KR20140038637A - 씨앗층을 형성하여 산화아연 투명전극의 투과율을 향상시키는 방법 - Google Patents

씨앗층을 형성하여 산화아연 투명전극의 투과율을 향상시키는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 폴리머로 이루어진 기판 및 금속 타켓을 준비하는 단계; 금속 타켓을 스파터링법으로 증착하여 씨앗층을 형성하는 단계; Ga 원소 또는 Al 원소가 도핑된 ZnO 타겟을 준비하는 단계; 및 ZnO 타켓을 사용하여 스파터링법으로 ZnO를 증착하여 ZnO 투명전극을 형성하는 단계를 포함하는 ZnO 투명전극의 증착 방법을 제공한다.

Description

씨앗층을 형성하여 산화아연 투명전극의 투과율을 향상시키는 방법 {METHOD TO IMPROVE TRANSMITTANCE OF ZnO TRANSPARENT ELECTRODE BY FORMING SEED LAYER}
본 발명은 산화아연(ZnO) 투명전극을 증착한 터치 스크린의 투과율을 높이는 방법에 관한 것으로서, ZnO 투명전극의 증착시 투과율을 높이는 방법에 관한 것이다.
투명 전극은 LCD, PDP, OLED와 같은 평판디스플레이 또는 비정형 실리콘 박막 태양전지, 염료 감응형,태양전지의 투명전극, IR차폐와 같은 기능성 유리, EMI 차폐 등의 다양한 용도로 광범위하게 사용되고 있으며, 특히 최근에는 터치 스크린 패널의 증가에 따라 ITO(Indium Tin Oxide)의 사용량은 더욱 증가하는 추세이다.
현재 가장 많이 사용되는 이러한 ITO 투명전극의 주요 구성 원소인 인듐(In)은 지표과 바닷물에 0.00001% 밖에 존재 하지 않으며, 아연(Zn)이나 납(Pb) 생산의 부산물로 얻어지기 때문에 공급량이 한정되어 있다. 따라서 인듐(In)은 가격이 은(Ag)에 비견될 정도로 고가이다. 또한 전 세계의 인듐(In) 생산량의 절반가량인 45%가 FPD의 투명전극용 재료로서 이미 소모되었기 때문에 지속적으로 투명전극의 활용이 넓어질 경우 인듐(In)의 공급문제에 따른 가격 상승은 피할 수 없다.
또한, ITO 투명전극은 유리(glass) 및 폴리머 필름(polymer film) 등의 기판 위에 증착되어 사용되고 있으나, 차세대 디스플레이가 저가격화, 대면적화, 경량화를 추구하고 있는 상황에서, 이를 실현하기 위해서는 유리보다 가벼운 플라스틱을 기판 재료로 사용하는 것이 요구되고 있으며, 플라스틱 기판상에서 최적의 물성을 나타낼 수 있는 투명전극의 개발이 요구되어 지고 있다.
플라스틱 기판상에 투명전극을 구성하여 상용화 하기위해서는 소자를 휘거나 접었을 때의 기계적 안정, 플라스틱 기판과의 열팽창계수 매칭, 기판과의 우수한 접착력, 후속 공정상의 안정성을 위한 내화학성, 기기의 신뢰도를 충족하기 위한 내구성 등이 고려되어야 한다.
플렉서블 디스플레이용 전극재료로는 유연성, 접착성, 열팽창특성, 인쇄가능성 등을 고려하였을 때, 플라스틱 기판과 물성의 조화를 가장 잘 이루는 유기물 재료인 전도성 고분자 및 탄소나노튜브를 이용한 투명전극의 연구가 진행되고 있지만, 플라스틱 기판과의 접착력, 열팽창계수, 유연성 등의 장점에도 불구하고 대부분의 전도성 고분자는 용해도가 낮고 공정이 까다로울 뿐만 아니라, 에너지 밴드갭이 3eV이하로 반도체적인 성질을 나타내고 있어 400nm이상 가시광선 파장대의 빛을 흡수하기 때문에 근본적으로 색을 띄고 있어 투과도를 높이기 위하여 박막으로 코팅할 경우 표면 저항이 높아져서 실제 투명전극으로 개발되지 못하고 있는 실정이다.
