KR102010266B1 - 기판처리장치 - Google Patents

기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102010266B1
KR102010266B1 KR1020120074724A KR20120074724A KR102010266B1 KR 102010266 B1 KR102010266 B1 KR 102010266B1 KR 1020120074724 A KR1020120074724 A KR 1020120074724A KR 20120074724 A KR20120074724 A KR 20120074724A KR 102010266 B1 KR102010266 B1 KR 102010266B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
liner
substrate
injection nozzle
support unit
Prior art date
Application number
KR1020120074724A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140007611A (ko
Inventor
이상곤
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020120074724A priority Critical patent/KR102010266B1/ko
Publication of KR20140007611A publication Critical patent/KR20140007611A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102010266B1 publication Critical patent/KR102010266B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4411—Cooling of the reaction chamber walls
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate

Abstract

본 발명은 기판 상에 박막을 증착하는 장치에 관한 것이다. 기판처리장치는 챔버, 챔버의 내부에 제공되며, 기판을 지지하는 기판지지유닛, 기판지지유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열부재, 챔버의 내부에서 챔버의 상부벽에 결합되고, 길이방향이 아래로 제공되며, 기판지지유닛에 지지된 기판으로 공정가스를 공급하는 분사노즐, 분사노즐의 측벽 내부 또는 챔버의 상부벽 내부에 냉각유체가 흐르도록 제공되는 냉각유체공급라인을 가지는 냉각부재, 분사노즐이 삽입되는 관통홀이 형성되고, 챔버의 상부벽과 이격되게 위치되며, 공정가스로부터 챔버의 상부벽을 보호하는 상부라이너, 그리고 분사노즐 또는 챔버의 상부벽에 결합되고, 상부라이너를 지지하는 라이너지지유닛을 포함하되, 라이너지지유닛은 상부라이너가 접촉되는 영역이 열변형에 강한 재질로 이루어진다. 이로 인해 열변형으로 인하 상부라이너의 손상을 최소화할 수 있다.

Description

기판처리장치{Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 박막을 증착하는 장치에 관한 것이다.
반도체 칩이나 발광다이오드(LED)와 같은 집적회로의 제조를 위해 기판에 박막을 증착하는 공정이 요구된다. 최근 반도체 소자의 미세화와 고효율 및 고출력 엘이디(LED)의 개발 등에 따라 증착 공정 중 금속 유기 화학 기상 증착법(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)이 각광받고 있다. 금속 유기 화학 기상 증착법은 화학 기상 증착법(CVD)들 중 하나로, 유기금속의 열분해 반응을 이용해 기판 상에 금속화합물을 퇴적 및 부착시키는 방법이다.
금속 유기 화학 기상 증착 공정은 고온의 조건에서 기판 처리를 수행한다. 도1은 일반적인 금속 유기 화학 기상 증착 공정에 사용되는 기판처리장치를 보여주는 도면으로, 기판처리장치에는 가열부재(20), 냉각부재(30), 그리고 라이너유닛이 제공된다. 가열부재(20) 기판을 공정온도로 가열하고, 냉각부재(30)는 분사노즐(60) 및 챔버(10)를 냉각하여 분사노즐(60) 및 챔버(10)가 과열되는 것을 방지한다. 라이너유닛의 상부라이너(40)는 챔버(10)의 상부벽 및 분사노즐(60)에 인접하게 배치되어 챔버(10)의 상부벽을 보호한다. 상부라이너(40)는 분사노즐(60)의 외측면에 설치된 지지부재(50)에 놓여져 챔버(10)의 상부벽과 인접하게 위치되는 구조를 가진다.
공정이 진행되는 중에는 챔버(10)의 내부가 1000℃ 이상의 고온으로 가열되는 반면, 냉각부재(30)가 제공된 분사노즐(60) 및 챔버(10)는 이보다 낮은 온도를 유지한다. 그러나 상부라이너(40)는 그 저면이 가열부재(20)에 의해 가열되는 동시에, 분사노즐(60)과 인접한 영역은 지지부재(50)를 통해 냉각부재(30)와 열교환이 이루어진다.
