루도록 배열된다. 각각의 홀더안착홈(231)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 홀더안착홈(231)들은 서로 동일한 크기 및 형상으로 제공될 수 있다. 홀더안착홈(231)은 원형으로 제공된다. 일 예에 의하면, 홀더안착홈(231)은 10 개로 제공될 수 있다. 홀더안착홈(231)은 기판홀더(210)와 동일한 직경을 가지거나 이보다 큰 직경을 가질 수 있다. 홀더안착홈(231)의 상면 중앙부에는 위로 돌출된 돌기(233)가 형성된다. 돌기(233)는 기판홀더(210)가 홀더안착홈(231)으로부터 이탈되는 것을 방지한다. 돌기(233)는 기판홀더(210)의 고정홈(213)에 삽입 가능하다.
또한 서셉터(230)는 가스베어링의 원리에 의해 기판홀더(210)를 회전시킨다. 홀더안착홈(231)의 상면에는 복수의 분사홀들(235)이 형성된다. 분사홀들(235)은 기체를 분사한다. 분사된 기체는 홀더안착홈(231)에 삽입된 기판홀더(210)를 공중 부양시킨다. 분사홀들(235)은 돌기(233)를 감싸도록 배열된다. 각각의 홀더안착홈(231)의 상면에는 분사홀(235)로부터 연장되는 안내홈(236)이 형성된다. 안내홈(236)은 상부에서 바라볼 때 라운드지도록 형성된다. 안내홈(236)은 분사홀(235)로부터 분사된 기체가 흐르는 방향을 안내한다. 안내홈(236)은 기판홀더(210)가 부유된 상태에서 회전 가능하도록 기체를 안내한다.
서셉터(230)의 내부에는 기체공급라인(237)이 제공된다. 기체공급라인(237)은 각각의 분사홀(235)에 연결된다. 기체는 기체공급라인(237)을 통해 분사홀(235)로 제공된다. 예컨대, 기체는 질소가스(N2)와 같은 비활성 가스일 수 있다.
가스공급유닛(300)은 지지유닛(200)에 놓인 기판(W) 상으로 공정가스 및 퍼지가스를 공급한다. 도6은 도3의 분사노즐을 보여주는 단면도이고, 도7은 도3의 분사노즐에서 선 a - a'를 따라 절단한 평면도이다. 도6 및 도7을 참조하면, 가스공급유닛(300)은 분사노즐(310) 및 공급라인(330)을 포함한다. 분사노즐(310)은 노즐몸체(310a), 제1내관(321), 그리고 제2내관(322)을 포함한다. 노즐몸체(310a)는 원통 형상으로 제공된다. 노즐몸체(310a)는 커버(120)의 중앙부를 관통한 상태에서 커버(120)에 고정결합된다. 노즐몸체(310a)는 서셉터(230)의 상부에서 서셉터(230)와 대향되게 위치된다. 노즐몸체(310a)는 서셉터(230)의 중앙홈(239)에 비해 작은 직경을 가지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 노즐몸체(310a)는 홀더안착홈(231)과 중첩되지 않도록 배치된다. 노즐몸체(310a)의 하단은 서셉터(230)의 중앙홈(239) 내에 위치도록 제공된다. 노즐몸체(310a)의 하단은 서셉터(230)의 중앙홀 저면에서 이격되게 위치될 수 있다. 노즐몸체(310a)의 외측면에는 퍼지가스분사홀(314,318)과 공정가스분사홀(315,316,317)이 형성된다. 퍼지가스분사홀(314,318)과 공정가스분사홀(315,316,317)은 각각 복수 개로 제공된다. 퍼지가스분사홀(314,318)들과 공정가스분사홀(315,316,317)들은 서로 상이한 높이에 제공된다. 퍼지가스분사홀(314,318)들과 공정가스분사홀(315,316,317)들 각각은 노즐몸체(310a)의 원주방향을 따라 복수 개가 형성된다. 각각의 퍼지가스분사홀(314,318)들은 서로 동일 간격으로 이격되게 제공된다. 각각의 퍼지가스분사홀(314,318)들은 서로 간에 동일한 크기로 제공된다. 또한 각각의 공정가스분사홀(315,316,317)들은 서로 동일 간격으로 이격되게 제공된다. 각각의 공정가스분사홀(315,316,317)들은 서로 간에 동일한 크기로 제공된다. 퍼지가스분사홀(314,318)과 공정가스분사홀(315,316,317)은 상하방향을 따라 교대로 번갈아 가면서 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 노즐몸체(310a)의 최상부와 최하부에는 각각 퍼지가스분사홀(314,318)이 위치되고, 이들의 퍼지가스분사홀(314,318) 사이에는 공정가스분사홀(315,316,317)이 위치될 수 있다. 공정가스분사홀(315,316,317)은 상하방향을 따라 제1분사홀(315), 제2분사홀(316), 그리고 제1분사홀(317)이 순차적으로 형성될 수 있다. 노즐몸체(310a)의 최하부에 형성되는 퍼지가스분사홀(318)은 서셉터(230)의 중앙홈(239)의 내측면과 마주보도록 위치될 수 있다. 노즐몸체(310a)의 최상부에 형성되는 퍼지가스분사홀(314)은 후술할 상부라이너와 인접한 높이에 제공될 수 있다.