ITO를 대체할 투명전극 재료로서 가장 많이 연구되고 있는 ZnO는 저온 증착으로도 우수한 결정성으로 높은 전기전도도를 보이고 있어 ITO를 대체할 가장 유력한 후보로 거론되고 있다.
그러나, ZnO는 ITO보다 높은 비저항 값을 갖기 때문에 ITO의 비저항과 비슷한 수준의 비저항을 가지기 위해서 증착시키는 ZnO 투명전극의 두께를 증가시키는 것이 일반적이다. Ga 원소 또는 Al 원소를 도핑한 ZnO 타켓을 사용하여 증착함으로써 ZnO 투명전극의 비저항을 낮추어 줄 수 있지만, 여기에도 한계가 있어 ZnO 투명전극의 두께를 증가시켜 증착하는 것이 불가피하다. 따라서 ZnO 투명전극의 두께가 증가함에 따른 투과율을 증가시킬 다양한 방안을 모색해 볼 필요성이 있다.
상술한 바와 같은 선행기술의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 ITO를 대체하여 투명전극으로 활용할 수 있는 ZnO를 적용하여도 높은 투과율을 가지는 터치 스크린을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 본 발명의 목적은, 폴리머로 이루어진 기판 및 금속 타켓을 준비하는 단계; 금속 타켓을 스파터링법으로 증착하여 씨앗층을 형성하는 단계; Ga 원소 또는 Al 원소가 도핑된 ZnO 타겟을 준비하는 단계; 및 ZnO 타켓을 사용하여 스파터링법으로 ZnO를 증착하여 ZnO 투명전극을 형성하는 단계를 포함하는 씨앗층을 형성하여 산화아연 투명전극의 투과율을 향상시키는 방법에 의하여 달성된다.
여기에서, 바람직하게는 상기 씨앗층은 ITO이다.
바람직하게는, 상기 씨앗층은 5.0×10-6 torr 베이스 압력에서 스파터링 가스를 주입하여 스파터링법으로 증착하여 형성된다.
바람직하게는, 상기 스파터링 가스는 아르곤이고 반응가스 산소이며, 상기 아르곤 가스는 500sccm 및 상기 산소 가스는 8.5~9.5sccm을 주입하고 스파터링법으로 증착하여 형성된다.
본 발명의 또 다른 목적은, 상기와 같은 방법으로 증착된 ZnO 투명전극을 포함하는 터치 스크린에 의하여 달성된다.
본 발명에서는 ZnO 타켓을 사용하여 스파터링법으로 ZnO 투명전극을 증착하기 전에 씨앗층을 증착함으로써, 증착된 ZnO 투명전극의 투과율을 높여줄 수 있다.
본 발명은 투명전극에 주로 사용되는 소재인 ITO를 ZnO로 대체하기 위한 것으로, ZnO 타겟으로 투명전극을 증착하여도 높은 투과율을 가질 수 있는 하나의 방법으로 씨앗층을 증착하는 방법을 제공하고 있다.
본 발명은, 폴리머로 이루어진 기판 및 금속 타켓을 준비하는 단계; 금속 타켓을 스파터링법으로 증착하여 씨앗층을 형성하는 단계; Ga 원소 또는 Al 원소가 도핑된 ZnO 타겟을 준비하는 단계; 및 ZnO 타켓을 사용하여 스파터링법으로 ZnO를 증착하여 ZnO 투명전극을 형성하는 단계를 포함한다.
여기에서, 바람직하게는 상기 씨앗층은 ITO이다.
바람직하게는, 상기 씨앗층은 5.0×10-6 torr 베이스 압력에서 스파터링 가스를 주입하여 스파터링법으로 증착하여 형성된다.