이 결과, 상부라이너(40)는 서로 상이한 영역에서 급격한 온도 차이가 발생되고, 이는 상부라이너(40)의 손상을 초래한다.
본 발명은 냉각부재와 가열부재 사이에 제공되는 상부라이너가 손상되는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공한다.
본 발명의 실시예는 기판 상에 박막을 증착하는 장치에 관한 것이다. 기판처리장치는 챔버, 상기 챔버의 내부에 제공되며, 기판을 지지하는 기판지지유닛, 상기 기판지지유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열부재, 상기 챔버의 내부에서 상기 챔버의 상부벽에 결합되고, 길이방향이 아래로 제공되며, 상기 기판지지유닛에 지지된 기판으로 공정가스를 공급하는 분사노즐, 상기 분사노즐의 측벽 내부 또는 상기 챔버의 상부벽 내부에 냉각유체가 흐르도록 제공되는 냉각유체공급라인을 가지는 냉각부재, 상기 분사노즐이 삽입되는 관통홀이 형성되고, 상기 챔버의 상부벽과 이격되게 위치되며, 공정가스로부터 상기 챔버의 상부벽을 보호하는 상부라이너, 그리고 상기 분사노즐 또는 상기 챔버의 상부벽에 결합되고, 상기 상부라이너를 지지하는 라이너지지유닛을 포함하되, 상기 라이너지지유닛은 상기 상부라이너가 접촉되는 영역이 열변형에 강한 재질로 이루어진다.
상기 라이너지지유닛은 상기 분사노즐 또는 상기 챔버의 상부벽에 결합되는 지지부재 및 상기 지지부재와 상기 상부라이너 사이에 제공되며, 상기 상부라이너가 직접 놓이는 열차단부재를 포함하 수 있다. 상기 열차단부재는 링 형상으로 제공될 수 있다. 상기 냉각부재는 상기 분사노즐의 측벽 내부에서 냉각유체가 흐르도록 제공되는 제1냉각유체공급라인 및 상기 챔버의 상부벽 내부에서 냉각유체가 흐르도록 제공되는 제2냉각유체공급라인을 포함할 수 있다. 상기 라이너지지유닛은 일체형으로 제공될 수 있다. 상기 접촉되는 영역은 쿼츠 또는 세라믹 재질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 지지부재와 상부라이너 사이에 열차단부재를 제공하여 상부라이너의 손상을 최소화할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 열차단부재는 열변형에 강한 재질로 제공되어 상부라이너의 손상을 최소화할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 열차단부재는 상부라이너의 일부영역만을 지지하므로, 분사노즐과 상부라이너 간의 열교환을 최소화할 수 있다.
도1은 일반적인 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도3은 도2의 기판홀더를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도4는 도2의 서셉터를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도5는 도2의 라이너지지유닛을 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도6은 도5의 다른 예에 따른 라이너지지유닛을 보여주는 단면도이다.
도7은 도5의 또 다른 예에 따른 라이너지지유닛을 보여주는 단면도이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 따라서 도면에서의 도시된 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판처리장치는 엘이디(LED) 제조를 위해 사용되는 금속 유기 화학 기상 증착 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리 기판처리장치는 반도체 칩 제조를 위해 사용되는 금속 유기 화학 기상 증착 장치일 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에서 기판으로는 발광다이오드의 제조 공정에 사용되는 사파이어 및 실리콘카바이드 기판을 예로 들어 설명한다. 그러나 상술한 바와 달리 기판은 반도체 집적회로의 제조 공정에 사용되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다.
이하, 도2 내지 도7을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도2를 참조하면, 기판처리장치는 챔버(10), 기판지지유닛(200), 가스공급유닛(300), 배기유닛(400), 가열부재(500), 라이너유닛(600), 냉각부재(700), 그리고 라이너지지유닛(800)을 포함한다.