노즐몸체(310a)의 내부에는 제1공간(311), 제2공간(312), 그리고 제3공간(313)이 형성된다. 제1공간(311)은 노즐몸체(310a)의 내부 중앙부에 제공된다. 제2공간(312)은 제1공간(311)을 감싸도록 제공되고, 제3공간(313)은 제2공간(312)을 감싸도록 제공되며, 각각의 공간은 서로에 대해 분리된 공간으로 제공된다.
제1내관(321)은 제1공간(311)과 제2분사홀(316)을 연결한다. 제2내관(322)은 제2공간(312)과 제1분사홀을 연결한다. 제3공간(313)은 퍼지가스분사홀(314,318)과 통하도록 제공된다. 도시되지 않았지만, 노즐몸체(310a)의 내부에는 냉각유체가 흐르는 유로가 더 형성된다. 냉각유체는 노즐몸체(310a)가 일정온도 이상으로 가열되는 것을 방지한다. 냉각유체는 노즐몸체(310a) 내부에서 공정가스들이 서로 반응하거나, 노즐몸체(310a)의 외측벽에 공정부산물이 부착되는 것을 방지한다.
공급라인(330)은 제1공정가스공급라인(332), 제2공정가스공급라인(334), 그리고 퍼지가스공급라인(336)을 포함한다. 제1공정가스공급라인(332)은 제1공간(311)에 연결되고, 제2공정가스공급라인(334)은 제2공간(312)에 연결되며, 퍼지가스공급라인(336)은 제3공간(313) 및 커버(120)에 연결된다. 예컨대 퍼지가스는 비활성 가스일 수 있다. 퍼지가스는 질소가스(N2)일 수 있다. 제1공정가스는 유기금속인 Ⅲ족 원소의 가스일 수 있다. 제1공정가스는 트리메틸갈륨(TMG) 또는 트리메틸알루미늄(TMA)일 수 있다. 제2공정가스는 V족원소가 수소화물로서 제공될 수 있다. 제2공정가스는 포스핀(PH3), 수소화비소(AsH3), 또는 암모니아(NH3)일 수 있다.
배기유닛(400)은 챔버(100) 내에 발생되는 공정부산물을 외부로 배기한다. 도8은 도3의 배기유닛을 보여주는 사시도이다. 도8을 참조하면, 배기유닛(400)은 배기링(420), 배기관(440), 그리고 배기부재를 포함한다. 배기링(420)은 서셉터(230)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 또한 배기링(420)의 내부에는 환형의 내부 공간에 형성된다. 배기링(420)의 상단은 서셉터(230)의 상면과 동일하거나 이보다 낮게 제공된다. 배기링(420)의 상단에는 복수의 배기홀(421)들이 형성된다. 배기홀(421)들은 배기링(420)의 원주방향을 따라 제공된다. 배기홀(421)들은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 배기관(440)은 배기링(420)을 챔버(100)의 외부에 위치되는 배기부재(460)에 연결시킨다. 배기관(440)은 복수개로 제공된다. 예컨대, 배기관(442)은 4 개로 제공될 수 있다. 배기관들(442)은 배기링(420)의 원주방향을 따라 배기링(420)의 하단에 결합된다. 각각의 배기관(442)은 배기링(420)의 내부공간과 통하도록 제공된다. 배기관들(442)은 서로 간에 동일 가격으로 이격되게 배치된다. 서로 인접한 배기관들(442)은 단계별로 합쳐 하나의 중심배관(446)으로 연결된다. 예컨대, 서로 인접한 2 개의 배기관(442)은 하나의 분기배관(444)으로 합쳐지고, 합쳐진 각각의 분기배관(444)은 다시 합쳐져 중심배관(446)으로 연결된다. 중앙배관(446)에는 배기부재(460)가 설치된다. 배기부재(460)로부터 발생되는 진공압은 배기관(440)을 통해 배기링(420)으로 제공된다. 챔버(100) 내에 진공압이 제공되면, 챔버(100) 내에 발생되는 공정부산물을 배기홀(421)을 통해 흡기될 수 있다. 또한 챔버(100) 내에 제공되는 진공압을 통해 챔버(100)의 내부압력을 조절할 수 있다. 예컨대, 배기부재(460)는 펌프일 수 있다.