바람직하게는, 상기 스파터링 가스는 아르곤이고 반응가스 산소이며, 상기 아르곤 가스는 500sccm 및 상기 산소 가스는 8.5~9.5sccm을 주입하고 스파터링법으로 증착하여 형성된다.
이하, 실시예를 통해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 이러한 실시예는 본 발명을 좀더 명확하게 이해하기 위하여 지시되는 것일 뿐, 본 발명의 범위를 제한하는 목적으로 제시하는 것은 아니며, 본 발명은 후술하는 특허청구범위의 기술적 사상의 범위 내에서 정해질 것이다.
본 발명에서는 MO 타켓, Al 타켓, ITO 타켓, Ag 타켓 또는 ZnO 타켓(Target)을 사용한 물리적 기상 증착(Physical vapor deposition) 방식으로 씨앗층(seed layer) 및 ZnO 투명전극을 형성하였으며, 물리적 기상 증착법 중에서도 스퍼터링법(Sputtering)을 적용하여 실시하였다.
스퍼터링법(Sputtering)은 현재 가장 넓게 사용되고 있는 박막 증착법으로 상대적으로 빠른 증착속도, 대면적 증착 그리고 상대적인 저온 증착 등의 장점을 갖는다. 특히 스퍼터링법의 가장 큰 특징은 상대적으로 높은 전자 농도를 갖는 금속 원자의 증착이 가능하며 이는 중성 원자의 충돌에 의한 산소 원자의 방출에 의한 것이다.
순수 ZnO (순도: 99.99%) 타겟을 사용하여 투명전극을 증착할 경우 비저항이 매우 높고 그에 따라 목표저항 부근에서의 막두께가 증가되는 경향으로 인하여 광투과율이 저하되는 문제점이 있기 때문에, 본 발명에서는 이에 대한 대안으로 ZnO 타겟에 Al 원소를 도핑하였고, 바람직하게는, Al 원소를 1.5% 도핑(Doping) 한 ZnO 타켓을 사용한다.
Al 원소가 도핑된 ZnO 타겟을 사용하여 Zn 와 Al 과의 치환 작용에 의한 산소공공을 생성시켜 전자의 밀도를 증가시킴으로써 비저항을 감소시킬 수 있었으며, ZnO에 Al 원소를 1.5%e도핑(Doping) 한 타겟을 사용하여 좀더 비저항을 개선시키고 이로 인해 막두께가 얇아지는 효과로 얻어질 수 있어 광투과율을 시킬 수 있다.
그러나, Al 원소가 도핑된 ZnO 타켓으로 투명전극의 두께를 줄이는 것도 한계가 있기 때문에, AZO(Al 원소가 도핑된 ZnO)의 투과율을 향상시키기 위해 금속층을 씨앗층(Seed Layer)으로 적용하는 실험을 진행하였다. 적용한 금속의 종류로는 Mo (Molybedenum)과 Al (Aluminium) 두가지 종류를 적용하여 실험을 진행하였으며 AZO의 비저항을 보조하고 이로 인한 AZO의 막두께를 감소시키기 위한 목적으로 진행하였으며 금속층이 금속임으로 막두께가 두께울 경우 투과율을 더욱 감소시킴으로 투과율 저하가 없는 수준에서 막두께를 조절하는 것이 중요한 변수이다.
Al과 Mo 타겟은 순도 99.99%의 높은 순도를 가지는 타겟을 적용하였고 인가파워의 종류는 DC 파워를 적용하였으며 작업가스는 Ar이 사용되고 O는 주입하지 않았다.