챔버(10)는 그 내부에 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 챔버(10)는 원통 형상으로 제공된다. 챔버(10)의 상부벽(120)과 하부벽은 원판 형상으로 제공된다. 챔버(10)의 측벽(160)은 상부벽(120)의 가장자리로부터 아래로 연장되게 제공된다. 측벽(160)의 하단은 하부벽(140)과 결합된다. 챔버(10)의 측벽(160)에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구(미도시)는 기판(W)이 반출입되는 입구로서 기능한다. 챔버(10)의 상부벽(120)에는 투명창(122)이 제공된다. 챔버(10)의 외부에서는 투명창(122)을 통해 챔버(10)의 내부를 감시할 수 있다. 선택적으로 챔버(10)는 상부가 개방된 원통형상으로 제공되고, 챔버(10)의 내부는 커버에 의해 개폐될 수 있다.
기판지지유닛(200)은 기판홀더(210) 및 서셉터(230)를 포함한다. 도3은 도2의 기판홀더를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도3을 참조하면, 기판홀더(210)는 대체로 원판 형상으로 제공된다. 기판홀더(210)의 상면에는 기판(W)이 놓이는 기판안착홈(211)이 형성된다. 일 예에 의하면, 기판안착홈(211)은 기판홀더(210)의 상면 중앙에 하나가 제공될 수 있다. 기판안착홈(211)의 저면 중앙에는 고정홈(213)이 형성된다. 선택적으로 하나의 기판홀더(210)에는 복수 개의 기판안착홈(211)이 형성될 수 있다.
도4는 도2의 서셉터를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도4를 참조하면, 서셉터(230)는 기판홀더(210)보다 큰 원판 형상으로 제공된다. 서셉터(230)는 그 중심축을 기준으로 회전 가능하게 제공된다. 일 예에 의하면, 서셉터(230)는 열변형에 강한 재질로 제공될 수 있다. 서셉터(230)의 저면에는 회전축(250)이 결합되고, 회전축(250)은 모터(270)에 결합된다. 모터(270)가 회전축(250)에 회전력을 제공하면, 서셉터(230)는 회전축(250)과 함께 회전된다.
서셉터(230)의 상면에는 홀더안착홈(231)이 복수 개로 형성된다. 각각의 홀더안착홈(231)은 기판홀더(210)가 놓이는 공간을 제공한다. 홀더안착홈(231)들은 서셉터(230)의 중심축을 감싸는 링을 이루도록 배열된다. 홀더안착홈(231)들은 서로 동일한 크기 및 형상으로 제공될 수 있다. 홀더안착홈(231)은 원형으로 제공될 수 있다. 홀더안착홈(231)은 기판홀더(210)와 동일하거나 이보다 조금 큰 직경을 가질 수 있다. 복수의 홀더안착홈(231)들 중 어느 하나는 투명창(122)과 상하로 대향되게 위치될 수 있다. 홀더안착홈(231) 각각에는 그 상면 중앙에 돌기(233)가 형성된다. 돌기(233)는 위로 돌출되게 형성된다. 돌기(233)는 홀더안착홈(231)에 놓인 기판홀더(210)가 이탈되는 것을 방지한다. 돌기(233)는 기판홀더(210)의 고정홈(213)에 삽입 가능하다. 각각의 홀더안착홈(231)에는 그 상면에 복수의 분사홀(235)들이 형성된다. 분사홀(235)들은 기체를 분사한다. 분사된 기체는 홀더안착홈(231)에 삽입된 기판홀더(210)를 공중부양시킨다. 분사홀(235)들은 돌기(233)를 감싸도록 배열된다. 각각의 분사홀(235)에는 안내홈(236)이 연결된다. 안내홈(236)은 분사홀(235)로부터 분사되는 기체의 방향을 안내한다. 안내홈(236)은 분사홀(235)로부터 라운드지도록 형성된다. 안내홈(236)은 홀더안착홈(231)의 원주방향을 따라 라운드지게 형성될 수 있다. 이로 인해 분사홀(235)로부터 분사된 기체는 안내홈(236)을 따라 원주방향으로 흐를 수 있다. 예컨대, 홀더안착홈(231)은 10 개로 제공될 수 있다.
다시 도2를 참조하면, 서셉터(230)의 내부에는 기체공급라인(237)이 제공된다. 기체공급라인(237)은 각각의 분사홀(235)에 연결된다. 기체는 기체공급라인(237)을 통해 분사홀(235)로 제공된다. 예컨대 기체는 질소가스(N2)와 같은 비활성 가스일 수 있다.