히터유닛(500)은 서셉터의 아래에 설치된다. 히터유닛(500)은 기판 및 챔버의 내부온도를 공정온도에 도달되도록 가열된다. 히터유닛(500)으로부터 제공된 열은 서셉터를 통해 기판홀더 및 기판으로 전달될 수 있다. 도9는 도3의 히터유닛을 보여주는 평면도이다. 도9를 참조하면, 히터유닛(500)은 히터(520), 높이조절부재(560), 그리고 베이스(540)를 포함한다.
히터(520)는 나선형의 코일로 제공된다. 일 예에 의하면, 히터(520)는 제1턴부터 제9턴까지 제공되는 나선형으로 제공될 수 있다. 제1턴은 히터(520)의 내측에 위치되고, 제9턴은 히터(520)의 외측에 위치될 수 있다. 하나의 턴은 360°회전되도록 제공될 수 있다. 하나의 턴은 다른 턴으로부터 연장되게 제공될 수 있다.
높이조절부재(560)는 히터(520)의 높이를 조절한다. 높이조절부재(560)는 각각의 턴의 높이를 조절한다. 높이조절부재(560)는 각각의 턴에 복수 개로 제공되며, 각각의 높이조절부재(560)는 독립적으로 구동될 수 있다. 일 예에 의하면, 높이조절부재(560)는 각각의 턴에 4 개씩 제공될 수 있다.
베이스(540)는 복수 개의 높이조절부재(560)를 지지한다. 베이스(540)는 직육면체 형상을 가지며, 그 길이방향이 히터(520)의 반경방향과 동일한 방향을 향하도록 제공된다. 높이조절부재(560)들은 베이스(540)의 길이방향을 따라 일렬로 배열될 수 있다. 베이스(540)는 복수 개로 제공되며, 서로 인접한 베이스(540)들 간에 길이방향은 서로 수직하게 제공될 수 있다.
다음은 높이조절부재(560)와 베이스(540)의 구성에 대해 보다 상세히 설명한다. 도10은 도3의 히터유닛에서 선 b - b'를 따라 절단한 단면도이다. 도10을 참조하면, 높이조절부재(560)는 지지로드(562), 지지판(564), 레벨링볼트(570), 그리고 높이조절부(580)를 포함한다. 지지로드(562)는 히터(520)를 직접 지지한다. 지지로드(562)는 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 지지판(564)은 지지로드(562)를 지지한다. 지지로드(562)는 지지판(564)에 고정결합된다. 일 예에 의하면, 지지로드(562)는 지지판(564)의 중앙영역에 고정결합될 수 있다. 지지로드(562)는 단열 재질로 제공될 수 있다. 지지판(564)은 원판 형상을 가지도록 제공된다. 지지판(564)에는 제1삽입홀(564a)과 제2삽입홀(564b)이 형성된다. 제1삽입홀(564a)과 제2삽입홀(564b)은 각각 상하방향을 향하도록 형성된다. 예컨대, 제1삽입홀(564a)은 지지판(564)의 일측에 형성되고, 제2삽입홀(564b)은 지지판(564)의 타측에 형성될 수 있다. 제1삽입홀(564a)과 제2삽입홀(564b)은 지지판(564)의 중심축을 사이에 두고 서로 대향되게 위치될 수 있다.
베이스(540)는 내부에 내부공간이 형성된다. 베이스(540)의 상면에는 제1관통홀(540a)과 제2관통홀(540b)이 형성된다. 제1관통홀(540a)은 제1삽입홀(564a)과 대향되는 위치에 형성되고, 제2관통홀(540b)은 지지판(564)의 중심축과 대향되는 위치에 형성된다.
레벨링볼트(570)는 지지판(564)의 저면을 지지한다. 일 예에 의하면, 레벨링볼트(570)는 지지판(564)의 저면 중앙영역을 지지할 수 있다. 레벨링볼트(570)는 지지로드(562)와 동일 수직선상에 위치될 수 있다. 레벨링볼트(570)는 베이스(540)의 제2관통홀(540b)을 관통하여 제2관통홀(540b)에 체결되고, 그 중심축을 중심으로 회전가능하도록 제공된다. 레벨링볼트(570)는 회전에 의해 상하로 직선 이동된다. 레벨링볼트(570)의 상단은 지지판(564)의 저면과 접촉되고, 하단은 베이스(540)의 내부공간에 위치된다. 예컨대, 레벨링볼트(570)의 외주면에는 나사산이 제공되고, 레벨링볼트(570)는 시계방향으로 회전 시 베이스(540)의 제2관통홀(540b)을 통해 승강하고, 반시계방향으로 회전 시 하강할 수 있다.