우선 Mo 타겟을 먼저 적용하여 씨앗층에 해당되는 조건을 설정하였다. 베이스 진공도는 5.0×10-6 torr 수준이며, 작업 진공도는 Ar 150sccm을 주입하여 3.5×10-6 torr로 진행하였다. 인가파워는 초기에 2,000W로 진행하였으나 높은 증착율에 의하여 투과율이 급격히 떨어져 인가 파워를 1,000W으로 낮추고 이송속도를 120mm/sec로 증가시켜 씨앗층을 형성 시켰다. Mo 타겟을 사용하여 형성된 씨앗층은 면저항이 7,700ohm/sq 수준이고, 투과율은 78.2% 수준으로 형성되었으며 이보다 이송속도가 빠를 경우 투과율은 향상되지만 면저항이 무한대로 측정되는 수준이었다. 씨앗층은 이후 벌크층인 AZO의 비저항을 낮추는데 기인하여야 함으로 면저항이 측정되는 수준에서 씨앗층을 형성하게 되었다.
상기와 같이 씨앗층을 형성한 후 AZO 타겟을 사용하여 투명전극을 형성하였다. 롤투롤 스파터링(Roll to roll sputtering) 장치를 사용하여 스파터링을 진행하였고, 스파터링하기 위한 바람직한 쳄버내 환경은 스파터링 가스와 반응 가스만 존재하는 것이 바람직하며 이는 비율로써 관리되어지는 스파터링(Sputtering)의 주요 인자(Factor)이기도 하다. 이러한 가스들의 인위적인 주입으로 실제 스파터링 시에는 베이스 진공도 보다 나빠진 진공도에서 작업은 이루워진다. 좀더 높은 베이스 진공도가 요구되어질 경우 TMP나 Cryo와 같은 고진공 펌프를 추가 장착하여 펌핑 속도를 증가시키고 보다 낮은 진공도 시현이 가능하지만 이는 실제 양산시 장비 투자비를 증가 시키는 요인으로 작용함으로 적절한 선택이 필요해진다.
본 발명에서는 통상적으로 ITO 증착시 요구되어지는 베이스 진공도를 베이스 진공도로 선택하였다. 상기 베이스 진공도에서 스파터링 가스인 아르곤 (Ar) 가스의 주입을 할 경우 진공도는 주입한 가스량에 대비하여 진공도는 나빠지는 경향을 보인다. 아르곤 가스는 실제 스파터링 시 발화(Ignition)되는 가스로써 이온화 된다. 아르곤 양이온은 인가된 전압에 의해 형성된 전위량 만큼의 에너지를 가지고 타겟에 충돌하며 충돌된 타겟 표면에서는 아르곤 이온의 충격량 만큼의 에너지 준위를 가진 타겟 원자가 튕겨져 나오게 된다. 튕겨져 나온 원자는 타겟의 방향에 대향하게 위치한 기판에 쌓이게 되며 쌓인 원자는 섬 형태로, 섬의 연결 형태로, 결국 박막으로 형성되어지게 되며, 이런 일련의 반복된 작용이 스파터링 박막 증착법이다.
베이스 진공도는 5.0×10-6 torr로 진행하였으며 이때의 배기 시간은 약 90min 정도에 해당한다. 워킹(Working) 진공도는 3.5×10³ torr이며, 주입된 스파터링 가스는 아르곤을 500sccm 주입하였다. 아르곤 가스의 양이 500sccm 일 경우에서 플라즈마 상태가 가장 안정된 모습을 보였으며 아르곤 가스의 양이 상대적으로 적거나 많을 경우 플라즈마가 떨리는 현상이 발생되었다. 이런 결과는 ITO 박막증착 조건과의 차이가 없는 결과로써 ITO 타겟과 ZnO 타겟과의 아르곤 가스 주입량에 대한 차이가 없음을 보여준다.
AZO (Al-Doping 1.5%) 타겟은 미국의 Angstrom사에서 제작되었으며 미국내 태양광 전지산업에서 현재 양산에 사용하고 있는 비교적 품질이 검증된 타겟을 적용하였다. 기판으로 PET(Polyethylene terephthalate) 원단에 양면으로 클리어 하드코팅된 원단을 적용하였다. 클리어 하드코팅된 원단은 주로 핸드폰과 같은 소형 크기의 디스플레이를 사용할 경우 가장 흔적 적용되는 원단의 종류이며 클리어에 대한 정도는 탁도(Haze) 퍼센트(%)로 구분된다. 탁도가 낮을수록 클리어 하다고 말할 수 있으며 통상 2.5% 이내의 탁도를 가질 경우 클리어 타입이라 표현한다.