가스공급유닛(300)은 분사노즐(310) 및 가스공급라인(330)을 포함한다. 분사노즐(310)은 기판지지유닛(200)에 놓인 기판(W)으로 공정가스를 공급한다. 분사노즐(310)은 원통 형상으로 제공된다. 분사노즐(310)은 그 길이방향이 상하로 제공된다. 분사노즐(310)은 서셉터(230)의 상면에 비해 작은 직경을 가진다. 분사노즐(310)은 챔버(10)의 상부벽(120) 저면에 고정설치된다. 상부에서 바라볼 때 분사노즐(310)은 홀더안착홈(231)들과 중첩되지 않게 제공된다. 분사노즐(310)의 외측면에는 복수의 토출홀(311)들이 형성된다. 토출홀(311)들은 분사노즐(310)의 원주방향을 따라 형성된다. 각각의 토출홀(311)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 제공된다. 각각의 토출홀(311)은 동일한 크기로 제공된다. 분사노즐(310)에는 가스공급라인(330)이 연결된다. 공정가스는 가스공급라인(330)을 통해 분사노즐(310)로 공급된다.
배기유닛(400)은 챔버(10) 내에 발생되는 공정부산물을 외부로 배기한다. 배기유닛(400)은 배기링(420), 배기관(440), 그리고 배기부재(460)를 포함한다. 배기링(420)은 링 형상으로 제공된다. 배기링(420)은 서셉터(230)와 챔버(10)의 내측벽 사이에 제공된다. 배기링(420)은 그 상단이 서셉터(230)의 상면과 동일하거나 이보다 낮게 제공된다. 배기링(420)의 상단에는 복수의 배기홀(421)들이 형성된다. 배기홀(421)들은 배기링(420)의 원주방향을 따라 동일 간격으로 형성된다. 배기관(440)은 배기링(420)과 배기부재(460)를 서로 연결시킨다. 배기부재(460)로부터 발생되는 진공압은 배기관(440)을 통해 배기링(420)으로 제공된다. 이로 인해 챔버(10) 내에 발생되는 공정부산물은 배기홀(421)을 통해 흡기될 수 있다. 또한 배기부재(460)를 통해 제공되는 진공압은 챔버(10)의 내부압력을 조절할 수 있다. 예컨대, 배기부재(460)는 펌프일 수 있다.
가열부재(500)는 서셉터(230)에 지지된 기판(W)을 가열한다.가열부재(500)는 챔버(10) 내에서 서셉터(230)의 아래에 설치된다. 가열부재(500)는 나선형 형상으로 제공된다. 가열부재(500)는 서셉터(230)와 평행하도록 제공될 수 있다. 가열부재(500)로부터 제공된 열은 서셉터(230)를 통해 기판홀더(210) 및 기판(W)으로 전달될 수 있다. 예컨대, 가열부재(500)는 히터일 수 있다.
라이너유닛(600)은 챔버(10)의 내벽을 보호한다. 또한 라이너유닛(600)은 공정부산물이 챔버(10)의 내벽에 부착되는 것을 방지한다. 라이너유닛(600)은 상부라이너(610) 및 측부라이너(630)를 포함한다. 상부라이너(610)는 중앙에 관통홀이 형성된 원판 형상으로 제공된다. 관통홀은 분사노즐(310)보다 조금 큰 직경으로 제공된다. 상부라이너(610)의 관통홀에는 분사노즐(310)이 삽입된다. 상부라이너(610)는 챔버(10)의 상부벽(120)과 인접한 위치에서 그 상부벽(120)과 이격되게 위치된다. 측부라이너(630)는 링 형상을 가진다. 측부라이너(630)는 챔버(10)의 내측벽과 인접한 위치에서 그 내측벽과 이격되게 위치된다. 측부라이너(630)는 상부라이너(610)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 측부라이너(630)는 배기링(420)의 상면 가장자리에 놓여진다. 측부라이너(630)는 배기홀(421)과 중첩되지 않도록 위치된다. 측부라이너(630)는 상부라이너(610)의 가장자리영역을 지지할 수 있다.