높이조절부(580)는 레벨링볼트(570)의 높이를 조절한다. 높이조절부(580)는 고정볼트(582), 제어볼트(584), 제1기어(586), 그리고 제2기어(588)를 포함한다. 고정볼트(582)는 지지판(564)이 기울어지지 않도록 지지판(564)을 고정시킨다. 고정볼트(582)는 제2삽입홀(564b)에 강제 끼움되고, 그 하부영역이 베이스(540)에 체결된다. 제어볼트(584)는 제1삽입홀(564a)에 강제 끼움되고, 그 하부영역이 베이스(540)의 제1관통홀(540a)에 체결된다. 제어볼트(584)의 하단은 베이스(540)의 내부공간에 위치된다. 제1기어(586)는 제어볼트(584)의 하단에 고정결합되고, 제2기어(588)는 레벨링볼트(570)의 하단에 고정결합된다. 제1기어(586) 및 제2기어(588)는 서로 마주보도록 위치된다. 제1기어(586) 및 제2기어(588)는 서로 맞물리도록 위치된다. 예컨대, 제어볼트(584)의 외주면에는 나사산이 제공되고, 제어볼트(584)는 시계방향으로 회전 시 제1관통홀(540a)을 통해 하강하고, 반시계방향으로 회전 시 승강할 수 있다.
다음은 레벨링볼트(570)를 이용하여 히터(520)의 높이를 조절하는 과정을 설명한다. 도11 및 도12를 참조하면, 제어볼트(584)가 반시계방향으로 회전되면, 제어볼트(584)는 나사산을 따라 베이스(540)에 대해 승강된다. 이와 동시에 제1기어(586)와 제2기어(588)는 서로 맞물려 레벨링볼트(570)를 시계방향으로 회전시킨다. 시계방향으로 회전되는 레벨링볼트(570)는 베이스(540)에 대해 승강되며, 지지판(564)을 위 방향으로 이동시킨다. 이와 반대로, 제어볼트(584)가 시계방향으로 회전되면, 제어볼트(584)는 나사산을 따라 베이스(540)에 대해 하강된다. 이와 동시에 제1기어(586)와 제2기어(588)는 서로 맞물려 레벨링볼트(570)를 반시계방향으로 회전시킨다. 반시계방향으로 회전되는 레벨링볼트(570)는 베이스(540)에 대해 하강되며, 지지판(564)을 아래방향으로 이동시킨다.
상술한 실시예에는 높이조절부재(560)에 레벨링볼트(570)가 1 개로 제공되는 것을 설명하였다. 그러나 레벨링볼트(570)는 복수 개로 제공될 수 있다. 도13을 참조하면, 복수 개의 레벨링볼트(570)에는 각각 제2기어(588)가 고정결합되고, 각각의 제2기어(588)는 제1기어(586)에 맞물리도록 제공될 수 있다. 이로 인해 제1기어(586)가 회전되면, 이에 맞물리는 복수 개의 제2기어(588a,588b)들은 회전될 수 있다.
500: 히터유닛 520: 히터
540: 베이스 560: 높이조절부
562: 지지로드 566: 레벨링볼트
564: 지지판 584: 제어볼트
586: 제1기어 588: 제2기어

Claims (2)

  1. 히터와;
    상기 히터의 높이를 조절하는 높이조절부와;
    상기 높이조절부를 지지하는 베이스를 포함하되,
    상기 높이조절부는,
    상기 히터를 지지하는 지지로드와;
    상기 지지로드와 고정결합되어 상기 지지로드를 지지하는 지지판과;
    상기 지지판을 지지하고, 높이가 조절 가능한 레벨링볼트를 포함하되,
    상기 레벨링볼트와 상기 지지로드는 서로 상하로 마주보도록 위치되는 히터유닛.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 높이조절부는,
    상기 레벨링볼트의 높이를 조절하는 볼트조절부재를 더 포함하되,
    상기 볼트조절부재는,
    상기 레벨링볼트의 일측에 위치되는 제어볼트와;
    상기 레벨링볼트에 고정결합되는 제1기어와;
    상기 제어볼트에 고정결합되는 제2기어를 포함하되,
    상기 제1기어와 상기 제2기어는 서로 맞물리도록 위치되는 히터유닛.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20160043488A (ko) * 2014-10-13 2016-04-21 주식회사 테스 히터 레벨링 장치
CN114959657A (zh) * 2022-08-02 2022-08-30 拓荆科技(北京)有限公司 水平调节装置及化学气相沉积设备

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