Mo 씨앗층 Mo 씨앗층 + AZO AZO
저항
(ohm/sq)		 투과율
(%)		 저항
(ohm/sq)		 투과율
(%)		 저항
(ohm/sq)		 투과율
(%)
7,700 78.2 510 78.6 428 85.2
표 1은 상기와 같은 방법으로 각각 MO 씨앗층 및 AZO 투명전극을 적용할 때와 두 층을 함께 적용할때의 저항과 투과율을 비교한 표이다.
초기 Mo 씨앗층에서의 높은 저항은 이후 AZO 증착시 약 510ohm/sq 수준으로 낮아지나 투과율은 Mo 씨앗층 증착시 보다는 0.4%정도 향상되지만 AZO 만을 사용한 수준보다는 매우 낮아지는 결과을 얻었다. 결국 Mo 타겟을 씨앗층으로 활용하여 비저항을 개선하고 그에 따른 투과율을 향상시키기에는 무리가 있는 실험으로써 Mo 타겟을 씨앗층용으로 사용하는 것은 적합하지 않다.
다음으로 Al 타겟을 씨앗층으로 하는 실험을 진행하였다. 증착조건은 Mo 타겟의 증착 환경과 동일하며 이송속도는 120mm/sec로써 인가파워를 2,000W와 3,000W로 진행하였다.
Al (2,000W 적용) Al (3,000W 적용)
저항
(ohm/sq)		 투과율
(%)		 저항
(ohm/sq)		 투과율
(%)
- 87.7 1,200 69.6
표 2는 Al을 씨앗층으로 증착한 특성치 이다. 2,000W의 경우 저항은 무한대로 측정되었으며 투과율은 원단 투과율 보다 약 3%가 낮은 87.7%로 형성되었다. 3,000W의 경우는 면저항이 1,200ohm/sq로 다소 낮게 형성된 되고 투과율도 매우 낮은 69.9%로 형성되었다. 2,000W의 경우에는 투과율은 저하되고 저항이 무한대인 이유는 Al의 박막의 형태가 아닌 섬의 형태까지만 진행된 경우로 판단된다.
Al_2,000W Al_3,000W Al_2,000W+AZO Al_3,000W+AZO AZO
저항 (ohm/sq) - 1,200 450 930 428
투과율 (%) 87.7 69.6 84.9 76.9 85.2
표 3은 Al을 Seed층으로 증착하고 AZO를 증착한 실험의 특성치이다. Al 씨앗층을 2,000W로 진행한 실험의 저항값과 투과율값은 AZO만 증착한 경우의 값과 매우 유사하며 큰차이가 없는 수준이나 Al을 3,000W로 증착하고 AZO를 증착한 실험의 결과값은 매우 좋지 못한 결과를 얻었다. 결론적으로 전기전도도 측면은 우수하나 광투과도 측면에서는 불리한 특성을 지닌 금속류인 Mo, Al은 씨앗층으로 사용하기에는 저항값 대비 투과율 측면에서 개선점이 없는 것으로 판단되며 Al의 경우 박막상태가 아닌 박막형성 이전의 단계인 섬의 형성단계까지 조절할 경우 AZO와 동등 수준까지는 시현이 가능하지만 그 이상의 투과율 향상은 기대하기 어렵다.
다음으로는 낮은 투과율의 향상을 위하여 ITO를 씨앗층으로 적용하는 실험을 진행하였으며 본 발명은 ITO 투명전극을 ZnO 투명전극으로 대체하는 것을 목적으로 하고 있으나 소량의 ITO를 씨앗층으로 적용하여 ZnO의 비저항을 낮추고 투과율을 향상시키기 위해 최소한으로 ITO 적용하는 것으로 실험을 진행하였다.
우선 ITO 타겟은 가장 흔히 사용되는 In (Indium)과 Tin의 비율이 90:10의 wt% 비율로 제조된 타겟을 사용하고, 베이스 진공도는 5.010 torr 수준이며, 작업 진공도는 Ar 500sccm을 주입하여 3.110torr로 진행하였다. O2의 비율은 7.5sccm~9.0sccm까지 변화시키고 이송속도는 1.6m/min~2.1m/min까지 변화시켰다. 인가파워는 2,000W를 적용하여 6종의 씨앗층 기판을 제조하였다.
시 료 ITO 씨앗층 ITO 씨앗층 +AZO
Ar/O2
(sccm)		 속도
(m/min)		 저항
(ohm/sq)		 투과율
(%)		 저항
(ohm/sq)		 투과율
(%)		 탁도
(%)
#1 500/7.5 1.6 800 88.3 384 86.1 0.8
#2 500/7.5 2.1 1,200 89.8 520 87.0 0.7
#3 500/8.5 1.6 670 89.8 420 87.2 0.7
#4 500/9.0 1.6 610 90.0 425 87.6 0.8
#5 500/8.5 1.6 670 89.8 460 88.1 0.7
#6 500/9.0 1.6 610 90.0 427 88.0 0.7
표 4는 ITO 씨앗층의 특성치이며 주요 변수로는 O의 주입량과 증착 이송속도를 변화시키면서 제작되었다. 저항의 수준은 목표저항 대비 최소 50%에서 300%까지 높은 저항대를 형성시켰으며 투과율은 목표 투과율과 근접한 89% 이상의 특성으로 제작되었다.
상기 와 같이 ITO 씨앗층의 증착 이후 AZO를 증착하였고 특성치의 결과는 표 4의 오른쪽에 표시되었다. 투과율은 89% 대비 매우 높은 결과를 얻었고 저항값도 목표치 400ohm/sq 수준으로 제작되어졌다. 탁도(Haze) 수준도 1.0% 미만으로 매우 양호한 결과이다. 이와 같이 ITO와 같은 투명전극 소재를 씨앗층으로 사용하였을 경우는에는 만족할만한 결과를 얻을 수 있었다.
그 다음으로 금속중에 비저항 측면이 가장 우수한 순수 Ag (순도: 99.99%) 타겟을 씨앗층으로 사용하여 투과율 향상 실험을 진행하였다.
금속 비저항 (ohm.cm)
Ag 1.59 ×-310
Cu 1.67 ×-310
Al 2.65 ×-310
표 5에서와 같이 Ag 재료는 Cu나 Al 금속에 비하여 비저항 측면이 가장 우수한 금속이며 패터닝성이 우수하여 보조전극용 재료로 많이 사용되는 금속이다. 또한 박막으로 가공시 어느 정도의 광투과율이 있는 특징이 있다.
Ag를 씨앗층으로 사용하기 위해서 낮은 영역의 저항과 높은 투과율이 확보되는 조건을 확인하는 실험을 먼저 진행하였다. Ag를 증착하기 위한 방법은 이전에 진행한 Mo나 Al 증착조건과 동일한 방법이 사용된다. Ag 타겟도 타 금속과 마찬가지로 도전체 타겟이기 때문에 일반적인 DC 파워를 사용하고 Ar은 500sccm을 주입하고 O2는 산화방지를 위하여 주입하지 않는다. 인가파워와 이송속도를 조절하여 면저항과 투과율을 측정하면서 적절한 씨앗층 조건을 확보하는 실험을 진행하였다. 초기에는 Ag 박막 증착 후 목시로 어느정도 투과율을 확인하는 방법으로 진행하고 목시로 변별력이 없어지면 면저항과 투과율을 측정하여 비교하면시 씨앗층의 시료를 제작하였다.