냉각부재(700)는 분사노즐(310) 및 챔버(10)를 냉각시킨다. 냉각부재(700)는 제1냉각유체공급라인(710), 제2냉각유체공급라인(720), 제3냉각유체공급라인(730), 냉각유체공급라인(750), 그리고 냉각유체저장부(770)를 포함한다. 제1냉각유체공급라인(710)은 분사노즐(310)의 측면 내부에 제공된다. 제2냉각유체공급라인(720)은 챔버(10)의 상부벽(120)의 내부에 제공된다. 제3냉각유체공급라인(730)은 챔버(10)의 측벽(160) 내부에 제공된다. 제1냉각유체공급라인(710), 제2냉각유체공급라인(720), 제3냉각유체공급라인(730) 각각은 냉각유체가 흐르는 통로로서 기능한다. 냉각공급라인(750)은 제1냉각유체공급라인(710), 제2냉각유체공급라인(720), 제3냉각유체공급라인(730) 각각을 냉각유체저장부(770)에 연결한다. 냉각유체저장부(770)에 저장된 냉각유체는 냉각공급라인(750)을 통해 제1냉각유체공급라인(710), 제2냉각유체공급라인(720), 제3냉각유체공급라인(730) 각각으로 공급된다. 제1냉각유체공급라인(710)을 통해 흐르는 냉각유체는 분사노즐(310)의 내부에서 공정가스들이 서로 반응하는 것을 방지할 수 있다. 또한 공정 진행 중에 공정부산물이 분사노즐(310)의 외측면에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 제2냉각유체공급라인(720)을 통해 흐르는 냉각유체는 챔버(10)의 상부벽(120)이 과열되어 열변형되는 것을 방지할 수 있다. 제3냉각유체공급라인(730)을 통해 흐르는 냉각유체는 챔버(10)의 측벽(160)이 과열되어 열변형되는 것을 방지할 수 있다.
도5는 도2의 라이너지지유닛(800)을 개략적으로 보여주는 사시도이다. 도5를 참조하면, 라이너지지유닛(800)은 상부라이너(610)를 지지한다. 라이너지지유닛(800)은 지지부재(810) 및 열차단부재(830)를 포함한다. 지지부재(810)는 상부라이너(610)가 챔버(10)의 상부벽(120)과 인접하게 위치되도록 상부라이너(610)를 지지한다. 지지부재(810)는 환형의 링 형상으로 제공된다. 지지부재(810)는 분사노즐(310)보다 크고, 관통홀보다 작은 직경을 가진다. 지지부재(810)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 지지부재(810)는 고정부(812) 및 지지부(814)를 가진다. 고정부(812)는 분사노즐(310)의 외측면 일부를 감싸는 링 형상으로 제공된다. 고정부(812)는 분사노즐(310)의 토출홀(311)보다 위에 위치된다. 고정부(812)는 분사노즐(310) 또는 챔버(10)의 상부벽(120)에 고정결합된다. 지지부(814)는 고정부(812)의 하단에서 외측으로 돌출된 링 형상을 가진다. 지지부(814)는 상부라이너(610)의 저면 중앙영역을 지지한다.
열차단부재(830)는 상부라이너(610)가 열변형되는 것을 방지한다. 열차단부재(830)는 지지부(814)와 이에 놓여진 상부라이너(610) 사이에 위치된다. 열차단부재(830)의 상면에는 상부라이너(610)가 직접 놓인다. 열차단부재(830)는 열변형에 강한 재질로 제공된다. 열차단부재(830)는 쿼츠 또는 세라믹 재질로 제공될 수 있다. 열차단부재(830)는 링 형상으로 제공된다. 열차단부재(830)는 분사노즐(310)보다 크고, 상부라이너(610)보다 작은 직경을 가진다. 열차단부재(830)는 지지부재(810)의 지지부(814)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 열차단부재(830)는 상부라이너(610)의 저면 중앙영역을 지지한다. 이로 인해 열차단부재(830)는 상부라이너(610)와 지지부재(810) 간에 열교환을 최소화할 수 있다. 또한 지지부재(810)와 열차단부재(830)는 서로 상이한 재질로 이루어진다. 이로 인해 라이너지지유닛(800)은 열 충격에 강하고, 취급이 용이하다.
상술한 실시예에서는 라이너지지유닛(800)이 지지부재(810)와 열차단부재(830)를 가지는 것으로 설명하였다. 그러나 라이너지지유닛(800)은 지지부재(810)로 제공될 수 있다. 지지부재(810)는 일체로 제공될 수 있다. 지지부재(810)는 분사노즐(310) 또는 챔버(10)의 상부벽(120)에 결합되고, 상부라이너(610)을 직접 지지할 수 있다. 지지부재(810)는 열변형에 강한 재질로 제공될 수 있다. 지지부재(810)는 쿼츠 또는 세라믹 재질로 제공될 수 있다. 이 경우, 라이너지지유닛은 상기 실시예의 라이너지지유닛(800)에 비해 그 구조가 단순하다.
또한 열차단부재(830a)는 도6과 같이 상부라이너(610)보다 크고, 챔버(10)보다 작은 직경을 가질 수 있다. 열차단부재(830a)는 챔버(10)의 내측벽과 상부라이너(610) 사이에 제공될 수 있다. 열차단부재(830a)의 상부라이너(610)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 열차단부재(830a)는 중심축을 향하도록 돌출된 돌출부(814a)가 제공될 수 있다. 돌출부(814a)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 열차단부재(830a)의 돌출부(814a)는 상부라이너(610)의 저면 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 이로 인해 챔버(10)의 측벽(160)과 상부라이너(610)의 가장자리영역 간에 열교환을 최소화할 수 있다. 또한 상부라이너(610)과 분사노즐(310) 간의 사이공간은 열차단부재(830a)와 동일한 재질을 강제 끼움시켜 상부라이너(610)의 중앙영역과 분사노즐(310) 간에 열교환을 최소화할 수 있다.
또한 열차단부재(830b)는 도7과 같이 복수 개의 돌기(830b)로 제공될 수 있다. 각각의 돌기(830b)는 지지부(814b)의 상면에서 원주방향을 따라 배열될 수 있다. 각각의 돌기(830b)는 그 상면이 반구 형상으로 제공될 수 있다. 이로 인해 열차단부재(830b)는 상부라이너(610)와 접촉되는 면적을 최소화하여 상부라이너(610)와 지지부재(810b) 간에 열교환을 최소화할 수 있다.
10; 챔버 200: 기판지지유닛
310: 분사노즐 500: 가열부재
610: 상부라이너 710,720,730: 냉각유체공급라인
700: 냉각부재 800: 라이너지지유닛

Claims (6)

  1. 챔버와;
    상기 챔버의 내부에 제공되며, 기판을 지지하는 기판지지유닛과;
    상기 기판지지유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열부재와;
    상기 챔버의 내부에서 상기 챔버의 상부벽에 결합되고, 길이방향이 아래로 제공되며, 상기 기판지지유닛에 지지된 기판으로 공정가스를 공급하는 분사노즐과;
    상기 분사노즐의 측벽 내부 또는 상기 챔버의 상부벽 내부에 냉각유체가 흐르도록 제공되는 냉각유체공급라인을 가지는 냉각부재와;
    상기 분사노즐이 삽입되는 관통홀이 형성되고, 상기 챔버의 상부벽과 이격되게 위치되며, 공정가스로부터 상기 챔버의 상부벽을 보호하는 상부라이너와;
    상기 분사노즐 또는 상기 챔버의 상부벽에 결합되고, 상기 상부라이너를 지지하는 라이너지지유닛을 포함하되;
    상기 라이너지지유닛은 상기 관통홀에 삽입되어 상기 분사노즐과 상기 상부라이너 사이에 위치되고,
    상기 라이너지지유닛이 상기 분사노즐 또는 상기 챔버의 상부벽에 결합되는 영역과 상기 상부라이너에 접촉되는 영역은 서로 다른 재질로 제공되며,
    상기 접촉되는 영역은 상기 결합되는 영역에 비해 열변형에 강한 재질로 이루어진 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 라이너지지유닛은,
    상기 분사노즐 또는 상기 챔버의 상부벽에 결합되는 영역을 형성하며, 상기 상부 라이너로부터 이격되게 위치되는 지지부재와;
    상기 지지부재와 상기 상부라이너 사이에 제공되며, 상기 상부라이너가 직접 놓이도록 상기 상부 라이너에 접촉되는 영역을 형성하는 열차단부재를 포함하는 기판처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 열차단부재는 링 형상으로 제공되는 기판처리장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 냉각부재는,
    상기 분사노즐의 측벽 내부에서 냉각유체가 흐르도록 제공되는 제1냉각유체공급라인과;
    상기 챔버의 상부벽 내부에서 냉각유체가 흐르도록 제공되는 제2냉각유체공급라인을 포함하는 기판처리장치.