파워
(W)		 속도
(m/min)		 저항
(ohm/sq)		 투과율
(%)		 탁도
(%)
500 2 15 60.4 1.0
4 측정불가 59.9 0.7
8 측정불가 73.8 0.5
1,000 2 3 44.4 1.4
4 15 64.0 0.8
5 45 59.3 0.8
6 200 58.3 0.7
8 측정불가 60.9 0.7
표 6에서는 인가파워를 500W와 1,000W로 각각 적용하고 이송속도를 변화시키면서 진행한 Ag 씨앗층의 특성치이다. 인가파워가 500W일 경우 이송속도 2~4m/min 정도에 섬구조와 박막구조의 임계점임을 확인할 수 있으며 1,000W일 경우에는 6~8m/min 정도에 임계점이 있는 것으로 분석되며 임계점에서의 투과율은 약 60% 정도로 나타난다. 이전에 진행한 Mo나 Al 박막에 비하여 섬구조와 박막구조의 임계점에서의 투과율은 비교적 10% 이상 낮게 형성되었다. 그러나 임계점 부근에서의 면저항은 Mo나 Al 박막에 비하여 월등히 낮은 수준의 면저항을 나타내었다.
Ag 박막을 씨앗층으로 적용한 결과중 면저항은 측정되지 않으나 투과율 특성에서 가장 높은 수준인 500W를 적용하고 8m/min의 이송속도로 제작된 시료와 1,000W를 적용하고 8m/min의 이송속도로 제작된 시료에 대하여 AZO 증착 실험을 추가로 진행하였다. AZO의 증착 조건은 Mo와 Al 박막에 적용된 동일한 조건으로 진행하였다. 그 결과를 다음의 표 7에 나타내었다.
Ag 씨앗층 Ag 씨앗층 + AZO
파워
(W)		 속도
(m/min)		 저항
(ohm/sq)		 투과율
(%)		 저항
(ohm/sq)		 투과율
(%)
500 8 측정불가 73.8 421 80.3
1,000 8 측정불가 60.9 446 78.2
Ag 박막을 씨앗층으로 사용하여 AZO를 증착하였을 경우 Ag 씨앗층에서 형성된 낮은 투과율이 AZO 증착후 향상되는 경향을 보였다. 특히 1,000W에 8m/min의 이송속도로 진행된 씨앗층의 경우에는 AZO 증착후 최대 18% 정도의 투과율이 향상 되었다. 그러나 최종 투과율 측면에서는 씨앗층 없이 AZO만 증착한 경우의 투과율 보다 5%이상 낮은 투과율임으로 결론적으로 Ag를 씨앗층으로 사용하는 경우가 AZO만을 증착하는 경우 보다 투과율 측면에서는 불리한 결과를 얻었다.

Claims (5)

  1. 폴리머로 이루어진 기판 및 금속 타켓을 준비하는 단계;
    상기 금속 타켓을 스파터링법으로 증착하여 씨앗층을 형성하는 단계;
    Ga 원소 또는 Al 원소가 도핑된 ZnO 타겟을 준비하는 단계; 및
    상기 ZnO 타켓을 사용하여 스파터링법으로 ZnO를 증착하여 ZnO 투명전극을 형성하는 단계를 포함하는 씨앗층을 형성하여 산화아연 투명전극의 투과율을 향상시키는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 씨앗층은 ITO인 것을 특징으로 하는 씨앗층을 형성하여 산화아연 투명전극의 투과율을 향상시키는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 씨앗층은 5.0×10-6 torr 베이스 압력에서 스파터링 가스를 주입하여 스파터링법으로 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 씨앗층을 형성하여 산화아연 투명전극의 투과율을 향상시키는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 스파터링 가스는 아르곤이고 반응가스 산소이며, 상기 아르곤 가스는 500sccm 및 상기 산소 가스는 8.5~9.5sccm을 주입하고 스파터링법으로 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 씨앗층을 형성하여 산화아연 투명전극의 투과율을 향상시키는 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 증착된 ZnO 투명전극을 포함하는 터치 스크린.
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