  5. 삭제
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접촉되는 영역은 쿼츠 또는 세라믹 재질로 이루어지는 기판처리장치.
KR1020120074724A 2012-07-09 2012-07-09 기판처리장치 KR102010266B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120074724A KR102010266B1 (ko) 2012-07-09 2012-07-09 기판처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120074724A KR102010266B1 (ko) 2012-07-09 2012-07-09 기판처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140007611A KR20140007611A (ko) 2014-01-20
KR102010266B1 true KR102010266B1 (ko) 2019-08-13

Family

ID=50141906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120074724A KR102010266B1 (ko) 2012-07-09 2012-07-09 기판처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102010266B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101981559B1 (ko) * 2018-07-11 2019-05-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100757347B1 (ko) * 2006-08-30 2007-09-10 삼성전자주식회사 이온 주입 장치
KR100839190B1 (ko) 2007-03-06 2008-06-17 세메스 주식회사 기판을 처리하는 장치 및 방법
KR100855879B1 (ko) 2007-04-10 2008-09-03 세메스 주식회사 실링부재용 지그 및 실링부재를 삽입하는 방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200455917Y1 (ko) * 2007-09-28 2011-09-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 원자층 증착 챔버 및 부품들
KR101135083B1 (ko) * 2010-10-29 2012-04-16 세메스 주식회사 박막 증착 장치 및 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100757347B1 (ko) * 2006-08-30 2007-09-10 삼성전자주식회사 이온 주입 장치
KR100839190B1 (ko) 2007-03-06 2008-06-17 세메스 주식회사 기판을 처리하는 장치 및 방법
KR100855879B1 (ko) 2007-04-10 2008-09-03 세메스 주식회사 실링부재용 지그 및 실링부재를 삽입하는 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140007611A (ko) 2014-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10170342B2 (en) Flow controlled liner having spatially distributed gas passages
TWI619843B (zh) 在化學氣相沉積系統內具有供改善加熱一致性之設計的晶圓舟盒
US9842753B2 (en) Absorbing lamphead face
KR20160024378A (ko) 반도체 처리 챔버를 위한 흡수성 반사기
KR102010266B1 (ko) 기판처리장치
KR101716355B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR20130007149A (ko) 기판처리장치
KR20150135107A (ko) 웨이퍼 홀더 및 증착 장치
KR102037916B1 (ko) 기판처리장치
KR101937334B1 (ko) 기판처리장치
KR101455736B1 (ko) 기판지지부재 및 이를 갖는 기판처리장치
KR101513584B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101299705B1 (ko) 분사유닛 및 이를 가지는 기판처리장치
KR20130110974A (ko) 서셉터의 아우터 커버 및 이를 구비하는 화학기상증착 장치
KR101615608B1 (ko) 기판처리장치
KR102154482B1 (ko) 유기금속화학기상증착장치
KR20130007151A (ko) 기판처리장치
KR20150049180A (ko) 기판 처리 장치
KR102256690B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20130005554A (ko) 기판처리장치
KR101543692B1 (ko) 기판 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20130084466A (ko) 서셉터 및 이를 구비하는 화학기상증착 장치
KR101512101B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20120050707A (ko) 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치
KR20130007148A (ko) 기판처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant